KR20110132848A

KR20110132848A - 플라즈마 발생 유닛, 플라즈마 처리 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20110132848A
Application number: KR1020100052414A
Authority: KR
Inventors: 남궁환
Original assignee: 피에스케이 주식회사
Priority date: 2010-06-03
Filing date: 2010-06-03
Publication date: 2011-12-09
Also published as: KR101165723B1

Abstract

본 발명은 플라즈마 발생 유닛과 플라즈마 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 소스 가스를 반응기 내의 가장자리로 유도하는 유도 부재를 반응기 내에 결합시킴으로써 플라즈마 소스 가스가 플라즈마 소스에 가깝게 유도되어 플라즈마 생성율을 높인다.

Description

플라즈마 발생 유닛, 플라즈마 처리 장치 및 방법{PLASMA GENERATING UNIT, AND APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING PLASMA}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 발생 유닛을 이용하여 기판을 플라즈마 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.

플라즈마 처리 장치로는 플라즈마 생성 에너지원에 따라 축전 용량성 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 처리 장치, 유도 결합형 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma, ICP) 처리 장치 및 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma) 처리 장치 등이 제안되어 있으며, 이 중, 유도 결합형 플라즈마(ICP) 처리 장치는 낮은 압력에서 고밀도의 플라즈마를 생성시킬 수 있는 등의 장점으로 인해 널리 사용되고 있다.

상기에서 설명한 것처럼 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)와 같은 플라즈마 생성 에너지에 의해 생성된다. 일반적인 플라즈마 처리 장치는 가스 공급 부재를 통해 플라즈마 발생기 내부로 주입된 가스가 발생기 내부 전체로 확산되어 플라즈마 생성 에너지가 가스에 전달되는 효율이 낮아진다. 즉, 일반적인 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 발생기의 외주연을 감싸도록 플라즈마 소스가 제공된다. 따라서 플라즈마 발생기 내에서 플라즈마 소스와 근접한 가장자리 영역에서는 플라즈마 생성률이 높으나, 플라즈마 소스와 멀리 떨어진 중앙 영역에서는 플라즈마 생성률이 낮다. 일반적으로 플라즈마 생성을 위한 가스는 플라즈마 발생기의 내부 중앙 영역으로 다량 흐르기 때문에 플라즈마 생성율이 낮다.

본 발명은 플라즈마 생성율을 높이는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생 유닛은, 반응기, 상기 반응기에 가스를 공급하는 가스 주입 포트, 상기 반응기의 외부에 설치되어 상기 반응기 내 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 및 상기 반응기 내부에 위치하여 가스의 흐름을 상기 반응기 내의 가장자리로 유도하는 유도체를 가지는 유도부재를 포함한다.

상기 유도체는 상기 반응기의 내측벽과 이격되게 위치될 수 있다.

상기 반응기와 상기 유도체는 원통 형상으로 제공되고, 상기 유도체의 길이 방향이 상기 반응기의 길이 방향과 평행하게 이루어질 수 있다.

상기 유도 부재는 가스 분산판을 더 포함하되, 상기 유도체는 상기 가스 분산판과 일체로 형성되어 상기 가스 분산판의 저면 중앙영역으로부터 아래로 연장되고, 상기 가스 분산판의 가장자리에는 분사구가 형성될 수 있다.

상기 가스 분산판은 상기 가스 주입 포트와 상기 플라즈마 소스 사이에 위치될 수 있다.

상기 플라즈마 소스가 상기 반응기의 길이 방향을 따라 제공되며 상기 반응기를 감싸는 코일로 이루어질 수 있다.

상기 유도체는 상기 가스 주입 포트와 상기 플라즈마 소스 사이에서 상기 플라즈마 소스와 중첩되지 않도록 제공될 수 있다.

상기 유도체의 끝단이 상기 플라즈마 소스의 내부 영역에 위치될 수 있다.

상기 유도체의 끝단이 상기 플라즈마 소스를 관통하여 지나도록 제공될 수 있다.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 기판의 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 처리실과 상기 공정 처리실 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부재와 상기 공정 처리실 상부에 결합하며, 플라즈마의 확산 공간이 제공되는 리드와 상기 공정 처리실 상부에 위치하며, 상기 공정 처리실과 상기 리드를 구획하고 관통구들이 형성된 배플과 상기 리드의 상부에 결합된 반응기와 상기 반응기의 상부에 제공되며, 상기 반응기 내로 가스를 공급하는 가스 주입 포트와 상기 반응기의 외부에 설치되어 상기 반응기 내의 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 및 상기 반응기 내부에 위치하여 가스의 흐름을 상기 반응기 내의 가장자리로 유도하는 유도체를 가지는 유도부재를 포함한다.

