KR20110076197A - 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 Download PDF

Info

Publication number
KR20110076197A
KR20110076197A KR1020090132837A KR20090132837A KR20110076197A KR 20110076197 A KR20110076197 A KR 20110076197A KR 1020090132837 A KR1020090132837 A KR 1020090132837A KR 20090132837 A KR20090132837 A KR 20090132837A KR 20110076197 A KR20110076197 A KR 20110076197A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pad
lead
emitting diode
light
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020090132837A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101285311B1 (ko
Inventor
김정호
권순목
김근호
김재혁
김하철
Original Assignee
일진반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 일진반도체 주식회사 filed Critical 일진반도체 주식회사
Priority to KR1020090132837A priority Critical patent/KR101285311B1/ko
Publication of KR20110076197A publication Critical patent/KR20110076197A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101285311B1 publication Critical patent/KR101285311B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

본 발명은 방열 특성 및 발광 효율이 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공하기 위한 것으로, 제1방향으로 제1면과 상기 제1방향과 반대방향인 제2방향으로 제2면을 갖는 제1패드와, 상기 제1패드와 전기적으로 분리되고, 상기 제1방향으로 제3면과 상기 제2방향으로 제4면을 갖는 제2패드와, 상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 상기 제1방향으로 상기 제1면 및 제3면의 적어도 일부를 각각 노출시키는 제1개구와 상기 제2방향으로 상기 제2면 및 제4면의 적어도 일부를 노출시키는 제2개구를 갖는 몰딩부와, 상기 제1패드의 제1면에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 발광 다이오드 칩과, 상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제1리드와, 상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제2리드를 포함하는 발광 다이오드 패키지 및 백 라이트 유닛에 관한 것이다.

Description

발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛{LED package and back light unit}
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 방열 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light emitting diode, 이하, LED라 함)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 빛으로 전환시키는 소자로서, 차세대 조명원으로 다양하게 이용 및 개발되고 있다.
이러한 LED는 몰딩부와 리드 프레임에 의해 패키징되어 LED 패키지로 사용되어, 최근 각종 디스플레이용으로 개발되고 있으며, 특히, 액정 표시장치의 백라이트 유닛으로 많이 연구 및 개발되고 있다.
이러한 LED 패키지는 빛이 리드가 접속된 구조의 상방으로 투사되는지 혹은 측면으로 투사되는지에 따라 전면 발광형(Top-view type) LED 패키지와 측면 발광형 LED 패키지로 대별될 수 있는 데, TV와 같이 대면적 액정 표시장치에 채용되는 백라이트 유닛의 경우, 고출력을 얻기 위해 전면 발광형(Top-view type) LED 패키지를 채용하고 있다. 그런데 이때, LED 패키지들을 도광판의 측면 입사면을 따라 배치시킬 경우 LED 패키지들이 장착되는 PCB를 도광판의 입사면에 평행하도록 세워야 하고, 따라서 이를 위한 별도의 알루미늄 샤시나 브라켓이 필요하게 된다. 따라서 소요 부품이 증가하고 이로 인해 복잡한 구조를 갖게 된다. 뿐만 아니라 소요 부품의 증가로 인해 연결 부분의 에어갭 형성으로 열저항을 증가시키게 되어 백라이트 유닛 전체의 성능을 열화시키는 문제점이 있다.
측면 발광형 LED 패키지는 핸드폰이나 PDA 등의 전자 통신기기에 사용되는 소형 디스플레이용 백라이트 유닛에 많이 사용되고 있다. TV용으로 사용되기 위해서는 출력이 높아야 하고 이에 대한 방열 기능도 높게 요구된다. 그런데 기존의 측면 발광형 LED 패키지는 위와 같이 소형 디스플레이용으로 사용되기에 적합한 구조를 갖고 있기 때문에 고출력으로 높일 경우 방열 특성 등이 확보되지 않아 TV 등에는 사용하기 어려운 한계가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제 및 이를 포함한 종래기술의 한계를 극복하기 위한 것으로, 방열 특성이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공하는 데에 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 발광 효율이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1방향으로 제1면과 상기 제1방향 과 반대방향인 제2방향으로 제2면을 갖는 제1패드와, 상기 제1패드와 전기적으로 분리되고, 상기 제1방향으로 제3면과 상기 제2방향으로 제4면을 갖는 제2패드와, 상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 상기 제1방향으로 상기 제1면 및 제3면의 적어도 일부를 각각 노출시키는 제1개구와 상기 제2방향으로 상기 제2면 및 제4면의 적어도 일부를 노출시키는 제2개구를 갖는 몰딩부와, 상기 제1패드의 제1면에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 발광 다이오드 칩과, 상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제1리드와, 상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제2리드를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
상기 제1리드 및 제2리드는 각각 상기 제1패드 및 제2패드의 제1면 및 제3면과 수직이 되도록 연장될 수 있다.
