KR20120041587A - Sample inspection system and method of inspection using the same - Google Patents

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KR20120041587A
KR20120041587A KR1020100103101A KR20100103101A KR20120041587A KR 20120041587 A KR20120041587 A KR 20120041587A KR 1020100103101 A KR1020100103101 A KR 1020100103101A KR 20100103101 A KR20100103101 A KR 20100103101A KR 20120041587 A KR20120041587 A KR 20120041587A
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이진환
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에이피시스템 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A sample inspecting system and sample inspecting method using the same are provided to improve the accuracy of an inspection through microscopically inspecting the sample without optical distortion by using a scanning electron inspection device. CONSTITUTION: A sample inspecting system comprises a first optical inspection device, a second optical inspection device, a scanning electron inspection device(200), and a robot arm(300). The first optical inspection device magnifies and observes a sample in macro or the meso units. The second optical inspection device is signally connected to the first optical inspection device. The second optical inspection device magnifies and observes a sample in a micro unit. The scanning electron inspection device is signally connected to the first optical inspection device and second optical inspection device. The scanning electron inspection device projects electric beams, thereby magnifying and observing the sample. The robot arm respectively transfers the sample to the first optical inspection device, the second optical inspection device, and the scanning electron inspection device.

Description

시료 검사 시스템 및 이를 이용한 시료 검사 방법{SAMPLE INSPECTION SYSTEM AND METHOD OF INSPECTION USING THE SAME}Sample Inspection System and Sample Inspection Method Using The Same {SAMPLE INSPECTION SYSTEM AND METHOD OF INSPECTION USING THE SAME}

본 발명은 시료 검사 시스템 및 이를 이용한 시료 검사 방법에 관한 것으로, 시료의 검사 정확도를 향상시킬 수 있는 시료 검사 시스템 및 이를 이용한 시료 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sample inspection system and a sample inspection method using the same, and relates to a sample inspection system and a sample inspection method using the same that can improve the inspection accuracy of the sample.

고효율의 발광다이오드 제작을 위해서는 높은 내부 양자 효율을 갖는 것 뿐만 아니라, 외부로 광이 방출되는 광 추출 효율을 향상시켜야 한다. 이를 위해 일반적으로 기판 상에 2~3㎛의 복수의 요철을 형성하여, 복수의 요철 계면에서의 빛의 굴절 및 난반사를 이용하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 요철의 형상은 예를 들어 반구 형상 또는 피라미드와 같은 다양한 형상의 요철이 사용될 수 있다.In order to manufacture high-efficiency light emitting diodes, not only have high internal quantum efficiency, but also light extraction efficiency of light emitted to the outside must be improved. To this end, a plurality of irregularities having a thickness of 2 to 3 μm are generally formed on the substrate, thereby improving light extraction efficiency by using light refraction and diffuse reflection at the plurality of uneven interfaces. As the shape of the unevenness, various shapes of unevenness such as hemispherical shape or pyramid may be used.

이때, 요철의 특성에 따라 발광다이오드의 발광 효율이 크게 좌우된다. 즉, 요철의 결함 유무, 요철의 크기, 형상 등에 의해 발광다이오드의 발광 효율이 결정된다. 따라서, 발광다이오드 제작 공정 시에 또는 발광다이오드의 제작 공정 전에 기판 상에 요철을 형성하고, 상기 요철의 결함 유무, 형상, 크기 등과 같은 특성을 분석한다. At this time, the luminous efficiency of the light emitting diode is greatly influenced by the characteristics of the unevenness. That is, the luminous efficiency of the light emitting diode is determined by the presence or absence of defects of irregularities, the size and shape of the irregularities. Therefore, irregularities are formed on the substrate during the light emitting diode fabrication process or before the light emitting diode fabrication process, and the characteristics such as the presence or absence of defects, shape, size, etc. of the unevenness are analyzed.

일반적으로 요철을 분석하는 장치로써, 일반적으로 시료를 절단하지 않고 3차원 이미지 획득이 가능한 장치인 광학계를 사용한다. 광학계로는 콘포칼 현미경(Confocal Microscope), 백색광주사간섭법(WSI), 광위상 간섭법(PSI), 무아레(Moire)측정법, 피죠간섭계(Fizeau Interferometry) 등이 있다. 여기서 콘포칼 현미경(Confocal Microscope), 백색광주사간섭법(WSI), 광위상 간섭법(PSI), 피죠간섭계(Fizeau Interferometry)는 높이 분해능이 1nm이하로 상당히 높다. 하지만, 광의 왜곡이 심한 에지(Edge나) 포인트(Point)형태의 표면 관찰이 힘들다. 예를 들어, 기판 상에 2~3㎛의 복수의 요철이 형성된 기판을 관찰하고자 할 경우, 2~3㎛의 복수의 요철 패턴의 프로파일(profile)을 정확하게 알 수 없고, 결함의 종류, 수, 크기 등을 정확하게 관찰할 수 없다. 또한, 날카로운 첨예(尖銳)부를 가지는 요철 예를 들어, 피라미드 형상의 요철을 가지는 기판을 광학계를 통해 검사할 경우, 상기 첨예(尖銳)부에서 광 왜곡 현상이 발생될 수 있다. 따라서, 도 5b에 도시된 바와 같이 요철의 일부 영역이 함몰된 형상으로 화상 처리된 이미지가 얻어진다. 이에, 요철에 결함이 발생되었다 하더라도, 상기 요철의 정확한 관찰 및 판단이 어렵다. 또한 요철에 결함이 관찰되면, 이를 이용하여 요철 형성 공정을 개선시켜야 하는데, 요철의 정확한 관찰 및 판단이 어려움에 따라 요철 형성 공정을 개선시킬 수 없는 문제가 발생된다. 이는 발광다이오드의 생산 수율을 감소시키는 원인으로 작용될 수 있다.In general, as an apparatus for analyzing irregularities, an optical system, which is a device capable of acquiring three-dimensional images without cutting a sample, is generally used. Optical systems include a Confocal Microscope, White Light Interferometry (WSI), Optical Phase Interferometry (PSI), Moire Measurement, Fizeau Interferometry, and the like. Here, Confocal Microscope, White Light Interferometry (WSI), Optical Phase Interferometry (PSI), and Fizeau Interferometry have a high resolution of less than 1 nm. However, it is difficult to observe the surface in the form of edge or edge where the light is severely distorted. For example, when observing a substrate on which a plurality of irregularities of 2 to 3 µm are formed on the substrate, the profile of the plurality of irregularities of the 2 to 3 µm pattern cannot be accurately known, and the kind, number, and number of defects are Sizes, etc. cannot be observed accurately. In addition, when the substrate having a sharp sharpened portion, for example, a substrate having pyramidal irregularities is inspected through an optical system, a light distortion phenomenon may occur in the sharpened portion. Thus, as shown in Fig. 5B, an image obtained by processing the image in a shape in which a partial region of the unevenness is recessed is obtained. Therefore, even if a defect occurs in the unevenness, it is difficult to accurately observe and determine the unevenness. In addition, when defects are observed in the unevenness, the unevenness forming process should be improved by using the same, and the difficulty of accurate observation and determination of the unevenness causes a problem in that the unevenness forming process cannot be improved. This may act as a cause of reducing the production yield of the light emitting diode.

본 발명의 일 기술적 과제는 시료의 검사 정확도를 향상시킬 수 있는 시료 검사 시스템 및 이를 이용한 시료 검사 방법을 제공한다.One technical problem of the present invention is to provide a sample inspection system and a sample inspection method using the same that can improve the inspection accuracy of the sample.

본 발명의 다른 일 기술적 과제는 날카로운 첨예(尖銳)부를 가지는 시료를 정확하게 검사할 수 있는 시료 검사 시스템 및 이를 이용한 시료 검사 방법을 제공한다.Another technical problem of the present invention is to provide a sample inspection system capable of accurately inspecting a sample having a sharp sharpened portion and a sample inspection method using the same.

본 발명의 또 다른 일 기술적 과제는 광학 현미경과 주사 전자 현미경을 구비하는 검사 시스템 및 이를 이용한 시료 검사 방법을 제공한다.Another technical problem of the present invention is to provide an inspection system having an optical microscope and a scanning electron microscope, and a sample inspection method using the same.

