KR20120017695A - 광추출 효율이 향상된 발광 소자 - Google Patents

광추출 효율이 향상된 발광 소자 Download PDF

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KR20120017695A
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Abstract

본 발명은 광추출 효율이 향상된 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 생성된 광이 발광소자의 각 층들을 통하여 발광되는 동안 발생하는 굴절과 반사에 의해 광추출 효율이 감소하는 문제를 개선한 신규한 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명의 발광 소자는 외곽에서 내부로 향할수록 굴절율이 증가하는 복수의 패시베이션층을 포함함으로써 각 층간의 계면에서 발생하는 굴절율 차이에 의한 빛의 반사를 방지할 수 있다.

Description

광추출 효율이 향상된 발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE HAVING ENHANCED LIGHT EXTRACTING EFFICIENCY}
본 발명은 광추출 효율이 향상된 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 생성된 광이 발광소자의 각 층들을 통하여 발광되는 동안 발생하는 굴절과 반사에 의해 광추출 효율이 감소하는 문제를 개선한 신규한 발광 소자에 관한 것이다.
발광 소자는 반도체 소자의 p-n 접합구조의 특성을 이용하여 전자와 정공의 재결합에 의하여 발생하는 에너지를 빛으로 발생시키는 소자를 의미한다.
즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 외부로 방출한다.
따라서, 발광 소자의 기본적인 형태는 도 1에 MESA 구조를 예를 들어 도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 n형 반도체(20)와 p형 반도체(40) 및 상기 n형 반도체(20)와 p형 반도체(40)(상기 각 반도체들의 예로서는 GaN을 들 수 있음) 사이에 형성한 양자우물층(MQW)(30)의 적층 구조를 포함한다. 상기 적층 구조에 금속 전극(80, 90) 등을 통하여 전류가 공급될 경우 전자와 정공이 양자 우물층 쪽으로 이동하여 재결합함으로써 빛 에너지를 발생하게 되는 것이다.
이때, 상기 적층 구조에 전류를 공급하기 위해서는 상기 p형 반도체(40)(보다 엄밀하게는 p+-GaN)와 n형 반도체(20)측에 전류가 공급될 수 있도록 전극이 형성될 필요가 있다. 특히, p형 반도체 측에는 반도체의 특성상 넓은 접촉면적으로 전극이 형성될 필요가 있고, 또한 발생된 빛이 광원으로서의 역할을 하기 위해서는 발광 소자의 관찰자 측으로 빛이 손실없이 방출될 수 있도록 광 추출 효율이 높아야 할 필요가 있으므로 상기 전극은 투과성 전도막(TCO)으로 이루어지며, 투과성 전도막으로 이루어진 전극을 투명 전극층(60)이라 한다. 이하, 후술하는 패시베이션층이 형성되기 전의 구조를 간략히 발광구조물이라 칭한다.
이후, 상기 발광구조물 위에 통상 SiO2와 같은 재질로 이루어진 패시베이션층(70)을 형성시키는 패시베이션(passivation) 처리를 행하게 되는데, MESA형 발광 소자를 예로 들면 상기 패시베이션층(70)은 투명 전극층(60) 또는 n형 반도체 층(20) 위에 형성되게 된다. 따라서, 활성층(30)에서 발생된 광은 p형 반도체 층(40), 투명 전극층(60) 및 상기 패시베이션층(70)을 통하여 외부로 방출되거나, n형 반도체 층(20) 및 패시베이션층(70)을 통하여 외부로 방출된다.
그런데, 도 2에 도시한 바와 같이 통상 굴절율이 높은 쪽(n1)에서 굴절율이 낮은 쪽(n2)의 매질로 빛이 전파되는 경우에는 매질의 경계면에서 빛의 일부에 대한 반사가 일어나게 되며, 상기 반사된 빛은 내부에서 재반사되어 다시 방출된다 하더라도 전체적으로는 빛의 경로가 길어지게 되는데, 상기 매질이 완전히 투명한 것은 아니기 때문에 광추출 효율은 감소되게 된다.
그런데, 통상 투명 전극층(60)의 굴절율은 2.0 정도인데 반하여 SiO2 패시베이션층(70)의 굴절율은 1.45정도로서 투명 전극층을 통하여 방출되는 빛은 상당량이 패시베이션층에서 반사되게 되며, 그 결과 광추출 효율이 감소하게 되었다. 뿐만 아니라, 통상 n형 반도체로 많이 사용되는 n-GaN의 경우도 굴절율이 2.47 정도로서 패시베이션층에 비하여 1.0 가량 높기 때문에 상기 n형 반도체 층(20)과 패시베이션층(70)의 사이에서도 상당량의 빛이 반사된다.
