KR20110081685A - Room temperature grown mg2hf5o12 dielectric film, capacitor and transistor composed the mg2hf5o12 dielectric film, and the fabrication methods thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 상온에서 스퍼터링 법으로 증착된 Mg2Hf5O12 유전체 박막과 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법에 관한 것이다.The present invention is Mg 2 Hf 5 O 12 deposited by sputtering method at room temperature The present invention relates to a dielectric thin film, a capacitor and a transistor including the same, and a method of manufacturing the same.
최근 들어 플렉서블 (flexible)하고 투명한, 트랜지스터의 저전압 구동을 위한 고유전성 게이트 절연막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이에 응용 가능한 고유전성 게이트 절연막은 저온 공정이 가능해야 하고 높은 투명성을 지녀야 한다. 특히 에너지 소비를 줄이기 위해서는 저전압 구동이 필수적이며, 이를 위해서 게이트 절연막이 높은 유전상수와 낮은 누설전류 특성을 가져야 한다. Recently, studies on flexible and transparent high-k gate insulating films for low voltage driving of transistors have been actively conducted. The high-k gate insulating film applicable to this should be capable of low temperature process and have high transparency. In particular, low voltage driving is essential to reduce energy consumption. For this purpose, the gate insulating film must have high dielectric constant and low leakage current characteristics.
고유전성 게이트 절연막으로 HfO2 유전체 박막에 대한 연구 및 보고가 많이 이루어져 왔는데, 이는 HfO2 유전체 박막이 25의 높은 유전상수 값을 가지며, 밴드갭 에너지가 5.68 eV 정도로 커서 절연파괴 특성이 우수하기 때문이다. 기존의 SiO2 박막을 대체하기 위해서 HfO2 박막에 대한 많은 연구가 이루어져 왔으나, 상온에서 증착된 HfO2 박막의 경우 많은 양의 결함 트랩 (defect trap)을 갖고 있어, 누설전류 특성이 좋지 않고 안정성에 문제가 있는 것으로 알려져 있다. HfO 2 dielectric thin films have been studied and reported as high dielectric gate insulating films because HfO 2 dielectric thin films have a high dielectric constant value of 25 and the bandgap energy is about 5.68 eV, which is excellent in dielectric breakdown characteristics. . Many studies on HfO 2 thin film have been made to replace the existing SiO 2 thin film. However, HfO 2 thin film deposited at room temperature has a large amount of defect traps, resulting in poor leakage current characteristics and stability. It is known to have a problem.
절연파괴 강도가 높고, 우수한 누설전류 특성을 갖는 절연막으로서 MgO 박막에 대한 연구 또한 진행되어 왔다. 그러나 MgO 박막은 유전상수 값이 10 정도로 낮아서, 단독으로 게이트 절연막으로 사용되기는 어렵다는 문제점이 있다. MgO thin films have also been studied as insulating films having high dielectric breakdown strength and excellent leakage current characteristics. However, since the MgO thin film has a low dielectric constant of about 10, it is difficult to be used as a gate insulating film alone.
따라서 기존의 HfO2 박막의 누설전류 특성을 개선시키고, MgO 박막의 낮은 유전상수 값을 보상할 수 있는 새로운 조성의 게이트 절연막의 제공이 필요하다.Accordingly, there is a need to provide a gate insulating layer having a new composition to improve leakage current characteristics of the existing HfO 2 thin film and compensate for low dielectric constant values of the MgO thin film.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 MgO - HfO2 복합체 타켓을 스퍼터링 법으로 증착하여 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 형성하여, 낮은 누설전류 및 높은 전열파괴 특성을 갖는 유전체 박막과 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터를 제공하고 각각의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to deposit a MgO-HfO 2 composite target by the sputtering method to form a Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film, low leakage current and high heat transfer The present invention provides a dielectric thin film having fracture characteristics, a capacitor and a transistor including the same, and a method of manufacturing the same.
본 발명의 과제는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막, MgO 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막 또는 HfO2 및 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막과; 기판, 제1 전극, 제2 전극 및 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터; 및 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연막은, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터에 의하여 달성될 수 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a dielectric thin film comprising Mg 2 Hf 5 O 12 , a dielectric thin film comprising MgO and Mg 2 Hf 5 O 12 or a dielectric thin film comprising HfO 2 and Mg 2 Hf 5 O 12 ; A capacitor comprising a substrate, a first electrode, a second electrode, and a dielectric layer, wherein the dielectric layer is a dielectric thin film positioned between the first electrode and the second electrode and comprising Mg 2 Hf 5 O 12 ; And a substrate, a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating film formed on the gate electrode and the substrate, a channel layer formed on the gate insulating film, and on the channel layer to expose at least a portion of the channel layer. And a source electrode and a drain electrode, wherein the gate insulating layer may be achieved by a field effect transistor, which is a dielectric thin film including Mg 2 Hf 5 O 12 .
또한, 본 발명의 과제는 (a) MgO 분말과 HfO2 분말을 혼합하고 고온에서 하소하여 MgO - HfO2 복합체를 형성하는 단계; (b) 상기 MgO - HfO2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 고온 소결하여 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및; (c) 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 박막을 형성하는 단계를 포함하는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법과; 상기의 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법을 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터의 제조방법에 의하여 달성될 수 있다.In addition, an object of the present invention (a) mixing the MgO powder and HfO 2 powder and calcined at a high temperature to form a MgO-HfO 2 complex; (b) pulverizing and molding the MgO-HfO 2 composite and then hot sintering to form an MgO-HfO 2 composite sputtering target; (c) a method of manufacturing a dielectric thin film comprising Mg 2 Hf 5 O 12 , including forming a thin film by sputtering using the MgO-HfO 2 composite sputtering target; It can be achieved by a method of manufacturing a capacitor and a transistor including a method of manufacturing a dielectric thin film including the Mg 2 Hf 5 O 12 .
본 발명은 낮은 누설전류 및 높은 절연파괴 전압 특성을 지닌 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 제공하고 상온에서 스퍼터링 법으로 이를 형성하는 방법을 제공한다. 또한, 상기 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 유전체층으로 포함하는 캐퍼시터와 게이트 절연막으로 포함하는 저전압 구동 박막형 트랜지스터 (thin film transistor, TFTs)를 제공한다. 또한 그 제조방법을 제공하는 것이다. The present invention provides a Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film having a low leakage current and high dielectric breakdown voltage characteristics and provides a method for forming it by the sputtering method at room temperature. In addition, a low voltage driving thin film transistor (TFTs) including a capacitor including the Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film as a dielectric layer and a gate insulating film is provided. It is also to provide a method of manufacturing the same.
MgO - HfO2 복합체 타겟으로부터 상온 스퍼터링 법으로 증착한 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막을 사용함으로써, 종래 기술에 의한 HfO2 유전체 박막을 사용한 경우보다 누설전류 특성이 우수하여 전류-전압 안정성이 높은 저전압 구동 산화물 반도체 트랜지스터를 제공할 수 있다.By using a dielectric thin film containing Mg 2 Hf 5 O 12 deposited at room temperature sputtering from an MgO-HfO 2 composite target, the current-voltage stability is better than that of the conventional HfO 2 dielectric thin film. This high low voltage driving oxide semiconductor transistor can be provided.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 MgO의 첨가량을 변화시키면서 1400℃도에서 다섯 시간 동안 소결한 MgO - HfO2 복합 세라믹 타겟의 X-선회절 패턴을 나타낸 그래프. MgO 첨가량은 (a) 0 몰%, (b) 5 몰%, (c) 10 몰%, (d) 20 몰%, (e) 30 몰%.
