KR20110087779A - Vitrified curable material and process for manufacturing thereof, and package structure and process for forming sealing pattern - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 상온에서 형성하는 글래스화 경화 재료와 그 글래스화 경화 재료의 제조 방법, 및 서로 마주하는 기판의 밀봉 패턴을 형성하는 방법과, 그 패턴을 갖는 패키지 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a glass cured material formed at room temperature, a method for producing the glass cured material, a method of forming a sealing pattern of substrates facing each other, and a package structure having the pattern.
마이크로 옵트-일렉트로 메케니컬 시스템(MOEMS: Micro Opt-Electro Mechanical System) 소자, 적외선 검출 소자, CCD 이미징 소자, 유기 EL 플랫 패널 소자 등의 패키지 밀봉에 있어서, 밀봉성, 내약품성, 내광성을 얻을 수 있는 글래스와 글래스를 접합하는 글래스 밀봉법, 글래스와 금속을 접합하는 용융 밀봉법, 세라믹과 금속의 솔더링 밀봉법, 금속과 금속을 접합하는 용접 밀봉법 등, 또한 표준 밀봉성의 유기 중합체 접착재에 의한 밀봉법 등이 널리 사용되고 있다.Sealing, chemical resistance, and light resistance can be obtained in the sealing of packages such as Micro Opt-Electro Mechanical System (MOEMS) devices, infrared detection devices, CCD imaging devices, and organic EL flat panel devices. Glass sealing method for bonding glass and glass, melt sealing method for bonding glass and metal, soldering sealing method for ceramic and metal, welding sealing method for joining metal and metal, etc. Laws are widely used.
그들 밀봉법에 있어서는, 게터재를 패키지 내부에 봉입하여 소자 동작을 저해하는 수분, 산소 등 가스를 흡착ㆍ포획하여 패키지 내부 분위기를 유지하는 등의 방법이 병용되는 경우가 있다.In these sealing methods, there may be used a method of encapsulating a getter material inside a package, adsorbing and capturing a gas such as moisture or oxygen that hinders device operation and maintaining an atmosphere inside the package.
한편, 패키지 내부를 반응성 가스 분위기로 유지하는 경우에는, 패키지 밀봉 재료는 상기 분위기에 있어서 부식되어서는 안 된다.On the other hand, when maintaining the inside of a package in a reactive gas atmosphere, the package sealing material should not corrode in the above atmosphere.
하기 참고 문헌으로부터, 산업계에 있어서 실용화되어 있는 저온 형성 글래스 재료 기술 중에서, 특히 특허 문헌 1에 개시되는 방법과, 비특허 문헌 1에 설명되는 상온에서 형성하는 글래스화 경화 재료에 패키지 밀봉 응용에의 가능성을 평가할 수 있다.From the following references, among the low temperature forming glass material technologies that have been put to practical use in the industry, the possibility of package sealing applications in the method disclosed in
상온에서 글래스 재료를 형성하는 글래스화 경화 재료로서는, 예를 들어 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 등이 포함된다. 특히 상기SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체는 Si-O 결합의 무기 결합으로 이루어지는 비정질 SiO2를 형성하고, 상기 비정질 SiO2는 수분, 가스에 대한 내침투ㆍ투과성, 자외선에 대한 내광성이 우수한 특성을 갖고, 고신뢰성의 패키지 밀봉을 가능하게 하는 재료로서 높은 잠재력을 갖는다.As a glass-hardened material which forms a glass material at normal temperature, SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid etc. are contained, for example. In particular, the SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) silica liquid forms amorphous SiO 2 composed of an inorganic bond of Si-O bond, and the amorphous SiO 2 has excellent permeability and permeability to water, gas, and light resistance to ultraviolet rays. Properties and high potential as a material that enables high reliability package sealing.
SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체를 서로 마주하는 기판 사이에 형성되는 밀봉 패턴 스페이스에 채우고, 상온에 있어서 글래스화 네트워크 반응을 진행시키는 과정에 있어서, 접착 단부의 글래스 상태 물질에 상기 스페이스로부터 비어져 나오려는 힘이 작용하여, 상기 스페이스 중앙부 부근의 글래스 상태 물질이 결핍되어 공동이 형성되는 결과 밀봉 불량이 된다.In the process of filling SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid into a sealing pattern space formed between the substrates facing each other and advancing a glass-forming network reaction at normal temperature, the glass state material of an adhesive end is vacated from said space. A force to pull out acts, resulting in a lack of glass state material near the center of the space resulting in the formation of a cavity resulting in poor sealing.
SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체의 글래스화 네트워크 과정을 거쳐서 글래스화 경화를 완료한 글래스 재료는 펜타플루오로프로피온산(Pentafluoropropionic Acid) 액에 의해 부식된다.The glass material which has undergone the glass-hardening process through the glass-networking process of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid is corroded by the pentafluoropropionic acid liquid.
서브마이크로미터 크기의 입자 분체가 갖는 큰 비표면적에 의한 계면 장력의 효과를, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액 전체의 계면 장력을 제어하는 데 이용함으로써, 상기 입자를 분산한 상기 실리카 액체, 기판 표면, 분위기가 동시에 접하는 경계의 단면의 점에 작용하는 계면 장력을 밸런스 조건으로 설정하고, 상기 실리카 액체의 글래스화 네트워크 반응을 진행시켜 상기 실리카 액체의 글래스화 경화를 완료시킨다.The silica liquid in which the particles are dispersed by using the effect of the interfacial tension due to the large specific surface area of the submicron-sized particle powder to control the interfacial tension of the entire SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid, The interfacial tension acting on the substrate surface and the point of the cross section of the boundary at the same time in contact with the atmosphere is set as the balance condition, and the glass-forming reaction of the silica liquid is performed to complete the glass-hardening of the silica liquid.
SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체에 상기 입자를 분산하고, 상기 실리카 액체가 Si-O 결합 글래스화 네트워크 반응 과정에 있어서, 분산되어 있는 상기 입자 표면과 화학 결합하면서 상기 입자를 글래스화 과정의 재료에 도입 충전하여 글래스화 경화를 완료시켜 형성하는 글래스화 경화 재료의 개질을 도모한다.SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) The particles are dispersed in a silica liquid, and the silica liquid is chemically bonded to the dispersed particle surface in the Si-O bonded glass network reaction process. The introduction of the material into the glass to complete the glass hardening to modify the glass cured material formed.
