KR20110107749A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20110107749A
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마사히사 오쿠노
아츠시 우메카와
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

본 발명은 일정한 전자파 전력을 공급하고, 균일한 가열을 가능하게 하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼를 처리하는 처리실과, 처리실 내에 설치되어 웨이퍼를 보지하는 보트와, 보트에 보지된 웨이퍼보다도 하방에 설치되어, 이 웨이퍼의 이면을 향해서 가스를 도입하는 가스 도입부와, 보트에 보지된 웨이퍼보다도 상방에 설치되어, 전자파를 도입하는 도파구를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
전자파(예컨대, 고정 마이크로파 또는 가변 주파수 마이크로파 등)를 이용하여, 웨이퍼를 가열 처리하는 기판 처리 장치가 있다.
종래, 이 종류의 기판 처리 장치에는, 전자파가 도입되어 웨이퍼를 처리하는 처리실과, 이 처리실에 가스를 도입하는 가스 도입구와, 이 처리실로부터 가스를 배기하는 가스 배기구가 설치되어 있다. 가스 도입구와 가스 배기구는, 처리실의 상부에 있어서 대각선 상에 위치하도록, 각각 1개씩 설치된 구조로 되어 있다.
그러나, 가스 도입구와 가스 배기구가 처리실의 상부에 위치하고 있으면, 전자파에 의해 가열된 웨이퍼 등으로부터 발생하는 열에 의해 생기는 상승 기류와, 가스 도입구로부터 도입되는 가스가 충돌하여, 웨이퍼 상방(上方)의 기류가 불안정하게 된다.
이 때문에, 가스 도입구로부터 도입되는 가스가 처리실의 전체적으로 널리 퍼지지 않고, 예컨대, 한 곳에 머무르거나, 도입한 가스가 처리실 내 하방(下方)으로 도달하기 어렵거나 하는 등의 문제가 발생하고 있었다.
이와 같이, 처리실 내의 기류가 불안정해지면, 도입 가스에 의한 냉각 효과가 저감된다.
도입 가스에 의한 냉각 효과가 저하되면 처리실의 벽면 등이 고온이 되고, 이 처리실 벽면의 전자파의 반사 효율이 저하한다. 처리실 벽면의 전자파 전력이 저하하면, 처리실 내의 실질적인 전자파 전력이 감쇠하고, 가열 처리의 온도 프로파일이 변화한다.
또한, 전자파 전력의 강약에 의해 온도를 조정하려고 하면, 전력의 로스나, 온도를 안정화시키는 시간의 로스 등의 문제가 생기고, 그 결과, 불균일한 가열이 된다. 예컨대, 이러한 장치를 큐어링과 어닐링을 목적으로 하여 사용한 경우, 불균일하게 가열되는 것으로 인해, 웨이퍼 표면의 일부의 막이 경화해버린다. 막이 경화해버림에 따라, 기판 중의 불순물의 이탈이 곤란해지는 문제가 발생한다.
본 발명은, 일정한 전자파 전력을 공급하여, 균일한 가열을 가능하게 하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 특징은, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실 내에 설치되어 기판을 보지(保持)하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 하방에 설치되어 기판의 이면(裏面)을 향해서 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 상방에 설치되어 전자파가 도입되는 전자파 도입부를 포함하는 기판 처리 장치이다. 따라서, 일정한 전자파 전력을 공급하여, 균일한 가열을 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 제2 특징은, 기판을 처리실 내에 반입하여, 기판 보지부로 보지하는 스텝과, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 하방에 설치되어, 가스를 도입하는 가스 도입부로부터 상기 처리실 내에 가스를 도입하는 스텝과, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 상방에 설치되어, 가스를 배출하는 가스 배출부로부터 상기 처리실 내의 가스를 배출하는 스텝과, 전자파가 상기 처리실 내에 도입되는 스텝을 포함하는 기판 처리 방법이다. 따라서, 일정한 전자파 전력을 공급하여, 균일한 가열을 가능하게 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 일정한 전자파 전력을 공급하여, 균일한 가열을 가능하게 하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 단면 구성도이다.
도 2는 전자파 가열 장치의 사시도이다.
도 3의 (a)는 전자파 가열 장치의 도 1에 있어서의 A-A선 단면도이며, 도 3의 (b)는 전자파 가열 장치의 상면도(上面圖)이다.
도 4는 처리실 내의 도입 가스의 흐름의 모식도이다.
도 5는 기판 처리 장치의 동작의 플로우 챠트이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 전자파 가열 장치의 단면도이다.
<발명을 실시하기 위한 형태>
[제1 실시 형태]
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 구성에 대해서, 도면에 기초하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 단면 구성도이다.
기판 처리 장치(10)는, 전자파 가열 장치(12)를 구비하고 있다. 전자파 가열 장치(12)는, 기판으로서의 웨이퍼(14)를 처리하는 처리실(16)을 내부에 구성하는 처리 용기(18)와, 전자파(예컨대, 고정 마이크로파 또는 가변 주파수 마이크로파 등)를 발생하는 전자파 발생부(20)를 구비한다. 전자파 발생부(20)에서 발생한 전자파는, 도파로(導波路, 22)를 개재하여 도파구(導波口, 24)로부터 처리실(16) 내로 도입된다. 처리실(16) 내에는, 웨이퍼(14)의 온도를 검출하는 온도 검출기(26)가 설치되어 있다. 온도 검출기(26)는, 후술하는 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있다.
처리 용기(18)는, 예컨대 알루미늄(Al)이나 스텐레스(SUS) 등 금속 재료에 의해 구성되어 있고, 처리실(16)을 전자파적으로 닫는 구조로 되어 있다.
전자파 발생부(20)로서는, 예컨대 마이크로트론 등이 이용된다.
처리실(16) 내에는, 웨이퍼(14)를 보지하는 기판 보지부로서의 보트(30)가 설치되어 있다. 보트(30)에는, 예컨대 석영 또는 테프론(등록 상표) 등으로 이루어지는 복수(본 실시 형태에 있어서는 3개)의 기둥(32)이 설치되어 있다. 기둥(32)에는 각각 웨이퍼(14)를 재치(載置)하는 재치홈(34)이 설치되어 있고, 이 재치홈(34)을 사이에 둔 상하의 위치에 링 형상으로 형성된 반사판(36, 38)이 설치되어 있다. 반사판(36, 38)은 전자파를 반사한다.
보트(30)는, 보지한 웨이퍼(14)의 중심과 처리실(16)의 중심이 수직 방향으로 거의 일치하게 설치되어 있다.
전자파를 처리실(16) 내에 공급하는 도파구(24)는, 이 보트(30)에 보지된 웨이퍼(14)보다도 상방에 설치되어 있다. 이러한 구성으로 하여 웨이퍼(14)와 도파구(24)를 소정 거리로 유지하는 것으로, 본 구성을 갖지 않는 경우와 비교하여, 웨이퍼(14)의 가열 상황의 차이를 억제할 수 있다. 즉, 리플렉터[균일하게 마이크로파를 조사(照射)하기 위한 반사판] 등을 사용하지 않고, 웨이퍼(14)에 과잉 가열되는 부분이나, 가열되지 않는 부분이 생기는 것을 방지할 수 있다.
처리 용기(18)의 하부에는, 예컨대 질소(N2) 등의 가스를 도입하는 가스 도입부(40)가 설치되어 있다. 가스 도입부(40)에는, 밸브(V1)가 설치되어 있고, 이 밸브(V1)를 열면, 처리실(16) 내에 가스 도입부(40)로부터 가스가 도입되도록 되어 있다. 가스 도입부(40)로부터 도입되는 가스(이하, 도입 가스라고 칭하는 경우가 있다)는, 웨이퍼(14)나 후술하는 벽면(52)을 냉각하거나, 퍼지 가스로서 처리실(16) 내의 가스를 밀어내거나 하는데도 이용된다.
처리 용기(18)의 상부에는, 도입 가스를 배기하는 가스 배출부(42)가 4개 설치되어 있다(도 2 참조). 4개의 가스 배출부(42) 각각에는, 밸브(V2)가 설치되어 있고, 이 밸브(V2)를 열면, 처리실(16) 내의 가스가 가스 배출부(42)로부터 배출되도록 되어 있다.
처리 용기(18)의 벽면(52)에는, 이 벽면(52)을 냉각하는 냉각판(54)이 설치되어 있다. 냉각판(54)에는 냉각수가 공급되어 있고, 예컨대 처리 과정에 있어서, 웨이퍼(14)로부터의 방사열이나 가열된 가스 등에 의해 벽면(52)이 온도 상승하는 것을 억제할 수 있는 구조로 되어 있다. 이에 의해, 온도 상승에 따른 벽면(52)의 전자파 반사 효율의 저하를 억제할 수 있다. 벽면(52)의 온도를 일정하게 하는 것으로, 벽면(52)의 전자파 반사 효율을 일정하게 하고, 나아가서는, 실질적인 전자파 전력을 안정되게 하는 것이 가능해진다.
