KR20110121825A - 반도체 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20110121825A
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이용진
남용현
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우리엘이디 주식회사
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Abstract

본 개시는, 프레임; 프레임에 구비되며, 제1 파장을 가지는 빛을 생성하는 반도체 발광소자; 반도체 발광소자를 봉지(encapsulate)하고, 프레임에 고정되며 빛을 방출하는 투광면(light-transmitting surface)을 가지는 봉지재; 및 투광면을 따라 봉지재 내에 형성되고, 제1 파장을 가지는 빛의 적어도 일부를 제1 파장과 다른 제2 파장을 가지는 빛으로 변환하는 제1 형광체층;을 포함하는 반도체 발광소자 패키지에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 패키지{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 패키지에 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자 패키지의 발광 균일성과 관련된 형광체의 분포에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지(10)는, 절연 기판(11)에 제1 전극(12)과 제2 전극(13)이 소정의 간격을 두고 형성되며, 반도체 발광소자(14)는 제1 전극(12)과 제2 전극(13)에 와이어(15)에 의해 접속되고 절연 기판(11)에 실장된다. 그리고, 반도체 발광소자(14)를 감싸도록 반원주 형상으로 투광성의 봉지 수지층(17)이 형성되어 있으며, 봉지 수지층(17) 내에는 반도체 발광소자(14)의 일부의 발광을 흡수하여 장파장으로 변환하는 형광체(16)가 봉지 수지층(17) 내에서 침강(sedimentation)되어 반도체 발광소자(14)와 절연 기판(11)의 표면 부근에 분포하고 있다. 이에 의해, 반도체 발광소자 패키지(10)를 관찰하는 방향에 따른 얼룩이 방지되는 것이 기재되어 있다.
그러나, 반도체 발광소자(14)에서 방출되는 빛의 파장 변환은, 형광체(16)의 분포상 반도체 발광소자(14)의 표면 부근 영역(B)에 분포되는 형광체(16)에 의해 대부분 이루어지게 된다. 따라서, 절연 기판(11)의 표면 부근(A 영역)에 분포하는 형광체(16)는 불필요한 구성이 되는 문제가 있다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자 패키지의 다른 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지(20)는, 절연 프레임(21)에 의해 고정되는 제1 전극(22)과 제2 전극(23), 제1 전극(22)과 제2 전극(23)에 와이어(24a)에 의해 접속되는 반도체 발광소자(24), 절연 프레임(21)과 반도체 발광소자(24) 사이의 공간에 채워지는 제1 투명 수지층(28), 제1 투명 수지층(28) 위에 구비되는 형광체층(27), 형광체층(27) 위에 구비되는 제2 투명 수지층(29)을 포함한다.
이에 의해, 형광체층(27)에 분포되는 형광체(26)의 대부분이 반도체 발광소자(14)에서 방출되는 빛의 파장 변환 기능을 할 수 있게 된다.
그러나, 이 경우 제1 투명 수지층(28), 형광체층(27), 제2 투명 수지층(29)을 별도로 제작하여 접합하여야 하므로 제조 공정이 복잡해지며, 접합으로 인해 각 층의 경계에서 발광 효율이 저하되는 문제가 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 프레임; 프레임에 구비되며, 제1 파장을 가지는 빛을 생성하는 반도체 발광소자; 반도체 발광소자를 봉지(encapsulate)하고, 프레임에 고정되며 빛을 방출하는 투광면(light-transmitting surface)을 가지는 봉지재; 및 투광면을 따라 봉지재 내에 형성되고, 제1 파장을 가지는 빛의 적어도 일부를 제1 파장과 다른 제2 파장을 가지는 빛으로 변환하는 제1 형광체층;을 포함하는 반도체 발광소자 패키지가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 보인 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자 패키지의 다른 예를 보인 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 보인 도면,
도 4 내지 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 제조공정을 보인 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 다른 예를 보인 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예를 보인 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예를 보인 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지(100)는, 반도체 발광소자(110), 프레임(120), 봉지재(130), 제1 형광체층(131)을 포함한다.
반도체 발광소자(110)는, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다.
프레임(120)은, 반도체 발광소자(110)와 전기적으로 접속되는 정(+)전극(121) 및 부(-)전극(123)과, 정(+)전극(121) 및 부(-)전극(123)을 고정시키며 반도체 발광소자 패키지(100)의 외관을 형성하는 고정 부재(125)를 포함한다.
