KR20110135203A - 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법 - Google Patents

태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

태양 전지 모듈은 어레이 기판, 복수의 태양 전지 셀들 및 셀간 버스 전극을 포함한다. 복수의 태양 전지 셀들은 어레이 기판 상에 서로 인접하도록 배열되고, 배선 전극을 갖는다. 셀간 버스 전극은 인접하는 태양 전지 셀들 각각과 일부 중첩되며 제1 방향으로 연장되어, 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 배선 전극에 전기적으로 연결되는 셀간 버스 전극을 포함한다. 따라서, 단선된 불량 배선 전극을 이용하여 전력 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전력 효율을 향상시키는 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 태양광 에너지의 수요의 증가에 따라, 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 태양 전지 개발이 진행되고 있다.
태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 반도체층, 상기 반도체층 상에 형성되어 빛을 수광하는 투명 전극층 및 상기 투명 전극층 상에 형성되어 상기 반도체층에서 생성된 전자와 정공을 외부로 출력하는 배선 전극을 갖는다.
상기 배선 전극은 바디 전극 및 상기 바디 전극으로부터 분기된 핑거 전극을 포함한다. 상기 배선 전극은 주로 스크린 프린팅에 의해 형성될 수 있다. 하지만 상기 배선 전극을 형성하는 과정에서, 상기 배선 전극은 상기 반도체층의 표면의 불균일도, 배선 페이스트(paste)의 점도, 스텐실의 불량 등에 의해 단선될 수 있다. 따라서, 상기 바디 전극 및 상기 핑거 전극이 단선되거나, 상기 핑거 전극이 자체적으로 단선될 수 있다. 여기서, 단선된 핑거 전극은 불량한 핑거 전극이라 칭할 수 있다.
이와 같은 상기 배선 전극의 단선은 상기 반도체층에서 생성된 전자와 정공을 수집하는 것을 방해한다. 즉, 전류의 양이 상기 배선 전극의 단선에 의해 감소될 수 있다. 따라서, 전력의 효율이 감소될 수 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 양호한 핑거 전극뿐만 아니라 불량한 핑거 전극으로부터 전자 또는 정공을 수집할 수 있어 전력 효율을 향상시키는 태양 전지 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 태양 전지 모듈의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 태양 전지 모듈은 어레이 기판, 복수의 태양 전지 셀들 및 셀간 버스 전극을 포함한다. 상기 복수의 태양 전지 셀들은 상기 어레이 기판 상에 서로 인접하도록 배열되고, 배선 전극을 갖는다. 상기 셀간 버스 전극은 상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각과 일부 중첩되며 제1 방향으로 연장되어, 상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 배선 전극에 전기적으로 연결되는 셀간 버스 전극을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 태양 전지 셀들 각각은 반도체 기판 및 투명 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 반도체 기판은 가장자리에 해당하는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함하는 제1 면, 및 상기 제1 면에 대향하고 상기 제1 및 제2 영역들을 포함하는 제2 면을 가질 수 있다. 상기 투명 전극은 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나의 제2 영역에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 반도체 기판은 베이스 기판, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나에 형성된 제1 반도체층 및 상기 제1 반도체층 상에 형성된 제2 반도체층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배선 전극은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배선 전극은 상기 제1 방향으로 연장된 바디 전극 및 제1 단이 상기 제2 영역에 배치되어 상기 바디 전극과 연결되고, 제2 단이 상기 제1영역에 배치되는 핑거 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 바디 전극에 대응하여 배치되어 상기 태양 전지 셀의 배선 전극에 전기적으로 연결되는 셀내 버스 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배선 전극은 상기 제1 영역에서 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 영역에 배치된 상기 핑거 전극들 각각의 제2 단을 전기적으로 연결하는 서브 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 인접하는 태양 전지 셀들은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 및 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 셀간 버스 전극의 제1 단은 상기 제1 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되며, 상기 셀간 버스 전극의 제2 단은 상기 제2 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 태양 전지 셀들 각각의 제2 면의 일부와 중첩될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 인접하는 태양 전지 셀들은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 및 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 셀간 버스 전극의 제1 단은 상기 제1 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되며, 상기 셀간 버스 전극의 제2 단은 상기 제2 인접하는 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부분에 중첩될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법을 제공한다. 상기 태양 전지 모듈의 제조 방법에서, 배선 전극을 갖는 태양 전지 셀이 형성된다. 어레이 기판 상에 상기 태양 전지 셀이 서로 인접하도록 복수개 배열된다. 셀간 버스 전극이 상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각과 일부 중첩되며 제1 방향으로 연장되고, 상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 배선 전극에 전기적으로 연결되도록 형성된다.
일 실시예에서, 상기 태양 전지 셀을 형성하는 단계에서, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 반도체 기판이 투과 홀을 갖는 차단틀에 장착될 수 있다. 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나에 상기 반도체 기판의 가장자리에 해당하는 제1 영역을 제외하고 상기 투과 홀에 대응되는 제2 영역에 상기 투명 전극이 증착될 수 있다. 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나에 상기 배선 전극이 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배선 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제1 면에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 배선 전극 페이스트가 도포될 수 있다. 상기 제1 방향으로 연장된 바디 전극들 및 제1 단이 상기 제2 영역에 배치되어 상기 바디 전극들과 연결되고, 제2 단이 상기 제1 영역에 배치되는 핑거 전극들을 갖는 상기 배선 전극이 스크린 프린팅될 수 있다.
일 실시예에서, 셀내 버스 전극이 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 바디 전극에 대응하여 형성되어 상기 태양 전지 셀의 배선 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배선 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제2 면에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 배선 전극 페이스트가 도포될 수 있다. 상기 배선 전극이 스크린 프린팅될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 셀간 버스 전극을 형성하는 단계에서, 상기 셀간 버스 전극의 제1 단이 상기 태양 전지 셀들 중 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 사이에서 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되도록 접착될 수 있다. 상기 제1 단에 대향하는 제2 단이 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 태양 전지 셀들 각각의 제2 면의 일부분에 중첩되도록 접착될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 셀간 버스 전극을 형성하는 단계에서, 상기 셀간 버스 전극의 제1 단이 상기 태양 전지 셀들 중 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 사이에서 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부분에 중첩되도록 접착될 수 있다. 상기 제1 단에 대향하는 제2 단이 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부분에 중첩되도록 접착될 수 있다.
이와 같은 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법에 따르면, 셀간 버스 전극이 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 제1 영역과 일부 중첩되어 상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 서브 전극 또는 핑거 전극 중 적어도 하나에 전기적으로 연결됨으로써, 양호한 핑거 전극뿐만 아니라 불량한 핑거 전극으로부터 전자 및 정공을 수집할 수 있다.
결과적으로, 상기 태양 전지 모듈의 전력 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 평면도이다.
도 2a는 도 1의 I-I'를 따라 절단한 단면도의 하나의 예이다.
도 2b는 도 1의 I-I'를 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 3a는 도 1의 A부분의 사시도의 하나의 예이다.
도 3b는 도 1의 A부분의 사시도의 다른 예이다.
도 4는 도 1의 B부분의 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 2b의 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 평면도이다.
도 7은 도 6의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 도 6의 C부분의 사시도이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 6의 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 단면도이다.
도 11은 도 10의 태양 전지 모듈의 사시도이다.