처리 용기(18)의 벽면(52)의 일 측면에는, 처리실(16)의 내외(內外)에 웨이퍼(14)를 반송하기 위한 웨이퍼 반송구(60)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송구(60)에는, 게이트 밸브(62)가 설치되어 있고, 이 게이트 밸브(62)를 여는 것에 의해, 처리실(16) 내와 반송실(예비실, 70) 내가 연통하도록 구성되어 있다. 반송실(70)은 밀폐 용기(72) 내에 형성되어 있다.
게이트 밸브(62)와 웨이퍼 반송구(60)의 접촉 부분에는, 씰 재(材)로서의 비금속제의 개스킷(도전성 O링, 64)이 설치되어 있다. 이 때문에, 게이트 밸브(62)와 웨이퍼 반송구(60)의 접촉 부분은 밀폐되고, 처리실(16)로부터 전자파가 누설되지 않도록 되어 있다. 또한, 도전성 O링(64)을 설치하는 것으로, 웨이퍼 반송구(60)와 게이트 밸브(62)의 사이에의 금속적인 접촉을 완화하고, 먼지의 발생이나, 금속에 의한 오염 등이 억제된다.
반송실(70) 내에는, 웨이퍼(14)를 반송하는 반송 로봇(74)이 설치되어 있다. 반송 로봇(74)에는, 웨이퍼(14)를 반송할 때에 웨이퍼(14)를 지지하는 반송 암(74a)이 구비되어 있다. 게이트 밸브(62)를 여는 것에 의해, 반송 로봇(74)에 의해 처리실(16) 내와 반송실(70)의 사이에, 웨이퍼(14)를 반송하는 것이 가능하도록 구성되어 있다. 처리실(16) 내에 반송된 웨이퍼(14)는 재치홈(34)에 재치된다.
예컨대, 처리실(16) 내에 있어서의 웨이퍼(14)의 재치 부분[재치홈(34)]의 높이를 반송 암(74a)의 높이에 맞춰서 조정하는 것으로, 반송 암(74a)의 수평 방향으로의 이동만으로, 웨이퍼(14)의 처리실(16) 내와 반송실(70)내 사이로의 반송이 가능해진다. 즉, 보트(30) 등을 승강시키는 기구를 설치하지 않고, 구성을 간략화할 수 있다.
그 다음, 전자파 가열 장치(12)에 대해서, 보다 상세하게 설명한다.
도 2는, 전자파 가열 장치(12)의 사시도를 도시한다. 도 3의 (a)는 전자파 가열 장치(12)의 도 1에 있어서의 A-A선[도파구(24)와 보트(30) 사이의 높이] 단면도를 도시하고, 도 3의 (b)는 전자파 가열 장치(12)의 상면도를 도시한다.
보트(30)의 기둥(32)은, 예컨대 석영이나 테프론 등에 의해 구성되어 있기 때문에, 전자파를 투과시키게 되어 있다. 이에 의해, 본 구성을 갖지 않는 경우와 비교하여, 효과적으로 웨이퍼(14) 전체에 전자파가 조사된다.
반사판(36, 38)은, 전자파를 반사하는 재료(예컨대 금속)로 구성되고, 그 외경(外徑)이 웨이퍼(14)의 외경보다도 크고, 그 내경(內徑)이 웨이퍼(14)의 외경보다도 작다. 즉, 도 3의 (a)에 도시되는 바와 같이, 반사판(36,38)의 외주부[外周部(36a, 38a)]는, 웨이퍼(14)의 외주부(14a)보다도 반경(半徑) 방향에 대하여 외측에 있고, 반사판(36, 38)의 내주부[內周部(36b, 38b)]는, 웨이퍼(14)의 외주부(14a)보다도 반경방향에 대하여 내측에 있다. 이 때문에, 재치홈(34)에 재치된 웨이퍼(14)의 단부 [端部, 외주부(14a) 근방]는, 수직 방향으로 반사판(36, 38)과 중첩되도록 되어 있다.