서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 글래스화 경화 재료[예를 들어, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체]를 서로 마주하는 기판간에 형성되는 접착 패턴 스페이스에 채우고, 상온에 있어서 글래스화 네트워크 반응을 진행시키는 과정에 있어서, 글래스 상태 물질이 상기 스페이스 내에 안정적으로 머무른 상태에서 글래스화 경화를 완료하여, 밀봉 패턴 스페이스 전역에 걸쳐 균일한 글래스화 경화 재료로 밀봉하는 것이 가능해진다.A glass-hardened material (e.g., SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid) in which particles of submicrometer size are dispersed is filled in an adhesive pattern space formed between substrates facing each other, and the glass-network reaction at room temperature. In the process of advancing, it is possible to complete the glass hardening in a state where the glass state material stably remains in the space, and to seal with a uniform glass hardening material throughout the sealing pattern space.
서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 글래스화 경화 재료[예를 들어, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체]로 형성되는 글래스화 경화 재료는, 상기 입자에 의한 분산ㆍ충전 효과가 상기 글래스화 경화 재료 품질에 반영되고, 상기 글래스화 경화 재료의 펜타플루오로프로피온산(Pentafluoropropionic Acid)액에 대한 내부식성이 향상된다.The glass-hardened material formed from the glass-hardened material (for example, SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid) which disperse | distributed the particle | grains of the submicrometer size, has the said dispersing and filling effect by the said particle | grain It is reflected in the cured material quality, and the corrosion resistance to the pentafluoropropionic acid liquid of the glass hardened material is improved.
도 1은 Si-O 결합으로 이루어지는 SiO2 네트워크를 도시한 도면.
도 2는 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스)의 글래스화 반응식을 나타낸 도면.
도 3은 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체에 의한 밀봉 공정을 나타낸 도면.
도 4는 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 표면, 기판 표면, 분위기가 접하는 삼상계의 단면의 점에 작용하는 계면 장력의 관계를 나타낸 도면.
도 5는 글래스화 네트워크 과정에 있는 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스)이 밀봉부의 단부로부터 외측으로 유동하여 비어져 나감으로써 밀봉층 내에서 공동을 형성하는 현상을 도시한 도면.
도 6은 펜타플루오로프로피온산(Pentafluoropropionic Acid)을 나타낸 도면.
도 7은 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료를 펜타플루오로프로피온산 액에 24시간 침지 시험한 결과를 나타낸 도면.
도 8은 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 표면, 기판 표면, 분위기가 접하는 삼상계의 단면의 점에 작용하는 계면 장력이 밸런스 상태에 있어 상기 단면의 점이 정지하는 모습을 도시한 도면.
도 9는 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체의 글래스화 경화 재료 밀봉 공정을 나타낸 도면.
도 10은 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 1을 도시한 도면.
도 11은 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료를 펜타플루오로프로피온산 액에 24시간 침지 시험한 결과를 나타낸 도면.
도 12는 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 2를 도시한 도면.
도 13은 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 3을 도시한 도면.
도 14는 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 4를 도시한 도면.
도 15는 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 5를 도시한 도면.
도 16은 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 6을 도시한 도면.1 shows an SiO 2 network consisting of Si—O bonds.
FIG. 2 shows a glass reaction scheme of SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass). FIG.
Figure 3 shows a sealing process with SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid.
Fig. 4 is a graph showing the relationship between the interfacial tensions acting on the point of the cross section of a three-phase system in contact with a SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid surface, a substrate surface, and an atmosphere;
FIG. 5 illustrates a phenomenon in which a SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) in the process of glassing network flows outward from the end of the sealing portion to bulge to form a cavity in the sealing layer.
6 is a diagram showing pentafluoropropionic acid.
The figure which shows the result of the immersion test of SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless glass) silica liquid glass-hardened material in pentafluoropropionic acid solution for 24 hours.
Fig. 8 shows the interfacial tension acting on the SIRAGUSITAL-B4373 silica liquid surface in which submicrometer-sized particles are dispersed, the surface of the substrate, and the points of the cross-section of the three-phase system in contact with the atmosphere. Figure showing a state of stopping.
FIG. 9 shows a glass-hardened material sealing process of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid in which particles of submicrometer size are dispersed.
Fig. 10 is a view showing a first embodiment of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing of submicrometer-sized particle dispersion and filling.
Fig. 11 shows the results of a 24-hour immersion test of a SIRAGUSITAL-B4373 (Hytris glass) silica liquid glass-hardened material in which a submicrometer-sized silica particle was dispersed and filled in a pentafluoropropionic acid solution.
Fig. 12 is a diagram showing a second embodiment of a particle dispersing and filling SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing having a submicron size.
Fig. 13 is a view showing a third embodiment of the present invention in the sub-micrometer-sized particle dispersing and filling SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealant.
Fig. 14 is a view showing a sealing example 4 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material of submicrometer-sized particle dispersion and filling according to the present invention.
Fig. 15 shows Example 5 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing of submicron-sized particle dispersion and filling according to the present invention.
Fig. 16 is a view showing Example 6 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing of submicron-sized particle dispersion and filling according to the present invention;
특허 번호「2538527」에 있어서 상온 영역에 있어서 금속 산화물 글래스를 얻는 방법이 명시되어 있고, 상온에서 무기의 글래스 재료를 형성하는 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체가 제품화되어 있다.In patent number "2538527", the method of obtaining a metal oxide glass in the normal temperature area | region is specified, and SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid which forms an inorganic glass material at normal temperature is commercialized.
도 1에 Si-O 결합으로 이루어지는 SiO2 네트워크를 나타낸다.1 shows an SiO 2 network composed of Si—O bonds.
재료 형성의 이론은, 알코올 가용형 유기 규소 화합물, 그 밖의 금속 화합물을 액 중에서 이온화하고, 촉매를 사용하여 상온(실온 내지 200℃)에서 글래스와 같은 Si-O 결합 1로 이루어지는 SiO2 네트워크를 형성하는 방법이다.The theory of material formation is that ion-soluble organosilicon compounds and other metal compounds are ionized in a liquid, and a catalyst is used to form a SiO 2 network consisting of Si-
도 2에 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스)의 글래스화 반응식을 나타낸다.2 shows a glass reaction scheme of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass).
