JP4183459B2 - Polyamic acid ester composition - Google Patents

Description

【００１７】
（式中、Ｘはそれぞれ独立して炭素数６〜３２の４価の芳香族基であり、Ｙはそれぞれ独立して炭素数４〜３０の２価の有機基であり、各Ｒはそれぞれ独立してオレフィン性二重結合を有する１価の基である。）
該４価の芳香族基Ｘの全モル量に対して、５〜３０モル％の４価の芳香族基Ｘが、一般式（２）：
【００１８】
【化５】

【００１９】
で表される４価のベンゼン基（２）であり、かつ
該４価の芳香族基Ｘの全モル量に対して、２０〜９０モル％の４価の芳香族基Ｘが次の一般式（３）：
【００２０】
【化６】

【００２１】
で表される４価のジフェニルエーテル基（３）であり、
ただし、該４価のベンゼン基（２）と該４価のジフェニルエーテル基（３）との合計量が、該４価の芳香族基Ｘの全モル量に対して、５０モル％以上であるポリアミド酸エステルと、
（Ｂ）（Ａ）のポリアミド酸エステル重量に対し、０．３〜１０重量％の有機チタン化合物と、
（Ｃ）乳酸エステル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、エチルアルコールからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルコールを５ないし５０質量％含む溶媒と、
（Ｄ）光開始剤
（Ｅ）接着助剤
を混合してなることを特徴とする感光性組成物。
【００２２】
２． （Ｂ）有機チタン化合物が、アルコキシ基を２個以上有するチタンキレートであるか、あるいはテトラアルコキシチタンであることを特徴とする、上記１．に記載の感光性組成物。
【００２３】
３． （ａ）上記１．又は２．に記載の感光性組成物を基材に塗布、乾燥する工程、（ｂ）塗膜をパターンを有するフォトマスクまたはレチクルを介して紫外線により露光後、未露光部を溶剤で除去して、ポリアミド酸エステルのパターンを得る工程、（ｃ）ポリアミド酸エステルのパターンを加熱硬化することにより、ポリイミドのパターンを得る工程、を含むことを特徴とする、ポリイミドパターンの形成方法。
４． 上記３．記載の方法により形成したポリイミド膜を有することを特徴とする半導体装置。
である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき詳細に説明する。
本発明の組成物の成分であるポリアミド酸エステルは、後述するように複数の異なるテトラカルボン酸ジエステル混合物をジアミンとの縮合反応に付すことによって合成することができる。
上記ポリアミド酸エステルにおいて、その繰り返し単位中のＸ基は、原料として用いるテトラカルボン酸二無水物に由来する。本発明で用いることができるテトラカルボン酸二無水物の例としては下式（４）のテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
【００２５】
【化７】

【００２６】
（式中、Ｘは炭素数６〜３２の４価の芳香族基である。）
Ｘ基として上記４価のベンゼン基（２）を有するテトラカルボン酸二無水物の例としてはピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）が挙げられ、Ｘ基として上記４価のジフェニルエーテル基（３）を有するテトラカルボン酸二無水物の例としては４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）が挙げられる。
【００２７】
本発明においては、別途調整した複数の異なるテトラカルボン酸ジエステルをジアミンとの縮合反応に付し上記ポリアミド酸エステルを製造することもできるが、通常、複数の異なるテトラカルボン酸二無水物のエステル化反応を行って得られたテトラカルボン酸ジエステル混合物をそのままジアミンとの縮合反応に付す。
【００２８】
後者の方法で上記ポリアミド酸エステルを製造する場合、上記ポリアミド酸エステルの組成を達成できるように、用いるテトラカルボン酸二無水物混合物の全モル量に対して、上記のベンゼン基（２）含有テトラカルボン酸二無水物を５〜３０モル％を用いてテトラカルボン酸ジエステルを製造する。ただし、本発明の効果を得るためには、上記のベンゼン基（２）含有テトラカルボン酸二無水物と上記のジフェニルエーテル基（３）含有テトラカルボン酸二無水物との合計モル量が、用いるテトラカルボン酸二無水物混合物の全モル量に対して、５０モル％以上である必要がある。合計モル量が５０モル％を下回ると、解像度と耐水接着性が悪くなり好ましくない。
【００２９】
また、本発明の組成物の成分であるポリアミド酸エステルにおいては、ジフェニルエーテル基（３）含有テトラカルボン酸二無水物を２０〜９０モル％の範囲内で用いる。
上記のベンゼン基（２）含有テトラカルボン酸二無水物を５モル％未満または上記のジフェニルエーテル基（３）含有テトラカルボン酸二無水物を２０モル％未満しか用いないと、他方のものだけを用いた場合の欠点が克服できず、望ましい全ての特性を満足するポリイミドパターンの形成を可能にする感光性組成物に用いることができるポリアミド酸エステルを合成することはできない。
【００３０】
ベンゼン基（２）含有テトラカルボン酸二無水物の量が３０モル％を超えると、耐水接着力が悪くなり好ましくない。
ジフェニルエーテル基（３）含有テトラカルボン酸二無水物の量が９０モル％を超えると、耐熱性の不良によるパターンの劣化、耐薬品性不良などが起こりやすく好ましくない。
上記したベンゼン基（２）含有テトラカルボン酸二無水物またはジフェニルエーテル基（３）含有テトラカルボン酸二無水物以外のテトラカルボン酸二無水物としては、上記式（４）のＸが炭素数６〜３２の４価の芳香族基であるテトラカルボン酸二無水物であれば特に限定はない。
【００３１】
具体的には、３，３’，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２，２−ジフタル酸二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，６−ビストリフルオロメチル−１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、及び下記式（５）の構造を有するテトラカルボン酸二無水物などの公知のテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。
【００３２】
【化８】

【００３３】
（式中、Ｚは下記式（６）もしくは（７）で表される芳香族基を表す。）
【００３４】
【化９】

【００３５】
【化１０】

【００３６】
上記のテトラカルボン酸二無水物のエステル化反応に用いるアルコール類は、オレフィン性二重結合を有するアルコール類である。具体的には、２−メタクリロイルオキシエチルアルコール、２−アクリロイルオキシエチルアルコール、１−アクリロイルオキシー２−プロピルアルコール、２−メタクリルアミドエチルアルコール、２−アクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、２−ヒドロキシエチルビニルケトン及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート等を挙げることができる。これらのアルコール類は、１種あるいは２種以上を混合して用いることができる。
【００３７】
また、特開平６−８０７７６号公報（米国特許第５３９７６８２号明細書に対応）に記載のように、上記のオレフィン性二重結合を有するアルコールに、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール及びアリルアルコールなどを混合して用いることもできる。
従来、テトラカルボン酸二無水物のエステル化に使用するアルコール類の量は、テトラカルボン酸二無水物１．０当量あたり１．０当量であるが、本発明においては、テトラカルボン酸二無水物１．０当量あたり、１．０１〜１．１０当量になるようにアルコールを用いてテトラカルボン酸ジエステルを合成すると、最終的に得られる感光性組成物の保存安定性が向上するので好ましい。
【００３８】
本発明のポリアミド酸エステルにおいて、その繰り返し単位中のＹ基は、原料として用いるジアミン類に由来する。本発明で用いることができるジアミンの例としては、下式（８）で表されるジアミンが挙げられる。
【００３９】
【化１１】