여기서, 전자파에 의한 가열에 있어서는, 피가열물(被加熱物)에 단면(端面)이나 돌기 등이 있을 경우, 그 부분에 전자파 에너지로 발생하는 전계가 집중하는 경향(단면 효과)이 있어, 그에 의해 피가열물이 불균일하게 가열될 수 있다. 그 때문에, 본 실시 형태와 같이, 반사판(36, 38)을 웨이퍼(14)의 단부와 수직 방향으로 중첩하여 설치하는 것으로, 이 반사판(36, 38)에 의해 전자파를 반사하여, 웨이퍼(14)의 단부에 조사되는 전자파를 조정할 수 있다. 이 때문에, 전자파의 단면 효과에 의해 웨이퍼(14)의 단부가 과도하게 가열되는[웨이퍼(14)가 불균일하게 가열되는) 것을 방지하여, 그 결과, 웨이퍼(14)를 균일하게 가열할 수 있다.
반사판(36, 38)은, 웨이퍼(14)와의 중첩이, 웨이퍼(14)의 외주부(14a)로부터 5∼8mm의 범위가 되도록 설치되어 있다. 즉, 반사판(36, 38)의 내주부(36b, 38b)에 대한 반경은, 웨이퍼(14)의 반경보다도 5∼8mm 작아져 있다. 이 중첩이 5mm미만이면, 단면 효과에 의한 불균일한 가열을 방지하는 효과가 약해진다. 또한, 이 중첩이 8mm보다 커지면, 웨이퍼(14)가 반사판(36, 38)으로 덮히는 부분이 증가하기 때문에, 웨이퍼(14)에 대한 가열 작용이 약해진다.
반사판(36, 38)은 각각, 웨이퍼(14)로부터의 수직 방향에 대한 거리가, 150mm미만의 범위가 되도록 배치되어 있다. 이 거리가 150mm이상이 되면, 단면 효과에 의한 불균일한 가열을 방지하는 효과가 약해진다. 반사판(36, 38)이 각각, 웨이퍼(14)의 반송을 저해하지 않는 범위에서 가장 근접하는 위치에 설치되어 있는 경우, 그보다도 멀리 배치되어 있는 경우와 비교하여, 보다 효과적으로 단면 효과에 의한 불균일한 가열을 방지할 수 있다.
도 3의 (b)에 도시되는 바와 같이, 가스 도입부(40)는, 처리실(16)의 저면의 대략 중심에 설치되어 있고, 가스 배출부(42)는 각각, 예컨대 직방체(直方體)인 처리실(16)의 네 모서리에 설치되어 있다. 또한, 가스 도입부(40)에 가스를 균일하게 확산하는 확산기를 설치하도록 해도 좋다.
가스 배출부(42)는 각각, 수직 방향으로, 웨이퍼(14)의 외주부(14a)보다도 외측에 설치되어 있다. 이 때문에, 가스 배출부(42)에 부착된 불순물의 웨이퍼(14) 상으로의 낙하를 방지할 수 있다.
기판 처리 장치(10)는, 이 기판 처리 장치(10)의 각 구성 부분의 동작을 제어하는 제어부(80)를 포함한다. 제어부(80)는, 전자파 발생부(20), 게이트 밸브(62), 반송 로봇(74), 밸브(V1, V2) 등의 동작을 제어한다.
도 4는, 처리실(16) 내의 도입 가스의 흐름의 모식도를 도시한다. 도입 가스는, 웨이퍼(14)의 이면의 대략 중심을 향해서 분사되고, 그 후, 처리실(16) 전체로 퍼져 간다. 웨이퍼(14)는, 도입 가스를 분사하는 것으로 냉각된다. 도입 가스가 웨이퍼(14)의 외주부(14a)로부터 10mm이상 내측의 부분을 향해서 분사되는 경우는, 도입 가스가 웨이퍼(14)의 외주부(14a)로부터 10mm보다도 외측의 부분을 향해서 분사되는 경우와 비교하여, 효율적으로 웨이퍼(14)를 냉각할 수 있다.
처리실(16) 전체에 퍼진 도입 가스는, 처리실(16)의 상부의 네 모서리에서 균등하게 배출되므로, 한 곳에 머무르지 않고 처리실(16) 내를 자연스럽게 흐른다. 이에 의해, 처리실(16) 내의 따뜻해진 가스와 함께, 웨이퍼(14)로부터 발생한 탈 (脫)가스 및 이차적으로 발생하는 부생성 가스를 원활하게 배출할 수 있다. 이 때문에, 처리실(16) 내벽으로의 부생성물의 부착이 억제된다.
