KR20120023545A - Photosensitive resin composition, method of producing cured relief pattern, and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A photo-sensitive resin composition, a cured relief pattern manufacturing method, and a semiconductor device are provided to mix purine derivatives into the photo-sensitive resin composition. CONSTITUTION: A photo-sensitive resin composition includes 100 parts by weight of resin, 0.01-10 parts by weight of purine derivatives, and 1-50 parts by weight of a photo-sensitive agent. The resin is at least one selected from a group polyamide acid, polyamide acid ester, polyhydroxyamide polyaminoamide, polyamide, polyamideimide, polyimide, polybenzooxaol, polybenzoimidazol, and polybenzthiazol. The resin is selected from a group including a polyimide precursor represented by chemical formula 1, polyamide represented by chemical formula 3, polyoxazol precursor represented by chemical formula 4, and polyimide represented by chemical formula 5. In chemical formula 2, the X1 is tetravalent organic group; the Y1 is divalent organic group; the n1 is the integer of 2 to 150; and the R1 and the R2 are respectively hydrogen element, monovalent organic group represented by chemical formula 2 or C1 to C4 saturated aliphatic group.

Description

감광성 수지 조성물, 경화 릴리프 패턴의 제조 방법 및 반도체 장치 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING CURED RELIEF PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}Photosensitive resin composition, manufacturing method of hardening relief pattern, and semiconductor device {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING CURED RELIEF PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 예를 들어 전자 부품의 절연 재료, 그리고 반도체 장치에 있어서의 패시베이션막, 버퍼 코트막 및 층간 절연막 등의 릴리프 패턴의 형성에 사용되는 감광성 수지 조성물, 그것을 사용한 경화 릴리프 패턴의 제조 방법, 그리고 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention is, for example, an insulating material for an electronic component, a photosensitive resin composition used for forming a relief pattern such as a passivation film, a buffer coat film, and an interlayer insulating film in a semiconductor device, a method for producing a cured relief pattern using the same, and A semiconductor device.

종래, 전자 부품의 절연 재료, 반도체 장치의 패시베이션막, 표면 보호막, 층간 절연막 등에는 우수한 내열성, 전기 특성 및 기계 특성을 겸비하는 폴리이미드 수지가 사용되고 있다. 이 폴리이미드 수지 중에서도, 감광성 폴리이미드 전구체의 형태로 제공되는 것은 그 전구체의 도포, 노광, 현상 및 큐어에 의한 열이미드화 처리에 의해, 내열성의 릴리프 패턴 피막을 용이하게 형성할 수 있다. 이와 같은 감광성 폴리이미드 전구체는 종래의 비감광형 폴리이미드에 비해 대폭적인 공정 단축을 가능하게 한다는 특징을 갖고 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, the polyimide resin which combines the outstanding heat resistance, electrical characteristics, and mechanical characteristics is used for the insulating material of an electronic component, the passivation film of a semiconductor device, a surface protective film, an interlayer insulation film, etc. Among these polyimide resins, those provided in the form of a photosensitive polyimide precursor can easily form a heat resistant relief pattern film by application of the precursor, exposure, development, and thermal imidization treatment by curing. Such a photosensitive polyimide precursor has the feature that a significant process shortening is possible compared with the conventional non-photosensitive polyimide.

한편, 최근에는 집적도 및 기능의 향상, 그리고 칩 사이즈의 왜소화의 관점에서, 반도체 장치의 프린트 배선 기판에 대한 실장 방법도 변화하고 있다. 종래의 금속 핀과 납-주석 공정 (共晶) 핸더에 의한 실장 방법에서부터, 보다 고밀도 실장이 가능한 BGA (볼 그리드 어레이), CSP (칩 사이즈 패키징) 등과 같이, 폴리이미드 피막이 직접 핸더 범프에 접촉하는 구조가 사용되게 되어 오고 있다. 이와 같은 범프 구조를 형성할 때, 당해 피막에는 높은 내열성과 내약품성이 요구된다. 폴리이미드 전구체 또는 폴리벤조옥사졸 전구체를 함유하는 조성물에 열가교제를 첨가함으로써, 폴리이미드 피막 또는 폴리벤조옥사졸 피막의 내열성을 향상시키는 방법이 개시되어 있다 (특허문헌 1 참조).On the other hand, in recent years, the mounting method of the printed wiring board of a semiconductor device is also changing from a viewpoint of the improvement of an integration degree, a function, and the size reduction of a chip size. From conventional mounting methods using metal pins and lead-tin process handers, polyimide coatings directly contact the hander bumps, such as BGA (ball grid array) and CSP (chip size packaging), which are more densely mounted. Structures have been used. When forming such a bump structure, the said film requires high heat resistance and chemical resistance. The method of improving the heat resistance of a polyimide film or a polybenzoxazole film by adding a heat crosslinking agent to the composition containing a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor is disclosed (refer patent document 1).

또한, 반도체 장치의 미세화가 진행됨으로써, 반도체 장치의 배선 저항을 무시할 수 없게 되고 있다. 따라서, 지금까지 사용되어 온 금 또는 알루미늄 배선에서 보다 저항이 낮은 구리 또는 구리 합금의 배선으로의 변경이 이루어지고 있다. 그러나, 종래의 감광성 수지 조성물에서는, 조성물 중의 화합물이 구리 또는 구리 합금과 반응하기 쉽기 때문에, 구리 또는 구리 합금의 변색이 발생한다는 문제가 있었다.Further, as the semiconductor device becomes more miniaturized, wiring resistance of the semiconductor device cannot be ignored. Therefore, the change from the gold or aluminum wiring which has been used so far to the wiring of copper or copper alloy with lower resistance is made. However, in the conventional photosensitive resin composition, since the compound in a composition is easy to react with copper or a copper alloy, there existed a problem that discoloration of copper or a copper alloy occurs.

상기를 해결하는 수단으로서 폴리이미드 전구체를 함유하는 조성물에 트리아졸 또는 그 유도체를 첨가함으로써, 구리 또는 구리 합금에 발생하는 변색 및 부식을 억제하는 방법이 개시되어 있다 (특허문헌 2 참조).As a means to solve the above, a method of suppressing discoloration and corrosion occurring in copper or a copper alloy is disclosed by adding a triazole or a derivative thereof to a composition containing a polyimide precursor (see Patent Document 2).

또, 폴리이미드의 말단에 불포화 헤테로 고리형기 등을 도입함으로써, 폴리이미드에 대한 구리의 양호한 접착을 제공하는 방법이 개시되어 있다 (특허문헌 3 참조).Moreover, the method of providing favorable adhesion | attachment of copper with respect to a polyimide by introducing an unsaturated heterocyclic group etc. in the terminal of a polyimide is disclosed (refer patent document 3).

일본 공개특허공보 2003-287889호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-287889 일본 공개특허공보 2005-010360호Japanese Laid-Open Patent Publication 2005-010360 일본 공개특허공보 평6-106678호Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 6-106678

그러나, 특허문헌 2 에 기재된 조성물은 막두께를 두껍게 하면 구리 또는 구리 합금 상에서 변색이 발생한다는 문제가 있었다. 따라서, 본 발명은 구리 또는 구리 합금 상에서도 변색을 일으키지 않는 경화막을 부여하는 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 경화 릴리프 패턴의 제조 방법, 그리고 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.However, the composition of patent document 2 had a problem that discoloration generate | occur | produces on copper or a copper alloy when a film thickness is made thick. Therefore, an object of this invention is to provide the photosensitive resin composition which gives the cured film which does not cause discoloration even on copper or a copper alloy, the manufacturing method of the hardening relief pattern which forms a pattern using this photosensitive resin composition, and a semiconductor device. .

본 발명자들은, 감광성 수지 조성물 중에 푸린 유도체를 배합시킴으로써, 구리 또는 구리 합금 상에서도 변색의 억제가 우수한 경화막을 부여하는 감광성 수지 조성물이 얻어진다는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은 이하와 같다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors discovered that by mix | blending a purine derivative in the photosensitive resin composition, the photosensitive resin composition which gives the cured film excellent in suppression of discoloration also on copper or a copper alloy was obtained, and came to complete this invention. That is, this invention is as follows.

[1] (A) 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르, 폴리옥사졸 전구체가 될 수 있는 폴리하이드록시아미드, 폴리아미노아미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조이미다졸 및 폴리벤즈티아졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지:100 질량부,[1] (A) Polyhydroxyamide, polyaminoamide, polyamide, polyamideimide, polyimide, polybenzoxazole which may be polyamic acid, polyamic acid ester, or polyoxazole precursor which is a polyimide precursor , At least one resin selected from the group consisting of polybenzoimidazole and polybenzthiazole: 100 parts by mass,

(B) 푸린 유도체:그 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 0.01 ? 10 질량부, 그리고,(B) Purine derivative: 0.01? Based on 100 parts by mass of the (A) resin. 10 parts by mass, and

(C) 감광제:그 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 1 ? 50 질량부(C) Photosensitive agent: 1? 50 parts by mass

를 함유하는 감광성 수지 조성물.Photosensitive resin composition containing.

[2] 상기 (A) 수지는 하기 일반식 (1):[2] The resin (A) is represented by the following general formula (1):

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
(1)
Figure pat00001
(One)

{식 중, X1 은 4 가의 유기기이고, Y1 은 2 가의 유기기이고, n1 은 2 ? 150 의 정수이고, 그리고 R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 하기 일반식 (2):In formula, X <1> is a tetravalent organic group, Y <1> is a divalent organic group, n <1> is 2? An integer of 150, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or the following general formula (2):

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
(2)
Figure pat00002
(2)

(식 중, R3, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ? 3 의 유기기이고, 그리고 m1 은 2 ? 10 의 정수이다.) 로 나타내는 1 가의 유기기, 또는 탄소수 1 ? 4 의 포화 지방족기이다.}로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체, 하기 일반식 (3):(In formula, R <3> , R <4> and R <5> is respectively independently a hydrogen atom or a C1-C3 organic group, and m <1> is an integer of 2-10.) Monovalent organic group represented by C1 or C1-C1 ? It is a saturated aliphatic group of 4. The polyimide precursor which has a structure represented by X, General formula (3) shown below:

[화학식 3](3)

Figure pat00003
(3)
Figure pat00003
(3)

{식 중, X2 는 탄소수 6 ? 15 의 3 가의 유기기이고, Y2 는 탄소수 6 ? 35 의 2 가의 유기기이고, 또한 동일한 구조이거나 또는 복수의 구조를 가져도 되고, R6 은 탄소수 3 ? 20 의 라디칼 중합성의 불포화 결합기를 적어도 1 개 갖는 유기기이고, 그리고 n2 는 1 ? 1000 의 정수이다.}In formula, X <2> has 6? It is a trivalent organic group of 15, Y <2> is C6? It is a 35-valent divalent organic group, may have the same structure, or may have multiple structure, and R <6> is C3-C? It is an organic group which has at least 1 radically polymerizable unsaturated bond group of 20, and n <2> is 1? An integer of 1000.

으로 나타내는 구조를 갖는 폴리아미드, 하기 일반식 (4):Polyamide having a structure represented by the following general formula (4):

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00004
(4)
Figure pat00004
(4)

{식 중, Y3 은 탄소 원자를 갖는 4 가의 유기기이고, Y4, X3 및 X4 는 각각 독립적으로 2 개 이상의 탄소 원자를 갖는 2 가의 유기기이고, n3 은 1 ? 1000 의 정수이고, n4 는 0 ? 500 의 정수이고, n3/(n3 + n4) > 0.5 이고, 그리고 X3 및 Y3 를 포함하는 n3 개의 디하이드록시디아미드 단위 그리고 X4 및 Y4 를 포함하는 n4 개의 디아미드 단위의 배열 순서는 문제삼지 않는다.}In formula, Y <3> is a tetravalent organic group which has a carbon atom, Y <4> , X <3> and X <4> are each independently a divalent organic group which has 2 or more carbon atoms, and n <3> is 1? Is an integer of 1000 and n 4 is 0? An integer of 500, n 3 / (n 3 + n 4 )> 0.5, and n 3 dihydroxydiamide units comprising X 3 and Y 3 and n 4 dia comprising X 4 and Y 4 The order of the mid units does not matter.

로 나타내는 구조를 갖는 폴리옥사졸 전구체, 및 하기 일반식 (5):Polyoxazole precursor which has a structure represented by following, and following General formula (5):

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00005
(5)
Figure pat00005
(5)

{식 중, X5 는 4 ? 14 가의 유기기, Y5 는 2 ? 12 가의 유기기, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 페놀성 수산기, 술폰산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 적어도 1 개 갖는 유기기를 나타내고, n5 는 3 ? 200 의 정수이고, m2 및 m3 은 0 ? 10 의 정수를 나타낸다.}In the formula, X 5 is 4? 14 valence organic group, Y 5 is 2? The divalent organic group, R 7 and R 8 each independently represent an organic group having at least one group selected from phenolic hydroxyl group, sulfonic acid group or thiol group, and n 5 is 3? Is an integer of 200, and m <2> and m <3> are 0? Represents an integer of 10.

로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지인 [1] 에 기재된 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition as described in [1] which is at least 1 sort (s) of resin chosen from the group which consists of polyimide which has a structure shown by the following.

[3] 상기 (B) 푸린 유도체는 하기 일반식 (6):[3] The (B) purine derivative is represented by the following general formula (6):

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00006
(6)
Figure pat00006
(6)

{식 중, R9 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R10 은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ? 6 의 알콕시기, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기로 치환되어 있어도 되는 아미노기이다.}으로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (7):In formula, R <9> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or aromatic group of 10 , and R 10 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a carbon atom; 6 alkoxy group, hydroxyl group, hydroxyalkyl group or C1-C? It is an amino group which may be substituted by the alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by v, following general formula (7):

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00007
(7)
Figure pat00007
(7)

{식 중, R11 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R12 및 R13 은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (8):In formula, R <11> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group or a carbon atom; It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by i, the following general formula (8):

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00008
(8)
Figure pat00008
(8)

{식 중, R14 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R15 는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ? 6 의 알콕시기, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기로 치환되어 있어도 되는 아미노기이다.}로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (9):In formula, R <14> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 15 represents a hydrogen atom, a halogen atom or C 1? 6 alkoxy group, hydroxyl group, hydroxyalkyl group or C1-C? It is an amino group which may be substituted by the alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by X and following General formula (9):

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00009
(9)
Figure pat00009
(9)

{식 중, R16 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R17 및 R18 은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 푸린 유도체인 [1] 또는 [2] 에 기재된 감광성 수지 조성물.In formula, R <16> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 17 and R 18 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group or a carbon atom; It is an alkyl group or aromatic group of 10. The photosensitive resin composition as described in [1] or [2] which is at least 1 sort (s) of purine derivatives chosen from the group which consists of a compound shown by (i).

[4] 상기 (B) 푸린 유도체는 하기 일반식 (10):[4] The (B) purine derivative is represented by the following general formula (10):

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00010
(10)
Figure pat00010
10

{식 중, R19 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}으로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (11):In formula, R <19> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by v, following general formula (11):

[화학식 11][Formula 11]

Figure pat00011
(11)
Figure pat00011
(11)

{식 중, R20 은 수소 원자, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기이다.}로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (12):In formula, R <20> is a hydrogen atom, a hydroxyalkyl group, or C1-C? It is an alkyl group of 10. The compound represented by X, following General formula (12):

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pat00012
(12)
Figure pat00012
(12)

{식 중, R21 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (13):In formula, R <21> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by X and following General formula (13):

[화학식 13][Formula 13]

Figure pat00013
(13)
Figure pat00013
(13)

{식 중, R22 는 수소 원자, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기이다.}으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 푸린 유도체인 [1] ? [3] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물.In formula, R <22> represents a hydrogen atom, a hydroxyalkyl group, or C1-C? It is an alkyl group of 10. [1] which is at least 1 sort (s) of purine derivatives chosen from the group which consists of a compound shown by (i). The photosensitive resin composition in any one of [3].

[5] 상기 (B) 푸린 유도체가 상기 일반식 (12) 로 나타내는 화합물, 및 상기 일반식 (13) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 푸린 유도체인 [1] ? [3] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물.[5] [1], wherein the (B) purine derivative is at least one purine derivative selected from the group consisting of a compound represented by the general formula (12) and a compound represented by the general formula (13). The photosensitive resin composition in any one of [3].

[6] (D) 가교제:상기 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 0.5 ? 20 질량부를 추가로 함유하는 [1] ? [5] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물.[6] (D) Crosslinking agent: 0.5? Based on 100 parts by mass of the above (A) resin. [1] which further contains 20 parts by mass The photosensitive resin composition in any one of [5].

[7] (E) 유기 티탄 화합물:상기 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 0.05 ? 10 질량부를 추가로 함유하는 [1] ? [6] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물.[7] The organic titanium compound (E): 0.05? Based on 100 parts by mass of the above (A) resin. [1] containing further 10 parts by mass The photosensitive resin composition in any one of [6].

[8] 상기 (E) 유기 티탄 화합물은 티탄킬레이트 화합물, 테트라알콕시티탄 화합물 및 티타노센 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 [7] 에 기재된 감광성 수지 조성물.[8] The photosensitive resin composition according to [7], wherein the organic titanium compound (E) is at least one compound selected from the group consisting of a titanium chelate compound, a tetraalkoxy titanium compound and a titanocene compound.

[9] (1) 상기 [1] ? [8] 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포함으로써 감광성 수지층을 그 기판 상에 형성하는 공정과,[9] (1) The above [1]? Forming the photosensitive resin layer on the substrate by applying the photosensitive resin composition according to any one of [8] onto the substrate;

(2) 그 감광성 수지층을 노광하는 공정과,(2) exposing the photosensitive resin layer,

(3) 그 노광 후의 감광성 수지층을 현상하여 릴리프 패턴을 형성하는 공정과,(3) developing the photosensitive resin layer after the exposure to form a relief pattern;

(4) 그 릴리프 패턴을 가열 처리함으로써 경화 릴리프 패턴을 형성하는 공정(4) Process of forming hardening relief pattern by heat-processing the relief pattern

을 포함하는 경화 릴리프 패턴의 제조 방법.Method of producing a cured relief pattern comprising a.

[10] 상기 기판이 구리 또는 구리 합금으로 형성되어 있는 [9] 에 기재된 방법.[10] The method of [9], wherein the substrate is formed of copper or a copper alloy.

[11] 상기 [9] 또는 [10] 에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는 경화 릴리프 패턴을 포함하는 반도체 장치.[11] A semiconductor device comprising a cured relief pattern obtained by the production method described in [9] or [10].

본 발명에 의하면, 감광성 수지 조성물 중에 푸린 유도체를 배합시킴으로써, 구리 또는 구리 합금 상에서도 변색을 일으키지 않는 경화막을 부여하는 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있고, 또한 그 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 경화 릴리프 패턴의 제조 방법, 그리고 반도체 장치를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, by mix | blending a purine derivative in a photosensitive resin composition, the photosensitive resin composition which gives the cured film which does not cause discoloration also on copper or a copper alloy can be obtained, and also the hardening relief which forms a pattern using this photosensitive resin composition The manufacturing method of a pattern, and a semiconductor device can be provided.

본 발명에 대하여 이하에 구체적으로 설명한다. 또한, 본 명세서를 통하여, 일반식에서 동일 부호로 표시되어 있는 구조는 분자 중에 복수 존재하는 경우에 서로 동일하거나 또는 상이해도 된다.This invention is demonstrated concretely below. In addition, throughout this specification, the structure represented by the same code | symbol in general formula may mutually be same or different, when there exist multiple.

<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>

본 발명은 (A) 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르, 폴리옥사졸 전구체가 될 수 있는 폴리하이드록시아미드, 폴리아미노아미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조이미다졸, 폴리벤즈티아졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지:100 질량부, (B) 푸린 유도체:(A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 0.01 ? 10 질량부, (C) 감광제:(A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 1 ? 50 질량부를 필수 성분으로 한다. The present invention relates to polyhydroxyamides, polyaminoamides, polyamides, polyamideimides, polyimides, and polybenzoxazoles, which can be (A) polyamic acid, polyamic acid ester, and polyoxazole precursors which are polyimide precursors. , At least one resin selected from the group consisting of polybenzoimidazole and polybenzthiazole: 100 parts by mass, and (B) purine derivative: 0.01? Based on 100 parts by mass of (A) resin. 10 parts by mass, (C) Photosensitive agent: 1? Based on 100 parts by mass of (A) resin. 50 parts by mass is an essential component.

(A) 수지(A) resin

본 발명에 사용되는 (A) 수지에 대하여 설명한다. 본 발명의 (A) 수지는 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르, 폴리옥사졸 전구체가 될 수 있는 폴리하이드록시아미드, 폴리아미노아미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조이미다졸, 폴리벤즈티아졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지를 주성분으로 한다. 여기에서, 주성분이란 이들 수지를 전체 수지의 60 질량% 이상 함유하는 것을 의미하고, 80 질량% 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또, 필요에 따라 다른 수지를 함유하고 있어도 된다.(A) resin used for this invention is demonstrated. The resin (A) of the present invention is polyhydroxyamide, polyaminoamide, polyamide, polyamideimide, polyimide, polybenzo, which can be polyamide acid, polyamic acid ester, polyoxazole precursor which is a polyimide precursor. The main component is at least one resin selected from the group consisting of oxazole, polybenzoimidazole and polybenzthiazole. Here, a main component means containing 60 mass% or more of these resin, and it is preferable to contain 80 mass% or more. Moreover, you may contain other resin as needed.

이들 수지의 중량 평균 분자량은, 열처리 후의 내열성, 기계 특성의 관점에서, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산으로 1,000 이상인 것이 바람직하고, 5,000 이상이 보다 바람직하다. 상한은 100,000 이하인 것이 바람직하고, 감광성 수지 조성물로 하는 경우에는, 현상액에 대한 용해성의 관점에서 50,000 이하가 보다 바람직하다.It is preferable that it is 1,000 or more in polystyrene conversion by gel permeation chromatography from a viewpoint of the heat resistance after heat processing and a mechanical characteristic of these resin, and 5,000 or more are more preferable. It is preferable that an upper limit is 100,000 or less, and when it is set as the photosensitive resin composition, 50,000 or less are more preferable from a viewpoint of the solubility to a developing solution.

본 발명에 있어서 (A) 수지는 릴리프 패턴을 형성하기 위해 감광성 수지인 것이 바람직하다. 감광성 수지는 후술하는 (C) 감광제와 함께 사용하여 감광성 수지 조성물이 되고, 그 후의 현상 공정에서 용해 또는 미용해의 현상을 일으키는 수지이다.In the present invention, the resin (A) is preferably a photosensitive resin in order to form a relief pattern. The photosensitive resin is a resin which is used together with the photosensitive agent (C) described later to form a photosensitive resin composition, and causes development of dissolution or undissolved in the subsequent development step.

감광성 수지로는 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르, 폴리옥사졸 전구체가 될 수 있는 폴리하이드록시아미드, 폴리아미노아미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조이미다졸, 폴리벤즈티아졸 중에서도, 열처리 후의 수지가 내열성, 기계 특성이 우수하다는 점에서, 폴리이미드 전구체, 폴리아미드, 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드가 바람직하게 사용된다. 또, 이들 감광성 수지는 후술하는 (C) 감광제와 함께, 네거티브형 또는 포지티브형 중 어느 감광성 수지 조성물을 조제할지 등 원하는 용도에 따라 선택할 수 있다.Examples of the photosensitive resin include polyamic acid, polyamic acid ester, and polyhydroxyamide, polyaminoamide, polyamide, polyamideimide, polyimide, polybenzoxazole, and polyamide which are polyimide precursors. Among the benzoimidazoles and polybenzthiazoles, polyimide precursors, polyamides, polybenzoxazole precursors, and polyimides are preferably used in that the resin after the heat treatment is excellent in heat resistance and mechanical properties. Moreover, these photosensitive resin can be selected according to a desired use, such as which photosensitive resin composition of negative type or positive type is prepared with (C) photosensitive agent mentioned later.

[폴리이미드 전구체][Polyimide Precursor]

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 내열성 및 감광 특성의 관점에서 가장 바람직한 (A) 수지의 한 가지의 예는 상기 일반식 (1):In the photosensitive resin composition of this invention, one example of the most preferable (A) resin from a viewpoint of heat resistance and photosensitive characteristic is the said General formula (1):

[화학식 14][Formula 14]

Figure pat00014
(1)
Figure pat00014
(One)

{식 중, X1 은 4 가의 유기기이고, Y1 은 2 가의 유기기이고, n1 은 2 ? 150 의 정수이고, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 상기 일반식 (2):In formula, X <1> is a tetravalent organic group, Y <1> is a divalent organic group, n <1> is 2? It is an integer of 150, R <1> and R <2> is respectively independently a hydrogen atom or the said general formula (2):

[화학식 15][Formula 15]

Figure pat00015
(2)
Figure pat00015
(2)

(식 중, R3, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ? 3 의 유기기이고, 그리고 m1 은 2 ? 10 의 정수이다.) 로 나타내는 1 가의 유기기, 또는 탄소수 1 ? 4 의 포화 지방족기이다.}(In formula, R <3> , R <4> and R <5> is respectively independently a hydrogen atom or a C1-C3 organic group, and m <1> is an integer of 2-10.) Monovalent organic group represented by C1 or C1-C1 ? It is a saturated aliphatic group of 4.

로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체이다. 폴리이미드 전구체는 가열 (예를 들어, 200 ℃ 이상) 고리화 처리를 실시함으로써 폴리이미드로 변환된다. 폴리이미드 전구체는 네거티브형 감광성 수지 조성물용으로서 바람직하다.It is a polyimide precursor which has a structure shown by. The polyimide precursor is converted to polyimide by subjecting to heating (eg 200 ° C. or more) cyclization treatment. A polyimide precursor is suitable for the negative photosensitive resin composition.

상기 일반식 (1) 중, X1 로 나타내는 4 가의 유기기는, 내열성과 감광 특성을 양립시킨다는 점에서, 바람직하게는 탄소수 6 ? 40 의 유기기이고, 더욱 바람직하게는 -COOR1 기 및 -COOR2 기와 -CONH- 기가 서로 오르토 위치에 있는 방향족기, 또는 지환식 지방족기이다. X1 로 나타내는 4 가의 유기기로서, 바람직하게는 방향족 고리를 함유하는 탄소 원자수 6 ? 40 의 유기기이고, 더욱 바람직하게는, 하기 식 (14):In the said General formula (1), since the tetravalent organic group represented by X <1> makes heat resistance and photosensitive characteristic compatible, Preferably it is C6? It is an organic group of 40, More preferably, -COOR 1 group, -COOR 2 group, and -CONH- group are an aromatic group or an alicyclic aliphatic group which is in an ortho position mutually. As a tetravalent organic group represented by X <1> , Preferably it is C6-C6 containing an aromatic ring. It is 40 organic groups, More preferably, it is following formula (14):

[화학식 16][Formula 16]

Figure pat00016
(14)
Figure pat00016
(14)

로 나타내는 구조를 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또, X1 의 구조는 1 종이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 상관없다. 상기 식 (14) 로 나타내는 구조를 갖는 X1 기는 내열성과 감광 특성을 양립시킨다는 점에서 특히 바람직하다. Although the structure represented by is mentioned, it is not limited to these. Moreover, 1 type may be sufficient as the structure of X <1> , and 2 or more types of combinations may be sufficient as it. X 1 having a structure represented by the formula (14) Group is especially preferable at the point which makes heat resistance and photosensitivity compatible.

상기 일반식 (1) 중, Y1 로 나타내는 2 가의 유기기는, 내열성과 감광 특성을 양립시킨다는 점에서, 바람직하게는 탄소수 6 ? 40 의 방향족기이고, 예를 들어 하기 식 (15):In the said General formula (1), since the bivalent organic group represented by Y <1> makes heat resistance and photosensitive characteristic compatible, Preferably it is C6-C? It is an aromatic group of 40, for example, following formula (15):

[화학식 17][Formula 17]

Figure pat00017
(15)
Figure pat00017
(15)

로 나타내는 구조, 및 하기 식 (16):Structure represented by and following formula (16):

[화학식 18][Formula 18]

Figure pat00018
(16)
Figure pat00018
(16)

{식 중, R23 및 R24 는 각각 독립적으로 메틸기 (-CH3), 에틸기 (-C2H5), 프로필기 (-C3H7) 또는 부틸기 (-C4H9) 를 나타낸다.}{Wherein, R 23 and R 24 represent each independently a methyl group (-CH 3), ethyl group (-C 2 H 5), propyl (-C 3 H 7) or a butyl group (-C 4 H 9) .}

으로 나타내는 구조를 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또, Y1 의 구조는 1 종이어도 되고, 2 종 이상의 조합이어도 상관없다. 상기 식 (15) 및 (16) 으로 나타내는 구조를 갖는 Y1 기는 내열성 및 감광 특성을 양립시킨다는 점에서 특히 바람직하다.Although the structure represented by is mentioned, it is not limited to these. In addition, one structure may be sufficient as Y1, and 2 or more types of combinations may be sufficient as it. Y 1 which has a structure represented by said Formula (15) and (16) The group is particularly preferred in that both the heat resistance and the photosensitivity are compatible.

R1 및 R2 에 관하여, 상기 일반식 (2) 중의 R3 은 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하고, R4 및 R5 는 감광 특성의 관점에서 수소 원자인 것이 바람직하다. 또, m1 은 감광 특성의 관점에서 2 이상 10 이하의 정수, 바람직하게는 2 이상 4 이하의 정수이다.R 1 and R 2 In terms of, R 3 in General Formula (2) is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 and R 5 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of photosensitivity. In addition, m 1 is an integer of 2 or more and 10 or less, preferably an integer of 2 or more and 4 or less from the viewpoint of photosensitive characteristics.

(A) 수지로서 폴리이미드 전구체를 사용하는 경우에, 감광성 수지 조성물에 감광성을 부여하는 방식으로는, 에스테르 결합형과 이온 결합형을 들 수 있다. 전자는 폴리이미드 전구체의 측사슬에 에스테르 결합에 의해 광중합성기, 즉 올레핀성 2 중 결합을 갖는 화합물을 도입하는 방법이고, 후자는 폴리이미드 전구체의 카르복실기와, 아미노기를 갖는 (메트)아크릴 화합물의 아미노기를 이온 결합을 통하여 결합시켜 광중합성기를 부여하는 방법이다.When using a polyimide precursor as (A) resin, ester bonding type and an ion bonding type are mentioned as a system which gives photosensitivity to the photosensitive resin composition. The former is a method of introducing a photopolymerizable group, that is, a compound having an olefinic double bond, by an ester bond into the side chain of the polyimide precursor, and the latter is an amino group of a (meth) acryl compound having an carboxyl group and an amino group of the polyimide precursor. To a photopolymerizable group by bonding via ionic bond.