본 발명에 따른 검사 시스템은 매크로(macro) 또는 메조(moso) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 1 광학 검사 장치, 상기 제 1 광학 검사 장치와 신호적으로 연결되며, 마이크로(micro) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 2 광학 검사 장치, 상기 제 1 광학 검사 장치 및 제 2 광학 검사 장치와 신호적으로 연결되며, 전자빔을 주사하여 시료를 확대 관찰하는 주사 전자 검사 장치(SEM), 상기 시료를 제 1 광학 검사 장치, 제 2 광학 검사 장치, 주사 전자 검사 장치 각각이 위치한 곳으로 이송시키는 로봇암을 구비한다. The inspection system according to the present invention is connected to the first optical inspection device, the first optical inspection device for magnifying and observing the sample in macro or meso units, and the sample in micro units. A scanning electron inspection device (SEM) connected to the second optical inspection device for magnifying and observing the signal, the first optical inspection device and the second optical inspection device, and scanning and magnifying the specimen by scanning an electron beam, and the sample being first The robotic arm which transfers to an optical inspection apparatus, a 2nd optical inspection apparatus, and a scanning electron inspection apparatus each located is provided.

상기 주사 전자 검사 장치는 상기 시료를 3D로 화상 처리하는 것을 특징으로한다. The scanning electronic inspection device is characterized in that the sample is processed in 3D.

상기 제 1 광학 검사 장치 하측에 대응 배치되어 시료를 지지하는 제 1 스테이지, 상기 제 2 광학 검사 장치 하측에 대응 배치되어 시료를 지지하는 제 2 스테이지, 상기 주사 전자 검사 장치 하측에 대응 배치되어 시료를 지지하는 제 3 스테이지를 포함한다.A first stage corresponding to the lower side of the first optical inspection apparatus and supporting the sample; a second stage corresponding to the lower side of the second optical inspection apparatus and supporting the sample; And a supporting third stage.

상기 제 1 내지 제 3 스테이지를 수평 방향으로 이동시키는 제 1 내지 제 3 수평 이동부를 구비한다.And first to third horizontal moving parts for moving the first to third stages in a horizontal direction.

본 발명에 따른 매크로(macro) 또는 메조(moso) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 1 광학 검사 장치, 마이크로(micro) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 2 광학 검사 장치 및 주사 전자 검사 장치를 구비하는 검사 시스템을 이용하여 시료를 검사하는 방법에 있어서, 상기 제 1 광학 검사 장치를 이용하여 상기 시료 전체를 검사하는 단계, 상기 시료의 결함 유무를 판단하는 단계, 상기 시료의 결함 유무를 판단한 결과, 결함이 존재하지 않는 경우, 상기 시료의 검사를 종료하고, 상기 시료에 결함이 존재하는 경우, 상기 시료 표면의 형상에 따라 상기 시료를 제 2 광학 현미경을 이용하여 검사하거나, 주사 전자 검사 장치를 이용하여 검사하는 단계를 포함한다.A first optical inspection device for magnifying and observing a sample in a macro or meso unit according to the present invention, a second optical inspection device for magnifying and observing a sample in micro units, and a scanning electron inspection device. A method of inspecting a sample using an inspection system, comprising: inspecting the entire sample using the first optical inspection device, determining whether the sample is defective, and determining whether the sample is defective, If this does not exist, the inspection of the sample is terminated, and if a defect exists in the sample, the sample is inspected using a second optical microscope according to the shape of the surface of the sample, or a scanning electron inspection device is used. Checking.

상기 시료를 제 2 광학 검사 장치를 이용하여 검사하거나, 주사 전자 검사 장치를 이용하여 검사하는 단계 전에, 상기 시료 표면의 형상을 판단하는 단계를 포함한다.And determining the shape of the surface of the sample before inspecting the sample using a second optical inspection device or inspecting the sample using a scanning electronic inspection device.

상기 시료는 기판의 일측면에 복수의 요철이 형성된 것을 사용한다.The sample uses a plurality of irregularities formed on one side of the substrate.

상기 시료의 요철이 첨예(尖銳)부를 구비하는 경우, 상기 제 1 광학 검사 장치를 이용한 검사 후에, 주사 전자 검사 장치를 이용한 검사를 실시한다.When the unevenness | corrugation of the said sample is provided with a sharp part, the test | inspection using a scanning electron inspection apparatus is performed after the test | inspection using the said 1st optical inspection apparatus.

상기 시료의 요철이 첨예(尖銳)부를 구비하지 않는 경우, 상기 제 1 광학 검사 장치를 이용한 검사 후에 제 2 광학 검사 장치를 이용한 검사를 실시하거나, 제 1 광학 검사 장치를 이용한 검사 후에 주사 전자 검사 장치를 이용한 검사를 실시한다.In the case where the unevenness of the sample does not have a sharp portion, the inspection using the second optical inspection apparatus is performed after the inspection using the first optical inspection apparatus, or the scanning electronic inspection apparatus after the inspection using the first optical inspection apparatus. Perform the test using.

상기 제 2 광학 검사 장치 또는 주사 전자 검사 장치를 이용한 시료 검사 시에, 상기 시료의 일부 영역을 확대하여 관찰한다.At the time of the sample inspection using the second optical inspection device or the scanning electronic inspection device, a portion of the sample is enlarged and observed.

상기 제 2 광학 검사 장치 또는 주사 전자 검사 장치는 상기 제 1 광학 검사 장치에 의해 관찰된 결함의 위치 정보를 전송받아, 이를 이용하여 시료를 확대한다.The second optical inspection apparatus or the scanning electronic inspection apparatus receives the position information of the defect observed by the first optical inspection apparatus, and enlarges the sample using the position information.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 검사 시스템은 매크로 단위로 시료를 확대하는 광학 검사 장치, 마이크로 단위로 시료를 확대하는 광학 검사 장치 및 전자빔을 주사하여 시료를 확대 관찰하는 주사 전자 검사 장치를 포함한다. 그리고 시료의 형상에 따라 매크로 광학 검사 장치를 이용하여 시료 전체를 거시적으로 검사한 후, 마이크로 광학 검사 장치로 시료를 미시적으로 검사하거나, 매크로 광학 검사 장치를 이용하여 시료 전체를 거시적으로 검사한 후, 주사 전자 검사 장치를 이용하여 시료를 미시적으로 검사한다.As described above, the inspection system according to the embodiment of the present invention includes an optical inspection device for enlarging a sample in macro units, an optical inspection device for enlarging a sample in micro units, and a scanning electron inspection device for magnifying and observing a sample by scanning an electron beam. Include. After macro inspection of the entire sample using a macro optical inspection device according to the shape of the sample, microscopic inspection of the sample using a micro optical inspection device, or macroscopic inspection of the entire sample using a macro optical inspection device, The sample is microscopically inspected using a scanning electronic inspection device.

이에, 시료에 존재하는 결함이 발견되지 못하고 패스(pass)되는 일 없이, 결함 유무 판단의 정확도를 향상시킬 수 있다. 그리고 마이크로 광학 현미경 및 주사 전자 현미경을 이용한 검사시에 매크로 광학 현미경을 통해 관찰된 결함의 좌표를 이용하여 상기 시료를 마이크로로 확대하여 관찰함으로써, 마이크로 광학 현미경 및 주사 전자 현미경을 이용한 관찰 시간을 단축할 수 있다.As a result, the accuracy of determination of the presence or absence of a defect can be improved without finding a defect existing in the sample without passing. In addition, the inspection time using the micro-optic microscope and the scanning electron microscope can be magnified and observed with the micro-graph using the coordinates of defects observed through the macro-optic microscope, thereby reducing the observation time using the micro-optical microscope and the scanning electron microscope. Can be.