처리실(16)의 중심으로부터 외측으로, 동시에, 하방으로부터 상방으로, 도입 가스가 흐르는 구조로 되어 있기 때문에, 웨이퍼(14) 및 처리실(16) 전체를 균일하게 냉각할 수 있다. 또한, 본 구성을 가지지 않는 경우와 비교하여, 효율적으로 처리실(16) 내의 가스를 배출할 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 전자파 가열 장치(12)는, 처리실(16) 내를 효율적으로 냉각할 수 있는 구성으로 되어 있다. 이 때문에, 처리실(16) 내의 고온화에 따른 전자파의 반사 효율의 저하를 방지할 수 있다. 따라서, 처리실(16) 내의 실질적인 전자파 전력의 감쇠가 억제되기 때문에, 일정한 전자파 전력을 계속해서 공급하는 것으로, 안정된 가열이 가능해진다. 특히, 큐어링이나 어닐링을 목적으로 하여 본 장치를 사용한 경우, 균일하고 안정된 가열에 의해, 불순물을 균일하게 이탈하는 것이 가능해진다.
그 다음, 기판 처리 장치(10)의 동작에 대해서 설명한다. 도 5는, 기판 처리 장치(10)의 동작(S10)의 플로우 챠트이다.
스텝 100(S100)에 있어서, 웨이퍼(14)를 처리실(16)로 반입한다. 게이트 밸브(62)를 열어, 처리실(16)과 반송실(70)을 연통시킨다. 그리고, 반송 로봇(74)에 의해 반송실(70) 내로부터 처리실(16) 내에 처리 대상의 웨이퍼(14)를 반송암(74a)으로 지지한 상태에서 반입한다(기판 반입 공정).
스텝 102(S102)에 있어서, 보트(30)로 웨이퍼(14)를 보지한다. 처리실(16) 내에 반입한 웨이퍼(14)는, 기둥(32)의 재치홈(34)에 재치되어 보트(30)에 보지된다. 반송 로봇(74)의 반송암(74a)이 처리실(16) 내로부터 반송실(70) 내로 돌아가면, 게이트 밸브(34)가 닫힌다(기판 재치 공정).
스텝 104(S104)에 있어서, 처리실(16) 내를 질소(N2)분위기로 한다. 가스 배출부(42)로부터 처리실(16) 내의 가스(분위기)를 배출하는 동시에, 가스 도입부(40)로부터 도입 가스로서의 N2을 처리실(16) 내에 도입한다. 이를 소정 시간 수행한 후, 가스의 배출 및 도입을 정지한다(치환 공정).
스텝 106(S106)에 있어서, 웨이퍼(14)를 가열한다. 전자파 발생부(20)에 의해 전자파를 발생시켜, 이것을 도파구(24)로부터 처리실(16) 내로 도입한다. 또한, 냉각판(54)에 냉각수를 공급해 두는 것으로, 벽면(52)의 온도 상승을 억제한다. 소정 시간 전자파를 도입한 후, 전자파의 도입을 정지한다(가열 공정).
가열 공정에 있어서, 온도 검출기(26)에 의해 웨이퍼(14)가 소정 온도보다도 고온이 되어 있는 것이 검출되면, 제어부(80)는 밸브(V1, V2)를 열어 처리실(16) 내에 가스 도입부(40)로부터 N2가스를 도입하는 동시에, 가스 배출부(42)로부터 처리실(16) 내의 N2가스를 배출한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(14)를 소정의 온도가 되도록 냉각한다.
스텝 108(S108)에 있어서, 웨이퍼(14)를 처리실(16)로부터 반출한다. 상술한 기판 반입 공정(S100), 기판 재치 공정(S102)에 나타냈던 순서와는 반대의 순서에 의해, 가열 처리한 후의 웨이퍼(14)를 처리실(16) 내로부터 반송실(70) 내로 반출하고, 기판 처리 장치(10)의 동작을 완료한다.
상기 실시 형태에 있어서는, 가스 배출부(42)를 처리실(16)의 네 모서리에 설치한 구성에 대해서 설명했지만, 이에 한하지 않고, 보트(30)에 보지된 웨이퍼(14)을 중심으로 한 대상 위치에 적어도 2개 설치하도록 해도 좋다. 또한, 가스 배출부(42)를 처리실(16) 상부의 각 구석에 복수 개씩 설치하는(예컨대, 각 모서리에 2개씩 설치하고, 합계 8개 설치한다) 것으로, 배출량을 증대시키도록 해도 좋다.
가스 배출부(42)의 설치 장소는, 적어도 웨이퍼(14)보다 상부인 것이 바람직하고, 가스 배출부(42)를 처리실(16)의 측면에 설치하도록 해도 좋다. 가스 배출부(42)의 형상은, 원형에 한하지 않고, 타원형, 다각형, 봉 형상 등이여도 좋다. 또한, 처리실(16)이 직방체에 한하지 않고, 원형 등이여도 좋다.