【００４０】
（式中、Ｙは炭素数４〜２０の２価の有機基である。）
【００４１】
本発明に用いるジアミン類としては、芳香族ジアミンであっても、脂肪族ジアミンであっても良いが、芳香族ジアミンを用いることが好ましい。ジアミンの具体的な例としては、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォキシド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフォン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフォン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシビフェニル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）プロパン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、あるいはこれらのジアミン類の芳香族上の水素原子が一部メチル基、エチル基、ハロゲン基で置換されたもの、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラフェニルジシロキサン等を挙げることができる。
【００４２】
好ましいジアミン類は、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニルのような２個のベンゼン環を有するものであり、このようなジアミン類を用いるとポリアミド酸エステルの性能のバランスがとりやすい。上記のジアミン類はいずれも、単独あるいは２種以上を混合して用いることができる。
テトラカルボン酸ジエステルとジアミンのモル比は、１．０付近であることが好ましいが、目的とするポリアミド酸エステルの分子量に応じて０．７〜１．３の範囲で用いることができる。
【００４３】
本発明に用いるポリアミド酸エステルの具体的な合成方法に関しては従来の方法を採用することができる。これについては、国際公開第００／４３４３９号パンフレットに示されている。
本発明に用いるポリアミド酸エステルの数平均分子量は、８０００〜１５００００であることが好ましく、９０００〜５００００であることがより好ましい。本発明のポリアミド酸エステル感光性組成物中に含まれるポリアミド酸エステルは、上記手法により合成されたものであり、且つ本発明の組成要件を満たしていれば、単独でも複数の異なるポリアミド酸エステルを組み合わせても使用することができる。
【００４４】
本発明のポリアミド酸エステル組成物においては、耐熱性及び耐薬品性を向上する成分（Ｂ）として有機チタン化合物を使用する。（Ｂ）成分として使用可能な有機チタン化合物としては、チタン原子に有機化学物質が共有結合あるいはイオン結合を介して結合しているものであれば特に制限はない。
用いることのできる有機チタン化合物の具体的な例は、まずチタノセン類である。チタノセン類としては、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキサイドなどが用いられる。この際に、ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１−ヒドロピロール−１−イル）フェニル）チタノセンのような光開始剤として機能するチタノセン類を用いると、本発明に用いることのある他の開始剤との干渉により、良好なパターンを得にくい場合があり、光開始剤として機能しない有機チタン化合物の方がより好ましい。
【００４５】
また本発明に用いることのできる有機チタン化合物の別の具体的な例は、チタンキレート類である。本発明ではチタンキレート類の内、２個以上のアルコキシ基を有する物が、組成物の安定性及び良好なパターンがえられることからより好ましく、具体的な好ましい例としては、チタニウムビス（トリエタノールアミン）ジイソプロポキサイド、チタニウムジ（ｎ−ブトキサイド）（ビス−２，４−ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイド（ビス−２，４−ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）等である。
【００４６】
また本発明には、チタニウムテトラ（ｎ−ブトキサイド）、チタニウムテトラエトキサイド、チタニウムテトラ（２−エチルヘキソキサイド）、チタニウムテトライソブトキサイド、チタニウムテトライソプロポキサイド、チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラメトキシプロポキサイド、チタニウムテトラメチルフェノキサイド、チタニウムテトラ（ｎ−ノニロキサイド）、チタニウムテトラ（ｎ−プロポキサイド）、チタニウムテトラステアリロキサイド、チタニウムテトラキス（ビス２，２−（アリロキシメチル）ブトキサイド）、等のテトラアルコキシド類、チタニウムトリス（ジオクチルホスフェート）イソプロポキサイド、チタニウムトリス（ドデシルベンゼンスルフォネート）イソプロポキサイド等のモノアルコキサイド類、チタニウムオキサイドビス（ペンタンジオネート）、チタニウムオキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、フタロシアニンチタニウムオキサイド等のチタニウムオキサイド類、チタニウムテトラアセチルアセトネート等のテトラアセチルアセトネート類、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルフォニルチタネート、等のチタネートカップリング剤類なども用いることができる。
【００４７】
これらの有機チタン化合物の添加量は、（Ａ）成分として使用するポリアミド酸エステル１００重量部に対し、０．３〜１０重量部であることが好ましく、更に好ましくは０．５〜２重量部である。添加量が０．３重量部未満となると所望の耐熱性及び耐薬品性が発現せず、また１０重量部を超えると保存安定性に劣ることがある。
【００４８】
本発明のポリアミド酸エステル組成物において（Ｃ）成分として用いる溶媒としては、成分（Ａ）及び（Ｂ）に対する溶解性の点から、極性の有機溶剤を用いることが好ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、テトラメチル尿素、１，３−ジメチル−２−イミダゾリノン、Ｎ―シクロヘキシル−２−ピロリドンなどが挙げられ、これらは単独または二種以上の組合せで用いることができる。
これらの溶媒は、塗布膜厚、粘度に応じて、ポリアミド酸エステル１００重量部に対し、１００〜４００重量部の範囲で用いることができる。
【００４９】
さらに本発明のポリアミド酸エステル組成物の保存安定性を向上させるため、溶媒として使用する有機溶剤中にアルコール類を含むことが好ましい。
使用可能なアルコール類としては、分子内にアルコール性水酸基を持つものであれば特に制限はないが、具体的な例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、乳酸エチル等の乳酸エステル類、プロピレングリコール−１−メチルエーテル、プロピレングリコール−２−メチルエーテル、プロピレングリコール−１−エチルエーテル、プロピレングリコール−２−エチルエーテル、プロピレングリコール−１−（ｎ−プロピル）エーテル、プロピレングリコール−２−（ｎ−プロピル）エーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコール−ｎ−プロピルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、２−ヒドロキシイソ酪酸エステル類、エチレングリコール、プロピレングリコール等のジアルコール類、を挙げることができる。これらの中では、乳酸エステル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、２−ヒドロキシイソ酪酸エステル類、エチルアルコールが好ましく、特に乳酸エチル、プロピレングリコール−１−メチルエーテル、プロピレングリコール−１−エチルエーテル、プロピレングリコール−１−（ｎ−プロピル）エーテルがより好ましい。
【００５０】
全溶媒中に占めるアルコール類の含量は５〜５０重量％であることが好ましく、更に好ましくは１０〜３０重量％である。アルコール類の含量が５重量％未満の場合、ポリアミド酸エステル組成物の保存安定性が悪くなることがあり、例えば、常温で２週間放置したポリアミド酸エステル組成物に析出物が観察されることがある。また５０重量％を超えると、（Ａ）成分であるポリアミド酸エステルの溶解性が悪くなる。
【００５１】
本発明の感光性組成物の成分（Ｄ）として用いる光開始剤としては、例えばベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン等のアセトフェノン誘導体、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体、２，６−ジ（４’−ジアジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６′−ジ（４’−ジアジドベンザル）シクロヘキサノン等のアジド類、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニルプロパンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニルプロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニルプロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニルプロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシプロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム等のオキシム類、Ｎ−フェニルグリシンなどのＮ−アリールグリシン類、ベンゾイルパーオキシドなどの過酸化物類、芳香族ビイミダゾール類、チタノセン類などが用いられるが、光感度の点でオキシム類が好ましい。
これらの光開始剤の添加量は、ポリイミド前駆体として用いるポリアミド酸エステル１００重量部に対し、１〜１５重量部が好ましい。
【００５２】
本発明における感光性組成物は、上記したポリアミド酸エステル組成物及び光開始剤に加え、光感度向上のために反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物を加えることもできる。このような化合物としては、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート（エチレンモノマー単位のモル数２〜２０）、ペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、及び上記のアクリレート、または上記のアクリルアミドに相当するメタクリレート、またはメタクリルアミド等が挙げられる。
このような化合物は、ポリイミド前駆体として用いるポリアミド酸エステル１００重合部に対して、１〜３０重量部の範囲で添加するのが好ましい。
【００５３】
本発明の感光性組成物には、更に光感度を向上させるために増感剤を添加することもできる。光感度を向上させるための増感剤としては、例えばミヒラーズケトン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５−ビス（４’−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタン、２，６−ビス（４’−ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４’−ジエチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビフェニレン）−ベンゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）ベンゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４’−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−ビス（４’−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３’−カルボニル−ビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３−アセチル−７−ジメチルアミノクマリン、３−エトキシカルボニル−７−ジメチルアミノクマリン、３−ベンジロキシカルボニル−７−ジメチルアミノクマリン、３−メトキシカルボニル−７−ジエチルアミノクマリン、３−エトキシカルボニル−７−ジエチルアミノクマリン、Ｎ−フェニル−Ｎ′−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、Ｎ−ｐ−トリルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、４−モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２−メルカプトベンズイミダゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンズチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２−ｄ）チアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）スチレン等が挙げられ、感度の点で、メルカプト基を有する化合物とジアルキルアミノフェニル基を有する化合物を組み合わせて用いることが好ましい。これらは単独でまたは２〜５種類の組み合わせで用いることができる。
【００５４】
光感度を向上させるための増感剤は、ポリイミド前駆体として用いるポリアミド酸エステル１００重量部に対し、０．１〜１０重量部を用いるのが好ましい。また、本発明の感光性組成物には、基材との接着性向上のため本発明の（Ｅ）成分である接着助剤を添加することもできる。接着助剤としては、γ−アミノプロピルジメトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ−３−グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ−〔３−（トリエトキシシリル）プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェノン−３，３’−ビス（Ｎ−〔３−トリエトキシシリル〕プロピルアミド）−４，４’−ジカルボン酸、ベンゼン−１、４−ビス（Ｎ−〔３−トリエトキシシリル〕プロピルアミド）−２，５−ジカルボン酸、３−（トリエトキシシリル）プロピルスクシニックアンハイドライド、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、及びアルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系接着助剤などが挙げられる。
これらの内では接着力の点からシランカップリング剤を用いることがより好ましい。接着助剤の添加量は、ポリイミド前駆体として用いるポリアミド酸エステル１００重量部に対し、０．５〜１０重量部の範囲が好ましい。
【００５５】
また、本発明の感光性組成物には、保存時の組成物溶液の粘度や光感度の安定性を向上させるために熱重合禁止剤を添加することができる。熱重合禁止剤としては、ヒドロキノン、Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、フェノチアジン、Ｎ−フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−メチルフェノール、５−ニトロソ−８−ヒドロキシキノリン、１−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフトール、２−ニトロソ−５−（Ｎ−エチル−Ｎ−スルフォプロピルアミノ）フェノール、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソ−Ｎ（１−ナフチル）ヒドロキシルアミンアンモニウム塩等が用いられる。