상기 에스테르 결합형의 폴리이미드 전구체는, 먼저, 전술한 4 가의 유기기X1 을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물과, 광중합성의 불포화 2 중 결합을 갖는 알코올류 및 임의로 탄소수 1 ? 4 의 포화 지방족 알코올류를 반응시켜, 부분적으로 에스테르화한 테트라카르복실산 (이하, 애시드/에스테르체라고도 한다) 을 조제한 후, 이것과, 전술한 2 가의 유기기 Y1 을 포함하는 디아민류를 아미드 중축합시킴으로써 얻어진다.The ester-bonded polyimide precursor is, firstly, tetracarboxylic dianhydride containing the tetravalent organic group X 1 described above, alcohols having a photopolymerizable unsaturated double bond, and optionally C 1? By reacting a saturated aliphatic alcohol of 4, a partially esterified tetracarboxylic acid (hereinafter referred to as acid / ester material is also known as) was prepared, and this, the above-described divalent organic group Y 1 It is obtained by amide polycondensation of diamine containing these.

(애시드/에스테르체의 조제)(Preparation of acid / ester)

본 발명에서, 에스테르 결합형의 폴리이미드 전구체를 조제하기 위해 바람직하게 사용되는, 4 가의 유기기 X1 을 포함하는 테트라카르복실산 2 무수물로는, 예를 들어 무수 피로멜리트산, 디페닐에테르-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2 무수물, 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2 무수물, 비페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2 무수물, 디페닐술폰-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2 무수물, 디페닐메탄-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(3,4-무수 프탈산)프로판, 2,2-비스(3,4-무수 프탈산)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또, 이들은 단독으로 사용할 수 있음은 물론 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.In the present invention, as tetracarboxylic dianhydride containing tetravalent organic group X 1 , which is preferably used to prepare an ester-bonded polyimide precursor, for example, pyromellitic anhydride, diphenyl ether- 3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3 ', 4,4'- Tetracarboxylic dianhydride, diphenylsulfone-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylmethane-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2 , 2-bis (3,4-phthalic anhydride) propane, 2,2-bis (3,4-phthalic anhydride) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and the like. It is not limited to these. In addition, these may be used alone or may be used in combination of two or more thereof.

본 발명에서, 에스테르 결합형의 폴리이미드 전구체를 조제하기 위해 바람직하게 사용되는, 광중합성의 불포화 2 중 결합을 갖는 알코올류로는, 예를 들어 2-아크릴로일옥시에틸 알코올, 1-아크릴로일옥시-3-프로필 알코올, 2-아크릴아미드에틸 알코올, 메틸올비닐케톤, 2-하이드록시에틸비닐케톤, 2-하이드록시-3-메톡시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시-3-부톡시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시-3-부톡시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시-3-t-부톡시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시-3-시클로헥실옥시프로필아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 알코올, 1-메타크릴로일옥시-3-프로필 알코올, 2-메타크릴아미드에틸 알코올, 메틸올비닐케톤, 2-하이드록시에틸비닐케톤, 2-하이드록시-3-메톡시프로필메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-부톡시프로필메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-부톡시프로필메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-t-부톡시프로필메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-시클로헥실옥시프로필메타크릴레이트 등을 들 수 있다.In the present invention, as the alcohols having a photopolymerizable unsaturated double bond, which are preferably used to prepare an ester-bonded polyimide precursor, for example, 2-acryloyloxyethyl alcohol and 1-acryloyl jade Cy-3-propyl alcohol, 2-acrylamideethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl Acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropylacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropylacrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropylacrylate, 2-hydroxy-3 -Cyclohexyloxypropyl acrylate, 2-methacryloyloxyethyl alcohol, 1-methacryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-methacrylamide ethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl Ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropylmethacryl 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3 -t-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl methacrylate, etc. are mentioned.

상기 알코올류에 탄소수 1 ? 4 의 포화 지방족 알코올로서, 예를 들어 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, tert-부탄올 등을 일부 혼합하여 사용할 수도 있다.Carbon number 1 to the above alcohols As the saturated aliphatic alcohol of 4, for example, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, tert-butanol and the like may be used in combination.

상기의 본 발명에 바람직한 테트라카르복실산 2 무수물과 상기의 알코올류를 피리딘 등의 염기성 촉매의 존재하, 적당한 반응 용매 중, 온도 20 ? 50 ℃ 에서 4 ? 10 시간 교반 용해, 혼합함으로써, 산무수물의 에스테르화 반응이 진행되어 원하는 애시드/에스테르체를 얻을 수 있다.Tetracarboxylic dianhydride and the above alcohols preferred in the present invention described above are used at a temperature of 20 ° C. in a suitable reaction solvent in the presence of a basic catalyst such as pyridine. 4 at 50 ℃? By stirring and dissolving and mixing for 10 hours, esterification of an acid anhydride advances and a desired acid / ester body can be obtained.

상기 반응 용매로는, 애시드/에스테르체, 및 이것과 디아민 성분과의 아미드 중축합 생성물인 폴리이미드 전구체를 완전히 용해시키는 것이 바람직하고, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 테트라메틸우레아, 감마부티로락톤 등을 들 수 있다.As said reaction solvent, it is preferable to fully dissolve the polyimide precursor which is an acid / ester body and the amide polycondensation product of this and a diamine component, For example, N-methyl- 2-pyrrolidone, N, N -Dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, gamma butyrolactone, etc. are mentioned.

그 밖의 반응 용매로는, 케톤류, 에스테르류, 락톤류, 에테르류, 할로겐화 탄화수소류를 들 수 있고, 그리고 탄화수소류로는, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 옥살산디에틸, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라하이드로푸란, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 1,4-디클로로부탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 헥산, 헵탄, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.Other reaction solvents include ketones, esters, lactones, ethers and halogenated hydrocarbons, and as the hydrocarbons, for example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, Methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o- Dichlorobenzene, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene, etc. are mentioned. These may be used independently as needed, and may mix and use 2 or more types.

(폴리이미드 전구체의 조제)(Preparation of polyimide precursor)

상기 애시드/에스테르체 (전형적으로는 상기 반응 용매 중의 용액) 에 빙랭하에 적당한 탈수 축합제, 예를 들어 디시클로카르보디이미드, 1-에톡시카르보닐-2-에톡시-1,2-디하이드로퀴놀린, 1,1-카르보닐디옥시-디-1,2,3-벤조트리아졸, N,N'-디숙신이미딜카보네이트 등을 투입 혼합하여 애시드/에스테르체를 폴리산 무수물로 한 후, 이것에 본 발명에서 바람직하게 사용되는 2 가의 유기기 Y1 을 포함하는 디아민류를 별도로 용매에 용해 또는 분산시킨 것을 적하 투입하고, 아미드 중축합시킴으로써 목적하는 폴리이미드 전구체를 얻을 수 있다.A suitable dehydrating condensing agent such as dicyclocarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydro under ice cooling in the acid / ester body (typically a solution in the reaction solvent) After quinoline, 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, N, N'-disuccinimidylcarbonate, etc. were added and mixed, the acid / ester was made into a polyacid anhydride, Divalent organic group Y 1 used preferably in this invention for this. What melt | dissolved or disperse | distributed diamine containing these separately in the solvent was dripped, and the target polyimide precursor can be obtained by amide polycondensation.

본 발명에서 바람직하게 사용되는 2 가의 유기기 Y1 을 포함하는 디아민류로는, 예를 들어 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠,As diamines containing the divalent organic group Y 1 used preferably in the present invention, for example, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4-diaminodiphenyl ether, 3,4 ' -Diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodi Phenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4 '-Diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4 '-Diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis ( 4-aminophenoxy) benzene,

1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕술폰, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕술폰, 4,4-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 오르토-톨리딘술폰, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 및 이들 벤젠 고리 상의 수소 원자의 일부가 메틸기, 에틸기, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기, 할로겐 등으로 치환된 것, 예를 들어 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸옥시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노비페닐, 그리고 그 혼합물 등을 들 수 있는데, 이것에 한정되는 것은 아니다.1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4-bis ( 4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) Phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 2,2-bis (4 -Aminophenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis [4- ( 4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, ortho-tolidine sulfone, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, and these A part of hydrogen atoms on the benzene ring substituted with methyl, ethyl, hydroxymethyl, hydroxyethyl, halogen, etc., for example 3,3'-dimethyl-4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-dimethyl- 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyloxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, and mixtures thereof Although it is mentioned, it is not limited to this.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포함으로써 기판 상에 형성되는 수지층과 각종 기판의 밀착성의 향상을 목적으로, 폴리이미드 전구체의 조제시에, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라페닐디실록산 등의 디아미노실록산류를 공중합할 수도 있다.Moreover, 1,3-bis (3-aminopropyl) at the time of preparation of a polyimide precursor for the purpose of improving the adhesiveness of the resin layer formed on a board | substrate and various board | substrates by apply | coating the photosensitive resin composition of this invention on a board | substrate. Diaminosiloxanes, such as tetramethyldisiloxane and 1, 3-bis (3-aminopropyl) tetraphenyl disiloxane, can also be copolymerized.

아미드 중축합 반응 종료 후, 당해 반응액 중에 공존하고 있는 탈수 축합제의 흡수 부생물을 필요에 따라 여과 분리한 후, 물, 지방족 저급 알코올, 또는 그 혼합액 등의 빈(貧)용매를 얻어진 중합체 성분에 투입하여 중합체 성분을 석출시키고, 추가로 재용해, 재침 석출 조작 등을 반복함으로써 중합체를 정제하고, 진공 건조를 실시하여 목적하는 폴리이미드 전구체를 단리시킨다. 정제도를 향상시키기 위해, 음이온 및/또는 양이온 교환 수지를 적당한 유기 용매로 팽윤시켜 충전한 칼럼에 이 중합체의 용액을 통과시켜 이온성 불순물을 제거해도 된다.The polymer component which obtained the poor solvent, such as water, an aliphatic lower alcohol, or its liquid mixture, after filtering and separating the absorption by-product of the dehydration condensation agent which coexists in the said reaction liquid after completion | finish of an amide polycondensation reaction. The polymer is precipitated, and the polymer component is precipitated, and the polymer is further purified by re-dissolving and reprecipitation precipitation operation or the like, followed by vacuum drying to isolate the desired polyimide precursor. In order to improve the degree of purification, anionic and / or cation exchange resins may be swollen with a suitable organic solvent and passed through a solution of this polymer to remove ionic impurities.

한편, 상기 이온 결합형의 폴리이미드 전구체는 전형적으로는 테트라카르복실산 2 무수물에 디아민을 반응시켜 얻어진다. 이 경우, 상기 일반식 (11) 중의 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 하이드록실기이다.On the other hand, the ion-bonded polyimide precursor is typically obtained by reacting diamine with tetracarboxylic dianhydride. In this case, R 1 and R 2 in the general formula (11) At least one of which is a hydroxyl group.

테트라카르복실산 2 무수물로는, 상기 식 (14) 의 구조를 포함하는 테트라카르복실산의 무수물이 바람직하고, 디아민으로는, 상기 식 (15) 또는 (16) 의 구조를 포함하는 디아민이 바람직하다. 얻어진 폴리아미드 전구체에 후술하는 아미노기를 갖는 (메트)아크릴 화합물을 첨가함으로써, 카르복실기와 아미노기의 이온 결합에 의해 광중합성기가 부여된다.As tetracarboxylic dianhydride, the anhydride of the tetracarboxylic acid containing the structure of said Formula (14) is preferable, and as diamine, the diamine containing the structure of said Formula (15) or (16) is preferable. Do. By adding the (meth) acryl compound which has an amino group mentioned later to the obtained polyamide precursor, a photopolymerizable group is provided by the ionic bond of a carboxyl group and an amino group.

상기 에스테르 결합형 및 상기 이온 결합형의 폴리이미드 전구체의 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 측정한 경우에 8,000 ? 150,000 인 것이 바람직하고, 9,000 ? 50,000 인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 8,000 이상인 경우 기계 물성이 양호하고, 150,000 이하인 경우 현상액에 대한 분산성이 양호하여, 릴리프 패턴의 해상 성능이 양호하다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피의 전개 용매로는, 테트라하이드로푸란 및 N-메틸-2-피롤리돈이 추장된다. 또, 중량 평균 분자량은 표준 단분산 폴리스티렌을 사용하여 작성한 검량선으로부터 구한다. 표준 단분산 폴리스티렌으로는, 쇼와 전공사 제조의 유기 용매계 표준 시료 STANDARD SM-105 에서 선택할 것이 추장된다.The molecular weight of the said ester bond type | mold and the ion bond type | mold polyimide precursor is 8,000 when it is measured by the polystyrene conversion weight average molecular weight by gel permeation chromatography. It is preferable that it is 150,000, and 9,000? It is more preferable that it is 50,000. When the weight average molecular weight is 8,000 or more, the mechanical properties are good, when the weight average molecular weight is 150,000 or less, the dispersibility to the developer is good, and the resolution performance of the relief pattern is good. As a developing solvent of gel permeation chromatography, tetrahydrofuran and N-methyl-2-pyrrolidone are recommended. In addition, a weight average molecular weight is calculated | required from the analytical curve created using standard monodisperse polystyrene. As standard monodisperse polystyrene, it is recommended to select from the organic solvent-based standard sample STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko.

[폴리아미드][Polyamide]

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 바람직한 (A) 수지의 또 하나의 예는 하기 일반식 (3):Another example of preferable (A) resin in the photosensitive resin composition of this invention is following General formula (3):

[화학식 19][Formula 19]

Figure pat00019
(3)
Figure pat00019
(3)

{식 중, X2 는 탄소수 6 ? 15 의 3 가의 유기기이고, Y2 는 탄소수 6 ? 35 의 2 가의 유기기이고, 또한 동일한 구조이거나 또는 복수의 구조를 가져도 되고, R6 은 탄소수 3 ? 20 의 라디칼 중합성의 불포화 결합기를 적어도 1 개 갖는 유기기이고, 그리고 n2 는 1 ? 1000 의 정수이다.}In formula, X <2> has 6? It is a trivalent organic group of 15, Y <2> is C6? It is a 35-valent divalent organic group, may have the same structure, or may have multiple structure, and R <6> is C3-C? It is an organic group which has at least 1 radically polymerizable unsaturated bond group of 20, and n <2> is 1? An integer of 1000.

으로 나타내는 구조를 갖는 폴리아미드이다. 이 폴리아미드는 네거티브형 감광성 수지 조성물용으로서 바람직하다.It is a polyamide which has a structure shown by these. This polyamide is suitable for the negative photosensitive resin composition.

상기 일반식 (3) 중, R6 으로 나타내는 기로는, 감광 특성과 내약품성을 양립시킨다는 점에서, 하기 일반식 (17),As said group represented by R <6> in the said General formula (3), since the photosensitive characteristic and chemical-resistance are compatible, the following General formula (17),

[화학식 20][Formula 20]

Figure pat00020
(17)
Figure pat00020
(17)

{식 중, R25 는 탄소수 2 ? 19 의 라디칼 중합성의 불포화 결합기를 적어도 1 개 갖는 유기기이다.}In formula, R <25> has 2 carbon atoms? It is an organic group which has at least 1 radically polymerizable unsaturated bond group of 19.

로 나타내는 기인 것이 바람직하다.It is preferable that it is group represented by.

상기 일반식 (3) 중, X2 로 나타내는 3 가의 유기기로는, 탄소수가 6 ? 15 인 3 가의 유기기인 것이 바람직하고, 예를 들어 하기 식 (18):As said trivalent organic group represented by X <2> in the said General formula (3), carbon number is 6? It is preferable that it is a trivalent organic group which is 15, for example, following formula (18):

[화학식 21][Formula 21]

Figure pat00021
(18)
Figure pat00021
(18)

로 나타내는 기 중에서 선택되는 방향족기인 것이 바람직하고, 그리고 아미노기 치환 이소프탈산 구조로부터 카르복실기 및 아미노기를 제거한 방향족기인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is an aromatic group chosen from the group shown by, and it is more preferable that it is an aromatic group which removed the carboxyl group and the amino group from the amino-group substituted isophthalic acid structure.

상기 일반식 (3) 중, Y2 로 나타내는 2 가의 유기기로는, 탄소수가 6 ? 35 의 유기기인 것이 바람직하고, 그리고 치환되어 있어도 되는 방향족 고리 또는 지방족 고리를 1 ? 4 를 갖는 고리형 유기기, 또는 고리형 구조를 갖지 않는 지방족기 또는 실록산기인 것이 더욱 바람직하다. Y2 로 나타내는 2 가의 유기기로는, 하기 일반식 (15) 및 하기 일반식 (19), (20):In General Formula (3), examples of the divalent organic group represented by Y 2 include 6 to 6 carbon atoms. It is preferable that it is 35 organic groups, and the aromatic ring or aliphatic ring which may be substituted may be 1? It is more preferable that they are a cyclic organic group which has 4, or an aliphatic group or siloxane group which does not have a cyclic structure. As a divalent organic group represented by Y <2> , following General formula (15) and following General formula (19) and (20):

[화학식 22][Formula 22]

Figure pat00022
(15)
Figure pat00022
(15)

[화학식 23](23)

Figure pat00023
(19)
Figure pat00023
(19)

{식 중, R26 및 R27 은 각각 독립적으로 수산기, 메틸기 (-CH3), 에틸기 (-C2H5), 프로필기 (-C3H7) 또는 부틸기 (-C4H9) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개의 기이고, 그리고 그 프로필기 및 부틸기는 각종 이성체를 포함한다}In formula, R 26 and R 27 are each independently a hydroxyl group, a methyl group (-CH 3 ), an ethyl group (-C 2 H 5 ), a propyl group (-C 3 H 7 ) or a butyl group (-C 4 H 9 ) 1 group selected from the group consisting of, and the propyl group and the butyl group include various isomers.

[화학식 24][Formula 24]

Figure pat00024
(20)
Figure pat00024
20

{식 중, m4 는 0 ? 8 의 정수이고, m5 및 m6 은 각각 독립적으로 0 ? 3 의 정수이고, m7 및 m8 은 각각 독립적으로 0 ? 10 의 정수이고, 그리고 R28 및 R29 는 메틸기 (-CH3), 에틸기 (-C2H5), 프로필기 (-C3H7), 부틸기 (-C4H9) 또는 이들의 이성체이다.}를 들 수 있다.In the formula, m 4 is 0? Is an integer of 8, and m 5 and m 6 are each independently 0? Is an integer of 3, and m 7 and m 8 are each independently 0? An integer of 10 and R 28 and R 29 Is a methyl group (-CH 3 ), an ethyl group (-C 2 H 5 ), a propyl group (-C 3 H 7 ), a butyl group (-C 4 H 9 ) or an isomer thereof.

고리형 구조를 갖지 않는 지방족기 또는 실록산기로는, 하기 일반식 (21):As an aliphatic group or siloxane group which does not have a cyclic structure, it is a following general formula (21):

[화학식 25][Formula 25]

Figure pat00025
(21)
Figure pat00025
(21)

{식 중, m9 는 2 ? 12 의 정수이고, m10 은 1 ? 3 의 정수이고, m11 은 1 ? 20 의 정수이고, 그리고 R30, R31, R32 및 R33 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ? 3 의 알킬기 또는 치환되어 있어도 되는 페닐기이다.}을 바람직한 것으로서 들 수 있다.In the formula, m 9 is 2? Is an integer of 12 and m 10 is 1? Is an integer of 3 and m 11 is 1? An integer of 20, and R 30 , R 31 , R 32 and R 33 each independently represent 1? It is an alkyl group of 3 or the phenyl group which may be substituted. The} is mentioned as a preferable thing.

본 발명의 폴리아미드 수지는 예를 들어 이하와 같이 합성할 수 있다.The polyamide resin of this invention can be synthesize | combined as follows, for example.

(프탈산 화합물 밀봉체의 합성) (Synthesis of Phthalic Acid Compound Seal)

첫 번째로, 3 가의 방향족기 X2 를 갖는 화합물, 예를 들어 아미노기로 치환된 프탈산, 아미노기로 치환된 이소프탈산, 및 아미노기로 치환된 테레프탈산으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개 이상의 화합물 (이하, 「프탈산 화합물」이라고 한다) 1 몰과, 아미노기와 반응하는 화합물 1 몰을 반응시켜, 그 프탈산 화합물의 아미노기를 후술하는 라디칼 중합성의 불포화 결합을 포함하는 기로 수식, 밀봉한 화합물 (이하, 「프탈산 화합물 밀봉체」라고 한다) 을 합성한다. 이들은 단독이어도 되고, 혼합하여 사용해도 된다.First, at least one compound selected from the group consisting of a compound having a trivalent aromatic group X 2 , for example, phthalic acid substituted with an amino group, isophthalic acid substituted with an amino group, and terephthalic acid substituted with an amino group (hereinafter, “ 1 mole of a compound reacting with an amino group and 1 mole of a compound reacting with an amino group, modified and sealed with a group containing a radical polymerizable unsaturated bond described later (hereinafter referred to as "phthalic acid compound sealing"). Sieve "). These may be individual or may be used in mixture.

프탈산 화합물을 상기 라디칼 중합성의 불포화 결합을 포함하는 기로 밀봉한 구조로 하면, 폴리아미드 수지에 네거티브형의 감광성 (광경화성) 을 부여할 수 있다. When a phthalic acid compound is made into the structure which sealed with the group containing the said radically polymerizable unsaturated bond, negative photosensitive property (photocurability) can be provided to a polyamide resin.

라디칼 중합성의 불포화 결합을 포함하는 기로는, 탄소수 3 ? 20 의 라디칼 중합성의 불포화 결합기를 갖는 유기기인 것이 바람직하고, 메타크릴로일기 또는 아크릴로일기를 포함하는 기가 특히 바람직하다.As group containing a radically polymerizable unsaturated bond, C3-C? It is preferable that it is an organic group which has a radically polymerizable unsaturated bond group of 20, and the group containing a methacryloyl group or acryloyl group is especially preferable.

상기 서술한 프탈산 화합물 밀봉체는 프탈산 화합물의 아미노기와, 탄소수 3 ? 20 의 라디칼 중합성의 불포화 결합기를 적어도 1 개 갖는 산클로라이드, 이소시아네이트 또는 에폭시 화합물 등을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The phthalic acid compound sealing body mentioned above is an amino group of a phthalic acid compound, and C3-C? It can obtain by making acid radical, isocyanate, an epoxy compound, etc. which have at least 1 radically polymerizable unsaturated bonding group of 20 react.

바람직한 산클로라이드로는, (메트)아크릴로일클로라이드, 2-[(메트)아크릴로일옥시]아세틸클로라이드, 3-[(메트)아크릴로일옥시]프로피오닐클로라이드, 2-[(메트)아크릴로일옥시]에틸클로로포르메이트, 3-[(메트)아크릴로일옥시프로필]클로로포르메이트 등을 들 수 있다. 바람직한 이소시아네이트로는, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 1,1-비스[(메트)아크릴로일옥시메틸]에틸이소시아네이트, 2-[2-(메트)아크릴로일옥시에톡시]에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 바람직한 에폭시 화합물로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 혼합하여 사용해도 되지만, 메타크릴로일클로라이드 및/또는 2-(메타크릴로일옥시)에틸이소시아네이트를 사용하는 것이 특히 바람직하다. Preferred acid chlorides include (meth) acryloyl chloride, 2-[(meth) acryloyloxy] acetyl chloride, 3-[(meth) acryloyloxy] propionyl chloride, 2-[(meth) acrylic Royloxy] ethylchloroformate, 3-[(meth) acryloyloxypropyl] chloroformate, and the like. Preferable isocyanates include 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, 1,1-bis [(meth) acryloyloxymethyl] ethyl isocyanate, 2- [2- (meth) acryloyloxyethoxy] Ethyl isocyanate etc. are mentioned. As a preferable epoxy compound, glycidyl (meth) acrylate etc. are mentioned. Although these may be used independently and may be used in mixture, it is especially preferable to use methacryloyl chloride and / or 2- (methacryloyloxy) ethyl isocyanate.

또한, 이들 프탈산 화합물 밀봉체로는, 프탈산 화합물이 5-아미노이소프탈산인 것이 감광 특성이 우수함과 동시에, 가열 경화 후의 막 특성이 우수한 폴리아미드를 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.Moreover, as these phthalic-acid compound sealing bodies, it is preferable that a phthalic-acid compound is 5-aminoisophthalic acid because it is excellent in the photosensitive characteristic and the polyamide excellent in the film | membrane characteristic after heat hardening can be obtained.

상기 밀봉 반응은, 피리딘 등의 염기성 촉매 또는 디-n-부틸주석디라우레이트 등의 주석계 촉매의 존재하, 프탈산 화합물과 밀봉제를 용매 중에서 교반 용해, 혼합함으로써 진행시킬 수 있다.The said sealing reaction can be advanced by stirring, dissolving, and mixing a phthalic acid compound and a sealing agent in a solvent in presence of basic catalysts, such as pyridine, or tin-type catalysts, such as di-n-butyltin dilaurate.

반응 용매로는, 생성물인 프탈산 화합물 밀봉체를 완전히 용해시키는 것이 바람직하고, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 테트라메틸우레아, 감마부티로락톤 등을 들 수 있다.As a reaction solvent, it is preferable to dissolve the phthalic acid compound sealing body which is a product completely, for example, N-methyl- 2-pyrrolidone, N, N- dimethylacetamide, N, N- dimethylformamide, dimethyl sulfoxide. Said, tetramethylurea, gamma-butyrolactone, etc. are mentioned.

그 밖의 반응 용매로는, 케톤류, 에스테르류, 락톤류, 에테르류, 할로겐화 탄화수소류를 들 수 있고, 그리고 탄화수소류로는, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 옥살산디에틸, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라하이드로푸란, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 1,4-디클로로부탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 헥산, 헵탄, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌 등을 들 수 있다. 이들 용매는 필요에 따라 단독으로도 사용할 수 있고, 혼합하여 사용할 수도 있다.Other reaction solvents include ketones, esters, lactones, ethers and halogenated hydrocarbons, and as the hydrocarbons, for example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, Methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o- Dichlorobenzene, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene and the like. These solvents may be used alone or as a mixture, if necessary.

산클로라이드 등 밀봉제의 종류에 따라서는 밀봉 반응의 과정에서 염화수소가 부생되는 것이 있다. 이 경우에는, 이후의 공정의 오염을 방지하는 의미에서도, 일단 수(水) 재침하여 수세 건조시키거나, 이온 교환 수지를 충전한 칼럼을 통과시켜 이온 성분을 제거 경감시키는 등 적절히 정제를 실시하는 것이 바람직하다.Depending on the type of sealant such as acid chloride, hydrogen chloride is by-produced in the course of the sealing reaction. In this case, in order to prevent contamination of the subsequent steps, purification is appropriately performed, for example, by reprecipitating with water and drying with water or passing through a column filled with an ion exchange resin to remove and reduce ionic components. desirable.

(폴리아미드의 합성)Synthesis of Polyamide

상기 프탈산 화합물 밀봉체와 2 가의 유기기 Y2 를 갖는 디아민 화합물을 피리딘 또는 트리에틸아민 등의 염기성 촉매의 존재하, 적당한 용매 중에서 혼합하고, 아미드 중축합시킴으로써 본 발명의 폴리아미드를 얻을 수 있다.And the acid compound sealing member and divalent in the presence of a basic catalyst such as pyridine or triethylamine and a diamine compound having the organic group Y 2, it is possible to obtain the polyamide according to the present invention by mixing, and the amide condensation in a suitable solvent.

아미드 중축합 방법으로는, 프탈산 화합물 밀봉체를, 탈수 축합제를 사용하여 대칭 폴리산 무수물로 한 후에 디아민 화합물과 혼합하는 방법, 또는 프탈산 화합물 밀봉체를 이미 알려진 방법에 의해 산클로라이드화한 후에 디아민 화합물과 혼합하는 방법, 디카르복실산 성분과 활성 에스테르화제를 탈수 축합제의 존재하에서 반응시켜 활성 에스테르화시킨 후에 디아민 화합물과 혼합하는 방법 등을 들 수 있다.As the amide polycondensation method, the phthalic acid compound sealant is made into a symmetric polyacid anhydride using a dehydrating condenser, followed by mixing with a diamine compound, or after acid chlorideizing the phthalic acid compound sealant by a known method. The method of mixing with a compound, the method of mixing a dicarboxylic acid component and an active esterifying agent in the presence of a dehydrating condensation agent, making it active esterification, and mixing with a diamine compound etc. are mentioned.

탈수 축합제로는, 예를 들어 디시클로헥실카르보디이미드, 1-에톡시카르보닐-2-에톡시-1,2-디하이드로퀴놀린, 1,1'-카르보닐디옥시-디-1,2,3-벤조트리아졸, N,N'-디숙신이미딜카보네이트 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a dehydration condensing agent, For example, dicyclohexylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline, 1,1'-carbonyldioxy-di-1,2 , 3-benzotriazole, N, N'-disuccinimidyl carbonate and the like can be cited as preferred ones.

클로로화제로는 염화티오닐 등을 들 수 있다.Examples of the chloroating agent include thionyl chloride.

활성 에스테르화제로는, N-하이드록숙신이미드 또는 1-하이드록시벤조트리아졸, N-하이드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복실산이미드, 2-하이드록시이미노-2-시아노아세트산에틸, 2-하이드록시이미노-2-시아노아세트산아미드 등을 들 수 있다.Examples of the active esterifying agent include N-hydroxysuccinimide or 1-hydroxybenzotriazole, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid imide and 2-hydroxyimino-2 Ethyl cyanoacetate, 2-hydroxyimino-2-cyanoacetic acid amide, and the like.

유기기 Y2 를 갖는 디아민 화합물로는, 방향족 디아민 화합물, 방향족 비스아미노페놀 화합물, 지환식 디아민 화합물, 직사슬 지방족 디아민 화합물, 실록산디아민 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 디아민 화합물인 것이 바람직하고, 원하는 바에 따라 복수를 병용할 수도 있다.The diamine compound having an organic group Y 2 is preferably at least one diamine compound selected from the group consisting of an aromatic diamine compound, an aromatic bisaminophenol compound, an alicyclic diamine compound, a linear aliphatic diamine compound, and a siloxane diamine compound. It is also possible to use a plurality in combination as desired.

