KR20120015770A - Method for probe film used probe block - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a probe film for a probe block.
LCD(Liquid Crystal Display) 생산공정은 디스플레이 패널을 제작하는 셀(cell) 공정과, 드라이버(driver), 백 라이트(back light), 도광판 및 편광판을 셀 공정에서 생산된 디스플레이 패널과 조립하여 완제품을 만드는 모듈(module) 조립 공정으로 대별된다. LCD (Liquid Crystal Display) production process is a cell process for manufacturing display panel, and driver, back light, light guide plate and polarizer are assembled with display panel produced in cell process to make finished product. It is roughly classified as a module assembly process.
여기서, 디스플레이 패널은 소스 전극 및 게이트 전극이 각각 형성되어 있는 면을 기판 상에 마주 대하도록 배치한 화상 표시 장치로서, 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 전기장을 발생시키고, 발생된 전기장에 의해 액정분자를 움직이게 하여 빛의 투과율을 변화시킴으로써 화상을 표현한다.Here, the display panel is an image display device in which the surfaces on which the source electrode and the gate electrode are formed are disposed to face each other on a substrate. The display panel injects a liquid crystal material between the substrates, and then generates an electric field by applying a voltage to the two electrodes. The liquid crystal molecules are moved by the generated electric field to change the transmittance of light to express an image.
이때, 디스플레이 검사용 프로브 유닛(이하, “프로브 유닛”)은 셀 공정을 거쳐 생산된 디스플레이 패널에 대한 검사를 수행하여, 제조 공정상 발생할 수 있는 결함의 유무를 확인하게 된다.In this case, the display inspection probe unit (hereinafter, referred to as a “probe unit”) performs an inspection on the display panel produced through a cell process to check whether there is a defect that may occur in the manufacturing process.
예컨대, 프로브 유닛은 TFT(Thin Film Transistor), TN(Twisted Nematic), STN(Super Twisted Nematic), CSTN(Color Super Twisted Nematic), DSTN(Double Super Twisted Nematic), 유기EL(Electro Luminescence) 등의 디스플레이 패널의 전극(또는 패드)에 테스트용 전기 신호를 인가하여, 해당 디스플레이 패널이 픽셀 에러(pixel error)없이 정상적으로 작동하는지 여부를 검사하게 된다.For example, the probe unit may be a display such as thin film transistor (TFT), twisted nematic (TN), super twisted nematic (STN), color super twisted nematic (CSTN), double super twisted nematic (DSTN), organic electroluminescent (EL), or the like. A test electrical signal is applied to the electrodes (or pads) of the panel to check whether the corresponding display panel is operating normally without pixel error.
도 1은 종래 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 유닛의 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of a probe unit for inspecting a conventional display panel.
도 1에 도시된 바와 같이, 프로브 유닛(10)이 디스플레이 패널(20)에 위치하여 각 셀들의 이상 유무를 검사하게 된다. 이때, 프로브 유닛(10)은 전기 신호를 디스플레이 패널(20)의 전극에 인가하고, 그에 따른 출력 신호를 전달받아 검사 시스템으로 전달하게 된다.As shown in FIG. 1, the
이를 위해 프로브 유닛(10)은, 디스플레이 패널(20)의 전극에 탐침을 접속시켜 전기 신호를 인가하고 그에 따른 출력 신호를 검출하여 검사 공정을 수행하는 프로브 블록을 포함할 수 있다. To this end, the
그리고 이러한 과정을 통해 제조 공정상 발생할 수 있는 디스플레이 패널(20)의 점결함, 선결함, 얼룩결함 등의 결함 유무를 검사할 수 있게 된다.And through this process it is possible to inspect the presence of defects such as point defects, predecessors, stain defects of the
한편, 최근에는 고화질의 디스플레이 패널이 지속적으로 증가하고 있으며, 그에 따라 고밀도의 디스플레이 패널을 검사하기 위한 탐침을 구비한 프로브 블록의 필요성이 대두되고 있다. On the other hand, in recent years, display panels of high quality are continuously increasing, and accordingly, there is a need for a probe block having a probe for inspecting a high density display panel.
그러나, 종래에는 기판을 식각하는 공정을 거쳐 프로브 블록에 구성된 탐침을 제조해야 하므로 제조 공정이 복잡하고, 식각된 기판을 재사용할 수 없으므로 기판 소비로 인한 비용이 발생하는 문제점이 있었다.However, in the related art, since a probe formed in a probe block is manufactured through a process of etching a substrate, a manufacturing process is complicated, and the etched substrate cannot be reused.
