KR20110096111A - Apparatus and method for chemical vapor deposition thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus and a method thereof are provided to maintain deposition uniformity about a wafer by differently controlling the rotation of the inner side and outer side of a susceptor. CONSTITUTION: A chamber receives a wafer and is equipped with a heater for heating the wafer. An outer revolving susceptor(110) is equipped inside the chamber and revolves the wafer around a driving shaft. An inner revolving susceptor(120) revolves another wafer around the driving shaft. The driving part(150) rotates the outer revolving susceptor and inner revolving susceptor. A gas supply part is located on the upper part of the outer revolving susceptor and inner revolving susceptor and supplies gas to the wafer. The measuring unit measures the temperature or the deposition thickness of the wafer located on the outer revolving susceptor and inner revolving susceptor.

Description

화학기상 증착장치 및 증착방법{apparatus and method for chemical vapor deposition thereof}Chemical vapor deposition apparatus and deposition method

본 발명은 화학기상 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서셉터의 내측과 외측에 위치한 각각의 웨이퍼에 증착이 균일하게 되도록 내측과 외측의 속도를 개별적으로 제어할 수 있는 화학기상 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus and a deposition method, and more particularly, chemical vapor deposition capable of individually controlling the speed of the inside and outside to make uniform deposition on each wafer located inside and outside the susceptor. It relates to an apparatus and a deposition method.

화학기상증착장치는 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 증착하기 위하여 사용되고 있다. 챔버 내부에 공정가스를 가스공급부를 통하여 불어 넣어서 서셉터에 놓인 웨이퍼에 원하는 박막을 증착시키게 된다.Chemical vapor deposition apparatuses are used to deposit thin films on the surface of semiconductor wafers. The process gas is blown through the gas supply into the chamber to deposit the desired thin film on the wafer placed on the susceptor.

박막의 증착에서 웨이퍼 표면에 증착되는 증착 두께는 박막의 품질에 큰 영향을 미친다. 이를 위해 해당 박막을 형성하기 위한 증착 온도유지 및 증착을 위한 공정가스의 균일한 공급 등을 제어하게 된다. 특히 유기금속 화학기상장치(MOCVD)의 경우 증착두께가 이루어져야 고효율의 발광소자를 얻을 수 있다.In the deposition of thin films, the deposition thickness deposited on the wafer surface greatly affects the quality of the thin film. To this end, the deposition temperature is maintained and the uniform supply of process gas for deposition is controlled. In particular, in the case of an organometallic chemical vapor apparatus (MOCVD), a deposition thickness is required to obtain a high efficiency light emitting device.

증착이 웨이퍼의 전 면적에 걸쳐 균일하게 이루어지도록 웨이퍼가 얹힌 서셉터(Susceptor)를 회전시킨다. 이는 웨이퍼의 표면으로 공급되는 공정가스가 웨이퍼의 표면에 균일하게 퍼져 반응이 일어나 증착 두께가 균일하게 되도록 하기 위한 것이다.The susceptor on which the wafer is placed is rotated so that the deposition is made uniform over the entire area of the wafer. This is for the process gas supplied to the surface of the wafer to be uniformly spread on the surface of the wafer so that the reaction occurs and the deposition thickness is uniform.

생산성을 향상시키기 위한 방법으로 보다 큰 크기의 웨이퍼를 증착하거나 많은 개수의 웨이퍼를 처리하고 있다. 그 중 하나의 방법으로는 대한민국 공개특허 제 10-2011-0011269호(2011,02,08)가 개시되어 있다. 이에 따라 증착의 균일도 유지는 더욱 중요해 지고 있으나 종래의 증착에 따르면 서셉터를 기준으로 중심부분에 위치한 웨이퍼와 바깥쪽에 위치한 웨이퍼의 증착 두께가 상이하게 되는 현상이 발생하게 된다.As a way to improve productivity, wafers of larger sizes are deposited or a large number of wafers are processed. As one of them, Korean Patent Publication No. 10-2011-0011269 (2011, 02, 08) is disclosed. Accordingly, maintaining the uniformity of deposition becomes more important, but according to the conventional deposition, a phenomenon occurs in that the deposition thicknesses of the wafer positioned at the center portion and the wafer positioned outside are different from each other based on the susceptor.

이는 공정가스가 공급되는 양이 중심부분과 바깥쪽 부분이 상이하기 때문이며, 보다 고효율 고품질의 박막을 생산하기 위해서는 중심부분에 위치한 웨이퍼의 회전 속도와 바깥쪽에 위치한 웨이퍼의 회전 속도를 개별적으로 제어를 할 필요가 있다.
This is because the amount of process gas supplied is different from the central part and the outer part, and in order to produce a more efficient high quality thin film, the rotational speed of the wafer located in the central part and the rotational speed of the outer wafer are controlled separately. There is a need.

대한민국 공개특허 제 10-2011-0011269호(2011,02,08)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0011269 (2011,02,08)

본 발명의 목적은 웨이퍼에 증착 균일도를 유지하기 위해 서셉터의 내측과 외측의 회전속도를 상이하게 개별적으로 조절할 수 있는 화학기상 증착장치 및 증착방법을 제공하기 위한 것이다.
An object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus and a deposition method that can individually control the rotational speed of the susceptor inside and outside to maintain the deposition uniformity on the wafer.

본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 웨이퍼가 내부에 위치하며, 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터가 구비되는 챔버 및 상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 웨이퍼가 안착되어 구동축을 중심으로 상기 웨이퍼를 공전시키는 외측 공전 서셉터 및 상기 웨이퍼와 다른 웨이퍼가 안착되어 상기 구동축을 중심으로 상기 다른 웨이퍼를 공전시키며, 상기 외측 공정 서셉터의 내측에서 자전하는 내측 공전 서셉터 및 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 적어도 하나 이상의 구동부 및 상기 외측 공전 서셉터 및 상기 내측 공전 서셉터의 상부에 위치하여 상기 웨이퍼에 공정가스를 공급하기 위한 가스공급부 및 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터 상에 각각 위치한 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착 두께를 측정하기 위한 측정부를 포함한다.The chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a chamber in which a wafer is disposed inside, a chamber in which a heater for heating the wafer is provided, and an inside of the chamber, and an outer side of which the wafer is seated to revolve the wafer about a driving shaft. An orbital susceptor and a wafer different from the wafer are seated to orbit the other wafer about the drive shaft, and an inner orbital susceptor that rotates inside the outer process susceptor and the outer orbital susceptor and the inner orbital susceptor At least one driving unit for rotating a gas supply unit and a gas supply unit for supplying a process gas to the wafer at an upper portion of the outer idle susceptor and the inner idle susceptor, and on the outer idle susceptor and the inner idle susceptor. For measuring the temperature or deposition thickness of each wafer located It includes a measuring unit.

상기 구동부에는 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터가 상이한 속도로 제어되도록 변속부를 포함할 수 있다. The driving unit may include a transmission unit such that the outer idle susceptor and the inner idle susceptor are controlled at different speeds.

상기 변속부는 가속 기어 형태일 수 있다.The transmission portion may be in the form of an acceleration gear.

상기 변속부는 감속 기어 형태일 수 있다.The transmission portion may be in the form of a reduction gear.

상기 구동부는 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터의 각각의 속도가 제어되도록 상기 외측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 외측 구동부, 상기 내측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 내측 구동부를 포함할 수 있다.The driving part may include an outer driving part for rotating the outer idle susceptor and an inner driving part for rotating the inner idle susceptor such that respective speeds of the outer idle susceptor and the inner idle susceptor are controlled.

상기 외측 공전 서셉터 또는 상기 내측 공전 서셉터에는 상기 웨이퍼가 안착되어 개별적으로 회전 가능한 자전 서셉터를 포함할 수 있다.The outer idle susceptor or the inner idle susceptor may include a rotating susceptor on which the wafer is seated and is rotatable individually.

상기 측정부는 외측 공전 서셉터, 상기 내측 공전 서셉터 및 상기 자전 서셉터 중 선택된 2개에 위치한 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착 두께를 측정하여 비교할 수 있다. The measurement unit may compare and measure a temperature or a deposition thickness of the wafer located at two selected from an outer idle susceptor, the inner idle susceptor and the rotating susceptor.

상기 가스공급부는 샤워헤드 형태일 수 있다.The gas supply unit may be in the form of a shower head.

상기 가스공급부는 노즐 형태일 수 있다.The gas supply unit may be in the form of a nozzle.

상기 측정부는 파이로미터(pyrometer)일 수 있다.The measuring unit may be a pyrometer.

한편, 본 발명에 따른 화학기상 증착방법은 챔버 내부에 구비되어 웨이퍼를 가열하기 위한 히터를 작동시키고, 상기 웨이퍼가 안착되어 구동축을 중심으로 상기 웨이퍼를 공전시키는 외측 공전 서셉터를 구동부에 의해 회전시키고, 상기 웨이퍼와 다른 웨이퍼가 안착되어 상기 구동축을 중심으로 상기 다른 웨이퍼를 공전시키며, 상기 외측 공전 서셉터의 내측에서 자전하는 내측 공전 서셉터를 회전시키고, 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터에 안착된 상기 웨이퍼에 증착이 되도록 가스공급부를 통해 공정가스를 공급하고, 상기 내측 공전 서셉터와 상기 외측 공전 서셉터 상에 위치한 각각의 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착된 두께를 측정부를 사용하여 측정한다.On the other hand, the chemical vapor deposition method according to the present invention is provided inside the chamber to operate a heater for heating the wafer, the wafer is seated and rotates the outer idle susceptor to revolve the wafer around the drive shaft by the drive unit And the wafer and the other wafer are seated to orbit the other wafer about the driving shaft, and rotate the inner idle susceptor rotating inside the outer idle susceptor, and the outer idle susceptor and the inner idle susceptor. Process gas is supplied through the gas supply unit to be deposited on the wafer seated on the wafer, and the temperature or the thickness of each of the wafers positioned on the inner idle susceptor and the outer idle susceptor is measured using a measuring unit. .