도 2는 (a) HfO2 파우더와 본 발명의 실시예에 따라 상온에서 스퍼터링 법으로 얻어진 (b) HfO2 박막과 (c) Mg2Hf5O12 유전체 박막의 X-선 회절 패턴을 보여준다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 스퍼터링 법으로 증착된 Mg2Hf5O12 박막의 투과전자현미경 사진이고 오른쪽 상부의 작은 사진은 전자회절(SAED) 패턴이다.
도 4는 도 3의 결정립의 확대 사진이고 오른쪽 상부의 작은 사진은 고배율 사진으로 결정립이 Mg2Hf5O12 구조를 보여준다.
도 5는 본 발명의 실시예와 비교예에 따라 스퍼터링 법으로 얻어진 Mg2Hf5O12 박막과 HfO2 박막의 유전상수를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 실시예와 비교예에 따라 스퍼터링 법으로 얻어진 Mg2Hf5O12 박막과 HfO2 박막의 누설전류 특성을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 제조된 산화물 반도체(InGaZnO4) 기반 트랜지스터의 특성 (Output 특성)을 보여준다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 제조된 산화물 반도체 기반 트랜지스터의 특성 (Transfer 특성)을 보여준다.
도 9는 본 발명의 비교예에 따라 HfO2 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 제조된 산화물 반도체(InGaZnO4) 기반 트랜지스터의 특성 (Output 특성)을 보여준다.
도 10은 본 발명의 비교예에 따라 HfO2 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 제조된 산화물 반도체 기반 트랜지스터의 특성 (Transfer 특성)을 보여준다.1 is a graph showing the X-ray diffraction pattern of the MgO-HfO 2 composite ceramic target sintered for 5 hours at 1400 ℃ while varying the amount of MgO added according to an embodiment of the present invention. The amount of MgO added was (a) 0 mol%, (b) 5 mol%, (c) 10 mol%, (d) 20 mol%, (e) 30 mol%.
Figure 2 is (a) HfO 2 powder and (b) HfO 2 thin film and (c) Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric obtained by sputtering at room temperature according to an embodiment of the present invention The X-ray diffraction pattern of the film is shown.
3 is a transmission electron micrograph of the Mg 2 Hf 5 O 12 thin film deposited by the sputtering method according to an embodiment of the present invention and a small photograph on the upper right is an electron diffraction (SAED) pattern.
FIG. 4 is an enlarged photograph of the grain of FIG. 3, and a small photograph at the upper right is a high magnification photograph, and the grain has a structure of Mg 2 Hf 5 O 12 . Shows.
5 shows dielectric constants of Mg 2 Hf 5 O 12 thin films and HfO 2 thin films obtained by the sputtering method according to Examples and Comparative Examples of the present invention.
6 shows leakage current characteristics of the Mg 2 Hf 5 O 12 thin film and the HfO 2 thin film obtained by the sputtering method according to the Examples and Comparative Examples of the present invention.
FIG. 7 shows the characteristics (output characteristics) of an oxide semiconductor (InGaZnO 4 ) based transistor manufactured using an Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film as a gate insulating film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 illustrates the characteristics (transfer characteristics) of an oxide semiconductor-based transistor fabricated using an Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film as a gate insulating film according to an embodiment of the present invention.
9 illustrates the characteristics (output characteristics) of an oxide semiconductor (InGaZnO 4 ) based transistor manufactured by using an HfO 2 dielectric thin film as a gate insulating layer according to a comparative example of the present invention.
10 is HfO 2 according to the comparative example of the present invention. The characteristics (transfer characteristics) of an oxide semiconductor-based transistor fabricated using a dielectric thin film as a gate insulating film are shown.
본 발명의 상세한 구성은 다음과 같다.The detailed configuration of the present invention is as follows.
먼저 본 발명의 유전체 박막은 Mg2Hf5O12를 포함할 수 있고, MgO 및 Mg2Hf5O12를 함께 포함할 수 있으며, HfO2 및 Mg2Hf5O12를 함께 포함할 수도 있다. 상기의 구성은 본 발명의 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법 중, 스퍼터링을 위한 타켓의 형성 과정에 따라 결정된다. 본 발명의 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법은 (a) MgO 분말과 HfO2 분말을 혼합하고 고온에서 하소하여 MgO - HfO2 복합체를 형성하는 단계; (b) MgO - HfO2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 고온 소결하여 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및; (c) MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 (a)의 MgO 분말과 HfO2 분말의 총량 중 MgO 분말의 함량에 따라 유전체 박막의 구성 성분이 달라지는데, 구체적으로 MgO 분말과 HfO2 분말의 총량 중 MgO 분말의 함량이 6 내지 8 질량%인 경우에는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막이 형성되고, MgO 분말과 HfO2 분말의 총량 중 MgO 분말의 함량이 8 내지 12 질량%인 경우에는 MgO 및 Mg2Hf5O12를 함께 포함하는 유전체 박막이 형성되고, MgO 분말과 HfO2 분말의 총량 중 MgO 분말의 함량이 2 내지 6 질량%인 경우에는 HfO2 및 Mg2Hf5O12를 함께 포함하는 유전체 박막이 형성된다.First, the dielectric thin film of the present invention may include Mg 2 Hf 5 O 12, may include MgO and Mg 2 Hf 5 O 12 together, and may also include HfO 2 and Mg 2 Hf 5 O 12 together. The above configuration is determined according to the formation process of the target for sputtering in the method of manufacturing a dielectric thin film including Mg 2 Hf 5 O 12 of the present invention. Method for producing a dielectric thin film comprising Mg 2 Hf 5 O 12 of the present invention comprises the steps of (a) mixing MgO powder and HfO 2 powder and calcined at high temperature to form a MgO-HfO 2 complex; (b) grinding and shaping the MgO-HfO 2 composite and hot sintering to form an MgO-HfO 2 composite sputtering target; (c) forming a thin film by sputtering using an MgO-HfO 2 composite sputtering target. Herein, the constituents of the dielectric thin film vary depending on the content of MgO powder in the total amount of MgO powder and HfO 2 powder in step (a). Specifically, the content of MgO powder in the total amount of MgO powder and HfO 2 powder is 6 to 8 mass. %, Mg 2 Hf 5 O 12 is formed, and when the content of MgO powder in the total amount of MgO powder and HfO 2 powder is 8 to 12% by mass, MgO and Mg 2 Hf 5 O 12 A dielectric thin film including the same is formed, and when the content of the MgO powder is 2 to 6% by mass in the total amount of the MgO powder and the HfO 2 powder, a dielectric thin film including both HfO 2 and Mg 2 Hf 5 O 12 is formed.