반응식 2a에 나타낸 바와 같이 붕소 B3+와 할로겐 X-로부터 생성되는 BX4 - 착이온이 반응식 2b와 같이 M(OR)n의 M과 매우 용이하게 교환하여 MX- n+1 착이온이 되고, 반응식 2c에 나타내는 가수분해 반응이 촉진되어 금속 수산화물을 생성, 반응식 2d에 나타내는 탈수 반응이 촉진되는 결과, 상온 영역에 있어서 금속 산화물 글래스(히트리스 글래스)를 얻을 수 있다고 추정되고 있다.BX 4 produced from-boron B 3+ and X a halogen, as shown in
SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체는 상온에서 지촉 건조까지 2-3시간, 표준 경화(경도 H-2H)까지 24시간, 완전 경화(경도 9H)까지 6일 이상에 달한다.SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) Silica liquids last 2-3 hours from room temperature to contact drying, 24 hours to standard cure (hardness H-2H) and 6 days or more to full cure (hardness 9H).
상온에서 형성되는 재료 막질은 환경 상의 오염 우려 물질이 되는 유기물 성분을 전혀 포함하지 않는 완전한 무기질이며, 연필 경도 9H, 우수한 내후성, 내약품성, 내수성, 내가스 배리어성, 내열성과 같은 특성을 나타낸다.The material film formed at room temperature is a completely inorganic material containing no organic components that are environmentally concerned substances and exhibits characteristics such as pencil hardness 9H, excellent weather resistance, chemical resistance, water resistance, gas barrier resistance, and heat resistance.
도 3에 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체에 의한 밀봉 공정을 나타낸다.The sealing process by SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid is shown in FIG.
밀봉 공정은 하부 기판에 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액을 도포하는 공정 3, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액을 도포한 하부 기판에 상부 기판을 본딩하는 공정 4, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액 글래스화 네트워크 과정의 공정 5, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 완료의 공정 6으로 이루어진다.The sealing step is to apply SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid to the lower substrate, SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) bonding the upper substrate to the lower substrate coated with silica liquid, SIRAGUSITAL-B4373 ( Heatless glass) silicate liquid crystallization
SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(7)를 하부 기판(8)의 소정 장소에 소정량을 스크린 인쇄법이나 디스펜스법으로 도포하고, 상부 기판(9)을 하부 기판(8)에 본딩하고, 스페이서(10)에 의해 일정 두께로 설정되는 상하 기판간 스페이스(11)에 상기 액체(7)가 채워지고, 밀봉 단부(12a, 12b)에서는 비어져 나옴 형상(13a, 13b)이 되고, 상기 형상을 유지하여 글래스화 네트워크 과정을 거쳐서 실리카 액체가 글래스화 경화를 완료한다.The SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
상하 기판간 스페이스(11) 내의 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(7)는, 접착부의 단부에서는 외부 분위기에 노출되는 상태에서 글래스화 네트워크 반응이 진행되어, 1주일 정도에서 상기 반응은 완결되고, 글래스화 경화를 완료한다.As for the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
도 4에 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 표면, 기판 표면, 분위기가 접하는 삼상계의 단면의 점에 작용하는 계면 장력의 관계를 나타낸다.Fig. 4 shows the relationship between the interfacial tension acting on the point of the cross section of the three-phase system in which the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid surface, the substrate surface, and the atmosphere contact each other.
하부 기판(8)의 표면(15) 상에 작용하는 하부 기판(8)과 분위기(16) 사이의 계면 장력(18)과 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(7)와 하부 기판(8)의 표면(15) 사이의 계면 장력(19), 상기 실리카 액체(7)의 표면(14)의 법선 상에 작용하는 상기 실리카 액체(7)와 분위기 사이의 계면 장력(20)은 각각 외측을 향해 작용하고, 상기 실리카 액체(7)가 하부 기판(8)의 표면(15) 상에서 접촉각 θ(21)를 이루고, 3개의 장력(18, 19, 20)이 작용하는 삼상계의 단면의 점(17)의 위치는 이들 3개의 장력(18, 19, 20)의 힘의 관계에 따라 시간의 경과와 함께 이동한다.SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
도 5에 글래스화 네트워크 과정에 있는 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스)이 밀봉부의 단부로부터 외측으로 유동하여 비어져 나옴으로써 밀봉층 내에서 공동을 형성하는 현상을 나타낸다.FIG. 5 shows a phenomenon in which the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) in the process of glassing network flows outwardly from the end of the sealing portion to bulge to form a cavity in the sealing layer.
본딩된 기판(8, 9)의 밀봉부의 단부는 외부 분위기(16)에 노출되어 있고 상하 기판간 스페이스(11) 내의 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(7)는 삼상계의 단면의 점(23a, 23b, 23c, 23d)에 있어서 작용하는 3개의 장력(18, 19, 20)의 관계에 의존하여 상기 단면의 점의 위치가 상기 밀봉부의 밀봉 단부(12a, 12b)로부터 외측을 향해 이동하고, 또한 글래스화 네트워크 과정에 있는 상기 실리카 액체(7)의 상태에 있어서도 매우 느릿한 유동 현상이 계속되어 비어져 나옴부(24a, 24b)를 형성해 가는 결과, 밀봉 패턴 중앙부 부근의 스페이스(11) 내에서 상기 과정에 있는 상기 실리카 액체(7)가 결핍됨으로써 공동(25)을 형성하고, 글래스화 경화 완료시에는 글래스화 경화 완료 밀봉부(26a, 26b)와 글래스화 경화 완료 비어져 나옴부(27a, 27b)가 형성되는 모습을 밀봉 단면으로 나타낸다.The ends of the sealing portions of the
이와 같이 글래스화 네트워크 과정에 있는 글래스 상태 물질이 밀봉 패턴 중앙부 부근에 있어서 결핍됨으로써 형성되는 공동(25)에 의해 밀봉 불량이 된다.Thus, the sealing state becomes poor by the
도 6에 펜타플루오로프로피온산(Pentafluoropropionic Acid)(28)을 나타낸다.6 shows pentafluoropropionic acid 28.
펜타플루오로프로피온산(Pentafluoropropionic Acid)(28)은 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체에 의해 형성되는 글래스화 경화 재료에 잔존하는 구조 불연속성이나 유기 성분을 부식하므로, 상기 글래스화 경화 재료의 완전성 품질을 검사하는 시약으로서 사용한다.Pentafluoropropionic acid (28) corrodes the structural discontinuities or organic components remaining in the glass hardened material formed by SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) silica liquid, thereby insuring the integrity of the glass hardened material. It is used as a reagent for examining.
