KR20110051451A - 신규한 유리 조성물, 상기 유리 조성물로 제조되는 글라스 프릿, 및 상기 글라스 프릿을 포함하는 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 신규한 유리 조성물, 상기 유리 조성물로 제조되는 글라스 프릿, 및 상기 글라스 프릿을 포함하는 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트에 관한 것이다. 상기 유리 조성물로 제조되는 글라스 프릿은 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트 조성물에 포함되는 경우 매우 우수한 효과를 제공한다. 즉, 상기 글라스 프릿을 포함하는 알루미늄 페이스트 조성물은 텍스쳐링되어 있는 실리콘 웨이퍼와 알루미늄 페이스트 간의 접촉을 향상시킴으로써 소성 공정 중에 태양전지의 휨이나 알루미늄 후면 전극 층에 대한 알루미늄 기포, 범프(Bump) 및 황변의 발생을 최소화하며, 태양전지의 효율도 향상시킨다.
유리, 글라스 프릿, 태양전지, 알루미늄 페이스트, 전극
Description
유리 조성물, 상기 유리 조성물로 제조되는 글라스 프릿, 및 상기 글라스 프릿을 포함하는 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트에 관한 것이다.
실리콘 결정형 태양전지는 P형 실리콘 웨이퍼 표면에 인(P)을 확산시킴으로써 PN접합이 형성되고, 여기에 입사되는 태양빛의 반사손실을 줄이기 위하여 반사방지막을 코팅하고, 이렇게 구성된 웨이퍼의 전면 N층에 Ag 전극을 형성하고, 후면 P층에 Ag와 Al전극을 형성함으로써 구성된다. 전면 전극으로 사용되는 은-페이스트는 실리콘의 N-측에 연결되어 전극을 형성하고, 알루미늄 페이스트는 실리콘의 후면, 즉 P층과 연결되어 전극을 형성한다.
실리콘 결정형 태양전지는 일반적으로 두께가 180-220μm인 P형 실리콘 기판을 사용한다. 상기 기판의 전면부에는 0.2-0.6μm 두께의 n형 불순물층이 형성되고, 그 위에 반사 방지를 위한 SiNx층과 전면 전극이 형성된다. 후면부에는 알루미 늄 전극이 형성되는데, 알루미늄 전극은 알루미늄 페이스트를 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 이를 건조한 후, 저온(약 600℃)과 고온(800-950℃)의 2단 소성과정을 거쳐 형성된다. 이러한 소성과정에서 알루미늄이 P형 실리콘 웨이퍼의 내부로 확산되면서 Al-Si 합금층이 형성된다. 이러한 확산층(P+층)에 의해, 태양전지에서 생성되는 전자의 재결합을 방지하고 생성된 캐리어(Carrier)의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field)가 형성된다. 이렇게 형성되는 BSF층의 두께 및 균일도에 따라 태양전지의 효율이 좌우되는데 두께가 얇아지면 태양전지의 효율이 저하되고 두꺼워지면 효율이 상승된다.
한편, 최근 태양전지의 비용절감을 도모하기 위하여 실리콘 웨이퍼의 기판을 얇게 하는 것이 추세인데, 실리콘 웨이퍼의 두께를 얇게 하면 실리콘 웨이퍼와 알루미늄의 팽창계수 차이로 인하여 웨이퍼의 휨이 발생하며, 그에 따라 웨이퍼 갈라짐 등의 현상도 발생된다.
이러한 문제를 개선하기 위하여, 후면 전극인 알루미늄 전극의 두께를 얇게 형성할 필요가 있으며, 이는 알루미늄 페이스트의 도포량을 줄이는 방법으로 달성될 수 있다. 그러나, 알루미늄 페이스트의 도포량을 줄이게 되면 후면 전계층인 BSF층의 두께가 감소되어 태양전지의 효율이 저하될 뿐만 아니라, 소성공정 중에 전극층에 알루미늄 기포나 범프(Bump)의 발생이 증가하는 문제가 야기된다. 이와 같이 발생된 알루미늄 기포나 돌출부위인 범프(Bump)는 웨이퍼 후면의 평활도를 떨어뜨리며, 그들로 응력이 집중됨에 따라, 태양전지의 제조 공정이나 모듈제조 공정 에서 전지의 깨짐을 야기한다.
