KR20120030720A - Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode - Google Patents

Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode Download PDF

Info

Publication number
KR20120030720A
KR20120030720A KR1020100092410A KR20100092410A KR20120030720A KR 20120030720 A KR20120030720 A KR 20120030720A KR 1020100092410 A KR1020100092410 A KR 1020100092410A KR 20100092410 A KR20100092410 A KR 20100092410A KR 20120030720 A KR20120030720 A KR 20120030720A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
power
unit
electrode
electrodes
Prior art date
Application number
KR1020100092410A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최대규
Original Assignee
주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 뉴파워 프라즈마 filed Critical 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority to KR1020100092410A priority Critical patent/KR20120030720A/en
Publication of KR20120030720A publication Critical patent/KR20120030720A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32926—Software, data control or modelling
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00—Auxiliary systems
    • H05H2242/20—Power circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

PURPOSE: A plasma reactor having multi power source for multi split electrode is provided to form uniform plasma discharge by supplying power from a multiple power source to a multiple split electrode. CONSTITUTION: A plasma chamber(110) has a plasma discharge space. A multiple split electrode set(120) is formed in the plasma chamber. A multiple power source(132) supplies power to the multiple split electrode set. A power supplying system(135) offers the power from the multiple power source to the multiple split electrode set. A feedback controller controls the feedback of the power by detecting an electrical characteristic value of a current and a process characteristic value of the plasma chamber. The multiple split electrode set is composed of a plurality of unit split electrodes(122). A process characteristic value detection unit(150) detects the process characteristic value through a plasma sensor installed at the plasma chamber. A controller(160) controls the power based on a characteristic value.

Description

다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기{PLASMA REACTOR HAVING MULTI POWER SUPPLY FOR MULTI DIVIDED ELECTRODE}Plasma reactor with multiple power sources for multiple split electrodes {PLASMA REACTOR HAVING MULTI POWER SUPPLY FOR MULTI DIVIDED ELECTRODE}

본 발명은 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다중 분할 전극을 이용하여 용량 결합된 플라즈마를 균일하게 발생하기 위한 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes, and more particularly to a plasma having multiple power sources for multiple split electrodes for uniformly generating capacitively coupled plasma using multiple split electrodes. Relates to a reactor.

플라즈마는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이, 태양 전지등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.Plasma is a highly ionized gas containing the same number of positive ions and electrons. Plasma discharges are used for gas excitation to generate active gases containing ions, free radicals, atoms, molecules. Active gases are widely used in various fields and are used in various semiconductor manufacturing processes for manufacturing devices such as integrated circuit devices, liquid crystal displays, solar cells, etc., for example, etching, deposition, cleaning, and ashing. It is variously used for ashing.

플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다.
There are a number of plasma sources for generating plasma, and the representative examples are capacitive coupled plasma and inductive coupled plasma using radio frequency.

도 1은 종래의 용량 결합 방식으로 플라즈마를 유도하기 위한 전극 구조를 도시한 도면이다.1 is a view showing an electrode structure for inducing plasma in a conventional capacitive coupling method.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로, 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치(1)는 진공 챔버로서 구성되는 플라즈마 챔버(3) 내에 상부 전극(5)과 하부 전극(7)을 평행하게 배치하고, 하부 전극(7)상에 피처리 기판(2)(반도체 웨이퍼, 유리 기판 등)을 탑재한다. 상부 전극(5)은 전원 공급원(10)와 임피던스 정합기(12)가 연결되고, 하부 전극(7)은 바이어스 전원을 공급하는 전원 공급원(20)과 임피던스 정합기(22)가 연결된다. 전원 공급원(10, 20)으로부터 상하부 전극(5, 7)에 고주파가 인가된다. 그러면, 양 전극의 사이에서 고주파 전계에 의해서 가속된 전자, 전극으로부터 방출된 2차 전자, 혹은 가열된 전자가 처리 가스의 분자와 전리 충돌을 일으켜, 처리 가스의 플라즈마가 발생하고, 플라즈마 중의 래디컬이나 이온에 의해서 기판 표면에 원하는 미세가공 예를 들면 에칭 가공이 실시된다.As shown in FIG. 1, in general, a capacitively coupled plasma processing apparatus 1 arranges an upper electrode 5 and a lower electrode 7 in parallel in a plasma chamber 3 configured as a vacuum chamber, The substrate 2 to be processed (semiconductor wafer, glass substrate, etc.) is mounted on the lower electrode 7. The upper electrode 5 is connected to the power supply 10 and the impedance matcher 12, and the lower electrode 7 is connected to the power supply 20 and the impedance matcher 22 that supply the bias power. High frequency is applied to the upper and lower electrodes 5 and 7 from the power supply sources 10 and 20. Then, the electrons accelerated by the high frequency electric field, the secondary electrons emitted from the electrode, or the heated electrons cause ionization collision with the molecules of the processing gas, and the plasma of the processing gas is generated between the two electrodes. Ions are subjected to desired micromachining, for example etching, on the substrate surface.

그런데, 반도체 프로세스 기술에 있어서의 디바이스의 미세화?고집적화에 수반하여, 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치에 있어서는 더욱 고효율?고밀도?저바이어스의 플라즈마 프로세스가 요구되고 있고, 그를 위해서는 플라즈마 생성에 이용하는 고주파의 주파수를 가능한 한 높게 한다고 하는 것이 오늘날의 트렌드이다. 한편, 피처리 기판 사이즈의 대면적화, 기판의 대구경화에 수반하여, 더욱 큰 구경의 플라즈마가 요구되고 있으며, 챔버(처리용기)가 점점 대형화되고 있다.However, with the miniaturization and high integration of devices in semiconductor process technology, a more efficient, high density and low bias plasma process is required in a capacitively coupled plasma processing apparatus, and for this purpose, a high frequency frequency used for plasma generation is required. To make it as high as possible is a trend today. On the other hand, with the large area of a to-be-processed board | substrate size and the large diameter of a board | substrate, the plasma of larger diameter is calculated | required, and the chamber (process container) is becoming larger in size.

여기서 문제로 되는 것은 챔버의 처리공간 내에서 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 것이 곤란하게 되는 것이다. 즉, 방전용의 RF 주파수가 높아지면, 챔버내에 정재파가 형성되는 파장 효과나 전극 표면에서 고주파가 중심부에 집중하는 표피 효과 등에 의해서, 대략 기판상에서 중심부가 극대하게 되고 에지부가 가장 낮아져 플라즈마의 밀도가 불균일하게 된다. The problem here is that it is difficult to make the plasma density uniform in the processing space of the chamber. That is, when the RF frequency for discharge increases, the center portion is maximized on the substrate and the edge portion is the lowest on the substrate due to the wavelength effect in which standing waves are formed in the chamber or the skin effect in which high frequency is concentrated on the center of the electrode surface. It becomes uneven.

이러한 문제점을 해결하기 위해 도면으로 도시하지는 않았으나, 상부 전극(5)을 다중으로 분할함으로써 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 방법이 있다. 상부 전극(5)은 복수 개의 분할된 단위 분할 전극으로 구성된다. 그러나 상부 전극(5)에 구비된 복수 개의 단위 분할 전극은 단일 전원 공급원(10)을 통해 전력을 공급받기 때문에 복수 개의 단위 분할 전극 전체적으로 균일하게 전력이 공급되기 어렵다. 그러므로 상부 전극(5) 전체적으로 균일하게 플라즈마가 방전되기 어렵다. Although not shown in the drawings in order to solve this problem, there is a method of making the plasma density uniform by dividing the upper electrode 5 into multiples. The upper electrode 5 is composed of a plurality of divided unit split electrodes. However, since the plurality of unit split electrodes provided in the upper electrode 5 are supplied with power through a single power source 10, it is difficult to uniformly supply power to the entire plurality of unit split electrodes. Therefore, plasma is hardly discharged uniformly throughout the upper electrode 5.

본 발명의 목적은 다중으로 분할된 상부전극은 다중 전원 공급원으로부터 전력을 제공받아 플라즈마가 균일하게 발생할 수 있는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma reactor having multiple power sources for multiple divided electrodes, in which the multiplely divided top electrodes are supplied with power from multiple power sources so that plasma can be generated uniformly.

본 발명의 또 다른 목적은 다중 분할 전극으로 제공되는 전력의 전기적 특성값을 검출하고 이를 기초로 하여 다중 전원 공급원에서 제공되는 전력을 피드백 제어함으로써 플라즈마가 균일하게 발생할 수 있는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다. It is still another object of the present invention to detect an electrical characteristic value of power provided to a multi-division electrode and to feedback-control the power provided from a multi-power supply source on the basis of the multi-power for a multi-division electrode where plasma can be generated uniformly. It is to provide a plasma reactor having a source.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기는 내부에 플라즈마 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버에 구비되어 용량 결합된 플라즈마 방전을 유도하기 위한 복수 개의 단위 분할 전극을 갖는 다중 분할 전극세트; 상기 다중 분할 전극세트로 전력을 제공하기 위한 복수 개의 전원 공급원을 갖는 다중 전원 공급원; 상기 다중 전원 공급원으로부터 상기 다중 분할 전극세트로 공급되는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 전기적 특성값 검출부; 및 상기 전기적 특성값 검출부에서 측정한 전기적 특성값을 기초로 하여 상기 다중 전원 공급원으로부터 공급되는 전력을 피드백 제어하는 제어부를 포함한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes. A plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes of the present invention comprises: a plasma chamber having a plasma discharge space therein; A plurality of split electrode sets provided in the plasma chamber and having a plurality of unit split electrodes for inducing capacitively coupled plasma discharge; A multiple power source having a plurality of power sources for providing power to the multiple split electrode set; An electrical characteristic value detector configured to measure electrical characteristic values of power supplied from the multiple power sources to the multiple split electrode sets; And a controller configured to feedback-control the power supplied from the multiple power sources based on the electrical characteristic values measured by the electrical characteristic value detector.

일 실시예에 있어서, 상기 전기적 특성값은 상기 전원 공급원으로부터 제공되는 전력의 임피던스 값 또는 위상값 또는 Vpp 또는 Vdc 또는 Ipp 중 적어도 하나가 포함된다.In one embodiment, the electrical characteristic value includes at least one of an impedance value or a phase value or Vpp or Vdc or Ipp of power provided from the power supply.

일 실시예에 있어서, 상기 임피던스 값을 제공하고, 상기 제어부의 제어에 의해 임피던스 값을 피드백 제어하는 임피던스 정합기를 포함한다.In one embodiment, an impedance matcher is provided to provide the impedance value and feedback control the impedance value by the control of the controller.

