KR20110071385A - 케미컬 공급장치 - Google Patents

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Abstract

케미컬의 잔량을 최대한 사용할 수 있으며 기포가 발생하거나 케미컬에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있는 케미컬 공급장치가 개시된다. 케미컬 공급장치는, 체적이 가변 가능하게 형성되고 내부에 케미컬이 수용되는 캐니스터(canister), 상기 캐니스터 일측에 대해 고정 구비되어 상기 캐니스터 내부의 케미컬을 프로세스 모듈에 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 케미컬 공급부 및 상기 캐니스터 하부에 구비되어 상기 캐니스터에 수용된 케미컬 잔량에 따라 상기 캐니스터의 체적을 조절하는 체적 조절부를 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 상기 캐니스터에 수용된 케미컬의 잔량에 따라 상기 체적 조절부 캐니스터를 압축 및 신장시킴으로써 상기 케미컬 공급부와 상기 케미컬의 상대 위치를 일정하게 유지시킴으로써 상기 캐니스터의 케미컬 잔량을 최대한 소진할 수 있다.
Figure P1020090127941
캐니스터(canister), 가변 체적

Description

케미컬 공급장치{APPARATUS FOR SUPPLYING CHEMICAL}
본 발명은 반도체 제조장치에서 케미컬을 공급하기 위한 케미컬 공급장치에 관한 것으로, 케미컬에 기포가 혼입되는 것을 방지하고 최대한 잔량을 안정적으로 공급할 수 있는 케미컬 공급장치를 제공하기 위한 것이다.
일반적으로 반도체 장치(semiconductor device)나 평면디스플레이 장치(flat panel display, FPD), 전자재료의 제조 공정에서는 다양한 박막을 형성하는데, 이러한 박막 형성 방법은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)이나 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)와 같은 공정이 사용된다. 또한, 소정의 회로 패턴을 형성하기 위해서는 패터닝 공정이 수행되며, 패터닝 공정은 일반적으로 광을 이용한 포토리소그래피 방법이 사용된다. 여기서, 증착 공정에서는 박막을 형성하기 위한 소스 물질을 포함하는 소스가스가 사용되며, 증착 공정뿐만 아니라 포토리소그래피용 포토레지스트나, 세정 공정의 세정액 등과 같이 반도체 제조 공정에서는 다양한 케미컬(chemical)이 사용된다.
그리고 반도체 제조 공정에 사용되는 케미컬을 공급하기 위한 케미컬 공급장치는, 케미컬을 고순도 상태를 유지할 수 있고 외기와의 접촉으로 인한 화학적 반 응이나 파티클 발생 및 오염을 방지할 수 있도록 밀폐성이 우수하고 내화학성이 높은 재질 및 구조로 형성된다. 일반적으로 케미컬 공급장치는 케미컬 원료가 충진되는 캐니스터(canister)와 캐니스터 내부의 케미컬을 해당 반도체 제조 공정이 수행되는 프로세스 모듈(process module)에 공급하기 위한 케미컬 공급부로 구성될 수 있다. 여기서, 캐니스터 내부의 케미컬을 프로세스 모듈로 공급하기 위한 소정의 이송 수단이 구비되는데, 예를 들어, 캐니스터 내부 압력을 상승시키는 가압 펌프가 사용될 수 있다.
그런데 기존의 케미컬 공급장치는 캐니스터 내부에 충진된 케미컬의 잔량이 감소되었을 경우에는 가압 펌프에 의해 케미컬 공급부로 유입되는 유속이 빨라지면서 기포가 발생할 수 있다. 또한, 기포가 혼입된 케미컬이 프로세스 모듈로 공급되는 경우 케미컬 공급부의 배관 내부에서 경화되면서 배관 계통에 고장을 발생시킬 수 있다. 또한, 프로세스 모듈 내부는 공급되는 케미컬에 의해 압력이 조절 및 유지되는데 기포가 혼입된 경우 압력이 변화되어 프로세스 모듈 및 공정 조건을 변화시키게 되고, 이로 인해 불량이 발생할 수 있다.
