KR20110126593A - Condensible gas cooling system - Google Patents

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KR20110126593A
KR20110126593A KR1020117016364A KR20117016364A KR20110126593A KR 20110126593 A KR20110126593 A KR 20110126593A KR 1020117016364 A KR1020117016364 A KR 1020117016364A KR 20117016364 A KR20117016364 A KR 20117016364A KR 20110126593 A KR20110126593 A KR 20110126593A
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KR
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gas
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KR1020117016364A
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스티븐 알. 왈더
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베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
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Abstract

작업물 냉각 시스템 및 방법이 개시되어 있다. 이온 주입 도중에 반도체 웨이퍼와 같은 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하는 것이 필수적이다. 전형적으로 이 열은 작업물 지지체 또는 플래튼으로 전달된다. 하나의 실시예에서는, 희망하는 동작 온도가 결정된다. 이것에 기초하여, 10-50 torr와 같이 희망하는 범위 내의 증기 압력을 갖는 기체가 선택된다. 이 범위는 조임력(clamping force)보다 작도록 하기 위하여 충분히 낮을 것이 요구된다. 이 응축가능한 기체는 작업물 및 작업물 지지체 사이의 공간을 채우기 위해 이용된다. 흡착 및 탈착에 기초하여 열 전달이 발생하고, 이에 따라, 헬륨, 수소, 질소, 아르곤 및 공기와 같이 전통적으로 사용되는 기체들보다 향상된 전달 속성들을 제공한다.Workpiece cooling systems and methods are disclosed. It is essential to transfer heat to be removed from the workpiece such as the semiconductor wafer during ion implantation. Typically this heat is transferred to the workpiece support or platen. In one embodiment, the desired operating temperature is determined. Based on this, a gas having a vapor pressure in the desired range, such as 10-50 torr, is selected. This range is required to be low enough to be less than the clamping force. This condensable gas is used to fill the space between the workpiece and the workpiece support. Heat transfer occurs based on adsorption and desorption, thereby providing improved transfer properties over traditionally used gases such as helium, hydrogen, nitrogen, argon and air.

Figure P1020117016364
Figure P1020117016364

Description

응축가능한 기체 냉각 시스템{CONDENSIBLE GAS COOLING SYSTEM}Condensable Gas Cooling System {CONDENSIBLE GAS COOLING SYSTEM}

이온 주입기들은 반도체 웨이퍼들의 생산 시에 주로 이용된다. 이온 소스는 이온 빔을 생성하기 위해 이용되고, 그 다음으로, 이온 빔은 웨이퍼를 향해 보내진다. 이온들이 웨이퍼를 타격할 때, 이온들은 웨이퍼의 특정 영역을 도핑한다. 도핑된 영역들의 구성은 그 기능을 정의하고, 전도성 상호접속들의 이용을 통해, 이 웨이퍼들은 복잡한 회로들로 변형될 수 있다.Ion implanters are mainly used in the production of semiconductor wafers. The ion source is used to produce an ion beam, which is then directed towards the wafer. When ions strike the wafer, they dop a particular area of the wafer. The configuration of the doped regions defines its function, and through the use of conductive interconnects, these wafers can be transformed into complex circuits.

대표적인 이온 주입기(100)의 블럭도가 도 1에 도시되어 있다. 이온 소스(ion source)(110)는 희망하는 종(species)의 이온들을 발생시킨다. 일부 실시예들에서, 이 종은 높은 주입 에너지들에 대해 가장 적합할 수 있는 원자 이온들이다. 다른 실시예들에서는, 이종이 낮은 주입 에너지들에 대해 더욱 적합할 수 있는 분자 이온들이다. 이 이온들은 빔으로 형성되고, 그 다음으로 이 빔은 소스 필터(source filter)(120)를 통과한다. 바람직하게는, 소스 필터는 이온 소스 근처에 위치된다. 빔 내의 이온들은 희망하는 에너지 레벨로 컬럼(column)(130)에서 가속/감속된다. 개구(aperture)(145)를 갖는 질량 분석기 자석(mass analyzer magnet)(140)은 이온 빔으로부터 원하지 않는 성분들을 제거하기 위해 이용되어, 희망하는 에너지 및 질량 특성을 갖는 이온 빔(150)이 분해 개구(145)를 통과하게 된다.A block diagram of a representative ion implanter 100 is shown in FIG. 1. Ion source 110 generates ions of the desired species. In some embodiments, this species is atomic ions that may be most suitable for high implantation energies. In other embodiments, heterogeneous are molecular ions that may be more suitable for low implantation energies. These ions are formed into a beam, which then passes through a source filter 120. Preferably, the source filter is located near the ion source. Ions in the beam are accelerated / decelerated in column 130 to the desired energy level. A mass analyzer magnet 140 with an aperture 145 is used to remove unwanted components from the ion beam such that the ion beam 150 with the desired energy and mass characteristics is decomposed. Pass 145.

어떤 실시예들에서, 이온 빔(150)은 스폿 빔(spot beam)이다. 이 방식에서, 이온 빔은 스캐너(scanner)(160)를 통과하고, 스캐너(160)는 정전 스캐너 또는 자기 스캐너 중 어느 하나일 수 있고, 스캔된 빔(scanned beam)(155-157)을 생성하기 위하여 이온 빔(150)을 편향시킨다. 어떤 실시예들에서는, 스캐너(160)는 스캔 발생기와 연통 상태에 있는 분리된 스캔 판(scan plate)들을 포함한다. 스캔 발생기는 진폭 및 주파수 성분들을 갖는 사인(sine), 톱니(sawtooth) 또는 삼각(triangle) 파형과 같은 스캔 전압 파형을 생성하고, 이 스캔 전압 파형은 스캔 판들에 인가된다. 바람직한 실시예에서, 스캐닝 파형(scanning waveform)은 스캔된 빔을 거의 동일한 양의 시간 동안 모든 위치에 남겨두기 위하여, 전형적으로 삼각파(일정한 기울기)와 매우 근접하다. 삼각형으로부터의 편차(deviation)들은 빔을 균일하게 만들기 위해 이용된다. 결과적인 전기장은 이온 빔이 도 1에 도시된 바와 같이 발산하도록 한다.In some embodiments, ion beam 150 is a spot beam. In this manner, the ion beam passes through scanner 160, which may be either an electrostatic scanner or a magnetic scanner, to generate scanned beams 155-157. The ion beam 150 is deflected for this purpose. In some embodiments, scanner 160 includes separate scan plates in communication with the scan generator. The scan generator generates a scan voltage waveform, such as a sine, sawtooth, or triangular waveform with amplitude and frequency components, which is applied to the scan plates. In a preferred embodiment, the scanning waveform is typically very close to a triangular wave (constant slope) in order to leave the scanned beam in all positions for about the same amount of time. Deviations from the triangle are used to make the beam uniform. The resulting electric field causes the ion beam to diverge as shown in FIG. 1.