일 실시예에 있어서, 상기 다중 전원 공급원과 상기 다중 분할 전극세트 사이에 구비되어 상기 제어부의 제어에 의해 상기 다중 전원 공급원으로부터 제공되는 전력의 위상을 변화시키는 위상 변환기를 포함한다.In one embodiment, a phase converter is provided between the multiple power source and the multiple divided electrode set to change the phase of the power provided from the multiple power source by the control of the controller.

일 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 단위 분할 전극은 서로 다른 위상을 갖는 전력을 제공받는다.In example embodiments, the plurality of unit split electrodes receive power having different phases.

일 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 단위 분할 전극은 적어도 두 개가 동위상을 갖는 전력을 제공받는다.In one embodiment, the plurality of unit split electrodes are provided with power having at least two in-phase.

일 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 단위 분할 전극은 서로 이웃하는 단위 분할 전극은 위상차를 갖는 전력을 제공받는다.In example embodiments, the plurality of unit split electrodes are provided with power having a phase difference between neighboring unit split electrodes.

일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 챔버에서 진행되는 플라즈마 공정의 공정적 특성값을 측정하여 상기 제어부에 제공하는 공정적 특성값 검출부를 포함한다.In one embodiment, the method includes a process characteristic value detector for measuring the process characteristic value of the plasma process performed in the plasma chamber and providing it to the controller.

일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 챔버에 구비되어 상기 공정적 특성값을 검출하는 플라즈마 센서부를 포함한다.In one embodiment, the plasma chamber includes a plasma sensor unit for detecting the process characteristic value.

일 실시예에 있어서, 상기 다중 분할 전극세트는 상기 단위 분할 전극들 간에 전기적 절연을 위해 상기 단위 분할 전극들 사이에 구비되는 절연구간을 포함한다.In an embodiment, the multi-division electrode set includes an insulation section provided between the unit division electrodes for electrical insulation between the unit division electrodes.

일 실시예에 있어서, 상기 절연구간은 상기 단위 분할 전극들의 높이와 동일하거나, 상기 단위 분할 전극들의 높이보다 낮거나 높게 높이를 조절할 수 있는 위치 조절 메커니즘을 포함한다.In example embodiments, the insulating section may include a position adjusting mechanism that may adjust the height equal to, or lower than or higher than, the height of the unit division electrodes.

일 실시예에 있어서, 상기 절연구간은 상기 단위 분할 전극들 사이의 간격을 좁거나 넓게 조절할 수 있는 간격 조절 메커니즘을 포함한다.In one embodiment, the insulating section includes a gap adjusting mechanism for narrowing or widening the gap between the unit split electrodes.

일 실시예에 있어서, 상기 절연구간은 내부에 접지 또는 전원 공급원 중 어느 하나에 연결되어 상기 단위 분할 전극 간의 간섭을 방지하는 내부 전극을 포함한다.In one embodiment, the insulating section includes an internal electrode connected to any one of the ground or a power supply therein to prevent interference between the unit divided electrodes.

일 실시예에 있어서, 상기 내부 전극에는 가변 인덕터 또는 가변 캐패시터 중 어느 하나가 연결되어 전력을 제어한다.In one embodiment, any one of a variable inductor or a variable capacitor is connected to the internal electrode to control power.

일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 반응기는 상기 플라즈마 챔버 내부의 잔여물을 상기 플라즈마 챔버 외부로 배기하기 위한 배기수단을 포함한다.In one embodiment, the plasma reactor includes exhaust means for exhausting a residue inside the plasma chamber to the outside of the plasma chamber.

일 실시예에 있어서, 상기 배기수단은 상기 다중 분할 전극세트 또는 상기 플라즈마 챔버 또는 상기 다중 분할 전극세트와 상기 플라즈마 챔버 모두 중 어느 하나에 구비된다.In one embodiment, the exhaust means is provided in any one of the multi-division electrode set or the plasma chamber or both of the multi-division electrode set and the plasma chamber.

일 실시예에 있어서, 상기 배기수단은 상기 공정적 특성값에 기초하여 상기 제어부의 제어에 의해 작동된다.In one embodiment, the evacuation means is operated by the control of the controller based on the process characteristic value.

일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 챔버의 상부에는 리모트 플라즈마 소스를 생성하여 상기 플라즈마 챔버 내부로 제공하는 리모트 플라즈마 발생기를 포함한다.In one embodiment, the upper portion of the plasma chamber includes a remote plasma generator for generating a remote plasma source to provide into the plasma chamber.

본 발명의 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기에 의하면 다중 전원 공급원으로부터 다중 분할 전극으로의 전력 공급이 균일하게 이루어져 균일한 플라즈마 방전이 이루어진다. 또한 다중 전원 공급원으로부터 제공되는 전력의 전기적 특성값을 기초로하여 다중 분할 전극으로 제공되는 전력을 피드백 제어할 수 있다. 또한 플라즈마 챔버에서 진행되는 공정의 진행상태를 확인할 수 있는 공정적 특성값을 기초로하여 전기적 특성값을 변화 시키거나 가스 공급 및 배기구조를 동작함으로써 피드백 제어할 수 있다. 또한 플라즈마 반응기의 상부에 배기구조가 구비되어 플라즈마 처리 후 남는 잔여물(예를 들어, 미처리된 플라즈마 등)을 바로 플라즈마 반응기 외부로 배출할 수 있어 보다 효율적인 플라즈마 처리가 가능하다. 또한 플라즈마가 균일하게 발생되어 피처리 기판 전체에 걸쳐 균일한 플라즈마 처리가 가능하다. According to the plasma reactor having multiple power sources for the multiple split electrodes of the present invention, the power supply from the multiple power sources to the multiple split electrodes is uniform, resulting in uniform plasma discharge. In addition, it is possible to feedback control the power provided to the multiple split electrodes based on the electrical characteristic values of the power provided from the multiple power sources. In addition, the feedback may be controlled by changing the electrical characteristic value or operating the gas supply and exhaust structure based on the process characteristic value capable of confirming the progress of the process performed in the plasma chamber. In addition, an exhaust structure is provided on the upper portion of the plasma reactor, so that the residue (for example, untreated plasma, etc.) remaining after the plasma treatment can be immediately discharged to the outside of the plasma reactor, thereby enabling more efficient plasma treatment. In addition, the plasma is uniformly generated to enable uniform plasma processing over the entire substrate.

도 1은 종래의 용량 결합 방식으로 플라즈마를 유도하기 위한 전극 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기를 간단하게 도시한 개념도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기를 이용하여 전력을 피드백하는 방법을 도시한 도면이다.
도 4는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기의 전체적인 모양을 도시한 도면이다.
도 5는 배기 구조를 갖는 다중 분할 전극세트를 도시한 도면이다.
도 6은 배기 구조를 갖는 플라즈마 반응기의 단면을 도시한 도면이다.
도 7은 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기에서 전기적 특성을 측정하여 피드백 제어하기 위한 구성을 도시한 도면이다.
도 8은 단위 분할 전극에 90도 위상차를 갖는 전력이 제공되는 도면이다.
도 9는 마주보는 단위 분할 전극에 동위상을 갖는 전력이 제공되는 도면이다.
도 10은 단위 분할 전극에 45도 위상차를 갖는 전력이 제공되는 도면이다.
도 11은 절연 구간에 접지로 연결된 내부 전극이 포함된 다중 분할 전극세트를 도시한 도면이다.
도 12는 높이 또는 폭 조절이 가능한 절연 구간을 도시한 도면이다.
도 13은 내부 전극을 전원 또는 접지로 연결하기 위한 스위칭 구조를 포함하는 다중 분할 전극세트를 도시한 도면이다.
도 14는 다수 개의 입력단을 구비한 단위 분할 전극을 도시한 도면이다.
도 15 내지 도 19는 단위 분할 전극에 연결된 임피던스 전환 회로의 다양한 실시예를 보여주는 도면이다.
도 20 내지 도 21은 다양한 형상의 단위 분할 전극이 포함된 다중 분할 전극 세트를 도시한 도면이다.
도 22 내지 도 23은 제1 단위 분할 전극 및 전극 장착판에 가스 분사홀이 구비된 상태를 도시한 도면이다.
도 24 및 도 25는 가스 분사홀이 구비되거나 구비되지 않은 단위 분할 전극이 포함된 다중 분할 전극 세트를 도시한 도면이다. 1 is a view showing an electrode structure for inducing plasma in a conventional capacitive coupling method.
2 is a schematic diagram illustrating a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a method for feeding back power using a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes according to a preferred embodiment of the present invention.
4 shows the overall shape of a plasma reactor with multiple power sources for multiple split electrodes.
5 is a diagram illustrating a multiple split electrode set having an exhaust structure.
6 is a cross-sectional view of a plasma reactor having an exhaust structure.
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration for feedback control by measuring electrical characteristics in a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes.
8 is a diagram in which power having a 90 degree phase difference is provided to a unit division electrode.
9 is a diagram in which electric power having an in-phase is provided to opposing unit division electrodes.
10 is a diagram in which power having a 45 degree phase difference is provided to a unit division electrode.
FIG. 11 is a diagram illustrating a multiple split electrode set including an internal electrode connected to ground in an insulation section.
12 is a view illustrating an insulation section in which height or width can be adjusted.
FIG. 13 is a diagram illustrating a multiple split electrode set including a switching structure for connecting an internal electrode to a power source or a ground.
14 is a diagram illustrating a unit split electrode having a plurality of input terminals.
15 to 19 illustrate various embodiments of an impedance switching circuit connected to a unit division electrode.
20 to 21 are diagrams illustrating a multi split electrode set including unit split electrodes having various shapes.
22 to 23 are views illustrating a state in which gas injection holes are provided in the first unit split electrode and the electrode mounting plate.
24 and 25 are diagrams illustrating a multi-division electrode set including unit division electrodes with or without gas injection holes.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described in detail below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings and the like may be exaggerated to emphasize a more clear description. It should be noted that the same members in each drawing are sometimes shown with the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기를 간단하게 도시한 개념도이다. 2 is a schematic diagram illustrating a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 반응기(100)는 플라즈마 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버(110)와 플라즈마 챔버(110)에 구비되는 다중 분할 전극세트(120)와 다중 분할 전극세트(120)로 전력을 공급하기 위한 다중 전원 공급원(132)과 다중 전원 공급원(132)으로부터 다중 분할 전극세트(120)로 전력을 제공하는 전원 공급 계통(135) 및 전류의 전기적 특성값 및 플라즈마 챔버(110)의 공정적 특성값을 검출하여 전력을 피드백 제어하는 피드백 제어부를 포함한다. As shown in FIG. 2, the plasma reactor 100 according to the present invention includes a plasma chamber 110 having a plasma discharge space, a multi-division electrode set 120 and a multi-division electrode set provided in the plasma chamber 110 ( The electrical characteristics of the power supply system 135 and the current and the plasma chamber that provide power from the multiple power source 132 and the multiple power source 132 to the multiple split electrode set 120 to supply power to the 120 And a feedback controller to detect the process characteristic value of 110 to feedback control the power.

