KR20110095117A - Ｍｅｍｓ 센서 패키지 - Google Patents

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Abstract

MEMS 센서 패키지에 대한 장치 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, MEMS 센서 패키지는 MEMS 센서; 제1 누설 속도로 가스 누설에 대하여 투과성인 센서 본체; 백필링 압력까지 센서 본체를 가압하는 백필링 가스를 포함하며, 백필링 압력은 MEMS 센서의 둔감성(dampening)을 제공하고, 백필링 압력은 가스 누설에 기인하는 센서 본체 내에서의 압력의 임의의 증가가 MEMS 센서 패키지에 대한 적어도 특정의 설계 서비스 수명 동안 미리 정의된 범위 이상으로 MEMS 센서의 Q 값에서의 변동을 발생시키지 않도록 설정된다.

Description

ＭＥＭＳ 센서 패키지{MEMS SENSOR PACKAGE}
[관련 출원의 교차 참조]
본 출원은, 본 명세서에 참조로서 편입되는, 2005년 8월 19일 출원된 "MEMS SENSOR PACKAGE"의 발명의 명칭을 갖는 미국 출원 제11/161,871호의 일부 계속 출원이며, 그 우선권을 주장한다.
MEMS 자이로 센서와 같은 MEMS(micro electromechanical systems) 센서의 동작 성능은 센서의 품질(Q) 값에 관련된다. 높은 Q 값을 갖는 센서는 유리한 점과 불리한 점을 모두 갖는다. 높은 Q 값은 시스템에서 거의 둔감성(dampening)이 거의 없다는 것을 의미한다. 따라서, 센서를 여기하는데 거의 에너지가 들지 않으며, 자신들의 구동 주파수에서 센서 부품을 움직인다. 그러나, 높은 Q 값을 갖는 센서가 항공기 내 또는 진동 또는 충격이 센서를 둘러싸는 다른 환경에 설치되는 경우에, 구동 주파수에서의 노이즈는 MEMS 센서의 제어 손실을 야기한다. 이러한 노이즈의 감쇠는 센서 챔버를 가스로 백필링(backfilling)하는 것에 의한 센서의 둔감성을 통해 달성될 수 있다. 즉, 센서 챔버를 가스로 백필링하는 것은 진동과 충격 노이즈가 불안정한 센서 응답을 생성하지 않도록 센서의 Q 값을 낮게 할 것이다. 결과에 따른 Q 값은 적어도 부분적으로 백필링된 가스 압력의 함수이다. 따라서, 센서 챔버 내의 압력이 시간에 대하여 변동하면, 센서에 대한 Q 값도 시간에 대하여 변동할 것이다. 따라서, 지금까지의 백필링된 센서는 챔버로 들어가거나 나오는 가스 누설 속도가 거의 0이 되도록 밀폐형으로 밀봉된 센서 챔버(예를 들어, 유리-금속 접합을 갖는)를 갖는다. 이러한 밀봉 과정은 고가이며, MEMS 센서 생산비를 증가시킨다.
전술한 이유, 및 본 명세서를 읽고 이해함으로써 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 아래에 기재되는 다른 이유로, MEMS 센서 패키지에 대한 개선된 시스템 및 방법에 대한 본 발명이 속하는 기술분야에서의 요구가 있다.
본 발명의 실시예들은 MEMS 센서 패키지에 대한 개선된 시스템 및 방법을 제공하며, 이어지는 명세서를 읽고 연구함으로써 이해될 것이다.
MEMS 센서 패키지에 대한 장치 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, MEMS 센서 패키지는 MEMS 센서; 제1 누설 속도로 가스 누설에 대하여 투과성인 센서 본체; 백필링 압력까지 센서 본체를 가압하는 백필링 가스를 포함하며, 백필링 압력은 MEMS 센서의 둔감성(dampening)을 제공하고, 백필링 압력은 가스 누설에 기인하는 센서 본체 내에서의 압력의 임의의 증가가 MEMS 센서 패키지에 대한 적어도 특정의 설계 서비스 수명 동안 미리 정의된 범위 이상으로 MEMS 센서의 Q 값에서의 변동을 발생시키지 않도록 설정된다.
