KR20120042053A - 전사장치 및 전사방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 전사장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 위치하며, 피 전사기판을 포함하는 상부 스테이지, 상기 상부 스테이지에 대향하며, 전사기판과 상기 전사기판의 전면에 위치하는 공통 전극을 포함하는 하부 스테이지, 상기 공통 전극의 가장자리에 위치한 장치 전극, 상기 장치 전극에 연결된 주 전원 및 상기 전사기판을 예열하는 예열수단을 포함할 수 있다.

Description

전사장치 및 전사방법{Transcripting Device And Transcripting Method}

본 발명은 열 전사 공정에 이용되는 전사장치 및 전사방법에 관한 것이다.

최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.

특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.

유기전계발광소자는 양극과 음극 사이에 발광층을 포함하고 있어 양극으로부터 공급받는 정공과 음극으로부터 받은 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.

유기전계발광소자는 풀 컬러(Full Color) 구현을 위해, R(적색), G(녹색), 및 B(청색) 화소 각각에서 OLED가 배치될 위치에 발광층(EML)을 형성한다. 발광층(EML)은 화소 별로 패터닝된다. 발광층(EML)을 형성하는 방법으로 1)FMM(Fine Metal Mask) 방법, 2)레이저 열 전사법, 3)잉크 분사법 등이 알려져 있다. 이러한 방법들은 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성이 필요한 대면적 기판을 대상으로는 적합하지 않다.

최근, 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성을 위해, 주울 히팅(Joule Heating)을 이용한 열 전사법(이하, "주울 열 전사법" 이라 함)이 대두 되고 있다. 이 방법은 유기발광재료가 성막된 전사기판에 전기 에너지를 인가하여 유기발광재료를 피 전사기판으로 전사시키는 방법이다. 그러나, 아직까지 주울 히팅을 이용한 열 전사법에 의한 공정은 그 효율이 미비한 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 주울 히팅을 이용한 열전사법에 있어서 전사에 필요한 전기에너지를 줄임으로써, 장치의 안정성 및 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 전사장치 및 전사방법을 제공한다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전사장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 위치하며, 피 전사기판을 포함하는 상부 스테이지, 상기 상부 스테이지에 대향하며, 전사기판과 상기 전사기판의 전면에 위치하는 공통 전극을 포함하는 하부 스테이지, 상기 공통 전극의 가장자리에 위치한 장치 전극, 상기 장치 전극에 연결된 주 전원 및 상기 전사기판을 예열하는 예열수단을 포함할 수 있다.

상기 예열수단은 상기 하부 스테이지이며, 상기 하부 스테이지는 히팅 플레이트일 수 있다.

상기 예열수단은 상기 장치 전극에 연결된 보조 전원일 수 있다.

상기 예열수단은 상기 챔버 내에 구비된 히터일 수 있다.

상기 공통 전극 상에 위치하는 전사재료층을 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전사장치를 이용한 전사방법은 챔버 내에 위치하는 피 전사기판을 포함하는 상부 스테이지를 전사기판과 공통 전극을 포함하는 하부 스테이지와 마주보게 배치하는 단계, 상기 챔버 내에 구비된 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계 및 상기 공통 전극의 가장자리에 위치한 장치 전극에 주 전원을 통해 전기에너지를 공급하여, 상기 공통 전극 상에 위치하는 전사재료층을 전사하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 장치 전극에 전기에너지를 공급하여 상기 공통 전극에 전달함과 동시에 상기 공통 전극에서 주울 열을 발생시켜 상기 전사재료층을 전사할 수 있다.

상기 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계는, 히팅 플레이트인 상기 하부 스테이지를 동작하여 예열할 수 있다.

상기 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계는, 상기 장치 전극에 연결된 보조 전원을 통해 전기에너지를 공급하여 예열할 수 있다.

상기 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계는, 상기 챔버 내에 구비된 히터를 동작하여 예열할 수 있다.