방향족 디아민 화합물로는, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, As an aromatic diamine compound, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'- diamino diphenyl ether, 3,4'- diamino diphenyl ether, 3,3'- diamino diphenyl ether , 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3, 4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenyl methane,

3,3'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 오르토-톨리딘술폰, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 그리고 이들 벤젠 고리 상의 수소 원자의 일부가 메틸기, 에틸기, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기 및 할로겐 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 1 개 이상의 기로 치환된 디아민 화합물을 들 수 있다.3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy ) Benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulphone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulphone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4 , 4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2 -Bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexa Fluoropropane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, ortho-tolidine sulfone, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, and some of the hydrogen atoms on these benzene rings are methyl groups , Ethyl group, hydroxy Group, there may be mentioned a diamine compound substituted with at least one selected from the group consisting of hydroxy group and halogen atoms.

이 벤젠 고리 상의 수소 원자가 치환된 디아민 화합물의 예로는, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸옥시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노비페닐 등을 들 수 있다.Examples of the diamine compound in which a hydrogen atom on the benzene ring is substituted include 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3, 3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyloxy-4,4'-diamino ratio Phenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, etc. are mentioned.

방향족 비스아미노페놀 화합물로는, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐, 3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노디페닐술폰, 비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스-(3-하이드록시-4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 비스-(3-하이드록시-4-아미노페닐)메탄, 2,2-비스-(3-하이드록시-4-아미노페닐)프로판, 3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디하이드록시-3,3'-디아미노디페닐에테르, 2,5-디하이드록시-1,4-디아미노벤젠, 4,6-디아미노레조르시놀, 1,1-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)시클로헥산, 4,4-(α-메틸벤질리덴)-비스(2-아미노페놀) 등을 들 수 있다.As an aromatic bisaminophenol compound, 3,3'- dihydroxybenzidine, 3,3'- diamino-4,4'- dihydroxy biphenyl, 3,3'- dihydroxy-4,4 ' -Diaminodiphenylsulfone, bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis- (3- Amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis- (3-hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane, bis- (3-hydroxy-4-aminophenyl) methane, 2,2-bis- (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-dihydroxy-4,4 '-Diaminodiphenylether, 4,4'-dihydroxy-3,3'-diaminodiphenylether, 2,5-dihydroxy-1,4-diaminobenzene, 4,6-diamino Resorcinol, 1,1-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 4,4- (α-methylbenzylidene) -bis (2-aminophenol), and the like.

지환식 디아민 화합물로는, 1,3-디아미노시클로펜탄, 1,3-디아미노시클로헥산, 1,3-디아미노-1-메틸시클로헥산, 3,5-디아미노-1,1-디메틸시클로헥산, 1,5-디아미노-1,3-디메틸시클로헥산, 1,3-디아미노-1-메틸-4-이소프로필시클로헥산, 1,2-디아미노-4-메틸시클로헥산, 1,4-디아미노시클로헥산, 1,4-디아미노-2,5-디에틸시클로헥산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 2-(3-아미노시클로펜틸)-2-프로필아민, 멘센디아민, 이소포론디아민, 노르보르난디아민, 1-시클로헵텐-3,7-디아민, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실아민), 4,4'-메틸렌비스(2-메틸시클로헥실아민), 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라옥사스피로-[5,5]-운데칸 등을 들 수 있다.As an alicyclic diamine compound, 1, 3- diamino cyclopentane, 1, 3- diamino cyclohexane, 1, 3- diamino- 1-methyl cyclohexane, 3, 5- diamino- 1, 1- dimethyl Cyclohexane, 1,5-diamino-1,3-dimethylcyclohexane, 1,3-diamino-1-methyl-4-isopropylcyclohexane, 1,2-diamino-4-methylcyclohexane, 1 , 4-diaminocyclohexane, 1,4-diamino-2,5-diethylcyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 2- (3-aminocyclopentyl) -2-propylamine, mensendiamine, isophoronediamine, norbornanediamine, 1-cyclohepten-3,7-diamine, 4,4'-methylenebis (cyclohexylamine), 4 , 4'-methylenebis (2-methylcyclohexylamine), 1,4-bis (3-aminopropyl) piperazine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetra Oxaspiro- [5,5] -undecane etc. are mentioned.

직사슬 지방족 디아민 화합물로는, 1,2-디아미노에탄, 1,4-디아미노부탄, 1,6-디아미노헥산, 1,8-디아미노옥탄, 1,10-디아미노데칸, 1,12-디아미노도데칸 등의 탄화수소형 디아민, 또는 2-(2-아미노에톡시)에틸아민, 2,2'-(에틸렌디옥시)디에틸아민, 비스[2-(2-아미노에톡시)에틸]에테르 등의 알킬렌옥사이드형 디아민 등을 들 수 있다.As a linear aliphatic diamine compound, 1, 2- diamino ethane, 1, 4- diamino butane, 1, 6- diamino hexane, 1, 8- diamino octane, 1, 10- diamino decane, 1, Hydrocarbon type diamines, such as 12-diaminododecane, or 2- (2-aminoethoxy) ethylamine, 2,2 '-(ethylenedioxy) diethylamine, bis [2- (2-aminoethoxy) Alkylene oxide type diamine, such as ethyl] ether, etc. are mentioned.

실록산디아민 화합물로는, 디메틸(폴리)실록산디아민, 예를 들어 신에츠 화학 공업 제조, 상표명 PAM-E, KF-8010, X-22-161A 등을 들 수 있다.Dimethyl (poly) siloxane diamine, for example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., brand names PAM-E, KF-8010, X-22-161A, etc. are mentioned as a siloxane diamine compound.

반응 용매로는, 생성되는 폴리머를 완전히 용해시키는 용매가 바람직하고, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 테트라메틸우레아, 감마부티로락톤 등을 들 수 있다. As a reaction solvent, the solvent which melt | dissolves the produced polymer completely is preferable, For example, N-methyl- 2-pyrrolidone, N, N- dimethylacetamide, N, N- dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, Tetramethylurea, gamma butyrolactone, etc. are mentioned.

이 밖에도, 경우에 따라서는 케톤류, 에스테르류, 락톤류, 에테르류, 탄화수소류, 할로겐화 탄화수소류를 반응 용매로서 사용해도 된다. 구체적으로는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 옥살산디에틸, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라하이드로푸란, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 1,4-디클로로부탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 헥산, 헵탄, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. In addition, in some cases, ketones, esters, lactones, ethers, hydrocarbons and halogenated hydrocarbons may be used as the reaction solvent. Specifically, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene and the like.

아미드 중축합 반응 종료 후, 반응액 중에 석출되어 온 탈수 축합제 유래의 석출물 등을 필요에 따라 여과 분리한다. 이어서, 반응액 중에 물 혹은 지방족 저급 알코올 또는 그 혼합액 등의 폴리아미드의 빈용매를 투입하여 폴리아미드를 석출시킨다. 또한, 석출된 폴리아미드를 용매에 재용해시켜, 재침 석출 조작을 반복함으로써 정제하고, 진공 건조를 실시하여 목적하는 폴리아미드를 단리시킨다. 또한, 정제도를 더욱 향상시키기 위해, 이 폴리아미드의 용액을 이온 교환 수지를 충전한 칼럼에 통과시켜 이온성 불순물을 제거해도 된다.After completion of the amide polycondensation reaction, precipitates derived from the dehydrating condensation agent precipitated in the reaction solution and the like are separated by filtration as necessary. Subsequently, a poor solvent of polyamide, such as water or aliphatic lower alcohol, or a mixture thereof, is added to the reaction solution to precipitate the polyamide. Further, the precipitated polyamide is redissolved in a solvent, purified by repeating the reprecipitation precipitation operation, and vacuum dried to isolate the desired polyamide. In order to further improve the degree of purification, a solution of this polyamide may be passed through a column filled with an ion exchange resin to remove ionic impurities.

폴리아미드의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (이하,「GPC」라고 한다) 에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 7,000 ? 70,000 인 것이 바람직하고, 그리고 10,000 ? 50,000 인 것이 보다 바람직하다. 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 7,000 이상이면, 경화 릴리프 패턴의 기본적인 물성이 확보된다. 또, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 70,000 이하이면, 릴리프 패턴을 형성할 때의 현상 용해성이 확보된다.Polystyrene conversion weight average molecular weight by gel permeation chromatography of polyamide (henceforth "GPC") is 7,000? Preferably 70,000, and 10,000? It is more preferable that it is 50,000. When the polystyrene reduced weight average molecular weight is 7,000 or more, the basic physical properties of the cured relief pattern are secured. Moreover, image development solubility at the time of forming a relief pattern is ensured that a polystyrene conversion weight average molecular weight is 70,000 or less.

GPC 의 용리액으로는 테트라하이드로푸란 또는 N-메틸-2-피롤리돈이 추장된다. 또, 중량 평균 분자량값은 표준 단분산 폴리스티렌을 사용하여 작성한 검량선으로부터 구한다. 표준 단분산 폴리스티렌으로는, 쇼와 전공 제조의 유기 용매계 표준 시료 STANDARD SM-105 에서 선택할 것이 추장된다.Tetrahydrofuran or N-methyl-2-pyrrolidone is recommended as the eluent for GPC. In addition, a weight average molecular weight value is calculated | required from the analytical curve created using standard monodisperse polystyrene. As standard monodisperse polystyrene, it is recommended to select from Showa Denko's organic solvent-based standard sample STANDARD SM-105.

[폴리옥사졸 전구체][Polyoxazole Precursor]

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 바람직한 (A) 수지의 또 하나의 예는, 하기 일반식 (4):Another example of preferable (A) resin in the photosensitive resin composition of this invention is following General formula (4):

[화학식 26][Formula 26]

Figure pat00026
(4)
Figure pat00026
(4)

{식 중, Y3 은 탄소 원자를 갖는 4 가의 유기기이고, 바람직하게는 2 개 이상의 탄소 원자를 갖는 4 가의 유기기이고, Y4, X3 및 X4 는 각각 독립적으로 2 개 이상의 탄소 원자를 갖는 2 가의 유기기이고, n3 은 1 ? 1000 의 정수이고, n4 는 0 ? 500 의 정수이고, n3/(n3 + n4) > 0.5 이고, 그리고 X3 및 Y3 를 포함하는 n3 개의 디하이드록시디아미드 단위 그리고 X4 및 Y4 를 포함하는 n4 개의 디아미드 단위의 배열 순서는 문제삼지 않는다.}로 나타내는 구조를 갖는 폴리옥사졸 전구체 (이하, 상기 일반식 (4) 로 나타내는 폴리옥사졸 전구체를 간단히 「폴리옥사졸 전구체」라고 하는 경우가 있다.) 이다.In formula, Y <3> is a tetravalent organic group which has a carbon atom, Preferably it is a tetravalent organic group which has 2 or more carbon atoms, Y <4> , X <3>, and X <4> are respectively independently 2 or more carbon atoms It is a divalent organic group which has n <3>, and is 1? Is an integer of 1000 and n 4 is 0? An integer of 500, n 3 / (n 3 + n 4 )> 0.5, and n 3 dihydroxydiamide units comprising X 3 and Y 3 and n 4 dia comprising X 4 and Y 4 The order of arrangement of the mid units is not a problem. A polyoxazole precursor having a structure represented by VII (hereinafter, the polyoxazole precursor represented by General Formula (4) may be simply referred to as a "polyoxazole precursor"). to be.

폴리옥사졸 전구체는 상기 일반식 (4) 중의 n3 개의 디하이드록시디아미드 단위 (이하, 간단히 디하이드록시디아미드 단위라고 하는 경우가 있다.) 를 갖는 폴리머이고, 상기 일반식 (4) 중의 n4 개의 디아미드 단위 (이하, 간단히 디아미드 단위라고 하는 경우가 있다.) 를 가져도 된다.The polyoxazole precursor is a polymer having n 3 dihydroxydiamide units (hereinafter may be simply referred to as dihydroxydiamide units) in the general formula (4), and in the general formula (4) n You may have four diamide units (Hereinafter, it may only be called a diamide unit.).

X3 의 탄소 원자수는 감광 특성을 얻을 목적에서 2 개 이상 40 개 이하인 것이 바람직하고, X4 의 탄소 원자수는 감광 특성을 얻을 목적에서 2 개 이상 40 개 이하인 것이 바람직하고, Y3 의 탄소 원자수는 감광 특성을 얻을 목적에서 2 개 이상 40 개 이하인 것이 바람직하고, 그리고 Y4 의 탄소 원자수는 감광 특성을 얻을 목적에서 2 개 이상 40 개 이하인 것이 바람직하다.The number of carbon atoms of X 3 is preferably 2 or more and 40 or less for the purpose of obtaining photosensitivity properties, and the number of carbon atoms of X 4 is preferably 2 or more and 40 or less for the purpose of obtaining photosensitivity, and the carbon of Y 3 The number of atoms is preferably 2 or more and 40 or less for the purpose of obtaining photosensitivity, and the number of carbon atoms of Y 4 is preferably 2 or more and 40 or less for the purpose of obtaining photosensitivity.

그 디하이드록시디아미드 단위는 Y3(NH2)2(OH)2 의 구조를 갖는 디아미노디하이드록시 화합물 (바람직하게는 비스아미노페놀) 및 X3(COOH)2 의 구조를 갖는 디카르복실산으로부터의 합성에 의해 형성할 수 있다. 이하, 상기 디아미노디하이드록시 화합물이 비스아미노페놀인 경우를 예로 전형적인 양태를 설명한다. 그 비스아미노페놀의 2 세트의 아미노기와 하이드록시기는 각각 서로 오르토 위치에 있는 것으로서, 그 디하이드록시디아미드 단위는 약 250 ? 400 ℃ 에서의 가열에 의해 폐환되어, 내열성의 폴리옥사졸 구조로 변화한다. 일반식 (3) 중의 n3 은 감광 특성을 얻을 목적에서 1 이상, 감광 특성을 얻을 목적에서 1000 이하이다. n3 은 2 ? 1000 의 범위가 바람직하고, 3 ? 50 의 범위가 보다 바람직하고, 3 ? 20 의 범위인 것이 가장 바람직하다.The dihydroxydiamide unit is a dicarboxylic acid having a structure of a diaminodihydroxy compound (preferably bisaminophenol) and X 3 (COOH) 2 having a structure of Y 3 (NH 2 ) 2 (OH) 2 . It can form by synthesis from an acid. Hereinafter, a typical embodiment will be described by taking the case where the diaminodihydroxy compound is bisaminophenol. The two sets of amino groups and the hydroxy groups of the bisaminophenol are each at the ortho position, and the dihydroxydiamide unit is about 250? It is ring-closed by heating at 400 degreeC, and changes into a heat resistant polyoxazole structure. N <3> in General formula (3) is 1 or more in order to acquire a photosensitive characteristic, and 1000 or less for the purpose of obtaining a photosensitive characteristic. n 3 is 2? The range of 1000 is preferable and 3? The range of 50 is more preferable, and 3? Most preferably, it is the range of 20.

폴리옥사졸 전구체에는 필요에 따라 상기 디아미드 단위 n4 개가 축합되어 있어도 된다. 그 디아미드 단위는 Y4(NH2)2 의 구조를 갖는 디아민 및 X4(COOH)2 의 구조를 갖는 디카르복실산으로부터의 합성에 의해 형성할 수 있다. 일반식 (3) 중의 n4 는 0 ? 500 의 범위이고, n4 가 500 이하임으로써 양호한 감광 특성이 얻어진다. n4 는 0 ? 10 의 범위가 보다 바람직하다. 디하이드록시디아미드 단위에 대한 디아미드 단위의 비율이 지나치게 높으면 현상액으로서 사용하는 알칼리성 수용액에 대한 용해성이 저하되기 때문에, 일반식 (3) 중의 n3/(n3 + n4) 의 값은 0.5 초과이고, 0.7 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.8 이상인 것이 가장 바람직하다.In the polyoxazole precursor, n 4 of the diamide units may be condensed as necessary. The diamide unit can be formed by synthesis from a diamine having a structure of Y 4 (NH 2 ) 2 and a dicarboxylic acid having a structure of X 4 (COOH) 2 . N 4 in general formula (3) is 0? And 500 range, a good sensitivity characteristic as the n being 4 or less to 500 is obtained. n 4 Is 0? The range of 10 is more preferable. If the ratio of the diamide unit to the dihydroxydiamide unit is too high, the solubility in the alkaline aqueous solution used as the developing solution is lowered, so the value of n 3 / (n 3 + n 4 ) in the general formula (3) is 0.5 It is more than that, it is more preferable that it is 0.7 or more, and it is most preferable that it is 0.8 or more.

Y3(NH2)2(OH)2 의 구조를 갖는 디아미노디하이드록시 화합물로서의 비스아미노페놀로는, 예를 들어 3,3'-디하이드록시벤지딘, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시비페닐, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐술폰, 비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)프로판, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시벤조페논, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐에테르, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐에테르, 1,4-디아미노-2,5-디하이드록시벤젠, 1,3-디아미노-2,4-디하이드록시벤젠, 1,3-디아미노-4,6-디하이드록시벤젠 등을 들 수 있다. 이들 비스아미노페놀은 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 그 비스아미노페놀에 있어서의 Y3 기로는, 하기 식 (22): Y 3 (NH 2) 2 ( OH) as bisaminophenol as a diamino dihydroxy compound having the structure of 2 is, for example, 3,3'-dihydroxy-benzidine, 3,3'-diamino -4 , 4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 4 , 4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenylsulfone, bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl Propane, 2,2-bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis- (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis- ( 4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis- (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybenzophenone, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenylether, 3,3'-diamino-4,4 '-Dihydroxydiphenyl ether, 1,4 -Diamino-2,5-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-2,4-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-4,6-dihydroxybenzene, etc. are mentioned. These bisaminophenols can be used individually or in combination of 2 or more types. As the Y 3 group in the bisaminophenol, the following formula (22):

[화학식 27][Formula 27]

Figure pat00027
(22)
Figure pat00027
(22)

로 나타내는 것이 감광 특성 면에서 바람직하다.It is preferable from the viewpoint of the photosensitive characteristic to represent.

또, Y4(NH2)2 의 구조를 갖는 디아민으로는, 방향족 디아민, 실리콘 디아민 등을 들 수 있다. 이 중 방향족 디아민으로는, 예를 들어 m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,4-톨릴렌디아민, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐케톤, 4,4'-디아미노디페닐케톤, 3,4'-디아미노디페닐케톤, 2,2'-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4-메틸-2,4-비스(4-아미노페닐)-1-펜텐,In addition, Y as 4 (NH 2) a diamine having the structure of Figure 2, and the like aromatic diamine, a silicon diamine. Among these, as aromatic diamine, for example, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,4-tolylenediamine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, and 3,4'-diaminodiphenyl Ether, 4,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3 ' -Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenyl Ketone, 4,4'-diaminodiphenylketone, 3,4'-diaminodiphenylketone, 2,2'-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2'-bis (4-aminophenyl) Hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4-methyl -2,4-bis (4-aminophenyl) -1-pentene,

4-메틸-2,4-비스(4-아미노페닐)-2-펜텐, 1,4-비스(α,α-디메틸-4-아미노벤질)벤젠, 이미노-디-p-페닐렌디아민, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,6-디아미노나프탈렌, 4-메틸-2,4-비스(4-아미노페닐)펜탄, 5(또는 6)-아미노-1-(4-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단, 비스(p-아미노페닐)포스핀옥사이드, 4,4'-디아미노아조벤젠, 4,4'-디아미노디페닐우레아, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]벤조페논, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)디페닐술폰, 4,4'-비스[4-(α,α-디메틸-4-아미노벤질)페녹시]벤조페논, 4,4'-비스[4-(α,α-디메틸-4-아미노벤질)페녹시]디페닐술폰, 4,4'-디아미노비페닐,4-methyl-2,4-bis (4-aminophenyl) -2-pentene, 1,4-bis (α, α-dimethyl-4-aminobenzyl) benzene, imino-di-p-phenylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 4-methyl-2,4-bis (4-aminophenyl) pentane, 5 (or 6) -amino-1- (4-aminophenyl)- 1,3,3-trimethylindane, bis (p-aminophenyl) phosphine oxide, 4,4'-diaminoazobenzene, 4,4'-diaminodiphenylurea, 4,4'-bis (4-amino Phenoxy) biphenyl, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2 -Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] benzophenone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) diphenylsulfone, 4,4'-bis [4- (α, α-dimethyl- 4-aminobenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4'-bis [4- (α, α-dimethyl-4-aminobenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, 4,4'-diaminobiphenyl,

4,4'-디아미노벤조페논, 페닐인단디아민, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, o-톨루이딘술폰, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판, 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시페닐)술파이드, 1,4-(4-아미노페녹시페닐)벤젠, 1,3-(4-아미노페녹시페닐)벤젠, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-디-(3-아미노페녹시)디페닐술폰, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드 등, 그리고 이들 방향족 디아민의 방향핵의 수소 원자가 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 메톡시기, 시아노기 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기 또는 원자에 의해 치환된 화합물을 들 수 있다.4,4'-diaminobenzophenone, phenylindandiamine, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, o Toluidine sulfone, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfide, 1,4- (4-amino Phenoxyphenyl) benzene, 1,3- (4-aminophenoxyphenyl) benzene, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 4,4'-di- (3-aminophenoxy) diphenyl At least one selected from the group consisting of sulfone, 4,4'-diaminobenzanilide, and the hydrogen atom of the aromatic nucleus of these aromatic diamines selected from the group consisting of chlorine atom, fluorine atom, bromine atom, methyl group, methoxy group, cyano group and phenyl group The compound substituted by the group or atom of is mentioned.

또, 상기 디아민으로서 기재와의 접착성을 높이기 위해 실리콘 디아민을 선택할 수 있다. 실리콘 디아민의 예로는, 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스( γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산 등을 들 수 있다.Moreover, silicone diamine can be selected as said diamine in order to improve adhesiveness with a base material. Examples of the silicone diamine include bis (4-aminophenyl) dimethylsilane, bis (4-aminophenyl) tetramethylsiloxane, bis (4-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane And 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane and the like.

또, X3(COOH)2 또는 X4(COOH)2 의 구조를 갖는 바람직한 디카르복실산으로는, X3 및 X4 가 각각 직사슬, 분기 사슬 또는 고리형 구조를 갖는 지방족기 또는 방향족기인 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 방향족 고리 또는 지방족 고리를 함유하고 있어도 되는 탄소 원자수 2 개 이상 40 개 이하의 유기기가 바람직하고, X3 및 X4 는 각각 하기 식 (23):Further, X 3 (COOH) 2 or X 4 (COOH) in the desired dicarboxylic acid having the structure 2, X 3 and X 4 Is an aliphatic group or an aromatic group each having a linear, branched or cyclic structure. Especially, the organic group of 2 or more and 40 or less carbon atoms which may contain an aromatic ring or an aliphatic ring is preferable, and X <3> and X <4> are respectively following formula (23):

[화학식 28][Formula 28]

Figure pat00028
(23)
Figure pat00028
(23)

{식 중, R34 는 -CH2-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO- 및 -C(CF3)2- 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 기를 나타낸다.}In formula, R 34 is a divalent group selected from the group consisting of -CH 2- , -O-, -S-, -SO 2- , -CO-, -NHCO- and -C (CF 3 ) 2- . }

으로 나타내는 방향족기에서 바람직하게 선택할 수 있고, 이들은 감광 특성 면에서 바람직하다.It can select preferably from the aromatic group shown, and these are preferable at the point of photosensitive characteristic.

폴리옥사졸 전구체는 말단기가 특정 유기기로 밀봉된 것이어도 된다. 밀봉기에 의해 밀봉된 폴리옥사졸 전구체를 사용하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 가열 경화 후의 도포막의 기계 물성 (특히 신도) 및 경화 릴리프 패턴 형상이 양호해질 것으로 기대된다. 이와 같은 밀봉기의 바람직한 예로는, 하기 식 (24):The polyoxazole precursor may be one in which the terminal group is sealed with a specific organic group. When using the polyoxazole precursor sealed by the sealing machine, it is anticipated that the mechanical property (especially elongation) of the coating film after heat-hardening of the photosensitive resin composition of this invention, and hardening relief pattern shape will become favorable. As a preferable example of such a sealing machine, following formula (24):

[화학식 29][Formula 29]

Figure pat00029
(24)
Figure pat00029
(24)

로 나타내는 것을 들 수 있다.The thing represented by is mentioned.

폴리옥사졸 전구체의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 3,000 ? 70,000 인 것이 바람직하고, 6,000 ? 50,000 인 것이 보다 바람직하다. 이 중량 평균 분자량은 경화 릴리프 패턴의 물성의 관점에서 3,000 이상이 바람직하다. 또, 해상성의 관점에서, 70,000 이하가 바람직하다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피의 전개 용매로는, 테트라하이드로푸란, N-메틸-2-피롤리돈이 추장된다. 또, 분자량은 표준 단분산 폴리스티렌을 사용하여 작성한 검량선으로부터 구한다. 표준 단분산 폴리스티렌으로는, 쇼와 전공사 제조의 유기 용매계 표준 시료 STANDARD SM-105 에서 선택할 것이 추장된다. Polystyrene conversion weight average molecular weight by gel permeation chromatography of polyoxazole precursor was 3,000? It is preferable that it is 70,000, and 6,000? It is more preferable that it is 50,000. As for this weight average molecular weight, 3,000 or more are preferable from a viewpoint of the physical property of a hardening relief pattern. Moreover, from a viewpoint of resolution, 70,000 or less are preferable. As a developing solvent of gel permeation chromatography, tetrahydrofuran and N-methyl-2-pyrrolidone are recommended. Moreover, molecular weight is calculated | required from the analytical curve created using standard monodisperse polystyrene. As standard monodisperse polystyrene, it is recommended to select from the organic solvent-based standard sample STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko.

[폴리이미드][Polyimide]

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 바람직한 (A) 수지의 또 하나의 예는 상기 일반식 (5):Another example of preferable (A) resin in the photosensitive resin composition of this invention is the said General formula (5):

[화학식 30][Formula 30]

Figure pat00030
(5)
Figure pat00030
(5)

(식 중, X5 는 4 ? 14 가의 유기기, Y5 는 2 ? 12 가의 유기기, R7 및 R8 은 페놀성 수산기, 술폰산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 적어도 1 개 갖는 유기기를 나타내고, 또한 동일하거나 또는 상이해도 되고, n5 는 3 ? 200 의 정수이고, 그리고 m2 및 m3 은 0 ? 10 의 정수이다.) 로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드이다. 여기에서, 일반식 (5) 로 나타내는 수지는 충분한 막 특성을 발현시키는 데에 있어서 열처리의 공정에서 화학 변화를 필요로 하지 않기 때문에, 보다 저온에서의 처리에 적합하다는 점에서 특히 바람직하다.(Wherein X 5 represents a 4-14 valent organic group, Y 5 represents a 2-12 valent organic group, R 7 and R 8 represent an organic group having at least one group selected from phenolic hydroxyl groups, sulfonic acid groups or thiol groups). And may be the same or different, n 5 is an integer of 3 to 200, and m 2 and m 3 are integers of 0 to 10. Resin represented by General formula (5) is especially preferable at the point which is suitable for the process at low temperature, since chemical change is not needed in the process of heat processing in expressing sufficient film | membrane characteristic.

상기 일반식 (5) 로 나타내는 구조 단위 중의 X5 는 탄소수 4 ? 40 의 4 가 ? 14 가의 유기기인 것이 바람직하고, 내열성과 감광 특성을 양립시킨다는 점에서, 방향족 고리 또는 지방족 고리를 함유하는 탄소 원자수 5 ? 40 의 유기기인 것이 더욱 바람직하다.X <5> in the structural unit represented by the said General formula (5) is C4? 4 of 40? It is preferable that it is a 14-valent organic group, and since it is compatible with heat resistance and photosensitivity, it is 5-5 carbon atoms containing an aromatic ring or an aliphatic ring. It is more preferable that it is 40 organic groups.

상기 일반식 (5) 로 나타내는 폴리이미드는 테트라카르복실산, 대응하는 테트라카르복실산 2 무수물, 테트라카르복실산디에스테르디클로라이드 등과 디아민, 대응하는 디이소시아네이트 화합물, 트리메틸실릴화디아민을 반응시켜 얻을 수 있다. 폴리이미드는 일반적으로 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민을 반응시켜 얻어지는 폴리이미드 전구체의 하나인 폴리아미드산을, 가열 또는 산 혹은 염기 등에 의한 화학 처리로 탈수 폐환함으로써 얻을 수 있다.The polyimide represented by the said General formula (5) can be obtained by making tetracarboxylic acid, the corresponding tetracarboxylic dianhydride, tetracarboxylic acid diester dichloride, etc. react with diamine, the corresponding diisocyanate compound, and trimethylsilylated diamine. have. Polyimide can generally be obtained by dehydrating and ring-closing polyamic acid which is one of the polyimide precursors obtained by making tetracarboxylic dianhydride and diamine react by heating or chemical treatment with an acid or a base.

바람직한 테트라카르복실산 2 무수물로는, 피로멜리트산 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 2 무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2 무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌산 2 무수물,As preferable tetracarboxylic dianhydride, a pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyl tetracarboxylic Acid dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3 '-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1 -Bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2 , 3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarb Acid dianhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene acid dianhydride,

9,9-비스{4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐}플루오렌산 2 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 2 무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 2 무수물 등의 방향족 테트라카르복실산 2 무수물, 또는 부탄테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 2 무수물 등의 지방족의 테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물 및 하기 일반식 (25):9,9-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} fluorene acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6- Aromatic tetracarboxes such as pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride Aliphatic tetracarboxylic dianhydrides such as acid dianhydride or butanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4' -Diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride and the following general formula (25):

[화학식 31][Formula 31]

Figure pat00031
(25)
Figure pat00031
(25)

{식 중, R35 는 산소 원자, C(CF3)2, C(CH3)2 또는 SO2 에서 선택되는 기를 나타내고, 그리고 R36 및 R37 은 동일하거나 또는 상이해도 되고, 또한 수소 원자, 수산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 나타낸다.}로 나타내는 화합물을 들 수 있다. {Wherein, R 35 is an oxygen atom, C (CF 3) 2, C (CH 3) 2 or represents a group selected from SO 2, and R 36 and R 37 can be the same or different, and a hydrogen atom, The group chosen from a hydroxyl group or a thiol group is shown. The compound shown by (i) is mentioned.