도 7에 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료를 펜타플루오로프로피온산 액(30)에 24시간 침지하여 그 내부식성을 검사한 결과를 나타낸다.FIG. 7 shows the results of the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened material immersed in the
SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(7)로부터 글래스화 경화를 완료하여 형성되는 밀봉부(26a, 26b)와 비어져 나옴부(27a, 27b)로 밀봉한 기판(8, 9)을 검사 용기(29) 내의 펜타플루오로프로피온산 액(30)에 24시간 침지하고, 상기 밀봉부(26a, 26b)와 상기 비어져 나옴부(27a, 27b)의 내부식성을 검사한 결과, 기판(8, 9) 사이에 놓인 상기 밀봉부(26a, 26b)는 밀봉 단부(12a, 12b)로부터 부식되는 일 없이 완전한 상태로 밀봉을 유지하고 있지만, 상기 비어져 나옴부(27a, 27b)에 용출ㆍ박리에 의한 결손부(31a, 31b)를 관찰하였다.The sealing
덧붙여서, 펜타플루오로프로피온산 액(30)은 유기 성분을 의도적으로 몇% 혼입한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체로 형성되는 글래스화 경화 재료로 밀봉한 기판(8)과 기판(9)을 상기 액(30)에 24시간 침지하면, 상기 글래스화 경화 재료가 모두 용출하여 밀봉성이 완전히 상실되어 버릴 정도의 부식성을 나타내는 것이다.In addition, the
본 발명 내용을 이하에 설명한다.The contents of the present invention will be described below.
마이크로미터 레벨의 입자 크기에 의한 분체 재료의 입자분의 비표면적은 수㎡/g이지만, 입자 크기를 서브마이크로미터로 작게 해 가면 입자 중의 전체 원자수에 대해 표면에 존재하는 원자수가 증가하는 결과, 입자분의 비표면적은 수100㎡/g에 도달하여 입자의 특성에 대해 그 계면 효과가 현재화된다.The specific surface area of the particles of the powder material by the particle size of the micrometer level is
따라서, 서브마이크로미터 크기의 입자를 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체에 분산함으로써, 상기 입자 분체 재료가 갖는 큰 비표면적에 의한 계면 효과를 이용하여, 상기 입자 분산 상기 실리카 액 전체의 계면 장력을 제어할 수 있다.Therefore, by dispersing submicrometer-sized particles in SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) silica liquid, the interfacial tension of the whole silica liquid is dispersed by utilizing the interfacial effect due to the large specific surface area of the particle powder material. Can be controlled.
도 8에 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 표면, 기판, 분위기가 접하는 삼상계의 단면의 점에 작용하는 계면 장력이 밸런스 상태에 있어 상기 단면의 점이 정지하는 모습을 나타낸다.The interfacial tension acting on the point of the cross-section of the three-phase system in contact with the SIRAGUSITAL-B4373 silica liquid surface, the substrate, and the atmosphere in which submicrometer-sized particles are dispersed in FIG. It shows how.
서브마이크로미터 크기의 입자(32)를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33), 하부 기판(8)의 표면(15), 분위기(16)의 3자가 접하는 3상계의 단면의 점(34)에 작용하는 상기 표면(15) 상에 작용하는 하부 기판(8)과 분위기(16) 사이의 계면 장력(35)과 상기 입자(32)를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33)와 하부 기판(8)의 표면(15) 사이의 계면 장력(36), 상기 입자(32)를 분산한 상기 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33) 표면(37)의 법선 상에 작용하는 상기 액체와 분위기 사이의 계면 장력(38)은 각각 외측을 향해 작용하여 접촉각 ε(39)으로 밸런스 상태에 있고, 상기 입자(32)를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33), 하부 기판(8)의 표면(15), 분위기(16)의 3자가 접하는 3상계의 단면의 점(34)의 위치는 정지한다. 또한, 상부 기판(9), 분위기(16), 서브마이크로미터 크기의 입자(32)를 분산한 실리카 액체(33)의 3자가 접하는 3상계의 단면의 점에 있어서 각각 작용하는 계면 장력에 있어서도, 마찬가지로 밸런스 상태에 있어, 그 3자가 접하는 3상계의 단면의 점은 정지하게 된다.SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
도 9에 서브마이크로미터 크기의 입자 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체의 글래스화 경화 재료 밀봉 공정을 나타낸다.9 shows a glass-hardened material sealing process of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid in which particles are dispersed in submicrometer size.
밀봉 공정은 서브마이크로미터 크기의 입자(32)를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33)를 하부 기판(8)에 도포하는 공정 40, 상기 실리카 액 도포 하부 기판에 상부 기판을 본딩하는 공정 41, 상기 실리카 액 글래스화 네트워크 과정의 공정 42, 상기 실리카 액 글래스화 경화 완료의 공정 43으로 이루어진다.The sealing process is a process of applying SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
서브마이크로미터 크기의 입자(32)를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33)를 하부 기판(8) 상에 도포하고 상부 기판(9)을 본딩하여 상기 입자(32)를 분산한 상기 실리카 액체(33)가 스페이서(10)에 의해 확보되는 밀봉 스페이스(11) 내를 채우고 밀봉부(12a, 12b)로부터 비어져 나옴부(44a, 44b)를 형성하고, 글래스화 네트워크 반응이 진행 중인 상기 입자(32)를 분산한 상기 실리카 액체(45)의 상태에 있어서도 스페이스(11) 내에 상기 액체(45)는 안정적으로 머물러 비어져 나옴부(44c, 44d)의 형상을 유지하고, 글래스화 경화가 완료하였을 때에 상기 입자(32)를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 글래스화 경화 완료 재료(46)와 글래스화 경화 완료 비어져 나옴부(47a, 47b)가 형성되는 결과를 밀봉 단면 방향으로부터 나타낸다.A SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
고신뢰성의 패키지 밀봉을 가능하게 하는 재료로서의 관점에서는, 서브마이크로미터 크기의 입자(32)를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 글래스화 경화 완료 재료(46)에 있어서 분산ㆍ충전하는 서브마이크로미터 크기의 입자의 재료는 무기 화합물이거나, 또는 자외선에 의한 광화학 반응에 내성을 갖는 Si-O 결합 에너지와 동등 이상의 결합 에너지를 갖는 결합으로 이루어지는 무기 화합물이며, 또는 금속, 세라믹이거나, 또는 금속, 금속 산화물, 탄화물, 질화물, 인산화물, 황화물, 탄산화물이거나, 또는 실리카, 지르코니아, 티타니아, 알루미나, 산화주석, 산화인듐, 질화실리콘, 질화붕소, 질화티타늄, 질화알루미늄, 인산붕소, 탄산리튬, 탄화실리콘, 황화아연, 산화아연, 그래파이트, 실리콘, 산화세륨을 구체예로서 들 수 있지만 물론 이들의 재료에 한정되는 것은 아니다.From the standpoint of a material capable of highly reliable package sealing, the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) glass-hardened
또한, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(7)에 분산하는 서브마이크로미터 크기의 입자(32)의 첨가 비율은 글래스화 경화 재료 밀봉 공정에 있어서의 계면 장력 제어 요구, 글래스화 경화 완료 재료에 요구되는 신뢰성 요구 등으로부터 종합적으로 결정된다.In addition, the addition ratio of the particle | grains of the submicrometer size disperse | distributing to SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
<실시예><Examples>
도 10에 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 1을 나타낸다.FIG. 10 shows Example 1 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing of submicrometer-sized particle dispersion and filling.
SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(48)의 주제(主劑)(49), 촉매제(50)(발매원: 신기쥬쯔 소조 겡뀨죠 가부시끼가이샤, 제조원: 다이또 잔교 가부시끼가이샤), 소수화 처리를 실시한 실리카 구 형상 미립자(51)(평균 입도 분포 0.1㎛) X-24-9163A(신에쯔 가가꾸 고교 가부시끼가이샤), 몇㎜의 폭으로 프레임 형상으로 도려냄 형상 가공한 인터포저 붕규산 글래스(52)(예를 들어, 글래스판 두께 1.1㎜, 표면 거칠기 Ra 1.3㎚), 양면 Al2O3 광학 창 코팅 처리를 실시한 평면 붕규산 글래스(53)(예를 들어, 글래스판 두께 1.1㎜, 표면 거칠기 Ra 0.8㎚)를 준비한다.Main body (49) of the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
공정 54에서, SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체의 주제(49)와, 촉매제(50)를 9용량에 대해 1용량의 비율로 교반 혼합을 행하여 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 표준 액체(55)를 조합하고, 공정 56에서 상기 실리카 표준 액체(55)에 벌크 밀도가 약 0.5g/cc의 소수화 처리를 실시한 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자(51)를 3용량 추가하여 충분한 교반에 의한 분산을 행하여 상기 입자(51)를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(57)를 조합한다.In
공정 58에 있어서 수 ㎜ 폭으로 수 ㎝ 길이의 격자로 반복하여 도려냄 형상 가공한 인터포저 글래스(52)의 각 격자 프레임 상에 디스펜스 내지는 스크린 인쇄에 의해 소정 패턴(59, 60)으로 도포한 인터포저 글래스(61)를 준비하고, 공정 62에서 양면 광학 창 코팅 처리를 실시한 평면 글래스(53)를 상기 인터포저 글래스(61) 상으로부터 소정 위치에서 본딩하고, 상기 평면 글래스(53)와 상기 인터포저 글래스(61) 사이에 형성되는 5㎛ 두께의 스페이서(10)에 의해 형성되는 스페이스(11) 내에 상기 실리카 액체(57)를 채웠을 때, 상기 프레임 형상으로 형상 가공한 인터포저 글래스(52)의 밀봉 단부로부터는 도 9에 도시하는 비어져 나옴부(44a, 44b)와 같이 비어져 나옴부가 광학 창 코팅 처리를 실시한 평면 글래스 표면 상에 형성되지만 상기 표면 상에 안정적으로 머물고, 공정 63에 있어서 상기 실리카 입자(51)를 분산한 상기 실리카 액체(57)의 글래스화 네트워크 반응 과정을 거쳐서 공정 64에 있어서 글래스화 경화를 완료하여, 상기 스페이스(11) 내에서 상기 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 상기 실리카 액체 글래스화 경화 재료(65)를 형성할 때까지, 상기 글래스화 경화 재료(65)의 밀봉 단부로부터의 비어져 나옴부가 최초의 위치에 안정적으로 머물고, 도 9에 나타내는 비어져 나옴부(47a, 47b)와 같은 형상으로 유지되어 있으므로 상기 스페이스 내 중앙 부근에 있어서 상기 글래스화 경화 재료(65)는 결핍되지 않고, 상기 평면 글래스와 상기 인터포저 글래스는 균일한 상기 글래스화 경화 재료(65)에 의해 밀봉된다.In
도 11에 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료를 펜타플루오로프로피온산(Pentafluoropropionic Acid) 액(30)에 24시간 침지하여 그 내부식성을 검사한 결과를 나타낸다. FIG. 11 shows a SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened material in which silica particles having a size of submicrometer is dispersed and filled are immersed in a
인터포저(52)와 평면 글래스(53) 사이의 스페이스(11)에 형성된 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자(51)를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료(65)는 밀봉 단부(12a, 12b)로부터 부식되지 않고 완전한 상태로 유지되어 있고, 또한 펜타플루오로프로피온산 액(30)에 직접 노출되는 밀봉 단부에서의 비어져 나옴부(66a, 66b)의 표면에 균열(67a, 67b)이 발생하였지만 상기 비어져 나옴부(66a, 66b)가 용출하는 데까지 이르지 않고, 상기 실리카 입자의 상기 실리카 액체 글래스화 경화 재료에의 분산ㆍ충전 효과는 펜타플루오로프로피온산 액(30)에 대한 내부식성 향상에 반영되는 결과에 의해 확인할 수 있다.SIRAGUSITAL-B4373 (Hytris glass) silica liquid glass cured material in which the microparticle
도 12에 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 2를 나타낸다.FIG. 12 shows Example 2 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing of submicrometer-sized particle dispersion and filling.
양면 광학 창 코팅 처리를 실시한 평면 붕규산 글래스 기판(68)과 프레임 형상으로 도려냄 형상 가공한 인터포저 붕규산 글래스(69)를 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료(70)에 의해 밀봉한 창 유닛을 작성하고, 예를 들어 광 변조 기능을 갖는 가동 마이크로미러 미러 소자 구조(71)를 예를 들어 반도체 집적 회로를 형성한 실리콘 기판(72) 상에 형성하고, 상기 실리콘 기판(72)과 상기 창 유닛을 밀봉 재료(73)에 의해 밀봉하여 상기 가동 마이크로미러 미러 구조(71)가 동작하는 내부 분위기(74)를 외부 분위기(75)로부터 분리한다.SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) in which a flat
밀봉 재료(73)는 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료로 하는 것도 가능하다.The sealing
도 13에 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 3을 나타낸다.Fig. 13 shows Example 3 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing of submicrometer-sized particle dispersion and filling according to the present invention.
