KR20110135276A

KR20110135276A - Laser drilling apparatus for forming via holes having function of wireless signal inspection and a processing method thereof

Info

Publication number: KR20110135276A
Application number: KR1020100055088A
Authority: KR
Inventors: 이원상; 황선하
Original assignee: 에스티에스반도체통신 주식회사
Priority date: 2010-06-10
Filing date: 2010-06-10
Publication date: 2011-12-16
Also published as: KR101448444B1

Abstract

PURPOSE: A laser apparatus for machining a via hole having a wireless signal inspection function and a machining method thereof are provided to rapidly array a substrate through the transmission of a wireless signal. CONSTITUTION: A laser apparatus for machining a via hole having a wireless signal inspection function comprises a worktable(10), a wireless signal unit(40), a wireless power source unit(30), a laser unit(20), and a test unit. The worktable comprises a substrate loading unit(18) in which a substrate(110) is placed. The wireless signal unit is located at the top of the worktable and transmits a wireless signal to an external device. The laser unit irradiates a laser for forming via holes. The test unit tests the via holes and semiconductor chips(100).

Description

Laser drilling apparatus for forming via holes having function of wireless signal inspection and a processing method

본 발명은 무선 신호 검사 기능을 가지는 비아 홀 가공용 레이저 장치 및 그 가공 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 무선 신호부 및 무선 전원부를 포함하며 무선 신호를 통한 검사 기능을 가지는 비아 홀 가공용 레이저 장치 및 비아 홀의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser apparatus for via hole processing having a wireless signal inspection function and a processing method thereof, and more particularly, to a via hole processing laser apparatus including a wireless signal unit and a wireless power supply unit and having an inspection function through a wireless signal; A method for processing via holes is provided.

전자 기술이 발달함에 따라, 전자 장치들이 축소된 크기를 가짐과 동시에 복합 기능을 수행하거나 많은 용량의 메모리를 탑재할 것이 요구된다. 이에 따라, 복수의 기판이 적층되는 구조를 사용하게 되며, 기판에 정밀한 비아 홀의 가공이 필요하게 된다. 비아 홀은 다른 층간의 연결 접속을 위한 홀과 부품을 삽입하기 위한 홀이 있다. As electronic technology develops, it is required that electronic devices have a reduced size and perform complex functions or mount large amounts of memory. Accordingly, a structure in which a plurality of substrates are stacked is used, and precise via hole processing is required for the substrate. Via holes have holes for connecting and connecting parts between different layers.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 무선 신호를 통해 기판의 정렬과 반도체 칩의 검사가 가능한 비아 홀 가공용 레이저 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a laser apparatus for via hole processing, which enables alignment of a substrate and inspection of a semiconductor chip through a wireless signal.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 상기 비아 홀 가공용 레이저 장치를 이용하여, 비아 홀 형성 전후에 반도체 칩을 검사하는 단계를 포함하는 비아 홀 가공 방법을 제공하는 것이다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a via hole processing method including the step of inspecting a semiconductor chip before and after via hole formation using the laser device for via hole processing.

본 발명의 일 형태에 따른 비아 홀 가공용 레이저 장치가 제공된다. 상기 비아 홀 가공용 레이저 장치는, 기판이 놓이는 기판 로딩부를 포함하는 워크 테이블; 상기 워크 테이블 상에 위치하고, 외부 장치와 무선 신호를 송수신할 수 있는 무선 신호부; 상기 워크 테이블 상에 위치하고, 무선으로 전력을 송수신할 수 있는 무선 전원부; 및 상기 워크 테이블 상에 위치하고, 비아 홀을 형성하기 위한 레이저를 조사할 수 있는 레이저부;를 포함한다. The laser device for via hole processing of one embodiment of the present invention is provided. The via hole processing laser device includes a work table including a substrate loading portion on which a substrate is placed; A wireless signal unit located on the work table and capable of transmitting and receiving wireless signals with an external device; A wireless power supply unit located on the work table and capable of wirelessly transmitting and receiving power; And a laser unit positioned on the work table and capable of irradiating a laser for forming a via hole.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 비아 홀 가공용 레이저 장치는, 상기 워크 테이블 상에 위치하고, 비아 홀 및 상기 기판 상의 반도체 칩들의 성능을 검사할 수 있는 테스트부;를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the via hole processing laser device may further include a test unit positioned on the work table and capable of inspecting the performance of the via hole and the semiconductor chips on the substrate.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 무선 신호부는 상기 워크 테이블 내에 실장될 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the wireless signal unit may be mounted in the work table.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 무선 신호부 및 상기 무선 전원부는 상기 테스트부 내에 실장될 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the wireless signal unit and the wireless power supply unit may be mounted in the test unit.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 무선 신호부는 무선 신호 송수신단, 무선 신호 회로부 및 무선 신호 제어부를 포함할 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the wireless signal unit may include a wireless signal transceiver, a wireless signal circuit unit, and a wireless signal controller.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 무선 신호 송수신단은 상기 워크 테이블 상의 기판 로딩부의 수직 상에, 상기 기판 로딩부를 향하도록 배치될 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the wireless signal transmitting and receiving end may be disposed to face the substrate loading part on the vertical of the substrate loading part on the work table.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 워크 테이블의 기판 로딩부는, 상기 외부 장치로부터 수신한 무선 신호의 세기 측정을 통해 상기 기판을 레이저 조사 위치로 정렬하기 위해 이동될 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the substrate loading unit of the work table may be moved to align the substrate to a laser irradiation position by measuring the intensity of a wireless signal received from the external device.

본 발명의 일 형태에 따른 비아 홀 가공용 레이저 장치를 이용한 비아 홀의 가공 방법이 제공된다. 상기 비아 홀의 가공 방법은, 비아 홀 가공용 레이저 장치와 기판 간의 무선 신호의 송수신을 통해 기판을 레이저 조사 위치로 정렬하는 단계; 상기 기판에 레이저를 조사하여 비아 홀을 형성하는 단계; 및 형성된 상기 비아 홀을 무선 신호의 송수신을 통해 검사하는 단계;를 포함한다.A method for processing via holes using a laser apparatus for via hole processing of one embodiment of the present invention is provided. The processing method of the via hole includes the steps of: aligning the substrate to a laser irradiation position by transmitting and receiving a radio signal between the via hole processing laser device and the substrate; Irradiating a laser to the substrate to form via holes; And inspecting the formed via hole by transmitting and receiving a wireless signal.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 비아 홀을 검사하는 단계 이후에, 상기 기판 상의 반도체 칩들의 성능을 무선 신호의 송수신을 통해 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, after inspecting the via hole, the method may further include inspecting performance of the semiconductor chips on the substrate through transmission and reception of a wireless signal.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 비아 홀을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상의 반도체 칩들의 성능을 무선 신호의 송수신을 통해 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, before the forming of the via hole, the method may further include checking performance of the semiconductor chips on the substrate through transmission and reception of a wireless signal.

본 발명의 실시예들에 따른 비아 홀 가공용 레이저 장치는 레이저가 조사되는 기판 또는 기판 상의 반도체 칩과 무선 신호의 송수신이 가능하므로, 기판의 신속한 정렬이　가능하며, 비아 홀 형성 전후에 비아 홀 및 반도체 칩의 기능에 대한 검사를 통해　공정 관리를 용이하게 수행할 수 있고, 반도체 칩에 대한 별도의 검사 단계를 생략할 수 있다.The laser device for via hole processing according to the embodiments of the present invention enables transmission and reception of a radio signal and a semiconductor chip on a substrate to which a laser is irradiated, and thus enables rapid alignment of the substrate, and enables the formation of via holes and semiconductors before and after via hole formation. By inspecting the function of the chip, the process management can be easily performed, and a separate test step for the semiconductor chip can be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 홀 가공용 레이저 장치를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 무선 신호부의 동작을 비아 홀 가공용 레이저 장치 및 이에 로딩되는 기판 상의 반도체 칩과 관련하여 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 3 내지 도 6은 도 1의 무선 신호부를 도시하는 개략도들이다.
도 7은 도 1의 무선 전원부의 전력 수신부를 도시하는 블록도이다.
도 8은 도 1의 무선 전원부의 전력 송신부를 도시하는 블록도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 비아 홀 가공용 레이저 장치들을 도시하는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 비아 홀 가공용 레이저 장치를 이용한 비아 홀의 가공 방법을 도시하는 흐름도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a laser apparatus for via hole processing according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram schematically illustrating an operation of the radio signal unit of FIG. 1 in relation to a laser device for via hole processing and a semiconductor chip on a substrate loaded thereon.
3 to 6 are schematic diagrams showing the wireless signal portion of FIG. 1.
FIG. 7 is a block diagram illustrating a power receiver of the wireless power unit of FIG. 1.
8 is a block diagram illustrating a power transmitter of the wireless power supply unit of FIG. 1.
9 and 10 are cross-sectional views illustrating laser apparatuses for via hole processing in accordance with other embodiments of the present invention.
11 is a flowchart illustrating a method of processing via holes using the laser apparatus for via hole processing according to the technical idea of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다.　 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다.　 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a", "an" and "the" may include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise. Also, as used herein, "comprise" and / or "comprising" specifies the presence of the mentioned shapes, numbers, steps, actions, members, elements and / or groups of these. It is not intended to exclude the presence or the addition of one or more other shapes, numbers, acts, members, elements and / or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다.　 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다.　 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as limited to any particular shape of the regions illustrated herein, including, for example, variations in shape resulting from manufacturing.

전자 제품들은 집적 회로, 수동 디바이스, 디스플레이 및 커넥터(connector)를 포함하는 전자 구성 성분들을 기판에 부착함으로써 구성된다. 기판들은 전자 구성 성분들을 고정시키고 구성 성분들 사이의 전기적인 연결을 제공한다. 기판들은 통상적으로 전도성인 요소들과 결합된 비전도성 층들을 포함한다. 이러한 기판 내에서 비전도성인 물질에 의해 분리될 수 있는 전도체를 상호 연결하기 위해 비아 홀 형성이 필요하며, 다층의 기판이 적층된 경우도 비아 홀 형성을 통해 상호 간의 전기적 연결이 가능하게 된다. 비아 홀의 형성 방법은 기계적 드릴링 공법, 플라즈마 에칭 공법 및 레이저 공법 등이 있으며, 레이저를 이용한 비아 홀 형성 방법을 통해 150 um 이하의 마이크로 비아 홀 형성이 가능하다.Electronic products are constructed by attaching electronic components to the substrate, including integrated circuits, passive devices, displays, and connectors. Substrates hold electronic components and provide electrical connections between the components. Substrates typically include non-conductive layers combined with conductive elements. Via hole formation is required to interconnect conductors that can be separated by non-conductive materials in such substrates, and even when multilayer substrates are stacked, via holes are formed to allow electrical connection to each other. The via hole may be formed by a mechanical drilling method, a plasma etching method, a laser method, or the like. The via hole forming method using a laser may be used to form micro via holes of 150 μm or less.

도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)를 도시하는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a laser apparatus 1 for via hole processing according to an embodiment of the inventive concept.

도 1을 참조하면, 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)는 워크 테이블(10)과, 워크 테이블(10) 상의 무선 신호부(40), 무선 전원부(30) 및 레이저부(20)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the laser apparatus 1 for via hole processing includes a work table 10, a wireless signal unit 40, a wireless power supply unit 30, and a laser unit 20 on the work table 10.

워크 테이블(10)은 기판(110)을 로딩하고, 기판(110) 상에 레이저를 조사하여 비아 홀을 형성하는 작업을 수행하기 위한 것으로, 기판 로딩부(18)가 워크 테이블(10)의 중심에 놓이며 기판 로딩부(18)에 반도체 칩(100)이 탑재된 기판(110)이 놓이게 된다. 워크 테이블(10)의 재료, 크기 및 형상은 다양할 수 있으며, 도면에 도시한 것에 한정되지 않는다. 상기 기판(110)은 통상적으로 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 비스말레이미드 트리아진(BT) 수지, FR-4(Flame Retardant 4), FR-5, 세라믹, 실리콘, 또는 유리를 포함할 수 있고, 단일층이거나 또는 그 내부에 배선 패턴들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. The work table 10 is for loading the substrate 110 and irradiating a laser onto the substrate 110 to form a via hole. The substrate loading unit 18 is the center of the work table 10. The substrate 110 on which the semiconductor chip 100 is mounted is placed on the substrate loading unit 18. The material, size, and shape of the work table 10 may vary, and are not limited to those shown in the drawings. The substrate 110 may typically include an epoxy resin, polyimide resin, bismaleimide triazine (BT) resin, Flame Retardant 4 (FR-4), FR-5, ceramic, silicon, or glass, It may be a single layer or may include a multilayer structure including wiring patterns therein.

무선 신호부(40)는 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)를 포함할 수 있다. 무선 신호부(40)는 무선 신호의 송신과 수신을 모두 할 수 있거나, 무선 신호의 송신 또는 수신 중 하나만을 할 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)은 외부 장치의 무선 신호 송수신부(미도시)로부터 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 또한, 무선 신호 송수신단(42)은 기판 또는 반도체 칩(100)에 포함되는 칩 신호 송수신단(미도시)으로부터 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 따라서, 무선 신호 송수신단(42)은 무선 신호를 송신 및 수신하도록 상기 외부 장치의 무선 신호 송수신부와 대응하여 위치하거나, 상기 기판 또는 반도체 칩에 포함되는 상기 칩 신호 송수신단과 대응하여 위치할 수 있다. 무선 신호 회로부(44)는 무선 신호 송수신단(42)에서 송신 또는 수신되는 신호를 발생시키거나 또는 변환시킬 수 있다. 무선 신호 제어부(46)는 무선 신호 송수신단(42) 및 무선 신호 회로부(44)가 신호를 송신 또는 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. 무선 신호부(40)를 통해 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)와 기판(110) 또는 반도체 칩(100) 간에 데이터의 송수신이 가능하며, 비아 홀 형성을 위한 기판(110)의 정렬(align)이 이루어질 수 있다. 기판(110)의 정렬은 비아 홀 형성 위치 파악을 위한 것으로, 광학 현미경 등을 통해 이를 관리하는 것이 일반적이지만, 본 발명에 따른 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)에서는 무선 신호만으로 정렬이 이루어질 수 있다. 기판(110)의 특정 부분 또는 특정 반도체 칩(100)에 있는 수신부(미도시)에 무선 신호를 송신하고, 목적하는 위치에 무선 신호가 수신된 경우의 신호의 세기값과 비교하여 원하는 좌표로 기판(110)이 이동되도록 할 수 있다. 다시 말해, 상기 무선 신호의 세기가 소정의 임계 세기값(critical intensity) 이상이면 목적 위치인 것으로 판단하고, 그 미만인 경우 정렬 실패로 판단하여 무선 신호가 임계 세기값 이상 검출될 때까지 상기 기판 로딩부(18)를 두 축으로 이동하여 기판(110)이 이동되도록 할 수 있다. 또한, 정렬을 위해 3개 이상의 기판(110) 또는 반도체 칩(100) 상 지점의 무선 송수신단(미도시)으로부터 인가 받은 무선 신호의 세기를 거리로 환산하고, 환산된 거리를 기준으로 목적 위치를 판단하는 것도 가능하다. 기판(110)의 정렬 상태 판단을 위해서 별도의 제어부(미도시)를 포함할 수도 있다. 무선통신에 의한 기판(110) 정렬을 통해 공정 시간의 단축과 기판(110) 정렬의 정확성 향상을 기대할 수 있다. 본 발명에 따르면, 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)와 기판(110) 또는 반도체 칩(100) 간의 무선통신을 통해, 신뢰성 있는 웨이퍼의 정렬이 가능하며, 후술할 비아 홀 형성 후의 불량 검사 및 반도체 칩(100)의 성능 테스트가 가능하며, 무선통신을 이용함으로써 고속으로 이들 테스트 데이터들을 송수신할 수 있게 된다. 이러한 무선 신호부(40)에 대하여는 도 3 내지 도 6을 참조하여 하기에 상세하게 설명하기로 한다.The radio signal unit 40 may include a radio signal transceiver 42, a radio signal circuit 44, and a radio signal controller 46. The wireless signal unit 40 may both transmit and receive a wireless signal, or may transmit only one of the wireless signals. The wireless signal transceiver 42 may transmit or receive a wireless signal from a wireless signal transceiver (not shown) of an external device. In addition, the wireless signal transceiver 42 may transmit or receive a radio signal from a chip signal transceiver (not shown) included in the substrate or the semiconductor chip 100. Accordingly, the wireless signal transceiver 42 may be located in correspondence with the wireless signal transceiver of the external device to transmit and receive a wireless signal, or may be located in correspondence with the chip signal transceiver included in the substrate or the semiconductor chip. . The radio signal circuit unit 44 may generate or convert a signal transmitted or received at the radio signal transceiver 42. The radio signal controller 46 may control the radio signal transceiver 42 and the radio signal circuit unit 44 to transmit or receive signals. Through the wireless signal unit 40, data can be transmitted and received between the laser device 1 for via hole processing and the substrate 110 or the semiconductor chip 100, and the alignment of the substrate 110 for forming the via holes is performed. Can be done. The alignment of the substrate 110 is for locating the via hole forming position, and managing this through an optical microscope is generally performed. However, in the laser device 1 for via hole processing according to the present invention, alignment may be performed using only a wireless signal. The wireless signal is transmitted to a specific portion of the substrate 110 or to a receiver (not shown) in the specific semiconductor chip 100, and the substrate is provided at a desired coordinate in comparison with the signal intensity value when the wireless signal is received at a desired position. 110 may be moved. In other words, if the intensity of the wireless signal is greater than or equal to a predetermined threshold intensity, the target position is determined, and if less than that, the misalignment is determined and the substrate loading unit until the radio signal is detected to be greater than or equal to the threshold intensity. The substrate 110 may be moved by moving the 18 in two axes. In addition, convert the strength of the radio signal received from the radio transceiver (not shown) of the three or more substrates 110 or the point on the semiconductor chip 100 to the distance for alignment, and the target position based on the converted distance Judgment is also possible. A separate control unit (not shown) may be included to determine the alignment state of the substrate 110. Through the alignment of the substrate 110 by wireless communication, it is possible to expect a reduction in processing time and an improvement in the accuracy of the alignment of the substrate 110. According to the present invention, through the wireless communication between the laser device 1 for the via hole processing and the substrate 110 or the semiconductor chip 100, the wafer can be reliably aligned, and the defect inspection and the semiconductor chip after the via hole formation will be described later. Performance test of 100 is possible, and by using wireless communication, it is possible to transmit and receive these test data at high speed. The wireless signal unit 40 will be described in detail below with reference to FIGS. 3 to 6.

무선 전원부(30)는 전력 수신부(32), 전력 송신부(34) 또는 이들 모두를 포함할 수 있다. 전력 수신부(32)는 외부로부터 무선으로 전력을 수신 받을 수 있고, 전력 송신부(34)는 반도체 칩(100)에 무선으로 전력을 송신할 수 있다. 또한, 전력 수신부(32) 또는 전력 송신부(34)는 선택적인 구성요소로서 생략될 수 있다. 예를 들어, 무선으로 전력을 수신하는 전력 수신부(32)를 대신하여, 배터리 또는 파워 서플라이 등과 같은 외부 전력 공급원(미도시)으로부터 터미널과 같은 유선 배선(미도시)을 통하여 전력을 공급받을 수 있다. 또한, 무선으로 전력을 송신하는 전력 송신부(34)를 대신하여, 예를 들어 별도의 배선을 통하여 반도체 칩(100) 등에 전력을 공급할 수 있다. 무선 전원부(30)를 통해 기판(110) 또는 반도체 칩(100)에 전력을 공급함으로써, 무선통신 및 반도체 칩(100)의 구동이 가능하게 되고 이를 통한 반도체 칩(100)의 테스트가 이루어질 수 있게 된다. 이러한 무선 전원부(30)에 대하여는 도 7 및 도 8을 참조하여 하기에 상세하게 설명하기로 한다.The wireless power supply unit 30 may include a power receiver 32, a power transmitter 34, or both. The power receiver 32 may receive power wirelessly from the outside, and the power transmitter 34 may wirelessly transmit power to the semiconductor chip 100. In addition, power receiver 32 or power transmitter 34 may be omitted as an optional component. For example, instead of the power receiver 32 that receives power wirelessly, power may be supplied from an external power supply (not shown) such as a battery or a power supply through a wired wire (not shown) such as a terminal. . In addition, instead of the power transmitter 34 that transmits power wirelessly, power may be supplied to the semiconductor chip 100 or the like through a separate wiring, for example. By supplying power to the substrate 110 or the semiconductor chip 100 through the wireless power supply unit 30, it is possible to drive the wireless communication and the semiconductor chip 100 and to test the semiconductor chip 100 through this. do. The wireless power supply unit 30 will be described in detail below with reference to FIGS. 7 and 8.

레이저부(20)는 발진기(21)를 통하여 공급된 레이저를 조사하는 조사기(23), 조사 초점을 맞추기 위한 초점기(미도시) 및 조사 위치의 정렬을 위한 정렬기(미도시)를 포함하며, 장착부(25)에 부착되어 이동 가능하도록 설치된다. 장착부(25)는 상하 및 좌우로 이동이 가능하며, 모터에 의해서 구동될 수 있다. 레이저는 발진기(21)로부터 생성되어 복수의 반사경(미도시)을 거친 후 레이저 홀을 통과하여 조사기(23)로 투입된다. 정렬기(미도시)는 가공 위치의 좌표를 인식하는 것으로서, 무선통신에 의해 수신된 신호를 통하여 정렬점을 인식하고 그에 따라 가공 위치를 정렬한다. 초점기(미도시)는 가공 위치의 수직상 좌표를 인식하는 것으로서, 기판(110)의 편평도 오차를 보상하여 초점을 맞추는 역할을 한다. 레이저부(20)는 별도의 제어부(미도시)를 포함할 수 있으며, 이를 통해 발진기의 출력을 조정할 수 있다. 레이저부(20)는 비아 홀 가공용 레이저 장치(1) 내에 2 이상이 병렬적으로 배치될 수도 있다.The laser unit 20 includes an irradiator 23 for irradiating a laser supplied through the oscillator 21, a focuser (not shown) for focusing irradiation, and an aligner (not shown) for alignment of irradiation positions. It is attached to the mounting portion 25 is installed to be movable. The mounting portion 25 is movable up and down and left and right, and may be driven by a motor. The laser is generated from the oscillator 21, passes through a plurality of reflecting mirrors (not shown), and passes through the laser hole to the irradiator 23. The aligner (not shown) recognizes the coordinates of the machining position, recognizes the alignment point through the signal received by the wireless communication, and aligns the machining position accordingly. The focuser (not shown) recognizes vertical coordinates of the machining position, and serves to focus by compensating for the flatness error of the substrate 110. The laser unit 20 may include a separate controller (not shown), through which the output of the oscillator may be adjusted. Two or more laser units 20 may be arranged in parallel in the laser device 1 for via hole processing.

이하에서는, 도 2를 참조하여 무선 신호부(40)를 상세하게 설명하기로 한다. 도 2는 도 1의 무선 신호부(40)의 동작을 비아 홀 가공용 레이저 장치(1) 및 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)에 로딩되는 기판 상의 반도체 칩(100)과 관련하여 개략적으로 도시하는 블록도이다. Hereinafter, the wireless signal unit 40 will be described in detail with reference to FIG. 2. FIG. 2 is a block schematically showing the operation of the radio signal unit 40 of FIG. 1 in relation to the semiconductor device 100 on a substrate loaded into the via hole processing laser device 1 and the via hole processing laser device 1. It is also.

도 2를 참조하면, 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)의 무선 신호요소(4)는 무선 신호 송수신요소(4a), 무선 신호 회로요소(4b) 및 무선 신호 제어요소(4c)를 포함할 수 있다. 여기에서, 무선 신호요소(4), 무선 신호 송수신요소(4a), 무선 신호 회로요소(4b) 및 무선 신호 제어요소(4c)는 각각 도 1의 무선 신호부(40), 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)에 상응할 수 있다. 또한, 기판 로딩부(18, 도 1 참조)에 반도체 칩(100)이 형성된 기판(110)이 놓일 수 있다. 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)와 기판(110) 또는 반도체 칩(100)은 하기에 설명하는 무선 방식으로 정보를 송수신할 수 있다. 이하에서는 반도체 칩(100)의 경우로 데이터 송수신을 설명하나, 이는 기판(110)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있을 것이다. 즉, 반도체 칩(100)뿐 아니라 기판(110)의 특정 위치에 형성된 무선 신호 송수신단, 무선 신호 회로부 및 무선 신호 제어부를 통해서도 동일한 방식으로 무선 통신이 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 2, the radio signal element 4 of the laser device 1 for via hole processing may include a radio signal transmission / reception element 4a, a radio signal circuit element 4b, and a radio signal control element 4c. . Here, the radio signal element 4, radio signal transmission / reception element 4a, radio signal circuit element 4b, and radio signal control element 4c are respectively represented by the radio signal unit 40 of FIG. 42, the wireless signal circuit unit 44 and the wireless signal controller 46. In addition, the substrate 110 on which the semiconductor chip 100 is formed may be placed on the substrate loading unit 18 (see FIG. 1). The laser apparatus 1 for via hole processing and the substrate 110 or the semiconductor chip 100 may transmit and receive information in a wireless manner as described below. Hereinafter, data transmission and reception will be described in the case of the semiconductor chip 100, but the same may be applied to the substrate 110. That is, wireless communication may be performed through the wireless signal transceiver, the wireless signal circuit unit, and the wireless signal controller formed at a specific position of the substrate 110 as well as the semiconductor chip 100.

반도체 칩(100)은 반도체 칩 송수신단(100a)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)의 무선 신호요소(4)는 반도체 칩(100)과 무선으로 데이터를 송수신할 수 있고, 이를 위하여 무선 신호 송수신요소(4a)와 반도체 칩 송수신단(100a)을 통하여 상기 데이터를 무선으로 송수신할 수 있다.The semiconductor chip 100 may include a semiconductor chip transceiver 100a. Accordingly, the wireless signal element 4 of the via hole processing laser device 1 may transmit and receive data wirelessly with the semiconductor chip 100. For this purpose, the wireless signal transmission and reception element 4a and the semiconductor chip transmission and reception terminal 100a may be used. ) Can be transmitted and received wirelessly.

무선 신호 송수신요소(4a)은 별도로 구비된 송신용 안테나 및 수신용 안테나를 포함하거나, 송수신 겸용 안테나를 포함할 수 있다. 이러한 안테나들은 도 3 내지 도 6에 도시된 안테나와 유사할 수 있다. 또한, 반도체 칩 송수신단(100a)은 별도로 구비된 송신용 안테나 및 수신용 안테나를 포함하거나, 송수신 겸용 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 반도체 칩 송수신단(100a)은 반도체 칩(100)에 장착할 수 있는 별도의 장치일 수 있고, 무선 송수신 기능을 가지는 장치를 별도로 연결하여 구현될 수 있다. 또는, 반도체 칩 송수신단(100a)은 반도체 칩(100)과 일체로 이루어진 장치일 수 있고, 무선 신호 송수신 기능을 반도체 칩(100)에 내장하여 구현할 수 있다.The wireless signal transmission / reception element 4a may include a transmission antenna and a reception antenna provided separately, or may include a transmission / reception antenna. Such antennas may be similar to the antenna shown in FIGS. In addition, the semiconductor chip transceiver 100a may include a transmission antenna and a reception antenna provided separately, or may include a transmission / reception antenna. In addition, the semiconductor chip transceiver 100a may be a separate device that may be mounted on the semiconductor chip 100, and may be implemented by separately connecting a device having a wireless transmission / reception function. Alternatively, the semiconductor chip transceiver 100a may be a device integrated with the semiconductor chip 100, and may be implemented by embedding a wireless signal transmission / reception function in the semiconductor chip 100.

비아 홀 가공용 레이저 장치(1)가 반도체 칩 송수신단(100a)으로부터 데이터를 수신하는 과정을 상세하게 설명하기로 한다. 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)가 반도체 칩(100)으로부터 데이터를 수신하는 과정은 실선 화살표에 의하여 도시되어 있다. 반도체 칩(100)의 반도체 칩 송수신단(100a)이 데이터를 무선으로 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)의 무선 신호 송수신요소(4a)에 전송한다. 무선 신호 송수신요소(4a)에서 수신된 상기 데이터는 무선 신호 제어요소(4c)에 의하여 무선 신호 회로요소(4b)로 전송된다. 무선 신호 회로요소(4b)는 수신된 데이터를 내부에서 가용한 형태의 신호로 변환할 수 있다. 또한, 무선 신호 회로요소(4b)는 반도체 칩 송수신단(100a)에 의하여 무선 수신된 데이터들 중에서 실제 가용한 주파수 대역의 무선 데이터를 필터링하는 필터(미도시)를 포함할 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)는 반도체 칩(100)과 비아 홀 가공용 레이저 장치(1) 사이에서 주고받을 수 있는 데이터에 대하여 미리 정의된 주파수 대역과 프로토콜에 대한 정보를 가지고 있거나, 이러한 정보를 무선 신호 제어요소(4c)로부터 받을 수 있다. A process of receiving data from the semiconductor chip transceiver 100a by the via hole processing laser device 1 will be described in detail. The process by which the laser device 1 for via hole processing receives data from the semiconductor chip 100 is illustrated by a solid arrow. The semiconductor chip transceiver 100a of the semiconductor chip 100 wirelessly transmits data to the radio signal transceiver 4a of the laser device 1 for via hole processing. The data received at the radio signal transceiving element 4a is transmitted to the radio signal circuit element 4b by the radio signal control element 4c. The radio signal circuit element 4b may convert the received data into a signal of a form available internally. In addition, the wireless signal circuit element 4b may include a filter (not shown) for filtering the wireless data of the frequency band actually available among the data wirelessly received by the semiconductor chip transceiver 100a. The radio signal circuit element 4b has information on predefined frequency bands and protocols for the data that can be exchanged between the semiconductor chip 100 and the laser processing apparatus 1 for via hole processing, or the radio signal circuit element 4b has such information. It can be received from the control element 4c.

비아 홀 가공용 레이저 장치(1)가 반도체 칩(100)으로 데이터를 송신하는 과정을 상세하게 설명하기로 한다. 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)로부터 반도체 칩(100)으로 데이터를 송신하는 과정은 점선 화살표에 의하여 도시되어 있다. 무선 신호 제어요소(4c)에 의하여 저장된 데이터 중 송신할 데이터는 무선 신호요소(4b)로 전송될 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)는 무선 신호 제어요소(4c)에 의하여, 저장된 데이터를 무선 송신에 적합한 신호로 변환할 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)는 예를 들면, 임펄스 생성기(impulse generator)를 포함할 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)에 의하여 변환된 무선 송신에 적합한 데이터는 무선 신호 송수신요소(4a)로 전달되어 무선으로 전송될 수 있다. 이후, 무선으로 전송된 신호는 반도체 칩 송수신단(100a)에 의하여 수신되어, 반도체 칩(100)으로 전송될 수 있다. A process of transmitting data to the semiconductor chip 100 by the via hole processing laser device 1 will be described in detail. The process of transmitting data from the laser device 1 for via hole processing to the semiconductor chip 100 is shown by a dashed arrow. Data to be transmitted among the data stored by the radio signal control element 4c may be transmitted to the radio signal element 4b. The radio signal circuit element 4b can convert the stored data into a signal suitable for radio transmission by the radio signal control element 4c. The wireless signal circuitry 4b may comprise an impulse generator, for example. Data suitable for wireless transmission converted by the wireless signal circuit element 4b can be transferred to the wireless signal transceiving element 4a and transmitted wirelessly. Thereafter, the wirelessly transmitted signal may be received by the semiconductor chip transceiver 100a and transmitted to the semiconductor chip 100.

반도체 칩(100)과 비아 홀 가공용 레이저 장치(1) 사이의 무선 신호 전송은 IrDA(Infrared Data Association), RFID(Radio Frequency IDentification), 지그비(Zigbee), 블루투스(Bluetooth), 와이파이(Wi-Fi) 또는 초광대역 무선(UWB, Ultra WideBand) 방식에 의하여 이루어질 수 있다. 또는, 반도체 칩(100)과 비아 홀 가공용 레이저 장치(1) 사이의 무선 신호 전송은, 저용량의 데이터 전송에 적합한 방식(예를 들어 지그비)과 고용량의 데이터 전송에 적합한 방식(예를 들어, UWB)을 결합함으로써, 저용량 데이터인 구동 신호와 고용량의 데이터인 저장 데이터의 전송을 별도로 수행하도록 이루어질 수 있다. 또는 반도체 칩(100)과 비아 홀 가공용 레이저 장치(1) 사이의 무선 신호 전송은 상기 방식들과 함께 정전기 유도 또는 자기 유도 방식을 결합하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 반도체 칩(100)과 비아 홀 가공용 레이저 장치(1)는 수 cm 이내에서만 정보의 전송이 가능한 근접 무선(proximity wireless) 방식을 구현하여 보안성을 높일 수 있다. Wireless signal transmission between the semiconductor chip 100 and the laser processing device 1 for via hole processing includes IrDA (Infrared Data Association), Radio Frequency Identification (RFID), Zigbee, Bluetooth, and Wi-Fi. Or it may be made by an ultra wideband (UWB, Ultra WideBand) method. Alternatively, the wireless signal transmission between the semiconductor chip 100 and the laser processing device 1 for via hole processing is a method suitable for low data transmission (eg, Zigbee) and a method suitable for high capacity data transmission (eg, UWB ) May be performed to separately transmit the driving signal which is the low capacity data and the storage data which is the high capacity data. Alternatively, wireless signal transmission between the semiconductor chip 100 and the laser processing apparatus 1 for via hole processing may be performed by combining an electrostatic induction or a magnetic induction method together with the above methods. In this case, the semiconductor chip 100 and the laser processing device 1 for via hole processing may improve security by implementing a proximity wireless method that transmits information only within a few cm.

이하에서는, 도 3 내지 도 6을 참조하여 무선 신호부(40)를 상세하게 설명하기로 한다. 도 3 내지 도 6은 도 1의 무선 신호부(40)를 도시하는 개략도들이다.Hereinafter, the wireless signal unit 40 will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6. 3 to 6 are schematic diagrams showing the wireless signal section 40 of FIG.

무선 신호부(40)는 근접 무선(proximity wireless) 방식에 의하여 무선 신호를 송수신할 수 있다. 따라서 무선 신호부(40)는 자기 유도(magnetic induction) 또는 정전기 유도(electrostatic induction)에 의하여 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 또한 무선 신호부(40)는 RF(Radio Frequency)를 통하여 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)은 코일 또는 안테나를 포함할 수 있다. The wireless signal unit 40 may transmit and receive a wireless signal by a proximity wireless method. Therefore, the wireless signal unit 40 may transmit or receive a wireless signal by magnetic induction or electrostatic induction. In addition, the wireless signal unit 40 may transmit or receive a wireless signal through RF (Radio Frequency). The wireless signal transceiver 42 may include a coil or an antenna.

도 3를 참조하면, 무선 신호부(40)는 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)를 포함한다. 무선 신호 송수신단(42)은, 예를 들어 송신용 안테나와 수신용 안테나로 각각 이루어질 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)이 안테나로 이루어지는 경우에는, 송신용 안테나와 수신용 안테나는 신호 전송에 사용되는 RF의 파장을 고려하여 설계될 수 있다. 또는, 무선 신호 송수신단(42)은 신호의 송수신을 위한 코일로 이루어질 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)이 코일로 이루어지는 경우에는, 송신과 수신을 동일한 코일에서 함께 할 수도 있고, 도시하지는 않았으나 송신과 수신 각각을 위한 개별적인 코일을 구비함으로써 각각 송신과 수신을 할 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의성을 위하여 송신용 코일과 수신용 코일이 별도로 있는 경우에도 하나만을 도시하여 설명하도록 한다.Referring to FIG. 3, the radio signal unit 40 includes a radio signal transceiver 42, a radio signal circuit unit 44, and a radio signal controller 46. The radio signal transceiver 42 may be formed of, for example, a transmitting antenna and a receiving antenna, respectively. When the radio signal transmitting and receiving end 42 is an antenna, the transmitting antenna and the receiving antenna may be designed in consideration of the wavelength of the RF used for signal transmission. Alternatively, the wireless signal transceiver 42 may be formed of a coil for transmitting and receiving a signal. In the case where the radio signal transmitting and receiving end 42 is formed of a coil, transmission and reception may be performed together in the same coil, and although not shown, a separate coil may be provided for transmission and reception, respectively. Hereinafter, for convenience of description, even when there is a separate transmitting coil and receiving coil will be described by showing only one.

무선 신호부(40)는 하나의 코일로 이루어지는 무선 신호 송수신단(42)을 포함할 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)에 포함되는 코일은 도 1의 기판 로딩부(18) 상에 실장되는 기판(110) 상의 반도체 칩(100)에 포함되는 칩 신호 송수신단(100a, 도 2 참조)의 코일과 중심축이 일치하도록 배치될 수 있다. 또는, 무선 신호 송수신단(42)에 포함되는 코일은 외부 장치의 신호 송수신단(미도시)의 코일과 중심축이 일치하도록 배치될 수 있다. 다만, 이들 코일의 크기는 동일할 필요는 없으며, 원하는 수신 감도를 얻기 위하여 코일의 크기가 변화될 수 있다. 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)의 위치 관계는 도 3에 나타내는 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한 후술하는 것과 같이 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 코일의 수는 변할 수도 있다. The wireless signal unit 40 may include a wireless signal transmission and reception terminal 42 consisting of one coil. The coil included in the wireless signal transceiver 42 may include a chip signal transceiver 100a (see FIG. 2) included in the semiconductor chip 100 on the substrate 110 mounted on the substrate loading unit 18 of FIG. 1. The coil and the central axis may be arranged to coincide. Alternatively, the coil included in the wireless signal transmitting and receiving terminal 42 may be disposed so that the coil and the central axis of the signal transmitting and receiving terminal (not shown) of the external device coincide with each other. However, the sizes of these coils need not be the same, and the sizes of the coils may be changed to obtain a desired reception sensitivity. The positional relationship of the radio signal transceiver 42, the radio signal circuit section 44, and the radio signal controller 46 is not limited to the form shown in FIG. In addition, as described later, the number of coils constituting the wireless signal transceiver 42 may vary.

도 4를 참조하면, 무선 신호 송수신단(42)은 두 개의 코일(42a, 42b)로 이루어진다. 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 제1 코일(42a)과 제2 코일(42b)은 서로 위상을 180도 반전시킨 자장 신호가 발생하도록 배치될 수 있다. 이러한 경우에는, 상기 칩 신호 송수신단(100a, 도 2 참조)에도 동일 구성의 2개의 코일을 사용할 수 있다. 이와 같이 2개의 코일을 사용하면, 차동 전송이 가능하여 노이즈를 제거할 수 있다. 따라서 무선 신호 회로부(44)는 차동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the wireless signal transceiver 42 includes two coils 42a and 42b. The first coil 42a and the second coil 42b constituting the wireless signal transceiver 42 may be arranged to generate a magnetic field signal in which the phases are inverted by 180 degrees. In this case, two coils having the same configuration may be used for the chip signal transceiver 100a (see FIG. 2). By using two coils as described above, differential transmission is possible and noise can be removed. Therefore, the wireless signal circuit unit 44 may include a differential circuit.

도 5를 참조하면, 무선 신호 송수신단(42)은 2개의 코일(42a, 42b)로 이루어진다. 이때 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 제1 코일(42a)과 제2 코일(42b)은 병렬로 연결되며 서로 위상을 180도 반전시킨 자장 신호가 발생하도록 배치될 수 있다. 이러한 경우에는, 상기 칩 신호 송수신단(100a, 도 2 참조)에도 동일 구성의 2개의 코일을 사용할 수 있다. 이와 같이 2개의 코일을 사용하면, 차동 전송이 가능하여 노이즈를 제거할 수 있다. 따라서 무선 신호 회로부(44)는 차동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the wireless signal transceiver 42 includes two coils 42a and 42b. In this case, the first coil 42a and the second coil 42b constituting the wireless signal transmitting and receiving end 42 may be connected in parallel and may be arranged to generate a magnetic field signal in which the phases are inverted by 180 degrees. In this case, two coils having the same configuration may be used for the chip signal transceiver 100a (see FIG. 2). By using two coils as described above, differential transmission is possible and noise can be removed. Therefore, the wireless signal circuit unit 44 may include a differential circuit.

도 6을 참조하면, 무선 신호 송수신단(42)은 2개의 코일(42a, 42b)로 이루어진다. 이때 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 제1 코일(42a)과 제2 코일(42b)은 직렬로 연결되며 서로 위상을 180도 반전시킨 자장 신호가 발생하도록 배치될 수 있다. 이러한 경우에는, 상기 칩 신호 송수신단(100a, 도 2 참조)에도 동일 구성의 2개의 코일을 사용할 수 있다. 이와 같이 2개의 코일을 사용하면, 차동 전송이 가능하여 노이즈를 제거할 수 있다. 따라서 무선 신호 회로부(44)는 차동 회로를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the wireless signal transceiver 42 includes two coils 42a and 42b. In this case, the first coil 42a and the second coil 42b constituting the wireless signal transmitting and receiving end 42 may be connected in series and may be arranged to generate a magnetic field signal in which the phases are inverted by 180 degrees. In this case, two coils having the same configuration may be used for the chip signal transceiver 100a (see FIG. 2). By using two coils as described above, differential transmission is possible and noise can be removed. Therefore, the wireless signal circuit unit 44 may include a differential circuit.

도 7은 도 1의 무선 전원부(30)의 전력 수신부를 도시하는 블록도이며, 도 8은 도 1의 무선 전원부(30)의 전력 송신부를 도시하는 블록도이다. 도 7 및 도 8을 참조하여 무선 전원부를 상세하게 설명하기로 한다.FIG. 7 is a block diagram illustrating a power receiver of the wireless power supply unit 30 of FIG. 1, and FIG. 8 is a block diagram illustrating a power transmitter of the wireless power supply unit 30 of FIG. 1. A wireless power unit will be described in detail with reference to FIGS. 7 and 8.

무선 전원부(30)는 라디오 주파수(Radio frequency, RF)파 또는 초음파를 이용하는 방사형(radiative) 방식, 자기 유도(magnetic induction)을 이용하는 유도 커플링(inductive coupling) 방식, 또는 자기장 공진을 이용하는 비방사형(non-radiative) 방식을 통해 전력을 수신 받을 수 있고 또한 송신할 수 있다. 상기 방사형 방식은 모노폴(monopole)이나 PIFA(planar inverted-F antenna) 등의 안테나를 이용하여, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. 상기 방사형 방식은, 시간에 따라 변화하는 전계나 자계가 서로 영향을 주면서 방사가 일어나며, 같은 주파수의 안테나가 있을 경우 입사파의 극(polarization) 특성에 맞게 전력을 수신 및 송신할 수 있다. 상기 유도 커플링 방식은 코일을 복수 회 권취하여 일측 방향으로 강한 자계를 발생시키고, 유사한 범위의 주파수 내에서 공진하는 코일을 근접시켜 커플링을 발생시킴으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. 상기 비방사형 방식은, 근거리 전자장을 통해 같은 주파수로 공진하는 두 매체들 사이에서 전자파를 이동시키는 감쇄파 결합(evanescent wave coupling)을 이용함으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. The wireless power supply unit 30 may include a radial method using radio frequency (RF) waves or ultrasonic waves, an inductive coupling method using magnetic induction, or a non-radiation type using magnetic field resonance ( Power can be received and transmitted in a non-radiative manner. The radial method may receive and transmit power energy wirelessly using an antenna such as a monopole or a planar inverted-F antenna (PIFA). In the radial method, radiation occurs while an electric field or a magnetic field changing with time affects each other, and when there is an antenna of the same frequency, power may be received and transmitted according to polarization characteristics of an incident wave. In the inductive coupling method, a coil is wound a plurality of times to generate a strong magnetic field in one direction, and a coil is generated by proximity of a coil resonating within a similar range of frequencies, thereby receiving and transmitting power energy wirelessly. . The non-radioactive method can receive and transmit power energy wirelessly by using an evanescent wave coupling that moves an electromagnetic wave between two media resonating at the same frequency through a near field.

도 7을 참조하면, 전력 수신부(32)는 전력 수신단(32a), 전력 변환부(32b), 전력 저장/제공부(32c), 전력 검출부(32d), 및 전력 제어부(32e)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7, the power receiver 32 may include a power receiver 32a, a power converter 32b, a power storage / provider 32c, a power detector 32d, and a power controller 32e. have.

전력 수신단(32a)은 외부 전력 신호를 무선 또는 유선으로 수신하여, 전력 변환부(32b)로 전송한다. 예를 들어, 전력 수신단(32a)이 유선으로 상기 외부 전력 신호를 수신하는 경우에는, 전력 수신단(32a)은 통상적인 배선일 수 있고 상기 외부 전력 신호는 직류 신호이거나 또는 교류 신호일 수 있다. 또한, 전력 수신단(32a)이 무선으로 상기 외부 전력을 수신하는 경우에는, 전력 수신단(32a)은 안테나, 코일, 또는 공진기 등을 포함할 수 있고, 상기 외부 전력 신호는 교류 신호일 수 있다. 이 경우에, 상기 외부 전력 신호는 상술한 방사형 방식, 유도 커플링 방식, 또는 비방사형 방식에 의하여 수신될 수 있다. 필요한 경우, 전력 수신단(32a)은 상기 외부 전력 신호를 고주파 교류 전류로 변환하도록 구성될 수 있다.The power receiver 32a receives an external power signal wirelessly or by wire, and transmits it to the power converter 32b. For example, when the power receiving end 32a receives the external power signal by wire, the power receiving end 32a may be a conventional wiring and the external power signal may be a DC signal or an AC signal. In addition, when the power receiver 32a wirelessly receives the external power, the power receiver 32a may include an antenna, a coil, or a resonator, and the external power signal may be an AC signal. In this case, the external power signal can be received by the radial method, the inductive coupling method, or the non-radial method described above. If necessary, the power receiving end 32a may be configured to convert the external power signal into a high frequency alternating current.

전력 변환부(32b)는 전력 수신단(32a)으로부터 수신된 전력 신호, 예를 들어 교류 신호를 직류 신호로 변환할 수 있다. 구체적으로, 전력 변환부(32b)는 전압제한회로(미도시) 및 정류회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 전압제한회로는 상기 교류 신호가 과도하게 공급되는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다. 상기 정류회로는 상기 교류 신호를 직류 전류로 정류할 수 있다. 전력 수신단(32a)으로부터 직류 신호가 전달되는 경우에는, 전력 변환부(32b)는 생략되거나 또는 상기 직류 신호를 소정의 전압으로 변환시키는 기능을 할 수 있다. 이어서, 전력 변환부(32b)에 의해 변환된 상기 직류 신호는 전력 저장/제공부(32c)로 전달될 수 있다.The power converter 32b may convert a power signal received from the power receiver 32a, for example, an AC signal, into a DC signal. Specifically, the power converter 32b may include a voltage limiting circuit (not shown) and a rectifier circuit (not shown). The voltage limiting circuit may function to prevent the AC signal from being excessively supplied. The rectifier circuit may rectify the AC signal into a DC current. When the direct current signal is transmitted from the power receiver 32a, the power converter 32b may be omitted or may function to convert the direct current signal to a predetermined voltage. Subsequently, the DC signal converted by the power converter 32b may be transferred to the power storage / provider 32c.

전력 저장/제공부(32c)는 커패시터와 같은 전력 저장 소자를 포함할 수 있고, 전력 변환부(32b)로 전송된 상기 직류 신호를 저장할 수 있다. 또한, 상기 직류 신호, 즉 전력을 배선 등을 통하여 전력 송신부(34)에 전송할 수 있고, 다른 소자들, 예를 들어 무선 신호부(40)에 전력을 제공할 수 있다. 전력 저장/제공부(32c)는 선택적인 구성 요소로서 생략될 수 있고, 이러한 경우에는 전력 변환부(32b)로부터 직접적으로 다른 소자들에 전력을 제공할 수 있다.The power storage / provider 32c may include a power storage element such as a capacitor, and may store the DC signal transmitted to the power converter 32b. In addition, the DC signal, that is, power may be transmitted to the power transmitter 34 through a wire, and the like, and power may be provided to other elements, for example, the wireless signal unit 40. The power storage / provider 32c may be omitted as an optional component, in which case it may provide power to other devices directly from the power converter 32b.

전력 검출부(32d)는 전력 변환부(32d)로부터 전력 저장/제공부(32c)로 공급되는 전력 값, 예를 들어 전압 값 및 전류 값을 지속적으로 측정하고, 상기 전압 값 및 상기 전류 값에 관한 정보를 전력 제어부(32e)에 전달한다. 예를 들어, 전력 검출부(32d)는 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 직접 측정할 수 있는 저항소자를 포함하는 회로일 수 있다.The power detector 32d continuously measures a power value, for example, a voltage value and a current value, supplied from the power converter 32d to the power storage / provider 32c, and relates to the voltage value and the current value. Information is transmitted to the power control unit 32e. For example, the power detector 32d may be a circuit including a resistance element capable of directly measuring the voltage value and the current value.

전력 제어부(32e)는 전력 수신부(32)의 전반적인 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 전력 제어부(32e)는 전력 변환부(32b)에 의해 전달된 상기 직류 전류에 의해 동작될 수 있다. 전력 제어부(32e)는 전력 검출부(32d)로부터 전송된 상기 전압 값 및 전류 값을 수신하여, 이에 따라 전력 변환부(32b)의 구동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전력 제어부(32e)는, 전력 검출부(32d)에서 측정되어 전송된 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 소정의 기준 전압 값 및 기준 전류 값과 비교함으로써, 전력 변환부(32b)와 전력 저장/제공부(32c)의 과전압 또는 과전류가 발생하지 않도록 전력 변환부의 구동을 제어할 수 있다. The power controller 32e may be configured to control the overall operation of the power receiver 32. The power controller 32e may be operated by the direct current delivered by the power converter 32b. The power controller 32e may receive the voltage value and the current value transmitted from the power detector 32d and control the driving of the power converter 32b accordingly. For example, the power control unit 32e compares the voltage value and the current value measured and transmitted by the power detection unit 32d with a predetermined reference voltage value and a reference current value, and thus the power converter 32b and the power. The driving of the power converter may be controlled so that the overvoltage or overcurrent of the storage / provider 32c does not occur.

도 8을 참조하면, 전력 송신부(34)는 전력 변환부(34a), 고주파 전력 구동부(34b), 전력 송신단(34c), 전력 검출부(34d), 및 전력 제어부(34e)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the power transmitter 34 may include a power converter 34a, a high frequency power driver 34b, a power transmitter 34c, a power detector 34d, and a power controller 34e.

전력 변환부(34a)는 외부로부터 전달된 전력 신호, 예를 들어 교류 신호 또는 직류 신호를 수신하거나, 또는, 상기 전력 수신부(32)로부터 전달된 직류 전력을 수신할 수 있다. 이에 따라, 전력 변환부(34a)는 수신한 교류 전력을 직류 전류로 변환하거나, 수신한 직류 전력을 원하는 직류 전압 또는 전류로 변환할 수 있다. 이어서, 전력 변환부(34a)는 고주파 전력 구동부(34b) 및 전력 제어부(34e)에 동작 전원을 제공할 수 있다. 상술한 전력 변환부(32b)와 유사하게, 전력 변환부(34a)는 전압제한회로(미도시) 및 정류회로(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 전력 변환부(34a)는 선택적이며 경우에 따라서는 생략될 수 있다. The power converter 34a may receive a power signal transmitted from the outside, for example, an AC signal or a DC signal, or may receive DC power transmitted from the power receiver 32. Accordingly, the power converter 34a may convert the received AC power into a DC current, or convert the received DC power into a desired DC voltage or current. Subsequently, the power converter 34a may provide operating power to the high frequency power driver 34b and the power controller 34e. Similar to the power converter 32b described above, the power converter 34a may include a voltage limiting circuit (not shown) and a rectifier circuit (not shown). In addition, the power converter 34a is optional and may be omitted in some cases.

고주파 전력 구동부(34b)는 수신한 동작 전원에 따라 구동되어, 교류 전력, 예를 들어 고주파 전력을 발생할 수 있다. 예를 들어, 고주파 전력 구동부(34b)는 고속의 스위칭 동작을 통해 상기 고주파 교류 전류를 생성하는 SMPS(switching mode power supply)를 포함할 수 있다. 이어서, 고주파 전력 구동부(34b)에서 생성된 고주파 전력은 전력 송신단(34c)을 통하여 무선으로 외부로 제공될 수 있다.The high frequency power driver 34b may be driven according to the received operating power source to generate AC power, for example, high frequency power. For example, the high frequency power driver 34b may include a switching mode power supply (SMPS) that generates the high frequency AC current through a high speed switching operation. Subsequently, the high frequency power generated by the high frequency power driver 34b may be wirelessly provided to the outside through the power transmitter 34c.

전력 검출부(32d)는 고주파 전력 구동부(34b)로부터 전력 송신단(34c)로 공급되는 전력 값, 예를 들어 전압 값 및 전류 값을 지속적으로 측정하고, 상기 전압 값 및 상기 전류 값에 관한 정보를 전력 제어부(34e)에 전달한다. 예를 들어, 전력 검출부(34d)는 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 직접 측정할 수 있는 저항소자를 포함하는 회로일 수 있다. The power detector 32d continuously measures a power value supplied from the high frequency power driver 34b to the power transmitter 34c, for example, a voltage value and a current value, and outputs information about the voltage value and the current value. It transfers to the control part 34e. For example, the power detector 34d may be a circuit including a resistance element capable of directly measuring the voltage value and the current value.

전력 제어부(34e)는 전력 송신부(32)의 전반적인 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 전력 제어부(34e)는 전력 변환부(34a)에 의해 전달된 상기 직류 전류에 의해 동작될 수 있다. 전력 제어부(32e)와 유사하게, 전력 제어부(34e)는 전력 검출부(34d)로부터 전송된 상기 전압 값 및 전류 값을 수신하여, 이에 따라 전력 변환부(34a)의 구동을 제어할 수 있다. 또한, 전력 제어부(34e)는 고주파 전력 구동부(34b)를 제어하여, 생성되는 고주파 전력의 펄스의 폭(width), 진폭(amplitude), 주파수(frequency), 및 펄스의 개수(number) 등을 변조할 수 있다. 위와 같은 펄스 폭 변조(PWM, pulse width modulation), 펄스 진폭 변조(PAM, pulse amplitude modulation), 펄스 주파수 변조(PFM, pulse frequency modulation), 펄스 개수 변조(PNM, pulse number modulation) 등을 통해, 전력 제어부(34e)는 고주파 교류전류의 전력을 조절할 수 있다.The power controller 34e may be configured to control the overall operation of the power transmitter 32. The power control unit 34e may be operated by the DC current transmitted by the power converter 34a. Similar to the power control unit 32e, the power control unit 34e may receive the voltage value and the current value transmitted from the power detection unit 34d and control the driving of the power conversion unit 34a accordingly. In addition, the power controller 34e controls the high frequency power driver 34b to modulate the width, amplitude, frequency, number of pulses, and the like of the generated high frequency power pulses. can do. Through the above pulse width modulation (PWM), pulse amplitude modulation (PAM), pulse frequency modulation (PFM), pulse number modulation (PNM) The controller 34e may adjust the power of the high frequency AC current.

전력 송신단(34c)은 고주파 전력 구동부(34b)로부터 고주파 교류 전류를 인가 받고, 외부 소자 등에 전력을 무선으로 전달하도록 구성될 수 있다.The power transmitter 34c may be configured to receive a high frequency AC current from the high frequency power driver 34b and wirelessly transmit power to an external device.

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 방사형 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원부(30)가 라디오 주파수파 또는 초음파를 이용하는 경우에는, 무선 전원부(30)의 전력 송신단(34c)은 모노폴(monopole)이나 PIFA(planar inverted-F antenna) 등의 안테나를 포함할 수 있다. 상기 안테나는 고주파 전류에 따라 전자기파를 발생시키고, 상기 발생한 전력을 수신 받을 외부 소자 등의 수신 안테나는 상기 전자기파를 수신함으로써, 상기 전자기파로부터 고주파 전력을 발생시킬 수 있다.In the case where the wireless power transfer method is the above-described radial method, that is, when the wireless power supply unit 30 uses radio frequency waves or ultrasonic waves, the power transmission end 34c of the wireless power supply unit 30 is a monopole or PIFA. It may include an antenna such as (planar inverted-F antenna). The antenna generates an electromagnetic wave according to a high frequency current, and a receiving antenna such as an external device to receive the generated power may generate the high frequency power from the electromagnetic wave by receiving the electromagnetic wave.

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 유도 커플링 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원부(30)가 자기 유도를 이용하는 경우에는, 무선 전원부(30)의 전력 송신단(34c)은 코일을 포함할 수 있다. 전자기 유도 원리에 따라, 전력 송신단(34c)에 고주파 전류가 인가되면 상기 코일은 자기장을 발생시키고, 상기 발생한 전력을 수신 받을 외부 소자 등의 수신 코일은 상기 자기장으로부터 고주파 전류를 발생시킨다.In the case of the inductive coupling scheme described above, that is, when the wireless power supply unit 30 uses magnetic induction, the power transmitter 34c of the wireless power supply unit 30 may include a coil. According to the principle of electromagnetic induction, when a high frequency current is applied to the power transmitting end 34c, the coil generates a magnetic field, and a receiving coil such as an external element to receive the generated power generates a high frequency current from the magnetic field.

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 비방사형 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원부(30)가 자기장 공진을 이용하는 경우에는, 전력 송신단(34c)은 감쇄파(evanescent wave)를 발생시키는 공진기(resonator)를 포함할 수 있다. 상기 감쇄파는 근거리에서 강판 필드를 만들어내고 거리가 멀어질수록 지수함수적으로 세기가 감소한다. 전력 송신단(34c)의 상기 공진기는 상기 발생한 전력을 수신 받을 외부 소자 등의 수신 공진기와 같은 주파수로 공진할 수 있고, 이 경우 두 공진기들 사이에 일종의 에너지 터널인 근거리 전자장이 형성될 수 있다. 전력 송신단(34c)에 고주파 전류가 인가되면 상기 공진기는 감쇄파를 발생시키고, 상기 감쇄파는 상기 근거리 전자장을 통해 전력을 무선으로 전달할 수 있다.In the case where the wireless power transfer method is the aforementioned non-radiative method, that is, when the wireless power supply unit 30 uses magnetic field resonance, the power transmission terminal 34c uses a resonator for generating an evanescent wave. It may include. The attenuation wave produces a steel plate field at close range and the intensity decreases exponentially as the distance increases. The resonator of the power transmitter 34c may resonate at the same frequency as a reception resonator such as an external device to receive the generated power. In this case, a short range electromagnetic field may be formed between the two resonators. When a high frequency current is applied to the power transmitter 34c, the resonator generates an attenuation wave, and the attenuation wave may wirelessly transmit power through the near field.

도 9 및 도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 비아 홀 가공용 레이저 장치(2, 3)의 다른 실시예들을 도시하는 단면도들이다. 본 실시예의 간결하고 명확한 설명을 위하여, 상술한 실시예와 중복되는 부분의 설명은 생략하기로 한다.9 and 10 are cross-sectional views showing other embodiments of the laser apparatuses 2 and 3 for via hole processing according to the spirit of the present invention. For the sake of brevity and clarity of description of the present embodiment, descriptions of portions overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

도 9를 참조하면, 비아 홀 가공용 레이저 장치(2)의 워크 테이블(10) 내에 무선 신호부(40)가 실장된다. 비아 홀 가공용 레이저 장치(2)와 기판(110) 또는 반도체 칩(100) 간의 무선통신을 위해서 무선 신호부(40)의 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)는 기판 로딩부(18)의 아래에 배치될 수 있다. 무선 신호부(40)가 기판(110)의 어느 특정 지점 또는 기판(110) 상 어느 특정 반도체 칩(100)과도 무선 신호를 송수신할 수 있도록 기판 로딩부(18)는 무선 신호를 차폐하지 않는 층으로 형성될 수 있다. 상기 기판 로딩부(18)는 무선 신호를 방해 없이 효율적으로 전송하기 위해 도체 물질을 포함하지 않을 수 있다. 도 1의 비아 홀 가공용 레이저 장치(1) 및 도 9의 비아 홀 가공용 레이저 장치(2)는 무선 신호부(40)가 각각 기판 로딩부(18)의 상하 중 어느 한쪽에 배치된 구조를 가지고 있으나, 상하 모두에 배치하여 2 이상의 무선 신호부(40)를 포함할 수 있으며, 이 경우 반도체 칩(100)의 테스트에 사용되는 신호 및 비아 홀의 검사에 사용되는 신호를 서로 다른 주파수를 사용하고, 서로 다른 무선 신호부(40)를 통해 송수신하거나, 기판(110)의 정렬에 사용되는 신호를 반도체 칩(100) 및 비아 홀의 검사에 사용되는 신호와 다른 무선 신호부(40)를 통해 송수신되도록 송수신 주파수가 상이한 2 이상의 무선 신호부(40)를 구성할 수 있다. 9, the radio signal part 40 is mounted in the work table 10 of the laser apparatus 2 for via hole processing. The radio signal transceiver 42 of the radio signal unit 40, the radio signal circuit unit 44, and the radio signal controller for radio communication between the via hole processing laser device 2 and the substrate 110 or the semiconductor chip 100 ( 46 may be disposed under the substrate loading portion 18. The substrate loading unit 18 does not shield the radio signal so that the radio signal unit 40 may transmit / receive radio signals to or from any particular point on the substrate 110 or any specific semiconductor chip 100 on the substrate 110. It can be formed as. The substrate loading portion 18 may not include a conductor material to efficiently transmit radio signals without interference. The via hole processing laser device 1 of FIG. 1 and the via hole processing laser device 2 of FIG. 9 each have a structure in which the radio signal unit 40 is disposed on one of the upper and lower sides of the substrate loading unit 18, respectively. And two or more wireless signal units 40 disposed on both upper and lower sides, and in this case, signals used for testing of the semiconductor chip 100 and signals used for inspecting the via holes use different frequencies, and Transmitting / receiving frequency so as to transmit / receive through another wireless signal unit 40 or to transmit / receive a signal used for alignment of the substrate 110 through a signal different from the signal used for the inspection of the semiconductor chip 100 and the via hole and another wireless signal unit 40. May constitute two or more different radio signal units 40.

도 10을 참조하면, 비아 홀 가공용 레이저 장치(3)는 테스트부(60)를 더 포함할 수 있으며, 상기 테스트부(60) 내에 무선 신호부(40) 및 무선 전원부(30)가 실장될 수 있다. 테스트부(60)는 반도체 칩(100)의 성능 및 비아 홀의 불량 등을 테스트 하기 위한 것으로, 일정 프로그램에 의해 테스트가 수행되도록 테스트 데이터 처리부(62)를 포함할 수 있다. 테스트부(60)에 의해서 반도체 칩(100)에 대한 테스트가 이루어지는 과정은 다음과 같다. 먼저, 워크 테이블(10) 상의 기판 로딩부(18)에 기판(110)이 로딩된 후, 상기 무선 전원부(30)를 통해 기판(110) 또는 반도체 칩(100)에 전력을 송신하여 반도체 칩(100)이 구동 가능한 상태가 되도록 한다. 상기 무선 신호부(40)를 통해 정해진 반도체 칩(100)에 입력 신호를 공급하고, 반도체 칩(100)에서 발생되는 무선 신호를 수신하여 이를 전류로 변환한다. 변환된 전류값을 데이터 처리부(62)에 저장된 수치와 비교하여 반도체 칩(100)의 성능에 대한 평가를 수행할 수 있다. 하기에 상세히 설명되는 바와 같이, 테스트부(60)는 반도체 칩(100)에 대한 테스트를 수행하기 위한 테스트 프로그램을 구동한다. 반도체 칩(100)에 대한 테스트를 위해 반도체 칩(100)에 전력 및 무선 신호를 송신하는 단계를 수반하므로, 테스트부(60) 내에 무선 신호부(40) 및 무선 전원부(30)가 일체로 실장될 수 있다. 이에 의해, 반도체 칩(100)에 전력을 송신하여 반도체 칩(100)이 구동 가능하도록 하고, 무선 신호를 송신하여 테스트가 시작되도록 하며, 무선 신호를 수신하여 테스트 결과를 전달받고, 결과값을 분석하는 일련의 과정들이 효율적으로 수행될 수 있다. 도 10의 비아 홀 가공용 레이저 장치(3)는 무선 전원부(30)가 기판 로딩부(18)의 수직 상 위쪽에 배치된 구조를 가지고 있으나, 도 1 및 도 9에서와 같이 기판 로딩부(18)의 일 측에도 추가로 배치하여 2 이상의 무선 전원부(30)를 포함할 수 있다. 이러한 구조에서, 반도체 칩(100)의 성능 테스트에 크기가 서로 다른 2 이상의 전압을 가하는 조건이 사용되는 경우, 각 무선 전원부(30)는 서로 다른 크기의 전력을 반도체 칩(100)에 전송할 수 있다. 예를 들어, 상측의 무선 전원부(30)는 상술한 방사형 방식으로 무선 전력을 전달하고, 하측의 무선 전원부(30)는 상측보다 큰 전력을 상술한 유도 커플링 방식으로 전달 할 수 있다. 이 경우, 각각의 전력의 효율적인 전달을 위해 전력 수신부(32)도 2 이상일 수 있다.Referring to FIG. 10, the laser device 3 for via hole processing may further include a test unit 60, and the wireless signal unit 40 and the wireless power supply unit 30 may be mounted in the test unit 60. have. The test unit 60 is for testing the performance of the semiconductor chip 100 and the defects of the via holes. The test unit 60 may include a test data processor 62 to perform a test by a predetermined program. The process of testing the semiconductor chip 100 by the test unit 60 is as follows. First, after the substrate 110 is loaded on the substrate loading unit 18 on the work table 10, the power is transmitted to the substrate 110 or the semiconductor chip 100 through the wireless power supply unit 30. 100) is allowed to be driven. The input signal is supplied to the predetermined semiconductor chip 100 through the wireless signal unit 40, and the wireless signal generated from the semiconductor chip 100 is received and converted into a current. The performance of the semiconductor chip 100 may be evaluated by comparing the converted current value with a value stored in the data processor 62. As described in detail below, the test unit 60 drives a test program for performing a test on the semiconductor chip 100. Since the step of transmitting power and wireless signals to the semiconductor chip 100 for testing the semiconductor chip 100, the wireless signal unit 40 and the wireless power supply unit 30 is integrally mounted in the test unit 60. Can be. As a result, the semiconductor chip 100 can be driven by transmitting power to the semiconductor chip 100, and the test is started by transmitting a radio signal, receiving a radio signal, receiving a test result, and analyzing a result value. A series of processes can be performed efficiently. The via hole processing laser device 3 of FIG. 10 has a structure in which the wireless power supply unit 30 is disposed above the substrate loading unit 18 vertically, as shown in FIGS. 1 and 9. In addition to one side of the may include two or more wireless power supply 30. In such a structure, when conditions for applying two or more voltages having different sizes are used in the performance test of the semiconductor chip 100, each wireless power supply unit 30 may transmit different sizes of power to the semiconductor chip 100. . For example, the upper wireless power supply unit 30 may transmit wireless power in the above-described radial manner, and the lower wireless power supply unit 30 may transmit power larger than the upper side in the above-described inductive coupling method. In this case, the power receiver 32 may be two or more for efficient delivery of each power.

도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 비아 홀 가공용 레이저 장치를 이용한 비아 홀의 가공 방법을 도시하는 흐름도이다. 11 is a flowchart illustrating a method of processing a via hole using a laser apparatus for processing via holes according to the technical spirit of the present invention.

도 10과 함께 도 11을 참조하면, 워크 테이블(10)에 로딩된 기판(110)의 위치를 정렬하기 위해 무선 신호를 통해 기판을 정렬하는 단계(S10)가 수행된다. 레이저가 조사되는 기판(110)의 특정 지점의 위치가 인식되도록 기판(110)이 정렬되며, 상술한 바와 같이, 기판(110) 또는 반도체 칩(100)의 특정 지점에 대해 무선 신호를 송신하여 기판(110) 또는 반도체 칩(100)에서 수신된 무선 신호의 세기를 통해 기판(110)의 위치를 정렬하는 방식을 사용할 수도 있다. 이러한 방식을 사용하는 경우, 정렬의 정확성을 위해 기판의 셋 이상의 지점에 대해 무선 송수신을 수행하여 위치를 보정하는 방식을 사용할 수 있다. 다음에, 비아 홀 가공용 레이저 장치(3)의 무선 전원부(30)를 통해 반도체 칩(100)에 전력을 공급하는 단계(S20)가 수행된다. 반도체 칩(100)의 성능 검사를 위해 반도체 칩(100)가 동작 상태가 되도록 하기 위한 단계이다. 다음으로, 무선 신호를 통해 반도체 칩(100)의 성능을 검사하는 전-검사(pretest) 단계(S30)가 수행된다. 무선 신호부(40)로부터 송신된 신호가 반도체 칩(100)의 입력 신호로 전달되어, 반도체 칩(100)의 성능을 검사하며, 테스트 결과는 다시 반도체 칩(100)의 칩 송수신단을 통해 비아 홀 가공용 레이저 장치(3)의 무선 신호부(40)로 전달되며, 테스트부(60)에서 이를 처리하여 분석하게 된다. 테스트부(60) 내의 테스트 데이터 처리부(62)에서는 검사 결과를 저장된 각 테스트 파라미터(parameter)들에 대한 기대값과 비교하고, 각 반도체 칩(100)에 대한 불량 여부를 판단할 수 있다. 전-검사 단계(S30)가 수행된 후, 레이저를 조사하여 기판(110) 상에 비아 홀을 형성하는 단계(S40)가 수행된다. 레이저부(20)의 조사기(23)에서 레이저를 기판(110)의 특정 지점에 조사하여 비아 홀을 형성한다. 비아 홀이 형성된 후, 무선 신호를 통해 형성된 비아 홀을 검사하는 단계(S50)가 수행된다. 본 단계는 상기 전-검사 단계(S30)와 유사하게 무선 통신을 통해 수행되며, 비아 홀의 불량을 검사하기 위한 단계로서, 관통홀의 경우 관통 여부를 확인하는 검사가 진행될 수 있다. 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 무선 신호부(40)가 각각 기판 로딩부(18)의 상하 모두에 배치되어 2 이상의 무선 신호부(40)를 포함하는 경우, 상측 무선 신호부(40)에서 송신한 신호를 하측 무선 신호부(40)에서 수신하여 무선 신호의 수신 여부 및 수신된 무선 신호의 세기를 통해 관통홀의 불량 여부에 대한 판단이 가능할 것이다. 상기 비아 홀을 검사하는 상기 단계(S50) 이후에, 다시 무선 신호를 통해 반도체 칩(100)의 성능을 검사하는 후-검사(posttest) 단계(S60)가 수행된다. 이는 전-검사 단계(S30)와 동일한 방식일 수 있으며, 전-검사 단계(S30)의 결과와 비교하여 테스트 데이터 처리부(62)에서 분석될 수 있다. 상기 검사 단계들(S30, S50, S60)은 어느 하나가 생략되거나, 어느 하나의 검사 단계만 수행되도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 10 along with FIG. 10, in order to align the position of the substrate 110 loaded on the work table 10, a step S10 of aligning the substrate through a wireless signal is performed. The substrate 110 is aligned so that the position of a specific point of the substrate 110 to which the laser is irradiated is aligned. As described above, the substrate 110 is transmitted by transmitting a radio signal to a specific point of the substrate 110 or the semiconductor chip 100. The method of aligning the position of the substrate 110 through the strength of the wireless signal received from the 110 or the semiconductor chip 100 may be used. In this case, a method of correcting the position by performing radio transmission and reception to three or more points on the substrate may be used for the accuracy of alignment. Next, an operation (S20) of supplying power to the semiconductor chip 100 through the wireless power supply unit 30 of the via hole processing laser device 3 is performed. In order to inspect the performance of the semiconductor chip 100, the semiconductor chip 100 is in an operating state. Next, a pre-test step S30 of checking the performance of the semiconductor chip 100 through a wireless signal is performed. The signal transmitted from the wireless signal unit 40 is transferred to the input signal of the semiconductor chip 100 to check the performance of the semiconductor chip 100, and the test result is again via the chip transceiver of the semiconductor chip 100. It is transmitted to the wireless signal unit 40 of the laser processing device 3 for hole processing, and the test unit 60 processes and analyzes it. The test data processor 62 in the test unit 60 may compare the test result with an expected value for each of the stored test parameters and determine whether the semiconductor chip 100 is defective. After the pre-inspection step S30 is performed, a step S40 of forming a via hole on the substrate 110 by irradiating a laser is performed. The irradiator 23 of the laser unit 20 irradiates a laser to a specific point of the substrate 110 to form a via hole. After the via hole is formed, an operation S50 of inspecting the via hole formed through the wireless signal is performed. This step is performed through wireless communication similarly to the pre-inspection step (S30), and is a step for inspecting a defect of the via hole. In the case of the through hole, an inspection for checking whether the through hole is performed may be performed. As described with reference to FIG. 9, when the radio signal units 40 are disposed on both upper and lower sides of the substrate loading unit 18, respectively, and include two or more radio signal units 40, the upper radio signal units 40 may be used. By receiving the transmitted signal from the lower wireless signal unit 40 it will be possible to determine whether the through-hole is defective through the reception of the wireless signal and the strength of the received wireless signal. After the step S50 of checking the via holes, a post-test step S60 of checking the performance of the semiconductor chip 100 through a wireless signal is performed again. This may be the same manner as the pre-inspection step S30, and may be analyzed by the test data processor 62 in comparison with the result of the pre-inspection step S30. The inspection steps S30, S50, and S60 may be omitted so that only one inspection step is performed.

이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

1, 2, 3: 비아 홀 가공용 레이저 장치
10: 워크 테이블
18: 기판 영역
20: 레이저부
30: 무선 전원부
40: 무선 신호부
60: 테스트부
100: 반도체 칩
110: 기판1, 2, 3: Laser device for via hole processing
10: work table
18: substrate area
20: laser unit
30: wireless power unit
40: wireless signal unit
60: test unit
100: semiconductor chip
110: substrate

Claims

A work table including a substrate loading portion on which the substrate is placed;
A wireless signal unit located on the work table and capable of transmitting and receiving wireless signals with an external device;
A wireless power supply unit located on the work table and capable of wirelessly transmitting and receiving power; And
A laser unit positioned on the work table and capable of irradiating a laser for forming a via hole;
Laser device for via hole processing comprising a.

The method of claim 1,
A test unit disposed on the work table and capable of inspecting performance of via holes and semiconductor chips on the substrate;
Laser device for via hole processing further comprising a.

The method of claim 1,
And the wireless signal unit is mounted in the work table.

The method of claim 2,
And the wireless signal unit and the wireless power supply unit are mounted in the test unit.

The method of claim 1,
And the wireless signal unit comprises a wireless signal transceiver, a wireless signal circuit unit, and a wireless signal controller.

The method of claim 5, wherein
And the wireless signal transmitting and receiving end is disposed on the substrate loading portion of the work table to face the substrate loading portion.

The method of claim 1,
The substrate loading unit of the work table, the laser device for via hole processing, characterized in that the movable to align the substrate to the laser irradiation position by measuring the intensity of the radio signal received from the external device.

Aligning the substrate to a laser irradiation position by transmitting and receiving a radio signal between the via hole processing laser device and the substrate;
Irradiating a laser to the substrate to form via holes; And
Inspecting the formed via hole by transmitting and receiving a wireless signal;
Via hole processing method comprising a.

The method of claim 8,
After inspecting the via hole,
And inspecting the performance of the semiconductor chips on the substrate through transmission and reception of a radio signal.

The method of claim 9,
Prior to forming the via hole,
And inspecting the performance of the semiconductor chips on the substrate through transmission and reception of a radio signal.