KR20110121427A - 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 47
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 73
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims description 64
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims description 63
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- -1 alkoxide salts Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N triethyl borate Chemical compound CCOB(OCC)OCC AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 6
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 6
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 5
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 3
- ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 12-hydroxyoctadecanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC(O)=O ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 239000003906 humectant Substances 0.000 description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940114072 12-hydroxystearic acid Drugs 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGKJMBOJWVAMIJ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-hydroxypropan-2-yl)-1-methylcyclohexan-1-ol;hydrate Chemical compound O.CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 JGKJMBOJWVAMIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 159000000021 acetate salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여,
a) 입자의 평균입경(D50)이 0.3㎛ ~ 1.5㎛인 은 분말 65~75 중량%,
b) 글라스 프릿 0.01~10 중량%,
c) 유기 비히클 용액 20~34.8 중량%, 및
d) 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물 0.1~5 중량%를 포함하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물에 관한 것이다.
a) 입자의 평균입경(D50)이 0.3㎛ ~ 1.5㎛인 은 분말 65~75 중량%,
b) 글라스 프릿 0.01~10 중량%,
c) 유기 비히클 용액 20~34.8 중량%, 및
d) 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물 0.1~5 중량%를 포함하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물에 관한 것이다.
실리콘 결정형 태양전지는 P형 실리콘 웨이퍼 표면에 인(P)을 확산시킴으로써 PN접합이 형성되고, 여기에 입사되는 태양빛의 반사손실을 줄이기 위하여 반사방지막을 코팅하고, 이렇게 구성된 웨이퍼의 전면 N층에 Ag 전극을 형성하고, 후면 P층에 Ag와 Al전극을 형성함으로써 구성된다. 전면 전극으로 사용되는 은-페이스트는 실리콘의 N-측에 연결되어 전극을 형성하고, 알루미늄 페이스트는 실리콘의 후면, 즉 P층과 연결되어 전극을 형성한다.
실리콘 결정형 태양전지는 일반적으로 두께가 180-220μm인 P형 실리콘 기판을 사용한다. 상기 기판의 전면부에 인 확산 공급원 통상 옥시염화인(POCl3)을 확산 시켜 0.2-0.6μm 두께의 N형 에미터 층을 형성하고, 그 위에 플라즈마 화학증착(CVD)을 통해 반사 방지를 위한 SiNx층이 형성한다. 실리콘 웨이퍼 전면부에는 전면 은 페이스트를 스크린 인쇄를 통해 도포 하고 이를 건조한 후, 적외선 벨트 로(Belt Furnace)에서 고온(800-950℃)의 온도로 수초 또는 수분의 소성 과정을 거쳐 전면 전극을 형성한다. 후면 부에는 알루미늄 전극이 형성되는데, 알루미늄 전극은 알루미늄 페이스트를 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 건조와 소성 과정을 거쳐 형성한다. 또한 후면에 인쇄된 은 또는 은/알루미늄 페이스트도 동시에 소성되어 은 또는 은/ 알루미늄 후면 전극을 형성한다. 이러한 소성과정에서 알루미늄이 P형 실리콘 웨이퍼의 내부로 확산되면서 Al-Si 합금층이 형성된다. 이러한 확산층(P+층)에 의해, 태양전지에서 생성되는 전자의 재결합을 방지하고 생성된 캐리어(Carrier)의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field)가 형성된다.
상기 은 또는 은/알루미늄 페이스트와 관련하여, 대한민국 등록특허 제10-0798255호는 은 입자, 유리 입자 및 유기 비히클을 포함하며, 태양 전지의 규소 기판상의 후면 단자와 접속하기 위한 전극으로 사용되는 전도성 후막 조성물, 특히 은 입자의 평균 입경이 3.0 내지 15.0 ㎛인 전기전도성 페이스트를 개시하고 있다. 그러나, 상기와 같이 큰 사이즈를 갖는 은 입자를 포함하는 후면 전극 페이스트는, 입자들 사이의 내부 공극율이 높아 소성 공정 후에 전극 내부에 공극이 잔존하며, 그에 따라 배선의 저항이 커지게 되는 단점을 갖는다.