본 발명의 일 실시예는 강성인 기판을 식각하지 않고 프로브 필름을 제작함으로써, 공정 단순화 및 제조 원가 절감을 도모할 수 있는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.One embodiment of the present invention is to provide a method for manufacturing a probe film for a probe block that can simplify the process and reduce the manufacturing cost by manufacturing a probe film without etching a rigid substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예는 기판을 여러 번 재사용하여 프로브 필름을 제조할 수 있고, 프로브 필름 제조시 기판의 해제 작업이 용이한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.In addition, an embodiment of the present invention is to provide a method for producing a probe film for the probe block can be produced by reusing the substrate several times, and to facilitate the release of the substrate during the production of the probe film. have.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면에 따른 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법은 (a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, (b) 형성된 희생층의 상부에 하나 이상의 컨택트 범프를 형성하는 단계, (c) 형성된 컨택트 범프의 상부면 및 희생층의 상부면에 해제층을 형성하고, 컨택트 범프의 상부면을 노출시키는 단계, (d) 컨택트 범프의 상부면과 각각 접속되도록 해제층의 상부에 하나 이상의 신호 라인을 형성하는 단계, (e) 신호 라인의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및 (f) 기판으로부터 희생층 및 해제층을 제거하는 단계를 포함한다.As a technical means for achieving the above technical problem, a method of manufacturing a probe film for a probe block for inspecting a display panel according to the first aspect of the present invention comprises the steps of (a) forming a sacrificial layer on a substrate, (b) ) Forming one or more contact bumps on top of the formed sacrificial layer, (c) forming a release layer on the top surface of the formed contact bumps and the top surface of the sacrificial layer, and exposing the top surface of the contact bumps, (d ) Forming at least one signal line on top of the release layer so as to be respectively connected to the top surface of the contact bump, (e) bonding the top surface of the signal line to the film portion, and (f) sacrificial and release layers from the substrate. Removing the step.
여기서, (c) 단계는, 희생층의 상부면에 형성된 해제층의 상부면을 평탄화하는 공정으로 이루어진다.Here, step (c) is a step of planarizing the upper surface of the release layer formed on the upper surface of the sacrificial layer.
또한, 해제층의 상부면을 평탄화하는 단계는, 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 수행될 수 있다.In addition, the planarization of the upper surface of the release layer may be performed by a chemical mechanical polishing (CMP) process.
또한, (d) 단계는, 해제층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하여 신호 라인부 영역을 형성하는 단계 및 신호 라인부 영역에 도전성 물질을 채워 신호 라인을 형성하는 단계를 포함한다.In addition, step (d) includes forming a signal line portion region by patterning the first photoresist layer on the release layer and forming a signal line by filling a conductive material in the signal line portion region.
또한, (e) 단계는, 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계 및 신호 라인의 상부면에 접착제를 도포하여 필름부를 접합하는 단계를 포함한다.In addition, step (e) includes removing the patterned first photoresist layer and bonding the film portion by applying an adhesive to an upper surface of the signal line.
또한, (f) 단계는, 습식 식각 또는 건식 식각 공정으로 이루어질 수 있다.Also, step (f) may be performed by a wet etching process or a dry etching process.
또한, (b) 단계는, 희생층의 상부면에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 컨택트 범프 영역을 형성하는 단계 및 컨택트 범프 영역에 도전성 물질을 채우고, 제 2 포토레지스트층을 제거하여 컨택트 범프를 형성하는 단계를 포함한다.In addition, in the step (b), forming a contact bump region by patterning a second photoresist layer on the top surface of the sacrificial layer, and filling the contact bump region with a conductive material, and removing the second photoresist layer to remove the contact bumps. Forming a step.
또한, 상술된 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.In addition, the above-described conductive material may include at least one metal of Ni, NiCo, NiFe, and NiW.
그리고, 제 1 포토레지스트층 내지 제 2 포토레지스트층 중 적어도 하나는 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제거될 수 있다.At least one of the first photoresist layer and the second photoresist layer may be removed by any one of an ashing process, a wet removal process, and an O 2 plasma method.
또한, 희생층 및 해제층은, 도금 공정으로 형성될 수 있다.In addition, the sacrificial layer and the release layer may be formed by a plating process.
또한, 희생층 및 해제층이 제거된 기판에 (a) 단계 내지 (f) 단계를 수행하여 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함한다.The method may further include preparing a probe film for the probe block by performing steps (a) to (f) on the substrate from which the sacrificial layer and the release layer are removed.
본 발명의 제 2 측면에 따른 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법은 (a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, (b) 형성된 희생층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하고, 패터닝된 제 1 포토레지스트층의 상부 및 희생층의 상부에 해제층을 형성하는 단계, (c) 해제층의 상부면을 평탄화하고, 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계, (d) 해제층의 상부에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 탐침부 영역을 형성하는 단계, (e) 탐침부 영역에 도전성 물질을 채워 신호 라인 및 컨택트 범프를 포함하는 탐침부를 형성하는 단계, (f) 제 2 포토레지스트층을 제거하는 단계, (g) 탐침부의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및 (h) 기판으로부터 희생층 및 해제층을 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a probe film for a probe block for inspecting a display panel according to a second aspect of the present invention, (a) forming a sacrificial layer on a substrate, (b) a first photoresist layer on top of the formed sacrificial layer Forming a release layer on top of the patterned first photoresist layer and on top of the sacrificial layer, (c) planarizing the top surface of the release layer, and removing the patterned first photoresist layer, (d) patterning a second photoresist layer over the release layer to form a probe region, (e) filling the probe region with a conductive material to form a probe comprising signal lines and contact bumps, ( f) removing the second photoresist layer, (g) bonding the top surface of the probe portion to the film portion, and (h) removing the sacrificial layer and release layer from the substrate.
여기서, 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 한다.Here, the conductive material is characterized in that it comprises at least one metal of Ni, NiCo, NiFe and NiW.
또한, 희생층은 도금 공정으로 형성된다.In addition, the sacrificial layer is formed by a plating process.
또한, 희생층 및 제 1 포토레지스트층이 제거된 기판에 (a) 단계 내지 (h) 단계를 수행하여 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함한다.The method may further include preparing a probe film for the probe block by performing steps (a) to (h) on the substrate from which the sacrificial layer and the first photoresist layer are removed.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 강성인 기판을 식각하지 않고 프로브 필름을 제작함으로써, 공정 단순화 및 제조 원가 절감을 도모할 수 있다.According to any one of the problem solving means of the present invention described above, by producing a probe film without etching the rigid substrate, it is possible to simplify the process and reduce the manufacturing cost.
또한, 전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 기판을 여러 번 재사용하여 프로브 필름을 제조할 수 있고, 프로브 필름 제조시 기판의 해제 작업이 용이하다.In addition, according to any one of the problem solving means of the present invention described above, it is possible to manufacture the probe film by reusing the substrate several times, it is easy to release the substrate during the production of the probe film.
도 1은 종래 디스플레이 패널을 검사하기 위한 프로브 유닛의 전체 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다.
도 4a 내지 도 4c는 프로브 블록의 선단 부위를 도시한다.
도 5는 도 3의 프로브 유닛의 분리 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 전체 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 상세 순서도이다.
도 8a 내지 도 8l은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 과정을 도시한다.
도 9는 상기 도 8a 내지 도 8l의 공정 과정으로 형성된 프로브 필름의 측면도이다.
도 10은 상기 도 9의 프로브 필름의 탐침부가 일괄적으로 복수개 형성된 형태를 도시한다.
도 11a 내지 도 11k는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 과정을 도시한다.1 is an overall configuration diagram of a probe unit for inspecting a conventional display panel.
2 is a perspective view of a probe unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of a probe unit according to another embodiment of the present invention.
4A-4C show the tip portion of the probe block.
5 is an exploded perspective view of the probe unit of FIG. 3.
6 is an overall flowchart of a method of manufacturing a probe film for a probe block according to an embodiment of the present invention.
7 is a detailed flowchart of a method of manufacturing a probe film for a probe block according to an embodiment of the present invention.
8A to 8L illustrate a process for explaining a method of manufacturing a probe film for a probe block according to an embodiment of the present invention.
9 is a side view of the probe film formed by the process of FIGS. 8A to 8L.
FIG. 10 illustrates a form in which a plurality of probes of the probe film of FIG. 9 are collectively formed.
11A to 11K illustrate a process for explaining a method of manufacturing a probe film for a probe block according to another embodiment of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. . In addition, when a part is said to "include" a certain component, which means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다.2 is a perspective view of a probe unit according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 유닛(101)은 프로브 블록(102), PCB부(106), 및 헤드 블록(104)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the
프로브 블록(102)은 디스플레이 패널(20)의 전극에 탐침을 접속시켜 전기 신호를 인가하고 그에 따른 출력 신호를 검출하여 검사 공정을 수행한다. 여기서, 프로브 블록(102)은 TCP(Taped Carrier Package) 블록(미도시)과 일체로 형성될 수 있으며, 이러한 TCP 블록은 PCB부(106)으로부터 수신한 전기 신호를 프로브 블록(102)에 전달한다. The
헤드 블록(104)은 프로브 블록(102)의 탐침이 적당한 물리적 압력으로 디스플레이 패널(20)의 전극과 접속하도록 프로브 블록(102)을 상하로 이동시키거나 일정 위치에 고정시킨다.The
PCB부(106)는 디스플레이 패널(20)의 각 셀 검사를 위한 전기 신호를 생성하여 필름(18)을 매개로 프로브 블록(102)에 전달한다.The
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 유닛의 사시도이다. 도 4a 내지 도 4c는 프로브 블록의 선단 부위를 도시한다. 그리고 도 5는 도 3의 프로브 유닛의 분리 사시도이다.3 is a perspective view of a probe unit according to another embodiment of the present invention. 4A-4C show the tip portion of the probe block. 5 is an exploded perspective view of the probe unit of FIG. 3.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 유닛(200)은 헤드 블록(210), 프로브 블록(220), 및 압착 블록(230)을 포함한다.3 to 5, the
헤드 블록(210)은 프로브 블록(220)의 상부에 결합되어 프로브 블록(220)의 탐침부가 적당한 물리적 압력으로 디스플레이 패널의 전극과 접속하도록 프로브 블록(220)을 상하로 이동 및 고정시킨다.The
프로브 블록(220)은 경사 돌출부(224)를 포함하는 프로브 블록 본체부(222)와, 경사 돌출부(224)의 하측면에 결합되고 경사 돌출부(224)의 종단측으로 돌출하도록 연장되어, 디스플레이 패널의 전극에 접속되어 신호를 인가하는 프로브 필름(100) 및 경사 돌출부(224)의 상측면에 결합되며, 돌출 연장된 프로브 필름(100)의 상부면과 접속하여 프로브 필름(100)을 지지하는 제 2 플레이트(242)를 포함한다. 여기서, 프로브 블록(220)은 제 2 플레이트(242)의 상부면에 결합되어, 제 2 플레이트(242)를 고정 지지하는 고정 블록(250)을 더 포함할 수 있다.The
보다 구체적으로, 도 4a에 도시된 바와 같이, 프로브 블록(220)의 선단 부위(A)는 경사 돌출부(224)의 하측면에 결합되는 제 1 플레이트(241)와, 제 1 플레이트(241)의 하측면에 결합되어, 디스플레이 패널의 전극에 접속되어 신호를 인가하는 프로브 필름(100) 및 경사 돌출부(224)의 상측면에 결합되며, 제 1 플레이트(241)의 상부면과 접속하여 제 1 플레이트의 선단부(241-1)를 지지하는 제 2 플레이트(242)를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 플레이트(242)의 선단부(242-1)는 제 1 플레이트(241)의 선단부(241-1)에 경사진 각도로 접속될 수 있다. More specifically, as shown in FIG. 4A, the tip portion A of the
그리고, 도 4b에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에서 프로브 블록(220)의 선단 부위(A′)는 경사 돌출부(224)의 하측면과 프로브 필름(100) 사이에 상술된 제 1 플레이트(241)가 개재되지 않고, 프로브 필름(100)이 경사 돌출부(224)의 하측면에 결합되고 경사 돌출부(224)의 종단측으로 돌출하도록 연장되고, 제 2 플레이트(242)의 선단부(242-2)가 돌출 연장된 프로브 필름(100)의 상부면에 나란히 접속되도록 연장된 형태로 구성될 수 있다.And, as shown in FIG. 4B, in another embodiment, the tip portion A ′ of the
또한, 도 4c에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에서 프로브 블록(220)의 선단 부위(A″)는 제 1 플레이트(241)와 제 2 플레이트(242)가 일체로 형성되며, 제 1 플레이트(241)의 하측면에 프로브 필름(100)이 결합된 형태로 구성될 수도 있다.In addition, as shown in FIG. 4C, in another embodiment, the distal end portion A ″ of the
압착 블록(230)은 프로브 블록(220)의 하부에 착탈 가능하게 결합된다. 압착 블록(230)은 프로브 블록(220)의 하부에 형성된 오목부에 수용되는 압착 블록 본체부(231), 본체부(231)의 일측으로 돌출 형성되는 결합 돌출부(232) 및 압착 블록 본체부(231)의 하부로부터 결합 돌출부(232) 둘레로 연장되어, 결합 돌출부(232)의 상부면에서 프로브 필름(100) 측으로 압착되어 접속되는 연결 필름(233)을 포함한다.The crimping
여기서, 연결 필름(233)은 디스플레이 패널을 검사하는 구동 IC(Drive Integrated Circuit)(미도시)를 실장한 것이다. 이러한 구동 IC는 디스플레이 패널의 각 전극에 전기적 신호를 인가함과 동시에 출력을 검출함으로써 디스플레이 패널의 불량 유무에 대한 검사 공정을 수행할 수 있도록 한다. 연결 필름(233)은 칩 온 필름(Chip On Film)으로 구현될 수 있다.Here, the
이하에서는 상술된 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 과정에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the manufacturing process of the probe film for the probe block described above will be described in detail.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 전체 순서도이다.6 is an overall flowchart of a method of manufacturing a probe film for a probe block according to an embodiment of the present invention.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하기 위해 먼저, 기판(110) 상의 희생층(120)의 상부에 돌출 형성된 컨택트 범프(152) 및 상기 컨택트 범프(152)에 접속되도록 해제층(125)의 상부에 형성된 신호 라인부(151)를 각각 포함하는 복수개의 탐침부(150)를 포토리소그래피법을 이용하여 일괄 형성한다(S1001). 본 단계(S1001)는 후술될 (S1101) 단계 내지 (S1106) 단계에 대응될 수 있다.As shown in FIG. 6, in order to manufacture the probe film for the probe block of the present invention, first, the contact bumps 152 and the contact bumps 152 protruding from the
다음으로, 탐침부(150)의 상부면을 필름부(170)와 접합한다(S1002). 본 단계(S1002)는 후술될 (S1107) 단계 및 (S1108) 단계에 대응될 수 있다.Next, the upper surface of the
그리고, 희생층(120) 및 해제층(125)을 제거한다(S1003). 본 단계(S1003)는 후술될 (S1109) 단계에 대응될 수 있다.In operation S1003, the
상술된 프로브 필름의 제조 방법에 대한 보다 구체적인 공정 과정 및 상세한 제조 순서에 대해서는 이하, 도 7 및 도 8a 내지 도 8l를 통해서 후술하기로 한다.More detailed process steps and detailed manufacturing procedures of the method for manufacturing the above-described probe film will be described below with reference to FIGS. 7 and 8A to 8L.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법의 상세 순서도이다. 그리고, 도 8a 내지 도 8l은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 과정을 도시한다. 여기서 발명의 이해를 돕기 위해, 도 8d 내지 도 8i의 (a)는 프로브 필름의 제조 공정을 정면도로 나타낸 것이고, 도 8d 내지 도 8i의 (b)는 이를 평면도로 나타낸 것이다.7 is a detailed flowchart of a method of manufacturing a probe film for a probe block according to an embodiment of the present invention. 8A to 8L illustrate a process for explaining a method of manufacturing a probe film for a probe block according to an embodiment of the present invention. In order to help understanding of the present invention, (a) of Figure 8d to 8i is a front view showing the manufacturing process of the probe film, Figure 8d to 8i (b) is shown in a plan view.
먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이, 기판(110)상에 희생층(120)을 형성한다(S1101). 여기서, 기판(110)은 실리콘(Si), 유리(Glass) 또는 세라믹(Ceramic) 재질로 구성될 수 있다. 그리고, 희생층(120)은 Cu 등과 같은 금속을 도금하는 도금 공정으로 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 8A, the
다음으로, 희생층(120)의 상부에 설정된 간격으로 복수개의 컨택트 범프(152)를 형성한다(S1102).Next, a plurality of contact bumps 152 are formed at intervals set on the sacrificial layer 120 (S1102).
보다 구체적으로 설명하자면, 도 8b에 도시된 바와 같이, 희생층(120)의 상부면에 제 1 포토레지스트층(142)을 패터닝하여 컨택트 범프 영역(152a)을 형성한다.More specifically, as shown in FIG. 8B, the
여기서, 미리 정의된 마스크 층을 이용하여 자외선 노광 장치 등에 의해 노광하고, 노광된 포토레지스트층에 현상 공정을 수행하여 마스크의 패턴에 따라 제 1 포토레지스트층(142)을 패터닝할 수 있다. Here, the
그리고, 도 8c에 도시된 바와 같이, 컨택프 범프 영역(152a)에 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 도금하는 공정으로 도전성 물질을 채워 컨택트 범프(152)를 형성한다. As shown in FIG. 8C, the
다음으로, 도 8d에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트층(142)을 제거한다. 여기서, 컨택트 범프(152)은 일정 가로 길이(a′), 세로 길이(c′) 및 폭(b′)을 가진 형태로 형성될 수 있다. 그리고, 제 1 포토레지스트층(140) 은 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제거될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8D, the
다음으로, 도 8e에 도시된 바와 같이, 컨택트 범프(152)의 상부면 및 희생층(120)의 상부면에 해제층(125)을 형성한다(S1103). 여기서, 해제층(125)은 상술된 희생층(120)과 마찬가지로 Cu 등과 같은 금속을 도금하는 도금 공정으로 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8E, the
다음으로, 도 8f에 도시된 바와 같이, 해제층(125)의 상부면을 평탄화한다(S1104). 여기서, 해제층(125)의 상부면을 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 평탄화할 수 있으며, 이를 통해 컨택트 범프(152)의 상부면을 노출시키게 된다.Next, as shown in FIG. 8F, the top surface of the
다음으로, 도 8g에 도시된 바와 같이, 평탄화된 해제층(125)의 상부면에 제 2 포토레지스트층(155)을 패터닝하여 신호 라인부 영역(151a)을 형성한다(S1105).Next, as illustrated in FIG. 8G, the
다음으로, 도 8h에 도시된 바와 같이, 신호 라인부 영역(151a)에 도전성 물질을 채워 탐침부(150)를 형성한다(S1106). 이를 통해 컨택트 범프(152)의 상부면과 각각 접속되는 하나 이상의 신호 라인부(151)가 해제층의 상부에 형성되게 된다. 여기서, 탐침부(150)의 일단부는 신호 라인부(151)로 사용되고, 일단부로부터 돌출된 형태로 형성된 타단부는 컨택트 범프(152)로 사용된다. 여기서, 도전성 물질은 상술된 컨택트 범프(152)와 동일 재질로 이루어질 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 8H, the
다음으로, 도 8i에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제 2 포토레지스트층(155)을 제거한다(S1107). 여기서, 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제 2 포토레지스트층(155)을 제거할 수 있다.Next, as shown in FIG. 8I, the patterned
다음으로, 도 8j 및 도 8k에 도시된 바와 같이, 탐침부(150)의 상부면에 접착제(160)를 도포하고 필름부(170)를 접합한다(S1108). 즉 신호 라인부(151)의 상부면에 에폭시 스프레딩(epoxy spreading)을 수행함으로써 접착제(160)를 도포하여 필름부(170)를 접합할 수 있다.Next, as illustrated in FIGS. 8J and 8K, the adhesive 160 is applied to the upper surface of the
다음으로, 도 8l에 도시된 바와 같이, 희생층(120) 및 해제층(125)을 제거하여 프로브 필름의 제작을 완료한다(S1110). 여기서, 습식 식각 또는 건식 식각 공정으로 희생층(120) 및 해제층(125)이 제거될 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 8L, the preparation of the probe film is completed by removing the
이와 같이 강성인 기판(110)을 식각하지 않고, 프로브 필름을 제작함으로써, 공정 단순화 및 제조 원가 절감을 도모할 수 있다.By fabricating the probe film without etching the
도 9는 상기 도 8a 내지 도 8l의 공정 과정으로 형성된 프로브 필름의 측면도이며, 도 10은 이러한 프로브 필름의 탐침부가 일괄적으로 복수개 형성된 형태를 도시한다.FIG. 9 is a side view of the probe film formed by the process of FIGS. 8A to 8L, and FIG. 10 illustrates a form in which a plurality of probe parts of the probe film are collectively formed.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 필름부(170)에 접합된 복수개의 탐침부(150)를 포토리소그래피(photolithography)법을 이용하여 일괄 형성할 수 있다. 이때, 하나의 컨택트 범프(152)가 신호 라인부(151)로부터 돌출 형성될 수도 있음은 물론이다.9 and 10, the plurality of
한편, 상술된 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 공정 과정은 이하의 도 11a 내지 도 11k의 과정으로 구현될 수도 있다. 이하에서는 상술된 도 8a 내지 도 8l과 중복된 내용은 생략하고, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 공정 과정을 설명하기로 한다.On the other hand, the manufacturing process of the probe film for the probe block described above may be implemented by the process of Figure 11a to 11k below. Hereinafter, descriptions overlapping with the above-described FIGS. 8A to 8L will be omitted and the manufacturing process of the probe film for the probe block according to another embodiment of the present invention will be described.
도 11a 내지 도 11k는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 공정 과정을 도시한다.11A to 11K illustrate a manufacturing process of a probe film for a probe block according to another embodiment of the present invention.
먼저, 도 11a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 희생층(120)을 형성한다. 여기서, 희생층(120) 및 후술될 해제층(125)은 도금 공정으로 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 11A, the
다음으로, 도 11b에 도시된 바와 같이, 희생층(120)의 상부에 제 1 포토레지스트층(142)을 패터닝한다. Next, as shown in FIG. 11B, the
다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제 1 포토레지스트층(142)의 상부 및 희생층(120)의 상부에 해제층(125)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 11C, a
다음으로, 도 11d에 도시된 바와 같이, 해제층(125)의 상부면을 평탄화한다.Next, as shown in FIG. 11D, the top surface of the
다음으로, 도 11e에 도시된 바와 같이, 패터닝된 제 1 포토레지스트층(142)을 제거한다.Next, as shown in FIG. 11E, the patterned
다음으로, 도 11f에 도시된 바와 같이, 해제층(125)의 상부에 제 2 포토레지스트층(155)을 패터닝하여 탐침부 영역(150a)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 11F, the
다음으로, 도 11g에 도시된 바와 같이, 탐침부 영역(150a)에 도전성 물질을 채워 신호 라인(151) 및 컨택트 범프(152)를 포함하는 탐침부(150)를 형성한다. 여기서, 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 11G, the
다음으로, 도 11h에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트층(155)을 제거한다.Next, as shown in FIG. 11H, the
다음으로, 도 11i 및 도 11j에 도시된 바와 같이, 탐침부(150)의 상부면에 접착제(160)를 도포하고 필름부(170)를 접합한다.Next, as shown in FIGS. 11I and 11J, the adhesive 160 is applied to the upper surface of the
다음으로, 도 11k에 도시된 바와 같이, 희생층(120) 및 해제층(125)을 제거하여 프로브 필름의 제작을 완료한다. 이와 같이, 희생층(120) 및 해제층(125)이 제거된 기판에 도 11a 내지 도 11k과정을 반복하면서 프로브 블록용 프로브 필름을 제조할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11K, the
그리고, 상술된 도 9 및 도 10에서 설명한 바와 마찬가지로, 필름부(170)에 접합된 복수개의 탐침부(150)를 포토리소그래피(photolithography)법을 이용하여 일괄 형성할 수 있다.As described above with reference to FIGS. 9 and 10, the plurality of
한편 전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.On the other hand, the above description of the present invention is intended for illustration, and those skilled in the art can understand that the present invention can be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. There will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.
그리고 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.And the scope of the present invention is represented by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention. Should be.
100: 프로브 필름 150: 탐침부
151: 신호 라인부 152: 컨택트 범프
170: 필름부 200: 프로브 유닛
210: 헤드 블록 220: 프로브 블록
230: 압착 블록 241: 제 1 플레이트
242: 제 2 플레이트 250: 고정 블록100: probe film 150: probe
151: signal line portion 152: contact bump
170: film portion 200: probe unit
210: head block 220: probe block
230: crimping block 241: first plate
242: second plate 250: fixed block
Claims (15)
(a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계,
(b) 상기 형성된 희생층의 상부에 하나 이상의 컨택트 범프를 형성하는 단계,
(c) 상기 형성된 컨택트 범프의 상부면 및 상기 희생층의 상부면에 해제층을 형성하고, 상기 컨택트 범프의 상부면을 노출시키는 단계,
(d) 상기 컨택트 범프의 상부면과 각각 접속되도록 상기 해제층의 상부에 하나 이상의 신호 라인을 형성하는 단계,
(e) 상기 신호 라인의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및
(f) 상기 기판으로부터 상기 희생층 및 상기 해제층을 제거하는 단계
를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
In the manufacturing method of the probe film for probe blocks for inspecting a display panel,
(a) forming a sacrificial layer on a substrate,
(b) forming one or more contact bumps on top of the formed sacrificial layer,
(c) forming a release layer on an upper surface of the formed contact bumps and an upper surface of the sacrificial layer and exposing an upper surface of the contact bumps,
(d) forming at least one signal line on top of the release layer so as to be respectively connected to an upper surface of the contact bump,
(e) bonding the upper surface of the signal line to a film part; and
(f) removing the sacrificial layer and the release layer from the substrate
Method for producing a probe film for a probe block comprising a.
상기 (c) 단계는,
상기 희생층의 상부면에 형성된 해제층의 상부면을 평탄화하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 1,
In step (c),
Method of manufacturing a probe film for a probe block comprising the step of planarizing the upper surface of the release layer formed on the upper surface of the sacrificial layer.
상기 해제층의 상부면을 평탄화하는 단계는,
화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 수행되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 2,
Flattening the upper surface of the release layer,
Method of producing a probe film for a probe block which is carried out by a chemical mechanical polishing (CMP) process.
상기 (d) 단계는,
상기 해제층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하여 신호 라인부 영역을 형성하는 단계 및
상기 신호 라인부 영역에 도전성 물질을 채워 상기 신호 라인을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 1,
In step (d),
Patterning a first photoresist layer on the release layer to form a signal line portion region; and
And filling the conductive material in the signal line portion to form the signal line.
상기 (e) 단계는,
상기 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계 및
상기 신호 라인의 상부면에 접착제를 도포하여 상기 필름부를 접합하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 4, wherein
In step (e),
Removing the patterned first photoresist layer; and
A method of manufacturing a probe film for a probe block comprising applying the adhesive to the upper surface of the signal line to bond the film portion.
상기 (f) 단계는,
습식 식각 또는 건식 식각 공정으로 이루어지는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 1,
The step (f)
The manufacturing method of the probe film for probe blocks which consists of a wet etching process or a dry etching process.
상기 (b) 단계는,
상기 희생층의 상부면에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 컨택트 범프 영역을 형성하는 단계 및
상기 컨택트 범프 영역에 도전성 물질을 채우고, 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하여 상기 컨택트 범프를 형성하는 단계를 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 1,
In step (b),
Patterning a second photoresist layer on an upper surface of the sacrificial layer to form a contact bump region; and
And filling the contact bump region with a conductive material and removing the second photoresist layer to form the contact bumps.
상기 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method according to claim 4 or 7,
The conductive material is a method for producing a probe film for a probe block, characterized in that it comprises at least one metal of Ni, NiCo, NiFe and NiW.
상기 제 1 포토레지스트층 및 제 2 포토레지스트층 중 적어도 하나는 에싱(ashing) 공정, 습식 제거 공정, 및 O2 플라즈마 방법 중 어느 하나로 제거되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method according to claim 4 or 7,
At least one of the first photoresist layer and the second photoresist layer is removed by any one of an ashing process, a wet removal process, and an O 2 plasma method.
상기 희생층 및 상기 해제층은,
도금 공정으로 형성되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 1,
The sacrificial layer and the release layer,
The manufacturing method of the probe film for probe blocks formed by a plating process.
상기 희생층 및 해제층이 제거된 기판에 상기 (a) 단계 내지 상기 (f) 단계를 수행하여 상기 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 1,
A method of manufacturing a probe film for a probe block further comprising the step of preparing the probe film for the probe block by performing the steps (a) to (f) on the substrate from which the sacrificial layer and the release layer are removed.
(a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계,
(b) 상기 형성된 희생층의 상부에 제 1 포토레지스트층을 패터닝하고, 상기 패터닝된 제 1 포토레지스트층의 상부 및 상기 희생층의 상부에 해제층을 형성하는 단계,
(c) 상기 해제층의 상부면을 평탄화하고, 상기 패터닝된 제 1 포토레지스트층을 제거하는 단계,
(d) 상기 해제층의 상부에 제 2 포토레지스트층을 패터닝하여 탐침부 영역을 형성하는 단계,
(e) 상기 탐침부 영역에 도전성 물질을 채워 신호 라인 및 컨택트 범프를 포함하는 탐침부를 형성하는 단계,
(f) 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하는 단계,
(g) 상기 탐침부의 상부면을 필름부와 접합하는 단계 및
(h) 상기 기판으로부터 상기 희생층 및 상기 해제층을 제거하는 단계를 포함하는
프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
In the manufacturing method of the probe film for probe blocks for inspecting a display panel,
(a) forming a sacrificial layer on a substrate,
(b) patterning a first photoresist layer on the formed sacrificial layer, and forming a release layer on top of the patterned first photoresist layer and on top of the sacrificial layer,
(c) planarizing an upper surface of the release layer and removing the patterned first photoresist layer,
(d) patterning a second photoresist layer on the release layer to form a probe region;
(e) filling the probe area with a conductive material to form a probe including a signal line and a contact bump,
(f) removing the second photoresist layer,
(g) bonding the upper surface of the probe portion to the film portion;
(h) removing the sacrificial layer and the release layer from the substrate.
The manufacturing method of the probe film for probe blocks.
상기 도전성 물질은 Ni, NiCo, NiFe 및 NiW 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 12,
The conductive material is a method for producing a probe film for a probe block, characterized in that it comprises at least one metal of Ni, NiCo, NiFe and NiW.
상기 희생층 및 상기 해제층은,
도금 공정으로 형성되는 것인 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.
The method of claim 12,
The sacrificial layer and the release layer,
The manufacturing method of the probe film for probe blocks formed by a plating process.
상기 희생층 및 상기 해제층이 제거된 기판에 상기 (a) 단계 내지 상기 (h) 단계를 수행하여 상기 프로브 블록용 프로브 필름을 제조하는 단계를 더 포함하는 프로브 블록용 프로브 필름의 제조 방법.The method of claim 12,
Producing a probe film for the probe block further comprising the step of (a) to the step (h) to the substrate to remove the sacrificial layer and the release layer to produce a probe film for the probe block.
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