적어도 상기 제2개구를 통해 노출된 상기 제1패드의 제2면 및 제2패드의 제4면 중 적어도 하나에는 요철이 형성될 수 있다.
상기 제1패드의 상기 발광 다이오드 칩이 안착된 제1면에 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 구비된 반사면을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 본체와, 상기 본체에 위치하는 도광판과, 상기 본체에 장착된 피씨비(PCB)와, 상기 피씨비에 장착되고 상기 도광판의 입광부와 정렬되도록 배치된 전술한 발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.
상기 피씨비는 메탈 피씨비(metal PCB)일 수 있다.
상기 본체와 상기 피씨비의 사이에 개재된 열전도층을 더 포함할 수 있다.
상기 도광판의 입광부는 상기 도광판의 측면이고, 상기 피씨비는 상기 도광판과 본체의 사이까지 연장될 수 있다.
상기 발광 다이오드 패키지의 제1리드 및 제2리드가 상기 피씨비에 접합되고, 상기 제1개구 및 제2개구의 중심을 연결한 선이 상기 피씨비의 표면에 평행한 것일 수 있다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따르면, 방열 특성이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
또한, 발광 효율이 더욱 높은 LED 패키지 및 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
이에 따라 측면 발광형 LED 패키지의 경우에도 간단하게 0.25W급 이상의 고출력을 필요로 하는 백라이트 유닛에 적용할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명에 따른 LED 패키지를 장착하기 위한 별도의 샤시나 브라켓을 필요로 하지 않기 때문에 조립성, 생산성, 원가의 측면에서 더욱 유리하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 보다 상세하게 설명하도록 한다. 이하 설명되는 각 실시예에 있어 동일한 명칭의 구성요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하였다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 도시한 정면도이고, 도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 저면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ에 따른 단면도이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 측면 발광형 발광 다이오드 패키지가 된다.
도면에서 X축 방향은 LED 칩인 제1칩(108)으로부터 빛이 발산되는 방향이고, Z축 방향은 본 발명의 발광 다이오드 패키지가 피씨비 상에 실장 결합되는 방향이 된다. 이하 설명에서는 설명의 편의를 위해 상기 Z축 방향의 면을 하면으로, Z축 반대방향의 면을 상면으로 하고, Y축 방향의 면을 측면으로 하며, X축 방향의 면을 정면으로 하여 설명하도록 한다.
도면에 따르면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 서로 분리된 제1패드(104) 및 제2패드(105)와, 제1칩(108)과, 몰딩부(101)와, 제1리드(106) 및 제2리드(107)를 포함한다.
이 제1패드(104)와 제2패드(105)는 도전성 금속 판부재로 형성되는 것이 바람직하며, 서로 이격되어 전기적으로 분리된 구조를 갖는다.
상기 제1패드(104)는 제1방향(X축 방향)으로 상면인 제1면(104a)과 제2방향(-X축 방향)으로 하면인 제2면(104b)을 갖는다. 그리고, 제2패드(105)도 제1방향 방향으로 상면인 제3면(105a)과 제2방향으로 하면인 제4면(105b)을 갖는다.
상기 제1패드(104)에는 제1칩(108)이 실장된다. 특히, 상기 제1칩(108)은 제1패드(104)의 제1면(104a)에 실장되며, 상기 제1칩(108)이 장착된 제1면(104a)의 상기 제1칩(108) 주위로는 제1반사면(104c)이 형성될 수 있다. 이 제1반사면(104c) 은 상기 제1패드(104)를 상기 제2방향(-X축방향)으로 절곡하여 형성하며, 소정 각도로 경사지게 구비되어 제1칩(108)으로부터 측면을 향해 발산된 광을 제1방향(X축 방향)으로 향하도록 해 광 취출 효율을 향상시킨다.
상기 제1칩(108)은 LED 칩이 될 수 있는 데, 상기 제1패드(104), 특히 상기 제1반사면(104c)의 내측에 다이접착제를 매개로 다이본딩(Die Bonding)될 수 있다. 상기 제1칩(108)은 제1와이어(109) 및 제2와이어(110)에 의해 각각 제1패드(104) 및 제2패드(105)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1칩(108)과 제1패드(104) 및 제2패드(105)와의 연결은 반드시 와이어에 의한 것은 아니며, 플립 칩 본딩 방법에 의해 와이어 없이 연결될 수도 있다. 그리고 상기 제1칩(108)은 복수개 장착될 수도 있다.
상기 제1패드(104)와 제2패드(105)는 몰딩부(101)에 의해 고정되어 있다. 상기 몰딩부(101)는 수지재 등에 의해 트랜스퍼 몰딩 또는 사출 성형 등의 방법에 의해 형성되는 데, 상기 제1패드(104)와 제2패드(105)를 지지 고정해 준다. 상기 몰딩부(101)는 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 외곽을 형성해 준다.
상기 몰딩부(101)는 제1방향(X축 방향)으로 상기 제1면(104a) 및 제3면(105a)의 적어도 일부를 각각 노출시키는 제1개구(102)와 상기 제2방향(-X축 방향)으로 상기 제2면(104b) 및 제4면(105b)의 적어도 일부를 노출시키는 제2개구(114)를 갖는다. 이들 제1개구(102)와 제2개구(114)의 중심을 연결한 평행선은 도 6에서 봤을 때 본 발명의 발광 다이오드 패키지(100)가 장착되는 피씨비(400)의 표면과 평행하도록 되어 외기가 제2개구(114)로 유입될 수 있다.
도 1 내지 도 4에 따른 실시예는 상기 제2개구(114)가 제2면(104b)만을 노출시키는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2개구(114)가 더 넓게 형성되어 제4면(105b)의 일부도 함께 노출시키도록 할 수도 있음은 물론이다.
상기 몰딩부(101)는 이러한 제1개구(102)를 통해 제1칩(108)으로부터 발광된 광이 발산될 수 있도록 하고, 제2개구(114)를 통해 제1패드(104)의 제2면(104b) 및/또는 제2패드(105)의 제4면(105b)이 공기중으로 노출되도록 함으로써 제1칩(108)으로부터 발산된 열을 쉽게 방출할 수 있게 되어 방열 효율을 더욱 높일 수 있다. 특히 외기가 상기 제2개구(114)를 통해 몰딩부(101) 내로 유입됨으로서 방열 효과를 더욱 극대화할 수 있게 된다.
상기 몰딩부(101)는 상기 제1칩(108) 주위로 제2반사면(102a)을 형성하도록 구비될 수 있다. 이 제2반사면(102a)은 도 3 및 도 4에서 볼 수 있듯이 제1칩(108)으로부터 발산된 빛을 정면방향으로 보다 많이 취출시키도록 경사지게 배치된 것으로, 그 내측면이 정면방향에 대해 외측으로 52~88도의 각도를 갖도록 함이 바람직하다. 이에 따라 빛이 도광판의 방향으로 더욱 많이 취출될 수 있고, 좌우 방향 지향각을 최대한 크게 해 백라이트 유닛의 형성 시 LED 패키지들 사이의 암부를 최소화시켜 세트의 베젤 폭을 최소화할 수 있게 된다.
상기 제2반사면(102a)의 내측으로는 도 3 및 도 4에서 볼 수 있듯이 별도의 밀봉재(115)가 더 형성되어 제1칩(108)을 외부로부터 보호할 수 있다. 이 밀봉재(115)에는 형광체가 혼합되어 제1칩(108)으로부터 발광되는 광의 색상을 조절할 수 있다.
상기 몰딩부(101)는 그 하면이 후술하는 피씨비(PCB, Printed Circuit Board)에 실장되는 것으로, 이 하면, 예컨대 피씨비를 향해 투영된 면 전체를 이하에서는 지지면(101a)으로 정의한다.
한편, 상기 제1패드(104) 및 제2패드(105)로부터 각각 제1리드(106) 및 제2리드(107)가 연장되어 상기 몰딩부(101) 외측으로 노출된다. 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 각각 제1패드(104) 및 제2패드(105)와 전기적으로 연결된 것으로 각각 제1패드(104) 및 제2패드(105)와 일체로 형성되도록 하는 것이 바람직하다.
이들 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 도 2에서 볼 수 있듯이 판상으로 형성되어 상기 지지면(101a)을 따라 연장된다. 따라서, 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 상기 제1패드(104)의 제1면(104a) 및 제2패드(105)의 제3면(105a)과 대략 수직이 되도록 연장되어 있다.
상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 각각 넓은 면인 하면들(106a)(107a)을 갖는다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)의 하면들(106a)(107a)의 면적의 합이 상기 지지면(101a)의 면적의 30% 이상 100% 이하가 되도록 한다. 상기 제1리드(106)와 제2리드(107)의 사이즈는 크면 클수록 좋으나 생산성과 작업성을 위해 상기 지지면(101a)의 면적의 30% 이상 100% 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.
이렇게 제1리드(106) 및 제2리드(107)를 비교적 넓은 면적으로 형성할 경우 제1칩(108)으로서 고출력 LED 칩을 사용할 경우에도 넓은 면적의 제1리드(106) 및 제2리드(107)를 통해 방열이 효과적으로 이뤄질 수 있다. 이를 위해 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 도 6에서 볼 수 있듯이 피씨비(400)에 실장되어 피씨비(400)를 통해 열전달이 원활하게 될 수 있도록 할 수 있다. 이에 따라 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 측면 발광형 발광 다이오드 패키지(100)에 고출력 LED 칩을 사용할 경우에도 방열 기능을 충분히 확보할 수 있기 때문에 TV용으로 사용할 수 있게 된다.
이러한 본 발명에 있어서 상기 제1리드(106) 및 제2리드(107)는 전술한 바와 같이 몰딩부(101)의 지지면(101a)의 연장 방향으로 연장되어 있고, 제1리드(106)와 제2리드(107)의 사이에는 리드간 쇼트를 방지하고 패키지 전체의 균형을 잡기 위해 지지대(103)가 구비되어 있다. 이 지지대(103)는 도 3에서 볼 수 있듯이 그 밑면이 편평하게 되어 있는 것이 아니라 배면으로 갈수록 경사지도록 구비될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 편평하게 구비될 수도 있다.
한편, 상기 몰딩부(101)의 제2개구(114)를 통해 노출된 제1패드(104)의 제2면(104b)의 부분에는 도 5에서 볼 수 있듯이 요철(104d)을 더 형성할 수 있다. 이 요철(104d)에 의해 제2면(104b)이 외기와 접촉되는 면적이 더 늘어나게 되고, 이에 따라 방열 효율은 더욱 극대화될 수 있다.
만일, 제2개구(114)를 통해 제2패드(105)의 제4면(105b)의 일부가 노출될 경우에는 이 노출 부분에도 전술한 요철을 형성할 수 있음은 물론이다.
한편, 도 1에서 볼 수 있듯이 제2패드(105)에 제2칩(113)이 더 안착될 수 있다. 이 제2칩(113)은 정전기로부터 제1칩(108)을 보호하기 위한 제너 다이오드 칩 등이 사용될 수 있다. 이 제2칩(113)은 제2패드(105)에 전기적으로 연결되고, 제3와이어(111)를 통해 제1패드(104)와도 전기적으로 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 제2칩(113)에 의해 제1칩(108)으로부터 발산되는 광의 휘도를 저하시키는 것을 방지하기 위해 제2패드(105)에 도 4에서 볼 수 있듯이 인입부(112)를 형성하고 이 인입부(112) 내에 제2칩(113)을 배치할 수 있다. 이에 따라 제1칩(108)으로부터 발산되는 광이 제2칩(113)에 의해 손실되는 것을 최소화할 수 있다. 이 인입부(112)의 인입된 깊이는 제2칩(113)의 두께에 대응되는 정도로 하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 인입부(112)에 안착된 제2칩(113)의 돌출 두께로 인해 제1칩(108)의 광특성이 영향을 받지 않도록 하는 정도의 깊이이면 충분하다.
상기와 같이 형성된 발광 다이오드 패키지(100)는 도 6에서 볼 수 있듯이 백라이트 유닛에 장착될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛은 본체(200)와, 도광판(300)과, PCB(400)와, LED 패키지(100)를 포함한다.
도광판(300)은 그 넓은 면인 도 6의 하면이 본체(200)에 향하도록 본체(200)에 장착된다.
상기 PCB(400)는 메탈 PCB를 사용하는 것이 바람직한 데, 이에 따라 LED 패키지(100)에서 발생된 열을 PCB(400)를 거쳐 본체(200)로 효과적으로 전달할 수 있게 된다. 이 PCB(400)는 도광판(300)의 입광부를 지나도록 넓게 형성되도록 하는 것이 바람직하며, 이에 따라 도광판(300) 입광부로부터 반사된 빛을 최대한 다시 반사시켜 효율을 높이도록 할 수 있다. 이를 위해 PCB(400)로는 반사율이 높은 PSR과 열전도도가 1~2W/mK인 절연체를 적용한다. 그러나 상기 PCB(400)가 반드시 메탈 PCB에 한정되는 것은 아니며 일반적인 PCB를 사용하여도 무방할 것이며, FPCB(Felxible Printed Circuit Board)도 적용할 수 있다.
이렇게 LED 패키지(100)를 탑재한 PCB(400)를 도광판(300)의 가장자리를 따라, 즉, 도광판(300)의 측면의 입광부를 따라 배치한다. 이 경우 PCB(400)를 도광판(300)의 넓은 면인 평면 하부에까지 미치도록 큰 면적으로 형성하여 장착할 수 있다. 그러면 PCB(400)의 면적이 넓기 때문에 이 PCB(400)를 통한 열전달이 더욱 좋아져 방열 특성이 향상될 수 있게 된다.
이렇게 PCB(400)에 본 발명과 같은 고출력용 측면 발광형 LED 패키지를 장착할 경우 별도의 알루미늄 샤시나 브라켓을 필요로 하지 않기 때문에 더욱 유리하다. 즉, 현재 TV와 같이 고출력을 요하는 백라이트에는 전면 발광형(Top-View type) LED 패키지를 사용할 수 밖에 없었는 데, 이 경우 LED 패키지들이 장착되는 PCB를 도광판의 입사면에 평행하도록 세워야 하고, 따라서 이를 위한 별도의 알루미늄 샤시나 브라켓이 필요하게 된다. 그러나, 전술한 바와 같은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 측면 발광형 LED 패키지를 사용할 경우에는 LED 패키지들이 장착되는 PCB(400)를 본체(200)에 부착하기만 하여도 LED 패키지의 발광방향이 도광판(300)의 입사면으로 향하게 되기 때문에 별도의 샤시나 브라켓이 필요없다.
한편, 본 발명의 바람직한 일 실시예에서는 상기 PCB(400)와 본체(200) 사이에 열전도도가 높은 고점도 써멀 컴파운드(Thermal Compound)를 개재하여 열전도 층(500)을 형성함으로써 방열 특성을 더욱 높일 수 있다. 이 열전도층(500)에 의해 본체(200)와 PCB(400) 사이의 공기층을 없앨 수 있고, 열전달이 더욱 원활하게 이뤄지도록 할 수 있다. 이러한 열전도층(500)은 0.5W/mK 이상의 써멀 컴파운드를 사용하는 것이 바람직한 데, 자연경화형 실리콘재 또는 수지재, 열경화형 실리콘재 또는 수지재, 경화가 되지 않는 실리콘재 또는 수지재, 또는 열전도성 테이프 등이 사용될 수 있다. 이러한 열전도층(500)은 비록 상기 PCB(400)가 금속재 PCB가 아닌 경우에도 그 열을 본체(200)로 원활하게 전달함으로써 백라이트 유닛 전체의 방열 효율을 높일 수 있게 된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 정면도,
도 2는 도 1의 발광다이오드 패키지의 저면도,
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ에 따른 단면도,
도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ에 따른 단면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 백 라이트 유닛의 개략적인 단면도.

Claims (9)

  1. 제1방향으로 제1면과 상기 제1방향과 반대방향인 제2방향으로 제2면을 갖는 제1패드;
    상기 제1패드와 전기적으로 분리되고, 상기 제1방향으로 제3면과 상기 제2방향으로 제4면을 갖는 제2패드;
    상기 제1패드 및 제2패드를 고정하고 상기 제1방향으로 상기 제1면 및 제3면의 적어도 일부를 각각 노출시키는 제1개구와 상기 제2방향으로 상기 제2면 및 제4면의 적어도 일부를 노출시키는 제2개구를 갖는 몰딩부;
    상기 제1패드의 제1면에 안착되고 상기 제1패드 및 제2패드와 전기적으로 연결되며 발광되는 발광 다이오드 칩;
    상기 제1패드와 전기적으로 연결되고 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제1리드; 및
    상기 제2패드와 전기적으로 연결되고 상기 제1리드와는 분리되며 상기 몰딩부의 외측에 위치하는 제2리드;를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1리드 및 제2리드는 각각 상기 제1패드 및 제2패드의 제1면 및 제3면과 수직이 되도록 연장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    적어도 상기 제2개구를 통해 노출된 상기 제1패드의 제2면 및 제2패드의 제4면 중 적어도 하나에는 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1패드의 상기 발광 다이오드 칩이 안착된 제1면에 형성되고, 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싸도록 구비된 반사면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 본체;
    상기 본체에 위치하는 도광판;
    상기 본체에 장착된 피씨비(PCB); 및
    상기 피씨비에 장착되고 상기 도광판의 입광부와 정렬되도록 배치된 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 발광 다이오드 패키지;를 포함하는 백라이트 유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 피씨비는 메탈 피씨비(metal PCB)인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 본체와 상기 피씨비의 사이에 개재된 열전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 도광판의 입광부는 상기 도광판의 측면이고, 상기 피씨비는 상기 도광판과 본체의 사이까지 연장된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 패키지의 제1리드 및 제2리드가 상기 피씨비에 접합되고, 상기 제1개구 및 제2개구의 중심을 연결한 선이 상기 피씨비의 표면에 평행한 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
KR1020090132837A 2009-12-29 2009-12-29 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 KR101285311B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090132837A KR101285311B1 (ko) 2009-12-29 2009-12-29 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090132837A KR101285311B1 (ko) 2009-12-29 2009-12-29 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110076197A true KR20110076197A (ko) 2011-07-06
KR101285311B1 KR101285311B1 (ko) 2013-07-11

Family

ID=44916121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090132837A KR101285311B1 (ko) 2009-12-29 2009-12-29 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101285311B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016006781A1 (en) * 2014-07-07 2016-01-14 Iljin Led Co., Ltd. Side-emitting type nitride semiconductor light emitting chip and side-emitting type nitride semiconductor light emitting device having the same
WO2019149081A1 (zh) * 2018-02-01 2019-08-08 Oppo广东移动通信有限公司 Led光源、led模组、背光模组及电子装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
KR100928635B1 (ko) * 2007-08-30 2009-11-27 주식회사 루멘스 측면 발광 다이오드 패키지
JP2009147258A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Ushio Inc Ledパッケージおよび発光モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016006781A1 (en) * 2014-07-07 2016-01-14 Iljin Led Co., Ltd. Side-emitting type nitride semiconductor light emitting chip and side-emitting type nitride semiconductor light emitting device having the same
WO2019149081A1 (zh) * 2018-02-01 2019-08-08 Oppo广东移动通信有限公司 Led光源、led模组、背光模组及电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101285311B1 (ko) 2013-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101546741B1 (ko) 광 출사 모듈 및 이를 갖는 표시장치
TWI266432B (en) Light emitting module
US7168842B2 (en) Light emitting diode backlight package
KR101884628B1 (ko) 발광 모듈 및 백라이트 유닛
US7385227B2 (en) Compact light emitting device package with enhanced heat dissipation and method for making the package
CN101988648B (zh) 背光单元及使用该背光单元的液晶显示器
US8598616B2 (en) Light emitting device and light unit using the same
KR20150025231A (ko) 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
JP2006011239A (ja) 液晶表示装置
EP1605525A3 (en) High power LED package
JP2011146709A (ja) 発光装置、照明システム
KR101107770B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛
KR101513360B1 (ko) 액정 표시 장치
JP2010238540A (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
KR101285311B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛
KR101997244B1 (ko) 광원 모듈 및 이를 구비한 조명시스템
KR20140139956A (ko) 다이렉트형 백라이트 모듈에 적응된 광원 장치 및 이 광원 장치를 구비한 디스플레이 장치
KR101232148B1 (ko) 백라이트 유닛
US20100117102A1 (en) Light emitting diodes and backlight unit having the same
US20060289812A1 (en) Optoelectronic semiconductor component with high light-emitting efficiency
KR101880058B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR101924014B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101916037B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 발광 장치
CN117518598A (zh) 背光模组及其制作方法、显示装置
KR101683887B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee