KR20110080935A - Substrate cleaning apparatus - Google Patents

Substrate cleaning apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20110080935A
KR20110080935A KR1020100001383A KR20100001383A KR20110080935A KR 20110080935 A KR20110080935 A KR 20110080935A KR 1020100001383 A KR1020100001383 A KR 1020100001383A KR 20100001383 A KR20100001383 A KR 20100001383A KR 20110080935 A KR20110080935 A KR 20110080935A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
nozzle
cleaning liquid
cleaning
injection hole
Prior art date
Application number
KR1020100001383A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101177005B1 (en
Inventor
이주동
김붕
송길훈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020100001383A priority Critical patent/KR101177005B1/en
Publication of KR20110080935A publication Critical patent/KR20110080935A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101177005B1 publication Critical patent/KR101177005B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/02—Dosimeters
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q50/00—Systems or methods specially adapted for specific business sectors, e.g. utilities or tourism
    • G06Q50/10—Services
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21C—NUCLEAR REACTORS
    • G21C17/00—Monitoring; Testing ; Maintaining
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/30—Nuclear fission reactors

Abstract

PURPOSE: A substrate cleaning apparatus is provided to improve cleansing power by allowing the edge of a substrate to be cleaned when cleaning the backside of the substrate. CONSTITUTION: In a substrate cleaning apparatus, a substrate support portion(120) supports a substrate. A back-nozzle part(130) is installed on the top side of the substrate support portion and discharges washing solution to the backside of the substrate in a process. A first nozzle(132) includes a first nozzle hole discharging the washing solution in vertical direction to the backside of the substrate. A second nozzle(133) includes a second nozzle hole discharging the washing solution in diagonal direction to the backside of the substrate.

Description

기판 세정 장치{Substrate Cleaning Apparatus}Substrate Cleaning Apparatus

본 발명은 기판 세정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 이면 세정시 기판의 에지부까지 고른 세정이 가능하며, 세정력을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus. More particularly, the present invention relates to a substrate cleaning apparatus capable of evenly cleaning the edges of a substrate when cleaning the back surface of the substrate, and improving cleaning power.

반도체 소자를 제조하기 위해선 반도체 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 박막 형성에는 에칭 및 세정 공정이 필수적으로 채택되는 것이 일반적이다. 에칭 및 세정 공정에 있어서 기판의 이면에 증착된 질화막 등의 박막과 파티클 등은 후속 공정에서 이물질로 작용하게 된다. 이러한 기판 이면의 불필요한 박막 등과 같은 이물질은 백노즐부를 구비하는 기판 세정 장치를 이용하여 제거하게 된다.In order to manufacture a semiconductor device, a multi-layered thin film is formed on a semiconductor substrate, and etching and cleaning processes are generally adopted to form the thin film. In the etching and cleaning processes, thin films such as nitride films and particles deposited on the back surface of the substrate act as foreign substances in subsequent processes. The foreign matter such as unnecessary thin film on the back surface of the substrate is removed using a substrate cleaning device having a back nozzle portion.

기존의 백노즐부를 구비하는 기판 세정 장치는 기판이 기판 지지부 상에서 핀들에 의해 고정된다. 스핀 헤드는 모터에서 발생된 회전력이 스핀 헤드로 전달되어 회전되고, 이에 따라, 스핀 헤드 상에 장착된 기판이 회전된다. 스핀 헤드에 설치된 백노즐부로부터 기판의 이면으로 세정액을 분사하게 된다.In a substrate cleaning apparatus having a conventional back nozzle portion, the substrate is fixed by pins on the substrate support. The spin head is rotated by transmitting the rotational force generated from the motor to the spin head, and thus, the substrate mounted on the spin head is rotated. The cleaning liquid is injected into the back surface of the substrate from the back nozzle portion provided in the spin head.