또한, 날카로운 첨예(尖銳)부를 가지는 시료을 검사할 경우, 주사 전자 현미경을 이용하여 미시적으로 검사함으로써, 종래에서와 같이 광의 왜곡 현상이 발생되지 않는다. 따라서, 날카로운 첨예(尖銳)부를 가지는 시료의 이미지 왜곡 없이 수나노 이하의 분해능으로 측정이 가능하여, 검사 정확도를 향상시킬 수 있다.In addition, when inspecting the sample which has a sharp sharp part, the microscopic inspection using a scanning electron microscope does not produce the distortion of light like conventionally. Therefore, it is possible to measure with a resolution of several nanometers or less without distorting an image of a sample having sharp sharpened portions, thereby improving inspection accuracy.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 검사 시스템을 도시한 블록도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광학 검사 유닛을 도시한 도면
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 주사 전자 현미경 유닛을 도시한 도면
도 4a는 기판 상에 반구 형상의 복수의 요철이 형성된 제 1 시료를 나타낸 단면도이고, 도 4b는 상기 제 1 시료를 제 2 광학 현미경에 의해 확대된 이미지를 도시한 단면도.
도 5a는 기판 상에 피라미드 형상의 복수의 요철이 형성된 제 2 시료를 나타낸 단면도이고, 도 5b는 상기 제 2 시료를 제 2 광학 현미경에 의해 확대된 이미지를 도시한 단면도이고, 도 5c는 제 2 시료를 주사 전자 현미경에 의해 확대된 이미지를 도시한 단면도
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 검사 유닛을 이용하여 제 1 및 제 2 시료를 검사하는 방법을 순서적을 도시한 순서도
1 is a block diagram illustrating an inspection system according to an embodiment of the present invention.
2 shows an optical inspection unit according to an embodiment of the invention
3 illustrates a scanning electron microscope unit according to an embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view showing a first sample in which a plurality of hemispherical irregularities are formed on a substrate, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing an enlarged image of the first sample by a second optical microscope.
5A is a cross-sectional view illustrating a second sample having a plurality of pyramidal irregularities formed on a substrate, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing an enlarged image of the second sample by a second optical microscope, and FIG. 5C is a second view. A cross-sectional view showing an enlarged image of a sample by a scanning electron microscope
6 is a flowchart illustrating a method of inspecting first and second samples using a test unit according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 검사 시스템을 도시한 블록도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광학 검사 유닛을 도시한 도면이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 주사 전자 현미경 유닛을 도시한 도면이다.1 is a block diagram illustrating an inspection system according to an embodiment of the present invention. 2 is a diagram illustrating an optical inspection unit according to an embodiment of the present invention. 3 illustrates a scanning electron microscope unit according to an embodiment of the present invention.

실시예에 따른 검사 시스템은 시료(S)를 매크로(macro) 또는 메조(meso) 단위로 확대하여 검사한 후, 마이크로(micro) 단위로 확대하여 검사를 진행함으로써, 시료(S)의 검사 정밀도를 얻을 수 있는 검사 시스템이다. 실시예에 따른 시료(S)는 웨이퍼와 같은 기판 상에 복수의 요철이 상호 이격되어 형성된 것을 사용한다. 그리고 시료(S) 표면은 기판 표면 및 상기 기판 표면에 형성된 복수의 요철의 표면을 의미한다. 물론 이에 한정되지 않고 다양한 형상의 대상물이 시료(S)로 사용될 수 있다.In the inspection system according to the embodiment, the sample S is enlarged and inspected in a macro or meso unit and then inspected by being enlarged in micro units, thereby improving the inspection precision of the sample S. It is an inspection system that can be obtained. The sample S according to the embodiment uses a plurality of irregularities formed on a substrate, such as a wafer, spaced apart from each other. And the surface of the sample S means the surface of the board | substrate and the some unevenness | corrugation formed in the said board | substrate surface. Of course, the present invention is not limited thereto, and an object having various shapes may be used as the sample S.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 검사 시스템은 광을 이용하여 매크로(Macro) 단위 또는 메조(Meso) 단위로 시료(S) 표면을 확대하여 관찰하는 제 1 광학 검사 장치(170) 및 마이크로(micro) 단위로 시료(S)를 확대하여 관찰하는 제 2 광학 검사 장치(180)를 구비하는 광학 검사 유닛(100), 전자빔을 주사하여 시료(S)를 관찰하는 주사 전자 검사 유닛(200) 및 시료(S)를 이송시키는 로봇암(300)을 포함한다. 또한, 검사하고자 하는 시료(S)가 적재되는 제 1 카세트(410), 결함이 관찰된 시료(S)를 적재하는 제 2 카세트(420), 결함이 관찰되지 않은 시료(S)를 적재하는 제 3 카세트(430)를 포함한다. 여기서, 로봇암(300)은 제 1 카세트(410)에 적재된 검사하고자 하는 시료(S)를 제 1 광학 검사 장치(170), 제 2 광학 검사 장치(180) 및 주사 전자 검사 유닛(200) 각각으로 이송시키는 역할을 한다. 또한, 제 1 광학 검사 장치(170), 제 2 광학 검사 장치(180) 및 주사 전자 검사 유닛(200)으로부터 검사가 종료된 시료(S)를 제 2 및 제 3 카세트(430)로 이송시키는 역할을 한다.Referring to FIG. 1, an inspection system according to an exemplary embodiment may include a first optical inspection apparatus 170 and a micro () that observe an enlarged surface of a sample S in a macro unit or a meso unit using light. an optical inspection unit 100 having a second optical inspection device 180 for enlarging and observing the sample S in micro units, a scanning electron inspection unit 200 for observing the sample S by scanning an electron beam, and It includes a robot arm 300 for transporting the sample (S). Further, the first cassette 410 on which the sample S to be inspected is loaded, the second cassette 420 on which the sample S on which a defect is observed, and the sample S on which no defect is observed, are loaded. Three cassettes 430 are included. Here, the robot arm 300, the first optical inspection device 170, the second optical inspection device 180 and the scanning electronic inspection unit 200 to test the sample (S) to be loaded on the first cassette 410 It serves to transfer to each. In addition, a role of transferring the finished sample S from the first optical inspection device 170, the second optical inspection device 180, and the scanning electronic inspection unit 200 to the second and third cassettes 430. Do it.

도 1 및 도 2를 참조하면, 광학 검사 유닛(100)은 내부 공간을 가지며, 진공 처리된 제 1 챔버(130), 제 1 챔버(130) 상부 외측에서 광을 조사하여 매크로 또는 메조 단위로 시료(S)를 확대하여 관찰하는 제 1 광학 검사 장치(170), 제 1 챔버(130) 외측에서 제 1 광학 검사 장치(170)와 수평 방향으로 이격되도록 배치되어, 마이크로 단위로 시료(S)를 확대하여 관찰하는 제 2 광학 검사 장치(180), 제 1 챔버(130) 내부에서 제 1 광학 검사 장치(170)의 하측에 대응 배치되어 시료(S)를 지지하는 제 1 스테이지(132a), 제 1 챔버(130) 내부에서 제 2 광학 검사 장치(180)의 하측에 대응 배치되어 시료(S)를 지지하는 제 2 스테이지(132b)를 포함한다. 여기서, 제 1 및 제 2 광학 검사 장치(170, 180)의 하측에 각기 대응되는 제 1 챔버(130) 상부에 제 1 및 제 2 윈도우(131a, 131b)가 마련된다. 또한, 제 1 및 제 2 스테이지(131a, 132b)를 수평 방향으로 이동시키는 제 1 및 제 2 수평 이동부(133a, 133b), 상기 제 1 및 제 2 스테이지(131a, 132b)를 승하강시키는 제 1 및 제 2 승하강부(134a, 134b)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, the optical inspection unit 100 has an inner space, and irradiates light from the upper side of the first chamber 130 and the first chamber 130 that are vacuumed, and samples the macro or meso units. The first optical inspection device 170 for enlarging and observing (S) is disposed to be spaced apart from the first optical inspection device 170 in the horizontal direction from the outside of the first chamber 130, and the sample S is micro-united. First stage 132a for supporting the sample S, the second optical inspection device 180 for enlarged observation and the first optical inspection device 170 disposed inside the first chamber 130 to support the sample S. The first chamber 130 includes a second stage 132b disposed corresponding to the lower side of the second optical inspection device 180 to support the sample S. Here, the first and second windows 131a and 131b are provided above the first chamber 130 respectively corresponding to the lower sides of the first and second optical inspection apparatuses 170 and 180, respectively. In addition, the first and second horizontal moving parts 133a and 133b for moving the first and second stages 131a and 132b in the horizontal direction, and the first and second stages 131a and 132b for lifting and lowering the first and second stages 131a and 132b. And first and second lifting portions 134a and 134b.

실시예에서는 제 1 챔버(130)를 내부가 비어있는 사각통 형상으로 제작하였으나, 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 그리고 도시되지는 않았지만, 제 1 챔버(130)의 일측에는 시료(S)가 출입하는 출입구가 마련되며, 제 1 챔버(130) 내부의 압력을 조절하는 압력 조절 수단 및 제 1 챔버(130) 내부를 배기하는 배기 수단을 구비할 수도 있다. 그리고 이러한 제 1 챔버(130) 상부에는 제 1 및 제 2 광학 현미경(110, 120)으로부터 조사되는 광이 투과할 수 있도록 하는 제 1 및 제 2 윈도우(131a, 131b)가 마련된다. 여기서 제 1 및 제 2 윈도우(131a, 131b)는 광이 투과될 수 있는 광 투과성의 유리 재질을 이용하여 제작된다.In the embodiment, the first chamber 130 is manufactured to have a hollow rectangular cylinder shape, but is not limited thereto and may be manufactured in various shapes. Although not shown, an entrance through which the sample S enters and exits is provided at one side of the first chamber 130, and a pressure adjusting means for adjusting a pressure inside the first chamber 130 and inside the first chamber 130. It may be provided with an exhaust means for exhausting. In addition, first and second windows 131a and 131b may be provided on the first chamber 130 to transmit light emitted from the first and second optical microscopes 110 and 120. Here, the first and second windows 131a and 131b are manufactured using a light-transmissive glass material through which light can pass.

제 1 및 제 2 광학 검사 장치(170, 180) 각각은 시료(S) 상에 광을 조사하여 상기 시료(S)의 화상 데이타를 추출하는 제 1 및 제 2 광학 현미경(110, 120), 상기 제 1 및 제 2 광학 현미경(110, 120)과 신호적으로 연결된 제 1 및 제 2 판독부(140, 150)을 포함한다. 제 1 광학 검사 장치(170)는 매크로 또는 메조 단위로 시료(S)를 확대하여 관찰할 수 있고, 제 2 광학 검사 장치(180)은 마이크로 단위로 시료(S)를 확대하여 관찰할 수 있다. 그리고 제 1 및 제 2 광학 현미경(110, 120)은 예를 들어, 콘포칼 현미경(Confocal Microscope), 백색광주사간섭법(WSI), 광위상 간섭법(PSI), 무아레(Moire)측정법, 피죠간섭계(Fizeau Interferometry) 등을 사용할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 제 1 및 제 2 광학 현미경(110, 120)은 상기에서 설명한 예들에 한정되지 않고, 매크로 또는 메조, 마이크로 단위로 시료(S)를 확대하여 관찰 할 수 있는 다양한 구조 및 구성을 가지는 어떠한 장치를 사용하여도 무방하다.Each of the first and second optical inspection apparatuses 170 and 180 irradiates light onto the sample S to extract image data of the sample S, respectively. And first and second readers 140 and 150 in signal communication with the first and second optical microscopes 110 and 120. The first optical inspection apparatus 170 may magnify and observe the sample S in macro or meso units, and the second optical inspection apparatus 180 may magnify and observe the sample S in micro units. The first and second optical microscopes 110 and 120 may include, for example, a confocal microscope, a white light scanning interference (WSI), a photophase interference method (PSI), a moire measurement method, and a fibrointerferometer. (Fizeau Interferometry) can be used. Of course, the present invention is not limited thereto, and the first and second optical microscopes 110 and 120 are not limited to the examples described above, and various structures and configurations that can be observed by enlarging the sample S in macro, meso or micro units. Any device that has can be used.

제 1 및 제 2 판독부(140, 150)는 제 1 및 제 2 광학 현미경(110, 120)과 신호적으로 연결되어, 상기 제 1 및 제 2 광학 현미경(110, 120)을 통해 수집된 광 에너지를 이용하여 시료(S)를 판독한다.The first and second readers 140 and 150 are signal connected to the first and second optical microscopes 110 and 120 to collect light collected through the first and second optical microscopes 110 and 120. The sample S is read using energy.

이와 같이 실시예에서는 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 시료(S)를 전체를 거시적으로 관찰하고, 제 2 광학 검사 장치(180)를 B이용하여 연속적으로 시료(S)를 마이크로 단위로 확대하여 미시적으로 관찰한다. 이때, 제 2 광학 검사 장치(180)를 이용한 관찰시에는, 제 1 광학 검사 장치(170)에 의해 관찰된 결함의 위치 정보를 이용하여, 상기 결함을 확대함으로써 관찰한다. 즉, 제 1 판독부(140)에 저장된 결함의 위치 정보를 제 2 판독부(150)에 전달하고, 제 2 광학 현미경(120)은 이를 이용하여 시료(S)를 마이크로 단위로 확대하여 관찰한다. 이와 같이 한 시료(S)에 대하여 제 1 광학 현미경(110)을 이용한 검사 및 제 2 광학 현미경(120)을 이용한 검사를 연속하여 실시함으로써, 시료(S)에 존재하는 결함을 발견하지 못하고 패스(pass)되는 일 없이, 결함 유무 판단의 정확도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the embodiment, the entire sample S is macroscopically observed in macro or meso units using the first optical inspection device 170, and the sample S is continuously used by using the second optical inspection device 180. ) Is microscopically observed. At this time, when observing using the 2nd optical inspection apparatus 180, it observes by expanding the said defect using the positional information of the defect observed by the 1st optical inspection apparatus 170. FIG. That is, the position information of the defect stored in the first reading unit 140 is transmitted to the second reading unit 150, and the second optical microscope 120 enlarges and observes the sample S in micro units. . Thus, the test | inspection using the 1st optical microscope 110 and the test | inspection using the 2nd optical microscope 120 are performed continuously with respect to one sample S, and it does not find the defect which exists in the sample S, and passes a path ( It is possible to improve the accuracy of determining whether there is a defect or not without passing).

주사 검사 유닛(200)은 시료(S)에 전자빔을 주사하여 시료(S)를 마이크로 또는 나노 단위로 확대 관찰하는 장치이다. 이러한 주사 전자 검사 유닛(200)은 내부 공간이 마련된 로드락(220), 로드락(220)과 연결되며 시료(S) 상에 전자빔을 주사함으로써 상기 시료(S)를 검사하는 주사 전자 검사 장치(250)을 포함한다. 주사 전자 검사 장치(250)는 내부 공간을 가지는 제 2 챔버(230), 일부가 제 2 챔버(230)를 관통하도록 설치되어 전자빔을 주사하여 시료(S)를 검사하는 주사 전자 현미경(240), 주사 전자 현미경(240)과 신호적으로 연결된 제 3 판독부(210), 제 2 챔버(230) 내부에서 주사 전자 현미경(240) 하측에 대응 배치되어 시료(S)를 지지하는 제 3 스테이지(232a)를 포함한다. 또한, 제 3 스테이지(232a)를 수평 방향으로 이동시키는 제 3 수평 이동부(233a), 상기 제 3 스테이지(232a)를 승하강시키는 제 3 승하강부(234a)를 포함한다.The scanning inspection unit 200 is an apparatus that scans the sample S with an electron beam and observes the sample S in micro or nano units. The scanning electron inspection unit 200 is connected to the load lock 220 and the load lock 220 having an internal space, and the scanning electron inspection device for inspecting the sample S by scanning an electron beam on the sample S ( 250). The scanning electron inspection apparatus 250 includes a second chamber 230 having an internal space, a scanning electron microscope 240 that inspects a sample S by scanning an electron beam, a part of which penetrates through the second chamber 230, A third stage 232a which is disposed under the scanning electron microscope 240 in a third reading unit 210 and a second chamber 230 connected to the scanning electron microscope 240 to support the sample S. ). In addition, a third horizontal moving unit 233a for moving the third stage 232a in the horizontal direction, and a third lifting unit 234a for raising and lowering the third stage 232a.

주사 전자 현미경(240)은 전자빔을 발생하는 전자총(241), 전자총(241)의 하측에 배치되며, 내부에 렌즈(미도시)가 구비하고, 렌즈에서 집광된 전자빔의 이동 통로를 제공하는 광학 컬럼(242)을 포함한다. 여기서 전자총(241)은 전자빔을 생성하여, 시료(S)를 향하여 주사시키는 수단으로써, 상기 전자총(241)은 열전자총 방식과 전자방사형 방식으로 구분된다. 최근에는 해상도가 높고 고효율의 관찰이 가능한 전자방사형 방식이 주로 사용되고 있다. 하지만, 전자총(241)은 어떠한 타입의 전자총을 사용하여도 무방하다. 렌즈는 전자총(241_에서 가속된 전자빔을 모아주는 역할을 하는 수단으로서, 전자빔이 간섭할 수 있는 전장 및 자장을 이용한 렌즈가 사용된다. 하지만, 렌즈도 어떠한 타입의 집광 렌즈를 사용하여도 무방하다. 광학 컬럼(242)은 전자총에서 주사되어 집광렌즈에서 모아진 전자빔을 시료(S)로 주사하는 수단으로서, 제 2 챔버(230)와 연통되어 시료(S) 관찰시 제 2 챔버(230)와 함께 10-6torr 이상의 고진공 환경이 조성된다.The scanning electron microscope 240 is disposed below the electron gun 241 for generating an electron beam, the electron gun 241, and has an optical lens provided therein and provides a moving path of the electron beam focused from the lens. 242. Here, the electron gun 241 is a means for generating an electron beam and scanning the sample S. The electron gun 241 is classified into a hot electron gun method and an electron radiation type method. In recent years, an electron radiation type method capable of observing high resolution and high efficiency is mainly used. However, the electron gun 241 may use any type of electron gun. The lens is a means for collecting the electron beam accelerated by the electron gun 241_, and a lens using electric and magnetic fields through which the electron beam may interfere is used. However, the lens may use any type of condenser lens. The optical column 242 is a means for scanning the electron beam collected from the condenser lens by the electron gun into the sample S. The optical column 242 communicates with the second chamber 230 and together with the second chamber 230 when the sample S is observed. A high vacuum environment of 10 -6 torr or more is created.

또한, 제 3 판독부(210)는 도시되지는 않았지만, 시료(S) 표면에서 발생하는 2차 전자 또는 반사 전자 등을 증폭시켜 그 양자 강도를 휘도로 변환시켜 화상을 형성하는 화상 처리부(미도시), 결함의 유무나 종류를 판정하는 판정부, 결함의 위치를 산출하는 결함 좌표 연산부, 결함 위치를 등록하는 등록 수단인 메모리부를 포함할 수 있다.In addition, although not shown, the third reader 210 may amplify secondary electrons or reflected electrons generated on the surface of the sample S, convert the quantum intensity into luminance, and form an image (not shown). ), A determination unit for determining the presence or absence of a defect, a defect coordinate calculating unit for calculating the position of the defect, and a memory unit serving as a registration unit for registering the defect position.

그리고 주사 전자 현미경(240)을 이용한 관찰 시에는 제 1 광학 검사 장치(170)을 통해 관찰된 결함의 위치 정보를 이용하여 관찰한다. 즉, 주사 전자 검사 장치(250)의 제 3 판독부(210)는 제 1 판독부(140)에 저장된 결함의 위치 정보를 제공받고, 주사 전자 현미경(240)은 상기 결함의 위치 정보를 이용하여 전자빔을 주사한다. In addition, when observing using the scanning electron microscope 240, observation is performed using position information of defects observed through the first optical inspection apparatus 170. That is, the third reading unit 210 of the scanning electronic inspection apparatus 250 receives the position information of the defect stored in the first reading unit 140, and the scanning electron microscope 240 uses the position information of the defect. Scan the electron beam.

실시예에서는 이러한 주사 검사 유닛(200)을 적어도 하나의 첨예(尖銳)부를 가지는 요철을 가지는 시료를 관찰할 사용된다. 여기서 첨예(尖銳)부는 요철에서 날카롭게 뾰족한 부위를 의미한다. 즉, 도 5a에 도시된 바와 같이 피라미드 형상의 요철에 있어서 상기 요철의 최상부에 해당하는 뽀죡한 부위를 첨예(尖銳)부라 한다. 주사 전자 검사 유닛(200)을 이용하여 첨예(尖銳)부를 가지는 요철을 구비하는 시료의 표면을 관찰하는 이유는 상기 시료(S)를 마이크로 단위로 확대하여 관찰하고자 제 2 광학 현미경(120)을 이용하여 상기와 같은 시료(S)에 광을 조사하면, 요철의 날카로운 첨예(尖銳)부에 의해 광의 왜곡 현상이 발생되기 때문이다. 그리고 광의 왜곡에 의해 실제 요철의 형상의 아닌 예를 들어 도 5b에 도시된 봐와 같이 요철의 국부적인 영역이 함몰된 형상의 화상을 얻게된다. 따라서, 제 2 광학 현미경(120)을 이용하여 마이크로 단위로 시료(S)을 관찰할 경우, 상기 시료(S)의 상태 예를 들어, 상기 시료(S)의 결함, 요철의 형상, 사이즈, 각도 등을 정확하게 관찰할 수 없다.In the embodiment, such a scanning inspection unit 200 is used to observe a sample having irregularities having at least one sharp part. Here, the sharp part (尖銳) means a sharp pointed portion in the unevenness. That is, as shown in FIG. 5A, the sharp part corresponding to the uppermost part of the irregularities in the pyramidal irregularities is called a sharp part. The reason for observing the surface of the sample having the unevenness having the sharp part by using the scanning electron inspection unit 200 is to use the second optical microscope 120 to magnify and observe the sample S in micro units. This is because, when light is irradiated onto the sample S as described above, light distortion occurs due to the sharp sharpened portions of the unevenness. The distortion of the light results in an image having a shape in which the local area of the unevenness is recessed, as shown in FIG. 5B, instead of the actual uneven shape. Therefore, when observing the sample S in micro units using the second optical microscope 120, the state of the sample S, for example, the defect, the shape, size, and angle of the sample S are irregular. Etc cannot be observed accurately.

따라서, 실시예에서는 날카로운 첨예(尖銳)부를 가지는 요철을 포함하는 시료(S)를 검사할 경우, 광학 검사 유닛(100)의 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용한 관찰 후에 주사 전자 검사 장치(240)를 이용한 관찰을 실시한다. 주사 전자 검사 장치(240)의 경우 전술한 바와 같이, 전자빔을 주사하여 확대된 상을 얻는 것이므로, 광이 왜곡되는 문제가 발생되지 않는다. 이에, 첨예(尖銳)부를 가지는 요철을 포함하는 시료(S)를 정확하게 관찰할 수 있다.Therefore, in the embodiment, when inspecting the sample S including the unevenness having the sharp sharp portion, the scanning electron inspection device 240 after the observation using the first optical inspection device 170 of the optical inspection unit 100. Observe with). In the case of the scanning electron inspection device 240, as described above, since the enlarged image is obtained by scanning the electron beam, the problem of light distortion does not occur. Thus, the sample S containing the unevenness having the sharp portion can be accurately observed.

또한, 전술한 바와 같이 실시예에서는 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 시료(S) 전체를 관찰하여 결함의 유무 및 위치를 검출하고, 주사 전자 검사 장치(240)를 이용하여 연속적으로 시료(S)를 마이크로 단위로 확대 관찰한다. 이에, 시료(S)에 존재하는 결함이 발견되지 못하고 패스(pass)되는 일 없이, 결함 유무 판단의 정확도를 향상시킬 수 있다.In addition, as described above, in the embodiment, the entire sample S is observed in macro or meso units using the first optical inspection device 170 to detect the presence or absence of a defect and the scanning electronic inspection device 240 is The sample S is continuously magnified and observed in micro units. As a result, the accuracy of the determination of the presence or absence of a defect can be improved without finding a defect present in the sample S without passing.

도 4a는 기판 상에 반구 형상의 복수의 요철이 형성된 제 1 시료를 나타낸 단면도이고, 도 4b는 상기 제 1 시료를 제 2 광학 검사 장치에 의해 확대된 이미지를 도시한 단면도이다. 도 5a는 기판 상에 피라미드 형상의 복수의 요철이 형성된 제 2 시료를 나타낸 단면도이고, 도 5b는 상기 제 2 시료를 제 2 광학 검사 장치에 의해 확대된 이미지를 도시한 단면도이고, 도 5c는 제 2 시료를 주사 전자 검사 장치에 의해 확대된 이미지를 도시한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 검사 시스템을 이용한 검사 방법을 순서적으로 도시한 블록도이다.4A is a cross-sectional view showing a first sample in which a plurality of hemispherical irregularities are formed on a substrate, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing an enlarged image of the first sample by a second optical inspection device. 5A is a cross-sectional view illustrating a second sample having a plurality of pyramidal irregularities formed on a substrate, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing an enlarged image of the second sample by a second optical inspection device, and FIG. It is sectional drawing which shows the image which expanded the 2 sample by the scanning electron inspection apparatus. 6 is a block diagram sequentially illustrating a test method using a test system according to an exemplary embodiment of the present invention.

하기에서는 도 1 내지 도 6을 참조하여, 실시예에 따른 검사 시스템을 이용하여 제 1 시료(S)를 검사하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of inspecting the first sample S using the inspection system according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

먼저, 로봇암(300)을 이용하여 제 1 카세트(410)에 적재된 제 1 시료(S)를 광학 검사 유닛(100)의 제 1 스테이지(132a) 상에 안치시킨다. 제 1 시료(S)가 제 1 스테이지(132a) 상에 안치되면, 광학 검사 유닛(100)의 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 제 1 시료(S)를 확대하여 제 1 시료(S1) 전체 표면을 관찰한다(S100). 그리고 제 1 광학 현미경(110)과 신호적으로 연결된 제 1 판독부(140)는 화상 이미지를 분석하여 결함의 유무를 판단한다(S200).First, the first sample S loaded on the first cassette 410 is placed on the first stage 132a of the optical inspection unit 100 using the robot arm 300. When the first sample S is placed on the first stage 132a, the first sample S is enlarged in macro or meso units using the first optical inspection device 170 of the optical inspection unit 100. The entire surface of the first sample S1 is observed (S100) . In addition, the first reading unit 140, which is connected to the first optical microscope 110 and signaled, analyzes the image image to determine whether there is a defect (S200).

제 1 광학 검사 장치(170)를 이용하여 제 1 시료(S) 전면을 관찰한 결과 예를 들어, 결함이 발견되지 않을 경우, 상기 제 1 시료(S)에 대한 검사를 종료한다. 그리고 도시되지는 않았지만, 결함이 발견되지 않은 제 1 시료(S)는 로봇암(300)에 의해 제 1 스테이지(132a)로부터 언로딩되어 제 3 카세트(430)로 이동한다.As a result of observing the entire surface of the first sample S using the first optical inspection device 170, for example, when no defect is found, the inspection of the first sample S is terminated. Although not shown, the first sample S, in which no defect is found, is unloaded from the first stage 132a by the robot arm 300 and moved to the third cassette 430.

한편, 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 제 1 시료(S) 전체를 검사한 결과 결함이 존재할 경우, 제 1 판독부(140)는 결함의 위치를 저장한다. 그리고 제 2 광학 검사 장치(180)를 이용하여 제 1 시료(S)를 마이크로 단위로 확대하여 관찰한다(S310). 이를 위해 먼저 로봇암(300)을 이용하여 제 1 스테이지(132a) 상에 안치된 제 1 시료(S1)를 제 2 스테이지(132b) 상에 안치시킨다. 그리고 제 2 광학 검사 장치(180)을 이용하여 제 1 시료(S2)를 마이크로 단위로 확대하여 관찰한다. 이때 제 2 광학 검사 장치(180)의 제 2 판독부(150)는 제 1 판독부(140)로부터 결함의 위치 정보를 제공받아, 상기 결함의 위치 정보를 이용하여 마이크로 단위로 확대 및 촬상한다. 그리고 복수의 영역에 결함이 발견되는 경우, 제 2 수평 이동부(133b)를 이용하여 제 2 스테이지(132b)를 수평 방향으로 이동시키면서, 제 2 광학 검사 장치(180)를 통해 결함을 관찰한다. 이때, 화상 처리된 이미지를 관찰으로써, 결함의 위치, 크기 등을 정확하게 분석할 수 있다. 또한, 복수의 요철의 패턴 프로파일(prfile), 요철 각각의 형상, 요철의 사이즈, 높이, 경사각 등을 상세히 분석할 수 있다. 이러한 분석 결과는 향후 기판 상에 요철을 형성하는 공정을 개선하는데 이용될 수 있다.On the other hand, when a defect is present as a result of inspecting the entire first sample S in macro or meso units using the first optical inspection device 170, the first reading unit 140 stores the position of the defect. The first sample S is magnified and observed in micro units using the second optical inspection device 180 (S310). To this end, the first sample S1 placed on the first stage 132a is first placed on the second stage 132b using the robot arm 300. And the 1st sample S2 is magnified and observed by the micro unit using the 2nd optical inspection apparatus 180. FIG. At this time, the second reading unit 150 of the second optical inspection device 180 receives the position information of the defect from the first reading unit 140, and enlarges and captures the image in micro units using the position information of the defect. When a defect is found in the plurality of regions, the defect is observed through the second optical inspection device 180 while moving the second stage 132b in the horizontal direction by using the second horizontal moving unit 133b. At this time, by observing the image processed image, the position, size, etc. of a defect can be analyzed correctly. In addition, it is possible to analyze in detail the pattern profile (prfile) of the plurality of unevenness, the shape of each unevenness, the size, height, inclination angle and the like of the unevenness. This analysis can be used to improve the process of forming irregularities on the substrate in the future.

제 2 광학 장치(180)에 의해 분석이 종료되면, 검사를 종료한다. 그리고 도시되지는 않았지만, 상기 결함이 관찰된 제 2 시료(S)는 로봇암(300)에 의해 제 2 스테이지(132b)로부터 언로딩되어, 제 2 카세트(420)로 이동한다.When the analysis ends by the second optical device 180, the inspection ends. Although not shown, the second sample S in which the defect is observed is unloaded from the second stage 132b by the robot arm 300 and moved to the second cassette 420.

상기에서는 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용한 제 1 시료(S1)의 검사 후, 상기 제 1 시료(S1)를 제 2 광학 검사 장치(180)을 이용하여 마이크로 단위로 확대 관찰하였다. 하지만 이에 한정되지 않고, 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용한 제 1 시료(S1)의 표면 검사 결과 결함이 존재할 경우, 주사 전자 검사 장치(250)를 이용하여 상기 제 1 시료(S1)를 마이크로 단위로 확대관찰할 수 있다(S320). 이를 위해 먼저 로봇암(300)을 이용하여 광학 검사 유닛(100)의 제 1 스테이지(132a) 상에 안치된 제 1 시료(S1)를 주사 전자 검사 유닛(200)의 로드락(210)을 통해 주사 전자 검사 장치(250) 내부로 이송시킨다. 그리고 상기 제 1 시료(S1)를 제 3 스테이지(232a) 상에 안치시킨 후, 주사 전자 현미경(240)을 통해 제 1 시료(S2) 상에 전자빔을 주사한다. 이때 주사 전자 현미경(240)과 신호적으로 연결된 제 3 판독부(210)는 제 1 시료(S1) 표면에서 발생하는 2차 전자 또는 반사 전자 등을 증폭시켜 그 양자 강도를 휘도로 변환시켜 화상을 형성한다. 그리고 화상 처리된 이미지를 관찰함으로써, 마이크로 단위로 결함을 관찰할 수 있다. 이후, 주사 전자 검사 장치(250)에 의해 분석이 종료되면, 검사를 종료한다. 그리고 도시되지는 않았지만, 상기 결함이 관찰된 제 2 시료(S)는 로봇암(300)에 의해 제 3 스테이지(132b)로부터 언로딩되어, 제 2 카세트(420)로 이동한다.In the above, after the inspection of the first sample S1 using the first optical inspection device 170, the first sample S1 was magnified and observed in micro units using the second optical inspection device 180. However, the present invention is not limited thereto, and if a defect exists as a result of surface inspection of the first sample S1 using the first optical inspection apparatus 170, the first sample S1 may be micro-controlled using the scanning electronic inspection apparatus 250. Magnification can be observed in units (S320). To this end, first, the first sample S1 placed on the first stage 132a of the optical inspection unit 100 using the robot arm 300 is loaded through the load lock 210 of the scanning electronic inspection unit 200. The scanning electron inspection device 250 is transferred to the inside. After placing the first sample S1 on the third stage 232a, the electron beam is scanned on the first sample S2 through the scanning electron microscope 240. At this time, the third reading unit 210 signally connected to the scanning electron microscope 240 amplifies secondary electrons or reflected electrons generated on the surface of the first sample S1, converts the quantum intensity into luminance, and displays an image. Form. And by observing the image processed image, a defect can be observed in micro units. Thereafter, when the analysis is completed by the scanning electronic inspection apparatus 250, the inspection is terminated. Although not shown, the second sample S in which the defect is observed is unloaded from the third stage 132b by the robot arm 300 and moved to the second cassette 420.