패키지 기판(76)에 인터포저(77)를 밀봉 재료(73)로 밀봉한 패키지 용기에, MEMS 센서, CCD 등의 소자(78)를 패키지 기판(76)에 부착하는 와이어 본드 전기 배선(79)을 시설하고, 마지막에 커버 기판(80)을 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료(70)에 의해 인터포저(77)에 밀봉하여 내부 분위기(74)를 외부 분위기(75)로부터 분리한다.Wire bond
밀봉 재료(73)는 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료로 하는 것도 가능하다.The sealing
도 14에 본 발명에 의한 서브마이크로미터 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 4를 나타낸다.FIG. 14 shows Example 4 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened hardening material sealing according to the present invention.
서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33)를 패키지 커버 기판(83)의 주변 가장자리에 패턴 도포하고, 예를 들어 유기 EL 등의 박막으로 구성되는 고체 소자(81)를 형성한 패키지 기판(82) 상으로부터 위치 정렬 본딩함으로써, 스페이서(84)에 의해 확보되는 스페이스(85)에서 상기 기판(82)과 상기 커버 기판(83)이 서로 마주하고, 서로 마주하는 양 기판의 주변 가장자리부를 상기 실리카 액체(33)로 채우고, 상기 실리카 액체(33)를 글래스화 네트워크 반응시키는 과정을 거쳐서 형성되는 상기 실리카 액체 글래스화 경화 재료(70)에 의해 밀봉하고, 상기 소자(81)를 외부 분위기(75)로부터 분리한다.Particle dispersing and charging of submicrometer size SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) A
도 15에 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 5를 나타낸다.FIG. 15 shows Example 5 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened cured material sealing of submicrometer-sized particle dispersion and filling according to the present invention.
서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33)를 패키지 커버 기판(83)의 전체면에 도포하고, 예를 들어 유기 EL 등의 박막으로 구성되는 고체 소자(81)를 형성한 패키지 기판(82) 상으로부터 위치 정렬 본딩하고, 스페이서(84)에 의해 확보되는 스페이스(85) 내 전체를 상기 실리카 액체(33)로 채우고, 상기 실리카 액체(33)를 글래스화 네트워크 반응시키는 과정을 거쳐서 형성되는 상기 실리카 액체 글래스화 경화 재료(70)에 의해 상기 스페이스(85) 전체를 충전하여 상기 소자(81)를 매립 밀봉하여, 외부 분위기(75)로부터 분리한다.Dispersing and Charging of Particles of Submicrometer Size SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) A
도 16에 본 발명에 의한 서브마이크로미터 크기의 입자 분산ㆍ충전 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료 밀봉 실시예 6을 나타낸다.FIG. 16 shows Example 6 of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened curable material sealing of submicrometer-sized particle dispersion and filling.
예를 들어 유기 EL 등의 고체 소자(81)를 형성한 패키지 기판(82)의 상기 소자 형성면에 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체(33)를 균일하게 도포하고, 글래스화 네트워크 반응 과정을 거쳐서 형성되는 상기 실리카 액체 글래스화 경화 재료(70)에 의해 상기 소자(81)를 형성한 패키지 기판(82)의 전체면을 보호 코트 밀봉하고, 상기 소자(81)를 외부 분위기(75)로부터 분리한다.For example, the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass)
또한, 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료(70)는 무색 투명하고 10㎛ 두께의 광투과율은 90% 이상을 나타낸다.In addition, the SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) silica liquid glass-hardened
서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료는 고신뢰성의 패키지 밀봉을 가능하게 하는 높은 잠재력을 갖고, MEMS 웨이퍼 레벨 패키징, 유기 EL 플랫 패널 경량화 패키징 등, 새로운 패키지 개발에 있어서 그 응용 실용화가 검토되고 있다.SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) Silica liquid glass cured materials, which disperse and fill submicrometer-sized particles, have high potential to enable highly reliable package sealing, and lighten MEMS wafer level packaging and organic EL flat panels. In the development of new packages such as packaging, the practical application of them has been examined.
1: Si-O 결합
7: SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체
8: 하부 기판
9: 상부 기판
10: 스페이서
11: 상하 기판간 스페이스
12a: 밀봉 단부
12b: 밀봉 단부
13a: 비어져 나옴 형상
13b: 비어져 나옴 형상
14: SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 표면
15: 하부 기판 표면
16: 분위기
17: 삼상계의 단면의 점
18: 하부 기판과 분위기 사이의 계면 장력
19: SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체와 하부 기판 표면의 사이의 계면 장력
20: SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 표면의 법선 상에 작용하는 상기 실리카 액체와 분위기 사이의 계면 장력
21: SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체가 하부 기판 표면 상에서 이루는 접촉각 θ
22a: 상하 기판간 스페이스 내의 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체
22b: 상하 기판간 스페이스 내의 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체
23a: 삼상계의 단면의 점
23b: 삼상계의 단면의 점
23c: 삼상계의 단면의 점
23d: 삼상계의 단면의 점
24a: 글래스화 네트워크 과정에 있어서도 매우 느릿한 유동 현상이 계속됨으로써 형성되는 비어져 나옴부
24b: 글래스화 네트워크 과정에 있어서도 매우 느릿한 유동 현상이 계속됨으로써 형성되는 비어져 나옴부
25: 공동
26a: 글래스화 경화를 완료하여 형성되는 밀봉부
26b: 글래스화 경화를 완료하여 형성되는 밀봉부
27a: 글래스화 경화를 완료하여 형성되는 비어져 나옴부
27b: 글래스화 경화를 완료하여 형성되는 비어져 나옴부
28: 펜타플루오로프로피온산(Pentafluoropropionic Acid)
29: 검사 용기
30: 검사 용기 내의 펜타플루오로프로피온산 액
31: 용출ㆍ박리에 의한 결손부
32: 서브마이크로미터 크기의 입자
33: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체
34: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체, 하부 기판 표면, 분위기의 3자가 접하는 3상계의 단면의 점
35: 하부 기판과 분위기 사이의 계면 장력
36: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체와 하부 기판 표면 사이의 계면 장력
37: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 표면
38: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체와 분위기 사이의 계면 장력
39: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체가 하부 기판 표면 상에서 이루는 접촉각 ε
44a: 비어져 나옴부
44b: 비어져 나옴부
44c: 비어져 나옴부
44d: 비어져 나옴부
45: 글래스화 네트워크 반응이 진행 중인 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체
46: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 글래스화 경화 완료 재료
47a: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 글래스화 경화 완료 비어져 나옴부
47b: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 글래스화 경화 완료 비어져 나옴부
59: 인터포저 글래스의 각 격자 프레임 상에 소정의 패턴으로 도포된 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체
60: 인터포저 글래스의 각 격자 프레임 상에 소정의 패턴으로 도포한 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체
61: 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체를 소정의 패턴으로 도포한 인터포저 글래스
65: 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료
66a: 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 용액의 글래스화 경화막의 밀봉 단부에 있어서의 비어져 나옴부
66b: 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 용액의 글래스화 경화막의 밀봉 단부에 있어서의 비어져 나옴부
67a: 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 용액의 글래스화 경화막의 밀봉 단부에 있어서의 비어져 나옴부 표면으로부터 발생한 균열
67b: 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 용액의 글래스화 경화막의 밀봉 단부에 있어서의 비어져 나옴부 표면으로부터 발생한 균열
68: 양면 광학 창 코팅 처리를 실시한 평면 붕규산 글래스 기판
69: 프레임 형상으로 도려냄 형상 가공한 인터포저 붕규산 글래스
70: 서브마이크로미터 크기의 입자를 분산ㆍ충전한 SIRAGUSITAL-B4373(히트리스 글래스) 실리카 액체 글래스화 경화 재료
71: 예를 들어 광 변조 기능을 갖는 가동 마이크로미러 미러 소자 구조
72: 예를 들어 반도체 집적 회로를 형성한 실리콘 기판
73: 밀봉 재료
74: 내부 분위기
75: 외부 분위기
76: 패키지 기판
77: 인터포저
78: MEMS 센서, CCD 등의 소자
79: 와이어 본드 전기 배선
80: 커버 기판
81: 고체 소자
82: 패키지 기판
83: 패키지 커버 기판
84: 스페이서
85: 스페이스1: Si-O bond
7: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid
8: lower substrate
9: upper substrate
10: spacer
11: top and bottom board space
12a: sealed end
12b: sealed end
13a: protruding shape
13b: protruding shape
14: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid surface
15: lower substrate surface
16: atmosphere