그런데, 기존의 백노즐부의 노즐에는 기판의 이면에 대하여 수직방향으로 세정액을 분사하는 분사구만이 형성되어 있다. 회전하고 있는 기판의 경우, 세정액은 원심력을 이용하여 기판의 에지부까지 도달하여야 하지만, 기판의 이면에 대하여 수직방향으로 세정액을 분사하는 경우에는 반발력에 의해 세정액의 튐 현상이 많아지기 때문에, 원심력을 이용하여 세정액이 기판의 에지부까지 도달하기가 어려운 문제점이 있다. 따라서 기판의 이면 세정시 고른 세정범위를 확보하지 못하여 세정력이 떨어지는 문제점이 있다. By the way, the nozzle of the existing back nozzle part is provided with only the injection hole which injects a cleaning liquid perpendicular | vertical with respect to the back surface of a board | substrate. In the case of a rotating substrate, the cleaning liquid must reach the edge of the substrate by using centrifugal force. However, when the cleaning liquid is sprayed in the vertical direction with respect to the back surface of the substrate, the repelling force increases the phenomenon of the cleaning liquid. There is a problem that it is difficult for the cleaning liquid to reach the edge portion of the substrate. Therefore, when cleaning the back surface of the substrate, there is a problem that the cleaning power is not secured because the even cleaning range is not secured.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판의 이면 세정시 기판의 에지부까지 고른 세정이 가능하며, 세정력을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus capable of evenly cleaning the edges of the substrate when cleaning the back surface of the substrate, and improving the cleaning power.

본 발명의 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 세정 장치의 일 태양은, 기판을 지지하는 기판 지지부, 및 상기 기판 지지부의 상부면에 설치되며 공정시 상기 기판의 이면으로 세정액을 분사하는 백노즐부를 포함하되, 상기 백노즐부는 상기 기판의 이면에 대하여 수직방향으로 상기 세정액을 분사하는 제1 분사구가 형성된 제1 노즐, 및 상기 기판의 이면에 대하여 사선방향으로 상기 세정액을 분사하는 제2 분사구가 형성된 제2 노즐을 포함한다. One aspect of the substrate cleaning apparatus of the present invention for solving the above technical problem is a substrate support portion for supporting a substrate, and a back nozzle portion provided on the upper surface of the substrate support portion for spraying the cleaning liquid to the back surface of the substrate during the process And a first nozzle having a first nozzle for injecting the cleaning liquid in a vertical direction with respect to the back surface of the substrate, and a second nozzle for injecting the cleaning liquid in an oblique direction with respect to the back surface of the substrate. And a second nozzle.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판의 이면 세정시 기판의 에지부까지 고른 세정이 가능하며, 세정력을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, even when cleaning the back surface of the substrate can be evenly cleaned to the edge of the substrate, it is possible to improve the cleaning power.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 스핀 헤드의 평면도이다.
도 3은 백노즐부의 노즐의 구성과 노즐과 기판과의 관계를 설명하기 위한 도면으로, 도 2에 도시된 I-I' 선을 따라 절단한 백노즐부의 몸체의 단면 및 기판을 도시한 것이다.1 is a schematic diagram illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the spin head shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a view for explaining the configuration of the nozzle of the back nozzle part and the relationship between the nozzle and the substrate, and illustrates a cross section and a substrate of the body of the back nozzle part cut along the line II ′ of FIG. 2.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

본 명세서에서 사용되는 용어 중 기판의 상면은 기판의 양면 중 패턴이 형성된 면을 지칭하고, 기판의 이면은 그 반대면을 지칭한다. As used herein, the upper surface of the substrate refers to the surface on which the pattern is formed on both sides of the substrate, and the rear surface of the substrate refers to the opposite surface.

이하, 본 발명의 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 세정 장치(100)는 바울(110), 기판 지지부(120), 백노즐부(130)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate cleaning apparatus 100 may include a paul 110, a substrate support 120, and a back nozzle 130.

바울(bowl)(110)은 기판 지지부(120)를 둘러싸며, 기판(10)의 세정 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 바울(110)은 기판(10)으로부터 비산되는 세정액을 차단할 수 있으며, 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위해 상하 이동 가능하도록 설치될 수 있다. The bowl 110 surrounds the substrate support 120 and provides a space in which the cleaning process of the substrate 10 proceeds. The paul 110 may block the cleaning liquid scattered from the substrate 10 and may be installed to be moved up and down for loading and unloading of the substrate 10.

바울(110)의 하부에는 세정액을 배출시키는 배출관(140)이 형성될 수 있으며, 배출관(140)을 통해 바울(110)에 의해 차단된 세정액을 다시 수거하여 세정액으로 재사용할 수도 있다. A discharge pipe 140 for discharging the cleaning liquid may be formed at the lower portion of the paul 110, and the cleaning liquid blocked by the paul 110 may be collected again through the discharge pipe 140 and reused as the cleaning liquid.