대안적인 실시예에서, 이온 빔(150)은 리본 빔(ribbon beam)이다. 이러한 실시예에서는, 스캐너에 대한 필요성이 없으므로, 리본 빔은 이미 적절하게 성형되어 있다.In an alternative embodiment, the ion beam 150 is a ribbon beam. In this embodiment, there is no need for a scanner, so the ribbon beam is already shaped appropriately.

각도 보정기(angle corrector)(170)는 발산하는 이온 빔렛(ion beamlet)들(155-157)을 실질적으로 평행한 궤도들을 갖는 빔렛들의 집합(set)으로 편향시키도록 구비되어 있다. 바람직하게는, 각도 보정기(170)는 자석 코일(magnet coil)과, 이온 빔렛들이 통과하는 간극(gap)을 형성하기 위해 서로 떨어져 있는 자극 편(magnetic pole piece)들을 포함한다. 코일은 간극 내에 자기장을 생성하도록 급전되고, 이 자기장은 인가된 자기장의 강도 및 방향에 따라 이온 빔렛들을 편향시킨다. 자기장은 자석 코일을 통과하는 전류를 변동시킴으로써 조절된다. 대안적으로, 평행화 렌즈(parallelizing lens)들과 같은 다른 구조들이 이 기능을 수행하기 위해 사용될 수도 있다.An angle corrector 170 is provided to deflect diverging ion beamlets 155-157 into a set of beamlets having substantially parallel trajectories. Preferably, angle corrector 170 includes a magnet coil and magnetic pole pieces that are spaced apart from each other to form a gap through which ion beamlets pass. The coil is fed to create a magnetic field in the gap, which magnetic field deflects the ion beamlets according to the strength and direction of the applied magnetic field. The magnetic field is controlled by varying the current through the magnet coil. Alternatively, other structures, such as parallelizing lenses, may be used to perform this function.

각도 보정기(170) 이후에는, 스캔된 빔이 작업물(175)을 향해 겨냥된다. 작업물은 작업물 지지체에 부착된다. 작업물 지지체는 다양한 이동도(degree of movement)들을 제공한다.After the angle corrector 170, the scanned beam is aimed towards the workpiece 175. The workpiece is attached to the workpiece support. The workpiece support provides various degrees of movement.

작업물 지지체는 웨이퍼를 제 위치에 유지하고, 이온 빔에 의해 적절하게 주입되도록 웨이퍼의 방위를 정하기 위해 이용된다. 웨이퍼에 제 위치에 효과적으로 유지하기 위하여, 대부분의 작업물 지지체들은 플래튼(platen)으로 알려진, 작업물이 그 위에 안착되는 원형 표면을 전형적으로 이용한다. 종종, 플래튼은 작업물을 제 위치에 유지하기 위하여 정전기력(electrostatic force)을 이용한다. 정전 척(electrostatic chuck)으로도 알려져 있는 플래튼 위에서 강한 정전기력을 생성함으로써, 작업물 또는 웨이퍼는 임의의 기계적인 체결 장치들 없이 제 위치에 유지될 수 있다. 이것은 오염을 최소화하고, 웨이퍼가 주입된 이후에는 체결 해제될 필요가 없으므로 사이클 시간(cycle time)도 향상시킨다. 이 척들은 전형적으로 웨이퍼를 제 위치에 유지하기 위하여 두 유형의 힘, 즉, 쿨롱의 힘(coulombic force) 또는 존슨-라벡의 힘(Johnson-Rahbeck force) 중의 하나를 전형적으로 이용한다.The workpiece support is used to hold the wafer in place and to orient the wafer so that it is properly implanted by the ion beam. In order to effectively hold in place on the wafer, most workpiece supports typically use a circular surface on which a workpiece rests, known as a platen. Often, the platen uses electrostatic forces to hold the workpiece in place. By generating strong electrostatic forces on the platen, also known as an electrostatic chuck, the workpiece or wafer can be held in place without any mechanical fastening devices. This minimizes contamination and also improves cycle time since it does not have to be decoupled after the wafer has been implanted. These chucks typically use one of two types of force, coulombic force or Johnson-Rahbeck force, to hold the wafer in place.

작업물 지지체는 하나 이상의 방향들에서 작업물을 이동할 수 있다. 예를 들어, 이온 주입 시에, 이온 빔은 전형적으로 그 높이보다 훨씬 큰 폭을 갖는 스캔된 빔 또는 리본 빔이다. 빔의 폭이 x 축으로 정의되고, 빔의 높이가 y 축으로 정의되고, 빔의 이동 경로가 z 축으로 정의된다고 가정한다. 빔의 폭은 전형적으로 작업물보다 폭이 더 넓어서, 작업물은 x 방향으로 이동될 필요가 없다. 그러나, 전체 작업물을 빔에 노출시키기 위하여 작업물을 y 축을 따라 이동하는 것이 보편적이다.The workpiece support can move the workpiece in one or more directions. For example, in ion implantation, the ion beam is typically a scanned beam or ribbon beam having a width much greater than its height. Assume that the width of the beam is defined by the x axis, the height of the beam is defined by the y axis, and the path of travel of the beam is defined by the z axis. The width of the beam is typically wider than the workpiece so that the workpiece does not need to be moved in the x direction. However, it is common to move the workpiece along the y axis to expose the entire workpiece to the beam.

