KR20110076305A - 액정 표시 장치 - Google Patents

액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110076305A
KR20110076305A KR1020090132983A KR20090132983A KR20110076305A KR 20110076305 A KR20110076305 A KR 20110076305A KR 1020090132983 A KR1020090132983 A KR 1020090132983A KR 20090132983 A KR20090132983 A KR 20090132983A KR 20110076305 A KR20110076305 A KR 20110076305A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data line
shielding layer
liquid crystal
substrate
crystal display
Prior art date
Application number
KR1020090132983A
Other languages
English (en)
Inventor
조영직
진현철
김태균
이상욱
우창승
심다혜
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090132983A priority Critical patent/KR20110076305A/ko
Priority to CN201010535256.4A priority patent/CN102109720B/zh
Priority to US12/946,511 priority patent/US20110157527A1/en
Publication of KR20110076305A publication Critical patent/KR20110076305A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 빛샘을 차단하고 수직 크로스 토크를 방지할 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 화소 영역과 상기 화소 영역 측부의 데이터 라인 영역으로 정의된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판 상에 형성된 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 데이터 라인 영역에 형성된 데이터 라인과, 상기 데이터 라인의 양 에지로부터 이격되어 형성되는 공통 전극과, 상기 제 1 절연막을 사이에 두고 일측은 상기 데이터 라인의 에지와 0㎛ 이상에서 2㎛ 이하로 중첩되고 타측은 최외곽 공통 전극과 중첩되도록 형성되는 차폐층 및 상기 제 1 기판에 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
LCD, 데이터 라인, 차폐층, 기생 캐패시턴스, 수직 크로스 토크

Description

액정 표시 장치 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 액정 표시 장치의 빛샘을 차단하고 수직 크로스 토크를 방지할 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
근래 정보화 사회의 발전과 더불어, 표시 장치에 대한 다양한 형태의 요구가 증대되면서, LCD(Liquid Crystalline Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 평판표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중 고화질의 구현, 양산성, 구동수단의 용이성, 경량, 박형, 저소비 전력 등의 이유로 액정 표시 장치(LCD)가 각광을 받고 있다.
액정 표시 장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 화소들에 화상 정보에 따른 데이터 신호를 개별적으로 공급하여, 화소별로 광투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시 소자이다. 주로 액티브 매트릭스(Active Matrix; AM) 방식에 의해 구동된다. 액티브 매트릭스 방식은 각각의 화소에 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)와 같은 스위칭 소자를 부가하여, 이것을 통하여 화소부의 액정에 전압을 인가하고, 액정을 구동하는 방식이다.
일반적인 액정 표시 장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열된 액정 패널과, 액정 패널을 구동하기 위한 구동 회로를 구비한다. 액정 패널은 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 기판과, 컬러필터가 형성된 컬러필터 기판 및 두 기판 사이에 형성된 액정층을 포함한다.
박막 트랜지스터 기판에는 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하여 정의된 다수의 화소 영역이 정의되고, 화소 영역의 박막 트랜지스터 기판 상에는 액정층을 구동시키는 전계를 형성하기 위한 화소 전극 및 공통 전극이 형성된다. 컬러필터 기판에는 화소 영역에 대응하여 컬러 필터층이 형성되고 컬러 필터층의 사이마다 데이터 라인에 대응하여 블랙 매트릭스가 형성된다.
블랙 매트릭스는 박막 트랜지스터 기판의 하부에 배치된 백 라이트 유닛에서 발생되는 광이 데이터 라인의 양측면에서 새는 것을 방지하기 위하여 형성된다. 그러나, 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터 기판의 합착 오차가 발생할 경우 빛샘 영역이 블랙 매트릭스에 모두 가려지지 않는 빛샘 불량이 발생하는 경우가 종종 있다. 이를 방지하기 위하여 블랙 매트릭스의 폭을 넓히는 방안이 고안되었으나 이는 개구율을 크게 저하시킨다.
개구율을 향상시키기 위해 데이터 라인 하부에 데이터 라인의 폭보다 넓은 통메탈의 플로팅 라인을 형성하는 방안이 고안되었다. 그러나, 이러한 구조는 도 1에 도시된 바와 같이 데이터 라인을 사이로 일측 최외곽 화소에 양의 전위가 인가되고 타측 최외곽 화소에 음의 전위가 인가되면, 플로팅 라인과 일측 최외곽 화소 사이에 제 1 전위차(A)가 형성된다.