고정 부재(125)는 PPA계수지, PA9T계수지, 아크릴계수지, Al,N,O 성분이 포함된 세라믹 계열의 재질로 구비될 수 있다.
봉지재(130)는, 반도체 발광소자(110)를 덮어 싸며, 프레임(120) 및 고정 부재(125)에 접착되어 고정된다.
또한, 봉지재(130)는, 반도체 발광소자(110)에서 생성된 빛이 투과될 수 있는 부재로 구비되며, 빛을 방출하는 투광면(130a)(light-transmitting surface)을 가진다.
한편, 봉지재(130)에는 반도체 발광소자(110)에서 방출되는 빛의 파장(이하, 제1 파장'이라 함.)을 변환시키는 제1 형광체(131a)가 혼합된다.
일반적으로, 제1 형광체(131a)에 의해 변환된 파장(이하, '제2 파장'이라 함.)은 제1 파장에 비해 길게 된다.
제1 형광체층(131)은, 제1 형광체(131a)가 밀집되어 이루어지는 층으로, 봉지재(130) 내에서 투광면(130a)을 따라 제1 형광체(131a)가 밀집되어 형성된다.
이에 의하면, 반도체 발광소자(110)에서 방출된 빛이 제1 형광체층(131) 전체를 지나게 되므로, 도 1의 경우와 달리, 제1 형광체층(131)에 분포되는 제1 형광체(131a)의 대부분이 반도체 발광소자(110)에서 방출되는 빛의 파장 변환 기능을 할 수 있게 된다.
또한, 제1 형광체층(131)이 봉지재(130)의 내부에 형성되므로, 도 2의 경우와 달리, 제1 형광체층(131)과 봉지재(130)의 접착 공정이 제거될 수 있으며, 접착으로 인해 제1 형광체층(131)과 봉지재(130)의 경계에서 발생되는 발광 효율의 저하 문제가 개선될 수 있다.
여기서, 제1 형광체층(131)의 두께는, 반도체 발광소자 패키지(100)를 관찰하는 방향에 따른 얼룩을 방지하기 위해 실질적으로 균일하게 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 본 예에 있어서, 제1 파장을 청색 광에 대응되는 파장으로 구비하고, 제2 파장을 황색 광에 대응되는 파장으로 구비함으로써, 빛의 방출 방향에 따라 얼룩이 개선된 백색광을 얻을 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 제조공정을 보인 도면으로서, 제1 형광체(131a)의 침강에 의한 제1 형광체층(131)은, 제1 형광체(131a)의 침강이 효과적으로 제어될 수 있는 압축 몰딩(compression molding)에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
이하에서는, 압축 몰딩에 의한 반도체 발광소자 패키지의 제조공정을 설명한다.
먼저, 도 4와 같이 상부 금형(161)에 반도체 발광소자(110)가 구비된 프레임(120)이 구비되고, 하부 금형(162)에 제1 형광체(131a)가 혼합된 봉지재(130)가 구비된다.
여기서, 프레임(120)에는 복수 개의 반도체 발광소자(110)가 구비된다.
또한, 봉지재(130)는, 하부 금형(162)에 주입될 수 있을 정도의 유동성을 가지게 된다.
다음으로, 도 5와 같이, 상부 금형(161)과 하부 금형(162)을 결합시켜 봉지재(130)를 프레임(120)과 하부 금형(162) 사이의 공간으로 유입시킨다.
다음으로, 도 6과 같이, 봉지재(130) 내부에 제1 형광체층(131)을 형성하며, 봉지재(130)를 경화시킨다.
제1 형광체층(131)은, 봉지재(130)의 및 비중, 제1 형광체(131a)의 비중 및 온도와 압력에 따른 봉지재(130)의 점성 변화를 이용하여 제1 형광체(131a)를 침강시켜 형성할 수 있다.
따라서, 제1 형광체(131a)의 침전 및 봉지재(130)의 경화를 위해, 봉지재(130)는 온도의 증가에 따라 점성이 낮아졌다가 올라가는 성질을 가지는 재질로 구비되는 것이 바람직하다. 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 옥세탄 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지 등을 예로 들 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이, 봉지재(130)와 프레임(120)을 하나의 반도체 발광소자(110) 단위로 절단하여 반도체 발광소자 패키지(100)를 제조한다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 다른 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자(210), 프레임(220), 봉지재(230), 제1 형광체층(231)을 포함하는 점에서 도 3과 동일하나, 제2 형광체층(232)이 더 포함되는 점에서 차이가 있다.
따라서, 반도체 발광소자(210), 프레임(220), 봉지재(230), 제1 형광체층(231)에 대한 자세한 설명은 앞선 설명으로 대신하고 이하에서는 제2 형광체층(232)에 대해 설명한다.
제2 형광체층(232)은, 제2 형광체(232a)로 형성되며, 제1 형광체층(231)과 반도체 발광소자(210)의 사이에 위치된다.
제2 형광체(232a)는, 제1 파장의 빛의 적어도 일부를 제1 파장 및 제2 파장보다 긴 파장(이하, '제3 파장'이라 함.)을 가지는 빛으로 변환시키며, 제2 형광 반도체 발광소자(210)의 외면과 제1 형광체층(231)의 하면 사이의 공간 전체에 분포되거나, 제1 형광체층(231)의 하부에 소정의 두께로 형성될 수 있다.
여기서, 압축 몰딩 공정에서 제1 형광체층(231)과 제2 형광체층(232)의 분리를 위해, 제2 형광체(232a)는 제1 형광체(231a)의 비중보다 작은 비중을 갖는 물질의 형광체로 구비된다.
즉, 비중의 차이로 인해, 상대적으로 무거운 제1 형광체(231a)가 먼저 침강되어, 제1 형광체층(231)과 제2 형광체층(232)의 분리가 이루어질 수 있다.
한편, 본 예에서, 제2 형광체(232a)는 제1 형광체층(231)과 반도체 발광소자(210) 사이에 위치되며, 제2 형광체(232a)가 제1 형광체(231a)에 비해 퍼져 분포되는 것이 바람직하다.
이는, 제2 형광체(232a)의 침강이 시작되기 전에 봉지재(230)의 온도를 조절하여 점성을 향상시키는 공정에 의해 형성될 수 있다.
이에 의하면, 반도체 발광소자(210)에서 방출되는 빛의 상당 부분이 제2 형광체층(232)에 의해 변환되지 않고 제1 형광체층(231)에 도달될 수 있게 되어, 제1,2,3 파장의 빛이 균일하게 방출될 수 있게 된다.
더 나아가, 본 예에서, 제1 파장은 청색 광에 대응되는 파장으로, 제2 파장은 녹색 광에 대응되는 파장으로, 제3 파장은 적색 광에 대응되는 파장으로 구비될 수 있다.
이 경우, 균일하게 방출되는 다양한 파장의 빛을 이용하여 백색광을 형성하는 것이 가능해지므로, 연색성이 향상될 수 있다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자(310), 프레임(320), 봉지재(330), 제1,2 형광체층(331,332)을 포함하는 점에서 도 8과 동일하나, 제3 형광체층(333)이 더 포함되는 점에서 차이가 있다.
반도체 발광소자(310), 프레임(320), 봉지재(330), 제1,2 형광체층(331,332)에 대한 설명은 앞선 설명으로 대신하고 이하에서는 제3 형광체층(333)에 대해 설명한다.
제3 형광체층(333)은, 제1 파장의 빛의 적어도 일부를 제1,2,3 파장보다 긴 제4 파장을 가지는 빛으로 변환시키는 제3 형광체(333a)로 형성되며, 제1 형광체층(331)과 반도체 발광소자(310)의 사이에 분산되어 위치된다.
따라서, 제3 형광체층(333)은 제2 형광체층(332)과 섞여 위치되거나, 제2 형광체층(332)과 반도체 발광소자(310) 사이의 공간에 위치될 수 있다.
전자의 경우, 제2 형광체(332a)의 침강이 시작되기 전에 봉지재(330)의 온도를 조절하여 점성을 향상시키는 공정에 의해 형성될 수 있다.
후자의 경우, 제2 형광체(332a)의 침강이 어느 정도 이루어진 후, 즉 제2 형광체(332a)의 단위 체적당 밀도가 소정의 밀도에 도달된 후 봉지재(330)의 온도를 조절하여 점성을 향상시키는 공정에 의해 형성될 수 있다.
