KR20120021759A - Conductive film, method for manufacturing the same and touch panel having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A conductive film, a method for manufacturing the same and a touch panel having the same are provided to improve the appearance of a product using a conductive film since a conductive pattern is not outstood outside. CONSTITUTION: A conductive film comprises a base material layer, a transparent conduction layer, and an optical layer. The transparent conduction layer is formed into a transparent conductive oxide. The optical layer is arranged between the base material layer and the transparent conduction layer.

Description

도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널{CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND TOUCH PANEL HAVING THE SAME}CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND TOUCH PANEL HAVING THE SAME

본 발명은, 도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도전성 필름의 패턴이 외부에서 눈에 잘 띄지 않음에 따라 도전성필름을 사용하는 제품의 외관을 향상시킬 수 있는 도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive film, a method for manufacturing the same, and a touch panel including the conductive film, and more particularly, the appearance of a product using the conductive film as the pattern of the conductive film is not prominent from the outside. The present invention relates to a conductive film that can be improved, a method for manufacturing the same, and a touch panel including the conductive film.

일반적으로 터치패널은, 키보드나 마우스를 대신하는 입력장치로서 출력장치인 디스플레이면에 장착되어 사용자가 출력되는 표시면을 눈으로 보면서 소정 위치를 직접 눌러 대화하는 식으로 여러 가지의 입력 조작을 할 수 있도록 한 장치이다.In general, the touch panel is an input device that replaces a keyboard or a mouse, and is mounted on a display surface that is an output device so that the user can perform various input operations by directly pressing a predetermined position while looking at the display surface. So that is one device.

이러한 터치패널은, 작동원리에 따라 저항막식과 정전용량식으로 나뉘는데, 저항막식 터치패널은 2개의 대향하는 도전층(저항막)에 전압이 인가된 상태에서 사용자가 눌러 2개의 도전층이 접촉하여 발생하는 접촉점에서의 전압 또는 전류 변화를 읽어들이고 좌표값으로 환산하여 작동되는 것이다.The touch panel is divided into a resistive type and a capacitive type according to an operation principle. The resistive type touch panel is pressed by a user while a voltage is applied to two opposing conductive layers (resistive layers). It works by reading the voltage or current change at the contact point and converting it into coordinates.

또한 정전용량식 터치패널은 1개의 투명 도전성 필름 또는 투명 도전성 글라스에 정전용량의 충?방전 상태가 반복되는 가운데 사용자가 누른 접촉점에서 변화되는 정전용량을 감지하여 좌표값으로 환산하여 작동되는 것이다. 정전용량 방식의 경우에는 실제 접촉이 일어나지 않고 충분히 가까이 접근하기만 해도 작동이 될 수 있으며 저항막 방식과 달리 도전성 필름의 물리적 변형이 필요하지 않으므로 내구성 측면에서 매우 우수한 특징이 있다.In addition, the capacitive touch panel operates by sensing a capacitance changed at a contact point pressed by a user while the charging / discharging state of the capacitance is repeated on one transparent conductive film or transparent conductive glass. In the case of the capacitive type, it can be operated by approaching sufficiently close without actually contacting, and unlike the resistive type, there is no need for physical deformation of the conductive film, and thus has excellent characteristics in terms of durability.

정전용량 방식도 표면 정전용량 (surface capacitive) 방식과 투사 정전용량 (projected capacitive) 방식으로 나누어진다. 표면 정전용량 방식에서는 한쪽 면에 도전층이 균일하게 적층된 도전성 필름의 가장자리에 전극을 설치하여 접촉이 일어날 때 도전층 표면의 정전용량 변화를 감지한다. 그리고, 투사 정전용량 방식의 경우에는 일정한 모양의 패턴이 형성된 도전층을 사용하여 손가락 접촉에 의한 정전용량의 변화를 감지하는데, 다중 접촉 (multi touch)를 인식할 수 있는 장점이 있다. The capacitive method is also divided into a surface capacitive method and a projected capacitive method. In the surface capacitance method, an electrode is installed at an edge of a conductive film in which a conductive layer is uniformly stacked on one surface to detect a change in capacitance of the surface of the conductive layer when contact occurs. In the case of the projected capacitance method, a change in capacitance caused by finger contact is detected by using a conductive layer having a pattern of a certain shape, and there is an advantage of recognizing a multi touch.

이와 같은 터치패널에 사용되는 투명 도전성 필름의 경우, 일반적으로 다층으로 구성된다. 플라스틱 기재 위에 직접 투명 도전층을 적층하기도 하고, 도전성 필름의 물성을 개선하기 위해, 기재와 도전층 사이에 유기-무기 혼성층이나 무기물층 같은 중간층을 두기도 한다. 대표적인 중간층 물질로는 산화규소나 산화알루미늄 등이 주로 사용되고 있다.In the case of the transparent conductive film used for such a touchscreen, it is generally comprised by a multilayer. The transparent conductive layer may be directly laminated on the plastic substrate, or an intermediate layer such as an organic-inorganic hybrid layer or an inorganic layer may be disposed between the substrate and the conductive layer in order to improve the physical properties of the conductive film. Representative interlayer materials include silicon oxide or aluminum oxide.

이러한 투명 도전성 필름의 다층구조에 있어서 층간의 계면에서 빛의 반사가 일어나므로 층 구성에 따라 광투과도가 달라질 수 있다. 특히, 도전층을 패턴하여 정전용량 방식의 터치패널을 제작하면, 도전층과 그 하부층이 동시에 노출되고 두 물질의 계면도 노출되는 상황이 발생한다. 그런데, 도전층과 그 하부층으로 사용된 물질들은 광학특성이 다르므로 도전성 필름의 광반사도나 광투과도가 형성된 패턴에 따라 부분부분 달라지고, 이 결과로 도전층의 패턴 형상이 쉽게 눈에 띄게 되어 제품의 외관을 해치게 되는 문제점이 있다. In the multilayer structure of such a transparent conductive film, light reflection occurs at the interface between the layers, and thus the light transmittance may vary according to the layer configuration. In particular, when a capacitive touch panel is manufactured by patterning a conductive layer, a situation occurs in which the conductive layer and its lower layer are simultaneously exposed and the interface between the two materials is exposed. However, since the material used as the conductive layer and the lower layer have different optical properties, the part varies depending on the pattern of light reflectivity or light transmittance of the conductive film, and as a result, the pattern shape of the conductive layer is easily noticeable. There is a problem that harms the appearance.

본 발명의 목적은, 도전성 필름의 패턴이 외부에서 눈에 잘 띄지 않음에 따라 도전성필름을 사용하는 제품의 외관을 향상시킬 수 있는 도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a conductive film capable of improving the appearance of a product using the conductive film as the pattern of the conductive film is not prominent from the outside, a manufacturing method thereof, and a touch panel including the conductive film. It is.

본 발명은, 기재층; 투명 도전성 산화물(TCO)로 형성된 투명 도전층; 및 상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치하는 광학층으로서, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 광학층을 포함하는 도전성 필름을 제공한다.The present invention, the base layer; A transparent conductive layer formed of a transparent conductive oxide (TCO); And an optical layer positioned between the base layer and the transparent conductive layer, the optical layer having an index of refraction of (refractive index of 1-optical layer / refractive index of transparent conductive oxide) × 100% of 17% or less. to provide.