소성공정 중에 태양전지의 휨이나 알루미늄 기포의 발생을 감소시키기 위하여 제안된 종래의 기술로는 다음과 같은 것들이 있다. 대한민국 등록특허공보 제10-0825580에는 0.5-10μm 크기의 알루미늄 분말과 유기비히클에 금속알콕사이드를 첨가한 알루미늄 페이스트가 기재되어 있으며, 대한민국 특허공개공보 제10-2008-0068638에는 2-20μm 크기의 알루미늄 분말, 글라스 프릿, 유기 비히클과 더불어 금속 수산화물을 포함하는 알루미늄 페이스트가 기재되어 있으며, 대한민국 특허공개공보 제10-2008-0057230에는 2-20μm 크기의 알루미늄 분말, 글라스 프릿, 유기 비히클과 더불어 가소제를 포함하는 알루미늄 페이스트가 기재되어 있으며, 또한 대한민국 특허공개공보 제10-2008-0104179에는 4-10μm 크기의 알루미늄 입자와 알칼리계 글라스 프릿을 포함하고, 여기에 보론 에톡사이드(Boron Ethoxide), 티타늄 에톡사이드(Titanium Ethoxide), 흄실리카(Fumed silica) 등을 첨가한 알루미늄 페이스트가 기재되어 있다.
그러나 상기 특허문헌들에 소개된 알루미늄 페이스트들은 모두 알루미늄과 글라스 프릿, 유기 비히클 외에 유기 또는 무기 첨가제들을 포함하고 있다. 그런데, 이러한 첨가제들은 페이스트의 소성 과정에서 잔류물로 남거나 공극으로 존재하여 페이스트의 저항을 떨어트릴 뿐만 아니라, 균일도를 저하시켜서 태양전지의 효율에 악영향을 미치는 문제를 야기한다.
본 발명은, 글라스 프릿 등의 제조에 유용하게 사용되는 우수한 접착력을 가지며, 낮은 소성온도를 갖는 신규한 유리 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 유리 조성물로 제조되는 열팽창계수가 낮으며 우수한 접착력을 갖는 글라스 프릿을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 소성 공정 중에 태양전지의 휨이나 알루미늄 후면 전극 층에 대한 알루미늄 기포, 범프(Bump) 및 황변의 발생을 최소화하며, 태양전지의 효율도 향상시키는 상기 글라스 프릿을 포함하는 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은,
Al2O3 0.1-10mol%, BaO 1-10mol%, K2O 0.1-4mol%, Li2O 1-10mol%, Na2O 0.1-5mol%, NiO 0.1-5mol%, ZnO 30-50mol%, B2O3 30-45mol%, P2O5 1-5mol% 및 SiO2 1-10mol%를 포함하는 유리 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은,
상기 유리 조성물로 제조되는 글라스 프릿을 제공한다.
또한, 본 발명은,
조성물 총 중량에 대하여 0.01μm ~ 5μm의 입도분포를 갖는 알루미늄 분말 65 ~ 75 중량%; 본 발명의 글라스 프릿 0.01 ~ 5 중량%; 및 유기 비히클 용액 20 ~ 34.90 중량%를 포함하는 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트를 제공한다.
또한, 본 발명은
상기의 알루미늄 페이스트를 사용하여 후면 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 신규한 유리 조성물은 우수한 접착력을 가지며, 낮은 소성온도를 가지므로 글라스 프릿 등의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 상기와 같은 유리 조성물로 제조된 글라스 프릿은 열팽창계수가 낮으며 우수한 접착력을 갖기 때문에 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트에 포함되는 경우 매우 우수한 효과를 제공한다. 즉, 상기 글라스 프릿을 포함하는 본 발명의 알루미늄 페이스트 조성물은 텍스쳐링되어 있는 실리콘 웨이퍼와 알루미늄 페이스트 간의 접촉을 향상시킴으로써 소성 공정 중에 태양전지의 휨이나 알루미늄 후면 전극 층에 대한 알루미늄 기포, 범프(Bump) 및 황변의 발생을 최소화하며, 태양전지의 효율도 향상시킨다.