이들 중, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 2 무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 2 무수물,Among them, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3' -Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2, 2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane 2 anhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane 2 anhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane 2 Anhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis ( 3,4-dicarboxyphenyl) sulfone 2 anhydride,

비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 2 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물, 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌산 2 무수물, 9,9-비스{4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐}플루오렌산 2 무수물 및 하기 일반식 (26)Bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfontetracar Acid dianhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene acid dianhydride, 9,9-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} fluorene acid dianhydride And the following general formula (26)

[화학식 32][Formula 32]

Figure pat00032
(26)
Figure pat00032
(26)

{식 중, R38 은 산소 원자, C(CF3)2, C(CH3)2 또는 SO2 에서 선택되는 기를 나타내고, 그리고 R39 및 R40 은 동일하거나 또는 상이해도 되고, 또한 수소 원자, 수산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 나타낸다.}으로 나타내는 구조의 산 2 무수물이 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.{Wherein, R 38 is an oxygen atom, C (CF 3) 2, C (CH 3) 2 or represents a group selected from SO 2, and R 39 and R 40 May be same or different and represents group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a thiol group. The acid dianhydride of the structure shown by (i) is preferable. These are used individually or in combination of 2 or more types.

상기 일반식 (5) 의 Y5 는 디아민의 구조 성분을 나타내고 있으며, 이 디아민으로는, 방향족 고리 또는 지방족 고리를 포함하는 2 ? 12 가의 유기기를 나타내고, 그 중에서도 탄소 원자수 5 ? 40 의 유기기가 바람직하다.Y <5> of the said General formula (5) represents the structural component of a diamine, As this diamine, 2-5 containing an aromatic ring or an aliphatic ring is mentioned. It represents a 12-valent organic group, Especially, it is C5? 40 organic groups are preferable.

디아민의 구체적인 예로는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 벤진, m-페닐렌디아민, P-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐,Specific examples of the diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 1,4- Bis (4-aminophenoxy) benzene, benzine, m-phenylenediamine, P-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobi Phenyl,

3,3'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2',3,3'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3',4,4'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌 또는 이들 방향족 고리에 알킬기 혹은 할로겐 원자로 치환한 화합물, 혹은 지방족의 시클로헥실디아민, 메틸렌비스시클로헥실아민, 및 하기 일반식 (27):3,3'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2 ', 3,3'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3', 4,4 ' -Tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-di (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene Or a compound substituted with an alkyl group or a halogen atom in these aromatic rings, or an aliphatic cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, and the following general formula (27):

[화학식 33][Formula 33]

Figure pat00033
(27)
Figure pat00033
(27)

{식 중, R41 은 산소 원자, C(CF3)2, C(CH3)2 또는 SO2 에서 선택되는 기를 나타내고, 그리고 R42 ? R45 는 동일하거나 또는 상이해도 되고, 또한 수소 원자, 수산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 나타낸다.}로 나타내는 구조의 디아민 등을 들 수 있다.In the formula, R 41 represents an oxygen atom, a group selected from C (CF 3 ) 2 , C (CH 3 ) 2 or SO 2 , and R 42 ? R 45 May be same or different and represents group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a thiol group. The diamine etc. of the structure shown by (i) are mentioned.

이들 중, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, m-페닐렌디아민, P-페닐렌디아민, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 및 하기 일반식 (28):Among them, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4 '-Diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, m-phenylenediamine, P -Phenylenediamine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, and the following general formula (28):

[화학식 34][Formula 34]

Figure pat00034
(28)
Figure pat00034
(28)

{식 중, R46 은 산소 원자, C(CF3)2, C(CH3)2 또는 SO2 에서 선택되는 기를 나타내고, 그리고 R47 ? R50 은 동일하거나 또는 상이해도 되고, 또한 수소 원자, 수산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 나타낸다.}In the formula, R 46 represents an oxygen atom, a group selected from C (CF 3 ) 2 , C (CH 3 ) 2 or SO 2 , and R 47 ? R 50 May be the same or different and further represents a group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group or a thiol group.

로 나타내는 구조의 디아민이 바람직하다.Diamine of the structure shown by is preferable.

이들 중, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 및 하기 일반식 (29):Among them, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4 '-Diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, and the following general formula (29):

[화학식 35][Formula 35]

Figure pat00035
(29)
Figure pat00035
(29)

{식 중, R51 은 산소 원자, C(CF3)2, C(CH3)2 또는 SO2 에서 선택되는 기를 나타내고, 그리고 R52 및 R53 은 동일하거나 또는 상이해도 되고, 또한 수소 원자, 수산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 나타낸다.}In the formula, R 51 Represents an oxygen atom, a group selected from C (CF 3 ) 2 , C (CH 3 ) 2 or SO 2 , and R 52 and R 53 May be the same or different and further represents a group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group or a thiol group.

로 나타내는 구조의 디아민이 특히 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.Diamine of the structure shown by is especially preferable. These are used individually or in combination of 2 or more types.

일반식 (5) 의 R7 및 R8 은 페놀성 수산기, 술폰산기 또는 티올기를 나타내고 있다. 본 발명에 있어서는, R7 및 R8 로서 페놀성 수산기, 술폰산기 및/또는 티올기를 혼재시킬 수 있다.R <7> and R <8> of General formula (5) represents a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, or a thiol group. In this invention, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, and / or a thiol group can be mixed as R <7> and R <8> .

R7 및 R8 의 알칼리 가용성기의 양을 제어함으로써, 알칼리 수용액에 대한 용해 속도가 변화하기 때문에, 이 조정에 의해 적당한 용해 속도를 가진 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.Since the dissolution rate with respect to aqueous alkali solution changes by controlling the quantity of the alkali-soluble group of R <7> and R <8> , this adjustment can obtain the photosensitive resin composition which has a suitable dissolution rate.

또한, 기판과의 접착성을 향상시키기 위해, 내열성을 저하시키지 않는 범위에서 X5, Y5 로서 실록산 구조를 갖는 지방족의 기를 공중합시켜도 된다. 구체적으로는, 디아민 성분으로서 비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 비스(p-아미노-페닐)옥타메틸펜타실록산 등을 1 ? 10 몰% 공중합한 것 등을 들 수 있다.Moreover, in order to improve adhesiveness with a board | substrate, you may copolymerize the aliphatic group which has a siloxane structure as X <5> , Y <5> in the range which does not reduce heat resistance. Specifically, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (p-amino-phenyl) octamethylpentasiloxane, or the like is used as the diamine component. 10 mol% copolymerized thing etc. are mentioned.

상기 폴리이미드는, 예를 들어 저온 중에서 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민 화합물 (일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환) 을 반응시키는 방법, 저온 중에서 테트라카르복실산 2 무수물 (일부를 산무수물 또는 모노산클로라이드 화합물 또는 모노 활성 에스테르 화합물인 말단 밀봉제로 치환) 과 디아민 화합물을 반응시키는 방법, 테트라카르복실산 2 무수물과 알코올에 의해 디에스테르를 얻고, 그 후 디아민 (일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환) 과 축합제의 존재하에서 반응시키는 방법, 테트라카르복실산 2 무수물과 알코올에 의해 디에스테르를 얻고, 그 후 나머지 디카르복실산을 산클로라이드화하고, 디아민 (일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환) 과 반응시키는 방법 등의 방법을 이용하여 폴리이미드 전구체를 얻고, 이것을 이미 알려진 이미드화 반응법을 사용하여 완전 이미드화시키는 방법, 또는 도중에 이미드화 반응을 정지시키고, 일부 이미드 구조를 도입하는 방법, 나아가서는, 완전 이미드화한 폴리머와 그 폴리이미드 전구체를 블렌드함으로써 일부 이미드 구조를 도입하는 방법을 이용하여 합성할 수 있다.The polyimide is, for example, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound (some of which are substituted with a terminal sealer which is a monoamine) at low temperature, and tetracarboxylic dianhydride (part of an acid anhydride or mono at low temperature). A method of reacting a diamine compound with a diamine compound, a diester is obtained by tetracarboxylic dianhydride and an alcohol, and then a diamine (some of which are substituted with a terminal sealer which is a monoamine). ), A method of reacting in the presence of a condensing agent, to obtain a diester with tetracarboxylic dianhydride and an alcohol, and then to acid chloride the remaining dicarboxylic acid, and to replace the diamine (some with a monoamine terminal sealer). ) To obtain a polyimide precursor using a method such as A method of completely imidizing using the true imidation reaction method, or a method of stopping the imidation reaction and introducing a part of the imide structure on the way, and further, by partially blending the fully imidized polymer and the polyimide precursor. Synthesis can be carried out using a method of introducing a DE structure.

상기 폴리이미드는 감광성 수지 조성물을 구성하는 폴리머 전체에 대해 이미드화율이 15 % 이상이 되도록 폴리이미드를 갖고 있는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 20 % 이상이다. 여기에서, 이미드화율이란 감광성 수지 조성물을 구성하는 폴리머 전체에 존재하는 이미드화의 비율을 가리킨다. 이미드화율이 15 % 를 하회하면 열경화시의 수축량이 커져, 후막 (厚膜) 제작에는 적합하지 않다.It is preferable that the said polyimide has polyimide so that the imidation ratio may be 15% or more with respect to the whole polymer which comprises the photosensitive resin composition. More preferably, it is 20% or more. Here, an imidation ratio refers to the ratio of the imidation which exists in the whole polymer which comprises the photosensitive resin composition. When the imidation ratio is less than 15%, the shrinkage amount at the time of thermosetting becomes large, and it is not suitable for thick film preparation.

이미드화율은 이하의 방법으로 용이하게 산출할 수 있다. 먼저, 폴리머의 적외 흡수 스펙트럼을 측정, 폴리이미드에서 기인하는 이미드 구조의 흡수 피크 (1780 ㎝-1 부근, 1377 ㎝-1 부근) 의 존재를 확인한다. 다음으로, 그 폴리머를 350 ℃ 에서 1 시간 열처리하고, 열처리 후의 적외 흡수 스펙트럼을 측정하여, 1377 ㎝-1 부근의 피크 강도를 열처리 전의 강도와 비교함으로써 열처리 전 폴리머 중의 이미드화율을 산출한다.The imidation ratio can be computed easily with the following method. First, the infrared absorption spectrum of a polymer is measured and the presence of the absorption peak (near 1780 cm <-1> and 1377 cm <-1> ) of the imide structure resulting from a polyimide is confirmed. Next, this polymer is heat-treated at 350 degreeC for 1 hour, the infrared absorption spectrum after heat processing is measured, and the imidation ratio in a polymer before heat processing is computed by comparing the peak intensity of around 1377 cm <-1> with the intensity before heat processing.

상기 폴리이미드의 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 측정한 경우에 3,000 ? 200,000 인 것이 바람직하고, 5,000 ? 50,000 인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 3,000 이상인 경우 기계 물성이 양호하고, 50,000 이하인 경우 현상액에 대한 분산성이 양호하여, 릴리프 패턴의 해상 성능이 양호하다.The molecular weight of the said polyimide is 3,000? When measured by the polystyrene conversion weight average molecular weight by gel permeation chromatography. It is preferable that it is 200,000, and 5,000? It is more preferable that it is 50,000. When the weight average molecular weight is 3,000 or more, the mechanical properties are good, and when the weight average molecular weight is 50,000 or less, the dispersibility to the developer is good, and the resolution performance of the relief pattern is good.

겔 퍼미에이션 크로마토그래피의 전개 용매로는, 테트라하이드로푸란 및 N-메틸-2-피롤리돈이 추장된다. 또, 분자량은 표준 단분산 폴리스티렌을 사용하여 작성한 검량선으로부터 구한다. 표준 단분산 폴리스티렌으로는, 쇼와 전공사 제조의 유기 용매계 표준 시료 STANDARD SM-105 에서 선택할 것이 추장된다.As a developing solvent of gel permeation chromatography, tetrahydrofuran and N-methyl-2-pyrrolidone are recommended. Moreover, molecular weight is calculated | required from the analytical curve created using standard monodisperse polystyrene. As standard monodisperse polystyrene, it is recommended to select from the organic solvent-based standard sample STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko.

(B) 푸린 유도체(B) purine derivatives

본 발명에 사용되는 (B) 푸린 유도체에 대하여 설명한다. (B) 푸린 유도체는 푸린 고리를 기본 골격으로 하는 화합물로서, 그 골격으로부터 유도되는 화합물을 칭하여 푸린 유도체로 한다. (B) 푸린 유도체를 사용함으로써, 구리 또는 구리 합금 상에서도 변색 억제 효과가 우수하다. 구리 또는 구리 합금 상에서도 변색 억제 효과가 우수한 것의 화학 메커니즘은 확실하지는 않지만, 질소 원자를 분자 내에 함유하는 푸린 유도체와, 산소 원자 또는 질소 원자 등의 헤테로 원자를 함유하는 (A) 수지가 수소 결합 등에 의해 적당히 상호 작용함으로써, 수지와 구리의 과도한 상호 작용이 억제되어, 구리 상에서의 변색이 방지되는 것으로 추찰된다.The (B) purine derivative used for this invention is demonstrated. The purine derivative (B) is a compound having a purine ring as a basic skeleton, and a compound derived from the skeleton is referred to as a purine derivative. By using the (B) purine derivative, the discoloration suppression effect is excellent also on copper or a copper alloy. Although the chemical mechanism of the excellent discoloration suppression effect on copper or a copper alloy is not certain, the purine derivative which contains a nitrogen atom in a molecule | numerator, and (A) resin containing hetero atoms, such as an oxygen atom or a nitrogen atom, are a hydrogen bond etc. By moderate interaction, it is inferred that excessive interaction of resin and copper is suppressed and discoloration on copper is prevented.

(B) 푸린 유도체의 구체예로는, 푸린, 아데닌, 구아닌, 하이포크산틴, 크산틴, 테오브로민, 카페인, 요산, 이소구아닌, 2,6-디아미노푸린, 9-메틸아데닌, 2-하이드록시아데닌, 2-메틸아데닌, 1-메틸아데닌, N-메틸아데닌, N,N-디메틸아데닌, 2-플루오로아데닌, 9-(2-하이드록시에틸)아데닌, 구아닌옥심, N-(2-하이드록시에틸)아데닌, 8-아미노아데닌, 6-아미노-8-페닐-9H-푸린, 1-에틸아데닌, 6-에틸아미노푸린, 1-벤질아데닌, N-메틸구아닌, 7-(2-하이드록시에틸)구아닌, N-(3-클로로페닐)구아닌, N-(3-에틸페닐)구아닌, 2-아자아데닌, 5-아자아데닌, 8-아자아데닌, 8-아자구아닌, 8-아자푸린, 8-아자크산틴, 8-아자하이포크산틴 등 및 그 유도체를 들 수 있다.Specific examples of the (B) purine derivatives include purine, adenine, guanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine, uric acid, isoguanine, 2,6-diaminopurine, 9-methyladenine, and 2-hydroxyadenine. , 2-methyladenine, 1-methyladenine, N-methyladenine, N, N-dimethyladenine, 2-fluoroadenine, 9- (2-hydroxyethyl) adenine, guanoxoxime, N- (2-hydroxy Ethyl) adenine, 8-aminoadenine, 6-amino-8-phenyl-9H-purine, 1-ethyladenine, 6-ethylaminopurine, 1-benzyldenine, N-methylguanine, 7- (2-hydroxyethyl Guanine, N- (3-chlorophenyl) guanine, N- (3-ethylphenyl) guanine, 2-azadenine, 5-azadenine, 8-azadenine, 8-azaguanine, 8-azapurin, 8- Azaxanthin, 8-azahypoxanthin and the like and derivatives thereof.

또한, (B) 푸린 유도체가 하기 일반식 (6):Moreover, (B) a purine derivative has the following general formula (6):

[화학식 36][Formula 36]

Figure pat00036
(6)
Figure pat00036
(6)

{식 중, R9 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R10 은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ? 6 의 알콕시기, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기로 치환되어 있어도 되는 아미노기이다.}으로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (7):In formula, R <9> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or aromatic group of 10 , and R 10 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a carbon atom; 6 alkoxy group, hydroxyl group, hydroxyalkyl group or C1-C? It is an amino group which may be substituted by the alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by v, following general formula (7):

[화학식 37][Formula 37]

Figure pat00037
(7)
Figure pat00037
(7)

{식 중, R11 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R12 및 R13 은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (8):In formula, R <11> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group or a carbon atom; It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by i, the following general formula (8):

[화학식 38][Formula 38]

Figure pat00038
(8)
Figure pat00038
(8)

{식 중, R14 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R15 는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ? 6 의 알콕시기, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기로 치환되어 있어도 되는 아미노기이다.}로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (9):In formula, R <14> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 15 represents a hydrogen atom, a halogen atom or C 1? 6 alkoxy group, hydroxyl group, hydroxyalkyl group or C1-C? It is an amino group which may be substituted by the alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by X and following General formula (9):

[화학식 39][Formula 39]

Figure pat00039
(9)
Figure pat00039
(9)

{식 중, R16 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, R17 및 R18 은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 푸린 유도체인 것이 구리 또는 구리 합금 상에서의 변색 억제의 관점에서 바람직하다.In formula, R <16> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 17 and R 18 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group, or a carbon atom; It is an alkyl group or an aromatic group of 10. It is preferable from a viewpoint of the discoloration suppression on copper or a copper alloy which is at least 1 sort (s) of purine derivatives chosen from the group which consists of a compound represented by X.

상기 일반식 (6) ? (9) 로 나타내는 화합물로는, 구체적으로는 푸린, 아데닌, 구아닌, 2,6-디아미노푸린, 2-하이드록시아데닌, 2-메틸아데닌, N-메틸아데닌, N,N-디메틸아데닌, 2-플루오로아데닌, N-(2-하이드록시에틸)아데닌, 구아닌옥심, N-(2-하이드록시에틸)아데닌, N-에틸아데닌, N-메틸구아닌, N-(3-에틸페닐)구아닌, 8-아자아데닌, 8-아자구아닌, 8-아자푸린 등을 들 수 있다.General formula (6) above? Specifically as a compound represented by (9), Purine, adenine, guanine, 2, 6- diaminopurine, 2-hydroxy adenine, 2-methyl adenine, N-methyl adenine, N, N-dimethyl adenine, 2 -Fluoroadenine, N- (2-hydroxyethyl) adenine, guanoxoxime, N- (2-hydroxyethyl) adenine, N-ethyladenine, N-methylguanine, N- (3-ethylphenyl) guanine, 8-azadenine, 8-azaguanine, 8-azapurin, etc. are mentioned.

그 중에서도, 하기 일반식 (10):Especially, following General formula (10):

[화학식 40][Formula 40]

Figure pat00040
(10)
Figure pat00040
10

{식 중, R19 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}으로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (11):In formula, R <19> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by v, following general formula (11):

[화학식 41][Formula 41]

Figure pat00041
(11)
Figure pat00041
(11)

{식 중, R20 은 수소 원자, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기이다.}로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (12):In formula, R <20> is a hydrogen atom, a hydroxyalkyl group, or C1-C? It is an alkyl group of 10. The compound represented by X, following General formula (12):

[화학식 42][Formula 42]

Figure pat00042
(12)
Figure pat00042
(12)

{식 중, R21 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (13):In formula, R <21> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by X and following General formula (13):

[화학식 43][Formula 43]

Figure pat00043
(13)
Figure pat00043
(13)

{식 중, R22 는 수소 원자, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기이다.}으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 푸린 유도체는 구리 또는 구리 합금 상에서의 변색 억제 면에서 더욱 바람직하다.In formula, R <22> represents a hydrogen atom, a hydroxyalkyl group, or C1-C? It is an alkyl group of 10. At least 1 sort (s) of purine derivatives chosen from the group which consists of a compound shown by v is more preferable at the point of the discoloration suppression on copper or a copper alloy.

상기 일반식 (10) ? (13) 으로 나타내는 화합물로는, 구체적으로는 푸린, 아데닌, 구아닌, 2,6-디아미노푸린, 2-하이드록시아데닌, 2-메틸아데닌, 2-플루오로아데닌, 8-아자아데닌, 8-아자구아닌, 8-아자푸린 등을 들 수 있다.General formula (10) above? Specifically as a compound represented by (13), Purine, adenine, guanine, 2, 6- diaminopurine, 2-hydroxy adenine, 2-methyl adenine, 2-fluoro adenine, 8- aza adenine, 8- Azaguanine, 8-azapurin, and the like.

또한, 푸린 유도체가 상기 일반식 (12) 로 나타내는 화합물, 및 상기 일반식 (13) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 것이 구리 또는 구리 합금 상으로의 밀착성 면에서 특히 바람직하고, 더 나은 밀착성의 관점에서, 8-아자아데닌 또는 8-아자구아닌인 것이 가장 바람직하다.The purine derivative is particularly preferably at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by the general formula (12) and a compound represented by the general formula (13) in view of adhesion to copper or a copper alloy phase. And from the viewpoint of better adhesion, most preferably 8-azadenine or 8-azaguanine.

(B) 푸린 유도체의 배합량은 (A) 수지 100 질량부에 대해 0.01 ? 10 질량부이고, 바람직하게는 0.05 ? 2 질량부이다. 상기 배합량이 0.01 질량부 이상인 경우, 구리 또는 구리 합금 상에서의 변색이 발현되고, 한편 10 질량부 이하인 경우, 보존 안정성이 우수하다.The blending amount of the (B) purine derivative is 0.01? To 100 parts by mass of the resin (A). 10 parts by mass, preferably 0.05? 2 parts by mass. When the said compounding quantity is 0.01 mass part or more, discoloration on copper or a copper alloy is expressed, and when it is 10 mass parts or less, it is excellent in storage stability.

(C) 감광제(C) photosensitizer

본 발명에 사용되는 (C) 감광제에 대하여 설명한다. (C) 감광제는, 본 발명의 감광성 수지 조성물이, (A) 수지로서 예를 들어, 주로 폴리이미드 전구체 및/또는 폴리아미드를 사용하는 네거티브형인지, (A) 수지로서 예를 들어, 주로 폴리옥사졸 전구체 및/또는 가용성 폴리이미드를 사용하는 포지티브형인지 등에 따라 상이하다.(C) Photosensitive agent used for this invention is demonstrated. (C) The photosensitive agent is the photosensitive resin composition of this invention is a negative type mainly using a polyimide precursor and / or a polyamide as (A) resin, for example, (A) resin, for example, mainly poly It depends on whether it is positive type using an oxazole precursor and / or soluble polyimide, etc.

(C) 감광제의, 감광성 수지 조성물 중의 배합량은 (A) 감광성 수지 100 질량부에 대해 1 ? 50 질량부이다. 상기 배합량은 광감도 또는 패터닝성의 관점에서 1 질량부 이상이고, 감광성 수지 조성물의 경화성 또는 경화 후의 감광성 수지층의 물성의 관점에서 50 질량부 이하이다.(C) The compounding quantity of the photosensitive agent in the photosensitive resin composition is 1 to 100 mass parts of (A) photosensitive resin. 50 parts by mass. The said compounding quantity is 1 mass part or more from a light sensitivity or patterning viewpoint, and is 50 mass parts or less from a viewpoint of the hardenability of the photosensitive resin composition or the physical property of the photosensitive resin layer after hardening.

먼저, 네거티브형을 원하는 경우에 대하여 설명한다. 이 경우, (C) 감광제로는 광중합 개시제 및/또는 광산 발생제가 사용되고, 광중합 개시제로는, 광라디칼 중합 개시제인 것이 바람직하고, 벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논 등의 벤조페논 유도체, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 등의 아세토페논 유도체, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤 유도체, 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈 등의 벤질 유도체,First, the case where a negative type is desired is demonstrated. In this case, a photoinitiator and / or a photo-acid generator are used as a photosensitive agent (C), It is preferable that it is an optical radical polymerization initiator as a photoinitiator, Benzophenone, methyl o-benzoyl benzoate, 4-benzoyl-4'-methyl Acetophenones such as benzophenone derivatives such as diphenyl ketone, dibenzyl ketone, and fluorenone, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone Thioxanthone derivatives such as derivatives, thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2-isopropyl thioxanthone, diethyl thioxanthone, benzyl, benzyl, benzyldimethyl ketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal derivative,

벤조인, 벤조인메틸에테르 등의 벤조인 유도체, 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-벤조일)옥심, 1,3-디페닐프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심 등의 옥심류, N-페닐글리신 등의 N-아릴글리신류, 벤조일퍼클로라이드 등의 과산화물류, 방향족 비이미다졸류, 티타노센류, α-(n-옥탄술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드 등의 광산 발생제류 등을 바람직하게 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기의 광중합 개시제 중에서는, 특히 광감도 면에서 옥심류가 보다 바람직하다.Benzoin derivatives such as benzoin and benzoin methyl ether, 1-phenyl-1,2-butanedione-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- ( o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-benzoyl) Oximes such as oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, N N-arylglycines such as phenylglycine, peroxides such as benzoyl perchloride, aromatic biimidazoles, titanocenes, and mineral acids such as α- (n-octanesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide Although generators etc. are mentioned preferably, It is not limited to these. In said photoinitiator, oxime is especially preferable from a light sensitivity viewpoint.

네거티브형의 감광성 수지 조성물에 (C) 감광제로서 광산 발생제를 사용하는 경우에는, 자외선과 같은 활성 광선의 조사에 의해 산성을 나타냄과 함께, 그 작용에 의해, 후술하는 (D) 성분인 가교제를 (A) 성분인 수지와 가교시키거나 또는 가교제끼리를 중합시키는 작용을 갖는다. 이 광산 발생제의 예로는, 디아릴술포늄염, 트리아릴술포늄염, 디알킬페나실술포늄염, 디아릴요오드늄염, 아릴디아조늄염, 방향족 테트라카르복실산에스테르, 방향족 술폰산에스테르, 니트로벤질에스테르, 옥심술폰산에스테르, 방향족 N-옥시이미드술포네이트, 방향족 술파마이드, 할로알킬기 함유 탄화수소계 화합물, 할로알킬기 함유 헤테로 고리형 화합물, 나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르 등이 사용된다. 이와 같은 화합물은 필요에 따라 2 종류 이상 병용하거나 다른 증감제와 조합하여 사용할 수 있다. 상기의 광산 발생제 중에서는, 특히 광감도 면에서 방향족 옥심술폰산에스테르, 방향족 N-옥시이미드술포네이트가 보다 바람직하다.When using a photo-acid generator as a photosensitive agent (C) for a negative photosensitive resin composition, while exhibiting acidity by irradiation of actinic light, such as an ultraviolet-ray, by the effect, the crosslinking agent which is (D) component mentioned later is It has the effect | action which crosslinks with resin which is (A) component, or polymerizes crosslinking agents. Examples of the photoacid generator include diarylsulfonium salts, triarylsulfonium salts, dialkylphenacylsulfonium salts, diaryl iodonium salts, aryldiazonium salts, aromatic tetracarboxylic acid esters, aromatic sulfonic acid esters, nitrobenzyl esters, Oxime sulfonic acid ester, aromatic N-oxyimide sulfonate, aromatic sulfamide, haloalkyl group-containing hydrocarbon compound, haloalkyl group-containing heterocyclic compound, naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester and the like. Such compounds may be used in combination of two or more as necessary or in combination with other sensitizers. Among the photoacid generators described above, aromatic oxime sulfonic acid esters and aromatic N-oxyimide sulfonates are more preferable in view of photosensitivity.

이들 감광제의 배합량은 (A) 수지 100 질량부에 대해 1 ? 50 질량부이고, 광감도 특성의 관점에서 2 ? 15 질량부가 바람직하다. (C) 감광제를 (A) 수지 100 질량부에 대해 1 질량부 이상 배합함으로써 광감도가 우수하고, 50 질량부 이하 배합함으로써 후막 경화성이 우수하다.The compounding quantity of these photosensitizers is 1? With respect to 100 mass parts of (A) resin. 50 parts by mass, and from the viewpoint of light sensitivity characteristics, 2? 15 parts by mass is preferred. (C) It is excellent in light sensitivity by mix | blending 1 mass part or more with respect to 100 mass parts of (A) resin, and is excellent in thick film hardenability by mix | blending 50 mass parts or less.

또한, 상기 서술한 바와 같이, 일반식 (11) 로 나타내는 (A) 수지가 이온 결합형인 경우, (A) 수지의 측사슬에 이온 결합을 개재하여 광중합성기를 부여하기 위해, 아미노기를 갖는 (메트)아크릴 화합물이 사용된다. 이 경우에는, 아미노기를 갖는 (메트)아크릴 화합물이 (C) 감광제로서 사용되고, 예를 들어 디메틸아미노에틸아크릴레이트, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 디에틸아미노에틸아크릴레이트, 디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 디메틸아미노프로필아크릴레이트, 디메틸아미노프로필메타크릴레이트, 디에틸아미노프로필아크릴레이트, 디에틸아미노프로필메타크릴레이트, 디메틸아미노부틸아크릴레이트, 디메틸아미노부틸메타크릴레이트, 디에틸아미노부틸아크릴레이트, 디에틸아미노부틸메타크릴레이트 등의 디알킬아미노알킬아크릴레이트 또는 메타크릴레이트가 바람직하고, 그 중에서도 감광 특성의 관점에서, 아미노기 상의 알킬기가 탄소수 1 ? 10, 알킬 사슬이 탄소수 1 ? 10 인 디알킬아미노알킬아크릴레이트 또는 메타크릴레이트가 바람직하다.In addition, as mentioned above, when (A) resin represented by General formula (11) is an ion bond type, in order to provide a photopolymerizable group via an ionic bond to the side chain of (A) resin, it has an amino group (meth ) Acrylic compounds are used. In this case, the (meth) acrylic compound having an amino group is used as the (C) photosensitive agent, for example, dimethylaminoethyl acrylate, dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl methacrylate. , Dimethylaminopropyl acrylate, dimethylaminopropyl methacrylate, diethylaminopropyl acrylate, diethylaminopropyl methacrylate, dimethylaminobutyl acrylate, dimethylaminobutyl methacrylate, diethylaminobutyl acrylate, di Dialkyl aminoalkyl acrylates or methacrylates, such as ethylamino butyl methacrylate, are preferable, and the alkyl group on an amino group has C1-C? 10, alkyl chain having 1? Preference is given to 10 phosphorus dialkylaminoalkylacrylates or methacrylates.

이들 아미노기를 갖는 (메트)아크릴 화합물의 배합량은 (A) 수지 100 질량부에 대해 1 ? 20 질량부이고, 광감도 특성의 관점에서 2 ? 15 질량부가 바람직하다. (C) 감광제로서 아미노기를 갖는 (메트)아크릴 화합물을 (A) 수지 100 질량부에 대해 1 질량부 이상 배합함으로써 광감도가 우수하고, 20 질량부 이하 배합함으로써 후막 경화성이 우수하다.The compounding quantity of the (meth) acryl compound which has these amino groups is 1? With respect to 100 mass parts of (A) resin. 20 parts by mass, and from the viewpoint of light sensitivity characteristics, 2? 15 parts by mass is preferred. (C) It is excellent in light sensitivity by mix | blending 1 mass part or more with respect to 100 mass parts of (A) resin, and mix | blending 20 mass parts or less with the (meth) acryl compound which has an amino group as a photosensitive agent, and is excellent in thick film hardenability.