17: Point of cross section of three-phase system
18: interface tension between the underlying substrate and the atmosphere
19: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) Interface tension between silica liquid and lower substrate surface
20: SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless glass) Interface tension between the silica liquid and the atmosphere acting on the normal of the silica liquid surface
21: Contact angle θ of SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) silica liquid on the lower substrate surface
22a: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid in the space between the upper and lower substrates
22b: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid in the space between the upper and lower substrates
23a: point of cross section of a three-phase system
23b: point of cross section of three-phase system
23c: point of cross section of a three-phase system
23d: point of cross section of three-phase system
24a: protruding parts formed by continuing very slow flow phenomena even in the process of glazing network
24b: Outgrowth formed by continuing very slow flow in the process of glassing network
25: joint
26a: Seal formed by completing glass hardening
26b: Seal formed by completing glass hardening
27a: bulging part formed by completing glass-hardening
27b: bulging part formed by completing glass-hardening
28: pentafluoropropionic acid
29: inspection container
30: Pentafluoropropionic acid liquid in the test container
31: Defective part due to dissolution and peeling
32: submicron-sized particles
33: SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) silica liquid with dispersed particles of submicrometer size
34: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid in which particles of submicrometer size are dispersed, the surface of the lower substrate, and the point of the cross section of the three-phase system in which the triad of the atmosphere contacts
35: interfacial tension between lower substrate and atmosphere
36: Interfacial tension between SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid with submicrometer-sized particles dispersed therein
37: SIRAGUSITAL-B4373 (Hitless Glass) silica liquid surface with submicrometer-sized particles dispersed
38: Interfacial tension between SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid and atmosphere in which particles of submicrometer size are dispersed
39: Contact angle ε of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid dispersed in submicrometer-sized particles on the lower substrate surface
44a: bulge
44b: bulge
44c: bulge
44d: bulge
45: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid dispersed in submicrometer-sized particles undergoing a glassy network reaction
46: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) glass-hardened material which disperse | distributed and filled the particle | grains of the submicrometer size
47a: SIRAGUSITAL-B4373 (Heatless glass) glass-hardened hardened part which disperse | distributed and filled the particle | grains of the submicrometer size
47b: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) glass-hardened hardening part which disperse | distributed and filled submicrometer size particle | grains
59: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid which disperse | distributed the silica particle of the submicrometer size apply | coated in a predetermined pattern on each lattice frame of interposer glass.
60: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid which disperse | distributed the silica particle of the submicrometer size apply | coated in a predetermined pattern on each lattice frame of interposer glass.
61: Interposer glass which coated SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid which disperse | distributed the submicrometer size silica particle in predetermined pattern.
65: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened material which disperse | distributed and filled the silica particle of the submicrometer size
66a: A protruding part at the sealing end of the glass cured film of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica solution which disperse | distributed and filled the silica particle of the submicrometer size.
66b: The protruding part at the sealing end of the glass cured film of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica solution which disperse | distributed and filled the silica particle of the submicrometer size.
67a: A crack which arose from the protruding surface at the sealing end of the glass cured film of the SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica solution which disperse | distributed and filled the silica particle of the submicrometer size.
67b: The crack which arose from the protruding surface at the sealing end of the glass cured film of SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica solution which disperse | distributed and filled the silica particle of the submicrometer size.
68: planar borosilicate glass substrate with double sided optical window coating
69: Cut out into frame shape Shaped interposer borosilicate glass
70: SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid glass-hardened material which disperse | distributed and filled the particle | grains of the submicrometer size
71: movable micromirror mirror element structure with, for example, light modulation
72: silicon substrate on which semiconductor integrated circuit is formed, for example
73: sealing material
74: interior atmosphere
75: outside atmosphere
76: package substrate
77: interposer
78: devices such as MEMS sensors and CCDs
79: wire bond electrical wiring
80: cover substrate
81: solid state device
82: package substrate
83: package cover substrate
84: spacer
85: space
Claims (12)
실리카 표준 액체 및
서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 포함하며,
상기 실리카 표준 액체는 주제(主劑) 및 촉매제로 구성되고,
상기 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자는 소수화 처리가 실시되고,
상기 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자가 상기 실리카 표준 액체 내에 분산되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 히트리스 글래스 실리카 액체 글래스화 경화 재료.In the heatless glass silica liquid glazing cured material,
Silica standard liquid and
Submicrometer sized silica particles,
The silica standard liquid consists of a main agent and a catalyst,
The submicron sized silica particles are subjected to hydrophobization treatment,
And wherein said submicron sized silica particles are dispersed and comprised in said silica standard liquid.