【００５６】
感光性組成物に添加する熱重合禁止剤の量としては、ポリイミド前駆体として用いるポリアミド酸エステル１００重量部に対し、０．００５〜５重量部の範囲が好ましい。
また、本願においては、
（i）上記の感光性組成物を基材に塗布し、乾燥することにより該基材上に形成された塗膜を得、
（ii）該塗膜を、パターンを有するフォトマスクまたはレチクルを介して紫外線に露光し、次いで溶剤で処理することにより該塗膜の未露光部を除去して、これにより該基材上にポリアミド酸エステルのパターンを形成し、
（iii）該ポリアミド酸エステルのパターンを加熱することにより、該パターン中のポリアミド酸エステルをイミド化し、これにより該基材上に形成されたポリイミドのパターンを得る。
ことを包含するポリイミドパターンを基材上に形成する方法の発明も提供する。
【００５７】
本発明で使用できる基材としては、シリコンウエハー、金属、ガラス、半導体、金属酸化絶縁膜、窒化ケイ素などが挙げられるが、好ましくはシリコンウエハーが用いられる。
本発明において、感光性組成物を基材上に塗布する方法としては、従来から感光性組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。
【００５８】
塗膜の乾燥方法としては、風乾、オーブンまたはホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥等の方法が用いられる。また、塗膜の乾燥は、感光性組成物中のポリアミド酸エステルのイミド化が起こらないような条件で行うことが望ましい。具体的には、風乾、あるいは加熱乾燥を行う場合、２０℃〜１４０℃で１分〜１時間の条件で行うことができる。
こうして得られた塗膜は、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、紫外線光源等により露光され、次いで現像される。
【００５９】
現像に使用される現像液としては、ポリアミド酸エステル組成物に対する良溶媒、または良溶媒と貧溶媒の組み合わせが好ましい。良溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等が好ましく、貧溶媒としてはトルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び水等が用いられる。良溶媒と貧溶媒とを混合して用いる場合には、ポリマーの溶解性によって良溶媒に対する貧溶媒の割合を調整する。また、各溶媒を数種類組み合わせて用いることもできる。
【００６０】
現像に用いる方法としては、従来知られているフォトレジストの現像方法、例えば回転スプレー法、パドル法、超音波処理を伴う浸せき法等の中から任意の方法を選択することができる。
上記のようにして得られたポリアミド酸エステルのパターンは加熱して感光成分を希散させ、ポリイミドのパターンに変換する。加熱変換させる方法としては、ホットプレートによるもの、オーブンを用いるもの、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いるもの等種々の方法を選ぶことができる。加熱は、２８０℃〜４５０℃で３０分〜５時間の条件で行うことができる。加熱変換させる際の雰囲気気体としては空気を用いても良く、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。
【００６１】
また、本願においては、前述の方法により形成したポリイミドパターンを有することを特徴とする半導体装置の発明も提供される。該半導体装置は、公知の半導体装置の製法に前述のポリイミドパターンの形成方法を組み合わせることで、得ることができる。
【００６２】
【実施例】
以下に実施例及び比較例により本発明を具体的に説明する。
実施例、比較例及び参考例においては、感光性組成物の物性を以下の方法に従って測定及び評価した。
（１）数平均分子量
各ポリアミド酸エステルの数平均分子量（Ｍｗ）をゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（標準ポリスチレン換算）で測定した。
（２）ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定
基板となるシリコンウエハー（日本国、フジミ電子工業株式会社製）上に、硬化後の膜厚が約１０μｍとなるように感光性組成物を回転塗布乾燥した後、レチクルを用いずに３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギーの紫外線で露光し、窒素雰囲気下、３５０℃で２時間加熱して熱硬化したポリイミドの塗膜を得た。得られたポリイミド塗膜をフッ化水素酸を用いてシリコンウエハーから剥がしてポリイミドのテープとした。得られたポリイミドテープを島津製作所製ＴＭＡ−５０型を用い、昇温１０℃／分、 ２００ｇ／ｍｍ²の荷重をかけて、窒素雰囲気下で熱機械物性を測定し、Ｔｇを求めた。２６５℃を超えるＴｇを示すポリイミドを高耐熱性として合格とした。
【００６３】
（３）ポリイミド塗膜の伸度
上記（２）と同様にして得たポリイミドのテープの伸度をＡＳＴＭ−Ｄ−８８２−８８に従って測定した。伸度は、３０％以上であれば良好とした。
（４）感光性組成物の解像度及びポリイミドパターンの精度
感光性組成物を５インチシリコンウエハー上にスピン塗布し、乾燥して１０μｍ厚の塗膜を形成した。この塗膜にテストパターン付レチクルを用いてｉ線ステッパーＮＳＲ１７５５ｉ７Ｂ（日本国、ニコン社製）により、３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギーを照射した。次いで、ウエハー上に形成した塗膜を、シクロペンタノンを用いて現像機（Ｄ−ＳＰＩＮ６３６型、日本国、大日本スクリーン製造社製）でスプレー現像し、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートでリンスしてポリアミド酸エステルのパターンを得た。
【００６４】
パターンを形成したウエハーを昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ−２０００型、日本国、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気下、２００℃で１時間、続いて３５０℃で２時間熱処理することにより、５μｍ厚のポリイミドのパターンをシリコンウエハー上に得た。
得られた各パターンについて、パターン形状やパターン部の幅を光学顕微鏡下で観察し、解像度を求めた。解像度に関しては、テストパターン付きレチクルを介して露光することにより複数の異なる面積の開口部を有するパターンを上記と同様の方法で形成し、得られたパターン開口部の面積が、対応するパターンマスク開口面積の１／２以上であれば解像されたものとみなし、解像された開口部のうち最小面積を有するものに対応するマスクの開口辺の長さを解像度とした。解像度は、８μｍ以下であれば良好である。また、以下の基準に基づきパターン精度を評価した。
「良好」‥‥パターン断面がすそびきしておらず、膨潤やブリッジングが起こっていないものであり、且つ解像度が８μｍ以下であるもの。更に、加熱硬化時にパターン形状が変動しないもの。
「不良」‥‥上記条件を１つでも満足していないもの。
【００６５】
（５）耐薬品性試験
オルトジクロロベンゼン５５ｗｔ％、フェノール２５ｗｔ％、アルキルベンゼンスルフォン酸２０ｗｔ％からなる溶液（剥離液７１０、日本国、東京応化工業株式会社製）、およびプロピレングリコール５５ｗｔ％、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）４１ｗｔ％、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド４ｗｔ％からなる溶液（ＡＺ−３００Ｔ、日本国、クラリアントジャパン株式会社製）それぞれに、上記（４）と同様にしてシリコンウエハー上に形成し、熱硬化したポリイミドパターンを８５℃で１時間浸漬した。水洗及び乾燥の後、膜厚測定と目視観察によるポリイミド塗膜の評価を行った。いずれか一方でもポリイミドと膜に±３％以上の膜厚変動、又はクラックが発生している場合を「不良」、膜厚変動とクラック発生のいずれも見られないポリイミド塗膜を「良好」と評価した。
【００６６】
（６）耐水接着試験
上記（２）と同様にしてシリコンウエハー上にポリイミド塗膜を形成した。ポリイミド塗膜を形成したシリコンウエハーをプレッシャークッカーに入れて１３３℃、３気圧（０．３ＭＰａ）、１００％Ｒｈの条件下に１００時間保持し、次いで５０℃のオーブン中で２時間乾燥した。
次に、処理後のポリイミド塗膜とエポキシ樹脂との接着性を以下の引き剥がし試験によって評価した。エポキシ樹脂接着剤（アラルダイドスタンダード、日本国、昭和高分子製）を用いて直径２ｍｍのピンをポリイミド塗膜に接合し、サンプルとした。このサンプルについて、引張り試験機（セバスチャン５型、米国、クワッドグループ社製）を用いて引き剥がし試験を行い、引き剥がし強度を評価した。
７０ＭＰａ以上…良好
５０ＭＰａ以上、かつ７０ＭＰａ未満…使用可
５０ＭＰａ未満…不良
【００６７】
（７）粘度
感光性組成物の粘度は、Ｅ型粘度計（ＲＥ８０型粘度計、日本国、東機産業社製）を用い、２３℃において、粘度校正用標準液（ＪＳ２０００、日本国、昭和シェル石油社製）との比較によって決定した。
（８）保存安定性
感光性組成物を調整後（初期）および２３℃で２週間放置したものについて、（４）と同様の方法でポリイミドのパターンを作成し、顕微鏡暗視野モードでパターンのスクライブライン上における異物の観察を行い、下記の基準で合格、ほぼ合格、不合格のいずれかに評価した。
２００倍でポリイミド以外の異物が観察されない・・・合格
２００倍でポリイミド以外の異物が観察されるが、５０倍では観察されない・・・ほぼ合格
５０倍でポリイミド以外の異物が観察できる・・・不合格
調整後（初期）及び２３℃で２週間放置したものの両方が合格の場合を「良好」、一方がほぼ合格であり他方が合格、または両方がほぼ合格の場合を「ほぼ良好」、一方または両方が不合格の場合を「不良」、と評価した。
【００６８】
（ポリアミド酸エステルＡの合成）
ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）３３．８ｇ、及び３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）１１６．３ｇを２リットル容量のセパラブルフラスコに入れ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３６．８ｇとγ―ブチロラクトン４００ｍｌを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン８１．５ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
【００６９】
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２１０．４ｇをγ―ブチロラクトン１８０ｍｌに溶解した溶液を攪拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）９６．４ｇをγ−ブチロラクトン３５０ｍｌに懸濁したものを攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍｌを加えて１時間攪拌し、次に、γ−ブチロラクトン４００ｍｌを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
【００７０】
得られた反応液を３リットルのエチルアルコールに加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５リットルに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８リットルの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリアミド酸エステルＡ）を得た。ポリアミド酸エステルＡの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、数平均分子量（Ｍｗ）は２１０００だった。
【００７１】
（ポリアミド酸エステルＢの合成）
４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５９．９ｇを２リットル容量のセパラブルフラスコに入れ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３６．８ｇとγ―ブチロラクトン４００ｍｌを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン８１．５ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
【００７２】
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２１０．４ｇをγ―ブチロラクトン１８０ｍｌに溶解した溶液を攪拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）９６．４ｇをγ−ブチロラクトン３５０ｍｌに懸濁したものを攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍｌを加えて１時間攪拌し、次に、γ−ブチロラクトン４００ｍｌを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
【００７３】
得られた反応液を３リットルのエチルアルコールに加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５リットルに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８リットルの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリアミド酸エステルＢ）を得た。ポリアミド酸エステルＢの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、数平均分子量（Ｍｗ）は２００００だった。
【００７４】
＜実施例１＞
得られたＡ及びＢの２種類のポリアミド酸エステルを用いて以下の方法で感光性組成物を調整し、調整した感光性組成物の物性の測定及び評価を行った。ポリアミド酸エステルＡ２０ｇとポリアミド酸エステルＢ８０ｇの混合物（芳香族基の全モル量に対して、一般式２に該当するベンゼン基を６．１ｍｏｌ％含み、一般式３に該当するジフェニルエーテル基を７９．５ｍｏｌ％含む）を、ジフェニルプロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム（光開始剤）４ｇ、テトラエチレングリコールジメタクリレート４ｇ、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール２ｇ、Ｎ−フェニルジエタノールアミン４ｇ、Ｎ−[３−（トリエトキシシリル）プロピル]フタルアミド酸３ｇ、２−ニトロソ−１−ナフト−ル０．０２ｇ、及びチタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）１ｇと共に、ＮＭＰ１２０ｇと乳酸エチル３０ｇからなる混合溶媒に溶解した。得られた溶液の粘度を、少量の該混合溶媒をさらに加えることによって約３０ポイズに調整し、感光性組成物とした。
【００７５】
該感光性組成物から得たポリイミド塗膜の伸度、解像度、パターン精度、耐薬品性、耐水接着性、ガラス転移温度（Ｔｇ）、及び該感光性組成物の保存安定性を表１に示す。表１から明らかなように上記感光性組成物は、必要とされる全ての特性を満足する組成物である。
【００７６】
＜実施例２〜１０、比較例１＞
ポリアミド酸エステルＡ及びＢ、さらに有機チタン化合物の種類と量、更に混合溶媒中の乳酸エチルの量を表１に示したように変えた以外は実施例１と同様に感光性組成物を調整し、測定と評価を行った。結果を表１に示す。表１から明らかなように上記組成物は、必要とされる全ての特性を満足する組成物である。
【００７７】
【表１】

