KR20110123953A - Chemical mechanical polishing apparatus having multi-purpose drain pipe - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chemical mechanical polishing apparatus equipped with a multi-purpose drainpipe is provided to minimize a bad effect due to an external shock by extending a signal wire which is extended from a substrate thickness detection sensor to a slip ring. CONSTITUTION: A polishing table(10) in which a platen pad is mounted is rotatively installed. A base plate(60) is installed in the lower part of the polishing table in order to be supported by a frame. A drainpipe(15) is extended from the central part of the polishing table to the lower part. The drainpipe is installed in the polishing table in order to revolve with the polishing table. A substrate thickness detecting sensor senses the thickness of a substrate which is being polished. A drive motor(12) is fixed to the base plate. A power transmission element(13) transfers rotation driving power of the drive motor to the drainpipe.

Description

다용도 드레인 파이프를 구비한 화학 기계적 연마장치 {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS HAVING MULTI-PURPOSE DRAIN PIPE}Chemical mechanical polishing machine with versatile drain pipe {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS HAVING MULTI-PURPOSE DRAIN PIPE}

본 발명은 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 연마 정반 상의 슬러리와 연마 입자를 배출시키는 드레인 파이프를 연마 정반을 회전 구동하는 데 사용할 뿐만 아니라, 기판의 연마 두께를 실시간으로 감지하는 기판두께 감지센서의 신호선의 보호 튜브로 활용함으로써, 부품수를 최소화하면서 기판두께 감지센서로부터의 신호선이 손상되거나 노이즈 발생되는 것을 최소화하는 화학 기계적 연마 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, a substrate which not only uses a drain pipe for discharging slurry and polishing particles on the polishing plate to rotate drive the polishing plate, but also detects the polishing thickness of the substrate in real time. The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus that minimizes the number of parts and minimizes damage or noise generated by the signal line from the substrate thickness sensor by minimizing the number of components.

일반적으로 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 회전하는 연마 정반 상에 웨이퍼 등의 기판이 접촉한 상태로 회전 시키면서 기계적인 연마를 행하여 미리 정해진 두께에 이르도록 기판의 표면을 평탄하게 하는 공정이다. In general, a chemical mechanical polishing (CMP) process is a process of flattening the surface of a substrate to a predetermined thickness by performing mechanical polishing while rotating a substrate such as a wafer on a rotating polishing surface. to be.

이를 위하여, 화학 기계적 연마 장치는 회전하는 연마 정반 상에 기판을 가압시킨 상태로 회전시켜, 연마 정반에 맞닿는 표면이 평탄하게 되도록 연마시킨다. 이 때, 기판이 필요이상으로 연마되거나 필요한 두께보다 적게 연마되는 경우에는 집적 회로를 제작하기 위한 연마 공정의 실효를 거둘 수 없으므로, 기판의 두께를 실시간으로 측정하는 기판두께 감지센서가 연마 정반에 설치된다.To this end, the chemical mechanical polishing apparatus is rotated in a state in which the substrate is pressed on the rotating polishing plate to polish the surface abutting the polishing plate to be flat. At this time, if the substrate is polished more than necessary or less than the required thickness, the polishing process for fabricating the integrated circuit cannot be achieved. Therefore, a substrate thickness sensor for measuring the thickness of the substrate in real time is installed on the polishing table. do.

그런데, 기판두께 감지센서도 연마 정반과 함께 회전하므로, 기판두께 감지센서로부터의 신호선은 슬립링을 통해 외부 기기에 연결되어, 연마 공정 중에 있는 기판의 두께를 실시간으로 감지할 수 있게 된다. 이 때, 기판두께 감지센서의 신호선은 연마 정반의 하부에서 연마 정반과 함께 회전하므로, 회전에 따른 원심력에 의해 신호선이 파손되거나 잡음이 많이 발생되는 문제점이 있었다. However, since the substrate thickness sensor also rotates together with the polishing platen, the signal line from the substrate thickness sensor is connected to an external device through a slip ring, so that the thickness of the substrate in the polishing process can be detected in real time. At this time, since the signal line of the substrate thickness sensor is rotated together with the polishing plate at the lower portion of the polishing plate, there is a problem in that the signal line is broken or noise is generated by the centrifugal force due to the rotation.