본 발명에 따른 도전성 필름을 포함하는 터치패널을 제공한다.Provided is a touch panel including a conductive film according to the present invention.

본 발명은, a) 기재층 상에 광학층을 형성하는 단계; 및 b) 상기 광학층 상에 투명 도전성 산화물(TCO)로 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법으로서, 상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치한 상기 광학층은, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 것인 도전성 필름의 제조방법을 제공한다.The present invention, a) forming an optical layer on the base layer; And b) forming a transparent conductive layer of transparent conductive oxide (TCO) on the optical layer, wherein the optical layer located between the base layer and the transparent conductive layer is (1). -Refractive index of the optical layer / refractive index of the transparent conductive oxide) x 100% value of the conductive film is provided to have a refractive index of 17% or less.

본 발명에 따르면, 도전성 필름의 패턴이 외부에서 눈에 잘 띄지 않음에 따라 도전성 필름을 사용하는 제품의 외관을 향상시킬 수 있게 된다.According to the present invention, as the pattern of the conductive film is not prominent from the outside, the appearance of the product using the conductive film can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름의 단면도이다.
도 2는 광학층의 굴절률에 따른 광투과도의 차이를 나타낸 그래프이다.
1 is a cross-sectional view of a conductive film according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph showing the difference in light transmittance according to the refractive index of the optical layer.

본 발명에 따른 도전성 필름은, 기재층; 투명 도전성 산화물(TCO)로 형성된 투명 도전층; 및 상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치하는 광학층으로서, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 광학층을 포함한다. 또한, 기재층의 굴절률을 n1, 광학층의 굴절률을 n2, 도전층의 굴절률을 n3라고 할 때 이들 사이에 n1 < n2 < n3 관계를 만족하면 도전성 필름의 광투과도를 증대시킬 수 있다. The conductive film which concerns on this invention is a base material layer; A transparent conductive layer formed of a transparent conductive oxide (TCO); And an optical layer positioned between the base layer and the transparent conductive layer, the optical layer having a refractive index of (refractive index of 1-optical layer / refractive index of transparent conductive oxide) x 100% of 17% or less. When the refractive index of the substrate layer is n1, the optical layer is n2, and the conductive layer is n3, satisfying the relationship n1 < n2 < n3 can increase the light transmittance of the conductive film.

상기 기재층은, 투명성이 우수하고 유연한 플라스틱 필름일 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 단일 고분자, 1 종 이상의 고분자 블랜드 및 유기 또는 무기 첨가물이 함유된 고분자 복합 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 형성된 필름일 수 있다.The substrate layer may be a plastic film having excellent transparency and flexibility. The plastic film may be a film formed of at least one selected from the group consisting of a single polymer, at least one polymer blend, and a polymer composite material containing an organic or inorganic additive.

상기 단일 고분자 또는 1 종 이상의 고분자 블랜드 물질로 형성된 플라스틱 필름으로는, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리아릴레이트(polyarylates), 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonates, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalates, PEN), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아릴레이트 (polyarylates), 및 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 형성된 필름을 사용할 수 있다.As the plastic film formed of the single polymer or one or more polymer blend materials, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyarylates, polyethersulfone (PES), polycarbonates, PC ), A film formed of one or more materials selected from polyethylenenaphthalates (PEN), polyimide (PI), polyarylates, and epoxy resins.

여기서, 고온에 견딜 수 있는 고 내열성을 가지는 고분자로서, 폴리노보넨, 아로마틱 플로렌 폴리에스터, 폴리이써설폰, 비스페놀에이폴리설폰, 폴리이미드 등의 고분자를 사용하는 것이 바람직하다.Here, it is preferable to use polymers, such as a polynorbornene, an aromatic florene polyester, a polythersulfone, a bisphenol a polysulfone, a polyimide, as a high heat resistant polymer which can endure high temperature.

또한 150℃ 부근의 온도까지 사용할 수 있는 고분자로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈렌, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 환상형 올레핀 공중합체 등의 고분자를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use polymers such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalene, polyarylate, polycarbonate, and cyclic olefin copolymer as the polymer which can be used up to a temperature of about 150 ° C.

상기 유기 또는 무기 첨가물이 함유된 고분자 복합 재료로 형성된 플라스틱 필름으로 고분자에 유기 또는 무기물입자를 분산시킨 플라스틱 필름을 사용할 수도 있다.As a plastic film formed of the polymer composite material containing the organic or inorganic additive, a plastic film in which organic or inorganic particles are dispersed in a polymer may be used.

상기 고분자 복합 재료로는 폴리머-클레이 나노복합체를 예로 들 수 있으며, 상기 폴리머-클레이 복합체에 사용될 수 있는 고분자로는 폴리스티렌, 폴리메타아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈렌, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 환상형 올레핀 공중합체, 폴리노보넨, 아로마틱 플로렌 폴리에스터, 폴리이써설폰, 폴리이미드, 에폭시레진, 다관능성아크릴레이트등이 있으며, 클레이로는 라포나이트, 몬모릴로나이트, 메가디트 등을 사용할 수 있다.The polymer composite material may include a polymer-clay nanocomposite, and the polymer that may be used in the polymer-clay composite may include polystyrene, polymethacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalene, polyarylate, polycarbonate, Cyclic olefin copolymer, polynorbornene, aromatic florene polyester, polyisulfone, polyimide, epoxy resin, polyfunctional acrylate, and the like, and clay may be used laponite, montmorillonite, megadite and the like.

상기 유기 또는 무기 첨가물이 함유된 고분자 복합 재료로 형성된 플라스틱 필름에 있어서, 상기 고분자에 분산되는 무기물로는, 금속, 유리분말, 다이아몬드분말, 실리콘옥사이드, 클레이, 칼슘포스페이트, 마그네슘포스페이트, 바륨설페이트, 알루미늄 플루오라이드, 칼슘실리케이트, 마그네슘 실리케이트, 바륨실리케이트, 바륨카보네이트, 바륨하이드록사이드, 알루미늄실리케이트 등을 사용할 수 있다.In the plastic film formed of the polymer composite material containing the organic or inorganic additives, the inorganic material dispersed in the polymer is metal, glass powder, diamond powder, silicon oxide, clay, calcium phosphate, magnesium phosphate, barium sulfate, aluminum Fluoride, calcium silicate, magnesium silicate, barium silicate, barium carbonate, barium hydroxide, aluminum silicate and the like can be used.

상기 유기 또는 무기 첨가물이 함유된 고분자 복합 재료로 형성된 플라스틱 필름으로 글라스 파이버(glass fiber), 글라스 페브릭(glass fabric) 또는 글라스 크로스(glass cloth)을 유기-무기 하이브리드 용액에 침지시킨 후, 이를 경화시켜 제조된 플라스틱 필름을 사용할 수 있다.The plastic film formed of the polymer composite material containing the organic or inorganic additive is immersed in an organic-inorganic hybrid solution of glass fiber, glass fabric or glass cloth, and then cured. The prepared plastic film can be used.

상기 기재층으로 사용되는 플라스틱 필름은, 용액 캐스팅 방법이나 필름 압출 공정을 통해 제조될 수 있으며, 제조 후 온도에 따른 변형을 최소화하기 위해 필름의 유리 전이 온도 부근에서 수초에서 수분간 짧게 어닐링할 수 있다.The plastic film used as the substrate layer may be manufactured through a solution casting method or a film extrusion process, and may be annealed briefly from several seconds to several minutes in the vicinity of the glass transition temperature of the film in order to minimize deformation due to temperature after the production. .