상기 실시 형태에 있어서는, 냉각판(54)에 냉각수를 공급하는 구성에 대해서 설명했지만, 이에 한하지 않고, 냉각 구조는, 공냉(空冷) 방식이나 전기 소자를 사용한 냉각 방식 등을 이용해도 좋다.
[제2 실시 형태]
그 다음, 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.
도 5는, 제2 실시 형태에 따른 전자파 가열 장치(12)의 단면도를 도시한다. 제1 실시 형태에 있어서는, 도파구(24)와 게이트 밸브(62)는, 처리 용기(18)의 서로 다른 일 측면에 설치되어 있었던 것에 반하여, 제2 실시 형태에 있어서는, 도파구(24)와 게이트 밸브(62)가 처리 용기(18)의 동일한 일 측면에 설치되어 있다.
도파구(24)를 게이트 밸브(62)와 동일면에 설치하는 것으로, 공간 절약화를 실현할 수 있다. 또한, 도파구(24) 및 게이트 밸브(62)가 설치된 면과 대향하는 면을 전면(全面) 분리할 수 있는 구조로 하는 것으로, 보수성(保守性)을 향상시키는 것이 가능해진다.
[본 발명이 바람직한 형태]
이하, 본 발명이 바람직한 형태에 대해서 부기(付記)한다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실 내에 설치되어 기판을 보지하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 하방에 설치되어, 기판의 이면을 향해서 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 상방에 설치되어, 전자파를 도입하는 전자파 도입부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 기판 보지부는, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 단부와 수직 방향으로 중첩되고, 전자파를 반사하는 링 형상의 반사부를 포함한다.
바람직하게는, 상기 기판 처리 장치에 보지된 기판보다도 상방에 설치되고, 가스를 배출하는 가스 배출부를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 가스 배출부는, 상기 보지부에 보지된 기판과 수직 방향으로 중첩되지 않도록 설치되어 있다.
바람직하게는, 상기 가스 배출부는, 적어도 2개 설치되어 있다.
바람직하게는, 상기 처리실의 벽면을 냉각하는 냉각부를 더 포함한다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 기판을 처리실 내에 반입하여, 기판 보지부에서 보지하는 스텝과, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 하방에 설치되어, 가스를 도입하는 가스 도입부로부터 상기 처리실 내에 가스를 도입하는 스텝과, 상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 상방에 설치되어, 가스를 배출하는 가스 배출부로부터 상기 처리실 내의 가스를 배출하는 스텝과, 전자파를 상기 처리실 내에 도입하는 스텝을 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.
10…기판 처리 장치 12…전자파 가열 장치
14…웨이퍼 16…처리실
18…처리 용기 20…전자파 발생부
22…도파로 24…도파구
26…온도 검출기 30…보트
32…기둥 34…재치홈
36,38…반사판 40…가스 도입부
42…가스 배출부 54…냉각판
62…게이트 밸브 70…반송실

Claims (7)

  1. 기판을 처리하는 처리실;
    상기 처리실 내에 설치되어 기판을 보지(保持)하는 기판 보지부;
    상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 하방(下方)에 설치되어, 기판의 이면(裏面)을 향해서 가스를 도입하는 가스 도입부; 및
    상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 상방(上方)에 설치되어, 전자파가 도입되는 전자파 도입부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보지부는, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 단부(端部)와 수직 방향으로 중첩되고, 전자파를 반사하는 링 형상의 반사부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 상방에 설치되어, 가스를 배출하는 가스 배출부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가스 배출부는, 상기 기판 보지부에 보지된 기판과 수직 방향으로 중첩되지 않도록 설치되어 있는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 가스 배출부는, 적어도 2개 설치되어 있는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 처리실의 벽면을 냉각하는 냉각부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 기판을 처리실 내에 반입하여, 기판 보지부에서 보지하는 스텝;
    상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 하방에 설치되어, 가스를 도입하는 가스 도입부로부터 상기 처리실 내에 가스를 도입하는 스텝;
    상기 기판 보지부에 보지된 기판보다도 상방에 설치되어, 가스를 배출하는 가스 배출부로부터 상기 처리실 내의 가스를 배출하는 스텝; 및
    전자파가 상기 처리실 내에 도입되는 스텝;
    을 포함하는 기판 처리 방법.
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