상기 구동부는 하나이며, 상기 구동부에 구비된 변속부를 통해 상기 내측 공전 서셉터와 상기 외측 공전 서셉터를 상이한 속도로 회전시킬 수 있다.The driving unit may be one, and the inner idle susceptor and the outer idle susceptor may be rotated at different speeds through a shift unit provided in the driving unit.

상기 변속부는 감속기어 또는 가속기어 형태일 수 있다. The transmission part may be in the form of a reduction gear or an acceleration gear.

상기 구동부는 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터의 각각의 속도가 제어되도록 상기 외측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 외측 구동부, 상기 내측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 내측 구동부를 포함할 수 있다.The driving part may include an outer driving part for rotating the outer idle susceptor and an inner driving part for rotating the inner idle susceptor such that respective speeds of the outer idle susceptor and the inner idle susceptor are controlled.

상기 화학기상 증착방법은 상기 내측 공전 서셉터 또는 상기 외측 공전 서셉터에 구비되며, 상기 웨이퍼가 안착되어 개별적으로 회전하는 자전 서셉터를 회전시킬 수 있다. The chemical vapor deposition method may be provided in the inner idle susceptor or the outer idle susceptor, and may rotate a rotating susceptor on which the wafer is seated and rotates individually.

상기 화학기상 증착방법은 상기 외측 공전 서셉터, 상기 내측 공전 서셉터 및 상기 자전 서셉터 중 선택된 2개에 위치한 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착 두께를 측정부를 사용하여 측정 비교할 수 있다.The chemical vapor deposition method may measure and compare a temperature or a deposition thickness of the wafer positioned at two selected from the outer idle susceptor, the inner idle susceptor, and the rotating susceptor.

상기 측정부는 파이로미터(pyrometer)일 수 있다.The measuring unit may be a pyrometer.

상기 화학기상 증착방법은 상기 내측 공전 서셉터의 회전 속도가 상기 외측 공전 서셉터의 회전속도 보다 빠를 수 있다.In the chemical vapor deposition method, the rotational speed of the inner idle susceptor may be faster than the rotational speed of the outer idle susceptor.

상기 화학기상 증착방법은 상기 외측 공전 서셉터의 회전 속도가 상기 내측 공전 서셉터의 회전 속도 보다 빠를 수 있다.In the chemical vapor deposition method, the rotational speed of the outer idle susceptor may be faster than the rotational speed of the inner idle susceptor.

상기 가스공급부는 샤워헤드 형태일 수 있다. The gas supply unit may be in the form of a shower head.

상기 가스공급부는 노즐 형태일 수 있다.
The gas supply unit may be in the form of a nozzle.

본 발명에 따른 화학기상 증착장치 및 증착방법에 따르면 서셉터의 내측과 외측의 회전속도를 상이하게 개별적으로 조절할 수 있어 웨이퍼에 대한 증착 균일도를 유지하는 효과가 있다.
According to the chemical vapor deposition apparatus and the deposition method according to the present invention it is possible to individually control the rotational speed of the inner and outer sides of the susceptor has the effect of maintaining the deposition uniformity on the wafer.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중 서셉터의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중 서셉터의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다른 형태의 이중 서셉터의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 또 다른 형태의 이중 서셉터의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다른 형태의 이중 서셉터를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중 서셉터 회전방법을 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다른 형태의 화학기상 증착장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 또 다른 형태의 화학기상 증착장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다른 형태의 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비되는 가스공급부를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착방법을 도시한 순서도이다.
1 is a perspective view of a dual susceptor according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the dual susceptor according to the first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of another type of double susceptor according to the first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of another form of the double susceptor according to the first embodiment of the present invention.
5 is a perspective view showing another type of double susceptor according to the first embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a double susceptor rotation method according to a first embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of another type of chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of another type of chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
10 is a perspective view showing another type of chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
11 and 12 are cross-sectional views showing a gas supply unit provided in the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.
13 is a flowchart illustrating a chemical vapor deposition method according to a second embodiment of the present invention.

이하에서는 본 실시예에 따른 이중 서셉터에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the dual susceptor according to the present embodiment will be described.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중 서셉터의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 이중 서셉터(100)는 웨이퍼(W)가 안착되어 회전하는 외측 공전 서셉터(110), 외측 공전 서셉터(110)와 다른 웨이퍼(W')가 안착되며, 외측 공전 서셉터(110)의 내측에서 회전하는 내측 공전 서셉터(120)를 구비한다.1 is a perspective view of a dual susceptor according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the double susceptor 100 has an outer idle susceptor 110 on which the wafer W is seated and rotates, and a wafer W ′ different from the outer idle susceptor 110 is seated. An inner idle susceptor 120 rotates inside the idle susceptor 110.

외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)는 구동부(150)에 의해 회전되며, 구동부(150)에는 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 속도를 제어하기 위한 변속부(170)가 구비된다.The outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are rotated by the driving unit 150, and the driving unit 150 controls the speeds of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120. A transmission unit 170 is provided.

그리고 외측 공전 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)와 내측 공전 서셉터(120)에 위치한 웨이퍼(W')의 온도 또는 증착 두께를 측정하기 위한 측정부(130)(130′)를 구비한다.And measuring units 130 and 130 'for measuring the temperature or deposition thickness of the wafer W positioned on the outer idle susceptor 110 and the wafer W ′ positioned on the inner idle susceptor 120. .

측정부(130)(130′)는 제어부(198)에 연결된다. 제어부(198)는 외측 공전 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)와 내측 공전 서셉터(120)에 위치한 웨이퍼(W′)의 온도 또는 두께를 측정하고, 각각의 웨이퍼(W)(W′)의 온도 또는 증착된 두께를 비교하여 구동부(150)의 회전속도를 제어하게 된다. 이에 따라, 외측 및 내측 공전 서셉터(110)(120)의 회전 속도가 상이한 속도가 되도록 개별적으로 제어할 수 있게 된다.The measuring units 130 and 130 ′ are connected to the control unit 198. The controller 198 measures the temperature or thickness of the wafer W located on the outer idle susceptor 110 and the wafer W ′ located on the inner idle susceptor 120, and measures each wafer W (W ′). The rotational speed of the driving unit 150 is controlled by comparing the temperature or the deposited thickness. Accordingly, the rotational speeds of the outer and inner idle susceptors 110 and 120 can be individually controlled to be different speeds.

구동부(150)는 예를 들어, 회전축(154)을 구비한 구동모터(152)가 있으며, 회전축(154)의 단부에는 벨트(180)의 일단부분이 연결된다. 그리고 벨트(180)의 타단 부분에는 내측 공전 서셉터(120)에 구비되어 내측 공전 서셉터(120)를 회전시키기 위한 구동축(122)이 연결된다. 벨트(180)가 연결된 회전축(154)의 단부와 구동축(122)의 단부에는 도시하지는 않았으나 벨트(180)를 지지하기 위한 풀리가 구비된다.For example, the driving unit 150 includes a driving motor 152 having a rotating shaft 154, and one end of the belt 180 is connected to an end of the rotating shaft 154. And the other end portion of the belt 180 is provided in the inner idle susceptor 120 is connected to the drive shaft 122 for rotating the inner idle susceptor 120. Although not shown, a pulley for supporting the belt 180 is provided at an end of the rotation shaft 154 and the end of the driving shaft 122 to which the belt 180 is connected.

구동부(150)는 상술한 바와 같이 벨트(180)에 의해 회전력을 전달하는 형태 이외에 체인(Chain) 또는 기어를 통해 회전력을 전달하는 형태 등으로 변경하여 사용할 수 있다.As described above, the driving unit 150 may be used by changing the form of transmitting the rotational force through a chain or gear in addition to the form of transmitting the rotational force by the belt 180.

이하에서는 구동부(150) 하나를 사용하여 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)를 회전시키는 형태를 설명한다. 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도는 하나의 구동부(150)에 의해 이들 두 서셉터(110)(120)의 속도가 동일하게 하는 방법과 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도를 상이하게 하는 방법으로 구현할 수 있다.Hereinafter, a form of rotating the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 using one driving unit 150 will be described. The rotational speeds of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are controlled by the one driving unit 150 so that the speeds of these two susceptors 110 and 120 are the same. The rotation speed of the 110 and the inner revolving susceptor 120 may be implemented by different methods.

외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도를 동일하게 하는 것은 도 1에 도시된 바와 같이 구동부(150)에 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)를 직접 연결하는 방법을 통해 가능하게 된다. 이 경우 구동부(150)에 구비된 변속부(170)는 불필요하게 된다.To make the rotational speeds of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 the same, as shown in FIG. 1, the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are connected to the driving unit 150. This can be done by connecting directly. In this case, the transmission unit 170 provided in the driving unit 150 becomes unnecessary.

그리고 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도를 상이하게 할 경우 변속부(170)를 사용하게 되며, 변속부(170)는 가속기어 형태 또는 감속기어 형태로 선택하여 사용하게 된다.In addition, when the rotational speeds of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are different, the shift unit 170 is used, and the shift unit 170 is selected in the form of an accelerator gear or a reduction gear. Will be used.