단계 (a)의 하소는 1100oC 내지 1300oC에서 실시할 수 있고, 단계 (b)의 고온 소결은 MgO와 HfO2가 혼합되어 있는 복합체를 1300oC 내지 1500oC에서 10 내지 12시간 동안 열처리하여 실시할 수 있다.The calcination of step (a) can be carried out at 1100 o C to 1300 o C, the high temperature sintering of step (b) is 10 to 12 hours at 1300 o C to 1500 o C of the composite mixed with MgO and HfO 2 Can be carried out by heat treatment.
단계 (b)의 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓은 (MgO)X - (HfO2)1-X (상기 X 는 0.25 내지 0.31)의 복합체 조성비를 갖는 것일 수 있다. 이론적인 계산에 따르면, x = 0.2857인 경우, 즉 (MgO)0.2857 - (HfO2)0.7143인 경우에, 각 성분의 조성비가 Mg2Hf5O12의 조성비와 일치하고, 반복 실험에 따라 확인한 바에 따르면, (MgO)X - (HfO2)1-X에서 x가 0.25 내지 0.31인 경우에는 MgO와 HfO2는 유효 수준 이하로만 존재하고 Mg2Hf5O12만을 포함하는 박막이 형성된다. (MgO)X - (HfO2)1-X에서, x가 0.0963 내지 0.25인 경우에는 Mg2Hf5O12와 HfO2이 공존하는 박막이 형성되고, x가 0.31 내지 0.4159인 경우에는 Mg2Hf5O12와 MgO가 공존하는 박막이 형성 형성된다. 이를 질량%로 환산하면, (MgO)0.4159 - (HfO2)0.5841은 MgO가 12 질량%, HfO2가 88 질량%; (MgO)0.3123 - (HfO2)0. 6877는 MgO가 8 질량%, HfO2가 92 질량%; (MgO)0.25 - (HfO2)0.75는 MgO가 6 질량%, HfO2가 94 질량%인 경우; (MgO)0.0963 - (HfO2)0.9037은 MgO가 2 질량%, HfO2가 98 질량%인 경우에 해당한다. 즉, 필요에 따라서 스퍼터링 타켓을 제조하는 단계 (a)의 MgO 함량을 조절하여 타켓의 조성비를 조절하면, 스퍼터링으로 형성된 박막이 Mg2Hf5O12만을 포함하거나, HfO2 또는 MgO를 함께 포함할 수 있도록 용이하게 조절할 수 있다. MgO 상이 많아지면 유전상수 값이 떨어지게 되고, HfO2 상이 많아지면 누설전류 특성이 열화되기 때문에 MgO의 함량을 2 내지 12 질량%인 범위로 한정하였다. MgO 함량이 6 내지 8 질량%인 경우에 박막이 Mg2Hf5O12를 가장 많이 포함하게 되어 유전상수와 누설전류 특성 면에서 가장 유리하다.The MgO-HfO 2 composite sputtering target of step (b) may be one having a composite composition ratio of (MgO) X- (HfO 2 ) 1-X (wherein X is 0.25 to 0.31). According to the theoretical calculation, in the case of x = 0.2857, i.e. (MgO) 0.2857 - (HfO 2 ) in the case of 0.7143, the composition ratio of each component matches the composition ratio of Mg 2 Hf 5 O 12, and, as confirmed in each repeat of the experiment According to the present invention, when x is 0.25 to 0.31 in (MgO) X − (HfO 2 ) 1-X , MgO and HfO 2 are present only at an effective level or less, and a thin film including only Mg 2 Hf 5 O 12 is formed. In (MgO) X- (HfO 2 ) 1-X , when x is 0.0963 to 0.25, a thin film in which Mg 2 Hf 5 O 12 and HfO 2 coexist is formed, and when x is 0.31 to 0.4159, Mg 2 Hf A thin film in which 5 O 12 and MgO coexist is formed. When converted to mass%, (MgO) 0.4159- (HfO 2 ) 0.5841 had 12 mass% of MgO and 88 mass% of HfO 2 ; (MgO) 0.3123 - (HfO 2 ) 0. 6877 is MgO is 8 mass%, HfO 2 is 92% by mass; (MgO) 0.25- (HfO 2 ) 0.75 when MgO is 6% by mass and HfO 2 is 94% by mass; (MgO) 0.0963- (HfO 2 ) 0.9037 corresponds to 2 mass% of MgO and 98 mass% of HfO 2 . That is, if the target composition ratio of the target is adjusted by adjusting the MgO content in step (a) of manufacturing a sputtering target as needed, the thin film formed by sputtering may include only Mg 2 Hf 5 O 12 or may include HfO 2 or MgO together. It can be adjusted easily. The more MgO phase, the lower the dielectric constant, HfO 2 The amount of MgO was limited to the range of 2 to 12 mass% because the leakage current characteristics deteriorated when the phase increased. When the MgO content is 6 to 8% by mass, the thin film contains most Mg 2 Hf 5 O 12, which is most advantageous in terms of dielectric constant and leakage current characteristics.
단계 (b) 후에는 (b') 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓의 표면을 연마하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이는 표면 개질을 통하여 효과적인 스퍼터링이 가능하게 하기 위함이다.After step (b) may further comprise (b ') polishing the surface of the MgO-HfO 2 composite sputtering target. This is to enable effective sputtering through surface modification.
단계 (c)의 스퍼터링은 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하고, 아르곤 또는, 아르곤과 산소의 혼합 기체 분위기 하에서 실시할 수 있다. 단계 (c)의 박막의 두께는 100 내지 1000 nm일 수 있다. 한편, 상온에서 플라스틱 기판 상에 박막을 증착하는 경우에는 공정 압력은 50 mTorr 이상인 것을 특징으로 한다.The sputtering of step (c) is characterized in that it is carried out at room temperature, it can be carried out in an argon or a mixed gas atmosphere of argon and oxygen. The thickness of the thin film of step (c) may be 100 to 1000 nm. On the other hand, when depositing a thin film on a plastic substrate at room temperature, the process pressure is characterized in that more than 50 mTorr.
또한, 본 발명은, 기판, 제1 전극, 제2 전극 및 유전체층을 포함하고, 유전체층은 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터를 제공한다. 유전체층의 두께는 100 내지 1000 nm일 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극은 도전성 금속 또는 전도성 금속산화물일 수 있다.The present invention also provides a capacitor comprising a substrate, a first electrode, a second electrode, and a dielectric layer, wherein the dielectric layer is a dielectric thin film located between the first electrode and the second electrode and comprising Mg 2 Hf 5 O 12 . to provide. The thickness of the dielectric layer may be 100 to 1000 nm, and the first electrode and the second electrode may be a conductive metal or a conductive metal oxide.
본 발명의 캐퍼시터의 제조방법은, 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 제1 전극 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및 유전체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것으로서, 유전체층은 상술한 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막을 제조하는 방법으로 형성한다. 유전체층의 두께는 100 내지 1000 nm일 수 있고, 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판 또는 절연막이 형성된 실리콘 기판일 수 있으며, 제1 전극 및 제2 전극은 도전성 금속 또는 전도성 금속산화물일 수 있다.A method of manufacturing a capacitor of the present invention includes the steps of forming a first electrode on a substrate; Forming a dielectric layer on the first electrode; And forming a second electrode on the dielectric layer, wherein the dielectric layer is formed by a method of manufacturing a dielectric thin film including Mg 2 Hf 5 O 12 described above. The thickness of the dielectric layer may be 100 to 1000 nm, the substrate may be a plastic substrate, a glass substrate or a silicon substrate on which an insulating film is formed, and the first electrode and the second electrode may be a conductive metal or a conductive metal oxide.
또한, 본 발명은, 기판, 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및 채널층 상에, 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 게이트 절연막은, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터를 제공한다. 게이트 절연막의 두께는 100 내지 1000 nm일 수 있고, 채널층은 ZnO, SnO2, In2O3 또는, In 및 Ga가 도핑된 ZnO인 산화물 반도체일 수 있으며, 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판 또는 절연막이 형성된 실리콘 기판일 수 있고, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 Pt, Au, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo, Al, 또는 투명전도성 산화물일 수 있다. 또한 트랜지스터는 탑(top) 게이트 방식 또는 바텀(bottom) 게이트 방식 모두 가능하다.The present invention also provides a substrate, a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating film formed on the gate electrode and the substrate, a channel layer formed on the gate insulating film, and a channel layer on the channel layer to expose at least a portion thereof. A field effect transistor comprising a source electrode and a drain electrode to be formed, wherein the gate insulating film is a dielectric thin film containing Mg 2 Hf 5 O 12 . The thickness of the gate insulating film may be 100 to 1000 nm, the channel layer may be an oxide semiconductor of ZnO, SnO 2 , In 2 O 3, or ZnO doped with In and Ga, and the substrate may be a plastic substrate, a glass substrate, or an insulating film. The silicon substrate may be formed, and the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode may be Pt, Au, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo, Al, or a transparent conductive oxide. In addition, the transistor can be a top gate method or a bottom gate method.
본 발명의 트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 게이트 전극 및 기판 상에 상술한 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막을 제조하는 방법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계; 게이트 절연막 상에 채널 층을 형성하는 단계; 및 채널층 상에 채널층을 적어도 일부 드러내도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 게이트 절연막의 두께는 100 내지 1000 nm일 수 있고, 채널층은 ZnO, SnO2, In2O3 또는, In 및 Ga가 도핑된 ZnO인 산화물 반도체일 수 있고, 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판 또는 절연막이 형성된 실리콘 기판일 수 있으며, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 Pt, Au, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo, Al, 또는 투명전도성 산화물일 수 있다. A method of manufacturing a transistor of the present invention includes the steps of forming a gate electrode on a substrate; Forming a gate insulating film on the gate electrode and the substrate by a method of manufacturing a dielectric thin film including the above-described Mg 2 Hf 5 O 12 ; Forming a channel layer on the gate insulating film; And forming source and drain electrodes to expose at least a portion of the channel layer on the channel layer. The thickness of the gate insulating film may be 100 to 1000 nm, the channel layer may be an oxide semiconductor of ZnO, SnO 2 , In 2 O 3 or ZnO doped with In and Ga, and the substrate may be a plastic substrate, a glass substrate, or an insulating film. The silicon substrate may be formed, and the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode may be Pt, Au, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo, Al, or a transparent conductive oxide.
이하 본 발명의 유전체 박막, 캐퍼시터 및 트랜지스터의 제조방법을 각 단계별로 실시예 등을 통하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 그러나 이는 이해를 돕기 위한 일 실시예일 뿐 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the method of manufacturing the dielectric thin film, the capacitor, and the transistor according to the present invention will be described in detail with reference to Examples. However, this is only an example for clarity and the present invention is not limited thereto.
실시예 1 : 상온 스퍼터링 법을 이용한 Mg2Hf5O12 유전체 박막의 제조Example 1 Preparation of Mg 2 Hf 5 O 12 Dielectric Thin Film by Room Temperature Sputtering
먼저, MgO 분말과 HfO2 분말을 다양한 비율로 평량하여 24시간 동안 볼밀링을 한 후, 핫 플레이트 (hot plate)에서 건조시키고 1200℃에서 하소한다. 합성된 파우더를 다시 볼밀링 후 건조하고, 단일축 프레스기를 이용하여 디스크 형태의 타겟을 성형하였다. 그리고 1400℃에서 소결한 뒤 사포로 갈아내서 평평하게 만든 후 스퍼터링용 2 inch 타겟을 제조하였다. 도 1은 HfO2 분말에 MgO 분말을 각각 혼합분말 총량 중 MgO 분말의 함량이 0 (a), 5 (b), 10 (c), 20 (d) 및 30 (e) 몰%가 되도록 넣고 1400℃에서 다섯 시간 소결한 세라믹 타겟의 X-선 회절 패턴이다. MgO와 HfO2의 조성비율로 보면 (MgO)0 - (HfO2)1.0 (a), (MgO)0.05 - (HfO2)0.9 (b), (MgO)0.1 - (HfO2)0.9 (c), (MgO)0.2 - (HfO2)0.8 (d) 및 (MgO)0.3 - (HfO2)0.7 (e) 로 표현할 수 있다. 이를 질량% 비율로 환산을 하면 (MgO)0 - (HfO2)1.0 (a), (MgO)0.01 - (HfO2)0.99 (b), (MgO)0.02 - (HfO2)0.98 (c), (MgO)0.046 - (HfO2)0.954 (d) 및 (MgO)0.076 - (HfO2)0.924 (e) 로 나타낼 수도 있다. 이렇게 준비된 스퍼터링 용 타켓의 X-선 회절 분석 결과, HfO2에 대한 MgO의 고용 한계가 5 내지 10 몰%임을 알 수 있으며, 첨가된 MgO 함량이 10 몰%를 넘어서면서 43°에서 MgO 피크 (peak)가 관찰되었다. 주사전자현미경 분석결과 MgO가 10 몰% 이상 첨가되면 복합체 세라믹 타겟의 표면에 검은 점이 보였으며, 분석결과 이 검은 점은 MgO 상임을 확인할 수 있었다. 따라서 MgO - HfO2 세라믹 타겟은 HfO2의 매트릭스 내에 MgO의 상들이 부분적으로 균일하게 포함되어져 있음을 알 수 있다.First, MgO powder and HfO 2 powder are weighed in various ratios for ball milling for 24 hours, then dried on a hot plate and calcined at 1200 ° C. The synthesized powder was again ball milled and dried, and a disk-shaped target was formed using a single screw press. And after sintering at 1400 ℃ to grind to sandpaper to make a
단일 MgO - HfO2 복합 스퍼터링 타겟 (MgO나 HfO2가 유효 수준 이하로만 존재하는 MgO - HfO2 복합 스퍼터링 타겟)을 준비한 후, 스퍼터링 챔버 내에 타겟을 장착하여 상온에서 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 증착하였다. 스퍼터링 증착은 일반적인 증착조건에서 행해질 수 있으며, 스퍼터링 가스로는 아르곤 또는 아르곤과 산소가 혼합된 가스를 이용할 수 있다. RF 파워 및 증착 시간을 조절하여 박막의 두께를 100 내지 1000 nm 범위 내에서 조절할 수 있다. 본 실시예에서는 300 nm 두께의 Mg2Hf5O12 박막을 형성하였다. 스퍼터링 증착시에 RF 파워는 80 W, 공정압력은 60 mTorr에서 증착되었다. 특히 플라스틱 기판을 이용하는 경우에는, 공정 압력이 낮으면 기판 표면에 이온 충돌이 적기 때문에 고에너지를 가진 이온들이 플라스틱 기판 상에 증착되어 기판이 열화된다. 따라서 플라스틱 기판을 이용하는 경우에는 공정 압력을 50 mTorr이상으로 유지하여야 한다. The - (HfO 2 composite sputtering target MgO and HfO 2 is effective levels below only exists MgO to) the prepared and then, Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric film at room temperature by mounting the target in the sputtering chamber, a single MgO HfO 2 composite sputtering target Deposited. Sputtering deposition may be performed under general deposition conditions, and as the sputtering gas, argon or a gas mixed with argon and oxygen may be used. The thickness of the thin film may be controlled within the range of 100 to 1000 nm by adjusting the RF power and deposition time. In this example, a 300 nm thick Mg 2 Hf 5 O 12 thin film was formed. In sputter deposition, RF power was deposited at 80 W and process pressure at 60 mTorr. In particular, in the case of using a plastic substrate, since the ion pressure is low on the surface of the substrate when the process pressure is low, ions having high energy are deposited on the plastic substrate, thereby deteriorating the substrate. Therefore, when using a plastic substrate, the process pressure should be maintained at 50 mTorr or more.
형성된 박막의 유전특성 측정은 HP4192 임피던스 분석기 (impedance analyzer)를 이용하여 100 KHz의 주파수에서 분석을 실시하고, 누설전류 및 절연파괴 특성은 HP 4145B 반도체 파라미터 분석기 (semiconductor parameter analyzer)를 이용하여 측정을 하였다.The dielectric properties of the formed thin films were analyzed at a frequency of 100 KHz using an HP4192 impedance analyzer, and leakage current and dielectric breakdown characteristics were measured using an HP 4145B semiconductor parameter analyzer. .
실시예 2 : 스퍼터링 법에 의해 증착된 Mg2Hf5O12 박막을 포함하는 캐패시터의 제조Example 2 Mg 2 Hf 5 O 12 Deposited by Sputtering Fabrication of Capacitors Containing Thin Films
Mg2Hf5O12 박막의 전기적인 특성을 평가하기 위해 MIM (metal-insulator-metal) 구조의 캐패시터를 제조하였다. 구체적으로, Ti (30 nm) / SiO2 / Si 기판 상에 하부전극으로 백금(Pt)을 100 nm로 증착하였고, 상기 Mg2Hf5O12 박막 상에 쉐도우 마스크를 이용하여 3.14 × 10-4 cm2의 크기를 갖는 원형 도트로 Pt 상부전극을 형성하였다.Mg 2 Hf 5 O 12 To evaluate the electrical properties of the thin film, a capacitor of MIM (metal-insulator-metal) structure was prepared. Specifically, Ti (30 nm) /
비교예 1 : 스퍼터링 법에 의해 증착된 HfO2 박막 및 이를 이용한 캐패시터 제조Comparative Example 1 HfO 2 Thin Film Deposited by Sputtering Method and Capacitor Preparation Using the Same
본 발명의 스퍼터링 법으로 얻어진 Mg2Hf5O12 박막의 우수성을 증명하기 위해, 비교예 1에서는 HfO2 유전체 박막을 제조하였다. 상기의 실시예 1과 동일한 조건에서 HfO2 단일 타겟으로부터 스퍼터링 법을 이용하여 300 nm 두께의 HfO2 박막을 증착하였다.Mg 2 Hf 5 O 12 obtained by the sputtering method of the present invention In order to prove the superiority of the thin film, in Comparative Example 1 was prepared a HfO 2 dielectric thin film. A 300 nm thick HfO 2 thin film was deposited from the HfO 2 single target by the sputtering method under the same conditions as in Example 1 above.
상기의 실시예 1과 비교예 1을 통해 얻어진 Mg2Hf5O12 및 HfO2 박막의 결정구조를 분석하기 위해 박막 X-선 회절 패턴을 분석하였다.Mg 2 Hf 5 O 12 obtained through Example 1 and Comparative Example 1 above And X-ray diffraction patterns were analyzed to analyze the crystal structure of the HfO 2 thin film.
도 2는 (a) HfO2 분말, (b) 비교예 1 에 따라 상온에서 스퍼터링 법으로 300 nm 두께로 증착된 HfO2 박막과 (c) 본 발명의 실시예 1 에 따라 증착된 Mg2Hf5O12 유전체 박막의 X-선 회절 패턴을 나타낸 것이다.2 is (a) HfO 2 powder, (b) HfO 2 thin film deposited to a thickness of 300 nm by sputtering at room temperature according to Comparative Example 1 and (c) Mg 2 Hf 5 deposited according to Example 1 of the present invention O 12 X-ray diffraction pattern of the dielectric thin film is shown.
상온에서 스퍼터링 법으로 증착되었음에도 (b) HfO2와 (c) Mg2Hf5O12 박막은 결정구조가 잘 형성된 X-선 회절 결과를 보여주고 있다. 또한 (MgO)0.3 - (HfO2)0.7 조성비의 복합체 타겟으로 증착된 박막은 도 1의 복합체 타겟의 X-선 회절 결과에서 HfO2와 MgO 각각의 회절 피크가 관찰된 것과는 완전히 다른 새로운 결정구조를 나타내는 Mg2Hf5O12 회절 피크가 관찰이 되었다. 이는 복합체 타겟으로부터 떨어져 나온 입자(이온 및 클러스터)가 기판 상에 증착될 때 Mg2Hf5O12 로 재배열되어 증착되었기 때문이다. 복합체 타겟의 Mg와 Hf의 조성비는 Mg2Hf5O12 박막의 조성비에 비교하여 약간의 편차가 있지만, 복합체 타겟의 Mg:Hf (0.3:0.7) 조성비율은 Mg2Hf5O12의 단일상을 만들기에 충분히 유사한 조성임을 알 수 있다. 상기의 관점에서 Mg2Hf5O12의 단일 세라믹 타겟을 제조하여 스퍼터링을 통해 Mg2Hf5O12 박막을 제조하는 것도 가능하다. 그러나 Mg2Hf5O12의 단일 세라믹 타겟을 제조하기 위해서는 1700℃ 이상의 높은 소결온도가 필요하기 때문에, 타겟 제조에 많은 제약이 따를 수 있다.Although deposited by sputtering at room temperature, (b) HfO 2 and (c) Mg 2 Hf 5 O 12 The thin film shows the result of X-ray diffraction with well formed crystal structure. In addition, the thin film deposited with the composite target of (MgO) 0.3- (HfO 2 ) 0.7 composition ratio has a new crystal structure that is completely different from the diffraction peaks of HfO 2 and MgO observed in the X-ray diffraction results of the composite target of FIG. 1. Mg 2 Hf 5 O 12 Diffraction peaks were observed. This is because particles (ions and clusters) that are separated from the composite target were deposited rearranged to Mg 2 Hf 5 O 12 when deposited on the substrate. The composition ratio of Mg and Hf of the composite target is Mg 2 Hf 5 O 12 Although there is a slight variation compared to the composition ratio of the thin film, it can be seen that the Mg: Hf (0.3: 0.7) composition ratio of the composite target is sufficiently similar to make a single phase of Mg 2 Hf 5 O 12 . Through sputtering to prepare the single ceramic target of Mg Hf 2 O 5 12 In view of the above Mg Hf 2 O 5 12 It is also possible to produce thin films. However, in order to manufacture a single ceramic target of Mg 2 Hf 5 O 12 requires a high sintering temperature of 1700 ℃ or more, there can be a lot of restrictions in the manufacture of the target.