다음으로, 포지티브형을 원하는 경우에 대하여 설명한다. 이 경우, (C) 감광제로는 광산 발생제가 사용되고, 구체적으로는, 디아조퀴논 화합물, 오늄염, 할로겐 함유 화합물 등을 사용할 수 있는데, 용제 용해성 및 보존 안정성의 관점에서, 디아조퀴논 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.Next, the case where a positive type is desired is demonstrated. In this case, a photoacid generator is used as the (C) photosensitive agent, and specifically, a diazoquinone compound, an onium salt, a halogen-containing compound, etc. can be used, but it has a diazoquinone structure from a solvent solubility and storage stability viewpoint. Compounds are preferred.

상기 디아조퀴논 화합물은 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물이고, 미국 특허 제2,772,972호 명세서, 동 제2,797,213호 명세서, 동 제3,669,658호 명세서 등에 의해 이미 알려진 물질이다. 바람직한 디아조퀴논 화합물의 예로는, 예를 들어 하기 일반식 (30):The diazoquinone compound is a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure, and is described in US Patent Nos. 2,772,972, 2,797,213, 3,669,658, and the like. By the substance already known. As an example of a preferable diazoquinone compound, the following general formula (30):

[화학식 44][Formula 44]

Figure pat00044
(30)
Figure pat00044
(30)

{식 중, Q 는 수소 원자 또는 하기 식 (31):In Formula, Q is a hydrogen atom or following formula (31):

[화학식 45][Formula 45]

Figure pat00045
(31)
Figure pat00045
(31)

로 나타내는 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르기이고, 모든 Q 가 동시에 수소 원자인 경우는 없다.}으로 나타내는 것을 들 수 있다.It is a naphthoquinone diazide sulfonic-acid ester group shown, and all Q is not the hydrogen atom at the same time. What is represented by Y is mentioned.

상기 일반식 (30) 으로 나타내는 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르기 중에서도, 하기 일반식 (32):Among the naphthoquinone diazide sulfonic acid ester groups represented by the general formula (30), the following general formula (32):

[화학식 46][Formula 46]

Figure pat00046
(32)
Figure pat00046
(32)

{식 중, Q 는 상기 일반식 (31) 에서 정의한 바와 같다.}In formula, Q is as defined in the said General formula (31).

로 나타내는 것이 특히 바람직하다.It is especially preferable to represent.

상기 오늄염으로는, 요오드늄염, 술포늄염, 포시포늄염, 포스포늄염, 암모늄염 및 디아조늄염 등을 들 수 있고, 디아릴요오드늄염, 트리아릴술포늄염 및 트리알킬술포늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 오늄염이 바람직하다.Examples of the onium salts include iodonium salts, sulfonium salts, posiponium salts, phosphonium salts, ammonium salts and diazonium salts, and the like. Onium salts are preferred.

상기 할로겐 함유 화합물로는, 할로알킬기 함유 탄화수소 화합물 등을 들 수 있고, 트리클로로메틸트리아진이 바람직하다.A haloalkyl group containing hydrocarbon compound etc. are mentioned as said halogen containing compound, and trichloromethyl triazine is preferable.

이들 광산 발생제의 배합량은 (A) 수지 100 질량부에 대해 1 ? 50 질량부이고, 5 ? 30 질량부가 바람직하다. (C) 감광제로서의 광산 발생제의 배합량이 1 질량부 이상이면 감광성 수지 조성물에 의한 패터닝성이 양호하고, 50 질량부 이하이면 감광성 수지 조성물의 경화 후의 막의 인장 신율이 양호하고, 또한 노광부의 현상 잔사 (스컴) 가 적다.The compounding quantity of these photo-acid generators is 1-100 mass parts of (A) resin. 50 parts by mass and 5? 30 mass parts is preferable. (C) Patterning property by the photosensitive resin composition is favorable when the compounding quantity of the photo-acid generator as a photosensitive agent is 1 mass part or more, tensile elongation of the film | membrane after hardening of the photosensitive resin composition is favorable, and the image development residue of an exposure part is 50 mass parts or less. Less scum

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, (D) 가교제를 함유시켜도 된다. 가교제는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 릴리프 패턴을 가열 경화시킬 때에, (A) 수지를 가교할 수 있거나, 또는 가교제 자신이 가교 네트워크를 형성할 수 있는 가교제일 수 있다. 가교제는 감광성 수지 조성물로 형성된 경화막의 내열성 및 내약품성을 더욱 강화시킬 수 있다.You may make the photosensitive resin composition of this invention contain (D) crosslinking agent. When the crosslinking agent heat-cures the relief pattern formed using the photosensitive resin composition of this invention, (A) resin can be crosslinked, or the crosslinking agent itself can be a crosslinking agent which can form a crosslinking network. The crosslinking agent can further enhance the heat resistance and chemical resistance of the cured film formed of the photosensitive resin composition.

가교제로는, 예를 들어 열가교성기를 1 개 갖는 것으로서 ML-26X, ML-24X, ML-236TMP, 4-메틸올 3M6C, ML-MC, ML-TBC (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조), P-a 형 벤조옥사진 (상품명, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조) 등, 2 개 갖는 것으로서 DM-BI25X-F, 46DMOC, 46DMOIPP, 46DMOEP (이상, 상품명, 아사히 유기재 공업 (주) 제조), DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PC, DML-PCHP, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, DML-OC, 디메틸올-Bis-C, 디메틸올-BisOC-P, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MB25, DML-MTrisPC, DML-Bis25X-34XL, DML-Bis25X-PCHP (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조), 니카락 MX-290 (상품명, (주) 산와 케미컬 제조),As a crosslinking agent, for example, having one thermally crosslinkable group, ML-26X, ML-24X, ML-236TMP, 4-methylol 3M6C, ML-MC, ML-TBC (above, trade name, Honshu Chemical Industries, Ltd.) ), Pa type benzoxazine (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), such as DM-BI25X-F, 46DMOC, 46DMOIPP, 46DMOEP (above, trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.) , DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PC, DML-PCHP, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, DML-OC, Dimethylol-Bis-C, Dimethylol -BisOC-P, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MB25, DML-MTrisPC, DML-Bis25X-34XL, DML-Bis25X-PCHP (above, trade name, Honshu Chemical industry Co., Ltd., Nikarak MX-290 (brand name, Sanwa Chemical Co., Ltd.),

B-a 형 벤조옥사진, B-m 형 벤조옥사진 (이상, 상품명, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조), 2,6-디메톡시메틸-4-t-부틸페놀, 2,6-디메톡시메틸-p-크레졸, 2,6-디아세톡시메틸-p-크레졸 등, 3 개 갖는 것으로서 TriML-P, TriML-35XL, TriML-TrisCR-HAP (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조) 등, 4 개 갖는 것으로서 TM-BIP-A (상품명, 아사히 유기재 공업 (주) 제조), TML-BP, TML-HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조), 니카락 MX-280, 니카락 MX-270 (이상, 상품명, (주) 산와 케미컬 제조) 등, 6 개 갖는 것으로서 HML-TPPHBA, HML-TPHAP (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조), 니카락 MW-390, 니카락 MW-100LM (이상, 상품명, (주) 산와 케미컬 제조) 을 들 수 있다.Ba type benzoxazine, Bm type benzoxazine (above, brand name, Shikoku Chemical Co., Ltd. product), 2, 6- dimethoxymethyl- 4-t- butylphenol, 2, 6- dimethoxymethyl- p- 4, such as cresol, 2, 6- diacetoxymethyl-p-cresol, etc. which have three, such as TriML-P, TriML-35XL, and TriML-TrisCR-HAP (above, brand names, Honshu Chemical Industries, Ltd. make) TM-BIP-A (trade name, manufactured by Asahi Organics Industry Co., Ltd.), TML-BP, TML-HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP (above, trade name, Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) ), Nicarac MX-280, Nicarac MX-270 (above, brand name, Sanwa Chemical Co., Ltd.), such as HML-TPPHBA, HML-TPHAP (above, brand name, Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) (Manufactured), and Nicarak MW-390, and Nicarak MW-100LM (above, brand names, Sanwa Chemical Co., Ltd.).

이들 중, 본 발명에서는 열가교성기를 적어도 2 개 함유하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 46DMOC, 46DMOEP (이상, 상품명, 아사히 유기재 공업 (주) 제조), DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PC, DML-PCHP, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, 디메틸올-BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조), 니카락 MX-290 (상품명, (주) 산와 케미컬 제조), B-a 형 벤조옥사진, B-m 형 벤조옥사진 (이상, 상품명, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조), 2,6-디메톡시메틸-4-t-부틸페놀, 2,6-디메톡시메틸-p-크레졸, 2,6-디아세톡시메틸-p-크레졸 등, TriML-P, TriML-35XL (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조) 등, TM-BIP-A (상품명, 아사히 유기재 공업 (주) 제조), TML-BP, TML-HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조), 니카락 MX-280, 니카락 MX-270 (이상, 상품명, (주) 산와 케미컬 제조) 등, HML-TPPHBA, HML-TPHAP (이상, 상품명, 혼슈 화학 공업 (주) 제조) 등을 들 수 있다. 또, 더욱 바람직하게는, 니카락 MX-290, 니카락 MX-280, 니카락 MX-270 (이상, 상품명, (주) 산와 케미컬 제조), B-a 형 벤조옥사진, B-m 형 벤조옥사진 (이상, 상품명, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조), 니카락 MW-390, 니카락 MW-100LM (이상, 상품명, (주) 산와 케미컬 제조) 등을 들 수 있다.Among these, in this invention, it is preferable to contain at least 2 thermal crosslinkable groups, Especially preferably, 46DMOC, 46DMOEP (above, a brand name, Asahi Organics Industry Co., Ltd. product), DML-MBPC, DML-MBOC, DML- OCHP, DML-PC, DML-PCHP, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, Dimethylol-BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC (above, trade name, Honshu Chemical Industry Co., Ltd., Nikarak MX-290 (brand name, Sanwa Chemical Co., Ltd.), Ba type benzoxazine, Bm type benzoxazine (above, brand name, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), 2 , 6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol and the like, TriML-P, TriML-35XL (or more, TM-BIP-A (trade name, manufactured by Asahi Organics Industry Co., Ltd.), TML-BP, TML-HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP (Above, brand name, Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), Nikarak MX-280, Nikarak MX-270 (above, brand name, San There may be mentioned Chemical Co.), etc., HML-TPPHBA, such as HML-TPHAP (or more, trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.). Moreover, More preferably, Nikarak MX-290, Nikarak MX-280, Nikarak MX-270 (above, brand name, Sanwa Chemical Co., Ltd.), Ba type benzoxazine, Bm type benzoxazine (or more) , Nikorak MW-390, Nikarak MW-100LM (above, brand names, Sanwa Chemical Co., Ltd.), etc. are mentioned.

내열성 및 내약품성 이외의 여러 성능과의 균형에서, 감광성 수지 조성물이 가교제를 함유하는 경우의 배합량은, (A) 수지 100 질량부에 대해 0.5 ? 20 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 ? 10 질량부이다. 그 배합량이 0.5 질량부 이상인 경우, 양호한 내열성 및 내약품성이 발현되고, 한편 20 질량부 이하인 경우, 보존 안정성이 우수하다.In the balance with various performances other than heat resistance and chemical resistance, the compounding quantity when the photosensitive resin composition contains a crosslinking agent is 0.5 to 100 mass parts of (A) resin. It is preferable that it is 20 mass parts, More preferably, it is 2? 10 parts by mass. When the compounding quantity is 0.5 mass part or more, favorable heat resistance and chemical-resistance are expressed, and when it is 20 mass parts or less, it is excellent in storage stability.

(E) 유기 티탄 화합물(E) organic titanium compound

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, (E) 유기 티탄 화합물을 함유시켜도 된다. (E) 유기 티탄 화합물을 함유함으로써, 약 250 ℃ 라는 저온에서 경화시킨 경우라 하더라도 내약품성이 우수한 감광성 수지층을 형성할 수 있다. 또, 특히 (B) 푸린 유도체와 (E) 유기 티탄 화합물의 쌍방을 감광성 수지 조성물 중에 함유시킴으로써, 큐어 후의 수지층이 기판 밀착성에 더하여 내약품성이 우수하다는 효과를 나타낸다.In the photosensitive resin composition of this invention, you may contain (E) organic titanium compound. By containing (E) organic titanium compound, even when hardened at about 250 degreeC low temperature, the photosensitive resin layer excellent in chemical-resistance can be formed. Moreover, especially when both (B) purine derivative and (E) organic titanium compound are contained in the photosensitive resin composition, the resin layer after curing shows the effect which is excellent in chemical-resistance in addition to board | substrate adhesiveness.

(E) 유기 티탄 화합물로서 사용할 수 있는 유기 티탄 화합물로는, 티탄 원자에 유기 화학 물질이 공유 결합 또는 이온 결합을 개재하여 결합되어 있는 것을 들 수 있다.(E) As an organic titanium compound which can be used as an organic titanium compound, what the organic chemical substance couple | bonded with the titanium atom via the covalent bond or the ionic bond is mentioned.

(E) 유기 티탄 화합물의 구체적인 예를 이하의 I) ? VII) 에 나타낸다:(E) Specific examples of the organic titanium compound include the following I)? VII) is shown as follows:

I) 티탄킬레이트 화합물:그 중에서도, 알콕시기를 2 개 이상 갖는 티탄킬레이트가 네거티브형 감광성 수지 조성물의 보존 안정성 및 양호한 패턴이 얻어진다는 점에서 보다 바람직하고, 구체적인 예는 티타늄비스(트리에탄올아민)디이소프로폭사이드, 티타늄디(n-부톡사이드)비스(2,4-펜탄디오네이트, 티타늄디이소프로폭사이드비스(2,4-펜탄디오네이트), 티타늄디이소프로폭사이드비스(테트라메틸헵탄디오네이트), 티타늄디이소프로폭사이드비스(에틸아세토아세테이트) 등이다.I) Titanium chelate compound: Among them, a titanium chelate having two or more alkoxy groups is more preferable in that the storage stability and a good pattern of the negative photosensitive resin composition can be obtained, and specific examples thereof are titanium bis (triethanolamine) diisopro. Poxide, titanium di (n-butoxide) bis (2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis (2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis (tetramethylheptanedio Nate), titanium diisopropoxide bis (ethylacetoacetate), and the like.

II) 테트라알콕시티탄 화합물:예를 들어, 티타늄테트라(n-부톡사이드), 티타늄테트라에톡사이드, 티타늄테트라(2-에틸헥소옥사이드), 티타늄테트라이소부톡사이드, 티타늄테트라이소프로폭사이드, 티타늄테트라메톡시사이드, 티타늄테트라메톡시프로폭사이드, 티타늄테트라메틸페녹시사이드, 티타늄테트라(n-노닐옥사이드), 티타늄테트라(n-프로폭사이드), 티타늄테트라스테아릴옥사이드, 티타늄테트라키스[비스{2,2-(아릴옥시메틸)부톡사이드}] 등이다.II) Tetraalkoxy titanium compound: For example, titanium tetra (n-butoxide), titanium tetraethoxide, titanium tetra (2-ethylhexoxide), titanium tetraisobutoxide, titanium tetraisopropoxide, titanium Tetramethoxyside, titanium tetramethoxypropoxide, titanium tetramethylphenoxyside, titanium tetra (n-nonyloxide), titanium tetra (n-propoxide), titanium tetrastearyl oxide, titanium tetrakis [bis {2,2- (aryloxymethyl) butoxide}] and the like.

III) 티타노센 화합물:예를 들어, 펜타메틸시클로펜타디에닐티타늄트리메톡시사이드, 비스(η5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)비스(2,6-디플루오로페닐)티타늄, 비스(η5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)티타늄 등이다. III) Titanocene compound: For example, pentamethylcyclopentadienyl titanium trimethoxyside, bis (η 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl) bis (2,6-difluorophenyl) Titanium, bis (η 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl) bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) phenyl) titanium, and the like.

IV) 모노알콕시티탄 화합물:예를 들어, 티타늄트리스(디옥틸포스페이트)이소프로폭사이드, 티타늄트리스(도데실벤젠술포네이트)이소프로폭사이드 등이다. IV) Monoalkoxy titanium compound: For example, titanium tris (dioctyl phosphate) isopropoxide, titanium tris (dodecylbenzenesulfonate) isopropoxide, etc.

V) 티타늄옥사이드 화합물:예를 들어, 티타늄옥사이드비스(펜탄디오네이트), 티타늄옥사이드비스(테트라메틸헵탄디오네이트), 프탈로시아닌티타늄옥사이드 등이다. V) Titanium oxide compound: For example, titanium oxide bis (pentane dionate), titanium oxide bis (tetramethylheptanedionate), a phthalocyanine titanium oxide, etc. are mentioned.

VI) 티타늄테트라아세틸아세토네이트 화합물:예를 들어, 티타늄테트라아세틸아세토네이트 등이다. VI) Titanium tetraacetylacetonate compound: For example, titanium tetraacetylacetonate.

VII) 티타네이트 커플링제:예를 들어, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트 등이다. VII) Titanate coupling agent: For example, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate and the like.

그 중에서도, (E) 유기 티탄 화합물이 상기 I) 티탄킬레이트 화합물, II) 테트라알콕시티탄 화합물, 및 III) 티타노센 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 것이 보다 양호한 내약품성을 나타낸다는 관점에서 바람직하다. 특히, 티타늄디이소프로폭사이드비스(에틸아세토아세테이트), 티타늄테트라(n-부톡사이드), 및 비스(η5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)티타늄이 바람직하다.Among them, the (E) organic titanium compound is at least one compound selected from the group consisting of the above-mentioned I) titanium chelate compound, II) tetraalkoxy titanium compound, and III) titanocene compound, which shows better chemical resistance. It is preferable from a viewpoint. In particular, titanium diisopropoxide bis (ethylacetoacetate), titanium tetra (n-butoxide), and bis (η 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl) bis (2,6-difluoro Rho-3- (1H-pyrrol-1-yl) phenyl) titanium is preferred.

(E) 유기 티탄 화합물을 배합하는 경우의 배합량은 (A) 수지 100 질량부에 대해 0.05 ? 10 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 ? 2 질량부이다. 그 배합량이 0.05 질량부 이상인 경우 양호한 내열성 및 내약품성이 발현되고, 한편 10 질량부 이하인 경우 보존 안정성이 우수하다.(E) The compounding quantity at the time of mix | blending an organic titanium compound is 0.05 to 100 mass parts of (A) resin. It is preferable that it is 10 mass parts, More preferably, it is 0.1? 2 parts by mass. When the compounding quantity is 0.05 mass part or more, favorable heat resistance and chemical-resistance are expressed, and when it is 10 mass parts or less, it is excellent in storage stability.

(F) 기타 성분(F) other ingredients

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 (A) ? (E) 성분 이외의 성분을 추가로 함유해도 된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 전형적으로는, 상기 각 성분 및 필요에 따라 추가로 사용되는 임의 성분을 용제에 용해시켜 바니시 형상으로 한 감광성 수지 조성물로서 사용하기 때문에, (F) 기타 성분으로는 용제를 들 수 있다. 용제로는, (A) 수지에 대한 용해성 면에서, 극성의 유기 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 시클로펜타논, γ-부티로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤, 테트라메틸우레아, 1,3-디메틸-2-이미다졸리논, N-시클로헥실-2-피롤리돈 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2 종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention is the said (A)? You may further contain components other than (E) component. Since the photosensitive resin composition of this invention is typically used as the photosensitive resin composition which melt | dissolved each component and the arbitrary components used further as needed in the solvent, and made it into varnish shape, as (F) other components, it is a solvent Can be mentioned. As a solvent, it is preferable to use a polar organic solvent from a solubility with respect to (A) resin. Specifically, N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, Cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, tetramethylurea, 1,3-dimethyl-2-imidazolinone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, and the like. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 용제는, 감광성 수지 조성물의 원하는 도포막 두께 및 점도에 따라, (A) 수지 100 질량부에 대해, 예를 들어 30 ? 1500 질량부의 범위, 바람직하게는 100 ? 1000 질량부의 범위에서 사용할 수 있다.According to the desired coating film thickness and viscosity of the photosensitive resin composition, the said solvent is 30-30 mass% with respect to 100 mass parts of (A) resins, for example. 1500 parts by mass, preferably 100? It can be used in the range of 1000 parts by mass.

또한, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성을 향상시키는 관점에서, 알코올류를 함유하는 용제가 바람직하다. 바람직하게 사용할 수 있는 알코올류는, 전형적으로는, 분자 내에 알코올성 수산기를 갖고, 올레핀계 2 중 결합을 갖지 않는 알코올이고, 구체적인 예로는, 메틸 알코올, 에틸 알코올, n-프로필 알코올, 이소프로필 알코올, n-부틸 알코올, 이소부틸 알코올, tert-부틸 알코올 등의 알킬 알코올류, 락트산에틸 등의 락트산에스테르류, 프로필렌글리콜-1-메틸에테르, 프로필렌글리콜-2-메틸에테르, 프로필렌글리콜-1-에틸에테르, 프로필렌글리콜-2-에틸에테르, 프로필렌글리콜-1-(n-프로필)에테르, 프로필렌글리콜-2-(n-프로필)에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜-n-프로필에테르 등의 모노 알코올류, 2-하이드록시이소부티르산에스테르류, 에틸렌글리콜 및 프로필렌글리콜 등의 디알코올류를 들 수 있다. 이들 중에서는, 락트산에스테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 2-하이드록시이소부티르산에스테르류 및 에틸 알코올이 바람직하고, 특히 락트산에틸, 프로필렌글리콜-1-메틸에테르, 프로필렌글리콜-1-에틸에테르 및 프로필렌글리콜-1-(n-프로필)에테르가 보다 바람직하다.Moreover, the solvent containing alcohol is preferable from a viewpoint of improving the storage stability of the photosensitive resin composition. The alcohols which can be preferably used are typically alcohols which have an alcoholic hydroxyl group in the molecule and do not have an olefinic double bond, and specific examples thereof include methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, alkyl alcohols such as n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, tert-butyl alcohol, lactic acid esters such as ethyl lactate, propylene glycol-1-methyl ether, propylene glycol-2-methyl ether, propylene glycol-1-ethyl ether Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol-2-ethyl ether, propylene glycol-1- (n-propyl) ether and propylene glycol-2- (n-propyl) ether, ethylene glycol methyl ether and ethylene glycol ethyl ether , Dial alcohols such as monoalcohols such as ethylene glycol-n-propyl ether, 2-hydroxyisobutyric acid esters, ethylene glycol and propylene glycol It may be a flow. Among these, lactic acid esters, propylene glycol monoalkyl ethers, 2-hydroxyisobutyric acid esters and ethyl alcohol are preferable, and ethyl lactate, propylene glycol-1-methyl ether, propylene glycol-1-ethyl ether, and Propylene glycol-1- (n-propyl) ether is more preferred.

용제가 올레핀계 2 중 결합을 갖지 않는 알코올을 함유하는 경우, 전체 용제 중에서 차지하는 올레핀계 2 중 결합을 갖지 않는 알코올의 함량은 5 ? 50 질량% 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ? 30 질량% 이다. 올레핀계 2 중 결합을 갖지 않는 알코올의 상기 함량이 5 질량% 이상인 경우, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 양호해지고, 50 질량% 이하인 경우, (A) 수지의 용해성이 양호해진다.When the solvent contains an alcohol having no olefinic double bond, the content of alcohol having no olefinic double bond in the total solvent is 5? It is preferable that it is 50 mass%, More preferably, it is 10? 30 mass%. When the said content of the alcohol which does not have an olefinic double bond is 5 mass% or more, the storage stability of the photosensitive resin composition becomes favorable, and when it is 50 mass% or less, the solubility of (A) resin becomes favorable.

또, 예를 들어 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 기판 상에 경화막을 형성하는 경우에는, 구리 상의 변색을 억제하기 위해 아졸 화합물을 임의로 배합할 수 있다.Moreover, when forming a cured film on the board | substrate which consists of copper or a copper alloy using the photosensitive resin composition of this invention, for example, an azole compound can be mix | blended arbitrarily in order to suppress discoloration on a copper phase.

아졸 화합물로는, 1H-트리아졸, 5-메틸-1H-트리아졸, 5-에틸-1H-트리아졸, 4,5-디메틸-1H-트리아졸, 5-페닐-1H-트리아졸, 4-t-부틸-5-페닐-1H-트리아졸, 5-하이드록시페닐-1H-트리아졸, 페닐트리아졸, p-에톡시페닐트리아졸, 5-페닐-1-(2-디메틸아미노에틸)트리아졸, 5-벤질-1H-트리아졸, 하이드록시페닐트리아졸, 1,5-디메틸트리아졸, 4,5-디에틸-1H-트리아졸, 1H-벤조트리아졸, 2-(5-메틸-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-[2-하이드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-벤조트리아졸, 2-(3,5-디-t-부틸-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-5-메틸-2-하이드록시페닐)-벤조트리아졸, 2-(3,5-디-t-아밀-2-하이드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-하이드록시-5'-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 하이드록시페닐벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 4-메틸-1H-벤조트리아졸, 4-카르복시-1H-벤조트리아졸, 5-카르복시-1H-벤조트리아졸, 1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 1-메틸-1H-테트라졸 등을 들 수 있다.As the azole compound, 1H-triazole, 5-methyl-1H-triazole, 5-ethyl-1H-triazole, 4,5-dimethyl-1H-triazole, 5-phenyl-1H-triazole, 4- t-butyl-5-phenyl-1H-triazole, 5-hydroxyphenyl-1H-triazole, phenyltriazole, p-ethoxyphenyltriazole, 5-phenyl-1- (2-dimethylaminoethyl) tria Sol, 5-benzyl-1H-triazole, hydroxyphenyltriazole, 1,5-dimethyltriazole, 4,5-diethyl-1H-triazole, 1H-benzotriazole, 2- (5-methyl- 2-hydroxyphenyl) benzotriazole, 2- [2-hydroxy-3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl] -benzotriazole, 2- (3,5-di-t-butyl 2-hydroxyphenyl) benzotriazole, 2- (3-t-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl) -benzotriazole, 2- (3,5-di-t-amyl-2- Hydroxyphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-t-octylphenyl) benzotriazole, hydroxyphenylbenzotriazole, tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 4-methyl-1H-benzotriazole, 4-car Dipoxy-1H-benzotriazole, 5-carboxy-1H-benzotriazole, 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 1-methyl-1H-tetrazole, etc. are mentioned.

특히 바람직하게는, 톨릴트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸 및 4-메틸-1H-벤조트리아졸을 들 수 있다. 또, 이들 아졸 화합물은 1 종으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합물로 사용해도 상관없다.Especially preferably, tolyltriazole, 5-methyl- 1H- benzotriazole, and 4-methyl- 1H- benzotriazole are mentioned. Moreover, these azole compounds may be used by 1 type, and may be used by 2 or more types of mixtures.

감광성 수지 조성물이 상기 아졸 화합물을 함유하는 경우의 배합량은, (A) 수지 100 질량부에 대해 0.1 ? 20 질량부인 것이 바람직하고, 광감도 특성의 관점에서 0.5 ? 5 질량부가 보다 바람직하다. 아졸 화합물의 (A) 수지 100 질량부에 대한 배합량이 0.1 질량부 이상인 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 구리 또는 구리 합금 상에 형성했을 경우에, 구리 또는 구리 합금 표면의 변색이 억제되고, 한편 20 질량부 이하인 경우에는 광감도가 우수하다.The compounding quantity when the photosensitive resin composition contains the said azole compound is 0.1? With respect to 100 mass parts of (A) resin. It is preferable that it is 20 mass parts, and it is 0.5-from a viewpoint of photosensitivity characteristic. 5 mass parts is more preferable. When the compounding quantity of the azole compound with respect to 100 mass parts of (A) resin is discolored on the surface of copper or a copper alloy, when the photosensitive resin composition of this invention is formed on copper or a copper alloy, When it is 20 mass parts or less, it is excellent in photosensitivity.

또, 구리 표면 상의 변색을 억제하기 위해 힌더드페놀 화합물을 임의로 배합할 수 있다. 힌더드페놀 화합물로는, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, 2,5-디-t-부틸-하이드로퀴논, 옥타데실-3-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 이소옥틸-3-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디-t-부틸페놀), 4,4'-티오-비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4'-부틸리덴-비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 트리에틸렌글리콜-비스[3-(3-t-부틸-5-메틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 1,6-헥산디올-비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 2,2-티오-디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], N,N'-헥사메틸렌비스(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시-하이드로신남아미드), 2,2'-메틸렌-비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌-비스(4-에틸-6-t-부틸페놀), Moreover, in order to suppress discoloration on a copper surface, a hindered phenol compound can be mix | blended arbitrarily. As a hindered phenol compound, 2, 6- di- t- butyl- 4-methyl phenol, 2, 5- di- t- butyl- hydroquinone, octadecyl-3- (3, 5- di-t- butyl 4-hydroxyphenyl) propionate, isooctyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 4,4'-methylenebis (2,6-di -t-butylphenol), 4,4'-thio-bis (3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4'-butylidene-bis (3-methyl-6-t-butylphenol) , Triethylene glycol-bis [3- (3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,6-hexanediol-bis [3- (3,5-di-t -Butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,2-thio-diethylenebis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], N, N'-hexamethylenebis (3,5-di-t-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 2,2'-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2, 2'-methylene-bis (4-ethyl-6-t-butylphenol),

펜타에리트리톨-테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 트리스(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠, 1,3,5-트리스(3-하이드록시-2,6-디메틸-4-이소프로필벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-하이드록시-2,6-디메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-s-부틸-3-하이드록시-2,6-디메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스[4-(1-에틸프로필)-3-하이드록시-2,6-디메틸벤질]-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온,Pentaerythritol-tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)- Isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 1,3,5-tris (3-hydroxy Roxy-2,6-dimethyl-4-isopropylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4 -t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5- Tris (4-s-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3 , 5-tris [4- (1-ethylpropyl) -3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl] -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H)- Trion,

1,3,5-트리스[4-트리에틸메틸-3-하이드록시-2,6-디메틸벤질]-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(3-하이드록시-2,6-디메틸-4-페닐벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-하이드록시-2,5,6-트리메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-5-에틸-3-하이드록시-2,6-디메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-6-에틸-3-하이드록시-2-메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-6-에틸-3-하이드록시-2,5-디메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-5,6-디에틸-3-하이드록시-2-메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온,1,3,5-tris [4-triethylmethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl] -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H)- Trione, 1,3,5-tris (3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-phenylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -Trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,5,6-trimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H , 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2 , 4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5 -Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl ) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5,6-diethyl-3 -Hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione,

1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-하이드록시-2-메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-하이드록시-2,5-디메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-5-에틸-3-하이드록시-2-메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온 등을 들 수 있는데, 이것에 한정되는 것은 아니다. 이들 중에서도, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-하이드록시-2,6-디메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온 등이 특히 바람직하다. 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione , 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -Trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H Although, 3H, 5H) -trione etc. are mentioned, It is not limited to this. Among these, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione and the like are particularly preferred.

