KR20110090454A - 마스크의 cd 측정 에러 개선 방법 및 이를 수행하기 위한 측정 장치 - Google Patents
마스크의 cd 측정 에러 개선 방법 및 이를 수행하기 위한 측정 장치 Download PDFInfo
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 45
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 26
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Abstract
Description
도 2는 종래 기술에 따른 CD 측정 장치의 문제를 해결하기 위한 방법을 도시한 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 마스크의 CD 측정 에러 개선 방법 및 이를 수행하기 위한 측정 장치를 도시한 개략도.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 CD 측정 방법을 나타낸 사진들.
실시예1 | |||
6T | 10.2T | 오차(Diff.) | |
100X | 7.052 | 7.051 | 0.001 |
50X | 7.054 | 7.052 | 0.002 |
오차(Diff.) | -0.002 | -0.001 | -0.001 |
비교예1 | |||
6T | 10.2T | 오차(Diff.) | |
100X | 7.109 | 7.081 | 0.028 |
50X | 7.176 | 7.100 | 0.076 |
오차(Diff.) | -0.067 | -0.019 | -0.048 |
실시예2 | |||
6T | 10.2T | 오차(Diff.) | |
100X | 13.502 | 13.501 | 0.001 |
50X | 13.504 | 13.502 | 0.002 |
오차(Diff.) | -0.002 | -0.001 | -0.001 |
비교예2 | |||
6T | 10.2T | 오차(Diff.) | |
100X | 13.859 | 13.851 | 0.008 |
50X | 13.917 | 13.859 | 0.058 |
오차(Diff.) | -0.058 | -0.008 | -0.050 |
20, 120 : 렌즈부
30a : 제 1 오류 샘플 마스크의 쿼츠층
30b : 제 2 오류 샘플 마스크의 쿼츠층
30c : 제 3 샘플 마스크의 쿼츠층
35a, 35b, 35c, 135a, 135b, 135c : 크롬 패턴층
40, 140 : 스페이서
50 : 제 1 오류 샘플 마스크 높이 보정 스페이서
60 : 제 2 오류 샘플 마스크 높이 보정 스페이서
130a : 제 4 샘플 마스크의 쿼츠층
130b : 제 5 샘플 마스크의 쿼츠층
130c : 제 6 샘플 마스크의 쿼츠층
70a : 제 1 오류 샘플 마스크
70b : 제 2 오류 샘플 마스크
70c : 제 3 샘플 마스크
170a : 제 4 샘플 마스크
170b : 제 5 샘플 마스크
170c : 제 6 샘플 마스크
Claims (7)
- 초점 위치가 상부를 향하도록 배치되는 렌즈부;
상기 렌즈부의 상부에 이격 배치되며, 상기 렌즈부의 초점 위치에 라이트 포커싱 되는 조명부;
상기 렌즈부와 상기 조명부 사이에 배치되되, 상기 렌즈부의 초점 위치에 배치되는 마스크 지지용 스페이서;를 포함하여,
마스크의 두께에 관계없이, 상기 렌즈부 및 상기 조명부의 초점 위치에 상기 마스크의 패턴층이 위치되도록 하여, 라이트 포커싱 포지션 에러를 방지하는 것을 특징으로 하는 마스크의 CD 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 마스크의 두께는 5 ~ 20mm 인 것을 특징으로 하는 마스크의 CD 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 마스크의 패턴층은 상기 스페이서와 마주보는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크의 CD 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 렌즈부는 50 ~ 100배의 CD 측정 배율을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크의 CD 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 렌즈부는 하부에서 측정된 이미지 및 측정 결과를 나타낼 수 있는 디스플레이부와 연결되는 것을 특징으로 하는 마스크의 CD 측정 장치.
- 마스크 지지를 위한 스페이서를 렌즈부의 초첨 위치에 배치시키되, 상기 스페이서의 하부에 상기 렌즈부를 배치시키고, 상기 스페이서의 상부에 상기 렌즈부의 초점 위치에 라이트 포커싱 되는 조명부를 배치시키고,
상기 마스크의 패턴층이 상기 스페이서와 마주 보는 방향으로 상기 마스크를 정렬시킨 상태에서 CD(Critical Dimension)를 측정함으로써, 상기 마스크의 두께와 무관하게 상기 렌즈부 및 상기 조명부의 초점 위치에 상기 패턴층이 정확하게 매치될 수 있도록 하여, 라이트 포커싱 포지션 에러를 방지하는 것을 특징으로 하는 마스크의 CD 측정 에러 개선 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 CD 측정은 50배 배율에서 측정한 결과와 100배 배율에서 측정한 결과의 평균 값으로 정하는 것을 특징으로 하는 마스크의 CD 측정 에러 개선 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100010232A KR101090624B1 (ko) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | 마스크의 cd 측정 에러 개선 방법 및 이를 수행하기 위한 측정 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100010232A KR101090624B1 (ko) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | 마스크의 cd 측정 에러 개선 방법 및 이를 수행하기 위한 측정 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110090454A true KR20110090454A (ko) | 2011-08-10 |
KR101090624B1 KR101090624B1 (ko) | 2011-12-08 |
Family
ID=44928234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100010232A KR101090624B1 (ko) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | 마스크의 cd 측정 에러 개선 방법 및 이를 수행하기 위한 측정 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101090624B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100684895B1 (ko) * | 2004-06-14 | 2007-02-20 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크 상에 형성된 패턴들의 크기를 측정하기 위한장치 및 방법 |
-
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- 2010-02-04 KR KR1020100010232A patent/KR101090624B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR101090624B1 (ko) | 2011-12-08 |
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FPAY | Annual fee payment |
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