KR20120014785A - 액정표시패널 - Google Patents

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KR20120014785A
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Abstract

본 발명은 측면 시인성이 향상된 액정표시패널을 제공하기 위하여, 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역을 가지는 화소 영역에 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판; 및 상기 제1 기판과 결합하여 액정층을 수용하고, 상기 화소 영역과 대응하는 영역에 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판;을 포함하고, 상기 화소 전극은, 상기 제1 서브 화소 영역에 형성되는 제1 서브 화소 전극; 상기 제2 서브 화소 영역에 형성되는 제2 서브 화소 전극; 및 상기 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역 사이에 형성되는 컨택 전극;을 포함하며, 상기 제1 서브 화소 전극과 상기 컨택 전극이 일정 정도 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널을 제공한다.

Description

액정표시패널{Liquid crystal panel}
본 발명은 액정표시패널에 관한 것으로, 상세하게는 측면 시인성이 향상된 액정표시패널에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시패널은 어레이 기판, 어레이 기판과 마주보는 컬러 필터 기판 및 어레이 기판과 컬러 필터 기판과의 사이에 형성된 액정층으로 이루어진다. 어레이 기판은 화상을 나타내는 최소 단위인 복수의 화소로 이루어진다. 화소 각각은 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 구비한다. 게이트 라인과 데이터 라인은 게이트 신호와 데이터 신호를 각각 입력받고, 박막 트랜지스터의 게이트와 소스에 각각 전기적으로 연결된다. 화소 전극은 박막 트랜지스터의 드레인에 전기적으로 연결되고, 액정층을 사이에 두고 컬러 필터 기판에 형성된 공통전극과 마주한다.
액정표시패널을 이용한 액정 표시 장치는 음극선관 표시 장치와 비교하였을 때, 박형으로 만들 수 있는 장점을 갖는 반면에 시야각이 좁은 단점을 갖는다.
액정 표시 장치의 좁은 시야각을 개선하기 위하여, 최근에는 광시야각 특성을 갖는 피브이에이(PVA: Patterned Vertical Alignment) 모드, 엠-피브이에이(M-PVA: Multi-domain Patterned Vertical Alignment) 모드 및 에스-피브이에이(S-PVA: Super-Patterned Vertical Alignment) 모드 액정 표시 장치가 개발되고 있다. 이는 패터닝된 투명 전극을 이용하여 액정 분자들을 서로 다른 방향으로 배열시켜 액정 도메인을 형성함으로써 액정표시장치의 시야각을 향상시키는 방법으로 제조되는 액정 표시 장치이다.
본 발명은 측면 시인성이 향상된 액정표시패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역을 가지는 화소 영역에 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판; 및 상기 제1 기판과 결합하여 액정층을 수용하고, 상기 화소 영역과 대응하는 영역에 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판;을 포함하고, 상기 화소 전극은, 상기 제1 서브 화소 영역에 형성되는 제1 서브 화소 전극; 상기 제2 서브 화소 영역에 형성되는 제2 서브 화소 전극; 및 상기 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역 사이에 형성되는 컨택 전극;을 포함하며, 상기 제1 서브 화소 전극과 상기 컨택 전극이 일정 정도 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 기판은, 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연되도록 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하고, 상기 드레인 전극은 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성될 수 있다.
여기서, 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되는 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 서브 화소 전극, 상기 패시베이션층 및 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성된 드레인 전극은 커플링 커패시터를 형성할 수 있다.
여기서, 상기 화소 전극과 적어도 일부가 중첩되도록 형성된 스토리지 배선을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 스토리지 배선, 상기 패시베이션층 및 상기 컨택 전극은 스토리지 커패시터를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 서브 화소 전극은 플로팅(floating) 전극일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 공통 전극에서 상기 제1 서브 화소 전극과 대응하는 영역의 적어도 일부에는 제1 개구부가 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제1 기판은, 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성되는 드레인 전극; 및 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되는 패시베이션층을 더 포함하고, 상기 제1 개구부가 형성된 영역의 상기 제1 서브 화소 전극, 상기 패시베이션층 및 상기 드레인 전극은 커플링 커패시터를 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 서브 화소 전극과 상기 컨택 전극을 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 더 포함할 수 있다.
다른 측면에 따른 본 발명은, 제1 기판상에 형성되며, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며 제1 액정 커패시터와 커플링 커패시터를 포함하는 제1 서브 화소 영역; 및 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며 제2 액정 커패시터를 포함하는 제2 서브 화소 영역;을 포함하고, 상기 제1 서브 화소 영역에 충전되는 전압값이 상기 제2 서브 화소 영역에 충전되는 전압값보다 작도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 드레인 전극과 상기 제1 액정 커패시터 사이에는 상기 커플링 커패시터가 직렬로 연결될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 서브 화소 영역과 상기 제2 서브 화소 영역 사이에 형성되는 스토리지 커패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 소스 전극과 전기적으로 연결되는 데이터 배선; 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 게이트 배선; 및 상기 스토리지 커패시터의 일단과 연결되며 상기 게이트 배선이 연장된 방향과 실질적으로 평행하게 연장되는 스토리지 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 기판과 마주보도록 배치된 제2 기판을 더 포함하고, 상기 제2 기판에는 공통 전극이 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 공통 전극에서, 상기 커플링 커패시터가 형성되는 영역에는 제1 개구부가 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 서브 화소 영역에 형성되는 제1 서브 화소 전극; 상기 제2 서브 화소 영역에 형성되는 제2 서브 화소 전극; 및 상기 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역 사이에 형성되는 컨택 전극;을 더 포함하며, 상기 제1 서브 화소 전극과 상기 컨택 전극이 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제1 화소 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되는 패시베이션층을 더 포함하고, 상기 드레인 전극은 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성되며, 상기 제1 서브 화소 전극, 상기 패시베이션층 및 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성된 드레인 전극은 커플링 커패시터를 형성할 수 있다.
이와 같은 액정표시패널에 의하여, 패널의 측면 시인성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널은 제1 기판(100)과, 상기 제1 기판(100)과 결합하여 액정층(300)을 수용하는 제2 기판(200)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 화소 영역(PA)이 정의된 제1 베이스 기판(110)을 포함한다. 여기서, 상기 화소 영역(PA)은 서로 분리된 제1 서브 화소 영역(PAs1) 및 제2 서브 화소 영역(PAs2)을 가진다.
상기 제1 베이스 기판(110) 위에는 게이트 배선(GL)과, 상기 게이트 배선(GL)과 교차하는 데이터 배선(DL)이 형성된다. 상기 화소 영역(PA)에는 상기 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL)에 연결된 스위칭 소자(TR), 상기 스위칭 소자(TR)와 연결된 화소 전극(PE)이 형성된다. 또한, 화소 영역(PA)에는 화소 전극(PE)의 적어도 일부와 중첩되도록 형성된 스토리지 배선(STL)이 형성된다.
상기 스위칭 소자(TR)는 게이트 전극(GE), 게이트 절연층(120), 반도체층(130), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 배선(GL)으로부터 돌출되어 형성된다. 상기 게이트 절연층(120)은 상기 게이트 배선(GL) 및 상기 게이트 전극(GE) 위에 형성된다. 상기 반도체층(130)은 불순물이 도핑된 활성층과, 상기 활성층 위에 형성된 저항 접촉층을 포함한다. 여기서, 상기 반도체층(130)은 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 영역의 상기 게이트 절연층(120) 위에 형성된다. 한편, 상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 배선(DL)으로부터 돌출되어 상기 반도체층(130) 위에 형성된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)과 이격되어 상기 반도체층(130) 위에 형성된다. 상기 드레인 전극(DE)의 연장부에는 콘택부(CT)가 형성되고, 상기 콘택부(CT)를 통해 상기 드레인 전극(DE)과 후술할 화소 전극(PE)의 컨택 전극(CE)이 전기적으로 연결된다. 상기 콘택부(CT)는 상기 데이터 배선(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 위에 형성된 패시베이션층(140)에 형성된 콘택홀을 포함한다. 여기서, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)에 포함되는 도전 물질은 금속 재질일 수 있으며, 또는 ITO나 IZO 등의 물질도 가능하다 할 것이다.
한편, 상기 화소 전극(PE)은 패턴 된 제1 서브 화소 전극(PEs1), 제2 서브 화소 전극(PEs2), 컨택 전극(CE) 및 연결 전극(BE)을 포함한다. 상기 제1 서브 화소 전극(PEs1)은 상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)에 형성되고, 상기 제2 서브 화소 전극(PEs2)은 상기 제2 서브 화소 영역(PAs2)에 형성된다. 여기서, 제1 서브 화소 전극(PEs1)은 제2 서브 화소 전극(PEs2), 컨택 전극(CE) 및 연결 전극(BE)으로부터 일정 정도 이격되어 형성된, 일종의 플로팅(floating) 전극의 형태일 수 있다.
한편, 상기 컨택 전극(CE)은 상기 제1 및 제2 서브 화소 전극(PEs1, PEs2) 사이에 형성되고, 상기 연결 전극(BE)은 상기 제2 서브 화소 전극(PEs2)과 컨택 전극(CE) 사이에 형성된다. 그리고, 상기 스위칭 소자(TR)는 컨택 전극(CE)과 인접하게 형성되어 상기 컨택 전극(CE)과 콘택부(CT)를 통해 전기적으로 연결된다.
상기 스토리지 배선(STL)은 상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)과 상기 제2 서브 화소 영역(PAs2) 사이의 영역, 즉 상기 스위칭 소자(TR)와 인접한 영역에 형성된다. 상기 스토리지 배선(STL)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 컨택 전극(CE)과 중첩되도록 형성된다.
한편, 제2 기판(200)은 상기 제1 및 제2 서브 화소 영역들(PAs1, PAs2)을 가지는 상기 화소 영역(PA)이 정의된 제2 베이스 기판(210)을 포함한다. 상기 제2 베이스 기판(210) 위에는 차광층(미도시), 컬러 필터층(230), 제1 오버 코팅층(미도시), 공통 전극(250)이 형성된다.
차광층(미도시)은 상기 게이트 배선(GL) 및 상기 데이터 배선(DL)이 형성된 영역에 대응하여 전도성을 가지는 물질로 형성되어 광을 차단한다. 또는 상기 게이트 배선(GL), 상기 데이터 배선(DL), 상기 스위칭 소자(TR) 및 상기 스토리지 배선(STL)이 형성된 영역에 대응하여 형성될 수 있다. 상기 차광층(미도시)은 크롬(Cr)/크롬 산화막(CrOx)의 이중막 구조를 가진다.
컬러 필터층(230)은 화소 영역(PA)에 형성된다. 예를 들면, 상기 차광층(미도시)에 의해 정의된 상기 화소 영역(PA)에 형성된다.
공통 전극(250)은 컬러 필터층(230) 위에 형성된다. 즉, 공통 전극(250)은 화소 영역(PA)에 형성된 화소 전극, 즉, 제1, 제2 서브 화소 전극, 컨택 전극 및 연결 전극들(PEs1, PEs2, CE, BE)에 대응하여 공통으로 형성되고, 공통 전압(Vcom)이 인가된다. 공통 전극(250)은 화소 영역(PA)과 인접한 다른 화소 영역들에 형성된 공통 전극과 공통으로 연결된다.
이와 같은 공통 전극(250)은 상기 제1 및 제2 서브 화소 영역들(PAs1, PAs2)에서 각각 부분적으로 제거되어 소정의 개구부를 형성한다. 즉, 공통 전극(250)에는 제1 서브 화소 영역들(PAs1)에 대응하는 제1 개구부(OAs1)와, 제2 서브 화소 영역들(PAs2)에 대응하는 제2 개구부(OAs2)가 형성된다. 예를 들어, 제1 개구부(OAs1)는 제1 서브 화소 영역들(PAs1)의 중앙 부분에 대응하도록 형성되며, 제2 개구부(OAs2)는 제2 서브 화소 영역들(PAs2)의 중앙 부분에 대응하도록 형성될 수 있는 것이다.
여기서, 제1 서브 화소 전극(PEs1)과 액정층(300) 및 공통 전극(250)에 의해 제1 액정 커패시터(Clc1)가 정의되고, 제2 서브 화소 전극(PEs2)과 액정층(300) 및 공통 전극(CE1)에 의해 제2 액정 커패시터(Clc2)가 정의된다. 한편, 상기 스토리지 배선(STL)과 상기 컨택 전극(CE) 사이에 형성된 게이트 절연층(120), 드레인 전극(DE) 및 패시베이션층(140)에 의해 스토리지 커패시터(Cst)가 정의된다. 한편, 제1 서브 화소 전극(PEs1), 패시베이션층(140) 및 드레인 전극(DE)에 의해 커플링 커패시터(Ccp)가 정의된다. 여기서, 스토리지 커패시터(Cst) 및 커플링 커패시터(Ccp)를 형성하는 드레인 전극(DE)의 영역은 D1-D2 평면상에서 소정의 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 이와 같이, 데드 스페이스(dead space)인 공통 전극(250)의 개구부(OAs1)(OAs2) 영역에 커플링 커패시터(Ccp)를 형성함으로써, 개구율 및 측면 시인성이 향상되는 액정표시패널을 구현할 수 있는 것이다.
이를 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
상술한 바와 같이 엠-피브이에이(M-PVA: Multi-domain Patterned Vertical Alignment) 모드의 액정표시패널의 경우, 상하좌우 시야각 특성이 매우 우수하여, 그 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. 그러나, 이와 같은 엠-피브이에이(M-PVA: Multi-domain Patterned Vertical Alignment) 모드의 액정표시패널은 시야각 별로 감마(gamma) 변화가 심하여, 측면에서 그레이(gray) 뭉침과 같은 현상이 발행하여 측면 시인성이 저하되는 컬러 쉬프트(color shift)가 발생하는 문제점이 존재하였다. 이와 같은 컬러 쉬프트(color shift) 발생을 방지하기 위하여, 한 픽셀을 두 개 이상의 서브 픽셀로 나누어 각각의 서브 픽셀에 대하여 다른 계조 전압을 입력하여, 한 픽셀 내에서 이중 계조를 믹싱하는 방법이 연구되고 있었다. 그러나 이러한 방법들은 모두 픽셀 개구율의 저하를 야기하며, 제조 비용이 증가한다는 문제점이 존재하였다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널은 픽셀 전극의 개구부에 커패시터를 형성하여, 개구율 감소 없이도 측면 시인성을 향상시키는 것을 일 특징으로 한다.
즉, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 액정표시패널은 하나의 화소 영역(PA) 내에 두 개의 서브 화소 영역(PAs1)(PAs2)이 배치되도록 구성된다. 그리고, 각 서브 화소 영역(PAs1)(PAs2)마다 도메인(domain) 형성을 위한 개구부(OAs1)(OAs2)가 형성된다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널에서는, 화소 전극(PE)이 제1 서브 화소 전극(PEs1), 제2 서브 화소 전극(PEs2), 컨택 전극(CE) 및 연결 전극(BE)을 포함하도록 형성하고, 제1 서브 화소 전극(PEs1)과 컨택 전극(CE)이 서로 분리 형성되도록 함으로써, 제1 서브 화소 영역(PAs1)의 제1 개구부(OAs1)와 대응되는 영역에 서브 화소 영역별 차등 전압이 가능하게 하는 커플링 커패시터(Ccp)가 형성되도록 한다.
즉, 스토리지 커패시터(Cst)를 형성하는 드레인 전극(DE)이 제1 서브 화소 영역(PAs1)의 제1 개구부(OAs1)까지 연장 형성되도록 하여, 데이터 브리지(data bridge) 역할을 수행하도록 한다. 동시에 상기 드레인 전극(DE), 제1 서브 화소 전극(PEs1) 및 그 사이에 개재되는 패시베이션층(140)은 커플링 커패시터(Ccp)를 형성한다. 이와 같이 분리된 제1 서브 화소 전극(PEs1)을 통해 제1 서브 화소 영역(PAs1)에는 커플링 커패시터(Ccp)에 인가되는 전압만큼 감소된 액정 전압이 인가되는 것이다. 반면, 제2 서브 화소 영역(PAs2)에서는 기존 구조와 동일하게 ITO로 형성된 연결 전극(BE)이 데이터 브리지(data bridge) 역할을 수행하여 스토리지 커패시터(Cst)와 제2 서브 화소 전극(PEs2) 연결된다. 이때, 공통 전극(250)은 서브 화소 영역에 관계없이 화소 영역 전체에 걸쳐 모두 형성되어 있지만, 화소 전극(PE)은 제1 서브 화소 영역(PAs1)과 제2 서브 화소 영역(PAs2)에서 서로 분리 형성되는 것이다.
여기서, 커플링 커패시터(Ccp)의 용량은 패시베이션층(140)의 높이와 데이터 브리지(data bridge) 역할을 수행하는 드레인 전극(DE)의 면적에 의해 조절이 가능하다 할 것이다.
이와 같은 본 발명에 의해서, 데드 스페이스(dead space)인 제1 개구부(OAs1) 영역 내에 화소 전압에 직렬이 되도록 커플링 커패시터(Ccp)를 형성함으로써, 개구율 손실을 최소화하고, 측면 시야각이 보상된 액정표시패널을 구현할 수 있는 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 액정표시패널의 한 화소는 데이터 배선(DL), 게이트 배선(GL), 스토리지 배선(STL), 스위칭 소자(TR), 제1 서브 화소 영역(PAs1), 커플링 커패시터(Ccp) 및 제2 서브 화소 영역(PAs2)을 포함한다.
상기 스위칭 소자(TR)의 게이트 전극은 상기 게이트 배선(GL)과 전기적으로 연결되며, 소스 전극은 상기 데이터 배선(DL)과 연결되고, 드레인 전극은 상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)과 전기적으로 연결된다.
상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)은 제1 액정 커패시터(Clc1)와 커플링 커패시터(Ccp)로 이루어진다. 상기 커플링 커패시터(Ccp)는 상기 스위칭 소자(TR)의 드레인 전극과 제1 액정 커패시터(Clc1)의 사이에 위치한다. 상기 제1 액정 커패시터(CLc1)의 일단은 상기 커플링 커패시터(Ccp)와 전기적으로 연결되고, 타단은 상기 공통 전압(Vcom)이 인가되는 상기 공통 전극과 전기적으로 연결된다.
상기 제2 서브 화소 영역(PAs2)은 제2 액정 커패시터(Clc2)와 스토리지 커패시터(Cst)로 이루어진다. 상기 제2 액정 커패시터(Clc2)의 일단은 상기 스위칭 소자(TR)의 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 타단은 공통 전압(Vcom)이 인가되는 공통 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 제2 액정 커패시터(Clc2)와 병렬로 연결되며, 일단은 상기 제2 액정 커패시터(Clc2)의 일단과 전기적으로 연결되고, 타단은 상기 스토리지 배선(STL)과 전기적으로 연결된다.
상기 게이트 배선(GL)으로 게이트 전압이 제공되면, 상기 스위칭 소자(TR)가 턴온되어, 상기 데이터 배선(DL)으로 인가된 데이터 전압은 상기 드레인으로 출력된다. 상기 스위칭 소자(TR)의 드레인으로 출력된 데이터 전압은 상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)과 상기 제2 서브 화소 영역(PAs2)에 각각 충전된다. 이때, 상기 커플링 커패시터(Ccp)에 의해서 상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)에 충전된 전압은 상기 제2 서브 화소 영역(PAs2)에 충전된 전압보다 작아진다. 즉, 커플링 커패시터(Ccp)에 인가된 전압만큼 감소된 액정 전압이 제1 서브 화소 영역(PAs1)에 인가되는 것이다.
상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)과 상기 제2 서브 화소 영역(PAs2)에 충전된 전압의 차이에 의해서, 상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)과 상기 공통 전극 사이에 형성된 액정 분자들은 상기 제2 서브 화소 영역(PAs2)과 상기 공통 전극 사이에 형성된 액정 분자들보다 눕는 정도가 작아진다. 따라서, 상기 제1 서브 화소 영역(PAs1)과 상기 제2 서브 화소 영역(PAs2)에서 투과되는 광의 양이 합성되면서 정면에서는 기존과 동일한 휘도를 나타내면서 측면 시야각을 향상시킬 수 있는 것이다.
이와 같은 액정표시패널에 의하여, 화소 영역의 개구부가 감소하지 아니하면서도 패널의 측면 시인성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 제1 기판 200: 제2 기판
300: 액정층 120: 게이트 절연층
130: 반도체층 140: 패시베이션층
PE: 화소 전극 PEs1: 제1 서브 화소 전극
PEs2: 제2 서브 화소 전극 CE: 컨택 전극
BE: 연결 전극 TR: 스위칭 소자
SE: 소스 전극 DE: 드레인 전극
GE: 게이트 전극 STL: 스토리지 라인

Claims (18)

  1. 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역을 가지는 화소 영역에 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판; 및
    상기 제1 기판과 결합하여 액정층을 수용하고, 상기 화소 영역과 대응하는 영역에 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판;을 포함하고,
    상기 화소 전극은,
    상기 제1 서브 화소 영역에 형성되는 제1 서브 화소 전극;
    상기 제2 서브 화소 영역에 형성되는 제2 서브 화소 전극; 및
    상기 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역 사이에 형성되는 컨택 전극;을 포함하며, 상기 제1 서브 화소 전극과 상기 컨택 전극이 일정 정도 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 기판은, 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연되도록 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하고,
    상기 드레인 전극은 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소 전극, 상기 패시베이션층 및 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성된 드레인 전극은 커플링 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 적어도 일부가 중첩되도록 형성된 스토리지 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스토리지 배선, 상기 패시베이션층 및 상기 컨택 전극은 스토리지 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소 전극은 플로팅(floating) 전극인 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 전극에서 상기 제1 서브 화소 전극과 대응하는 영역의 적어도 일부에는 제1 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 기판은, 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성되는 드레인 전극; 및 상기 화소 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되는 패시베이션층을 더 포함하고,
    상기 제1 개구부가 형성된 영역의 상기 제1 서브 화소 전극, 상기 패시베이션층 및 상기 드레인 전극은 커플링 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소 전극과 상기 컨택 전극을 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  11. 제1 기판상에 형성되며, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 스위칭 소자;
    상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며 제1 액정 커패시터와 커플링 커패시터를 포함하는 제1 서브 화소 영역; 및
    상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며 제2 액정 커패시터를 포함하는 제2 서브 화소 영역;을 포함하고,
    상기 제1 서브 화소 영역에 충전되는 전압값이 상기 제2 서브 화소 영역에 충전되는 전압값보다 작도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 드레인 전극과 상기 제1 액정 커패시터 사이에는 상기 커플링 커패시터가 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소 영역과 상기 제2 서브 화소 영역 사이에 형성되는 스토리지 커패시터를 더 포함하는 액정표시패널.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 소스 전극과 전기적으로 연결되는 데이터 배선;
    상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 게이트 배선; 및
    상기 스토리지 커패시터의 일단과 연결되며 상기 게이트 배선이 연장된 방향과 실질적으로 평행하게 연장되는 스토리지 배선을 더 포함하는 액정표시패널.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 기판과 마주보도록 배치된 제2 기판을 더 포함하고,
    상기 제2 기판에는 공통 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 공통 전극에서, 상기 커플링 커패시터가 형성되는 영역에는 제1 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소 영역에 형성되는 제1 서브 화소 전극;
    상기 제2 서브 화소 영역에 형성되는 제2 서브 화소 전극; 및
    상기 제1 서브 화소 영역과 제2 서브 화소 영역 사이에 형성되는 컨택 전극;을 더 포함하며, 상기 제1 서브 화소 전극과 상기 컨택 전극이 일정 정도 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되는 패시베이션층을 더 포함하고,
    상기 드레인 전극은 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성되며,
    상기 제1 서브 화소 전극, 상기 패시베이션층 및 상기 제1 서브 화소 영역으로 연장 형성된 드레인 전극은 커플링 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
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