KR20120022310A - 기판처리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지용 기판과 같은 기판의 표면을 증착하거나 식각하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 공정챔버의 처리공간 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드부와; 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하며 주히터가 설치된 기판지지부와; 상기 기판지지부의 측면에 절연부재가 개재되어 설치되며 상기 기판지지부와 함께 기판을 지지하는 지지면을 형성하는 하나 이상의 보조히터부와; 상기 주히터 및 상기 보조히터부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
본 발명은 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 공정챔버의 처리공간 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드부와; 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하며 주히터가 설치된 기판지지부와; 상기 기판지지부의 측면에 절연부재가 개재되어 설치되며 상기 기판지지부와 함께 기판을 지지하는 지지면을 형성하는 하나 이상의 보조히터부와; 상기 주히터 및 상기 보조히터부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지용 기판과 같은 기판의 표면을 증착하거나 식각하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치는 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 밀폐된 처리공간에 기판처리의 수행을 위한 하나 이상의 가스를 처리공간으로 분사하여 기판지지부 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 처리공정을 수행하는 장치가 있다.
이때 상기 기판처리장치는 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버의 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드부와, 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지부를 포함하여 구성된다.
한편 기판처리장치 중 LPCVD를 수행하는 기판처리장치는 기판지지부에 히터를 설치하여 공정이 수행되는데 기판을 지지하는 기판지지부의 온도분포, 즉 온도편차는 기판처리의 균일도에 큰 영향을 미친다.
그런데 종래의 기판처리장치는 게이트, 챔버의 내측 구조 및 챔버에 인접하여 설치된 구조물들에 의한 영향으로 기판의 균일한 온도분포를 이루는데 한계가 있어 기판처리의 균일도를 저해하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여, 기판의 가장자리 부분에서 기판의 중앙부분과는 독립적으로 온도제어가능하도록 보조히터부를 추가로 설치함으로써 기판처리의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은 기판처리장치를 구성하는 공정챔버의 주변환경에 의한 영향으로 기인하는 기판의 불균일한 온도분포에 대하여 능동적으로 대처할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 공정챔버의 처리공간 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드부와; 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하며 주히터가 설치된 기판지지부와; 상기 기판지지부의 측면에 절연부재가 개재되어 설치되며 상기 기판지지부와 함께 기판을 지지하는 지지면을 형성하는 하나 이상의 보조히터부와; 상기 주히터 및 상기 보조히터부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다..
상기 기판은 태양전지용 기판일 수 있으며, 상기 기판처리장치는 LPCVD를 수행할 수 있다.
상기 기판은 트레이에 의하여 이송되며, 상기 트레이는 상기 기판지지부 및 상기 보조히터부와 면접촉을 이루도록 안착될 수 있다.
상기 보조히터부는 하나 이상의 발열부재와 상기 발열부재가 설치되는 히팅바디를 포함할 수 있다.
상기 기판지지부는 평면형상이 직사각형을 이루며, 상기 보조히터부는 상기 기판지지부의 가장자리를 따라서 설치될 수 있다.
상기 보조히터부는 'U'자 형상을 가지는 한 쌍의 제1보조히터부를 포함하며, 상기 한 쌍의 제1보조히터부는 상기 직사각형의 기판지지부를 감싸도록 설치될 수 있다.
상기 제1보조히터부의 끝단은 상기 공정챔버에 형성된 게이트를 향하는 변에 설치될 수 있다.
상기 보조히터부는 복수개로 구성되며, 상기 복수개의 보조히터부들은 서로 독립적으로 발열량이 제어될 수 있다.
상기 기판지지부는 평면형상이 실질적으로 직사각형을 이루며, 상기 보조히터부는 상기 공정챔버에 형성된 게이트를 향하는 변을 제외한 나머지 변들에 상기 기판지지부의 가장자리를 따라서 설치될 수 있다.
상기 보조히터부의 발열량은 상기 주히터의 발열량보다 높게 제어될 수 있으며, 상기 주히터에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 200℃일 때 상기 보조히터부에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 220℃~260℃가 유지되도록 주히터 및 보조히터부의 발열량이 제어될 수 있다.