그리고 이러한 이유로 인해 기존에는 캐니스터 내부의 케미컬 잔량이 일정 수준 이하로 떨어지면 폐기하고 새로 케미컬을 충진하는 방법을 사용할 수 있으나, 이와 같은 경우, 폐기되는 케미컬의 잔량이 많아서 비용이 증가하는 문제점이 있으며, 작업 중단에 따른 시간 및 비용 증가와 생산성 저하의 문제점이 있었다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들은 캐니스터의 케미컬을 기포 발생 없이 최대한 사용할 수 있는 케미컬 공급장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 캐니스터의 잔류 케미컬의 양을 최소화할 수 있는 케미컬 공급장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기포 발생을 방지하고 케미컬 잔량을 최대한 소진할 수 있는 케미컬 공급장치는, 체적이 가변 가능하게 형성되고 내부에 케미컬이 수용되는 캐니스터(canister), 상기 캐니스터 일측에 대해 고정 구비되어 상기 캐니스터 내부의 케미컬을 프로세스 모듈에 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 케미컬 공급부 및 상기 캐니스터 하부에 구비되어 상기 캐니스터에 수용된 케미컬 잔량에 따라 상기 캐니스터의 체적을 조절하는 체적 조절부를 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 상기 캐니스터에 수용된 케미컬의 잔량에 따라 상기 체적 조절부 캐니스터를 압축 및 신장시킴으로써 상기 케미컬 공급부와 상기 케미컬의 상대 위치를 일정하게 유지시킴으로써 상기 캐니스터의 케미컬 잔량을 최대한 소진할 수 있다.
실시예에서, 상기 캐니스터는 적어도 상면 및 측면 일부가 고정되고 하면이 이동 가능하게 형성되며, 상기 체적 조절부에 의해 상기 하면이 이동함에 따라 체 적이 가변되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 캐니스터는 상기 측면의 적어도 일부가 길이 방향을 따라 신축 가능하도록 벨로즈(bellows) 형태를 가질 수 있다.
그리고 상기 캐니스터 상부에서 상기 캐니스터 내부로 삽입되어 상기 케미컬을 공급하는 충진 라인을 포함하는 케미컬 충진부가 구비될 수 있다. 여기서, 상기 케미컬 충진부는 상기 충진 라인의 단부가 상기 캐니스터의 하면에 밀착 구비될 수 있다. 또한, 상기 케미컬 충진부는 상기 충진 라인의 적어도 일부가 상기 캐니스터가 신축됨에 따라 길이 방향을 따라 신축 가능한 재질로 형성되거나 벨로즈 형태를 가질 수 있다.
여기서, 상기 케미컬 공급부는 상기 캐니스터 내부에서 기화된 케미컬을 상기 프로세스 모듈로 공급할 수 있도록 상기 토출 라인의 단부가 상기 캐니스터 상면과 연통되거나 상기 캐니스터 내부로 삽입 구비될 수 있다. 또는, 상기 케미컬 공급부는 상기 캐니스터 내부에서 액체 상태의 케미컬을 상기 프로세스 모듈로 공급할 수 있도록 상기 토출 라인의 단부가 상기 케미컬에 침지되도록 상기 캐니스터 내부로 삽입될 수 있다.
실시예에서, 상기 체적 조절부는 상기 캐니스터 하부에서 상기 캐니스터를 탄성 지지하는 적어도 하나 이상의 탄성 지지부재를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 상기 탄성 지지부재는 상기 캐니스터 및 상기 캐니스터에 충진된 케미컬의 하중에 의해 압축 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 탄성 지지부재는 코일 스프링 또는 판 스프링일 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 기포 발생을 방지하고 케미컬 잔량을 최대한 소진할 수 있는 케미컬 공급장치는, 측면의 적어도 일부가 신축성 재질로 형성되어 체적이 가변 가능하게 형성되고 내부에 케미컬이 수용되는 캐니스터, 상기 캐니스터 상부에 연결되며 상기 캐니스터 내부로 케미컬을 공급하는 케미컬 충진부, 상기 캐니스터 상부에 연결되며 상기 캐니스터 내부의 케미컬을 프로세스 모듈에 공급하는 케미컬 공급부 및 상기 캐니스터 하부에 구비되어 상기 캐니스터 내부에 수용된 케미컬의 잔량에 따라 상기 캐니스터를 압축시킴으로써 상기 캐니스터의 체적을 가변시키는 체적 조절부를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 캐니스터는 적어도 측면 일부가 벨로즈 형태로 형성되고 상면 및 측면의 일부가 고정 구비되어 상기 체적 조절부에 의해 하면이 이동함에 따라 상기 캐니스터의 체적이 가변되도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 체적 조절부는 상기 캐니스터 하부에서 상기 캐니스터를 탄성 지지하는 적어도 하나 이상의 탄성 지지부재가 구비될 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 케미컬 잔량이 감소함에 따라 캐니스터의 바닥면이 상승하면서 공급 라인과 케미컬의 자유계면 또는 공급 라인이 케미컬 내부에 침지된 깊이를 일정하게 유지할 수 있으므로 기포 발생 및 혼입을 효과적으로 방지할 수 있으며, 캐니스터 내부의 케미컬 잔량을 최소화할 수 있다.