주제 및 촉매제를 혼합함으로써 실리카 표준 액체를 형성하는 단계와,
소수화 처리를 실시한 서브마이크로미터 크기의 실리카 입자를 형성하는 단계와,
상기 실리카 표준 액체에 상기 실리카 입자를 추가하고, 상기 실리카 입자를 상기 실리카 표준 액체 내에 분산시키는 단계
를 갖는 것을 특징으로 하는 히트리스 글래스 실리카 액체 글래스화 경화 재료의 제조 방법.In the manufacturing method of the heatless glass silica liquid glass-ized hardening material which seals the sealing pattern of the board | substrate which mutually faces,
Forming a silica standard liquid by mixing the master and the catalyst;
Forming submicron sized silica particles subjected to hydrophobization treatment,
Adding the silica particles to the silica standard liquid and dispersing the silica particles in the silica standard liquid
Method for producing a heatless glass silica liquid glass-hardened curable material, characterized in that it has a.
상기 패키지 기판과 상기 인터포저의 밀봉 및 상기 패키지 커버 기판과 상기 인터포저의 밀봉 중 적어도 한쪽은, 제1항에 기재된 히트리스 글래스 실리카 액체 글래스화 경화 재료로 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 패키지 구조.A package structure for sealing a package substrate and a package cover substrate with an interposer interposed therebetween,
At least one of the sealing of the package substrate and the interposer, and the sealing of the package cover substrate and the interposer is sealed with the heatless glass silica liquid glass-hardened curing material according to claim 1.
패키지 기판과 패키지 커버 기판이 서로 마주하여 스페이스를 형성하여 이루어지는 기판쌍의 주변 가장자리부는, 제1항에 기재된 히트리스 글래스 실리카 액체 글래스화 경화 재료로 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 패키지 구조.In a package structure for sealing a package substrate and a package cover substrate with a spacer or the like interposed therebetween,
A peripheral structure of a pair of substrates in which a package substrate and a package cover substrate face each other to form a space is sealed with the heatless glass silica liquid glass hardened material according to claim 1.
고체 소자가 형성된 상기 패키지 기판의 상기 소자 형성면측과 상기 패키지 커버 기판이 서로 마주하여 둘러싸여 형성되는 스페이스는 제1항에 기재된 히트리스 글래스 실리카 액체 글래스화 경화 재료로 충전되고, 소자 비형성 영역을 포함하여 소자 형성 영역을 완전히 덮도록 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 패키지 구조.In a package structure for sealing a package substrate and a package cover substrate with a spacer or the like interposed therebetween,
The space in which the element formation surface side and the package cover substrate of the package substrate on which the solid element is formed are surrounded by being surrounded by each other is filled with the heatless glass silica liquid glass hardened material according to claim 1, and includes an element non-forming region. And sealed so as to completely cover the element formation region.
상기 패키지 기판에 있어서의 상기 고체 소자 비형성 영역을 포함하여 상기 고체 소자 형성 영역을 완전히 덮도록 제1항에 기재된 히트리스 글래스 실리카 액체 글래스화 경화 재료로 보호 코트 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 패키지 구조.In a package structure for sealing a package substrate and a solid element on the substrate,
The package structure is sealed with the heatless glass silica liquid glass-hardened curing material according to claim 1 so as to completely cover the solid element formation region including the solid element non-formation region in the package substrate. .
상기 기판, 분위기 및 실리카 액체의 3자가 접하는 3상계의 단면의 점에 작용하는 계면 장력을 밸런스 조건으로 설정하는 단계와,
상기 밸런스 조건을 만족하도록 제1항에 기재된 히트리스 글래스 실리카 액체 글래스화 경화 재료를 상기 밀봉 패턴의 스페이스 내에 머물게 하는 단계
를 갖는 것을 특징으로 하는 서로 마주하는 기판의 밀봉 패턴의 형성 방법.In the formation method of the sealing pattern of the board | substrate which mutually faces,
Setting an interfacial tension acting on the point of the cross section of the three-phase system in which the three-members of the substrate, the atmosphere, and the silica liquid come into contact with each other under a balance condition;
Keeping the heatless glass silica liquid glass hardened material according to claim 1 within the space of the sealing pattern so as to satisfy the balance condition.
The method of forming a sealing pattern of the substrate facing each other characterized by having.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06199528A (en) * | 1992-09-21 | 1994-07-19 | Toshitomo Morisane | Production of film and spherical fine particles of metal oxide glass |
JP2007197647A (en) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Liquid thermosetting resin composition and jointing material |
JP2008185852A (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Hitachi Ltd | Image display device and glass frit for sealing |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06199528A (en) * | 1992-09-21 | 1994-07-19 | Toshitomo Morisane | Production of film and spherical fine particles of metal oxide glass |
JP2007197647A (en) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Liquid thermosetting resin composition and jointing material |
JP2008185852A (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Hitachi Ltd | Image display device and glass frit for sealing |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
Display Materials OPSTAR PJ5000 Series, JSR 가부시끼가이샤, http://www.jsr.co.jp/pd/ec-pd.shtml |
무기질 코팅제 SIRAGUSITAL&HEATLESS GLASS 기술 설명서, 신기술 창조 연구소, http://www.ntci.co.jp |
습식 초고압 미립화 사례집, 2008101000TA1, 요시다 기까이 고교 가부시끼가이샤, http://www.yoshidakikai.co.jp |
일본특허번호2538527, 특허권자 모리자네 도시노리, 발명의 명칭 금속 산화물 글래스의 막 및 구체미립자의 제조방법으로 나타내어지는 방법. |
저온 경화 코팅재, OA 시리즈, 150℃ 이하의 저온에서의 경화가 가능한 SiO2계 재료, 닛산 가가꾸 고교 가부시끼가이샤, http://www.nissanchem.co.jp/products/electrinic-mate.html |
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