어닐링 이후에는 코팅성 및 접착성을 향상시키기 위해 플라스틱 필름 표면에 프라이머 코팅을 하거나 코로나, 아르곤, 산소, 질소 혹은 이산화탄소를 사용한 플라즈마 처리, 자외선-오존 처리, 반응 기체를 유입한 이온빔 처리 방법 등으로 표면 처리를 할 수도 있다.After annealing, primer coating is applied on the surface of the plastic film to improve the coating property and adhesion, or the surface is treated by plasma treatment using corona, argon, oxygen, nitrogen, or carbon dioxide, ultraviolet-ozone treatment, ion beam treatment with the reaction gas, etc. You can also do it.

상기 기재층으로 사용되는 상기 플라스틱 필름의 두께는 10 ~ 300 ㎛일 수 있다.The thickness of the plastic film used as the substrate layer may be 10 ~ 300 ㎛.

상기 기재층 상에 구비되는 상기 광학층의 굴절율이, 상기 투명 도전층의 굴절율과의 차이가 17%이하이면, 상기 광학층 상에 구비되는 상기 투명 도전층이 패터닝되는 경우 그 패턴이 외부에서 잘 눈에 띄지 않게 된다. 상기 투명 도전층의 굴절율과의 차이는 더 바람직하게는 13%이하, 더욱 더 바람직하게는 9%이하일 수 있다.If the refractive index of the optical layer provided on the base layer is less than or equal to 17% of the refractive index of the transparent conductive layer, when the transparent conductive layer provided on the optical layer is patterned, the pattern may be well externally. It becomes inconspicuous. The difference with the refractive index of the transparent conductive layer may be more preferably 13% or less, even more preferably 9% or less.

여기서, 굴절율과의 차이가 13%이하라는 것은, 투명 도전층의 굴절율을 기준으로 다음과 같이 계산하여 얻은 수치이다. 이때 상기 투명 도전층이 ITO(굴절율:2.0)로 형성되고, 상기 광학층이 실리콘산화질화물(굴절율 ≥ 1.74; SiOxNy에서 X < 0.48와 Y > 0.68를 만족하거나 X/(X+Y) < 0.42를 만족하는 경우)로 형성된 경우이다.Here, the difference from the refractive index is 13% or less is a numerical value obtained by calculating as follows based on the refractive index of the transparent conductive layer. In this case, the transparent conductive layer is formed of ITO (refractive index: 2.0), and the optical layer satisfies silicon oxide nitride (refractive index ≥ 1.74; X <0.48 and Y> 0.68 in SiO x N y or X / (X + Y) <0.42 is satisfied).

이를 예로 설명하면 (1-1.74/2.0)×100 = 13%이다.Explaining this as an example, (1-1.74 / 2.0) x 100 = 13%.

두 물질의 계면에서는 빛의 반사가 일어나며, 이 때 두 물질의 굴절률 차가 클수록 반사되는 빛의 양은 많아지게 되어 광투과도가 줄어들게 된다. 투명 도전층을 패터닝하는 경우에는 투명 도전층과 그 하부층에서도 이런 광학적 현상이 발생하는데 광투과도나 광반사도의 차이가 크면 패턴이 쉽게 인식되어 관련 제품의 외관을 좋지 않게 할 수 있다. 이에 따라 본 발명에서는 투명 도전층 아래에 굴절률이 조절된 광학층을 구비하여 외부에서 패턴이 쉽게 인식되지 않는 방안을 제공하는 것이다. The reflection of light occurs at the interface between the two materials. At this time, the greater the difference in refractive index between the two materials, the greater the amount of reflected light, and thus the light transmittance decreases. In the case of patterning the transparent conductive layer, such an optical phenomenon occurs in the transparent conductive layer and the lower layer. If the difference in the light transmittance or the light reflectivity is large, the pattern is easily recognized, thereby deteriorating the appearance of the related product. Accordingly, the present invention provides a method in which a pattern is not easily recognized from the outside by providing an optical layer having a refractive index controlled under the transparent conductive layer.

기존에 도전체 필름의 내구성을 향상하기 위해 사용되고 있는 절연체인 SiO2나 Al2O3 (일본특허 1993-027323, 2001-175811)의 굴절률은 각각 1.46와 1.63으로 투명 도전체로 널리 사용되는 ITO의 굴절률 2.0과 차이는 각각 27%와 19% 정도이다. 그런데 SiO의 굴절률은 1.96 정도이므로 산소함량을 조절하여 1.46 ~ 1.96 사이의 굴절률을 갖는 SiOx (여기서, 1 ≤ X ≤2)를 형성하는 것도 가능하지만, X를 정확히 조절하기 쉽지 않으며, X가 커지면서 광투과도가 급격히 저하되는 단점이 있다. 예를 들어, SiO의 소광계수는 Si의 소광계수 0.018에 비해 조금 작은 수준인 0.012이므로 SiO를 사용하면 광학특성이 크게 저하됨을 알 수 있다.The refractive indices of SiO 2 or Al 2 O 3 (Japanese Patent 1993-027323, 2001-175811), which are conventionally used to improve the durability of conductor films, are 1.46 and 1.63, respectively, and the refractive index of ITO, which is widely used as a transparent conductor, is used. The difference with 2.0 is about 27% and 19%, respectively. However, since the refractive index of SiO is about 1.96, it is also possible to form SiO x (where 1 ≦ X ≦ 2) having a refractive index between 1.46 and 1.96 by adjusting the oxygen content, but it is not easy to control X accurately, There is a disadvantage that the light transmittance is sharply lowered. For example, since the extinction coefficient of SiO is 0.012, which is a little smaller than the extinction coefficient of 0.018, it can be seen that the optical properties are greatly reduced when using SiO.

본 발명에서는 기재층, 도전층과 광학층을 포함하는 도전성 필름을 제공하는데, 광학층의 굴절률을 도전체의 굴절률과 17% 이내의 차이를 갖거나 비슷하게 유지시킴으로써 기존 유전체를 사용하는 경우보다 도전층의 패턴이 눈에 띄는 정도를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 여기서, 도전층의 패턴이 눈에 띄는 정도를 더 감소시키려면 상기 굴절률의 차이를 13% 이내로 하는 것이 더 좋고, 9% 이내이면 더욱 더 좋다. 또한, 기재층의 굴절률을 n1, 광학층의 굴절률을 n2, 도전층의 굴절률을 n3라고 할 때 이들 사이에 n1 < n2 < n3 관계를 만족하면 도전성 필름의 광투과도를 광학층이 없는 경우보다 증가시킬 수 있다. 굴절률 사이의 관계가 n1 < n3 < n2를 만족하는 경우에도 굴절률의 차이를 상기 범위로 조절하여 도전층 패턴의 시인성을 줄일 수 있으나, 이 경우에는 광학층의 추가로 도전성 필름의 광투과도가 낮아지므로 권장하는 방법은 아니다.The present invention provides a conductive film including a base layer, a conductive layer, and an optical layer, wherein the refractive index of the optical layer has a difference within or similar to the refractive index of the conductor within 17% or similar to that of the conventional dielectric layer. There is an advantage that can reduce the degree of visible pattern. Here, in order to further reduce the degree to which the pattern of the conductive layer is noticeable, it is better to make the difference in refractive index within 13%, and even more preferably within 9%. Further, when the refractive index of the base layer is n1, the refractive index of the optical layer is n2, and the refractive index of the conductive layer is n3, satisfying the relationship n1 <n2 <n3 between them increases the light transmittance of the conductive film than without the optical layer. You can. Even when the relation between the refractive indices satisfies n1 <n3 <n2, the visibility of the conductive layer pattern can be reduced by adjusting the difference in the refractive indices in the above range. It is not recommended.