작업물 지지체의 또 다른 중요한 기능은 작업물을 위한 히트 싱크(heat sink)를 제공하는 것이다. 예를 들어, 이온 주입 도중에, 열 형태의 상당한 양의 에너지가 작업물에 전달된다. 조절되지 않은 상태로 남아 있는 이 열은 주입 중인 작업물의 속성들에 영향을 줄 수 있다. 그러므로, 이 열은 바람직하게는 작업물로부터 작업물 지지체로 전달된다. 그 다음으로, 작업물 지지체는 열을 방산(dissipate)시킨다. 어떤 실시예들에서는, 유체가 작업물 지지체 내의 도관(conduit)들을 통과하게 되고, 이것은 열이 유체로 전달되고 작업물 지지체로부터 제거되도록 한다. 작업물 지지체를 냉각하는 다른 방법들도 당업계에 잘 알려져 있다.Another important function of the workpiece support is to provide a heat sink for the workpiece. For example, during ion implantation, a significant amount of energy in the form of heat is transferred to the workpiece. This heat, which remains uncontrolled, can affect the properties of the workpiece being injected. Therefore, this heat is preferably transferred from the workpiece to the workpiece support. The workpiece support then dissipates heat. In some embodiments, fluid is passed through conduits in the workpiece support, which allows heat to be transferred to and removed from the workpiece support. Other methods of cooling the workpiece support are also well known in the art.

어떤 실시예들에서는, 열이 간단히 두 구성요소들 사이의 물리적 접촉을 통해 작업물로부터 작업물 지지체로 전달된다. 그러나, 테스트들을 통해, 작업물 및 지지체가 물리적 접촉 상태인 것으로 보이더라도, 현미경 레벨에서는, 인접한 표면들의 결함(imperfection)들 및 거칠기(roughness)로 인해 2개의 구성요소들 사이에는 비교적 실제적인 접촉이 거의 없다.In some embodiments, heat is transferred from the workpiece to the workpiece support simply via physical contact between the two components. However, through tests, even if the workpiece and the support appear to be in physical contact, at the microscope level, relatively realistic contact between the two components is due to imperfections and roughness of adjacent surfaces. Few.

위에서 설명된 이온 주입 시스템은 바람직하게는 진공에 근접한 조건들인 환경에서 실장된다. 실제로, 이 환경 내의 압력은 전형적으로 10-5 Torr 미만이다. 주변 환경은 거의 절대 진공이므로, 열이 통과될 수 있는 다른 매체들은 존재하지 않는다. 결과적으로, 열 전달은 희망하는 것보다 훨씬 덜 효율적이다.The ion implantation system described above is preferably mounted in an environment that is close to vacuum. In practice, the pressure in this environment is typically less than 10 -5 Torr. Since the environment is almost absolute vacuum, there are no other media through which heat can pass. As a result, heat transfer is much less efficient than desired.

작업물로부터 지지체로의 열의 전달을 향상시키기 위한 하나의 기술은 "후면 기체(back side gas)"의 이용이다. 도 2는 이 기술의 단순화된 예시를 도시한다. 간단히 말해서, 작업물(200)은 기계적 수단 또는 정전 수단을 이용하여 지지체에 조여진다. 그 다음으로, 작업물 지지체(210) 내의 도관들(220)은 웨이퍼/플래튼 계면이라고도 알려져 있는, 작업물(200) 및 지지체(210) 사이의 공간으로 기체(250)를 전달한다.One technique for improving the transfer of heat from the workpiece to the support is the use of "back side gas". 2 shows a simplified illustration of this technique. In short, the workpiece 200 is fastened to the support using mechanical or electrostatic means. The conduits 220 in the workpiece support 210 then transfer gas 250 into the space between the workpiece 200 and the support 210, also known as the wafer / platen interface.

이 열 전달 메커니즘을 도시하는 간단한 도면이 도 3에 제시되어 있다. 기체 분자가 작업물(200)과 충돌하여 작업물(200)로부터 열을 흡수할 경우에 열 전달이 발생한다. 이 기체 분자는 이후에 작업물 지지체(210)와 충돌하여, 전달된 열을 지지체에 제공한다. 작업물 지지체는 히트 싱크(heat sink)로서 작동하고, 수용가능한 온도를 유지한다. 일부 실시예들에서, 유체를 내부 냉각 도관들(230)을 통해 통과시킴으로써 작업물 지지체가 냉각된다. 후면 기체의 유동(flow)은 질량 유동 제어기(mass flow controller)(250)에 의해 제어될 수 있다.A simple diagram illustrating this heat transfer mechanism is shown in FIG. 3. Heat transfer occurs when gas molecules collide with the workpiece 200 to absorb heat from the workpiece 200. These gas molecules then collide with the workpiece support 210 to provide the transferred heat to the support. The workpiece support acts as a heat sink and maintains an acceptable temperature. In some embodiments, the workpiece support is cooled by passing fluid through internal cooling conduits 230. The flow of backside gas can be controlled by a mass flow controller 250.

열을 전달하는 것은 이 기체 분자들이므로, 압력의 증가 등과 같은 것에 의한 분자들의 수의 증가는 향상된 열 전달을 유발한다. 그러나, 후면 기체의 압력은 상한(upper limit)을 가지며, 후면 기체의 압력이 증가할수록, 조임력(clamping force)들을 해소하기 시작하며, 이에 따라, 작업물을 지지체로부터 멀어지도록 밀어낸다. 이것은 2개의 표면들 사이의 실제적인 물리적 접촉을 감소시키고, 열 전달을 상당히 낮춘다. 이러한 감소는 이온 주입 환경에서 50 Torr 미만과 같은 매우 낮은 압력에서 발생한다. 과도한 압력은 작업물에 대한 손상을 초래할 수도 있다. 또한, 분자들의 수에 있어서의 큰 증가는 분자들 사이의 충돌들을 증가시키도록 작용하고, 이에 따라, 고체들 사이에서 전달되는 열을 감소시킨다.Since it is these gas molecules that transfer heat, an increase in the number of molecules, such as by an increase in pressure, leads to improved heat transfer. However, the pressure of the backside gas has an upper limit, and as the pressure of the backside gas increases, it begins to relieve the clamping forces, thus pushing the workpiece away from the support. This reduces the actual physical contact between the two surfaces and significantly lowers the heat transfer. This reduction occurs at very low pressures, such as less than 50 Torr in an ion implantation environment. Excessive pressure may cause damage to the workpiece. In addition, a large increase in the number of molecules acts to increase the collisions between the molecules, thus reducing the heat transferred between the solids.