본 발명은 Al2O3 0.1-10mol%, BaO 1-10mol%, K2O 0.1-4mol%, Li2O 1-10mol%, Na2O 0.1-5mol%, NiO 0.1-5mol%, ZnO 30-50mol%, B2O3 30-45mol%, P2O5 1-5mol% 및 SiO2 1-10mol%를 포함하는 유리 조성물에 관한 것이다.
상기 유리 조성물은 우수한 접착력을 가지며, 낮은 소성온도를 갖는 특성을 가지기 때문에 글라스 프릿 등의 제조에 유용하게 사용된다.
또한, 본 발명은,
상기 유리 조성물로 제조되는 열팽창계수가 낮으며 우수한 접착력을 갖는 글라스 프릿에 관한 것이다.
상기 글라스 프릿은 예컨대, 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트에 포함되는 경우, 상기 알루미늄 페이스트의 물성을 태양전지 후면 전극에 매우 적합하게 만드는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 0.01μm ~ 5μm의 입도분포를 갖는 알루미늄 분말 65 ~ 75 중량%; 상기 글라스 프릿 0.01 ~ 5 중량%; 및 유기 비히클 용액 20 ~ 34.90 중량% 를 포함하는 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트에 관한 것이다.
본 발명의 알루미늄 페이스트 조성물에 포함되는 글라스 프릿은 Al2O3 0.1-10mol%, BaO 1-10mol%, K2O 0.1-4mol%, Li2O 1-10mol%, Na2O 0.1-5mol%, NiO 0.1-5mol%, ZnO 30-50mol%, B2O3 30-45mol%, P2O5 1-5mol% 및 SiO2 1-10mol%를 포함하는 조성을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 글라스 프릿은 알루미늄 페이스트 조성물 총 중량에 대하여 0.01-5 중량%, 바람직하게는 0.05-3 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1-1 중량%로 포함된다.
본 발명의 알루미늄 페이스트에 있어서, 상기와 같은 성분과 조성비를 갖는 글라스 프릿이 상기의 함량범위로 포함되는 경우, 텍스쳐링되어 있는 실리콘 웨이퍼와 알루미늄 페이스트 간의 접촉 향상, 소성 공정 중에 태양전지의 휨이나 알루미늄 후면 전극 층에 대한 알루미늄 기포, 범프(Bump) 및 황변의 발생 방지, 및 태양전지의 효율 향상 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명에서 사용되는 글라스 프릿은 연화점이 400~600℃인 것이 바람직하다. 글라스 프릿의 연화점이 400℃ 미만인 경우에는 글라스 프릿의 열팽창계수가 상대적으로 커져 이로 인해 태양전지 제조 공정 중 소성공정을 거친 후 웨이퍼의 휨을 증가시키는 문제가 발생하며, 600℃를 초과하는 경우에는 소성과정에서 글라스 프릿이 용융되어 알루미늄 층과 실리콘웨이퍼층 사이에서 밀착성을 부여해야 되는데 글라스 프릿이 충분히 용융되지 않아 밀착성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 페이스트 조성물에 포함되는 알루미늄 분말은 입도분포가 0.01μm-5μm인 것을 사용한다.