또한, 캐니스터의 케미컬을 최대한 소진할 수 있어서 버려지는 케미컬을 최소화할 수 있으며 비용을 절감할 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 케미컬 공급장치(100)에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 공급장치(100)의 모식도들로써, 도 1은 캐니스터 내의 케미컬 잔량이 많을 때이고 도 2는 케미컬 잔량이 적을 때의 상태를 보여주는 도면들이다. 그리고 도 3은 도 1 및 도 2의 케미컬 공급장치(100)의 변형 실시예에 따른 케미컬 공급장치(200)를 설명하기 위한 모식도이다.
도면을 참조하면, 케미컬 공급장치(100)는 케미컬(111)이 수용되며 케미컬(111)의 잔량에 따라 체적이 가변 가능하도록 형성된 캐니스터(canister)(110)와 캐니스터(110)에 수용된 케미컬(111)의 잔량에 따라 캐니스터(110)의 체적을 조절하기 위한 체적 조절부(120)를 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 캐니스터(110) 상부에는 캐니스터(110)에 케미컬(111)을 보충하기 위한 케미컬 충진부(130) 및 캐 니스터(110)에 저장된 케미컬(111)을 소정의 반도체 제조 공정이 수행되는 프로세스 모듈(149)에 케미컬(111)을 공급하기 위한 케미컬 공급부(140)가 구비될 수 있다.
캐니스터(110)는 내부에 케미컬(111)이 수용되는 소정 체적의 밀폐 용기로, 케미컬(111)을 고순도 상태로 유지하고 외기와의 접촉을 방지할 수 있도록 밀폐성이 우수하고 내화학성이 높은 재질 및 구조로 형성된다. 여기서, 캐니스터(110)는 일반적으로 액체 또는 액체와 기체가 혼합된 상태의 유체를 수용할 수 있는 밀폐 용기 형태를 가지며, 케미컬(111)과 화학적으로 반응하지 않는 안정한 재질로 형성되거나 케미컬(111)이 수용되는 내측면에는 케미컬(111)에서 보호하기 위한 보호막이 형성될 수 있다. 그러나 본 발명의 캐니스터(110)는 도면에 의해 그 크기와 형태가 한정되지 않는다.
또한, 캐니스터(110)는 체적 조절부(120)에 의해 체적이 가변될 수 있도록 적어도 일부가 신축 가능한 재질로 형성될 수 있다. 여기서, 캐니스터(110)는 체적 조절부(120)의 작동에 의해 캐니스터(110)의 체적이 가변되되 주변 구조물과 안정적으로 결합될 수 있도록 캐니스터(110)의 길이를 가변시킴으로써 체적을 가변할 수 있도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐니스터(110)는 상면(115) 또는 측면의 적어도 일부가 고정되고 체적 조절부(120)에 의해 캐니스터(110)의 하면(117)이 이동함에 따라 캐니스터(110)의 길이가 가변되면서 캐니스터(110) 전체의 체적이 가변될 수 있다. 여기서, 캐니스터(110)의 체적 가변부(113)는 캐니스터(110)의 측면에 구비되며, 캐니스터(110)의 측면의 적어도 일부가 길이 방향으로 신축 가능한 재질로 형성되거나, 길이 방향으로 신축이 가능한 벨로즈(bellows) 형태를 가질 수 있다.
체적 조절부(120)는 캐니스터(110) 하부에 구비되며, 캐니스터(110)에 수용된 케미컬(111)의 잔량에 따라 캐니스터(110)의 하면(117)을 이동시킴으로써 캐니스터(110)의 체적을 조절하는 탄성 지지부(123)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 탄성 지지부(123)는 소정의 탄성 계수를 갖는 탄성체로써, 특히, 캐니스터(110) 및 캐니스터(110)에 수용된 케미컬(111)의 하중에 의해 압축된 상태로 캐니스터(110) 하부에 구비되며, 압축 가능한 코일 스프링 또는 판 스프링일 수 있다. 여기서, 탄성 지지부(123)는 캐니스터(110)를 안정적으로 지지할 수 있도록 캐니스터(110) 하부 중앙에 하나의 스프링이 구비되거나 복수의 스프링이 캐니스터(110) 하부에 일정 간격으로 이격되어 구비될 수 있으며, 또는, 캐니스터(110) 하부를 일정 면적 접촉 지지하는 판 스프링이 구비되는 것도 가능하다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 탄성 지지부(123)의 탄성체의 종류 및 구성, 수와 위치 등은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 탄성 지지부(123)가 압축 상태로 캐니스터(110) 하부에 구비되므로 캐니스터(110)에 수용된 케미컬(111)의 잔량이 감소하면 도 2에 도시한 바와 같이 캐니스터(110)의 하면(117)을 상부로 밀어 올리게 된다. 그리고 캐니스터(110)의 하면(117)이 상승함에 따라 케미컬(111)과 케미컬 공급부(140) 사이의 거리를 비교적 일정하게 유지시킬 수 있으며, 특히, 케미컬(111)의 잔량을 최대한 소진시킬 수 있다.
케미컬 충진부(130)와 케미컬 공급부(140)는 캐니스터(110)의 상면 또는 측면에서 상부에 연결될 수 있으며, 캐니스터(110)에 대해 고정 구비된다.
케미컬 충진부(130)는 케미컬(111)을 캐니스터(110)에 공급하기 위한 충진 라인(131)과 밸브(135) 및 케미컬(111)이 저장된 케미컬 저장부(123)로 구성될 수 있다. 여기서, 충진 라인(121)은 캐니스터(110) 내부로 삽입 구비되며, 케미컬(111)을 안정적으로 공급하고 공급 시 케미컬(111)에 기포가 발생 및 혼입되는 것을 방지할 수 있도록 공급 라인(141)의 단부가 캐니스터(110)의 하면(117)에 밀착 구비될 수 있다. 그리고 충진 라인(131)의 단부에는 기포 발생 및 혼입 방지를 위해서 복수의 토출홀이 형성되고 충진 라인(131)보다 단면적이 증가된 형태를 갖는 충진 라인 단부 유닛(139)이 구비될 수 있다. 또한, 충진 라인(131)은 캐니스터(110)에 밀착되므로 캐니스터(110)의 체적 가변 시 충진 라인(131)의 변형 및 파손을 방지할 수 있도록 충진 라인(131)의 길이 방향 변형이 가능하도록 충진 라인(131)의 적어도 길이 방향을 따라 신축 가능한 재질로 형성되거나 도면에 예시한 바와 같이 벨로즈 형태로 형성될 수 있다.
여기서, 미설명 도면부호 137은 충진 라인(131)의 길이 방향 변형 또는 신축을 가능하게 하는 라인 가변부(137)이다.
그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 충진 라인(131)은 캐니스터(110) 바닥면에서 소정 높이 상부에 이격 구비되는 것도 가능하다. 또한, 충진 라인(131)은 가요성 재질로 형성되어 캐니스터(110)의 체적 가변 시 충진 라인(131)의 길이가 신축되는 것이 아니라 휨 변형이 발생하는 것도 가능하다.
여기서, 케미컬 충진부(130)는 지속적으로 캐니스터(110)에 케미컬을 공급함으로써 캐니스터(110) 내부의 케미컬 잔량을 일정하게 유지시키거나, 캐니스터(110) 내부의 케미컬 잔량이 일정 수준 이하로 떨어지면 케미컬을 충진시키도록 동작할 수 있다. 이 경우, 도시하지는 않았으나 캐니스터(110) 내부에는 케미컬 잔량을 감지할 수 있는 레벨센서(미도시) 등이 구비될 수 있다.
케미컬 공급부(140)는 캐니스터(110) 내부에 저장된 케미컬을 소정의 반도체 공정이 수행되는 프로세스 모듈(149)에 공급할 수 있도록 캐니스터(110)와 프로세스 모듈(149)을 연결하는 공급 라인(141)을 포함한다.
한편, 케미컬 공급부(140)는 프로세스 모듈(149)에 액체 상태 또는 기체 상태의 케미컬(111)을 공급할 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 액체 또는 고체, 기체 상태의 케미컬(111)이 캐니스터(110)에 충전되고, 케미컬 공급부(140)는 캐니스터(110) 내부에서 기화된 기체 상태의 케미컬(111)을 프로세스 모듈(149)에 공급하도록 구비될 수 있다. 그리고 공급 라인(141)은 캐니스터(110)의 상면(115)과 연결되거나 캐니스터(110) 내부로 일정 깊이 삽입 구비될 수 있다. 여기서, 케미컬 공급장치(100)는 캐니스터(110)의 케미컬(111) 잔량에 따라 캐니스터(110)의 하면(117) 위치가 가변되는데, 공급 라인(141)의 단부(142)와 케미컬(111)의 계면과 일정한 거리 d를 유지하도록 체적 조절부(120)가 구비될 수 있다.
또는, 도 3에 도시한 바와 같이, 캐니스터(210) 내부에 액체 상태의 케미컬(211)이 충전되고, 케미컬 공급부(240)는 프로세스 모듈(245)에 액체 상태의 케 미컬(211)을 공급할 수 있도록 공급 라인(241)이 케미컬(211)에 소정 깊이 침잠되도록 구비될 수 있다. 마찬가지로, 액체 상태의 케미컬(211)을 공급하는 경우에도 케미컬 공급장치(200)는 캐니스터(210)의 케미컬(211) 잔량에 따라 캐니스터(210)의 하면(217) 위치를 가변시킴로써 공급 라인(241)의 단부(242)가 케미컬(211)에 침잠된 깊이를 일정 수준으로 유지할 수 있도록 체적 조절부(220)가 구비될 수 있다.
여기서, 공급 라인(241)은 캐니스터(210) 내부에서 일정 깊이 침잠되도록 형성되되, 캐니스터(210)의 길이 가변 시 공급 라인(241)의 단부(242)가 캐니스터(210)의 하면(217)에 충돌하지 않을 정도의 길이로 형성될 수 있다.
참고적으로, 도 3에 예시한 실시예는 액체 상태의 케미컬(211)을 프로세스 모듈(245)에 공급하기 위해서 공급 라인(241)이 케미컬(211)에 일정 깊이 침잠 수용되는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2에 예시한 실시예와 실질적으로 동일하며, 동일한 구성요소에 대해서는 100번대 대신 200번대의 도면부호를 사용하였으며 중복되는 설명은 생략한다.
또한, 프로세스 모듈(149)이 CVD나 ALD와 같이 증착 장치인 경우, 기체 상태의 케미컬이 사용되므로 공급 라인(141) 상에는 액상의 케미컬을 기화시켜 프로세스 모듈(149)에 공급하기 위한 기화기(vaporizer)(143)가 구비될 수 있다. 또한, 공급 라인(141) 상에는 공급 라인(141)을 통해 공급되는 케미컬 유량을 측정하고 제어하기 위한 밸브(143) 및 유량계(liquid mass flow meter, LMFM)(142) 등의 구성요소가 구비될 수 있다.
본 실시예들에 따르면, 캐니스터(110)에 수용된 케미컬(111)의 잔량에 따라 캐니스터(110)의 체적이 가변되므로 케미컬(111)의 잔량이 감소하더라도 공급 라인(141)과 케미컬(111) 계면 사이의 거리를 비교적 일정하게 유지시킬 수 있고, 비교적 케미컬(111) 잔량이 적게 남은 경우에도 케미컬(111)을 공급할 수 있으므로, 케미컬(111)의 최대한 소진할 수 있고 버려지는 케미컬(111)의 양을 최소화하여 비용을 절감할 수 있다. 또한, 케미컬(111)을 기체 가압하지 않고 공급하므로 케미컬(111)에 기체가 혼입되면서 기포가 발생하거나 혼입되는 것을 방지할 수 있어서, 기포로 인한 불량 발생을 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 공급장치의 구조 및 동작을 설명하기 위한 모식도들;
도 3은 도 1 및 도 2의 변형 실시예에 따른 케미컬 공급장치의 구조 및 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 케미컬 공급장치 110: 캐니스터
111: 케미컬 113: 체적 가변부
115: 상면 117: 하면
120: 체적 조절부 121: 지지플레이트
123: 탄성 지지부 130: 케미컬 충진부
131: 충진 라인(inlet line) 133: 케미컬 저장부
135: 밸브 137: 라인 가변부
139: 충진 라인 단부 유닛
140: 케미컬 공급부 141: 공급 라인(outlet line)
142: 공급 라인 단부 143: 밸브
145: 유량계(LMFM) 147: 기화기(vaporizer)
149: 프로세스 모듈(process module)

Claims (13)

  1. 체적이 가변 가능하게 형성되고 내부에 케미컬이 수용되는 캐니스터(canister);
    상기 캐니스터 일측에 대해 고정 구비되어 상기 캐니스터 내부의 케미컬을 프로세스 모듈에 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 케미컬 공급부; 및
    상기 캐니스터 하부에 구비되어 상기 캐니스터에 수용된 케미컬 잔량에 따라 상기 캐니스터의 체적을 조절하는 체적 조절부;
    를 포함하는 케미컬 공급장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 캐니스터는 적어도 상면 및 측면 일부가 고정되고 하면이 이동 가능하게 형성되며, 상기 체적 조절부에 의해 상기 하면이 이동함에 따라 체적이 가변되도록 형성된 케미컬 공급장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 캐니스터는 상기 측면의 적어도 일부가 길이 방향을 따라 신축 가능한 재질 또는 벨로즈(bellows) 형태를 갖는 케미컬 공급장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 캐니스터 상부에서 상기 캐니스터 내부로 삽입되어 상기 케미컬을 공급하는 충진 라인을 포함하는 케미컬 충진부가 구비되는 케미컬 공급장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 케미컬 충진부는 상기 충진 라인의 단부가 상기 캐니스터의 하면에 밀착 구비된 케미컬 공급장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 케미컬 충진부는 상기 충진 라인의 적어도 일부가 상기 캐니스터가 신축됨에 따라 길이 방향을 따라 신축 가능한 재질로 형성되거나 벨로즈 형태를 갖는 케미컬 공급장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 케미컬 공급부는 상기 캐니스터 내부에서 기화된 케미컬을 상기 프로세스 모듈로 공급할 수 있도록 상기 토출 라인의 단부가 상기 캐니스터 상면과 연통되거나 상기 캐니스터 내부로 삽입된 케미컬 공급장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 케미컬 공급부는 상기 캐니스터 내부에서 액체 상태의 케미컬을 상기 프로세스 모듈로 공급할 수 있도록 상기 토출 라인의 단부가 상기 케미컬에 침지되 도록 상기 캐니스터 내부로 삽입된 케미컬 공급장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 체적 조절부는 상기 캐니스터 하부에서 상기 캐니스터를 탄성 지지하는 적어도 하나 이상의 탄성 지지부재를 포함하는 케미컬 공급장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 탄성 지지부재는 상기 캐니스터 및 상기 캐니스터에 충진된 케미컬의 하중에 의해 압축 구비된 스프링인 케미컬 공급장치.
  11. 측면의 적어도 일부가 신축성 재질로 형성되어 체적이 가변 가능하게 형성되고 내부에 케미컬이 수용되는 캐니스터;
    상기 캐니스터 상부에 연결되며 상기 캐니스터 내부로 케미컬을 공급하는 케미컬 충진부;
    상기 캐니스터 상부에 연결되며 상기 캐니스터 내부의 케미컬을 프로세스 모듈에 공급하는 케미컬 공급부; 및
    상기 캐니스터 하부에 구비되어 상기 캐니스터 내부에 수용된 케미컬의 잔량에 따라 상기 캐니스터를 압축시킴으로써 상기 캐니스터의 체적을 가변시키는 체적 조절부;
    를 포함하는 케미컬 공급장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 캐니스터는 적어도 측면 일부가 신축 가능한 재질로 형성되거나 벨로즈 형태로 형성되고 상면 및 측면의 일부가 고정 구비되어 상기 체적 조절부에 의해 하면이 이동함에 따라 상기 캐니스터의 체적이 가변되는 케미컬 공급장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 체적 조절부는 상기 캐니스터 하부에서 상기 캐니스터를 탄성 지지하는 적어도 하나 이상의 탄성 지지부재를 포함하는 케미컬 공급장치.
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