도 3 은 실시예 1에 의해 상온에서 스퍼터링 방법으로 증착된 Mg2Hf5O12 박막의 투과전자현미경(TEM) 이미지를 보여준다. 도 3은 도 2의 Mg2Hf5O12 박막 X-선 회절결과에서 결정상이 관찰된 것처럼, 상온 스퍼터링에서 Mg2Hf5O12의 결정구조가 잘 형성되어져 있음을 TEM 이미지상으로도 확인됨을 보여준다. 또한 결정립 크기는 대략 20 nm 정도로, X-선 회절결과에서 쉐러(Scherrer) 공식을 통하여 계산된 이론적 값과 같다. 도 3의 우측 상단의 작은 그림은 Mg2Hf5O12 박막의 SAED (selected-area electron diffraction) 패턴을 나타낸 것으로서, 다결정질 구조를 보이고 있으며, 링패턴의 간격을 인덱싱 (indexing)한 결과 Mg2Hf5O12 박막임을 알 수 있다. 3 is Mg 2 Hf 5 O 12 deposited by the sputtering method at room temperature by Example 1 The transmission electron microscope (TEM) image of the thin film is shown. 3 is Mg 2 Hf 5 O 12 of FIG. As the crystalline phase was observed in the thin film X-ray diffraction, the TEM image confirmed that the crystal structure of Mg 2 Hf 5 O 12 was well formed at room temperature sputtering. In addition, the grain size is about 20 nm, which is the same as the theoretical value calculated through the Scherrer formula in the X-ray diffraction. The small picture at the top right of FIG. 3 is Mg 2 Hf 5 O 12 SAED (selected-area electron diffraction) pattern of the thin film, showing the polycrystalline structure, indexing the ring pattern spacing (Mg 2 Hf 5 O 12 It can be seen that the thin film.
도 4는 도 3을 확대하여 분석한 투과전자현미경 사진으로 면간 거리가 각각 2.90, 2.90, 2.52 Å이고 이는 각각 (003), (211), (122)면과 일치하며, (003)과 (211)면이 이루는 각은 71°, (003)과 (122)면이 이루는 각이 55°로 Mg2Hf5O12 박막임을 명확히 입증하고 있다. 4 is a transmission electron microscope image of a magnified image of FIG. 3 and the distance between planes is 2.90, 2.90, and 2.52 Å, respectively, which coincides with (003), (211), and (122) planes, respectively, (003) and (211). The angle formed by the plane is 71 °, and the angle formed by planes (003) and (122) is 55 °, Mg 2 Hf 5 O 12 It is clearly demonstrated as a thin film.
도 5는 실시예 1의 Mg2Hf5O12 박막과 비교예 1의 HfO2 박막의 유전상수 특성을 보여준다. 실시예 1의 Mg2Hf5O12 박막은 유전상수가 22.5이고, 비교예 1의 HfO2 박막은 유전상수가 23이다. 이는 현재 상용화되고 있는 산화실리콘(SiO2) (εr~3.9) 보다 월등히 높은 값이다. 또한, 본 발명의 박막은 상온 증착에서 얻어진 결과이기 때문에 플라스틱 기판 상에 직접 제조가 가능하며, 캐패시터의 유전체 박막과 저전압 구동 트랜지스터용 게이트 절연막으로 응용이 가능하다.5 is Mg 2 Hf 5 O 12 of Example 1 Thin film and HfO 2 of Comparative Example 1 It shows the dielectric constant of thin film. The Mg 2 Hf 5 O 12 thin film of Example 1 has a dielectric constant of 22.5, and the HfO 2 thin film of Comparative Example 1 has a dielectric constant of 23. This is much higher than the current commercially available silicon oxide (SiO 2 ) (ε r ~ 3.9). In addition, since the thin film of the present invention is a result obtained at room temperature deposition, it can be directly manufactured on a plastic substrate, and can be applied as a dielectric thin film of a capacitor and a gate insulating film for a low voltage driving transistor.
도 6은 실시예 1과 비교예 1에 따라 상온에서 스퍼터링 법으로 증착된 300 nm 두께의 Mg2Hf5O12와 HfO2 박막의 인가전압에 따른 누설전류 특성을 보여준다. 박막의 두께가 300 nm보다 작으면 큰 누설전류가 관찰되기 때문에 300 nm를 최적의 두께로 결정하였다. 상온에서 스퍼터링 법으로 증착된 Mg2Hf5O12 유전체 박막은, 인가 전기장이 0.5 MV/cm일 때, 누설 전류밀도가 4x10-6 A/cm2이었다. 한편, 비교예 1의 HfO2 박막은, 인가 전기장이 0.5 MV/cm 일 때, 누설 전류밀도가 1X10-4 A/cm2로 높게 관찰이 되었다. 즉, 스퍼터링 법으로 증착된 Mg2Hf5O12 유전체 박막의 누설전류 특성이 HfO2 박막 보다 월등히 우수함을 보여준다. 이는 Mg2Hf5O12 박막이 HfO2 박막보다 절연파괴 특성이 우수하여 더욱 낮은 누설전류 특성을 보여주는 결과이다.6 is 300 nm thick Mg 2 Hf 5 O 12 and HfO 2 deposited by sputtering at room temperature according to Example 1 and Comparative Example 1; The leakage current characteristics according to the applied voltage of the thin film are shown. When the thickness of the thin film was less than 300 nm, a large leakage current was observed, so 300 nm was determined as the optimal thickness. The Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film deposited by sputtering at room temperature had a leakage current density of 4 × 10 −6 A / cm 2 when the applied electric field was 0.5 MV / cm. On the other hand, HfO 2 of Comparative Example 1 The thin film was observed to have a high leakage current density of 1 × 10 −4 A / cm 2 when the applied electric field was 0.5 MV / cm. That is, the leakage current characteristics of the Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film deposited by the sputtering method is much superior to the HfO 2 thin film. This result shows that Mg 2 Hf 5 O 12 thin film has better dielectric breakdown characteristics than HfO 2 thin film, which results in lower leakage current.