힌더드페놀 화합물의 배합량은, (A) 수지 100 질량부에 대해 0.1 ? 20 질량부인 것이 바람직하고, 광감도 특성의 관점에서 0.5 ? 10 질량부인 것이 보다 바람직하다. 힌더드페놀 화합물의 (A) 수지 100 질량부에 대한 배합량이 0.1 질량부 이상인 경우, 예를 들어 구리 또는 구리 합금 상에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 형성한 경우에, 구리 또는 구리 합금의 변색ㆍ부식이 방지되고, 한편 20 질량부 이하인 경우에는 광감도가 우수하다.The compounding quantity of a hindered phenol compound is 0.1 to 100 mass parts of (A) resin. It is preferable that it is 20 mass parts, and it is 0.5-from a viewpoint of photosensitivity characteristic. It is more preferable that it is 10 mass parts. When the compounding quantity of the hindered phenol compound with respect to 100 mass parts of (A) resin is 0.1 mass part or more, for example, when the photosensitive resin composition of this invention is formed on copper or a copper alloy, discoloration of copper or a copper alloy Corrosion is prevented, and when it is 20 mass parts or less, it is excellent in photosensitivity.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 성분 이외의 성분을 함유해도 된다. 그 성분의 바람직한 것은 (A) 수지로서 예를 들어 폴리이미드 전구체 등을 사용하는 네거티브형인지 폴리옥사졸 전구체 등을 사용하는 포지티브형인지 등에 따라 상이하다.The photosensitive resin composition of this invention may contain components other than the said component. Preferred examples of the component differ depending on whether the resin is negative type using a polyimide precursor or the like as the resin (A) or positive type using a polyoxazole precursor or the like.

(A) 수지로서 폴리이미드 전구체 등을 사용하는 네거티브형의 경우에는, 광감도를 향상시키기 위해 증감제를 임의로 배합할 수 있다. 그 증감제로는, 예를 들어 미힐러케톤, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,5-비스(4'-디에틸아미노벤잘)시클로펜탄, 2,6-비스(4'-디에틸아미노벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4'-디에틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 4,4'-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4'-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비페닐렌)-벤조티아졸, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)벤조티아졸, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4'-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-비스(4'-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3'-카르보닐-비스(7-디에틸아미노쿠마린), 3-아세틸-7-디메틸아미노쿠마린, 3-에톡시카르보닐-7-디메틸아미노쿠마린, 3-벤질옥시카르보닐-7-디메틸아미노쿠마린, 3-메톡시카르보닐-7-디에틸아미노쿠마린, 3-에톡시카르보닐-7-디에틸아미노쿠마린, N-페닐-N'-에틸에탄올아민, N-페닐디에탄올아민, N-p-톨릴디에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 4-모르폴리노벤조페논, 디메틸아미노벤조산이소아밀, 디에틸아미노벤조산이소아밀, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 1-페닐-5-메르캅토테트라졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈옥사졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈티아졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)나프토(1,2-d)티아졸, 2-(p-디메틸아미노벤조일)스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 예를 들어 2 ? 5 종류의 조합으로 사용할 수 있다.(A) In the case of the negative type which uses a polyimide precursor etc. as resin, a sensitizer can be mix | blended arbitrarily in order to improve light sensitivity. As the sensitizer, for example, Michler's ketone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2,5-bis (4'-diethylaminobenzal) cyclopentane, 2,6-bis (4 '-Diethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4'-diethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4'- Bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylbiphenylene) -benzothiazole, 2- (p-dimethyl Aminophenylvinylene) benzothiazole, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) isonaphthothiazole, 1,3-bis (4'-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-bis (4'-di Ethylaminobenzal) acetone, 3,3'-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), 3-acetyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-benzyl Oxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-methoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, 3- Oxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, N-phenyl-N'-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, Np-tolyl diethanolamine, N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, Dimethylaminobenzoic acid isoamyl, diethylaminobenzoic acid isoamyl, 2-mercaptobenzimidazole, 1-phenyl-5-mercaptotetazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2- (p-dimethylaminosty Reyl) benzoxazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzthiazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) naphtho (1,2-d) thiazole, 2- (p-dimethylaminobenzoyl Styrene, etc. may be mentioned. These alone or for example 2? It can be used in combination of five kinds.

광감도를 향상시키기 위한 증감제를 감광성 수지 조성물이 함유하는 경우의 배합량은, (A) 수지 100 질량부에 대해 0.1 ? 25 질량부인 것이 바람직하다.The compounding quantity when the photosensitive resin composition contains the sensitizer for improving photosensitivity is 0.1 to 100 mass parts of (A) resin. It is preferable that it is 25 mass parts.

또, 릴리프 패턴의 해상성을 향상시키기 위해, 광중합성의 불포화 결합을 갖는 모노머를 임의로 배합할 수 있다. 이와 같은 모노머로는, 광중합 개시제에 의해 라디칼 중합 반응하는 (메트)아크릴 화합물이 바람직하고, 특히 이하에 한정하는 것은 아니지만, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트 등의, 에틸렌글리콜 또는 폴리에틸렌글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 프로필렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 글리세롤의 모노, 디 또는 트리아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 시클로헥산디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올의 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올의 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜의 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 비스페놀 A 의 모노 또는 디아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 벤젠트리메타크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 아크릴아미드 및 그 유도체, 메타크릴아미드 및 그 유도체, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 글리세롤의 디 또는 트리아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 펜타에리트리톨의 디, 트리, 또는 테트라아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 그리고 이들 화합물의 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물 등의 화합물을 들 수 있다.Moreover, in order to improve the resolution of a relief pattern, the monomer which has a photopolymerizable unsaturated bond can be mix | blended arbitrarily. As such a monomer, the (meth) acryl compound which carries out radical polymerization reaction with a photoinitiator is preferable, Although it does not specifically limit to the following, Ethylene, such as diethylene glycol dimethacrylate and tetraethylene glycol dimethacrylate, is preferable. Mono or diacrylate and methacrylate of glycol or polyethylene glycol, mono or diacrylate and methacrylate of propylene glycol or polypropylene glycol, mono, di or triacrylate and methacrylate of glycerol, cyclohexanediacryl Late and dimethacrylate, diacrylate and dimethacrylate of 1,4-butanediol, diacrylate and dimethacrylate of 1,6-hexanediol, diacrylate and dimethacrylate of neopentylglycol , Bisphenol A mono or diacrylates and methacrylates, benzene Trimethacrylate, isobornylacrylate and methacrylate, acrylamide and derivatives thereof, methacrylamide and derivatives thereof, trimethylolpropanetriacrylate and methacrylate, di or triacrylate and methacrylate of glycerol And di, tri, or tetraacrylates and methacrylates of pentaerythritol, and compounds such as ethylene oxide and propylene oxide adducts of these compounds.

릴리프 패턴의 해상성을 향상시키기 위한 상기의 광중합성의 불포화 결합을 갖는 모노머를 감광성 수지 조성물이 함유하는 경우, 광중합성의 불포화 결합을 갖는 모노머의 배합량은 (A) 수지 100 질량부에 대해 1 ? 50 질량부인 것이 바람직하다.When the photosensitive resin composition contains the monomer which has the said photopolymerizable unsaturated bond for improving the resolution of a relief pattern, the compounding quantity of the monomer which has a photopolymerizable unsaturated bond is 1-100 mass parts with respect to (A) resin. It is preferable that it is 50 mass parts.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 막과 기재의 접착성 향상을 위해 접착 보조제를 임의로 배합할 수 있다. 접착 보조제로는, γ-아미노프로필디메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필디메톡시메틸실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 디메톡시메틸-3-피페리디노프로필실란, 디에톡시-3-글리시독시프로필메틸실란, N-(3-디에톡시메틸실릴프로필)숙신이미드, N-[3-(트리에톡시실릴)프로필]프탈아미드산, 벤조페논-3,3'-비스(N-[3-트리에톡시실릴]프로필아미드)-4,4'-디카르복실산, 벤젠-1,4-비스(N-[3-트리에톡시실릴]프로필아미드)-2,5-디카르복실산, 3-(트리에톡시실릴)프로필숙시닉안하이드라이드, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-(트리알콕시실릴)프로필숙신산 무수물 등의 실란 커플링제, 및 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트), 에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트 등의 알루미늄계 접착 보조제 등을 들 수 있다.Moreover, an adhesion | attachment adjuvant can be mix | blended arbitrarily for the adhesive improvement of the film | membrane and base material formed using the photosensitive resin composition of this invention. Examples of the adhesion aid include γ-aminopropyldimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, and γ-mercaptopropylmethyldimethoxy Silane, 3-methacryloxypropyldimethoxymethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilane, diethoxy-3-glycidoxypropylmethylsilane, N- (3-diethoxymethylsilylpropyl) succinimide, N- [3- (triethoxysilyl) propyl] phthalamic acid, benzophenone-3,3'-bis (N- [3-triethoxysilyl] Propylamide) -4,4'-dicarboxylic acid, benzene-1,4-bis (N- [3-triethoxysilyl] propylamide) -2,5-dicarboxylic acid, 3- (trie Methoxysilyl) propylsuccinic anhydride, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3- (trialkoxysilyl) propylsuccinate There may be mentioned anhydrides, such as silane coupling agents, and aluminum tris (ethylacetoacetate), aluminum tris (acetyl acetonate), ethylacetoacetate aluminum di-isopropylate, such as aluminum-based adjuvant, such as adhesive.

이들 접착 보조제 중에서는, 접착력 면에서 실란 커플링제를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 감광성 수지 조성물이 접착 보조제를 함유하는 경우, 접착 보조제의 배합량은 (A) 수지 100 질량부에 대해 0.5 ? 25 질량부의 범위가 바람직하다.In these adhesion | attachment adjuvant, it is more preferable to use a silane coupling agent from an adhesive force viewpoint. When the photosensitive resin composition contains an adhesion | attachment adjuvant, the compounding quantity of an adhesion | attachment adjuvant is 0.5 to 100 mass parts of (A) resin. The range of 25 mass parts is preferable.

또, 특히 용제를 함유하는 용액 상태에서의 보존시의 감광성 수지 조성물의 점도 및 광감도의 안정성을 향상시키기 위해 열중합 금지제를 임의로 배합할 수 있다. 열중합 금지제로는, 하이드로퀴논, N-니트로소디페닐아민, p-tert-부틸카테콜, 페노티아진, N-페닐나프틸아민, 에틸렌디아민4아세트산, 1,2-시클로헥산디아민4아세트산, 글리콜에테르디아민4아세트산, 2,6-디-tert-부틸-p-메틸페놀, 5-니트로소-8-하이드록시퀴놀린, 1-니트로소-2-나프톨, 2-니트로소-1-나프톨, 2-니트로소-5-(N-에틸-N-술포프로필아미노)페놀, N-니트로소-N-페닐하이드록실아민암모늄염, N-니트로소-N(1-나프틸)하이드록실아민암모늄염 등이 사용된다.Moreover, especially a thermal polymerization inhibitor can be mix | blended arbitrarily in order to improve the stability of the viscosity and photosensitivity of the photosensitive resin composition at the time of storage in the solution state containing a solvent. Examples of the thermal polymerization inhibitor include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, p-tert-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediamine tetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediamine tetraacetic acid, Glycol etherdiamine tetraacetic acid, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso-5- (N-ethyl-N-sulfopropylamino) phenol, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium salt, N-nitroso-N (1-naphthyl) hydroxylamine ammonium salt, etc. This is used.

감광성 수지 조성물에 배합하는 경우의 열중합 금지제의 배합량으로는, (A) 수지 100 질량부에 대해 0.005 ? 12 질량부의 범위가 바람직하다.As a compounding quantity of the thermal-polymerization inhibitor in the case of mix | blending with the photosensitive resin composition, it is 0.005-about 100 mass parts of (A) resin. The range of 12 mass parts is preferable.

한편, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (A) 수지로서 폴리옥사졸 전구체 등을 사용하는 포지티브형의 경우에는, 필요에 따라 종래 감광성 수지 조성물의 첨가제로서 사용되고 있는 염료, 계면 활성제, 기재와의 밀착성을 높이기 위한 접착 보조제 등을 첨가할 수 있다.On the other hand, in the photosensitive resin composition of this invention, in the case of the positive type which uses a polyoxazole precursor etc. as (A) resin, it is conventionally used as an additive of the photosensitive resin composition, surfactant, and a base material. An adhesion | attachment adjuvant etc. for improving adhesiveness can be added.

상기 첨가제에 대하여 더욱 구체적으로 서술하면, 염료로는, 예를 들어 메틸 바이올렛, 크리스탈 바이올렛, 말라카이트 그린 등을 들 수 있다. 또, 계면 활성제로는, 예를 들어 폴리프로필렌글리콜 또는 폴리옥시에틸렌라우릴에테르 등의 폴리글리콜류 또는 그 유도체로 이루어지는 비이온계 계면 활성제, 예를 들어 플로라드 (상품명, 스미토모 3M 사 제조), 메가팍 (상품명, 다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조) 또는 루미프론 (상품명, 아사히 가라스사 제조) 등의 불소계 계면 활성제, 예를 들어 KP341 (상품명, 신에츠 화학 공업사 제조), DBE (상품명, 치소사 제조), 그라놀 (상품명, 쿄에이샤 화학사 제조) 등의 유기 실록산 계면 활성제를 들 수 있다. 접착 보조제로는, 예를 들어 알킬이미다졸린, 부티르산, 알킬산, 폴리하이드록시스티렌, 폴리비닐메틸에테르, t-부틸노볼락, 에폭시실란, 에폭시 폴리머 등, 및 각종 실란 커플링제를 들 수 있다.More specifically, the additives include methyl violet, crystal violet, malachite green and the like as the dye. Moreover, as surfactant, For example, Nonionic surfactant which consists of polyglycols, such as polypropylene glycol or polyoxyethylene lauryl ether, or its derivatives, For example, Florade (brand name, the Sumitomo 3M company make), Fluorine-based surfactants such as Megapak (trade name, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals Co., Ltd.) or Lumipron (trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), for example, KP341 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), DBE (trade name, manufactured by Chisoh Corporation) And organic siloxane surfactants such as granol (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.). As an adhesion | attachment adjuvant, alkylimidazoline, butyric acid, alkyl acid, polyhydroxy styrene, polyvinyl methyl ether, t-butyl novolak, an epoxy silane, an epoxy polymer, etc., and various silane coupling agents are mentioned, for example. .

실란 커플링제의 구체적인 바람직한 예로는, 예를 들어 N-페닐-3-아미노프로필트리알콕시실란, 3-메르캅토프로필트리알콕시실란, 2-(트리알콕시실릴에틸)피리딘, 3-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, 3-메타크릴옥시프로필디알콕시알킬실란, 3-글리시독시프로필트리알콕시실란, 3-글리시독시프로필디알콕시알킬실란, 3-아미노프로필트리알콕시실란 및 3-아미노프로필디알콕시알킬실란 그리고 산무수물 및 산2무수물의 반응물, 3-아미노프로필트리알콕시실란 또는 3-아미노프로필디알콕시알킬실란의 아미노기를 우레탄기 또는 우레아기로 변환한 것 등을 들 수 있다. 또한, 이 때의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 부틸기 등을, 산무수물로는 말레산 무수물, 프탈산 무수물 등을, 산2무수물로는 피로멜리트산 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2 무수물 등을, 우레탄기로는 t-부톡시카르보닐아미노기 등을, 우레아기로는 페닐아미노카르보닐아미노기 등을 들 수 있다. Specific preferred examples of the silane coupling agent include, for example, N-phenyl-3-aminopropyltrialkoxysilane, 3-mercaptopropyltrialkoxysilane, 2- (trialkoxysilylethyl) pyridine, 3-methacryloxypropyltri Alkoxysilane, 3-methacryloxypropyl dialkoxyalkylsilane, 3-glycidoxypropyltrialkoxysilane, 3-glycidoxypropyl dialkoxyalkylsilane, 3-aminopropyltrialkoxysilane and 3-aminopropyl dialkoxyalkyl And a reaction product of a silane and an acid anhydride and an acid dianhydride, and an amino group of 3-aminopropyltrialkoxysilane or 3-aminopropyldialkoxyalkylsilane is converted to a urethane group or a urea group. At this time, the alkyl group is methyl group, ethyl group, butyl group and the like, maleic anhydride and phthalic anhydride as acid anhydride, pyromellitic dianhydride as acid 2 anhydride, 3,3 ', 4,4' -Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 4,4'- oxydiphthalic acid dianhydride, a t-butoxycarbonylamino group etc. are mentioned as a urethane group, A phenylaminocarbonylamino group etc. are mentioned as a urea group.

<경화 릴리프 패턴의 제조 방법 및 반도체 장치><Manufacturing method and semiconductor device of hardening relief pattern>

또, 본 발명은 (1) 상기 서술한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포함으로써 수지층을 그 기판 상에 형성하는 공정과, (2) 그 수지층을 노광하는 공정과, (3) 그 노광 후의 수지층을 현상하여 릴리프 패턴을 형성하는 공정과, (4) 그 릴리프 패턴을 가열 처리함으로써 경화 릴리프 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 경화 릴리프 패턴의 제조 방법을 제공한다. 이하, 각 공정의 전형적인 양태에 대하여 설명한다.Moreover, this invention is the process of (1) forming the resin layer on the board | substrate by apply | coating the photosensitive resin composition of this invention mentioned above on a board | substrate, (2) exposing the resin layer, (3) The manufacturing method of the cured relief pattern is provided including the process of developing the resin layer after the exposure, and forming a relief pattern, and (4) forming the cured relief pattern by heat-processing the relief pattern. Hereinafter, the typical aspect of each process is demonstrated.

(1) 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포함으로써 수지층을 그 기판 상에 형성하는 공정(1) Process of forming a resin layer on the board | substrate by apply | coating the photosensitive resin composition on a board | substrate.

본 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하고, 필요에 따라 그 후에 건조시켜 수지층을 형성한다. 도포 방법으로는, 종래부터 감광성 수지 조성물의 도포에 사용되었던 방법, 예를 들어 스핀 코터, 바 코터, 블레이드 코터, 커튼 코터, 스크린 인쇄기 등으로 도포하는 방법, 스프레이 코터로 분무 도포하는 방법 등을 사용할 수 있다.In this process, the photosensitive resin composition of this invention is apply | coated on a base material, it is made to dry after that, and a resin layer is formed as needed. As a coating method, the method used conventionally for the application of the photosensitive resin composition, for example, the method of apply | coating with a spin coater, a bar coater, a blade coater, a curtain coater, a screen printing machine, etc., the method of spray application with a spray coater, etc. can be used. Can be.

필요에 따라 감광성 수지 조성물로 이루어지는 도포막을 건조시킬 수 있다. 건조 방법으로는, 풍건, 오븐 또는 핫플레이트에 의한 가열 건조, 진공 건조 등의 방법이 사용된다. 구체적으로는, 풍건 또는 가열 건조를 실시하는 경우, 20 ℃ ? 140 ℃ 에서 1 분 ? 1 시간의 조건에서 건조시킬 수 있다. 이상과 같이, 기판 상에 수지층을 형성할 수 있다.As needed, the coating film which consists of a photosensitive resin composition can be dried. As a drying method, methods, such as air drying, oven drying with a hotplate, or vacuum drying, are used. Specifically, when air drying or heat drying is performed, it is 20 degreeC? 1 minute at 140 ℃? It can dry on conditions of 1 hour. As described above, the resin layer can be formed on the substrate.

(2) 수지층을 노광하는 공정(2) Process of exposing resin layer

본 공정에서는, 상기에서 형성한 수지층을, 콘택트 얼라이너, 미러 프로젝션, 스테퍼 등의 노광 장치를 사용하여, 패턴을 갖는 포토마스크 또는 레티클을 개재하여 또는 직접 자외선 광원 등에 의해 노광한다.In this process, the resin layer formed above is exposed using a photomask or a reticle having a pattern or directly by an ultraviolet light source or the like using an exposure apparatus such as a contact aligner, a mirror projection, or a stepper.

이 후, 광감도의 향상 등의 목적에서, 필요에 따라 임의의 온도 및 시간의 조합에 의한 노광 후 베이크 (PEB) 및/또는 현상 전 베이크를 실시해도 된다. 베이크 조건의 범위는, 온도는 40 ? 120 ℃ 이고, 그리고 시간은 10 초 ? 240 초인 것이 바람직하지만, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 여러 특성을 저해하는 것이 아닌 한 이 범위에 한정되지 않는다.Thereafter, for the purpose of improving the photosensitivity, after exposure bake (PEB) and / or predevelopment bake by a combination of arbitrary temperatures and times may be performed as necessary. The baking conditions range from 40 ° C. 120 ℃, and the time is 10 seconds? Although it is preferable that it is 240 second, it is not limited to this range unless the various characteristics of the photosensitive resin composition of this invention are impaired.

(3) 노광 후의 수지층을 현상하여 릴리프 패턴을 형성하는 공정(3) Process of developing resin layer after exposure and forming relief pattern

본 공정에 있어서는, 노광 후의 감광성 수지층의 노광부 또는 미노광부를 현상 제거한다. 네거티브형의 감광성 수지 조성물을 사용하는 경우 (예를 들어, (A) 수지로서 폴리이미드 전구체를 사용하는 경우) 에는, 미노광부가 현상 제거되고, 포지티브형의 감광성 수지 조성물을 사용하는 경우 (예를 들어, (A) 수지로서 폴리옥사졸 전구체를 사용하는 경우) 에는, 노광부가 현상 제거된다. 현상 방법으로는, 종래 알려져 있는 포토레지스트의 현상 방법, 예를 들어 회전 스프레이법, 패들법, 초음파 처리를 수반하는 침지법 등 중에서 임의의 방법을 선택하여 사용할 수 있다. 또, 현상 후, 릴리프 패턴의 형상을 조정하거나 할 목적에서, 필요에 따라 임의의 온도 및 시간의 조합에 의한 현상 후 베이크를 실시해도 된다.In this process, image development removes the exposed part or unexposed part of the photosensitive resin layer after exposure. When using a negative photosensitive resin composition (For example, when using a polyimide precursor as (A) resin), an unexposed part develops and removes, and uses a positive photosensitive resin composition (For example, For example, in the case of using a polyoxazole precursor as the resin (A), the exposed portion is removed. As a developing method, arbitrary methods can be selected and used among the conventionally well-known photoresist image development methods, for example, a rotary spray method, a paddle method, and the immersion method with an ultrasonic treatment. Moreover, after image development, you may bake after image development by the combination of arbitrary temperature and time as needed in order to adjust the shape of a relief pattern.

현상에 사용되는 현상액으로는, 감광성 수지 조성물에 대한 양(良)용매, 또는 그 양용매와 빈용매의 조합이 바람직하다. 예를 들어, 알칼리 수용액에 용해되지 않는 감광성 수지 조성물의 경우, 양용매로는 N-메틸피롤리돈, N-시클로헥실-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 시클로펜타논, 시클로헥사논, γ-부티로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤 등이 바람직하고, 빈용매로는 톨루엔, 자일렌, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 락트산에틸, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 물 등이 바람직하다. 양용매와 빈용매를 혼합하여 사용하는 경우에는, 감광성 수지 조성물 중의 폴리머의 용해성에 의해 양용매에 대한 빈용매의 비율을 조정하는 것이 바람직하다. 또, 각 용매를 2 종 이상, 예를 들어 수종 조합하여 사용할 수도 있다. As a developing solution used for image development, the good solvent with respect to the photosensitive resin composition, or the combination of this good solvent and a poor solvent is preferable. For example, in the case of the photosensitive resin composition which does not melt | dissolve in aqueous alkali solution, as a good solvent, N-methylpyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N, N- dimethylacetamide, cyclopentanone, Cyclohexanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone and the like are preferred, and the poor solvents include toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate and Water and the like are preferred. When mixing and using a good solvent and a poor solvent, it is preferable to adjust the ratio of the poor solvent with respect to a good solvent by the solubility of the polymer in the photosensitive resin composition. Moreover, you may use each solvent in combination of 2 or more types, for example.

한편, 알칼리 수용액에 용해되는 감광성 수지 조성물의 경우, 현상에 사용되는 현상액은 알칼리 수용액 가용성 중합체를 용해 제거하는 것으로서, 전형적으로는 알칼리 화합물을 용해시킨 알칼리성 수용액이다. 현상액 중에 용해되는 알칼리 화합물은 무기 알칼리 화합물 또는 유기 알칼리 화합물 중 어느 것이어도 된다.On the other hand, in the case of the photosensitive resin composition which melt | dissolves in aqueous alkali solution, the developing solution used for image development dissolves and removes the aqueous alkali solution soluble polymer, and is typically the alkaline aqueous solution which melt | dissolved the alkali compound. The alkali compound dissolved in the developer may be either an inorganic alkali compound or an organic alkali compound.

그 무기 알칼리 화합물로는, 예를 들어 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소2암모늄, 인산수소2칼륨, 인산수소2나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨 및 암모니아 등을 들 수 있다.As the inorganic alkali compound, for example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate And lithium borate, sodium borate, potassium borate and ammonia.

또, 그 유기 알칼리 화합물로는, 예를 들어 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드, 트리메틸하이드록시에틸암모늄하이드록시드, 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, n-프로필아민, 디-n-프로필아민, 이소프로필아민, 디이소프로필아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 에탄올아민 및 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.Moreover, as this organic alkali compound, for example, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethyl Amine, triethylamine, n-propylamine, di-n-propylamine, isopropylamine, diisopropylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, ethanolamine, triethanolamine, and the like.

또한, 필요에 따라 상기 알칼리성 수용액에 메탄올, 에탄올, 프로판올 또는 에틸렌글리콜 등의 수용성 유기 용매, 계면 활성제, 보존 안정제, 및 수지의 용해 억지제 등을 적량 첨가할 수 있다. 이상과 같이 하여 릴리프 패턴을 형성할 수 있다. If necessary, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol, ethanol, propanol or ethylene glycol, a surfactant, a storage stabilizer, and a dissolution inhibiting agent of resin can be added to the alkaline aqueous solution. The relief pattern can be formed as mentioned above.

(4) 릴리프 패턴을 가열 처리함으로써 경화 릴리프 패턴을 형성하는 공정(4) Process of forming hardening relief pattern by heat-processing relief pattern

본 공정에서는, 상기 현상에 의해 얻어진 릴리프 패턴을 가열함으로써, 경화 릴리프 패턴으로 변환된다. 가열 경화의 방법으로는, 핫플레이트에 의한 것, 오븐을 사용하는 것, 온도 프로그램을 설정할 수 있는 승온식 오븐을 사용하는 것 등 여러 가지 방법을 선택할 수 있다. 가열은 예를 들어 180 ℃ ? 400 ℃ 에서 30 분 ? 5 시간의 조건에서 실시할 수 있다. 가열 경화시의 분위기 기체로는 공기를 사용해도 되고, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스를 사용할 수도 있다.In this process, it converts into a hardening relief pattern by heating the relief pattern obtained by the said image development. As a method of heat hardening, various methods, such as using a hotplate, using an oven, and using the temperature rising oven which can set a temperature program, can be selected. Heating is for example 180 ℃? 30 minutes at 400 ℃? It can carry out on condition of 5 hours. As an atmospheric gas at the time of heat-hardening, air may be used and inert gas, such as nitrogen and argon, can also be used.

<반도체 장치><Semiconductor device>

본 발명은 또한, 상기 서술한 본 발명의 경화 릴리프 패턴의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화 릴리프 패턴을 포함하는 반도체 장치를 제공한다. 본 발명은 반도체 소자인 기재와, 상기 기재 상에 상기 서술한 경화 릴리프 패턴 제조 방법에 의해 형성된 수지의 경화 릴리프 패턴을 포함하는 반도체 장치도 제공한다. 또, 본 발명은 기재로서 반도체 소자를 사용하여, 상기 서술한 경화 릴리프 패턴의 제조 방법을 공정의 일부로서 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에도 적용할 수 있다. 본 발명의 반도체 장치는, 상기 경화 릴리프 패턴 제조 방법에 의해 형성되는 경화 릴리프 패턴을, 표면 보호막, 층간 절연막, 재배선용 절연막, 플립칩 장치용 보호막, 또는 범프 구조를 갖는 반도체 장치의 보호막 등으로서 형성하고, 이미 알려진 반도체 장치의 제조 방법과 조합함으로써 제조할 수 있다.This invention also provides the semiconductor device containing the hardening relief pattern obtained by the manufacturing method of the hardening relief pattern of this invention mentioned above. This invention also provides the semiconductor device containing the base material which is a semiconductor element, and the hardening relief pattern of resin formed by the hardening relief pattern manufacturing method mentioned above on the said base material. Moreover, this invention is applicable also to the manufacturing method of the semiconductor device which uses the semiconductor element as a base material, and includes the manufacturing method of the hardening relief pattern mentioned above as a part of process. In the semiconductor device of the present invention, the hardening relief pattern formed by the hardening relief pattern manufacturing method is formed as a surface protective film, an interlayer insulating film, a redistribution insulating film, a protective film for a flip chip device, or a protective film of a semiconductor device having a bump structure. And it can manufacture by combining with a manufacturing method of a semiconductor device already known.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기와 같은 반도체 장치에 대한 적용 외에, 다층 회로의 층간 절연, 플렉시블 동장(銅張)판의 커버 코트, 솔더 레지스트막 및 액정 배향막 등의 용도에도 유용하다.The photosensitive resin composition of this invention is useful also in uses, such as an interlayer insulation of a multilayer circuit, the cover coat of a flexible copper clad board, a soldering resist film, and a liquid crystal aligning film, in addition to the application to the above-mentioned semiconductor device.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 실시예, 비교예 및 제조예에서는, 감광성 수지 조성물의 물성을 이하의 방법에 따라 측정 및 평가하였다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to this. In Examples, Comparative Examples, and Production Examples, physical properties of the photosensitive resin composition were measured and evaluated according to the following methods.