기판 지지부(120)는 바울(110) 내측에 설치된다. 기판 지지부(120)는 세정 공정시 기판(10)을 지지한다. 기판 지지부(120)는 구동부(125)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지부(120)는 원형의 상부면을 갖는 스핀 헤드(121)를 포함한다. 스핀 헤드(121)의 상부면에는 기판(10)을 지지하는 핀 부재(122, 123)가 설치된다. 핀 부재(122, 123)는 지지핀(122)과 척킹핀(123)을 포함한다. 지지핀(122)은 스핀 헤드(121)의 상부면 가장자리부에 설치되고, 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 수직방향으로 돌출된다. 지지핀(122)은 기판(10)의 이면(11)을 지지한다. 따라서 기판(10)은 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 수직 방향으로 일정 간격 이격된 상태에서 지지된다. The substrate support part 120 is installed inside the paul 110. The substrate support part 120 supports the substrate 10 during the cleaning process. The substrate supporter 120 may be rotated by the driver 125. The substrate support 120 includes a spin head 121 having a circular top surface. Fin members 122 and 123 supporting the substrate 10 are provided on the upper surface of the spin head 121. The pin members 122 and 123 include a support pin 122 and a chucking pin 123. The support pin 122 is installed at an edge of the upper surface of the spin head 121 and protrudes from the upper surface of the spin head 121 in the vertical direction. The support pin 122 supports the back surface 11 of the substrate 10. Therefore, the substrate 10 is supported in a state spaced apart at regular intervals from the upper surface of the spin head 121 in the vertical direction.

지지핀(122)의 외측에는 척킹핀(123)이 설치되며, 척킹핀(123)은 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 수직방향으로 돌출된다. 척킹핀(123)은 지지핀(122)에 의해 지지된 기판(10)이 스핀 헤드(121) 상의 정해진 위치에 놓이도록 정렬한다. 척킹핀(123)은 기판(10)의 측부와 접하여 기판(10)이 정해진 위치로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. A chucking pin 123 is installed outside the support pin 122, and the chucking pin 123 protrudes from the upper surface of the spin head 121 in a vertical direction. The chucking pins 123 are aligned such that the substrate 10 supported by the support pins 122 is placed at a predetermined position on the spin head 121. The chucking pin 123 may contact the side of the substrate 10 to prevent the substrate 10 from being separated from a predetermined position.

스핀 헤드(121)의 하부에는 스핀 헤드(121)를 지지하는 지지축(124)이 연결되며, 지지축(124)은 그 하단에 연결된 구동부(125)에 의해 회전한다. 구동부(125)는 모터 등을 포함할 수 있다. 지지축(124)이 회전함에 따라 스핀 헤드(121) 및 기판(10)이 회전한다. 또한, 구동부(125)는 스핀 헤드(121) 상에 기판(10)을 로딩하거나 언로딩하는 경우, 스핀 헤드(121)는 상하로 이동시킬 수 있다. A support shaft 124 supporting the spin head 121 is connected to the lower portion of the spin head 121, and the support shaft 124 is rotated by the driver 125 connected to the lower end thereof. The driver 125 may include a motor or the like. As the support shaft 124 rotates, the spin head 121 and the substrate 10 rotate. In addition, when the driver 125 loads or unloads the substrate 10 on the spin head 121, the spin head 121 may move up and down.

백노즐부(130)는 스핀 헤드(121) 상에 기판(10)이 로딩되는 경우, 기판(10)의 이면(11)으로 세정액을 공급한다. 백노즐부(130)는 스핀 헤드(121)의 상부면에 돌출되도록 설치된 몸체(131)를 포함한다. 몸체(131)에는 세정액을 분사하는 제1 노즐(132) 및 제2 노즐(133)이 설치된다. When the substrate 10 is loaded on the spin head 121, the back nozzle unit 130 supplies a cleaning liquid to the rear surface 11 of the substrate 10. The back nozzle part 130 includes a body 131 installed to protrude from the upper surface of the spin head 121. The body 131 is provided with a first nozzle 132 and a second nozzle 133 for spraying the cleaning liquid.

여기서, 세정액으로는 탈이온수(de-ionized water, H2O), 불산(HF)과 탈이온수의 혼합액, 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF) 및 탈이온수의 혼합액 및 인산(H3PO4) 및 탈이온수를 포함하는 혼합액 등이 사용될 수 있다.Here, the cleaning liquid is de-ionized water (H 2 O), a mixture of hydrofluoric acid (HF) and deionized water, a mixture of ammonium hydroxide (NH 4 OH) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and deionized water, fluorinated A mixed solution of ammonium (NH 4 F) and hydrofluoric acid (HF) and deionized water, and a mixed solution containing phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and deionized water may be used.