이와 같이 실시예에서는 제 1 광학 검사 장치(180)를 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 제 1 시료(S) 전체에 대한 검사를 실시한 후, 연속하여 제 2 광학 검사 장치(180)을 이용하여 마이크로 단위로 시료(S)을 확대하여 관찰한다. 이를 통해, 시료(S)에 존재하는 매크로 또는 마이프로 단위의 결함 및 마이크로 단위의 결함이 발견되지 못하고 패스(pass)되는 일 없이 결함 유무 판단의 정확도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the exemplary embodiment, the entire first sample S is inspected in macro or meso units by using the first optical inspection device 180, and then the micro units are continuously used by using the second optical inspection device 180. The sample S is enlarged and observed. Through this, it is possible to improve the accuracy of the determination of the presence or absence of a defect in the macro or mipro unit and the micro unit in the sample S without being found without passing.

하기에서는 도 1 내지 도 6을 참조하여, 실시예에 따른 검사 시스템을 이용하여 제 2 시료(S)을 검사하는 방법을 설명한다. 이때 상기에서 서술된 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다. 여기서 제 2 시료(S)는 도 5a 및 도 6에 도시된 바와 같이 웨이퍼와 같은 제 2 기판(S2) 상에 피라미드 형상의 복수의 요철(P2)이 형성된 것을 사용한다.Hereinafter, a method of inspecting a second sample S by using a test system according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. In this case, the content duplicated with the above-described content will be omitted or briefly described. Here, the second sample S uses a plurality of pyramidal irregularities P2 formed on the second substrate S2 such as a wafer as shown in FIGS. 5A and 6.

먼저, 로봇암(300)을 이용하여 제 1 카세트(410)에 적재된 제 2 시료(S)를 광학 검사 유닛(100)의 제 1 스테이지(132a) 상에 안치시킨다. 제 2 시료(S)가 제 1 스테이지(132a) 상에 안치되면, 광학 검사 유닛(100)의 제 1 광학 현미경(110)을 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 시료(S)를 확대하여 관찰한다(S100). 이때, 제 1 수평 이동부(133a)를 이용하여 제 2 시료(S)을 수평 방향으로 이동시키면서 검사를 실시하여, 제 2 시료(S) 전면에 대해 관찰한다. 이때, 제 1 광학 현미경(110)과 신호적으로 연결된 제 1 판독부(140)는 화상 이미지를 분석하여 결함의 유무를 판단한다(S200).First, the second sample S loaded on the first cassette 410 is placed on the first stage 132a of the optical inspection unit 100 using the robot arm 300. When the second sample S is placed on the first stage 132a, the sample S is enlarged and observed in macro or meso units using the first optical microscope 110 of the optical inspection unit 100 ( S100) . At this time, an inspection is performed while the second sample S is moved in the horizontal direction by using the first horizontal moving part 133a, and the entire surface of the second sample S is observed. At this time, the first reading unit 140 that is connected in signal with the first optical microscope 110 analyzes the image image to determine the presence of a defect (S200).

제 1 광학 검사 장치(170)를 이용하여 제 2 시료(S) 전면을 관찰한 결과 예를 들어, 결함이 발견되지 않을 경우, 상기 제 2 시료(S)에 대한 검사를 종료한다. 그리고 도시되지는 않았지만, 결함이 발견되지 않은 제 2 시료(S)는 로봇암(300)에 의해 제 1 스테이지(132a)로부터 언로딩되어 제 3 카세트(430)로 이동한다.As a result of observing the entire surface of the second sample S using the first optical inspection device 170, for example, when no defect is found, the inspection of the second sample S is terminated. Although not shown, the second sample S, in which no defect is found, is unloaded from the first stage 132a by the robot arm 300 and moved to the third cassette 430.

한편, 제 1 광학 검사 장치(170)를 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 제 2 시료(S) 전체를 검사한 결과 결함이 존재할 경우, 제 1 판독부(140)는 결함의 위치를 저장한다. 그리고 주사 전자 검사 유닛(200)을 이용하여 제 2 시료(S)를 마이크로 단위로 확대하여 관찰한다(S320). 이를 위해 먼저 로봇암(300)을 이용하여 광학 검사 유닛(100)의 제 1 스테이지(132a) 상에 안치된 제 2 시료(S2)를 주사 전자 검사 유닛(200)의 로드락(210)을 통해 주사 전자 검사 장치(250) 내부로 이송시킨다. 그리고 상기 제 2 시료(S2)를 제 3 스테이지(232a) 상에 안치시킨 후, 주사 전자 현미경(240)을 통해 제 2 시료(S2) 상에 전자빔을 주사한다. 이때 주사 전자 현미경(240)과 신호적으로 연결된 제 3 판독부(210)는 제 2 시료(S) 표면에서 발생하는 2차 전자 또는 반사 전자 등을 증폭시켜 그 양자 강도를 휘도로 변환시켜 화상을 형성한다. 그리고 화상 처리된 이미지를 관찰함으로써, 마이크로 단위로 결함을 관찰할 수 있다.On the other hand, if a defect exists as a result of inspecting the entire second sample S in macro or meso units using the first optical inspection device 170, the first reading unit 140 stores the position of the defect. The second sample S is magnified and observed in micro units using the scanning electronic inspection unit 200 (S320). To this end, first, the second sample S2 placed on the first stage 132a of the optical inspection unit 100 using the robot arm 300 is loaded through the load lock 210 of the scanning electronic inspection unit 200. The scanning electron inspection device 250 is transferred to the inside. After placing the second sample S2 on the third stage 232a, the electron beam is scanned on the second sample S2 through the scanning electron microscope 240. At this time, the third reading unit 210 signally connected to the scanning electron microscope 240 amplifies secondary electrons or reflected electrons generated on the surface of the second sample S, converts the quantum intensity into luminance, and displays an image. Form. And by observing the image processed image, a defect can be observed in micro units.

주사 전자 검사 장치(250)에 의해 분석이 종료되면, 검사를 종료한다. 그리고 도시되지는 않았지만, 상기 결함이 관찰된 제 2 시료(S)는 로봇암(300)에 의해 제 3 스테이지(132b)로부터 언로딩되어, 제 2 카세트(420)로 이동한다.When the analysis is finished by the scanning electronic inspection device 250, the inspection is finished. Although not shown, the second sample S in which the defect is observed is unloaded from the third stage 132b by the robot arm 300 and moved to the second cassette 420.

이와 같이 실시예에서는 제 2 시료(S2)가 날카로운 첨예(尖銳)부를 가지는 제 2 요철(P2)를 구비하더라도, 실시예에서와 같이 주사 전자 검사 장치(250)을 이용함으로써, 도 5c에 도시된 바와 같이 복수의 요철의 프로파일, 결함의 위치, 형상, 크기 등을 정확하게 관찰할 수 있다. 또한, 제 1 광학 검사 장치(180)를 이용하여 매크로 또는 메조 단위로 제 2 시료(S) 전체에 대한 검사를 실시한 후, 연속하여 주사 전자 검사 장치(250)를 이용하여 마이크로 단위로 시료(S)을 확대하여 관찰한다. 이를 통해, 시료(S)에 존재하는 매크로 또는 마이프로 단위의 결함 및 마이크로 단위의 결함이 발견되지 못하고 패스(pass)되는 일 없이 결함 유무 판단의 정확도를 향상시킬 수 있다.As described above, even if the second sample S2 has the second unevenness P2 having sharp sharpened portions in the embodiment, the scanning electronic inspection apparatus 250 is used as in the embodiment. As described above, the profile, the position, the shape, the size, and the like of the plurality of irregularities can be observed accurately. In addition, after inspecting the entire second sample S in macro or meso units using the first optical inspection device 180, the sample S in micro units using the scanning electronic inspection apparatus 250 is continuously performed. Zoom in and observe). Through this, it is possible to improve the accuracy of the determination of the presence or absence of a defect in the macro or mipro unit and the micro unit in the sample S without being found without passing.

실시예에서는 제 1 시료(S1)로 반구 형상의 복수의 요철(P1)이 형성된 제 1 기판(W1)을 사용하고, 제 2 시료(S2)로 피라미드 형상의 복수의 요철(P2)이 형성된 제 2 기판(W2)을 제 2 시료(S)으로 사용하였다. 하지만 이에 한정되지 않고 다양한 형상의 요철이 형성된 기판을 시료(S)으로 사용할 수 있다.In the embodiment, a first substrate W1 having a plurality of hemispherical irregularities P1 is formed as the first sample S1, and a plurality of pyramidal irregularities P2 are formed as the second sample S2. 2 board | substrates W2 were used as the 2nd sample S. FIG. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate on which the irregularities of various shapes are formed may be used as the sample S.

100: 광학 검사 유닛 110: 제 1 광학 검사 장치
120: 제 2 광학 검사 장치 200: 주사 전자 검사 유닛
100: optical inspection unit 110: first optical inspection device
120: second optical inspection device 200: scanning electronic inspection unit

Claims (11)

매크로(macro) 또는 메조(moso) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 1 광학 검사 장치;
상기 제 1 광학 검사 장치와 신호적으로 연결되며, 마이크로(micro) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 2 광학 검사 장치;
상기 제 1 광학 검사 장치 및 제 2 광학 검사 장치와 신호적으로 연결되며, 전자빔을 주사하여 시료를 확대 관찰하는 주사 전자 검사 장치(SEM);
상기 시료를 제 1 광학 검사 장치, 제 2 광학 검사 장치, 주사 전자 검사 장치 각각이 위치한 곳으로 이송시키는 로봇암을 구비하는 검사 시스템.
A first optical inspection device for magnifying and observing a sample in macro or meso units;
A second optical inspection device connected in signal with the first optical inspection device and configured to magnify and observe a sample in micro units;
A scanning electron inspection device (SEM) connected in signal with the first optical inspection device and the second optical inspection device and configured to magnify and observe a sample by scanning an electron beam;
And a robotic arm for transferring the sample to a location where each of the first optical inspection device, the second optical inspection device, and the scanning electronic inspection device is located.
청구항 1에 있어서,
상기 주사 전자 검사 장치는 상기 시료를 3D로 화상 처리하는 검사 시스템.
The method according to claim 1,
And the scanning electronic inspection device performs image processing of the sample in 3D.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제 1 광학 검사 장치 하측에 대응 배치되어 시료를 지지하는 제 1 스테이지, 상기 제 2 광학 검사 장치 하측에 대응 배치되어 시료를 지지하는 제 2 스테이지, 상기 주사 전자 검사 장치 하측에 대응 배치되어 시료를 지지하는 제 3 스테이지를 포함하는 검사 시스템.
The method according to claim 1 or 2,
A first stage corresponding to the lower side of the first optical inspection apparatus and supporting the sample; a second stage corresponding to the lower side of the second optical inspection apparatus and supporting the sample; An inspection system comprising a supporting third stage.
청구항 3에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 스테이지를 수평 방향으로 이동시키는 제 1 내지 제 3 수평 이동부를 구비하는 검사 시스템.
The method according to claim 3,
And first to third horizontal moving parts for moving the first to third stages in a horizontal direction.
매크로(macro) 또는 메조(moso) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 1 광학 검사 장치, 마이크로(micro) 단위로 시료를 확대 관찰하는 제 2 광학 검사 장치 및 주사 전자 검사 장치를 구비하는 검사 시스템을 이용하여 시료를 검사하는 방법에 있어서,
상기 제 1 광학 검사 장치를 이용하여 상기 시료 전체를 검사하는 단계;
상기 시료의 결함 유무를 판단하는 단계;
상기 시료의 결함 유무를 판단한 결과, 결함이 존재하지 않는 경우, 상기 시료의 검사를 종료하고,
상기 시료에 결함이 존재하는 경우, 상기 시료 표면의 형상에 따라 상기 시료를 제 2 광학 현미경을 이용하여 검사하거나, 주사 전자 검사 장치를 이용하여 검사하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법.
Using an inspection system having a first optical inspection device for magnifying and observing a sample in macro or meso units, a second optical inspection device for observing and magnifying a sample in micro units, and a scanning electronic inspection device In the method for inspecting the sample,
Inspecting the entire sample using the first optical inspection device;
Determining whether the sample is defective;
If it is determined that there is a defect in the sample and no defect exists, the inspection of the sample is terminated,
And if the defect is present in the sample, inspecting the sample by using a second optical microscope or by using a scanning electron inspection device according to the shape of the surface of the sample.
청구항 5에 있어서,
상기 시료를 제 2 광학 검사 장치를 이용하여 검사하거나, 주사 전자 검사 장치를 이용하여 검사하는 단계 전에, 상기 시료 표면의 형상을 판단하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법.
The method according to claim 5,
And determining the shape of the surface of the sample before inspecting the sample using a second optical inspection device or inspecting the sample using a scanning electronic inspection device.
청구항 5에 있어서,
상기 시료는 기판의 일측면에 복수의 요철이 형성된 것을 사용하는 기판 검사 방법.
The method according to claim 5,
The sample is a substrate inspection method using a plurality of irregularities formed on one side of the substrate.
청구항 5 내지 청구항 7에 있어서,
상기 시료의 요철이 첨예(尖銳)부를 구비하는 경우, 상기 제 1 광학 검사 장치를 이용한 검사 후에, 주사 전자 검사 장치를 이용한 검사를 실시하는 기판 검사 방법.
The method according to claim 5 to 7,
When the unevenness | corrugation of the said sample is provided with a sharp part, the board | substrate test | inspection method which performs the test | inspection using a scanning electron inspection apparatus after the test | inspection using the said 1st optical inspection apparatus.
청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
상기 시료의 요철이 첨예(尖銳)부를 구비하지 않는 경우, 상기 제 1 광학 검사 장치를 이용한 검사 후에 제 2 광학 검사 장치를 이용한 검사를 실시하거나, 제 1 광학 검사 장치를 이용한 검사 후에 주사 전자 검사 장치를 이용한 검사를 실시하는 기판 검사 방법.
The method according to claim 5 or 7,
In the case where the unevenness of the sample does not have a sharp portion, the inspection using the second optical inspection apparatus is performed after the inspection using the first optical inspection apparatus, or the scanning electronic inspection apparatus after the inspection using the first optical inspection apparatus. The board | substrate test | inspection method which test | inspects by using.
청구항 5에 있어서,
상기 제 2 광학 검사 장치 또는 주사 전자 검사 장치를 이용한 시료 검사 시에, 상기 시료의 일부 영역을 확대하여 관찰하는 기판 검사 방법.
The method according to claim 5,
The substrate inspection method of enlarging and observing a partial area | region of the said sample at the time of the sample inspection using a said 2nd optical inspection apparatus or a scanning electron inspection apparatus.
청구항 5에 있어서,
상기 제 2 광학 검사 장치 또는 주사 전자 검사 장치는 상기 제 1 광학 검사 장치에 의해 관찰된 결함의 위치 정보를 전송받아, 이를 이용하여 시료를 확대하는 기판 검사 방법.
The method according to claim 5,
And the second optical inspection device or the scanning electronic inspection device receives position information of a defect observed by the first optical inspection device, and enlarges a sample using the location information.
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