KR20120008043A - 반도체 발광 장치를 포함하는 백라이트 - Google Patents

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필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨
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Abstract

디스플레이에서 도파관으로서 기능할 수 있는, 투명 부재(50) 내의 제1 개구(54)에 반도체 발광 다이오드(64)와 같은 광원(60)이 배치된다. 상기 투명 부재는 광원을 둘러싼다. 상기 투명 부재 내의 제2 개구(70)에는 어떤 광원도 배치되지 않는다. 몇몇 실시예들에서, 상기 제1 개구는 상기 투명 부재 안으로 광을 유도하도록 모양 지어진다. 몇몇 실시예들에서, 상기 광원 위쪽에 반사기(66)가 배치된다. 상기 반사기는 평평한 부분 및 모양 지어진 부분(68)을 포함한다. 상기 모양 지어진 부분은 상기 평평한 부분으로부터 상기 광원 쪽으로 연장한다.

Description

반도체 발광 장치를 포함하는 백라이트{BACKLIGHT INCLUDING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES}
본 발명은 투명 부재 내의 개구(opening)에 배치된 광원을 포함하는 조명 장치에 관련된다. 그러한 조명 장치는, 예를 들면, 디스플레이를 위한 백라이트로서 사용될 수 있다.
발광 다이오드(LED)와 같은 반도체 발광 장치들은 현재 이용 가능한 가장 효율적인 광원들 중 하나이다. 가시 스펙트럼에 걸쳐 동작 가능한 고휘도 LED들의 제조에서 현재 흥미 있는 재료 시스템들은 그룹 Ⅲ-Ⅴ 반도체들, 특히 Ⅲ-질화물 재료로도 불리는, 갈륨, 알루미늄, 인듐, 및 질소의 2원, 3원, 및 4원 합금들; 및 갈륨, 알루미늄, 인듐, 비소, 및 인의 2원, 3원, 및 4원 합금들을 포함한다. 종종 Ⅲ-질화물 장치들은 사파이어, 실리콘 카바이드, 또는 Ⅲ-질화물 기판들 위에 에피택셜 성장되고 Ⅲ-인화물 장치들은 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 분자 빔 에피택시(MBE), 또는 다른 에피택셜 기법들에 의해 갈륨 비화물 위에 에피택셜 성장된다. 종종, 기판 위에 n형 영역이 증착되고, 그 후 n형 영역 위에 발광 또는 활성 영역이 증착되고, 그 후 활성 영역 위에 p형 영역이 증착된다. 층들의 순서는 p형 영역이 기판에 인접하도록 반대로 될 수 있다.
반도체 발광 장치들의 하나의 장래성 있는 용도는 액정 디스플레이(LCD)의 백라이트를 위한 것이다. LCD들은 휴대폰, PDA(personal digital assistant), 휴대용 음악 재생기, 랩톱 컴퓨터, 및 텔레비전 응용들에서 일반적으로 사용된다. 본 발명의 하나의 실시예는 백라이팅을 필요로 하는 컬러 또는 흑백 투과형 LCD를 다루며, 여기서 백라이트는 백색 또는 색채 광(colored light)을 방출하는 하나 또는 그 이상의 LED를 사용할 수 있다. 백색광 생성을 위해 청색 LED들 및 원격의 형광체 층(remote phosphor layer)을 사용하는 실시예들도 가능하다. LED들은 비간섭성 광(incoherent light)을 방출한다는 점에서 레이저 다이오드들과 구별된다.
여기에 참고로 통합되는, 미국 공개 출원 2009-0045420에서 하나의 백라이트가 설명되어 있고, 도 1에서 도시되어 있다. "마운트(22) 위에 마운팅된 측면 발광(side-emitting) LED(10)가 고체의 투명 도파관 재료의 부분(36) 내의 개구에 배치된다....도파관 부분(36)은 보다 큰 도파관(40)의 슬롯(42)에 배치된다."
[개요]
본 발명의 실시예들은 디스플레이를 위한 백라이트로서 사용될 수 있는 조명 장치들에 관련된다. 본 발명의 목적은 실제 및 가상 광원들을 위한 개구들을 갖는 투명 부재를 제공하는 것이다. 디스플레이에서 도파관으로서 기능할 수 있는, 상기 투명 부재의 제1 개구에 반도체 발광 다이오드와 같은 광원이 배치된다. 상기 투명 부재는 광원을 둘러싼다. 상기 조명 장치의 실시예들에는, 측면 발광 LED들보다는 상면 발광(top-emitting) LED들이 사용될 수 있다. 상기 투명 부재 내의 제2 개구에는 어떤 광원도 배치되지 않는다. 상기 제2 개구는 가상 광원으로서 기능할 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 상기 광원 위쪽에 반사기가 배치된다. 상기 반사기는 평평한 부분(flat portion) 및 모양 지어진 부분(shaped portion)을 포함한다. 상기 모양 지어진 부분은 상기 평평한 부분으로부터 상기 광원 쪽으로 연장한다. 본 발명의 실시예들은 상기 조명 장치가 광의 충분한 균일성 및 혼합으로 희망하는 양의 광을 생성하기 위해 필요한 광원들의 수를 감소시킬 수 있다.
도 1은 도파관에 배치된 도파관 부분의 사시도이다.
도 2는 오버몰딩된 돔 렌즈(overmolded dome lens)를 갖는 박막 플립 칩 LED의 단면도이다.
도 3은 도파관의 일부 내의 개구에 배치된 LED의 상면도이다.
도 4는 도파관 내의 개구에 배치된 LED의 단면도이다.
도 5는 실제 및 가상 광원들을 갖는 도파관의 일부의 상면도이다.
도 6은 광을 반사하는 특징부(feature)를 포함하는 도파관의 일부의 상면도이다.
도 7은 모양 지어진 렌즈를 갖는 LED를 도시한다.
도 8은 도파관의 일부의 상면도이다.
US 2009-0045420에서 설명된 백라이트와 같은, 도파관 내부에 LED들이 배치되어 있는 백라이트들은, 도파관과, 그에 따라 백라이트가 얇게 유지될 수 있기 때문에, 유익하다. 백라이트의 비용을 감소시키기 위해, 백라이트에서 사용되는 LED들의 수를 감소시키는 것도 바람직하다. LED의 상면으로부터 대부분의 광을 방출하는 LED들은 US 2009-0045420에서 설명된 측면 발광 LED들보다 약간 더 높은 플럭스(flux)를 가질 수 있다. 본 발명의 실시예들은 도파관 내부에 배치된 상면 발광 LED들을 갖는 백라이트들과 같은 장치들에 관련된다.
적당한 상면 발광 LED의 일례는 오버몰딩된 돔 렌즈를 갖는 LED이다. 예를 들면, 여기에 참고로 통합되는, 미국 특허 7,344,902에서 돔 렌즈를 갖는 적당한 LED의 예들이 설명되어 있다. 도 2는 여기에 참고로 통합되는, 미국 특허 7,344,902에서 설명된, 돔 렌즈를 갖는 LED의 단순화된 근접도이다. 세라믹 또는 실리콘과 같은, 임의의 적당한 재료로 형성된 마운트(24) 위에 단일 플립칩 LED 다이(10)가 마운팅되어 있다. 도 2의 LED 다이(10)는 p-금속 콘택트(27), p형 층들(28), 발광 활성층(30), n형 층들(32), 및 n형 층들(32)과 접촉하는 n-금속 콘택트들(31)을 갖는다. 마운트(24) 위의 금속 패드들이 콘택트들(27 및 31)에 직접 금속 접합되어 있다. 마운트(24)를 관통하는 비아들(vias)은 마운트(24)의 하면 위의 금속 패드들에서 종단하고, 이 금속 패드들은 회로 보드(45) 위의 금속 리드들(metal leads)(40 및 44)에 접합되어 있다. 금속 리드들(40 및 44)은 다른 LED들에 또는 전원에 연결되어 있다. 회로 보드들(45)은 절연층 위에 있는 금속 리드들(40 및 44)을 갖는 금속판(예를 들면, 알루미늄)일 수 있다. 몰딩된 렌즈(22)는 LED 다이(10)를 캡슐 형태로 둘러싼다(encapsulate).
n형 층들(32), 발광층(30), 및 p형 층들(28)은 성장 기판 위에 성장되고, 그 후 발광층(30) 및 p형 층(28)의 일부가 에칭 제거되어 n형 층들(32)의 일부를 드러낸다. n형 및 p형 반도체 층들의 노출된 부분들에 n-콘택트 및 p-콘택트(31 및 27)가 형성된다. LED(10)의 두께를 감소시키기 위해 및 성장 기판에 의해 광이 흡수되는 것을 막기 위해, 성장 기판은, 에칭, 화학-기계 연마, 또는 레이저 용융과 같은, 그 기판에 적합한 방법에 의해 제거되는데, 레이저 용융에서는 레이저가 Ⅲ-질화물 구조물과 성장 기판의 경계면을 가열하여, Ⅲ-질화물 구조물의 일부를 녹이고 반도체 구조물로부터 기판을 떼어놓는다. 성장 기판은 LED들의 어레이가 서브마운트 웨이퍼 위에 마운팅된 후에 및 LED들/서브마운트들이 (예를 들면, 소잉(sawing)에 의해) 싱귤레이트(singulate)되기 전에 제거될 수 있다.
성장 기판이 제거된 후에, 몇몇 실시예들에서 남아 있는 Ⅲ-질화물 구조물은 시닝되고(thinned) 및/또는 예를 들면 광결정을 이용해 러프닝되거나(roughened) 패터닝된다(patterned).
발광층(30)으로부터 방출된 청색광의 적어도 일부를 파장-변환하기 위해 LED의 상부 위에, 도 2에서 도시되지 않은, 실질적으로 평면의 형광체 층이 배치될 수 있다. 형광체 층은 세라믹 시트로서 미리 형성되어 LED 층들에 부착될 수 있고, 또는 전기 이동법(electrophoresis) 같은 것에 의해, 형광체 입자들이 퇴적될 수 있다. 형광체 층에 의해 방출된 광은, LED의 활성 영역으로부터의 청색광과 혼합될 때, 백색광 또는 다른 희망하는 색을 생성한다. 예를 들면, 청색 발광 LED가 단일 황색 발광 형광체와, 또는 적색 발광 형광체 및 녹색 발광 형광체와 조합되어, 백색광을 생성할 수 있다. 만약 UV 발광 LED가 사용된다면, 청색 발광 형광체가 추가될 수 있다. 혼합된 백색광의 희망하는 색점(color point)을 달성하기 위해 광의 다른 색들을 방출하는 형광체들이 LED에 추가되거나 또는 시스템 내의 다른 곳에 원격으로 추가될 수 있다.
그 후 LED(10) 위쪽에 도 2에서 도시된 돔 렌즈(20)가 몰딩될 수 있다. 본 발명의 실시예들은, 돔 렌즈(10)를 갖는 또는 돔 렌즈(10)가 없는, 도 2에서 도시된 것과 같은, 박막 플립 칩 LED들을 이용할 수 있다. 장치의 방사 패턴을 변경하기 위해 도 2에서 도시된 구형의 돔 렌즈와 다른 렌즈 모양들이 사용될 수 있다. 렌즈는 도파관의 평면에서 약간 더 많이 시준되는 것과 같이 도파관에서의 광선 각도들 및 전파를 제어하도록 모양 지어질 수 있다. 도 7은 모양 지어진 렌즈(76)를 갖는 장치를 도시한다. 렌즈(76)는 (도 4에 관련하여 하기에 설명되는) 반사기(66)로 광을 유도하도록 모양 지어진 상부 부분(78), 및 도파관(50)으로 광을 유도하도록 모양 지어진 하부 부분을 포함한다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 도파관에 배치된 상면 발광 LED의 상면도이다. 비록 돔 렌즈를 갖는 LED가 도시되어 있지만, 돔 렌즈가 없는 장치가 사용될 수 있다. (도 3에서 도시되지 않은) 마운트 위에 마운팅된 돔으로 덮인(domed) LED(60)가 고체의 투명 도파관(50)의 에지(52) 가까이에 형성된 개구(54)에 배치되어 있다. 개구(54)에 LED(60)의 용이한 배치를 위해, LED(60)의 돔의 에지가 개구의 에지로부터 100 미크론과 2.5 mm 사이에 있도록 개구들(54)은 충분히 클 수 있다. 도파관(50)은, 예를 들면, 아크릴(예를 들면, PMMA), 하드 실리콘(hard silicone), 몰딩된 플라스틱, 폴리카보네이트, 또는 임의의 다른 적당한 재료일 수 있다. 미러 필름(mirror film)(미도시)이 도파관(50)의 하부를 커버할 수 있다. 그 필름은, 예를 들면, 3M 코포레이션으로부터 입수 가능한 ESR(enhanced specular reflector) 필름일 수 있다.
개구(54)는 도파관(50) 안으로 광을 유도하도록 모양 지어진다. 도 3에서 도시된 장치에서, 도파관(50)의 에지(52)에 가까운 개구(54)의 부분(58)은 V 모양인 반면, 에지로부터 가장 먼 개구(54)의 부분(56)은 곡선 모양이다. 곡선 모양의 에지(56)에 입사하는 광(53)은, 도시된 바와 같이, 도파관(50) 안으로 방출된다. V 모양의 에지(58)에 입사하는 광(51)은 도파관 에지(52) 쪽으로 굴절되고, 거기서 그것은 도파관(50) 안으로 반사된다. 단순한 둥근 모양 또는 약간 타원 모양의 개구들(54)이 이용될 수도 있다. 또한, LED 총수를 감소시키면서 희망하는 균일성을 달성하기 위해 도파관에서의 광의 분포를 퍼지게 하기 위해 인-커플링(in-coupling) 에지들(56 및 58)의 에지들은 물결 모양으로 만들어질 수 있다(corrugated).
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 도파관에 배치된 상면 발광 LED의 단면이다. 비록 돔 렌즈가 없는 LED가 도시되어 있지만, 돔 렌즈를 갖는 장치가 사용될 수 있다. LED(60)는 지지물(62) 위에 마운팅된 반도체 LED 구조물(64)을 포함한다. 지지물(62)은 도파관(50)의 하면(55)보다 아래에 있고 반도체 구조물(64)은 도파관(50)의 하면(55)보다 위에 있도록 LED(60)는 도파관(50) 내의 개구(54)에 배치될 수 있다. 기판(62)의 상면(63)은 반사성일 수 있다.
LED(60)는 상면 발광 LED이므로, 방출된 광을 도파관(50)으로 다시 유도하기 위해 LED(60) 위쪽에 반사기(66)가 배치되어 있다. 반사기(66)는, 도 4에서 도시된 바와 같이, 도파관(50)으로 광을 유도하기 위해, 도파관(50)의 상면(57) 아래로 돌출하는 부분(68)을 포함할 수 있다. 돌출 부분(68)은 반도체 구조물(64)의 상면에 수직으로 방출된 광을, 그것이 흡수될 수 있는, 반도체 구조물(64)로 도로 곧장 반사하는 것을 피하도록 모양 지어질 수 있다(반도체 구조물에서 그것은 흡수될 수 있다). 돌출 부분(68)을 위한 하나의 적당한 모양은, 도 4에서 도시된 것과 같은, 원뿔이다. 도 4에서 도시된 원뿔은 LED 돔의 직경과 개구(54)의 치수 사이의 치수를 가질 수 있다. 곡선 모양 또는 포물선 모양과 같은 다른 모양들이 가능할 수 있다. 반사기 각도는, 예를 들면, 15°에서 60°까지 변화할 수 있다. 반사기(66)는 플라스틱과 같은 임의의 단단한 재료로 형성될 수 있고, 반사성 금속, 코팅, 페인트, 또는 다이크로익 스택(dichroic stack)과 같은 반사성 재료로 코팅될 수 있다. 대안적으로, 반사기(66)는 전반사(total internal reflection)를 일으키는 재료로 형성될 수 있다. 반사기(66)는, 예를 들면, 개구(54)와 동일한 가로 범위(lateral extent)를 갖거나, 약간 더 클 수 있고, 따라서 반사기(66)의 에지들은 도파관(50)의 상부에 위치할 수 있다.
컴퓨터 모니터 또는 텔레비전을 위한 것과 같은, 큰 백라이트에서는, 도파관(50)의 에지(52)를 따라서 다수의 LED들이 배치된다. LED들 및 개구들의 간격은 사용되는 LED들의 수와 백라이트의 선형 치수의 함수이다. 예를 들면, 종래의 24 인치 백라이트에서는, 양호한 색 균일성을 달성하기 위해 60개의 LED가 사용될 수 있다. 설명된 실시예들을 이용하면 균일성을 희생하거나 베즐 길이(bezel length)를 증가시키지 않고 동일한 24 인치 백라이트에 대하여 LED들의 수는 15 내지 30개의 LED들로 감소될 수 있다.
도 5는 도파관의 일부의 상면도이다. 위에 도 3에서 도시된 바와 같이, 2개의 LED들(60)이 개구들(54)에 배치되어 있다. 개구들(54) 사이에 일정한 간격을 둔 개구(70)는 LED를 포함하지 않는다. LED들(60)로부터 방출된 광은 개구(70)의 에지들에서 반사하여, 개구(70)를 "가상" 광원으로 보이게 한다. 몇몇 실시예들에서, 개구(70)의 하나 또는 그 이상의 에지들은 반사성 재료로 코팅된다. 가상 광원들은 LED 개구들 사이에 배치될 수 있고 LED 폭으로부터 LED들 사이의 공간의 3/4까지 폭이 넓어질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 개구(70)는 공기 또는 낮은 굴절률의 실리콘과 같은 낮은 굴절률을 가진 재료로 채워진다. 그 안에 배치된 LED들이 없는 개구들(70)을 포함하는 것은, 비어 있는 개구들(70)이 없는 동일한 수의 LED들을 갖는 백라이트와 비교하여, 백라이트의 균일성을 개선할 수 있고, 또는 도파관(50)에서의 광의 주어진 레벨의 혼합 및 균일성을 위하여, 비어 있는 개구들(70)이 없는 백라이트와 비교하여, LED들(60)이 더 간격을 두고 떨어지는 것을 허용할 수 있다. 개선된 혼합 및 균일성은 요구되는 백라이트 및 모니터 베즐 높이를 감소시킬 수 있고 따라서 LED의 수를 감소시킬 때 최소화되거나 일정하게 유지될 수 있다.
도 6은 LED들을 위한 개구들 사이의 도파관의 에지들에 형성된 특징부들을 갖는 도파관의 상면도이다. 도 5에서 도시된 비어 있는 개구들(70) 대신에, 또는 그에 더하여, 도 6의 장치에서는, 도파관(50)의 에지(52)에 특징부들(72)이 형성되어 있다. 특징부들은 LED들(60)에 의해 인접한 LED들 쪽으로 방출된 광을 도파관(50)의 바디 내로 반사하도록 모양 지어진다. 특징부(72)를 위한 적당한 모양의 일례는, 도 6에서 도시된 것과 같은, 도파관(50)의 에지(52) 내의 V 모양의 새김눈(notch)이다. 몇몇 실시예들에서, 특징부들(72)은 곡선 모양이다. 특징부(72)를 포함하는, 도파관(50)의 에지(52)는 반사성일 수 있다(예를 들면, 그 에지를 반사성 필름으로 코팅하거나 그 에지에 필름을 부착하는 것에 의해). 도 6에서 도시된 바와 같이, LED들(60)이 배치되는 개구들(54)은 도 3에서 도시된 것과 같이 모양 지어질 필요가 없다. 도 6에서 도시된 장치에서는, 개구들(54)이 둥근 모양이다. 다른 모양들도 본 발명의 범위 내에 있다. V 모양의 특징부들은 LED 가까이에서 시작되고 연속적인 곡선 모양을 가질 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 다양한 도면들에서 도시된 특징들이 조합될 수 있다. 예를 들면, 위에 설명한 바와 같이, 돔 렌즈들을 갖는 또는 돔 렌즈들이 없는 상면 발광 LED들이 사용될 수 있다. 도 4에서 도시된 상부 반사기는 도 3, 5, 및 6에서 도시된 디바이스들 내의 개구들 위에 사용될 수 있다. 상이한 모양들을 갖는 개구들이 다양한 실시예들에서 사용될 수 있다. 도 8은 일부 변형들을 도시한다. 도 6에서 도시된 특징부들(72)에 더하여 또는 그 대신에, 도파관(50)의 에지는, 도 8에서 도시된 가리비 모양(scalloped shape)(80)에서와 같이, 에지가 연속적으로 텍스처되도록, 서로에 인접하여 배치된 다수의 특징부들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 에지 상의 다수의 특징부들은 서로에 인접하여 배치되고, 그 후 텍스처되지 않은 에지의 부분에 의해 에지 상의 다수의 특징부들의 다음 그룹과 분리될 수 있다. 가상 광원들(84)은 실제 광원들이 배치되어 있는 개구들(86)보다 도파관(50)의 에지에 더 가까이 간격들 두고 있을 수 있다. 다수의 가상 광원들(84)이 하나의 실제 광원(86) 가까이에 배치될 수 있다. 가상 광원 및 실제 광원 양쪽 모두를 위한 개구들에 다른 모양들이 이용될 수 있다. 도 8에서 도시된 개구(82)는, 개구의 중심으로부터 떨어져 밖으로 곡선을 그리는 곡선 모양 부분(82b)에 대립되는 것으로서, 개구의 중심 쪽으로 안으로 곡선을 그리는 곡선 모양 부분(82a)을 갖는다.
위에 설명된 실시예들은 LCD 디스플레이를 위한 백라이트로서 사용될 수 있다. 완성된 디스플레이에서, 광을 확산하기 위해 도파관(50)의 상면 위에 얇은 확산기 필름이 부착될 수 있다. 그 확산기 필름 위에는 도파관(50)의 바로 정면에 비교적 작은 각도 안으로 광을 재유도(redirect)하여 수직 시야 방향(normal viewing direction)으로 휘도를 증가시키기 위해 휘도 향상 필름(brightness enhancement film; BEF)이 배치될 수 있다. 그 후 도파관(50) 위에 종래의 컬러 또는 흑백 LCD가 배치된다. LCD는 픽셀 셔터들(예를 들면, TFT 어레이와 함께 액정층), 편광자들, 및 RGB 필터들을 이용하여 컬러 이미지들을 생성할 수 있다. 그러한 LCD들은 잘 알려져 있다. 위에 설명된 실시예들의 다른 응용들은 얇은 포스터 박스를 포함한다.
본 발명을 상세히 설명하였고, 이 기술의 숙련자들은, 본 명세서가 주어지면, 여기에 설명된 발명의 개념의 정신으로부터 일탈하지 않고 본 발명에 수정들이 이루어질 수 있다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 도시되고 설명된 특정한 실시예들에 제한되는 것으로 의도되지 않는다.

Claims (15)

  1. 장치로서,
    n형 영역과 p형 영역 사이에 배치된 발광층을 포함하는 반도체 구조(64)를 포함하는 광원(60); 및
    제1 개구(54) 및 제2 개구(70)를 포함하는 투명 부재(50)를 포함하고,
    상기 광원은 상기 투명 부재가 상기 광원을 둘러싸도록 상기 제1 개구 내에 배치되고;
    상기 제1 개구는 상기 투명 부재의 에지(52) 가까이에 배치되고;
    상기 제2 개구에는 어떤 광원도 배치되지 않은, 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들(54, 70) 각각은 상기 투명 부재(50) 내의 구멍을 포함하는, 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광원(60)은 광의 대부분이 상기 반도체 구조(64)의 상면을 통하여 상기 광원에서 방출되도록 구성되는, 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광원(60)은 상기 반도체 구조(64) 위쪽에 배치된 돔 렌즈(dome lens)를 포함하는, 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 개구(54)의 제1 부분(58)은 상기 에지(52)에 가깝고 상기 에지 쪽으로 광을 유도하도록 모양 지어지고;
    상기 제1 개구의 제2 부분(56)은 상기 에지의 반대 위치에(opposite) 있고 상기 에지로부터 떨어져 광을 유도하도록 모양 지어지는, 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 부분(58)은 V 모양이고 상기 제2 부분(56)은 곡선 모양인, 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 광원 위쪽에 배치된 반사기(66)를 더 포함하고, 상기 반사기는 평평한 부분 및 모양 지어진 부분(shaped portion)(68)을 포함하고, 상기 모양 지어진 부분은 상기 평평한 부분으로부터 상기 광원(60) 쪽으로 연장하는, 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반사기(66)의 상기 모양 지어진 부분(68)은 원뿔을 포함하는, 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 개구(54)는 곡선 모양 부분을 갖고 상기 제2 개구(70)는 적어도 하나의 곧은 측면(straight side)을 갖는, 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2 개구(70)의 측벽들에 배치된 반사성 코팅을 더 포함하는, 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 광원(60)은 제1 광원이고, 상기 장치는 제3 개구(54) 및 제2 광원(60)을 더 포함하고,
    상기 제2 개구(70)는 상기 제1 개구와 상기 제3 개구 사이에 배치되고;
    상기 제2 광원은 상기 제3 개구 내에 배치되는, 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 광원(60)은 제1 광원이고, 상기 장치는,
    상기 투명 부재(50)의 에지(52) 가까이에 배치된 제3 개구(54);
    상기 제3 개구 내에 배치된 제2 광원(60); 및
    상기 제1 개구와 상기 제3 개구 사이에 배치된 특징부(72; feature)를 더 포함하고,
    상기 특징부는 상기 투명 부재의 에지로부터 상기 투명 부재의 중심 쪽으로 연장하는, 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 특징부(72)는 상기 투명 부재(50) 내의 V 자형 노치(notch)인, 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 특징부는 곡선 모양인, 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 투명 부재(50) 위쪽에 배치된 액정층을 더 포함하는, 장치.
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