【００７８】
＜比較例２〜７＞
ポリアミド酸エステルＡ及びＢ、さらに有機チタン化合物の量、更に乳酸エチルの量を表２に示したように変えた以外は実施例１と同様に感光性組成物を調整し、測定と評価を行った。結果を表２に示す。表２から明らかなように上記組成物は、必要とされる特性を全て満足するにはいたらなかった。
【００７９】
【表２】

【００８０】
【発明の効果】
本発明により、半導体装置、多層配線基板などの電気・電子材料の製造に有用な新規感光性材料、つまりポリイミド塗膜として、高伸度であり、高い耐熱性、高い耐薬品性、耐水接着性を合わせ持ち、かつ高い解像度のポリイミドパターンを与え、かつ高い保存安定性を与えうるポリアミド酸エステル組成物を含む感光性組成物、該感光性組成物を用いたポリイミドパターンの形成方法、該ポリイミドパターンを有する半導体装置を提供することができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a novel photosensitive material useful for manufacturing electrical / electronic materials such as semiconductor devices and multilayer wiring boards. More specifically, the present invention relates to a polyamic acid ester composition having a high heat resistance and a high chemical resistance as a polyimide coating film, giving a high resolution polyimide pattern, and giving a high storage stability. It is.
[0002]
[Prior art]
Polyimide resin is attracting attention as a material for microelectronics due to its high thermal and chemical stability, low dielectric constant, and excellent planarization ability. Widely used as a material for chip modules and the like.
In the case of manufacturing a semiconductor device using a polyimide resin, a polyimide resin film is usually formed on a substrate and a desired pattern is formed using a lithography technique. Specifically, an indirect pattern forming method is used in which a photoresist pattern is formed on a polyimide resin film using a photoresist and a photomask, and then polyimide resin is patterned by etching. . However, in this method, first, a photoresist pattern to be a mask is formed on the polyimide resin film, then the polyimide resin is etched, and finally the unnecessary photoresist pattern is peeled off. Therefore, the process is complicated, and the resolution is low because of indirect pattern formation. Moreover, since it is necessary to use a toxic substance such as hydrazine as a solvent for etching, there is also a safety problem.
[0003]
In order to overcome the problems as described above, in recent years, a method of directly forming a pattern on a polyimide precursor film by introducing a photopolymerization photosensitive group into a polyimide precursor has been studied. For example, a film is formed with a photosensitive composition containing a polyimide precursor formed by bonding a compound having a double bond to a polyamic acid derivative via an ester bond, an amide bond, an ionic bond, etc., and a photoinitiator. Is exposed through a photomask having a pattern to form a pattern using means for insolubilizing the polyimide precursor in the exposed portion of the coating film, subjected to a development treatment, and then heated to a photosensitive group. A method of converting a polyimide precursor into a polyimide having thermal stability by removing components has been proposed [Yamaoka, Table, “Polyfile”, Vol. 27, No. 2, pages 14-18. (1990)]. This technology is generally called photosensitive polyimide technology. This technique overcomes the problems associated with processes using the conventional non-photosensitive polyimide precursor described above. Therefore, the polyimide pattern is often formed by the above-described photosensitive polyimide technology.
[0004]
However, in recent years, there has been a demand for improvement in resolution when forming a pattern of a polyimide film used in a semiconductor device or the like. In the process using the non-photosensitive polyimide before the development of the above-mentioned photosensitive polyimide technology, high resolution could not be obtained. Therefore, the semiconductor device and the manufacturing process were designed on the assumption that the semiconductor device was manufactured. The integration rate and accuracy were limited. On the other hand, when photosensitive polyimide is used, a high resolution can be obtained at the time of pattern formation, so that a semiconductor device with a high integration rate and high accuracy can be manufactured. This will be described below. For example, when manufacturing a memory element or the like, in order to increase the yield of a product, an operation of making a spare circuit in advance and cutting unnecessary circuits after the product is inspected is performed. In the process using conventional non-photosensitive polyimide, unnecessary circuit cutting was performed before the formation of the polyimide pattern, whereas in the process using photosensitive polyimide, the resolution at the time of polyimide pattern formation is high, A hole for cutting an unnecessary circuit in the pattern is provided, and the preliminary circuit can be cut after the polyimide pattern is formed. Therefore, it becomes possible to cut the spare circuit at a stage closer to the completion time of the final product, and a higher product yield is achieved.
[0005]
When a hole for cutting an unnecessary circuit is provided in the polyimide pattern, it is desired to make the hole smaller in order to achieve high integration of elements, and for this purpose, a higher resolution than that at present is required. There is a need for photosensitive polyimide precursors that can be patterned with the above. In addition, when a photosensitive polyimide precursor that enables high-resolution pattern formation is used, a wide process margin necessary for high integration and high accuracy of a semiconductor device can be achieved. “Wide process margin” means a process in which usable conditions (for example, conditions such as time and temperature) during exposure and development for pattern formation become wider. Therefore, the higher the resolution when forming the polyimide pattern, the better. The above is also true when the polyimide pattern is used for other elements (such as a multichip module). For this reason, there is an increasing demand for a photosensitive polyimide precursor composition having a high resolution that enables formation of a highly accurate pattern.
[0006]
Furthermore, since there is a tendency to require a thicker polyimide film and a higher wiring density, there is a great demand for a high-resolution photosensitive polyimide precursor composition that enables formation of a highly accurate polyimide pattern.
When polyimide is used as a surface protective film of a semiconductor device, the high adhesion between the base material and the polyimide and the water resistance of the adhesive force (hereinafter, the properties of both are collectively referred to as “water-resistant adhesion”). is necessary.
In recent years, due to environmental problems, there is a tendency to make Pb-free solder materials used in semiconductor element packages, so that the solder reflow temperature tends to increase. If the heat resistance of the polyimide film is insufficient, the polyimide may change in quality at the temperature when reflowed, and defects such as cracks may be generated. Therefore, the heat resistance of the polyimide film is important. Furthermore, good mechanical properties, particularly elongation, are expected even under such high temperature conditions.
[0007]
In addition, a new process such as a bump process has been developed due to the progress of the semiconductor element package, but it is further necessary to have good chemical resistance against various chemicals used in these processes.
There is a need for a photosensitive polyimide precursor that can be used to form a polyimide pattern having all of the above characteristics, but as described below, such an excellent photosensitive polyimide precursor has heretofore been known. Is not obtained.
Conventionally, tetracarboxylic dianhydride and diamine are generally used as raw material monomers for polyimide. Since no polyimide having a homopolymer structure and having all of the above properties has been obtained, many knowledges about combinations of various monomers have already been obtained.
[0008]
For example, regarding the non-photosensitive polyimide and polyimide precursor, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-147441 (corresponding to US Pat. No. 4,590,258 and European Patent No. 154720), as tetracarboxylic dianhydride, A technique is described in which pyromellitic anhydride (PMDA) and oxydiphthalic anhydride (ODPA) or PMDA and benzophenone tetracarboxylic acid are used to react with oxydianiline to produce polyamic acid. Furthermore, there is also a description of a polyimide obtained by imidizing the above polyamic acid. However, there is a problem with the heat resistance of polyimide using ODPA as a raw material, and it is clear from the mass loss rate at 500 ° C. for 1 hour described in Table 2 of the above publication that ODPA and PMDA are used together. It is known that the heat resistance of the polyimide obtained by polymerization decreases in a relationship close to linearity as the content of ODPA increases.
[0009]
As an example of photosensitive polyimide technology, a photosensitive polyamide described in JP-B-59-52822 (corresponding to US Pat. No. 4,243,743) is introduced by introducing a photosensitive group into polyamic acid through an ionic bond. A method for obtaining an acid, or a method described in Japanese Patent Publication No. 4-630302 (corresponding to US Pat. No. 4,551,522 and European Patent No. 203372), after converting polyamic acid to polyisoimide, reacts with alcohol. And a method for producing a photosensitive polyimide precursor via a polyamic acid, such as a method for producing a photosensitive polyamic acid ester. However, as in the case of the non-photosensitive polyimide, a polyimide having all of the above characteristics cannot be obtained even when a photosensitive polyamic acid having a homopolymer structure or a photosensitive polyamic acid ester is used as the photosensitive polyimide precursor. As in the case of the polyamic acid obtained by copolymerizing ODPA and PMDA described above, a polyimide precursor is obtained by introducing a photosensitive group into a copolymer of a plurality of different tetracarboxylic dianhydrides. Even when used, it is impossible to produce a polyimide pattern having all the desired characteristics. This is because any tetracarboxylic dianhydride has some drawbacks and cannot be compensated by using other different tetracarboxylic dianhydrides. Specifically, since polyimide using ODPA has low heat resistance, it has problems such as deterioration in pattern accuracy during heat curing and insufficient chemical resistance. Polyimide using PMDA has water-resistant adhesive strength. There are problems different from those of the ODPA system, such as lack of elongation. Obtaining a photosensitive polyimide that overcomes all of these problems is a very difficult task.
[0010]
As one improvement with respect to these problems, a technique using a specific polyamic acid ester disclosed in International Publication No. 00/43439 is known and has achieved certain results. However, improved technology with higher heat resistance and higher chemical resistance than this technology is desired.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention is a novel photosensitive material useful for the production of electrical and electronic materials such as semiconductor devices and multilayer wiring boards, that is, polyimide film, high elongation, high heat resistance, high chemical resistance, water-resistant adhesion , A photosensitive composition comprising a polyamic acid ester composition capable of giving a high resolution polyimide pattern and giving high storage stability, a method for forming a polyimide pattern using the photosensitive composition, and the polyimide pattern The semiconductor device which has this.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
Photosensitive polyimide compositions containing organic titanium compounds are known. For example, JP-A-59-160140 describes that a titanium chelate compound such as titanium bis (acetylacetonate) can be used as an adhesion aid for photosensitive polyimide.
In JP-A-2000-39714, an example of acetylacetone titanium (IV) salt is used as a metal chelate curing agent in a photosensitive heat-resistant resin precursor composition to improve solvent resistance and pattern shape of a resin after heat treatment. A technique using a titanium chelating agent is described, and if two or more alkoxy groups are contained in the metal chelating agent, it is not preferable because it gels upon addition.
[0013]
JP-A-7-209862, JP-A-7-271028, JP-A-7-330814, JP-A-8-123024, JP-A-9-28835, JP-A-9-432548, JP-A-10-104838. JP-A-10-186654, JP-A-10-207059, JP-A-10-207060, JP-A-10-228105, JP-A-10-228108, JP-A-11-24256, JP-A-11-24257, JP-A-11-30859, JP-A-11-38618, JP-A-11-65113, JP-A-11-65114, JP-A-11-38619, JP-A-11-133598, JP-A-11-316459 Have disclosed a photosensitive composition using a titanocene compound as a polymerization initiator.
[0014]
Under such circumstances, the present inventors have intensively studied to develop a photosensitive polyimide precursor composition that can be used to form a polyimide pattern having excellent target characteristics. As a result, surprisingly, when used as a raw material for polyimide, a polyimide composition containing a polyamic acid ester containing a specific repeating unit in a specific ratio and an organic titanium compound is used. Polyamic acid ester photosensitive composition that has high elongation, high heat resistance, high chemical resistance, water-resistant adhesion, high resolution polyimide pattern, and high storage stability. I found out that The present invention has been made based on these new findings.
[0015]
That is, this application provides the following invention.
1. (A) a polyamic acid ester including a repeating unit represented by the following general formula (1),
[0016]
[Formula 4]