플라즈마 챔버(110)는 내부에 플라즈마 방전 공간이 형성된다. 플라즈마 챔버(110)는 내부에 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대(미도시)가 구비된다. 플라즈마 챔버(110)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 제작될 수 있다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 제작될 수도 있다. 또는 탄소나노튜브가 공유 결합된 복합 금속을 사용할 수도 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 제작될 수도 있다. 또 다른 대안으로 플라즈마 챔버(110)를 전체적 또는 부분적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 제작하는 것도 가능하다. 이와 같이 플라즈마 챔버(110)는 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 어떠한 물질로도 제작될 수 있다. 플라즈마 챔버(110)의 구조는 피처리 기판에 따라 그리고 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 적합한 구조 예를 들어, 원형 구조나 사각형 구조 그리고 이외에도 어떠한 형태의 구조를 가질 수 있다. The plasma chamber 110 has a plasma discharge space formed therein. The plasma chamber 110 is provided with a substrate support (not shown) on which a substrate to be processed is placed. The plasma chamber 110 may be made of a metal material such as aluminum, stainless steel, or copper. Or it may be made of coated metal, for example anodized aluminum or nickel plated aluminum. Alternatively, a composite metal in which carbon nanotubes are covalently bonded may be used. Alternatively, it may be made of refractory metal. Alternatively, it is possible to fabricate the plasma chamber 110 in whole or in part from an electrically insulating material such as quartz or ceramic. As such, the plasma chamber 110 may be made of any material suitable for performing the intended plasma process. The structure of the plasma chamber 110 may have a structure suitable for the generation of the plasma and for uniform generation of the plasma, for example, a circular structure or a square structure, and any other structure.

다중 분할 전극세트(120)는 복수 개의 단위 분할 전극(122)으로 구성되어 플라즈마 챔버(110)에 설치된다. 단위 분할 전극(122)은 선형 또는 면형으로 형성되어 병렬 또는 행렬 형태로 형성된다. 단위 분할 전극(122)은 처리하고자하는 피처리 기판의 크기에 따라 선택적으로 조절이 가능하다. 다중 분할 전극세트(120)는 다중 전원 공급원(132)으로부터 전력을 제공받아 동작되며 플라즈마 챔버(110) 내부로 용량 결합된 플라즈마 방전을 유도한다. The multi split electrode set 120 is composed of a plurality of unit split electrodes 122 and is installed in the plasma chamber 110. The unit split electrodes 122 are formed in a linear or planar shape and formed in parallel or matrix form. The unit split electrode 122 may be selectively adjusted according to the size of the substrate to be processed. The multiple split electrode set 120 is operated by receiving power from the multiple power sources 132 and induces plasma discharge capacitively coupled into the plasma chamber 110.

다중 전원 공급원(132)은 다중 분할 전극(120)으로 전력을 공급하는 복수 개의 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)이 구성된다. 이때 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)은 복수 개의 단위 분할 전극(122) 각각에 연결되어 전력을 공급한다. 또한 두 개 이상의 단위 분할 전극(122)을 하나의 그룹으로 형성하고, 그 그룹에 하나의 전원 공급원을 연결하여 단위 분할 전극(122) 그룹별로 전력을 제공할 수 있다. The multiple power sources 132 are configured with a plurality of power sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4 for supplying power to the multiple split electrodes 120. In this case, the power sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4 are connected to each of the plurality of unit division electrodes 122 to supply power. In addition, two or more unit division electrodes 122 may be formed in one group, and one power supply may be connected to the group to provide power for each group of unit division electrodes 122.

전원 공급 계통(135)은 다중 전원 공급원(132)으로부터 다중 분할 전극세트(120)로 전력을 공급한다. 전원 공급 계통(135)은 위상 변환기와 임피던스 정합기로 구성되는바, 이하에서 상세하게 설명한다.  The power supply system 135 supplies power from the multiple power sources 132 to the multiple split electrode sets 120. The power supply system 135 includes a phase converter and an impedance matcher, which will be described in detail below.

피드백 제어부는 다중 전원 공급원(132)으로부터 다중 분할 전극세트(120)로 제공되는 전력의 전기적 특성값과 플라즈마 챔버(110)의 공정적 특성값을 검출하고, 검출된 전기적 특성값과 공정적 특성값을 기초로 하여 전력을 피드백 제어한다. 피드백 제어부는 전원 공급 계통(135)에서 전기적 특성값을 검출하는 전기적 특성값 검출부(155)와 플라즈마 챔버(110)로부터 공정적 특성값을 검출하는 공정적 특성값 검출부(150) 및 전기적 특성값과 공정적 특성값을 제공받아 전력을 피드백 제어하는 제어부(160)를 포함한다. The feedback controller detects the electrical characteristic value of the power provided from the multiple power source 132 to the multiple split electrode set 120 and the process characteristic value of the plasma chamber 110, and detects the detected electrical characteristic value and the process characteristic value. The feedback is controlled based on the power. The feedback controller includes an electrical characteristic value detector 155 for detecting electrical characteristic values in the power supply system 135, a process characteristic value detector 150 for detecting process characteristic values from the plasma chamber 110, and an electrical characteristic value. The control unit 160 receives the process characteristic value and controls power feedback.

전기적 특성값 검출부(155)는 다중 전원 공급원(132)으로부터 다중 분할 전극세트(120)로 제공되는 전력의 전기적 특성값을 검출한다. 여기서, 전기적 특성값이란 제공되고 있는 전력의 특성을 측정한 것이다. 예를 들면 전기적 특성값은 전력의 임피던스 값, 위상값, Vpp(전압의 진폭에 대한 최대차이), Vdc(직류 바이어스 전압을 공급할 때의 전압 특성), Ipp(전류의 최대차이)와 같은 값을 일컫는다. 상기에서 예를 들어 설명한 전기적 특성값은 하나만 검출될 수도 있고, 다수 개가 검출될 수도 있다. 검출된 전기적 특성값은 제어부(160)로 제공된다.The electrical characteristic value detector 155 detects electrical characteristic values of power provided from the multiple power sources 132 to the multiple split electrode sets 120. Here, the electrical characteristic value is a measure of the characteristic of the power provided. For example, the electrical characteristic values include values such as impedance value, phase value, Vpp (maximum difference with respect to voltage amplitude), Vdc (voltage characteristic when supplying a DC bias voltage), and Ipp (maximum difference with current). It is called. Only one electrical characteristic value described as an example above may be detected, or a plurality may be detected. The detected electrical characteristic value is provided to the controller 160.

공정적 특성값 검출부(150)는 플라즈마 챔버(110)에 구비된 플라즈마 센서를 통해 공정적 특성값을 검출한다. 공정적 특성값은 플라즈마 챔버(110)에서 수행되는 공정의 진행 상태를 확인하기 위한 값이다. 예를 들어, 공정적 특성값을 통해 플라즈마 챔버(110) 내부에서 플라즈마 처리중인 피처리 기판에 대한 증착 또는 식각 공정이 어떤 상태에서 어느정도 진행됐는지를 확인할 수 있다. 검출된 공정적 특성값은 제어부(160)로 제공된다. The process characteristic value detecting unit 150 detects the process characteristic value through the plasma sensor provided in the plasma chamber 110. The process characteristic value is a value for checking the progress state of the process performed in the plasma chamber 110. For example, the process characteristic value may determine how much the deposition or etching process is performed on the substrate to be processed in the plasma chamber 110 in which state. The detected process characteristic value is provided to the controller 160.

제어부(160)는 전기적 특성값 검출부(155) 및 공정적 특성값 검출부(150)로부터 특성값을 제공받고, 이를 기초로 하여 다중 전원 공급원(132)의 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)으로부터 제공되는 전력을 제어한다. 제어부(160)는 전기적 특성값 및 공정적 특성값을 바탕으로 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)과 위상 변환기와 임피던스 정합기를 제어하여 단위 분할 전극(122)으로 전력을 제공하거나 배기구조를 제어할 수도 있다.The controller 160 receives the characteristic values from the electrical characteristic value detector 155 and the process characteristic value detector 150, and based on the characteristics, the power supply sources 132-1, 132-2, 132-3, 132-4 to control the power provided. The control unit 160 controls the power supply sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4, the phase shifter, and the impedance matcher based on the electrical characteristic value and the process characteristic value. May provide power or control the exhaust structure.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기를 이용하여 전력을 피드백하는 방법을 도시한 도면이다. 3 is a diagram illustrating a method for feeding back power using a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 먼저, 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)으로부터 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)들 개별적으로 각각의 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)에 전력을 제공하여 구동한다(S10).As shown in FIG. 3, first, the unit division electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4 from the power sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4. Each of the unit split electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4 is provided with electric power to drive each of them (S10).

여기서, 전기적 특성값 검출부(155)는 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)으로 제공되는 전력에 대한 전기적 특성값을 검출한다(S20a). 또한 공정적 특성값 검출부(150)도 플라즈마 챔버(110) 내에서 수행되는 공정의 진행 정도를 확인하기 위한 공정적 특성값을 검출한다(S20b). Here, the electrical characteristic value detector 155 detects electrical characteristic values for power provided to the unit split electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4 (S20a). In addition, the process characteristic value detector 150 also detects process characteristic values for checking the progress of the process performed in the plasma chamber 110 (S20b).

전기적 특성값 검출부(155)에서 검출된 전기적 특성값은 제어부(160)로 제공되고, 제어부(160)에서는 전기적 특성값을 기초로 하여 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)으로부터 제공되는 전력을 제어한다. 제어된 전류는 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)으로 제공된다(S30a).The electrical characteristic values detected by the electrical characteristic value detector 155 are provided to the controller 160, and the controller 160 supplies power sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132 based on the electrical characteristic values. -4) to control the power provided from. The controlled current is provided to the unit division electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4 (S30a).

공정적 특성값 검출부(150)에서 검출된 공정적 특성값은 제어부(160)로 제공되고, 제어부(160)에서는 공정적 특성값을 기초로하여 플라즈마 챔버(110) 내의 공정적 특성값을 변화시키기 위한 제어를 한다. 여기서, 제어부(110)는 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)으로부터 제공되는 전류를 피드백 제어하여 전기적 특성값을 변화시킬 수도 있고, 플라즈마 챔버(110)에 구비된 배기수단을 제어하여 플라즈마 챔버(110) 내의 공정적 특성값을 변화시킬 수도 있다(S30b).The process characteristic value detected by the process characteristic value detector 150 is provided to the controller 160, and the controller 160 changes the process characteristic value in the plasma chamber 110 based on the process characteristic value. Take control. Here, the controller 110 may change the electrical characteristic value by feedback control of the current provided from the power supply sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4, and is provided in the plasma chamber 110. By controlling the exhaust means, it is also possible to change the process characteristic value in the plasma chamber 110 (S30b).