광학 응용 필름을 제조할 때 널리 사용되는 PET (polyethylene terephthalate) 필름의 굴절률이 약 1.57 정도이고 도전층으로 일반적으로 사용되는 ITO의 굴절률이 2.0 정도이므로, 상기 광학층의 굴절률은 실리콘산화질화물(SiOxNy)이나 알루미늄산화질화물(AlOxNy) 중에서 선택된 1종 이상을 사용하여 달성할 수 있으나, 실리콘산화질화물이 더 효과적이다. 상기 광학층은 상기 기재층의 굴절율과 상기 투명 도전층의 굴절율의 중간 굴절율 값을 갖는 것이 바람직하며, 이에 상기 광학층은 1.65 ~ 2.0의 굴절율을 가질 수 있다. The refractive index of the polyethylene terephthalate (PET) film, which is widely used when manufacturing an optical application film, is about 1.57, and the refractive index of ITO, which is generally used as a conductive layer, is about 2.0, so the refractive index of the optical layer is silicon oxynitride (SiO x N y ) or aluminum oxynitride (AlO x N y ) can be achieved using one or more, but silicon oxynitride is more effective. The optical layer preferably has an intermediate refractive index value between the refractive index of the base layer and the refractive index of the transparent conductive layer, and thus the optical layer may have a refractive index of 1.65 to 2.0.

상기 실리콘산화질화물(SiOxNy)의 X는 0 < X < 0.62이고, Y는 0.59 < Y < 1.33 일 수 있다. 더 바람직하게는 X는 0 < X < 0.48 이고, Y는 0.68 < Y < 1.33 일 수 있으며, 더욱 더 바람직하게는 X는 0 < X < 0.35 이고, Y는 0.75 < Y < 1.33 일 수 있다. 또는, 상기 실리콘산화질화물은 0 < X/(X+Y) < 0.52 인 것이 바람직한데, 더 바람직하게는 0 < X/(X+Y) < 0.42 이고, 더욱 더 바람직하게는 0 < X/(X+Y) < 0.32 인 것이 좋다.X of the silicon oxynitride (SiO x N y ) may be 0 <X <0.62, and Y may be 0.59 <Y <1.33. More preferably X may be 0 <X <0.48, Y may be 0.68 <Y <1.33, even more preferably X is 0 <X <0.35, and Y may be 0.75 <Y <1.33. Alternatively, the silicon oxynitride is preferably 0 <X / (X + Y) <0.52, more preferably 0 <X / (X + Y) <0.42, even more preferably 0 <X / ( X + Y) <0.32 is preferred.

X와 Y가 0 < X < 0.62 이고 0.59 < Y < 1.33 이거나 혹은 0 < X/(X+Y) < 0.52 이면 널리 사용되는 투명도전체인 ITO와 17% 이내의 차이로 굴절률을 조절할 수 있으며, 0 < X < 0.48 이고 0.68 < Y < 1.33 이거나 혹은 0 < X/(X+Y) < 0.42 이면 13% 이내로, 0 < X < 0.35 이고 0.75 < Y < 1.33 이거나 혹은 0 < X/(X+Y) < 0.32 이면 9% 이내로 굴절률을 조절할 수 있다. 굴절률의 차이가 줄어들수록 도전층의 패턴이 잘 보이지 않게 되어 상기 도전성 필름을 사용한 제품의 외관을 향상시키며, 도전성 필름의 광투과도를 증가시킬 수 있는 장점이 있다. 광학층의 굴절률 (n2)을 도전층의 굴절률 (n3)보다 크게 선정하여도 상기 오차 이내에서 굴절률을 조절하면 도전층 패턴의 시인성을 줄일 수 있으나, 도전성 필름의 광투과도가 낮아지므로 권장하는 방법은 아니다.If X and Y are 0 <X <0.62 and 0.59 <Y <1.33 or 0 <X / (X + Y) <0.52, then the refractive index can be adjusted to within 17% of ITO, which is a widely used transparency. <X <0.48 and 0.68 <Y <1.33 or 0 <X / (X + Y) <0.42 within 13%, 0 <X <0.35 and 0.75 <Y <1.33 or 0 <X / (X + Y) If <0.32, the refractive index can be adjusted within 9%. As the difference in refractive index decreases, the pattern of the conductive layer becomes less visible, thereby improving the appearance of the product using the conductive film, and increasing the light transmittance of the conductive film. Even if the refractive index (n2) of the optical layer is larger than the refractive index (n3) of the conductive layer, adjusting the refractive index within the above error can reduce the visibility of the conductive layer pattern, but the light transmittance of the conductive film is lowered. no.

상기 실리콘산화질화물(SiOxNy)에 있어서, 산소와 질소의 함량을 나타내는 X와 Y값 혹은 X/(X+Y) 비율이 굴절율을 조절하는 중요한 인자임에 따라, 상기 도전성 필름에서 투명 도전층을 형성하는 물질의 굴절율이 정해지면, 이를 기준으로 상기 실리콘산화질화물의 X와 Y값을 조절하거나 X/(X+Y) 비율을 조절하여, 상기 투명 도전층을 형성하는 물질과 상기 실리콘산화질화물의 굴절율 차이가 작도록 하게 된다. 이와 같이 상기 투명 도전층과 상기 광학층의 굴절율 차이를 조절함으로써, 상기 투명 도전층이 패터닝되는 경우, 그 패턴이 외부에서 잘 눈에 띄지 않게 할 수 있는 것이다. 상기 실리콘산화질화물을 적층하는 방법 자체는 당 기술분야에 알려진 무기물 적층법을 이용할 수 있다.In the silicon oxynitride (SiO x N y ), as the X and Y values or the X / (X + Y) ratios representing the oxygen and nitrogen contents are important factors controlling the refractive index, transparent conduction in the conductive film When the refractive index of the material forming the layer is determined, the X and Y values of the silicon oxynitride or the X / (X + Y) ratio are adjusted based on this to form the transparent conductive layer and the silicon oxide. The refractive index difference of the nitride is made small. By adjusting the refractive index difference between the transparent conductive layer and the optical layer in this way, when the transparent conductive layer is patterned, the pattern can be made less visible from the outside. The method of laminating the silicon oxynitride itself may use an inorganic lamination method known in the art.

상기 광학층의 두께는, 10 ~ 100㎚일 수 있다.The optical layer may have a thickness of about 10 nm to about 100 nm.

상기 광학층 상에 구비되는 상기 투명 도전층의 두께는, 10 ~ 200㎚일 수 있다.The thickness of the transparent conductive layer provided on the optical layer may be 10 ~ 200nm.