따라서, 상기 패시베이션층(70) 형성에 따른 반사를 억제할 수 있는 기술을 개발할 경우 종래보다 높은 광추출 효율을 얻을 수 있다.
본 발명의 일측면에 따르면, 발광구조물의 투명 전극층과 패시베이션층 사이의 굴절율 차이에 의한 반사가 억제됨으로써 광추출 효율이 향상된 신규한 발광소자가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는,
제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물 및 상기 발광구조물의 적어도 일면 위에 배치되며, 2 개 이상의 층이 적층된 구조를 갖되, 상기 발광구조물에 인접한 층의 굴절률이 상대적으로 상기 발광구조물로부터 멀리 배치된 층의 굴절률보다 크도록 형성된 패시베이션층을 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제 2 도전형 반도체층 상면 일부와 상기 패시베이션층 사이에 배치된 투명 전극층을 더욱 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 패시베이션층 중 가장 안쪽에 형성된 층의 굴절율은 투명 전극층의 굴절율보다 낮을 수 있다.
이 경우, 상기 투명 전극층은, 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 및 인듐-아연계 산화물(IZO)로구성된 그룹으로부터 선택된 산화물로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제 1 및 제 2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제 1 형 및 제 2 형 전극을 더욱 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제 1 형 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층 및 활성층의 일부가 제거되어 노출된 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 패시베이션층은 상기 제 1 및 제 2 전극 상면 일부를 제외하고 발광 소자 상면 전체를 일체로 덮어 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패시베이션층은 2층으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패시베이션층 중 상기 발광구조물에 가장 인접한 층의 굴절율은 1.56~1.8일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패시베이션층 중 상기 발광구조물에 가장 인접한 층은 SiOxN1 -x로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패시베이션층 중 상기 발광구조물로부터 가장 멀리 배치된 층은 SiO2로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패시베이션층의 각 층의 두께는 0.05~1㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패시베이션층 전체의 두께는 0.5~2㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 제 1 및 제 2 도전형 반도체는 각각 n형 및 p형 반도체일 수 있다.
본 발명에 따라 제조된 발광 소자는 투명 전극층 상층에 존재하는 패시베이션층을 다층으로 형성하고 상기 패시베이션층의 굴절율을 점진적으로 감소시킴으로써 굴절율 차이가 크게 발생함에 따라 반사율이 높아지는 문제를 해결할 수 있으므로, 종래의 발광소자보다 높은 광추출 효율을 나타낸다.
도 1은 종래의 패시베이션층이 형성된 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 2는 굴절율이 다른 매질 사이에서 반사와 굴절이 일어나는 현상을 설명한 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 패시베이션층이 형성된 발광 소자를 나타낸 단면도이며,
도 4는 본 발명에 따른 발명예와 비교예의 패시베이션층 두께별 광추출 효율 개선 정도를 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광소자는 발광구조물(상술하였듯이, 패시베이션층이 형성되지 않은 형태를 간략히 발광구조물이라 칭한다) 위에 저굴절율 패시베이션층을 형성하기 전에 저굴절율 패시베이션층의 굴절율과 상기 패시베이션층을 제외한 발광소자의 최외곽 적층체의 굴절율 사이의 굴절율을 가지는 1층 이상의 중간 패시베이션층을 형성한 후, SiO2계 패시베이션층을 형성함으로써 얻어질 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 형태는 발광소자의 발광구조물의 적어도 일면 위에 2개 이상의 층이 적층된 구조를 갖는 패시베이션층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 패시베이션층이 형성된 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
이 경우, 본 실시 형태에서는 2 개 층으로 형성된 예를 들었으나, 특별히 이에 한정하는 것은 아니고 필요에 따라 다수 층을 적층하여 형성할 수 있다. 본 실시예에서 '상층'이라 함은 패시배이션을 구성하는 층 중 상기 발광 구조물로부터 상대적으로 멀리 떨어진 층을 말하며, '하층'이라 함은 패시배이션을 구성하는 층 중 상기 발광 구조물로부터 상대적으로 가까운 층을 말한다.
본 실시 형태에서 제공되는 반도체 발광 소자는, 기판(10) 상에 제 1 도전형 반도체층(20), 활성층(30), 제 2 도전형 반도체층(40)의 순서로 성장되어 구비되며, 상기 제 2 도전형 반도체층(40) 상면에 투명 전극층(60)이 배치되고, 제 2 도전형 반도체층(40) 및 투명 전극층(60) 상면의 일부에 제 2 형 전극(80)이 형성되고, 활성층(30) 및 제 2 도전형 반도체층(40)이 일부 제거되어 제 1 도전형 반도체층(20)의 상면이 노출된 영역에는 제 1 형 전극(90)이 형성된 구조로 제공된다.
상기 구조를 구체적으로 설명하면, 본 실시 형태에서, 우선 기판(2)이 제공되는데, 이 경우, 상기 기판(2)은 질화물 반도체층의 성장을 위해 제공되는 성장용 기판으로서 사파이어 기판과 같은 절연 기판을 사용할 수 있다. 그리고, SiC, Si, GaN, AlN 또는 도금층과 같은 금속 기판인 도전성 기판을 사용할 수도 있다.
또한, 기판(2) 상에 제 1 및 제 2 도전형 반도체층(20, 40)과 이들 사이에 형성되는 활성층(30)이 구비된 구조로 제공되는데, 이 경우, 제 1 도전형 반도체층(20)은, In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1) 반도체 다층으로 이루어질 수 있고, 활성층(30)은 다중양자우물(multi-quantum well) 구조의 다른 조성으로 구성된 그룹 3족 질화물계 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1)인 반도체 다층으로 이루어질 수 있다. 한편, 제 2 도전형 반도체층(40)은 p형 In x Al y Ga 1-x-y N(0≤x, 0≤y, x+y≤1) 반도체 다층으로 구성될 수 있다. 일반적으로, 상기 그룹 3족 질화물계 반도체 단결정으로 형성된 제 1 및 제 2 도전형 반도체층(20, 40)과 활성층(30)은 MOCVD, MBE, HVPE, 스푸터(sputter), 또는 PLD 등의 장치를 이용하여 성장될 수 있다.
또한, 제 2 도전형 반도체층(40)의 표면 일부에 투명 전극층(60)이 배치된 구조로 제공되는데, 본 실시예에서는 투명 전극층(60)이 제 2 도전형 반도체층(40) 상에 구비되었으나, 특별히 이에 한정하는 것은 아니며, 경우에 따라 제 1 도전형 반도체층(20) 상에 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 전극층(60)은, 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 및 인듐-아연계 산화물(IZO)로구성된 그룹으로부터 선택된 산화물로 이루어질 수 있으며, 공지의 증착방법 중에서 해당분야 당업자라면 누구나 알 수 있는 방법을 사용하여 형성할 수 있고, 특히 스퍼터링 증착법의 사용이 바람직하다. 그리고 산화물로 이루어진 투명 전극층(60)의 경우에는 1nm 내지 1000nm 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
도 3에 도시한 바와 같이 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이 발광구조물 위에 종래와 같은 단층의 패시베이션층을 형성하는 대신에 굴절율이 점진적으로 변화하는 하층(100) 및 상층(70)으로 이루어진 복층의 패시베이션층을 형성한다.
즉, 종래와 같이 SiO2 등의 저굴절율의 패시베이션층(70)이 단층으로 형성될 경우에는 발광구조물의 최외곽 층과의 굴절율 차이가 커서 반사되는 빛의 양이 증가하고 그에 따라 광경로가 길어져서 반사하거나 아예 반사되지 못하게 되어 광추출 효율이 감소하게 되나, 굴절율이 점진적으로 변화하는 복층의 패시베이션층이 발광소자의 외곽에 형성될 경우에는 투명 전극층(60)과 그 직상에 있는 하층(100)사이에서 반사되는 빛의 양이 현저하게 감소하게 되고 상기 하층(100)과 그 직상에 존재하는 상층(70) 사이의 굴절율 차이도 크지 않기 때문에 반사되는 빛의 양은 감소한다.
이때, 패시베이션층으로서 발광구조물과 인접하여 형성되는 층은 통상 사용되는 SiO2, SiOxN1 -x 중에서 선택된 재질로 이루어지는 것으로서 1.56~1.8 범위의 굴절율 가지는 것이 사용된다. 또한, 이렇게 형성된 패시베이션 층의 아래에는, 보다높은 굴절율을 가지고 굴절율이 순차적으로 증가하되, 발광소자의 투명 전극층(60)의 굴절율 보다는 낮은 값을 가지는, 하나 또는 그 이상의 층(100)이 위치하는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 본 발명의 발광소자는 패시베이션층중 발광 구조물로부터 멀리 떨어진 상층(70)에서 하층(100)으로 향할수록 굴절율이 점점 증가하는 패시베이션층을 구비하는 것이다.
이때, 패시베이션층 중 하층(100)은 발광구조물의 최외곽 층 보다 낮은 굴절율을 가지는 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 가장 넓은 면적을 점유하는 투명 전극층(60) 보다 낮은 굴절율을 가지는 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적인 굴절율 값으로는 1.56~1.8 범위를 들 수 있다. 만일 상기 굴절율이 너무 낮을 경우에는 상기 발광 구조물의 최외곽 층(메사(mesa)형 발광소자의 예를 들면, 투명 전극층이나 n형 반도체 등)과의 계면에서 일어나는 반사를 효과적으로 감소시키기 어려우며, 반대로 상기 굴절율이 너무 높을 경우에는 상기 발광 구조물의 최외곽 층과의 계면에서 일어나는 반사는 감소시킬 수 있으나 오히려 상층(70)과의 계면에서 반사가 일어나기 때문에 바람직하지 않다. 각 층의 굴절률은 물질과 각 물질의 조성비를 변경하여 조절 가능한데 예를 들어 실리콘 옥시 나이트라이드(SixOyNz)의 경우 x,y,z 의 조합 비율을 변경하여 굴절률을 조절할 수 있으며, 상기 굴절율 조절방식은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 큰 어려움 없이 실시할 수 있는 것이기 때문에 본 명세서에서는 자세한 설명을 생략한다.
또한, 상기 패시베이션층은 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광 구조체의 상면 중 제 1 형 및 제 2 형 전극(90, 80)이 형성되어 외부와 전기적으로 연결하기 위한 영역을 제외하고 전 영역에 형성될 수 있다. 이와 같이 함으로서 발광 구조체에서 방출되는 빛을 최대한 반사 없이 외부로 방출하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 굴절율 범위를 만족시키는 하층(100)으로는 다양한 물질들이 이용될 수 있으며, 그 종류를 특별히 한정하지 않는다. 다만, 바람직한 예를 든다면, 실리콘 옥시 나이트라이드 등이 상층(70)과의 양호한 결합 등을 위해 적합하다.
본 실시 형태의 패시베이션층의 두께는 전체 두께가 0.5~2㎛ 인 것이 바람직하며, 각 층의 두께는 0.05~1㎛ 인 것이 바람직하다. 두께가 너무 얇을 경우에는 발광 구조체를 충분히 보호하기 어려워 불리하고, 반대로 너무 두꺼울 경우에는 두꺼워진 패시베이션층을 빛이 통과하면서 흡수되어 버리기 때문에 광추출 효율이 감소하여 바람직하지 않다.
본 발명은 생성된 빛이 패시베이션층을 통하여 효율적으로 배출되는 것을 목적으로 하는 것이기 때문에, 본 발명에서 대상으로 하는 발광소자는 패시베이션층을 포함하기만 하면 수직구조형, MESA 구조형 또는 플립칩 구조형 등 그 형태를 제한하지 않는다.
이하, 실시예와 첨부한 도면을 참고하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 다만, 하기하는 실시예는 본 발명을 예시하여 보다 구체화하기 위한 것일 뿐 본 발명의 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니라는 점에 유의할 필요가 있다.
( 실시예 )
발명예1
기판위에 n형 반도체, 활성층, p형 반도체의 순서대로 적층하고 상기 p형 반도체에 투명 전극층과 본딩패드 및 핑거를 설치하고, n형 반도체에 본딩패드를 설치하여 적층체를 제조한 후 패시베이션 처리를 하였다.
패시베이션 처리는 2층으로 하였다. 즉, 상기 적층체 쪽인 하층에 실리콘 옥시나이트라이드 층을 형성하고 그 위에 SiO2 층을 0.54㎛의 두께로 설치하여 발광 소자를 제조하였다. 사용된 실리콘 옥시 나이트라이드 층의 굴절율은 1.565로 정하였으며, SiO2 층의 굴절율은 1.45로 설정하였다. 또한, 형성된 실리콘 옥시나이트라이드 층의 두께의 영향을 관찰하기 위해 두께를 변화시키면서 광추출 효율(투과율)을 관찰하였다.
발명예2
하층의 패시베이션층의 굴절율을 1.63으로 정한 것 이외에는 상기 발명예1과 동일한 방식으로 발광소자를 제조하여 광추출 효율(투과율)을 관찰하고 그 결과를 발명예2로 나타내었다.
발명예3
하층의 패시베이션층의 굴절율을 1.74로 조절한 것 이외에는 상기 발명예1과 동일한 방식으로 발광소자를 제조하여 광추출 효율(투과율)을 관찰하고 그 결과를 발명예3으로 나타내었다.
발명예4
하층의 패시베이션층의 굴절율을 1.8로 조절한 것 이외에는 상기 발명예1과 동일한 방식으로 발광소자를 제조하여 광추출 효율(투과율)을 관찰하고 그 결과를 발명예4로 나타내었다.
비교예1
상기 발명예와 동일한 조건이되 다만 옥시나이트라이드 층의 굴절율을 1.49로 제어한 경우의 광추출 효율(투과율)을 관찰하였다.
비교예2
상기 발명예와 동일한 조건이되 다만 옥시나이트라이드 층의 굴절율을 1.9로 제어한 경우의 광추출 효율(투과율)을 관찰하였다.
종래예
상기 발명예와 동일하나 하층의 실리콘 옥시나이트라이드 패시베이션층을 형성하지 않고 바로 굴절율 1.45를 가지는 두께 0.54㎛의 패시베이션층을 형성하고 광추출 효율(투과율)을 관찰하였다.
굴절율 비교
상기 종래예의 투과율에 대한 각 발명예와 비교예의 투과율의 비를 계산하여 도 4의 그래프로 나타내었다. 투과율의 비율이 1 이상이면 종래의 단층의 패시베이션층이 형성된 발광소자보다 높은 광추출 효율을 나타내는 것을 의미한다.
그래프에서 볼 수 있듯이, 하부 패시베이션층은 상부 패시베이션층과 투명 전극층 사이 특정 굴절률에서 일반적으로 최대 투과율을 갖는다. 이때, 하부 패시베이션층의 굴절율이 1.49인 비교예1과 하부 패시베이션층의 굴절율이 1.9인 비교예2는 각각 굴절율이 본 발명에서 규정하는 범위 보다 낮거나 높은 경우에 해당하는데, 종래예 보다는 높은 광추출 투과율을 나타내고 있었으나 발명예1 ~ 발명예4의 경우에 비해서는 광추출효율의 개선정도가 미약함을 확인할 수 있었다. 따라서, 비교예의 경우에도 어느 정도의 효과를 얻을 수 있으나 하부 패시베이션층의 굴절율을 본 발명의 범위로 제어하는 것이 보다 바람직함을 확인할 수 있었다.
이와 같이, 본 발명은 서술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 점은 당 기술분야의 통상의 지식을 가지는 자에게는 자명할 것이다.

Claims (14)

  1. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및,
    상기 발광구조물의 적어도 일면 위에 배치되며, 적어도 2 개 이상의 층이 적층된 구조를 갖되, 상기 발광구조물에 인접한 층의 굴절률이 상대적으로 상기 발광구조물로부터 멀리 배치된 층의 굴절률보다 크도록 형성된 패시베이션층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 도전형 반도체층 상면 일부와 상기 패시베이션층 사이에 배치된 투명 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 패시베이션층 중 가장 안쪽에 형성된 층의 굴절율은 상기 투명 전극층의 굴절율보다 낮은 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 투명 전극층은, 인듐-주석계 산화물(ITO), 인듐 산화물(IO), 주석계 산화물(SnO2), 아연계 산화물(ZnO) 및 인듐-아연계 산화물(IZO)로구성된 그룹으로부터 선택된 산화물로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제 1 형 및 제 2 형 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 형 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층 및 활성층의 일부가 제거되어 노출된 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 제 1 및 제 2 전극 상면 일부를 제외하고 발광 소자 상면 전체를 일체로 덮어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층은 2층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층 중 상기 발광구조물에 가장 인접한 층의 굴절율은 1.56~1.8인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층 중 상기 발광구조물에 가장 인접한 층은 SiOxN1 -x로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층 중 상기 발광구조물로부터 가장 멀리 배치된 층은 SiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층의 각 층의 두께는 0.05~1㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층 전체의 두께는 0.5~2㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  14. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 도전형 반도체는 각각 n형 및 p형 반도체인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
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CN105938862A (zh) * 2016-05-24 2016-09-14 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法
KR20210125580A (ko) * 2020-03-06 2021-10-18 티엔진 산안 옵토일렉트로닉스 컴퍼니 리미티드 플립칩 발광다이오드

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