가속기어 형태는 도 2에 도시되어 있다. 가속 기어 형태일 경우 구동축(122)에는 구동기어(122a)가 구비되고, 구동기어(122a)와 맞물리도록 제 1 종동기어(124a)가 구비된다. 제 1 종동기어(124a)는 제 1 종동축(124)에 의해 지지되어 회전하며, 제 1 종동축(124)은 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 제 1 종동기어(124a)에는 제 2 종동기어(126a)가 맞물리게 되는데, 제 2 종동기어(126a)는 제 2 종동축(126)에 의해 지지되어 회전하며, 제 2 종동축(126) 역시 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 그리고 외측 공전 서셉터(110)의 내측면 둘레 전체에는 제 2 종동기어(126a)와 맞물리는 래크(rack) 형태의 제 3 종동기어(127)가 형성된다.The accelerator gear shape is shown in FIG. In the case of an acceleration gear, the drive shaft 122 is provided with a drive gear 122a, and a first driven gear 124a is provided to engage the drive gear 122a. The first driven gear 124a is supported and rotated by the first driven shaft 124, and the first driven shaft 124 is installed on the base plate 128. The second driven gear 126a is engaged with the first driven gear 124a. The second driven gear 126a is supported and rotated by the second driven shaft 126, and the second driven shaft 126 is also the base. It is installed on the plate 128. In addition, a third driven gear 127 having a rack shape engaged with the second driven gear 126a is formed on the entire inner circumference of the outer idle susceptor 110.

이 경우 구동기어(122a)의 잇수는 제 1 종동기어(124a)와 제 2 종동기어(126a)의 잇수보다 많은 형태로 하며, 이에 따라 외측 공전 서셉터(110)는 내측 공전 서셉터(120) 보다 빠른 속도로 회전하게 된다.
In this case, the number of teeth of the drive gear 122a is larger than the number of teeth of the first driven gear 124a and the second driven gear 126a. Accordingly, the outer idle susceptor 110 is the inner idle susceptor 120. It will rotate faster.

그리고 감속기어 형태는 도 3에 도시되어 있다. 감속 기어 형태일 경우 구동축(122)에는 구동기어(122a′)가 구비되고, 구동기어(122a′)와 맞물리도록 제 1 종동기어(124a′)가 구비된다. 제 1 종동기어(124a′)는 제 1 종동축(124)에 의해 지지되어 회전하며, 제 1 종동축(124)은 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 제 1 종동기어(124a′)에는 제 2 종동기어(126a′)가 맞물리게 되는데, 제 2 종동기어(126a′)는 제 2 종동축(126)에 의해 지지되어 회전하며, 제 2 종동축(126) 역시 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 그리고 외측 공전 서셉터(110)의 내측면 둘레 전체에는 제 2 종동기어(126a)와 맞물리는 래크(rack) 형태의 제 3 종동기어(127)가 형성된다.And the reduction gear shape is shown in FIG. In the case of the reduction gear type, the drive shaft 122 is provided with the drive gear 122a ', and the first driven gear 124a' is provided to engage the drive gear 122a '. The first driven gear 124a ′ is supported and rotated by the first driven shaft 124, and the first driven shaft 124 is installed on the base plate 128. The second driven gear 126a 'is engaged with the first driven gear 124a', and the second driven gear 126a 'is supported and rotated by the second driven shaft 126, and the second driven shaft 126 ) Is also installed in the base plate 128. In addition, a third driven gear 127 having a rack shape engaged with the second driven gear 126a is formed on the entire inner circumference of the outer idle susceptor 110.

이 경우 구동기어(122a′)의 잇수는 제 1 종동기어(124a′)와 제 2 종동기어(126a′)의 잇수보다 적은 형태로 하며, 이에 따라 외측 공전 서셉터(110)는 내측 공전 서셉터(120) 보다 느린 속도로 회전하게 된다. 상기와 같은 형태로 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)에 각각 웨이퍼(W)(W')를 위치시킨 상태에서 증착 공정 등을 실시하면서 또는 공정 완료 후 측정부(130)를 통해 온도 또는 증착 두께를 측정하게 된다. 측정부(130)는 파이로미터(Pyrometer)와 같은 형태 등을 사용할 수 있다.In this case, the number of teeth of the drive gear 122a 'is less than the number of teeth of the first driven gear 124a' and the second driven gear 126a '. Accordingly, the outer idle susceptor 110 has an inner idle susceptor. It will rotate at a slower speed than 120. In the above-described form, while performing the deposition process or the like in a state where the wafers W (W ') are positioned on the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120, respectively, or after completion of the measurement unit 130 Through the temperature or the deposition thickness is measured. The measuring unit 130 may use a form such as a pyrometer.

미설명 부호 129는 베이스 플레이트(128) 상에서 회전하는 외측 공전 서셉터(110)의 회전을 지지하기 위한 베어링이다.
Reference numeral 129 denotes a bearing for supporting rotation of the outer idle susceptor 110 rotating on the base plate 128.

한편, 구동부(150)는 도 4에 도시된 바와 같이, 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120) 각각의 속도가 제어되도록 외측 공전 서셉터(110)를 회전시키기 위한 외측 구동부(250)와 내측 공전 서셉터(120)를 회전시키기 위한 내측 구동부(350) 2개를 사용하는 형태일 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, the driving unit 150 includes an outer driving unit for rotating the outer idle susceptor 110 to control the speed of each of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120. 250 and two inner driving parts 350 for rotating the inner idle susceptor 120 may be used.

외측 구동부(250)는 회전축(254)을 구비한 외측 구동모터(252, M1)가 있으며, 회전축(254)의 단부에는 벨트(280)의 일단부분이 연결된다. 그리고 벨트(180)의 타단 부분에는 외측 공전 서셉터(110)에 구비되어 외측 공전 서셉터(110)를 회전시키기 위한 외측 구동축(222)이 연결된다. 벨트(280)가 연결된 회전축(254)의 단부와 외측 구동축(222)의 단부에는 도시하지는 않았으나 벨트(280)를 지지하기 위한 풀리가 구비된다.The outer driving part 250 has outer driving motors 252 and M1 having a rotating shaft 254, and one end of the belt 280 is connected to an end of the rotating shaft 254. And the other end portion of the belt 180 is provided in the outer idle susceptor 110 is connected to the outer drive shaft 222 for rotating the outer idle susceptor 110. Although not shown, a pulley for supporting the belt 280 is provided at the end of the rotation shaft 254 and the outer drive shaft 222 to which the belt 280 is connected.

외측 구동부(250)는 상술한 바와 같이 벨트(280)에 의해 회전력을 전달하는 형태 이외에 체인(Chain) 또는 기어를 통해 회전력을 전달하는 형태로 변경하여 사용할 수 있다.As described above, the outer driving unit 250 may be used by changing the form of transmitting the rotational force through a chain or gear in addition to the form of transmitting the rotational force by the belt 280.

그리고 내측 공전 서셉터(120)는 외측 공전 서셉터(110) 내부에 위치한다. 내측 구동부(350)는 회전기어(352)가 구비된 내측 구동모터(352)를 구비하며, 회전기어(352)에는 구동기어(354)가 맞물려 회전하게 된다. 구동기어(354)는 내측 공전 서셉터(120)를 지지하며, 구동기어(354)의 회전에 의해 연동하여 내측 공전 서셉터(120)를 회전시키기 위한 내측 구동축(322)에 설치된다.
The inner idle susceptor 120 is located inside the outer idle susceptor 110. The inner driving part 350 includes an inner driving motor 352 having a rotating gear 352, and the driving gear 354 is engaged with the rotating gear 352 to rotate. The drive gear 354 supports the inner idle susceptor 120, and is installed on the inner drive shaft 322 for rotating the inner idle susceptor 120 in cooperation with the rotation of the drive gear 354.

측정부(130)(130′)는 제어부(198)에 연결되며, 구동부(150)(250)(350) 또한 제어부(198)에 연결된다. 제어부(198)는 외측 공전 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)와 내측 공전 서셉터(120)에 위치한 웨이퍼(W′)의 온도 또는 증착두께가 측정부(130)(130′)에 의해 측정된 후 온도 또는 증착된 두께를 비교하여 구동부(150)의 회전속도를 제어하게 된다. 이에 따라, 외측 및 내측 공전 서셉터(110)(120)의 회전 속도가 상이한 속도가 되도록 개별적으로 제어할 수 있게 된다.
The measuring units 130 and 130 ′ are connected to the control unit 198, and the driving units 150, 250 and 350 are also connected to the control unit 198. The control unit 198 has a temperature or a deposition thickness of the wafer W positioned on the outer idle susceptor 110 and the wafer W ′ positioned on the inner idle susceptor 120 by the measuring units 130 and 130 '. After the measurement, the rotation speed of the driving unit 150 is controlled by comparing the temperature or the deposited thickness. Accordingly, the rotational speeds of the outer and inner idle susceptors 110 and 120 can be individually controlled to be different speeds.

상기와 같이 별도의 구동부(250)(350)를 통해 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)를 개별적인 속도로 제어할 수 있을 경우 증착 공정 진행 중 웨이퍼(W)(W')에 증착되는 상태를 측정부(130)를 통해 확인하여 내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)의 속도를 조절할 수 있게 된다. 즉, 증착의 상태를 확인하여 필요에 따라 내측 부분 또는 외측 부분을 빠르게 회전시키거나 어느 하나를 회전시키지 않는 방법 등을 통해 증착균일도 확보를 할 수 있게 되는 것이다. 일반적으로 공정가스를 사용하여 웨이퍼 등에 증착 또는 식각 공정을 실시하는 형태의 장비의 경우 중심부분 보다 바깥쪽 부분이 공정가스의 밀도가 떨어져 증착이 덜 되는 경우가 많기 때문에 상대적으로 내측부분 보다 바깥쪽 부분을 느리게 해야 하는 경우가 있다.As described above, when the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 can be controlled at separate speeds through separate drivers 250 and 350, the wafer W during the deposition process (W ′). The state of being deposited on the measuring unit 130 may be checked to control the speeds of the inner idle susceptor 120 and the outer idle susceptor 110. In other words, the deposition uniformity can be secured by checking the state of deposition and rapidly rotating the inner portion or the outer portion as necessary or not rotating any one. In general, in the case of the type of equipment in which the process gas is used to deposit or etch the wafer, the outer portion is less dense than the central portion, so the deposition is less. There are times when you need to slow down.