바람직한 실시예에 대한 설명과 다음의 도면들의 관점에서 고려될 때, 본 발명의 실시예들은 더욱 용이하게 이해될 것이며, 추가적인 이점 및 용도가 더욱 분명해질 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예의 MEMS 센서 패키지에 대한 도면이다;
도 2는 본 발명의 일 실시예의 센서에 대한, 시간 vs 누설 속도를 나타내는 그래프이다;
도 3은 센서 챔버에서의 압력이 변화함에 따라 본 발명의 일 실시예의 센서에 대한 모터 Q 값에서의 변동을 나타내는 그래프이다;
도 4는 시간에 대한 본 발명의 일 실시예의 센서에 대한 모터 Q 값에서의 변동을 나타내는 그래프이다;
도 5는 본 발명의 일 실시예의 방법을 도시하는 플로우차트이다; 그리고,
도 6은 본 발명의 일 실시예의 MEMS 센서 패키지에 대한 시간에 대한 모터 Q 값 백분율 변동을 나타내는 그래프이다.
통상의 관례에 따라, 설명된 다양한 특징들은 척도에 따라 작도되지 않았으며, 본 발명에 관한 특징을 강조하도록 작도되었다. 도면 부호는 전체 도면과 개시 내용을 통하여 유사한 구성요소를 나타낸다.
다음의 상세한 설명에서, 그 일부를 구성하는, 본 발명이 실시될 수 있는 구체적이고 예시적인 실시예를 도시하는 첨부된 도면이 참조된다. 이러한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세히 설명되며, 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 논리적, 기계적 및 전기적 변경이 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야만 한다. 따라서, 다음의 상세한 설명은, 한정적인 의미로 취급되어서는 안된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 MEMS 센서 패키지(10)를 나타내는 도면이다. MEMS 센서 패키지(10)는 MEMS 센서(12)를 유지하는 제1 챔버(15)를 정의하는 센서 본체(16)를 포함한다. MEMS 센서(12)는 MEMS 자이로 센서 또는 Q 값에 기초하는 성능 특성을 갖는 진동하거나 움직이는 부분을 구비한 임의의 센서일 수 있다. 일반적으로, MEMS 센서 패키지(10)는 제2 챔버(5) 내에 수용될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 챔버(5)는, 예를 들어 공기와 같은 가스로 1 대기압의 압력까지 백필링될 수 있다. 일 실시예에서, 센서 본체(16)는 조립될 때 센서 본체(16) 내에서 제1 챔버(15)를 정의하는 2개 이상의 구성 부분(21, 22)을 포함한다. 제1 챔버(15)는 밀폐형으로 밀봉되지 않는다. 즉, 제1 챔버(15)는 구성 부분(21, 22) 또는 구성 부분(21, 22)을 함께 유지하는데 이용되는 밀봉부(23)를 통해 가스가 적어도 부분적으로 투과가능하다. 예를 들어, 일 실시예에서, 구성 부분(21)은 솔더 밀봉을 이용하여 구성 부분(22)에 고정된다. 이와 같이, 제1 챔버(15)는, 제1 챔버(15)와 제2 챔버(5) 내에서 구성 부분(21, 22) 자체 뿐만 아니라 밀봉부(23)의 가스에 대한 투과성의 함수인 누설 속도를 가질 것이다.
