KR20120018666A - Scintillator panel and x-ray image sensor including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A scintillator panel and a radiation image sensor including the panel are provided to form a secure wall and to protect the wall from moisture. CONSTITUTION: A scintillator panel comprises a scintillator layer(20), a first protective layer(30) and a first hard coating layer(40). The scintillator layer is included of a plurality of columnar crystals. The scintillator layer changes the radiation into the light of the fixed wavelet range. The first protective layer is formed on the scintillator layer. The first hard-coating layer is formed on the first protective layer. The first hard-coating layer is included of the thermosetting resin.

Description

신틸레이터 패널 및 상기 패널을 포함하는 방사선 이미지 센서{SCINTILLATOR PANEL AND X-RAY IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME}A scintillator panel and a radiation image sensor including the panel {scatter panel and X-ray image sensor INCLUDING THE SAME}

본 발명은 신틸레이터 패널 및 상기 패널을 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a scintillator panel and an image sensor comprising the panel.

종래의 엑스레이(X-ray) 촬영의 경우, 필름과 스크린을 이용한 방식을 사용하였는데, 촬영된 필름을 보관하기 위하여 공간과 인력이 필요한 문제점이 있었다. 이를 해결하기 위하여 촬영된 필름을 스캐너로 스캔하여 디지털화하는 작업이 추진되었으나, 이 역시 필름을 사용할 수밖에 없어 이중으로 경비가 지출되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점이 있었기 때문에, 필름을 사용하지 않고 검출기를 통해 방사선을 전기적 신호로 변환하여 컴퓨터로 전송할 수 있는 디지털 방사선 영상장치가 등장하게 되었다.Conventional X-ray (X-ray) imaging, using a film and screen method, there was a problem that requires space and manpower to store the film filmed. In order to solve this problem, the work of digitizing the photographed film with a scanner has been promoted, but this also has a problem in that the expense is doubled because the film cannot be used. Due to this problem, a digital radiation imaging apparatus capable of converting radiation into an electrical signal and transmitting it to a computer through a detector without using a film has emerged.

디지털 방사선 영상장치는 변환방식에 따라 직접변환방식과 간접변환방식으로 나누어진다. 직접변환방식은 조사된 엑스레이(X-ray)를 전기적 신호로 직접 변환하여 영상신호로 검출하는 방식이다. 한편, 간접변환방식은 엑스레이(X-ray)를 가시광선으로 변환한 후, 이 가시광선을 포토다이오드, CMOS나 CCD 센서 등의 이미지 센서를 이용하여 전기적 신호로 변환하여 화상을 구현하는 방식이다. 직접변환방식은 고전압을 인가하여야만 방사선 이미지 검출이 가능하기 때문에 간접변환방식이 많이 사용되고 있다.Digital radiation imaging apparatus is divided into direct conversion method and indirect conversion method according to the conversion method. The direct conversion method is a method of directly converting irradiated X-rays into electrical signals and detecting them as image signals. On the other hand, the indirect conversion method is a method of converting the X-ray to visible light and then converting the visible light into an electrical signal using an image sensor such as a photodiode, CMOS or CCD sensor to implement an image. The direct conversion method is often used because indirect conversion method can be detected only when a high voltage is applied.

간접변환방식을 이용한 검출기로 엑스레이 디텍터(X-ray detector)를 들 수 있다. 상기 엑스레이 디텍터는 대상체를 통과한 엑스레이를 이용하여 화상을 형성하기 위한 방사선 이미지 센서를 포함한다. 상기 방사선 이미지 센서가 화상을 형성하는 방법은 다음과 같다. 입력 면에 설치된 신틸레이터(scintillator)에 의해 대상체를 통과한 엑스레이가 빛으로 변환된다. 변환된 빛은 다시 광전자로 변환되어 내부의 전자총에 의해 증폭되고, 상기 증폭된 광전자는 출력부의 형광 물질에 충돌하여 가시광선으로 변환된다. 변환된 가시광선은 포토다이오드 등의 수광 소자를 통해 전기적 신호로 변환되고, 상기 변환된 신호를 이용하여 화상이 구현된다. An indirect conversion detector is an X-ray detector. The X-ray detector includes a radiation image sensor for forming an image using X-rays passing through the object. The method for forming an image by the radiation image sensor is as follows. X-rays passing through the object are converted to light by a scintillator installed on the input surface. The converted light is converted back into photoelectrons and amplified by an electron gun therein, and the amplified photons collide with the fluorescent material of the output unit and are converted into visible light. The converted visible light is converted into an electrical signal through a light receiving element such as a photodiode, and an image is realized using the converted signal.

엑스레이 디텍터에 사용되는 방사선 이미지 센서를 제조하는 방법으로는 크게 간접 증착 방식과 직접 증착 방식이 있다. 간접 증착 방식은 방사선을 투과시키고 가시광선을 반사하는 알루미늄 기판상에 신틸레이터 층, 패릴렌(Parylene)으로 이루어진 보호층을 차례로 적층하여 신틸레이터 패널을 독립된 공정에서 제작하고, 글래스(glass) 기판상의 중앙부 표면에 배열된 다수의 수광 소자 및 상기 글래스 기판상의 가장자리 표면에 배치되고 수광 소자와 전기적으로 접속된 다수의 전극 패드를 구비하는 촬상 소자에 상기 신틸레이터 패널을 광학접착제를 이용하여 일체화시키는 방식이다.Methods of manufacturing the radiation image sensor used in the X-ray detector are largely indirect deposition and direct deposition. Indirect deposition method produces a scintillator panel in a separate process by sequentially laminating a scintillator layer and a protective layer made of parylene on an aluminum substrate that transmits radiation and reflects visible light, and then on a glass substrate. The scintillator panel is integrated by an optical adhesive with an image pickup device having a plurality of light receiving elements arranged on a central surface and a plurality of electrode pads disposed on an edge surface on the glass substrate and electrically connected to the light receiving elements. .

한편, 직접 증착 방식은 글래스 기판상의 중앙부 표면에 배열된 다수의 수광 소자 및 기판상의 가장자리 표면에 배치되고 수광 소자와 전기적으로 접속된 다수의 전극 패드를 구비하는 촬상 소자의 표면에 신틸레이터를 직접 증착시켜 신틸레이터 층을 형성시키고, 신틸레이터 층을 포함한 촬상 소자 전체 표면에 패릴렌으로 이루어진 보호층을 적층하고 상기 보호층 위에 알루미늄 막으로 반사층을 형성하여 이미지 센서를 제조하는 방식이다.On the other hand, the direct deposition method directly deposits a scintillator on the surface of an imaging device having a plurality of light receiving elements arranged on the central surface of the glass substrate and a plurality of electrode pads disposed on the edge surface of the substrate and electrically connected to the light receiving element. To form a scintillator layer, a protective layer made of parylene on the entire surface of the imaging device including the scintillator layer, and form a reflective layer with an aluminum film on the protective layer to manufacture an image sensor.

패릴렌은 코팅하고자 하는 표면의 요철을 따라 코팅되는 특성을 갖는다. 도 1은 신틸레이터 층 위에 보호층만이 형성된 경우의 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.Parylene has the property of being coated along the unevenness of the surface to be coated. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows a part of cross section of the structure of the scintillator panel when only a protective layer is formed on a scintillator layer.

상기 도 1에 도시된 바와 같이, 촬상 소자(10)위에 신틸레이터 층(20)이 형성되고 상기 신틸레이터 층(20) 위에 패릴렌으로 이루어진 보호층(30)이 형성된다. 신틸레이터 층(20)은 복수의 기둥 형상 구조로 되어 있다. 신틸레이터 층(20)을 형성하는 기둥은 증착 공정에 의해 불규칙적으로 성장하므로 신틸레이터 층(20)의 표면에 요철이 존재한다. As shown in FIG. 1, a scintillator layer 20 is formed on the imaging device 10, and a protective layer 30 made of parylene is formed on the scintillator layer 20. The scintillator layer 20 has a plurality of columnar structures. Since the pillars forming the scintillator layer 20 grow irregularly by the deposition process, irregularities exist on the surface of the scintillator layer 20.

상기 보호층(30)은 상기 신틸레이터 층(20)의 요철을 따라 형성되기 때문에, 상기 보호층(30)의 표면에도 요철이 존재하게 된다. Since the protective layer 30 is formed along the unevenness of the scintillator layer 20, the unevenness also exists on the surface of the protective layer 30.

상기 보호층(30) 위에 접착제 등을 도포하며 반사층 또는 기판 등을 접착시키는 경우에 요철로 인하여 보호층(30)의 접착 면적이 줄어들기 때문에 기판 또는 반사층이 상기 보호층(30)에 잘 접합되지 않는 문제점이 있다.When the adhesive layer is applied on the protective layer 30 and the reflective layer or the substrate is adhered to the protective layer 30, the adhesion area of the protective layer 30 is reduced due to the unevenness, so that the substrate or the reflective layer is hardly bonded to the protective layer 30. There is a problem.

도 2는 신틸레이터 패널의 보호층 위에 직접 기판 등이 형성된 경우의 신틸레이터 패널 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 2에 도시된 바와 같이, 보호층(30) 위에 기판(4) 등을 접착제 등을 이용하여 직접 부착하는 경우에, 상기 요철로 인하여 접합면에 공극(air gap)(5)이 형성되는 문제점이 있다.FIG. 2 is a diagram showing a part of a cross section of the scintillator panel structure when a substrate or the like is directly formed on the protective layer of the scintillator panel. As shown in FIG. 2, when the substrate 4 or the like is directly attached onto the protective layer 30 using an adhesive or the like, an air gap 5 is formed in the joint surface due to the irregularities. There is a problem.

이를 해결하기 위하여 보호층을 얇게 여러 번 코팅하는 것을 고려할 수 있지만, 보호층은 화학적 증착 방식(Chemical Vapor Deposition: CVD)에 의해 형성되기 때문에 보호층을 얇게 여러 번 형성하면, 보호층을 형성하기 위한 공정 시간이 오래 소요되어 생산성이 나빠지는 문제점이 있다.In order to solve this problem, it may be considered to coat the protective layer thinly several times. However, since the protective layer is formed by chemical vapor deposition (CVD), the protective layer may be formed several times. The process takes a long time, there is a problem that the productivity worsens.

상기 도 1과 도 2 및 이에 관한 상기 내용은 직접 증착 방식을 전제로 하고 있지만, 상기 도 1과 도 2에서 촬상 소자(10) 대신에 알루미늄기판을 사용하여 독립적으로 신틸레이터 패널을 제작하고 이를 촬상 소자에 접합시키는 간접 증착 방식을 적용하는 경우에도 상기에서 설명한 문제점이 동일하게 발생한다.1 and 2 and the above description are based on a direct deposition method, but instead of the imaging device 10 in FIGS. 1 and 2, a scintillator panel is independently manufactured by using an aluminum substrate and the imaging is performed. In the case of applying an indirect deposition method in which a device is bonded, the same problem described above occurs.

