KR101450073B1 - In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof - Google Patents

In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101450073B1
KR101450073B1 KR1020100055093A KR20100055093A KR101450073B1 KR 101450073 B1 KR101450073 B1 KR 101450073B1 KR 1020100055093 A KR1020100055093 A KR 1020100055093A KR 20100055093 A KR20100055093 A KR 20100055093A KR 101450073 B1 KR101450073 B1 KR 101450073B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
semiconductor wafer
equipment
optical signal
dicing
Prior art date
Application number
KR1020100055093A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110135281A (en
Inventor
김동규
황선하
Original Assignee
에스티에스반도체통신 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스티에스반도체통신 주식회사 filed Critical 에스티에스반도체통신 주식회사
Priority to KR1020100055093A priority Critical patent/KR101450073B1/en
Publication of KR20110135281A publication Critical patent/KR20110135281A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101450073B1 publication Critical patent/KR101450073B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비 및 그 운용방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 반도체 웨이퍼가 투입되는 로딩부와, 상기 반도체 웨이퍼에 대한 전기적 검사를 광신호 및 무선 전원을 통하여 수행하는 검사부와, 상기 검사가 완료된 반도체 웨이퍼에서 개별 반도체 칩을 분리하는 다이싱부와, 상기 검사부에서 다이싱부로 상기 반도체 웨이퍼를 이동하는 이송부와, 상기 다이싱이 완료된 반도체 웨이퍼를 장비 밖으로 내보내는 언로딩부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비 및 그 운용방법을 제공한다. 따라서, 전기적 검사와 다이싱을 하나의 장비에서 무접점식으로 진행하여 제조 효율을 개선할 수 있다.An in-line apparatus including an automatic inspection apparatus using light and a dicing apparatus, and a method of operating the apparatus. In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a loading unit into which a semiconductor wafer is inserted; an inspection unit that performs electrical inspection of the semiconductor wafer through an optical signal and a wireless power source; A transfer unit for moving the semiconductor wafer from the inspection unit to the dicing unit, and an unloading unit for transferring the diced semiconductor wafer to the outside of the equipment. In-line equipment and a method of operation thereof. Therefore, the electrical inspection and dicing can be performed in a single equipment in a non-contact manner, thereby improving the manufacturing efficiency.

Description

광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비 및 그 운용방법.{In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof}An in-line apparatus including an automatic inspection apparatus using light, a dicing apparatus, and a method of operating the apparatus.

본 발명은 새로운 기능을 갖는 반도체 소자의 제조장비 및 그 운용방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광신호 및 무선 전원을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비가 결합된 인라인 장비 및 그 운용방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device having a new function and a method of operating the same, and more particularly, to an in-line apparatus in which an automatic inspection apparatus and a dicing apparatus using an optical signal and a wireless power source are combined and an operation method thereof .

최근들어 반도체 소자는 소형화, 집적화 및 다기능화에 초점을 두고 눈부시게 발전하고 있다. 특히 반도체 소자는 단위 반도체 소자를 하나의 실리콘 기판에 수백에서 수천 개를 집적회로 제조공정을 통해 만든 것이다. 이러한 반도체 소자는 웨이퍼 상태에서 반도체 패키지로 가공되기 전에 이. 디. 에스 검사(EDS test: Electrical Die Sorting test)라는 전기적 검사를 통해 양품 및 불량으로 선별된다. In recent years, semiconductor devices have been remarkably developed with a focus on miniaturization, integration, and versatility. In particular, semiconductor devices are made up of hundreds to thousands of unit semiconductor devices on one silicon substrate through integrated circuit manufacturing processes. Such a semiconductor device may be fabricated into a semiconductor package in a wafer state. D. Electrical test is an electrical test called electrical test (EDS test: Electrical Die Sorting test).

도1은 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 평면도이다. 1 is a plan view of a semiconductor wafer according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼(200)는, 실리콘 혹은 화합물 반도체 웨이퍼(200)에 복수개의 반도체 칩(202)들의 스크라이브 라인(204)에 의해 분리된 구조로 형성되어 있다. 상기 스크라이브 라인(204)은 단위 반도체 칩(203)들을 다이싱(dicing) 공정으로 분리할 때, 소우 블레이드(saw blade)가 지나가는 통로가 된다. 그리고 반도체 웨이퍼(200)의 일측면은 일직선으로 설계된 플랫 존(flat zone, 206)이 형성되어 있다. 상기 플랫 존(206)은 반도체 웨이퍼(200)의 기준점을 지정할 때 사용되며, 이 영역에는 반도체 웨이퍼(200)의 고유번호가 인쇄된다.Referring to FIG. 1, a conventional semiconductor wafer 200 is formed by a scribe line 204 of a plurality of semiconductor chips 202 on a silicon or compound semiconductor wafer 200. The scribe line 204 is a passage through which the saw blade passes when the unit semiconductor chips 203 are separated by a dicing process. One side of the semiconductor wafer 200 is formed with a flat zone 206 designed in a straight line. The flat zone 206 is used to designate a reference point of the semiconductor wafer 200, in which the unique number of the semiconductor wafer 200 is printed.

종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼(200)는, 이. 디. 에스 검사(EDS test)를 통해 이루어지며, 테스터인 자동검사장비(ATE: Automatic Test Equipment)와 프로브 스테이션(Prober station)을 사용하여 전기적 검사가 이루어진다. 이때, 자동검사장비(ATE)는 반도체 소자의 전기적 검사에 필요한 직류/교류 전원공급, 신호 패턴의 공급, 전기적 신호의 측정 등을 내부에 포함된 계측기, 전원 공급 장치 및 컴퓨터를 이용하여 수행한다. 그리고 프로브 스테이션은 웨이퍼의 로딩 및 언로딩(unloading)과 반도체 웨이퍼에 포함된 반도체 칩과 자동검사장비를 서로 전기적으로 연결시키는 역할을 담당한다. 상기 반도체 웨이퍼와 자동검사장비를 연결시키는 방식은 프로브 시스템 내부에 포함된 프로브 카드(prober card)의 탐침을 이용하여 반도체 웨이퍼의 접촉단자와 테스터의 접촉단자를 서로 연결한다.The semiconductor wafer 200 according to the related art has the following structure. D. (EDS test), and electrical tests are performed using a tester (ATE: Automatic Test Equipment) and a probe station. At this time, the automatic test equipment (ATE) performs the DC / AC power supply, the signal pattern supply, and the electrical signal measurement necessary for the electrical inspection of the semiconductor device by using the internal measuring instrument, the power supply device and the computer. The probe station is responsible for loading and unloading the wafers and electrically connecting the semiconductor chips contained in the semiconductor wafers to the automatic inspection equipment. In the method of connecting the semiconductor wafer and the automatic inspection equipment, a contact terminal of a semiconductor wafer and a contact terminal of a tester are connected to each other by using a probe of a probe card included in the probe system.

상기 이. 디. 에스(EDS)검사가 완료된 후, 반도체 웨이퍼는 별도의 제조공정인 다이싱 공정으로 이송된다. 상기 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼를 고정시킬 수 있는 확장테이프가 탑재된 마운팅 링(mounting ring)에 반도체 웨이퍼를 고정시킨 후, 반도체 웨이퍼에서 개별 반도체 칩을 분리하는 공정인 다이싱 공정(Dicing process)을 진행하게 된다.The above- D. After the EDS inspection is completed, the semiconductor wafer is transferred to a dicing process, which is a separate manufacturing process. In the dicing step, a semiconductor wafer is fixed to a mounting ring on which an expansion tape capable of fixing a semiconductor wafer is mounted, and then a dicing process is performed to separate individual semiconductor chips from the semiconductor wafer. .

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광신호 및 무선 전원을 반도체 웨이퍼에 인가하여 반도체 칩에 대한 전기적 검사를 진행하고 동일 장비 내에서 다이싱 공정을 진행할 수 있는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide an automatic inspection apparatus and a dicing apparatus that use an optical signal and a wireless power source to conduct electrical inspection of a semiconductor chip by applying the same to a semiconductor wafer, In-line equipment.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 운용방법을 제공하는데 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of operating an inline device including an automatic inspection device and a dicing device using the light.

상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비는, 반도체 웨이퍼가 투입되는 로딩부와, 상기 반도체 웨이퍼에 대한 전기적 검사를 광신호 및 무선 전원을 통하여 수행하는 검사부와, 상기 검사가 완료된 반도체 웨이퍼에서 개별 반도체 칩을 분리하는 다이싱부와, 상기 검사부에서 다이싱부로 상기 반도체 웨이퍼를 이동하는 이송부와, 상기 다이싱이 완료된 반도체 웨이퍼를 장비 밖으로 내보내는 언로딩부를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an inline device including an automatic inspection equipment and a dicing equipment using light according to the present invention. The inline equipment includes a loading unit into which a semiconductor wafer is inserted, A dicing portion for separating the individual semiconductor chips from the semiconductor wafer after the inspection; a transfer portion for transferring the semiconductor wafer to the dicing portion in the inspection portion; and a transfer portion for transferring the diced semiconductor wafer out of the equipment And an unloading unit.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 반도체 웨이퍼는, 내부에 광신호 송수신부 및 무선전원 발생부를 포함하는 것이 적합하고, 상기 광신호 송수신부 및 무선 전원 발생부는, 반도체 칩이 형성되지 않는 여분의 공간에 형성되는 것이 적합하고, 상기 여분의 공간은, 반도체 칩들을 구분하는 스크라이브 라인 및 반도체 칩들이 형성되지 않는 공간이 될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, it is preferable that the semiconductor wafer includes an optical signal transmission / reception section and a wireless power generation section, and the optical signal transmission / reception section and the wireless power generation section are provided with an extra The extra space may be a scribe line for separating semiconductor chips and a space in which semiconductor chips are not formed.

이때, 상기 반도체 웨이퍼의 광 송수신부는, 반도체 칩이 형성되지 않는 여분의 영역 혹은 반도체 칩의 집적회로가 형성되는 활성영역 중에 어느 하나의 영역에 형성되는 것이 적합하다.At this time, it is preferable that the optical transceiver of the semiconductor wafer is formed in any one of an extra region where no semiconductor chip is formed or an active region where an integrated circuit of a semiconductor chip is formed.

또한 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 검사부는, 광신호를 발생시켜 상기 반도체 웨이퍼로 송신하고, 다시 광신호를 수신할 수 있는 무선 신호 송수신부 및 무선 전원을 발생시켜 상기 반도체 웨이퍼의 무선전원 발생부로 전원을 공급하는 무선전원 송신부를 구비하는 것이 적합하다.According to a preferred embodiment of the present invention, the inspection unit may further include a wireless signal transmission / reception unit for generating an optical signal and transmitting the optical signal to the semiconductor wafer, receiving the optical signal again, and a wireless power source, And a wireless power supply transmitting unit for supplying power to the generating unit.