또한, 대한민국 등록특허 제10-0890866호는, 후면 알루미늄 전극과의 열팽창 특성을 개선하기 위하여 알루미늄 입자를 포함하는, 은과 알루미늄을 포함하는 전극 페이스트를 개시하고 있다. 그러나 이러한 전극 페이스트는 도전율(Conductivity)이 상대적으로 낮은 알루미늄 입자를 은 페이스트에 첨가함으로써 배선의 저항이 상승하며, 태양전지의 모듈제조 공정에서 리본과의 납땜특성이 저하되는 단점을 갖는다.
본 발명은, 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 후면 전극의 배선 저항을 감소시키고 실리콘 기판과의 밀착성을 향상시킴으로써 태양전지의 효율을 향상시키며, 태양전지 모듈 제조 시 납땜특성도 크게 향상시킬 수 있는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여,
a) 입자의 평균입경(D50)이 0.3㎛ ~ 1.5㎛인 은 분말 65~75 중량%,
b) 글라스 프릿 0.01~10 중량%,
c) 유기 비히클 용액 20~34.8 중량%, 및
d) 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물 0.1~5 중량%를 포함하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물로 형성된 후면 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제공한다.
본 발명의 은 페이스트 조성물은 평균입경인 D50이 0.3㎛ ~ 1.5㎛인 은 입자를 사용함으로써 후면 전극의 내부 공극을 최소화하며 실리콘 기판과의 밀착성도 향상시킨다. 또한, 이와 더불어 3족 원소 화합물을 포함함으로써, 전극 배선의 저항을 감소시키 태양전지의 효율도 향상시킨다.
또한, 본 발명의 은 페이스트 조성물이 알루미늄을 포함하지 않는 경우에는 태양전지 모듈 제조 시 납땜특성도 크게 향상시킨다.
도1은 후면 전계(BSF)층을 갖는 태양전지를 나타낸다.
도2는 P 또는 P+ 타입의 확산층과 후면 전계(BSF)층을 갖는 태양전지를 나타낸다.
도2는 P 또는 P+ 타입의 확산층과 후면 전계(BSF)층을 갖는 태양전지를 나타낸다.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여,
a) 입자의 평균입경(D50)이 0.3㎛ ~ 1.5㎛인 은 분말 65~75 중량%,
b) 글라스 프릿 0.01~10 중량%,
c) 유기 비히클 용액 20~34.8 중량%, 및
d) 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물 0.1~5 중량%를 포함하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 은 페이스트 조성물은 상기와 같은 특정의 평균입경을 갖는 은 분말을 사용하며, 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물을 포함함으로써, 전극 배선의 저항을 최소화하는 특징을 갖는다.
본 발명의 은 페이스트 조성물은 상기 은 분말의 조성비 범위 내에서 알루미늄 분말을 일부 포함하는 것도 가능하나, 태양전지 모듈 제조 시 납땜특성을 향상시키기 위해서는 알루미늄 분말을 포함하지 않는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 은 페이스트 조성물에 포함되는 은 분말은 입자의 평균입경(D50)이 0.3㎛ ~ 1.5㎛인 것이 바람직하다. 은 입자의 D50이 0.3㎛ 미만이 되면 입자의 비표면적이 넓어지므로 페이스트 조성물의 점도가 높아지며, 인쇄성이 저하된다. 또한, 이로 인하여 은 입자의 함량을 높이는데 제한을 받게 된다. 은 입자의 D50이 1.5㎛를 초과하게 되면 페이스트 내의 은 입자의 치밀도가 떨어져 소성공정 후 배선 내부에 공극이 다량 발생하여 배선의 저항이 상승하게 된다.
본 발명에서 은 분말은, 조성물 총 중량에 대하여 65~75 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 65 중량% 미만으로 포함되면 소성 후 인쇄된 은 배선 층이 얇아져서 후면 배선 저항이 증가하고, 납땜특성이 저하되게 되며, 75 중량%를 초과하면 인쇄두께가 너무 두꺼워지고 이로 인하여 실리콘 웨이퍼의 휨이 초래될 수 있다.