신틸레이터 층(20)의 재료인 CsI는 흡습성 재료이고, 공기 중의 수증기(습기)를 흡수하여 용해한다. 신틸레이터 층(20)이 습기를 흡수하여 손상되면 방사선 이미지 센서의 해상도가 나빠지기 때문에, 신틸레이터 층(20)을 습기로부터 보호하는 것이 중요하다. 상기 보호층(30)은 습기로부터 상기 신틸레이터 층(20)을 보호하는 역할을 수행하는 데, 상기 보호층(30)의 방습 효과를 보다 향상시킬 수 있는 신틸레이터 패널의 구조가 요구된다.CsI, which is a material of the scintillator layer 20, is a hygroscopic material and absorbs and dissolves water vapor (moisture) in air. It is important to protect the scintillator layer 20 from moisture because the resolution of the radiographic image sensor deteriorates when the scintillator layer 20 absorbs and damages moisture. The protective layer 30 serves to protect the scintillator layer 20 from moisture, and a structure of the scintillator panel capable of further improving the moisture proof effect of the protective layer 30 is required.

또한, 상기 보호층(30)이 외부 충격 등에 의해 손상되는 경우에, 상기 보호층(30)은 신틸레이터 층(30)을 습기로부터 원활하게 보호할 수 없으므로, 상기 보호층(30)을 내구성을 향상시킬 수 있는 신틸레이터 패널의 구조가 요구된다.In addition, when the protective layer 30 is damaged by an external impact or the like, the protective layer 30 may not protect the scintillator layer 30 from moisture smoothly, thereby making the protective layer 30 durable. The structure of the scintillator panel which can improve is required.

본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 신틸레이터 표면의 평탄도를 증가시킬 수 있고, 방습 효과를 향상시킬수 있으며, 내구성을 증진시킬 수 있는 신틸레이터 패널과 상기 신틸레이터 패널을 포함하는 방사선 이미지 센서를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the conventional problems, and includes a scintillator panel and the scintillator panel can increase the flatness of the scintillator surface, improve the moisture-proof effect, and improve durability It is to provide a radiation image sensor.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 양상에 따른 신틸레이터 패널은 복수의 주상 결정으로 이루어지며 방사선을 소정 파장 범위의 광으로 변환하는 신틸레이터(scintillator) 층, 상기 신틸레이터 층 위에 형성되는 제1 방습층 및 상기 제1 방습층위에 형성되고 열경화성 수지로 이루어진 제1 하드코팅(hard coating) 층을 포함한다.The scintillator panel according to an aspect of the present invention for solving the above problems consists of a plurality of columnar crystals and a scintillator layer for converting radiation into light of a predetermined wavelength range, the first scintillator layer formed on the scintillator layer And a first hard coating layer formed on the moisture proof layer and the first moisture proof layer and made of a thermosetting resin.

상기 제1 방습층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어질 수 있다.The first moisture barrier layer may be made of parylene.

상기 신틸레이터 패널은 상기 제1 하드코팅 층 위에 형성된 제2 방습층을 더 포함할 수 있다.The scintillator panel may further include a second moisture barrier layer formed on the first hard coat layer.

상기 제2 방습층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어질 수 있다.The second moisture barrier layer may be made of parylene.

상기 신틸레이터 패널은 기판 및 상기 기판 위에 형성된 반사층을 더 포함하며, 상기 신틸레이터 층은 상기 반사층 위에 형성될 수 있다.The scintillator panel may further include a substrate and a reflective layer formed on the substrate, and the scintillator layer may be formed on the reflective layer.

상기 신틸레이터 패널은 상기 반사층과 상기 신틸레이터 층 사이에 형성된 제2 보호층을 더 포함할 수 있다.The scintillator panel may further include a second protective layer formed between the reflective layer and the scintillator layer.

상기 열경화성 수지는 아크릴(acrylic) 수지, 에폭시(epoxy) 수지, 폴리에스터(polyester) 수지, 멜라민(melamine) 수지, 우레아(urea) 수지 및 우레탄(urethane) 수지 중 하나일 수 있다.The thermosetting resin may be one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a melamine resin, a urea resin, and a urethane resin.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 양상에 따른 신틸레이터 패널은 복수의 주상 패널은 결정으로 이루어지며 방사선을 소정 파장 범위의 광으로 변환하는 신틸레이터(scintillator) 층, 상기 신틸레이터 층 위에 형성되는 제1 방습층과 및 상기 제1 방습층 위에 형성되고 UV 경화성 수지로 이루어진 제1 하드코팅(hard coating) 층을 포함한다.Scintillator panel according to another aspect of the present invention for solving the above problems is a scintillator layer formed of a plurality of columnar panels made of crystals and converting radiation into light of a predetermined wavelength range, the scintillator layer is formed on the scintillator layer And a first hard coating layer formed on the first moisture proof layer and the UV moisture curable resin.

상기 제1 방습층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어질 수 있다.The first moisture barrier layer may be made of parylene.

상기 신틸레이터 패널은 상기 제1 하드코팅 층 위에 형성된 제2 방습층을 더 포함할 수 있다.The scintillator panel may further include a second moisture barrier layer formed on the first hard coat layer.

상기 제2 방습층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어질 수 있다.The second moisture barrier layer may be made of parylene.

상기 신틸레이터 패널은 기판 및 상기 기판 위에 형성된 반사층을 더 포함하며, 상기 신틸레이터 층은 상기 반사층 위에 형성될 수 있다.The scintillator panel may further include a substrate and a reflective layer formed on the substrate, and the scintillator layer may be formed on the reflective layer.

상기 신틸레이터 패널은 상기 반사층과 상기 신틸레이터 층 사이에 형성된 제2 보호층을 더 포함할 수 있다.The scintillator panel may further include a second protective layer formed between the reflective layer and the scintillator layer.

상기 UV 경화성 수지는 에틸렌성 불포화기를 포함하는 에틸렌성 불포화 우레탄 아크릴레이트 수지, 에틸렌성 불포화 폴리에스터 아크릴레이트 수지, 에틸렌성 불포화 에폭시 아크릴레이트 중 하나일 수 있다.The UV curable resin may be one of an ethylenically unsaturated urethane acrylate resin, an ethylenically unsaturated polyester acrylate resin, and an ethylenically unsaturated epoxy acrylate including an ethylenically unsaturated group.

상기 제1 하드코팅 층은 습식 코팅(wet coating) 방법에 의해 형성될 수 있다.The first hard coat layer may be formed by a wet coating method.

상기 제1 하드코팅 층은 상기 소정 파장 범위의 광을 반사시키기 위한 입자를 포함하며, 상기 입자는 TiO2 , LiF, MgF2, SiO2, Al2O3, MgO, SiN, CaF2, NaCl, KBr, KCl, AgCl, SiNO3, Au, SiO, AlO, B4C, BNO3 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.The first hard coating layer includes particles for reflecting light in the predetermined wavelength range, wherein the particles are TiO 2 , LiF, MgF 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, SiN, CaF 2 , NaCl, It may be made of at least one of KBr, KCl, AgCl, SiNO 3 , Au, SiO, AlO, B 4 C, BNO 3 .

상기 신틸레이터 패널은 상기 제1 하드코팅 층 위에 열경화성 수지로 이루어진 제2 하드코팅 층을 더 포함할 수 있다.The scintillator panel may further include a second hard coating layer made of a thermosetting resin on the first hard coating layer.

상기 제2 하드코팅 층을 이루는 열경화성 수지는 아크릴 수지, 에폭시(epoxy) 수지, 폴리에스터(polyester) 수지, 멜라민(melamine) 수지, 우레아(urea) 수지 및 우레탄(urethane) 수지 중 하나일 수 있다.The thermosetting resin constituting the second hard coat layer may be one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a melamine resin, a urea resin, and a urethane resin.

상기 신틸레이터 패널은 상기 제1 하드코팅 층 위에 UV 경화성 수지로 이루어진 제2 하드코팅 층을 더 포함할 수 있다.The scintillator panel may further include a second hard coating layer made of a UV curable resin on the first hard coating layer.

상기 제2 하드코팅 층을 이루는 UV 경화성 수지는 에틸렌성 불포화기를 포함하는 에틸렌성 불포화 우레탄 아크릴레이트 수지, 에텔린성 불포화 폴리에스터 아크릴레이트 수지 및 에틸렌성 불포화 에폭시 아크릴레이트 수지 중 하나일 수 있다.The UV curable resin constituting the second hard coat layer may be one of an ethylenically unsaturated urethane acrylate resin, an ethylenically unsaturated polyester acrylate resin, and an ethylenically unsaturated epoxy acrylate resin including an ethylenically unsaturated group.

상기 신틸레이터 패널은, 상기 제1 하드코팅 층 위에 형성되고 상기 소정 파장 범위의 광을 반사시키기 위한 반사층을 더 포함할 수 있다.The scintillator panel may further include a reflective layer formed on the first hard coating layer to reflect light in the predetermined wavelength range.

상기 반사층은 Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt 및 Au 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 이루어질 수 있다.The reflective layer may be made of a material including at least one of Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt, and Au.

평탄도가 (1-(코팅 후의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차)/(코팅 전의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차)x 100으로 정의될 때, 상기 제1 하드코팅 층의 평탄도는 상기 제1 방습층의 평탄도보다 클 수 있다.When the flatness is defined as (1- (difference between the highest and lowest height of the surface after coating) / (difference between the highest and lowest height of the surface before coating) x 100, the flatness of the first hard coat layer is It may be greater than the flatness of the first moisture barrier.

상기 제1 하드코팅 층의 평탄도는 70이상일 수 있다.The flatness of the first hard coat layer may be 70 or more.

방사선 이미지 센서는 상기 신틸레이터 패널과 상기 소정 파장 범위의 광에 의한 화상을 촬상하기 위한 촬상 소자를 포함하고, 상기 신틸레이터 패널은 상기 촬상 소자 위에 배치될 수 있다.The radiation image sensor may include an imaging device for capturing an image by the scintillator panel and the light in the predetermined wavelength range, and the scintillator panel may be disposed on the imaging device.

본 발명에 따른 신틸레이터 패널에 의할 때, 하드코팅 층은 보호층보다 큰 평탄도를 갖기 때문에 상기 하드코팅 층 위에 기판 또는 반사층 등을 접착제 등을 이용하여 형성하는 경우에, 접착 성능의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 상기 하드코팅 층은 경도가 매우 높기 때문에, 외부 충격으로부터 보호층이 마모되는 것을 방지하여 내구성을 높여주며, 습기에 대한 견고한 장벽을 형성하여 보호층의 방습 효과를 더욱 향상시킨다. 또한, 하드코팅 층은 습식 방식으로 형성되기 때문에 공정 시간이 오래 소요되지 않아 신틸레이터 패널의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the scintillator panel according to the present invention, since the hard coating layer has a greater flatness than the protective layer, when the substrate, the reflective layer, or the like is formed on the hard coating layer using an adhesive or the like, it is possible to improve the adhesion performance. We can plan. In addition, since the hard coating layer has a very high hardness, it prevents the protective layer from abrasion from external shock, thereby increasing durability, and forming a solid barrier against moisture to further improve the moisture barrier effect of the protective layer. In addition, since the hard coating layer is formed in a wet manner, it does not take a long time to improve the productivity of the scintillator panel.