상기 주히터에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 T℃일 때 상기 보조히터부에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 1.2~1.3배 높은 온도가 유지되도록 주히터 및 보조히터부의 발열량이 제어될 수 있다.
상기 보조히터부는 복수개로 구성되며, 상기 기판의 이송방향과 평행한 서로 마주보는 변들에 위치된 상기 보조히터부들은 그 발열량이 서로 독립적으로 제어될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판지지부와 함께 기판(또는 트레이)를 지지하는 지지면을 형성하면서 기판지지부와는 열전달이 차단되도록 절연부재가 개재되어 설치되는 보조히터부를 추가로 포함함으로써 기판의 가장자리부분과 중앙부분에서의 온도편차에 따른 기판처리의 불균일을 개선할 수 있는 이점이 있다.
특히 상기 기판지지부에 결합되는 보조히터부를 복수개로 구성함으로써 기판처리장치를 구성하는 챔버본체의 외부환경에 기인하는 기판의 각 가장자리들 간의 온도편차 보상도 가능함으로써 기판의 가장자리부분에서의 온도편차에 따른 기판처리의 불균일을 개선할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 포함하는 기판처리시스템의 일예를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리시스템에 포함된 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3에서 A-A부분의 단면을 보여주는 일부단면도이다.
도 5는 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부의 또 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리시스템에 포함된 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3에서 A-A부분의 단면을 보여주는 일부단면도이다.
도 5는 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부의 또 다른 예를 보여주는 평면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 포함하는 기판처리시스템의 일예를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판처리시스템에 포함된 기판처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부를 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 3에서 A-A부분의 단면을 보여주는 일부단면도이고, 도 5는 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부의 다른 예를 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 2의 기판처리장치에 설치되는 기판지지부 및 보조히터부의 또 다른 예를 보여주는 평면도이다.
본 발명에 따른 기판처리장치(100)는 기판의 표면을 증착하거나 식각하는 등 기판처리를 수행하는 등 기판처리를 수행하는 장치로서, 기판교환모듈(400), 로드락모듈(200), 언로드락모듈(300)과 함께 기판처리시스템의 일부를 구성할 수 있다.
여기서 상기 기판처리시스템은 도 1에 도시된 바와 같이, 기판교환모듈(400), 로드락모듈(200), 기판처리장치(100) 및 언로드락모듈(300)이 순차적으로 배치되는 인라인타입, 또는 기판교환모듈 및 로드락모듈이 연결된 반송모듈을 중심으로 복수개의 기판처리장치(100)들이 반송모듈에 결합되는 클러스터타입이 있다.
상기 기판교환모듈(400)은 트레이(20)에서 기판처리가 수행될 하나 이상의 기판(10)을 로딩하거나 기판처리가 완료된 하나 이상의 기판(10)을 언로딩하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. 여기서 상기 기판교환모듈(400)은 기판처리시스템의 구성에 있어서 반드시 설치를 요하는 필수 구성은 아니다.
여기서 트레이(20)는 하나 이상의 기판(10)을 적재하여 한꺼번에 이송하기 위한 구성으로 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)의 증착공정 등 기판처리에 영향을 주지 않는 재질이면 어떠한 재질 및 구조도 가능하다.
예를 들면 상기 트레이(20)는 그레파이트(graphite), 석영 등의 비금속, 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속 중 적어도 어느 하나로 제조될 수 있으며 그 형상은 직사각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
그리고 상기 기판(10)은 반도체기판, LCD패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등이 가능하며, 그 형상은 직사각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
한편 상기 트레이(20)는 후술하는 각 모듈들에서 다양한 방법에 의하여 이송될 수 있다. 예를 들면 상기 트레이(20)는 도 2에 도시된 바와 같이, 각 모듈들 사이에서 롤러(미도시), 벨트 등에 의하여 이송될 수 있다.
상기 기판지지부(410)는 트레이(20)의 이송을 위하여 승강장치, 선형이동장치 등 다양한 구성이 추가될 수 있다.
상기 기판처리장치(100)는 증착공정 등과 같은 기판처리를 수행하는 모듈로서 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 2에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(110)와; 공정챔버(110) 내부에 설치되어 기판(10)을 직접 또는 트레이(20)를 지지하는 기판지지부(130)와; 공정챔버(110)의 상부에 설치되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 샤워헤드부(150)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서 기판처리장치(100)의 기판처리의 대상인 기판(10)은 LCD패널용 기판, 반도체기판, 태양전지용 실리콘기판, 태양전지용 유리기판 등 기판처리의 대상이면 어떠한 기판도 가능하다.
상기 공정챔버(110)는 증착공정과 같은 기판처리를 수행하기 위한 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 도 2에 도시된 바와 같이, 상측이 개방된 챔버본체(112)와 챔버본체(112)와 탈착가능하게 결합되는 상부리드(111)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 챔버본체(112)는 상측이 개방된 그릇 형태를 가지며, 기판(10)이 입출될 수 있는 게이트(101, 102)가 하나 이상 형성된다. 본 실시예에서는 평면형상이 실질적으로 직사각형인 챔버본체(112)에서 한 쌍의 게이트(101, 102)들이 서로 대향되도록 형성된다.
상기 상부리드(111)는 챔버본체(112)의 상측에 실링부재(미도시)가 개재되어 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 플레이트 또는 하측이 개방된 그릇 형태를 가질 수 있다.
상기 샤워헤드부(150)는 기판처리를 수행할 수 있도록 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급부(170)로부터 가스를 공급받아 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(130)는 공정이 원활하게 수행될 수 있도록 트레이(20)를 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
또한 상기 기판지지부(130)는 공정이 원활하게 수행될 수 있도록 소정의 온도를 유지하기 위한 주히터가 설치되며, 더 나아가 기판지지부(130)는 주히터 자체로 구성될 수 있다. 이때 상기 기판지지부(130)를 구성하는 주히터는 일체로 구성되거나, 도시되지는 않았지만 트레이(20)를 지지하는 지지면을 기준으로 복수개로 히팅블록으로 분할되어 설치될 수 있다.
한편 기판처리를 위하여 기판처리장치(100)에 전원이 인가되도록 구성될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 샤워헤드부(150)에 하나 이상의 RF전원, 하나 이상의 LF전원 등을 인가하여 상부전원을 구성하고, 기판지지부(130)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.
한편 상기 기판처리장치(100)는 트레이(20)를 이송하기 위한 트레이이송장치가 추가로 설치될 수 있으며, 트레이이송장치는 트레이(20)의 이송방식에 따라서 반송로봇 등으로 구성되거나, 벨트방식, 롤러방식 등 다양하게 구성될 수 있다.
또한 상기 기판지지부(130)는 트레이(20)의 안착을 위한 구성으로서 리프트핀(미도시)들이 설치될 수도 있다.
도면에서 설명하지 않은 도면부호 180은 공정챔버(110)의 처리공간(S)을 배기하기 위한 배기관을, 도면부호 210, 220, 310, 320은 각각 게이트를 개폐하기 위한 게이트밸브를 가리킨다.
그리고 상기 언로드락모듈(300)의 후방에는 언로드락모듈(300)에서 배출되는 기판(10)(기판(10)이 트레이(20)에 적재된 경우 트레이(20))을 전달받을 수 있는 기판배출모듈(미도시)이 설치될 수 있다.
또한 상기 언로드락모듈(300)에서 배출된 기판(10)(기판(10)이 트레이(20)에 적재된 경우 트레이(20))가 기판교환모듈(100)로 전달되어 기판(10)이 언로딩될 수 있은바, 이 경우 상기 언로드락모듈(300)의 후방 또는 하방에는 기판(10)(기판(10)이 트레이(20)에 적재된 경우 트레이(20))가 기판교환모듈(100)로 전달하기 위한 구성이 설치될 수 있다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리시스템에 있어서, 챔버를 가지는 모듈, 즉 로드락모듈(200), 기판처리장치(100) 및 언로드락모듈(300)의 일측에는 도 1에 도시된 바와 같이, 각 모듈의 챔버를 구성하는 상부리드를 개폐하기 위한 개폐장치(510, 520, 530)는 물론 배기장치 등 보조구조물들이 설치될 수 있다.
그런데 상기 보조구조물들은 각 모듈, 특히 기판처리장치(100)의 공정챔버(110)의 일측, 특히 기판(10)의 이송방향과 평행한 측면 쪽에 설치됨에 따라서 공정을 수행하는 공정챔버(110)에 영향을 주어 처리공간(S)의 비대칭성을 형성하여 기판(10)의 위치에 따른 공정조건을 불균일하게 하는 문제가 있다.
특히 저압 하에서 기판지지부(130)에 의하여 기판(10)을 가열하면서 증착공정을 수행하는 LPCVD 공정의 경우 기판(100)의 위치, 예를 들면 중앙부분과 가장자리 부분에서 온도편차가 발생하여 기판처리가 불균일하게 수행되는 문제가 있다.
따라서 이를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)는 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판지지부(130)에 설치되는 주히터에 더하여, 기판지지부(130)의 측면에 절연부재(610)가 개재되어 설치되며 기판지지부(130)와 함께 기판(10)을 지지하는 지지면을 형성하는 하나 이상의 보조히터부(620)를 추가로 포함한다.
여기서 기판(10)은 트레이(20)에 의하여 이송되며, 트레이(20)는 기판지지부(130) 및 보조히터부(610)와 면접촉을 이루도록 안착됨이 바람직하다.
상기 기판지지부(130)에 설치되는 주히터는 소정의 온도로 가열할 수 있는 구성이면 어떠한 구조도 가능하며, 도시하지는 않았지만 하부를 이루며 전원연결선이 설치될 수 있도록 관통공이 형성되는 제1플레이트와, 기판(10)을 지지하는 상부를 이루며 제1플레이트와 결합되는 제2플레이트와, 제1플레이트 또는 제2플레이트에 형성된 삽입홈에 설치되어 전원연결선과 연결되어 전원공급에 의하여 발열하는 시스히터와 같은 하나 이상의 발열부재를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고 상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 금속제, 구체적으로는 니켈기 내열 합금제의 재질을 가질 수 있으며 다양한 형상을 가질 수 있다.
니켈기 내열 합금으로는 인코넬(등록상표), 하스텔로이(등록상표)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 사용되는 환경에 따라서 스테인리스강, 알루미늄, 알루미늄 합금, 동, 동 합금, 티탄, 티탄 합금 중 하나를 제1플레이트와 제2플레이트에 사용할 수도 있다.
그리고 상기 제1플레이트 및 제2플레이트는 상호 원활한 열전달을 위하여 브레이징에 의하여 결합될 수 있다.
한편 상기 기판지지부(130)는 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 앞서 설명한 바와 같이, 기판(10)을 지지함과 아울러 기판(10)을 가열하는 기능을 수행할 수 있도록 주히터 자체로 구성될 수 있다.
상기 보조히터부(620)는 기판지지부(130)의 측면에 절연부재(610)가 개재되어 설치되어 기판(10)을 지지하는 지지면 상에서 온도편차를 보상하기 위한 구성으로서 기판(10)을 지지하는 트레이(20)를 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다. 여기서 절연부재(610)는 기판지지부(130)가 포함하는 주히터와의 상호 영향을 배제하기 위한 구성으로서 세라믹과 같이 기판지지부(130)에 열이 전달되는 것을 방지할 수 있으면 어떠한 구성도 가능하다.
예를 들면 상기 보조히터부(620)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 발열부재(621)와 발열부재(621)가 설치되는 히팅바디(622)를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고 상기 기판지지부(130)는 도 3에 도시된 바와 같이 평면형상이 실질적으로 직사각형을 이루는데, 보조히터부(620)는 기판(10)에 대한 온도편차를 적절하게 보상할 수 있도록 기판지지부(130)의 가장자리를 따라서 설치됨이 바람직하다.
상기 보조히터부(130)는 기판(10)을 지지하는 지지면 상에서 기판(10)의 위치에 따른 온도편차를 보상하기 위한 구성으로 다양한 방법에 의하여 설치될 수 있으며, 도 3에 도시된 바와 같이, 'U'자 형상을 가지는 한 쌍의 제1보조히터부를 포함하며, 한 쌍의 제1보조히터부는 직사각형의 기판지지부(130)를 감싸도록 설치될 수 있다.
한편 앞서 설명한 바와 같이, 공정챔버(110)의 측면 중 기판(10)의 이송방향과 평행한 측면에 상부리드를 개폐하기 위한 개폐장치(510, 520, 530)는 물론 배기장치 등 보조구조물이 설치되는 등 주변환경이 비대칭을 이룬다.
그리고 공정챔버(110)의 주변환경이 비대칭을 이루면서, 공정챔버(110)의 측면 중 기판(10)의 이송방향과 평행한 측면과 그 반대 측면은 외부와의 열전달에 차이가 발생하여, 공정챔버(110) 내의 기판(10)의 위치에 따른 온도편차, 특히 기판(10)의 이송방향과 평행한 측면 쪽과 그 반대쪽에서 기판(10)의 온도편차가 발생된다.
따라서 상기 기판(10)의 위치에 따른 온도편차를 보상하기 위하여, 보조히터부(130)를 구성하는 제1보조히터부의 끝단은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 이송방향과 수직을 이루는 변에 설치, 즉 보조히터부(130)가 기판(10)의 이송방향과 수직을 이루는 변에서 분리됨이 바람직하다.
그리고 상기 보조히터부(620)는 온도편차에 대한 적절한 대처를 위하여 복수개로 구성될 수 있으며, 복수개의 보조히터부(620)들은 서로 독립적으로 발열량이 제어됨이 바람직하다. 더 나아가 상기 보조히터부(620)는 기판지지부(130)에 설치된 주히터와도 서로 독립적으로 발열량이 제어됨이 바람직하다.
한편 상기 보조히터부(620)는 기판지지부(130)의 평면상의 온도편차를 보상하기 위하여 다양한 형태로 구성될 수 있다.
즉, 상기 기판지지부(130)는 도 5에 도시된 바와 같이, 직사각형의 기판지지부(130)의 각 꼭지점을 포함하여 'ㄱ'자 형상으로 형성될 수 있다.
또한 상기 기판지지부(130)는 도 6에 도시된 바와 같이, 평면형상이 실질적으로 직사각형을 이루며, 보조히터부(620)는 기판(10)의 이송방향을 향하는 변을 제외한 나머지 변들에 기판지지부(130)의 가장자리를 따라서 설치될 수 있다.
상기 보조히터부(620)가 기판(10)의 이송방향을 향하는 변을 제외한 나머지 변들에 기판지지부(130)의 가장자리를 따라서 설치되는 이유는 앞서 설명한 바와 같이 기판(10)의 이송방향과 평행한 측면 쪽과 그 반대쪽에서 기판(10)의 온도편차가 발생하기 때문이다.
즉, 기판(10)의 이송방향과 평행한 측면 쪽과 그 반대쪽 측면에 대응되는 기판지지부(130)의 변에 위치된 보조히터부(620)들, 즉 기판(10)의 이송방향과 평행한 서로 마주보는 변들에 위치된 보조히터부(620)들을 서로 독립적으로 제어함으로써 기판(10)의 위치에 따른 온도편차를 보상할 수 있게 된다.
한편 상기 보조히터부(620)는 기판(10)의 위치에 따른 온도편차를 보상하기 위하여 다양하게 제어될 수 있다.
특히 상기 기판(10)의 가장자리 부분에서의 온도가 중앙 부분에서의 온도보다 낮게 형성됨을 고려하여, 보조히터부(620)의 발열량은 주히터의 발열량보다 높게 제어될 수 있다.
한편 상기 주히터에 대응되는 위치에서의 기판(10)의 온도가 200℃일 때 보조히터부(620)에 대응되는 위치에서의 기판(10)의 온도가 220℃~260℃가 유지되도록 주히터 및 보조히터부(620)의 발열량이 제어될 수 있다.
즉, 상기 주히터에 대응되는 위치에서의 기판(10)의 온도가 T℃일 때 보조히터부(620)에 대응되는 위치에서의 기판(10)의 온도가 1.2~1.3배 높은 온도가 유지되도록 주히터 및 보조히터부(620)의 발열량이 제어되는 것이 바람직하다. 실험에 따르면 기판(10)의 가장자리부분에서의 온도, 즉 보조히터부(620)에 대응되는 위치에서의 온도가 주히터부에 대응되는 위치에서의 기판(10)의 온도보다 약 20% 내지 30% 정도 높게 유지되면 양호한 기판처리가 수행됨을 확인하였다.
한편 상기 주히터 및 보조히터부(620)는 제어부(미도시)에 의하여 발열량 등이 제어된다.
상기 제어부는 주히터 및 보조히터부(620)의 온오프, 발열량 등의 제어를 위한 구성으로서, 물리적 개념보다는 회로적 개념으로서 단일의 제어장치 또는 복수개의 제어장치에 분산되어 구성될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10 : 기판 20 : 트레이
100 : 기판처리장치 200 : 로드락모듈
300 : 언로드락모듈 400 : 기판교환모듈
610 : 절연부재 620 : 보조히터부
100 : 기판처리장치 200 : 로드락모듈
300 : 언로드락모듈 400 : 기판교환모듈
610 : 절연부재 620 : 보조히터부
Claims (14)
- 처리공간을 형성하는 공정챔버와;
공정챔버의 처리공간 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드부와;
공정챔버에 설치되어 기판을 지지하며 주히터가 설치된 기판지지부와;
상기 기판지지부의 측면에 절연부재가 개재되어 설치되며 상기 기판지지부와 함께 기판을 지지하는 지지면을 형성하는 하나 이상의 보조히터부와;
상기 주히터 및 상기 보조히터부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판은 트레이에 의하여 이송되며,
상기 트레이는 상기 기판지지부 및 상기 보조히터부와 면접촉을 이루도록 안착되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 보조히터부는 하나 이상의 발열부재와 상기 발열부재가 설치되는 히팅바디를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부는 평면형상이 직사각형을 이루며,
상기 보조히터부는 상기 기판지지부의 가장자리를 따라서 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 보조히터부는 'U'자 형상을 가지는 한 쌍의 제1보조히터부를 포함하며, 상기 한 쌍의 제1보조히터부는 상기 직사각형의 기판지지부를 감싸도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 제1보조히터부의 끝단은 기판의 이송방향을 향하는 변에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 보조히터부는 복수개로 구성되며,
상기 복수개의 보조히터부들은 서로 독립적으로 발열량이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부는 평면형상이 직사각형을 이루며,
상기 보조히터부는 기판의 이송방향을 향하는 변을 제외한 나머지 변들에 상기 기판지지부의 가장자리를 따라서 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 보조히터부의 발열량은 상기 주히터의 발열량보다 높게 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 주히터에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 200℃일 때 상기 보조히터부에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 220℃~260℃가 유지되도록 주히터 및 보조히터부의 발열량이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 주히터에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 T℃일 때 상기 보조히터부에 대응되는 위치에서의 기판의 온도가 1.2~1.3배 높은 온도가 유지되도록 주히터 및 보조히터부의 발열량이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 보조히터부는 복수개로 구성되며,
상기 기판의 이송방향과 평행한 서로 마주보는 변들에 위치된 상기 보조히터부들은 그 발열량이 서로 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은 태양전지용 기판인 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판처리장치는 LPCVD를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100085779A KR20120022310A (ko) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 기판처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100085779A KR20120022310A (ko) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 기판처리장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120022310A true KR20120022310A (ko) | 2012-03-12 |
Family
ID=46130466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100085779A KR20120022310A (ko) | 2010-09-02 | 2010-09-02 | 기판처리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120022310A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2775534A1 (en) * | 2013-03-04 | 2014-09-10 | Samsung SDI Co., Ltd. | Film forming device for solar cell |
-
2010
- 2010-09-02 KR KR1020100085779A patent/KR20120022310A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| EP2775534A1 (en) * | 2013-03-04 | 2014-09-10 | Samsung SDI Co., Ltd. | Film forming device for solar cell |
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