[0017]
(In the formula, X is independently a tetravalent aromatic group having 6 to 32 carbon atoms, Y is independently a divalent organic group having 4 to 30 carbon atoms, and each R is independent. And a monovalent group having an olefinic double bond.)
5-30 mol% of tetravalent aromatic groups X with respect to the total molar amount of the tetravalent aromatic groups X are represented by the general formula (2):
[0018]
[Chemical formula 5]

[0019]
And a tetravalent benzene group (2) represented by
20 to 90 mol% of the tetravalent aromatic group X with respect to the total molar amount of the tetravalent aromatic group X is represented by the following general formula (3):
[0020]
[Chemical 6]

[0021]
A tetravalent diphenyl ether group (3) represented by:
However, the total amount of the tetravalent benzene group (2) and the tetravalent diphenyl ether group (3) is 50 mol% or more based on the total molar amount of the tetravalent aromatic group X An acid ester;
(B) 0.3 to 10% by weight of an organic titanium compound based on the weight of the polyamic acid ester of (A),
(C) At least one alcohol selected from the group consisting of lactate ester, propylene glycol monoalkyl ether, and ethyl alcohol A solvent containing 5 to 50% by mass of
(D) Photoinitiator
(E) Adhesive aid
A photosensitive composition comprising:
[0022]
2 . (B) The organic titanium compound is a titanium chelate having two or more alkoxy groups, or is a tetraalkoxy titanium, 1. The photosensitive composition as described in any one of.
[0023]
3 . (A) Above 1. Or 2. (B) a step of applying the photosensitive composition described in the above to a substrate and drying; (b) exposing the coating film with ultraviolet light through a photomask or reticle having a pattern; A method for forming a polyimide pattern, comprising: a step of obtaining an ester pattern; and (c) a step of obtaining a polyimide pattern by heat curing the polyamic acid ester pattern.
4 . the above 3. A semiconductor device comprising a polyimide film formed by the method described above.
It is.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
The polyamic acid ester which is a component of the composition of the present invention can be synthesized by subjecting a mixture of a plurality of different tetracarboxylic acid diesters to a condensation reaction with a diamine, as will be described later.
In the polyamic acid ester, the X group in the repeating unit is derived from tetracarboxylic dianhydride used as a raw material. Examples of tetracarboxylic dianhydrides that can be used in the present invention include tetracarboxylic dianhydrides of the following formula (4).
[0025]
[Chemical 7]

[0026]
(In the formula, X is a tetravalent aromatic group having 6 to 32 carbon atoms.)
Examples of tetracarboxylic dianhydrides having the tetravalent benzene group (2) as the X group include pyromellitic dianhydride (PMDA), and the tetravalent diphenyl ether group (3) as the X group. Examples of the tetracarboxylic dianhydride having 4,4′-oxydiphthalic dianhydride (ODPA).
[0027]
In the present invention, a plurality of different tetracarboxylic acid diesters prepared separately may be subjected to a condensation reaction with diamine to produce the above polyamic acid ester, but usually, esterification of a plurality of different tetracarboxylic dianhydrides. The tetracarboxylic acid diester mixture obtained by carrying out the reaction is directly subjected to a condensation reaction with diamine.
[0028]
In the case of producing the polyamic acid ester by the latter method, the benzene group (2) -containing tetrahydrate is used with respect to the total molar amount of the tetracarboxylic dianhydride mixture used so that the composition of the polyamic acid ester can be achieved. A tetracarboxylic acid diester is produced using 5 to 30 mol% of carboxylic dianhydride. However, in order to obtain the effect of the present invention, the total molar amount of the benzene group (2) -containing tetracarboxylic dianhydride and the diphenyl ether group (3) -containing tetracarboxylic dianhydride is used as the tetra mole used. It needs to be 50 mol% or more based on the total molar amount of the carboxylic dianhydride mixture. When the total molar amount is less than 50 mol%, the resolution and the water-resistant adhesion are deteriorated, which is not preferable.
[0029]
Moreover, in the polyamic acid ester which is a component of the composition of the present invention, the diphenyl ether group (3) -containing tetracarboxylic dianhydride is used within a range of 20 to 90 mol%.
If less than 5 mol% of the benzene group (2) -containing tetracarboxylic dianhydride or less than 20 mol% of the diphenyl ether group (3) -containing tetracarboxylic dianhydride is used, only the other one is used. In other words, it is impossible to synthesize a polyamic acid ester that can be used in a photosensitive composition that enables formation of a polyimide pattern that satisfies all desirable characteristics.
[0030]
When the amount of the benzene group (2) -containing tetracarboxylic dianhydride exceeds 30 mol%, the water-resistant adhesive strength is deteriorated, which is not preferable.
If the amount of the dicarboxylic ether group (3) -containing tetracarboxylic dianhydride exceeds 90 mol%, pattern deterioration due to poor heat resistance, poor chemical resistance, and the like are liable to occur.
As tetracarboxylic dianhydrides other than the benzene group (2) -containing tetracarboxylic dianhydride or diphenyl ether group (3) -containing tetracarboxylic dianhydride, X in the above formula (4) has 6 to 6 carbon atoms. There is no particular limitation as long as it is a tetracarboxylic dianhydride that is a tetravalent aromatic group of 32.
[0031]
Specifically, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 1,1,1,3, 3,3-hexafluoropropane-2,2-diphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride , 3,6-bistrifluoromethyl-1,2,4,5-benzenetetracarboxylic dianhydride, and tetracarboxylic dianhydrides having the structure of the following formula (5) Anhydrides can be used.
[0032]
[Chemical 8]