상기 투명 도전층은, 패턴형상을 가질 수 있다. 상기 투명 도전층을 패터닝하여 이를 형성할 수 있으며, 예로 평행선 형상, 마름모 형상의 패턴일 수 있다.The transparent conductive layer may have a pattern shape. The transparent conductive layer may be patterned to form it, for example, a parallel line shape or a rhombus pattern.

상기 투명 도전층의 투명 도전성 산화물은, 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 아연 산화물 (AZO) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 투명 도전성 산화물은 광투과도가 50% 이상인 특성을 갖는다.The transparent conductive oxide of the transparent conductive layer may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), or the like. Here, the transparent conductive oxide has a property that the light transmittance is 50% or more.

상기 투명 도전층이 ITO(굴절율 2.0)로 형성되는 경우에는 상기 투명 도전층 하측에 직접 접촉하는 상기 광학층은 ITO와 굴절율 차이가 작은 상기 실리콘산화질화물(SiOxNy)로 형성되는 것이 바람직하며, 이때 X는 0 < X < 0.62 이고 0.59 < Y < 1.33 이거나, 0 < X/(X+Y) < 0.52 일 수 있다. 이에 후공정에서 상기 투명 도전층을 패터닝하는 경우 그 패턴이 외부에서 잘 눈에 띄지 않게 되는 것이다.When the transparent conductive layer is formed of ITO (refractive index 2.0), the optical layer directly contacting the lower side of the transparent conductive layer is preferably formed of the silicon oxynitride (SiO x N y ) having a small refractive index difference from ITO. In this case, X may be 0 <X <0.62 and 0.59 <Y <1.33, or 0 <X / (X + Y) <0.52. Accordingly, when the transparent conductive layer is patterned in a later step, the pattern is less visible from the outside.

이와는 달리, 상기 투명 도전층이 ITO(굴절율 2.0)로 형성되는 경우에 상기 광학층으로 산화규소나 산화알루미늄을 사용하게 되면, 산화규소나 산화알루미늄의 굴절률은 각각 1.46과 1.63으로 ITO의 굴절률인 2.0과 큰 차이를 가지므로, ITO로 형성된 상기 투명 도전층을 패터닝하여 정전용량 방식의 터치패널을 제작하는 경우 그 패턴형상이 외부에서 쉽게 눈에 띄게 되어 제품의 외관을 저하시킨다.In contrast, when the transparent conductive layer is formed of ITO (refractive index 2.0), when silicon oxide or aluminum oxide is used as the optical layer, the refractive indices of silicon oxide or aluminum oxide are 1.46 and 1.63, respectively, which is the refractive index of ITO 2.0. Since it has a large difference from the above, when the capacitive touch panel is manufactured by patterning the transparent conductive layer formed of ITO, the pattern shape is easily visible from the outside, thereby lowering the appearance of the product.

본 발명에 따른 도전성 필름은, 상기 광학층과 상기 기재층 사이에 위치하는 코팅층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 도전성 필름의 적층순서는 상기 기재층, 상기 코팅층, 상기 광학층 및 상기 투명 도전층 순으로 적층될 수 있다.The conductive film according to the present invention may further include a coating layer located between the optical layer and the base layer. In this case, the stacking order of the conductive film according to the present invention may be laminated in the order of the base layer, the coating layer, the optical layer and the transparent conductive layer.

상기 코팅층은 표면 거칠기 등을 조절하기 위하여 사용할 수 있고, 동시에 투명 도전층을 적층할 때 접착력을 향상시키거나 투명 도전층의 기계적 혹은 전기적 특성을 향상시키기 위해 사용될 수 있으며, 투명 도전성 필름에서 발생할 수 있는 간섭무늬를 방지하고 투명 도전성 필름의 광투과도와 기계적 내구성을 향상시키기 위해 사용될 수 있다.The coating layer may be used to control the surface roughness, and at the same time may be used to improve the adhesive force when the transparent conductive layer is laminated or to improve the mechanical or electrical properties of the transparent conductive layer, which may occur in the transparent conductive film It can be used to prevent interference fringes and to improve the light transmittance and mechanical durability of the transparent conductive film.

상기 코팅층은, 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 유기화합물의 모노머, 또는 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 100 이상 1,000 이하의 올리고머; 및 분자 내에 1개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 1,000 이상 500,000 이하의 유기화합물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성할 수 있다. The coating layer may include a monomer of an organic compound having two or more polymerizable unsaturated groups in a molecule, or an oligomer having a weight average molecular weight of 100 or more and 1,000 or less having two or more polymerizable unsaturated groups in a molecule; And a weight average molecular weight of 1,000 or more and 500,000 or less of an organic compound having one or more polymerizable unsaturated groups in the molecule.

또한, 상기 코팅층은, (A) 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 유기실란 부분 가수분해물; 및/또는 (B) 하기 화학식 4로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 금속알콕사이드 부분 가수분해물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성할 수 있다.In addition, the coating layer, (A) an organosilane partial hydrolyzate selected from the group consisting of compounds represented by the following formula (1) to formula (3); And / or (B) a composition for forming a coating layer containing at least one metal alkoxide partial hydrolyzate selected from the group consisting of compounds represented by the following formula (4).

(화학식 1)(Formula 1)

(R1)m-Si-X(4-m) (R 1 ) m -Si-X (4-m)

(화학식 2)(Formula 2)

(R1)m-O-Si-X(4-m) (R 1 ) m -O-Si-X (4-m)

(화학식 3)(Formula 3)

(R1)m-N(R2)-Si-X(4-m) (R 1 ) m -N (R 2 ) -Si-X (4-m)

(화학식 4)(Formula 4)

M-(R3)z M- (R 3 ) z

상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,In Chemical Formulas 1 to 3,

X는 서로 같거나 다를 수 있으며, 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R2)2이고,X may be the same or different from each other, hydrogen, halogen, alkoxy, acyloxy, alkylcarbonyl, alkoxycarbonyl, or -N (R 2 ) 2 having 1 to 12 carbon atoms,

R1은 서로 같거나 다를 수 있으며, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 아마이드, 알데하이드, 케톤, 알킬카보닐, 카복시, 머캅토, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시, 또는 비닐기이며,R 1 may be the same or different from each other, alkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, arylalkyl, alkylaryl, arylalkenyl, alkenylaryl, arylalkynyl, alkynylaryl, halogen, amide having 1 to 12 carbon atoms , Aldehydes, ketones, alkylcarbonyl, carboxy, mercapto, cyano, hydroxy, alkoxycarbon having 1 to 12 carbon atoms, alkoxycarbonyl having 1 to 12 carbon atoms, sulfonic acid, phosphoric acid, acryloxy, methacrylicoxy, epoxy, Or vinyl group,

R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬이고,R 2 is hydrogen or alkyl having 1 to 12 carbon atoms,

m은 1 내지 3의 정수이고,m is an integer of 1 to 3,

상기 화학식 4에서, In Chemical Formula 4,

M은 알루미늄, 지르코늄, 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 나타내며, M represents a metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, and titanium,

R3은 서로 같거나 다를 수 있으며, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알콕시, 아실옥시, 또는 하이드록시기이며,R 3 may be the same as or different from each other, and is a halogen, an alkyl, alkoxy, acyloxy, or hydroxy group having 1 to 12 carbon atoms,

Z는 3 또는 4의 정수이다.Z is an integer of 3 or 4.

