KR20110070607A - 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 및 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터가 배치된 화소 영역의 비투과 영역에 배치된 발광다이오드를 포함하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본원 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
최근, 유기발광다이오드 표시장치는 자체발광형으로 액정표시장치와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라, 단순한 공정을 거쳐 제조될 수 있어 가격 경쟁력을 키울 수 있다. 또한, 유기발광다이오드 표시장치는 저전압 구동, 높은 발광효율, 넓은 시야각을 가짐에 따라, 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.
유기발광다이오드 표시장치는 광을 발생하는 유기발광다이오드 소자와 상기 유기발광다이오드의 구동을 제어하는 구동소자, 예컨대 박막트랜지스터를 포함한다. 여기서, 구동소자는 유기발광다이오드 소자를 개별적으로 구동하므로 유기발광다이오드 소자에 낮은 전류를 인가하더라도 유기발광다이오드 소자는 동일한 휘도를 나타낼 수 있다.
이로써, 유기발광다이오드 표시장치는 구동소자를 구비함으로써, 저소비 전 력, 고정세, 대형화에 유리할 뿐만 아니라, 유기발광다이오드 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있다.
그러나 유기발광다이오드 표시장치는 상기 유기층에서 제공된 광을 상기 구동소자가 형성된 기판을 통해 사용자에게 영상을 제공함에 따라 개구율이 감소되는 문제점이 있었다.
유기발광다이오드 표시장치는 개구율을 증가시키기 위해, 구동 소자의 크기를 줄일 경우 구동 소자의 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있어, 상기 구동 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 예컨대, 구동소자의 전기적 특성은 채널의 길이에 대비한 채널의 너비와 비례하기 때문이다.
따라서, 종래 유기발광다이오드 표시장치는 구동소자를 구비하여 유기발광다이오드 표시장치의 화질 특성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있으나, 상기 구동소자에 의해 유기발광다이오드 표시장치의 개구율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 유기발광다이오드의 화소 영역을 구획하는 배선들의 폭을 최소화하여 화소 개구율을 향상시킨 유기발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 및 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터가 배치된 화소 영역의 비투과 영역에 배치된 발광다이오드를 포함하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고, 상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 유기발광다이오드 제조방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질 실리콘막 및 도핑된 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 이를 패터닝하여 상기 게이트 전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층이 형성된 기판 상에 제 1 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선을 형성하는 단계; 상기 제 1 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 2 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선과 각각 오버랩되는 제 2 소스/드레인 전극, 제 2 데이터 배선 및 제 2 전원 배선을 형성하여 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 전원 배선을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막 및 평탄화막을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화막이 형성된 기판 상에 애노드 전극, 유기층 및 캐소드 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 화소 구역을 구획하는 배선들의 폭을 최소로 하여 화소 개구율을 향상시킨 효과가 있다.
또한, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 특별한 공정 추가 없이 배선 구조를 폭이 서로 다른 이중층 배선을 형성하여 화소 영역의 개구율을 향상시킨 효과가 있다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이다.
도 1은 설명의 편의상 도면에서 상기 다수의 화소들 중 하나의 화소만을 확대하여 도시하였다.
도 1을 참조하면, 유기발광다이오드 표시장치는 영상을 표시하기 위해 정의된 다수 개의 화소들과 상기 각 화소에 서로 전기적으로 연결된 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)와 유기발광다이오드 소자부(도 2의 140, 160, 170)를 포함한다.
또한, 상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)와 상기 유기발광다이오드 소자부(140, 160, 170)로 전기적 신호를 제공하는 다수의 배선(101, 102, 103)들이 배치되어 있다. 예컨대, 다수의 배선(101, 102, 103)들은 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102), 상기 데이터 배선(102)과 평행하는 전원배선(103)을 포함한다.
상기 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치의 화소 구조는 상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)와 유기발광다이오드 소자부(140, 160, 170)가 형성되어 있는 비투과 영역과 상기 비투과 영역 외에 평탄화막(130) 상에 아무것도 형성하지 않은 투과영역으로 구분할 수 있다.
상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)는 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)의 교차영역, 즉 화소에 배치된다. 상기 구동소자부(S-Tr, D-Tr, Cp)는 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr), 구동 박막트랜지스터(D-Tr) 및 캐패시터(Cp)를 포함할 수 있다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)는 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)는 게이트 전극(111), 액티브층(112), 소스/드레인 전극(117,118)들로 구성되어 있다.