따라서, 본 발명의 실시예에서도 내측 공전 서셉터(120)의 속도가 외측 공전 서셉터(110)의 속도보다 빠르게 해야 하는 경우가 많을 것이다.
Therefore, even in the embodiment of the present invention, the speed of the inner idle susceptor 120 will often be faster than the speed of the outer idle susceptor 110.

그리고 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다른 형태의 이중 서셉터의 사시도를 나타낸 것으로 도시된 바와 같이, 외측 공전 서셉터(110) 또는 내측 공전 서셉터(120)에 웨이퍼(W)(W')가 안착되어 개별적으로 회전 가능한 자전 서셉터(140)를 포함하는 형태가 있을 수 있다. 이 경우 외측 공전 서셉터(110), 내측 공전 서셉터(120) 및 자전 서셉터(140)에 위치한 웨이퍼(W)(W')의 온도 또는 증착두께와 같은 증착상태를 측정부(130)(130′)를 통해 측정하고, 증착 상태에 따라 개별적으로 회전시킨다. 개별적인 회전 방법으로 외측 공전 서셉터(110)에 자전 서셉터(140)가 구비된 경우 외측 공전 서셉터(110)를 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도에 대해 빠르게 또는 느리게 하거나, 회전 시키지 않는 방법이 있을 수 있다. 이러한 상태에서 자전 서셉터(140)를 별도로 회전 시키는 것이다.5 is a perspective view of another type of double susceptor according to the first embodiment of the present invention, the wafer (W) (w) to the outer idle susceptor 110 or the inner idle susceptor 120 ( W ') may be shaped to include a rotating susceptor 140 that is individually rotatable. In this case, the deposition state such as the temperature or the deposition thickness of the wafer W (W ′) positioned on the outer idle susceptor 110, the inner idle susceptor 120, and the rotating susceptor 140 is measured (130) ( 130 ') and rotate individually according to the deposition conditions. When the outer idle susceptor 110 is provided with the rotating susceptor 140 by a separate rotation method, the outer idle susceptor 110 is fast or slow relative to the rotational speed of the inner idle susceptor 120, or does not rotate. There may be a way. In this state is to rotate the rotating susceptor 140 separately.

이와 반대로 내측 공전 서셉터(120)에 자전 서셉터(140)가 구비된 경우 내측 공전 서셉터(120)를 외측 공전 서셉터(110)의 회전 속도에 대해 빠르게 또는 느리게 하거나, 회전 시키지 않는 방법이 있을 수 있다. 이러한 상태에서 자전 서셉터(140)를 별도로 회전 시키는 것이다.On the contrary, when the inner idle susceptor 120 is provided with the rotating susceptor 140, the method of not causing the inner idle susceptor 120 to rotate faster or slower with respect to the rotational speed of the outer idle susceptor 110, or not rotated. There may be. In this state is to rotate the rotating susceptor 140 separately.

개별적인 속도 제어는 상술한 방법 이외에 외측 공전 서셉터(110), 내측 공전 서셉터(120) 및 자전 서셉터(140)가 회전하거나, 회전하지 않는 경우의 수를 조합한 다른 방법을 사용할 수도 있다.The individual speed control may use other methods in combination with the number of cases in which the outer idle susceptor 110, the inner idle susceptor 120 and the rotating susceptor 140 rotate or do not rotate in addition to the above-described method.

그리고 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)는 앞서 설명한 바와 같이 하나의 구동부(150)를 사용하여 회전시키거나, 각각의 서셉터(110)(120)를 구동시킬 수 있는 개별적인 구동부(250)(350)를 사용하여 회전시키게 된다.As described above, the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 may be rotated by using a single driving unit 150 or may be driven individually by the respective susceptors 110 and 120. It is rotated using the drivers 250 and 350.

외측 공전 서셉터(110) 또는 내측 공전 서셉터(120)에 설치되는 자전 서셉터(140)의 회전은 구동부(150)(250)(350)에 연결되어 회전하도록 할 수 있다. 또한, 자전 서셉터(140)의 회전은 개별적인 구동수단을 사용하여 회전시키는 방법이 있을 수 있다. 이 경우 기계적인 회전이 가능한 형태 또는 기체에 의해 회전이 가능한 형태 등으로 구성할 수 있다.
Rotation of the rotating susceptor 140 installed in the outer revolving susceptor 110 or the inner revolving susceptor 120 may be connected to the driving units 150, 250, 350 to rotate. In addition, the rotation of the rotating susceptor 140 may be rotated using a separate drive means. In this case, it can be configured in a form that can be rotated mechanically or a form that can be rotated by the gas.

이하에서는 본 발명의 제 1실시예에 따른 이중 서셉터의 회전방법을 도 6을 통해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of rotating a double susceptor according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6.

이중 서셉터 회전방법의 경우 각각의 웨이퍼(W)(W′)가 위치한 내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)를 회전시키는 단계(S300)가 있으며, 내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)에 안착된 각각의 웨이퍼(W)(W′)의 온도 또는 증착 두께를 비교하여 회전 속도를 조절하는 단계(S500)가 있다. 내측 및 외측 공전 서셉터(120)(110)를 회전시키는 단계(S300)와 내측 또는 외측 공전 서셉터(120)(110)의 회전 속도를 조절하는 단계(S500)의 사이에는 각각에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도 또는 증착된 증착 두께를 측정한 후 이를 비교하는 단계(S400)를 포함할 수 있다. 증착 두께는 파이로미터(Pyrometer)와 같은 형태의 측정부(130)(130′)를 사용한다.In the case of the dual susceptor rotation method, there is a step (S300) of rotating the inner idle susceptor 120 and the outer idle susceptor 110 on which each wafer W (W ′) is located, and the inner idle susceptor 120. ) And adjusting the rotational speed by comparing the temperature or the deposition thickness of each wafer W (W ′) seated on the outer idle susceptor 110 (S500). Between the step of rotating the inner and outer idle susceptor (120, 110) (S300) and the step (S500) of adjusting the rotational speed of the inner or outer idle susceptor (120) (110) W) (W ') may include the step of measuring the temperature or the deposited deposition thickness and comparing it (S400). The deposition thickness uses a measurement unit 130 (130 '), such as a pyrometer (Pyrometer).

온도 또는 증착된 두께를 비교하는 단계(S400)는 내측과 외측에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도나 증착 두께가 상이할 경우 내측 또는 외측 공전 서셉터(120)(110)의 회전 속도를 조절하여 증착 균일도가 유지되도록 하기 위한 것이다.Comparing the temperature or the deposited thickness (S400) is the rotational speed of the inner or outer idle susceptor (120, 110) when the temperature or deposition thickness of the wafer (W ') located on the inner and outer sides is different It is to control the deposition uniformity by controlling the.

내측 및 외측 공전 서셉터(120)(110)를 회전시키는 구동부(150)는 하나 또는 개별적인 구동부(250)(350)를 사용하여 회전속도가 상이하게 할 수 있다.The driving unit 150 for rotating the inner and outer idle susceptors 120 and 110 may have different rotation speeds using one or individual driving units 250 and 350.

하나의 구동부(150)를 사용할 경우 내측과 외측 공전 서셉터(120)(110)의 회전 속도를 상이하게 조절하는 방법은 구동부(150)에 감속기어 형태 또는 가속기어 로 이루어진 변속부(170)를 사용하는 형태이다. 하나의 구동부(150)에 변속부(170)를 사용하는 형태의 경우 처음부터 속도가 상이하게 되는데, 이러한 형태는 다수의 공정을 실시한 후 결과값을 통해 내측과 외측에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도나 증착두께를 통계화하여 내측 또는 외측의 속도가 빠르거나 느리게 하는 형태가 될 것이다.In the case of using one driving unit 150, a method of differently adjusting the rotation speeds of the inner and outer idle susceptors 120 and 110 may include a speed change unit 170 formed of a reduction gear type or an acceleration gear in the driving unit 150. It is a form to use. In the case of using the transmission unit 170 in one driving unit 150, the speed is different from the beginning, this type of wafer (W) (W) located on the inside and outside through the result after performing a number of processes (W) The temperature or deposition thickness of ′) will be statistical to form a fast or slow speed inside or outside.

그리고 개별적인 구동부(250)(350)를 사용할 경우 측정 후 비교된 온도와 증착 두께에 의해 각각의 구동부(250)(350)를 조절하여 내측과 외측 공전 서셉터(120)(110)의 회전속도를 상이하게 조절하게 된다.In the case of using the individual driving units 250 and 350, the rotational speeds of the inner and outer idle susceptors 120 and 110 are adjusted by adjusting the driving units 250 and 350 by the temperature and the deposition thickness after the measurement. Different adjustments.

내측 공전 서셉터(120) 또는 외측 공전 서셉터(110)에는 웨이퍼(W)(W′)가 안착되어 개별적으로 회전하는 자전 서셉터(140)를 포함할 수 있으며, 자전 서셉터(140)를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다.The inner orbital susceptor 120 or the outer orbital susceptor 110 may include a rotating susceptor 140 on which the wafer W (W ′) is seated and rotates individually, and the rotating susceptor 140 may be rotated. Rotating may be included.