실시예 3 : Mg2Hf5O12 게이트 절연막을 이용한 InGaZnO4 기반 트랜지스터의 제조Example 3 InGaZnO 4 using Mg 2 Hf 5 O 12 gate insulating film Fabrication of Base Transistors
본 발명의 실시예 1에 따라 스퍼터링 법으로 증착된 Mg2Hf5O12 유전체 박막의 산화물 반도체 트랜지스터용 게이트 절연막으로서의 우수성을 증명하기 위해 플라스틱 PET (polyethyleneterephehalat) 기판 상에 박막형 트랜지스터를 제조하였다. 게이트 절연막은 핀홀 형성을 최소화하고, 균일한 전면도포를 위해 100 내지 1000 nm의 두께 범위에서 형성되는 것이 바람직하다. 높은 정전용량을 유지하면서, 누설전류 특성을 충분히 확보하기 위해서는 300 nm의 두께가 적당하다. PET는 유리전이 온도가 70 내지 100oC 정도로 낮기 때문에, 특히 PET 기판 상에 트랜지스터를 제조하기 위해서는 상온공정이 바람직하다. 하부 콘택 (bottom contact)과 상부 콘택 (top contact) 방식의 트랜지스터 구성이 모두 가능하다. 기판은 플라스틱 기판 외에도 유리 기판, 절연막이 증착된 Si 웨이퍼 등이 이용 가능하며, 특정 기판의 사용에 제약을 두지 않는다. 먼저 게이트 전극을 이베퍼레이션 (evaporation)이나 스퍼터링 방식으로 100 nm의 두께로 증착하여 형성한다. 게이트 전극으로 Al, Au, Cr, ITO (Sn doped In2O3), Mo 또는 Pt 등을 이용할 수 있다. 본 실시예 3에서는 Cr을 스퍼터링 법으로 증착하였다. 그리고 Cr 전극 상에 실시예 1의 조건과 동일하게 스퍼터링 법으로 Mg2Hf5O12 게이트 절연막을 300 nm 두께로 증착하였다. 반도체로는 유기반도체와 금속산화물 반도체 모두 활용이 가능하다. 최종적으로 알루미늄(Al)을 이베이퍼레이션(evaporation) 공정을 통해 소스 (source) 및 드레인 (drain) 전극을 증착함으로써 트랜지스터 소자를 제작하였다. 본 실시예 3에서는 InGaZnO4를 반도체 채널층으로 이용하였으며, 스퍼터링을 이용하여 상온에서 RF 파워 (50 W), 공정압력 (60 mTorr), 아르곤 가스 분위기 (5 sccm)에서 40 nm 의 두께로 증착을 하였다. 여기서, 박막 트랜지스터의 채널 폭과 길이는 각각 2000 ㎛, 100 ㎛가 되도록 형성하였다.In order to demonstrate the superiority of the Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film deposited by sputtering as a gate insulating film for an oxide semiconductor transistor according to Example 1 of the present invention, a thin film transistor was manufactured on a plastic PET (polyethyleneterephehalat) substrate. The gate insulating film is preferably formed in a thickness range of 100 to 1000 nm to minimize pinhole formation and to uniform front coating. In order to sufficiently secure the leakage current characteristics while maintaining high capacitance, a thickness of 300 nm is appropriate. Since PET has a low glass transition temperature of about 70 to 100 ° C., a room temperature process is particularly preferable for producing a transistor on a PET substrate. Both bottom contact and top contact transistor configurations are possible. In addition to the plastic substrate, the substrate may be a glass substrate, an Si wafer on which an insulating film is deposited, and the like. First, the gate electrode is formed by depositing a thickness of 100 nm by evaporation or sputtering. Al, Au, Cr, ITO (Sn doped In 2 O 3 ), Mo, or Pt may be used as the gate electrode. In Example 3, Cr was deposited by sputtering. And a Mg 2 Hf 5 O 12 gate insulating film was deposited to a thickness of 300 nm on the Cr electrode by the sputtering method in the same manner as in Example 1. As a semiconductor, both an organic semiconductor and a metal oxide semiconductor can be utilized. Finally, aluminum (Al) was fabricated by depositing source and drain electrodes through an evaporation process. In Example 3, InGaZnO 4 was used as a semiconductor channel layer, and deposition was performed at a thickness of 40 nm at RF power (50 W), process pressure (60 mTorr), and argon gas atmosphere (5 sccm) at room temperature using sputtering. It was. Here, the channel widths and lengths of the thin film transistors are formed to be 2000 µm and 100 µm, respectively.
도 7은 본 발명의 실시예 3에 따라 플라스틱 PET 위에 상온에서 스퍼터링으로 제조된 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 얻어진 산화물 반도체 기반 트랜지스터의 Output 특성을 보여준다. 게이트-소스 전압 (VGS)이 0 V일 때, 트랜지스터는 오프 (off) 특성을 보여주다가, VGS가 증가함에 따라 소스-드레인 전류 (IDS)가 증가함을 확인할 수 있다. 4 V의 게이트 전압에서 소스-드레인 전류 밀도가 160 μA 로 상당히 높았다.FIG. 7 shows the output characteristics of an oxide semiconductor based transistor obtained by using a Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film prepared by sputtering at room temperature on plastic PET according to Example 3 of the present invention. When the gate-source voltage V GS is 0 V, the transistor shows an off characteristic, and as the V GS increases, the source-drain current I DS increases. At a gate voltage of 4 V, the source-drain current density was quite high, 160 μA.
도 8은 본 발명의 실시예 3에 따라 플라스틱 PET 상온에서 스퍼터링 법으로 제조된 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 제조된 InGaZnO4 산화물 반도체 기반 트랜지스터의 전기적인 Transfer 특성을 보여준다. 5 V의 VDS에서 게이트-소스 전압 (VGS) 변화에 따른 소스-드레인 전류 특성을 보여주고 있다. Mg2Hf5O12 게이트 절연막을 이용하여 제조된 InGaZnO4 기반 트랜지스터는 온 전류(on current)가 6.87 X 10-4 A, 오프 전류(off current)가 1.71 X 10-10 A였고 4.01 X 106 의 높은 점멸비 (on/off ratio)를 보여주었다. 또한 전계효과 이동도 (field effect mobility) 값도 27.3 cm2/Vㆍs 로 상당히 높았다. 문턱전압 (Vth)은 2 V 이고, Subthreshold Swing (SS) 값은 440 mV/dec로 플라스틱 기판 상에서 우수한 트랜지스터 특성을 보여주었다. FIG. 8 shows the electrical transfer characteristics of an InGaZnO 4 oxide semiconductor based transistor fabricated using a Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film prepared by sputtering at room temperature according to Example 3 of the present invention as a gate insulating film. The source-drain current characteristics of the gate-source voltage (V GS ) change at 5 V V DS are shown. InGaZnO 4 -based transistors fabricated using Mg 2 Hf 5 O 12 gate insulating film had an on current of 6.87 X 10 -4 A, an off current of 1.71 X 10 -10 A, and 4.01 X 10 6 Showed a high on / off ratio. The field effect mobility was also very high, 27.3 cm 2 / V · s. The threshold voltage (V th ) was 2 V and the Subthreshold Swing (SS) value was 440 mV / dec, which showed excellent transistor characteristics on the plastic substrate.
비교예 2 : HfO2 게이트 절연막을 이용한 InGaZnO4 기반 트랜지스터의 제조Comparative Example 2: Fabrication of InGaZnO 4 Based Transistor Using HfO 2 Gate Insulator
실시예 3의 Mg2Hf5O12 게이트 절연막을 이용한 InGaZnO4 기반 트랜지스터의 우수성을 비교분석하기 위해 비교예 1에 의해 얻어진 HfO2 게이트 절연막을 이용하여 동일한 InGaZnO4 기반 트랜지스터를 제조하여 특성을 평가하였다. InGaZnO 4 using Mg 2 Hf 5 O 12 gate insulating film of Example 3 In order to compare and analyze the superiority of the base transistor, the same InGaZnO 4 based transistor was manufactured using the HfO 2 gate insulating film obtained in Comparative Example 1, and the characteristics thereof were evaluated.