위에서 설명된 바와 같이, 기체 분자들이 작업물로부터 열을 받아들이고 그 열을 작업물 지지체로 전달할 때, 후면 기체는 열 전달을 보조한다. 잘 알려진 바와 같이, 기체-고체 계면들에서는, 이 열 전달이 발생하는 효율이 존재하고, 이것은 기체 분자의 유형 및 고체의 유형에 모두 종속적이다. 이 효율은 0(열 전달 없음) 및 1(완전한 열 전달) 사이의 값을 가지는 수용 계수(accommodation coefficient)에 의해 설명된다. 수용 계수(

Figure pct00001
)는 전형적으로 다음과 같이 정의될 수 있다.As described above, the backside gas assists heat transfer when gas molecules accept heat from the workpiece and transfer the heat to the workpiece support. As is well known, at gas-solid interfaces, there is an efficiency at which this heat transfer occurs, which is dependent on both the type of gas molecules and the type of solids. This efficiency is explained by an accommodation coefficient having a value between 0 (no heat transfer) and 1 (complete heat transfer). Acceptance factor (
Figure pct00001
) Can typically be defined as:

Figure pct00002
Figure pct00002

여기서, Tr은 반사된 분자들(즉, 고체 표면을 반사한 후의 기체 분자들)의 온도이고,Where T r is the temperature of the reflected molecules (ie gas molecules after reflecting off the solid surface),

Ti는 입사 분자들(즉, 고체 표면을 타격하기 전의 기체 분자들)의 온도이고,T i is the temperature of the incident molecules (ie gas molecules before hitting the solid surface),

Ts는 고체 표면의 온도이다.T s is the temperature of the solid surface.

헬륨(helium) 및 수소(hydrogen)와 같은 더 가벼운 기체들은 질소(nitrogen), 아르곤(argon) 및 공기(air)와 같은 더 무거운 기체들보다 더 낮은 수용 계수들을 전형적으로 가진다. 또한, 일부 고체들은 다른 것들보다 더욱 양호한 열 전달을 제공하므로, 고체 표면은 수용 계수에 기여한다. 도 3을 참조하여, 기체 분자 및 작업물(200) 사이의 수용 계수가

Figure pct00003
이라고 하고, 기체 및 작업물 지지체(210) 사이의 수용 계수가
Figure pct00004
라고 가정한다. 분자들이 작업물과 충돌할 때, 이 분자들은 수용 계수
Figure pct00005
에 비례하여 작업물로부터 열을 흡수한다. 이 분자들은 나중에 지지체(210)와 충돌하고, 수용 계수
Figure pct00006
에 비례하여 그 열을 제공한다. 따라서, 작업물 및 작업물 지지체 사이의 실제적인 열 전달은
Figure pct00007
*
Figure pct00008
에 비례한다. 예를 들어, 특정 기체에 의한 하나의 표면에서의 수용 계수가 0.9이고, 그 기체에 의한 다른 표면에서의 계수가 0.7이면, 두 표면들 사이의 열 전달은 불과 63%의 효율이다. 더욱 무거운 기체들은 이 계수들을 증가시킬 수 있지만, 더 가벼운 기체 분자들은 더욱 신속하게 이동하므로, 이에 따라, 열을 더욱 급속하게 전달할 수 있다. 이것은 수용 계수에 있어서의 상이함에도 불구하고, 더 무거운 종들에 있어서의 이용에 유리할 수 있다.Lighter gases such as helium and hydrogen typically have lower coefficients of acceptance than heavier gases such as nitrogen, argon and air. In addition, some solids provide better heat transfer than others, so the solid surface contributes to the coefficient of acceptance. Referring to FIG. 3, the acceptance coefficient between the gas molecules and the workpiece 200 is
Figure pct00003
And the acceptance coefficient between the gas and the workpiece support 210 is
Figure pct00004
Assume that When molecules collide with the workpiece, these molecules have an acceptance factor
Figure pct00005
Absorb heat from the workpiece in proportion to These molecules later collide with the support 210 and receive coefficient
Figure pct00006
Provide that column in proportion to. Thus, the actual heat transfer between the workpiece and the workpiece support
Figure pct00007
*
Figure pct00008
Proportional to For example, if the acceptance coefficient on one surface by a particular gas is 0.9 and the coefficient on the other surface by that gas is 0.7, the heat transfer between the two surfaces is only 63% efficient. Heavier gases can increase these coefficients, but lighter gas molecules move more quickly, thus transferring heat more rapidly. This may be advantageous for use in heavier species, despite differences in acceptance factors.

여러 환경들에서는, 작업물을 소정의 온도 범위 이내로 유지하는 것이 중요하다. 따라서, 작업물로부터 작업물 지지체로의 효율적인 열 전달이 필수적이다. 그러므로, 작업물들, 특히 이온 주입 시스템에서의 반도체 웨이퍼들의 냉각을 향상시키는 시스템 및 방법을 개발하는 것이 유익할 것이다.In many circumstances, it is important to keep the workpiece within a predetermined temperature range. Therefore, efficient heat transfer from the workpiece to the workpiece support is essential. Therefore, it would be beneficial to develop a system and method for improving the cooling of workpieces, particularly semiconductor wafers in an ion implantation system.

종래 기술의 문제점들은 본 개시 내용에서 설명된 작업물 냉각 시스템 및 방법에 의해 해소된다. 전형적으로, 이 열은 작업물 지지체 또는 플래튼으로 전달된다. 하나의 실시예에서는, 희망하는 동작 온도가 결정된다. 이것에 기초하여, 10-50 torr과 같이, 희망하는 범위 내의 증기 압력(vapor pressure)을 갖는 기체가 선택된다. 이 범위는 조임력보다 작도록 하기 위하여 충분히 낮은 것이 요구된다. 이 응축가능한 기체는 작업물 및 작업물 지지체 사이의 공간을 채우기 위해 이용된다. 열 전달은 흡착(adsorption) 및 탈착(desorption)에 기초하여 발생하고, 이에 따라, 헬륨, 수소, 질소, 아르곤 및 공기와 같은 전통적으로 사용되는 기체들보다 향상된 전달 속성들을 제공한다.The problems of the prior art are solved by the workpiece cooling system and method described in the present disclosure. Typically, this heat is transferred to the workpiece support or platen. In one embodiment, the desired operating temperature is determined. Based on this, a gas having a vapor pressure in the desired range, such as 10-50 torr, is selected. This range is required to be low enough to be less than the tightening force. This condensable gas is used to fill the space between the workpiece and the workpiece support. Heat transfer occurs on the basis of adsorption and desorption and thus provides improved transfer properties over traditionally used gases such as helium, hydrogen, nitrogen, argon and air.

