KR20110130075A - Ｌｅｄ 칩의 냉각구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED 칩의 냉각구조에 관한 것으로서, LED 칩 하부기판의 하부에 형성되는 제 1 전극금속층, 상기 전극금속층의 하부 일측에 형성되는 제 1 형 열전금속층, 상기 제 1 형 열전금속층과 이격 형성되는 제 2 형 열전금속층, 상기 제 2 형 열전금속층 하부에 형성되는 제 2 전극금속층, 상기 제 1 형 열전금속층과 제 2 형 열전금속층 간에 개재되는 인슐레이터층 및 상기 상기 제 1 열전금속층의 하부에 형성되는 히트싱크층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, LED 칩의 하부에 펠티에 효과(Pertier Effect)를 이용한 냉각 구조물을 반도체 제조방식으로 실장함으로써 LED의 발열에 따른 소자 신뢰성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

ＬＥＤ 칩의 냉각구조{A Cooling Structure For LED Chip}
본 발명은 LED 칩의 냉각구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LED 칩의 하부에 펠티에 효과(Pertier Effect)를 이용한 냉각 구조물을 반도체 제조방식으로 실장함으로써 LED의 발열에 따른 소자 신뢰성 저하를 방지할 수 있도록 함과 아울러 LED 칩의 하부에 반사 금속층을 형성함으로써 고휘도 LED를 구현할 수 있도록 하는 구조에 관한 것이다.
근래 고수명 및 친환경성 등의 장점으로 LED가 백열등, 형광등을 대체하고 있는 추세에 있다.
이러한 LED는 전극의 형성 구조에 따라 전극이 측면 방향으로 형성되는 래터럴 타입과 전극이 수직 방향으로 형성되는 버티컬 타입으로 분류된다.
도 1은 일반적인 래터럴 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 래터럴 타입 LED는 사파이어 재질의 기판(1) 상에 버퍼층(2), N형 반도체층(3), 활성층(4), P형 반도체층(5)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
버퍼층(2)은 사파이어 기판(1)과 N형 반도체층(3) 간의 격자 상수 차이로 인한 부정합을 완화하고 결정성이 좋은 N형 반도체층이 성장되도록 하기 위한 것이다.
N형 반도체층(3)과 P형 반도체층(5)은 PN 접합 형성하기 위한 것으로서, 각각 n-GaN과 p-GaN이 주로 사용된다.
활성층(4)은 빛이 발생하는 층으로서, 전자와 정공이 활성층(4)에 주입되어 결합되면 전기적 에너지가 빛 에너지로 전환되어 방출된다.
그리고, N형 반도체층(3)과 P형 반도체층(5)의 상부에는 각각 N-메탈층(7)과 T-메탈층(6)이 형성되고, 각 메탈층 상부에 전극 형성을 위한 본딩층(8, 9)이 형성된다.
이러한 종래 래터럴 타입 LED는 다이 본딩 시 실버 에폭시 상에 LED 칩을 본딩하는 방식인데, 실버 에폭시의 경우 열전도도가 금속에 비해 매우 떨어지기 때문에 칩에서 발생한 열이 충분히 방출되지 못하는 단점이 있고, 사파이어 기판(1) 방향으로 들어가는 빛이 반사되지 못하고 난반사되거나 소멸되어 휘도 저하의 주요한 원인이 되고 있는 실정이다.
도 2는 일반적인 버티컬 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 일반적인 버티컬 타입 LED는 금(Au) 등의 소재를 기판(11)으로 사용하고, 기판(11)의 상부에 본딩 메탈층(12), P-메탈층(13), P형 반도체층(14), 활성층(15), N형 반도체층(16), 전류 확산층(17), 반사층(18) 및 본딩층(19)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
이러한 종래 버티컬 타입 LED는 기판(11)이 열전도도가 높은 금 등의 소재를 사용하므로 다이 본딩 시 래터럴 타입에 비해서는 방열 성능이 우수한 장점이 있으나, 여전히 LED의 최대 단점인 발열 문제는 해결하지 못하고 있는 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 LED 칩의 하부에 펠티에 효과(Pertier Effect)를 이용한 냉각 구조물을 반도체 제조방식으로 실장함으로써 LED의 발열에 따른 소자 신뢰성 저하를 방지할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 LED 칩의 하부에 반사 금속층을 형성함으로써 고휘도 LED를 구현할 수 있도록 하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, LED 칩 하부기판의 하부에 형성되는 제 1 전극금속층, 상기 전극금속층의 하부 일측에 형성되는 제 1 형 열전금속층, 상기 제 1 형 열전금속층과 이격 형성되는 제 2 형 열전금속층, 상기 제 2 형 열전금속층 하부에 형성되는 제 2 전극금속층, 상기 제 1 형 열전금속층과 제 2 형 열전금속층 간에 개재되는 인슐레이터층 및 상기 상기 제 1 열전금속층의 하부에 형성되는 히트싱크층을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조가 제공된다.
여기서, 상기 LED 칩 하부기판과 제 1 전극금속층 간에 형성되는 제 1 납땜금속층 및 상기 제 1 형 열전금속층과 히트싱크층 간에 형성되는 제 2 납땜금속층이 더 포함되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 LED 칩 하부기판과 제 1 납땜금속층 간에 반사금속층이 형성되는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 반사금속층은 상기 제 1 전극금속층의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 1 접착금속, 상기 접착금속의 하부에 형성되고, Ag, Al, Cr, Pt, Pd, Rh, Ru 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 반사금속, 상기 반사금속의 하부에 형성되고 Pt, Mo, W 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 배리어 금속 및 상기 배리어 금속의 하부에 형성되고 Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 1 캐핑 금속을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 제 1 납땜금속층은 상기 반사금속층의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 2 접착금속, 상기 제 2 접착금속의 하부에 형성되고, AuSn, AgSn, In, Sn, PbSn 중 어느 하나로 이루어지는 제 1 납땜금속 및 상기 제 1 납땜금속의 하부에 형성되고 Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 2 캐핑 금속을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 제 2 납땜금속층은 상기 상기 제 1 형 열전금속층의 하부에 형성되고, Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 3 캐핑 금속, 상기 캐핑금속의 하부에 형성되고, AuSn, AgSn, In, Sn, PbSn 중 어느 하나로 이루어지는 제 2 납땜금속 및 상기 제 2 납땜금속의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 3 접착금속을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 전극금속층은 제 1 전극금속, 상기 전극금속의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 4 접착금속, 상기 접착금속의 하부에 형성되고, Au, Al, Cu, Mo, Pd, W 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 지지금속, 상기 지지금속의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 5 접착금속 및 상기 제 5 접착금속의 하부에 형성되는 제 2 전극금속을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, LED 칩의 하부에 펠티에 효과(Pertier Effect)를 이용한 냉각 구조물을 반도체 제조방식으로 실장함으로써 LED의 발열에 따른 소자 신뢰성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, LED 칩의 하부에 반사 금속층을 형성함으로써 고휘도 LED를 구현할 수 있는 효과도 있다.
도 1은 일반적인 래터럴 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 일반적인 버티컬 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 래터럴 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
도 4는 일반적인 래터럴 타입 LED와 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 래터럴 타입 LED의 열방출 효율 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일반적인 래터럴 타입 LED와 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 래터럴 타입 LED의 반사율 효율 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 버티컬 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
도 7은 일반적인 버티컬 타입 LED와 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 버티컬 타입 LED의 열방출 효율 차이를 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 래터럴 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 래터럴 타입 LED에 사용되는 본 발명의 냉각 구조물은 기판(1)의 하부에 반도체 제조 방식으로 형성되는 것으로서, 하부로부터 히트싱크층(10), 납땜 금속층(20), 전극금속층(60), 열전금속층(30, 70), 전극 금속층(80), 납땜 금속층(90) 및 반사 금속층(100)이 적층된 구조이다.
본 발명의 냉각 구조물의 기본적인 구성은 2가지 유형의 열전금속층(A형과 B형) 간에 인슐레이터층(50)을 개재하고, 각 열전 금속층(30, 70)의 상부 또는 하부에 전극 금속층(60, 70)을 형성한 구조를 갖는다. 전극 금속층(60, 70)을 통해 각기 다른 종류의 전압을 인가할 경우 전극금속층(60, 70)과 기판(1)과의 경계면 부분에 흡열반응이 일어나 경계면이 냉각되고, 반대면은 발열반응이 일어나 가열되게 된다.
본 실시예에서 A형 열전금속층(30)과 B형 열전금속층(70)은 하기 표에서 선택적으로 서로 다른 종류의 물질이 선택될 수 있다.
시스템 물질1 물질2
No.1 Bi2Te5 Sb2Te5
No.2 Pt Pt(0.87)Rh(0.13)
No.3 Pt(0.7)Rh(0.3) Pt(0.94)Rh(0.06)
No.4 Cu Cu(0.55)Ni(0.45)
No.5 Fe Cu(0.55)Ni(0.45)
No.6 Ni(0.9)Cr(0.1) Ni(0.94)Mn(0.03)Al(0.02)Si(0.01)
No.7 Ni(0.9)Cr(0.1) Cu(0.55)Ni(0.45)
상기에서 각 물질의 두께는 0.1 ~ 1,000μm로 한정하여 사용되는 것이 바람직하고, 해당 물질의 형태는 제한없이 사용할 수 있으나, 나노-와이어 형태로 소자를 제작하는 경우 열전도율이 급격하게 떨어지기 때문에 더욱 더 효과적인 냉각효과를 얻을 수 있다. 이때, 나노-와이어의 직경은 1nm ~ 5mm까지 다양하게 이용할 수 있다.
A형 열전금속층(30)과 B형 열전금속층(70) 간 및 전극금속층(60)과 납땜 금속층(20) 간에는 전기적 절연을 위한 인슐레이터층(40, 50)이 형성된다. 인슐레이터층(40, 50)은 주로 글래스 재질 내지는 Al2O3, Si3N4 등의 세라믹 재질, 에폭시 등의 폴리머 재질이 사용 가능하다.
전극 금속층(60, 80)은 전극금속 자체로 형성될 수도 있으나, 상하부의 전극금속(81, 85)의 사이에 접착금속(82, 85)이 적층되고 접착금속(82, 85) 간에 지지금속(83)이 형성된 구조를 갖는 것이 바람직하다.
지지금속(83)은 기판 하부에 설치되는 하부 냉각 구조물을 지지하기 위한 것으로서, Au, Al, Cu, Mo, Pd, W 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
접착금속은 지지금속(83)이 전극 금속(81, 85)에 잘 접착되도록 하기 위한 것으로서, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
반사 금속층(100)은 반사 금속(102)만으로 이루어질 수도 있으나, 도시된 바와 같이, 기판(1)과 접착금속(102) 간에 접착금속(101)이 형성되고, 반사 금속(102)의 하부에 배리어 금속(103)과 캐핑금속(104)이 형성되는 것이 바람직하다.
접착금속(101)은 기판(1)과 반사금속(102) 간의 접착력을 높이기 위한 것으로서, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
반사 금속(102)은 활성층(4)에서 방출되는 빛을 반사시켜 빛의 유출을 최소화하여 휘도를 개선시키기 위한 것으로서, 반사율이 높은 Ag, Al, Cr, Pt, Pd, Rh, Ru 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 반사금속(102)은 1 ~ 10,000Å으로 한정하여 사용하는 것이 바람직하다.
배리어 금속(103)은 반사 금속(102)을 보호하기 위한 것으로서, Pt, Mo, W 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 배리어 금속(103)은 1 ~ 100,000Å으로 한정하여 사용하는 것이 바람직하다.
캐핑 금속(104)은 배리어 금속(103)의 산화를 방지하기 위한 것으로서, Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지며, 1 ~ 100,000Å으로 한정하여 사용하는 것이 바람직하다.
납땜 금속층(90)은 기판과 열전물질을 포함하는 전극 금속층(80)을 접합시키기 위한 것으로서, 상부로부터 접착금속(91), 납땜금속(93) 및 캐핑금속(95)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
접착금속(91)은 접합력 강화를 위한 것으로서, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 1 ~ 1,000Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
납땜금속(92)은 열전도도가 높고 융점이 낮은 금속이 사용되며, 해당 금속으로는 AuSn, AgSn, In, Sn, PbSn 중 어느 하나일 수 있다. 이 중 AuSn이 가장 적합하며 그 두께는 1 ~ 100,000Å가 적합하다.
캐핑 금속(104)은 납땜 금속(92)의 산화를 방지하기 위한 것으로서, Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지며, 1 ~ 100,000Å으로 한정하여 사용하는 것이 바람직하다.
납땜 금속층(20)은 히트 싱크층(10)과 열전물질을 포함하는 전극 금속층(80)을 접합시키기 위한 것으로서, 하부로부터 접착금속(25), 납땜금속(23) 및 캐핑금속(21)이 순차적으로 적층된 구조를 가지며, 세부 구조는 납땜 금속층(90)과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4는 일반적인 래터럴 타입 LED와 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 래터럴 타입 LED의 열방출 효율 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 종래에는 실버 에폭시층(1')은 열전도도가 낮으므로 활성층(4)에서 기판(1)까지 방출되는 열량(Q1)이 실버 에폭시층(1')을 통해 방출되는 열량(Q2)보다 훨씬 크게 되나, 본 발명에서는 활성층(4)에서 기판(1)까지 방출되는 열량(Q1)보다 전극금속층(80)을 통해 방출되는 열량(Q3)와 최하부의 히트싱크층(10)을 통해 방출되는 열량(Q4)이 훨씬 크게 되어 방열 성능이 현저하게 개선되는 효과가 있다.
도 4에서 T1, T1-1, T2, T3는 해당 위치에서의 온도를 나타내며, 본 발명에서의 기판의 온도(T1-1)가 종래 기술에서의 기판 온도(T1)보다 훨씬 낮고, 전열금속에 의해 흡열반응이 일어나는 기판(1)과 전열금속의 경계면의 온도(T2)가 다른 부분에 비해 현저하게 낮음을 알 수 있다.
도 5는 일반적인 래터럴 타입 LED와 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 래터럴 타입 LED의 반사율 효율 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 종래 래터럴 타입 LED에서 최하단의 실버 에폭시층(1')으로 입사되는 입사광의 강도를 L(i)1, 실버 에폭시층(1')에서 반사되는 반사광의 강도를 L(r)1 이라 하고, 본 발명에서 반사금속층(100)으로 입사되는 입사광의 강도를 L(i)2, 반사금속층(100)에서 반사되는 반사광의 강도를 L(r)2 라 할 경우, 입사광의 강도 L(i)1과 L(i)2는 동일하나, 반사광의 강도는 반사금속층(100)에서 반사되는 반사광의 강도 L(r)2가 실버 에폭시층(1')에서 반사되는 반사광의 강도 L(r)1보다 훨씬 크므로 본 발명에 의할 경우 종래에 비해 휘도가 크게 개선됨을 알 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 버티컬 타입 LED의 적층 구조를 도시한 단면도이다.
버티컬 타입 LED에서의 냉각 구조물은 도 3d의 래터럴 타입 LED의 냉각 구조물의 적층 구조에서 상부의 반사 금속층(100)이 생략된 부분 이외에는 동일하다. 이는 버티컬 타입 LED의 경우에는 기판(11)의 상부에 위치하는 P-메탈층이 반사도가 높은 금속으로 이루어지므로 별도의 반사 금속층(100)이 요구되지 않기 때문이다.
도 7은 일반적인 버티컬 타입 LED와 본 발명에 따른 냉각 구조물이 탑재된 버티컬 타입 LED의 열방출 효율 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 종래 버티컬 타입 LED는 활성층(4)에서 기판(1) 윗부분까지 방출되는 열량(Q1)보다 기판(1) 하부로 방출되는 열량(Q2)이 커 종래 래터럴 타입 LED 보다는 방열 특성이 우수하나, 본원발명에서 기판(11)을 통해 방출되는 열량(Q2-1)이 Q2보다 크므로 본원발명에 의할 경우 종래보다 방열 효과가 더 우수함을 알 수 있다.
도 7에서 T1, T1-1, T2, T3는 해당 위치에서의 온도를 나타내며, 본 발명에서의 기판의 온도(T1-1)가 종래 기술에서의 기판 온도(T1)보다 훨씬 낮고, 전열금속에 의해 흡열반응이 일어나는 기판(11)과 전열금속의 경계면의 온도(T2)가 다른 부분에 비해 현저하게 낮음을 알 수 있다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.
1 : 기판 2 : 버퍼층
3 : N형 반도체층 4 : 활성층
5 : P형 반도체층 6 : T-메탈층
7 : N-메탈층 8, 9 : 본딩층
10 : 히트싱크층 20 : 납땜 금속층
30, 70 : 열전금속층 40, 50 : 인슐레이터층
60, 80 : 전극금속층 90 : 납땜 금속층
100 : 반사 금속층

Claims (7)

  1. LED 칩의 냉각구조에 있어서,
    LED 칩 하부기판의 하부에 형성되는 제 1 전극금속층;
    상기 전극금속층의 하부 일측에 형성되는 제 1 형 열전금속층;
    상기 제 1 형 열전금속층과 이격 형성되는 제 2 형 열전금속층;
    상기 제 2 형 열전금속층 하부에 형성되는 제 2 전극금속층;
    상기 제 1 형 열전금속층과 제 2 형 열전금속층 간에 개재되는 인슐레이터층; 및
    상기 상기 제 1 열전금속층의 하부에 형성되는 히트싱크층을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 LED 칩 하부기판과 제 1 전극금속층 간에 형성되는 제 1 납땜금속층; 및
    상기 제 1 형 열전금속층과 히트싱크층 간에 형성되는 제 2 납땜금속층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조.

  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 LED 칩 하부기판과 제 1 납땜금속층 간에 반사금속층이 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반사금속층은
    상기 제 1 전극금속층의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 1 접착금속;
    상기 접착금속의 하부에 형성되고, Ag, Al, Cr, Pt, Pd, Rh, Ru 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 반사금속;
    상기 반사금속의 하부에 형성되고 Pt, Mo, W 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 배리어 금속; 및
    상기 배리어 금속의 하부에 형성되고 Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 1 캐핑 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 납땜금속층은
    상기 반사금속층의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 2 접착금속;
    상기 제 2 접착금속의 하부에 형성되고, AuSn, AgSn, In, Sn, PbSn 중 어느 하나로 이루어지는 제 1 납땜금속; 및
    상기 제 1 납땜금속의 하부에 형성되고 Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 2 캐핑 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 납땜금속층은
    상기 상기 제 1 형 열전금속층의 하부에 형성되고, Au, Pd 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 3 캐핑 금속;
    상기 캐핑금속의 하부에 형성되고, AuSn, AgSn, In, Sn, PbSn 중 어느 하나로 이루어지는 제 2 납땜금속; 및
    상기 제 2 납땜금속의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 3 접착금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전극금속층은
    제 1 전극금속;
    상기 전극금속의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 4 접착금속;
    상기 접착금속의 하부에 형성되고, Au, Al, Cu, Mo, Pd, W 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 지지금속;
    상기 지지금속의 하부에 형성되고, Ti, Cr, Ni, Co 및 이들의 화합물 중 어느 하나로 이루어지는 제 5 접착금속; 및
    상기 제 5 접착금속의 하부에 형성되는 제 2 전극금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 칩의 냉각구조.
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