바람직하게는, 상기 검사부 및 반도체 웨이퍼의 광신호 송수신부는, 포토 다이오드 혹은 발광 다이오드를 포함할 수 있다. Preferably, the optical signal transmitting and receiving unit of the inspection unit and the semiconductor wafer may include a photodiode or a light emitting diode.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 운용방법은, 광신호 송수신부 및 무선 전원 발생부를 갖는 반도체 웨이퍼를 로딩부로 투입하는 단계와, 검사부에서 상기 반도체 웨이퍼로 무선 전원을 송신하여 반도체 칩에 전원을 인가하는 단계와, 검사부에서 상기 반도체 웨이퍼의 광신호 송수신부로 입력 신호를 송신하여 반도체 칩에 입력신호를 인가하는 단계와, 검사부에서 상기 반도체 웨이퍼의 광신호를 검출하는 단계와, 검출된 광신호를 전기신호로 변환하여 정상 출력 신호와 비교하여 합격/불합격을 판정하는 단계와, 반도체 웨이퍼에 대한 다이싱을 동일 장비에서 진행하는 단계와, 다이싱이 완료된 반도체 웨이퍼를 언로딩부로 이송하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of operating an in-line equipment including an automatic inspection equipment and a dicing equipment using light according to the present invention includes the steps of inputting a semiconductor wafer having an optical signal transmission / reception unit and a wireless power generation unit to a loading unit Transmitting an input signal to an optical signal transmitting and receiving unit of the semiconductor wafer in an inspection unit to apply an input signal to the semiconductor chip, Detecting an optical signal of the semiconductor wafer in the semiconductor wafer, converting the detected optical signal into an electrical signal, comparing the optical signal with a normal output signal to determine pass / fail, and dicing the semiconductor wafer And a step of transferring the diced semiconductor wafer to the unloading section It characterized.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 검사부는, 상기 반도체 웨이퍼에 대한 전기적 검사를 무접점식으로 진행하는 것이 적합하다.  According to a preferred embodiment of the present invention, it is preferable that the inspection unit conduct electrical inspection of the semiconductor wafer in a contactless manner.

도1은 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 웨이퍼의 평면도이다.
도 4는 도 3의 A 영역의 확대도로서 반도체 웨이퍼에 설계된 광신호 송수신부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 4의 광신호 송수신부의 동작원리를 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 도 3의 B 영역의 확대도로서 반도체 웨이퍼에 설계된 무선 전원 발생부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 반도체 웨이퍼에 설계된 무선 전원 발생부의 동작원리를 설명하기 위한 블록도이다.
도 8은 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 검사부에 설치된 무선전원 송신부의 동작원리를 설명하기 위한 블록도이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 웨이퍼가 로딩부로 투입되는 형태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 운용방법을 설명하기 위한 플로 차트(flow-chart)이다.
도 11은 검사부의 테스터를 이용하여 반도체 웨이퍼에 포함된 단위 반도체 칩을 전기적으로 검사하는 것을 설명하기 위한 블록도이다.
도 12는 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 적층하여 검사부를 통해 검사하는 방식을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a plan view of a semiconductor wafer according to the prior art.
FIG. 2 is a block diagram of an in-line equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention.
Fig. 4 is an enlarged view of region A in Fig. 3, and is a plan view for explaining an optical signal transmitting / receiving unit designed in a semiconductor wafer.
5 is a block diagram for explaining the operation principle of the optical signal transmitting and receiving unit of FIG.
FIG. 6 is an enlarged view of a region B in FIG. 3, and is a plan view for explaining a wireless power generating unit designed on a semiconductor wafer.
7 is a block diagram for explaining the operation principle of a wireless power generator designed on a semiconductor wafer.
8 is a block diagram for explaining the operation principle of a wireless power transmitter installed in an inspection unit of an in-line equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment.
FIG. 9 is a plan view for explaining a mode in which a semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention is inserted into a loading unit.
FIG. 10 is a flow chart for explaining a method of operating an in-line equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment according to a preferred embodiment of the present invention.
11 is a block diagram for explaining electrically inspecting a unit semiconductor chip included in a semiconductor wafer using a tester of an inspection unit.
12 is a cross-sectional view for explaining a method of stacking one or more semiconductor wafers and inspecting them through an inspection unit.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 아래의 상세한 설명에서 개시되는 실시예는 본 발명을 한정하려는 의미가 아니라, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게, 본 발명의 개시가 실시 가능한 형태로 완전해지도록 발명의 범주를 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. It is provided to inform the category.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram of an in-line equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비(1000)는, 반도체 웨이퍼가 투입되는 로딩부(400)와, 상기 반도체 웨이퍼에 대한 전기적 검사를 광신호 및 무선 전원을 통하여 수행하는 검사부(100)와, 상기 검사가 완료된 반도체 웨이퍼에서 개별 반도체 칩을 분리하는 다이싱부(600)와, 상기 검사부(100)에서 다이싱부(600)로 상기 반도체 웨이퍼를 이동하는 이송부(500)와, 상기 다이싱이 완료된 반도체 웨이퍼를 장비 밖으로 내보내는 언로딩부(700)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 2, an in-line equipment 1000 including an automatic inspection equipment and a dicing equipment using light according to a preferred embodiment of the present invention includes a loading unit 400 into which a semiconductor wafer is loaded, A dicing unit 600 for separating the individual semiconductor chips from the semiconductor wafer after the inspection is completed and a dicing unit 600 for inspecting the semiconductor wafer by the inspection unit 100. [ A transfer unit 500 for transferring the semiconductor wafer to the semiconductor wafer, and an unloading unit 700 for transferring the diced semiconductor wafer to the outside of the apparatus.

이때, 상기 반도체 웨이퍼는 도 9에 도시된 바와 같이 마운팅 링(mounting ring, 800)에 탑재된 상태로 상기 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비(1000)의 로딩부(400)로 투입될 수 있다. 또한 상기 이송부(500)는 검사부(100)에서 무선 신호 및 무선 전원을 사용하여 전기적 검사가 완료된 반도체 웨이퍼를 컨베이어(conveyer), 혹은 로봇 암(robot arm)과 같은 이송 수단을 통하여 다이싱부(600)로 단순히 이동하는 기능을 수행한다.9, the semiconductor wafer is loaded on a mounting ring 800 of the inline equipment 1000 including the automatic inspection equipment and the dicing equipment using the light, ). ≪ / RTI > The transferring unit 500 may transfer the semiconductor wafer that has been electrically inspected to the dicing unit 600 through a transferring means such as a conveyor or a robot arm using a wireless signal and a wireless power in the inspection unit 100. [ As shown in FIG.

한편, 상기 본 발명에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비(1000)는 상기 다이싱부(600)를 통상적으로 사용하는 다이싱 장비의 구조와 큰 차이가 없기 때문에 본 발명에서는 광신호 및 무선 전원을 이용하여 반도체 웨이퍼를 전기적으로 검사하는 검사부(100)와 새로운 기능을 포함하는 반도체 웨이퍼를 중심으로 설명한다.Meanwhile, since the in-line equipment 1000 including the automatic inspection equipment and the dicing equipment using the light according to the present invention is not greatly different from the structure of the dicing equipment that commonly uses the dicing unit 600, An inspection unit 100 for electrically inspecting a semiconductor wafer using an optical signal and a wireless power source, and a semiconductor wafer including a new function will be described.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 웨이퍼의 평면도이다.3 is a plan view of a semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 광신호 송수신부 및 무선 전원 발생부를 갖는 반도체 웨이퍼(300)는, 반도체 웨이퍼와, 상기 반도체 웨이퍼에 형성되고 스크라이브 라인(304)에 의해 분리된 복수개의 반도체 칩(302)들을 포함한다. 상기 반도체 칩(302)은 메모리 소자, 로직 소자, 아날로그 소자, 전력소자 및 저항과 커패시터와 같은 개별소자가 될 수 있다. 또한 상기 반도체 웨이퍼(300)는, 실리콘 기판 혹은 화합물 반도체 기판으로, 화합물 반도체 기판인 경우, 갈륨-비소(GeAs) 반도체 기판과 같이 3-5족 화합물 반도체 기판인 것이 적합하다.3, a semiconductor wafer 300 having an optical signal transmission / reception unit and a wireless power generation unit according to the present invention includes a semiconductor wafer, a plurality of semiconductor chips formed on the semiconductor wafer and separated by a scribe line 304, (302). The semiconductor chip 302 may be a memory device, a logic device, an analog device, a power device, and a discrete device such as a resistor and a capacitor. The semiconductor wafer 300 is preferably a silicon substrate or a compound semiconductor substrate. When the semiconductor wafer 300 is a compound semiconductor substrate, it is preferably a group 3-5 compound semiconductor substrate such as a gallium-arsenic (GeAs) semiconductor substrate.

또한, 본 발명에 의한 광신호 송수신부 및 무선 전원발생부를 갖는 반도체 웨이퍼(300)는, 상기 복수개의 반도체 칩(302)들의 입출력 신호 단자와 연결되고 스크라이브 라인(304) 상에 형성된 광신호 수광부(도4의 5b)와, 상기 복수개의 반도체 칩(302)들의 입출력 신호 단자와 연결되고 스크라이브 라인(304) 상에 형성된 광신호 발광부(도4의 5a)로 이루어진 광신호 송수신부(도6의 5)를 포함한다.The semiconductor wafer 300 having the optical signal transmitting and receiving unit and the wireless power generating unit according to the present invention may further include an optical signal receiving unit connected to the input and output signal terminals of the plurality of semiconductor chips 302 and formed on the scribe line 304 6) of the semiconductor chip 302 and an optical signal emitting unit (5a of FIG. 4) formed on the scribe line 304 connected to the input / output signal terminals of the plurality of semiconductor chips 302 5).

그리고 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼(300)는, 상기 반도체 웨이퍼 상에서 여분의 공간에 형성되고 복수개의 반도체 칩(302)들의 전원 단자(도6의 316)와 연결된 무선 전원 발생부(32)를 구비한다. 도면에서 참조부호 306은 플랫 존(flat zone)을 가리키며, 필요시 생략할 수도 있다. 또한 도면에서 참조부호 A는 광신호 송수신부를 설명하기 위한 부분이며, B는 무선 전원발생부를 설명하기 위한 부분으로 추후 도면을 통해 상세히 설명한다. The semiconductor wafer 300 according to the present invention includes a wireless power generator 32 formed in an extra space on the semiconductor wafer and connected to power terminals (316 in FIG. 6) of a plurality of semiconductor chips 302 . In the figure, reference numeral 306 denotes a flat zone, which may be omitted if necessary. In the drawings, reference symbol A denotes a portion for explaining an optical signal transmitting / receiving unit, and B denotes a wireless power generating unit, which will be described later in detail with reference to the drawings.

여기서 무선 전원발생부(32)가 형성되는 상기 여분의 공간은, 스크라이브 라인(304) 혹은 반도체 칩(302)이 형성되지 않은 웨이퍼의 나머지 공간이 될 수 있다.Here, the extra space in which the wireless power generating unit 32 is formed may be the remaining space of the scribe line 304 or the wafer on which the semiconductor chip 302 is not formed.