일반적으로 실리콘 태양전지의 경우 태양빛의 수광면적을 넓히기 위하여 앞뒤 표면을 텍스쳐링(texturing) 하게 된다. 일반적으로 단결정 텍스쳐링의 형태는 피라미드 형태의 구조를 갖게 되는데 이러한 피라미드 구조의 높이는 2 μm~15μm / 폭은 2μm~20μm 내외로 형성된다. 또한 다결정 실리콘 텍스쳐링은 불규칙한 미로형태를 가지게 된다. 이러한 구조를 가지는 실리콘 웨이퍼상에 알루미늄 페이스트를 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄 또는 옵셋인쇄를 통해 후면 알루미늄 페이스트를 인쇄하고 건조한 후, 소성 공정을 거쳐 알루미늄 전극을 형성하게 된다. 이러한 공정에서 알루미늄 입자의 크기가 너무 크게 되면 알루미늄 페이스트와 실리콘 웨이퍼와의 접촉이 잘 이루어지지 않고, 인쇄 및 건조 후에 페이스트와 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 구조 사이에 공극이 형성되게 된다. 이러한 공극은 소성과정을 진행하는 동안 알루미늄 페이스트층을 통과하여 알루미늄 전극 표면으로 분출되는데, 이러한 과정과 동반하여 알루미늄의 범프(bump)와 기포가 발생하게 된다. 따라서 페이스트에 포함되는 알루미늄 분말의 입도분포는 0.01μm ~ 5μm의 범위가 바람직하다. 입도가 0.01μm 미만인 경우에는 인쇄 후 소성공정에서 알루미늄 범프가 발생하고, 웨이퍼 휨이 커지는 문제가 있고, 5μm를 초과하는 입자가 포함되면 입자의 충진율이 떨어고, 이로 인해 효율이 저하되는 문제가 발생된다
상기와 같은 범위의 입도분포를 갖는 알루미늄 분말을 사용하여 페이스트를 제조하게 되면, 웨이퍼의 텍스쳐링 구조 사이에 깊숙이 페이스트가 침투할 수 있을 뿐만 아니라 페이스트 내의 공극률도 감소된다. 따라서, 후면 BSF층이 균일하게 형성되고 알루미늄 전극의 저항도 낮아지며, 웨이퍼의 휨도 억제된다. 그러므로, 상기와 같은 알루미늄 분말을 사용하여 제조되는 태양전지는 최대출력전류(Isc)가 상승되고 효율도 증가된다. 또한, 소성공정 후 알루미늄 전극에서 발생하는 황변 현상이 방지되는 효과도 얻을 수 있다.
본 발명의 알루미늄 페이스트에 있어서 상기 알루미늄 분말은 65 ~ 75 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 65 중량% 미만으로 포함되면 소성 후 인쇄된 알루미늄 층이 얇아져 후면 BSF층이 충분히 형성되지 않아 효율이 떨어지는 문제가 발생하며, 75 중량%를 초과하면 인쇄두께가 너무 두꺼워지고 이로 인해 실리콘 웨이퍼의 휨을 초래할 수 있다.
본 발명의 페이스트는 조성물 총 중량에 대하여 20~34.90 중량%의 유기 비히클 용액을 포함하는 것이 바람직하며, 상기 유기 비히클 용액은 유기용매에 고분자 수지를 녹여서 제조하며, 필요에 따라, 요변성제, 습윤제, 첨가제 등을 포함할 수 있다.
본 발명에 사용되는 유기 비히클 용액은 용액 총 중량에 대하여, 65 중량% 이상의 용매, 1-30 중량%의 고분자 수지, 약 5 중량% 이하의 습윤제와 요변성제, 및 1~10 중량%의 첨가제를 포함할 수 있다.
상기 용매로는 인쇄공정 중 페이스트의 건조를 막고 유동성을 조절할 수 있 도록 약 150-300℃ 범위의 끊는점을 갖는 용매가 적합하다. 널리 사용되는 용매로는 글리콜 에테르 계열로 트리프로필렌글리콜 메틸에테르, 디프로필렌글리콜 n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜 n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 n-부틸에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 헥실에테르, 에틸렌글리콜 헥실에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 n-부틸에테르, 에틸렌글리콜 페닐에테르, 터피놀, Texanol®, 에틸렌글리콜 등을 들 수 있다.
상기 고분자 수지로는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜, 에틸셀룰로오스, 로진, 페놀 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 고분자 수지의 함량은 유기 비히클 용액 총 중량에 대하여 1-30 중량%, 바람직하게는 5-25 중량%가 좋다. 고분자수지의 첨가량이 1 중량% 미만일 경우 페이스트의 인쇄성 및 분산 안정성이 저하되고, 30 중량%를 초과할 경우에는 페이스트가 인쇄되지 않는 문제를 초래 할 수 있다.
상기 요변성제 및 습윤제로는 이 분야에서 일반적으로 사용되는 것을 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 첨가제로는 분산제 등 이 분야에서 일반적으로 사용되는 것을 들 수 있다. 상기 분산제로는 시판되는 계면 활성제를 이용할 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기의 계면 활성제는, 예를 들면, 비이온성 계면활성제로서 알킬 폴리옥시에틸렌에테르, 알킬아릴 폴리옥시에틸 렌에테르, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 공중합체와 같은 에테르형; 글리세린에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르, 솔비탄 에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르, 솔비톨 에스테르의 폴리옥시에틸렌에테르 같은 에스테르에테르형; 폴리에틸렌글리콜지방산에스테르, 글리세린에스테르, 솔비탄에스테르, 프로필렌글리콜에스테르, 슈가에스테르, 알킬폴리글루코시드 같은 에스테르형; 지방산알카놀아미드, 폴리옥시에틸렌지방산아미드, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 아민 옥사이드 같은 함질소형이 있으며; 고분자계 계면활성제로서 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산-말레인산 공중합체, 폴리 12-히드록시스테아린산 등이 있다.
시판되는 상품으로는 하이퍼머(hypermer) KD(Uniqema 제조), AKM 0531(일본유지㈜ 제조), KP(신에쯔 가가꾸 고교㈜ 제조), 폴리플로우(POLYFLOW)(교에이샤 가가꾸㈜ 제조), 에프톱(EFTOP)(토켐 프로덕츠사 제조), 아사히가드(Asahi guard), 서플론(Surflon)(이상, 아사히 글라스㈜ 제조), 솔스퍼스(SOLSPERSE)(제네까㈜ 제조), EFKA(EFKA 케미칼스사 제조), PB 821(아지노모또㈜ 제조), BYK-184, BYK-185, BYK-2160, Anti-Terra U(BYK사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 분산제는 유기 비히클 용액 총 중량에 대하여 1~10중량%이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1~5중량%가 좋다.
본 발명에 따른 페이스트의 제조는 자전과 공전을 동시에 수행하는 플래너리 믹서를 이용하여 쉽게 제조될 수 있다. 즉, 상기에서 언급된 성분들을 해당 조성비에 따라 플래너리 믹서 용기에 넣고 교반을 실시하여 고형분과 유기 비히클 용 액을 적절히 혼합 및 분산키켜 제조 할 수 있다. 이렇게 제조된 페이스트의 점도는 25℃에서 부룩필드(Brookfield) HBDV-III Ultra Rheometer, 스핀들 CPE-52로 측정했을 때, 5rpm에서 20,000~200,000cps이다. 바람직하게는 40,000~100,000cps 범위로 제조되는 것이 좋다.
본 발명의 유리 조성물은 공지된 방법으로, 예를 들면, 조성물의 구성성분을 블렌딩(blending)하고, 용융시켜서 목적하는 조성을 갖는 용융 유리를 형성시키는 방법으로 제조될 수 있으며, 이러한 용융 유리는 필요에 따라, 다양한 형태로 제조될 수 있다. 예컨대, 상기 제조된 용융 유리는 공지된 방법으로 급냉시켜서 유리 플레이크 형태로 제조될 수 있다.
본 발명의 글라스 프릿은 공지된 방법으로 예컨대, 상기에서 제조된 유리 플레이크를 분쇄하고, 열처리 등의 필요한 후처리를 하여 침상, 구형 등 다양한 형태로 제조될 수 있다.
또한, 본 발명은
상기 알루미늄 페이스트를 사용하여 후면 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법을 제공한다.
상기 방법에 의하여 제조된 태양전지는 휨이나 전극 층에 알루미늄 기포 및 범프(Bump)의 발생이 최소화되어, Isc 및 Voc 값이 향상될 뿐만 아니라 태양전지의 효율도 획기적으로 향상된다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예1: 알루미늄 페이스트의 제조
입도분포가 0.04 ~ 5μm인 알루미늄 분말 70 중량%, 하기 표 1의 조성의 글라스 프릿 0.5 중량%, 에틸셀룰로오스를 글리콜 에테르에 녹여 용해시킨 유기 비히클 용액 29.5 중량%를 순차적으로 첨가 한 후, 자전 및 공전을 동시에 수행하는 믹서를 이용하여 1,000rpm에서 3분간 교반을 실시하여 알루미늄 페이스트를 제조하였다.