이때, 데이터 라인과 플로팅 라인의 중첩 영역이 넓어질수록 기생 캐패시터의 용량이 커짐에 따라 제 1 전위차(A)가 커지고, 제 1 전위차(A)가 커짐에 따라 제 2 전위차(B)가 커진다. 따라서, 최외곽 화소 전극에 이상 전계를 형성하는 크기인 제 2 전위차(B)가 커짐에 따라 수직 크로스 토크를 발생시켜 액정 표시 장치의 신뢰성을 저하시킨다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 액정 표시 장치의 빛샘을 차단하고 수직 크로스 토크를 방지할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 화소 영역과 상기 화소 영역 측부의 데이터 라인 영역으로 정의된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판 상에 형성된 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 데이터 라인 영역에 형성된 데이터 라인과, 상기 데이터 라인의 양 에지로부터 이격되어 형성되는 공통 전극과, 상기 제 1 절연막을 사이에 두고 일측은 상기 데이터 라인의 에지와 0㎛ 이상에서 2㎛ 이하로 중첩되고 타측은 최외곽 공통 전극과 중첩되도록 형성되는 차폐층 및 상기 제 1 기판에 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함한다.
상기 차폐층은 상기 데이터 라인을 사이에 두고 이격되어 형성된다.
상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 교차하여 상기 화소 영역을 정의하는 게이트 라인과 동일층에 이격되어 형성된다.
상기 차폐층은 불투명 도전 물질로 형성된다.
상기 차폐층은 상기 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 데이터 라인의 양 에지와 중첩되고, 상기 제 1 절연막 및 상기 데이터 라인 상에 형성된 제 2 절연막을 사이에 두고 최외곽 공통 전극의 에지와 중첩된다.
상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 동일한 방향으로 형성되고, 상기 데이터 라인의 중심부에서 이격되어 형성된다.
상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 교차하여 상기 화소 영역을 정의하는 게이트 라인과 동일한 물질로 이격되어 형성된다.
상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 최외곽 공통 전극 사이에 형성된다.
상기 데이터 라인 영역의 상기 제 2 기판에는 블랙 매트릭스가 형성되고, 상기 화소 영역의 상기 제 2 기판에는 컬러필터 층이 형성된다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 데이터 라인과 최소한으로 중첩되는 차폐층을 형성함으로써, 개구율을 확보함과 동시에 빛샘을 방지하여 화질을 더욱 향상시킬 수 있다.
아울러, 본 발명은 도전 물질인 차폐층과 데이터 라인과의 중첩 영역을 줄이고 차폐층과 데이터 라인간의 길이를 증가시킴으로써, 차폐층과 데이터 라인간의 기생 캐패시터를 감소시켜 수직 크로스 토크 현상을 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 서브 화소의 평면도이고, 도 3a는 도 2의 I-I'선에 대한 단면도이다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 화소 영역(P)과 데이터 라인 영역(D)으로 정의되는 박막 트랜지스터 기판인 제 1 기판(120)과, 제 1 기판(120)과 대향하여 합착되는 컬러필터 기판인 제 2 기판(150)과, 제 1 기판(120) 및 제 2 기판(150) 사이의 액정층(미도시)을 포함하여 구성된다.
액정 표시 장치에서는 N개의 게이트 라인(121)과 M개의 데이터 라인(128)이 교차하여 M x N개의 서브 화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도면에는 하나의 서브 화소를 나타내고 있다.
화소 영역(P)은 투명한 제 1 기판(120) 상에서 제 1 방향을 갖는 게이트 라인(121)과, 게이트 라인(121)과 교차하는 데이터 라인(128)에 의하여 정의된다. 게이트 라인(121)과 데이터 라인(128)의 교차부에는 각 화소를 스위칭하는 박막 트랜지스터(T)가 배치되어 있다.
박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인(121)의 일부로 이루어진 게이트 전극(121a)과, 게이트 전극(121a) 상에 형성된 반도체층(126)과, 데이터 라인(128)으로부터 연장되어 반도체층(126) 상에 형성된 소스 전극(127) 및 드레인 전극(129)을 포함한다. 이때, 게이트 라인(121)과 데이터 라인(128)은 외부의 구동 회로부(미도시)로부터 주사 신호와 데이터 신호를 각각 인가받게 된다.