도 1은 신틸레이터 층 위에 보호층만이 형성된 경우의 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 2는 신틸레이터 패널의 보호층 위에 직접 기판 등이 형성된 경우의 신틸레이터 패널 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제9 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제10 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows a part of cross section of the structure of the scintillator panel when only a protective layer is formed on a scintillator layer.
FIG. 2 is a diagram showing a part of a cross section of the scintillator panel structure when a substrate or the like is directly formed on the protective layer of the scintillator panel.
3 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the second embodiment of the present invention.
5 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the third embodiment of the present invention.
6 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the fourth embodiment of the present invention.
7 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the fifth embodiment of the present invention.
8 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the sixth embodiment of the present invention.
9 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the seventh embodiment of the present invention.
10 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the eighth embodiment of the present invention.
11 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the ninth embodiment of the present invention.
12 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the tenth embodiment of the present invention.

본 발명은 신틸레이터 패널에 관한 것으로서, 이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.The present invention relates to a scintillator panel, hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals have the same reference numerals as much as possible even if displayed on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조에 대해 설명하기로 한다.
Hereinafter, the structure of the scintillator panel according to the first embodiment of the present invention will be described.

제1 First 실시예Example

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 3에 도시된 바와 같이, 신틸레이터 패널(100)은 촬상 소자(10), 촬상 소자(10) 표면에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20)을 포함하는 촬상 소자 (10) 위에 형성된 보호층(30) 및 상기 보호층(30) 위에 형성된 하드코팅 층(40)을 포함한다. 상기 보호층(30)은 신틸레이터 층(20)을 외부로부터 보호하는 역할을 하며, 특히 신틸레이터 층(20)에 습기가 침투하는 것을 방지하는 방습층으로서의 기능을 수행한다.3 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the first embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 3, the scintillator panel 100 includes an imaging device 10, an imaging device including a scintillator layer 20 formed on a surface of the imaging device 10, and the scintillator layer 20. 10) a protective layer 30 formed on the protective layer 30 and a hard coating layer 40 formed on the protective layer 30. The protective layer 30 serves to protect the scintillator layer 20 from the outside, and in particular, serves as a moisture proof layer that prevents moisture from penetrating into the scintillator layer 20.

촬상 소자(10)는 기판, 기판 표면에 배열된 수광 소자로 구성된 수광부, 기판 표면의 가장자리에 배치된 전극 패드로 구성된 전극부를 포함한다. 보다 구체적으로, 수광부는 Si 기판, 또는 글래스 기판상에 1차원 또는 2차원상으로 배열되어 형성된 광전 변환을 수행하는 복수의 수광 소자로 구성된다. 신틸레이터 층(20)으로 입사한 방사선이 신틸레이터 층(20)에 의해 광으로 변환되면, 상기 수광 소자는 상기 변환된 광을 검출하고 이를 전기적 신호로 변환하는 기능을 수행한다. 상기 수광 소자로는 비정질 실리콘제의 포토다이오드(Photo Diode: PD), 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT), CCD(Charged Coupled Device), CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 센서, FOP(Fiber Optical Plate)등이 사용될 수 있다.The imaging device 10 includes a substrate, a light receiving portion composed of a light receiving element arranged on a surface of the substrate, and an electrode portion composed of electrode pads disposed at an edge of the substrate surface. More specifically, the light receiving portion is composed of a plurality of light receiving elements for performing photoelectric conversion formed by being arranged in one or two dimensions on a Si substrate or a glass substrate. When the radiation incident on the scintillator layer 20 is converted into light by the scintillator layer 20, the light receiving element detects the converted light and converts the converted light into an electrical signal. The light-receiving element may include a photo diode (PD) made of amorphous silicon, a thin film transistor (TFT), a charged coupled device (CCD), a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) sensor, and a fiber optical Plate) may be used.

전극부는 수광부 외측의 기판 표면 가장 자리에 형성된 복수의 전극 패드로 구성되는데, 전극 패드는 수광 소자에 의해 발생되는 전기적 신호를 읽고 이를 영상분석 장치 등에 전달하는 기능을 하며, 도 2에는 도시되지 않았으나, 와이어 등의 배선 등에 의해 수광 소자와 전기적으로 연결되어 있다.The electrode unit is composed of a plurality of electrode pads formed on the edge of the substrate surface outside the light receiving unit, the electrode pad reads the electrical signal generated by the light receiving element and transmits it to an image analysis device, etc., although not shown in FIG. It is electrically connected with the light receiving element by wiring, such as a wire.

촬상 소자(10)의 수광부 위에는 입사한 방사선을 수광 소자가 검출 가능한 파장 대역을 포함하는 광으로 변환하는 기둥 형상 구조의 신틸레이터 층(20)이 형성되어 있다. 본 명세서에서 광이란, 가시광선에 한정되는 것이 아니라, 자외선, 적외선 혹은 소정의 방사선 등의 전자파를 포함하는 개념이다. 신틸레이터 층(20)은 수광 소자의 형성 면 전체와 그 주변까지 덮도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.The scintillator layer 20 of the columnar structure which converts the incident radiation into the light containing the wavelength band which a light receiving element can detect is formed on the light receiving part of the imaging element 10. Light is not limited to visible light in this specification, but is a concept containing electromagnetic waves, such as an ultraviolet-ray, an infrared ray, or predetermined radiation. The scintillator layer 20 is preferably formed so as to cover the entire forming surface of the light receiving element and its surroundings.

신틸레이터 층(20)을 형성하기 위한 재료로는 방사선을 특정 파장 대역의 광으로 변환시킬 수 있는 것이라면 그 종류가 크게 제한되지 않으며, 구체적으로 CsI, 탈륨(Tl)이 도프(dope)된 CsI, 나트륨(Na)이 도프된 CsI, 탈륨(Tl)이 도프된 NaI 등이 있다. 이중 가시광선을 발광하고, 발광 효율이 양호한 탈륨(Tl)이 도프된 CsI가 바람직하다.The material for forming the scintillator layer 20 is not particularly limited as long as it can convert radiation into light of a specific wavelength band. Specifically, CsI, CsI doped with thallium (Tl), CsI doped with sodium (Na), NaI doped with thallium (Tl), and the like. CsI doped with thallium (Tl) which emits double visible light and has good luminous efficiency is preferable.

신틸레이터 층(20)은 복수의 기둥 형상 구조로 되어 있다. 상기 신틸레이터 층(20)을 형성하는 기둥은 증착 공정에 의해 불규칙적으로 성장하므로 신틸레이터 층(20)의 표면에 요철이 존재한다. The scintillator layer 20 has a plurality of columnar structures. Since the pillars forming the scintillator layer 20 grow irregularly by the deposition process, irregularities exist on the surface of the scintillator layer 20.

또한, 신틸레이터 층(20)의 두께는 약 20~2000㎛ 정도이다.In addition, the thickness of the scintillator layer 20 is about 20-2000 micrometers.

전형적인 신틸레이터 층(20)의 재료인 CsI는 흡습성 재료이고, 공기 중의 수증기(습기)를 흡수하여 용해한다. 신틸레이터 층(20)이 습기를 흡수하여 손상되면 방사선 이미지 센서의 해상도가 열화하기 때문에, 신틸레이터를 습기로부터 보호하는 구조가 요구된다. 따라서 본 발명에 따른 신틸레이터 패널(100)에서는 신틸레이터 층(20)을 밀폐하도록 보호층(30)이 형성되어 있다.CsI, a material of the typical scintillator layer 20, is a hygroscopic material and absorbs and dissolves water vapor (moisture) in air. If the scintillator layer 20 absorbs moisture and is damaged, the resolution of the radiation image sensor deteriorates, so that a structure for protecting the scintillator from moisture is required. Therefore, in the scintillator panel 100 according to the present invention, the protective layer 30 is formed to seal the scintillator layer 20.

보호층(30)은 신틸레이터 층(20)의 형성 면 전체와 그 주변까지 덮도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.The protective layer 30 is preferably formed so as to cover the entire formation surface of the scintillator layer 20 and its surroundings.

보호층(30)을 형성하는 재료는 방사선(X-ray)을 투과시키고 동시에 수증기를 차단하는 것이라면 크게 제한되지 않으며, 바람직하게는 유기 수지, 보다 바람직하게는 패릴렌 베이스의 수지인 것을 특징으로 한다. 패릴렌은 화학적으로 증착된 폴리파라크실렌 고분자의 상품명으로 패릴렌 N, 패릴렌 C, 패릴렌 D, 패릴렌 AF-4 등이 있으며, 패릴렌에 의한 코팅막은 수증기 및 가스의 투과가 상당히 적고, 발수성, 내약품성이 높으며, 박막으로도 우수한 전기 절연성을 갖고, 방사선, 가시광선을 투과시키는 등 보호막에 적합한 우수한 특징을 갖고 있다.The material for forming the protective layer 30 is not particularly limited as long as it transmits radiation (X-ray) and simultaneously blocks water vapor, and is preferably an organic resin, more preferably a parylene-based resin. . Parylene is a brand name of chemically deposited polyparaxylene polymer, such as parylene N, parylene C, parylene D, parylene AF-4, etc., and the coating film by parylene has a relatively low permeation of water vapor and gas, It has high water repellency and chemical resistance, has excellent electrical insulation even in a thin film, and has excellent characteristics suitable for a protective film such as transmitting radiation and visible light.

패릴렌은 금속의 진공 증착과 마찬가지로 진공 중에서 지지체 위에 증착하는 화학적 증착(CVD)법에 의해서 코팅할 수 있다. 이것은 원료가 되는 디파라크실렌모노머를 열분해한 생성물을 톨루엔, 벤젠 등의 유기용매 속에서 급냉하여 다이머라고 불리는 디파라크실렌을 얻는 공정과, 상기 다이머를 열분해하여, 안정한 래디컬파라크실렌 가스를 생성시키는 공정과, 발생한 가스를 소재 위에 흡착, 중합시켜 분자량이 약 5x105인 폴리파라크실렌막을 중합 형성시키는 공정으로 이루어진다.Parylene may be coated by chemical vapor deposition (CVD), which deposits on a support in vacuum as well as vacuum deposition of metals. This is a step of rapidly cooling a product obtained by thermally decomposing diparaxylene monomer as a raw material in an organic solvent such as toluene or benzene to obtain diparaxylene called a dimer, and pyrolyzing the dimer to generate a stable radical paraxylene gas. And gas generated by adsorption and polymerization on the material to polymerize and form a polyparaxylene membrane having a molecular weight of about 5x10 5 .

상기 신틸레이터 층(20)은 복수의 기둥 형상 구조로 되어 있으며, 상기 신틸레이터 층(20)을 형성하는 기둥은 증착 공정에 의해 불규칙적으로 성장하기 때문에 신틸레이터 층(20)의 표면에는 상기 도 2에 도시된 바와 같이, 요철이 존재한다.The scintillator layer 20 has a plurality of columnar structures, and since the pillars forming the scintillator layer 20 grow irregularly by a deposition process, the scintillator layer 20 has a surface of FIG. As shown in the figure, unevenness exists.

신틸레이터 층(20) 위에 보호층(30)을 형성하는 경우에, 보호층(30)은 신틸레이터 층(20)의 표면의 요철을 따라 형성되기 때문에, 상기 도 2에 도시된 바와 같이 보호층(30)의 표면에도 요철이 존재한다.In the case of forming the protective layer 30 on the scintillator layer 20, since the protective layer 30 is formed along the unevenness of the surface of the scintillator layer 20, as shown in FIG. Unevenness also exists on the surface of (30).

상기 보호층(30)의 표면에 기판 또는 반사층 등을 접착제 등을 이용하여 접합하는 경우에, 상기 보호층(30) 표면의 요철로 인하여 보호층(30) 표면의 접착 면적이 줄어들고 상기 요철로 인하여 기판 또는 반사층이 상기 보호층(30)에 잘 접합되지 않는 문제점이 있다. 또한, 상기 요철로 인하여 접합면에 공극이 형성되는 문제점이 있다. When bonding a substrate or a reflective layer to the surface of the protective layer 30 using an adhesive or the like, the adhesion area of the surface of the protective layer 30 is reduced due to the unevenness of the surface of the protective layer 30 and due to the unevenness There is a problem that the substrate or the reflective layer is hardly bonded to the protective layer 30. In addition, there is a problem that the voids are formed in the joint surface due to the irregularities.

이를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 상기 보호층(30)위에 하드코팅 층(40)을 형성할 것을 제안한다.In order to solve this problem, the present invention proposes to form the hard coating layer 40 on the protective layer (30).

상기 하드코팅 층(40)은 열경화성 수지를 이용하여 형성할 수 있다. 상세하게는 열경화성 수지와 경화제, 경화촉진제, 용제 및 첨가제 등을 배합하여 조성물(composite)을 만들고, 이를 습식 코팅 방식을 이용하여 보호층(30)상에 도포하여 하드코팅 층(40)을 형성할 수 있다. 경화제, 경화촉진제, 용제 및 첨가제는 수지의 종류에 따라 적절하게 선택될 수 있다.The hard coating layer 40 may be formed using a thermosetting resin. In detail, a thermosetting resin, a curing agent, a curing accelerator, a solvent, an additive, and the like are combined to form a composition, and the coating is applied on the protective layer 30 by using a wet coating method to form the hard coating layer 40. Can be. The curing agent, curing accelerator, solvent and additives may be appropriately selected depending on the type of resin.

상기 용제로 저비점 용제와 고비점 용제를 사용할 수 있다. 저비점 용제로는 예를 들어, 메틸에틸케톤과 에틸아세테이트 등을 단독 또는 조합해서 사용할 수 있으며, 고비점 용제로는 예를 들어, 부틸아세테이트, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 및 부틸셀로솔브 등을 단독 또는 조합해서 사용할 수 있다. 용제는 상기에서 예로 든 용제로 제한되는 것은 아니며, 본 발명에서는 화합물을 균일하게 용해시킬 수 있고 화학적으로 안전성을 부여하고, 화합물과 반응성이 없는 용제라면 특별히 제한하지 않는다.As the solvent, a low boiling point solvent and a high boiling point solvent can be used. As the low boiling point solvent, for example, methyl ethyl ketone and ethyl acetate may be used alone or in combination. For the high boiling point solvent, for example, butyl acetate, benzene, toluene, xylene, butyl cellosolve and the like may be used alone. Or in combination. The solvent is not limited to the solvents exemplified above, and the present invention is not particularly limited as long as it can dissolve the compound uniformly, impart chemical stability, and is not reactive with the compound.

첨가제는 기포 발생을 억제하고 막 형성 시에 우수한 외관을 부여하는 등의 역할을 수행하며, 첨가제는 실리콘 계열, 플루오르 계열, 아크릴 계열의 첨가제가 있다.The additive plays a role of suppressing bubble generation and imparting an excellent appearance when forming a film, and the additive includes silicone-based, fluorine-based, and acrylic-based additives.

상기 열경화성 수지는 아크릴(acrylic) 수지, 에폭시(epoxy) 수지, 폴리에스터(polyester) 수지, 멜라민(melamine) 수지, 우레아(urea) 수지, 우레탄(urethane) 수지 중 하나일 수 있다.The thermosetting resin may be one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a melamine resin, a urea resin, and a urethane resin.

아크릴 수지의 경우에, 예를 들어, 아크릴 수지를 100 중량부로, 경화제를 10~50 중량부로, 용제를 150 중량부로, 첨가제를 1 중량부로 하여 조성물의 형성할 수 있다.In the case of acrylic resin, a composition can be formed, for example with 100 weight part of acrylic resins, 10-50 weight part of hardening | curing agents, 150 weight part of solvents, and 1 weight part of additives.

또한, 하드코팅 층(40)은 UV 경화성 수지를 이용하여 형성할 수 있다. 상세하게는 UV 경화성 수지와 에틸렌성 불포화 관능기를 다량 함유하는 모노머(monomer), UV가 조사되면 라디칼을 생성하는 라디칼 개시제(radical initiator), 용제 및 첨가제 등을 배합하여 조성물을 만들고, 이를 습식 코팅 방식을 이용하여 보호층(30)상에 도포하여 하드코팅 층(40)을 형성할 수 있다. 용제 및 첨가제는 상기 열경화성 수지에 사용되는 용제 및 첨가제와 동일한 것을 사용할 수 있다.In addition, the hard coating layer 40 may be formed using a UV curable resin. Specifically, a UV-curable resin and a monomer containing a large amount of ethylenically unsaturated functional groups, a radical initiator, a solvent and an additive that generate radicals when UV is irradiated are mixed to make a composition, and a wet coating method The hard coat layer 40 may be formed by applying it onto the protective layer 30 using the method. Solvents and additives can be the same as the solvents and additives used in the thermosetting resin.

상기 UV 경화성 수지는 중량평균분자량이 2x103에서 2x104을 갖는 에틸렌성 불포화 관능기를 2개 이상 함유하는 올리고머(oligomer)로서 에틸렌성 불포화기를 포함하는 에틸렌성 불포화 우레탄 아크릴레이트 수지, 에틸렌성 불포화 폴리에스터 아크릴레이트 수지, 에틸렌성 불포화 에폭시 아크릴레이트 중 하나일 수 있다.The UV curable resin is an oligomer containing two or more ethylenically unsaturated functional groups having a weight average molecular weight of 2x10 3 to 2x10 4 and an ethylenically unsaturated urethane acrylate resin containing ethylenically unsaturated groups, and an ethylenically unsaturated polyester. It may be one of an acrylate resin, ethylenically unsaturated epoxy acrylate.

UV 경화성 수지의 경우에, 상기 올리고머를 100 중량부로, 상기 모노머를 50 중량부로, 상기 라디칼 개시제를 5 중량부로, 용제를 150 중량부로, 첨가제를 1 중량부로 하여 조성물을 형성할 수 있다.In the case of UV curable resin, the composition may be formed by using 100 parts by weight of the oligomer, 50 parts by weight of the monomer, 5 parts by weight of the radical initiator, 150 parts by weight of the solvent, and 1 part by weight of the additive.

상기 습식 코팅 방식으로 스핀코팅(spin coating), 그라비어코팅(gravure coating), 스프레이 코팅(spray coating), 딥코팅(dip coating), 플로우코팅(flow coating), 스크린인쇄(screen printing), 롤코팅(roll coating), 바코팅(bar coating), 커튼코팅(curtain coating), 다이코팅(die coating), 및 나이프코팅(knife coating) 중 하나가 사용될 수 있다. 상기 습식 코팅 방식은 코팅하고자 하는 대상에 따라 적절하게 선택될 수 있다.Spin coating, gravure coating, spray coating, dip coating, flow coating, screen printing, roll coating by the wet coating method One of roll coating, bar coating, curtain coating, die coating, and knife coating may be used. The wet coating method may be appropriately selected depending on the object to be coated.

한편, 상기 열경화성 수지 및 UV 경화성 수지 이외에, 하드코팅 층(40)을 이루는 재료로 물유리(waterglass) 등이 사용될 수 있다. Meanwhile, in addition to the thermosetting resin and the UV curable resin, water glass or the like may be used as a material forming the hard coating layer 40.

하드코팅 층(40)의 표면의 평평한 정도를 나타내기 위하여 아래의 수학식 1과 같이 평탄도를 정의할 수 있다.In order to indicate the flatness of the surface of the hard coating layer 40, the flatness can be defined as shown in Equation 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 하드코팅 층(40)의 평탄도를 계산할 때, 상기 수학식 1의 코팅 후의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차는 하드코팅 층(40)의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차에 대응하고, 코팅 전의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차는 상기 보호층(30)의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차에 대응한다.When calculating the flatness of the hard coating layer 40, the difference between the highest height and the lowest height of the surface after the coating of Equation 1 corresponds to the difference between the highest height and the lowest height of the surface of the hard coating layer 40, The difference between the highest height and the lowest height of the surface before coating corresponds to the difference between the highest height and the lowest height of the surface of the protective layer 30.

또한, 상기 보호층(30)의 평탄도를 계산할 때, 상기 수학식 1의 코팅 후 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차는 표면의 보호층(30) 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차에 대응하고, 코팅 전의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차는 상기 신틸레이터 층(20)의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차에 대응한다.In addition, when calculating the flatness of the protective layer 30, the difference between the highest height and the lowest height of the surface after the coating of Equation 1 corresponds to the difference between the highest height and the lowest height of the surface of the protective layer 30 of the surface The difference between the highest and lowest height of the surface before coating corresponds to the difference between the highest and lowest height of the surface of the scintillator layer 20.

상기 하드코팅 층(40)의 표면은 보호층(30)보다 큰 평탄도를 가지기 때문에 상기 하드코팅 층(40)위에 반사층 등을 접착제 등을 이용하여 접합할 때, 기판 또는 반사층 등을 상기 하드코팅 층(40)과 잘 접합시킬 수 있다. 또한, 접합 공정 후에 접합면에 공극(air gap)이 형성되지 않으므로, 불량률을 낮출 수 있고, 패널의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Since the surface of the hard coating layer 40 has a greater flatness than the protective layer 30, when the reflective layer or the like is bonded to the hard coating layer 40 using an adhesive or the like, the hard coating of the substrate or the reflective layer or the like is performed. It can be well bonded with layer 40. In addition, since no air gap is formed in the joining surface after the joining process, the defect rate can be lowered and the reliability of the panel can be improved.

또한, 상기 하드코팅 층(40)은 경도가 매우 높기 때문에, 외부 충격으로부터 보호층(30)이 마모되는 것을 방지하여 내구성을 높여주며, 습기에 대한 견고한 장벽을 형성하여 보호막의 방습 효과를 보다 향상시킨다.In addition, since the hard coating layer 40 has a very high hardness, it prevents the protective layer 30 from abrasion from external shock, thereby increasing durability, and forming a solid barrier against moisture to further improve the moisture barrier effect of the protective film. Let's do it.

이하에서는 상기 열경화성 수지 중에서 에폭시 수지를 이용하여 하드코팅 층(40)을 형성하는 경우에, 하드코팅 층(40)의 평탄도와 방습 성능을 측정한 실험 및 실험 결과에 대해서 설명하기로 한다.Hereinafter, when the hard coat layer 40 is formed using an epoxy resin in the thermosetting resin, an experiment and an experimental result of measuring the flatness and moisture proof performance of the hard coat layer 40 will be described.

다음의 표 1은 하드코팅 층(40)을 형성하기 위한 제1실험예 내지 제5실험예의 조성물의 배합비를 나타내는 표이다. Table 1 below is a table showing the mixing ratio of the compositions of the first to fifth experimental examples for forming the hard coat layer 40.

에폭시 수지Epoxy resin 경화제Hardener 경화촉진제Hardening accelerator 용제solvent 첨가제additive 에틸아세테이트Ethyl acetate 부틸아세테이트Butyl acetate 제1실험예Experimental Example 100중량부100 parts by weight 10중량부10 parts by weight 0.1중량부0.1 parts by weight 50중량부50 parts by weight 50중량부50 parts by weight 0.1중량부0.1 parts by weight 제2실험예Experimental Example 100중량부100 parts by weight 50중량부50 parts by weight 0.1중량부0.1 parts by weight 50중량부50 parts by weight 50중량부50 parts by weight 0.1중량부0.1 parts by weight 제3실험예Experimental Example 100중량부100 parts by weight 1중량부1 part by weight 0.1중량부0.1 parts by weight 50중량부50 parts by weight 50중량부50 parts by weight 0.1중량부0.1 parts by weight 제4실험예Experimental Example 4 100중량부100 parts by weight 10중량부10 parts by weight -- 50중량부50 parts by weight 50중량부50 parts by weight 0.1중량부0.1 parts by weight 제5실험예Experimental Example 100중량부100 parts by weight 10중량부10 parts by weight 0.1중량부0.1 parts by weight -- -- 0.1중량부0.1 parts by weight

상기 표 1의 상기 제1실험예 내지 제5실험예에의 배합비로 형성된 조성물을 충분히 교반시킨 후에 PET(Polyethylene Terephthalate) 필름 상에 바코팅 방식을 이용하여 도포하고, 60℃에서 1시간 동안 건조한 후에 다시 120℃에서 2시간 동안 건조하여 경화를 진행하였다. 상기 조성물에 포함된 첨가제로 실리콘을 기본 화합물로 하는 실록산 첨가제를 사용하였다.After sufficiently stirring the composition formed in the compounding ratio of the first to the fifth experimental example of Table 1 by applying a bar coating method on a polyethylene terephthalate (PET) film, and dried at 60 ℃ for 1 hour Again drying at 120 ℃ for 2 hours to proceed with curing. As the additive contained in the composition, a siloxane additive based on silicone was used.

상기 제1실험예 내지 제5실험예의 조성물에 의해 형성된 하드코팅 층의 외관, 부착성, 내화확성 및 평탄도를 측정하여 비교하였다.The appearance, adhesion, fire resistance, and flatness of the hard coat layer formed by the compositions of Experimental Examples 1 to 5 were measured and compared.

외관은 암실에서 삼파장 형광등 밑에서 하드코팅 층의 외관을 검사하여 기포의 유무와 헤이즈(haze)의 유무 등을 관찰하였다. 기포와 헤이즈가 존재하여 외관이 좋지 않은 경우에는 X로 나타내고, 기포와 헤이즈가 없이 외관이 양호한 경우에는 ○로 나타내었다.In appearance, the appearance of the hard coating layer under the three-wavelength fluorescent lamp in the dark room and the presence of bubbles and haze (haze) was observed. When bubbles and haze exist and the appearance is not good, it is represented by X, and when the appearance is good without bubbles and haze, it is represented by ○.

부착성은 접착력 테스트 규격인 ASTM-D3359를 이용하였으며, 하드코팅 층이 형성된 PET 필름을 격자 모양으로 도막을 자른 후 접착테이프를 붙였다 재빨리 떼었을 때의 떨어진 정도를 측정하였다. 떨어진 정도가 0%이면 5B, 5%이면 4B, 5~15%이면 3B, 15~35%이면 2B, 35~65%이면 0B로 하여 평가하였다.Adhesiveness was measured by using the adhesion test standard ASTM-D3359, and the PET film having the hard coating layer was cut into a lattice-shaped coating film, and then the adhesive tape was attached and quickly detached. When the degree of fall was 0%, 5B, 5% was 4B, 5-15% was 3B, 15-35% was 2B, and 35-65% was 0B.

내화학성은 하드코팅 층이 형성된 PET 필름을 아세톤과 IPA(Isopropyl Alcohol)을 1:1로 배합한 용제에 30분간 침전시킨 후에 외관을 관찰하여 외관의 변화가 없이 양호하면 ○, 외관의 변화가 있으면 X로 나타내었다.Chemical resistance is settled in a solvent containing acetone and IPA (Isopropyl Alcohol) 1: 1 mixed with a PET film with a hard coating layer for 30 minutes, and then observed the appearance, if the appearance is good, if there is no change in appearance ○, if there is a change in appearance It is represented by X.

이때, 실험 결과는 다음의 표 2와 같다.In this case, the experimental results are shown in Table 2 below.

외관Exterior 부착성Adhesion 내화학성Chemical resistance 평탄도flatness 제1실험예Experimental Example 5B5B 70%70% 제2실험예Experimental Example 4B4B 70%70% 제3실험예Experimental Example XX 3B3B 55~65%55-65% 제4실험예Experimental Example 4 3B3B 55~65%55-65% 제5실험예Experimental Example XX 3B3B 55%이하Less than 55%

상기 표 2에 따르면 제1실험예가 외관, 부착성, 내화학성 및 평탄도에서 가장 좋은 값을 갖고 있음을 알 수 있다. 따라서, 에폭시 수지를 이용하여 하드코팅 층(40)을 형성하는 경우에는 상기 제1실험예에 따른 배합비로 에폭시 수지의 조성물을 만드는 것이 바람직함을 알 수 있다.According to Table 2, it can be seen that the first experimental example has the best value in appearance, adhesion, chemical resistance and flatness. Therefore, when the hard coating layer 40 is formed using the epoxy resin, it can be seen that it is preferable to make the composition of the epoxy resin at the compounding ratio according to the first experimental example.

한편, 하드코팅 층(40)이 방습에 어떠한 영향을 주는지 확인하기 위하여 PET 필름 상에 패릴렌으로 이루어진 보호층만을 형성한 경우와 패릴렌으로 이루어진 보호층 위에 제1실험예에 따른 하드코팅 층을 형성한 경우를 비교하기 위하여 방습 성능을 실험하였다. 그 결과는 다음의 표 3과 같다. On the other hand, in order to determine how the hard coating layer 40 affects the moisture-proof, only the protective layer made of parylene on the PET film and the hard coating layer according to the first experimental example on the protective layer made of parylene Moisture-proof performance was tested to compare the cases formed. The results are shown in Table 3 below.

WVTRWVTR 측정 후 외관 변화Appearance change after measurement PET 필름 상에 보호층만 형성한 경우When only the protective layer is formed on the PET film 3.463.46 PET 필름 상에 보호층과 제1실험에에 따른 하드코팅 층을 순차적으로 형성한 경우When the protective layer and the hard coating layer according to the first experiment were sequentially formed on the PET film 2.82.8

방습 정도를 측정하기 위하여, 상기 표 3에서는 투습도(Water Vapor Transmission Rate; WVTR)를 이용하였으며, 상기 WVTR 값은 낮을수록 방습 성능이 큰 것을 의미한다. WVTR의 단위는 g/m2/day이며, 이는 하루 동안 단위면적당 투과된 수분의 양을 나타낸다. WVTR 분석 장비로 MOCON사의 PERMATRAN Model 3/33을 이용하였으며, 이때 WVTR의 조건은 50℃에, 습도 100%로 하였다. 상기 표 3에 나타난 바와 같이, PET 필름 상에 보호층만을 형성한 경우보다 PET 필름 상에 보호층과 제1실험에 따른 하드코팅 층을 순차적으로 형성한 경우가 WVTR이 약 20%정도 향상되는 것을 알 수 있다. 따라서, 하드코팅 층은 평탄도의 증가와 내구성의 증가뿐만 아니라 방습 성능도 향상시키는 것을 알 수 있다.In order to measure the degree of moisture dampness, Table 3 uses the water vapor transmission rate (WVTR), and the lower the WVTR value, the higher the moisture resistance. The unit of WVTR is g / m 2 / day, which represents the amount of water permeated per unit area during the day. MOCON's PERMATRAN Model 3/33 was used as the WVTR analysis equipment. At this time, the conditions of the WVTR were 50 ° C and 100% humidity. As shown in Table 3, when the protective layer and the hard coating layer according to the first experiment were sequentially formed on the PET film, the WVTR was improved by about 20% than when only the protective layer was formed on the PET film. Able to know. Therefore, it can be seen that the hard coating layer improves moisture resistance as well as increasing flatness and durability.

이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 신틸레이터 패널을 설명하기로 한다.
Hereinafter, a scintillator panel according to a second embodiment of the present invention will be described.

제2 2nd 실시예Example

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 4에 도시된 바와 같이, 신틸레이터 패널(200)은 촬상 소자(10), 촬상 소자(10) 표면에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20)을 포함하는 촬상 소자 (10) 위에 형성된 보호층(30), 상기 보호층(30) 위에 형성된 하드코팅 층(40) 및 상기 하드코팅 층(40) 위에 형성된 반사층(50)을 포함한다. 4 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the second embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 4, the scintillator panel 200 includes an imaging device 10, an imaging device including a scintillator layer 20 formed on a surface of the imaging device 10, and the scintillator layer 20. 10) a protective layer 30 formed on the protective layer 30, a hard coating layer 40 formed on the protective layer 30, and a reflective layer 50 formed on the hard coating layer 40.

상기 반사층(50)은 방사선을 투과시키면서 동시에 가시광선을 반사시킬 수 있는 재료로 형성될 수 있다. 반사층(50)은 주로 Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt 및 Au와 같이 가시광선에 대해 소정의 반사도를 가지는 금속막이나 유전체 다층막이 적절하게 사용될 수 있고, 상기 반사층은 보호층을 향하지 않는 다른 표면에 형성된 방사선 투과재를 더 포함할 수 있다. 상기 방사선 투과재로 글래스, 염화비닐 등의 수지, 탄소성 기판 등이 있다.The reflective layer 50 may be formed of a material capable of transmitting radiation and simultaneously reflecting visible light. As the reflective layer 50, a metal film or a dielectric multilayer film having a predetermined reflectivity with respect to visible light such as Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt, and Au may be suitably used. It may further comprise a radiation transmitting material formed on another surface that does not face the protective layer. Examples of the radiation transmitting material include resins such as glass and vinyl chloride, and carbonaceous substrates.

상기 반사층(50)은 금속 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), 스퍼터링(sputtering), 이온빔 증착(ion beam deposition) 또는 플라즈마 CVD 방법에 의해 형성될 수 있다.The reflective layer 50 may be formed by metal chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), sputtering, ion beam deposition, or plasma CVD.

상기 하드코팅 층(40)의 평탄도는 보호층(30)의 평탄도보다 크기 때문에, 상기 보호층(30) 위에 바로 반사층(50)을 형성하는 경우보다 상기 하드코팅 층(40) 위에 반사층(50)을 형성하는 경우가 더 큰 결합력을 가질 수 있다.Since the flatness of the hard coating layer 40 is greater than the flatness of the protective layer 30, the reflective layer (not shown) is formed on the hard coating layer 40 rather than when the reflective layer 50 is formed directly on the protective layer 30. 50) may have a greater bonding force.

이하에서는 본 발명의 제3 실시예에 따른 신틸레이터 패널을 설명하기로 한다.
Hereinafter, a scintillator panel according to a third embodiment of the present invention will be described.

제3 The third 실시예Example

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 5에 도시된 바와 같이, 신틸레이터 패널(300)은 촬상 소자(10), 촬상 소자(10) 표면에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20)을 포함하는 촬상 소자 (10) 위에 형성된 보호층(30), 상기 보호층(30) 위에 형성된 하드코팅 층(40), 상기 하드코팅 층(40) 위에 형성된 반사층(50) 및 상기 반사층(50) 위에 형성된 보호층(60)을 포함한다. 5 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the third embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 5, the scintillator panel 300 includes an imaging device 10, an imaging device including a scintillator layer 20 formed on a surface of the imaging device 10, and the scintillator layer 20. 10, a protective layer 30 formed on the protective layer 30, a hard coating layer 40 formed on the protective layer 30, a reflective layer 50 formed on the hard coating layer 40, and a protective layer 60 formed on the reflective layer 50. ).

본 실시예에 따른 신틸레이터 패널(300)은 제1 보호층인 보호층(30)과 제2 보호층인 보호층(60)을 포함하기 때문에 방습 효과가 더욱 향상된다.Since the scintillator panel 300 according to the present exemplary embodiment includes the protective layer 30 serving as the first protective layer and the protective layer 60 serving as the second protective layer, the moistureproof effect is further improved.

이하에서는 본 발명의 제4 실시예에 따른 신틸레이터 패널을 설명하기로 한다.
Hereinafter, a scintillator panel according to a fourth embodiment of the present invention will be described.

제4 Fourth 실시예Example

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 6에 도시된 바와 같이, 신틸레이터 패널(400)은 촬상 소자(10), 촬상 소자(10) 표면에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20)을 포함하는 촬상 소자 (10) 위에 형성된 보호층(30), 상기 보호층(30) 위에 형성된 하드코팅 층(40) 및 상기 하드코팅 층(40) 위에 형성된 보호층(60)을 포함한다. 6 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the fourth embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 6, the scintillator panel 400 includes an imaging device 10, an imaging device including a scintillator layer 20 formed on a surface of the imaging device 10, and the scintillator layer 20. 10) a protective layer 30 formed on the protective layer 30, a hard coating layer 40 formed on the protective layer 30, and a protective layer 60 formed on the hard coating layer 40.

본 실시예에 따른 신틸레이터 패널(400)은 제1 보호층인 보호층(30)과 제2 보호층인 보호층(60)을 포함하기 때문에 방습 효과가 더욱 향상된다.Since the scintillator panel 400 according to the present exemplary embodiment includes a protective layer 30 which is a first protective layer and a protective layer 60 which is a second protective layer, the moisture proof effect is further improved.

또한, 상기 하드코팅 층(40)의 평탄도는 보호층(30)의 평탄도보다 크기 때문에, 상기 보호층(30) 위에 바로 보호층(60)을 형성하는 경우보다 상기 하드코팅 층(40) 위에 보호층(60)을 형성하는 경우가 더 큰 결합력을 가질 수 있다.In addition, since the flatness of the hard coating layer 40 is greater than the flatness of the protective layer 30, the hard coating layer 40 than when the protective layer 60 is formed directly on the protective layer 30. In the case where the protective layer 60 is formed thereon, it may have a greater bonding force.

이하에서는 본 발명의 제5 실시예에 따른 신틸레이터 패널을 설명하기로 한다.
Hereinafter, a scintillator panel according to a fifth embodiment of the present invention will be described.

제5 5th 실시예Example

도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 7에 도시된 바와 같이, 신틸레이터 패널(500)은 촬상 소자(10), 촬상 소자(10) 표면에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20)을 포함하는 촬상 소자 (10) 위에 형성된 보호층(30), 상기 보호층(30) 위에 형성된 하드코팅 층(40), 상기 하드코팅 층(40) 위에 형성된 보호층(60) 및 상기 보호층(60) 위에 형성된 반사층(50)을 포함한다. 7 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the fifth embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 7, the scintillator panel 500 includes an imaging device 10, an imaging device including a scintillator layer 20 formed on a surface of the imaging device 10, and the scintillator layer 20. 10, a protective layer 30 formed on the protective layer 30, a hard coating layer 40 formed on the protective layer 30, a protective layer 60 formed on the hard coating layer 40, and a reflective layer formed on the protective layer 60 ( 50).

본 실시예에 따른 신틸레이터 패널(400)은 제1 보호층인 보호층(30)과 제2 보호층인 보호층(60)을 포함하기 때문에 방습 효과가 더욱 향상된다.Since the scintillator panel 400 according to the present exemplary embodiment includes a protective layer 30 which is a first protective layer and a protective layer 60 which is a second protective layer, the moisture proof effect is further improved.

또한, 상기 하드코팅 층(40)의 평탄도는 보호층(30)의 평탄도보다 크기 때문에, 상기 보호층(30) 위에 바로 보호층(60)을 형성하는 경우보다 상기 하드코팅 층(40) 위에 보호층(60)을 형성하는 경우가 더 큰 결합력을 가질 수 있다. In addition, since the flatness of the hard coating layer 40 is greater than the flatness of the protective layer 30, the hard coating layer 40 than when the protective layer 60 is formed directly on the protective layer 30. In the case where the protective layer 60 is formed thereon, it may have a greater bonding force.

또한, 상기 하드코팅 층(40)의 평탄도가 상기 보호층(30)의 평탄도보다 크기 때문에 상기 하드코팅 층(40)위에 형성된 보호층(60)은 상기 보호층(30)보다 큰 평탄도를 갖는다. 따라서, 상기 보호층(30) 위에 반사층(50)을 형성하는 경우보다 상기 보호층(60) 위에 반사층(50)을 형성하는 경우가 더 큰 결합력을 가질 수 있다. In addition, since the flatness of the hard coating layer 40 is greater than the flatness of the protective layer 30, the protective layer 60 formed on the hard coating layer 40 has a greater flatness than the protective layer 30. Has Therefore, the case where the reflective layer 50 is formed on the protective layer 60 may have a greater coupling force than the case where the reflective layer 50 is formed on the protective layer 30.

이하에서는 본 발명의 제6 실시예에 따른 신틸레이터 패널을 설명하기로 한다.
Hereinafter, a scintillator panel according to a sixth embodiment of the present invention will be described.

제6 6th 실시예Example

도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 8에 도시된 신틸레이터 패널(600)은 하드코팅 층(40)에 포함된 반사용 비드(70)를 제외하고는 상기 제1 실시예의 신틸레이터 패널(100)과 동일한 구조를 갖는다. 상기 반사용 비드(70)는 신틸레이터 층(20)에 의해 소정 파장 범위의 광으로 변환된 광을 촬상 소자(10)로 반사하는 기능을 수행한다. 하드코팅 층(40)에 반사용 비드(70)를 포함시킴으로써, 상기 하드코팅 층(40)이 반사층의 역할을 수행한다. 8 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the sixth embodiment of the present invention. The scintillator panel 600 illustrated in FIG. 8 has the same structure as the scintillator panel 100 of the first embodiment except for the reflective beads 70 included in the hard coating layer 40. The reflective bead 70 performs a function of reflecting the light converted into light of a predetermined wavelength range by the scintillator layer 20 to the imaging device 10. By including the reflective beads 70 in the hard coating layer 40, the hard coating layer 40 serves as a reflective layer.

상기 반사용 비드(50)의 재료로 TiO2 , LiF, MgF2, SiO2, Al2O3, MgO, SiN, CaF2, NaCl, KBr, KCl, AgCl, SiNO3, Au, SiO, AlO, B4C, BNO3 중 적어도 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 제1 실시예에서 설명한 열경화성 수지, UV 경화성 수지 또는 물유리 등을 바인더로 하고, 상기 반사용 비드(70)를 반사용 안료로 사용하여, 하드코팅 층(40)을 형성할 수 있다.As a material of the reflecting beads 50, TiO 2 , LiF, MgF 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, SiN, CaF 2 , NaCl, KBr, KCl, AgCl, SiNO 3 , Au, SiO, AlO, At least one or more of B 4 C and BNO 3 may be used. The hard coat layer 40 may be formed by using the thermosetting resin, UV curable resin, water glass, or the like described in the first embodiment as a binder and the reflective bead 70 as a reflective pigment.

상기 반사용 비드(70)를 포함한 하드코팅 층(40)은 신틸레이터 패널 안의 광이 외부로 나가는 것을 막고 이를 반사하여 하부 촬상 소자(10) 쪽으로 몰리게 하여 신틸레이터 패널의 효율성을 최대화할 수 있다. 또한, 반사층을 별도로 형성할 필요가 없어, 신틸레이터 패널 생산 공정 시간을 단축시킬 수 있다.The hard coating layer 40 including the reflective bead 70 may prevent the light in the scintillator panel from going out and reflect it to the lower imaging device 10 to maximize the efficiency of the scintillator panel. In addition, it is not necessary to form a reflective layer separately, which can shorten the scintillator panel production process time.

한편, 이하에서는 본 발명의 제7 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조를 설명하기로 한다.
Meanwhile, the structure of the scintillator panel according to the seventh embodiment of the present invention will be described below.

제7 7th 실시예Example

도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 9에 도시된 바와 같이 신틸레이터 패널(700)은 촬상 소자(10), 촬상 소자(10)의 표면에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20)을 포함하는 촬상 소자 (10) 상에 형성된 보호층(30), 상기 보호층(30) 위에 형성된 하드코팅 층(40) 및 상기 하드코팅 층(40) 위에 형성된 반사용 비드(70)를 포함하는 하드코팅 층(80)을 포함한다. 본 실시예에 따른 신틸레이터 패널(700)은 제1 하드코팅 층인 하드코팅 층(40)과 제2 하드코팅층인 제2 하드코팅 층(80)을 포함한다. 상기 하드코팅 층(80)은 상기 제1 실시예에서 설명한 열경화성 수지, UV 경화성 수지 또는 물유리 등을 바인더로 하고, 상기 제6 실시예에서 설명한 반사용 비드를 반사용 안료로 사용하여 형성할 수 있다.9 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the seventh embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 9, the scintillator panel 700 includes an imaging device 10, an imaging device including a scintillator layer 20 formed on a surface of the imaging device 10, and the scintillator layer 20. 10. A hard coating layer 80 including a protective layer 30 formed on the protective layer 30, a hard coating layer 40 formed on the protective layer 30, and reflective beads 70 formed on the hard coating layer 40. It includes. The scintillator panel 700 according to the present exemplary embodiment includes a hard coating layer 40 which is a first hard coating layer and a second hard coating layer 80 which is a second hard coating layer. The hard coat layer 80 may be formed by using the thermosetting resin, the UV curable resin, or the water glass described in the first embodiment as a binder, and the reflective beads described in the sixth embodiment as the reflecting pigment. .

본 실시예에서는 상기 하드코팅 층(80)이 열경화성 수지, UV 경화성 수지 또는 물유리 등을 바인더로 하고, 반사용 비드를 안료로 하여 일체로 형성되기 때문에, 신틸레이터 패널 생산 공정 시간을 단축시킬 수 있다.In the present embodiment, since the hard coating layer 80 is formed integrally with a thermosetting resin, UV curable resin or water glass as a binder and the reflecting beads as a pigment, the scintillator panel production process time can be shortened. .

이하에서는 본 발명의 제8 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조를 설명하기로 한다.
Hereinafter, the structure of the scintillator panel according to the eighth embodiment of the present invention will be described.

제8 8th 실시예Example

도 10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 10에 도시된 바와 같이 신틸레이터 패널(800)은 촬상 소자(10), 촬상 소자(10)의 표면에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20)을 포함하는 촬상 소자 (10) 상에 형성된 보호층(30), 상기 보호층(30) 위에 형성된 반사용 비드(70)를 포함하는 하드코팅 층(40) 및 상기 하드코팅 층(40) 위에 형성된 하드코팅 층(80)을 포함한다. 본 실시예에 따른 신틸레이터 패널(800)은 제1 하드코팅 층인 하드코팅 층(40)과 제2 하드코팅층인 제2 하드코팅 층(80)을 포함한다. 상기 하드코팅 층(40)은 상기 제1 실시예에서 설명한 열경화성 수지, UV 경화성 수지 또는 물유리 등을 바인더로 하고, 상기 제6 실시예에서 설명한 반사용 비드를 반사용 안료로 사용하여 형성할 수 있다.10 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the eighth embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 10, the scintillator panel 800 includes an imaging device 10, an imaging device including a scintillator layer 20 formed on a surface of the imaging device 10, and the scintillator layer 20. 10, a hard coat layer 40 formed on the protective layer 30, a reflective bead 70 formed on the protective layer 30, and a hard coat layer 80 formed on the hard coat layer 40. It includes. The scintillator panel 800 according to the present exemplary embodiment includes a hard coating layer 40 which is a first hard coating layer and a second hard coating layer 80 which is a second hard coating layer. The hard coating layer 40 may be formed by using the thermosetting resin, UV curable resin, or water glass described in the first embodiment as a binder, and the reflective beads described in the sixth embodiment as the reflecting pigment. .

상기 하드코팅 층(80)은 상기 하드코팅 층(40) 상에 위치하여 상기 하드코팅 층(40)을 외부로부터 보호하여, 신틸레이터 패널(800)의 내구성을 향상시킨다. The hard coating layer 80 is located on the hard coating layer 40 to protect the hard coating layer 40 from the outside, thereby improving the durability of the scintillator panel 800.

지금까지 설명한 제1 실시예 내지 제8 실시예는 직접 증착 방식에 적용되는 신틸레이터 패널에 관한 것이었다. 이하에서는 간접 증착 방식에 적용될 수 있는 본 발명에 따른 신틸레이터 패널 구조를 설명하기로 한다.The first to eighth embodiments described so far are related to a scintillator panel applied to a direct deposition method. Hereinafter, a scintillator panel structure according to the present invention that can be applied to an indirect deposition method will be described.

간접 증착 방식에서는 기판 상에 독립적으로 신틸레이터 패널을 제작한 뒤에 촬상 소자에 접합시킬 수 있다. 이때, 상기 기판으로 알루미늄 판, 금속 판, 글라스(glass), 석영기판, 탄소기판(그라파이트), PC(PolyCarbonate), PMMA(PolyMethly MethAcrylate), PI(PolyImide), PES(PolyEther Sulfone), PEN(PolyEthylene Naphtalate), ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene Copolymer) 등의 고분자 필름 등이 사용될 수 있다.In the indirect deposition method, a scintillator panel can be independently formed on a substrate and then bonded to an imaging device. At this time, the substrate is an aluminum plate, a metal plate, glass (glass), quartz substrate, carbon substrate (graphite), PC (PolyCarbonate), PMMA (PolyMethly MethAcrylate), PI (PolyImide), PES (PolyEther Sulfone), PEN (PolyEthylene) Polymer films such as Naphtalate) and ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene Copolymer) may be used.

이하에서는 간접 증착 방식에 적용될 수 있는 본 발명의 제9 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조를 설명하기로 한다.
Hereinafter, the structure of the scintillator panel according to the ninth embodiment of the present invention that can be applied to an indirect deposition method will be described.

제9 9th 실시예Example

도 11은 본 발명의 제9 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 상기 도 11에 도시된 바와 같이 신틸레이터 패널(900)은 기판(90), 기판(90)의 표면에 형성된 반사층(50), 상기 반사층(50) 위에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20) 위에 형성된 보호층(30) 및 상기 보호층(30)위에 형성된 하드코팅 층(40)을 포함한다. 11 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the ninth embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 11, the scintillator panel 900 includes a substrate 90, a reflective layer 50 formed on the surface of the substrate 90, a scintillator layer 20 formed on the reflective layer 50, and the scintillator. A protective layer 30 formed on the layer 20 and a hard coating layer 40 formed on the protective layer 30.

상기 하드코팅 층(40)의 평탄도는 상기 보호층(30)의 평탄도보다 크기 때문에 보호층(30)을 접합면으로 하여 촬상 소자에 접합하는 경우보다 상기 하드코팅 층(40)을 접합면으로 하여 촬상 소자에 접합하는 경우가 보다 큰 접합력을 얻을 수 있다.Since the flatness of the hard coat layer 40 is greater than the flatness of the protective layer 30, the hard coat layer 40 is bonded to the image pickup device using the protective layer 30 as a bonding surface. In this case, a larger bonding force can be obtained when bonding to an imaging device.

이하, 간접 증착 방식에 적용될 수 있는 본 발명의 제10 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조를 설명하기로 한다.
Hereinafter, the structure of the scintillator panel according to the tenth embodiment of the present invention that can be applied to the indirect deposition method will be described.

제10 10th 실시예Example

도 12는 본 발명의 제10 실시예에 따른 신틸레이터 패널의 구조의 단면의 일부를 도시한 도면이다. 12 is a view showing a part of the cross section of the structure of the scintillator panel according to the tenth embodiment of the present invention.

상기 도 12에 도시된 바와 같이 신틸레이터 패널(910)은 기판(90), 기판(90)의 표면에 형성된 반사층(50), 상기 반사층(50) 위에 형성된 보호층(60), 상기 보호층(60) 위에 형성된 신틸레이터 층(20), 상기 신틸레이터 층(20) 위에 형성된 보호층(30) 및 상기 보호층(30) 위에 적층된 하드코팅 층(40)을 포함한다. As shown in FIG. 12, the scintillator panel 910 includes a substrate 90, a reflective layer 50 formed on the surface of the substrate 90, a protective layer 60 formed on the reflective layer 50, and the protective layer ( 60 includes a scintillator layer 20 formed on the scintillator layer 20, a protective layer 30 formed on the scintillator layer 20, and a hard coating layer 40 stacked on the protective layer 30.

본 실시예에 따른 신틸레이터 패널(910)은 제1 보호층인 보호층(30)과 제2 보호층인 보호층(60)을 포함하기 때문에 방습 효과가 더욱 향상된다.Since the scintillator panel 910 according to the present exemplary embodiment includes the protective layer 30 serving as the first protective layer and the protective layer 60 serving as the second protective layer, the moistureproof effect is further improved.

상기 하드코팅 층(40)의 평탄도는 상기 보호층(30)의 평탄도보다 크기 때문에 보호층(30)을 접합면으로 하여 촬상 소자에 접합하는 경우보다 상기 하드코팅 층(40)을 접합면으로 하여 촬상 소자에 접합하는 경우가 보다 큰 접합력을 얻을 수 있다.Since the flatness of the hard coat layer 40 is greater than the flatness of the protective layer 30, the hard coat layer 40 is bonded to the image pickup device using the protective layer 30 as a bonding surface. In this case, a larger bonding force can be obtained when bonding to an imaging device.

지금까지 설명한 상기 제1 실시예 내지 제10 실시예에 따른 신틸레이터 패널은 방사선 이미지 센서에 적용될 수 있다. The scintillator panel according to the first to tenth embodiments described so far may be applied to a radiation image sensor.

본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 안되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 균등 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다. The invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the invention. Accordingly, the above detailed description should not be construed as limiting in all aspects and should be considered as illustrative. The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all modifications within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.

본 발명은 방사선 이미지 센서에 사용될 수 있다.The invention can be used in radiation image sensors.