도 12a 내지 도 12c는 도 10의 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 평면도이다. 도 2a는 도 1의 I-I'를 따라 절단한 단면도의 하나의 예이다. 도 2b는 도 1의 I-I'를 따라 절단한 단면도의 다른 예이다.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(1000)은 어레이 기판(100), 태양 전지 셀(200) 및 셀간 버스 전극(300)을 포함한다. 상기 태양 전지 모듈(1000)은 셀내 버스 전극(350), 제1 연결 전극(110a, 110b), 제2 연결 전극(120) 및 에바 시트(EVA: polyEthylene Vinyl Acetate)(400)를 더 포함할 수 있다.
상기 어레이 기판(100)으로서 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 상기 어레이 기판(100)은 광반사 손실을 낮추기 위한 표면 처리를 할 수 있다. 상기 어레이 기판(100)은 에바 시트(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 태양 전지 셀(200)은 상기 어레이 기판(100) 상에 매트릭스 형상으로 배열될 수 있다. 상기 태양 전지 셀(200)은 사각형 형상, 모서리가 모따기된 사각형 형상, 원 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 태양 전지 셀(200)은 반도체 기판(210), 투명 전극(220) 및 배선 전극(230)을 포함한다.
상기 반도체 기판(210)은 베이스 기판(211), 제1 반도체층(212) 및 제2 반도체층(213)을 포함한다. 상기 반도체 기판(210)은 태양광을 수광하는 전면(210a)과 상기 전면(210a)에 대향하는 후면(210b)을 포함한다. 상기 반도체 기판(210)은 기본적으로 전기적 성질이 다른 N(negative)형 반도체와 P(positive)형 반도체를 접합시킨 구조를 가질 수 있다. 따라서, 상기 반도체 기판(210)은 태양광을 흡수하여 반도체 기판(200) 내에서 정공과 전자를 생성할 수 있다. 상기 정공은 P형 반도체 측으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체 측으로 이동하여, 태양광 발전을 한다.
상기 베이스 기판(211)은 결정질 반도체를 포함한다. 상기 결정질 반도체는 N형 및 P형 중 하나일 수 있다. 상기 베이스 기판(211)은 태양광을 수광하는 전면(211a) 및 상기 전면(211a)에 대향하는 후면(211b)을 포함한다. 상기 베이스 기판(211)은 요철(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 요철은 태양광의 흡수율을 증가시킬 수 있다.
상기 제1 반도체층(212)은 비정질 반도체를 포함한다. 상기 비정질 반도체는 I(intrinsic)형이다. 상기 제1 반도체층(212)은 상기 베이스 기판(211)의 전면(211a) 및 후면(211b) 중 적어도 하나 이상에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 반도체층(212)은 상기 전면(211a) 상에 배치된 제1 전면 반도체층(212a) 및 상기 후면(211b) 상에 배치된 제1 후면 반도체층(212b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체층(212)은 P형과 N형에 비해 좋은 막특성을 갖는다. 따라서, 상기 제1 반도체층(212)은 P형과 N형 사이에 배치되어 태양광의 흡수율을 높일 수 있다.
상기 제2 반도체층(213)은 비정질 반도체를 포함한다. 상기 비정질 반도체는 N형 및 P형 중 하나일 수 있다. 상기 제2 반도체층(213)은 상기 제1 전면 반도체층(212a) 및 상기 제2 전면 반도체층(212b) 중 적어도 하나 이상에 배치된다. 예를 들어, 상기 제2 반도체층(213)은 상기 제1 전면 반도체층(212a) 상에 배치된 제2 전면 반도체층(213a) 및 상기 제2 후면 반도체층(212b) 상에 배치된 제2 후면 반도체층(213b)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 베이스 기판(211)이 N형일 경우, 상기 제2 전면 반도체층(213a)은 P형이고, 상기 제2 후면 반도체층(213b)은 N+형일 수 있다. 따라서, 상기 베이스 기판(211)을 기준으로 상기 반도체 기판(210)의 전면측(210a)은 PIN접합 형상을 가질 수 있다. 상기 반도체 기판(210)은 (P형의 전위 - N+형의 전위)만큼의 전위를 가질 수 있다.
상기 투명 전극(220)은 상기 반도체 기판(210) 상에 배치된다. 상기 투명 전극(220)은 상기 반도체 기판(210)의 전면(210a) 및 후면(210b) 중 하나 이상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 전극(220)은 상기 전면(210a)에 배치된 전면 투명 전극(220a) 및 상기 후면(210b)에 배치된 후면 투명 전극(220b)을 포함할 수 있다. 상기 투명 전극(220)은 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 인듐 주석 산화물 (Indium Tin Oxide: ITO) 등과 같은 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxides: TCO) 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 전면 투명 전극(220a)은 외부로부터 제공되는 태양광을 굴절시켜 상기 후면 투명 전극(220b)으로 제공한다.
상기 투명 전극(220)은 상기 반도체 기판(210)의 전면적에 걸쳐 형성되는 것이 아니라, 상기 반도체 기판(200)의 일부에 형성된다. 예를 들어, 상기 투명 전극(220)은 상기 반도체 기판(210) 상에 상기 반도체 기판(210)의 가장자리를 제외하고 형성될 수 있다. 즉, 상기 반도체 기판(210)이 가장자리에 해당하는 제1 영역(A1) 및 상기 제1 영역(A1)을 제외한 제2 영역(A2)을 포함하는 경우, 상기 제1 영역(A1)에서는 투과 홀을 갖는 차단틀(shield tray)에 의해 상기 투명 전극(220)의 증착이 차단된다. 이와 같이, 상기 투명 전극(220)은 상기 차단틀에 의해 증착이 차단되어 상기 제2 영역(A2)에만 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 영역(A1)의 폭은 약 1㎜ 이하일 수 있다.
상기 배선 전극(230)은 상기 투명 전극(220) 상에 배치된다.
상기 태양 전지 셀(200)은 기본적으로 상기 반도체 기판(210)이 PN접합을 이룬다. 상기 태양 전지 셀(200)은 상기 반도체 기판(210)의 전면(210a)으로 태양광이 수광되면 상기 반도체 기판(210)에 전하가 생성된다. 구체적으로, PN접합에 의해 생성된 전위차에 의해 전자와 정공이 분리된다. 상기 전자는 N형 반도체 측으로 이동하고 정공은 P형 반도체 측으로 이동한다. 이동된 전자 및 전하는 상기 배선 전극(230)을 통해 외부로 출력되어 전류를 생성한다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 태양 전지 셀들(200) 사이에 제1 방향(D1)으로 연장되어 상기 태양 전지 셀들(200)의 일부와 중첩한다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 태양 전지 셀들(200)을 직렬 또는 병렬 연결하기 위해 상기 태양 전지 셀들(200)의 전면들 및 후면들 사이에 배치된다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 태양 전지 셀들(200) 중 인접하는 두 개의 태양 전지 셀들(200)의 전면들 사이에 배치된 전면 셀간 버스 전극(300a) 및 후면들 사이에 배치된 후면 셀간 버스 전극(300b)을 포함한다. 상기 전면 셀간 버스 전극(300a) 및 상기 후면 버스 전극(300b) 사이에는 에바 시트(400)로 충진될 수 있다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 태양 전지 셀들(200) 각각의 배선 전극(230)이 수집한 전자 및 정공을 외부로 출력한다.
상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 태양 전지 셀(200) 내에서 상기 배선 전극(230)의 바디 전극(미도시)을 따라 제1 방향(D1)으로 연장된다. 상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 태양 전지 셀(200)의 배선 전극(230)이 수집한 전자 및 정공을 외부로 출력한다.