도 9는 본 발명의 실험예 2의 HfO2 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 제조된 InGaZnO4 기반 트랜지스터의 Output 특성을 보여준다. HfO2 절연막의 두께는 300 nm였으며, 반도체 채널층인 InGaZnO4는 40 nm의 두께로 형성하였다. 트랜지스터 채널의 폭과 길이는 각각 2000 μm와 100 μm였다. 4 V의 게이트 전압에서 소스-드레인 전류 밀도가 180μA 로 Mg2Hf5O12 유전체 박막을 이용한 경우보다 높았으나, 4 V에서 완벽한 전류의 포화가 이루어지지 않고, 전압 증가에 따라서 지속적으로 증가함을 알 수 있다. 이는 HfO2의 완벽하지 못한 절연특성에 기인한다. 안정한 트랜지스터의 구동을 위해서는 전류의 완벽한 포화가 이루어져야 한다. 9 shows the output characteristics of an InGaZnO 4 based transistor fabricated using the HfO 2 dielectric thin film of Experimental Example 2 as a gate insulating film. The thickness of the HfO 2 insulating film was 300 nm, and the semiconductor channel layer InGaZnO 4 was formed to a thickness of 40 nm. The width and length of the transistor channels were 2000 μm and 100 μm, respectively. The source-drain current density was 180 μA at 4 V gate voltage, which was higher than that of Mg 2 Hf 5 O 12 dielectric thin film, but the perfect current was not saturated at 4 V and increased continuously with increasing voltage. Able to know. This is due to the incomplete insulating properties of HfO 2 . In order to drive a stable transistor, the current must be perfectly saturated.
도 10은 본 발명의 비교예 2의 InGaZnO4 산화물 반도체 기반 트랜지스터에 HfO2 박막을 절연막으로 이용하였을 때 전기적인 Transfer 특성을 측정한 결과를 보여준다. 5 V의 VDS 에서 게이트 전압 (VGS) 변화에 따른 소스-드레인 전류 특성을 보여주고 있다. HfO2 유전체 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 PET 기판위에 제조된 InGaZnO4 기반 트랜지스터는 온 전류(on current)가 3.59 X 10-4 A, 오프 전류(off current)가 8.41 X 10-11 A였고 4.27 X 106의 높은 점멸비 (on/off ratio)를 보여주고 있다. 이는 Mg2Hf5O12 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 얻어진 트랜지스터와 유사한 값이다. 전계효과 이동도 (field effect mobility) 값은 19 cm2/Vㆍs로 Mg2Hf5O12 박막을 게이트 절연막으로 이용하여 얻어진 트랜지스터보다 낮았으며 문턱전압 (Vth) 또한 3.2 V로 다소 높은 값을 보여주었다. SS값은 340 mV/dec였다. 도 8과 도 10의 Transfer 특성에서 전압의 스윕 (sweep)에 따라 이력특성 (hysteresis) 이 관찰되었으며, 특히 Mg2Hf5O12 박막의 게이트 누설전류 특성이 HfO2 박막에 비해 2배 이상 개선되어 있음을 확인할 수 있었다.FIG. 10 shows the result of measuring the electrical transfer characteristics when the HfO 2 thin film is used as the insulating film in the InGaZnO 4 oxide semiconductor-based transistor of Comparative Example 2 of the present invention. It shows the source-drain current characteristics as the gate voltage (V GS ) changes at V DS of 5 V. InGaZnO 4 -based transistors fabricated on PET substrates using HfO 2 dielectric thin films as gate insulating films had an on current of 3.59 X 10 -4 A and an off current of 8.41 X 10 -11 A and 4.27 X It shows a high on / off ratio of 10 6 . This is similar to a transistor obtained by using a Mg 2 Hf 5 O 12 thin film as a gate insulating film. The field effect mobility value was 19 cm 2 / V · s, which was lower than that of the transistor obtained using Mg 2 Hf 5 O 12 thin film as the gate insulating film, and the threshold voltage (V th ) was also slightly higher as 3.2 V. Showed. SS value was 340 mV / dec. In the transfer characteristics of FIGS. 8 and 10, hysteresis was observed according to the voltage sweep. In particular, the gate leakage current of the Mg 2 Hf 5 O 12 thin film was improved by more than twice as much as that of the HfO 2 thin film. It could be confirmed.
Claims (32)
(b) 상기 MgO - HfO2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 고온 소결하여 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및;
(c) 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 박막을 형성하는 단계;
를 포함하는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법.(a) mixing MgO powder and HfO 2 powder and calcining at high temperature to form MgO-HfO 2 complex;
(b) pulverizing and molding the MgO-HfO 2 composite and then hot sintering to form an MgO-HfO 2 composite sputtering target;
(c) forming a thin film by sputtering using the MgO-HfO 2 composite sputtering target;
Method for producing a dielectric thin film comprising Mg 2 Hf 5 O 12 comprising a.
(b') 상기 MgO - HfO2 복합체 스퍼터링 타켓의 표면을 연마하는 단계를 더 포함하는 Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막의 제조방법.The process of claim 4, wherein after step (b):
(b ') A method of manufacturing a dielectric thin film comprising Mg 2 Hf 5 O 12 further comprising polishing the surface of the MgO-HfO 2 composite sputtering target.
상기 유전체층은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터.A substrate, a first electrode, a second electrode, and a dielectric layer,
Wherein the dielectric layer is a dielectric thin film positioned between the first electrode and the second electrode and comprising Mg 2 Hf 5 O 12 .
상기 제1 전극 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및
상기 유전체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것으로서,
상기 유전체층은 제4항 내지 제16항의 방법으로 형성하는 것인 캐퍼시터의 제조방법.Forming a first electrode on the substrate;
Forming a dielectric layer on the first electrode; And
Forming a second electrode on the dielectric layer;
The method of manufacturing a capacitor, wherein the dielectric layer is formed by the method of claim 4 to 16.
상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극,
상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막,
상기 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및
상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 게이트 절연막은, Mg2Hf5O12를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터.Board,
A gate electrode formed on the substrate,
A gate insulating film formed on the gate electrode and the substrate;
A channel layer formed on the gate insulating film, and
A source electrode and a drain electrode formed on the channel layer to at least partially expose the channel layer;
And the gate insulating film is a dielectric thin film containing Mg 2 Hf 5 O 12 .
상기 게이트 전극 및 기판 상에 제4항 내지 제16항의 방법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 상에 채널 층을 형성하는 단계; 및
상기 채널층 상에 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법.Forming a gate electrode on the substrate;
Forming a gate insulating film on the gate electrode and the substrate by the method of claim 4 to 16;
Forming a channel layer on the gate insulating film; And
Forming source and drain electrodes on the channel layer to expose at least a portion of the channel layer;
Method of manufacturing a field effect transistor comprising a.
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