본 발명의 실시예로, 제1 챔버(15)는 MEMS 센서 패키지(10)의 보증된 수명을 위한 특정 설계 한도 내에서 Q 값을 유지하는 압력까지 가스(14)로 백필링된다. 본 발명의 실시예는 더 높은 백필링 압력에서, 챔버로 들어오거나 빠져나가는 가스에 기인하는 시간에 대한 압력 차이가 상대적으로 더 낮은 백필링 압력에서보다도 Q 값에 영향을 덜 미친다는 원리에 기초한다. 예를 들어, 제1 챔버(15) 내에서의 압력이 1 마이크로 Torr이고, 압력을 10 마이크로 Torr까지 상승시키기에 충분한 가스가 제1 챔버로 들어가면, 챔버의 압력은 10배로 상승한다. 이것은 센서(10)의 Q 값에 상당한 변동을 야기할 것이다. 그러나, 제1 챔버(15) 내에서의 압력이 44 mTorr로 설정되고, 10 마이크로 Torr 만큼 압력을 상승시키는 충분한 가스가 들어가더라도, 센서(10)의 Q 값에 대한 영향은 무시할 수 있을 것이다. 이것은 압력 변동 백분율이 0.03%보다 더 적을 수 있기 때문이다.
도 2는 MEMS 센서 패키지(10)와 같은 센서에 대한 시간 vs 누설 속도(leak rate)를 나타내는 그래프이다. 도 2의 그래프에 의해 도시된 바와 같이, 누설 속도가 더 클수록 제1 챔버(15) 내에서의 압력이 1 mTorr 만큼 변동하는데 필요한 시간은 더 작아진다. 예를 들어, 5×10-13 cm3/sec의 누설 속도는 제1 챔버(15) 내에서 1년보다 약간 더 짧은 동안에 1 mTorr의 압력 변동을 가져다 줄 것이다. 도 3은 챔버(15) 내의 압력이 변동함에 따라 MEMS 센서 패키지(10)와 같은 센서에 대한 모터 Q 값에서의 변동을 도시하는 그래프이다. 예를 들어, 5 mTorr의 압력에서 시작하여, 대략 12 mTorr까지의 챔버 압력의 증가는 70,000에서 60,000으로의 Q 값에서의 결과적인 강하를 발생시킬 것이다. 대조적으로, 50 mTorr의 압력에서 시작하여, 57 mTorr까지의 챔버 압력에서의 대응하는 증가는, 3000 미만의 Q 값에서의 결과적인 강하를 발생시킬 수 있다. 도 4는 시간에 대한 MEMS 센서 패키지(10)와 같은 센서의 모터 Q 값에서의 변동을 도시하는 그래프이다. 5×10-13 cm3/sec의 누설 속도를 가정하면, 초기에 단지 100 마이크로 Torr까지 백필링된 센서의 Q 값은(410으로 표시된 직선으로 도시됨) 1년 후에는 1년당 대략 1400의 속도로 Q 값에서의 변동을 겪을 것이다. 20년 후에, 센서 Q 값에 대한 변동 속도는 여전히 1년당 1000 이상이 될 것이다. 대조적으로, 초기에 40 mTorr까지 백필링된 센서의 Q 값은(420으로 표시된 직선으로 도시됨) 1년 후에 1년당 단지 대략 500의 속도로 Q 값에서의 변동을 겪으며, 20년 후에는 1년당 200 이하로 떨어질 것이다.
챔버(15)를 백필링하기 위하여 사용되는 가스의 선택은 본 명세서를 읽음으로써 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 임의의 특정 가스에 의한 Q 값은 백필링 압력과 가스 분자의 크기 모두의 함수일 수 있다. 즉, 챔버(15)를 15 내지 40 mTorr까지 공기로 백필링하는 것은 챔버(15)를 15 내지 40 mTorr까지 헬륨 또는 아르곤으로 백필링하는 것과는 다른 Q 값을 만들어 낼 것이다. 또한, 센서 패키지의 누설 속도는 적어도 부분적으로 선택된 백필링 가스에 대하여 계산될 수 있다. 백필링 가스는 불활성 기체이거나 불활성 기체가 아닌 기체, 또는 불활성 기체와 불활성 기체가 아닌 기체의 혼합일 수 있다. 특히, 아르곤은 상대적으로 큰 분자 크기를 갖는 값싼 불활성 기체인 이점을 갖는다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 백필링 가스로서 아르곤의 사용을 반드시 필요로 하지 않는다. 예를 들어, 헬륨 또는 산소와 같은 기체가 다른 실시예에서 사용될 수 있다.
백필링 챔버(15)가 선택적인 게터(getter)(18)를 포함할 때, 게터(18)가 센서의 Q 값을 변동시키도록 백필링 가스를 흡수하지 않게 하기 위하여 불활성 기체가 바람직하다. 아니면, 게터(18)는 챔버(15)로 들어가는 불활성 기체가 아닌 임의의 가스를 흡수하도록 기능할 수 있다.
도 5는 주어진 설계 수명 동안 충분히 안정된 Q 값을 갖는 MEMS 센서를 설계하기 위한 본 발명의 일 실시예의 방법을 나타내는 플로우차트이다. 본 방법은 MEMS 센서의 설계(즉, 원하는) 서비스 수명을 구축하는 510에서 시작한다. 원하는 서비스 수명은, 예를 들어, 특정 MEMS 센서가 사용되는 특정 과제에 기초할 것이다. 본 방법은 원하는 서비스 수명 동안 무엇이 Q에서의 허용 편차인지 확인하는 520으로 진행한다. 이것은 적어도 부분적으로 캘리브레이션 허용 오차 또는 MEMS 센서가 사용될 시스템의 정밀도 요건에 기초할 수 있다. 예를 들어, MEMS 센서가 캘리브레이션시에 그 값의 +/-10%의 Q 값을 유지할 것이라고 가정하고 기능하도록 장치가 캘리브레이션되면, 10% 편차가 원하는 서비스 수명 동안의 Q 값에서의 최대 허용 편차가 될 것이다. 본 방법은, MEMS 센서 패키지의 예상 누설 속도를 확인하는 530으로 진행한다. 예상 누설 속도는 가스가 센스 챔버로 들어가거나 나오게 하는 센서 패키지의 투과성을 나타낸다. 예상 누설 속도는 적어도 부분적으로 챔버를 백필링하기 위하여 선택된 특정 가스에 기초할 수 있다. 또한 예상 누설 속도를 확인하는 것은 MEMS 센서 패키지의 외부를 둘러싸는 것으로 예측되는 가스의 조성 및 압력에 기초할 수 있다. 일 실시예에서, 예상 누설 속도를 예측하는 것은 MEMS 센서의 구축에 사용되는 재료에 기인하는 센서 챔버 내의 알려진 오프-가스(off-gassing) 소스의 결합을 포함할 수 있다.
본 방법은 예상 누설 속도에 기초하여 설계 서비스 수명 동안의 Q 에서의 확인된 허용 편차 내에 Q 값을 유지하는 백필링 가스 및 백필링 가스 압력을 선택하는 540으로 진행한다. 백필링 가스의 선택은 센서의 Q 값에 대한 대략적인 원하는 범위뿐만 아니라 경제적인 고려와 같은 인자에 기초할 수 있다. 예를 들어, 상이한 가스가 동일한 범위의 백필링 압력에 대하여 상이한 Q 값을 생성하기 때문에, 가스의 선택은, 일 실시예에서, 대략적인 원하는 Q 값과 조합될 수 있다. 예를 들어, 항공기, 유도 미사일 또는 발사체과 같은 애플리케이션은, 예측되는 진동 및 음향 노이즈에서의 차이 때문에, 궤도를 선회하는 플랫폼과 같은 애플리케이션에 비교될 때, 상대적으로 낮은 Q 값에 의해 제공되는 둔감한 응답으로부터 이익을 얻을 수 있다.
백필링 가스 압력의 선택은 센서에 대한 설계 수명 동안 허용 편차 범위 내에서 센서 Q 값을 유지하는데 기초할 수 있다. 예를 들어, 도 6은 본 발명의 일 실시예의 MEMS 센서 패키지에 대한 시간에 대한 모터 Q 값 변동의 백분율을 나타내는 그래프이다. 도 6은 0.0075in3의 내부 개방 부피(open volume)를 갖는 MEMS 센서 패키지에 대하여 5×10-13 cm3/sec의 누설 속도를 가정한다. 도시된 효과는 센서를 유지하는 패키지 챔버의 개방 부피에 비례하여, 센서 패키지의 부피가 50% 감소되면, (예를 들어) Q에서의 20% 변동을 보기 위한 시간은 50% 감소할 것이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 초기에 단지 100 마이크로 Torr까지 백필링된 센서(610으로 표시된 직선으로 도시된 바와 같이)는 12년보다 짧은 기간 내에서 20% 이상의 Q 값에서의 변동을 겪을 것이다. 특정 과제가 설계 서비스 기간 이상 동안의 Q에서의 허용 편차를 갖는 20년의 설계 서비스 수명의 MEMS 센서를 필요로 한다면, 610으로 표시된 센서는 허용되지 않을 것이다. 초기에 40 mTorr로 백필링된 센서(620으로 표시된 직선으로 도시된 바와 같이)는 20년의 수명 동안 20%보다 약간 더 작은 Q 값에서의 변동을 겪을 것이다. 따라서, 40 mTorr의 백필링 압력을 선택하는 것은 센서의 설계 수명 동안의 허용 편차 요건을 충족할 것이다. 허용 편차가 20%가 아닌 10%라면, 60 mTorr까지 센서를 백필링하는 것이 허용가능한 센서가 될 것이다(630으로 표시된 직선으로 도시된 바와 같이).
실제로, 일 실시예에서, 선택된 백필링 가스는, 원하는 백필링 압력이 획득된 후에 이어서 밀봉되는 패키지 내의 흡입구를 통해 MEMS 센서 패키지의 챔버로 펌핑된다. 일 실시예에서, 챔버의 내용물은 백필링되기 전에 먼저 비워진다. 다른 실시예에서, 챔버의 백필링은 임의의 사전에 존재하는 가스를 패키지 내에서의 배출 포트를 통해 배출하고, 배출 포트는 이어서 밀봉된다.
여기에서 특정 실시예가 예시되고 설명되었지만, 동일한 목적을 달성하도록 계산된 임의의 배치가 도시된 특정 실시예를 대체할 수 있다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해될 것이다. 본 애플리케이션은 본 발명의 임의의 변형물 또는 수정물을 포함하도록 의도된다. 따라서, 본 바명은 청구의 범위 및 그 균등물에 의해서만 한정되는 것으로 명백히 의도된다.

Claims (3)

  1. 설계 서비스 수명 동안 안정된 Q 값을 갖는 MEMS 센서 패키지를 제공하는 방법에 있어서,
    MEMS 센서의 설계 서비스 수명을 설정하는 단계(510);
    상기 설계 서비스 수명 동안의 Q에서의 허용 편차를 확인하는 단계(520);
    상기 MEMS 센서 패키지의 예상 누설 속도를 확인하는 단계(530); 및
    상기 예상 누설 속도에 기초하여 상기 설계 서비스 수명 동안의 Q 값에서의 확인된 상기 허용 편차 내로 Q 값을 유지하는 백필링 가스(14) 및 백필링 가스 압력을 선택하는 단계(540)
    를 포함하는,
    MEMS 센서 패키지 제공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 MEMS 센서 패키지는 적어도 하나의 밀봉부에 의해 함께 고정되는 복수의 구성 부품을 갖는 센서 본체를 포함하며, 상기 적어도 하나의 밀봉부 및 상기 센서 본체는 상기 MEMS 센서를 유지하는 밀폐형으로 밀봉되지 않은 챔버를 형성하고,
    상기 백필링 가스(14) 및 상기 백필링 가스 압력 중 하나 또는 모두는 상기 MEMS 센서(12)를 수용하는 상기 MEMS 센서 패키지의 챔버(15)의 부피에 기초하여 선택되는,
    MEMS 센서 패키지 제공 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 Q에서의 허용 편차를 확인하는 단계는 상기 MEMS 센서가 사용되는 시스템의 캘리브레이션 허용 오차 또는 정밀도 요건 중 적어도 하나에 기초하며; 그리고,
    상기 예상 누설 속도를 확인하는 단계는 상기 MEMS 센서 패키지의 외부를 둘러싸는 것으로 예상되는 임의의 가스의 조성 및 압력에 적어도 부분적으로 기초하는,
    MEMS 센서 패키지 제공 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014159946A1 (en) * 2013-03-13 2014-10-02 Robert Bosch Gmbh Mems device having a getter

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012122619A1 (en) * 2011-03-11 2012-09-20 Institut National D'optique Mems-based getter microdevice
US8395229B2 (en) 2011-03-11 2013-03-12 Institut National D'optique MEMS-based getter microdevice
US20130320466A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Analog Devices, Inc. Package for Damping Inertial Sensor
US9442131B2 (en) * 2013-03-13 2016-09-13 Analog Devices, Inc. System and method for run-time hermeticity detection of a capped MEMS device
US9102512B2 (en) * 2013-10-04 2015-08-11 Analog Devices, Inc. Sealed MEMS devices with multiple chamber pressures
US9764946B2 (en) 2013-10-24 2017-09-19 Analog Devices, Inc. MEMs device with outgassing shield
NL2016877A (en) * 2015-06-18 2016-12-22 Asml Holding Nv An apparatus including a gas gauge and method of operating the same
US10209157B2 (en) 2015-12-10 2019-02-19 Invensense, Inc. Dual-sealed MEMS package with cavity pressure monitoring
US10041854B2 (en) * 2015-12-10 2018-08-07 Panasonic Corporation Identification of a seal failure in MEMS devices
CN110702332B (zh) * 2019-08-27 2021-03-30 华东光电集成器件研究所 一种评价mems真空封装性能的方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3719074A (en) * 1970-10-01 1973-03-06 Gen Motors Corp Rotating-wave rotation detector and method of operating same
US6911727B1 (en) * 1995-06-06 2005-06-28 Analog Devices, Inc. Package for sealing an integrated circuit die
JPH09196682A (ja) * 1996-01-19 1997-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 角速度センサと加速度センサ
WO2002042716A2 (en) * 2000-11-27 2002-05-30 Microsensors Inc. Wafer eutectic bonding of mems gyros
DE60120921T2 (de) * 2001-04-27 2007-02-01 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Aus Halbleitermaterial hergestellter integrierter Kreisel
US6780759B2 (en) * 2001-05-09 2004-08-24 Silicon Genesis Corporation Method for multi-frequency bonding
US20030023484A1 (en) * 2001-07-27 2003-01-30 Dhirubhai Patel Ring laser gyroscope having combined electrode and getter
TW560018B (en) * 2001-10-30 2003-11-01 Asia Pacific Microsystems Inc A wafer level packaged structure and method for manufacturing the same
US6992442B2 (en) * 2001-12-11 2006-01-31 Honeywell International Inc. Restricted getter
US6487864B1 (en) * 2002-04-23 2002-12-03 Honeywell International Inc. Cyrogenic inertial micro-electro-mechanical system (MEMS) device
US6902656B2 (en) * 2002-05-24 2005-06-07 Dalsa Semiconductor Inc. Fabrication of microstructures with vacuum-sealed cavity
US7160368B1 (en) * 2002-07-12 2007-01-09 Em4, Inc. System and method for gettering gas-phase contaminants within a sealed enclosure
US6927098B2 (en) * 2003-05-07 2005-08-09 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for attaching MEMS devices to housing
US6987304B2 (en) * 2003-05-07 2006-01-17 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for particle reduction in MEMS devices
CN1985149B (zh) * 2004-07-12 2010-11-03 住友精密工业株式会社 角速度传感器
WO2006061302A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-15 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Method for testing the leakage rate of vacuum capsulated devices
US20070056370A1 (en) * 2005-08-19 2007-03-15 Honeywell International Inc. Mems sensor package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014159946A1 (en) * 2013-03-13 2014-10-02 Robert Bosch Gmbh Mems device having a getter
US9511998B2 (en) 2013-03-13 2016-12-06 Robert Bosch Gmbh MEMS device having a getter

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