상기 제1 연결 전극(110a, 110b)은 상기 어레이 기판(100)의 상부에 배치되어 상기 제1 방향(D1)으로 인접하는 상기 태양 전지 셀들(200)을 상기 제1 방향(D1)으로 연결하는 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350)에 연결된다. 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(1000)은 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접한 세 개의 태양 전지 셀들(200)을 상기 제1 방향(D1)으로 인접한 다른 세 개의 태양 전지 셀들(200)과 직렬 또는 병렬 연결된다. 구체적으로, 상기 제1 연결 전극(110a)의 제1 단(a1)은 (+) 단자와 연결된다. 상기 제1 연결 전극(110a)의 제2 단(a2)은 상기 제2 방향(D2)으로 인접한 세 개의 태양 전지 셀들(200)에 연결된 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350)과 연결된다. 상기 제1 연결 전극(110b)의 제1 단(b1)은 (-) 단자와 연결된다. 상기 제1 연결 전극(110b)의 제2 단(b2)은 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접한 세 개의 태양 전지 셀들(200)에 상기 제2 방향(D2)으로 인접하는 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접한 세 개의 태양 전지 셀들(200)에 연결된 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350)과 연결된다.
상기 제2 연결 전극(120)은 상기 어레이 기판(100)의 하부에 배치되어 상기 제1 방향(D1)으로 인접하는 상기 태양 전지 셀들(200)을 상기 제1 방향(D1)으로 연결하는 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350)에 연결된다. 상기 제2 연결 전극(120)의 제1 단(c1)은 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접한 여섯 개의 태양 전지 셀들(200)에 연결된 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350)과 연결된다.
따라서, 상기 제1 및 제2 연결 전극(110a, 110b, 120)은 상기 태양 전지 셀들(200)을 (+) 단자와 (-) 단자에 직렬 또는 병렬 연결할 수 있다.
도 3a는 도 1의 A부분의 사시도의 하나의 예이다. 도 3b는 도 1의 A부분의 사시도의 다른 예이다. 도 4는 도 1의 B부분의 평면도이다.
도 2a 내지 도 4를 참조하면, 상기 태양 전지 셀(200)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)으로 이루어진 상기 반도체 기판(210), 상기 제2 영역(A2)에 배치되어 태양광을 수광하는 상기 투명 전극(220), 및 상기 투명 전극(220)의 일부와 중첩되고 상기 제1 영역(A1)까지 연장된 상기 배선 전극(230)을 포함한다.
상기 배선 전극(230)은 상기 투명 전극(220)이 형성된 상기 반도체 기판(210) 상에 배치된다. 즉, 상기 투명 전극(220)이 상기 반도체 기판(210)의 전면(210a) 및 후면(210b) 모두에 배치될 경우, 상기 배선 전극(230)은 상기 반도체 기판(210)의 전면(210a) 및 후면(210b) 모두에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 배선 전극(230)은 상기 전면(210a)에 배치된 전면 배선 전극(230a) 및 상기 후면(210b)에 배치된 후면 배선 전극(230b, 230c)을 포함할 수 있다. 상기 배선 전극(230)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 주석(TiN), 질화텅스텐(WN) 또는 금속 실리사이드막 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 배선 전극(230)은 스크린 프린팅(screen printing)에 의해 형성될 수 있다.
상기 배선 전극(230)은 상기 반도체 기판(210)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 배치된다. 상기 배선 전극(230)은 상기 투명 전극(220)이 형성된 제2 영역(A2)에 균일하게 배치된다. 또한, 상기 배선 전극(230)은 상기 제2 영역(A2)으로부터 상기 제1 영역(A1)까지 연장되어 배치된다. 상기 배선 전극(230)은 상기 제2 영역(A2)으로부터 상기 제1 영역(A1)의 일부까지 배치되거나, 상기 제2 영역(A2)으로부터 상기 제1 영역(A1)까지 배치될 수 있다. 상기 배선 전극(230)은 상기 투명 전극(210)의 일부와 중첩한다. 상기 배선 전극(230)은 상기 투명 전극(210)이 태양광을 수광하는 충분한 전류를 수집할 수 있도록 격자 패턴을 가질 수 있다.
상기 전면 배선 전극(230a)은 바디 전극(231) 및 핑거 전극(232)을 포함할 수 있다. 상기 바디 전극(231)은 제1 방향(D1)으로 연장된다. 상기 핑거 전극(232)은 상기 바디 전극(231)으로부터 분기된다. 상기 핑거 전극(232)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 반면, 도시하지는 않았지만, 상기 핑거 전극(232)은 상기 제1 방향(D1)으로부터 소정 각도로 기울어진 제3 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 상기 핑거 전극(232)은 방사 형상을 포함하는 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 전면 배선 전극(230a)은 서브 전극(233a)을 더 포함할 수 있다. 상기 서브 배선 전극(233)은 상기 반도체 기판(210)의 제1 영역(A1)에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어, 상기 태양 전지 셀(200)의 가장자리에 배치된 상기 핑거 전극들(232a)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 셀간 버스 전극(300)이 상기 제1 영역(A1)에 중첩하여 배치되므로, 상기 서브 전극(233a)을 상기 제1 영역(A1)에 더 배치함으로써, 상기 서브 전극(233a)은 상기 셀간 버스 전극(300)과의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다.
상기 후면 배선 전극(230b)은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 태양 전지 셀(200)의 후면으로 입사되는 태양광을 수광할 수 있도록 상기 전면 배선 전극(230a)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 후면 배선 전극(230c)은, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 태양 전지 셀(200)의 전면으로 입사되는 태양광을 반사할 수 있도록 상기 반도체 기판(210)의 후면(211b)의 전체에 특정 패턴 없이 형성될 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 태양 전지 셀들(200) 사이에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장된다. 본 실시예에서는 상기 제2 방향을 따라 서로 인접한 태양 전지 셀들 사이에 셀간 버스 전극이 형성됨을 설명하였으나, 상기 셀간 버스 전극은 상기 제1 방향을 따라 서로 인접한 태양 전지 셀들 사이에도 형성될 수 있음은 자명하다. 이 경우, 상기 배선 전극도 제2 방향으로 연장되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 및 제2 연결 전극(110a, 110b, 120)도 상기 어레이 기판(100)의 좌측 및 우측에 배치되는 것이 바람직하다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(200)의 제1 영역(A1)에 일부 중첩된다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 제1 영역(A1)에 배치된 상기 배선 전극(230)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 제1 영역(A1)에 배치된 상기 핑거 전극(232) 및 상기 서브 전극(233) 중 적어도 하나 이상에 전기적으로 연결된다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 핑거 전극(232)을 통해 상기 서브 전극(233)으로 이동된 전자 또는 정공을 외부로 출력하기 위해 상기 서브 전극(233)을 따라 배치된다. 따라서, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 서브 전극(233)과 전기적인 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 제1 방향(D1)을 따라 연장되어 상기 제1 영역(A1)의 일부에 배치된다. 따라서, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전극 셀들(200) 각각에 배치된 상기 핑거 전극(232) 및 상기 서브 전극(233)으로부터 제공되는 전자 또는 정공을 포획할 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속을 포함할 수 있다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 도전성 입자를 포함하는 수지(미도시)에 의해 상기 배선 전극(230)과 연결될 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들 중 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들(G1)과 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)에 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들(G2)을 직렬 또는 병렬 연결할 수 있다.
상기 제1 태양 전지 셀들(G1)과 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)을 직렬 연결하기 위해, 도 2a 및 3a에 도시된 바와 같이, 상기 셀간 버스 전극(300)의 제1 단(310)의 제1 면(311)은 상기 제1 태양 전지 셀들(G1) 사이에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어 제1 태양 전지 셀들(G1)의 전면의 일부에 중첩된다. 상기 셀간 버스 전극(300)의 제1 단(310)의 제1 면(311)은 상기 제1 영역(A1)에 배치된 전면 배선 전극(230a)(예를 들어, (+)극)과 접촉한다. 또한, 상기 셀간 버스 전극(300)의 제2 단(320)의 제2 면(322)은 상기 제2 태양 전지 셀들(G2) 사이에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)의 후면의 일부에 중첩된다. 상기 셀간 버스 전극(300)의 제2 단(320)의 제2 면(322)은 상기 제1 영역(A1)에 배치된 후면 배선 전극(230b)(예를 들어, (-)극)과 접촉한다.
상기 제1 태양 전지 셀들(G1)과 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)을 병렬 연결하기 위해, 도 2a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 셀간 버스 전극(300)의 제1 단(310)의 제1 면(311)은 상기 제1 태양 전지 셀들(G1) 사이에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어 제1 태양 전지 셀들(G1)의 전면의 일부에 중첩된다. 상기 셀간 버스 전극(300)의 제1 단(310)의 제1 면(311)은 상기 제1 영역(A1)에 배치된 전면 배선 전극(230a)(예를 들어, (+)극)과 접촉한다. 또한, 상기 셀간 버스 전극(300)의 제2 단(320)의 제1 면(321)은 상기 제2 태양 전지 셀들(G2) 사이에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)의 전면의 일부에 중첩된다. 상기 셀간 버스 전극(300)의 제2 단(320)의 제1 면(321)은 상기 제1 영역(A1)에 배치된 전면 배선 전극(230a)(예를 들어, (+)극)과 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)의 (+)극과 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)의 태양 전지 셀들의 (+)극이 연결되고, 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)의 (-)극과 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)의 ()극이, 상기 +극과 같이, 연결되어, 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)과 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)은 병렬 연결된다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 핑거 전극(232)의 형성시 상기 제2 방향(D2)으로 연장되지 않고 끊길 시 발생되는 상기 핑거 전극(232)의 섬(island)화를 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 핑거 전극(232)의 제1 단은 상기 바디 전극(231)에 전기적으로 연결되도록 형성되는 것이 바람직하다. 하지만, 상기 핑거 전극(232)이 상기 투명 전극(220) 상에 프린팅될 때 상기 투명 전극(220)의 표면의 불균일도, 배선 페이스트(paste)의 점도, 스텐실의 불량 등에 의해 단선될 수 있다. 따라서, 상기 핑거 전극(232)의 일부가 상기 바디 전극(231)으로부터 분리되어 상기 바디 전극(231)에 전기적으로 연결되지 못하면, 분리된 핑거 전극(232)의 제1 단은 상기 바디 전극(231) 상에 배치되는 상기 셀내 버스 전극(350)에 전기적으로 연결될 수 없다. 하지만, 본 실시예에 따른 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 핑거 전극(232)의 제2 단과 중첩하도록 형성되어 상기 분리된 핑거 전극(232)의 제2 단과 중첩할 수 있다. 따라서, 상기 분리된 핑거 전극(232)은 상기 바디 전극(231)과 전기적으로 연결된 상기 셀내 버스 전극(350)과 전기적으로 연결되는 대신, 상기 셀간 버스 전극(300)과 직접적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 셀간 버스 전극(300)은 전자 또는 정공의 패스(path)를 감소시켜 상기 태양 전지 셀(100)의 효율을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 핑거 전극(232)의 제1 단이 상기 셀간 버스 전극(300)에 전기적으로 연결되고, 상기 핑거 전극(232)의 제2 단이 상기 셀내 버스 전극(350)에 전기적으로 연결되면, 상기 핑거 전극에 수집된 전자 또는 전공은 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350) 중 짧은 패스를 갖는 쪽으로 이동할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따라, 상기 셀간 버스 전극(300)이 더 형성됨으로써, 상기 배선 전극(230)에 수집된 전자 또는 정공의 패스를 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 셀간 버스 전극(300)이 상기 반도체 기판(210)의 제1 영역(A1) 또는 상기 제1 영역(A1)의 일부에 형성되므로, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 태양 전지 셀(100)의 수광 면적을 실질적으로 감소시키지 않는다.
상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 태양 전지 셀(100) 내에 적어도 하나 이상 배치될 수 있다. 상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 메인 배선 전극(131) 상에 배치된다. 즉, 상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장된다. 따라서, 상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 메인 배선 전극(131)과 전기적으로 접속한다. 상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 메인 배선 전극(131)에 연결된 상기 핑거 배선 전극(132)으로부터 제공되는 전자 또는 정공을 포획할 수 있다.
상기 셀내 버스 전극(350)도, 상기 셀간 버스 전극(300)과 같이, 상기 인접하는 태양 전지 셀들 중 하나의 태양 전지 셀(200)과 상기 태양 전지 셀(200)에 상기 제1 방향(D2)으로 인접하는 다른 태양 전지 셀(200)을 직렬 또는 병렬 연결할 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 도 2b의 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하여, 이하 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(1000)의 제조 방법을 설명한다.
도 2 및 도 5a를 참조하면, N형의 베이스 기판(211)을 텍스쳐링(texturing)하여 상기 요철(미도시)을 형성한다. 상기 요철은 상기 베이스 기판(211)의 전면(211a)에만 형성하거나, 전면(211a) 및 후면(211b)에 모두 형성할 수 있다.
상기 요철이 형성된 베이스 기판(211) 상에 상기 제1 반도체층(212)을 증착한다. 즉, 상기 요철이 형성된 베이스 기판(211)의 전면(211a) 상에 I형의 제1 전면 반도체층(212a)을 증착한다. 상기 요철이 형성된 베이스 기판(211)의 후면(211b) 상에 I형의 제1 후면 반도체층(212b)을 증착한다.
상기 제1 반도체층(212)이 증착된 베이스 기판(211) 상에 상기 제2 반도체층(213)을 증착한다. 즉, 상기 제1 반도체층(212)이 증착된 베이스 기판(211)의 전면(211a) 상에 P형의 제2 전면 반도체층(213a)을 증착한다. 상기 제1 반도체층(212)이 증착된 베이스 기판(211)의 후면(211b) 상에 N+형의 제2 후면 반도체층(213b)을 증착한다. 이와 같이, 상기 제2 반도체층(213)이 증착된 상기 반도체 기판(210)을 형성한다.
도 2 및 도 5b를 참조하면, 상기 반도체 기판(210)을 상기 차단틀(10)에 장착한다. 상기 차단틀(10)은 상기 반도체 기판(210)의 가장자리를 지지하도록 장착되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 차단틀(10)은 상기 제1 영역을 커버하도록 장착될 수 있다. 그리하여, 상기 차단틀(10)은 상기 제2 영역(A2)을 제외한 상기 제1 영역(A1)에 상기 투명 전극(220)이 증착되는 것을 방지한다. 상기 차단틀(10)은 평면상 사각형 형상, 모서리가 모따기된 사각형 형상, 원 형상 또는 상기 태양 전지 셀(200)의 원주 형상을 가질 수 있다. 상기 차단틀(10)의 단면은 L 형상 또는 U자 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 차단틀(10)의 단면이 U자 형상인 경우, 상기 차단틀(10)은 제1 변(11), 제2 변(12) 및 제3 변(13)을 갖는다. 상기 제1 변(11)은 상기 반도체 기판(210)의 전면(210a)의 가장자리를 지지하고, 상기 제2 변(12)은 상기 반도체 기판(210)의 후면(210b)의 가장자리를 지지한다. 이와 달리, 상기 제1 변(11)은 상기 반도체 기판(210)의 후면(210b)의 가장자리를 지지하고, 상기 제2 변(12)은 상기 반도체 기판(210)의 전면(210a)의 가장자리를 지지할 수 있다. 상기 제1 변(11)의 길이는 상기 반도체 기판(210)을 용이하게 지지할 수 있도록 상기 제2 변(12)의 길이보다 길 수 있다. 상기 반도체 기판(210)은 후술할 증착공정에서 거꾸로 로딩되므로, 제1 변(11)의 길이가 제2 변(12)의 길이보다 길게 형성되는 것이 기판을 보다 안정적으로 지지할 수 있기 때문이다. 이와 달리, 도시되지는 않았으나, 상기 제1 변(11)의 길이는 상기 제2 변(12)의 길이와 같을 수 있다. 상기 제2 변(12)의 길이는 상기 핑거 전극(232)이 충분히 프린팅될 수 있는 범위인 약 1㎜로 형성하는 것이 바람직하다. 이와 달리, 상기 제2 변(12)의 길이는 태양광의 수광 면적을 크게 감소시키지 않는 범위인 약 1㎜로 형성될 수도 있다. 상기 제3 변(13)은 상기 제1 변(11) 및 제2 변(12)을 연결한다.
도 2 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(210)의 후면(210b)에 상기 투명 전극(220)의 증착이 이루어진다. 상기 투명 전극(220)은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 또는 플라즈마 CVD에 의해 증착될 수 있다. 이와 달리, 상기 투명 전극(220)은 스퍼터링(sputtering) 증착에 의해 증착될 수 있다. 상기 플라즈마 CVD를 통해 상기 투명 전극(220)에 증착할 때, 상기 반도체 기판(210)이 거꾸로 로딩(loading)된다. 따라서, 상기 투명 전극(220)이 상기 반도체 기판(210)의 하부면(도 5b에서의 후면)에 증착된다. 한편, 상기 화학 기상 증착이 상기 스퍼터링 증착이 비해 상기 반도체 기판(210)의 파손을 감소시킬 수 있다.
도 2 및 도 5c를 참조하면, 상기 투명 전극(220)이 증착된 반도체 기판(210) 상에 배선 전극 패턴이 형성된 스텐실(S)을 배치한다. 상기 스텐실(S)은 상기 바디 전극 패턴(P1), 상기 핑거 전극 패턴(미도시) 및 상기 서브 전극 패턴(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 바디 전극 패턴(P1) 및 상기 핑거 전극 패턴은 상기 태양 전지 셀(200)의 중심인 제2 영역(A2)으로부터 가장자리인 제1 영역(A1)까지 연장되어 형성될 수 있다. 상기 서브 전극 패턴은 상기 제1 영역(A1)에 형성되어 상기 제1 영역(A1)에 형성된 상기 핑거 전극 패턴에 연결된다. 상기 스텐실(S) 상에 배선 전극 물질을 도포한다. 상기 배선 전극 물질은, 예를 들어, 은(Ag)을 포함하고, 페이스트 상태일 수 있다. 이와 달리, 도시하진 않았지만, 상기 스텐실(S)이 배치된 상기 반도체 기판(210) 상에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포할 수도 있다
여기서, 상기 반도체 기판(210)의 전면(210a)에 형성된 상기 배선 전극 패턴과 상기 반도체 기판(210)의 후면(210b)에 형성된 상기 배선 전극 패턴은 동일할 수도 있고 다를 수도 있다.
도 2 및 도 5d를 참조하면, 상기 배선 전극 패턴 내에 배치된 상기 은 페이스트를 경화시켜 상기 배선 전극(230)을 형성한다. 상기 태양 전지 셀(200)의 전면은 태양광이 수광되는 수광 면적을 증가시키기 위해 상기 배선 전극(230)을 일부만 형성한다. 반면, 상기 태양 전지 셀(200)의 후면은 태양광이 거의 수광되지 않으므로, 상기 배선 전극(230)을 패터닝하지 않고 전면에 형성할 수 있다. 상기 후면 배선 전극(230b)은 상기 태양 전지 셀(200)의 전면으로부터 수광되어 상기 후면 배선 전극(230b)에 도달한 태양광을 반사하여 상기 태양 전지 셀(200)의 효율을 증가시킬 수 있다. 이와 같이, 상기 태양 전지 셀(200)을 완성한다.
복수의 태양 전지 셀들(200)을 도 1에 도시된 상기 어레이 기판(100)에 매트릭스 형상으로 배열한다. 배열된 태양 전지 셀들(200) 중 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 태양 전지 셀들(200) 사이에서 상기 태양 전지 셀들(200) 각각의 제1 영역(A1)에 상기 셀간 버스 전극(300)을 상기 제1 방향(D1)으로 연장하여 형성한다. 따라서, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(200) 각각의 제1 영역(A1)과 일부 또는 전체와 중첩한다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 배열된 태양 전지 셀들(200) 중 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)과 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)에 상기 제1 방향(D1)으로 인접하고 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 상기 제2 태양 전지 셀들(G2)을 직렬 또는 병렬 연결한다.
또한, 배열된 태양 전지 셀들(200) 내에 상기 셀내 버스 전극(350)을 상기 제1 방향(D1)으로 형성한다. 상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 배열된 태양 전지 셀들(200) 중 상기 제1 방향(D1)으로 인접하는 태양 전지 셀들(200)을 직렬 또는 병렬 연결한다.
따라서, 상기 태양 전지 셀들(200)은 상기 제1 방향(D1)으로 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350)에 의해 서로 직렬 또는 병렬 연결된다. 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(1000)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(200) 사이의 제1 영역(A1)에 상기 인접하는 태양 전지 셀들(200)의 일부와 중첩하도록 상기 셀간 버스 전극(300)을 상기 서브 전극(233)을 따라 배치한다. 상기 셀간 버스 전극(300)과 상기 서브 전극(233) 사이에 도전 페이스트를 배치할 수 있다. 따라서, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 제1 영역(A1)에서 상기 서브 전극(233)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 제1 영역(A1)에서 상기 서브 전극(233)에 연결된 상기 핑거 전극(232)의 일부와 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 인접하는 태양 전지 셀들(200) 각각의 상기 핑거 전극(232) 및 상기 서브 전극(233)으로부터 전자 또는 정공을 포획할 수 있다. 따라서, 태양 전지 셀(200)의 효율을 증가시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 평면도이다. 도 7은 도 6의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다. 도 8은 도 6의 C부분의 사시도이다.
도 6, 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(3000)은 어레이 기판(100), 태양 전지 셀(600) 및 셀간 버스 전극(300)을 포함한다. 상기 태양 전지 모듈(3000)은 셀내 버스 전극(350), 제1 연결 전극(110a, 110b) 및 제2 연결 전극(120)을 더 포함할 수 있다.
상기 어레이 기판(100)은 도 1의 어레이 기판과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명을 생략한다.
상기 태양 전지 셀(600)은 제1 도핑 영역(DA1), 제1 도핑층(611), 제2 도핑층(612) 및 베이스 층(613)이 형성된 반도체 기판(610)과, 상기 반도체 기판(610) 상에 형성된 배선 전극(620) 및 반사방지막(630)을 포함한다.
상기 반도체 기판(610)은 P형 반도체의 베이스 층(613)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 기판(610)은 태양광이 입사되는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함한다.
상기 제1 도핑층(611)은 제1 농도의 제1 도펀트(dopant)를 포함하는 N형 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제1 도핑층(611)은 상기 반도체 기판(610)의 제1 면에 형성된다. 상기 반도체 기판(610)에 상기 제1 도핑층(611)이 형성됨에 따라, 상기 태양 전지 셀(600)의 PN 접합 구조를 정의할 수 있다. 상기 제1 도핑층(611)은 실질적으로 태양광을 입사 받는 부분이다. 상기 제1 도핑층(611)은 상기 제1 도핑 영역(DA1)을 제외한 상기 제1 면에 전체적으로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 도핑층(611)은 평면적으로 상기 제1 도핑 영역(DA1)에 의해 구획되는 매트릭스 형태로 상기 제1 면에 배열될 수 있다. 상기 제1 도핑층(611)은 상기 반도체 기판(610)의 내부에서 생성된 전자를 수집한다.
상기 제1 도핑 영역(DA1)은 상기 제1 농도보다 높은 제2 농도의 제1 도펀트로 도핑된 N형 반도체(N+형 반도체)를 포함할 수 있다. 상기 제1 도핑 영역(DA1)이 상기 제1 면에 형성된 제1 배선 전극(620a)과 직접적으로 접촉함으로써 상기 제1 배선 전극(620a)과 상기 제1 도핑층(611)의 접촉 저항을 낮출 수 있다. 상기 제1 도펀트는 붕소(B), 알루미늄(Al) 등을 포함하는 3족 원소이거나, 인(P), 비소(As) 등을 포함하는 5족 원소일 수 있다. 본 실시예에서는, 상기 제1 도펀트는 5족 원소를 포함할 수 있다.
상기 제1 도핑 영역(DA1)은 상기 제1 배선 전극(620a)에 대응하여 형성된다. 따라서, 상기 제1 도핑 영역(DA1)은 제1 방향(D1)으로 연장되고 제2 방향(D2)으로 이격되는 제1 도핑 라인들(DL1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고 제1 방향(D1)으로 이격되는 제2 도핑 라인들(DL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도핑 라인(DL1)은 상기 제2 도핑 라인(DL2)과 교차된다.
상기 제1 배선 전극(620a)은 바디 전극(621a) 및 핑거 전극(622a)을 포함할 수 있다. 상기 바디 전극(621a)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고 상기 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 핑거 전극(232)은 상기 바디 전극(231)으로부터 분기된다. 상기 핑거 전극(232)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다.
상기 반사방지막(630)은 상기 제1 도핑층(611) 상에 형성된다. 상기 반사방지막(630)은 상기 제1 도핑층(611)으로 입사되는 태양광의 반사를 최소화시킬 수 있다. 동시에, 상기 반사방지막(630)은 상기 반도체 기판(610)을 보호할 수 있다. 상기 반사방지막(630)은 질화 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 반사방지막(630)은 서로 인접한 핑거 라인들(622)과 서로 인접한 바디 라인들(621)이 교차하여 구획하는 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1 도핑층(611)이 상기 제1 도핑 영역(DA1)에 의해 정의된 매트릭스 형태로 배열될 때, 상기 반사방지막(630)도 평면적으로 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 반사방지막(630)은 상기 제1 배선 전극(620a)과 동일 평면에 배치되어 상기 제1 배선 전극(620a)은 상기 제1 도핑 영역(DA1)과 직접적으로 접촉하고, 상기 반사방지막(630)은 상기 제1 도핑층(611)과 직접적으로 접촉한다.
상기 제2 도핑층(612)은 상기 반도체 기판(610)의 제2 면의 전면을 커버한다. 상기 제2 도핑층(612)은 P+형 반도체를 포함한다. 상기 제2 도핑층(612)은 상기 반도체 기판(610)의 내부에서 생성된 정공을 수집한다.
상기 제2 배선 전극(620b)은 상기 제2 도핑층(612) 상에 형성된다. 상기 제2 배선 전극(620b)은 상기 제1 배선 전극(620a)과 대향하는 전극이 된다. 상기 제2 배선 전극(620b)은 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중 하나를 포함할 수 있다.
한편, 상기 반도체 기판(610)이 N형 반도체를 포함하고, 상기 제1 도핑층(611)이 P형 반도체를 포함하며, 상기 제1 도핑 영역(DA1)이 P+형 반도체를 포함하며, 상기 제2 도핑층(612)이 N+형 반도체를 포함할 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 배선 전극(620a, 620b: 이하, 620)을 갖는 인접하는 태양 전지 셀들(600) 사이에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장된다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(600)의 일부와 중첩되어 상기 인접하는 태양 전지 셀들(600) 각각의 상기 반사방지막(630) 및 상기 배선 전극(620)에 직접적으로 접촉한다. 구체적으로, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(600) 각각에 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 상기 핑거 전극(622)의 일부와 중첩되어 상기 핑거 전극(622)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전극 셀들(600) 각각에 배치된 상기 핑거 전극(622)으로부터 제공되는 전자 또는 정공을 출력할 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들 중 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들과 상기 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향(D1)으로 인접하고 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들을 직렬 또는 병렬 연결할 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)이 상기 제1 태양 전지 셀들과 상기 제2 태양 전지 셀들을 직렬 또는 병렬 연결하는 것은 도 1에 따른 실시예와 동일하므로, 중복되는 설명을 생략할 것이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 6의 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7 및 도 9a를 참조하면, 상기 반도체 기판(610)의 제1 면 상에 상기 제1 도핑층(611)을 형성한다. 상기 제1 도핑층(611)은 불순물을 주입하는 통상적인 방법인 열 확산법 또는 이온 주입법으로 상기 반도체 기판(610)에 5족 원소를 도핑하여 형성할 수 있다. 상기 제1 도핑층(610)을 형성하는 공정은 상기 반도체 기판(610)에 아직 상기 태양 전지(600)를 구성하는 소자들이 형성되지 않은 상태이므로 비록 약 850℃ 이상의 온도에서 행해지는 상기 열 확산법 또는 상기 이온 주입법을 이용한다 하더라도 고온에 의해 받는 영향이 적다.
상기 제1 도핑층(611)이 형성된 상기 반도체 기판(610)의 제1 면 상에 상기 반사방지막(630)을 형성한다.
도 7 및 도 9b를 참조하면, 상기 반사방지막(630)이 형성된 상기 반도체 기판(610)의 제1 면 상에 스텐실(S)을 배치한다. 상기 스텐실(S)은 상기 제1 배선 전극 패턴(P1)에 대응하는 제2 배선 전극 패턴(P2)을 포함한다. 상기 스텐실(S) 상에 배선 전극 물질(PST)을 도포한다. 상기 배선 전극 물질은 은(Ag)을 포함하고, 페이스트(paste) 상태일 수 있다. 상기 배선 전극 물질(PST)은 상기 배선 전극 패턴(P)으로 삽입된다. 이와 같은 스크린 프린팅을 이용하여 상기 반사방지막(630) 상에 상기 전극 물질(PST)을 배치시켜 제1 배선 전극(620a)을 형성한다.
또한, 상기 배선 전극 물질(PST)을 상기 반도체 기판(610)의 제2 면 상에 직접적으로 코팅하여 상기 제2 배선 전극(620b)을 형성한다.
도 7 및 도 9c를 참조하면, 상기 제1 면에는 상기 제1 배선 전극(620a)이 형성되고 상기 제2 면에는 상기 제2 배선 전극(620b)이 형성된 상기 반도체 기판(610)을 열처리한다.
상기 열처리에 의해서, 상기 제1 배선 전극(620a)의 금속이 상기 반도체 기판(610)의 제1 면으로 확산된다. 동시에, 상기 열처리에 의해서 상기 제2 배선 전극(620b)의 금속이 상기 반도체 기판(610)의 상기 제2 면으로 확산된다. 상기 반도체 기판(610)의 상기 제1 및 제2 면들로 확산되는 금속에 의해서, 상기 제1 및 제2 도핑 영역(DA1, DA2)이 형성된다.
도 7 및 도 9d를 참조하면, 복수의 태양 전지 셀들(600)을 상기 어레이 기판(미도시)에 배열한다. 배열된 태양 전지 셀들(600) 중 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 태양 전지 셀들(600) 사이에 상기 셀간 버스 라인(300)을 상기 제1 방향(D1)으로 연장하여 형성한다. 따라서, 상기 셀간 버스 라인(300)은 상기 태양 전지 셀들(600) 각각의 일부와 중첩한다. 상기 셀간 버스 라인(300)은 상기 배열된 태양 전지 셀들(600) 중 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)과 상기 제1 태양 전지 셀들(G1)에 제1 방향(D1)으로 인접하며 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 상기 제2 태양 전지 셀 그룹(G2)을 직렬 또는 병렬 연결한다.
또한, 배열된 태양 전지 셀들(200) 내에 상기 셀내 버스 전극(350)을 상기 제1 방향(D1)으로 형성한다. 상기 셀내 버스 전극(350)은 상기 배열된 태양 전지 셀들(200) 중 상기 제1 방향(D1)으로 인접하는 태양 전지 셀들(200)을 직렬 또는 병렬 연결한다.
따라서, 상기 태양 전지 셀들(200)은 상기 제1 방향(D1)으로 상기 셀간 버스 전극(300) 및 상기 셀내 버스 전극(350)에 의해 서로 직렬 또는 병렬 연결된다. 이에 따라, 도 6에 도시된 태양 전지 모듈(3000)을 제조할 수 있다.
본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(3000)은 상기 핑거 전극(622a)이 공정시 끊어지더라도 상기 셀간 버스 전극(300)을 통해 전하를 외부로 출력할 수 있다. 따라서, 태양 전지 모듈(3000)의 전력 효율을 증가시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 단면도이다. 도 11은 도 10의 태양 전지 모듈의 사시도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(4000)은 어레이 기판(미도시), 태양 전지 셀(700) 및 셀간 버스 전극(300)을 포함한다. 상기 태양 전지 모듈(4000)은 셀내 버스 전극(350), 제1 연결 전극(미도시) 및 제2 연결 전극(미도시)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 어레이 기판, 제1 및 제2 전극은 도 6에 따른 실시예의 어레이 기판, 제1 및 제2 전극과 동일하므로, 그 중복되는 설명을 생략한다.
상기 태양 전지 셀(700)은 태양광이 입사되는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면에 제1 도핑 영역(DA1) 및 제1 도핑층(711)이 형성되고 상기 제2 면에 제2 도핑 영역(DA2)이 형성된 반도체 기판(710)과, 상기 반도체 기판(710) 상에 형성된 제1 배선 전극(720a), 제2 배선 전극(720b), 제1 반사방지막(730a) 및 제2 반사방지막(730b)을 포함한다.
상기 반도체 기판(710)은 P형 반도체 또는 N형 반도체의 베이스 층(713)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 기판(710)의 제1 면에 형성된 상기 제1 도핑 영역(DA1), 상기 제1 도핑층(711), 상기 제1 배선 전극(720a) 및 상기 제1 반사방지막(730a)과 상기 반도체 기판(710)의 제2 면에 형성된 상기 제2 배선 전극(720b)은 도 6에 따른 실시예의 제1 도핑 영역, 제1 도핑층, 제1 배선 전극, 제2 배선 전극 및 반사방지막과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명을 생략한다.
상기 제2 도핑 영역(DA2)은 P+형 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제2 도핑 영역(DA2)은 제1 도핑 도트들(DOT)을 포함한다. 상기 제1 도핑 도트들(DOT) 각각은 도트 형상을 갖고, 입체적으로는 반구형상을 가질 수 있다. 상기 제1 도핑 도트들(DOT)은 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 제2 도핑 영역(DP2)은 도 9 따른 실시예의 제2 도핑층과 실질적으로 동일한 역할을 하는 구성 요소이다. 상기 제2 도핑 영역(DA2)은 제1 도핑 도트들(DOT)로 이루어짐으로써 상기 제2 도핑 영역(DA2)과 상기 제2 배선 전극(720b)의 접촉을 필요한 부분에만 한정할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 도핑 영역(DA2)과 상기 제2 배선 전극(720b)의 접촉이 불필요한 부분에서까지 상기 제2 도핑 영역(DA2)과 상기 제2 배선 전극(720b)이 접촉되어 결정 결함 또는 오염원들에 의해서 전기적 연결의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2 반사방지막(730b)은 상기 반도체 기판(710)의 상기 제2 면에 부착되어 형성된다. 상기 제2 반사방지막(730b)은 질화 실리콘 또는 산화 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 제2 반사방지막(730b)은 상기 제1 도핑 도트들(DOT) 각각을 노출시키는 홀들을 포함한다. 상기 제2 반사방지막(730b)의 홀들을 통해서 상기 제1 도핑 도트들(DOT)이 상기 제2 배선 전극(720b)과 직접적으로 접촉할 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 배선 전극(720)을 갖는 인접하는 태양 전지 셀들(700) 사이에서 상기 제1 방향(D1)으로 연장된다. 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(700)의 일부와 중첩되어 상기 인접하는 태양 전지 셀들(700) 각각의 상기 제1 반사방지막(730a), 상기 제1 배선 전극(720a) 및 상기 제2 배선 전극(720b)에 직접적으로 접촉한다. 구체적으로, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(700) 각각의 제1 면에서 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 상기 핑거 전극(722)의 일부와 중첩되어 상기 핑거 전극(722)에 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들(700) 각각의 제2 면에서 상기 제2 배선 전극(720b)의 일부와 중첩되어 상기 제2 배선 전극(720b)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전극 셀들(700) 각각에 배치된 상기 제1 및 제2 배선 전극(720a, 720b)으로부터 제공되는 전자 또는 정공을 출력할 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)은 상기 인접하는 태양 전지 셀들 중 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들과 상기 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향(D1)으로 인접하고 상기 제2 방향(D2)으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들을 직렬 또는 병렬 연결할 수 있다.
상기 셀간 버스 전극(300)이 상기 제1 태양 전지 셀들과 상기 제2 태양 전지 셀들을 직렬 또는 병렬 연결하는 것은 도 1에 따른 실시예와 동일하므로, 중복되는 설명을 생략할 것이다.
도 12a 내지 도 12c는 도 10의 태양 전지 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11 및 도 12a를 참조하면, 상기 반도체 기판(710)에 상기 제1 도핑층(711)을 형성한다. 상기 제1 도핑층(711)은 불순물을 주입하는 통상적인 방법인 열 확산법 또는 이온 주입법으로 상기 반도체 기판(710)에 5족 원소를 도핑하여 형성할 수 있다. 상기 제1 도핑층(711)을 형성하는 공정은 상기 반도체 기판(710)에 아직 상기 태양 전지(700)를 구성하는 소자들이 형성되지 않은 상태이므로 비록 약 850℃ 이상의 온도에서 행해지는 상기 열 확산법 또는 상기 이온 주입법을 이용한다 하더라도 고온에 의해 받는 영향이 적다. 상기 제1 도핑층(711)이 형성된 상기 반도체 기판(710)의 제1 면 상에 상기 제1 반사방지막(730a)을 형성한다. 상기 제1 도핑층(711)이 형성된 상기 반도체 기판(710)의 제2 면 상에 상기 제2 반사방지막(730b)을 형성한다.
도 11 및 도 12b를 참조하면, 상기 제1 반사방지막(730a)이 형성된 상기 반도체 기판(710)의 제1 면 상에 스텐실(S)을 배치한다. 상기 스텐실(S)은 상기 제1 배선 전극 패턴(P1)에 대응하는 제2 배선 전극 패턴(P2)을 포함한다. 상기 스텐실(S) 상에 배선 전극 물질(PST)을 도포한다. 상기 배선 전극 물질은 은(Ag)을 포함하고, 페이스트(paste) 상태일 수 있다. 상기 배선 전극 물질(PST)은 상기 배선 전극 패턴(P)으로 삽입된다. 이와 같은 스크린 프린팅을 이용하여 상기 제1 반사방지막(730a) 상에 상기 전극 물질(PST)을 배치시켜 제1 배선 전극(620a)을 형성한다.
상기 제2 반사방지막(730b)이 형성된 상기 반도체 기판(710)의 제2 면에 마스크를 이용하여 도트 형상의 홀들(H)을 형성한다. 상기 홀들(H)에 통상적인 방법인 열 확산법 또는 이온 주입법으로 불순물을 주입하여 상기 제2 도핑 영역(DA2)을 형성한다. 상기 제2 도핑 영역(DA2)은 상기 홀(H)과 같이 도트 형상으로 형성된다.
상기 배선 전극 물질(PST)을 상기 반도체 기판(710)의 제2 면 상에 직접적으로 코팅하여 상기 제2 배선 전극(720b)을 형성한다.
도 11 및 도 12c를 참조하면, 상기 제1 면에는 상기 제1 배선 전극(720a)이 형성되고 상기 제2 면에는 상기 제2 배선 전극(720b)이 형성된 상기 반도체 기판(710)을 열처리한다.
상기 열처리에 의해서, 상기 제1 배선 전극(720a)의 금속이 상기 반도체 기판(710)의 제1 면으로 확산된다. 상기 반도체 기판(710)의 상기 제1 면으로 확산되는 금속에 의해서, 상기 제1 도핑 영역(DA1)이 형성된다.
본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(4000)은 상기 핑거 전극(722a)이 공정시 끊어지더라도 상기 셀간 버스 전극(300)을 통해 전하를 외부로 출력할 수 있다. 따라서, 태양 전지 모듈(4000)의 전력 효율을 증가시킬 수 있다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 인접하는 태양 전지 셀들 사이에 셀간 버스 전극을 배치하여 상기 인접하는 태양 전지 셀들의 일부와 중첩함으로써, 단선된 불량 배선 전극을 이용할 수 있다. 따라서, 전력 효율을 향상시킬 수 있다. 이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 어레이 기판 211: 베이스 기판
212: 제1 반도체층 213: 제2 반도체층
220, 410: 투명 전극 233: 서브 전극
300, 500: 셀간 버스 전극 350: 셀내 버스 전극
200, 400, 600, 700: 태양 전지 셀
210, 610, 710: 반도체 기판
230, 420, 620, 720: 배선 전극
231, 421, 621, 721: 바디 전극
232, 422, 622, 722: 핑거 전극
1000, 2000, 3000, 4000: 태양 전지 모듈

Claims (16)

  1. 어레이 기판;
    상기 어레이 기판 상에 서로 인접하도록 배열되고, 배선 전극을 갖는 복수의 태양 전지 셀들; 및
    상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각과 일부 중첩되며 제1 방향으로 연장되어, 상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 배선 전극에 전기적으로 연결되는 셀간 버스 전극을 포함하는 태양 전지 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 태양 전지 셀들 각각은,
    가장자리에 해당하는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함하는 제1 면, 및 상기 제1 면에 대향하고 상기 제1 및 제2 영역들을 포함하는 제2 면을 갖는 반도체 기판; 및
    상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나의 제2 영역에 형성된 투명 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체 기판은,
    베이스 기판;
    상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나에 형성된 제1 반도체층; 및
    상기 제1 반도체층 상에 형성된 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  4. 제3항에 있어서, 상기 배선 전극은 상기 제1 및 제2 영역들에 배치되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  5. 제3항에 있어서, 상기 배선 전극은,
    상기 제1 방향으로 연장된 바디 전극들; 및
    제1 단이 상기 제2 영역에 배치되어 상기 바디 전극과 연결되고, 제2 단이 상기 제1영역에 배치되는 핑거 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 바디 전극들 각각을 따라 형성되어 상기 태양 전지 셀의 배선 전극에 전기적으로 연결되는 셀내 버스 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  7. 제5항에 있어서, 상기 배선 전극은,
    상기 제1 영역에서 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 영역에 배치된 상기 핑거 전극들 각각의 제2 단을 전기적으로 연결하는 서브 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  8. 제1항에 있어서, 상기 인접하는 태양 전지 셀들은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 및 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들을 포함하고,
    상기 셀간 버스 전극의 제1 단은 상기 제1 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되며,
    상기 셀간 버스 전극의 제2 단은 상기 제2 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 태양 전지 셀들 각각의 제2 면의 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  9. 제1항에 있어서, 상기 인접하는 태양 전지 셀들은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 및 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들을 포함하고,
    상기 셀간 버스 전극의 제1 단은 상기 제1 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되며,
    상기 셀간 버스 전극의 제2 단은 상기 제2 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
  10. 배선 전극을 갖는 태양 전지 셀을 형성하는 단계;
    어레이 기판 상에 상기 태양 전지 셀을 서로 인접하도록 복수개 배열하는 단계; 및
    상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각과 일부 중첩되며 제1 방향으로 연장되고, 상기 인접하는 태양 전지 셀들 각각의 배선 전극에 전기적으로 연결되도록 셀간 버스 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 태양 전지 셀을 형성하는 단계는,
    제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 반도체 기판을 투과 홀을 갖는 차단틀에 장착하는 단계;
    상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나에 상기 반도체 기판의 가장자리에 해당하는 제1 영역을 제외하고 상기 투과 홀에 대응되는 제2 영역에 상기 투명 전극을 증착하는 단계; 및
    상기 투명 전극이 증착된 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나에 상기 배선 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 배선 전극을 형성하는 단계는,
    상기 제1 면에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 배선 전극 페이스트를 도포하는 단계; 및
    상기 제1 방향으로 연장된 바디 전극들 및 제1 단이 상기 제2 영역에 배치되어 상기 바디 전극들과 연결되고, 제2 단이 상기 제1 영역에 배치되는 핑거 전극들을 갖는 상기 배선 전극을 스크린 프린팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 바디 전극에 대응하여 형성되어 상기 태양 전지 셀의 배선 전극에 전기적으로 연결되는 셀내 버스 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 배선 전극을 형성하는 단계는,
    상기 제2 면에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 배선 전극 페이스트를 도포하는 단계; 및
    상기 배선 전극을 스크린 프린팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 셀간 버스 전극을 형성하는 단계는,
    상기 셀간 버스 전극의 제1 단을 상기 태양 전지 셀들 중 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 사이에서 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되도록 접착하는 단계; 및
    상기 제1 단에 대향하는 제2 단을 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 태양 전지 셀들 각각의 제2 면의 일부와 중첩되도록 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 셀간 버스 전극을 형성하는 단계는,
    상기 셀간 버스 전극의 제1 단을 상기 태양 전지 셀들 중 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들 사이에서 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되도록 접착하는 단계; 및
    상기 제1 단에 대향하는 제2 단을 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 태양 전지 셀들에 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제2 태양 전지 셀들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 태양 전지 셀들 각각의 제1 면의 일부와 중첩되도록 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
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