4: 기판 5: 공극
10: 촬상 소자 20: 신틸레이터 층
30: 보호층 40: 하드코팅 층
50: 반사층 60: 보호층
70: 반사용 비드 80: 하드코팅 층
100: 본 발명의 제1 실시예에 따른 신틸레이터 패널
200: 본 발명의 제2 실시예에 따른 신틸레이터 패널
300: 본 발명의 제3 실시예에 따른 신틸레이터 패널
400: 본 발명의 제4 실시예에 따른 신틸레이터 패널
500: 본 발명의 제5 실시예에 따른 신틸레이터 패널
600: 본 발명의 제6 실시예에 따른 신틸레이터 패널
700: 본 발명의 제7 실시예에 따른 신틸레이터 패널
800: 본 발명의 제8 실시예에 따른 신틸레이터 패널
900: 본 발명의 제9 실시예에 따른 신틸레이터 패널
910: 본 발명의 제10 실시예에 따른 신틸레이터 패널
4: substrate 5: void
10: imaging device 20: scintillator layer
30: protective layer 40: hard coating layer
50: reflective layer 60: protective layer
70: reflective bead 80: hard coating layer
100: scintillator panel according to the first embodiment of the present invention
200: scintillator panel according to second embodiment of the present invention
300: the scintillator panel according to the third embodiment of the present invention
400: scintillator panel according to the fourth embodiment of the present invention
500: scintillator panel according to Embodiment 5 of the present invention
600: scintillator panel according to a sixth embodiment of the present invention
700: scintillator panel according to Embodiment 7 of the present invention
800: scintillator panel according to Embodiment 8 of the present invention
900: scintillator panel according to a ninth embodiment of the present invention
910: scintillator panel according to the tenth embodiment of the present invention

Claims (25)

복수의 주상 결정으로 이루어지며 방사선을 소정 파장 범위의 광으로 변환하는 신틸레이터(scintillator) 층;
상기 신틸레이터 층 위에 형성되는 제1 보호층과;
상기 제1 보호층 위에 형성되고 열경화성 수지로 이루어진 제1 하드코팅(hard coating) 층을 포함하는
신틸레이터 패널.
A scintillator layer composed of a plurality of columnar crystals and converting radiation into light in a predetermined wavelength range;
A first protective layer formed on the scintillator layer;
A first hard coating layer formed on the first protective layer and made of a thermosetting resin.
Scintillator panel.
제1항에 있어서,
상기 제1 보호층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어진
신틸레이터 패널.
The method of claim 1,
The first protective layer is made of parylene
Scintillator panel.
제1항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은 상기 제1 하드코팅 층 위에 형성된 제2 보호층을 더 포함하는
신틸레이터 패널.
The method of claim 1,
The scintillator panel further includes a second protective layer formed on the first hard coat layer.
Scintillator panel.
제3항에 있어서,
상기 제2 보호층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어진
신틸레이터 패널.
The method of claim 3,
The second protective layer is made of parylene
Scintillator panel.
제1항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은 기판 및 상기 기판 위에 형성된 반사층을 더 포함하며, 상기 신틸레이터 층은 상기 반사층 위에 형성되는
신틸레이터 패널.
The method of claim 1,
The scintillator panel further includes a substrate and a reflective layer formed on the substrate, wherein the scintillator layer is formed on the reflective layer.
Scintillator panel.
제5항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은 상기 반사층과 상기 신틸레이터 층 사이에 형성된 제2 보호층을 더 포함하는
신틸레이터 패널.
The method of claim 5,
The scintillator panel further includes a second protective layer formed between the reflective layer and the scintillator layer.
Scintillator panel.
제1항에 있어서,
상기 열경화성 수지는 아크릴(acrylic) 수지, 에폭시(epoxy) 수지, 폴리에스터(polyester) 수지, 멜라민(melamine) 수지, 우레아(urea) 수지 및 우레탄(urethane) 수지 중 하나인
신틸레이터 패널.
The method of claim 1,
The thermosetting resin is one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a melamine resin, a urea resin, and a urethane resin.
Scintillator panel.
복수의 주상 결정으로 이루어지며 방사선을 소정 파장 범위의 광으로 변환하는 신틸레이터(scintillator) 층;
상기 신틸레이터 층 위에 형성되는 제1 보호층과;
상기 제1 보호층 위에 형성되고 UV 경화성 수지로 이루어진 제1 하드코팅(hard coating) 층을 포함하는
신틸레이터 패널.
A scintillator layer composed of a plurality of columnar crystals and converting radiation into light in a predetermined wavelength range;
A first protective layer formed on the scintillator layer;
A first hard coating layer formed on the first protective layer and made of a UV curable resin.
Scintillator panel.
제8항에 있어서,
상기 제1 보호층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어진,
신틸레이터 패널.
The method of claim 8,
The first protective layer is made of parylene,
Scintillator panel.
제8항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은 상기 제1 하드코팅 층 위에 형성된 제2 보호층을 더 포함하는
신틸레이터 패널.
The method of claim 8,
The scintillator panel further includes a second protective layer formed on the first hard coat layer.
Scintillator panel.
제10항에 있어서,
상기 제2 보호층은 패릴렌(Parylene)으로 이루어진
신틸레이터 패널.
The method of claim 10,
The second protective layer is made of parylene
Scintillator panel.
제8항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은 기판 및 상기 기판 위에 형성된 반사층을 더 포함하며, 상기 신틸레이터 층은 상기 반사층 위에 형성되는,
신틸레이터 패널.
The method of claim 8,
The scintillator panel further includes a substrate and a reflective layer formed on the substrate, wherein the scintillator layer is formed on the reflective layer,
Scintillator panel.
제12항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은 상기 반사층과 상기 신틸레이터 층 사이에 형성된 제2 보호층을 더 포함하는
신틸레이터 패널.
The method of claim 12,
The scintillator panel further includes a second protective layer formed between the reflective layer and the scintillator layer.
Scintillator panel.
제8항에 있어서,
상기 UV 경화성 수지는 에틸렌성 불포화기를 포함하는 에틸렌성 불포화 우레탄 아크릴레이트 수지, 에틸렌성 불포화 폴리에스터 아크릴레이트 수지, 에틸렌성 불포화 에폭시 아크릴레이트 중 하나인
신틸레이터 패널.
The method of claim 8,
The UV curable resin is one of an ethylenically unsaturated urethane acrylate resin, an ethylenically unsaturated polyester acrylate resin, an ethylenically unsaturated epoxy acrylate containing an ethylenically unsaturated group
Scintillator panel.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 하드코팅 층은 습식 코팅(wet coating) 방법에 의해 형성되는
신틸레이터 패널.
The method according to any one of claims 1 to 14,
The first hard coat layer is formed by a wet coating method
Scintillator panel.
제1항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 하드코팅 층은 상기 소정 파장 범위의 광을 반사시키기 위한 입자를 포함하며, 상기 입자는 TiO2 , LiF, MgF2, SiO2, Al2O3, MgO, SiN, CaF2, NaCl, KBr, KCl, AgCl, SiNO3, Au, SiO, AlO, B4C, BNO3 중 적어도 하나로 이루어진
신틸레이터 패널
The method according to any one of claims 1 to 8,
The first hard coating layer includes particles for reflecting light in the predetermined wavelength range, wherein the particles are TiO 2 , LiF, MgF 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, SiN, CaF 2 , NaCl, Consisting of at least one of KBr, KCl, AgCl, SiNO 3 , Au, SiO, AlO, B 4 C, BNO 3
Scintillator panel
제16항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은
상기 제1 하드코팅 층 위에 열경화성 수지로 이루어진 제2 하드코팅 층을 더 포함하는
신틸레이터 패널.
The method of claim 16,
The scintillator panel
Further comprising a second hard coating layer made of a thermosetting resin on the first hard coating layer
Scintillator panel.
제17항에 있어서,
상기 제2 하드코팅 층을 이루는 열경화성 수지는 아크릴 수지, 에폭시(epoxy) 수지, 폴리에스터(polyester) 수지, 멜라민(melamine) 수지, 우레아(urea) 수지 및 우레탄(urethane) 수지 중 하나인
신틸레이터 패널.
The method of claim 17,
The thermosetting resin constituting the second hard coat layer is one of an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a melamine resin, a urea resin, and a urethane resin.
Scintillator panel.
제16항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은
상기 제1 하드코팅 층 위에 UV 경화성 수지로 이루어진 제2 하드코팅 층을 더 포함하는
신틸레이터 패널.
The method of claim 16,
The scintillator panel
Further comprising a second hard coating layer made of a UV curable resin on the first hard coating layer
Scintillator panel.
제19항에 있어서,
상기 제2 하드코팅 층을 이루는 UV 경화성 수지는 에틸렌성 불포화기를 포함하는 에틸렌성 불포화 우레탄 아크릴레이트 수지, 에텔린성 불포화 폴리에스터 아크릴레이트 수지 및 에틸렌성 불포화 에폭시 아크릴레이트 수지 중 하나인
신틸레이터 패널.
20. The method of claim 19,
The UV curable resin constituting the second hard coat layer is one of an ethylenically unsaturated urethane acrylate resin, an ethylenically unsaturated polyester acrylate resin and an ethylenically unsaturated epoxy acrylate resin containing an ethylenically unsaturated group.
Scintillator panel.
제1항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 신틸레이터 패널은, 상기 제1 하드코팅 층 위에 형성되고 상기 소정 파장 범위의 광을 반사시키기 위한 반사층을 더 포함하는
신틸레이터 패널.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The scintillator panel further includes a reflective layer formed on the first hard coating layer to reflect light in the predetermined wavelength range.
Scintillator panel.
제21항에 있어서,
상기 반사층은 Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt 및 Au 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 이루어진
신틸레이터 패널.
The method of claim 21,
The reflective layer is made of a material containing at least one of Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Ph, Pt, and Au
Scintillator panel.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
평탄도가 (1-(코팅 후의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차)/(코팅 전의 표면의 최고 높이와 최저 높이의 차)x 100으로 정의될 때, 상기 제1 하드코팅 층의 평탄도는 상기 제1 방습층의 평탄도보다 큰
신틸레이터 패널.
The method according to any one of claims 1 to 14,
When the flatness is defined as (1- (difference between the highest and lowest height of the surface after coating) / (difference between the highest and lowest height of the surface before coating) x 100, the flatness of the first hard coat layer is Greater than the flatness of the first moisture barrier layer
Scintillator panel.
제23항에 있어서,
상기 제1 하드코팅 층의 평탄도는 70이상인
신틸레이터 패널.
The method of claim 23, wherein
The flatness of the first hard coat layer is 70 or more
Scintillator panel.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 신틸레이터 패널과 상기 소정 파장 범위의 광에 의한 화상을 촬상하기 위한 촬상 소자를 포함하고, 상기 신틸레이터 패널은 상기 촬상 소자 상에 배치되는
방사선 이미지 센서.
15. A scintillator panel according to any one of claims 1 to 14 and an imaging device for imaging an image by light in the predetermined wavelength range, wherein the scintillator panel is disposed on the imaging device.
Radiation image sensor.
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