이를 방지하기 위하여, 기판두께 감지센서의 신호선은 케이블 타이로 주변에 묶어두기도 하였지만, 기판두께 감지센서의 신호선이 외부에 노출된 상태로 있게 됨에 따라 여전히 외부 충격에는 취약한 문제가 있었다.
In order to prevent this, the signal line of the substrate thickness sensor is tied around the cable tie, but the signal line of the substrate thickness sensor remains exposed to the outside, which is still vulnerable to external shock.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 연마 정반과 함께 회전하는 기판두께 감지센서의 신호선이 회전에 따른 원심력이나 외부 충격에 의한 영향을 최소한으로 받도록 하는 화학 기계적 연마 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention is to provide a chemical mechanical polishing apparatus for minimizing the influence of the centrifugal force or external impact caused by the rotation of the signal line of the substrate thickness sensor to rotate with the polishing surface to solve the conventional problems as described above. For that purpose.

이를 통해, 기판두께 감지센서로부터의 신호에 잡음이 발생되는 것을 최소화하여 보다 깨끗한 신호처리를 가능하게 하는 것을 다른 목적으로 한다.Through this, it is another object to enable a cleaner signal processing by minimizing the generation of noise in the signal from the substrate thickness sensor.

또한, 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 부품수를 최소화하여 제작 비용을 최소화하는 것을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to minimize the manufacturing cost by minimizing the number of parts of the chemical mechanical polishing apparatus.

본 발명은 상기와 같은 과제을 달성하기 위하여, 상면에 플래튼 패드가 장착되어 회전 가능하게 설치된 연마 정반과; 프레임에 의해 지지되도록 상기 연마 정반의 하측에 설치된 베이스 플레이트와; 슬러리와 연마 입자를 배출하도록 상기 연마 정반의 중앙부로부터 하방으로 연장되고 상기 연마 정반과 함께 회전하도록 상기 연마 정반에 고정 설치된 드레인 파이프와; 상기 연마 정반에 내설되어 연마되고 있는 기판의 두께를 감지하는 기판두께 감지센서와; 상기 연마 정반의 회전에 따라 함께 회전하는 상기 기판두께 감지센서의 신호를 외부 기기로 전송하도록 상기 기판두께 감지센서로부터 연장된 신호선과 전기적으로 연결되고 상기 드레인 파이프에 설치된 슬립링과; 상기 베이스 플레이트에 고정된 구동 모터와; 상기 구동 모터의 회전 구동력을 상기 드레인 파이프에 전달하는 동력전달수단을; 포함하여 구성되어, 상기 드레인 파이프가 상기 연마 정반을 회전 구동력을 전달하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.The present invention, in order to achieve the above object, a platen pad is mounted on the upper surface rotatably polished plate; A base plate provided below the polishing plate to be supported by a frame; A drain pipe extending downward from the center portion of the polishing plate to discharge slurry and abrasive particles and fixed to the polishing plate to rotate together with the polishing plate; A substrate thickness sensor for sensing a thickness of the substrate being embedded in the polishing table; A slip ring electrically connected to a signal line extending from the substrate thickness sensor to transmit a signal of the substrate thickness sensor, which is rotated together with the rotation of the polishing platen, to an external device; A drive motor fixed to the base plate; Power transmission means for transmitting a rotational driving force of the drive motor to the drain pipe; And a drain pipe is used to transmit rotational driving force to the polishing platen.

이를 통해, 연마 정반 상의 슬러리와 연마 입자를 배출시키는 종래의 드레인 파이프를 연마 정반을 회전 구동하는 데 사용함에 따라, 부품수를 줄여 부품의 관리와 조립이 보다 용이해지는 장점이 얻어진다.As a result, the conventional drain pipe for discharging the slurry and abrasive particles on the polishing platen is used for rotationally driving the polishing platen, thereby obtaining the advantage of reducing the number of parts and making it easier to manage and assemble the parts.

이 때, 상기 드레인 파이프는 중공부와 외부를 연통시키는 절개부가 형성되고, 상기 기판두께 감지센서를 외부로 전송하는 신호선이 상기 절개부를 관통하여 상기 슬립링을 거쳐 외부 기기로 전송된다. 따라서, 기판두께 감지센서로부터 연장된 신호선은 드레인 파이프 내부를 통하여 슬립링까지 연장될 수 있으므로, 외부에 노출되지 않게 되어 외부 충격에 의한 영향이 최소화되며, 케이블 타이로 고정하는 공정을 제거하더라도 원심력에 의한 손상이나 잡음의 발생량을 줄이는 유리한 효과가 얻어진다. At this time, the drain pipe is formed with a cut portion for communicating the hollow portion and the outside, a signal line for transmitting the substrate thickness sensor to the outside is transmitted to the external device through the slip ring through the slip ring. Therefore, the signal line extending from the substrate thickness sensor can be extended to the slip ring through the inside of the drain pipe, so that it is not exposed to the outside, thereby minimizing the influence of external impact, and removing the process of fixing the cable tie. An advantageous effect of reducing the amount of damage or noise generated by the system is obtained.

이 때, 상기 드레인 파이프에는 상측과 하측에 각각 절개된 상측 절개부와 하측 절개부가 형성되고, 상기 신호선은 상기 드레인 파이프의 상기 상측 절개부를 통해 상기 드레인 파이프 내부를 관통하다가 상기 드레인 파이프의 상기 하측 절개부를 통해 바깥으로 연장되어 상기 슬립링에 연결될 수 있다.
In this case, the drain pipe is formed with an upper cutout and a lower cutout respectively cut in an upper side and a lower side, and the signal line passes through the inside of the drain pipe through the upper cutout of the drain pipe and then cuts the lower cutout of the drain pipe. It may extend outwardly through a portion and be connected to the slip ring.

이상에서 기재된 바와 같이, 본 발명은, 슬러리와 연마 입자를 배출시키는 드레인 파이프를 상기 연마 정반을 회전 구동력을 전달하는 구성 부품으로 활용함에 따라, 화학 기계적 연마 장치의 부품 수를 줄일 수 있게 되어, 부품의 관리가 용이해지고 조립 공정이 짧아져 제조 원가를 보다 낮출 수 있는 유리한 효과가 얻어진다.As described above, the present invention, by utilizing the drain pipe for discharging the slurry and abrasive particles as a component for transmitting the rotational driving force, it is possible to reduce the number of parts of the chemical mechanical polishing apparatus, It is easy to manage and the assembly process is shortened to obtain an advantageous effect of lowering the manufacturing cost.

그리고, 본 발명은 상기 드레인 파이프는 중공부와 외부를 연통시키는 절개부가 형성되고, 상기 기판두께 감지센서를 외부로 전송하는 신호선이 상기 절개부를 관통하여 상기 슬립링을 거쳐 외부 기기로 전송되도록 함으로써, 상기 드레인 파이프가 기판두께 감지센서의 신호선을 보호하는 튜브 역할도 함께 할 수 있게 되므로, 부품의 수가 보다 줄어드는 잇점이 얻어진다.In addition, the present invention is the drain pipe is formed by the cut portion for communicating the outside with the hollow portion, the signal line for transmitting the substrate thickness sensor to the outside to pass through the cut portion to be transmitted to the external device through the slip ring, Since the drain pipe can also serve as a tube to protect the signal line of the substrate thickness sensor, the number of components is further reduced.

이와 같이 구성된 본 발명은 기판두께 감지센서로부터 연장된 신호선이 드레인 파이프의 내부를 통하여 슬립링까지 연장되므로, 기판두께 감지센서의 신호선이 외부에 노출되지 않아 외부 충격에 의한 악영향이 최소화되며, 케이블 타이로 고정하는 공정을 제거하더라도 원심력에 의한 손상이나 잡음의 발생량이 줄어드는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
According to the present invention configured as described above, since the signal line extending from the substrate thickness sensor is extended to the slip ring through the inside of the drain pipe, the signal line of the substrate thickness sensor is not exposed to the outside, thereby minimizing the adverse effect due to external impact, and the cable tie. Even if the fixing process is eliminated, the beneficial effect of reducing the amount of damage or noise generated by the centrifugal force can be obtained.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 개략도
도2는 도1의 연마 정반의 평면도
도3은 도1의 연마 정반을 하측에서 바라본 사시도
1 is a schematic diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a plan view of the polishing plate of Fig. 1
3 is a perspective view of the polishing table of FIG. 1 as viewed from below;

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(1)를 상세히 설명한다. Hereinafter, a chemical mechanical polishing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 개략도, 도2는 도1의 연마 정반의 평면도, 도3은 도1의 연마 정반을 하측에서 바라본 사시도이다.1 is a schematic view of a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the polishing plate of FIG. 1, and FIG. 3 is a perspective view of the polishing plate of FIG.

도1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치(1)는, 상면에 플래튼 패드(11)가 장착되어 회전 가능하게 설치된 연마 정반(10)과, 프레임(미도시)에 의해 지지되도록 연마 정반(10)의 하측에 설치된 베이스 플레이트(60)와, 슬러리와 연마 입자를 배출하도록 연마 정반(10)의 중앙부 구멍(10h)로부터 하방으로 연장되고 연마 정반(10)과 함께 회전하도록 연마 정반(10)에 고정 설치된 드레인 파이프(15)와, 연마 정반(10)에 내설되어 연마되고 있는 기판(55)의 두께를 감지하는 기판두께 감지센서(40)와, 연마 정반(10)의 회전에 따라 함께 회전하는 기판두께 감지센서(40)의 신호를 외부 기기로 전송하도록 기판두께 감지센서(40)로부터 연장된 신호선(41)과 전기적으로 연결되고 드레인 파이프(15)에 설치된 슬립링(50)과, 베이스 플레이트(60)에 브라켓(12a)에 의해 고정된 구동 모터(12)와, 구동 모터(12)의 회전 구동력을 드레인 파이프(15)에 전달하는 동력전달수단으로서 구동 모터(12)의 회전축과 드레인 파이프(15)를 연결하는 벨트(13)로 구성된다. As shown in Figure 1, the chemical mechanical polishing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the platen pad 11 is mounted on the upper surface of the polishing plate 10 rotatably installed, the frame (not shown) The base plate 60 provided below the polishing plate 10 so as to be supported by the polishing plate 10, and extending downward from the central hole 10h of the polishing plate 10 so as to discharge slurry and abrasive particles. A drain pipe 15 fixed to the polishing plate 10 so as to rotate together with the substrate plate, a substrate thickness sensor 40 for sensing the thickness of the substrate 55 that is built and polished on the polishing plate 10, and the polishing platen. In order to transmit the signal of the substrate thickness sensor 40, which rotates together with the rotation of the 10, to an external device, it is electrically connected to the signal line 41 extending from the substrate thickness sensor 40 and connected to the drain pipe 15. The slip ring 50 and the base plate 60 The driving shaft 12 fixed by the bracket 12a and the rotation shaft of the driving motor 12 and the drain pipe 15 as power transmission means for transmitting the rotational driving force of the driving motor 12 to the drain pipe 15. It consists of a belt 13 for connecting.

여기서, 도면에는 동력전달수단으로서 벨트(13)를 예로 들었지만, 기어, 체인 등 다양한 형태의 동력전달수단이 대체될 수 있다. Here, although the belt 13 is taken as an example of the power transmission means, various types of power transmission means such as gears and chains may be replaced.

그리고, 상기 화학 기계적 연마 장치(1)는 표면에 플래튼 패드(11)가 장착된 연마 정반(10)을 미리 정해진 방향으로 회전시킨 상태에서, 슬러리 공급 유닛(30)으로부터 슬러리(31)를 플래튼 패드(11)상에 공급하고, 기판(55)을 파지하는 캐리어 헤드(21)가 스핀들(20)의 모터(22)에 의해 회전하며, 이와 동시에 스핀들(20)의 내부에 수용된 로터리 유니언(23)에 의해 기판(55)이 플래튼 패드(11)를 향하는 방향(23d)으로 가압되도록 작동한다. 이를 통해, 캐리어 헤드(21)에 고정된 기판(55)은 플래튼 패드(11)에 가압되면서 자체적으로 회전하고, 동시에 연마 정반(10)에 브라켓(12a)으로 고정된 구동 모터(12)에 의하여 플래튼 패드(11)도 회전하면서 기판(55)의 표면이 평탄하게 연마된다. Then, the chemical mechanical polishing apparatus 1 plate the slurry 31 from the slurry supply unit 30 in a state in which the polishing plate 10 having the platen pad 11 mounted thereon is rotated in a predetermined direction. The carrier head 21 which feeds on the pad 11 and grips the board | substrate 55 rotates by the motor 22 of the spindle 20, and at the same time the rotary union accommodated inside the spindle 20 The substrate 55 acts to press the substrate 55 in the direction 23d toward the platen pad 11. Through this, the substrate 55 fixed to the carrier head 21 rotates itself while being pressed by the platen pad 11, and at the same time to the drive motor 12 fixed to the polishing plate 10 by the bracket 12a. As a result, the surface of the substrate 55 is smoothly polished while the platen pad 11 also rotates.

이 때, 기판(55)의 두께를 소정의 값이 되도록 감지하는 것이 필요한 데, 이를 위하여 연마 정반(10)에 와전류 타입의 기판두께 감지센서(40)가 설치된다. 연마 정반(10)이 기판(55)의 연마를 위하여 회전함에 따라, 기판두께 감지센서(40)도 회전하므로, 기판두께 감지센서(40)로부터 기판(55)의 두께를 감시하여 처리하는 외부 기기(61, 62)로 신호를 전송하기 위해서는, 플래튼 패드(11)의 중심(10h)으로부터 슬러리와 연마 입자를 배출하는 드레인 파이프(10s)에 설치된 슬립링(50)을 통하도록 구성된다. At this time, it is necessary to detect the thickness of the substrate 55 to a predetermined value. For this purpose, an eddy current type substrate thickness sensor 40 is installed on the polishing plate 10. As the polishing plate 10 rotates to polish the substrate 55, the substrate thickness sensor 40 also rotates, so that the external device for monitoring and processing the thickness of the substrate 55 from the substrate thickness sensor 40 is processed. In order to transmit a signal to the 61 and 62, it is configured to pass through the slip ring 50 provided in the drain pipe 10s for discharging the slurry and abrasive particles from the center 10h of the platen pad 11.

이 때, 연마 정반(10)의 중심부에 위치하여 슬러리와 연마 입자를 외부로 배출공(10h)으로부터 하방으로 연장된 드레인 파이프(15)에는 상측 절개부(15x)와 하측 절개부(15y)가 형성되어, 기판두께 감지센서(40)로부터 연장된 신호선(41)은 상측 절개부(15x)를 통해 하측 절개부(15y)로 드러나기까지 드레인 파이프(15)의 내부에서 안정되게 위치한다. 따라서, 기판두께 감지센서(40)로부터 연장된 신호선(41)은 외부로부터 은폐되어 외부 충격으로부터 안전하며, 원심력에 의한 영향을 거의 받지 않아 손상이나 잡음이 최소화된다. At this time, the upper cutout 15x and the lower cutout 15y are disposed in the drain pipe 15 positioned at the center of the polishing plate 10 and extending slurry and abrasive particles downward from the discharge hole 10h. The signal line 41 formed from the substrate thickness sensor 40 is stably positioned in the drain pipe 15 until it is exposed to the lower cutout 15y through the upper cutout 15x. Therefore, the signal line 41 extending from the substrate thickness sensor 40 is concealed from the outside and is safe from external impact, and is hardly affected by the centrifugal force, thereby minimizing damage or noise.

기판두께 감지센서(40)로부터 연장된 신호선(41)은 슬립링(50)을 통해, 슬립링(50)과 연결된 다른 신호선(41')으로 신호를 전송하여 외부 기기(61, 62)에 기판 두께 정보에 관한 신호를 전송하게 된다. 여기서, 외부 기기 중 하나(61)는 기판두께 감지센서(40)로부터 수신되는 신호를 모니터링하여 기판 두께를 감지하는 기판두께 산출유닛이고, 외부 기기 중 다른 하나(62)는 기판두께 산출유닛(61)으로부터 기판두께의 정보를 수신하여 화학 기계적 연마 장치(1)를 제어하는 제어기이다. The signal line 41 extending from the substrate thickness sensor 40 transmits a signal to another signal line 41 ′ connected to the slip ring 50 through the slip ring 50 to the external devices 61 and 62. A signal about thickness information is transmitted. Here, one of the external devices 61 is a substrate thickness calculating unit that detects the substrate thickness by monitoring the signal received from the substrate thickness sensor 40, the other one of the external devices 62 is the substrate thickness calculating unit 61 Is a controller for controlling the chemical mechanical polishing apparatus 1 by receiving the information of the substrate thickness.

한편, 연마 정반(10)을 회전 구동하기 위한 구동 모터(12)는 프레임(미도시)에 지지되는 베이스 플레이트(60)에 브라켓(12)으로 고정된다. 이 때, 베이스 플레이트(60)는 프레임의 한 위치에 고정될 수도 있고 프레임에 대하여 위치 변동 가능하게 프레임에 지지될 수도 있다. 구동 모터(12)의 회전 구동력은 동력전달수단인 벨트(13)를 거쳐 드레인 파이프(15)로 전달된다. 드레인 파이프(15)는 연마 정반(10)과 함께 회전하도록 연마 정반(10)에 고정되어 있으므로, 드레인 파이프(15)의 회전에 따라 연마 정반(10)도 회전된다.On the other hand, the drive motor 12 for rotationally driving the polishing plate 10 is fixed to the base plate 60 supported by the frame (not shown) by the bracket 12. At this time, the base plate 60 may be fixed to one position of the frame or may be supported on the frame so as to be changeable with respect to the frame. The rotational driving force of the drive motor 12 is transmitted to the drain pipe 15 via the belt 13 which is the power transmission means. Since the drain pipe 15 is fixed to the polishing plate 10 so as to rotate together with the polishing plate 10, the polishing plate 10 also rotates in accordance with the rotation of the drain pipe 15.

도면중 미설명 부호인 13c는 동력전달수단인 벨트(13)를 감싸는 커버이다.
In the figure, reference numeral 13c denotes a cover surrounding the belt 13 which is a power transmission means.

이와 같이 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 장치(1)는 드레인 파이프(15)가 연마 정반(10) 상의 슬러리와 연마 입자를 배출하는 데 사용될 뿐만 아니라, 연마 정반(10)을 회전 구동하는 전달축으로서 사용되기도 하고, 기판두께 감지센서(40)의 신호선(41)을 보호하는 보호 튜브로서 사용되므로, 종래에 하나의 기능을 담당하기 위하여 사용되었던 각각의 부품들을 하나의 다용도 드레인 파이프(15)로 통합하게 되어, 전체적으로 부품수가 감소되어 부품 관리가 용이해지고 조립에 소요되는 시간을 단축할 수 있으며, 따라서 보다 저렴한 제조 비용으로 제조할 수 있게 되는 유리한 효과가 얻어진다.Thus, the chemical mechanical polishing apparatus 1 according to the present invention is not only used by the drain pipe 15 to discharge slurry and abrasive particles on the polishing plate 10, but also as a transmission shaft for rotationally driving the polishing plate 10. It is also used as a protective tube to protect the signal line 41 of the substrate thickness sensor 40, thus integrating each component that has been conventionally used to perform one function into one multipurpose drain pipe 15. As a result, the number of parts is reduced as a whole, thereby facilitating parts management and shortening the time required for assembly, thus obtaining an advantageous effect of being able to manufacture at a lower manufacturing cost.

또한, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 장치(1)는 부품수 및 조립 공수의 감소에도 불구하고, 기판두께 감지센서의 신호선이 외부에 노출되지 않아 외부 충격으로부터 안전하게 센서 신호를 전달할 수 있으며, 원심력에 의한 손상이나 잡음의 발생량을 줄이는 유리한 효과도 얻어진다.
In addition, the chemical mechanical polishing apparatus 1 according to the present invention, despite the reduction in the number of parts and assembly labor, the signal line of the substrate thickness sensor is not exposed to the outside can safely transmit the sensor signal from external impact, The beneficial effect of reducing the amount of damage or noise generated by the system is also obtained.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구 범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
1: 화학 기계적 연마장치 10: 연마정반
12: 구동 모터 13: 동력전달수단
15: 드레인 파이프 15x: 상측 절개부
15y: 하측 절개부 40: 기판두께 감지센서
41: 신호선 50: 슬립링
60: 베이스 플레이트 70: 지지축
** Description of symbols for the main parts of the drawing **
1: chemical mechanical polishing machine 10: polishing table
12: drive motor 13: power transmission means
15: drain pipe 15x: upper incision
15y: lower incision 40: substrate thickness sensor
41: signal line 50: slip ring
60: base plate 70: support shaft

Claims (5)

상면에 플래튼 패드가 장착되어 회전 가능하게 설치된 연마 정반과;
프레임에 의해 지지되도록 상기 연마 정반의 하측에 설치된 베이스 플레이트와;
슬러리와 연마 입자를 배출하도록 상기 연마 정반의 중앙부로부터 하방으로 연장되고 상기 연마 정반과 함께 회전하도록 상기 연마 정반에 고정 설치된 드레인 파이프와;
상기 베이스 플레이트에 고정된 구동 모터와;
상기 구동 모터의 회전 구동력을 상기 드레인 파이프에 전달하는 동력전달수단을;
포함하여 구성되어, 상기 드레인 파이프가 상기 연마 정반을 회전 구동력을 전달하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
A polishing platen on which a platen pad is mounted and rotatably installed;
A base plate provided below the polishing plate to be supported by a frame;
A drain pipe extending downward from the center portion of the polishing plate to discharge slurry and abrasive particles and fixed to the polishing plate to rotate together with the polishing plate;
A drive motor fixed to the base plate;
Power transmission means for transmitting a rotational driving force of the drive motor to the drain pipe;
And the drain pipe is used to transmit a rotational driving force to the polishing platen.
제 1항에 있어서,
상기 연마 정반에 내설되어 연마되고 있는 기판의 두께를 감지하는 기판두께 감지센서와;
상기 연마 정반의 회전에 따라 함께 회전하는 상기 기판두께 감지센서의 신호를 외부 기기로 전송하도록 상기 기판두께 감지센서로부터 연장된 신호선과 전기적으로 연결되고 상기 드레인 파이프에 설치된 슬립링을;
더 포함하는 화학 기계적 연마 장치.
The method of claim 1,
A substrate thickness sensor for sensing a thickness of the substrate being embedded in the polishing table;
A slip ring installed in the drain pipe and electrically connected to a signal line extending from the substrate thickness sensor so as to transmit a signal of the substrate thickness sensor which is rotated together with the rotation of the polishing platen to an external device;
A chemical mechanical polishing apparatus further comprising.
제 2항에 있어서,
상기 드레인 파이프는 중공부와 외부를 연통시키는 절개부가 형성되고, 상기 기판두께 감지센서를 외부로 전송하는 신호선이 상기 절개부를 관통하여 상기 슬립링을 거쳐 외부 기기로 전송되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
The method of claim 2,
The drain pipe has a cutout portion for communicating the hollow portion with the outside, and a signal line for transmitting the substrate thickness sensor to the outside passes through the cutout portion and is transmitted to an external device through the slip ring. Device.
제 2항에 있어서,
상기 드레인 파이프에는 상측과 하측에 각각 절개된 상측 절개부와 하측 절개부가 형성되고, 상기 신호선은 상기 드레인 파이프의 상기 상측 절개부를 통해 상기 드레인 파이프 내부를 관통하다가 상기 드레인 파이프의 상기 하측 절개부를 통해 바깥으로 연장되어 상기 슬립링에 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
The method of claim 2,
The drain pipe is formed with an upper cutout and a lower cutout cut in an upper side and a lower side, respectively, and the signal line passes through the inside of the drain pipe through the upper cutout of the drain pipe and then goes out through the lower cutout of the drain pipe. And extend to be connected to the slip ring.
제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 동력전달수단은 벨트인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the power transmission means is a belt.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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