| 성분 | mol% |
| Al2O3 | 3.68% |
| BaO | 4.19% |
| K2O | 0.73% |
| Li2O | 4.64% |
| Na2O | 0.58% |
| NiO | 0.50% |
| ZnO | 38.18% |
| B2O3 | 37.66% |
| SiO2 | 6.06% |
| P2O5 | 3.78% |
시험예: 태양전지의 제조 및 특성 테스트
156X156mm, 200μm 두께의 단결정 웨이퍼에 표면 텍스쳐링 공정을 수행하여 피라미드 높이가 약 4-6μm로 형성된 후, 웨이퍼의 N-측 상에 SiNx를 코팅하였다. 이어서, 웨이퍼의 후면에 은-페이스트를 이용하여 Bus Bar를 인쇄 한 후 건조시킨 후, 상기 실시예에 예시된 페이스트를 250mesh의 스크린 인쇄판을 이용하여 도포하고 건조 시켰다. 도포량은 건조전에 1.5±0.1g이 되도록 인쇄한 후 건조시키고, 전면 SiNx측 상에 은-페이스트를 이용하여 Finger Line을 인쇄하고 건조하였다.
상기 과정을 거친 실리콘 웨이퍼를 적외선 연속 소성로에서 소성영역의 온도가 720 - 900℃가 되도록 하여 소성하여 태양전지를 제조하였다.
상기 소성공정은 상기 실리콘 웨이퍼를 벨트 로(Belt Furnace) 내로 통과 시키면서 전후면 동시 소성으로 수행될 수도 있다. 이때, 벨트 로(Belt Furnace)는 약 600℃의 Burn-out 구간과 800~950℃ 부근의 Firing 구간을 포함하며, 페이스트 내 유기물을 태워 없앤 후, 전후면 은과 알루미늄을 용융시켜서 전극이 형성되게 한다.
상기에서 제조된 태양전지의 네모서리를 바닥면과 일치시킨 후, 중앙부의 들뜸정도를 측정하여 태양전지의 휘어짐 정도를 평가하였다. 또한, 후면 알루미늄 전극 부위의 범프(bump)의 발생은 육안으로 관찰하여 개수를 카운트 하였다. 태양전지의 효율은 FitTech사의 태양전지 성능 평가 장치인 SCM-1000을 이용하여 평가하였다. 상기 시험 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 휨현상 | Bump수 | 황변현상 | 효율(%) | |
| 실시예1 | 0.3~0.5mm | 0 개 | 없음 | 16.56% |
Claims (5)
- Al2O3 0.1-10mol%, BaO 1-10mol%, K2O 0.1-4mol%, Li2O 1-10mol%, Na2O 0.1-5mol%, NiO 0.1-5mol%, ZnO 30-50mol%, B2O3 30-45mol%, P2O5 1-5mol% 및 SiO2 1-10mol%를 포함하는 유리 조성물.
- 청구항 1의 유리 조성물로 제조되는 글라스 프릿.
- 조성물 총 중량에 대하여 0.01μm ~ 5μm의 입도분포를 갖는 알루미늄 분말 65 ~ 75 중량%; 상기 청구항 2의 글라스 프릿 0.01 ~ 5 중량%; 및 유기 비히클 용액 20 ~ 34.90 중량%를 포함하는 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트.
- 청구항 3에 있어서, 상기 글라스 프릿의 연화점이 400~600℃인 것을 특징으로 하는 태양전지 후면 전극용 알루미늄 페이스트.
- 청구항 3의 알루미늄 페이스트를 사용하여 후면 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
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|---|---|---|---|
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| KR1020090108036A KR20110051451A (ko) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 신규한 유리 조성물, 상기 유리 조성물로 제조되는 글라스 프릿, 및 상기 글라스 프릿을 포함하는 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트 |
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| KR (1) | KR20110051451A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101159787B1 (ko) * | 2010-09-08 | 2012-06-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | ＺｎＯ계 글래스 프릿 조성물 및 이를 이용한 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트 조성물 |
| KR20190048429A (ko) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이에 포함되는 유리 프릿, 그리고 태양 전지 |
| KR20200066067A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 태양 전지 |
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2009
- 2009-11-10 KR KR1020090108036A patent/KR20110051451A/ko not_active Application Discontinuation
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