본 발명에서 상기 은 입자의 최대 입경(Dmax)은 4.5㎛ 이하인 것이 바람직하며, 은 입자의 형태는 구형 또는 판상형인 것이 사용될 수 있다.
본 발명의 은 페이스트 조성물에 포함되는 글라스 프릿은 조성물 총 중량에 대하여 0.01~10 중량%, 바람직하게는 0.5~7 중량%, 더욱 바람직하게는 1~5 중량%로 포함된다. 글리스프릿이 0.01 중량% 미만으로 포함되면 소성 공정 후, 은 배선의 웨이퍼에 대한 부착력이 저하되는 문제가 발생되고, 10 중량%를 초과하여 포함되면 저항이 높아져 태양전지의 효율이 떨어지는 문제가 발생된다.
상기 글라스 프릿으로는 예컨대, Bi2O3-Al2O3-SiO2-SrO-B2O3계를 들 수 있다. 상기 글라스 프릿의 조성비는 특별히 한정되는 것은 아니지만 Bi2O3 20-30mol%, Al2O3 5-15mol%, SiO2 25-35mol%, SrO 1-10mol% 및 B2O3 20-40mol%를 포함하는 조성을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서 사용되는 글라스 프릿은 연화점이 400~500℃인 것이 바람직하다. 글라스 프릿의 연화점이 400℃ 미만인 경우에는 글라스 프릿의 열팽창계수가 상대적으로 커져서 태양전지 제조 공정 중, 소성공정을 거친 후에 웨이퍼의 휨을 증가시키는 문제가 발생되며, 500℃를 초과하는 경우에는 소성과정에서 글라스 프릿이 용융되어 은 배선층과 실리콘웨이퍼층 사이에서 밀착성을 부여해야 되는데 글라스 프릿이 충분히 용융되지 않아 밀착성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 은 페이스트 조성물에 포함되는 유기 비히클 용액은 조성물 총 중량에 대하여 20~34.8 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 유기 비히클 용액이 20 중량% 미만으로 포함되면 점도가 너무 높아져 인쇄성이 저하되는 문제가 발생되고, 34.8 중량%를 초과하여 포함되면 은 분말 함유량이 낮아져서 충분한 은 배선 층의 두께를 확보하기 어렵다.
상기 유기 비히클 용액은 유기용매에 고분자 수지를 녹여서 제조하며, 필요에 따라, 요변성제, 습윤제, 첨가제 등을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 사용되는 유기 비히클 용액은 용액 총 중량에 대하여, 75 중량% 이상의 용매 및 1~25중량%의 고분자 수지로 구성될 수 있으며, 필요에 따라, 약 5 중량% 이하의 습윤제와 요변성제, 및 1~10 중량% 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 용매로는 인쇄공정 중 페이스트의 건조를 막고 유동성을 조절할 수 있도록 약 150-300℃ 범위의 끊는점을 갖는 용매가 적합하다. 널리 사용되는 용매로는 글리콜 에테르 계열로 트리프로필렌글리콜 메틸에테르, 디프로필렌글리콜 n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜 n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 n-부틸에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 헥실에테르, 에틸렌글리콜 헥실에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 n-부틸에테르, 에틸렌글리콜 페닐에테르, 터피놀, Texanol® 에틸렌글리콜 등을 들 수 있다.
상기 고분자 수지로는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜, 에틸셀룰로오스, 로진, 페놀 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 고분자 수지의 함량은 유기 비히클 용액 총 중량에 대하여 1~25 중량%, 바람직하게는 5~25 중량%가 좋다. 고분자수지의 첨가량이 1 중량% 미만일 경우 페이스트의 인쇄성 및 분산 안정성이 저하되고, 25 중량%를 초과할 경우에는 페이스트가 인쇄되지 않는 문제를 초래 할 수 있다.