(1) 중량 평균 분자량(1) weight average molecular weight

각 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 을 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법 (표준 폴리스티렌 환산) 으로 측정하였다. 측정에 사용한 칼럼은 쇼와 전공 (주) 제조의 상표명 「Shodex 805M/806M 직렬」이고, 표준 단분산 폴리스티렌은 쇼와 전공 (주) 제조의 상표명 「Shodex STANDARD SM-105」를 선택하고, 전개 용매는 N-메틸-2-피롤리돈이고, 검출기는 쇼와 전공 (주) 제조의 상표명 「Shodex RI-930」을 사용하였다. The weight average molecular weight (Mw) of each resin was measured by the gel permeation chromatography method (standard polystyrene conversion). The column used for the measurement is Showa Electric Co., Ltd. brand name "Shodex 805M / 806M series", and standard monodisperse polystyrene selects the Showa Electric Co., Ltd. brand name "Shodex STANDARD SM-105", and is a developing solvent. Is N-methyl-2-pyrrolidone, and the detector used the brand name "Shodex RI-930" manufactured by Showa Denko Co., Ltd.

(2) 구리 변색 시험(2) copper discoloration test

감광성 수지 조성물을 구리 기판 상에 스핀 도포하고, 건조시켜 30 ㎛ 두께의 도포막을 수지층으로서 형성하였다. 이어서, 웨이퍼 상에 형성한 도포막을, 알칼리 수용액에 용해되지 않는 감광성 수지 조성물의 경우, 시클로펜타논을 사용하여 현상기 (D-SPIN636 형, 일본, 다이닛폰 스크린 제조사 제조) 로 스프레이 현상하고, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 린스함으로써 도포막을 완전히 용해시켰다. 알칼리 수용액에 용해되는 감광성 수지 조성물의 경우, 평행광 마스크 얼라이너 (PLA-501FA, 일본, 캐논사 제조) 에 의해, 500 mJ/㎠ 의 에너지를 전체면에 조사 후, AZ 일렉트로닉 마테리알즈사 제조의 알칼리 현상액 (AZ300MIF 디벨로퍼, 2.38 질량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액) 을 사용하여 현상기로 패들 현상하고, 순수로 린스함으로써 도포막을 완전히 용해시켰다. 용해 후의 구리 기판을 이하의 기준에 기초하여 평가하였다:The photosensitive resin composition was spin-coated on a copper substrate, and it dried and formed the coating film of 30 micrometers thickness as a resin layer. Subsequently, in the case of the photosensitive resin composition which does not melt | dissolve in aqueous alkali solution, the coating film formed on the wafer is spray-developed by the developing machine (D-SPIN636 type | mold, Japan, the Dainippon Screen manufacturer) using cyclopentanone, and propylene glycol The coating film was completely dissolved by rinsing with methyl ether acetate. In the case of the photosensitive resin composition which melt | dissolves in aqueous alkali solution, after a 500-mJ / cm <2> energy is irradiated to the whole surface by parallel light mask aligner (PLA-501FA, Japan, Canon company), Paddle development was carried out with the developer using the alkaline developer (AZ300MIF developer, 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), and the coating film was fully dissolved by rinsing with pure water. The copper substrate after melting was evaluated based on the following criteria:

「가장 양호」:육안으로도 200 배의 광학 현미경으로 관찰했을 때에도 구리 기판의 변색이 관찰되지 않는 것;"The best": The discoloration of a copper board | substrate is not observed even when visually observed with a 200 times optical microscope;

「양호」:육안으로는 구리 기판의 변색이 관찰되지 않고, 200 배의 광학 현미경으로 관찰했을 때에 구리 기판의 변색이 약간 관찰되는 것;"Good": The discoloration of a copper substrate is not observed by the naked eye, but the discoloration of a copper substrate is slightly observed when observed with a 200 times optical microscope;

「약간 양호」:육안으로는 구리 기판의 변색이 관찰되지 않고, 200 배의 광학 현미경으로 관찰했을 때에 구리 기판의 변색이 관찰되는 것;"Slightly good": Discoloration of the copper substrate is not observed by the naked eye, and discoloration of the copper substrate is observed when observed with a 200 times optical microscope;

「불량」:육안으로 구리 기판의 변색이 심하게 관찰되는 것."Poor": Discoloration of copper board is observed severely with naked eye.

(3) 구리 밀착 시험 (기판 밀착 격자수)(3) Copper adhesion test (substrate adhesion lattice number)

감광성 수지 조성물을 구리 기판 상에 스핀 도포하고, 건조시켜 17 ㎛ 두께의 도포막을 감광성 수지층으로서 형성한 후, 승온 프로그램식 큐어로(爐) (VF-2000 형, 일본, 코요 린드버그사 제조) 를 사용하여, 질소 분위기하, 200 ℃ 에서 1 시간, 계속해서 250 ℃ 에서 2 시간 가열 처리 (큐어) 함으로써, 10 ㎛ 두께의 경화 수지 도포막을 얻었다. 큐어 후의 막에 JIS K 5600-5-6 규격의 크로스컷법에 준하여 구리 기판/경화 수지 도포막 간의 밀착 특성을 이하의 기준에 기초하여 평가하였다. After spin-coating the photosensitive resin composition on a copper substrate, and drying and forming a 17-micrometer-thick coating film as a photosensitive resin layer, the temperature rising program type Cure (VF-2000 type | mold, Japan, Koyo Lindberg company make) It used and heat-processed (cure) at 200 degreeC for 1 hour and then at 250 degreeC in nitrogen atmosphere for 2 hours, the cured resin coating film of 10 micrometers thickness was obtained. The adhesion property between the copper substrate / cured resin coating film was evaluated based on the following criteria to the film after curing according to the cross-cut method of JISK5600-5-6 standard.

「가장 양호」:기판에 밀착되어 있는 경화 수지 도포막의 격자수가 100 인 것."Best": The lattice number of the cured resin coating film adhered to a board | substrate is 100.

「양호」:기판에 밀착되어 있는 경화 수지 도포막의 격자수가 80 ? 99 인 것."Good": Number of lattice of cured resin coating film adhered to substrate 80? Being 99.

「약간 양호」:기판에 밀착되어 있는 경화 수지 도포막의 격자수가 50 ? 79 인 것."Slightly good": 50 or less lattice number of the cured resin coating film adhered to the substrate. Being one.

「약간 불량」:기판에 밀착되어 있는 경화 수지 도포막의 격자수가 20 ? 49 인 것."Slightly bad": 20? Lattice number of the cured resin coating film adhered to the substrate. Being 49.

「불량」:기판에 밀착되어 있는 경화 수지 도포막의 격자수가 20 미만인 것."Poor": The lattice number of the cured resin coating film in close contact with the substrate is less than 20.

(4) 내약품성 시험(4) chemical resistance test

(네거티브형 감광성 수지에 의한 릴리프 패턴의 형성)(Formation of Relief Pattern by Negative Photosensitive Resin)

6 인치 질화막이 형성된 실리콘 웨이퍼 (쿄도 인터내셔널사 제조) 상에 감광성 수지 조성물을 스핀 도포하고, 건조시켜 17 ㎛ 두께의 도포막을 감광성 수지층으로서 형성하였다. 이 도포막에 테스트 패턴이 형성된 레티클을 사용하여 ghi 스테퍼 (Prisma-ghi, 울트라테크사 제조) 에 의해, 200 mJ/㎠ 로 에너지를 조사하여 노광하였다. 이어서, 웨이퍼 상에 형성한 도포막을, 시클로펜타논을 사용하여 현상기 (D-SPIN636 형, 일본, 다이닛폰 스크린 제조사 제조) 로 스프레이 현상하고, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 린스하여 미노광부를 현상 제거하여, 수지의 릴리프 패턴을 얻었다. 릴리프 패턴을 형성한 웨이퍼를 승온 프로그램식 큐어로 (VF-2000 형, 일본, 코요 린드버그사 제조) 를 사용하여, 질소 분위기하, 200 ℃ 에서 1 시간, 계속해서 250 ℃ 에서 2 시간 가열 처리함으로써, 10 ㎛ 두께 수지의 경화 릴리프 패턴을 질화막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 얻었다.The photosensitive resin composition was spin-coated on the silicon wafer (made by Kyoto International Co., Ltd.) in which the 6-inch nitride film was formed, and it dried and formed the 17-micrometer-thick coating film as a photosensitive resin layer. Energy was irradiated at 200 mJ / cm <2> and exposed by ghi stepper (Prisma-ghi, Ultratech Co., Ltd.) using the reticle in which the test pattern was formed in this coating film. Subsequently, the coating film formed on the wafer was spray-developed with a developing device (D-SPIN636 type, manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.) using cyclopentanone, rinsed with propylene glycol methyl ether acetate, and the unexposed part was developed and removed. , The relief pattern of the resin was obtained. The wafer on which the relief pattern was formed was heat-treated at 200 ° C. for 1 hour and then 250 ° C. for 2 hours under a nitrogen atmosphere using a temperature-programmed cure (VF-2000, manufactured by Koyo Lindberg, Japan), The hardening relief pattern of 10 micrometer thickness resin was obtained on the silicon wafer in which the nitride film was formed.

(포지티브형 감광성 수지에 의한 릴리프 패턴의 형성)(Formation of Relief Pattern by Positive Photosensitive Resin)

6 인치 질화막이 형성된 실리콘 웨이퍼 (쿄도 인터내셔널사 제조) 상에, 감광성 수지 조성물을 스핀 도포하여, 도포막을 감광성 수지층으로서 형성하였다. 이 도포막에 테스트 패턴이 형성된 레티클을 사용하여 i 선 스테퍼 (NSR2005i8A, 니콘사 제조) 에 의해, 300 mJ/㎠ 로 에너지를 조사하여 노광하였다. 이어서, 웨이퍼 상에 형성한 도포막을, 2.38 질량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액을 사용하여 현상기 (D-SPIN636 형, 일본, 다이닛폰 스크린 제조사 제조) 로 스프레이 현상하고, 순수로 린스하여 노광부를 현상 제거하여, 수지의 릴리프 패턴을 얻었다. 릴리프 패턴을 형성한 웨이퍼를 승온 프로그램식 큐어로 (VF-2000 형, 일본, 코요 린드버그사 제조) 를 사용하여, 질소 분위기하, 계속해서 320 ℃ 에서 1 시간 가열 처리함으로써, 10 ㎛ 두께의 수지의 경화 릴리프 패턴을 질화막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 얻었다. The photosensitive resin composition was spin-coated on the silicon wafer (made by Tokyo International Corporation) with a 6-inch nitride film, and the coating film was formed as a photosensitive resin layer. Energy was irradiated at 300 mJ / cm <2> and exposed by i-line stepper (NSR2005i8A, Nikon Corporation make) using the reticle in which the test pattern was formed in this coating film. Subsequently, the coating film formed on the wafer was spray-developed with a developer (D-SPIN636 type, manufactured by Dainippon Screen, Japan) using a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, rinsed with pure water, and the exposed portion was developed and removed. , The relief pattern of the resin was obtained. The wafer on which the relief pattern was formed was heat-treated at 320 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere using a temperature-programmed cure (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg Co., Ltd., Japan) to obtain a resin having a thickness of 10 μm. The hardening relief pattern was obtained on the silicon wafer in which the nitride film was formed.

(네거티브형 감광성 수지에 의한 경화 릴리프 패턴의 내약품성 평가)(Chemical Resistance Evaluation of Curing Relief Pattern by Negative Photosensitive Resin)

얻어진 경화 릴리프 패턴을 수산화칼륨 1 질량%, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올 39 질량% 및 디메틸술폭사이드 60 질량% 로 이루어지는 용액에 100 ℃ 에서 1 시간 침지시켰다. 수세 및 풍건 후, 막두께 측정 및 광학 현미경하에서의 관찰에 의해, 이하의 기준에 기초하여 수지 도포막을 평가하였다:The obtained hardening relief pattern was immersed at 100 degreeC for 1 hour in the solution which consists of 1 mass% of potassium hydroxide, 39 mass% of 3-methoxy-3-methyl-1- butanol, and 60 mass% of dimethyl sulfoxide. After water washing and air drying, the resin coating film was evaluated based on the following criteria by film thickness measurement and observation under an optical microscope:

「가장 양호」:침지 전의 도포막에 대한 침지 후의 도포막의 막두께 변동이 ±1 % 이내이고, 또한 크랙이 발생하지 않은 경우."Best": When the film thickness variation of the coating film after immersion to the coating film before immersion is within ± 1% and no crack occurs.

「양호」:도포막의 막두께 변동이 ±3 % 이내이고, 크랙이 발생하지 않은 경우."Good": When the film thickness variation of a coating film is within ± 3%, and a crack does not generate | occur | produce.

「불량」:막두께 변동이 ±3 % 를 초과하였거나, 또는 크랙이 발생한 경우."Poor": When the thickness variation exceeds ± 3% or a crack occurs.

(포지티브형 감광성 수지에 의한 경화 릴리프 패턴의 내약품성 평가)(Chemical resistance evaluation of hardening relief pattern by positive type photosensitive resin)

얻어진 경화 릴리프 패턴을 ST-44 (상품명, ATMI 사 제조) 용액에 80 ℃ 에서 5 분간 침지시켰다. 수세 및 풍건 후, 막두께 측정 및 광학 현미경하에서의 관찰에 의해, 이하의 기준에 기초하여 수지 도포막을 평가하였다:The obtained hardening relief pattern was immersed in ST-44 (brand name, ATMI company) solution at 80 degreeC for 5 minutes. After water washing and air drying, the resin coating film was evaluated based on the following criteria by film thickness measurement and observation under an optical microscope:

「가장 양호」:침지 전의 도포막에 대한 침지 후의 도포막의 막두께 변동이 ±1 % 이내이고, 또한 크랙이 발생하지 않은 경우."Best": When the film thickness variation of the coating film after immersion to the coating film before immersion is within ± 1% and no crack occurs.

「양호」:도포막의 막두께 변동이 ±3 % 이내이고, 크랙이 발생하지 않은 경우."Good": When the film thickness variation of a coating film is within ± 3%, and a crack does not generate | occur | produce.

「불량」:막두께 변동이 ±3 % 를 초과하였거나, 또는 크랙이 발생한 경우."Poor": When the thickness variation exceeds ± 3% or a crack occurs.

<제조예 1> ((A) 폴리이미드 전구체로서의 폴리머 A 의 합성)<Production Example 1> (Synthesis of Polymer A as (A) Polyimide Precursor)

4,4'-옥시디프탈산 2 무수물 (ODPA) 155.1 g 을 2 ℓ 용량의 세퍼러블 플라스크에 넣고, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 (HEMA) 131.2 g 과 γ-부티로락톤 400 ㎖ 를 넣어 실온하에서 교반하고, 교반하면서 피리딘 81.5 g 을 첨가하여 반응 혼합물을 얻었다. 반응에 의한 발열의 종료 후에 실온까지 방랭시키고, 16 시간 방치하였다. 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) was added to a 2 L separable flask, 131.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 ml of γ-butyrolactone were added to room temperature. It stirred under, and 81.5 g of pyridine was added stirring, and the reaction mixture was obtained. After completion | finish of exotherm by reaction, it was left to stand to room temperature and left to stand for 16 hours.

다음으로, 빙랭하에서, 디시클로헥실카르보디이미드 (DCC) 206.3 g 을 γ-부티로락톤 180 ㎖ 에 용해시킨 용액을 교반하면서 40 분에 걸쳐 반응 혼합물에 첨가하고, 계속해서 4,4'-디아미노디페닐에테르 (DADPE) 93.0 g 을 γ-부티로락톤 350 ㎖ 에 현탁시킨 것을 교반하면서 60 분에 걸쳐 첨가하였다. 다시 실온에서 2 시간 교반한 후, 에틸 알코올 30 ㎖ 를 첨가하여 1 시간 교반하고, 다음으로, γ-부티로락톤 400 ㎖ 를 첨가하였다. 반응 혼합물에 생긴 침전물을 여과에 의해 제거하여 반응액을 얻었다. Next, under ice cooling, a solution in which 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) was dissolved in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring, followed by 4,4'-dia The suspension of 93.0 g of minodiphenylether (DADPE) in 350 ml of γ-butyrolactone was added over 60 minutes with stirring. After stirring again at room temperature for 2 hours, 30 ml of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 ml of γ-butyrolactone was added. A precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.

얻어진 반응액을 3 ℓ 의 에틸 알코올에 첨가하여 미정제 폴리머로 이루어지는 침전물을 생성하였다. 생성된 미정제 폴리머를 여과 분리하고, 테트라하이드로푸란 1.5 ℓ 에 용해시켜 미정제 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 미정제 폴리머 용액을 28 ℓ 의 물에 적하하여 폴리머를 침전시키고, 얻어진 침전물을 여과 분리한 후, 진공 건조시켜 분말 형상의 폴리머 (폴리머 A) 를 얻었다. 폴리머 A 의 분자량을 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (표준 폴리스티렌 환산) 로 측정한 결과, 중량 평균 분자량 (Mw) 은 20,000 이었다.The obtained reaction solution was added to 3 liters of ethyl alcohol to form a precipitate composed of a crude polymer. The resulting crude polymer was separated by filtration and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was added dropwise to 28 L of water to precipitate the polymer, and the obtained precipitate was separated by filtration, followed by vacuum drying to obtain a powdery polymer (polymer A). The weight average molecular weight (Mw) was 20,000 as a result of measuring the molecular weight of polymer A by gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion).

<제조예 2> ((A) 폴리이미드 전구체로서의 폴리머 B 의 합성)<Production Example 2> (Synthesis of Polymer B as (A) Polyimide Precursor)

제조예 1 의 4,4'-옥시디프탈산 2 무수물 (ODPA) 155.1 g 대신에, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 147.1 g 을 사용한 것 이외에는, 전술한 제조예 1 에 기재된 방법과 동일하게 하여 반응시켜 폴리머 B 를 얻었다. 폴리머 B 의 분자량을 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (표준 폴리스티렌 환산) 로 측정한 결과, 중량 평균 분자량 (Mw) 은 22,000 이었다.Instead of using 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) of Production Example 1, except that 147.1 g of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was used, The reaction was carried out in the same manner as in the above-described Production Example 1 to obtain a polymer B. The weight average molecular weight (Mw) was 22,000 when the molecular weight of polymer B was measured by the gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion).

<제조예 3> ((A) 폴리이미드 전구체로서의 폴리머 C 의 합성)<Production Example 3> (Synthesis of Polymer C as (A) Polyimide Precursor)

4,4'-옥시디프탈산 2 무수물 (ODPA) 155.1 g 을 2 ℓ 용량의 세퍼러블 플라스크에 넣고, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 (HEMA) 131.2 g 과 γ-부티로락톤 400 ㎖ 를 넣어 실온하에서 교반하고, 교반하면서 피리딘 81.5 g 을 첨가하여 반응 혼합물을 얻었다. 반응에 의한 발열의 종료 후에 실온까지 방랭시키고, 16 시간 방치하였다. 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) was added to a 2 L separable flask, 131.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 ml of γ-butyrolactone were added to room temperature. It stirred under, and 81.5 g of pyridine was added stirring, and the reaction mixture was obtained. After completion | finish of exotherm by reaction, it was left to stand to room temperature and left to stand for 16 hours.

다음으로, 빙랭하에서, 디시클로헥실카르보디이미드 (DCC) 206.3 g 을 γ-부티로락톤 180 ㎖ 에 용해시킨 용액을 교반하면서 40 분에 걸쳐 반응 혼합물에 첨가하고, 계속해서 4,4'-디아미노디페닐에테르 (DADPE) 93.0 g 을 γ-부티로락톤 350 ㎖ 에 현탁시킨 것을 교반하면서 60 분에 걸쳐 첨가하였다. 다시 실온에서 2 시간 교반한 후, 8-아자아데닌을 13.6 g 첨가하여 2 시간 교반하고, 다음으로, γ-부티로락톤 400 ㎖ 를 첨가하였다. 반응 혼합물에 생긴 침전물을 여과에 의해 제거하여 반응액을 얻었다. Next, under ice cooling, a solution in which 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) was dissolved in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring, followed by 4,4'-dia The suspension of 93.0 g of minodiphenylether (DADPE) in 350 ml of γ-butyrolactone was added over 60 minutes with stirring. After stirring at room temperature again for 2 hours, 13.6 g of 8-azadenine was added, followed by stirring for 2 hours. Next, 400 ml of γ-butyrolactone were added. A precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.

얻어진 반응액을 3 ℓ 의 에틸 알코올에 첨가하여 미정제 폴리머로 이루어지는 침전물을 생성하였다. 생성된 미정제 폴리머를 여과 분리하고, 테트라하이드로푸란 1.5 ℓ 에 용해시켜 미정제 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 미정제 폴리머 용액을 28 ℓ 의 물에 적하하여 폴리머를 침전시키고, 얻어진 침전물을 여과 분리한 후, 진공 건조시켜 분말 형상의 폴리머 (폴리머 C) 를 얻었다. 폴리머 C 의 분자량을 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (표준 폴리스티렌 환산) 로 측정한 결과, 중량 평균 분자량 (Mw) 은 22,000 이었다. The obtained reaction solution was added to 3 liters of ethyl alcohol to form a precipitate composed of a crude polymer. The resulting crude polymer was separated by filtration and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was added dropwise to 28 L of water to precipitate the polymer, and the obtained precipitate was separated by filtration, followed by vacuum drying to obtain a powdery polymer (Polymer C). The weight average molecular weight (Mw) was 22,000 when the molecular weight of polymer C was measured by the gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion).

<제조예 4> ((A) 폴리이미드 전구체로서의 폴리머 D 의 합성)<Production Example 4> (Synthesis of Polymer D as (A) Polyimide Precursor)

제조예 3 의 4,4'-옥시디프탈산 2 무수물 (ODPA) 155.1 g 대신에, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA) 147.1 g 을 사용한 것 이외에는, 전술한 제조예 3 에 기재된 방법과 동일하게 하여 반응시켜 폴리머 D 를 얻었다. 폴리머 D 의 분자량을 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (표준 폴리스티렌 환산) 로 측정한 결과, 중량 평균 분자량 (Mw) 은 24,000 이었다.Instead of using 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) of Production Example 3, except that 147.1 g of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was used, The polymer D was obtained by reacting in the same manner as the method described in Production Example 3 described above. The weight average molecular weight (Mw) was 24,000 when the molecular weight of the polymer D was measured by the gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion).

<제조예 5> ((A) 폴리아미드로서의 폴리머 E 의 합성)Production Example 5 (Synthesis of Polymer E as (A) Polyamide)

(프탈산 화합물 밀봉체 AIPA-MO 의 합성)(Synthesis of Phthalic Acid Compound Seal AIPA-MO)

용량 5 ℓ 의 세퍼러블 플라스크에, 5-아미노이소프탈산{이하, AIPA 라고 약기한다.}543.5 g, N-메틸-2-피롤리돈 1700 g 을 투입, 혼합 교반하고, 워터 배스로 50 ℃ 까지 가온하였다. 이것에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 512.0 g (3.3 ㏖) 을 γ-부티로락톤 500 g 으로 희석시킨 것을 적하 깔때기로 적하 투입하고, 그대로 50 ℃ 에서 2 시간 정도 교반하였다.In a separable flask with a capacity of 5 L, 5-aminoisophthalic acid or less is abbreviated as AIPA.} 543.5 g and 1,700 g of N-methyl-2-pyrrolidone are charged and mixed, and the mixture is stirred to 50 ° C with a water bath. Warmed. The thing which diluted 512.0 g (3.3 mol) of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate to 500 g of (gamma) -butyrolactone was dripped at this with the dropping funnel, and it stirred at 50 degreeC for 2 hours as it is.

반응의 완료 (5-아미노이소프탈산의 소실) 를 저분자량 겔 퍼미에이션 크로마토그래피{이하, 저분자량 GPC 라고 기재한다.}로 확인한 후, 이 반응액을 15 ℓ 의 이온 교환수에 투입, 교반, 가만히 정지시켜, 반응 생성물의 결정화 침전을 기다려 여과 분리하고, 적절히 수세 후, 40 ℃ 에서 48 시간 진공 건조시킴으로써, 5-아미노이소프탈산의 아미노기와 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 이소시아네이트기가 작용한 AIPA-MO 를 얻었다. 얻어진 AIPA-MO 의 저분자량 GPC 순도는 약 100 % 였다. The completion of the reaction (dissipation of 5-aminoisophthalic acid) is described as low molecular weight gel permeation chromatography {, hereinafter referred to as low molecular weight GPC. After confirming with}, the reaction solution is added to 15 L of ion-exchanged water, stirred, The mixture was stopped and waited for crystallization precipitation of the reaction product, and the resultant was separated by filtration. After appropriate washing with water, the resultant was dried under vacuum at 40 ° C. for 48 hours, whereby the amino group of 5-aminoisophthalic acid and the isocyanate group of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate worked. AIPA-MO was obtained. The low molecular weight GPC purity of the obtained AIPA-MO was about 100%.

(폴리머 E 의 합성)(Synthesis of Polymer E)

용량 2 ℓ 의 세퍼러블 플라스크에, 얻어진 AIPA-MO 를 100.89 g (0.3 ㏖), 피리딘을 71.2 g (0.9 ㏖), GBL 을 400 g 투입, 혼합하고, 빙욕으로 5 ℃ 까지 냉각시켰다. 이것에, 디시클로헥실카르보디이미드 (DCC) 125.0 g (0.606 ㏖) 을 GBL 125 g 에 용해 희석시킨 것을, 빙랭하, 20 분 정도에 걸쳐 적하하고, 계속해서 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐{이하, BAPB 라고 기재한다.}103.16 g (0.28 ㏖) 을 NMP 168 g 에 용해시킨 것을 20 분 정도에 걸쳐 적하하고, 빙욕으로 5 ℃ 미만을 유지하면서 3 시간, 이어서 빙욕을 제거하고 실온에서 5 시간 교반하였다. 반응 혼합물에 생긴 침전물을 여과에 의해 제거하여 반응액을 얻었다.Into a 2 L separable flask, 100.89 g (0.3 mol) of obtained AIPA-MO, 71.2 g (0.9 mol) of pyridine and 400 g of GBL were charged and mixed, and cooled to 5 ° C by an ice bath. The dicyclohexylcarbodiimide (DCC) 125.0 g (0.606 mol) was melt | dissolved and diluted in 125 g of GBL over this, it dripped at about 20 minutes under ice-cooling, and then 4,4'-bis (4- Aminophenoxy) biphenyl {Hereinafter, it is described as BAPB.} 103.16 g (0.28 mol) dissolved in NMP 168 g was added dropwise over about 20 minutes, and then kept in an ice bath for 3 hours, followed by an ice bath. Was removed and stirred at room temperature for 5 hours. A precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.

얻어진 반응액에 물 840 g 과 이소프로판올 560 g 의 혼합액을 적하하고, 석출되는 중합체를 분리하고, NMP 650 g 에 재용해시켰다. 얻어진 미정제 폴리머 용액을 5 ℓ의 물에 적하하여 폴리머를 침전시키고, 얻어진 침전물을 여과 분리한 후, 진공 건조시켜 분말 형상의 폴리머 (폴리머 E) 를 얻었다. 폴리머 E 의 분자량을 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (표준 폴리스티렌 환산) 로 측정한 결과, 중량 평균 분자량 (Mw) 은 34,700 이었다.A mixture of 840 g of water and 560 g of isopropanol was added dropwise to the obtained reaction solution, the precipitated polymer was separated, and redissolved in 650 g of NMP. The obtained crude polymer solution was added dropwise to 5 L of water to precipitate the polymer, and the obtained precipitate was separated by filtration, followed by vacuum drying to obtain a powdery polymer (polymer E). The weight average molecular weight (Mw) was 34,700 as a result of measuring the molecular weight of polymer E by gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion).

<제조예 6> ((A) 폴리옥사졸 전구체로서의 폴리머 F 의 합성)Production Example 6 (Synthesis of Polymer F as (A) Polyoxazole Precursor)

용량 3 ℓ 의 세퍼러블 플라스크 안에서, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-헥사플루오로프로판 183.1 g, N,N-디메틸아세트아미드 (DMAc) 640.9 g, 피리딘 63.3 g 을 실온 (25 ℃) 에서 혼합 교반하여 균일 용액으로 하였다. 이것에 4,4'-디페닐에테르디카르보닐클로라이드 118.0 g 을 디에틸렌글리콜디메틸에테르 (DMDG) 354 g 에 용해시킨 것을 적하 깔때기로부터 적하하였다. 이 때, 세퍼러블 플라스크는 15 ? 20 ℃ 의 수욕으로 냉각시켰다. 적하에 필요로 한 시간은 40 분, 반응 액온은 최대로 30 ℃ 였다.In a separable flask with a volume of 3 L, 183.1 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -hexafluoropropane, 640.9 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc), 63.3 g of pyridine It stirred and mixed at room temperature (25 degreeC), and set it as the homogeneous solution. What dissolve | melted 118.0 g of 4,4'- diphenyl ether dicarbonyl chlorides in 354 g of diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) was dripped at this dropping funnel. At this time, the separable flask is 15? It cooled by the 20 degreeC water bath. The time required for dripping was 40 minutes, and reaction liquid temperature was 30 degreeC at the maximum.

적하 종료로부터 3 시간 후 반응액에 1,2-시클로헥실디카르복실산 무수물 30.8 g (0.2 ㏖) 을 첨가하고, 실온에서 15 시간 교반 방치하여, 폴리머 사슬의 전체 아민 말단기의 99 % 를 카르복시시클로헥실아미드기로 밀봉하였다. 이 때의 반응률은 투입한 1,2-시클로헥실디카르복실산 무수물의 잔량을 고속 액체 크로마토그래피 (HPLC) 로 추적함으로써 용이하게 산출할 수 있다. 그 후, 상기 반응액을 2 ℓ 의 물에 고속 교반하에서 적하하여 중합체를 분산 석출시켜 이것을 회수하고, 적절히 수세, 탈수 후에 진공 건조시켜, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정한 중량 평균 분자량 9,000 (폴리스티렌 환산) 의 미정제 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다.After 3 hours from the end of the dropwise addition, 30.8 g (0.2 mol) of 1,2-cyclohexyldicarboxylic anhydride was added to the reaction solution, and the mixture was left to stand at room temperature for 15 hours to carboxylate 99% of all the amine end groups of the polymer chain. Sealed with a cyclohexylamide group. The reaction rate at this time can be easily calculated by tracking the residual amount of the 1,2-cyclohexyldicarboxylic acid anhydride added by high performance liquid chromatography (HPLC). Thereafter, the reaction solution was added dropwise to 2 liters of water under high speed stirring to disperse and precipitate the polymer. The polymer was recovered, washed with water and dehydrated appropriately, dried in vacuo, and measured by gel permeation chromatography (GPC). A crude polybenzoxazole precursor of 9,000 (polystyrene equivalent) was obtained.

상기에서 얻어진 미정제 폴리벤조옥사졸 전구체를 γ-부티로락톤 (GBL) 에 재용해시킨 후, 이것을 양이온 교환 수지 및 음이온 교환 수지로 처리하고, 이로써 얻어진 용액을 이온 교환수 중에 투입 후, 석출된 폴리머를 여과 분리, 수세, 진공 건조시킴으로써 정제된 폴리벤조옥사졸 전구체 F (폴리머 F) 를 얻었다.After re-dissolving the crude polybenzoxazole precursor obtained above in γ-butyrolactone (GBL), it was treated with a cation exchange resin and an anion exchange resin, and the solution thus obtained was introduced into ion exchange water and then precipitated. The purified polybenzoxazole precursor F (polymer F) was obtained by filtering a polymer, washing with water, and vacuum drying.

<제조예 7> ((A) 폴리이미드로서의 폴리머 G 의 합성)<Production Example 7> (Synthesis of Polymer G as (A) Polyimide)

테플론 (등록상표) 제 닻형 교반기를 장착한, 유리제 세퍼러블 4 구 플라스크에 딘스탁 트랩이 부착된 냉각관을 장착하였다. 질소 가스를 통과시키면서 상기 플라스크를 실리콘 오일욕에 침지시켜 교반하였다.A glass-separable four-necked flask equipped with a Teflon® anchor type stirrer was equipped with a cooling tube with a Deanstock trap. The flask was immersed in a silicon oil bath while stirring with nitrogen gas.

2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판 (클라리언트 재팬사 제조) (이후, BAP 라고 한다) 72.28 g (280 밀리몰), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물 (토쿄 화성 공업 주식회사 제조) (이후, MCTC 라고 한다) 을 70.29 g (266 밀리몰), γ-부티로락톤 254.6 g, 톨루엔 60 g 을 첨가하고, 실온에서 100 rpm 으로 4 시간 교반 후, 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물 (토쿄 화성 공업 주식회사 제조) 4.6 g (28 밀리몰) 을 첨가하고, 질소 가스를 통과시키면서 실리콘욕 온도 50 ℃ 에서 100 rpm 으로 8 시간 가열 교반하였다. 그 후, 실리콘욕 온도 180 ℃ 로 가온하고, 100 rpm 으로 2 시간 가열 교반하였다. 반응 중 톨루엔, 물의 유출(留出)분을 제거했다. 이미드화 반응 종료 후, 실온으로 되돌렸다.2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane (manufactured by Clariant Japan) (hereinafter referred to as BAP) 72.28 g (280 mmol), 5- (2,5-dioxotetrahydro-3 -Furanyl) -3-methyl-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) (hereinafter referred to as MCTC) 70.29 g (266 mmol), γ-butyrolactone 254.6 g And 60 g of toluene were added, after stirring for 4 hours at 100 rpm at room temperature, 4.6 g (28 mmol) of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added, The mixture was heated and stirred at 100 rpm at a silicon bath temperature of 50 ° C. for 8 hours while passing nitrogen gas. Then, it heated up at 180 degreeC of silicone bath temperature, and stirred by heating at 100 rpm for 2 hours. During the reaction, toluene and water were removed. After completion | finish of imidation reaction, it returned to room temperature.

그 후, 상기 반응액을 3 ℓ 의 물에 고속 교반하에서 적하하여 중합체를 분산 석출시켜 이것을 회수하고, 적절히 수세, 탈수 후에 진공 건조시켜, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정한 중량 평균 분자량 23,000 (폴리스티렌 환산) 의 조(粗)폴리이미드를 얻었다.Thereafter, the reaction solution was added dropwise to 3 liters of water under high speed stirring to disperse and precipitate the polymer. The polymer was recovered, washed with water and dehydrated appropriately, dried in vacuo, and measured by gel permeation chromatography (GPC). Crude polyimide of 23,000 (polystyrene equivalent) was obtained.

<실시예 1><Example 1>

폴리머 A, B 를 사용하여 이하의 방법으로 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 조제한 감광성 수지 조성물의 평가를 실시하였다. 폴리이미드 전구체인 폴리머 A 50 g 과 B 50 g ((A) 수지에 해당) 을, 8-아자아데닌 ((B) 푸린 유도체에 해당) 0.2 g, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)-옥심 (표 1 에는 「PDO」라고 기재한다) ((C) 감광제에 해당) 4 g, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-하이드록시-2,6-디메틸벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온 1.5 g, N-페닐디에탄올아민 10 g, 메톡시메틸화우레아 수지 (MX-290) ((D) 가교제에 해당) 4 g, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트 8 g, N-[3-(트리에톡시실릴)프로필]프탈아미드산 1.5 g, 및 2-니트로소-1-나프톨 0.05 g 과 함께, N-메틸-2-피롤리돈 (이하에서는 NMP 라고 한다) 80 g 과 락트산에틸 20 g 으로 이루어지는 혼합 용매에 용해시켰다. 얻어진 용액의 점도를, 소량의 상기 혼합 용매를 추가로 첨가함으로써 약 35 포이즈 (poise) 로 조정하여, 네거티브형 감광성 수지 조성물로 하였다.The negative photosensitive resin composition was prepared by the following method using polymer A and B, and the prepared photosensitive resin composition was evaluated. 50 g of polymer A and 50 g of B which are polyimide precursors (corresponding to (A) resin), 0.2 g of 8-azadenine (corresponding to (B) purine derivative), 1-phenyl-1,2-propanedione-2 -(o-ethoxycarbonyl) -oxime (refer to "PDO" in Table 1) (corresponds to (C) sensitizer) 4 g, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydro Roxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione 1.5 g, N-phenyldiethanolamine 10 g, methoxymethylated Urea resin (MX-290) (corresponding to (D) crosslinking agent) 4 g, tetraethylene glycol dimethacrylate 8 g, N- [3- (triethoxysilyl) propyl] phthalamic acid, and 2- Together with 0.05 g of nitroso-1-naphthol, it was dissolved in a mixed solvent consisting of 80 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and 20 g of ethyl lactate. The viscosity of the obtained solution was adjusted to about 35 poise by further adding a small amount of the said mixed solvent, and it was set as the negative photosensitive resin composition.

상기 네거티브형 감광성 수지 조성물을 전술한 방법에 따라 평가한 결과, 구리 변색의 평가가 「가장 양호」이고, 구리 밀착의 평가가 「가장 양호」이며, 내약품성의 평가가 「양호」였다.When the said negative photosensitive resin composition was evaluated in accordance with the method mentioned above, evaluation of copper discoloration was "best", evaluation of copper adhesion was "best", and evaluation of chemical-resistance was "good".

<실시예 2, 3><Examples 2 and 3>

실시예 1 의, 본 발명에 있어서의 (B) 푸린 유도체로서의 8-아자아데닌의 배합량을 표 1 에 나타내는 조성 내용으로 변경하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 각각 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 어느 경우에 있어서나 실시예 1 과 동일한 방법으로 평가하고, 그 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다. The compounding quantity of 8-azadenine as (B) purine derivative in this invention of Example 1 was changed into the compositional content shown in Table 1, the negative photosensitive resin composition was prepared, and each evaluation similar to Example 1 is performed. It was. In any case, it evaluated by the method similar to Example 1, and the evaluation result was the same as that of Example 1.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1 의, 본 발명에 있어서의 (B) 푸린 유도체로서의 8-아자아데닌의 배합량을 표 1 에 나타내는 조성 내용으로 변경하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 구리 변색을 평가한 결과는 「양호」이고, 구리 밀착을 평가한 결과는 「양호」였다. 내약품성의 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.The compounding quantity of 8-azadenine as (B) purine derivative in this invention of Example 1 was changed to the composition content shown in Table 1, the negative photosensitive resin composition was prepared, and the same evaluation as Example 1 was performed. . The result of evaluating copper discoloration was "good", and the result of evaluating copper adhesion was "good". The evaluation result of chemical resistance was the same as that of Example 1.

<실시예 5><Example 5>

실시예 1 의, 본 발명에 있어서의 (B) 푸린 유도체로서의 8-아자아데닌의 배합량을 표 1 에 나타내는 조성 내용으로 변경하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.The compounding quantity of 8-azadenine as (B) purine derivative in this invention of Example 1 was changed to the composition content shown in Table 1, the negative photosensitive resin composition was prepared, and the same evaluation as Example 1 was performed. . Evaluation results were the same as in Example 1.

<실시예 6><Example 6>

실시예 1 의, 본 발명에 있어서의 (B) 푸린 유도체로서의 8-아자아데닌 대신에, 8-아자구아닌을 표 1 에 나타내는 조성 내용으로 사용하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.Instead of 8-azadenine as (B) purine derivative of Example 1 of this invention, the negative photosensitive resin composition was prepared using 8-azaguanine as the composition content shown in Table 1, and Example 1 and The same evaluation was performed. Evaluation results were the same as in Example 1.

<실시예 7><Example 7>

실시예 1 의, 본 발명에 있어서의 (B) 푸린 유도체로서의 8-아자아데닌 대신에, 아데닌을 표 1 에 나타내는 조성 내용으로 사용하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 구리 변색을 평가한 결과는 「양호」이고, 구리 밀착을 평가한 결과는 「양호」였다. 내약품성의 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.Instead of 8-azadenine as (B) purine derivative in Example 1 of Example 1, adenine was used for the compositional content shown in Table 1, the negative photosensitive resin composition was prepared, and the same evaluation as Example 1 was performed. Was carried out. The result of evaluating copper discoloration was "good", and the result of evaluating copper adhesion was "good". The evaluation result of chemical resistance was the same as that of Example 1.

<실시예 8><Example 8>

실시예 1 의, 본 발명에 있어서의 (B) 푸린 유도체로서의 8-아자아데닌 대신에, N,N-디메틸아데닌을 표 1 에 나타내는 조성 내용으로 사용하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 구리 변색을 평가한 결과는 「양호」이고, 구리 밀착을 평가한 결과는 「약간 양호」였다. 내약품성의 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.Instead of 8-azadenine as the (B) purine derivative in Example 1 of Example 1, a negative photosensitive resin composition was prepared using N, N-dimethyl adenine as the composition content shown in Table 1, and Example Evaluation similar to 1 was performed. The result of evaluating copper discoloration was "good", and the result of evaluating copper adhesion was "slightly good." The evaluation result of chemical resistance was the same as that of Example 1.

<실시예 9><Example 9>

실시예 1 의, 본 발명에 있어서의 (B) 푸린 유도체로서의 8-아자아데닌 대신에, 하이포크산틴을 표 1 에 나타내는 조성 내용으로 사용하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 구리 변색을 평가한 결과는 「약간 양호」이고, 구리 밀착을 평가한 결과는 「약간 양호」였다. 내약품성의 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.Instead of 8-azadenine as (B) purine derivative in Example 1 of this invention, hypoxanthine was used for the compositional content shown in Table 1, the negative photosensitive resin composition was prepared, and evaluation similar to Example 1 was performed. Was carried out. The result of evaluating copper discoloration was "slightly good", and the result of evaluating copper adhesion was "slightly good". The evaluation result of chemical resistance was the same as that of Example 1.

<실시예 10><Example 10>

실시예 1 의 조성에 추가로 (E) 유기 티탄 화합물로서의 티타늄디이소프로폭사이드비스(에틸아세토아세테이트) (E1) 0.1 g 을 첨가한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 내약품성 평가를 실시한 결과, 막의 막두께 변동 ±1 % 이내이고, 크랙도 관찰되지 않아 「가장 양호」였다. 기타 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.A negative photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 0.1 g of titanium diisopropoxide bis (ethylacetoacetate) (E1) was further added to the composition of Example 1 (E) as an organic titanium compound. Was prepared. As a result of performing chemical-resistance evaluation, the film thickness fluctuation of a film | membrane variation was within +/- 1%, and no crack was observed and it was "best." Other evaluation results were the same as in Example 1.

<실시예 11><Example 11>

실시예 1 의 조성에 추가로 (E) 유기 티탄 화합물로서의 티타늄테트라(n-부톡사이드) (E2) 0.1 g 을 첨가한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 내약품성 평가를 실시한 결과, 막의 막두께 변동 ±1 % 이내이고, 크랙도 관찰되지 않아 「가장 양호」였다. 기타 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.A negative photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 0.1 g of titanium tetra (n-butoxide) (E2) as the organic titanium compound (E) was further added to the composition of Example 1. As a result of performing chemical-resistance evaluation, the film thickness fluctuation of a film | membrane variation was within +/- 1%, and no crack was observed and it was "best." Other evaluation results were the same as in Example 1.

<실시예 12><Example 12>

실시예 1 의 조성에 추가로 (E) 유기 티탄 화합물로서의 비스(η5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)티타늄 (E3) 0.1 g 을 첨가한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 내약품성 평가를 실시한 결과, 막의 막두께 변동 ±1 % 이내이고, 크랙도 관찰되지 않아 「가장 양호」였다. 기타 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.In addition to the composition of Example 1, (E) bis (η 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl) bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrole-1) as an organic titanium compound A negative photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 0.1 g of -yl) phenyl) titanium (E3) was added. As a result of performing chemical-resistance evaluation, the film thickness fluctuation of a film | membrane variation was within +/- 1%, and no crack was observed and it was "best." Other evaluation results were the same as in Example 1.

<실시예 13><Example 13>

본 발명에 있어서의 (A) 수지로서, 폴리머 A 50 g 및 폴리머 B 50 g 대신에 폴리머 A 100 g 을 사용한 것 외에는, 실시예 10 과 동일하게 하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 평가 결과는 실시예 10 과 동일하였다.As a resin (A) in the present invention, a negative photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 10 except that Polymer A 100 g was used instead of Polymer A 50 g and Polymer B 50 g, and Example 1 The same evaluation was performed. The evaluation result was the same as in Example 10.

<실시예 14><Example 14>

본 발명에 있어서의 (A) 수지로서, 폴리머 A 50 g 및 폴리머 B 50 g 대신에 폴리머 E 100 g 을 사용한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 네거티브 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 평가 결과는 실시예 1 과 동일하였다.As a resin (A) in the present invention, a negative photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that Polymer E 100 g was used instead of Polymer A 50 g and Polymer B 50 g. The same evaluation was performed. Evaluation results were the same as in Example 1.

<실시예 15><Example 15>

폴리머 F 를 사용하여 이하의 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 조제한 감광성 수지 조성물의 평가를 실시하였다. 폴리옥사졸 전구체인 폴리머 F 100 g ((A) 수지에 해당) 을, 하기 식 (33):Positive polymer photosensitive resin composition was prepared using the polymer F by the following method, and the prepared photosensitive resin composition was evaluated. Polymer F 100 g (corresponding to (A) resin) which is a polyoxazole precursor was represented by the following formula (33):

[화학식 47][Formula 47]

Figure pat00047
(33)
Figure pat00047
(33)

으로 나타내는, 페놀성 수산기의 77 % 를 나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르화한 감광성 디아조퀴논 화합물 (토요 합성사 제조, (C) 감광제에 해당) (표에는 「C1」이라고 기재) 20 g, 8-아자아데닌 ((B) 푸린 유도체에 해당) 0.2 g, 3-t-부톡시카르보닐아미노프로필트리에톡시실란 6 g 과 함께, γ-부티로락톤 (용매로서) 100 g 에 용해시켰다. 얻어진 용액의 점도를 소량의 γ-부티로락톤을 추가로 첨가함으로써 약 20 포이즈 (poise) 로 조정하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물로 하였다.20 g of photosensitive diazoquinone compounds obtained by naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid esterification of 77% of phenolic hydroxyl groups (corresponding to Toyo Synthetic Co., Ltd. (C) photosensitive agent) , 0.2 g of 8-azadenine (corresponding to (B) purine derivative) and 6 g of 3-t-butoxycarbonylaminopropyltriethoxysilane were dissolved in 100 g of γ-butyrolactone (as a solvent). . The viscosity of the obtained solution was adjusted to about 20 poise by adding a small amount of (gamma) -butyrolactone further, and it was set as positive type photosensitive resin composition.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 전술한 방법에 따라 평가한 결과, 구리 변색의 평가가 「가장 양호」이고, 구리 밀착의 평가가 「가장 양호」이며, 내약품성의 평가가 「양호」였다.When the said positive photosensitive resin composition was evaluated in accordance with the above-mentioned method, evaluation of copper discoloration was "best", evaluation of copper adhesion was "best", and evaluation of chemical-resistance was "good".

<실시예 16><Example 16>

본 발명에 있어서의 (A) 수지로서, 폴리머 F 100 g 대신에 폴리머 G 100 g 을 사용한 것 외에는, 실시예 15 와 동일하게 하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 15 와 동일한 평가를 실시하였다. 평가 결과는 실시예 15 와 동일하였다.A positive photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 15 except that Polymer G 100 g was used instead of Polymer F 100 g as the resin (A) in the present invention, and the same evaluation as in Example 15 was performed. It was. The evaluation result was the same as in Example 15.

<비교예 1><Comparative Example 1>

실시예 1 의 조성으로부터 8-아자아데닌 대신에, 벤조트리아졸을 표 1 에 나타내는 배합량으로 첨가한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 전술한 방법에 따른 실리콘 웨이퍼 및 구리 기판으로의 도포, 건조, 노광, 현상 및 가열 처리에 의해 얻은 폴리이미드 도포막은, 내약품성의 평가가 「양호」였지만, 본 발명의 (B) 푸린 유도체를 함유하지 않기 때문에 구리 변색의 평가는 「불량」이고, 구리 밀착의 평가는 「약간 불량」이었다.Except having added benzotriazole in the compounding quantity shown in Table 1 from the composition of Example 1 except having added benzotriazole, it carried out similarly to Example 1, and prepared the negative photosensitive resin composition, and the evaluation similar to Example 1 Was carried out. Although the polyimide coating film obtained by the application | coating, drying, exposure, image development, and heat processing to the silicon wafer and the copper substrate which were mentioned above was evaluated as "good", it contains the (B) purine derivative of this invention. Since it did not, evaluation of copper discoloration was "defect", and evaluation of copper adhesion was "slightly defective."

<비교예 2><Comparative Example 2>

비교예 1 의 조성에 벤조트리아졸을 배합하지 않고, 또한 본 발명에 있어서의 (A) 폴리이미드 전구체로서, 폴리머 A 50 g 및 폴리머 B 50 g 대신에 폴리머 C 50 g 및 폴리머 D 50 g 을 사용한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 네거티브형 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 전술한 방법에 따른 실리콘 웨이퍼 및 구리 기판으로의 도포, 건조, 노광, 현상 및 가열 처리에 의해 얻은 폴리이미드 도포막은, 내약품성의 평가가 「양호」였지만, 구리 변색의 평가는 「불량」이고, 구리 밀착의 평가는 「약간 양호」였다.Without blending benzotriazole in the composition of Comparative Example 1, and as the (A) polyimide precursor in the present invention, 50 g of polymer A and 50 g of polymer D were used instead of 50 g of polymer A and 50 g of polymer B. In the same manner as in Comparative Example 1, a negative photosensitive resin composition was prepared, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The polyimide coating film obtained by coating, drying, exposing, developing, and heating the silicon wafer and the copper substrate according to the above-described method was evaluated as "good" in chemical resistance, but evaluation of copper discoloration was "bad", Evaluation of copper adhesion was "slightly favorable."

Figure pat00048
Figure pat00048

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 감광성 수지 조성물은 예를 들어 반도체 장치, 다층 배선 기판 등의 전기ㆍ전자 재료의 제조에 유용한 감광성 재료의 분야에서 바람직하게 이용할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention can be preferably used in the field of the photosensitive material useful for manufacture of electrical and electronic materials, such as a semiconductor device and a multilayer wiring board, for example.

Claims (11)

(A) 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르, 폴리옥사졸 전구체가 될 수 있는 폴리하이드록시아미드, 폴리아미노아미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조이미다졸 및 폴리벤즈티아졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지:100 질량부,
(B) 푸린 유도체:그 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 0.01 ? 10 질량부, 그리고,
(C) 감광제:그 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 1 ? 50 질량부
를 함유하는 감광성 수지 조성물.
(A) polyhydroxyamides, polyaminoamides, polyamides, polyamideimides, polyimides, polybenzoxazoles, polybenzoes, which may be polyamide acids, polyamic acid esters, and polyoxazole precursors which are polyimide precursors At least one resin selected from the group consisting of imidazole and polybenzthiazole: 100 parts by mass,
(B) Purine derivative: 0.01? Based on 100 parts by mass of the (A) resin. 10 parts by mass, and
(C) Photosensitive agent: 1? 50 parts by mass
Photosensitive resin composition containing.
제 1 항에 있어서,
상기 (A) 수지는 하기 일반식 (1):
[화학식 1]
Figure pat00049
(1)
{식 중, X1 은 4 가의 유기기이고, Y1 은 2 가의 유기기이고, n1 은 2 ? 150 의 정수이고, 그리고 R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 하기 일반식 (2):
[화학식 2]
Figure pat00050
(2)
(식 중, R3, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ? 3 의 유기기이고, 그리고 m1 은 2 ? 10 의 정수이다.) 로 나타내는 1 가의 유기기, 또는 탄소수 1 ? 4 의 포화 지방족기이다.}로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체, 하기 일반식 (3):
[화학식 3]
Figure pat00051
(3)
{식 중, X2 는 탄소수 6 ? 15 의 3 가의 유기기이고, Y2 는 탄소수 6 ? 35 의 2 가의 유기기이고, 또한 동일한 구조이거나 또는 복수의 구조를 가져도 되고, R6 은 탄소수 3 ? 20 의 라디칼 중합성의 불포화 결합기를 적어도 1 개 갖는 유기기이고, 그리고 n2 는 1 ? 1000 의 정수이다.}
으로 나타내는 구조를 갖는 폴리아미드, 하기 일반식 (4):
[화학식 4]
Figure pat00052
(4)
{식 중, Y3 은 탄소 원자를 갖는 4 가의 유기기이고, Y4, X3 및 X4 는 각각 독립적으로 2 개 이상의 탄소 원자를 갖는 2 가의 유기기이고, n3 은 1 ? 1000 의 정수이고, n4 는 0 ? 500 의 정수이고, n3/(n3 + n4) > 0.5 이고, 그리고 X3 및 Y3 를 포함하는 n3 개의 디하이드록시디아미드 단위 그리고 X4 및 Y4 를 포함하는 n4 개의 디아미드 단위의 배열 순서는 문제삼지 않는다.}
로 나타내는 구조를 갖는 폴리옥사졸 전구체, 및 하기 일반식 (5):
[화학식 5]
Figure pat00053
(5)
{식 중, X5 는 4 ? 14 가의 유기기, Y5 는 2 ? 12 가의 유기기, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 페놀성 수산기, 술폰산기 또는 티올기에서 선택되는 기를 적어도 1 개 갖는 유기기를 나타내고, n5 는 3 ? 200 의 정수이고, m2 및 m3 은 0 ? 10 의 정수를 나타낸다.}
로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The said (A) resin is following General formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00049
(One)
In formula, X <1> is a tetravalent organic group, Y <1> is a divalent organic group, n <1> is 2? An integer of 150, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or the following general formula (2):
(2)
Figure pat00050
(2)
(In formula, R <3> , R <4> and R <5> are respectively independently a hydrogen atom or a C1-C3 organic group, and m <1> is an integer of 2-10.) Monovalent organic group represented by C1 or C1-C1 ? It is a saturated aliphatic group of 4. The polyimide precursor which has a structure represented by X, General formula (3) shown below:
(3)
Figure pat00051
(3)
In formula, X <2> has 6? It is a trivalent organic group of 15, Y <2> is C6? It is a 35-valent divalent organic group, may have the same structure, or may have multiple structure, and R <6> is C3-C? It is an organic group which has at least 1 radically polymerizable unsaturated bond group of 20, and n <2> is 1? An integer of 1000.
Polyamide having a structure represented by the following general formula (4):
[Chemical Formula 4]
Figure pat00052
(4)
In formula, Y <3> is a tetravalent organic group which has a carbon atom, Y <4> , X <3> and X <4> are each independently a divalent organic group which has 2 or more carbon atoms, and n <3> is 1? Is an integer of 1000 and n 4 is 0? An integer of 500, n 3 / (n 3 + n 4 )> 0.5, and n 3 dihydroxydiamide units comprising X 3 and Y 3 and n 4 dia comprising X 4 and Y 4 The order of the mid units does not matter.
Polyoxazole precursor which has a structure represented by following, and following General formula (5):
[Chemical Formula 5]
Figure pat00053
(5)
In the formula, X 5 is 4? 14 valence organic group, Y 5 is 2? The divalent organic group, R 7 and R 8 each independently represent an organic group having at least one group selected from phenolic hydroxyl group, sulfonic acid group or thiol group, and n 5 is 3? Is an integer of 200, and m <2> and m <3> are 0? Represents an integer of 10.
The photosensitive resin composition which is at least 1 sort (s) of resin chosen from the group which consists of polyimide which has a structure shown by the following.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (B) 푸린 유도체는 하기 일반식 (6):
[화학식 6]
Figure pat00054
(6)
{식 중, R9 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R10 은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ? 6 의 알콕시기, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기로 치환되어 있어도 되는 아미노기이다.}으로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (7):
[화학식 7]
(7)
{식 중, R11 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R12 및 R13 은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (8):
[화학식 8]
Figure pat00056
(8)
{식 중, R14 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R15 는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ? 6 의 알콕시기, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기로 치환되어 있어도 되는 아미노기이다.}로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (9):
[화학식 9]
Figure pat00057
(9)
{식 중, R16 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이고, 그리고 R17 및 R18 은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 푸린 유도체인 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The (B) purine derivative is represented by the following general formula (6):
[Formula 6]
Figure pat00054
(6)
In formula, R <9> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or aromatic group of 10 , and R 10 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a carbon atom; 6 alkoxy group, hydroxyl group, hydroxyalkyl group or C1-C? It is an amino group which may be substituted by the alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by v, following general formula (7):
[Formula 7]
(7)
In formula, R <11> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group or a carbon atom; It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by i, the following general formula (8):
[Chemical Formula 8]
Figure pat00056
(8)
In formula, R <14> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 15 represents a hydrogen atom, a halogen atom or C 1? 6 alkoxy group, hydroxyl group, hydroxyalkyl group or C1-C? It is an amino group which may be substituted by the alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by X and following General formula (9):
[Formula 9]
Figure pat00057
(9)
In formula, R <16> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? An alkyl group or an aromatic group of 10, and R 17 and R 18 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group or a carbon atom; It is an alkyl group or an aromatic group of 10. The photosensitive resin composition which is at least 1 sort (s) of purine derivatives chosen from the group which consists of a compound shown by v.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (B) 푸린 유도체는 하기 일반식 (10):
[화학식 10]
Figure pat00058
(10)
{식 중, R19 는 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}으로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (11):
[화학식 11]
Figure pat00059
(11)
{식 중, R20 은 수소 원자, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기이다.}로 나타내는 화합물, 하기 일반식 (12):
[화학식 12]
Figure pat00060
(12)
{식 중, R21 은 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기 혹은 방향족기이다.}로 나타내는 화합물, 및 하기 일반식 (13):
[화학식 13]
Figure pat00061
(13)
{식 중, R22 는 수소 원자, 하이드록시알킬기 또는 탄소수 1 ? 10 의 알킬기이다.}으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 푸린 유도체인 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The (B) purine derivative is represented by the following general formula (10):
[Formula 10]
Figure pat00058
10
In formula, R <19> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by v, following general formula (11):
(11)
Figure pat00059
(11)
In formula, R <20> is a hydrogen atom, a hydroxyalkyl group, or C1-C? It is an alkyl group of 10. The compound represented by X, following General formula (12):
[Formula 12]
Figure pat00060
(12)
In formula, R <21> is a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, or C1-C? It is an alkyl group or aromatic group of 10. The compound represented by X and following General formula (13):
[Formula 13]
Figure pat00061
(13)
In formula, R <22> represents a hydrogen atom, a hydroxyalkyl group, or C1-C? It is an alkyl group of 10. The photosensitive resin composition which is at least 1 sort (s) of purine derivatives chosen from the group which consists of a compound shown by v.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (B) 푸린 유도체가 상기 일반식 (12) 로 나타내는 화합물, 및 상기 일반식 (13) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The photosensitive resin composition whose said (B) purine derivative is at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a compound represented by the said General formula (12), and the compound represented by the said General formula (13).
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
(D) 가교제:상기 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 0.5 ? 20 질량부를 추가로 함유하는 감광성 수지 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
(D) Crosslinking agent: 0.5-based on 100 mass parts of said (A) resins. The photosensitive resin composition which further contains 20 mass parts.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
(E) 유기 티탄 화합물:상기 (A) 수지 100 질량부를 기준으로 하여 0.05 ? 10 질량부를 추가로 함유하는 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 6,
(E) Organic titanium compound: 0.05? On the basis of 100 parts by mass of the above (A) resin. The photosensitive resin composition containing 10 mass parts further.
제 7 항에 있어서,
상기 (E) 유기 티탄 화합물은 티탄킬레이트 화합물, 테트라알콕시티탄 화합물 및 티타노센 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 7, wherein
The said (E) organic titanium compound is the photosensitive resin composition which is at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of a titanium chelate compound, a tetraalkoxy titanium compound, and a titanocene compound.
(1) 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포함으로써 감광성 수지층을 그 기판 상에 형성하는 공정과,
(2) 그 감광성 수지층을 노광하는 공정과,
(3) 그 노광 후의 감광성 수지층을 현상하여 릴리프 패턴을 형성하는 공정과,
(4) 그 릴리프 패턴을 가열 처리함으로써 경화 릴리프 패턴을 형성하는 공정
을 포함하는 경화 릴리프 패턴의 제조 방법.
(1) Process of forming the photosensitive resin layer on the board | substrate by apply | coating the photosensitive resin composition of any one of Claims 1-8 on a board | substrate,
(2) exposing the photosensitive resin layer,
(3) developing the photosensitive resin layer after the exposure to form a relief pattern;
(4) Process of forming hardening relief pattern by heat-processing the relief pattern
Method of producing a cured relief pattern comprising a.
제 9 항에 있어서,
상기 기판이 구리 또는 구리 합금으로 형성되어 있는 방법.
The method of claim 9,
The substrate is formed of copper or a copper alloy.
제 9 항 또는 제 10 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는 경화 릴리프 패턴을 포함하는 반도체 장치.The semiconductor device containing the hardening relief pattern obtained by the manufacturing method of Claim 9 or 10.
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