도 4는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기의 전체적인 모양을 도시한 도면이고, 도 5는 배기 구조를 갖는 다중 분할 전극세트를 도시한 도면이다.FIG. 4 shows the overall shape of a plasma reactor with multiple power sources for multiple split electrodes, and FIG. 5 shows a multiple split electrode set with an exhaust structure.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 플라즈마 챔버(110)의 상부에는 전극 장착판(124)에 장착된 복수 개의 단위 분할 전극(122)이 설치된다. 단위 분할 전극(122)은 면형으로 형성되어 전극 장착판(124)의 하면에 설치된다. 전극 장착판(124)은 단위 분할 전극(122) 간의 전기적 절연을 위해 절연체로 형성된다. 다중 분할 전극(120)은 복수 개의 단위 분할 전극(122) 사이에 절연 영역을 구비하는바, 본 발명에서는 절연영역 기능을 하면서 단위 분할 전극을 설치할 수 있는 전극 장착판(124)을 구비한다. 전극 장착판(124)은 단위 분할 전극(122)들 사이로 배기홀(124a)이 구비되어 배기구조를 갖는다.
4 and 5, a plurality of unit split electrodes 122 mounted on the electrode mounting plate 124 is installed on the plasma chamber 110. The unit split electrode 122 is formed in a planar shape and installed on the bottom surface of the electrode mounting plate 124. The electrode mounting plate 124 is formed of an insulator for electrical insulation between the unit split electrodes 122. The multi split electrode 120 includes an insulating region between the plurality of unit split electrodes 122. In the present invention, the multi split electrode 120 includes an electrode mounting plate 124 capable of installing a unit split electrode while serving as an insulating region. The electrode mounting plate 124 is provided with an exhaust hole 124a between the unit split electrodes 122 to have an exhaust structure.

도 6은 배기 구조를 갖는 플라즈마 반응기의 단면을 도시한 도면이다. 6 is a cross-sectional view of a plasma reactor having an exhaust structure.

도 6에 도시된 바와 같이, 플라즈마 챔버(110) 내부로 가스를 제공하기 위한 가스 공급부(170)가 복수 개의 단위 분할 전극(122)에 각각 구비된다. 가스 공급부(170)는 공정가스 공급원으로부터 가스를 제공받기 위한 가스 입구(171)가 구비되어 각각의 단위 분할 전극(122)을 통해 가스를 플라즈마 챔버(110) 내부로 제공한다. 이때 단위 분할 전극(122)에는 다수 개의 가스 분사홀(122a)이 구비되어 플라즈마 챔버(110) 내부로 공정에 필요한 가스가 분사된다. 다중 분할 전극세트(120)가 장착된 전극 장착판(124)은 플라즈마 챔버(110)의 상부에 구비된 거치대(111)에 거치된다. 이때 거치대(111)와 전극 장착판(124) 사이에는 절연부(125)가 구비된다. 플라즈마 챔버(110)의 내부에는 피처리 기판(113)을 지지하기 위한 기판 지지대(112)가 구비된다. 기판 지지대(112)는 내부에 히터를 포함할 수 있다.
As shown in FIG. 6, a gas supply unit 170 for providing gas into the plasma chamber 110 is provided in each of the plurality of unit split electrodes 122. The gas supply unit 170 is provided with a gas inlet 171 for receiving gas from a process gas supply source to provide gas into the plasma chamber 110 through each of the unit split electrodes 122. At this time, the unit split electrode 122 is provided with a plurality of gas injection holes 122a to inject gas required for the process into the plasma chamber 110. The electrode mounting plate 124 on which the multiple split electrode set 120 is mounted is mounted on a cradle 111 provided on the upper portion of the plasma chamber 110. In this case, an insulating part 125 is provided between the holder 111 and the electrode mounting plate 124. The substrate support 112 for supporting the substrate 113 to be processed is provided in the plasma chamber 110. The substrate support 112 may include a heater therein.

플라즈마 챔버(110) 또는 다중 분할 전극세트(120)에는 배기구조가 구비되어 플라즈마 처리 후 잔여물을 플라즈마 챔버(110) 외부로 배출한다. The plasma chamber 110 or the multiple split electrode set 120 is provided with an exhaust structure to discharge the residue after the plasma treatment to the outside of the plasma chamber 110.

먼저 플라즈마 챔버(110) 하부에 배기펌프(116)가 연결되어 배기구조를 이룰 수 있다. 이러한 구조를 이용한 배기 방식은 일반적으로 사용되므로 상세한 설명은 생략한다. 다른 배기 구조로는 전극 장착판(124)에 다수 개의 배기홀(124a)과 배기홀(124a)에 연결된 배기펌프로 구성된다. 배기홀(124a)은 다중 분할 전극세트(120)의 복수 개의 단위 분할 전극(122) 사이에 위치된다. 다중 분할 전극세트(120)에 배기홀(124a)이 구비되면 플라즈마 챔버(110) 내부에서 피처리 기판(113)을 처리한 후 남은 플라즈마 및 잔여물을 바로 플라즈마 챔버(110) 외부로 배출할 수 있어 플라즈마 처리 효율을 증대시킨다. 이러한 배기구조는 다중 분할 전극세트(120) 및 플라즈마 챔버(110)에 함께 구비될 수도 있다. 플라즈마 챔버(110)와 다중 분할 전극세트(120)는 동일한 배기 펌프(116)에 연결될 수도 있고, 서로 다른 배기 펌프에 연결되어 작동할 수 있다. 이때, 다중 분할 전극세트(120)에 구비된 배기구조 및 플라즈마 챔버(110)에 구비된 배기구조는 각각 밸브(116-1, 116-2)가 연결되어 제어부(160)의 제어에 따라 동작한다. 제어부(190)는 측정된 공정적 특성값을 기초로 하여 플라즈마 챔버(110) 내부를 변화시키기 위해 배기구조의 밸브(116-1, 116-2)를 동작한다.First, the exhaust pump 116 may be connected to the lower portion of the plasma chamber 110 to form an exhaust structure. Since the exhaust system using this structure is generally used, a detailed description thereof will be omitted. Another exhaust structure includes a plurality of exhaust holes 124a and an exhaust pump connected to the exhaust holes 124a in the electrode mounting plate 124. The exhaust hole 124a is positioned between the plurality of unit split electrodes 122 of the multi split electrode set 120. When the exhaust hole 124a is provided in the multi-division electrode set 120, the plasma and the residue remaining after the processing of the substrate 113 in the plasma chamber 110 may be immediately discharged to the outside of the plasma chamber 110. There is an increase in plasma treatment efficiency. Such an exhaust structure may be provided together with the multiple split electrode set 120 and the plasma chamber 110. The plasma chamber 110 and the multiple split electrode set 120 may be connected to the same exhaust pump 116 or may be connected to and operate with different exhaust pumps. At this time, the exhaust structure provided in the multiple split electrode set 120 and the exhaust structure provided in the plasma chamber 110 are connected to the valves 116-1 and 116-2, respectively, and operate under the control of the controller 160. . The controller 190 operates the valves 116-1 and 116-2 of the exhaust structure to change the inside of the plasma chamber 110 based on the measured process characteristic values.

본 발명에 따른 플라즈마 반응기(100)에는 플라즈마 챔버(110)의 리모트 플라즈마 소스를 생성하는 리모트 플라즈마 발생기(180)가 구비된다. 리모트 플라즈마 발생기(180)는 플라즈마 챔버(110)의 상부에 구비되고 세정가스 공급원(182)으로부터 클리닝 공정에 필요한 세정가스를 공급받아 플라즈마 소스를 생성한다. 생성된 플라즈마 소스는 가스 공급부(170)를 통해 플라즈마 챔버(110) 내부로 제공되어 클리닝 공정을 수행한다. 이때 세정가스 공급원(182)은 리모트 플라즈마 발생기(180)의 상부와 연결되어 리모트 플라즈마 발생기(180)의 내부에서 플라즈마 소스를 생성한다. 또한 공정가스 공급원(184)은 리모트 플라즈마 발생기(180)의 하부에 연결되어 리모트 플라즈마 발생기(180)를 통과하지 않고 가스 공급부(170)로 공정가스를 공급한다. 이때 공정가스 공급원(184)은 세정가스 공급원(182)과 함께 리모트 플라즈마 발생기(180)의 상부에 연결될 수도 있다. 세정가스 공급원(182)과 공정가스 공급원(184)은 각각 밸브(181-1, 181-2)로 리모트 플라즈마 발생기(180)에 연결되고, 각각의 밸브(181-1, 181-2)는 제어부(160)의 제어에 따라 동작한다. 제어부(160)는 측정된 전기적 특성값 및 공정적 특성값을 기초로 하여 세정가스 공급원(182)과 공정가스 공급원(184)에 연결된 밸브(181-1, 181-2)를 동작한다.
The plasma reactor 100 according to the present invention is provided with a remote plasma generator 180 for generating a remote plasma source of the plasma chamber 110. The remote plasma generator 180 is provided above the plasma chamber 110 and receives a cleaning gas necessary for a cleaning process from the cleaning gas source 182 to generate a plasma source. The generated plasma source is provided into the plasma chamber 110 through the gas supply unit 170 to perform a cleaning process. At this time, the cleaning gas source 182 is connected to the upper portion of the remote plasma generator 180 to generate a plasma source inside the remote plasma generator 180. In addition, the process gas source 184 is connected to the lower portion of the remote plasma generator 180 to supply the process gas to the gas supply unit 170 without passing through the remote plasma generator 180. In this case, the process gas source 184 may be connected to the upper portion of the remote plasma generator 180 together with the cleaning gas source 182. The cleaning gas source 182 and the process gas source 184 are connected to the remote plasma generator 180 by valves 181-1 and 181-2, respectively, and each valve 181-1 and 181-2 is a control unit. It operates under the control of 160. The controller 160 operates the valves 181-1 and 181-2 connected to the cleaning gas supply source 182 and the process gas supply source 184 based on the measured electrical characteristic value and the process characteristic value.

도 7은 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기에서 전기적 특성을 측정하여 피드백 제어하기 위한 구성을 도시한 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration for feedback control by measuring electrical characteristics in a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes.