이러한 자전 서셉터(140)를 구비하여 회전시키는 형태의 경우에도 측정부(130)(130′)를 통해 내측 또는 외측 서셉터(120)(110)의 웨이퍼(W)(W′) 온도나 증착된 증착두께와 자전 서셉터(140)의 웨이퍼(W)(W′) 온도나 증착된 증착두께를 비교하여 내측 또는 외측 공전 서셉터(120)(110)와 자전 서셉터(140)의 회전속도를 상이하게 조절하게 된다.
Even when the rotating susceptor 140 is provided and rotated, the wafer W (W ′) temperature or deposition of the inner or outer susceptor 120, 110 is measured through the measuring units 130 and 130 ′. Rotational speed of the inner or outer revolving susceptor 120 and 110 and the rotating susceptor 140 by comparing the deposited deposition thickness with the wafer W (W ′) temperature of the rotating susceptor 140 or the deposited deposition thickness. Will be adjusted differently.

이하에서는 본 발명의 제 2실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 7에 도시된 바와 같이 화학기상 증착장치(200)는 웨이퍼(W)(W′)가 내부에 위치하는 챔버(210)를 구비한다.As illustrated in FIG. 7, the chemical vapor deposition apparatus 200 includes a chamber 210 in which a wafer W (W ′) is located.

챔버(210)는 상부에 위치하며, 공정가스가 공급되는 가스공급부(450)가 설치되는 상부챔버(212, Lid라고도 함)와 웨이퍼(W)(W′)가 안착되며, 상부챔버(212)와 결합되어 공정공간을 형성하는 하부챔버(214, 리액터[Reactor]라고도 함)로 구성된다.The chamber 210 is positioned at an upper portion, and the upper chamber 212 (also referred to as Lid) and the wafer W (W ′) on which the gas supply part 450 to which the process gas is supplied are installed are seated, and the upper chamber 212 is seated. It is composed of a lower chamber (214, also referred to as a reactor) coupled to form a process space.

하부챔버(214)에는 웨이퍼(W)가 안착되어 회전하는 외측 공전 서셉터(110)가 구비되며, 외측 공전 서셉터(110)의 웨이퍼(W)와 다른 웨이퍼(W′)가 안착되며, 외측 공전 서셉터(110)의 내측에서 회전하는 내측 공전 서셉터(120)가 구비된다.The lower chamber 214 is provided with an outer idle susceptor 110 on which the wafer W is seated and rotated, and a wafer W ′ different from the wafer W of the outer idle susceptor 110 is seated. An inner idle susceptor 120 rotating inside the idle susceptor 110 is provided.

그리고 하부챔버(214)에는 내측 및 외측 공전 서셉터(120)(110)에 위치한 웨이퍼(W)(W′)를 가열하기 위한 히터(220a)~(220d)가 설치된다. 히터(220a)(220b)(220c)(220d)는 내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)(W′)들을 전체적으로 균일하게 또는 부분적으로 상이한 온도로 가열하기 위해 4개의 분리된 형태가 개별적인 온도 조절이 가능하게 된다. 4개의 분리된 형태로 설치된 히터(220a)(220b)(220c)(220d)는 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도와 연동하여 각 구간의 온도조절을 할 수 있으며, 또는 외측 공전 서셉터(110) 및 내측 공전 서셉터(120)와 연동되지 않고 개별적으로 각 구간의 온도조절을 할 수도 있다.The lower chamber 214 is provided with heaters 220a to 220d for heating the wafers W and W 'positioned in the inner and outer revolving susceptors 120 and 110. The heaters 220a, 220b, 220c, and 220d heat the wafers W'W 'positioned in the inner idle susceptor 120 and the outer idle susceptor 110 to a temperature that is uniformly or partially entirely different. In order to achieve this, the four separate forms allow for individual temperature control. The heaters 220a, 220b, 220c, and 220d, which are installed in four separate forms, can adjust temperature in each section in conjunction with the rotational speeds of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120. In addition, or without interlocking with the outer orbital susceptor 110 and the inner orbital susceptor 120 may be individually temperature control of each section.

그리고 하부챔버(214)에는 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)를 회전시키기 위한 적어도 하나 이상의 구동부(150)가 설치된다. The lower chamber 214 is provided with at least one drive unit 150 for rotating the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120.

구동부(150)는 예를 들어, 회전축(154)을 구비한 구동모터(152)가 있으며, 회전축(154)의 단부에는 벨트(180)의 일단부분이 연결된다. 그리고 벨트(180)의 타단 부분에는 내측 공전 서셉터(120)에 구비되어 내측 공전 서셉터(120)를 회전시키기 위한 구동축(122)이 연결된다. 벨트(180)가 연결된 회전축(154)의 단부와 구동축(122)의 단부에는 도시하지는 않았으나 벨트(180)를 지지하기 위한 풀리가 구비된다.For example, the driving unit 150 includes a driving motor 152 having a rotating shaft 154, and one end of the belt 180 is connected to an end of the rotating shaft 154. And the other end portion of the belt 180 is provided in the inner idle susceptor 120 is connected to the drive shaft 122 for rotating the inner idle susceptor 120. Although not shown, a pulley for supporting the belt 180 is provided at an end of the rotation shaft 154 and the end of the driving shaft 122 to which the belt 180 is connected.

구동부(150)는 상술한 바와 같이 벨트(180)에 의해 회전력을 전달하는 형태 이외에 체인(Chain) 또는 기어를 통해 회전력을 전달하는 형태 등으로 변경하여 사용할 수 있다.As described above, the driving unit 150 may be used by changing the form of transmitting the rotational force through a chain or gear in addition to the form of transmitting the rotational force by the belt 180.

하나의 구동부(150)를 사용하여 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)를 회전시킬 경우 구동부(150)에는 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 회전속도를 상이하게 하기 위한 변속부(170)를 설치하여 사용하게 된다.When the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are rotated by using one drive unit 150, the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 rotate on the drive unit 150. It is used to install the transmission unit 170 for varying the speed.

변속부(170)는 가속기어 형태 또는 감속기어 형태일 수 있으며, 이를 통해 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도는 상이하게 된다.The transmission unit 170 may be in the form of an acceleration gear or a reduction gear, through which the rotational speeds of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are different.

가속 기어 형태일 경우 구동축(122)에는 구동기어(122a)가 구비되고, 구동기어(122a)와 맞물리도록 제 1 종동기어(124a)가 구비된다. 제 1 종동기어(124a)는 제 1 종동축(124)에 의해 지지되어 회전하며, 제 1 종동축(124)은 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 제 1 종동기어(124a)에는 제 2 종동기어(126a)가 맞물리게 되는데, 제 2 종동기어(126a)는 제 2 종동축(126)에 의해 지지되어 회전하며, 제 2 종동축(126) 역시 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 그리고 외측 공전 서셉터(110)의 내측면 둘레 전체에는 제 2 종동기어(126a)와 맞물리는 래크(rack) 형태의 제 3 종동기어(127)가 형성된다.In the case of an acceleration gear, the drive shaft 122 is provided with a drive gear 122a, and a first driven gear 124a is provided to engage the drive gear 122a. The first driven gear 124a is supported and rotated by the first driven shaft 124, and the first driven shaft 124 is installed on the base plate 128. The second driven gear 126a is engaged with the first driven gear 124a. The second driven gear 126a is supported and rotated by the second driven shaft 126, and the second driven shaft 126 is also the base. It is installed on the plate 128. In addition, a third driven gear 127 having a rack shape engaged with the second driven gear 126a is formed on the entire inner circumference of the outer idle susceptor 110.

이 경우 구동기어(122a)의 잇수는 제 1 종동기어(124a)와 제 2 종동기어(126a)의 잇수보다 많은 형태로 하며, 이에 따라 외측 공전 서셉터(110)는 내측 공전 서셉터(120) 보다 빠른 속도로 회전하게 된다.
In this case, the number of teeth of the drive gear 122a is larger than the number of teeth of the first driven gear 124a and the second driven gear 126a. Accordingly, the outer idle susceptor 110 is the inner idle susceptor 120. It will rotate faster.

그리고 감속기어 형태는 도 8에 도시되어 있다. 감속 기어 형태일 경우 구동축(122)에는 구동기어(122a′)가 구비되고, 구동기어(122a′)와 맞물리도록 제 1 종동기어(124a′)가 구비된다. 제 1 종동기어(124a′)는 제 1 종동축(124)에 의해 지지되어 회전하며, 제 1 종동축(124)은 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 제 1 종동기어(124a′)에는 제 2 종동기어(126a′)가 맞물리게 되는데, 제 2 종동기어(126a′)는 제 2 종동축(126)에 의해 지지되어 회전하며, 제 2 종동축(126) 역시 베이스 플레이트(128)에 설치된다. 그리고 외측 공전 서셉터(110)의 내측면 둘레 전체에는 제 2 종동기어(126a)와 맞물리는 래크(rack) 형태의 제 3 종동기어(127)가 형성된다.And the reduction gear shape is shown in FIG. In the case of the reduction gear type, the drive shaft 122 is provided with the drive gear 122a ', and the first driven gear 124a' is provided to engage the drive gear 122a '. The first driven gear 124a ′ is supported and rotated by the first driven shaft 124, and the first driven shaft 124 is installed on the base plate 128. The second driven gear 126a 'is engaged with the first driven gear 124a', and the second driven gear 126a 'is supported and rotated by the second driven shaft 126, and the second driven shaft 126 ) Is also installed in the base plate 128. In addition, a third driven gear 127 having a rack shape engaged with the second driven gear 126a is formed on the entire inner circumference of the outer idle susceptor 110.