상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)와 상기 전원 배선(103)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 캐패시터(Cp)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)와 상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 상기 캐패시터(Cp)는 상기 전원 배선(103)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 캐패시터(Cp)는 상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)의 게이트 전극과 연결된 제 1 스토리지 전극(131)과 상기 전원 배선(103)과 전기적으로 연결된 제 2 스토리지 전극(132)을 포함한다.
본 발명에서는 유기발광다이오드에 비투과 영역과 투과 영역을 구분하여 화소 영역의 일부에 유기발광다이오드가 형성되지 않은 투과 영역을 형성하였다.
또한, 본 발명의 유기발광다이오드의 화소 개구율을 향상시키기 위해 데이터 배선(102)과 전원 배선(103)의 구조를 제 1 데이터 배선(102a)과 제 2 데이터 배선(102b)으로 형성하였다.
상기 제 1 데이터 배선(102a)은 MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, Al 및 이를 이용한 합금과 구리(Cu) 및 이를 이용한 합금 등의 도전성 금속으로 형성하고, 제 2 데이터 배선(102b)은 상기 제 1 데이터 배선(102b)과 오버랩되면서 투명성 도전물 질(ITO, ITZO, IZO)로 형성하였다.
특히, 제 1 데이터 배선(102a)의 폭은 노광 장비에 의해 패터닝할 수 있는 최소폭으로 형성한다. 따라서, 상기 제 1 데이터 배선(102a)의 폭은 2㎛ 이하의 값을 갖는다.
상기 제 1 데이터 배선(102a)과 오버랩되는 제 2 데이터 배선(102b)은 상기 제 1 데이터 배선(102a)의 폭보다 넓은 값을 갖는다. 하지만, 상기 제 2 데이터 배선(102b)은 투명성 도전물질로 형성되기 때문에 개구율에 영향을 주지 않는다.
따라서, 결과적으로 상기 데이터 배선(102)에 의해 가려지는 부분은 상기 제 1 데이터 배선(102a)이기 때문에 화소 영역의 개구율이 크게 형성된다.
또한, 상기 데이터 배선(102)과 화소 영역을 사이에 두고 나란하게 형성된 전원 배선(103)도 제 1 전원 배선(103a)과 제 2 전원 배선(103b)으로 형성하고, 상기 데이터 배선(102)의 구조와 동일하게 제 1 전원 배선(103a)은 도전성 금속으로 형성하고 제 2 전원 배선(103b)은 투명성 도전물질로 형성한다.
상기 제 1 전원 배선(103a)의 폭도 노광 장비에 의해 패터닝 될 수 있는 최소 선폭을 갖도록(2㎛ 내외) 하고, 상기 제 2 전원 배선(103b)은 상기 제 1 전원 배선(103a)보다 넓은 폭(4㎛ 이상)을 갖도록 형성한다.
따라서, 화소 영역에 형성되는 전원 배선(103)은 데이터 배선(102)과 마찬가지로 제 1 전원 배선(103a)에 의해서만 가려지기 때문에 화소 영역의 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)의 선폭이 좁게 형성되지만, 상기 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a) 상에는 각각 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)이 각각 형성되어 있어 배선의 저항은 상승하지 않는다.
따라서, 상기 데이터 배선(102)에 공급되는 데이터 신호의 지연은 발생되지 않고, 상기 전원 배선(103)에 공급되는 전원 전압은 크게 강하되지 않는다.
또한, 상기 데이터 배선(102)과 전원 배선(103)의 저항을 낮추기 위해 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)은 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)을 각각 완전히 덮는 구조로 형성할 수 있다. 하지만, 상기 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)은 투명성 도전물질로 형성되기 때문에 개구율에 영향을 주지 않는다.
상기 유기발광다이오드 표시장치의 구동 원리를 살펴보면 다음과 같다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)는 상기 게이트 배선(101)에 제공된 선택 신호에 따라 온/오프(On/Off) 된다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)의 온/오프(On/Off)에 의해 조정된 전기적 신호, 예컨대 상기 데이터 배선(102)에서 제공된 데이터 신호는 상기 유기발광다이오드 소자부(도 2의 140, 160, 170)에 인가되어, 상기 유기발광다이오드 소자부(도 2의 140, 160, 170)에 흐르는 전류량을 조절하여, 상기 유기발광다이오드 소자부(140, 160, 170)에 형성되는 휘도를 조절하여 영상을 표시한다.
