KR20110090016A - An apparatus and a method for slicing a ingot - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 와이어 쏘우(wire saw) 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer manufacturing apparatus, and more particularly, to a wire saw apparatus.
일반적으로, 웨이퍼 제조 공정은 모래에서 규소(Si)를 추출 정제하여 실리콘 원재료를 생성한 후 원하는 불순물을 주입하여 N형 또는 P형 실리콘 잉곳(ingot)을 제조하고, 제조된 실리콘 잉곳을 원하는 두께로 잘라 웨이퍼를 만드는 슬라이싱(slicing) 공정을 포함한다.In general, a wafer fabrication process extracts and refines silicon (Si) from sand to produce a silicon raw material, injects desired impurities to produce an N-type or P-type silicon ingot, and manufactures the silicon ingot to a desired thickness. And a slicing process to cut the wafer.
이러한 웨이퍼 슬라이싱 공정은 잉곳 제조 공정에서 제조된 잉곳(예컨대, 실리콘 잉곳)을 다수의 박판으로 슬라이싱하는 것을 말하며, 와이어 쏘우 장치가 널리 사용되고 있다.This wafer slicing process refers to slicing ingots (eg, silicon ingots) manufactured in an ingot manufacturing process into a plurality of thin plates, and a wire saw device is widely used.
도 1은 일반적인 와이어 쏘우 장치(100)의 개념도를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 와이어 쏘우 장치(100)는 롤러(roller, 10), 롤러(10) 외주면에 형성되는 그루브(groove)에 장착되어 롤러(10)가 회전함에 따라 일정한 방향으로 회전하는 와이어(20), 잉곳(ingot, 30)이 장착되는 워크 플레이트(work plate, 40), 워크 플레이트(40)와 잉곳(30) 사이에 커넥션 역할을 하는 빔(beam, 50), 및 주행하는 와이어(20)와 수직 교차되어 와이어(20) 위에 슬러리(surry, 55)를 분사하는 슬러리 노즐(slurry nozzle, 60)을 포함한다.1 shows a conceptual diagram of a typical
일반적으로 와이어 쏘우 장치(100)는 롤러(10)가 회전하는 상태에서 일정한 간격(Pitch)을 두고 감겨서 고속 왕복 주행하는 와이어(20) 위에 슬러리 노즐(60)을 통하여 일정한 온도의 슬러리(55)를 분사함과 동시에 잉곳(30)을 하강시키면서 절단 작업을 반복 수행하여 다수의 웨이퍼들을 제조한다.In general, the
와이어 쏘우 장치(100)에 의하여 잉곳(30) 절단시 잉곳의 절단 면적에 따라 발생되는 열의 차이가 생긴다. 즉 잉곳의 초반부 및 후반부의 절단 면적에 비하여 중반부의 절단 면적이 크기 때문에 온도 차이에 따른 열구배(thermal gradient)가 생긴다.When the
도 2a는 도 1에 도시된 와이어 쏘우 장치(100)에 의한 잉곳의 절단 방향을 나타내며, 도 2b는 절단 시 발생하는 열구배로 인한 슬라이스된 웨이퍼의 변형 정도를 나타내는 그래프이다. 여기서 위치(Location) 0mm은 잉곳의 중심부를 나타낸다.FIG. 2A illustrates a cutting direction of an ingot by the
도 2a에 도시된 바에 따라 잉곳을 절단할 경우 잉곳 절단의 초반부와 후반부, 및 중반부의 절단 면적의 차이에 따라 열구배가 발생하며, 도 2b에 도시된 바와 같이 슬라이스된 형상의 변형이 발생한다.When the ingot is cut as shown in FIG. 2A, a thermal gradient occurs according to the difference in the cutting area of the first and second portions and the middle portion of the ingot cutting, and deformation of the sliced shape occurs as shown in FIG. 2B.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 잉곳 절단시 발생하는 열구배로 인한 슬라이스된 형상 변형을 방지하여 균일한 형상의 웨이퍼를 제조할 수 있는 잉곳 절단 장치 및 방법을 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide an ingot cutting apparatus and method that can produce a wafer having a uniform shape by preventing the shape deformation due to the thermal gradient generated during ingot cutting.