[0033]
(In the formula, Z represents an aromatic group represented by the following formula (6) or (7).)
[0034]
[Chemical 9]

[0035]
Embedded image

[0036]
The alcohols used in the esterification reaction of the tetracarboxylic dianhydride are alcohols having an olefinic double bond. Specifically, 2-methacryloyloxyethyl alcohol, 2-acryloyloxyethyl alcohol, 1-acryloyloxy-2-propyl alcohol, 2-methacrylamide ethyl alcohol, 2-acrylamidoethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl Examples thereof include ketones and 2-hydroxyethyl methacrylate. These alcohols can be used alone or in combination of two or more.
[0037]
In addition, as described in JP-A-6-80776 (corresponding to US Pat. No. 5,397,682), the alcohol having the olefinic double bond is methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl. Alcohol and allyl alcohol can also be mixed and used.
Conventionally, the amount of alcohols used for esterification of tetracarboxylic dianhydride is 1.0 equivalent per 1.0 equivalent of tetracarboxylic dianhydride. It is preferable to synthesize a tetracarboxylic acid diester so that the equivalent of 1.01 to 1.10 equivalents per 1.0 equivalent, since the storage stability of the finally obtained photosensitive composition is improved.
[0038]
In the polyamic acid ester of the present invention, the Y group in the repeating unit is derived from diamines used as raw materials. Examples of the diamine that can be used in the present invention include diamines represented by the following formula (8).
[0039]
Embedded image