일반적으로, 탈이온수는 기판(10)에 부착된 이물질 제거 및 린스의 목적으로 사용될 수 있다. 불산과 탈이온수의 혼합액(DHF)은 기판(10) 상에 형성된 자연 산화막(SiO2) 제거 및 금속 이온 제거를 위해 사용될수 있다. 이때, 불산과 탈이온수의 혼합 비율은 1:100 내지 1:500 정도일 수 있으며, 세정 공정의 조건에 따라 적절하게 변경될 수 있다.In general, deionized water may be used for the purpose of removing and rinsing foreign matter attached to the substrate 10. A mixed solution (DHF) of hydrofluoric acid and deionized water may be used for removing a native oxide film (SiO 2 ) and metal ions formed on the substrate 10. In this case, the mixing ratio of hydrofluoric acid and deionized water may be about 1: 100 to 1: 500, and may be appropriately changed according to the conditions of the washing process.

일반적으로, SC1(standard clean 1) 용액이라 불리는 수산화암모늄과 과산화수소 및 탈이온수의 혼합액은 기판(10) 상에 형성된 산화막 또는 기판(10) 상에 부착된 유기물을 제거할 수 있으며, 혼합 비율은 1:4:20 내지 1:4:100 정도일 수 있으며, 세정 공정에 따라 적절하게 변경될 수 있다.In general, a mixed solution of ammonium hydroxide, hydrogen peroxide, and deionized water, called a standard clean 1 (SC1) solution, may remove an oxide film formed on the substrate 10 or an organic substance attached to the substrate 10, and the mixing ratio is 1 It may be about 4: 4 to about 1: 4: 100, and may be appropriately changed depending on the washing process.

그리고, Lal 용액이라 불리는 불화암모늄과 불산 및 탈이온수의 혼합액은 기판(10) 상에 형성된 산화막을 제거할 수 있으며, 인산과 탈이온수를 포함하는 혼합액은 상기 Lal 용액으로 처리가 불가능한 나이트라이드(nitride) 계열의 이물질을 제거할 수 있다.In addition, the mixed solution of ammonium fluoride, hydrofluoric acid and deionized water called Lal solution may remove the oxide film formed on the substrate 10, and the mixed solution containing phosphoric acid and deionized water may be nitride which cannot be treated with the Lal solution. ) Can remove foreign substances in the series.

도 2 및 도 3을 참조하여 백노즐부에 대하여 상세히 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 스핀 헤드의 평면도이다. 도 3은 백노즐부의 노즐의 구성과 노즐과 기판과의 관계를 설명하기 위한 도면으로, 도 2에 도시된 I-I' 선을 따라 절단한 백노즐부의 몸체의 단면 및 기판을 도시한 것이다.The back nozzle unit will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a plan view of the spin head shown in FIG. 1. 3 is a view for explaining the configuration of the nozzle and the relationship between the nozzle and the substrate, the cross-section of the body of the back nozzle portion cut along the line II 'shown in Figure 2 and the substrate.

도 2를 참조하면, 백노즐부(130)의 몸체(131)는 원형의 평면 구조를 가질 수 있다. 몸체(131)에는 다수개의 제1 노즐(132) 및 다수개의 제2 노즐(133)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2, the body 131 of the back nozzle unit 130 may have a circular planar structure. A plurality of first nozzles 132 and a plurality of second nozzles 133 may be formed in the body 131.

도 3을 참조하면, 몸체(131)의 내부에는 세정액 공급 라인(134, 135)이 형성되어 있으며, 세정액 공급 라인(134, 135)의 일단에는 각각 제1 노즐 및 제2 노즐(132, 133)이 설치되어 있다. 제1 노즐(132)은 튜브 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 노즐(132)의 끝단에는 기판(10)의 이면(11)에 대하여 수직방향으로 세정액을 분사하는 제1 분사구(136)가 형성된다. Referring to FIG. 3, cleaning liquid supply lines 134 and 135 are formed in the body 131, and first and second nozzles 132 and 133 are respectively formed at one end of the cleaning liquid supply lines 134 and 135. Is installed. The first nozzle 132 may be formed in a tube shape, and a first injection hole 136 is formed at the end of the first nozzle 132 to spray the cleaning liquid in a direction perpendicular to the back surface 11 of the substrate 10. do.

제2 노즐(133)은 상부가 덮힌 튜브 형상으로 형성될 수 있으며, 제2 노즐(133)의 상단부에는 기판(10)의 이면(11)에 대하여 사선방향으로 세정액을 분사하는 제2 분사구(137)이 형성된다. 제2 분사구(137)는 기판(10)의 이면(11)에 대하여 사선방향으로 세정액을 분사하므로, 제2 분사구(137)의 중심축(a)과 기판(10)의 이면(11)이 이루는 각(θ)은 0°보다 크고 90°보다 작다. 또한 제2 분사구(137)는 중심축(a)이 기판(10)의 이면(11)의 중심(c)을 향하도록 형성될 수 있다. 제2 분사구(137)를 통하여 분사되는 세정액은 기판(10)과의 반발력이 최소화됨으로써, 원심력에 의해 기판(10)의 이면(11)의 에지부까지 도달할 수 있게 된다. 따라서 기판(10)의 이면(11) 세정시 기판(10)의 에지부까지 고른 세정이 가능하며, 세정력을 향상시킬 수 있다. The second nozzle 133 may be formed in the shape of a tube covered with an upper portion, and a second injection hole 137 spraying the cleaning liquid in an oblique direction to the rear surface 11 of the substrate 10 at an upper end of the second nozzle 133. ) Is formed. Since the second injection hole 137 sprays the cleaning liquid in an oblique direction with respect to the rear surface 11 of the substrate 10, the center axis a of the second injection hole 137 and the rear surface 11 of the substrate 10 are formed. The angle θ is greater than 0 ° and less than 90 °. In addition, the second injection hole 137 may be formed such that the central axis a faces the center c of the rear surface 11 of the substrate 10. Since the repelling force with the substrate 10 is minimized, the cleaning liquid sprayed through the second injection hole 137 may reach the edge portion of the back surface 11 of the substrate 10 by centrifugal force. Accordingly, when the back surface 11 of the substrate 10 is cleaned, the edges of the substrate 10 may be evenly cleaned and the cleaning power may be improved.

제1 노즐(132) 및 제2 노즐(133)은 스핀 헤드(121)의 상부면과 수직한 방향으로 설치된다. 제1 분사구(136) 및 제2 분사구(137)를 통하여 세정액은 동시에 분사되며, 제1 분사구(136) 및 제2 분사구(137)는 홀 형상 또는 슬릿 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The first nozzle 132 and the second nozzle 133 are installed in a direction perpendicular to the upper surface of the spin head 121. The cleaning liquid is simultaneously sprayed through the first injection hole 136 and the second injection hole 137, and the first injection hole 136 and the second injection hole 137 may be formed in various shapes such as a hole shape or a slit shape.

기판 지지부(120)의 상부면, 즉 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 제2 분사구(137)까지의 높이(h2)가 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 제1 분사구(136)까지의 높이(h1)보다 크도록 형성할 수 있다. 즉, 제2 분사구(137)를 기판(10)의 이면(11)에 보다 가까이 형성할 수 있다. 이렇게 함으로써, 제2 분사구(137)를 통하여 분사되는 세정액이 기판(10)의 에지부까지 고르게 분사될 수 있으며, 제1 분사구(136)를 통하여 분사되는 세정액과 제2 분사구(137)를 통하여 분사되는 세정액 사이에 간섭이 발생하지 않을 수 있다. The height h2 from the top surface of the substrate support 120, that is, from the top surface of the spin head 121 to the second injection hole 137, is the height from the top surface of the spin head 121 to the first injection hole 136. It can be formed larger than (h1). That is, the second injection hole 137 may be formed closer to the rear surface 11 of the substrate 10. In this way, the cleaning liquid sprayed through the second injection hole 137 may be evenly sprayed to the edge portion of the substrate 10, and the cleaning liquid sprayed through the first injection hole 136 and the second injection hole 137 may be injected. Interference may not occur between the cleaning liquids.

한편, 제2 노즐(133)의 폭이 제1 노즐(132)의 폭보다 크도록 형성할 수도 있다. Meanwhile, the width of the second nozzle 133 may be larger than the width of the first nozzle 132.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations, modifications, and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that modifications may be made and other embodiments may be embodied. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

110: 바울 120: 기판 지지부
130: 백노즐부 131: 몸체
132: 제1 노즐 133: 제2 노즐
136: 제1 분사구 137: 제2 분사구110: Paul 120: substrate support
130: back nozzle 131: body
132: first nozzle 133: second nozzle
136: first nozzle 137: second nozzle

Claims (5)