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 잉곳 절단 장치는 잉곳을 절단하는 와이어들, 상기 와이어들에 슬러리를 공급하는 슬러리 노즐, 상기 잉곳 절단시 상기 잉곳을 실시간으로 촬영하고, 촬영된 열화상 이미지에 대한 정보를 출력하는 열화상 카메라, 및 상기 열화상 이미지에 대한 정보에 기초하여 상기 슬러리의 온도를 실시간으로 조절하는 열 교환기를 포함한다.Ingot cutting device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a wire for cutting the ingot, a slurry nozzle for supplying a slurry to the wires, the ingot at the time of cutting the ingot, photographing in real time And a heat exchanger for outputting information on the thermal image, and a heat exchanger for controlling the temperature of the slurry in real time based on the information on the thermal image.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 잉곳 절단 방법은 슬러리가 공급되는 회전하는 와이어들로 잉곳을 절단하는 단계, 상기 잉곳 절단시 상기 잉곳을 실시간으로 촬영하여 열화상 이미지에 대한 정보를 출력하는 단계, 상기 열화상 이미지에 대한 정보를 해석하고, 해석 결과에 기초하는 온도 조절 신호를 출력하는 단계, 및 상기 온도 조절 신호에 기초하여 상기 슬러리의 온도를 실시간으로 조절하는 단계를 포함한다.Ingot cutting method according to another embodiment of the present invention for achieving the above object is the step of cutting the ingot with a rotating wire supplied with a slurry, the ingot is cut in real time by cutting the ingot in the thermal image Outputting information about the image, interpreting the information on the thermal image, outputting a temperature control signal based on the analysis result, and adjusting the temperature of the slurry in real time based on the temperature control signal. Include.
본 발명의 실시 예에 따른 잉곳 절단 장치 및 방법은 열화상 카메라를 이용하여 측정된 잉곳의 온도에 기초하여 슬러리의 온도를 조절함으로써, 잉곳의 온도를 실시간으로 일정한 타겟 온도로 유지할 수 있고, 이로 인하여 슬라이스된 웨이퍼 형상의 변형을 방지할 수 있는 효과가 있다.Ingot cutting device and method according to an embodiment of the present invention by adjusting the temperature of the slurry based on the temperature of the ingot measured using a thermal imaging camera, it is possible to maintain the temperature of the ingot at a constant target temperature in real time, thereby There is an effect that can prevent deformation of the sliced wafer shape.
도 1은 일반적인 와이어 쏘우 장치의 개념도를 나타낸다.
도 2a는 도 1에 도시된 와이어 쏘우 장치에 의한 잉곳의 절단 방향을 나타낸다.
도 2b는 절단 시 발생하는 열구배로 인한 슬라이스된 웨이퍼의 변형 정도를 나타내는 그래프이다.
도 3a는 본 발명의 실시 예에 따른 잉곳 절단 장치를 나타낸다.
도 3b는 도 3a에 도시된 잉곳 절단 장치의 일부분에 대한 사시도를 나타낸다.
도 4는 도 3a 및 3b에 도시된 열화상 카메라의 촬영 부위를 나타낸다.
도 5는 도 3b에 도시된 컨트롤 박스에 의하여 해석되는 잉곳의 온도를 나타내는 그래프이다. 1 shows a conceptual diagram of a typical wire saw device.
FIG. 2A shows the cutting direction of the ingot by the wire saw device shown in FIG. 1.
Figure 2b is a graph showing the degree of deformation of the sliced wafer due to the thermal gradient that occurs during cutting.
Figure 3a shows an ingot cutting device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3B shows a perspective view of a portion of the ingot cutting device shown in FIG. 3A.
4 shows a photographing part of the thermal imaging camera shown in FIGS. 3A and 3B.
5 is a graph showing the temperature of the ingot analyzed by the control box shown in FIG. 3B.
이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the technical objects and features of the present invention will be apparent from the description of the accompanying drawings and the embodiments. Looking at the present invention in detail.