상기 코팅층의 두께는 0.1 ~ 10 mm 일 수 있다.The thickness of the coating layer may be 0.1 ~ 10 mm.

본 발명은, 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널을 제공한다. 여기서, 터치패널은 정전용량 방식의 터치패널일 수 있다.The present invention provides a touch panel including the conductive film. Here, the touch panel may be a capacitive touch panel.

정전용량 방식에서는 일정한 모양의 패턴을 갖도록 가공된 도전성 필름을 점착제나 접착제를 사용하여 보호판재 예컨대 유리판이나 플라스틱 판재에 부착하여 사용하거나, 도전성 필름 위에 하드코팅으로 보호층을 형성하여 사용할 수 있다. 여기서, 광학 특성을 개선하여 눈부심이나 반사를 줄이기 위해 적절한 처리를 사용하기도 한다.In the capacitive method, a conductive film processed to have a pattern of a certain shape may be used by being attached to a protective plate material such as a glass plate or a plastic plate using an adhesive or an adhesive, or a protective layer may be formed by hard coating on the conductive film. Appropriate treatment is also used here to improve optical properties to reduce glare or reflections.

본 발명에 따른 도전성 필름의 제조방법은, a) 기재층 상에 광학층을 형성하는 단계; 및 b) 상기 광학층 상에 투명 도전성 산화물(TCO)로 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법으로서, 상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치한 상기 광학층은, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 것을 특징으로 한다. 여기서, 앞서 도전성 필름에서 설명한 내용이 모두 적용되므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Method for producing a conductive film according to the present invention, a) forming an optical layer on the base layer; And b) forming a transparent conductive layer of transparent conductive oxide (TCO) on the optical layer, wherein the optical layer located between the base layer and the transparent conductive layer is (1). -Refractive index of the optical layer / refractive index of the transparent conductive oxide) x 100% value is characterized by having a refractive index of 17% or less. Here, since all of the contents described above in the conductive film are applied, a detailed description thereof will be omitted.

상기 a) 단계에서 상기 광학층은 졸-겔법 (Sol-Gel), 증발법 (evaporation), 이온도금법 (ion plating), 스퍼터링법 (sputtering), 화학기상 증착법 (CVD, PECVD) 중 선택된 방법으로 형성할 수 있다. In the step a), the optical layer is formed by a method selected from sol-gel, evaporation, ion plating, sputtering, and chemical vapor deposition (CVD, PECVD). can do.

상기 b) 단계에서 상기 투명 도전층은 졸-겔법 (Sol-Gel), 증발법 (evaporation), 이온도금법 (ion plating), 스퍼터링법 (sputtering), 화학기상 증착법 (CVD, PECVD) 중 선택된 방법으로 형성할 수 있다.In step b), the transparent conductive layer may be selected from sol-gel, evaporation, ion plating, sputtering and chemical vapor deposition (CVD, PECVD). Can be formed.

상기 a) 단계 전에, 상기 기재층 상에 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 도전성 필름의 적층순서는 상기 기재층, 상기 코팅층, 상기 광학층 및 상기 투명 도전층 순으로 적층될 수 있다.Before the step a), it may further comprise the step of forming a coating layer on the base layer. In this case, the stacking order of the conductive film according to the present invention may be laminated in the order of the base layer, the coating layer, the optical layer and the transparent conductive layer.

상기 코팅층은 스핀 코팅, 그라비어 코팅, 모세관 코팅, 티다이 코팅 등을 당 업계에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The coating layer may be formed by spin coating, gravure coating, capillary coating, Ti-die coating and the like known in the art.

상기 b) 단계 후, 상기 투명 도전층을 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서 도전층은 설계에 따라 평행선 형태나 마름모 형태 등의 다양한 형태로 패터닝될 수 있다. 포토마스크와 포토레지스트를 사용한 노광 공정과 옥살산과 같은 화학약품을 사용한 식각 공정을 거쳐 원하는 형태의 도전성 패턴을 형성하는 것이 가능하다.After step b), the method may further include patterning the transparent conductive layer. The conductive layer may be patterned into various shapes such as parallel lines or rhombus shapes, depending on the design. It is possible to form a conductive pattern of a desired form through an exposure process using a photomask and a photoresist and an etching process using a chemical such as oxalic acid.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 따른 도전성 필름은, 기재층으로서 플라스틱 필름, 플라스틱 필름 상에 구비되는 코팅층, 코팅층 상에 구비된 광학층으로서 SiOxNy층 및 SiOxNy층 상에 구비된 투명 도전층으로서 패터닝된 ITO층을 포함한다.As shown in Figure 1, the conductive film according to an embodiment of the present invention, a plastic film as a base layer, a coating layer provided on the plastic film, SiO x N y layer and SiO as an optical layer provided on the coating layer and a patterned ITO layer as a transparent conductive layer provided on the x N y layer.

이와 같이, 투명 도전층을 형성하는 물질인 ITO의 굴절율을 기준으로, ITO와의 굴절율 차이가 작은 SiOxNy층을 광학층으로서 투명 도전층 하측에 구비함에 따라ITO층을 패터닝한 경우 그 패턴이 외부에서 잘 눈에 띄지 않게 되어, 제품의 외관을 향상시킬 수 있게 된다.As described above, when the ITO layer is patterned by providing a SiO x N y layer having a small refractive index difference with ITO as an optical layer under the transparent conductive layer based on the refractive index of ITO, which is a material for forming the transparent conductive layer, This makes it less visible from the outside, improving the appearance of the product.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 광학층의 굴절률이 상기 투명 도전층의 굴절률보다 작으면서 17% 이내의 차이를 갖는 것이 중요하므로, 스퍼터링법에 의해 굴절률을 조절하는 예를 아래 표 1을 통해 설명하고, 도 2에 도시된 광학층의 굴절률에 따른 광투과도의 차이를 나타낸 그래프를 통해 본 발명에 대해 더욱 구체적으로 설명하기로 한다.In addition, according to the present invention, since it is important that the refractive index of the optical layer is less than the refractive index of the transparent conductive layer and has a difference within 17%, an example of adjusting the refractive index by the sputtering method will be described through Table 1 below. 2 will be described in more detail with reference to a graph showing the difference in light transmittance according to the refractive index of the optical layer shown in FIG. 2.

표 1은 Si 타겟을 사용하고 반응성 가스인 산소와 질소의 유량을 조절하여 ITO층과 광학층의 굴절률 차이를 약 4.3 ~ 24.4 % 범위에서 조절할 수 있음을 보여준다(도전층으로 ITO를 사용하는 경우에 굴절률 2.0). 여기서, 광학층의 굴절률과 산소유량의 상관계수는 0.9966으로 매우 우수한 선형 관계를 보여주었다.Table 1 shows that the refractive index difference between the ITO layer and the optical layer can be adjusted in the range of about 4.3 to 24.4% by using a Si target and controlling the flow rates of oxygen and nitrogen, which are reactive gases (when using ITO as the conductive layer). Refractive index 2.0). Here, the correlation coefficient between the refractive index and the oxygen flow rate of the optical layer was 0.9966, which showed a very good linear relationship.