도 7에서는 도 2에서 간략하게 설명한 전원 공급 계통(135)의 구성에 대하여 상세하게 설명한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 챔버(110)에는 복수 개의 제1, 2, 3, 4 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)이 구비된다. 각각의 제1, 2, 3, 4 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4) 각각에는 제1, 2, 3, 4 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)과 제1, 2, 3, 4 위상 변환기(136-1, 136-2, 136-3, 136-4)와 제1, 2, 3, 4 임피던스 정합기(137-1, 137-2, 137-3, 137-4) 및 제1, 2, 3, 4 센싱회로(138-1, 138-2, 138-3, 138-4)가 연결된다. 여기서는 제1 단위 분할 전극(122-1)에 대하여 설명한다.In FIG. 7, the configuration of the power supply system 135 briefly described with reference to FIG. 2 will be described in detail. As shown in FIG. 7, the plasma chamber 110 includes a plurality of first, second, third and fourth unit split electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4. Each of the first, second, third, and fourth unit split electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4 includes first, second, third, and fourth power sources 132-1, 132-2. , 132-3, 132-4) and the first, second, third and fourth phase shifters 136-1, 136-2, 136-3, and 136-4 and the first, second, third and fourth impedance matchers ( 137-1, 137-2, 137-3, and 137-4 and the first, second, third and fourth sensing circuits 138-1, 138-2, 138-3, and 138-4. Here, the first unit split electrode 122-1 will be described.

제1 단위 분할 전극(122-1)은 제1 전원 공급원(132-1)으로부터 전력을 공급받아 동작된다. 이때 제1 센싱회로(138-1)로 구현된 전기적 특성값 검출부(155)에서 제1 단위 분할 전극(122-1)으로 제공되는 전력의 전기적 특성값을 검출한다. 검출된 전기적 특성값은 제어부(160)로 제공된다. 여기서, 제1 임피던스 정합기(137-1)에서는 전류의 임피던스 값을 제어부(160)에 제공한다. 임피던스 값은 전기적 특성값 검출부(155)에서도 검출될 수 있다. 이러한 방식으로 제2, 3, 4 센싱회로(138-2, 138-3, 138-4)에서 제2, 3, 4 단위 분할 전극(122-2, 122-3, 122-4)로 제공되는 전력의 전기적 특성값을 검출한다. 검출된 전기적 특성값은 제어부(160)에 제공된다. 제어부(160)에서는 제공받은 전기적 특성값을 기초로 상호 비교를 하고 피드백 제어가 필요한 경우 피드백 제어 신호를 전송한다. 피드백된 제어 신호에 따라 제1, 2, 3, 4 단위 분할 전극 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)으로 제공되는 전력을 제어한다. 예를 들어, 전기적 특성값 중 위상값을 상호 비교하여 전력의 위상이 정상적인지 확인한다. 이때 제1 전원 공급원(132-1)에서 제공되는 전력의 위상값을 조절하고자하면 제어부(160)에서는 제1 위상 변환기(136-1)로 피드백 제어 신호를 전송한다. 제어 신호를 수신한 제1 위상 변환기(136-1)은 제어 신호에 따라 제1 전원 공급원(132-1)에서 제공되는 전력의 위상을 변화시켜 제1 단위 분할 전극(122-1)으로 제공한다. 또한 제어부(160)는 직접적으로 제1 전원 공급원(132-1)을 제어하여 전력을 변화시킬 수도 있다. 또한 제어부(160)는 전기적 특성값 중 임피던스 값을 상호 비교하여 임피던스 값이 정상적인지 확인한다. 이때 제1 전원 공급원(132-1)에서 제공되는 전력의 임피던스 값을 변화시키고자 할때는 피드백 제어 신호를 다시 제1 임피던스 정합기(137-1)로 전송할 수 있다. 이러한 제어 신호에 따라 제1 임피던스 정합기(137-1)는 제1 전원 공급원(132-1)으로부터 제공되는 전력의 임피던스 값을 변화시킬 수 있다. The first unit split electrode 122-1 is operated by receiving power from the first power supply 132-1. At this time, the electrical characteristic value detection unit 155 implemented by the first sensing circuit 138-1 detects the electrical characteristic value of the power provided to the first unit electrode 122-1. The detected electrical characteristic value is provided to the controller 160. Here, the first impedance matcher 137-1 provides the impedance value of the current to the controller 160. The impedance value may also be detected by the electrical characteristic value detector 155. In this manner, the second, third and fourth sensing circuits 138-2, 138-3 and 138-4 are provided to the second, third and fourth unit division electrodes 122-2, 122-3 and 122-4. Detect the electrical characteristics of the power. The detected electrical characteristic value is provided to the controller 160. The controller 160 compares each other based on the provided electrical characteristic values and transmits a feedback control signal when feedback control is required. The power provided to the first, second, third, and fourth unit division electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4 is controlled according to the feedback control signal. For example, it is checked whether the phase of power is normal by comparing phase values among electrical characteristic values. At this time, if it is desired to adjust the phase value of the power provided from the first power supply 132-1, the controller 160 transmits a feedback control signal to the first phase converter 136-1. The first phase shifter 136-1 receiving the control signal changes the phase of the power provided from the first power supply 132-1 according to the control signal and provides it to the first unit split electrode 122-1. . In addition, the controller 160 may directly change the power by controlling the first power supply 132-1. In addition, the controller 160 compares the impedance values among the electrical characteristic values and checks whether the impedance values are normal. In this case, when the impedance value of the power provided from the first power supply 132-1 is changed, the feedback control signal may be transmitted to the first impedance matcher 137-1 again. According to the control signal, the first impedance matcher 137-1 may change the impedance value of the power provided from the first power supply 132-1.

나머지 제2, 3, 4 단위 분할 전극(122-2, 122-3, 122-4)과 제2, 3, 4 전원 공급원(132-2, 132-3, 132-4)과 제2, 3, 4 위상 변환기(136-2, 136-3, 136-4)와 제2, 3, 4 임피던스 정합기(137-2, 137-3, 137-4) 및 제2, 3, 4 센싱회로(138-2, 138-3, 138-4)는 상기에 설명한 바와 동일한 방식으로 구동되기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
Remaining second, third and fourth unit electrodes 122-2, 122-3 and 122-4 and second, third and fourth power sources 132-2, 132-3 and 132-4 and second and third units 4 phase shifters 136-2, 136-3, 136-4, second, 3, 4 impedance matchers 137-2, 137-3, 137-4, and second, 3, 4 sensing circuits ( 138-2, 138-3, and 138-4 are driven in the same manner as described above, so the detailed description is omitted.

플라즈마 챔버(110)의 내부에는 플라즈마 챔버(110) 내부에서 수행되는 공정의 처리상태를 측정하기 위한 적어도 하나의 플라즈마 센서부(102)가 구비된다. 플라즈마 센서부(102)는 공정적 특성값 검출부(150)에 연결되어 플라즈마 챔버(110) 내부의 상태를 센싱한다. 센싱된 공정적 특성값은 제어부(160)로 제공된다. 제어부(160)는 공정적 특성값을 기초로 하여 플라즈마 챔버 내부를 피드백 제어한다. 이때 제어부(160)는 공정적 특성값을 변화시키기 위해 전기적 특성값을 변화시켜 전류를 피드백 제어할 수 있고, 배기구조 및 가스 공급과 관련하여 피드백 제어할 수 있다. 예를 들어, 전원 공급원(132)이나 위상 변환기(136)나 임피던스 정합기(137)를 제어하여 전류를 제어할 수 있다. 또한 다중 분할 전극세트(120) 및 플라즈마 챔버(110)에 구비된 배기구조를 동작시켜 플라즈마 챔버(110) 내부의 상태를 제어할 수도 있고, 세정가스 공급원(182)이나 공정가스 공급원(184)에서 세정가스나 공정가스를 공급하도록 제어할 수도 있다.
At least one plasma sensor unit 102 for measuring a processing state of a process performed in the plasma chamber 110 is provided inside the plasma chamber 110. The plasma sensor unit 102 is connected to the process characteristic value detecting unit 150 to sense a state inside the plasma chamber 110. The sensed process characteristic value is provided to the controller 160. The controller 160 controls the inside of the plasma chamber based on the process characteristic value. In this case, the controller 160 may control the feedback by changing the electrical characteristic value to change the process characteristic value, and may control the feedback with respect to the exhaust structure and the gas supply. For example, the current may be controlled by controlling the power source 132, the phase converter 136, or the impedance matcher 137. In addition, the exhaust structure provided in the multiple split electrode set 120 and the plasma chamber 110 may be operated to control the state of the interior of the plasma chamber 110, and the cleaning gas source 182 or the process gas source 184 may be used. It is also possible to control the supply of cleaning gas or process gas.

도 8은 단위 분할 전극에 90도 위상차를 갖는 전력이 제공되는 도면이다.8 is a diagram in which power having a 90 degree phase difference is provided to a unit division electrode.

도 8에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3, 4 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)으로부터 제공되는 전력의 위상을 제1, 2, 3, 4 위상(G1, G2, G3, G4)이라고 할때, 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)은 복수 개의 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)에 90도의 위상차를 갖는 전력을 제공할수 있다. 복수 개의 단위 분할 전극(122)에는 모두 동일한 위상을 갖는 전력을 제공할 수도 있고, 위상차를 갖는 전력을 제공할 수도 있다. 이때 전기적 특성값 검출부(155)에서는 전력의 전기적 특성값을 검출하고, 제어부(160)에서는 검출된 전력의 위상차를 상호 비교하면서 정상적으로 위상차가 유지되고있는지 확인한다. 이때, 위상차가 정상적으로 유지되지 않는다면 위상차를 제어하기 위하여 위상을 변화시키고자하는 전원 공급원에 연결된 위상 변환기에 제어신호를 전송하여 위상차를 피드백 제어한다. As shown in FIG. 8, the phases of the power provided from the first, second, third and fourth power sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4 are first, second, third, and fourth. When the phases G1, G2, G3, and G4 are used, the power sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4 are provided with a plurality of unit division electrodes 122-1, 122-2, and 122-. 3, 122-4) can provide power having a phase difference of 90 degrees. The plurality of unit split electrodes 122 may be provided with power having the same phase or may be provided with power having a phase difference. At this time, the electrical characteristic value detector 155 detects the electrical characteristic value of power, and the controller 160 compares the phase difference of the detected power with each other and checks whether the phase difference is normally maintained. In this case, if the phase difference is not normally maintained, the phase difference is feedback-controlled by transmitting a control signal to a phase converter connected to a power source to change the phase in order to control the phase difference.

도 9는 마주보는 단위 분할 전극에 동위상을 갖는 전력이 제공되는 도면이다. 9 is a diagram in which electric power having an in-phase is provided to opposing unit division electrodes.