도 3a는 본 발명의 실시 예에 따른 잉곳 절단 장치(300)를 나타내고, 도 3b는 도 3a에 도시된 잉곳 절단 장치(300)에서 점선 부분(375)에 대한 사시도를 나타낸다.3A shows an
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 잉곳 절단 장치(300)는 롤러들(Rollers; 301, 및 303), 와이어들(wires, 310), 빔(beam, 312), 워크 플레이트(work plate, 320), 테이블(table, 325), 몸체(327), 지지대(329), 열화상 카메라(330), 컨트롤 박스(control box, 350), 슬러리 저장 탱크(355), 슬러리 이송 라인(360), 슬러리 열교환기(365), 및 슬러리 노즐(370)을 포함한다.3A and 3B,
롤러들(301,303,305)은 적어도 2 이상이며, 서로 이격되어 배치되고, 2 이상의 롤러들 중 적어도 하나의 롤러는 회전한다.The
와이어들(310, 예컨대, saw wires)은 서로 일정한 간격(pitch)을 두고 롤러들(301,303,305)의 외주면에 감기며 롤러들(301,303,305)이 회전함에 따라 고속 주행한다.The wires 310 (eg, saw wires) are wound on the outer circumferential surfaces of the
빔(312)은 워크 플레이트(320)에 연결되어 고정되고, 잉곳(340, 예컨대, 실리콘 잉곳)이 부착된다. 워크 플레이트(320)는 테이블(325)에 연결되어 고정된다.The
테이블(325)은 본체(327)에 장착되어 상하로 이동한다. 즉 테이블(325)은 잉곳(340)의 슬라이싱을 위하여 빔(312)에 부착된 잉곳(340)을 상하로 이동시킴으로써 고속 주행하는 와이어들(310)을 향해 잉곳(340)을 이동시킨다.The table 325 is mounted on the
열화상 카메라(330)는 지지대(329)에 고정되며, 잉곳(340) 절단시 잉곳(340)의 표면을 실시간으로 촬영하고, 촬영된 열화상 이미지(image)에 대한 정보를 컨트롤 박스(350)로 전송한다.The
예컨대, 열화상 카메라(330)는 적외선 열화상 카메라(Infrared Thermal Camera)일 수 있으며, 절대온도(-273℃) 이상의 물체는 자체적으로 적외선 에너지를 발산하기 때문에 절단시 잉곳(340)으로부터 발산하는 적외선 에너지를 흡수하여 열화상 이미지로 나타낸다.For example, the
도 4는 도 3a 및 3b에 도시된 열화상 카메라의 촬영 부위를 나타낸다. 도 4를 참조하면, 절단시 와이어들(310)과 접촉하는 잉곳의 부분을 촬영할 수 있으며, 열화상 카메라(330)의 촬영 각도를 업(up) 또는 다운(down)시켜 촬영되는 잉곳(340)의 부위를 변경할 수 있다.4 shows a photographing part of the thermal imaging camera shown in FIGS. 3A and 3B. Referring to FIG. 4, when cutting, a portion of the ingot contacting the
컨트롤 박스(350)는 열화상 카메라(330)로부터 전송되는 열화상 이미지에 대한 정보를 해석하고, 해석 결과에 기초하는 온도 조절 신호(TC)를 열교환기(365)로 전송한다. 슬러리 노즐(370)은 주행하는 와이어들(310) 상에 위치하며, 와이어들(310) 표면에 슬러리를 공급한다.The
도 5는 도 3b에 도시된 컨트롤 박스(350)에 의하여 해석되는 잉곳(340)의 온도를 나타내는 그래프이다. 이때 그래프의 x축의 잉곳의 위치(position, mm)를 나타내고, y축은 잉곳의 표면 온도(Ingot Temp, ℃)를 나타낸다.FIG. 5 is a graph showing the temperature of the
도 5를 참조하면, 잉곳의 처음 부분(A) 및 마지막 부분(C) 절단시의 잉곳의 온도보다 중간 부분(B) 절단시의 잉곳의 온도가 높다. Referring to FIG. 5, the temperature of the ingot at the time of cutting the middle part B is higher than the temperature of the ingot at the time of cutting the first part A and the last part C of the ingot.
슬러리 저장 탱크(355)에 저장되는 슬러리(slurry)는 슬러리 이송 라인(360)을 통하여 슬러리 노즐(370)로 공급된다.Slurry stored in the
열교환기(365)는 본체(327) 내부에 위치하며, 온도 조절 신호(TC)에 기초하여 슬러리 이송 라인(360) 내부에 흐르는 슬러리의 온도를 실시간으로 조절한다.The
반도체용 웨이퍼의 주원료인 실리콘은 온도 1°C 변화에 약 2.3um 만큼 열팽창한다. 잉곳의 절단 부위별(A,B,C) 면적에 따라 절단시 잉곳의 온도에 차이가 발생하고, 이러한 온도 차이로 인하여 슬라이스된 웨이퍼의 형상의 변형이 발생한다.Silicon, the main raw material of semiconductor wafers, thermally expands by about 2.3um at a temperature change of 1 ° C. According to the area (A, B, C) of each cut part of the ingot, a difference occurs in the temperature of the ingot, and due to the temperature difference, deformation of the shape of the sliced wafer occurs.
상술한 바와 같이 잉곳의 처음 부분(A) 및 마지막 부분(C) 절단시의 잉곳의 온도보다 중간 부분(B) 절단시의 잉곳의 온도가 높기 때문에 슬라이스된 형상의 변형이 발생할 수 있다. 따라서 슬라이스된 형상의 변형을 제어하기 위해서는 잉곳 절단 시 발생하는 온도 차이를 줄이는 것이 중요하다.As described above, since the temperature of the ingot at the time of cutting the middle part B is higher than the temperature of the ingot at the time of cutting the first part A and the last part C of the ingot, deformation of the sliced shape may occur. Therefore, in order to control the deformation of the sliced shape, it is important to reduce the temperature difference generated during ingot cutting.
이러한 온도 차이를 줄이기 위하여 절단 시 잉곳의 온도를 일정하게 유지하는 것이 필요하며, 실제로 와이어들에게 뿌려주는 슬러리 온도를 조절함으로써 잉곳의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. In order to reduce this temperature difference, it is necessary to keep the temperature of the ingot constant during cutting, and the temperature of the ingot can be kept constant by adjusting the slurry temperature actually sprayed on the wires.
본원 발명의 실시 예에 따르면 잉곳 절단시 열화상 카메라(330)는 잉곳의 열화상 이미지를 촬영하고, 컨트롤 박스(350)는 촬영된 열화상 이미지를 해석하여 온도 조절 신호(TC)를 발생하고, 열교환기(365)는 온도 조절 신호(TC)에 따라 슬러리의 온도를 조절한다. 열교환기(365)에 의하여 온도 조절된 슬러리가 와이어들(310)에 분사되어 잉곳(340)의 온도를 타겟(Target) 온도로 실시간으로 일정하게 유지시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when cutting the ingot, the
예컨대, 잉곳 절단시 열화상 카메라(330)에 의하여 촬영된 열화상 이미지를 컨트롤 박스(350)에 의하여 해석한 결과 잉곳의 온도가 타겟 온도보다 낮으면, 열교환기(365)에 의하여 슬러리의 온도를 높인다. 그리고 온도가 높아진 슬러리가 와이어들(340)에 분사되면서 잉곳의 온도를 타겟 온도로 맞출 수 있다. For example, if the temperature of the ingot is lower than the target temperature as a result of analyzing the thermal image captured by the
반대로 잉곳 절단시 열화상 카메라(330)에 의하여 촬영된 열화상 이미지를 컨트롤 박스(350)에 의하여 해석한 결과 잉곳의 온도가 타겟 온도보다 높으면, 열교환기(365)에 의하여 슬러리의 온도를 낮춘다. 그리고 온도가 낮아진 슬러리가 와이어들(340)에 분사되면서 잉곳의 온도를 타겟 온도로 맞출 수 있다. On the contrary, if the temperature of the ingot is higher than the target temperature as a result of analyzing the thermal image photographed by the
본 발명의 실시 예에 따른 잉곳 절단 장치를 사용할 경우 웨이퍼의 슬라이스된 형상의 변형을 개선할 수 있다. 예컨대, 슬라이스된 웨이퍼의 Warp Average를 10um이하로 감소시킬 수 있다. 여기서 Warp는 웨이퍼의 변형 정도를 의미하며, 기준면에서 웨이퍼의 median surface까지의 최대 편차와 최소 편차의 차이를 말하며, median surface는 웨이퍼의 앞면과 뒷면에서부터 같은 거리에 위치하는 점들이 이루는 면을 말한다.When using the ingot cutting device according to an embodiment of the present invention it is possible to improve the deformation of the sliced shape of the wafer. For example, the warp average of the sliced wafer can be reduced to 10 μm or less. Warp means the degree of deformation of the wafer, the difference between the maximum deviation and the minimum deviation from the reference plane to the median surface of the wafer, and the median surface refers to the surface formed by the points located at the same distance from the front and back of the wafer.
또한 본 발명의 실시 예에 따르면 CMP 공정을 수행한 후의 웨이퍼 표면의 굴곡이 개선될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼의 나노형태학(nanotography)이 개선될 수 있다. 예컨대, 30nm인 PV(peak to valley)가 26nm로 개선될 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the curvature of the wafer surface after performing the CMP process may be improved. For example, nanonotography of the wafer can be improved. For example, a peak to valley (PV) of 30 nm may be improved to 26 nm.
10, 301, 303,305: 롤러들, 30, 340: 잉곳, 40, 320: 워크 플레이트,
20, 310: 와이어들, 50, 312: 빔, 325: 테이블, 340: 잉곳,
350: 컨트롤 박스, 355: 슬러리 저장 탱크, 360: 슬러리 이송 라인,
365: 열교환기, 370: 슬러리 노즐. 10, 301, 303, 305: rollers, 30, 340: ingot, 40, 320: work plate,
20, 310: wires, 50, 312: beam, 325: table, 340: ingot,
350: control box, 355: slurry storage tank, 360: slurry transfer line,
365: heat exchanger, 370: slurry nozzle.
Claims (7)
상기 와이어들에 슬러리를 공급하는 슬러리 노즐;
상기 잉곳 절단시 상기 잉곳을 실시간으로 촬영하고, 촬영된 열화상 이미지에 대한 정보를 출력하는 열화상 카메라; 및
상기 열화상 이미지에 대한 정보에 기초하여 상기 슬러리의 온도를 실시간으로 조절하는 열 교환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 장치.Wires for cutting ingots;
A slurry nozzle for supplying a slurry to the wires;
A thermal imaging camera which photographs the ingot in real time when the ingot is cut and outputs information on the photographed thermal image; And
And a heat exchanger for controlling the temperature of the slurry in real time based on the information on the thermal image.
상기 열화상 이미지에 대한 정보를 해석하고, 해석 결과에 기초하는 온도 조절 신호를 출력하는 컨트롤 박스를 더 포함하며,
상기 열 교환기는,
상기 온도 조절 신호에 기초하여 상기 슬러리의 온도를 실시간으로 조절하는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 장치.According to claim 1, The ingot cutting device,
A control box for interpreting the information on the thermal image, and outputs a temperature control signal based on the analysis result,
The heat exchanger,
Ingot cutting device, characterized in that for adjusting the temperature of the slurry in real time based on the temperature control signal.
상기 와이어들과 접촉하는 상기 잉곳의 부분을 촬영하며, 촬영 각도가 변경 가능한 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 장치.The method of claim 1, wherein the thermal imaging camera,
Ingot cutting device, characterized in that for photographing the portion of the ingot in contact with the wires, the shooting angle is changeable.
열적외선 열화상 카메라인 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 장치.The method of claim 1, wherein the thermal imaging camera,
Ingot cutting device, characterized in that the thermal infrared camera.
상기 잉곳 절단시 상기 잉곳을 실시간으로 촬영하여 열화상 이미지에 대한 정보를 출력하는 단계;
상기 열화상 이미지에 대한 정보를 해석하고, 해석 결과에 기초하는 온도 조절 신호를 출력하는 단계; 및
상기 온도 조절 신호에 기초하여 상기 슬러리의 온도를 실시간으로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법.Cutting the ingot with the rotating wires supplied with the slurry;
Outputting information on a thermal image by capturing the ingot in real time when cutting the ingot;
Interpreting the information on the thermal image and outputting a temperature control signal based on the analysis result; And
And controlling the temperature of the slurry in real time based on the temperature control signal.
상기 와이어들과 접촉하는 잉곳의 부분을 촬영하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법.The method of claim 5, wherein the outputting the information on the thermal image comprises:
Ingot cutting method, characterized in that for imaging the portion of the ingot in contact with the wires.
상기 촬영되는 잉곳의 부분으로부터 발산하는 적외선 에너지를 흡수하여 열화상 이미지에 대한 정보를 출력하는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법.The method of claim 5, wherein the outputting the information on the thermal image comprises:
Ingot cutting method characterized in that for absorbing infrared energy emitted from the portion of the ingot to be photographed to output information about the thermal image.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110962248A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 胜高股份有限公司 | Machining liquid supply nozzle for wire saw and method for supplying machining liquid to wire saw |
KR102282063B1 (en) * | 2020-01-30 | 2021-07-28 | 에스케이실트론 주식회사 | Ingot temperature controller and Wire sawing apparatus having the same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009029078A (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | Wire saw device |
-
2010
- 2010-02-02 KR KR1020100009567A patent/KR101114951B1/en active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110962248A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 胜高股份有限公司 | Machining liquid supply nozzle for wire saw and method for supplying machining liquid to wire saw |
KR102282063B1 (en) * | 2020-01-30 | 2021-07-28 | 에스케이실트론 주식회사 | Ingot temperature controller and Wire sawing apparatus having the same |
WO2021153846A1 (en) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | 에스케이실트론 주식회사 | Ingot temperature controller and wire sawing device having same |
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KR101114951B1 (en) | 2012-03-06 |
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