상기 요변성제 및 습윤제로는 이 분야에서 일반적으로 사용되는 것을 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 첨가제로는 분산제 등 이 분야에서 일반적으로 사용되는 것을 들 수 있다. 상기 분산제로는 시판되는 계면 활성제를 이용할 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기의 계면 활성제는, 예를 들면, 비이온성 계면활성제로서 알킬 폴리옥시에틸렌에테르, 알킬아릴 폴리옥시에틸렌에테르, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 공중합체와 같은 에테르형; 글리세린에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르, 솔비탄 에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르, 솔비톨 에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르 같은 에스테르에테르형; 폴리에틸렌글리콜지방산에스테르, 글리세린에스테르, 솔비탄에스테르, 프로필렌글리콜에스테르, 슈가에스테르, 알킬폴리글루코시드 같은 에스테르형; 지방산알카놀아미드, 폴리옥시에틸렌지방산아미드, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 아민 옥사이드 같은 함질소형이 있으며; 고분자계 계면활성제로서 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산-말레인산 공중합체, 폴리 12-히드록시스테아린산 등이 있다.
시판되는 상품으로는 하이퍼머(hypermer) KD(Uniqema 제조), AKM 0531(일본유지㈜ 제조), KP(신에쯔 가가꾸 고교㈜ 제조), 폴리플로우 (POLYFLOW)(교에이샤 가가꾸㈜ 제조), 에프톱(EFTOP)(토켐 프로덕츠사 제조), 아사히가드(Asahi guard), 서플론(Surflon)(이상, 아사히 글라스㈜ 제조), 솔스퍼스(SOLSPERSE)(제네까㈜ 제조), EFKA(EFKA 케미칼스사 제조), PB 821(아지노모또㈜ 제조), BYK-111, BYK-184, BYK-185, BYK-2160, Anti-Terra U(BYK사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 분산제는 유기 비히클 용액 총 중량에 대하여 1~10 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1~5 중량%가 좋다.
본 발명의 은 페이스트 조성물에 포함되는 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1~5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 0.1중량% 미만으로 포함되면 전극 배선의 저항을 감소시키고, 태양전지의 효율을 향상시키는데 기여하기 어렵고, 5 중량%를 초과하여 포함되면 불순물의 함량이 높아져서 저항이 높아지고 태양전지 셀의 휨이 발생될 염려가 있다.
상기 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 수화물은 소성시 태양전지 후면의 base층(P-type) 배면에 도핑 되어 P+ 층을 형성하게 된다. 이는 태양광에 의해 생성된 전자-정공쌍(electron hole pair)에서 정공이 배면 전극으로 효과적으로 전달되게 하여 에너지 손실을 줄이고, 직렬저항을 낮게 하는 역할을 한다. 이는 FF(fill factor)를 개선하여 궁극적으로 태양전지 효율이 상승되게 된다.
상기 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물의 구체적인 예로는 B, Ga, In, 또는 Tl의 금속 분말, 3족 원소를 함유하는 금속합금, 3족 원소를 함유하는 유기화합물, 3족 원소를 함유하는 무기화합물, 3족 원소를 함유하는 산화물, 3족 원소를 함유하는 산(acid), 3족 원소를 함유하는 알콕사이드염, 3족 원소를 함유하는 아세테이트염, 3족 원소를 함유하는 유리 등을 들 수 있으며, 더욱 구체적인 예로는 보론 옥사이드(Boron oxide), 트리에틸 보레이트(Triethyl borate) 등을 들 수 있다. 또한, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 변경될 수 있다.
실시예1: 은 페이스트 조성물의 제조
조성물 총 중량에 대하여, 하기 표1의 조성의 글라스 프릿 4.5 중량%, 에틸셀룰로오스를 글리콜 에테르에 용해시킨 유기 비히클 용액 25중량%, 및 3족 원소 화합물로서 보론 옥사이드(Boron oxide) 0.5 중량%를 순차적으로 첨가하고, 자전 및 공전을 동시에 수행하는 믹서를 이용하여 1,000rpm에서 3분간 교반을 실시한 후, D50=1.0㎛인 은 분말 70 중량%를 첨가하여 Planetary mixer에서 1시간 동안 교반하고, 3-roll-mill에서 2회 분산시켜서 은 페이스트 조성물을 제조하였다.
| 성분 | Mol% |
| Al2O3 | 6.5% |
| SrO | 5.5% |
| Bi2O3 | 26.0% |
| B2O3 | 30.0% |
| SiO2 | 32.0% |
| Tg (전이점) | 453 |
| 열팽창계수 (10-7/℃) | 77 |
| Tdsp | 507 |
실시예2: 은 페이스트 조성물의 제조
3족 원소 화합물로서 보론 옥사이드 대신 트리에틸 보레이트(Triethyl borate) 0.5 중량%를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트 조성물을 제조하였다.