[0040]
(In the formula, Y is a divalent organic group having 4 to 20 carbon atoms.)
[0041]
The diamine used in the present invention may be an aromatic diamine or an aliphatic diamine, but an aromatic diamine is preferably used. Specific examples of the diamine include paraphenylene diamine, metaphenylene diamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, 1,4-bis (4-aminophenoxy) Benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) ben Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (3-aminophenoxybiphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 1,1 1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis [4- (4 -Aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (3-amino-4-methylphenyl) propane, 1,4-bis (3-amino) 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane in which hydrogen atoms on the aromatics of propyldimethylsilyl) benzene or these diamines are partially substituted with methyl, ethyl, or halogen groups 1,3-bis (3-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane and the like.
[0042]
Preferred diamines are those having two benzene rings such as 4,4′-diaminodiphenyl ether and 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl. It is easy to balance the performance of acid esters. Any of the above diamines can be used alone or in admixture of two or more.
The molar ratio of tetracarboxylic acid diester to diamine is preferably around 1.0, but can be used in the range of 0.7 to 1.3 depending on the molecular weight of the target polyamic acid ester.
[0043]
A conventional method can be adopted as a specific method for synthesizing the polyamic acid ester used in the present invention. This is shown in WO 00/43439.
The number average molecular weight of the polyamic acid ester used in the present invention is preferably 8000 to 150,000, and more preferably 9000 to 50000. The polyamic acid ester contained in the polyamic acid ester photosensitive composition of the present invention is synthesized by the above-described method, and if it satisfies the composition requirements of the present invention, a plurality of different polyamic acid esters can be used alone. Can be used in combination.
[0044]
In the polyamic acid ester composition of the present invention, an organic titanium compound is used as the component (B) for improving heat resistance and chemical resistance. The organic titanium compound that can be used as the component (B) is not particularly limited as long as the organic chemical substance is bonded to the titanium atom through a covalent bond or an ionic bond.
Specific examples of organotitanium compounds that can be used are first titanocenes. As the titanocene, pentamethylcyclopentadienyl titanium trimethoxide and the like are used. In this case, if titanocenes that function as a photoinitiator such as bis (2,6-difluoro-3- (1-hydropyrrol-1-yl) phenyl) titanocene are used, there are other cases that may be used in the present invention. An organic titanium compound that does not function as a photoinitiator may be more preferable because a good pattern may be difficult to obtain due to interference with the initiator.
[0045]
Another specific example of the organic titanium compound that can be used in the present invention is a titanium chelate. In the present invention, among titanium chelates, those having two or more alkoxy groups are more preferred because of the stability of the composition and good pattern, and specific preferred examples include titanium bis (triethanol Amine) diisopropoxide, titanium di (n-butoxide) (bis-2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide (bis-2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis ( Tetramethylheptanedionate), titanium diisopropoxide bis (ethylacetoacetate) and the like.
[0046]
In the present invention, titanium tetra (n-butoxide), titanium tetraethoxide, titanium tetra (2-ethylhexoxide), titanium tetraisobutoxide, titanium tetraisopropoxide, titanium tetramethoxide, titanium tetra Methoxypropoxide, titanium tetramethylphenoxide, titanium tetra (n-nonoxide), titanium tetra (n-propoxide), titanium tetrastearyloxide, titanium tetrakis (bis-2,2- (allyloxymethyl) butoxide), etc. Tetraalkoxides, titanium tris (dioctyl phosphate) isopropoxide, titanium tris (dodecylbenzenesulfonate) isopropoxide, etc. Iodides, Titanium oxide bis (pentanedionate), Titanium oxide bis (tetramethylheptanedionate), Titanium oxides such as phthalocyanine titanium oxide, Tetraacetylacetonates such as titanium tetraacetylacetonate, Isopropyltridodecylbenzenesulfonyl Titanate coupling agents such as titanate can also be used.
[0047]
The amount of these organic titanium compounds added is preferably 0.3 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyamic acid ester used as the component (A). is there. When the addition amount is less than 0.3 parts by weight, desired heat resistance and chemical resistance are not exhibited, and when it exceeds 10 parts by weight, the storage stability may be inferior.
[0048]
As the solvent used as the component (C) in the polyamic acid ester composition of the present invention, a polar organic solvent is preferably used from the viewpoint of solubility in the components (A) and (B). Specifically, N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone , Tetramethylurea, 1,3-dimethyl-2-imidazolinone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone and the like, and these can be used alone or in combination of two or more.
These solvents can be used in the range of 100 to 400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid ester, depending on the coating film thickness and viscosity.
[0049]
Furthermore, in order to improve the storage stability of the polyamic acid ester composition of the present invention, it is preferable that an alcohol be included in the organic solvent used as the solvent.
The alcohol that can be used is not particularly limited as long as it has an alcoholic hydroxyl group in the molecule. Specific examples thereof include methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, and n-butyl. Lactic acid esters such as alcohol, isobutyl alcohol, tert-butyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol-1-methyl ether, propylene glycol-2-methyl ether, propylene glycol-1-ethyl ether, propylene glycol-2-ethyl ether, Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol-1- (n-propyl) ether and propylene glycol-2- (n-propyl) ether, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol Le ethyl ether, ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol -n- propyl ether, 2-hydroxyisobutyric acid esters, ethylene glycol, di alcohols such as propylene glycol, and the like. Among these, lactic acid esters, propylene glycol monoalkyl ethers, 2-hydroxyisobutyric acid esters, and ethyl alcohol are preferable. Particularly, ethyl lactate, propylene glycol-1-methyl ether, propylene glycol-1-ethyl ether, propylene Glycol-1- (n-propyl) ether is more preferred.
[0050]
The alcohol content in the total solvent is preferably 5 to 50% by weight, more preferably 10 to 30% by weight. When the alcohol content is less than 5% by weight, the storage stability of the polyamic acid ester composition may be deteriorated. For example, precipitates may be observed in the polyamic acid ester composition left at room temperature for 2 weeks. is there. Moreover, when it exceeds 50 weight%, the solubility of the polyamic acid ester which is (A) component will worsen.
[0051]
Examples of the photoinitiator used as component (D) of the photosensitive composition of the present invention include benzophenone derivatives such as benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-benzoyl-4′-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, and fluorenone. , Acetophenone derivatives such as 2,2′-diethoxyacetophenone and 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, thioxanthone derivatives such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone and diethylthioxanthone Benzyl derivatives such as benzyl, benzyldimethyl ketal and benzyl-β-methoxyethyl acetal, benzoin derivatives such as benzoin methyl ether, 2,6-di (4′-diazidobenzal) -4-me Azides such as lucyclohexanone, 2,6′-di (4′-diazidobenzal) cyclohexanone, 1-phenyl-1,2-butanedione-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenylpropanedione-2- ( o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenylpropanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenylpropanedione-2- (o-benzoyl) oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o -Ethoxycarbonyl) oxime, oximes such as 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, N-arylglycines such as N-phenylglycine, peroxides such as benzoyl peroxide , Aromatic biimidazoles, titanocenes, etc. But oximes in terms of photosensitivity are preferred.
The addition amount of these photoinitiators is preferably 1 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid ester used as the polyimide precursor.
[0052]
In addition to the above-described polyamic acid ester composition and photoinitiator, the photosensitive composition in the present invention can also contain a compound having a reactive carbon-carbon double bond for improving photosensitivity. Such compounds include 1,6-hexanediol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate (2-20 moles of ethylene monomer units), pentaerythritol diacrylate, dipenta Examples include erythritol hexaacrylate, tetramethylol methane tetraacrylate, methylene bisacrylamide, N-methylol acrylamide, and the above acrylate, or a methacrylate corresponding to the above acrylamide, or methacrylamide.
Such a compound is preferably added in an amount of 1 to 30 parts by weight based on 100 polymer parts of the polyamic acid ester used as the polyimide precursor.
[0053]
A sensitizer can be added to the photosensitive composition of the present invention to further improve the photosensitivity. Examples of the sensitizer for improving the photosensitivity include Michler's ketone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 2,5-bis (4′-diethylaminobenzal) cyclopentane, and 2,6-bis (4 '-Diethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4'-diethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4'-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylbiphenylene) -benzothiazole, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) benzothiazole, 2- (p- Dimethylaminophenylvinylene) isonaphthothiazole, 1,3 Bis (4′-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-bis (4′-diethylaminobenzal) acetone, 3,3′-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), 3-acetyl-7-dimethylamino Coumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-benzyloxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-methoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, N-phenyl-N '-Ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, Np-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 2-mercaptoben Imidazole, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzthiazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) Examples thereof include naphtho (1,2-d) thiazole, 2- (p-dimethylaminobenzoyl) styrene, and it is preferable to use a compound having a mercapto group and a compound having a dialkylaminophenyl group in terms of sensitivity. . These can be used alone or in combination of 2 to 5 kinds.
[0054]
The sensitizer for improving the photosensitivity is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid ester used as the polyimide precursor. Moreover, the adhesion promoter which is (E) component of this invention can also be added to the photosensitive composition of this invention for the adhesive improvement with a base material. Adhesion aids include γ-aminopropyldimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3- Methacryloxypropyldimethoxymethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilane, diethoxy-3-glycidoxypropylmethylsilane, N- (3-diethoxymethylsilylpropyl) succinimide N- [3- (triethoxysilyl) propyl] phthalamic acid, benzophenone-3,3′-bis (N- [3-triethoxysilyl] propylamide) -4,4′-dicarboxylic acid, benzene-1, 4-bis (N- [3-triet Sisilyl] propylamide) -2,5-dicarboxylic acid, 3- (triethoxysilyl) propyl succinic anhydride, silane coupling agents such as N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and aluminum tris (ethylacetoacetate), Examples thereof include aluminum adhesion assistants such as aluminum tris (acetylacetonate) and ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate.
In these, it is more preferable to use a silane coupling agent from the point of adhesive force. The addition amount of the adhesion assistant is preferably in the range of 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid ester used as the polyimide precursor.
[0055]
In addition, a thermal polymerization inhibitor can be added to the photosensitive composition of the present invention in order to improve the viscosity of the composition solution during storage and the stability of photosensitivity. Examples of thermal polymerization inhibitors include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, p-tert-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, glycol etherdiaminetetraacetic acid, 2,6 -Di-tert-butyl-p-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso-5- (N-ethyl-N- Sulfopropylamino) phenol, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium salt, N-nitroso-N (1-naphthyl) hydroxylamine ammonium salt and the like are used.
[0056]
The amount of the thermal polymerization inhibitor added to the photosensitive composition is preferably in the range of 0.005 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid ester used as the polyimide precursor.
In the present application,
(I) Applying the photosensitive composition described above to a substrate and drying to obtain a coating film formed on the substrate,
(Ii) The coating film is exposed to ultraviolet rays through a photomask or reticle having a pattern, and then treated with a solvent to remove unexposed portions of the coating film, whereby polyamide is formed on the substrate. Forming a pattern of acid esters,
(Iii) The polyamic acid ester pattern is heated to imidize the polyamic acid ester in the pattern, thereby obtaining a polyimide pattern formed on the substrate.
The invention of the method of forming the polyimide pattern including this on a base material is also provided.
[0057]
Examples of the substrate that can be used in the present invention include a silicon wafer, metal, glass, semiconductor, metal oxide insulating film, silicon nitride, and the like, and a silicon wafer is preferably used.
In the present invention, as a method for coating the photosensitive composition on the substrate, methods conventionally used for coating the photosensitive composition, for example, spin coater, bar coater, blade coater, curtain coater, screen printing, etc. The method of apply | coating with a machine etc., the method of spray-coating with a spray coater, etc. can be used.
[0058]
As a method for drying the coating film, methods such as air drying, heat drying with an oven or hot plate, and vacuum drying are used. Moreover, it is desirable that the coating film be dried under conditions such that imidation of the polyamic acid ester in the photosensitive composition does not occur. Specifically, when performing air drying or heat drying, it can be performed at 20 ° C. to 140 ° C. for 1 minute to 1 hour.
The coating film thus obtained is exposed with an ultraviolet light source or the like using an exposure apparatus such as a contact aligner, a mirror projection, or a stepper, and then developed.
[0059]
The developer used for development is preferably a good solvent for the polyamic acid ester composition or a combination of a good solvent and a poor solvent. As the good solvent, N-methylpyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, cyclopentanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, and the like are preferable. Toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate and water are used. When a good solvent and a poor solvent are mixed and used, the ratio of the poor solvent to the good solvent is adjusted depending on the solubility of the polymer. Moreover, several types of solvents can be used in combination.
[0060]
As a method used for the development, an arbitrary method can be selected from conventionally known photoresist development methods such as a rotary spray method, a paddle method, and an immersion method involving ultrasonic treatment.
The polyamic acid ester pattern obtained as described above is heated to dilute the photosensitive component and is converted into a polyimide pattern. As a method for heat conversion, various methods such as a method using a hot plate, a method using an oven, a method using a temperature rising oven capable of setting a temperature program can be selected. Heating can be performed at 280 ° C. to 450 ° C. for 30 minutes to 5 hours. Air may be used as the atmospheric gas for heat conversion, and an inert gas such as nitrogen or argon may be used.
[0061]
The present invention also provides an invention of a semiconductor device having a polyimide pattern formed by the above-described method. The semiconductor device can be obtained by combining the above-described polyimide pattern forming method with a known method for manufacturing a semiconductor device.
[0062]
【Example】
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples.
In Examples, Comparative Examples, and Reference Examples, the physical properties of the photosensitive compositions were measured and evaluated according to the following methods.
(1) Number average molecular weight
The number average molecular weight (Mw) of each polyamic acid ester was measured by a gel permeation chromatography method (standard polystyrene conversion).
(2) Measurement of glass transition temperature (Tg)
A photosensitive composition is spin-coated and dried on a silicon wafer (Fujimi Electronics Co., Ltd., Japan) as a substrate so that the film thickness after curing is about 10 μm, and then 300 mJ / cm without using a reticle. ² A polyimide coating film was obtained that was exposed to ultraviolet light having an energy of 2 and heated at 350 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere to be thermally cured. The obtained polyimide coating film was peeled off from the silicon wafer using hydrofluoric acid to obtain a polyimide tape. The obtained polyimide tape was used with a TMA-50 type manufactured by Shimadzu Corporation, and the temperature was raised at 10 ° C./min, 200 g / mm. ² The thermomechanical properties were measured under a nitrogen atmosphere and Tg was determined. A polyimide having a Tg exceeding 265 ° C. was regarded as high heat resistance and passed.
[0063]
(3) Elongation of polyimide coating film
The elongation of the polyimide tape obtained in the same manner as in (2) above was measured according to ASTM-D-882-88. The elongation was good if it was 30% or more.
(4) Resolution of photosensitive composition and accuracy of polyimide pattern
The photosensitive composition was spin-coated on a 5-inch silicon wafer and dried to form a 10 μm thick coating film. 300 mJ / cm using an i-line stepper NSR1755i7B (manufactured by Nikon Corporation, Japan) using a reticle with a test pattern on this coating film ² Of energy. Subsequently, the coating film formed on the wafer is spray-developed with a developing machine (D-SPIN636 type, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) using cyclopentanone, rinsed with propylene glycol methyl ether acetate, and polyamide An acid ester pattern was obtained.
[0064]
The wafer on which the pattern is formed is heat-treated in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 1 hour and then at 350 ° C. for 2 hours using a temperature-programmed cure furnace (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg, Japan). Thus, a polyimide pattern having a thickness of 5 μm was obtained on the silicon wafer.
About each obtained pattern, the width | variety of the pattern shape and the pattern part was observed under the optical microscope, and the resolution was calculated | required. Regarding the resolution, a pattern having a plurality of openings with different areas is formed by exposure through a reticle with a test pattern in the same manner as described above, and the area of the obtained pattern opening corresponds to the corresponding pattern mask opening. If the area is ½ or more of the area, it is considered that it has been resolved, and the length of the opening side of the mask corresponding to the resolved opening having the smallest area is defined as the resolution. The resolution is good if it is 8 μm or less. In addition, pattern accuracy was evaluated based on the following criteria.
“Good”: The pattern cross section is not slid, no swelling or bridging occurs, and the resolution is 8 μm or less. Furthermore, the pattern shape does not change during heat curing.
"Bad" ... Any one of the above conditions is not satisfied.
[0065]
(5) Chemical resistance test
A solution consisting of 55 wt% orthodichlorobenzene, 25 wt% phenol, 20 wt% alkylbenzene sulfonic acid (stripping solution 710, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), 55 wt% propylene glycol, 41 wt% N-methylpyrrolidone (NMP), Each of the solutions (AZ-300T, manufactured by Clariant Japan Co., Ltd.) composed of 4% by weight of tetramethylammonium hydroxide was formed on a silicon wafer in the same manner as in the above (4), and a thermosetting polyimide pattern was formed at 85 ° C. Soaked for 1 hour. After washing and drying, the polyimide coating film was evaluated by film thickness measurement and visual observation. In either case, the film thickness variation of ± 3% or more in the polyimide and the film or when cracks are generated is “bad”, and the polyimide coating film in which neither the film thickness variation nor crack generation is seen is “good”. evaluated.
[0066]
(6) Water-resistant adhesion test
A polyimide coating film was formed on a silicon wafer in the same manner as (2) above. The silicon wafer on which the polyimide coating film was formed was placed in a pressure cooker, held at 133 ° C., 3 atm (0.3 MPa), 100% Rh for 100 hours, and then dried in an oven at 50 ° C. for 2 hours.
Next, the adhesion between the treated polyimide coating and the epoxy resin was evaluated by the following peeling test. A pin having a diameter of 2 mm was bonded to the polyimide coating film using an epoxy resin adhesive (Araldide Standard, manufactured by Showa High Polymer, Japan) to prepare a sample. About this sample, the peeling test was done using the tensile tester (Sebastian type 5, USA, quad group company make), and the peeling strength was evaluated.
70 MPa or higher ... good
50MPa or more and less than 70MPa ... can be used
Less than 50MPa ... defect
[0067]
(7) Viscosity
The viscosity of the photosensitive composition is an E-type viscometer (RE80 viscometer, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd., Japan) at 23 ° C. and a viscosity calibration standard solution (JS2000, Japan, Showa Shell Sekiyu Co., Ltd.). ).
(8) Storage stability
After preparing the photosensitive composition (initial) and leaving it at 23 ° C. for 2 weeks, a polyimide pattern was prepared in the same manner as in (4), and observation of foreign matters on the scribe line of the pattern in the microscope dark field mode And evaluated as pass, almost pass or fail according to the following criteria.
No foreign matter other than polyimide is observed at 200x.
Foreign matter other than polyimide is observed at 200x, but not observed at 50x ... Almost acceptable
Foreign matter other than polyimide can be observed at 50 times ...
After adjustment (initial) and when left for 2 weeks at 23 ° C., both are “good”, one is almost acceptable and the other is acceptable, or both are almost “good”, one or both Was evaluated as “bad”.
[0068]
(Synthesis of polyamic acid ester A)
Pyromellitic dianhydride (PMDA) 33.8 g and 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) 116.3 g were placed in a 2 liter separable flask. 136.8 g of hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 ml of γ-butyrolactone were added and stirred at room temperature, and 81.5 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After completion of the exothermic reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature and left for 16 hours.
[0069]
Next, under ice cooling, a solution prepared by dissolving 210.4 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring, followed by 4,4′-diaminodiphenyl ether (DADPE). A suspension of 96.4 g in 350 ml of γ-butyrolactone was added over 60 minutes with stirring. After further stirring for 2 hours at room temperature, 30 ml of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 ml of γ-butyrolactone was added. The precipitate generated in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction solution.
[0070]
The obtained reaction solution was added to 3 liters of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was separated by filtration and dissolved in 1.5 liter of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 liters of water to precipitate a polymer, and the obtained precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdery polymer (polyamic acid ester A). When the molecular weight of the polyamic acid ester A was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion), the number average molecular weight (Mw) was 21,000.
[0071]
(Synthesis of polyamic acid ester B)
Place 159.9 g of 4,4′-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) in a 2 liter separable flask, add 136.8 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 ml of γ-butyrolactone, and stir at room temperature. While stirring, 81.5 g of pyridine was added to obtain a reaction mixture. After completion of the exothermic reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature and left for 16 hours.
[0072]
Next, under ice cooling, a solution prepared by dissolving 210.4 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring, followed by 4,4′-diaminodiphenyl ether (DADPE). A suspension of 96.4 g in 350 ml of γ-butyrolactone was added over 60 minutes with stirring. After further stirring for 2 hours at room temperature, 30 ml of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 ml of γ-butyrolactone was added. The precipitate generated in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction solution.
[0073]
The obtained reaction solution was added to 3 liters of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was separated by filtration and dissolved in 1.5 liter of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 liters of water to precipitate a polymer, and the resulting precipitate was filtered off and dried in vacuo to obtain a powdery polymer (polyamic acid ester B). When the molecular weight of the polyamic acid ester B was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion), the number average molecular weight (Mw) was 20000.
[0074]
<Example 1>
Using the obtained two types of polyamic acid esters A and B, a photosensitive composition was prepared by the following method, and the physical properties of the adjusted photosensitive composition were measured and evaluated. Mixture of 20 g of polyamic acid ester A and 80 g of polyamic acid ester B (containing 6.1 mol% of benzene groups corresponding to general formula 2 and 79.5 mol of diphenyl ether groups corresponding to general formula 3 with respect to the total molar amount of aromatic groups) 4 g) diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime (photoinitiator), 4 g tetraethylene glycol dimethacrylate, 2 g 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 4 g N-phenyldiethanolamine, N- A mixture of 120 g of NMP and 30 g of ethyl lactate together with 3 g of [3- (triethoxysilyl) propyl] phthalamic acid, 0.02 g of 2-nitroso-1-naphthol and 1 g of titanium diisopropoxide bis (ethylacetoacetate) Dissolved in solvent. The viscosity of the obtained solution was adjusted to about 30 poise by further adding a small amount of the mixed solvent to obtain a photosensitive composition.
[0075]
Table 1 shows the elongation, resolution, pattern accuracy, chemical resistance, water-resistant adhesion, glass transition temperature (Tg), and storage stability of the photosensitive composition obtained from the photosensitive composition. . As apparent from Table 1, the photosensitive composition is a composition that satisfies all the required properties.
[0076]
<Example 2 10, Comparative Example 1 >
A photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the polyamic acid esters A and B, the type and amount of the organic titanium compound, and the amount of ethyl lactate in the mixed solvent were changed as shown in Table 1. Measurement and evaluation were performed. The results are shown in Table 1. As is clear from Table 1, the composition satisfies all the required properties.
[0077]
[Table 1]