따라서, 제3 형광체(333a)는, 제2 형광체(332a) 보다 비중이 작거나 같은 물질의 형광체로 형성된다.
후자의 경우에 있어서, 소정의 밀도는 봉지재(330)의 점성과 시간에 따라 결정되는 값으로 실험을 통해 설계자가 정할 수 있는 값이다.
한편, 본 예에서, 제1 파장은 자외선 영역의 광에 대응되는 파장으로, 제2 파장은 청색 광에 대응되는 파장으로, 제3 파장은 녹색 광에 대응되는 파장으로, 제4 파장은 적색 광에 대응되는 파장으로 구비될 수 있다.
이 경우, 균일하게 방출되는 다양한 파장의 빛을 이용하여 백색광을 형성하는 것이 가능해지므로, 연색성이 향상될 수 있다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자(410), 프레임(420), 봉지재(430), 제1,2,3 형광체층(431,432,433)을 포함하는 점에서 도 9와 동일하나, 봉지재(430)와 프레임(420)의 견고한 결합을 위한 구성이 추가되는 점에서 차이가 있다.
구체적으로, 고정 부재(425)에는 캐비티(425a)가 형성되며, 그 내부에 발광소자(410)가 구비된다.
이에 의해, 봉지재(430)와 프레임(420)이 접하는 면적이 넓어져 봉지재(430)가와 프레임(420)에 보다 견고하게 고정될 수 있게 된다.
이와 달리, 돌기 형상의 구조물을 고정 부재(425)에 형성하여 봉지재(430)와 프레임(420)의 결합을 견고하게 할 수도 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 제1 형광체층은, 실질적으로 균일한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이는, 형광체의 두께를 균일하게 형성함으로써, 빛의 방출 방향에 따른 얼룩을 방지하기 위함이다.
(2) 투광면은, 평평하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지. 이는, 몰딩 공정에서 형광체를 투광면 전체에 균일한 두께로 침강시키기 위함이다.
(3) 봉지재는 온도의 증가에 따라 점성이 낮아졌다가 올라가는 성질을 가지는 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이에 의해, 몰딩 공정에서 초기에 봉지재의 낮은 점성으로 인해 형광체가 침강되며, 이후 봉지재의 점성이 커지면서 침강된 형광체의 위치가 고정될 수 있다.
(4) 제1 파장은 청색 광에 대응되는 파장이고, 제2 파장은 황색 광에 대응되는 파장이며, 봉지재는 온도의 증가에 따라 점성이 낮아졌다가 올라가는 성질을 가지는 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이에 의해, 빛의 방출 방향에 따라 얼룩이 개선된 백색광을 얻을 수 있게 된다.
(5) 제1 형광체층과 반도체 발광소자의 사이에 위치되고, 제1 형광체층을 형성하는 물질의 비중보다 작은 비중을 가지는 제2 형광체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이는, 몰딩 공정에서 비중의 차이를 이용하여 제1 형광체층과 제2 형광체층을 분리하기 위함이며, 이에 의해 제1 형광체층과 제2 형광체층을 별도로 제작하여 접합시키는 공정이 배제될 수 있다.
(6)제2 형광체층은 제1 파장의 빛의 적어도 일부를 제1 파장 및 제2 파장보다 긴 제3 파장을 가지는 빛으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이는, 제1,2,3 파장의 빛을 이용하여 다양한 색의 빛을 연출하기 위함이다.
(7) 제2 형광체층은 제1 형광체층과 반도체 발광소자 사이의 공간에 분산되어 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이는, 반도체 발광소자에서 방출되는 빛의 상당 부분이 제2 형광체층에 의해 변환되지 않고 제1 형광체층에 도달될 수 있게 하여, 제1,2,3 파장의 빛이 균일하게 방출될 수 있도록 하기 위함이다.
(8) 제1 파장은 청색 광에 대응되는 파장이고, 제2 파장은 녹색 광에 대응되는 파장이며, 제3 파장은 적색 광에 대응되는 파장이고, 봉지재는, 평평한 투광면을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이는, 다양한 파장의 빛을 이용하여 백색광을 형성함으로써, 연색성을 향상시키기 위함이다.
(9) 제2 형광체층과 함께 제1 형광체층과 반도체 발광소자 사이의 공간에 분산되어 위치되는 제3 형광체층;을 더 포함하며, 제3 형광체층은 제1 파장의 빛의 적어도 일부를 제1,2,3 파장보다 긴 제4 파장을 가지는 빛으로 변환시키고, 제1 파장은 자외선 영역의 광에 대응되는 파장이며, 제2 파장은 청색 광에 대응되는 파장이고, 제3 파장은 녹색 광에 대응되는 파장이며, 제4 파장은 적색 광에 대응되는 파장이고, 봉지재는, 평평한 투광면을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
이는, 자외선 영역의 빛을 방출하는 반도체 발광소자를 이용하며, 다양한 파장의 빛을 이용하여 백색광을 형성함으로써, 연색성을 향상시키기 위함이다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 패키지에 의하면, 제1 형광체가 봉지재의 투광면을 따라 층을 이루며 구비되므로, 형광체층과 봉지재의 접합으로 인한 발광 효율의 저하 및 제조 공수의 증가가 제거될 수 있으며, 대부분의 제1 형광체가 반도체 발광소자로부터 방출되는 빛의 파장 변환 기능을 할 수 있게 된다.
또한, 본 개시에 따른 다른 반도체 발광소자 패키지에 의하면, 반도체 발광소자로부터 빛이 방출되는 방향을 따라 두 가지 이상의 형광체층이 배치되며, 반도체 발광소자로부터 멀어질수록 형광체층에 의해 변환된 파장이 짧아지고, 형광체층을 형성하는 형광체의 단위 체적당 밀도가 커지도록 구비되므로, 다양한 파장의 빛을 이용하여 다양한 색의 빛을 연출할 수 있으며, 연색성이 향상된 백색광을 얻을 수 있다.

Claims (11)

  1. 프레임;
    프레임에 구비되며, 제1 파장을 가지는 빛을 생성하는 반도체 발광소자;
    반도체 발광소자를 봉지(encapsulate)하고, 프레임에 고정되며 빛을 방출하는 투광면(light-transmitting surface)을 가지는 봉지재; 및
    투광면을 따라 봉지재 내에 형성되고, 제1 파장을 가지는 빛의 적어도 일부를 제1 파장과 다른 제2 파장을 가지는 빛으로 변환하는 제1 형광체층;을 포함하는 반도체 발광소자 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제1 형광체층은, 실질적으로 균일한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    투광면은, 평평하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    봉지재는 온도의 증가에 따라 점성이 낮아졌다가 올라가는 성질을 가지는 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서,
    제1 형광체층과 반도체 발광소자의 사이에 위치되고, 제1 형광체층을 형성하는 물질의 비중보다 작은 비중을 가지는 제2 형광체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    제2 형광체층은 제1 파장의 빛의 적어도 일부를 제1 파장 및 제2 파장보다 긴 제3 파장을 가지는 빛으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  7. 청구항 6에 있어서,
    제2 형광체층은 제1 형광체층과 반도체 발광소자 사이의 공간에 분산되어 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  8. 청구항 7에 있어서,
    봉지재는 온도의 증가에 따라 점성이 낮아졌다가 올라가는 성질을 가지는 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  9. 청구항 2에 있어서,
    제1 파장은 청색 광에 대응되는 파장이고,
    제2 파장은 황색 광에 대응되는 파장이며,
    봉지재는 온도의 증가에 따라 점성이 낮아졌다가 올라가는 성질을 가지는 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  10. 청구항 8에 있어서,
    제1 파장은 청색 광에 대응되는 파장이고,
    제2 파장은 녹색 광에 대응되는 파장이며,
    제3 파장은 적색 광에 대응되는 파장이고,
    봉지재는, 평평한 투광면을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  11. 청구항 8에 있어서,
    제2 형광체층과 함께 제1 형광체층과 반도체 발광소자 사이의 공간에 분산되어 위치되는 제3 형광체층;을 더 포함하며,
    제3 형광체층은 제1 파장의 빛의 적어도 일부를 제1,2,3 파장과 다른 제4 파장을 가지는 빛으로 변환시키고,
    제1 파장은 자외선 영역의 광에 대응되는 파장이며,
    제2 파장은 청색 광에 대응되는 파장이고,
    제3 파장은 녹색 광에 대응되는 파장이며,
    제4 파장은 적색 광에 대응되는 파장이고,
    봉지재는, 평평한 투광면을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
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