비교예1: 은 페이스트 조성물의 제조
3족 원소 화합물을 함유하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다.
비교예2: 은 페이스트의 제조
보론 옥사이드(Boron oxide)를 7중량%로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다.
비교예3: 은 페이스트의 제조
D50=4.5㎛인 은 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 은 페이스트를 제조하였다.
시험예: 태양전지의 제조 및 특성 테스트
156X156mm, 200μm 두께의 단결정 웨이퍼에 표면 텍스쳐링 공정을 수행하여 피라미드 높이를 약 4-6μm로 형성시킨 후, 웨이퍼의 N-측 상에 SiNx를 코팅하였다. 이어서, 웨이퍼의 후면에 상기 실시예1~2 및 비교예1~2에서 제조된 페이스트 조성물을 사용하여 각각의 Bus Bar를 인쇄하고 건조시킨 후, 동우화인켐㈜사 알루미늄 전극 페이스트(상품명 : AMP-BL125)를 스크린 인쇄판을 이용하여 도포하고 건조시켰다. 그 후, 전면 SiNx측 상에 은-페이스트를 이용하여 Finger Line을 인쇄하고 건조하였다.
상기 과정을 거친 실리콘 웨이퍼를 적외선 연속 소성로에서 소성영역의 온도가 720~900℃가 되도록 소성하여 태양전지를 제조하였다.
상기 소성공정은 상기 실리콘 웨이퍼를 벨트 로(Belt Furnace) 내로 통과 시키면서 전후면 동시 소성에 의해 수행될 수도 있다. 이때, 벨트 로(Belt Furnace)는 약 600℃의 Burn-out 구간과 800~950℃ 부근의 Firing 구간을 포함하며, 페이스트 조성물 내 유기물을 태워 없앤 후, 전후면 은과 알루미늄을 용융시켜서 전극이 형성되게 한다.
소성 후 전지 납땜 특성을 파악하기 위하여 구리에 96.5Sn/ 3.5Ag조성이 코팅된 재질의 리본과 62Sn/36Pb/2Ag의 조성으로 코팅된 2가지 재질의 리본을 이용하여 납땜 특성을 평가하였다. Pb-함유(62Sn/36Pb/2Ag) 납땜을 위한 납땜 온도는 230℃였고, Pb-무함유(96.5Sn/3.5Ag) 납땜을 위한 납땜온도는 320℃였으며, 납땜 시간은 5 내지 7초였다. 사용된 플럭스는 MF200이었다
상기 납땜 후, 전지의 표면에 대해 90°의 각도로 리본을 잡아당겨서 접착 강도를 측정하였다.
<접착강도 평가 기준>
불량: 200 g 미만의 접착 강도
양호: 200 g 이상의 접착 강도
<휘어짐에 대한 평가 기준>
NG: 2mm 초과
양호: 2mm 이하
태양전지의 효율은 FitTech사의 태양전지 성능 평가 장치인 SCM-1000을 이용하여 평가하고, 그 결과를 하기 표2에 나타내었다.