화소 영역(P)에는 전계를 발생시키는 공통 전극(124)과 화소 전극(136)이 스트라이프 형태로 순차적으로 반복 및 이격되어 제 1 기판(120) 상에 형성되어 있다. 공통 전극(124)은 공통 라인(135)과 전기적으로 연결되고, 화소 전극(136)은 드레인 전극(129)과 전기적으로 연결된다. 공통 전극(124) 및 화소 전극(136)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같이 투명한 도전 물질로 이루어진다.
화소 영역(P)의 제 2 기판(150)에는 컬러필터 층(134)이 형성되어 있다. 컬러필터 층(134)은 서브 화소마다 R, G, B의 컬러필터 층이 형성된다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
데이터 라인 영역(D)은 화소 영역(P)의 Y축 측부에 형성된 데이터 라인(128)이 형성되는 영역으로 정의된다. 데이터 라인 영역(D)의 제 1 기판(120) 상에는 차폐층(122)과, 제 1 절연막(112), 데이터 라인(128) 및 공통 전극(124)의 일부가 형성된다. 데이터 라인 영역(D)의 제 1 기판(120) 상에는 절연막(112)과 데이터 라인(128) 사이에 형성된 반도체층(126) 및 데이터 라인(128) 상에 형성된 제 2 절연막(114)이 더 형성될 수 있다.
차폐층(122)은 제 1 기판(120) 하부에 배치되는 백라이트 유닛(미도시)로부터의 광이 데이터 라인(128)의 양 측부에서 새는 것을 방지하기 위한 층이다. 차폐층(122)은 게이트 전극(121a) 또는 게이트 라인(121)과 동일한 불투명 도전 물질로 게이트 전극(121a) 또는 게이트 라인(121)과 동일한 층에 플로팅 즉 게이트 전극(121a) 및 게이트 라인(121)과 이격되어 형성된다.
차폐층(122)은 데이터 라인(128)과 최외곽 공통 전극(124) 사이의 제 1 절연막(112) 하부에 데이터 라인(128) 방향으로 신장되어 형성된다. 이때, 차폐층(122)은 데이터 라인(128)의 양 에지와 일부 중첩되도록 데이터 라인(128)을 사이에 두고 이격되어 형성된다. 데이터 라인(128)의 중심부 하부에는 차폐층(122)이 형성되지 않는다.
차폐층(122)과 데이터 라인(128)이 중첩되는 영역의 폭(W)은 0㎛ 이상에서 2㎛ 이하가 되도록 한다. 즉 차폐층(122)의 일측은 제 1 절연막(112)을 사이에 두고 데이터 라인(128)의 에지와 2㎛ 이하로 중첩되고, 차폐층(122)의 타측은 제 1 절연막(112) 및 제 2 절연막(114)을 사이에 두고 최외곽 공통 전극(124)의 에지와 중첩되도록 형성된다.
더욱 바람직하게는 차폐층(122)과 데이터 라인(128)이 중첩되는 영역의 폭(W)은 0㎛ 초과에서 2㎛ 이하가 되도록 한다. 차폐층(122)과 데이터 라인(128)의 중첩 영역의 폭(W)이 0 이하가 되면, 즉 차폐층(122)과 데이터 라인(128)이 중첩되지 않으면 그 사이를 통해 발생되는 빛샘을 차단하기 위해 블랙 매트릭스(132)를 연장 형성해야한다. 이는 액정 표시장치의 개구율 저하를 가져온다.
그러나, 본 발명은 차폐층(122)의 양 에지가 데이터 라인(128) 및 최외곽 공통 전극(124)의 에지와 중첩되도록 차폐층(122)을 데이터 라인(128)과 최외곽 공통 전극(124) 사이에 형성함으로써, 백라이트 유닛(미도시)으로부터의 광이 데이터 라인(128)의 측면을 통해 새는 것을 완전히 차단할 수 있다.
따라서, 빛샘을 차단하기 위해 일반적으로 사용했던 블랙 매트릭스(132)를 연장 형성할 필요가 없다. 그 결과, 화소 영역(P)의 개구면적이 증가하므로 액정 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
차폐층(122)을 형성하는 불투명 도전 물질로는 알루미늄(aluminum; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 등과 같은 저저항 불투명 도전 물질이 이용될 수 있다. 또한, 저저항 불투명 도전 물질이 두 가지 이상 적층된 다층 구조로 형성될 수도 있다.
차폐층(122)을 게이트 전극(121a) 또는 게이트 라인(121)과 동일한 불투명 도전 물질로 형성하는 경우, 데이터 라인(128)과 차폐층(122) 사이에 제 1 기생 캐패시턴스(C1')가 형성되고, 차폐층(122)과 최외곽 공통 전극(124) 사이에 제 2 기생 캐패시턴스(C2')가 형성된다.
이때, 차폐층(122)에 충전되는 전압은 도 3b에 도시된 바와 같이 데이터 라인(128)의 전압 변화에 영향을 받아 가변되는데, 차폐층(122)에 충전되는 전압의 차(ΔV')는 아래의 수학식 (1)로 표기될 수 있다.
Figure 112009081282206-PAT00001
수학식 1에서 V2 및 V1은 데이터 라인(128)에 가해지는 전압이다. 차폐층(122)에 충전되는 전압의 차(ΔV')가 클수록 수직 크로스 토크 현상이 유발되기 쉬우므로 차폐층(122)에 충전되는 전압의 차(ΔV')를 감소시켜야 한다. 데이터 라인(128)에 가해지는 전압차는 일정하므로 제 1 기생 캐패시턴스(C1')에 비례하여 차폐층(122)에 충전되는 전압의 차(ΔV')가 가변됨을 알 수 있다.
본 발명의 차폐층(122)은 데이터 라인(128)을 사이에 두고 이격되어 형성됨과 동시에 데이터 라인(128)과 차폐층(122)의 중첩 영역의 폭(W)이 0㎛ 이상에서 2 ㎛ 이하가 되도록 형성된다. 더욱 바람직하게는 데이터 라인(128)과 차폐층(122)의 중첩 영역의 폭(W)이 0㎛ 초과에서 2㎛ 이하가 되도록 형성된다.
따라서, 본 발명은 데이터 라인(128)과 차폐층(122) 사이의 거리를 증가시키고 데이터 라인(128)과 차폐층(122)의 중첩 영역의 폭(W)을 감소시킴으로써, 제 1 기생 캐패시턴스(C1')를 감소시킬 수 있다. 즉, 본 발명은 제 1 기생 캐패시턴스(C1')를 감소시켜 차폐층(122)에 충전되는 전압의 차(ΔV')를 줄일 수 있으므로, 빛샘 방지 및 개구율을 확보함과 동시에 수직 크로스 토크 현상을 방지할 수 있다.
한편, 데이터 라인 영역(D)의 제 2 기판(150)에는 블랙 매트릭스(132)가 형성되어 제 1 기판(120) 상의 데이터 라인(128) 측부로 빛샘 현상이 발생하는 것을 방지한다.
이상에서 설명한 기술들은 현재 바람직한 실시예를 나타내는 것이고, 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다. 실시예의 변경 및 다른 용도는 당업자들에게는 알 수 있을 것이며, 상기 변경 및 다른 용도는 본 발명의 취지 내에 포함되거나 또는 첨부된 청구범위의 범위에 의해 정의된다.
도 1은 종래 기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 서브 화소의 평면도이다.
도 3a는 도 2의 I-I'선에 대한 단면도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 구조에 따른 효과를 설명하기 위한 도면이다.
<<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>>
120: 제 1 기판 112: 제 1 게이트 절연막
114: 제 2 게이트 절연막 122: 차폐층
124: 공통 전극 128: 데이터 라인
132: 블랙 매트릭스 134: 컬러필터 층
136: 화소 전극 150: 제 2 기판

Claims (9)

  1. 화소 영역과 상기 화소 영역 측부의 데이터 라인 영역으로 정의된 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 상에 형성된 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 데이터 라인 영역에 형성된 데이터 라인;
    상기 데이터 라인의 양 에지로부터 이격되어 형성되는 공통 전극;
    상기 제 1 절연막을 사이에 두고 일측은 상기 데이터 라인의 에지와 0㎛ 이상에서 2㎛ 이하로 중첩되고 타측은 최외곽 공통 전극과 중첩되도록 형성되는 차폐층; 및
    상기 제 1 기판에 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 데이터 라인을 사이에 두고 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 교차하여 상기 화소 영역을 정의하는 게이트 라인과 동일층에 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층은 불투명 도전 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 데이터 라인의 양 에지와 중첩되고,
    상기 제 1 절연막 및 상기 데이터 라인 상에 형성된 제 2 절연막을 사이에 두고 최외곽 공통 전극의 에지와 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 동일한 방향으로 형성되고,
    상기 데이터 라인의 중심부에서 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 교차하여 상기 화소 영역을 정의하는 게이트 라인과 동일한 물질로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 데이터 라인과 최외곽 공통 전극 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인 영역의 상기 제 2 기판에는 블랙 매트릭스가 형성되고,
    상기 화소 영역의 상기 제 2 기판에는 컬러필터 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
KR1020090132983A 2009-12-29 2009-12-29 액정 표시 장치 KR20110076305A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090132983A KR20110076305A (ko) 2009-12-29 2009-12-29 액정 표시 장치
CN201010535256.4A CN102109720B (zh) 2009-12-29 2010-10-27 液晶显示设备
US12/946,511 US20110157527A1 (en) 2009-12-29 2010-11-15 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090132983A KR20110076305A (ko) 2009-12-29 2009-12-29 액정 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110076305A true KR20110076305A (ko) 2011-07-06

Family

ID=44173918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090132983A KR20110076305A (ko) 2009-12-29 2009-12-29 액정 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110157527A1 (ko)
KR (1) KR20110076305A (ko)
CN (1) CN102109720B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9057921B2 (en) 2012-02-10 2015-06-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display device including the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103926726B (zh) * 2013-11-19 2017-05-24 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板
CN104678629B (zh) * 2013-11-26 2017-11-10 群创光电股份有限公司 显示面板
KR102431348B1 (ko) * 2016-05-25 2022-08-11 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
CN106371256A (zh) * 2016-11-30 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示面板及显示装置
KR102558690B1 (ko) * 2018-07-31 2023-07-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN111564120B (zh) * 2020-05-28 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW469496B (en) * 2001-01-19 2001-12-21 Hannstar Display Corp Electrode arrangement structure of In-Plane switching mode LCD
JP4344131B2 (ja) * 2002-12-19 2009-10-14 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置
JP4720970B2 (ja) * 2003-03-19 2011-07-13 日本電気株式会社 液晶表示装置
KR20050000653A (ko) * 2003-06-24 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 패널
CN100451784C (zh) * 2004-01-29 2009-01-14 夏普株式会社 显示装置
JP4385993B2 (ja) * 2005-05-10 2009-12-16 三菱電機株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US7538827B2 (en) * 2005-11-17 2009-05-26 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure
KR101383703B1 (ko) * 2007-10-04 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9057921B2 (en) 2012-02-10 2015-06-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display device including the same
US9490274B2 (en) 2012-02-10 2016-11-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20110157527A1 (en) 2011-06-30
CN102109720B (zh) 2014-11-19
CN102109720A (zh) 2011-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4175482B2 (ja) 液晶表示素子及びその製造方法
US8547513B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
EP1837842B1 (en) Active matrix substrate, method for manufacturing active matrix substrate, display, liquid crystal display and television system
KR101030545B1 (ko) 액정표시소자
KR100741890B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR101211087B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
US8426230B2 (en) Thin film transistor substrate and method for fabricating the same
KR101318305B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 이용한 표시 장치
KR20040031338A (ko) 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR20110076305A (ko) 액정 표시 장치
KR20060107872A (ko) 횡전계형 액정 표시 장치
US10768496B2 (en) Thin film transistor substrate and display panel
KR100532087B1 (ko) 액정표시장치
US9091889B2 (en) Liquid crystal display device having columnar spacers
EP2703883A1 (en) Substrate for a liquid crystal display device and method of manufacturing it
US20100296017A1 (en) Liquid crystal display device
CN109946893B (zh) 显示装置
KR20160086525A (ko) 액정 표시 장치
JP2006154080A (ja) 液晶表示装置
KR101854702B1 (ko) 액정표시장치
KR101363670B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101166578B1 (ko) 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100909413B1 (ko) 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR20070121266A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20130056694A (ko) 하이브리드 모드 수평 전계형 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application