스퍼터링법에 의한 광학층의 굴절률 조절Refractive Index Control of Optical Layer by Sputtering 실험Experiment 가스유량 (sccm)Gas flow rate (sccm) 광투과도 (%)Light transmittance (%) 굴절률 @ 633nmRefractive Index @ 633nm 원소조성Composition 아르곤argon 산소Oxygen 질소nitrogen XX YY X/(X+Y)X / (X + Y) 1One 4040 0.50.5 1515 89.489.4 1.9131.913 0.190.19 0.830.83 0.190.19 22 4040 1.01.0 1515 89.889.8 1.8801.880 0.290.29 0.780.78 0.270.27 33 4040 2.02.0 1515 90.690.6 1.7491.749 0.450.45 0.700.70 0.390.39 44 4040 4.04.0 1515 92.092.0 1.5121.512 0.920.92 0.400.40 0.700.70

기타 조건: 사용타겟=Si, 작업압력=2.0 Torr, 스퍼터링 파워=2.0 kWOther conditions: Target = Si, working pressure = 2.0 Torr, sputtering power = 2.0 kW

도 2는, 광학층의 굴절률에 따른 광투과도의 차이를 나타낸 그래프로서, 광학층 위에 ITO를 적층하는 경우, (1-적층전 광투과도/적층후 광투과도)×100%로 나타내는 광투과도의 차이를 보여준다. 여기서, 굴절률의 차이를 17, 13, 9%이내로 조절하면 광투과도의 차이는 각각 약 7, 5, 3% 이내로 조절할 수 있음을 알 수 있다. 따라서 광학층과 도전층의 굴절률 차이를 17% 이내로 조절하면, 도전층인 ITO층을 패터닝하는 경우에도 광투과도 차이가 약 7% 이내로 작으므로 패턴의 시인성이 매우 감소된다.FIG. 2 is a graph showing the difference in light transmittance according to the refractive index of an optical layer. When the ITO is laminated on the optical layer, the difference in light transmittance represented by (1-pre-lamination light transmittance / post-lamination light transmittance) x 100% is shown. Shows. Here, it can be seen that when the difference in refractive index is adjusted to within 17, 13, and 9%, the difference in light transmittance can be adjusted to within about 7, 5, and 3%, respectively. Therefore, when the refractive index difference between the optical layer and the conductive layer is adjusted to within 17%, even when patterning the ITO layer as the conductive layer, the light transmittance difference is small within about 7%, and thus the visibility of the pattern is greatly reduced.

Claims (26)

기재층;
투명 도전성 산화물(TCO)로 형성된 투명 도전층; 및
상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치하는 광학층으로서, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 광학층
을 포함하는 도전성 필름.
A base layer;
A transparent conductive layer formed of a transparent conductive oxide (TCO); And
An optical layer positioned between the base layer and the transparent conductive layer, wherein the optical layer has a refractive index of (refractive index of 1-optical layer / refractive index of transparent conductive oxide) x 100% of 17% or less.
Conductive film comprising a.
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물은, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 또는 알루미늄 아연 산화물 (AZO)을 포함하는 것인 도전성 필름.The conductive film of claim 1, wherein the transparent conductive oxide includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or aluminum zinc oxide (AZO). 청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전층은, 10 ~ 200㎚의 두께를 갖는 것인 도전성 필름.The conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive layer has a thickness of 10 to 200 nm. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전층은, 패턴형상을 갖는 것인 도전성 필름.The conductive film according to claim 1, wherein the transparent conductive layer has a pattern shape. 청구항 1에 있어서, 상기 광학층은 실리콘산화질화물(SiOxNy)이나 알루미늄산화질화물(AlOxNy) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성된 것인 도전성 필름.The conductive film of claim 1, wherein the optical layer is formed of at least one selected from silicon oxynitride (SiO x N y ) and aluminum oxynitride (AlO x N y ). 청구항 5에 있어서, 상기 실리콘산화질화물의 X는 0 < X < 0.62이고, Y는 0.59 < Y < 1.33 인 것인 도전성 필름.The conductive film of claim 5, wherein X of the silicon oxynitride is 0 <X <0.62, and Y is 0.59 <Y <1.33. 청구항 1에 있어서, 상기 광학층은, 10 ~ 100㎚의 두께를 갖는 것인 도전성 필름.The conductive film according to claim 1, wherein the optical layer has a thickness of 10 to 100 nm. 청구항 1에 있어서, 상기 광학층과 상기 기재층 사이에 위치하는 코팅층을 더 포함하는 것인 도전성 필름.The conductive film of claim 1, further comprising a coating layer positioned between the optical layer and the substrate layer. 청구항 8에 있어서, 상기 코팅층은, 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 유기화합물의 모노머, 또는 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 100 이상 1,000 이하의 올리고머; 및 분자 내에 1개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 1,000 이상 500,000 이하의 유기화합물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성한 것인 도전성 필름.The method of claim 8, wherein the coating layer is a monomer of an organic compound having two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule, or a weight average molecular weight of 100 or more and 1,000 or less oligomer having two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule; And a cured composition for forming a coating layer containing an organic compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 500,000 or less having one or more polymerizable unsaturated groups in a molecule. 청구항 8에 있어서, 상기 코팅층은, (A) 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 유기실란 부분 가수분해물; 및/또는 (B) 하기 화학식 4로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 금속알콕사이드 부분 가수분해물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성한 것인 도전성 필름:
(화학식 1)
(R1)m-Si-X(4-m)
(화학식 2)
(R1)m-O-Si-X(4-m)
(화학식 3)
(R1)m-N(R2)-Si-X(4-m)
(화학식 4)
M-(R3)z
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
X는 서로 같거나 다를 수 있으며, 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R2)2이고,
R1은 서로 같거나 다를 수 있으며, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 아마이드, 알데하이드, 케톤, 알킬카보닐, 카복시, 머캅토, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시, 또는 비닐기이며,
R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬이고,
m은 1 내지 3의 정수이고,
상기 화학식 4에서,
M은 알루미늄, 지르코늄, 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 나타내며,
R3은 서로 같거나 다를 수 있으며, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알콕시, 아실옥시, 또는 하이드록시기이며,
Z는 3 또는 4의 정수이다.
The method according to claim 8, wherein the coating layer is (A) at least one organosilane hydrolyzate selected from the group consisting of compounds represented by the formula (1) to formula (3); And / or (B) a conductive film formed by curing a composition for forming a coating layer containing at least one metal alkoxide partial hydrolyzate selected from the group consisting of compounds represented by the following formula (4):
(Formula 1)
(R 1 ) m -Si-X (4-m)
(2)
(R 1 ) m -O-Si-X (4-m)
(Formula 3)
(R 1 ) m -N (R 2 ) -Si-X (4-m)
(Formula 4)
M- (R 3 ) z
In Chemical Formulas 1 to 3,
X may be the same or different from each other, hydrogen, halogen, alkoxy, acyloxy, alkylcarbonyl, alkoxycarbonyl, or -N (R 2 ) 2 having 1 to 12 carbon atoms,
R 1 may be the same or different from each other, alkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, arylalkyl, alkylaryl, arylalkenyl, alkenylaryl, arylalkynyl, alkynylaryl, halogen, amide having 1 to 12 carbon atoms , Aldehydes, ketones, alkylcarbonyl, carboxy, mercapto, cyano, hydroxy, alkoxycarbon having 1 to 12 carbon atoms, alkoxycarbonyl having 1 to 12 carbon atoms, sulfonic acid, phosphoric acid, acryloxy, methacrylicoxy, epoxy, Or vinyl group,
R 2 is hydrogen or alkyl having 1 to 12 carbon atoms,
m is an integer of 1 to 3,
In Chemical Formula 4,
M represents a metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, and titanium,
R 3 may be the same as or different from each other, and is a halogen, an alkyl, alkoxy, acyloxy, or hydroxy group having 1 to 12 carbon atoms,
Z is an integer of 3 or 4.
청구항 8에 있어서, 상기 코팅층은 0.1 ~ 10 mm의 두께를 갖는 것인 도전성 필름.The conductive film of claim 8, wherein the coating layer has a thickness of 0.1 to 10 mm. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 따른 도전성 필름을 포함하는 터치패널.12. A touch panel comprising the conductive film according to claim 1. a) 기재층 상에 광학층을 형성하는 단계; 및
b) 상기 광학층 상에 투명 도전성 산화물(TCO)로 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법으로서,
상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치한 상기 광학층은, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 것인 도전성 필름의 제조방법.
a) forming an optical layer on the substrate layer; And
b) forming a transparent conductive layer of transparent conductive oxide (TCO) on the optical layer, comprising:
And the optical layer located between the base layer and the transparent conductive layer has a refractive index of (refractive index of 1-optical layer / refractive index of transparent conductive oxide) x 100% of 17% or less.
청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계에서 상기 광학층은, 졸-겔법 (Sol-Gel), 증발법 (evaporation), 이온도금법 (ion plating), 스퍼터링법 (sputtering), 화학기상 증착법 (CVD, PECVD) 중 선택된 방법으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 13, wherein in the step a), the optical layer is sol-gel, evaporation, evaporation, ion plating, sputtering, chemical vapor deposition (CVD, PECVD). Method for producing a conductive film to be formed by a method selected from). 청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계에서 상기 광학층은, 실리콘산화질화물(SiOxNy)이나 알루미늄산화질화물(AlOxNy) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 13, wherein the optical layer is formed of at least one selected from silicon oxynitride (SiO x N y ) and aluminum oxynitride (AlO x N y ). 청구항 15에 있어서, 상기 실리콘산화질화물의 X는 0 < X < 0.62 이고, Y는 0.59 < Y < 1.33인 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 15, wherein X of the silicon oxynitride is 0 <X <0.62, Y is 0.59 <Y <1.33. 청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계에서는, 상기 광학층을 10~100㎚의 두께로형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method according to claim 13, wherein in the step a), the optical layer is formed to a thickness of 10 ~ 100nm. 청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계에서 상기 투명 도전층은, 졸-겔법 (Sol-Gel), 증발법 (evaporation), 이온도금법 (ion plating), 스퍼터링법 (sputtering), 화학기상 증착법 (CVD, PECVD) 중에서 선택된 방법으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 13, wherein in step b), the transparent conductive layer is a sol-gel method, evaporation method, ion plating method, sputtering method, chemical vapor deposition method (CVD, Method for producing a conductive film formed by a method selected from PECVD). 청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계에서 상기 투명 도전성 산화물은, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 또는 알루미늄 아연 산화물을 포함하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 13, wherein the transparent conductive oxide in step b) comprises indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or aluminum zinc oxide. 청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계에서는, 상기 투명 도전층을 10 ~ 200㎚의 두께로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 13, wherein in the step b), the transparent conductive layer is formed to a thickness of 10 to 200 nm. 청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계 전에, 상기 기재층 상에 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 13, further comprising forming a coating layer on the substrate layer before the step a). 청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은 스핀 코팅, 그라비어 코팅, 모세관 코팅, 티다이 코팅 중 선택된 방법으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 21, wherein the coating layer is formed by a method selected from among spin coating, gravure coating, capillary coating, and Ti-die coating. 청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은, 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 유기화합물의 모노머, 또는 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 100 이상 1,000 이하의 올리고머; 및 분자 내에 1개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 1,000 이상 500,000 이하의 유기화합물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 21, wherein the coating layer is a monomer of an organic compound having two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule, or a weight average molecular weight of 100 or more and 1,000 or less oligomer having two or more polymerizable unsaturated groups in the molecule; And a cured composition for forming a coating layer containing an organic compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 500,000 or less having one or more polymerizable unsaturated groups in a molecule. 청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은, (A) 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 유기실란 부분 가수분해물; 및/또는 (B) 하기 화학식 4로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 금속알콕사이드 부분 가수분해물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성한 것인 도전성 필름의 제조방법:
(화학식 1)
(R1)m-Si-X(4-m)
(화학식 2)
(R1)m-O-Si-X(4-m)
(화학식 3)
(R1)m-N(R2)-Si-X(4-m)
(화학식 4)
M-(R3)z
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
X는 서로 같거나 다를 수 있으며, 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R2)2이고,
R1은 서로 같거나 다를 수 있으며, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 아마이드, 알데하이드, 케톤, 알킬카보닐, 카복시, 머캅토, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시, 또는 비닐기이며,
R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬이고,
m은 1 내지 3의 정수이고,
상기 화학식 4에서,
M은 알루미늄, 지르코늄, 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 나타내며,
R3은 서로 같거나 다를 수 있으며, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알콕시, 아실옥시, 또는 하이드록시기이며,
Z는 3 또는 4의 정수이다.
The method according to claim 21, The coating layer, (A) an organosilane partial hydrolyzate selected from the group consisting of compounds represented by the following formula (1) to formula (3); And / or (B) a method of producing a conductive film formed by curing a composition for forming a coating layer containing at least one metal alkoxide partial hydrolyzate selected from the group consisting of compounds represented by the following formula (4):
(Formula 1)
(R 1 ) m -Si-X (4-m)
(2)
(R 1 ) m -O-Si-X (4-m)
(Formula 3)
(R 1 ) m -N (R 2 ) -Si-X (4-m)
(Formula 4)
M- (R 3 ) z
In Chemical Formulas 1 to 3,
X may be the same or different from each other, hydrogen, halogen, alkoxy, acyloxy, alkylcarbonyl, alkoxycarbonyl, or -N (R 2 ) 2 having 1 to 12 carbon atoms,
R 1 may be the same or different from each other, alkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, arylalkyl, alkylaryl, arylalkenyl, alkenylaryl, arylalkynyl, alkynylaryl, halogen, amide having 1 to 12 carbon atoms , Aldehydes, ketones, alkylcarbonyl, carboxy, mercapto, cyano, hydroxy, alkoxycarbon having 1 to 12 carbon atoms, alkoxycarbonyl having 1 to 12 carbon atoms, sulfonic acid, phosphoric acid, acryloxy, methacrylicoxy, epoxy, Or vinyl group,
R 2 is hydrogen or alkyl having 1 to 12 carbon atoms,
m is an integer of 1 to 3,
In Chemical Formula 4,
M represents a metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, and titanium,
R 3 may be the same as or different from each other, and is a halogen, an alkyl, alkoxy, acyloxy, or hydroxy group having 1 to 12 carbon atoms,
Z is an integer of 3 or 4.
청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은 0.1 ~ 10 mm 의 두께로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 21, wherein the coating layer is formed to a thickness of 0.1 to 10 mm. 청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계 후, 상기 투명 도전층을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것인 도전성 필름의 제조방법.The method of claim 13, further comprising patterning the transparent conductive layer after step b).
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