상기 유도 부재는 가스 분산판을 더 포함하되, 상기 유도체는 상기 가스 분산판의 저면 중앙영역으로부터 아래로 연장되고, 상기 가스 분산판의 가장자리에는 분사구가 형성될 수 있다.

상기 유도체의 하부 끝단이 상기 플라즈마 소스를 관통하여 지나도록 제공될 수 있다.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법은, 반응기 내로 가스를 공급하고, 상기 가스가 유도 부재에 의해 상기 반응기의 가장자리로 유도되고, 상기 반응기의 외부에 설치된 플라즈마 소스에 전원을 인가하여 상기 가스로부터 플라즈마를 생성시켜 상기 플라즈마의 생성율을 높인다.

본 발명에 의하면 가스 흐름을 플라즈마 소스에 가깝게 유도하여 플라즈마 생성율을 높이며 이로 인해 기판 처리에 대한 공정 효율이 높일 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 유도부재를 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛을 나타낸 단면도이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 간략하게 나타내는 평면도이다.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM, 10)과 공정 처리실(20)를 가진다.

설비 전당 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)은 일렬로 배치된다. 이하, 설비 전당 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)이 배열된 방향은 제1방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(1)에 수직인 방향은 제 2 방향(2)이라 정의한다.

설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 처리실(20) 전방에 장착되어 기판이 수납된 캐리어(16)와 공정 처리실(20) 간에 기판을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(12)와 프레임(14)을 포함한다.

로드포트(12)는 프레임(14) 전방에 배치되고, 복수 개를 가진다. 로드 포트(12)들은 제2방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(16)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)는 로드 포트에 안착된다.

프레임(14)은 로드포트(12)와 로드락 챔버(22) 사이에 배치된다. 프레임(14) 내부에 로드포트(12)와 로드락 챔버(22)간에 기판(W)을 이송하는 이송로봇(18)이 배치된다. 이송로봇(18)은 제2방향(2)으로 구비된 이송 레일을 따라 이동한다.

공정처리실(20)은 로드락 챔버(22),트랜스퍼 챔버(24), 그리고 복수개의 플라즈마 처리 장치(30)를 포함한다. 플라즈마 처리 장치(30)는 공정챔버(100)와 플라즈마 발생 유닛(200)을 포함한다.

로드락 챔버(22)는 트랜스퍼 챔버(24)와 설비 전방 단부 모듈(10) 사이에 배치되며, 공정에 제공될 기판(W)이 공정챔버(100)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(10)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(22)는 하나 또는 복수개가 제공된다. 일 예에 의하면, 로드락 챔버(22)는 두 개가 제공된다. 두 개의 로드락 챔버(22)들 중 하나에는 공정 진행을 위해 공정 처리실(20)로 유입되는 기판(W)이 수납되고, 다른 하나에는 공정이 완료되어 공정 처리실(20)로부터 유출되는 기판(W)이 수납될 수 있다.

트랜스퍼 챔버(24)는 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(22)와 복수개의 플라즈마 처리 장치(30)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22) 또는 공정챔버(30)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(24)의 내부공간에는 로드락 챔버(22)와 공정챔버(100)들 간에 기판(W)을 이송하는 반송로봇(26)이 배치된다. 반송로봇(26)은 로드락 챔버(22)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 공정챔버(100)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(22)로 이송한다. 그리고, 반송 로봇(26)은 복수 개의 공정챔버(100)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 공정챔버(100)에 기판(W)을 이송한다. 일 실시예에 의하면 트랜스퍼 챔버(24)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(22)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 플라즈마 처리 장치(30)들이 배치된다. 트랜스퍼 챔버(24)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(30)를 나타내는 단면도이다.

도 2를 참조하면, 플라즈마 처리 장치(30)는 공정 챔버(100)와 플라즈마 발생 유닛(200)을 포함한다. 공정 챔버(100)는 플라즈마를 이용한 기판(W)의 처리 공정을 수행한다. 플라즈마 발생 유닛(200)은 기판의 처리 공정에 사용되는 플라즈마를 발생하고, 플라즈마를 다운 스트림(Down Stream) 방식으로 공정 챔버(100)에 제공한다.

공정 챔버(100)는 공정 처리실(120), 기판 지지 부재(140), 리드(160) 및 배플(180)을 포함한다. 공정 처리실(120)은 상부가 개방된 형상을 가지고, 기판(W) 처리 공정이 진행되는 공정 공간(PS)을 제공한다. 처리실(120)의 바닥 벽(122)에는 배기 홀들(123a, 123b)이 형성되고, 배기 홀들(123a, 123b)에는 배기관(124a, 124b)이 결합된다. 기판(W) 처리 과정에서 공정 공간(PS)에 생성되는 반응 부산물과, 공정 공간(PS)으로 유입된 가스는 배기 홀들(123a, 123b)과 배기관들(124a, 124b)을 통해 외부로 배출된다. 배기관들(124a, 124b)에는 압력 조절 장치(미도시)가 연결될 수 있으며, 압력 조절 장치(미도시)에 의해 공정 처리실(120) 내부의 압력이 조절될 수 있다. 압력 조절 장치로는 진공 펌프가 사용될 수 있다.

기판 지지 부재(140)는 공정 처리실(120)의 공정 공간(PS)에 배치된다. 기판 지지 부재(140)는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 기판(W)을 지지하고, 기판(W)을 회전시키거나 승강시킨다. 기판 지지 부재(140)는 스핀 척(142)과, 구동 축(144)을 포함한다. 스핀 척(142)은 정전력에 의해 기판을 흡착 지지하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)일 수 있으며, 또한 스핀 척(142)은 기계적 클램핑 방식의 척 일 수도 있다. 스핀 척(142)에는 기판의 온도를 공정 온도로 유지하기 위한 온도 조절부(미도시)가 제공될 수 있다. 구동 축(144)은 스핀 척(142)의 아래에 결합된다. 구동축(144)은 구동기(미도시)에 의해 발생된 구동력을 스핀 척(142)에 전달한다. 구동기(미도시)는 스핀 척(142)을 회전시키기 위한 회전 구동력을 제공할 수 있으며, 또한 스핀 척(142)을 승강시키기 위한 직선 이동 구동력을 제공할 수도 있다.

리드(160)는 하부가 개방된 역 깔때기 형상을 가질 수 있으며, 리드(160)의 내부에는 플라즈마의 확산을 위한 확산 공간(DS)이 제공된다. 리드(160)는 처리실(120)의 개방된 상부에 결합하여 공정 처리실(120)의 개방된 상부를 밀폐한다. 리드(160)의 상단 중심부에는 유입구(162)가 형성되고, 플라즈마 발생 유닛(200)이 유입구(162)에 결합된다. 플라즈마 발생 유닛(200)이 제공하는 플라즈마는 유입구(162)를 통해 리드(160)의 확산 공간(DS)으로 유입되고, 유입된 플라즈마는 확산 공간(DS) 내에서 확산된다.

배플(180)은 스핀 척(142)과 마주보도록 공정 처리실(120)의 개방된 상부에 결합된다. 배플(180)은 처리실(120)의 공정 공간(PS)과 리드(160)의 확산 공간(DS)을 구획하며, 홀들(182)을 통해 확산 공간(DS)으로부터 공정 공간(PS)으로 제공되는 플라즈마의 성분을 선택적으로 투과시킨다. 배플(180)은 주로 플라즈마의 라디칼 성분을 공정 공간(PS)으로 투과시킬 수 있다.

플라즈마 발생 유닛(200)은 공정 챔버(100)의 리드(160)의 상부에 결합되고, 기판 처리 공정에 사용되는 플라즈마를 발생하여 리드(160)의 확산 공간(DS)에 제공한다.

도 3a, 도 3b, 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛(200)를 나타내는 단면도이다.

도 3a, 도 3b, 도 3c를 참조하면, 플라즈마 발생 유닛(200)은 반응기(210), 가스 주입 포트(220), 플라즈마 소스(230) 및 유도 부재(240)를 포함한다.

반응기(210)는 관형상을 가진다. 반응기(210)는 길이 방향이 수직 방향을 향하도록 제공된다. 반응기의 상부는 가스 주입 포트(22)에 결합되고, 반응기의 개방된 하부는 리드(160)에 형성된 유입구(162)에 결합된다.

가스 주입 포트(220)는 가스 공급 부재와 결합되어 반응기(210)내 상부 영역으로 가스를 공급한다. 가스는 질소, 산소, 수소, 사불화탄소, 삼불화질소 중 하나 또는 복수를 포함할 수 있다. 가스 주입 포트(220)도 하부가 개방된 역 깔대기 형상을 가질 수 있으며, 가스 주입 포트(220)의 내부에는 가스가 반응기 내부로의 확산을 위한 확산 공간이 제공된다.

플라즈마 소스(230)는 반응기(210)의 길이 방향을 따라 제공되며, 반응기의 중심부를 감싸도록 배치될 수 있다. 플라즈마 소스(230)의 일단에는 전원(232)이 연결되고, 플라즈마 소스(230)의 타단은 접지된다. 전원(232)이 플라즈마 소스(230)에 고주파 전류 또는 마이크로파 전력을 인가한다. 플라즈마 소스(230)는 반응기(210)를 감싸는 코일 형상으로 이루어진 유도 결합형 플라즈마 소스일 수 있다.

유도 부재(240)는 플라즈마 생성율을 높이기 위해 제공된다. 도 4는 유도 부재(240)의 사시도이다. 유도 부재(240)는 가스를 반응기(210) 내의 가장자리로 유도하여 가스의 흐름을 플라즈마 소스(230)에 가깝게 유도한다. 유도 부재(240)는 유도체(241)와 가스 분산판(242)을 포함할 수 있다.

유도체(241)는 반응기(210) 내부에 위치하여 가스의 흐름을 반응기(210) 내의 가장자리로 유도한다. 유도체(241)는 반응기(210)의 내측벽과 이격되게 위치하여 유도체(241)와 반응기(210) 내측벽 사이의 공간에 가스가 흘러 들어가 반응기(210) 내의 가장자리로 흐를 수 있도록 유도한다. 반응기(210)와 유도체(241)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 이 때 유도체(241)는 반응기(210) 내측벽과 이격되게 위치하면서 반응기(210)의 길이 방향과 평행하게 배치된다.

유도체(241)는 석영 또는 세라믹과 같은 부도체로 형성될 수 있으며, 유도체(241)는 상부와 하부가 밀폐되어 유도체(241) 내부로 가스가 흐르지 않는 구조를 가질 수 있다.

유도체(241)의 길이는 다양하게 제공될 수 있다. 예컨대, 도 3a와 같이, 유도체(241)는 반응기(210) 내부의 가스 주입 포트(220)와 플라즈마 소스(230) 사이의 영역에 위치하여 정면에서 바라볼 때 플라즈마 소스(230)와 중첩되지 않도록 제공될 수 있다. 선택적으로, 도 3b와 같이 유도체(210)의 끝단이 플라즈마 소스(230)를 관통하여 지나도록 제공될 수 있다. 선택적으로, 도 3c와 같이 유도체(210)의 끝단이 플라즈마 소스(230)의 내부 영역에 위치될 수 있다.

도 3a의 경우, 유도체와 반응기 내측벽 사이의 공간에 흐르던 가스가 플라즈마 발생 영역 전체로 확산된다. 그러나 플라즈마 소스와 근접한 영역에 더 많은 가스가 흐르므로 플라즈마 생성률이 높다. 또한, 생성된 플라즈마가 반응기 내부를 따라 흐르면서 균일하게 분포되어 기판 전체 영역의 증착 균일도를 향상시킨다.

도 3b의 경우, 유도체와 반응기 내측벽 사이의 공간에 흐르는 가스가 플라즈마 발생 영역의 가장자리에서 흐르게 된다. 이에, 도 3a보다 플라즈마 소스와 근접한 영역에 더 많은 가스가 흐르므로 플라즈마 생성률이 더 높아진다.

도 3c의 경우, 플라즈마 생성률이 도 3a보다 높고, 생성된 플라즈마의 균일분포가 도 3b보다 우수하다.

가스 분산판(242)은 반응기(210) 외부를 감싸는 플라즈마 소스(230)의 상부 영역에서 가스 주입 포트(220)와 유도체(241) 사이에 위치한다. 가스 분산판(242)의 가장 자리에는 복수개의 분사구가 형성된다. 이는 가스 주입 포트(220)를 통해 반응기(210) 내부로 주입된 가스가 가스 분산판(242)의 분사구를 거쳐 유도체(241)와 반응기(210) 내측벽의 공간으로 흘러 들어가면서 반응기(210) 내의 가장자리로 유도되도록 한다. 가스 분산판(242)의 분사구는 슬릿 또는 원형 등 다양한 형태로 제공될 수 있다. 가스 분산판(242)도 다양한 형태로 제공될 수 있으나 유도체(241)와 반응기(210)가 원통형인 경우에 원판형으로 제공된다.

가스 분산판(242)은 유도체(242)와 일체로 형성될 수 있으며, 유도체(241)는 가스 분산판(242)의 저면 중앙영역으로부터 아래로 연장된다.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛(200)을 사용하여 플라즈마를 생성시키는 과정을 설명하면 다음과 같다.

가스 공급 부재를 통해 공급된 가스가 가스 주입 포트(220)를 통해 반응기 (210)의 내부로 주입된다. 주입된 가스는 반응기(210) 내부를 흐르다 반응기(210) 내부에 위치한 가스 분산판(242)의 분사구를 거쳐 유도체(242)와 반응기(210) 내측벽 사이의 공간으로 흘러 반응기(210) 내의 가장자리로 유도된다. 이 때 플라즈마 소스에 고주파 전류가 인가된다. 반응기 내의 가장 자리로 유도된 가스는 플라즈마 상태로 변환한다.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛(200)를 나타내는 단면도이다.

상술한 예에서는 유도부재가 가스분산판과 유도체를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 유도부재는 도 5와 같이 가스 분산판 없이 유도체만을 가질 수 있다.

본 발명의 대상물은 유리 기판등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있으며, 플라즈마 소스는 용량 결합형 플라즈마(Capacitively coupled plasma) 등과 같은 다양한 종류가 사용될 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100 플라즈마 처리 장치
200 플라즈마 발생 유닛
210 반응기 220 가스 주입 포트
230 플라즈마 소스
240 유도 부재
241 유도체 242 가스 분산판

Claims

반응기;
상기 반응기에 가스를 공급하는 가스 주입 포트;
상기 반응기의 외부에 설치되어 상기 반응기 내 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스; 및
상기 반응기 내부에 위치하여 가스의 흐름을 상기 반응기 내의 가장자리로 유도하는 유도체를 가지는 유도부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 1 항에 있어서,
상기 유도체는 상기 반응기의 내측벽과 이격되게 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 2 항에 있어서,
상기 반응기와 상기 유도체는 원통 형상으로 제공되고,
상기 유도체의 길이 방향이 상기 반응기의 길이 방향과 평행하게 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 1 항에 있어서,
상기 유도 부재는 가스 분산판을 더 포함하되,
상기 유도체는 상기 가스 분산판과 일체로 형성되어 상기 가스 분산판의 저면 중앙영역으로부터 아래로 연장되고,
상기 가스 분산판의 가장자리에는 분사구가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 4 항에 있어서,
상기 가스 분산판은 상기 가스 주입 포트와 상기 플라즈마 소스 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 5 항에 있어서,
상기 플라즈마 소스가 상기 반응기의 길이 방향을 따라 제공되며 상기 반응기를 감싸는 코일로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유도체는 상기 가스 주입 포트와 상기 플라즈마 소스 사이에서 상기 플라즈마 소스와 중첩되지 않도록 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유도체의 끝단이 상기 플라즈마 소스의 내부 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유도체의 끝단이 상기 플라즈마 소스를 관통하여 지나도록 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 유닛.
기판의 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 처리실;
상기 공정 처리실 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부재;
상기 공정 처리실 상부에 결합하며, 플라즈마의 확산 공간이 제공되는 리드;
상기 공정 처리실 상부에 위치하며, 상기 공정 처리실과 상기 리드를 구획하고 관통구들이 형성된 배플;
상기 리드의 상부에 결합된 반응기;
상기 반응기의 상부에 제공되며, 상기 반응기 내로 가스를 공급하는 가스 주입 포트;
상기 반응기의 외부에 설치되어 상기 반응기 내의 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스; 및
상기 반응기 내부에 위치하여 가스의 흐름을 상기 반응기 내의 가장자리로 유도하는 유도체를 가지는 유도부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제 10 항에 있어서,
상기 유도 부재는 가스 분산판을 더 포함하되,
상기 유도체는 상기 가스 분산판의 저면 중앙영역으로부터 아래로 연장되고, 상기 가스 분산판의 가장자리에는 분사구가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제 11 항에 있어서,
상기 플라즈마 소스가 상기 반응기의 길이 방향을 따라 제공되며 상기 반응기를 감싸는 코일로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유도체는 상기 가스 주입 포트와 상기 플라즈마 소스 사이에(서 상기 플라즈마 소스와 중첩되지 않도록) 위치하는(제공되는) 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유도체의 하부 끝단이 상기 플라즈마 소스를 관통하여 지나도록 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
반응기 내로 가스를 공급하고,
상기 가스가 유도 부재에 의해 상기 반응기의 가장자리로 유도되고,
상기 반응기의 외부에 설치된 플라즈마 소스에 전원을 인가하여 상기 가스로부터 플라즈마를 생성시켜 플라즈마의 생성율을 높이는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.