이 경우 구동기어(122a′)의 잇수는 제 1 종동기어(124a′)와 제 2 종동기어(126a′)의 잇수보다 적은 형태로 하며, 이에 따라 외측 공전 서셉터(110)는 내측 공전 서셉터(120) 보다 느린 속도로 회전하게 된다. 상기와 같은 형태로 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)에 각각 웨이퍼(W)(W')를 위치시킨 상태에서 증착 공정 등을 실시하면서 또는 공정 완료 후 측정부(130)를 통해 온도나 증착 두께를 측정하게 된다.In this case, the number of teeth of the drive gear 122a 'is less than the number of teeth of the first driven gear 124a' and the second driven gear 126a '. Accordingly, the outer idle susceptor 110 has an inner idle susceptor. It will rotate at a slower speed than 120. In the above-described form, while performing the deposition process or the like in a state where the wafers W (W ') are positioned on the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120, respectively, or after completion of the measurement unit 130 By measuring the temperature or the thickness of the deposition.

미설명 부호 129는 베이스 플레이트(128) 상에서 회전하는 외측 공전 서셉터(110)의 회전을 지지하기 위한 베어링이며, 296은 기밀유지를 위한 O-ring이다.
Reference numeral 129 denotes a bearing for supporting the rotation of the outer idle susceptor 110 rotating on the base plate 128, and 296 is an O-ring for airtightness.

한편, 상부챔버(212)에는 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120) 상에 각각 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도나 증착 두께를 측정하기 위한 측정부(130)(130′)가 설치된다. 측정부(130)(130′)는 파이로미터(Pyrometer)와 같은 형태를 사용한다.Meanwhile, the upper chamber 212 includes a measuring unit 130 for measuring the temperature or the deposition thickness of the wafer W (W ′) positioned on the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120, respectively. 130 ') is installed. The measuring units 130 and 130 ′ use a form such as a pyrometer.

측정부(130)(130′)는 제어부(198)에 연결되며, 구동부(150)(250)(350) 또한 제어부(198)에 연결된다. 제어부(198)는 외측 공전 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)와 내측 공전 서셉터(120)에 위치한 웨이퍼(W′)의 온도나 증착두께가 측정부(130)(130′)에 의해 측정된 후 온도와 증착된 두께를 비교하여 구동부(150)의 회전속도를 제어하게 된다. 이에 따라, 외측 및 내측 공전 서셉터(110)(120)의 회전 속도가 상이한 속도가 되도록 개별적으로 제어할 수 있게 된다. 제어부(198)에는 히터(220a)(220b)(220c)(220d) 등 장치 내의 모든 다른 구성요소를 제어하여 증착 공정을 조절하게 된다.
The measuring units 130 and 130 ′ are connected to the control unit 198, and the driving units 150, 250 and 350 are also connected to the control unit 198. The control unit 198 has a temperature or a deposition thickness of the wafer W located on the outer idle susceptor 110 and the wafer W ′ located on the inner idle susceptor 120 by the measuring units 130 and 130 '. After the measurement, the rotation speed of the driving unit 150 is controlled by comparing the temperature and the deposited thickness. Accordingly, the rotational speeds of the outer and inner idle susceptors 110 and 120 can be individually controlled to be different speeds. The controller 198 controls the deposition process by controlling all other components in the apparatus, such as heaters 220a, 220b, 220c, and 220d.

한편, 구동부(150)는 도 9에 도시된 바와 같이, 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120) 각각의 속도가 제어되도록 외측 공전 서셉터(110)를 회전시키기 위한 외측 구동부(250)와 내측 공전 서셉터(120)를 회전시키기 위한 내측 구동부(350) 2개를 사용하는 형태일 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 9, the driving unit 150 includes an outer driving unit for rotating the outer idle susceptor 110 so that the speeds of the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are controlled. 250 and two inner driving parts 350 for rotating the inner idle susceptor 120 may be used.

외측 구동부(250)는 회전축(254)을 구비한 외측 구동모터(252, M1)가 있으며, 회전축(254)의 단부에는 벨트(280)의 일단부분이 연결된다. 그리고 벨트(180)의 타단 부분에는 외측 공전 서셉터(110)에 구비되어 외측 공전 서셉터(110)를 회전시키기 위한 외측 구동축(222)이 연결된다. 벨트(280)가 연결된 회전축(254)의 단부와 외측 구동축(222)의 단부에는 도시하지는 않았으나 벨트(280)를 지지하기 위한 풀리가 구비된다.The outer driving part 250 has outer driving motors 252 and M1 having a rotating shaft 254, and one end of the belt 280 is connected to an end of the rotating shaft 254. And the other end portion of the belt 180 is provided in the outer idle susceptor 110 is connected to the outer drive shaft 222 for rotating the outer idle susceptor 110. Although not shown, a pulley for supporting the belt 280 is provided at the end of the rotation shaft 254 and the outer drive shaft 222 to which the belt 280 is connected.

외측 구동부(250)는 상술한 바와 같이 벨트(280)에 의해 회전력을 전달하는 형태 이외에 체인(Chain) 또는 기어를 통해 회전력을 전달하는 형태로 변경하여 사용할 수 있다.As described above, the outer driving unit 250 may be used by changing the form of transmitting the rotational force through a chain or gear in addition to the form of transmitting the rotational force by the belt 280.

그리고 내측 공전 서셉터(120)는 외측 공전 서셉터(110) 내부에 위치하며, 내측 구동부(350)는 회전기어(352)가 구비된 내측 구동모터(352)를 구비하며, 회전기어(352)에는 구동기어(354)가 맞물려 회전하게 된다. 구동기어(354)는 내측 공전 서셉터(120)를 지지하며 내측 구동축(322)에 설치된다.The inner idle susceptor 120 is positioned inside the outer idle susceptor 110, and the inner drive part 350 includes an inner drive motor 352 provided with a rotary gear 352, and a rotary gear 352. The drive gear 354 meshes with and rotates. The drive gear 354 supports the inner idle susceptor 120 and is installed on the inner drive shaft 322.

상기와 같이 별도의 구동부(250)(350)를 통해 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)를 개별적으로 각각의 속도를 제어할 경우 증착 공정 진행 중 웨이퍼(W)(W')의 온도나 증착두께와 같은 증착상태를 측정부(130)(130′)를 통해 확인하여 내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)의 속도를 조절할 수 있게 된다. 즉, 증착상태를 확인하여 필요에 따라 내측 부분 또는 외측 부분을 빠르게 회전시키거나 어느 하나를 회전 시키지 않는 방법 등을 통해 증착균일도 확보를 할 수 있게 되는 것이다. 일반적으로 공정가스를 사용하여 웨이퍼 등에 증착 또는 식각 공정을 실시하는 형태의 장비의 경우 중심부분 보다 바깥쪽 부분이 공정가스의 밀도가 떨어져 증착이 덜 되는 경우가 많기 때문에 상대적으로 내측부분 보다 바깥쪽 부분을 느리게 해야 하는 경우가 있다.As described above, when the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 are individually controlled through separate drivers 250 and 350, the wafer W during the deposition process (W ′). By checking the deposition state such as the temperature or the deposition thickness of the through the measuring unit 130, 130 'it is possible to adjust the speed of the inner idle susceptor 120 and the outer idle susceptor 110. That is, it is possible to ensure the deposition uniformity by checking the deposition state, such as by quickly rotating the inner portion or the outer portion, or do not rotate any one. In general, in the case of the type of equipment in which the process gas is used to deposit or etch the wafer, the outer portion is less dense than the central portion, so the deposition is less. There are times when you need to slow down.

따라서, 본 발명의 실시예에서도 내측 공전 서셉터(120)의 속도가 외측 공전 서셉터(110)의 속도보다 빠르게 해야 하는 경우가 많을 것이다.
Therefore, even in the embodiment of the present invention, the speed of the inner idle susceptor 120 will often be faster than the speed of the outer idle susceptor 110.

그리고 도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다른 형태의 화학기상 증착장치의 사시도를 나타낸 것으로 도시된 바와 같이, 외측 공전 서셉터(110) 또는 내측 공전 서셉터(120)에 웨이퍼(W)(W')가 안착되어 개별적으로 회전 가능한 자전 서셉터(140)를 포함하는 형태로 실시할 수 있다. 이 경우 외측 공전 서셉터(110), 내측 공전 서셉터(120) 및 자전 서셉터(140)에 위치한 웨이퍼(W)(W')의 온도나 증착 두께를 측정부(130)(130′)를 통해 측정하고, 증착 상태에 따라 개별적으로 회전시킨다. 개별적인 회전 방법으로 외측 공전 서셉터(110)에 자전 서셉터(140)가 구비된 경우 외측 공전 서셉터(110)를 내측 공전 서셉터(120)의 회전 속도에 대해 빠르게 또는 느리게 하거나, 회전 시키지 않는 방법이 있을 수 있다. 이러한 상태에서 자전 서셉터(140)를 별도로 회전 시키는 것이다.10 is a perspective view of another type of chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention, the wafer (W) to the outer idle susceptor 110 or the inner idle susceptor 120 (W ') may be implemented in a form including a rotating susceptor 140 that is rotatably seated. In this case, the temperature or deposition thickness of the wafer W (W ′) positioned on the outer idle susceptor 110, the inner idle susceptor 120, and the rotating susceptor 140 may be measured. Measure through and rotate individually according to deposition conditions. When the outer idle susceptor 110 is provided with the rotating susceptor 140 by a separate rotation method, the outer idle susceptor 110 is fast or slow relative to the rotational speed of the inner idle susceptor 120, or does not rotate. There may be a way. In this state is to rotate the rotating susceptor 140 separately.