본 발명의 실시 예들에 따른 전사장치는 전사기판의 예열 과정을 통해 주 전원에서 낮은 에너지를 가해도 전사재료층을 전사시킬 수 있다. 이에 따라, 전사장치의 안정성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 전사기판의 주울 열 발생의 불균일을 감소시켜, 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 전사장치를 나타낸 도면.
도 2는 피 전사기판을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 전사장치의 공통 전극을 나타낸 평면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 전사장치를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 전사장치를 나타낸 도면
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전사방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 7은 전사기판의 초기 온도에 따른 주울 에너지의 필요량을 나타낸 그래프.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 전사장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 피 전사기판을 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전사장치(10)는 챔버(100), 상기 챔버(100) 내부에 위치하며, 피 전사기판(105)을 포함하는 상부 스테이지(110), 상기 상부 스테이지(110)에 대향하며, 전사기판(113)과 상기 전사기판(113)의 전면에 위치하는 공통 전극(115)을 포함하는 하부 스테이지(120), 상기 공통 전극(115)의 가장자리에 위치한 장치 전극(130) 및 상기 장치 전극(130)에 연결된 주 전원(140)을 포함할 수 있다.

상기 상부 스테이지(110)는 피 전사기판(105)을 고정하면서 피 전사기판(105)을 하부 스테이지(110)쪽으로 이동시키는 수단으로 작용될 수 있다. 상부 스테이지(110)는 그 단면이 ㄷ자 형태를 가지고 있어 피 전사기판(105)이 구비될 수 있다.

상기 피 전사기판(105)은 추후 재료가 전사되는 기판으로, 본 발명에서는 유기전계발광소자를 제조하기 위한 기판일 수 있다.

보다 자세하게, 도 2를 참조하면, 피 전사기판(105)은 박막트랜지스터(TFT)와 화소 전극(26)을 포함할 수 있다.

피 전사기판(105) 상에 반도체층(20)이 위치하고, 반도체층(20) 상에 반도체층(20)을 절연시키는 게이트 절연막(21)이 위치한다.

게이트 절연막(21) 상에 반도체층(20)과 대응되는 영역에 게이트 전극(22)이 위치하고, 게이트 전극(22) 상에 게이트 전극(22)을 절연시키는 층간 절연막(23)이 위치한다.

층간 절연막(23) 상에는 반도체층(20)과 전기적으로 연결되는 소오스 전극(24a) 및 드레인 전극(24b)이 반도체층(20)의 양측부에 위치하여 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.

박막 트랜지스터(TFT) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하면서 박막 트랜지스터(TFT)에 의한 단차를 완화시키는 패시베이션막(25)이 위치한다. 패시베이션막(25) 상에 화소 전극(26)이 위치한다. 화소 전극(26)은 각 화소별로 패턴된 구조로 이루어지고, 화소 전극(26)은 패시베이션막(25)을 관통하여 박막 트랜지스터(TFT)의 소오스 전극(24a) 및 드레인 전극(24b) 중 어느 하나에 연결된다.

화소 전극(26) 상에 화소를 정의하는 뱅크층(27)이 위치한다. 뱅크층(27)에는 화소 전극(26)의 일부 영역을 노출시키는 개구부(28)가 위치하여 추후 개구부(28)를 통해 노출된 화소 전극(26) 상에 유기물들이 적층될 수 있다.

그리고, 뱅크층(27) 상에 격벽(29)이 위치한다. 격벽(29)은 추후 전사기판과 접촉 시, 피 전사기판(105)과 전사기판 사이의 갭을 유지해주는 역할을 한다. 따라서, 위와 같은 피 전사기판(105)이 상부 스테이지(110)에 구비된다.

다시, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전사장치(100)는 상부 스테이지(110)에 대향하게 배치되는 하부 스테이지(120)를 포함할 수 있다. 하부 스테이지(120)는 전사기판(113)과 공통 전극(115)을 고정하는 역할을 한다.

하부 스테이지(120) 상에는 전사기판(113)이 위치할 수 있다. 전사기판(113) 상에는 공통 전극(115)이 위치할 수 있다. 공통 전극(115)은 피 전사기판(105)과 마주보는 전사기판(113)의 전면(前面)에 형성되어 외부로부터 인가되는 전기 에너지를 주울 열로 변환하는 역할을 한다. 이러한 공통 전극(115)은 전사기판(113) 상에 복수의 패턴 형상, 예를 들어, 스트라입 형상으로 배치될 수 있다.

공통 전극(115)은 도전성 재질 예컨대, 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 납(Pt), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 탄탈륨(Ta)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.

공통 전극(115)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 전자빔(E-Beam) 공정 및 전해/무전해 도금 공정 중 어느 하나의 방법으로 상기 금속 또는 합금을 전면(全面) 증착한 후, 전면 증착된 이 금속 또는 합금을 포토리소그래피(Photolithograph) 공정과 습식식각(Wet Etching) 공정 또는 건식식각(Dry Etching)을 통해 패터닝함으로써 형성될 수 있다.

공통 전극(115)의 두께는 주울 열을 발생시키는 저항성분을 고려하여 최대 1㎛ 이내, 바람직하게는 0.2 ~ 0.3 ㎛ 에서 선택될 수 있다.

도 3은 본 발명의 전사장치의 공통 전극을 나타낸 평면도이다.

도 3을 참조하면, 공통 전극(115)은 전사재료를 전사받을 피 전사기판(105)의 화소들의 배치 구조에 따라 다양한 형태로 패터닝 될 수 있다. 예컨대, (a)와 같이 공통 전극(115)은 양측 단부가 서로 떨어진 라인 형태로 패터닝 될 수 있다. 그리고, 공통 전극(115)은 (b)와 같이 양측 단부에서 서로 연결되도록 패터닝 될 수 있다.

다시 도 1을 참조하면, 상기 공통 전극(115) 상에 장치 전극(130)이 위치한다. 장치 전극(130)은 공통 전극(115)의 가장자리에 위치하여, 추후 공통 전극에 전기 에너지를 인가하는 역할을 할 수 있다. 이러한 장치 전극(130)은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속 재료로 이루어질 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 이루어질 수 있다.

장치 전극(130)에는 장치 전극(130)에 전기 에너지를 공급하기 위한 주 전원(140)이 연결되어 있을 수 있다. 주 전원(140)은 챔버(100) 외부에 위치하여 라인을 통해 장치 전극(130)과 연결된다.

그리고, 공통 전극(115) 상에 피 전사기판(105)에 전사되는 재료인 전사재료층(135)이 위치한다. 전사재료층(135)은 피 전사기판(105)의 화소 전극(26) 상에 전사되는 유기물일 수 있다.

한편, 본 발명의 전사장치(10)는 전사기판(113)을 예열하는 수단을 더 구비할 수 있다.

본 발명의 제 1 실시 예에서는 전사기판(113)을 예열하는 수단으로 하부 스테이지(120)를 사용할 수 있다. 하부 스테이지(120)는 내부에 열선이 내장된 히팅 플레이트(heating plate)일 수 있다. 즉, 전사기판(113)이 장착된 하부 스테이지(120)에서 전사기판(113)에 열을 가해 전사 기판(113)을 예열할 수 있다.

상기와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 전사장치(10)는 하부 스테이지(120)를 통해 전사기판(113)을 일정 온도까지 예열한 후, 주 전원(140)을 통해 장치 전극(130)에 전기에너지를 가하게 된다. 장치 전극(130)에 전기에너지가 가해지면, 공통 전극(115)에서 주울 열을 발생시켜 전사재료층(135)을 피 전사기판(105)으로 전사시킬 수 있다.

따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 전사장치(10)는 예열 과정을 통해 주 전원에서 낮은 에너지를 가해도 전사재료층을 전사시킬 수 있다. 이에 따라, 전사장치의 안정성 및 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 전사장치를 나타낸 도면이다. 하기에서는 전술한 제 1 실시 예와 동일한 구성요소에 대해서 동일한 도면부호를 도시하여 설명을 간략히 하기로 한다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 전사장치(10)는 챔버(100), 상기 챔버(100) 내부에 위치하며, 피 전사기판(105)을 포함하는 상부 스테이지(110), 상기 상부 스테이지(110)에 대향하며, 전사기판(113)과 상기 전사기판(113)의 전면에 위치하는 공통 전극(115)을 포함하는 하부 스테이지(120), 상기 공통 전극(115)의 가장자리에 위치한 장치 전극(130) 및 상기 장치 전극(130)에 연결된 주 전원(140)을 포함할 수 있다.

본 발명의 전사장치(10)는 전사기판(113)을 예열하는 수단을 더 구비할 수 있다.

본 발명의 제 2 실시 예에서는 전사기판(113)을 예열하는 수단으로 보조 전원(150)을 사용할 수 있다.

보조 전원(150)은 주 전원(140)과 더불어 챔버(100)의 외부에 위치하여, 라인을 통해 장치 전극(130)에 연결된다. 보조 전원(150)은 주 전원(140)과 동일하게 장치 전극(130)에 전기에너지를 가하게 된다. 장치 전극(130)에 가해진 전기에너지는 장치 전극(130)과 연결된 공통 전극(115)으로 인가되어 공통 전극(115)에서 주울 열을 발생시킨다.

여기서, 주 전원(140)은 전사재료층(135)의 전사되기 위해 큰 전기에너지를 가해 높은 온도의 주울 열을 발생시키지만, 보조 전원(150)은 전사기판(113)을 높지 않은 온도로 예열시키기 위한 것으로 작은 전기에너지를 가하게 된다.

주 전원(140)과 보조 전원(150)은 각각의 라인이 연결되어 장치 전극(130)에는 동일한 라인을 통해 전기에너지를 가할 수 있다.

상기와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 전사장치(10)는 보조 전원(150)을 통해 장치 전극(130)에 작은 전기에너지를 가해 전사기판(113)을 일정 온도까지 예열한 후, 주 전원(140)을 통해 장치 전극(130)에 큰 전기에너지를 가한다. 장치 전극(130)에 전기에너지가 가해지면, 공통 전극(115)에서 주울 열을 발생시켜 전사재료층(135)을 피 전사기판(105)으로 전사시킬 수 있다.

따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 전사장치(10)는 예열 과정을 통해 주 전원에서 낮은 에너지를 가해도 전사재료층을 전사시킬 수 있다. 이에 따라, 전사장치의 안정성 및 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 전사장치를 나타낸 도면이다. 하기에서는 전술한 제 1 실시 예와 동일한 구성요소에 대해서 동일한 도면부호를 도시하여 설명을 간략히 하기로 한다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 전사장치(10)는 챔버(100), 상기 챔버(100) 내부에 위치하며, 피 전사기판(105)을 포함하는 상부 스테이지(110), 상기 상부 스테이지(110)에 대향하며, 전사기판(113)과 상기 전사기판(113)의 전면에 위치하는 공통 전극(115)을 포함하는 하부 스테이지(120), 상기 공통 전극(115)의 가장자리에 위치한 장치 전극(130) 및 상기 장치 전극(130)에 연결된 주 전원(140)을 포함할 수 있다.

본 발명의 전사장치(10)는 전사기판(113)을 예열하는 수단을 더 구비할 수 있다.

본 발명의 제 3 실시 예에서는 전사기판(113)을 예열하는 수단으로 히터(160)를 사용할 수 있다.

히터(160)는 챔버(100) 내부에 위치하여, 챔버(100) 내부의 온도를 상승시키게 된다. 히터(160)는 적어도 하나 이상이 챔버(100)에 위치하여 챔버(100) 내부의 온도를 효율적으로 상승시킬 수 있다. 여기서, 히터(160)로는 할로겐 히터 등을 사용할 수 있다.

상기와 같이, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 전사장치(10)는 히터(160)를 통해 챔버(100) 내부의 온도를 일정 온도까지 상승시켜, 챔버(100) 내부에 위치한 전사기판(113)을 예열한 후, 주 전원(140)을 통해 장치 전극(130)에 큰 전기에너지를 가한다. 장치 전극(130)에 전기에너지가 가해지면, 공통 전극(115)에서 주울 열을 발생시켜 전사재료층(135)을 피 전사기판(105)으로 전사시킬 수 있다.

따라서, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 전사장치(10)는 예열 과정을 통해 주 전원에서 낮은 에너지를 가해도 전사재료층을 전사시킬 수 있다. 이에 따라, 전사장치의 안정성 및 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

이하, 전술한 본 발명의 일 실시 예에 따른 전사장치를 이용한 전사방법을 설명하면 다음과 같다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전사장치를 이용한 전사방법을 공정별로 나타낸 도면이다. 하기에서는 전술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 전사장치를 이용한 전사방법을 설명하기로 한다.

먼저, 도 6a를 참조하면, 챔버(100) 내에 상부 스테이지(110)와 하부 스테이지(120)가 구비된다. 그리고, 챔버(100) 내에 적어도 하나 이상의 히터(160)를 구비한다.

그리고, 상부 스테이지(110)에 피 전사기판(105)을 장착한다. 피 전사기판(105)은 유기전계발광소자의 제조기판으로 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극, 뱅크층 및 격벽까지 형성된 기판일 수 있다.

다음, 전사기판(113), 공통 전극(115) 및 장치 전극(130)이 구비된 하부 스테이지(120) 상에 전사재료층(135)을 형성한다. 전사재료층(135)은 피 전사기판(105)에 전사되는 유기물일 수 있다.

이어, 상부 스테이지(110)와 하부 스테이지(120)를 서로 마주보게 배치한다. 이때, 피 전사기판(105)과 전사재료층(135)이 서로 마주보도록 배치한다.

다음, 도 6b를 참조하면, 상부 스테이지(110)를 하강시켜, 피 전사기판(105)과 하부 스테이지(120)의 전사재료층(135)을 접속시킨다. 이때, 피 전사기판(105)의 격벽(29)이 전사재료층(135)과 접촉되어 일정 갭(gap)을 유지하게 된다.

이어, 챔버(100)에 구비된 히터(160)를 작동하여 챔버(100) 내부의 온도를 약 100 내지 200℃까지 상승시킨다. 이에 따라 챔버(100) 내부에 위치한 전사기판(113)의 온도도 상승하게 된다.

다음, 주 전원(140)을 통해 장치 전극(130)에 전기에너지를 공급하여 공통 전극(115) 상에 위치하는 전사재료층(135)을 전사한다. 보다 자세하게는, 장치 전극(130)에 전기에너지를 공급하여 공통 전극(115)에 전달함과 동시에 공통 전극(115)에서 주울 열을 발생시켜 전사재료층(135)을 피 전사기판(105)에 전사한다.

따라서, 전사재료층(135)의 재료가 열에 의해 증발되어 피 전사기판(105)에 전사될 수 있다. 이때, 전사재료층(135)이 증발되는 온도는 약 250 내지 500℃일 수 있다. 다음, 상부 스테이지(110)를 상승시켜 피 전사기판(105)을 분리하여 전사 공정을 끝마친다.

한편, 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 전사장치의 경우, 전사기판을 예열할 때, 히팅 플레이트인 하부 스테이지를 작동시켜 예열할 수 있다. 또한, 전술한 제 2 실시 예에 따른 전사장치의 경우, 보조 전원을 통해 전기에너지를 공급하여 전사기판을 예열할 수도 있다.

상기와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 전사장치는 전사기판의 예열 과정을 통해 주 전원에서 낮은 에너지를 가해도 전사재료층을 전사시킬 수 있다. 이에 따라, 전사장치의 안정성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 전사기판의 주울 열 발생의 불균일을 감소시켜, 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

도 7은 전사기판의 초기 온도에 따른 주울 에너지의 필요량을 나타낸 그래프이다.

본 발명의 전사장치를 이용하여 전사기판의 초기 온도에 따라 전사기판이 300℃에 도달하기까지 필요한 주울 에너지를 측정하였다.

도 7을 참조하면, 전사기판의 초기 온도가 30℃일 경우에 300℃까지 상승시키는데 필요한 주울 에너지가 약 31.2J으로 나타나고, 전사기판의 초기 온도가 200℃일 경우에는 약 11.6J의 주울 에너지가 필요한 것을 알 수 있다.

즉, 전사기판을 예열하여 전사기판의 초기 온도를 상승시키면, 약 300℃ 이상의 전사공정에서 주 전원의 전기에너지 소모량을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 전사기판의 예열 과정을 통해 주 전원에서 낮은 에너지를 가해도 전사재료층을 전사시킬 수 있다. 이에 따라, 전사장치의 안정성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 전사기판의 주울 열 발생의 불균일을 감소시켜, 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (10)

1. 챔버;
   상기 챔버 내부에 위치하며, 피 전사기판을 포함하는 상부 스테이지;
   상기 상부 스테이지에 대향하며, 전사기판과 상기 전사기판의 전면에 위치하는 공통 전극을 포함하는 하부 스테이지;
   상기 공통 전극의 가장자리에 위치한 장치 전극;
   상기 장치 전극에 연결된 주 전원; 및
   상기 전사기판을 예열하는 예열수단을 포함하는 전사장치.
   
2. 제 1항에 있어서,
   상기 예열수단은 상기 하부 스테이지이며,
   상기 하부 스테이지는 히팅 플레이트인 전사장치.
   
3. 제 1항에 있어서,
   상기 예열수단은 상기 장치 전극에 연결된 보조 전원인 전사장치.
   
4. 제 1항에 있어서,
   상기 예열수단은 상기 챔버 내에 구비된 히터인 전사장치.
   
5. 제 1항에 있어서,
   상기 공통 전극 상에 위치하는 전사재료층을 더 포함하는 전사장치.
   
6. 챔버 내에 위치하는 피 전사기판을 포함하는 상부 스테이지를 전사기판과 공통 전극을 포함하는 하부 스테이지와 마주보게 배치하는 단계;
   상기 챔버 내에 구비된 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계; 및
   상기 공통 전극의 가장자리에 위치한 장치 전극에 주 전원을 통해 전기에너지를 공급하여, 상기 공통 전극 상에 위치하는 전사재료층을 전사하는 단계를 포함하는 전사방법.
   
7. 제 6항에 있어서,
   상기 장치 전극에 전기에너지를 공급하여 상기 공통 전극에 전달함과 동시에 상기 공통 전극에서 주울 열을 발생시켜 상기 전사재료층을 전사하는 전사방법.
   
8. 제 6항에 있어서,
   상기 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계는,
   히팅 플레이트인 상기 하부 스테이지를 동작하여 예열하는 전사방법
   
9. 제 6항에 있어서,
   상기 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계는,
   상기 장치 전극에 연결된 보조 전원을 통해 전기에너지를 공급하여 예열하는 전사방법.
   
10. 제 6항에 있어서,
    상기 예열수단을 통해 상기 전사기판을 예열하는 단계는,
    상기 챔버 내에 구비된 히터를 동작하여 예열하는 전사방법.

Images