기판을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부의 상부면에 설치되며, 공정시 상기 기판의 이면으로 세정액을 분사하는 백노즐부를 포함하되,
상기 백노즐부는 상기 기판의 이면에 대하여 수직방향으로 상기 세정액을 분사하는 제1 분사구가 형성된 제1 노즐, 및 상기 기판의 이면에 대하여 사선방향으로 상기 세정액을 분사하는 제2 분사구가 형성된 제2 노즐을 포함하는 기판 세정 장치. A substrate support for supporting a substrate; And
Is installed on the upper surface of the substrate support portion, and includes a back nozzle portion for spraying the cleaning liquid to the back surface of the substrate during the process,
The back nozzle part includes a first nozzle having a first nozzle for injecting the cleaning liquid in a direction perpendicular to the rear surface of the substrate, and a second nozzle having a second nozzle for injecting the cleaning liquid in an oblique direction to the rear surface of the substrate. Substrate cleaning apparatus comprising a. 제 1항에 있어서,
상기 제2 분사구의 중심축과 상기 기판의 이면이 이루는 각은 0°보다 크고 90°보다 작은 기판 세정 장치. The method of claim 1,
The angle formed between the central axis of the second injection port and the back surface of the substrate is greater than 0 ° and less than 90 °. 제 2항에 있어서,
상기 제2 분사구의 중심축은 상기 기판의 이면의 중심을 향하는 기판 세정 장치.The method of claim 2,
And a center axis of the second injection hole faces a center of a rear surface of the substrate. 제 1항에 있어서,
상기 기판 지지부의 상부면으로부터 상기 제2 분사구까지의 높이는 상기 기판 지지부의 상부면으로부터 상기 제1 분사구까지의 높이보다 큰 기판 세정 장치.The method of claim 1,
And a height from the upper surface of the substrate support to the second injection hole is greater than a height from the upper surface of the substrate support to the first injection hole. 제 1항에 있어서,
상기 제1 분사구와 상기 제2 분사구는 동시에 상기 세정액을 분사하는 기판 세정 장치. The method of claim 1,
And the first injection hole and the second injection hole simultaneously spray the cleaning liquid.
KR1020100001383A 2010-01-07 2010-01-07 Substrate Cleaning Apparatus KR101177005B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100001383A KR101177005B1 (en) 2010-01-07 2010-01-07 Substrate Cleaning Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100001383A KR101177005B1 (en) 2010-01-07 2010-01-07 Substrate Cleaning Apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110080935A true KR20110080935A (en) 2011-07-13
KR101177005B1 KR101177005B1 (en) 2012-08-27

Family

ID=44919752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100001383A KR101177005B1 (en) 2010-01-07 2010-01-07 Substrate Cleaning Apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101177005B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10032657B2 (en) 2015-11-30 2018-07-24 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating a substrate

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009140978A (en) * 2007-12-04 2009-06-25 Nec Electronics Corp Cleaning method of flux

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10032657B2 (en) 2015-11-30 2018-07-24 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR101177005B1 (en) 2012-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101091088B1 (en) Two-fluid injection nozzle
EP2106303B1 (en) Method for cleaning a surface
KR20050035318A (en) Method and apparatus for wafer cleaning dry
KR101060686B1 (en) Substrate cleaning device with improved cleaning efficiency
KR101017102B1 (en) Wet type washing device of wafer and thereof method
KR100695228B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR20110077705A (en) The apparatus and method for cleaning single wafer
KR100766343B1 (en) Method for cleaning and drying wafers
KR101177005B1 (en) Substrate Cleaning Apparatus
CN111106033B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20090029408A (en) Apparatus and method for treating substrate
TWI567847B (en) Wafer cleaning device and cleaning method
KR20080009838A (en) Apparatus and method for treating substrate
US20060107970A1 (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor substrates
KR20090128855A (en) Spin chuck and single type cleaning apparatus for substrate
KR20150000671A (en) Apparatus for cleaning substrate
KR20100060094A (en) Method for cleanning back-side of substrate
WO2022244394A1 (en) Semiconductor wafer cleaning device, semiconductor wafer cleaning method, and method for manufacturing silicon wafer
KR20080030203A (en) Apparatus and method for cleaning substrates
KR100743185B1 (en) Apparatus for fabicating semiconductor device and method for fabicating semiconductor device using the same
KR100493558B1 (en) Spin etch apparatus
KR101398441B1 (en) Single type cleaning apparatus for substrate
KR100809591B1 (en) Method for cleaning substrate in single wafer
KR102120704B1 (en) Chemical fume removing apparatus using air curtain
JP2016187049A (en) Cleaning apparatus and cleaning method of wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150806

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160804

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170724

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180727

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190723

Year of fee payment: 8