도 4는 도 3의 A 영역의 확대도로서 반도체 웨이퍼에 설계된 광신호 송수신부를 설명하기 위한 평면도이다.Fig. 4 is an enlarged view of region A in Fig. 3, and is a plan view for explaining an optical signal transmitting / receiving unit designed in a semiconductor wafer.

도 4를 참조하면, 일반적으로 반도체 칩(302)의 가장자리는 반도체 칩(302)의 전기적 기능을 외부로 확장하기 위한 본드패드(312)가 설치된다. 이러한 본드 패드(312)는 외부와의 연결을 위하여 보호막이 제거된 형태이다. 또한 반도체 칩(302)과 반도체 칩(302)의 경계에는 다이싱 공정에 사용되는 스크라이브 라인(304)이 형성되어 있다. 도면에서 참조부호 310은 반도체 칩(302)의 집적회로들이 형성되는 반도체 칩의 활성영역을 가리킨다.Referring to FIG. 4, generally, the edge of the semiconductor chip 302 is provided with a bond pad 312 for extending the electrical function of the semiconductor chip 302 to the outside. The bond pad 312 has a protective film removed for connection with the outside. A scribe line 304 used for the dicing process is formed at the boundary between the semiconductor chip 302 and the semiconductor chip 302. [ Reference numeral 310 denotes an active region of a semiconductor chip on which integrated circuits of the semiconductor chip 302 are formed.

이때 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 광신호 수광부(5b) 및 광신호 발광부(5a)는 상기 스크라이브 라인(304) 영역에 각각 형성되어 있다. 상기 광신호 수광부(5b)는 포토 다이오드를 포함할 수 있으며, 배선 라인(314)에 통해 상기 반도체 칩(302)의 입출력 단자용 본드패드(312)와 연결된다. 또한 광신호 발광부(5a)는 발광 다이오드를 포함할 수 있으며, 배선 라인(314)에 의해 상기 반도체 칩(302)의 입출력 단자용 본드패드(312)와 서로 연결된다. 또한 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼는, 상기 스크라이브 라인(304)에 추가로 설치된 복수개의 관통홀(315)을 더 포함할 수 있다. 상기 관통홀(315)은 광신호가 통과할 수 있는 공간으로 광신호 수광부(5b) 및 발광부(5a)가 함께 동작되는 점을 고려하여 2의 배수로 형성되는 것이 적합하다. At this time, the optical signal receiving unit 5b and the optical signal emitting unit 5a according to the preferred embodiment of the present invention are formed in the scribe line 304 region. The optical signal receiving unit 5b may include a photodiode and is connected to a bond pad 312 for input / output terminals of the semiconductor chip 302 through a wiring line 314. [ The optical signal emitting portion 5a may include a light emitting diode and is connected to a bond pad 312 for input and output terminals of the semiconductor chip 302 by a wiring line 314. [ The semiconductor wafer according to the present invention may further include a plurality of through holes 315 provided in the scribe line 304. It is preferable that the through hole 315 is formed in a multiple of two in consideration of the fact that the light signal receiving portion 5b and the light emitting portion 5a are operated together with a space through which the optical signal can pass.

도면에서는 광신호 발광부(5a), 광신호 수광부(5b) 및 관통홀(315)의 위치를 스크라이브 라인(304)에 한정하여 설명하였다. 하지만 상기 광신호 발광부5a), 광신호 수광부(5b) 및 관통홀(315)을 포함하는 광신호 송수신부는 스크라이브 라인(302)이 아닌, 집적회로가 형성되는 활성영역(310)에서 본드패드(312)와 인접한 영역에 설치할 수도 있다.The position of the optical signal emitting portion 5a, the optical signal receiving portion 5b and the through hole 315 is limited to the scribe line 304 in the figure. However, the optical signal transmitting and receiving unit including the optical signal emitting unit 5a, the optical signal receiving unit 5b and the through hole 315 is not a scribe line 302 but an active area 310 in which an integrated circuit is formed, 312 adjacent to each other.

도 5는 도 4의 광신호 송수신부의 동작원리를 설명하기 위한 블록도이다.5 is a block diagram for explaining the operation principle of the optical signal transmitting and receiving unit of FIG.

도 5를 참조하면, 반도체 웨이퍼(300)의 스크라이브 라인에 형성된 광신호 송수신부(5)는 제2 수광부(5b), 제2 발광부(5a), 광신호 회로부(5c) 및 광신호 제어부(5d)를 포함한다. 따라서 상기 광신호 송수신부(5)는, 반도체 웨이퍼(300)에 형성되며, 검사부(100)와 반도체 칩(302)의 본드패드(312) 사이에서 광신호를 전기신호로 변환하거나 혹은 반대로 전기신호를 광신호로 변환하여 송수신할 수 있도록 되어 있다. 5, the optical signal transmitting / receiving unit 5 formed on the scribe line of the semiconductor wafer 300 includes a second light receiving unit 5b, a second light emitting unit 5a, an optical signal circuit unit 5c, 5d. The optical signal transmitting and receiving unit 5 is formed on the semiconductor wafer 300 and converts an optical signal into an electrical signal between the inspection unit 100 and the bond pad 312 of the semiconductor chip 302, Can be converted into optical signals and transmitted / received.

상기 검사부(100)의 제1 발광부(Ha)에서 광신호를 송신하면, 반도체 웨이퍼(300) 광신호 송수신부(5)의 제2 수광부(5b)가 이를 수신하며, 수신된 광신호를 전기신호로 변환하여 반도체 칩(302)의 본드패드(312)로 보낸다. 상기 제2 수광부(5b)는, 포토 다이오드(Photo diode)일 수 있고, 수광하는 광의 파장은 적외선, 가시광선, 또는 자외선일 수 있다. 도면에서 실선은 검사부(100)에서 광신호를 수신하여 반도체 칩(302)의 본드패드(312)로 송신하는 경로를 가리킨다. When the optical signal is transmitted from the first light emitting unit Ha of the inspection unit 100, the second light receiving unit 5b of the optical signal transmitting and receiving unit 5 of the semiconductor wafer 300 receives the optical signal, Signal and sends it to the bond pad 312 of the semiconductor chip 302. The second light receiving portion 5b may be a photodiode and the wavelength of the light received may be infrared, visible, or ultraviolet. A solid line in the drawing indicates a path for receiving an optical signal from the inspection unit 100 and transmitting the optical signal to the bond pad 312 of the semiconductor chip 302.

상세히 설명하면, 검사부(100)의 제1 발광부(Ha)에서 광신호를 전송하면, 반도체 웨이퍼(300)에 있는 광송수신부(5)의 제2 수광부(5b)에서 예를 들어 포토 다이오드에 의하여 전기적 신호로 변환되고, 상기 전기적 신호는 광신호 회로부(5c)로 전송된다. 광신호 회로부(5c)는 광신호 제어부(5d)에 의하여 제어되어, 수신된 상기 전기적 신호를 반도체 칩(300)의 내부에서 가용한 형태의 신호, 예를 들어 전기신호로 변환할 수 있다. 이러한 전기신호는 직류 혹은 교류 형태인 것이 적합하다. More specifically, when an optical signal is transmitted from the first light emitting unit Ha of the inspection unit 100, the second light receiving unit 5b of the optical transmitting / receiving unit 5 in the semiconductor wafer 300 receives, for example, And the electrical signal is transmitted to the optical signal circuit unit 5c. The optical signal circuit unit 5c is controlled by the optical signal control unit 5d and can convert the received electrical signal into a signal, for example, an electrical signal, which is available in the semiconductor chip 300. [ These electrical signals are preferably of the DC or AC type.

또한, 광신호 회로부(5c)는 검사부(100)로부터 광신호로 전송되어 수신된 광신호들 중에서 실제 가용한 광신호를 필터링하는 필터(미도시)를 포함할 수 있다. 광신호 회로부(5c)는 검사부(100)와 반도체 웨이퍼(300)의 사이에서 주고받을 수 있는 광신호에 대하여 미리 정의된 광파장 대역과 프로토콜에 대한 정보를 가지고 있거나, 이러한 정보를 광신호 제어부(5d)로부터 받을 수 있다. 광신호 회로부(5c)에서 변환된 광신호들 중에 일부는 광신호 제어부(5d)에 의하여 제어되어 반도체 칩(302)의 본드패드(312)에 전송될 수 있다. The optical signal circuit unit 5c may include a filter (not shown) that filters an optical signal that is actually used among optical signals transmitted from the inspection unit 100 and received as an optical signal. The optical signal circuit unit 5c has information on a predetermined optical wavelength band and protocol for an optical signal that can be exchanged between the inspection unit 100 and the semiconductor wafer 300 or transmits the information to the optical signal control unit 5d ). Some of the optical signals converted in the optical signal circuit unit 5c may be controlled by the optical signal control unit 5d and transmitted to the bond pads 312 of the semiconductor chip 302. [

한편, 또한 도면에서 점선은 반도체 칩(302)의 본드패드(312)에서 전기신호를 수신하여 이를 광신호로 변환하여 검사부(100)로 송신하는 경로를 가리킨다.In the drawing, a dotted line indicates a path for receiving an electrical signal at the bond pad 312 of the semiconductor chip 302, converting it into an optical signal, and transmitting the optical signal to the inspection unit 100.

상세히 설명하면 반도체 칩(302)의 본드패드(312)에서 전기신호를 송신하면, 반도체 웨이퍼(300)의 광신호 송수신부(5)에 있는 제2 발광부(5a)는 이를 광신호로 변환하여 검사부의 제1 수광부(Ha)로 광신호를 송신한다. 상기 제2 발광부(5a)는, 발광 다이오드(Light emitting diode, LED), 레이저 다이오드(Laser diode, LD)일 수 있고, 발광하는 광의 파장은 적외선, 가시광선, 또는 자외선일 수 있다. In detail, when an electrical signal is transmitted from the bond pad 312 of the semiconductor chip 302, the second light emitting unit 5a in the optical signal transmitting and receiving unit 5 of the semiconductor wafer 300 converts the electrical signal into an optical signal And transmits the optical signal to the first light receiving unit Ha of the inspection unit. The second light emitting portion 5a may be a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD), and the wavelength of the emitted light may be infrared, visible, or ultraviolet.

제2 발광부(5a)는 예를 들어, "1"을 광신호 방사, "0"을 광신호 소거로 표현하는 점멸 방식(On-Off Keying: OOK)으로 데이터를 전송할 수 있다. 전송할 데이터가 디지털 데이터인 경우, 0 또는 1의 값을 갖는다. 상기 데이터 값이 0인 경우에는, 제2 발광부(5a)에 전류가 흐르지 않게 하고 상기 데이터 값이 1인 경우에는 제2 발광부(5a)에 전류가 흐르게 함으로써, 제2 발광부(5a)가 광신호를 온/오프 방식으로 출력할 수 있게 할 수 있다. 또는 이와 반대로 동작할 수 있다. The second light emitting portion 5a can transmit data by, for example, On-Off Keying (OOK) in which "1" represents optical signal emission and "0" represents optical signal cancellation. If the data to be transmitted is digital data, it has a value of 0 or 1. When the data value is 0, the second light emitting portion 5a is turned on by causing no current to flow through the second light emitting portion 5a and allowing the current to flow through the second light emitting portion 5a when the data value is 1, It is possible to output the optical signal in an on / off manner. Or vice versa.

상기 제2 발광부(5a)는 다수의 비트를 전송하도록, 다수의 아날로그 출력을 가질 수 있으며, 이는 전류의 강도 또는 파장을 변화시켜 구현할 수 있다. 예를 들어, 4비트의 데이터를 전송하기 위해, 제2 발광부(5a)는 16개의 아날로그 값들의 전류가 제2 발광부(5a)에 흐르도록 16개의 다른 전류들을 출력할 수 있다. The second light emitting portion 5a may have a plurality of analog outputs so as to transmit a plurality of bits, which may be implemented by varying the intensity or wavelength of the current. For example, in order to transmit 4 bits of data, the second light emitting portion 5a may output sixteen different currents such that a current of 16 analog values flows through the second light emitting portion 5a.

또한, 제2 발광부(5a)는 다수의 구별될 수 있는 파장들을 갖는 발광원들로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 발광부(5a)는 다른 파장의 광원들, 예를 들어 적외선 LED, 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED들로 이루어져 하나의 광 경로를 통해 다수의 광신호들을 출력할 수 있다. 이러한 경우에는, 검사부의 제1 수광부(Hb)는 해당 파장의 광을 수신하기 위해 동일한 개수의 수광 소자들로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 검사부의 제1 수광부(Hb)는 원하는 파장의 광만을 통과시키는 광 필터가 배치될 수 있다. 상술한 특징들은, 검사부의 제1 발광부(Ha) 및 검사부의 제1 발광부(Ha)에서 방출한 광을 수광하는 수광요소(5b)에도 동일하게 적용될 수 있다.Further, the second light emitting portion 5a may be composed of light emitting sources having a plurality of distinguishable wavelengths. For example, the second light emitting portion 5a may include a plurality of light sources having different wavelengths, for example, an infrared LED, a red LED, a green LED, and a blue LED to output a plurality of optical signals through one optical path . In this case, the first light-receiving unit Hb of the inspection unit may be formed of the same number of light-receiving devices to receive the light of the corresponding wavelength. Further, the first light receiving unit Hb of the inspection unit may be provided with an optical filter for passing only light of a desired wavelength. The above-described features can be similarly applied to the first light emitting unit Ha of the inspection unit and the light receiving element 5b that receives light emitted from the first light emission unit Ha of the inspection unit.

또한, 본 발명에 포함되는, 광신호를 이용한 데이터 송수신은 다른 다양한 방법으로 구현될 수 있다. 상술한 점멸 방식 외에도, n개의 이진 신호군을 2n개의 광 펄스 위치 시간으로 표현하는 펄스 위치 변조 방식(Pulse Position Modulation: PSM), n개의 이진 신호군을 2n개의 광 펄스 위치 시간 간격으로 표현하는 펄스 간격 변조 방식(Pulse Interval Modulation: PIM), PIM의 인식 펄스를 두 가지로 한 DHPIM(Dual Head PIM), 특정된 주파수의 정현파에 위상 변조(PSK), 진폭 변조(ASK) 등 일반적인 디지털 통신 방식으로 변조한 후 아날로그 광원의 세기로 재 변조하는 부반송파 변조 방식(Sub-Carrier Modulation: SCM) 등으로 광신호를 구현할 수 있다.In addition, data transmission / reception using an optical signal included in the present invention can be realized by various other methods. In addition to the above-mentioned blinking method, a pulse position modulation (PSM) in which n binary signal groups are represented by 2n optical pulse position times, a pulse representing n binary signal groups in 2n optical pulse position time intervals (PIM), dual-head PIM (DHPIM) with two recognition pulses of PIM, phase modulation (PSK) and amplitude modulation (ASK) on sinusoids of a specified frequency. The optical signal can be implemented by a sub-carrier modulation (SCM) method in which the optical signal is modulated and re-modulated to the intensity of the analog light source.

도 6은 도 3의 B 영역의 확대도로서 반도체 웨이퍼에 설계된 무선 전원 발생부를 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 6 is an enlarged view of a region B in FIG. 3, and is a plan view for explaining a wireless power generating unit designed on a semiconductor wafer.

도 6을 참조하면, 반도체 웨이퍼에 형성된 개개의 반도체 칩(302)은 가장자리를 따라 본드패드(312)가 형성되어 있다. 상기 본드 패드는 입출력 신호 단자의 역할, 혹은 전력신호 및 접지(Ground) 신호의 역할을 수행하기도 한다. Referring to FIG. 6, bond pads 312 are formed along the edges of individual semiconductor chips 302 formed on a semiconductor wafer. The bond pad also serves as an input / output signal terminal, or as a power signal and a ground signal.

본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 웨이퍼(300)는 여분의 공간, 예컨대 반도체 칩(302)들이 형성되지 않은 반도체 웨이퍼(300)의 나머지 공간에 설계된 무선전원 발생부(32)를 포함한다. 상기 무선전원 발생부(32)의 동작원리에 대해서는 추후 도7 및 도 8을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The semiconductor wafer 300 according to the preferred embodiment of the present invention includes a wireless power generation unit 32 designed in an extra space, for example, the remaining space of the semiconductor wafer 300 where the semiconductor chips 302 are not formed. The operation principle of the wireless power generator 32 will be described later in detail with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 웨이퍼(300)는, 무선전원 발생부(32)에 연결된 배선 라인(318)이 하나 혹은 복수개의 반도체 칩(302)의 전원단자(316)와 연결된다. 상기 무선전원 발생부(32)에 연결된 배선 라인(318)은 주로 스크라이브 라인(304)에 배치된다. 이때, 상기 무선 전원발생부(32)의 크기를 작게 집적화할 수 있으면, 상기 무선전원 발생부(32)는 스크라이브 라인(304) 영역에 배치할 수도 있다. 한편, 도면에서는 무선전원 발생부(32)가 2개의 반도체 칩의 전원단자용 본드패드(316)와 연결되었으나, 연결되는 개수는 당업자의 설계방식으로 따라 여려 형태로 변형이 가능하다.The semiconductor wafer 300 according to the preferred embodiment of the present invention is connected to the power supply terminal 316 of one or a plurality of semiconductor chips 302 through the wiring line 318 connected to the wireless power generating unit 32. The wiring line 318 connected to the wireless power generation unit 32 is mainly disposed on the scribe line 304. At this time, if the size of the wireless power generating unit 32 can be reduced, the wireless power generating unit 32 may be disposed in the scribe line 304 area. Although the wireless power generating unit 32 is connected to the power terminal bonding pads 316 of the two semiconductor chips in the drawing, the number of the wireless power generating units 32 can be changed depending on a design method of a person skilled in the art.

도 7은 반도체 웨이퍼에 설계된 무선 전원 발생부(32)의 동작원리를 설명하기 위한 블록도이고, 도 8은 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 검사부에 설치된 무선전원 송신부(34)의 동작원리를 설명하기 위한 블록도이다.7 is a block diagram for explaining the operation principle of the wireless power generating unit 32 designed on a semiconductor wafer. FIG. 8 is a block diagram for explaining the operation principle of the wireless power generating unit 32, (34) in accordance with an embodiment of the present invention.

무선 전원 발생부 및 공급부는 라디오 주파수(Radio frequency, RF)파 또는 초음파를 이용하는 방사형(radiative) 방식, 자기 유도(magnetic induction)를 이용하는 유도 커플링(inductive coupling) 방식, 또는 자기장 공진을 이용하는 비방사형(non-radiative) 방식을 통해, 반도체 웨이퍼에 필요한 전원을 수신 받을 수 있고 또한 송신할 수 있다. The wireless power generating unit and the supplying unit may be a radiative type using radio frequency (RF) waves or ultrasonic waves, an inductive coupling type using magnetic induction, a non-radiative type using magnetic field resonance a non-radiative method can be used to receive and transmit power required for a semiconductor wafer.

상기 방사형 방식은 모노폴(monopole)이나 PIFA(planar inverted-F antenna) 등의 안테나를 이용하여, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. 상기 방사형 방식은, 시간에 따라 변화하는 전계나 자계가 서로 영향을 주면서 방사가 일어나며, 같은 주파수의 안테나가 있을 경우 입사파의 극(polarization) 특성에 맞게 전력을 수신 및 송신할 수 있다. 상기 유도 커플링 방식은 코일을 복수회 권취하여 일측 방향으로 강한 자계를 발생시키고, 유사한 범위의 주파수 내에서 공진하는 코일을 근접시켜 커플링을 발생시킴으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. 상기 비방사형 방식은, 근거리 전자장을 통해 같은 주파수로 공진하는 두 매체들 사이에서 전자파를 이동시키는 감쇄파 결합(evanescent wave coupling)을 이용함으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. The radial system can receive and transmit power energy wirelessly using a monopole or PIFA (Planar Inverted-F antenna) antenna. In the radial system, radiation is generated while an electric field or a magnetic field varying with time interacts with each other. When there is an antenna of the same frequency, power can be received and transmitted according to the polarization characteristic of the incident wave. The inductive coupling system can receive and transmit power energy wirelessly by generating a strong magnetic field in one direction by winding the coil a plurality of times and generating a coupling by bringing a resonant coil in close range within a similar range of frequencies . The non-radiative scheme can receive and transmit power energy wirelessly by using evanescent wave coupling that moves electromagnetic waves between two media that resonate at the same frequency through a near field.

도 7을 참조하면, 반도체 웨이퍼의 여분의 공간에 형성된 무선 전원 발생부(32)는 전원 수신단(32a), 전원 변환부(32b), 전원 저장/제공부(32c), 전원 검출부(32d), 및 전원 제어부(32e)를 포함할 수 있다. 7, a wireless power generating unit 32 formed in an extra space of the semiconductor wafer includes a power receiving unit 32a, a power converting unit 32b, a power storing / supplying unit 32c, a power detecting unit 32d, And a power control unit 32e.

전력 수신단(32a)은 외부 전원 신호를 무선으로 수신하여, 전원 변환부(32b)로 전송한다. 예를 들어, 전원 수신단(32a)이 무선으로 상기 외부 전력을 수신하는 경우에는, 전원 수신단(32a)은 안테나, 코일, 또는 공진기 등을 포함할 수 있고, 상기 외부 전력 신호는 교류 신호일 수 있다. 이 경우에, 상기 외부 전력 신호는 상술한 방사형 방식, 유도 커플링 방식, 또는 비방사형 방식에 의하여 수신될 수 있다. 필요한 경우, 전원 수신단(32a)은 상기 외부 전력 신호를 고주파 교류 전류로 변환하도록 구성될 수 있다.The power receiving terminal 32a wirelessly receives the external power supply signal and transmits it to the power converting unit 32b. For example, when the power receiving terminal 32a wirelessly receives the external power, the power receiving terminal 32a may include an antenna, a coil, or a resonator, and the external power signal may be an AC signal. In this case, the external power signal may be received by the radial system, inductive coupling system, or non-radiative system described above. If necessary, the power receiving end 32a may be configured to convert the external power signal into a high frequency alternating current.

전원 변환부(32b)는 전원 수신단(32a)으로부터 수신된 전력 신호, 예를 들어 교류 신호를 직류 신호로 변환할 수 있다. 구체적으로, 전원 변환부(32b)는 전압제한회로(미도시) 및 정류회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 전압제한회로는 상기 교류 신호가 과도하게 공급되는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다. 상기 정류회로는 상기 교류 신호를 직류 전류로 정류할 수 있다. 전원 수신단(32a)으로부터 직류 신호가 전달되는 경우에는, 전원 변환부(32b)는 생략되거나 또는 상기 직류 신호를 소정의 전압으로 변환시키는 기능을 할 수 있다. 이어서, 전원 변환부(32b)에 의해 변환된 상기 직류 신호는 전원 저장/제공부(32c)로 전달될 수 있다.The power conversion unit 32b can convert a power signal received from the power receiving unit 32a, for example, an AC signal into a DC signal. Specifically, the power conversion section 32b may include a voltage limiting circuit (not shown) and a rectifying circuit (not shown). The voltage limiting circuit may function to prevent the AC signal from being excessively supplied. The rectifying circuit may rectify the AC signal to a DC current. When the direct current signal is transmitted from the power receiving end 32a, the power converting portion 32b may be omitted or may function to convert the direct current signal to a predetermined voltage. Then, the DC signal converted by the power conversion unit 32b may be transmitted to the power storage / provision unit 32c.

전원 저장/제공부(32c)는 커패시터와 같은 전력 저장 소자를 포함할 수 있고, 전원 변환부(32b)로 전송된 상기 직류 신호를 저장할 수 있다. 전원 저장/제공부(32c)는 선택적인 구성 요소로서 생략될 수 있고, 이러한 경우에는 전원 변환부(32b)로부터 직접적으로 다른 소자들에 전력을 제공할 수 있다.The power storage / provision unit 32c may include a power storage element such as a capacitor, and may store the direct current signal transmitted to the power conversion unit 32b. The power storage / provision unit 32c may be omitted as an optional component, and in this case, power can be directly supplied to other elements from the power conversion unit 32b.

전원 검출부(32d)는 전원 변환부(32d)로부터 전원 저장/제공부(32c)로 공급되는 전력 값, 예를 들어 전압 값 및 전류값을 지속적으로 측정하고, 상기 전압 값 및 상기 전류 값에 관한 정보를 전원 제어부(32e)에 전달한다. 예를 들어, 전원 검출부(32d)는 상기 전압 값 및 상기 전류값을 직접 측정할 수 있는 저항소자를 포함하는 회로일 수 있다.The power detector 32d continuously measures a power value, for example, a voltage value and a current value, which are supplied from the power converter 32d to the power storage / provision part 32c, Information to the power control section 32e. For example, the power detection unit 32d may be a circuit including a resistance element capable of directly measuring the voltage value and the current value.

전원 제어부(32e)는 전원 수신부(32)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 전원 제어부(32e)는 전원 변환부(32b)에 의해 전달된 상기 직류 전류에 의해 동작될 수 있다. 전원 제어부(32e)는 전원 검출부(32d)로부터 전송된 상기 전압 값 및 전류값을 수신하여, 이에 따라 전원 변환부(32b)의 구동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전원 제어부(32e)는, 전원 검출부(32d)에서 측정되어 전송된 상기 전압 값 및 상기 전류값을 소정의 기준 전압 값 및 기준 전류 값과 비교함으로써, 전원 변환부(32b)와 전원 저장/제공부(32c)의 과전압 또는 과전류가 발생하지 않도록 전원 변환부의 구동을 제어할 수 있다. The power control unit 32e can control the overall operation of the power receiving unit 32. [ The power control section 32e can be operated by the DC current delivered by the power conversion section 32b. The power control unit 32e receives the voltage value and the current value transmitted from the power detection unit 32d and can control the driving of the power conversion unit 32b accordingly. For example, the power supply control unit 32e compares the voltage value and the current value measured and transmitted by the power supply detection unit 32d with a predetermined reference voltage value and a reference current value, The drive of the power conversion section can be controlled so that overvoltage or overcurrent of the storage / supply section 32c does not occur.

도 8을 참조하면, 검사부에 설치되는 무선전력 공급부(34)는, 전력 변환부(34a), 고주파 전력 구동부(34b), 전력 송신단(34c), 전력 검출부(34d), 및 전력 제어부(34e)를 포함할 수 있다.8, the wireless power supply unit 34 provided in the inspection unit includes a power conversion unit 34a, a high frequency power driving unit 34b, a power transmitting unit 34c, a power detection unit 34d, and a power control unit 34e. . ≪ / RTI >

전력 변환부(34a)는 유선으로 전달된 교류 전력 신호를 수신할 수 있다. 이에 따라, 전력 변환부(34a)는 수신한 교류 전력을 직류 전류로 변환하거나, 수신한 직류 전력을 원하는 직류 전압 또는 전류로 변환할 수 있다. 이어서, 전력 변환부(34a)는 고주파 전력 구동부(34b) 및 전력 제어부(34e)에 동작 전원을 제공할 수 있다. 상술한 전원 변환부(32b)와 유사하게, 전력 변환부(34a)는 전압제한회로(미도시) 및 정류회로(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 전력 변환부(34a)는 선택적이며 경우에 따라서는 생략될 수 있다. The power conversion unit 34a can receive the AC power signal transmitted through the wire. Accordingly, the power conversion section 34a can convert the received AC power into a DC current or convert the received DC power into a desired DC voltage or current. Then, the power conversion unit 34a can supply the operating power to the high-frequency power driving unit 34b and the power control unit 34e. Similar to the power conversion section 32b described above, the power conversion section 34a may include a voltage limiting circuit (not shown) and a rectifying circuit (not shown). In addition, the power conversion section 34a is optional and may be omitted in some cases.

상기 고주파 전력 구동부(34b)는 수신한 동작 전원에 따라 구동되어, 교류 전력, 예를 들어 고주파 전력을 발생할 수 있다. 예를 들어, 고주파 전력 구동부(34b)는 고속의 스위칭 동작을 통해 상기 고주파 교류 전류를 생성하는 SMPS(switching mode power supply)를 포함할 수 있다. 이어서, 고주파 전력 구동부(34b)에서 생성된 고주파 전력은 전력 송신단(34c)을 통하여 무선으로 외부로 제공될 수 있다.The high frequency electric power driving part 34b is driven according to the received operation electric power to generate AC power, for example, high frequency electric power. For example, the high-frequency power driver 34b may include a switching mode power supply (SMPS) that generates the high-frequency alternating current through a high-speed switching operation. Then, the high-frequency power generated by the high-frequency power driver 34b may be supplied to the outside through the power transmitter 34c.

상기 전력 검출부(34d)는 고주파 전력 구동부(34b)로부터 전력 송신단(34c)으로 공급되는 전력 값, 예를 들어 전압 값 및 전류값을 지속적으로 측정하고, 상기 전압 값 및 상기 전류 값에 관한 정보를 전력 제어부(34e)에 전달한다. 예를 들어, 전력 검출부(34d)는 상기 전압 값 및 상기 전류값을 직접 측정할 수 있는 저항소자를 포함하는 회로일 수 있다. The power detector 34d continuously measures a power value, for example, a voltage value and a current value, which are supplied from the high-frequency power driver 34b to the power transmitter 34c, and outputs information about the voltage value and the current value And transmits it to the power control section 34e. For example, the power detection section 34d may be a circuit including a resistance element capable of directly measuring the voltage value and the current value.

상기 전력 제어부(34e)는 무선전원 공급부(34)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 전력 제어부(34e)는 전력 변환부(34a)에 의해 전달된 상기 직류 전류에 의해 동작될 수 있다. 상술한 전원 제어부(32e)와 유사하게, 전력 제어부(34e)는 전력 검출부(34d)로부터 전송된 상기 전압 값 및 전류값을 수신하여, 이에 따라 전력 변환부(34a)의 구동을 제어할 수 있다. 또한, 전력 제어부(34e)는 고주파 전력 구동부(34b)를 제어하여, 생성되는 고주파 전력의 펄스의 폭(width), 진폭(amplitude), 주파수(frequency), 및 펄스의 개수(number) 등을 변조할 수 있다. 위와 같은 펄스 폭 변조(PWM, pulse width modulation), 펄스 진폭 변조(PAM, pulse amplitude modulation), 펄스 주파수 변조(PFM, pulse frequency modulation), 펄스 개수 변조(PNM, pulse number modulation) 등을 통해, 전력 제어부는 고주파 교류전류의 전력을 조절할 수 있다.The power control unit 34e can control the overall operation of the wireless power supply unit 34. [ The power control section 34e can be operated by the DC current delivered by the power conversion section 34a. Similar to the above-described power control unit 32e, the power control unit 34e receives the voltage value and the current value transmitted from the power detection unit 34d and controls the driving of the power conversion unit 34a accordingly . The power control unit 34e controls the high frequency power driving unit 34b to modulate the width, amplitude, frequency, and number of pulses of the generated high frequency power pulse, can do. Through such pulse width modulation (PWM), pulse amplitude modulation (PAM), pulse frequency modulation (PFM), and pulse number modulation (PNM) The control unit can adjust the power of the high frequency alternating current.

전력 송신단(34c)은 고주파 전력 구동부(34b)로부터 고주파 교류 전류를 인가받고, 외부 소자 등에 전력을 무선으로 전달하도록 구성될 수 있다. 상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 방사형 방식의 경우에는, 라디오 주파수를 이용하며, 또는 초음파를 이용하는 경우에는, 전력 송신단(34c)은 모노폴(monopole)이나 PIFA(planar inverted-F antenna) 등의 안테나를 포함할 수 있다. 상기 안테나는 고주파 전류에 따라 전자기파를 발생시키고, 상기 발생한 전력을 수신 받을 외부 소자 등의 수신 안테나는 상기 전자기파를 수신함으로써, 상기 전자기파로부터 고주파 전력을 발생시킬 수 있다.The power transmitting terminal 34c may be configured to receive a high frequency alternating current from the high frequency power driving unit 34b and to transmit power wirelessly to an external device or the like. In the case of the above-mentioned radial system, the power transmission terminal 34c uses an antenna such as a monopole or a planar inverted-F antenna (PIFA) in the case of using an ultrasonic wave. . The antenna generates an electromagnetic wave in accordance with a high-frequency current, and a receiving antenna such as an external device receiving the generated power can generate the high-frequency power from the electromagnetic wave by receiving the electromagnetic wave.

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 유도 커플링 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원공급부(34)가 자기 유도를 이용하는 경우에는, 전력 송신단(34c)은 코일을 포함할 수 있다. 전자기 유도 원리에 따라, 전력 송신단(34c)에 고주파 전류가 인가되면 상기 코일은 자기장을 발생시키고, 상기 발생한 전력을 수신 받을 외부 소자 등의 수신 코일은 상기 자기장으로부터 고주파 전류를 발생시킨다.In the case of the inductive coupling method described above, that is, when the wireless power supply unit 34 uses magnetic induction, the power transmitting terminal 34c may include a coil. According to the electromagnetic induction principle, when a high frequency current is applied to the power transmitting terminal 34c, the coil generates a magnetic field, and a receiving coil such as an external device receiving the generated power generates a high frequency current from the magnetic field.

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 비방사형 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원 공급부(34)가 자기장 공진을 이용하는 경우에는, 전력 송신단(34c)은 감쇄파(evanescent wave)를 발생시키는 공진기(resonator)를 포함할 수 있다. 상기 감쇄파는 근거리에서 강판 필드를 만들어내고 거리가 멀어질수록 지수 함수적으로 세기가 감소한다. 전력 송신단(34c)의 상기 공진기는 상기 발생한 전력을 수신 받을 외부 소자 등의 수신 공진기와 같은 주파수로 공진할 수 있고, 이 경우 두 공진기들 사이에 일종의 에너지 터널인 근거리 전자장이 형성될 수 있다. 전력 송신단(34c)에 고주파 전류가 인가되면 상기 공진기는 감쇄파를 발생시키고, 상기 감쇄파는 상기 근거리 전자장을 통해 전력을 무선으로 전달할 수 있다.In the case of the non-radiation type wireless power transmission method described above, that is, when the wireless power supply unit 34 uses the magnetic field resonance, the power transmitting terminal 34c includes a resonator for generating an evanescent wave, . ≪ / RTI > The attenuation wave produces a steel sheet field in a short distance and the intensity decreases exponentially as the distance increases. The resonator of the power transmitting terminal 34c can resonate at the same frequency as the receiving resonator of the external device to receive the generated power. In this case, a near field can be formed between the two resonators, which is an energy tunnel. When a high frequency current is applied to the power transmitting terminal 34c, the resonator generates a damping wave, and the damping wave can wirelessly transmit the power through the near field.

도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 반도체 웨이퍼가 로딩부로 투입되는 형태를 설명하기 위한 평면도이다. FIG. 9 is a plan view for explaining a mode in which a semiconductor wafer according to a preferred embodiment of the present invention is inserted into a loading unit.

도 9를 참조하면, 반도체 웨이퍼(300)는 확장 테이프(expanding tape, 810)가 부착된 마운팅 링(mounting ring, 800)에 탑재되어 본 발명에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비로 투입된다. 따라서 마운팅 링(800)에 탑재된 상태로 검사부에서 전기적 검사가 수행되고, 다이싱부에서 반도체 웨이퍼로부터 단위 반도체 칩을 분리하는 다이싱 공정을 진행하게 된다.9, the semiconductor wafer 300 is mounted on a mounting ring 800 to which an expanding tape 810 is attached. The semiconductor wafer 300 includes an automatic inspection apparatus and a dicing apparatus using light according to the present invention In-line equipment. Therefore, an electrical inspection is performed in the inspection unit in a state of being mounted on the mounting ring 800, and a dicing process for separating the unit semiconductor chips from the semiconductor wafer is performed in the dicing unit.

하지만, 이러한 실시예는, 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비로 투입될 때는 마운팅 링에 부착되지 않은 반도체 웨이퍼 상태로 투입될 수 있다. 그 후, 전기적 검사를 검사부에서 진행한 후, 이송부에서 반도체 웨이퍼를 확장 테이프(810)가 부착된 마운팅 링(800)에 부착하고, 다이싱부로 이송하여 다이싱을 진행하는 형태로 변형이 가능하다. 도면에서 참조부호 306은 플랫 존(flat zone)을 가리키며, 반도체 웨이퍼의 구경(diameter)이 큰 경우에는 형성되지 않을 수도 있다.However, this embodiment can be put into a semiconductor wafer state that is not attached to the mounting ring when it is put into an in-line equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment. Thereafter, after the electrical inspection is carried out in the inspection unit, the semiconductor wafer is attached to the mounting ring 800 to which the extension tape 810 is attached, and transferred to the dicing unit so that dicing can be performed . Reference numeral 306 denotes a flat zone, which may not be formed when the diameter of the semiconductor wafer is large.

도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 운용방법을 설명하기 위한 플로 차트(flow-chart)이다.FIG. 10 is a flow chart for explaining a method of operating an in-line equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment according to a preferred embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 먼저 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 로딩부로 상기 도 3에 도시된 반도체 웨이퍼를 투입(S100)한다. 이때, 상기 반도체 웨이퍼는 도 9에 도시된 바와 같이 확장 테이프가 붙여진 마운팅 링에 탑재되어 투입될 수 있다.Referring to FIG. 10, the semiconductor wafer shown in FIG. 3 is loaded into the loading unit of the in-line equipment including the automatic inspection equipment and the dicing equipment using light according to the preferred embodiment of the present invention (S100). At this time, as shown in FIG. 9, the semiconductor wafer may be mounted on a mounting ring having an extension tape attached thereto.

계속해서 상기 반도체 웨이퍼는 6 내지 도 8에서 설명된 바와 같이 검사부에서 무선 전원을 수신 받아 반도체 웨이퍼에 있는 개별 반도체 칩으로 구동 전원을 인가(S110)한다. 그리고 다시 상기 검사부에서 상기 반도체 웨이퍼로 광신호를 송신하고, 상기 반도체 웨이퍼는 상술한 도 4 및 도 5에서 설명된 방식으로 내부에 형성된 개별 반도체 칩에 입력 신호를 인가(S120)한다. 이에 따라, 피검사 반도체 칩에 구동 전원이 무선으로 인가되고, 입력 신호가 광신호를 통해 인가됨에 따라, 반도체 칩을 정상적인 동작 상태(S130)가 된다. 그리고, 각각의 반도체 칩의 고유 기능에 따라 적합한 출력 신호를 입출력 단자로 내보낸다. 이때, 상기 반도체 웨이퍼에 설치된 광신호 발광부(도5의 5a)는 전기적 신호를 광신호로 변환하여 출력 신호를 외부로 내보낸다.Subsequently, the semiconductor wafer receives the wireless power from the inspection unit and applies the driving power to the individual semiconductor chips on the semiconductor wafer (S110) as described in 6 to 8. Then, the inspection unit again transmits an optical signal to the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer applies an input signal to an individual semiconductor chip formed therein (S120) in the manner described above with reference to FIGS. Accordingly, as the driving power is applied to the semiconductor chip to be inspected wirelessly and the input signal is applied through the optical signal, the semiconductor chip is in a normal operating state (S130). Then, an appropriate output signal is outputted to the input / output terminal according to the unique function of each semiconductor chip. At this time, the optical signal emitting unit (5a in Fig. 5) provided on the semiconductor wafer converts an electrical signal into an optical signal and outputs the output signal to the outside.

그 후, 검사부에서 반도체 웨이퍼의 광신호를 검출하여 이를 다시 전기적 신호로 변환(S140)한다. 계속해서 검사부에서 상기 변환된 전기 신호를 정상 출력 신호와 비교하여 피검사 반도체 칩에 대한 합격/불합격을 판정(S150)하여 반도체 웨이퍼에 대한 전기적 검사를 완료한다. 전기적 검사가 완료된 반도체 웨이퍼는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비 내부의 다이싱부로 이송(S160)된다.Thereafter, the inspection unit detects the optical signal of the semiconductor wafer and converts it into an electrical signal (S140). Subsequently, the inspection unit compares the converted electrical signal with a normal output signal to determine whether the semiconductor chip to be inspected is acceptable or not (S150), thereby completing the electrical inspection of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer after the electrical inspection is transferred (S160) to a dicing unit inside an inline equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment.

이어서, 상기 다이싱부에서 일반적으로 반도체 웨이퍼의 정렬(align)에 사용되는 이미지 인식 시스템인 비전 시스템 대신, 광신호를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼에 대한 정렬을 수행한다. 그 후, 통상적인 다이싱 방식에 따라 상기 반도체 웨이퍼를 소우 블레이드(saw blade)로 절단하여 개별 반도체 칩을 분리(S170)시킨다. 마지막으로 다이싱 공정이 완료된 반도체 웨이퍼를 상기 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 내부에 설치된 언로딩부로 이송(S180)한다. 상기 언로딩부를 통해 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비에서 처리가 완료된 반도체 칩들은, 통상적인 방법에 따라 반도체 칩을 인쇄회로기판 혹은 리드프레임에 탑재하는 다이 접착 공정, 반도체 칩과 인쇄회로기판 혹은 리드프레임을 서로 연결하는 와이어 본딩 공정 등을 수행하게 된다.Subsequently, an alignment of the semiconductor wafer is performed using an optical signal, instead of a vision system, which is an image recognition system generally used for alignment of semiconductor wafers in the dicing unit. Thereafter, the semiconductor wafer is cut with a saw blade according to a conventional dicing method to separate (S170) individual semiconductor chips. Finally, the semiconductor wafer having completed the dicing process is transferred (S180) to an unloading unit provided inside the inline equipment including the automatic inspection equipment using the light and the dicing equipment. The semiconductor chips processed in the in-line equipment including the automatic inspection equipment using the light through the unloading unit and the dicing equipment can be manufactured by a die bonding process in which the semiconductor chip is mounted on a printed circuit board or a lead frame according to a conventional method, And a wire bonding process for connecting the chip and the printed circuit board or the lead frame to each other.

도 11은 검사부의 테스터를 이용하여 반도체 웨이퍼에 포함된 단위 반도체 칩을 전기적으로 검사하는 것을 설명하기 위한 블록도이다.11 is a block diagram for explaining electrically inspecting a unit semiconductor chip included in a semiconductor wafer using a tester of an inspection unit.

도 11을 참조하면, 상기 도 10의 플로 차트에서 설명된 광신호 송수신 및 무선전원 송수신을 통해 검사부에서 반도체 칩에 대한 전기적 검사가 실행되는 과정을 다시 한번 설명한다. 이때, 검사부(100)는 기존의 프로브 카드의 탐침을 통한 접촉식 테스터가 아니라, 광신호를 전기적 신호로 변환하고 또 반대로 전기적 신호를 광신호로 변환할 수 있는 기능이 있는 것이 적합하다. 또한 검사부(100)는, 무선 전원을 상술한 도 5내지 도 7과 같이 반도체 칩에 인가할 수 있는 기능이 있는 것이 적합하다. 이와 함께 반도체 웨이퍼(300) 역시 광신호 송수신 기능을 수행하는 구조가 내부에 설계된 것이 적합하며, 동시에 무선으로 전원을 수신하여 각각의 반도체 칩으로 전원을 인가할 수 있는 무선전원 발생부(32)가 설치된 것이 적합하다.Referring to FIG. 11, the process of electrically inspecting the semiconductor chip in the inspection unit through the optical signal transmission / reception and the wireless power transmission / reception described in the flowchart of FIG. 10 will be described again. At this time, it is preferable that the inspection unit 100 has a function of converting an optical signal into an electrical signal, and conversely, an electrical signal into an optical signal, not a contact-type tester through a probe of an existing probe card. It is preferable that the inspection section 100 has a function of applying the wireless power source to the semiconductor chip as shown in Figs. 5 to 7 described above. In addition, the semiconductor wafer 300 is also designed so that a structure for performing an optical signal transmission / reception function is designed therein. At the same time, a wireless power generation unit 32 capable of receiving power by radio and applying power to each semiconductor chip It is suitable to be installed.

상세히 설명하면, 검사부(100)에서 무선전원 공급부, 예컨대 무선 전원 송신부(34)에서 반도체 웨이퍼(300)에 있는 무선전원 발생부(32)로 무선으로 전원을 송신한다. 이때 반도체 웨이퍼(300)에서는 내부 금속 배선(318)을 통해 유선으로 전원을 각 반도체 칩(302)의 전원단자용 본드패드(316)로 인가한다(도면의 화살표 ①).More specifically, the inspection unit 100 wirelessly transmits power from the wireless power supply unit, for example, the wireless power supply unit 34 to the wireless power supply unit 32 in the semiconductor wafer 300. At this time, in the semiconductor wafer 300, power is applied to the bond pads 316 for the power supply terminals of the respective semiconductor chips 302 by wire through the internal metal wiring 318 (arrow 1 in the figure).

이어서 검사부(100)에서 전기적 신호를 광신호로 변환하여 제1 발광부(Ha)를 통해 반도체 웨이퍼(300)에 있는 제2 수광부(5b)로 광을 조사(도면의 화살표 ②)한다. 이에 따라 반도체 웨이퍼(300)에서는 광신호를 전기적 신호로 변환하여 반도체 칩(302)에 있는 본드패드(312)로 입력신호를 전달한다. 이때, 반도체 웨이퍼(300)에 형성된 개별 반도체 칩(302)들은 전원이 인가되고 입력신호가 인가됨에 따라 그 고유 기능에 따라 적절한 출력신호를 출력신호 단자용 본드패드(312)를 통해 내보낸다. 이때 출력신호 단자용 본드패드(312)는 전기적 신호를 광신호로 변환하여 제2 발광부에서 광신호의 형태로 외부로 출력한다. 계속해서 검사부(100)는 내부에 설치된 제1 수광부(Hb)를 통해 반도체 웨이퍼(300)의 제2 발광부(5a)에서 광신호를 수신(도면의 화살표 ③)한다. Next, the inspection unit 100 converts an electrical signal into an optical signal and irradiates the light to the second light receiving unit 5b in the semiconductor wafer 300 through the first light emitting unit Ha. Accordingly, the semiconductor wafer 300 converts the optical signal into an electrical signal and transmits the input signal to the bond pad 312 in the semiconductor chip 302. At this time, the individual semiconductor chips 302 formed on the semiconductor wafer 300 are supplied with power and output an appropriate output signal through the bond pad 312 for the output signal terminal according to the inherent function as the input signal is applied. At this time, the bond pad 312 for an output signal terminal converts the electrical signal into an optical signal and outputs it to the outside in the form of an optical signal in the second light emitting portion. Subsequently, the inspection unit 100 receives the optical signal from the second light emitting unit 5a of the semiconductor wafer 300 (arrow ③ in the figure) through the first light receiving unit Hb installed therein.

이어서 검사부(100)는 상기 수신된 광신호를 전기적 신호로 변환하여 정상적인 기댓값과 서로 비교하여 피검사소자(DUT: Device Under Test)에 대한 기능의 합격/불합격 여부를 판정한다.Subsequently, the inspection unit 100 converts the received optical signal into an electrical signal and compares the received optical signal with a normal expected value to determine whether the function of the DUT (Device Under Test) is acceptable or not.

도 12는 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 적층하여 검사부를 통해 검사하는 방식을 설명하기 위한 단면도이다.12 is a cross-sectional view for explaining a method of stacking one or more semiconductor wafers and inspecting them through an inspection unit.

도 12를 참조하면, 종래 기술에서는 하나의 반도체 웨이퍼에 대해서만 전기적 검사가 가능하였다. 하지만 검사부(도 11의 100)에서 송신하는 무선 전원이 적층된 반도체 웨이퍼로 동시에 전원을 공급하면, 도 4에서 설명된 관통홀(도3의 315)을 이용하여 복수개의 반도체 웨이퍼(300A, 300B)를 동시에 검사하는 것이 가능하다. 도면에서 반도체 웨이퍼(300A, 300B)는, 내부에 형성된 반도체 칩들의 입출력 신호 단자와 연결된 적어도 하나 이상의 광신호 수광부 및 발광부를 갖고, 상기 반도체 칩들의 전원단자와 연결된 무선 전원 발생부를 포함하는 것이 적합하다. Referring to FIG. 12, in the prior art, only one semiconductor wafer can be electrically inspected. However, if power is simultaneously supplied to the semiconductor wafers stacked with the wireless power source to be transmitted in the inspection section (100 in Fig. 11), a plurality of semiconductor wafers 300A and 300B are formed by using the through holes (315 in Fig. At the same time. It is preferable that the semiconductor wafers 300A and 300B have at least one optical signal receiving portion and a light emitting portion connected to input / output signal terminals of semiconductor chips formed therein and a wireless power generating portion connected to power terminals of the semiconductor chips .

이를 상세히 설명하면, 도면과 같이 광신호 송수신부, 무선 전원발생부 및 관통홀을 갖는 반도체 웨이퍼(300A, 300B)를 준비한다. 상기 반도체 웨이퍼(300A, 300B)를 하나 이상 적층한다. 이때 상부 반도체 웨이퍼(300A)는 내부에 관통홀을 포함하는 것이 적합하다. In detail, semiconductor wafers 300A and 300B having an optical signal transmitting / receiving unit, a wireless power generating unit, and a through hole are prepared as shown in the figure. One or more semiconductor wafers 300A and 300B are stacked. At this time, the upper semiconductor wafer 300A preferably includes a through hole therein.

계속해서 검사부에서 상기 반도체 웨이퍼(300A, 300B)의 무선 전원발생부로 전원을 공급하여 상기 반도체 웨이퍼(300A, 300B)의 정해진 반도체 칩에 전원을 공급한다. 그리고, 상기 검사부(tester)에서 상기 상부 반도체 웨이퍼(300A)의 광신호 수광부(5b)로 광을 조사(도면의 화살표 ①)하여 상기 상부 반도체 웨이퍼의 정해진 반도체 칩에 광 입력 신호를 공급한다. 계속해서 상기 테스터(tester)에서 상기 상부 반도체 웨이퍼(300A)의 관통홀(305)을 통해 상기 하부 반도체 웨이퍼(300B)의 광신호 수광부(5b')로 광을 조사(도면의 화살표 ②)하여 상기 하부 반도체 웨이퍼의 정해진 반도체 칩에 광 입력 신호를 공급한다. 그 후, 상기 테스터에서 상기 상부 반도체 웨이퍼(300A)의 광신호 발광부(5a)에 나타나는 광의 세기를 감지(도면의 화살표 ③)하여 전기신호로 변환하고, 상기 상부 반도체 웨이퍼(300A)의 관통홀(305)을 통해 상기 하부 반도체 웨이퍼(300B)의 광신호 발광부(5a')에 나타나는 광의 세기를 감지(도면의 화살표 ④)하여 전기신호로 변환한다.Subsequently, the inspection section supplies power to the wireless power generation section of the semiconductor wafers 300A and 300B to supply power to the semiconductor chips defined in the semiconductor wafers 300A and 300B. Then, the inspection tester irradiates the light to the optical signal receiving portion 5b of the upper semiconductor wafer 300A (arrow 1 in the figure) to supply an optical input signal to a predetermined semiconductor chip of the upper semiconductor wafer. The light is radiated from the tester through the through hole 305 of the upper semiconductor wafer 300A to the optical signal receiving portion 5b 'of the lower semiconductor wafer 300B And supplies an optical input signal to a predetermined semiconductor chip of the lower semiconductor wafer. Thereafter, the tester detects the intensity of light appearing in the optical signal emitting portion 5a of the upper semiconductor wafer 300A (arrow ③ in the drawing) to convert it into an electric signal, and the through hole of the upper semiconductor wafer 300A (Arrow ④ in the figure) of the optical signal emitted from the optical signal emitting portion 5a 'of the lower semiconductor wafer 300B through the first and second semiconductor wafers 305 and 305 to convert it into an electric signal.

마지막으로 상기 변환된 전기신호를 테스터 내부에 저장된 기댓값(expected data)과 비교하여 상기 반도체 칩의 기능에 대한 합격/불합격을 판정한다. 따라서 반도체 웨이퍼(300A)에 형성된 관통홀(305)을 통하여 2개 이상의 반도체 웨이퍼(300A, 300B)를 동시에 검사하는 것이 가능하기 때문에 검사공정의 효율을 획기적으로 높일 수 있다.Finally, the converted electrical signal is compared with the expected data stored in the tester to determine pass / fail of the function of the semiconductor chip. Therefore, since two or more semiconductor wafers 300A and 300B can be simultaneously inspected through the through holes 305 formed in the semiconductor wafer 300A, the efficiency of the inspection process can be remarkably increased.

따라서 상술한 본 발명에 의하면, 첫째, 자동 검사 장비인 테스터와 다이싱 장비를 하나로 묶어 인라인 장비 방식으로 운용함으로써 반도체 패키징 공정의 생산성을 높일 수 있다. 둘째, 프로브 카드를 사용하지 않고 반도체 칩들에 대한 전기적 검사를 수행할 수 있다. 셋째, 관통홀을 이용하여 복수개의 반도체 웨이퍼를 동시에 전기적으로 검사할 수 있다. 넷째, 웨이퍼 표면에 프로브 카드에 사용된 탐침의 물리적인 충격을 가하지 않기 때문에 반도체 칩의 본드 패드에 대한 신뢰성을 높일 수 있다.Therefore, according to the present invention, first, productivity of the semiconductor packaging process can be improved by operating the tester and the dicing equipment, which are automatic inspection equipment, together as an in-line equipment. Second, electrical inspection of semiconductor chips can be performed without using a probe card. Third, a plurality of semiconductor wafers can be electrically inspected simultaneously by using the through holes. Fourth, since the physical impact of the probe used on the probe card is not applied to the wafer surface, the reliability of the bond pad of the semiconductor chip can be increased.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함이 명백하다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above-described embodiment and that many modifications are possible within the technical scope of the present invention.

본 발명은, 화합물 및 실리콘을 사용한 반도체 웨이퍼의 제조 공정 및 검사 공정에 적용이 가능하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to a manufacturing process and an inspection process of a semiconductor wafer using a compound and silicon.

5: 광신호 송수신부, 32: 무선전원 공급부,
100: 테스터(ATE), 300: 반도체 웨이퍼,
302: 반도체 칩, 304: 스크라이브 라인,
306: 플랫 존, 310: 회로 활성영역,
312: 입출력 단자용 본드패드, 314: 배선 라인,
316: 전원단자용 본드패드, 318: 배선 라인,
400: 로딩부, 500: 이송부,
600: 다이싱부, 700: 언로딩부,
800: 마운팅 링, 810: 확장 테이프,5: optical signal transmitting / receiving unit, 32: wireless power supply unit,
100: Tester (ATE), 300: Semiconductor wafer,
302: semiconductor chip, 304: scribe line,
306: flat zone, 310: circuit active area,
312: bond pad for input / output terminal, 314: wiring line,
316: bond pad for power terminal, 318: wiring line,
400: loading section, 500: transfer section,
600: dicing section, 700: unloading section,
800: Mounting ring, 810: Expansion tape,

Claims (12)

반도체 웨이퍼가 투입되는 로딩부;
상기 반도체 웨이퍼에 대한 전기적 검사를 광신호 및 무선 전원을 통하여 수행하는 검사부;
상기 검사가 완료된 반도체 웨이퍼에서 개별 반도체 칩을 분리하는 다이싱부;
상기 검사부에서 다이싱부로 상기 반도체 웨이퍼를 이동하는 이송부; 및
상기 다이싱이 완료된 반도체 웨이퍼를 장비 밖으로 내보내는 언로딩부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비.A loading unit into which a semiconductor wafer is inserted;
An inspection unit that performs electrical inspection of the semiconductor wafer through an optical signal and a wireless power supply;
A dicing portion for separating the individual semiconductor chips from the semiconductor wafer after the inspection;
A transfer unit for moving the semiconductor wafer from the inspection unit to the dicing unit; And
And an unloading unit for sending out the diced semiconductor wafer to the outside of the equipment. The inline equipment including the automatic inspection equipment using light and the dicing equipment. 제1항에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼는,
내부에 광신호 송수신부 및 무선전원 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비.The method according to claim 1,
The semiconductor wafer may include:
And an optical signal transmitting / receiving unit and a wireless power generating unit. The in-line equipment includes an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment. 제1항에 있어서,
상기 검사부는,
광신호를 발생시켜 상기 반도체 웨이퍼로 송신하고, 다시 광신호를 수신할 수 있는 무선 신호 송수신부; 및
무선 전원을 발생시켜 상기 반도체 웨이퍼의 무선전원 발생부로 전원을 공급하는 무선전원 송신부를 구비하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비.The method according to claim 1,
Wherein,
A wireless signal transmitting and receiving unit for generating an optical signal and transmitting the optical signal to the semiconductor wafer and receiving the optical signal again; And
And a wireless power transmitter for generating a wireless power source and supplying power to the wireless power generator of the semiconductor wafer. 제3항에 있어서,
상기 검사부 및 반도체 웨이퍼의 광신호 송수신부는,
포토 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비. The method of claim 3,
The optical signal transmitting / receiving unit of the inspection unit and the semiconductor wafer may include:
An in-line equipment comprising an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment, characterized by comprising a photodiode. 제3항에 있어서,
상기 검사부 및 반도체 웨이퍼의 광신호 송수신부는,
발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비. The method of claim 3,
The optical signal transmitting / receiving unit of the inspection unit and the semiconductor wafer may include:
An in-line equipment comprising an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment, characterized by comprising a light emitting diode. 제1항에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼의 광신호 송수신부 및 무선 전원 발생부는,
반도체 칩이 형성되지 않는 여분의 공간에 형성되는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비.The method according to claim 1,
Wherein the optical signal transmitting / receiving unit and the wireless power generating unit of the semiconductor wafer include:
Wherein the semiconductor chip is formed in an extra space in which no semiconductor chip is formed. The in-line equipment includes an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment. 제6항에 있어서,
상기 여분의 공간은,
반도체 칩들을 구분하는 스크라이브 라인 및 반도체 칩들이 형성되지 않는 공간인 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비.The method according to claim 6,
The excess space
Wherein the scribe line separating the semiconductor chips and the space in which the semiconductor chips are not formed are included in the inline equipment including the automatic inspection equipment and the dicing equipment using the light. 제2항에 있어서,
상기 광신호 송수신부는,
반도체 칩이 형성되지 않는 여분의 영역 및 반도체 칩의 집적회로가 형성되는 활성영역 중에 어느 하나의 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비.3. The method of claim 2,
The optical signal transmitting /
An inline device including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment, characterized by being formed in any one of an extra area where semiconductor chips are not formed and an active area where integrated circuits of semiconductor chips are formed. 제2항에 있어서,
상기 광신호 송신부는,
내부에 광을 통과시킬 수 있는 관통홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비.3. The method of claim 2,
The optical signal transmitter includes:
Further comprising a through hole capable of passing light therethrough, wherein the in-line equipment includes an automatic inspection equipment and a dicing equipment using light. 광신호 송수신부 및 무선 전원 발생부를 갖는 반도체 웨이퍼를 로딩부로 투입하는 단계;
검사부에서 상기 반도체 웨이퍼로 무선 전원을 송신하여 반도체 칩에 전원을 인가하는 단계;
검사부에서 상기 반도체 웨이퍼의 광신호 송수신부로 입력 신호를 송신하여 반도체 칩에 입력신호를 인가하는 단계;
검사부에서 상기 반도체 웨이퍼의 광신호를 검출하는 단계;
검출된 광신호를 전기신호로 변환하여 정상 출력 신호와 비교하여 합격/불합격을 판정하는 단계;
반도체 웨이퍼에 대한 다이싱을 동일 장비에서 진행하는 단계; 및
다이싱이 완료된 반도체 웨이퍼를 언로딩부로 이송하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 운용방법.Receiving a semiconductor wafer having an optical signal transmitting / receiving unit and a wireless power generating unit into a loading unit;
Transmitting a wireless power from the inspection unit to the semiconductor wafer and applying power to the semiconductor chip;
Transmitting an input signal from the inspection unit to the optical signal transmission / reception unit of the semiconductor wafer and applying an input signal to the semiconductor chip;
Detecting an optical signal of the semiconductor wafer at an inspection unit;
Converting the detected optical signal into an electrical signal and comparing it with a normal output signal to determine pass / fail;
Performing dicing on a semiconductor wafer in the same equipment; And
And transferring the diced semiconductor wafer to an unloading unit. The method of operating an in-line equipment including an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment. 제10항에 있어서,
상기 검사부는,
상기 반도체 웨이퍼에 대한 전기적 검사를 무접점식으로 진행하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 운용방법.11. The method of claim 10,
Wherein,
Wherein the electrical inspection of the semiconductor wafer is conducted in a non-contact manner. 제10항에 있어서,
상기 검사부는,
하나 이상의 반도체 웨이퍼를 적층하여 동시에 검사하는 것을 특징으로 하는 광을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비의 운용방법.11. The method of claim 10,
Wherein,
Wherein at least one semiconductor wafer is stacked and inspected at the same time, and an automatic inspection equipment using light and a dicing equipment.
KR1020100055093A 2010-06-10 2010-06-10 In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof KR101450073B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100055093A KR101450073B1 (en) 2010-06-10 2010-06-10 In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100055093A KR101450073B1 (en) 2010-06-10 2010-06-10 In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110135281A KR20110135281A (en) 2011-12-16
KR101450073B1 true KR101450073B1 (en) 2014-10-15

Family

ID=45502289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100055093A KR101450073B1 (en) 2010-06-10 2010-06-10 In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101450073B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230116135A (en) 2022-01-27 2023-08-04 주식회사 에스에프이 Apparatus for testing and packaging products in an in-line manner

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020037661A (en) * 2000-11-15 2002-05-22 윤종용 semiconductor device manufacturing system and using method there of
JP2006024087A (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Nec Corp Radio device, its manufacturing method, its inspecting method and inspecting device, radio apparatus, and its manufacturing method
KR20090025981A (en) * 2007-09-07 2009-03-11 삼성전자주식회사 Wireless interface probe card for high speed one-shot wafer test and semiconductor testing apparatus having the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020037661A (en) * 2000-11-15 2002-05-22 윤종용 semiconductor device manufacturing system and using method there of
JP2006024087A (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Nec Corp Radio device, its manufacturing method, its inspecting method and inspecting device, radio apparatus, and its manufacturing method
KR20090025981A (en) * 2007-09-07 2009-03-11 삼성전자주식회사 Wireless interface probe card for high speed one-shot wafer test and semiconductor testing apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110135281A (en) 2011-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10115783B2 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and signal transmitting/receiving method using the semiconductor device
CN101499472B (en) Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus
US9123571B2 (en) Semiconductor device
WO1999032893A1 (en) Wireless test apparatus for integrated circuit die
KR101450073B1 (en) In-line apparatus having an automatic test equipment using a light signal and dicing equipment and operation method thereof
KR101392762B1 (en) Semiconductor Wafer having function of optical signal transmission, wireless power driving and method for electrical testing thereof
KR101423133B1 (en) Semiconductor package having functions of wireless signal transmission and wireless power driving
KR101461091B1 (en) Solder ball attach apparatus using wireless power and wireless optical signal
CN111132459B (en) Method and device for fixedly connecting light-emitting diode chip
KR101450072B1 (en) Screen printing apparatus using wireless power and wireless optical signal
KR101461090B1 (en) Laser drilling apparatus for forming via holes having function of optical inspection and a processing method thereof
KR101461092B1 (en) Solder ball attach apparatus using wireless power and wireless frequency signal
KR101384341B1 (en) Screen printing apparatus using wireless power and wireless frequency signal
KR101492244B1 (en) wafer back-side grinding apparatus having functions of optical signal transmission and/or wireless power driving
CN111668132A (en) Laser heating device applied to fixedly connecting LED
KR20110135154A (en) Lighting emitting diode having function of wireless power driving and test method thereof
KR101407478B1 (en) Wafer back-side grinding apparatus having functions of wireless signal transmission and/or wireless power driving
US20080094082A1 (en) Die Infrared Transceiver Bus
KR101448444B1 (en) Laser drilling apparatus for forming via holes having function of wireless signal inspection and a processing method thereof
KR20110135282A (en) In-line apparatus having a wireless automatic test equipment and dicing equipment and operation method thereof
KR101407479B1 (en) Singulation equipment and singulation method using of optical signal
KR20110135108A (en) Semiconductor wafer having function of wireless signal transmission, wireless power driving and method for electrical testing thereof
KR101416101B1 (en) Singulation equipment and singulation method using of frequency signal
EP1196789B1 (en) Use of converging beams for transmitting electromagnetic energy to power devices for die testing
CN117063073A (en) Measuring device and method for characterizing a radio frequency device comprising a plurality of antennas

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190930

Year of fee payment: 6