[0078]
<Comparative example 2 ~ 7 >
The photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amounts of polyamic acid esters A and B, the amount of the organic titanium compound, and the amount of ethyl lactate were changed as shown in Table 2, and measurement and evaluation were performed. It was. The results are shown in Table 2. As is clear from Table 2, the composition did not satisfy all the required properties.
[0079]
[Table 2]

[0080]
【The invention's effect】
According to the present invention, a novel photosensitive material useful for the production of electrical / electronic materials such as semiconductor devices and multilayer wiring boards, that is, polyimide coating, has high elongation, high heat resistance, high chemical resistance, and water-resistant adhesion. , A photosensitive composition comprising a polyamic acid ester composition capable of giving a high resolution polyimide pattern and giving high storage stability, a method for forming a polyimide pattern using the photosensitive composition, and the polyimide pattern Can be provided.

Claims (4)

(A) a polyamic acid ester including a repeating unit represented by the following general formula (1),

(In the formula, X is independently a tetravalent aromatic group having 6 to 32 carbon atoms, Y is independently a divalent organic group having 4 to 30 carbon atoms, and each R is independent. And a monovalent group having an olefinic double bond.)
5-30 mol% of tetravalent aromatic groups X with respect to the total molar amount of the tetravalent aromatic groups X are represented by the general formula (2):

And the tetravalent aromatic group X is 20 to 90 mol% of the following general formula with respect to the total molar amount of the tetravalent aromatic group X: (3):

A tetravalent diphenyl ether group (3) represented by:
However, the total amount of the tetravalent benzene group (2) and the tetravalent diphenyl ether group (3) is 50 mol% or more based on the total molar amount of the tetravalent aromatic group X An acid ester;
(B) 0.3 to 10% by weight of an organic titanium compound based on the weight of the polyamic acid ester of (A),
(C) a solvent containing 5 to 50% by mass of at least one alcohol selected from the group consisting of lactic acid ester, propylene glycol monoalkyl ether and ethyl alcohol ;
(D) A photosensitive composition comprising a photoinitiator (E) and an adhesion assistant.   (B) The photosensitive composition according to claim 1, wherein the organic titanium compound is a titanium chelate having two or more alkoxy groups or a tetraalkoxy titanium.   (A) The process of apply | coating to the base material the photosensitive composition of Claim 1 or 2, and drying, (b) After exposing a coating film with an ultraviolet-ray through the photomask or reticle which has a pattern, an unexposed part is shown. A method for forming a polyimide pattern, comprising: removing with a solvent to obtain a polyamic acid ester pattern; and (c) obtaining a polyimide pattern by heat curing the polyamic acid ester pattern. .   A semiconductor device comprising a polyimide pattern formed by the method according to claim 3.