도 9에 도시된 바와 같이, 복수 개의 단위 분할 전극(122)이 행렬로 배열된 경우, 마주보는 단위 분할 전극(122)은 서로 동위상을 갖는 전력을 제공받을 수 있다. 예를 들어, 서로 마주보는 대칭의 단위 분할 전극인 제1, 3 단위 분할 전극(122-1, 122-3)과 제2, 4 단위 분할 전극(122-2, 122-4)에는 제1, 3 위상(G1, G3)과 제2, 4 위상(G2, G4)을 갖는 전력을 공급할 수 있다. 도면에서는 도시하지 않았으나, 복수 개의 단위 분할 전극(122)이 병렬로 배열된 경우(제1, 2, 3, 4 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)이 병렬로 배열된 경우), 두 개 이상의 단위 분할 전극(122)은 동위상을 갖는 전력을 공급받을 수 있다. 특히, 이때 서로 이웃한 단위 분할 전극(예를 들어 제1, 2 단위분할전극(122-1, 122-2))은 위상차를 갖는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 9, when the plurality of unit division electrodes 122 are arranged in a matrix, the unit division electrodes 122 facing each other may be provided with power having in phase with each other. For example, the first and third unit split electrodes 122-1 and 122-3 and the second and fourth unit split electrodes 122-2 and 122-4 that are symmetrical unit split electrodes face each other, respectively. Power having three phases G1 and G3 and second and fourth phases G2 and G4 can be supplied. Although not illustrated in the drawing, when the plurality of unit division electrodes 122 are arranged in parallel (first, second, three, and four unit division electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4) When arranged in parallel, two or more unit division electrodes 122 may be supplied with power having an in-phase. In particular, it is preferable that the unit split electrodes (for example, the first and second unit split electrodes 122-1 and 122-2) adjacent to each other have a phase difference.

도 10은 단위 분할 전극에 45도 위상차를 갖는 전력이 제공되는 도면이다.10 is a diagram in which power having a 45 degree phase difference is provided to a unit division electrode.

도 10에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3, 4 전원 공급원(132-1, 132-2, 132-3, 132-4)으로부터 제공되는 전류는 45도의 위상차로 제1, 2, 3, 4 단위 분할 전극(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)으로 제공될 수 있다.
As shown in FIG. 10, currents provided from the first, second, third and fourth power sources 132-1, 132-2, 132-3, and 132-4 are first, second, and third with a 45 degree phase difference. , Four unit split electrodes 122-1, 122-2, 122-3, and 122-4.

도 11은 절연 구간에 접지로 연결된 내부 전극이 포함된 다중 분할 전극세트를 도시한 도면이다. FIG. 11 is a diagram illustrating a multiple split electrode set including an internal electrode connected to ground in an insulation section.

도 11에 도시된 바와 같이, 단위 분할 전극(122)들 간의 전기적 절연을 위한 절연 구간(126) 내부에는 내부 전극(128)이 구비될 수 있다. 내부 전극(128)은 단위 분할 전극(122)들 사이에 구비되는데, 도면에 도시된 것과 같이, 단위 분할 전극(122)들의 테두리 전체에 구비될 수도 있고, 단위 분할 전극(122)들의 외곽 테두리나 사이에만 구비될 수도 있다. 내부 전극(128)은 접지(127a)로 연결되어 단위 분할 전극(122)들 간에 상호 전기적 간섭을 방지할 수 있다. 즉, 이웃하는 단위 분할 전극(122)들 간에 독립적인 방전 공간이 형성되어 방전된 플라즈마가 상호 간섭되지 않고 독립적으로 처리될 수 있다. 내부 전극(128)에는 가변 인덕터(미도시) 또는 가변 캐패시터(미도시) 중 어느 하나가 연결되어 전력을 제어할 수 있다.As illustrated in FIG. 11, an internal electrode 128 may be provided inside the insulation section 126 for electrical insulation between the unit split electrodes 122. The internal electrode 128 is provided between the unit division electrodes 122. As shown in the drawing, the internal electrode 128 may be provided on the entire edge of the unit division electrodes 122, or the outer edge of the unit division electrodes 122 It may be provided only between. The internal electrode 128 may be connected to the ground 127a to prevent mutual electrical interference between the unit split electrodes 122. That is, independent discharge spaces are formed between neighboring unit division electrodes 122 so that the discharged plasma may be independently processed without mutual interference. One of a variable inductor (not shown) or a variable capacitor (not shown) may be connected to the internal electrode 128 to control power.

도 12는 높이 또는 폭 조절이 가능한 절연 구간을 도시한 도면이다.12 is a view illustrating an insulation section in which height or width can be adjusted.

도 12에 도시된 바와 같이, 단위 분할 전극(122) 사이에 위치된 절연 구간(126)은 간격 조절 메커니즘을 통해 이웃한 단위 분할 전극(122) 사이의 간격을 조절할 수 있다. 즉, 절연 구간(126)의 폭을 넓거나 좁게 구성함으로써, 이웃한 단위 분할 전극(122) 사이의 간격이 좁거나 넓어질 수 있다. 이러한 단위 분할 전극(122) 사이의 간격은 단위 분할 전극(122)들 사이의 경계선 부분에서의 플라즈마 발생 균일도에 영향을 미치므로 플라즈마 발생 균일도를 향상하기 위해 가변적으로 제어가 가능하다.As shown in FIG. 12, the insulating section 126 positioned between the unit split electrodes 122 may adjust the gap between neighboring unit split electrodes 122 through a gap adjusting mechanism. That is, by configuring the width of the insulating section 126 to be wide or narrow, the distance between the neighboring unit divided electrodes 122 can be narrowed or widened. Since the spacing between the unit split electrodes 122 affects the uniformity of plasma generation at the boundary between the unit split electrodes 122, the spacing between the unit split electrodes 122 may be variably controlled to improve the uniformity of plasma generation.

또한 단위 분할 전극(122) 사이에 위치된 절연 구간(126)은 위치 조절 메커니즘을 통해 높이를 조절할 수 있다. 절연 구간(126)의 높이는 단위 분할 전극(122)과 동일한 높이이거나 단위 분할 전극(122)보다 낮거나 높도록 구성할 수 있다. 예를 들어, 도면에서는 절연 구간(126)의 높이가 단위 분할 전극(122)보다 높도록 형성되어 평면의 단위 분할 전극(122)보다 절연구간(125)이 돌출된다. In addition, the insulating section 126 located between the unit split electrodes 122 may adjust the height through a position adjusting mechanism. The height of the insulation section 126 may be the same as that of the unit division electrode 122 or lower or higher than the unit division electrode 122. For example, in the drawing, the height of the insulating section 126 is formed to be higher than that of the unit split electrode 122, so that the insulating section 125 protrudes from the flat unit split electrode 122.

도 13은 내부 전극을 전원 또는 접지로 연결하기 위한 스위칭 구조를 포함하는 다중 분할 전극세트를 도시한 도면이다. FIG. 13 is a diagram illustrating a multiple split electrode set including a switching structure for connecting an internal electrode to a power source or a ground.

도 13에 도시된 바와 같이, 절연 구간(126) 내부에 구비된 내부 전극(128)은 스위칭 회로를 통해 접지(127a) 또는 직류 전원(127b) 또는 교류 전원(127c) 중 하나로 연결될 수 있다. 내부 전극(128)은 스위칭 회로를 통해 선택적으로 접지(127a) 또는 직류 전원(127b) 또는 교류 전원(127c) 중 하나로 연결됨으로써, 단위 분할 전극(122)들의 플라즈마 방전영역이 독립적으로 형성되도록 한다.
As illustrated in FIG. 13, the internal electrode 128 provided in the insulation section 126 may be connected to one of the ground 127a, the DC power 127b, or the AC power 127c through a switching circuit. The internal electrode 128 is selectively connected to one of the ground 127a, the DC power source 127b, or the AC power source 127c through a switching circuit, so that the plasma discharge regions of the unit division electrodes 122 are formed independently.

도 14는 다수 개의 입력단을 구비한 단위 분할 전극을 도시한 도면이다.14 is a diagram illustrating a unit split electrode having a plurality of input terminals.

도 14에 도시된 바와 같이, 단위 분할 전극(122)은 전원 공급원(132)과 연결되어 전력을 공급받는 다수 개의 급전점(122b)을 포함한다. 다수 개의 급전점(122b)은 단위 분할 전극(122)의 중심부와 모서리 영역에 구성된다. 하나의 단위 분할 전극(122)으로 입력되도록 분배된 고주파 전력은 분기 급전 라인(212)에 의해 분기되어 다수 개의 급전점(122b)으로 입력된다. 그럼으로 하나의 단위 분할 전극(122) 내에서 발생될 수 있는 위상 오차에 의한 에너지 밀도의 불균형을 최소화하여 보다 균일한 플라즈마 방전을 유도할 수 있다.
As shown in FIG. 14, the unit split electrode 122 includes a plurality of feed points 122b connected to the power supply 132 to receive power. The plurality of feed points 122b are configured at the center and the corner area of the unit split electrode 122. The high frequency power distributed to be input to one unit split electrode 122 is branched by the branch feed line 212 and input to the plurality of feed points 122b. As a result, a more uniform plasma discharge may be induced by minimizing an imbalance in energy density due to a phase error that may occur in one unit split electrode 122.

도 15 내지 도 19는 단위 분할 전극에 연결된 임피던스 전환 회로의 다양한 실시예를 보여주는 도면이다.15 to 19 illustrate various embodiments of an impedance switching circuit connected to a unit division electrode.

전원 공급원(132)으로부터 공급되는 고주파 전력은 전류가 상호 균형을 이루도록 분배하는 전류 균형 분배 회로(139)와 임피던스 값의 균형을 위한 임피던스 전환 회로를 통해 다수 개의 단위 분할 전극(122)으로 제공된다. 전류 균형 분배 회로(139)의 출력단에는 각각 임피던스 전환 회로가 연결된다. 전류 균형 분배 회로(139)로 입력되는 전류는 다수 개의 채널로 분배되면서 임피던스 값이 점차 낮아지게 된다. 그러므로 본 발명에서는 전류 균형 분배 회로(139)의 출력단에는 임피던스 전환 회로가 연결되어 낮아진 임피던스 값을 보상함으로써 임피던스 값의 균형이 이루어진다. 임피던스 값이 균형을 이루므로 다중 분할 전극세트(120) 사이에서 균일한 플라즈마 방전이 유도된다.The high frequency power supplied from the power supply 132 is provided to the plurality of unit split electrodes 122 through a current balance distribution circuit 139 for distributing currents to be balanced to each other and an impedance switching circuit for balancing impedance values. Impedance switching circuits are respectively connected to the output terminals of the current balance distribution circuit 139. As the current input to the current balance distribution circuit 139 is distributed to a plurality of channels, the impedance value is gradually lowered. Therefore, in the present invention, an impedance value is balanced by compensating a lowered impedance value by connecting an impedance switching circuit to an output terminal of the current balance distribution circuit 139. Since the impedance values are balanced, uniform plasma discharge is induced between the multiple split electrode sets 120.