이와 반대로 내측 공전 서셉터(120)에 자전 서셉터(140)가 구비된 경우 내측 공전 서셉터(120)를 외측 공전 서셉터(110)의 회전 속도에 대해 빠르게 또는 느리게 하거나, 회전 시키지 않는 방법이 있을 수 있다. 이러한 상태에서 자전 서셉터(140)를 별도로 회전 시키는 것이다.On the contrary, when the inner idle susceptor 120 is provided with the rotating susceptor 140, the method of not causing the inner idle susceptor 120 to rotate faster or slower with respect to the rotational speed of the outer idle susceptor 110, or not rotated. There may be. In this state is to rotate the rotating susceptor 140 separately.

개별적인 속도 제어는 상술한 방법 이외에 외측 공전 서셉터(110), 내측 공전 서셉터(120) 및 자전 서셉터(140)가 회전하거나, 회전하지 않는 경우의 수를 조합한 다른 방법을 사용할 수도 있다.The individual speed control may use other methods in combination with the number of cases in which the outer idle susceptor 110, the inner idle susceptor 120 and the rotating susceptor 140 rotate or do not rotate in addition to the above-described method.

그리고 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)는 앞서 설명한 바와 같이 하나의 구동부(150)를 사용하여 회전시키거나, 각각의 서셉터(110)(120)를 구동시킬 수 있는 개별적인 구동부(250)(350)를 사용하여 회전시키게 된다.As described above, the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120 may be rotated by using a single driving unit 150 or may be driven individually by the respective susceptors 110 and 120. It is rotated using the drivers 250 and 350.

외측 공전 서셉터(110) 또는 내측 공전 서셉터(120)에 설치되는 자전 서셉터(140)의 회전은 구동부(150)(250)(350)에 연결되어 회전하도록 할 수 있다. 또한, 자전 서셉터(140)의 회전은 개별적인 구동수단을 사용하여 회전시키는 방법이 있을 수 있다. 이 경우 기계적인 회전이 가능한 형태 또는 기체에 의해 회전이 가능한 형태 등으로 구성할 수 있다.
Rotation of the rotating susceptor 140 installed in the outer revolving susceptor 110 or the inner revolving susceptor 120 may be connected to the driving units 150, 250, 350 to rotate. In addition, the rotation of the rotating susceptor 140 may be rotated using a separate drive means. In this case, it can be configured in a form that can be rotated mechanically or a form that can be rotated by the gas.

그리고 도 11 및 도 12에는 상부챔버(212)에 설치되어 공정가스를 공급하기 위한 가스공급부(450)를 나타낸 것으로, 도 11은 샤워헤드 형태를 나타낸 것이다. 샤워헤드는 다른 종류의 공정가스를 공급하기 위해 적층형태(452)(454)를 이루며, 각각에 연결된 라인(452a)454a)을 통해 공정가스가 혼합되지 않도록 웨이퍼(W)(W′)의 상부에 공정가스를 공급하게 된다.
11 and 12 illustrate a gas supply unit 450 installed in the upper chamber 212 for supplying a process gas, and FIG. 11 illustrates a shower head. The showerhead is stacked 452 and 454 to supply different types of process gases, and the upper portions of the wafers W and W 'so as not to mix the process gases through the lines 452a and 454a connected to each other. Process gas is supplied to.

도 12는 노즐(Nozzle)형태를 나타낸 것으로, 노즐 형태의 단부에 형성된 가스 공급홀(552a)을 통해 공정가스를 웨이퍼(W)(W′)의 상부로 공급하게 된다. 공급된 후 반응이 이루어지지 않는 가스는 배출부(560)를 통해 배출 또는 재사용을 위해 회수된다.
FIG. 12 illustrates a nozzle shape, and supplies process gas to the upper portion of the wafer W (W ′) through a gas supply hole 552a formed at an end portion of the nozzle shape. After the supply, the gas that is not reacted is recovered for discharge or reuse through the discharge unit 560.

이하에서는 본 발명의 제 2실시예에 따른 화학기상 증착방법을 도 13을 통해 설명한다.Hereinafter, a chemical vapor deposition method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 13.

먼저, 하부챔버(214)에 구비되어 웨이퍼(W)(W′)를 가열하기 위한 히터(220a)(220b)(220c)(220d)를 작동시키는 단계(S100)를 실시한다.First, the step S100 of operating the heaters 220a, 220b, 220c, and 220d for heating the wafer W (W ') provided in the lower chamber 214 is performed.

히터(220a)(220b)(220c)(220d)는 4개의 구간으로 분리된 형태로 설치되어 외측 공전 서셉터(110)와 내측 공전 서셉터(120)에 위치한 웨이퍼(W)(W′)를 가열한다.The heaters 220a, 220b, 220c, and 220d are installed in four sections to form wafers W (W ′) positioned at the outer idle susceptor 110 and the inner idle susceptor 120. Heat.

웨이퍼(W)(W′)가 가열되면, 증착을 위한 공정가스를 공급하기 위한 단계(S200)가 실시된다. 공정가스를 공급하는 가스공급부(450)는 샤워헤드(Showerhead) 형태 또는 노즐(Nozzle)형태를 사용할 수 있다.When the wafer W is heated, a step S200 for supplying a process gas for deposition is performed. The gas supply unit 450 supplying the process gas may use a showerhead form or a nozzle form.

이러한 상태에서 각각의 웨이퍼(W)(W′)가 위치한 내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)를 회전시키는 단계(S300)를 실시하게 된다.In this state, a step (S300) of rotating the inner idle susceptor 120 and the outer idle susceptor 110 where each wafer W (W ′) is located is performed.

내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)를 회전시키는 단계(S300)는 공정에 따라 공정가스를 공급하기 위한 단계(S200)보다 먼저 실시될 수 있다.The step S300 of rotating the inner idle susceptor 120 and the outer idle susceptor 110 may be performed before the step S200 for supplying a process gas according to a process.

내측 공전 서셉터(120)와 외측 공전 서셉터(110)가 회전되어 증착이 이루어지면 각각에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도나 증착된 증착 두께를 측정한 후 이를 비교하는 단계(S400)를 실시한다. 온도와 증착 두께는 파이로미터(Pyrometer)와 같은 형태의 측정부(130)(130′)를 사용한다.When the inner orbital susceptor 120 and the outer orbital susceptor 110 are rotated and deposited, the temperature of the wafers W (W ′) or the deposited deposition thickness are respectively measured and then compared with each other (S400). ). The temperature and the deposition thickness are measured using a measurement unit 130 (130 '), such as pyrometer (Pyrometer).

온도와 증착된 두께를 비교하는 단계(S400)는 내측과 외측에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도와 증착 두께가 상이할 경우 내측 또는 외측 공전 서셉터(120)(110)의 회전 속도를 조절하여 증착 균일도가 유지되도록 하기 위한 것이다.Comparing the temperature and the deposited thickness (S400) is the rotational speed of the inner or outer idle susceptor 120 (110) when the temperature and the deposition thickness of the wafer (W ') located on the inner and outer sides are different It is to control the deposition uniformity by controlling the.

웨이퍼(W)(W′)의 증착두께를 측정한 후 그 결과를 비교하여 내측 공전 서셉터(120) 또는 외측 공전 서셉터(110)의 회전 속도를 조절하는 단계(S500)를 실시한다.After the deposition thickness of the wafer W (W ′) is measured, the results are compared to adjust the rotational speed of the inner idle susceptor 120 or the outer idle susceptor 110 (S500).

내측 및 외측 공전 서셉터(120)(110)를 회전시키는 구동부(150)는 하나 또는 개별적인 구동부(250)(350)를 사용하여 회전속도가 상이하게 할 수 있다.The driving unit 150 for rotating the inner and outer idle susceptors 120 and 110 may have different rotation speeds using one or individual driving units 250 and 350.

하나의 구동부(150)를 사용할 경우 내측과 외측 공전 서셉터(120)(110)의 회전 속도를 상이하게 조절하는 방법은 구동부(150)에 감속기어 형태 또는 가속기어 로 이루어진 변속부(170)를 사용하는 형태이다. 하나의 구동부(150)에 변속부(170)를 사용하는 형태의 경우 처음부터 속도가 상이하게 되는데, 이러한 형태는 다수의 공정을 실시한 후 평균적인 결과값을 통해 내측과 외측에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 증착두께를 통계화하여 내측 또는 외측의 속도가 빠르거나 느리게 하는 형태가 될 것이다.In the case of using one driving unit 150, a method of differently adjusting the rotation speeds of the inner and outer idle susceptors 120 and 110 may include a speed change unit 170 formed of a reduction gear type or an acceleration gear in the driving unit 150. It is a form to use. In the case of using the transmission unit 170 in one driving unit 150, the speed is different from the beginning, this type of wafer (W) located on the inside and outside through the average result value after performing a number of processes The deposition thickness of (W ') will be statistically formed so that the inner or outer speed is faster or slower.

그리고 개별적인 구동부(250)(350)를 사용할 경우 측정 후 비교된 증착 두께에 따라 각각의 구동부(250)(350)를 조절하여 내측과 외측 공전 서셉터(120)(110)의 회전속도를 상이하게 조절하게 된다.In the case of using the individual drivers 250 and 350, the rotational speeds of the inner and outer idle susceptors 120 and 110 are different from each other by adjusting the driving units 250 and 350 according to the deposition thicknesses measured after the measurement. Will be adjusted.

내측 공전 서셉터(120) 또는 외측 공전 서셉터(110)에는 웨이퍼(W)(W′)가 안착되어 개별적으로 회전하는 자전 서셉터(140)를 포함하고 있으며, 자전 서셉터(140)를 회전시키는 단계가 있을 수 있다.The inner orbital susceptor 120 or the outer orbital susceptor 110 includes a rotating susceptor 140 on which a wafer W (W ') is seated and rotates individually, and rotates the rotating susceptor 140. There may be a step.

이러한 자전 서셉터(140)를 구비하여 회전시키는 형태의 경우에도 측정부(130)(130′)를 통해 내측 또는 외측 서셉터(120)(110)에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도 및 증착두께와 자전 서셉터(140)에 위치한 웨이퍼(W)(W′)의 온도 및 증착두께를 비교하여 내측 또는 외측 공전 서셉터(120)(110)와 자전 서셉터(140)의 회전속도를 상이하게 조절하게 된다. Even when the rotating susceptor 140 is provided and rotated, the temperature of the wafers W and W 'positioned in the inner or outer susceptors 120 and 110 through the measuring units 130 and 130'. And a rotational speed of the inner or outer idle susceptor 120 and 110 and the rotating susceptor 140 by comparing the deposition thickness with the temperature and the deposition thickness of the wafer W (W ′) positioned in the rotating susceptor 140. Will be adjusted differently.

이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
As mentioned above, although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiments, it is only an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.

100 : 이중 서셉터
110 : 외측 공전 서셉터
120 : 내측 공전 서셉터
130 : 측정부
140 : 자전 서셉터
150 : 구동부
200 : 화학기상 증착장치
100: double susceptor
110: outer idle susceptor
120: inner idle susceptor
130: measuring unit
140: rotating susceptor
150: drive unit
200: chemical vapor deposition apparatus

Claims (21)

웨이퍼가 내부에 위치하며, 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터가 구비되는 챔버;
상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 웨이퍼가 안착되어 구동축을 중심으로 상기 웨이퍼를 공전시키는 외측 공전 서셉터;
상기 웨이퍼와 다른 웨이퍼가 안착되어 상기 구동축을 중심으로 상기 다른 웨이퍼를 공전시키며, 상기 외측 공정 서셉터의 내측에서 자전하는 내측 공전 서셉터;
상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 적어도 하나 이상의 구동부;
상기 외측 공전 서셉터 및 상기 내측 공전 서셉터의 상부에 위치하여 상기 웨이퍼에 공정가스를 공급하기 위한 가스공급부; 및
상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터 상에 각각 위치한 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착 두께를 측정하기 위한 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.A chamber having a wafer located therein and having a heater for heating the wafer;
An outer idle susceptor provided inside the chamber and configured to revolve the wafer about a driving shaft by mounting the wafer;
An inner idle susceptor on which the wafer and the other wafer are seated to revolve the other wafer about the driving shaft, and rotate inside the outer process susceptor;
At least one drive unit for rotating the outer idle susceptor and the inner idle susceptor;
A gas supply unit disposed on the outer idle susceptor and the inner idle susceptor to supply process gas to the wafer; And
And a measurement unit for measuring a temperature or a deposition thickness of the wafer respectively positioned on the outer idle susceptor and the inner idle susceptor. 제 1항에 있어서, 상기 구동부에는 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터가 상이한 속도로 제어되도록 변속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the driving unit includes a transmission unit to control the outer idle susceptor and the inner idle susceptor at different speeds. 제 2항에 있어서, 상기 변속부는 가속 기어 형태인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.3. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the speed change portion is in the form of an acceleration gear. 제 2항에 있어서, 상기 변속부는 감속 기어 형태인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the speed change portion is in the form of a reduction gear. 제 1항에 있어서, 상기 구동부는 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터의 각각의 속도가 제어되도록 상기 외측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 외측 구동부, 상기 내측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 내측 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The driving apparatus of claim 1, wherein the driving unit comprises an outer driving unit for rotating the outer idle susceptor so that the respective speeds of the outer idle susceptor and the inner idle susceptor are controlled, and an inner driving unit for rotating the inner idle susceptor. Chemical vapor deposition apparatus comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 외측 공전 서셉터 또는 상기 내측 공전 서셉터에는 상기 웨이퍼가 안착되어 개별적으로 회전 가능한 자전 서셉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the outer idle susceptor or the inner idle susceptor includes a rotating rotatable susceptor on which the wafer is seated and is rotatable individually. 제 6항에 있어서, 상기 측정부는 외측 공전 서셉터, 상기 내측 공전 서셉터 및 상기 자전 서셉터 중 선택된 2개에 위치한 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착 두께를 측정하여 비교하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 6, wherein the measurement unit measures and compares a temperature or a deposition thickness of the wafer located at two selected from an outer idle susceptor, the inner idle susceptor and the rotating susceptor. . 제 1항에 있어서, 상기 가스공급부는 샤워헤드 형태인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the gas supply unit is in the form of a showerhead. 제 1항에 있어서, 상기 가스공급부는 노즐 형태인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the gas supply unit has a nozzle shape. 제 1항에 있어서, 상기 측정부는 파이로미터(pyrometer)인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the measurement unit is a pyrometer. 챔버 내부에 구비되어 웨이퍼를 가열하기 위한 히터를 작동시키고,
상기 웨이퍼가 안착되어 구동축을 중심으로 상기 웨이퍼를 공전시키는 외측 공전 서셉터를 구동부에 의해 회전시키고,
상기 웨이퍼와 다른 웨이퍼가 안착되어 상기 구동축을 중심으로 상기 다른 웨이퍼를 공전시키며, 상기 외측 공전 서셉터의 내측에서 자전하는 내측 공전 서셉터를 회전시키고,
상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터에 안착된 상기 웨이퍼에 증착이 되도록 가스공급부를 통해 공정가스를 공급하고,
상기 내측 공전 서셉터와 상기 외측 공전 서셉터 상에 위치한 각각의 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착된 두께를 측정부를 사용하여 측정하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.Is provided inside the chamber to operate a heater for heating the wafer,
Rotating the outer idle susceptor for driving the wafer around the drive shaft by the drive unit is seated,
The wafer and the other wafer are seated to revolve the other wafer about the drive shaft, and rotate the inner idle susceptor rotating inside the outer idle susceptor,
Supplying a process gas through a gas supply unit to be deposited on the wafer mounted on the outer idle susceptor and the inner idle susceptor,
And measuring a temperature or a deposited thickness of each of the wafers positioned on the inner idle susceptor and the outer idle susceptor using a measuring unit. 제 11항에 있어서, 상기 구동부는 하나이며, 상기 구동부에 구비된 변속부를 통해 상기 내측 공전 서셉터와 상기 외측 공전 서셉터를 상이한 속도로 회전시키기는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.12. The chemical vapor deposition method according to claim 11, wherein the driving unit is one, and the inner idle susceptor and the outer idle susceptor are rotated at different speeds through a transmission unit provided in the driving unit. 제 12항에 있어서, 상기 변속부는 감속기어 또는 가속기어 형태인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.13. The chemical vapor deposition method according to claim 12, wherein the speed change portion is in the form of a reduction gear or an acceleration gear. 제 11항에 있어서, 상기 구동부는 상기 외측 공전 서셉터와 상기 내측 공전 서셉터의 각각의 속도가 제어되도록 상기 외측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 외측 구동부, 상기 내측 공전 서셉터를 회전시키기 위한 내측 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.12. The apparatus of claim 11, wherein the driving unit comprises: an outer driving unit for rotating the outer idle susceptor so that the respective speeds of the outer idle susceptor and the inner idle susceptor are controlled, and an inner driving unit for rotating the inner idle susceptor. Chemical vapor deposition method comprising a. 제 11항에 있어서, 상기 내측 공전 서셉터 또는 상기 외측 공전 서셉터에 구비되며, 상기 웨이퍼가 안착되어 개별적으로 회전하는 자전 서셉터를 회전시키는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.12. The chemical vapor deposition method according to claim 11, wherein the inner idle susceptor or the outer idle susceptor is provided to rotate a rotating susceptor on which the wafer is seated and rotates individually. 제 15항에 있어서, 상기 외측 공전 서셉터, 상기 내측 공전 서셉터 및 상기 자전 서셉터 중 선택된 2개에 위치한 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착 두께를 측정부를 사용하여 측정 비교하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.16. The chemical vapor deposition according to claim 15, wherein the temperature or deposition thickness of the wafer located at two selected from the outer idle susceptor, the inner idle susceptor and the rotating susceptor is measured and compared using a measuring unit. Way. 제 16항에 있어서, 상기 측정부는 파이로미터(pyrometer)인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.17. The chemical vapor deposition method of claim 16, wherein the measurement unit is a pyrometer. 제 11항에 있어서, 상기 내측 공전 서셉터의 회전 속도가 상기 외측 공전 서셉터의 회전속도 보다 빠른 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.12. The chemical vapor deposition method of claim 11, wherein the rotational speed of the inner idle susceptor is faster than the rotational speed of the outer idle susceptor. 제 11항에 있어서, 상기 외측 공전 서셉터의 회전 속도가 상기 내측 공전 서셉터의 회전 속도 보다 빠른 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.12. The chemical vapor deposition method according to claim 11, wherein the rotational speed of the outer idle susceptor is faster than the rotational speed of the inner idle susceptor. 제 11항에 있어서, 상기 가스공급부는 샤워헤드 형태인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.12. The chemical vapor deposition method according to claim 11, wherein the gas supply unit is in the form of a showerhead. 제 11항에 있어서, 상기 가스공급부는 노즐 형태인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착방법.

12. The chemical vapor deposition method according to claim 11, wherein the gas supply part is in the form of a nozzle.

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