상기 캐패시터(Cp)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr)에서 상기 구동 박막트랜지스터(D-Tr)로 다음 전기적 신호가 인가될 때까지 이미 인가된 상기 전기적 신호를 일정 시간 유지하여, 화질의 균일성을 유지한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 발광다이오드 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 1의 A-A'선과 B-B' 선을 절단한 단면을 중심으로 설명한다.
도 2a를 참조하면, 절연기판(100) 상에는 다수의 화소 영역들이 정의되어 있다.
상기 절연기판(100) 상에는 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 스위칭 박막트랜지스터(S-Tr) 영역에 게이트 전극(111)을 형성한다. 그런 다음, 상기 절연기판(100) 상에 게이트 절연막(110), 비정질 실리콘막과 도핑된(n+ or p+) 비정질 실리콘막을 순차적으로 형성한다.
상기와 같이, 도핑된 비정질 실리콘막이 형성되면, 마스크 공정을 진행하여 상기 게이트 전극(111) 상부에 채널층(112a)과 오믹콘택층(112b)으로 구성된 액티브층(112)을 형성한다. 이때 상기 채널층(112a)은 경우에 따라서는 레이저 열처리를 진행하여 폴리 실리콘막으로 형성할 수 있고, 상기 오믹콘택층(112b)은 이온 주입 공정에 의해 소스/드레인 전극이 형성될 영역에 도핑처리로 오믹콘택층 역할을 하는 저저항 접촉층을 형성할 수 있다.
상기와 같이, 절연기판(100) 상에 액티브층(112)이 형성되면 도 2b에 도시된 바와 같이, 제 1 금속막을 절연기판(100) 상에 형성한다. 그런 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 1 소스 전극(117a), 제 1 드레인 전극(118a), 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a)들을 형성한다. 상기 제 1 금속막은 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 은, 금 등 도전율이 높은 금속을 사용할 수 있 다.
상기 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a)은 노광 장비에 의해 구현할 수 있는 최소 패턴으로 형성하여 배선 폭이 2㎛ 내외가 되도록 한다.
상기 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a)의 폭이 2㎛ 내외가 되는 영역을 화소 영역과 대응되는 영역에서만 할 수 있다.
상기와 같이 제 1 소스 전극(117a), 제 1 드레인 전극(118a), 제 1 데이터 배선(102a) 및 제 1 전원 배선(103a) 들이 절연기판(100) 상에 형성되면, 제 2 금속막을 절연기판(100) 상에 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 2 소스 전극(117b), 제 2 드레인 전극(118b), 제 2 데이터 배선(102b) 및 제 2 전원 배선(103b)을 형성하여, 소스/드레인 전극(117, 118), 데이터 배선(102) 및 전원 배선(103)을 형성한다. 상기 제 2 금속막은 투명성 도전물질인 ITO, ITZO, IZO와 같은 물질을 사용할 수 있다.
특히, 상기 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)들은 각각 상기 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)의 폭보다 넓게 형성하여(4㎛ 이상) 오버랩되도록 한다.
본 발명에서는 화소 영역을 따라 양측에 나란히 형성되는 데이터 배선(102)과 전원 배선(103) 중에서 제 2 데이터 배선(102b)과 제 2 전원 배선(103b)은 개구율에 영향을 미치지 않는다. 따라서, 2㎛ 내외의 폭으로 형성되는 제 1 데이터 배선(102a)과 제 1 전원 배선(103a)에 의해 종래 화소 영역보다 큰 개구율 특성을 구현할 수 있다.
상기와 같이, 소스/드레인 전극(117, 118), 데이터 배선(102) 및 전원 배선(103)이 절연기판(100) 상에 형성되면, 도 2c에 도시한 바와 같이, 절연기판(100) 상에 보호막(120)과 평탄화막(130)을 형성한다. 상기 보호막(120)은 산화실리콘막 또는 질화실리콘막일 수 있다.
상기 보호막(120)상에 평탄화를 위해 형성된 평탄화막(130)은 유기계 절연막으로 이루어질 수 있다. 예컨대 상기 평탄화막(130)은 아크릴계 수지(Acryl-based resin), 우레탄 수지(Urethane resin), 폴리이미드계 수지(Polyimide-based resin), 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 실리콘계 수지(Silicone-based resin) 및 폴리 페놀 수지등 일 수 있다.