도 1은 전통적인 이온 주입기를 나타낸다.
도 2는 하나의 실시예에 따라 작업물 및 지지체의 단면을 나타낸다.
도 3은 종래 기술의 열 전달 메커니즘들을 도시하는 단순화된 예시를 나타낸다.
도 4는 본 개시 내용에서 설명된 열 전달 메커니즘을 도시하는 단순화된 예시를 나타낸다.
도 5는 하나의 실시예에 따라 이용되는 처리 단계들을 예시하는 순서도를 나타낸다.1 shows a traditional ion implanter.
2 shows a cross-section of a workpiece and a support according to one embodiment.
3 shows a simplified illustration showing prior art heat transfer mechanisms.
4 shows a simplified illustration showing the heat transfer mechanism described in the present disclosure.
5 shows a flowchart illustrating the processing steps used in accordance with one embodiment.

위에서 설명된 바와 같이, 이온 주입 처리 시의 반도체 웨이퍼와 같은 작업물의 온도를 유지하는 것은 필수적이다. 작업물의 온도를 유지하기 위한 현재의 기술들은 작업물로부터, 작업물과 물리적으로 접촉하는, 플래튼과 같은 작업물 지지체로의 열의 전달에 의존한다. 일부 실시예들은 작업물 및 지지체 사이의 공간에서 "후면 기체"를 전달함으로써 이 열 전달 메커니즘을 확대시킨다. 이 기체 분자들은 열(또는 그 일부)을 작업물로부터 지지체로 전달하도록 작동한다. 그러나, 위에서 설명된 바와 같이, 이 열 전달 메커니즘은 희망하는 바와 같이 효율적이지 않다.As described above, it is essential to maintain the temperature of a workpiece, such as a semiconductor wafer, in the ion implantation process. Current techniques for maintaining the temperature of the workpiece rely on the transfer of heat from the workpiece to the workpiece support, such as a platen, in physical contact with the workpiece. Some embodiments extend this heat transfer mechanism by delivering "back gas" in the space between the workpiece and the support. These gas molecules act to transfer heat (or portions thereof) from the workpiece to the support. However, as explained above, this heat transfer mechanism is not as efficient as desired.

도 2로 돌아가면, 부착된 작업물(200)을 갖는 작업물 지지체(210)의 단면이 도시되어 있다. 작업물 지지체는 2개의 유형의 도관들을 가질 수 있다. 도관(220)은 작업물 및 지지체 사이의 공간에서, 기체(250)를 작업물의 후면으로 보낸다. 기체(250)는 바람직하게는 탱크(tank)와 같은 중앙 저장소(reservoir)에서 저장되고, 도관(220)을 통한 그 유동을 조절하기 위하여 질량 유동 제어기 또는 압력 조절기(240)를 통과할 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 기체(25)가 상기 공간에 진입하기 위한 차단되지 않은 경로를 허용하기 위하여, 지지체(210)의 상부 표면에 작은 트렌치(trench)(260)가 구비된다. MFC 또는 압력 조절기(240)는 희망하는 기체 압력을 달성하기 위하여 기체의 유동을 제어한다. 위에서 언급된 바와 같이, 과도한 압력은 작업물을 지지체로부터 멀어지도록 들어올리도록 작동하거나, 작업물을 손상시킬 수 있으므로, 상기 압력은 바람직하게는 신중하게 제어된다.Returning to FIG. 2, a cross section of a workpiece support 210 with an attached workpiece 200 is shown. The workpiece support may have two types of conduits. Conduit 220 directs gas 250 to the back of the workpiece in the space between the workpiece and the support. Gas 250 is preferably stored in a central reservoir, such as a tank, and may pass through a mass flow controller or pressure regulator 240 to regulate its flow through conduit 220. In some embodiments, a small trench 260 is provided on the top surface of the support 210 to allow an unblocked path for gas 25 to enter the space. The MFC or pressure regulator 240 controls the flow of gas to achieve the desired gas pressure. As mentioned above, the pressure is preferably carefully controlled, as excessive pressure may act to lift the workpiece away from the support or damage the workpiece.

일부 실시예들에서는, 작업물 지지체를 냉각하기 위하여 이용되는 유체를 순환시키기 위하여 제 2 도관(230)이 이용된다. 예를 들어, 물, 공기 또는 적당한 냉각제(coolant)는 플래튼으로부터 제거되도록 열을 전도시키기 위하여 작업물의 내부 도관(230)을 통해 순환될 수 있다.In some embodiments, second conduit 230 is used to circulate the fluid used to cool the workpiece support. For example, water, air or a suitable coolant may be circulated through the inner conduit 230 of the workpiece to conduct heat to be removed from the platen.

각각의 이온 주입 처리는 바람직한 동작 온도 범위를 가진다. 예를 들어, 0℃ 내지 50℃의 온도 범위 내에서 그리고 더욱 통상적으로는 실온(15-30℃)에서 다수의 이온 주입들이 수행된다. 다른 것들은 -50℃ 미만과 같이, 극저온의 온도에서 수행된다. 다른 주입들은 100℃보다 큰 온도와 같은 상승된 온도들에서 수행된다. 일단 희망하는 동작 범위가 결정되면, 적절한 기체가 선택된다. 상기 기체는 희망하는 동작 온도에서 충분히 낮은 증기 압력을 가지는 기체이어야 한다. 예를 들어, 실온에서는, 물이 약 20 Torr의 증기 압력을 가진다. -100℃에서의 극저온 주입에 대해서는, 프로판(propane)이 유사한 증기 압력을 가진다. 암모니아(ammonia)(NH3)는 저온 주입들에 대해서도 적당할 것이다. -80℃에서의 그 증기 압력은 대략 30 Torr이다. 더 높은 온도의 주입들에 대하여, 그 증기 압력이 200℃에서 대략 40 Torr이므로, 글리세린(glycerine)과 같은 물질들이 이용될 수 있다.Each ion implantation treatment has a preferred operating temperature range. For example, multiple ion implantations are performed within a temperature range of 0 ° C. to 50 ° C. and more typically at room temperature (15-30 ° C.). Others are carried out at cryogenic temperatures, such as below -50 ° C. Other injections are performed at elevated temperatures, such as temperatures greater than 100 ° C. Once the desired operating range is determined, the appropriate gas is selected. The gas should be a gas having a sufficiently low vapor pressure at the desired operating temperature. For example, at room temperature, the water has a vapor pressure of about 20 Torr. For cryogenic injection at −100 ° C., propane has a similar vapor pressure. Ammonia (NH 3 ) will also be suitable for cold injections. Its vapor pressure at -80 ° C is approximately 30 Torr. For higher temperature injections, since its vapor pressure is approximately 40 Torr at 200 ° C., materials such as glycerine can be used.

위에서 설명된 바와 같이, 작동 영역 내의 기체의 증기 압력은 작업물 위에 가해지는 조임력보다 작아야 하므로, 작업물은 손상되지 않은 상태로 그리고 작업물 지지체와 접촉된 상태로 유지된다. 바꾸어 말하면, 작업물의 면적이 곱해진, 기체에 의해 가해진 압력은 작업물 지지체로부터 멀어지는 방향에서 작업물 위에 가해지는 힘을 결정한다. 반대로, 이 힘은 조임력(clamping force)이다. 작업물이 지지체와 접촉된 상태로 유지되도록 하기 위하여, 조임력은 작업물의 면적과 곱해진 기체 압력보다 더 커야 한다. 작업물의 면적은 고정되어 있으므로, 기체 압력은 이 조건이 충족되는 것을 보증하도록 제어되어야 한다.As described above, the vapor pressure of the gas in the operating region must be less than the tightening force exerted on the workpiece, so that the workpiece remains intact and in contact with the workpiece support. In other words, the pressure exerted by the gas, multiplied by the area of the workpiece, determines the force exerted on the workpiece in the direction away from the workpiece support. In contrast, this force is a clamping force. In order to keep the workpiece in contact with the support, the tightening force must be greater than the gas pressure multiplied by the area of the workpiece. Since the area of the workpiece is fixed, the gas pressure must be controlled to ensure that this condition is met.

다수의 실시예들에서는, 다른 범위들이 가능하고 개시 내용의 범위 내에 있지만, 희망하는 증기 압력은 1 및 50 Torr 사이이다. 선택된 기체는 도관(220)을 통해 전달된다. 예를 들어, 위에서 언급된 바와 같이, 실온에서는 물이 10 및 20 Torr 사이의 증기 압력을 가진다. 실온에서 발생하는 이온 주입에 대하여, 수증기(water vapor)는 작업물 및 지지체 사이의 공간으로 전달된다. 이것은 도 2에 도시된 도관(220)을 이용하여 행해질 수 있다. 수증기는 MFC 또는 압력 조절기(240)를 이용하여 가압되어, 증기 상(vapor phase) 및 액체 상(liquid phase)이 평형(equilibrium) 상태로 된다. 이러한 상황이 발생하면, 수증기의 박막(thin film)(205)은 물(200)의 후방 표면 위에 흡착된다. 또한, 박막(215)은 작업물 지지체(210)의 상부 표면 위에 흡착된다. 각각의 표면 위에 기체 증기(gas vapor)의 막(film)을 생성함으로써 열 전달 메커니즘이 변경된다.In many embodiments, other ranges are possible and within the scope of the disclosure, but the desired vapor pressure is between 1 and 50 Torr. The selected gas is delivered through conduit 220. For example, as mentioned above, at room temperature the water has a vapor pressure between 10 and 20 Torr. For ion implantation that occurs at room temperature, water vapor is transferred to the space between the workpiece and the support. This can be done using the conduit 220 shown in FIG. 2. Water vapor is pressurized using MFC or pressure regulator 240 to bring the vapor and liquid phases into equilibrium. When this happens, a thin film 205 of water vapor is adsorbed onto the back surface of the water 200. Thin film 215 is also adsorbed onto the top surface of workpiece support 210. The heat transfer mechanism is altered by creating a film of gas vapor on each surface.

도 4는 열 전달 메커니즘의 단순화된 표시를 도시한다. 이 방식에서, 기체 증기 분자들은 작업물의 표면 위의 막(205)으로 흡착된다. 이미 상승된 온도에 있는 상이한 수증기 분자가 치환되고, 막(205)으로부터 탈착된다. 그 다음으로, 이 치환된 분자는 지지체(210)의 상부 표면 위의 막(215)으로 흡착된다. 또한, 그 다음으로 상이한 분자가 치환되고, 이 분자는 지지체의 감소된 온도 상태에 있다. 탈착되는 분자는 고체의 온도 또는 거의 고체의 온도이므로, (즉, Tr은 대략 Ts와 동일함), 거의 1의 수용 계수가 실현될 수 있다.4 shows a simplified representation of the heat transfer mechanism. In this way, gaseous vapor molecules are adsorbed onto the membrane 205 on the surface of the workpiece. Different water vapor molecules already at elevated temperatures are replaced and desorbed from the membrane 205. This substituted molecule is then adsorbed onto the membrane 215 on the upper surface of the support 210. Also, different molecules are then substituted, which molecules are in a reduced temperature state of the support. Since the molecules to be desorbed are at or near the temperature of the solid (ie, T r is approximately equal to T s ), an acceptance factor of approximately 1 can be realized.

도 5는 이미 설명된 처리 단계들의 순서도를 나타낸다. 위에서 설명된 바와 같이, 먼저, 박스(400)에서 도시된 바와 같이, 희망하는 동작 온도가 결정된다. 그 다음으로, 박스(410)에서 도시된 바와 같이, 이 동작 온도에 기초하여 적당한 기체가 선택된다. 또한, 희망하는 온도에서의 기체의 증기 압력은 바람직하게는, 작업물을 손상시키지 않거나 조임력을 해소하기 위하여 충분히 낮다. 위에서 언급된 바와 같이, 필요하다면, MFC 또는 압력 조절기(240)는 작동 유체의 증기 압력보다 낮게 작동 압력을 감소시키기 위해 이용될 수 있다. 그 다음으로, 박스(420)에서 도시된 바와 같이, 선택된 기체는 작업물 및 지지체 사이의 공간으로 전달된다. 바람직하게는, 박스(430)에서 도시된 바와 같이, 기체가 이 공간에서 정상 상태(steady-state) 조건들에 도달하도록 하기 위하여 충분한 시간이 허용된다. 정상 상태 조건들은 기체 압력이 증기 압력과 동일할 경우에 충족된다. 이것은 기체가 작업물의 후면 및 지지체의 상부 표면 위에 흡착되도록 한다. 일단 정상 상태 조건들에 도달되면, 박스(440)에서 도시된 바와 같이, 이온 주입 처리가 시작될 수 있다.5 shows a flowchart of the processing steps already described. As described above, first, as shown in box 400, the desired operating temperature is determined. Next, as shown in box 410, a suitable gas is selected based on this operating temperature. In addition, the vapor pressure of the gas at the desired temperature is preferably low enough to not damage the workpiece or to relieve the tightening force. As mentioned above, if desired, MFC or pressure regulator 240 may be used to reduce the operating pressure below the vapor pressure of the working fluid. Next, as shown in box 420, the selected gas is delivered to the space between the workpiece and the support. Preferably, as shown in box 430, sufficient time is allowed for the gas to reach steady-state conditions in this space. Steady state conditions are met when the gas pressure is equal to the vapor pressure. This allows gas to be adsorbed onto the back of the workpiece and the top surface of the support. Once steady state conditions are reached, an ion implantation process can begin, as shown at box 440.

박스(430)에서 도시된 바와 같이, 이온 주입 처리를 시작하기 전에 증기가 정상 상태 조건들에 도달하도록 하는 것이 바람직하다. 이것은 다수의 방식으로 달성될 수 있다. 하나의 실시예에서는, 정상 상태 조건들에 도달되도록 하기 위하여 처리 사이클 시간이 느려진다. 바꾸어 말하면, 일단 새로운 작업물 또는 웨이퍼가 플래튼 위에 배치되면, 증기의 유동이 시작된다. 이온 주입 처리가 시작되기 전에 충분한 시간이 경과되었다. 이 시간은 증기 압력 및 흡착된 막이 정상 상태 값에 도달하도록 한다. 이 방법은 간단하지만, 평형에 도달되도록 요구되는 시간에 따라서는 스루풋(throughput)에 영향을 줄 수 있다.As shown in box 430, it is desirable to allow the steam to reach steady state conditions prior to starting the ion implantation process. This can be accomplished in a number of ways. In one embodiment, the processing cycle time is slowed to allow steady state conditions to be reached. In other words, once a new workpiece or wafer is placed on the platen, the flow of vapor begins. Sufficient time has elapsed before the ion implantation treatment is started. This time allows the vapor pressure and the adsorbed membrane to reach steady state values. This method is simple, but can affect throughput depending on the time required to reach equilibrium.

증기가 정상 상태 조건들에 도달하기 위해 요구되는 시간의 양을 감소시키기 위하여 다른 방법들이 이용될 수 있다. 예를 들어, 지지체의 온도를 감소시킴으로써, 작업물 지지체 위의 흡착된 증기 막이 웨이퍼 교환 도중에 유지될 수 있다. 더 차가운 온도는 막을 액화시키거나 아마도 냉동시킬 것이다. 대안적으로, 증기는 작업물 지지체의 일부인 다공성 매체(porous medium)를 통해 도입될 수 있다. 최종적으로, 작업물이 지지체 위에 배치되기 전에, 작업물을 선택된 기체, 액체 또는 재료로 코팅하는 것은 요구되는 시간을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 작업물은 작업물 지지체 위에 배치되기 전에 수증기에 노출될 수 있고, 그 다음으로, 지지체 위에 배치될 때까지 물을 보유하도록 냉각될 수 있다. 하나의 실시예에서는, 수증기를 동시에 적용하고 (방위설정 도중에) 웨이퍼를 냉각하기 위하여 웨이퍼 방위설정 스테이션(wafer orient station)이 이용된다. 이것이 완료된 후, 웨이퍼는 작업물 지지체 위에 배치될 것이고, 웨이퍼 및 지지체 온도가 동등하므로 정상 상태 증기 압력이 설정될 것이다.Other methods can be used to reduce the amount of time required for the steam to reach steady state conditions. For example, by reducing the temperature of the support, the adsorbed vapor film on the workpiece support can be maintained during wafer exchange. Colder temperatures will liquefy or possibly freeze the membrane. Alternatively, the vapor may be introduced through a porous medium that is part of the workpiece support. Finally, coating the workpiece with the selected gas, liquid or material may reduce the time required before the workpiece is placed on the support. For example, the workpiece may be exposed to water vapor before it is disposed on the workpiece support, and then cooled to retain water until it is disposed on the support. In one embodiment, a wafer orienting station is used to simultaneously apply water vapor and to cool the wafer (during the orientation). After this is completed, the wafer will be placed on the workpiece support and the steady state vapor pressure will be set because the wafer and support temperatures are equivalent.

개시 내용은 이온 주입을 설명하지만, 개시 내용은 이 실시예에 한정되지 않는다. 본 명세서에서 설명된 방법 및 시스템은 특히, 진공 환경에서 작업물 및 작업물 지지체를 사용하는 임의의 응용에서 이용될 수 있다.Although the disclosure describes ion implantation, the disclosure is not limited to this embodiment. The methods and systems described herein may be used in any application, in particular using the workpiece and workpiece support in a vacuum environment.

Claims (18)

작업물 지지체 위에 장착된 작업물이 처리되는 동안 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법으로서,
상기 처리를 위하여 동작 온도 범위를 결정하는 단계;
상기 동작 온도 범위에서 희망하는 범위 내의 증기 압력을 갖는 기체를 선택하는 단계;
상기 기체를 상기 작업물의 후면 및 상기 작업물 지지체의 상부 표면 사이의 공간으로 전달하는 단계; 및
상기 작업물을 처리하는 단계를 포함하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.A method for transferring heat from a workpiece while the workpiece mounted on the workpiece support is processed,
Determining an operating temperature range for the treatment;
Selecting a gas having a vapor pressure within a desired range in the operating temperature range;
Delivering the gas to a space between a back surface of the workpiece and an upper surface of the workpiece support; And
Processing the work piece; transferring heat from the work piece. 청구항 1에 있어서,
상기 작업물이 처리되기 전에, 상기 기체가 상기 공간에서 평형에 도달하는 것을 대기하는 단계를 더 포함하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
Waiting for the gas to reach equilibrium in the space before the workpiece is processed. 청구항 2에 있어서,
상기 작업물의 상기 후면 및 상기 작업물 지지체의 상기 상부 표면 위에는 액체의 막이 생성되는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 2,
And a film of liquid is produced on the back surface of the workpiece and the upper surface of the workpiece support. 청구항 1에 있어서,
상기 작업물 지지체 위에서 상기 작업물을 유지하기 위하여 힘이 가해지고, 상기 증기 압력의 상기 희망하는 범위는 상기 작업물을 유지하는 상기 힘보다 작은 반대의 힘을 생성하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
Force is applied to hold the workpiece on the workpiece support, and the desired range of vapor pressure produces an opposite force that is less than the force holding the workpiece. Way. 청구항 1에 있어서,
상기 기체는 상기 증기 압력과 동일한 압력에서 전달되는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
And the gas is delivered at the same pressure as the vapor pressure. 청구항 1에 있어서,
상기 처리된 작업물이 제거되기 전에 상기 지지체를 냉각하는 단계를 더 포함하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
Cooling the support before the treated workpiece is removed. 청구항 1에 있어서,
상기 동작 온도 범위는 0 및 50℃ 사이이고, 상기 선택된 기체는 수증기를 포함하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
The operating temperature range is between 0 and 50 ° C. and wherein the selected gas comprises water vapor. 청구항 7에 있어서,
상기 증기 압력은 10 및 50 torr 사이인, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 7,
Wherein the vapor pressure is between 10 and 50 torr. 청구항 1에 있어서,
상기 동작 온도 범위는 -50℃ 미만이고, 상기 선택된 기체는 암모니아를 포함하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
Wherein the operating temperature range is less than −50 ° C., and wherein the selected gas comprises ammonia. 청구항 1에 있어서,
상기 동작 온도 범위는 100℃ 보다 크고, 상기 선택된 기체는 글리세린(glycerin)을 포함하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
Wherein the operating temperature range is greater than 100 ° C. and wherein the selected gas comprises glycerin. 청구항 1에 있어서,
상기 처리는 이온 주입을 포함하는, 작업물로부터 열을 전달하기 위한 방법.The method according to claim 1,
Wherein the treatment comprises ion implantation. 작업물이 소정의 동작 온도 범위에서 처리되는 동안 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템으로서,
상기 작업물이 그 위에 배치되는 작업물 지지체로서, 상기 지지체의 상부 표면은 상기 작업물의 후면과 접촉하는, 상기 작업물 지지체;
상기 작업물 지지체 위에서 상기 작업물을 유지하기 위한 수단으로서, 상기 수단은 상기 작업물 위에 힘을 가하는, 상기 작업물을 유지하기 위한 수단;
상기 작업물의 후면 및 상기 작업물 지지체의 상기 상부 표면에 의해 형성되는 공간으로 기체를 제공하기 위한 도관; 및
상기 기체를 유지하기 위한 저장소로서, 상기 기체는 상기 동작 온도 범위에서 증기 압력을 가지고, 상기 증기 압력은 상기 작업물을 유지하기 위한 상기 수단에 의해 가해지는 상기 힘보다 낮은 반대의 힘을 상기 작업물 위에서 생성하는, 상기 저장소를 포함하는, 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템.A system for transferring heat such that a workpiece is removed from the workpiece while being processed at a predetermined operating temperature range,
A workpiece support on which the workpiece is disposed, the upper surface of the support being in contact with the backside of the workpiece;
Means for holding the workpiece on the workpiece support, the means for applying the force on the workpiece;
A conduit for providing gas to the space defined by the back surface of the workpiece and the upper surface of the workpiece support; And
A reservoir for holding the gas, the gas having a vapor pressure in the operating temperature range, the vapor pressure having an opposite force lower than the force exerted by the means for holding the workpiece A system for transferring heat to be removed from a workpiece, the reservoir comprising said reservoir. 청구항 12에 있어서,
상기 동작 온도 범위는 0 및 50℃ 사이이고, 상기 기체는 수증기를 포함하는, 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템.The method of claim 12,
The operating temperature range is between 0 and 50 ° C. and wherein the gas comprises water vapor. 청구항 12에 있어서,
상기 동작 온도 범위는 -50℃ 미만이고, 상기 기체는 암모니아를 포함하는, 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템.The method of claim 12,
The operating temperature range is less than −50 ° C., and the gas comprises ammonia to transfer heat to remove from the workpiece. 청구항 12에 있어서,
상기 동작 온도 범위는 100℃ 보다 크고, 상기 기체는 글리세린을 포함하는, 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템.The method of claim 12,
The operating temperature range is greater than 100 ° C. and wherein the gas comprises glycerin. 청구항 12에 있어서,
상기 도관은 상기 작업물 지지체 내에 위치되고, 상기 기체는 상기 공간에 도달하기 위하여 상기 작업물 지지체를 통과하는, 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템.The method of claim 12,
The conduit is located within the workpiece support, and the gas passes through the workpiece support to reach the space, the system for transferring heat to be removed from the workpiece. 청구항 12에 있어서,
상기 저장소 및 상기 공간 사이에 위치된 질량 유동 제어기 또는 압력 조절기를 더 포함하는, 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템.The method of claim 12,
And a mass flow controller or pressure regulator positioned between the reservoir and the space. 청구항 17에 있어서,
상기 질량 유동 제어기는 상기 증기 압력과 동일한 압력에서 상기 기체를 전달하는, 작업물로부터 제거되도록 열을 전달하기 위한 시스템.18. The method of claim 17,
And the mass flow controller delivers the gas at a pressure equal to the vapor pressure to remove heat from the workpiece.
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