임피던스 전환 회로는 전류 균형 분배 회로(139)의 각 출력단에 연결된 다수 개의 인덕터(220a)로 구성된다. 인덕터(220a)는 일단은 전류 균형 분배 회로(139)의 출력단과 연결되고 타단은 접지로 연결된다. 인덕터(220a)의 일단과 타단 사이의 임의의 지점에 연결된 탭은 단위 분할 전극(122)에 연결되어 고주파 전력이 공급된다. 인덕터(220a)는 다중 전극 세트(120)에 구성된 복수 개의 단위 분할 전극(122)의 갯수와 동일한 갯수로 구성된다. 각 단위 분할 전극(122)은 상기에 설명한 바와 같이, 다수 개의 분기 급전라인(212)과 다수 개의 입력단(122b)을 포함한다.The impedance switching circuit is composed of a plurality of inductors 220a connected to each output terminal of the current balance distribution circuit 139. One end of the inductor 220a is connected to the output terminal of the current balance distribution circuit 139 and the other end is connected to the ground. A tap connected to an arbitrary point between one end and the other end of the inductor 220a is connected to the unit split electrode 122 to supply high frequency power. The inductor 220a has the same number as the number of the plurality of unit division electrodes 122 of the multi-electrode set 120. As described above, each unit split electrode 122 includes a plurality of branch feed lines 212 and a plurality of input terminals 122b.

도 15에 도시된 바와 같이, 임피던스 전환회로는 멀티 탭을 갖는 인덕터(220a)를 스위치 회로(230)를 통해 선택적으로 단위 분할 전극(122)과 연결할 수 있다. 인덕터(220a)는 일단은 전류 균형 분배 회로(139)의 출력단과 연결되고, 타단은 접지로 연결된다. 인덕터(220a)의 일단과 타단 사이에 구성된 멀티 탭은 선택적으로 스위치 회로(230)를 통해 단위 분할 전극(122)과 연결된다. 도면에서는 도시되지 않았으나, 인덕터를 대신하여 가변 인덕터를 사용할 수도 있다. As shown in FIG. 15, the impedance switching circuit may selectively connect the inductor 220a having the multi-tap with the unit division electrode 122 through the switch circuit 230. One end of the inductor 220a is connected to the output terminal of the current balance distribution circuit 139 and the other end is connected to the ground. The multi tap configured between one end and the other end of the inductor 220a is selectively connected to the unit split electrode 122 through the switch circuit 230. Although not shown in the drawings, a variable inductor may be used instead of the inductor.

도 16에 도시된 바와 같이, 임피던스 전환기는 다수 개의 캐패시터(220b)로 구성될 수 있다. 다수 개의 캐패시터(220b)는 일단은 전류 균형 분배 회로(139)의 출력단과 연결되고, 타단은 접지로 연결된다. 다수 개의 캐패시터(220b) 사이에 구성된 탭은 단위 분할 전극(122)에 연결된다. As shown in FIG. 16, the impedance converter may be composed of a plurality of capacitors 220b. One end of the plurality of capacitors 220b is connected to the output terminal of the current balance distribution circuit 139 and the other end thereof is connected to the ground. The tab formed between the plurality of capacitors 220b is connected to the unit split electrode 122.

도 17에 도시된 바와 같이, 임피던스 전환회로는 도 16와 동일한 구성으로 캐패시터(220b)를 대신하여 가변 캐패시터(220c)를 사용할 수 있다.As shown in FIG. 17, the impedance switching circuit may use the variable capacitor 220c instead of the capacitor 220b in the same configuration as that of FIG. 16.

도 18에 도시된 바와 같이, 캐패시터(220b) 사이에 멀티 탭을 구성하여 스위치 회로(230)를 이용하여 선택적으로 단위 분할 전극(122)과 연결될 수 있다. As illustrated in FIG. 18, a multi tap may be formed between the capacitors 220b to be selectively connected to the unit split electrodes 122 using the switch circuit 230.

도 19에 도시된 바와 같이, 단위 분할 전극(122)은 직렬로 연결된 캐패시터(220e)를 통해 고주파 전력을 제공받는다. 단위 분할 전극(122)과 직렬로 연결된 캐패시터(220e)는 단위 분할 전극(122)으로 제공되는 전류를 보호하는 기능을 수행한다.
As shown in FIG. 19, the unit split electrode 122 receives high frequency power through a capacitor 220e connected in series. The capacitor 220e connected in series with the unit split electrode 122 serves to protect a current provided to the unit split electrode 122.

도 20 내지 도 21는 다양한 형상의 단위 분할 전극이 포함된 다중 분할 전극 세트를 도시한 도면이다. 20 to 21 are diagrams illustrating a multi split electrode set including unit split electrodes having various shapes.

도 20 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 다중 분할 전극 세트(120', 120'')는 정사각형태의 다수 개의 단위 분할 전극(122', 122'')이 행렬 형태로 배열될 수 있다. 예를 들어, 정사각형태의 단위 분할 전극(122') 16개를 행렬 형태로 배열할 수 있다. 또한 직사각 형태의 단위 분할 전극(122'') 8개를 행렬 형태로 배열할 수 있다. 즉, 다중 분할 전극 세트(120', 120'')는 갯수 또는 크기를 조절한 단위 분할 전극(122', 122'')을 이용하여 처리하고자하는 피처리 기판(113)의 크기에 따라 조절할 수 있다. As shown in FIGS. 20 to 21, the plurality of split electrode sets 120 ′ and 120 ″ may be arranged in a matrix form. For example, 16 unit division electrodes 122 ′ having a square shape may be arranged in a matrix form. In addition, eight rectangular unit split electrodes 122 ″ may be arranged in a matrix form. That is, the multi split electrode sets 120 ′ and 120 ″ may be adjusted according to the size of the target substrate 113 to be processed using the unit split electrodes 122 ′ and 122 ″ whose number or size is adjusted. have.

도 22 내지 도 23은 제1 단위 분할 전극 및 전극 장착판에 가스 분사홀이 구비된 상태를 도시한 도면이다.22 to 23 are views illustrating a state in which gas injection holes are provided in the first unit split electrode and the electrode mounting plate.

도 22 내지 도 23에 도시된 바와 같이, 다수 개의 단위 분할 전극(322)는 가스 공급부(170')의 하부에 구비된다. 이때 가스 공급부(170')와 다수 개의 단위 분할 전극(322) 사이에는 단위 분할 전극(322)이 장착되면서 전기적 절연을 위한 전극 장착판(324)이 구비된다. 전극 장착판(324)에는 다수 개의 홀(324a)이 구비된다. 전극 장착판(324)의 홀(324a)은 가스 공급부(170')의 가스 분사홀 및 단위 분할 전극(322)의 가스 분사구(322a)와 연통된다. 이때, 전극 장착판(324)의 홀(324a)은 다수 개의 단위 분할 전극(322) 사이에도 구비되어 단위 분할 전극(322) 및 단위 분할 전극(322) 사이에서도 가스를 분사한다.
As shown in FIGS. 22 to 23, the plurality of unit split electrodes 322 are provided below the gas supply unit 170 ′. In this case, an electrode mounting plate 324 for electrical insulation is provided between the gas supply unit 170 ′ and the plurality of unit split electrodes 322 while the unit split electrodes 322 are mounted. The electrode mounting plate 324 is provided with a plurality of holes 324a. The hole 324a of the electrode mounting plate 324 communicates with the gas injection hole of the gas supply unit 170 ′ and the gas injection hole 322a of the unit split electrode 322. At this time, the hole 324a of the electrode mounting plate 324 is provided between the plurality of unit division electrodes 322 to inject gas even between the unit division electrode 322 and the unit division electrode 322.

도 24 및 도 25는 가스 분사홀이 구비되거나 구비되지 않은 단위 분할 전극이 포함된 다중 분할 전극 세트를 도시한 도면이다.24 and 25 are diagrams illustrating a multi-division electrode set including unit division electrodes with or without gas injection holes.

도 24에 도시된 바와 같이, 전극 장착판(324')에 부착된 다수 개의 단위 분할 전극(322)에는 다수 개의 가스 분사홀(322a)가 구비되고, 단위 분할 전극(322) 사이에는 홀이 구비되지 않을 수도 있다. 즉, 단위 분할 전극(322)을 통해서만 가스를 분사한다. As shown in FIG. 24, a plurality of gas split holes 322a are provided in the plurality of unit split electrodes 322 attached to the electrode mounting plate 324 ′, and holes are provided between the unit split electrodes 322. It may not be. That is, gas is injected only through the unit split electrode 322.

또한 도 25에 도시된 바와 같이, 단위 분할 전극(322')에는 가스 분사홀이 구비되지 않고, 단위 분할 전극(322') 사이로 가스가 분사되도록 전극 장착판(324'')에 홀(324a)가 구비될 수 있다.
In addition, as illustrated in FIG. 25, the unit split electrode 322 ′ is not provided with a gas injection hole, and a hole 324 a is provided in the electrode mounting plate 324 ″ such that gas is injected between the unit split electrodes 322 ′. It may be provided.

이상에서 설명된 본 발명의 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiment of the plasma reactor having multiple power sources for the multiple split electrodes of the present invention described above is merely exemplary, and various modifications and equivalents may be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be appreciated that other embodiments are possible. Accordingly, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims. It is also to be understood that the present invention includes all modifications, equivalents, and substitutes within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100: 플라즈마 반응기 102: 플라즈마 센서부
110: 플라즈마 챔버 111: 거치대
112: 기판 지지대 113: 피처리 기판
116: 배기펌프 116-1, 116-2, 181-1, 181-2: 밸브
120, 120‘, 120'': 다중 분할 전극세트
122, 122‘, 122'', 322, 322’: 단위 분할 전극
122-1, 122-2, 122-3, 122-4: 제1, 2, 3, 4 단위 분할 전극
122a: 가스 분사홀 122b: 입력단
124, 324, 324‘, 324'': 전극 장착판 124a: 배기홀
125: 절연부 126: 절연구간
127a: 접지 127b: 직류 전원
127c: 교류 전원 128: 내부 전극
132: 전원 공급원 135: 전원 공급 계통
132-1, 132-2, 132-3, 132-4: 제1, 2, 3, 4 전원 공급원
136: 위상 변환기 137: 임피던스 정합기
136-1, 136-2, 136-3, 136-4: 제1, 2, 3, 4 위상 변환기
137-1, 137-2, 137-3, 137-4: 제1, 2, 3, 4 임피던스 정합기
138-1, 138-2, 138-3, 138-4: 제1, 2, 3, 4 센싱회로
139: 전류 균형 분배 회로 150: 공정적 특성값 검출부
155: 전기적 특성값 검출부 160: 제어부
170, 170‘: 가스 공급부 171: 가스 입구
180: 리모트 플라즈마 발생기 182: 세정가스 공급원
184: 공정가스 공급원 220a: 인덕터
220b, 220c, 220d: 캐패시터 230: 스위치 회로
324a: 홀 322a: 가스 분사구 100: plasma reactor 102: plasma sensor unit
110: plasma chamber 111: holder
112: substrate support 113: substrate to be processed
116: exhaust pump 116-1, 116-2, 181-1, 181-2: valve
120, 120 ', 120'': multiple split electrode set
122, 122 ', 122'', 322, 322': unit division electrode
122-1, 122-2, 122-3, 122-4: first, second, third and fourth unit split electrodes
122a: gas injection hole 122b: input stage
124, 324, 324 ', and 324'': electrode mounting plate 124a: exhaust hole
125: insulation section 126: insulation section
127a: ground 127b: DC power
127c: AC power 128: internal electrode
132: power supply 135: power supply system
132-1, 132-2, 132-3, 132-4: 1st, 2nd, 3rd, 4th power supply
136: phase shifter 137: impedance matcher
136-1, 136-2, 136-3, 136-4: first, second, third and fourth phase shifters
137-1, 137-2, 137-3, 137-4: 1st, 2, 3, 4 impedance matcher
138-1, 138-2, 138-3, 138-4: 1st, 2, 3, 4 sensing circuit
139: current balance distribution circuit 150: process characteristic value detection unit
155: electrical characteristic value detection unit 160: control unit
170, 170 ': gas supply unit 171: gas inlet
180: remote plasma generator 182: cleaning gas supply source
184: process gas source 220a: inductor
220b, 220c, 220d: Capacitor 230: Switch Circuit
324a: hole 322a: gas nozzle

Claims (18)

내부에 플라즈마 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버에 구비되어 용량 결합된 플라즈마 방전을 유도하기 위한 복수 개의 단위 분할 전극을 갖는 다중 분할 전극세트;
상기 다중 분할 전극세트로 전력을 제공하기 위한 복수 개의 전원 공급원을 갖는 다중 전원 공급원;
상기 다중 전원 공급원으로부터 상기 다중 분할 전극세트로 공급되는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 전기적 특성값 검출부; 및
상기 전기적 특성값 검출부에서 측정한 전기적 특성값을 기초로 하여 상기 다중 전원 공급원으로부터 공급되는 전력을 피드백 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.A plasma chamber having a plasma discharge space therein;
A plurality of split electrode sets provided in the plasma chamber and having a plurality of unit split electrodes for inducing capacitively coupled plasma discharge;
A multiple power supply source having a plurality of power sources for providing power to the multiple split electrode set;
An electrical characteristic value detector configured to measure electrical characteristic values of power supplied from the multiple power sources to the multiple split electrode sets; And
And a controller configured to feedback-control power supplied from the multiple power sources based on the electrical characteristic values measured by the electrical characteristic value detector. 제1항에 있어서,
상기 전기적 특성값은 상기 다중 전원 공급원으로부터 제공되는 전력의 임피던스 값 또는 위상값 또는 Vpp 또는 Vdc 또는 Ipp 중 적어도 하나가 포함된 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
The electrical characteristic value is a plasma reactor having multiple power sources for multiple split electrodes, characterized in that the impedance value or phase value of the power provided from the multiple power sources or at least one of Vpp or Vdc or Ipp. 제2항에 있어서,
상기 임피던스 값을 제공하고, 상기 제어부의 제어에 의해 임피던스 값을 피드백 제어하는 임피던스 정합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 2,
And an impedance matcher which provides the impedance value and feedback-controls the impedance value under the control of the control unit. 제2항에 있어서,
상기 다중 전원 공급원과 상기 다중 분할 전극세트 사이에 구비되어 상기 제어부의 제어에 의해 상기 다중 전원 공급원으로부터 제공되는 전력의 위상을 변화시키는 위상 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 2,
And a phase converter provided between the multiple power source and the multiple split electrode set to change a phase of power provided from the multiple power source under control of the controller. Plasma reactor having. 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 단위 분할 전극은 서로 다른 위상을 갖는 전력을 제공받는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
And the plurality of unit split electrodes are provided with power having different phases. 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 단위 분할 전극은 적어도 두 개가 동위상을 갖는 전력을 제공받는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
And the plurality of unit split electrodes are provided with power having at least two in phase phases. 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 단위 분할 전극은 서로 이웃하는 단위 분할 전극은 위상차를 갖는 전력을 제공받는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
And the plurality of unit split electrodes are adjacent to each other, and the unit split electrodes receive power having a phase difference. 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 챔버에서 진행되는 플라즈마 공정의 공정적 특성값을 측정하여 상기 제어부에 제공하는 공정적 특성값 검출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
And a process characteristic value detector for measuring the process characteristic values of the plasma process performed in the plasma chamber and providing the process characteristic values to the control unit. 제8항에 있어서,
상기 플라즈마 챔버에 구비되어 상기 공정적 특성값을 검출하는 플라즈마 센서부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 8,
And a plasma sensor unit provided in the plasma chamber to detect the process characteristic value. 제1항에 있어서,
상기 다중 분할 전극세트는 상기 단위 분할 전극들 간에 전기적 절연을 위해 상기 단위 분할 전극들 사이에 구비되는 절연구간을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
The multiple split electrode set includes an insulation section provided between the unit split electrodes for electrical insulation between the unit split electrodes, the plasma reactor having multiple power sources for the multiple split electrodes. 제10항에 있어서,
상기 절연구간은 상기 단위 분할 전극들의 높이와 동일하거나, 상기 단위 분할 전극들의 높이보다 낮거나 높게 높이를 조절할 수 있는 위치 조절 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 10,
The insulating section has a plasma having multiple power sources for the multi-division electrode, characterized in that it comprises a position adjustment mechanism that can adjust the height equal to, or lower than or higher than the height of the unit division electrodes. Reactor. 제10항에 있어서,
상기 절연구간은 상기 단위 분할 전극들 사이의 간격을 좁거나 넓게 조절할 수 있는 간격 조절 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 10,
The insulation section includes a spacing control mechanism for narrowing or widening the spacing between the unit split electrodes, the plasma reactor having multiple power sources for the multiple split electrodes. 제10항에 있어서,
상기 절연구간은 내부에 접지 또는 다중 전원 공급원 중 어느 하나에 연결되어 상기 단위 분할 전극 간의 간섭을 방지하는 내부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 10,
The insulation section is a plasma reactor having a multiple power source for the multiple divided electrode characterized in that it is connected to any one of the ground or multiple power source therein to prevent the interference between the unit divided electrode. 제13항에 있어서,
상기 내부 전극에는 가변 인덕터 또는 가변 캐패시터 중 어느 하나가 연결되어 전력을 제어하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 13,
The internal electrode is connected to any one of a variable inductor or a variable capacitor to control the power of the plasma reactor having a multiple power source for the multiple split electrode. 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 반응기는 상기 플라즈마 챔버 내부의 잔여물을 상기 플라즈마 챔버 외부로 배기하기 위한 배기수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
And the plasma reactor includes exhaust means for exhausting the residue inside the plasma chamber to the outside of the plasma chamber. 제15항에 있어서,
상기 배기수단은 상기 다중 분할 전극세트 또는 상기 플라즈마 챔버 또는 상기 다중 분할 전극세트와 상기 플라즈마 챔버 모두 중 어느 하나에 구비된 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.16. The method of claim 15,
The exhaust means is a plasma reactor having a multiple power supply source for the multiple split electrode set, characterized in that provided in any one of the multi split electrode set or the plasma chamber or both the multi split electrode set and the plasma chamber. 제16항에 있어서,
상기 배기수단은 상기 공정적 특성값에 기초하여 상기 제어부의 제어에 의해 작동되는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 16,
And said exhaust means is operated by control of said control unit based on said process characteristic value. 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 챔버의 상부에는 리모트 플라즈마 소스를 생성하여 상기 플라즈마 챔버 내부로 제공하는 리모트 플라즈마 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기.The method of claim 1,
And a remote plasma generator on top of the plasma chamber for generating a remote plasma source and providing the remote plasma source to the plasma chamber.
KR1020100092410A 2010-09-20 2010-09-20 Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode KR20120030720A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100092410A KR20120030720A (en) 2010-09-20 2010-09-20 Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100092410A KR20120030720A (en) 2010-09-20 2010-09-20 Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120030720A true KR20120030720A (en) 2012-03-29

Family

ID=46134576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100092410A KR20120030720A (en) 2010-09-20 2010-09-20 Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120030720A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170139754A (en) * 2016-06-10 2017-12-20 (주) 엔피홀딩스 Plasma measuring apparatus and plasma chamber thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170139754A (en) * 2016-06-10 2017-12-20 (주) 엔피홀딩스 Plasma measuring apparatus and plasma chamber thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101160906B1 (en) Capacitively coupled plasma reactor
KR100479201B1 (en) Electrode to split power
KR100979186B1 (en) Capacitively coupled plasma reactor
US8018163B2 (en) Capacitively coupled plasma reactor
US10580623B2 (en) Plasma processing using multiple radio frequency power feeds for improved uniformity
KR101463934B1 (en) Compound plasma reactor
KR101496841B1 (en) Compound plasma reactor
JP2010238981A (en) Plasma processing apparatus
KR20120004040A (en) Plasma generating apparatus
KR101626039B1 (en) Consecutive substrate processing system using large-area plasma
KR101200726B1 (en) Plasma reactor having top and bottom multi divided electrode
KR101160625B1 (en) Plasma reactor having multi power supply for top and bottom multi divided electrode
KR101572100B1 (en) Plasma reactor using multi-frequency
KR101167952B1 (en) Plasma reactor for generating large size plasma
KR20120030720A (en) Plasma reactor having multi power supply for multi divided electrode
KR20030011646A (en) Antenna Structure of Inductively Coupled Plasma Generating Device
KR20100129373A (en) Compound plasma reactor
KR101058832B1 (en) Antenna Structure of Substrate Processing Equipment Using Plasma
KR100955207B1 (en) Capacitively coupled plasma reactor for processing dual substrates
KR100845903B1 (en) Plasma reactor having multi-core plasma generator
KR101039232B1 (en) High-density plasma generation apparatus
KR101585890B1 (en) Plasma reactor with vertical dual chamber
KR101626043B1 (en) Multiplex frequency driven capacitively coupled plasma reactor
KR101139824B1 (en) Plasma reactor for generating large size plasma
KR20110054456A (en) Capacitively coupled plasma reactor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E801 Decision on dismissal of amendment