이후, 상기 보호막(120) 및 상기 평탄화막(130)은 상기 드레인 전극(118)의 일부 등을 노출하는 콘택홀 공정을 진행하고, 계속해서 금속막을 형성한 다음 마스크 공정을 진행하여 애노드 전극(140)을 형성한다. 상기 애노드 전극(140)은 광을 반사시킬 수 있다. 상기 애노드 전극(140)은 후술될 캐소드 전극(170)에 비해 일함수가 큰 도전물질로 이루어질 수 있다.
상기 애노드 전극(140)은 두 개의 금속층으로 형성할 수 있는데, 하부 금속층은 Al, AlNd, Ag 및 Mo 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, 상부 금속층은 하부 금속층에 비해 큰 내식성을 가지며, 상기 캐소드 전극(170)에 비해 일함수가 큰 도전물질로 이루어질 수 있다.
그런 다음, 상기 애노드 전극(140) 상에 유기층(160)을 형성한다. 상기 유기층은 전하주입층, 전하수송층, 전하수송층 및 전하주입층을 포함할 수 있다.
상기 유기층(160)이 절연기판(100) 상에 형성되면, 화소 영역에 캐소드 전극(170)을 형성한다. 상기 캐소드 전극(170)은 상기 애노드 전극(140)보다 작은 일함수를 갖는 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 다시 말해, 상기 캐소드 전극(170)은 캐소드 전극일 수 있다. 예컨대, 상기 캐소드 전극(170)은 ITO, IZO, Ag, Mg, Ca, Al 및 Ba등으로 이루어진 단일막 또는 이중막으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기에서는 유기발광다이오드를 중심으로 설명하였지만, E-ink 또는 액정표시장치와 같은 평판형 표시장치에서 형성되는 배선들에도 적용할 수 있다.
예를 들어, 액정표시장치의 하부 또는 상부 기판 상에 배선을 형성할 때, 노광 장비에 의해 구현할 수 있는 최소 폭을 갖는 배선으로 형성하고, 그 상부층에는 투명성 도전물질로 형성된 2차 배선을 오버랩되도록 형성하여 화소 개구율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 화소 구조를 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 발광다이오드 표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
(도면의 주요 부분에 대한 참조 부호의 설명)
100 : 절연기판 101 : 게이트 배선
102 : 데이터 배선 103 : 전원 배선
120: 보호막 130 : 평탄화막
140 : 애노드 전극 160 : 유기층
170 : 캐소드 전극 S-Tr : 스위칭 박막트랜지스터
D-Tr : 구동 박막트랜지스터 Cp : 캐패시터
Claims (9)
- 기판;상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선;상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 및상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터가 배치된 화소 영역의 비투과 영역에 배치된 발광다이오드를 포함하고,상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고,상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 데이터 배선과 제 1 전원 배선의 선폭은 2㎛ 내외인 것을 특징으 로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 데이터 배선은 MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 이를 이용한 합금들 중 어느 하나의 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 데이터 배선은 ITO, ITZO 또는 IZO 중 어느 하나의 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전원 배선은 MoTi, Mo, Cr, MoW, AlNd, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 이를 이용한 합금들 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 데이터 배선은 ITO, ITZO 또는 IZO 중 어느 하나의 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 데이터 배선과 제 2 전원 배선의 선폭은 상기 제 1 데이터 배선과 제 2 전원 배선을 각각 완전히 덮을 수 있도록 4㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질 실리콘막 및 도핑된 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 이를 패터닝하여 상기 게이트 전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층이 형성된 기판 상에 제 1 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선을 형성하는 단계;상기 제 1 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 2 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 소스/드레인 전극, 제 1 데이터 배선 및 제 1 전원 배선과 각각 오버랩되는 제 2 소스/드레인 전극, 제 2 데이터 배선 및 제 2 전원 배선을 형성하여 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 전원 배선을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막 및 평탄화막을 형성하는 단계; 및상기 평탄화막이 형성된 기판 상에 애노드 전극, 유기층 및 캐소드 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.
- 기판;상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선;상기 게이트 배선과 데이터 배선, 상기 게이트 배선과 전원 배선이 교차하는 영역에 배치된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터을 포함하고,상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 데이터 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 데이터 배선과, 상기 1 데이터 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 데이터 배선과 오버랩되는 제 2 데이터 배선을 구비하고,상기 화소 영역을 따라 평행하게 배치되어 있는 전원 배선은 배선 폭이 좁은 제 1 전원 배선과, 상기 제 1 전원 배선보다 폭이 넓게 형성되어 상기 제 1 전원 배선과 오버랩되는 제 2 전원 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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