| 실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | 비교예 2 | 비교예 3 | |||
| 보론옥사이드 | 0.5 | 7 | 0.5 | ||||
| 트리에틸 보레이트 | 0.5 | ||||||
| 은 분말 | D50=1.0um | 70 | 70 | 70 | 70 | ||
| D50=4.5um | 70 | ||||||
| 직렬 저항(ohm) | 0.00682 | 0.00684 | 0.00706 | 0.00733 | 0.00699 | ||
| 태양전지 효율(%) | 17.7 | 17.7 | 17.5 | 17.4 | 17.6 | ||
| 휘어짐 | 양호 | 양호 | 양호 | NG | 양호 | ||
| 납땜특성 | 62Sn/36Pb/2Ag | 356 | 345 | 330 | 375 | 352 | |
| 96.5Sn/ 3.5Ag | 284 | 275 | 255 | 289 | 281 | ||
상기 표2에서 확인되는 바와 같이, 본 발명의 실시예1의 은 페이스트 조성물은 배선 저항, 태양전지의 효율, 휘어짐 및 납땜특성의 모든 조사항목에서 비교예1 내지 3의 페이스트 조성물보다 우수한 특성을 나타냈다. 비교예3의 페이스트 조성물의 경우는, 휘어짐 및 납땜특성에서는 우수한 특성을 나타냈으나, 평균입경이 큰 은 입자가 사용된 것에 기인하여 배선 저항 및 태양전지의 효율은 좋지 않았다.
100: P-타입 실리콘 기판
101: N-타입 확산층
102: 질화규소막
110: 전면 은 페이스트 전극
111: 후면 은 페이스트 전극
112: 후면 알루미늄 페이스트 전극
200: P+층(후면 전계, BSF)
210: N+ 타입
220: P 또는 P+ 타입 확산층
101: N-타입 확산층
102: 질화규소막
110: 전면 은 페이스트 전극
111: 후면 은 페이스트 전극
112: 후면 알루미늄 페이스트 전극
200: P+층(후면 전계, BSF)
210: N+ 타입
220: P 또는 P+ 타입 확산층
Claims (9)
- 조성물 총 중량에 대하여,
a) 입자의 평균입경(D50)이 0.3㎛ ~ 1.5㎛인 은 분말 65~75 중량%,
b) 글라스 프릿 0.01~10 중량%,
c) 유기 비히클 용액 20~34.8 중량%, 및
d) 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물 0.1~5 중량%를 포함하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물. - 청구항 1에 있어서, 상기 은 입자의 최대 입경(Dmax)은 4.5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 은 입자의 형태는 구형 또는 판상형인 것을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 글라스 프릿은 Bi2O3-Al2O3-SiO2-SrO-B2O3계 글라스 프릿인 것을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물.
- 청구항 4에 있어서, 상기 글라스 프릿은 Bi2O3 20-30mol%, Al2O3 5-15mol%, SiO2 25-35mol%, SrO 1-10mol% 및 B2O3 20-40mol%를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물.
- 청구항 4에 있어서, 상기 글라스 프릿의 연화점은 400~500℃인 것을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물은 B, Ga, In 또는 Tl의 금속 분말, 3족 원소를 함유하는 금속합금, 3족 원소를 함유하는 유기화합물, 3족 원소를 함유하는 무기화합물, 3족 원소를 함유하는 산화물, 3족 원소를 함유하는 산(acid), 3족 원소를 함유하는 알콕사이드염, 3족 원소를 함유하는 아세테이트염 및 3족 원소를 함유하는 유리로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물.
- 청구항 7에 있어서, 상기 3족 원소 또는 3족 원소를 포함하는 화합물, 또는 이들의 염 또는 이들의 수화물이 보론 옥사이드(Boron oxide) 및 트리에틸 보레이트(Triethyl borate) 중에서 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물.
- 청구항 1의 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물로 형성된 후면 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
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|---|---|---|---|
| KR1020100041017A KR20110121427A (ko) | 2010-04-30 | 2010-04-30 | 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물 |
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| KR1020100041017A KR20110121427A (ko) | 2010-04-30 | 2010-04-30 | 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=45392320
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR20110121427A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013058417A1 (ko) * | 2011-10-18 | 2013-04-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 태양전지 후면 전극용 은 페이스트 조성물 (1) |
| KR20130063265A (ko) * | 2011-12-06 | 2013-06-14 | 주식회사 엘지화학 | 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 제조방법 및 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| CN103295662A (zh) * | 2012-02-28 | 2013-09-11 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
-
2010
- 2010-04-30 KR KR1020100041017A patent/KR20110121427A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20130063265A (ko) * | 2011-12-06 | 2013-06-14 | 주식회사 엘지화학 | 은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 제조방법 및 실리콘 태양전지의 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |