KR20110070530A - Patterning method for nano-structure - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A nanostructure patterning method is provided to give hybrid functions of collecting and dehumidifying water to a surface of a substrate by combining a colloidal lithography and a printing technique or a tape masking technique and by arraying nanostructures to a specific location. CONSTITUTION: The nanostructure patterning method includes following steps.(a) The colloidal particle single-layer film is coated in the surface of the substrate.(b) Except a pattern section of the substrate, the rest of surface is masked.(c) The masked substrate is etched and the nanostructures are formed in the pattern part. And(d) the masking formed on the substrate is eliminated. The step(a) is operated by more than one method selected among a spin-coating, a dip-coating, a lifting up, an electrophoretic deposition, a chemical or electrochemical deposition and an electrospray.

Description

나노구조물 패터닝 방법 {Patterning Method for Nano-Structure}Patterning Method for Nano-Structure

본 발명은 나노구조물을 패터닝하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 콜로이달 리소그래피를 이용하여 부분적으로 나노구조물을 패터닝하는 기술에 관한 것으로 이를 응용하여 초발수 또는 초친수로 처리된 기능성 표면을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for patterning nanostructures, and more particularly, to a technique for partially patterning nanostructures using colloidal lithography, which can be applied to produce superficial or superhydrophilic functional surfaces. It is about how it can be.

일반적으로 콜로이달 리소그래피는 여러 가지 나노구조물을 만들 수 있는 상향식, 하향식, 또는 이들의 복합방법 중 쉽고 경제적인 리소그래피로써, 콜로이달 입자를 마스크로 사용하여 기재를 에칭함으로써 나노구조물을 만드는 방법이다. 하지만, 콜로이달 입자를 선택적으로 코팅하거나, 또는 기재를 선택적으로 에칭한 예는 발표된 바 없어 기재의 표면에 나노구조물을 선택적으로 패터닝하는 데에는 어려움이 있고 아직 널리 응용하기에 제한이 많다. In general, colloidal lithography is an easy and economical lithography method of bottom-up, top-down, or a combination thereof that can produce various nanostructures, and is a method of making nanostructures by etching a substrate using colloidal particles as a mask. However, examples of selectively coating colloidal particles or selectively etching a substrate have not been published, and thus, it is difficult to selectively pattern nanostructures on the surface of the substrate and is still limited in widespread application.

따라서, 값싼 공정인 콜로이달 리소그래피로 나노패터닝을 실시하여 표면에 나노구조물을 원하는 영역에만 패터닝이 가능하다면, 여러 응용에 사용할 수 있는데 특히, 나노구조물을 응용하여 표면의 초친수성 또는 초발수성을 부분적으로 조절함으로써, 사막 딱정벌레 등껍질의 수분 포집 기능을 모사해 공기 중의 수증기를 포집하여 물 부족 문제를 해결하거나, 인쇄 기술을 이용한 일반 인쇄나 기능 인쇄 시 그 기능을 향상시킨다거나, 바이오칩에서 유체의 흐름을 조절하는데 유용하게 사용할 수 있다.Therefore, if nanopatterning is performed by inexpensive colloidal lithography, and the nanostructure can be patterned only on the desired area, it can be used in various applications. Particularly, the application of nanostructures partially superhydrophilic or superhydrophobic By regulating the water trapping function of the desert beetle shell, it captures water vapor in the air to solve the water shortage problem, improve the function when printing or function printing using printing technology, or improve the flow of fluid in the biochip. It can be useful to adjust.

나노구조물을 패터닝할 수 있는 방법에는 여러 가지가 있는데, 예를 들어 나노임프린트 리소그래피, 소프트 리소그래피, e-beam 리소그래피, FIB(Focused Ion beam) 등이 있다. 나노임프린트 리소그래피(Nanoimprint lithography, NIL) 기술은 경제적이고도 효과적으로 나노구조물을 제작할 수 있는기술로, 나노구조물(nanostructute)이 각인된 스탬프(stamp)를 기재(substrate) 위에 스핀코팅(spin-coating) 또는 디스펜싱(dispensing)된 레지스트(resist)의 표면에 눌러 나노구조물을 전사하는 기술이다. 소프트 리소그래피 기술은 나노임프린트 리소그래피 기술과 유사하나, 나노임프린트 리소그래피에서 사용하는 스탬프가 하드(hard)한 재질로 이루어지는 반면 소프트 리소그래피 기술에서는 소프트한 몰드(soft mold)를 사용한다는 점에서 차이가 있다. E-beam 리소그래피 기술은, 수십 KeV의 에너지를 갖는 e-beam을 기재위에 스핀 코팅된 레지스트를 부분적으로 경화시킨 후 플라즈마 에칭을 통하여 나노구조물을 형성하는 기술이다. FIB(Focused Ion beam)는 고에너지 이온빔으로 기재를 직접 깍아 나노구조물을 형성하는 기술이다.There are several ways to pattern nanostructures, including nanoimprint lithography, soft lithography, e-beam lithography, and focused ion beams (FIB). Nanoimprint lithography (NIL) technology is an economical and effective technique for producing nanostructures. Spin-coating or dispensing a stamp on which a nanostructure is imprinted is applied onto a substrate. It is a technique for transferring nanostructures by pressing them on the surface of a dispensed resist. Soft lithography technology is similar to nanoimprint lithography technology, except that the stamp used in nanoimprint lithography is made of a hard material, whereas in soft lithography technology, a soft mold is used. E-beam lithography is a technique of forming a nanostructure through plasma etching after partially curing a resist coated with an e-beam having an energy of several tens of keV on a substrate. Focused ion beam (FIB) is a technology that forms nanostructures by directly cutting substrates with high-energy ion beams.

그런데, 나노임프린트 리소그래피의 경우 나노스케일의 패턴을 제작하기에 용이한 반면 패턴이 형성된 스탬프를 제작하는데 고비용이 든다는 단점이 있고, 반면 소프트 리소그래피의 경우 나노스케일의 패턴을 제작할 수 없다는 문제점이 있다. 또한 e-beam 리소그래피 기술과 FIB 기술은 고가의 장비를 이용해야 하고 구조물 형성에 오랜시간이 소요되는 문제점이 있다. However, in the case of nanoimprint lithography, there is a disadvantage in that it is easy to manufacture a nanoscale pattern, but it is expensive to manufacture a stamp in which a pattern is formed, whereas in the case of soft lithography, there is a problem in that a nanoscale pattern cannot be produced. In addition, the e-beam lithography technology and the FIB technology require expensive equipment and have a long time in forming the structure.

무엇보다도, 종래에는 일반적으로 어떤 기재 상에 나노구조물을 형성할 때, 발수성 처리 혹은 친수성 처리와 같은 단순 기능만을 부여하는 정도로밖에는 기술의 활용이 거의 없었다. 이에 따라, 발수성 또는 친수성과 같은 단순 기능보다 발전된, 예를 들어 수분 포집 등과 같은 새로운 기능을 수행할 수 있는 표면 개질 기술에 대한 연구가 시급한 실정이다.First of all, in the past, when forming a nanostructure on a substrate in general, there was little use of the technology to the extent that it gives only simple functions such as water repellent treatment or hydrophilic treatment. Accordingly, there is an urgent need for research on surface modification techniques that can perform new functions such as water collection, which are more advanced than simple functions such as water repellency or hydrophilicity.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 경제적인 콜로이달 리소그래피와 인쇄기법 혹은 테이프 마스킹 기법을 결합하여 특정 위치에 나노구조물들을 정렬시킴으로서 발수성 혹은 친수성과 같은 단순 기능이 아닌 수분 포집 및 제습과 같은 복합 기능의 수행이 가능하도록 기재의 표면을 처리하는, 간편한 나노구조물 패터닝 방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, the object of the present invention is to combine the economic colloidal lithography and printing techniques or tape masking techniques to align the nanostructures in a specific location water repellency Another object of the present invention is to provide a simple nanostructure patterning method for treating a surface of a substrate to perform a complex function such as moisture capture and dehumidification, rather than a simple function such as hydrophilicity.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 나노구조물 패터닝 방법은, 기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계; 상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계; 마스킹된 상기 기재(1)를 에칭하여 패턴(2) 부분에 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계; 상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Nanostructure patterning method according to the present invention for achieving the object as described above, the colloidal particle monolayer coating step of coating a colloidal particle monolayer film on the surface of the substrate (1); A masking step of masking (3) the surface of the portion except for the pattern (2) region of the substrate (1); Forming a nanostructure on the pattern (2) by etching the masked substrate (1); A masking removing step of removing the masking (3) formed on the substrate (1); Characterized in that comprises a.

또는, 본 발명에 의한 나노구조물 패터닝 방법은, 기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계; 상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계; 마스킹된 상기 기재(1)를 에칭하여 패턴(2) 부분에 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계; 나노구조물이 형성된 상기 패턴(2) 영역의 표면 처리를 수행하는 표면 처리 단계; 상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Or, the nanostructure patterning method according to the present invention, the colloidal particle monolayer coating step of coating a colloidal particle monolayer film on the surface of the substrate (1); A masking step of masking (3) the surface of the portion except for the pattern (2) region of the substrate (1); Forming a nanostructure on the pattern (2) by etching the masked substrate (1); A surface treatment step of performing a surface treatment of the pattern (2) region in which a nanostructure is formed; A masking removing step of removing the masking (3) formed on the substrate (1); Characterized in that comprises a.

또는, 본 발명에 의한 나노구조물 패터닝 방법은, 기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계; 상기 기재(1)를 에칭하여 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계; 상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계; 나노구조물이 형성되고 마스킹이 수행된 상기 패턴(2) 영역의 표면 처리를 수행하는 표면 처리 단계; 상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Or, the nanostructure patterning method according to the present invention, the colloidal particle monolayer coating step of coating a colloidal particle monolayer film on the surface of the substrate (1); Forming a nanostructure by etching the substrate (1); A masking step of masking (3) the surface of the portion except for the pattern (2) region of the substrate (1); A surface treatment step of performing a surface treatment of the pattern (2) region in which a nanostructure is formed and masking is performed; A masking removing step of removing the masking (3) formed on the substrate (1); Characterized in that comprises a.

이 때, 상기 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계는, 스핀코팅(spin-coating), 딥코팅(dip-coating), 리프팅업(lifting up), 전기영동 코팅(electrophoretic deposition), 화학적 또는 전기화학적 코팅(chemical or electrochemical deposition) 및 전기분사(electrospray) 중 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 상기 기재의 표면에 코팅이 이루어지는 단계; 로 이루어지는 것이 바람직하다.In this case, the colloidal particle monolayer coating step is spin-coating, dip-coating, lifting up, electrophoretic deposition, chemical or electrochemical coating ( coating the surface of the substrate by at least one method selected from chemical or electrochemical deposition and electrospray; It is preferable that it consists of.

또한 이 때, 상기 마스킹 단계는, 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 테이프를 부착하는 단계; 또는 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 잉크로 인쇄하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.In this case, the masking step may include attaching a masking tape to a surface of a portion excluding the region of the pattern 2 of the substrate 1; Or printing with masking ink on the surface of the portion except for the pattern 2 region of the substrate 1; It is preferable that it consists of at least one selected from among.

또한 이 때, 상기 나노구조물 형성 단계는, CF4, CHF3, C2F6, C3F6, C3F8, C4F10, HF, HBr, SF6, NF3, SiCl4, SiF4, BCl3, CCl4, CClF3, CCl2F2, C2ClF5, O2 중에서 선택된 어느 하나 이상의 에칭 가스를 이용하여 드라이 에칭을 수행하는 단계; 로 이루어지는 것이 바람직하다.In this case, the nanostructure forming step, CF 4 , CHF 3 , C 2 F 6 , C 3 F 6 , C 3 F 8 , C 4 F 10 , HF, HBr, SF 6 , NF 3 , SiCl 4 , Performing dry etching using at least one etching gas selected from SiF 4 , BCl 3 , CCl 4 , CClF 3 , CCl 2 F 2 , C 2 ClF 5 , and O 2 ; It is preferable that it consists of.

또한 이 때, 상기 마스킹 제거 단계는, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜((CH3)2CHOH), 아세톤, 헥산, 다이메틸플로라이드(DMF), 트리클로로에탄(C2HCl3), 트리클로로메탄 중 하나 이상을 선택하여 담가서 세척 또는 초음파 세척을 수행하는 단계; O2 플라즈마 처리 단계; 또는 Piranha 용액(H2SO4:H2O2) 처리 단계; 묽힌 HF 용액 증기 처리 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.In this case, the masking removing step, ethanol, methanol, isopropyl alcohol ((CH 3 ) 2 CHOH), acetone, hexane, dimethyl fluoride (DMF), trichloroethane (C 2 HCl 3 ), trichloro Selecting and soaking one or more of methane to perform washing or ultrasonic cleaning; O 2 plasma treatment step; Or a Piranha solution (H 2 SO 4 : H 2 O 2 ) treatment step; Dilute HF solution steam treatment step; It is preferable that it consists of at least one selected from among.

또한 이 때, 상기 표면 처리 단계는, 상기 기재(1)에 발수성 처리를 수행하는 단계; 또는 상기 기재(1)에 친수성 처리를 수행하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.At this time, the surface treatment step, the step of performing a water repellent treatment on the substrate (1); Or performing a hydrophilic treatment on the substrate (1); It is preferable that it consists of at least one selected from among.

이 때, 상기 표면 처리 단계는 상기 기재(1)에 발수성 처리를 수행하되, 딥코팅, 스핀코팅, 불소 실란계 화합물의 셀프 어셈블드 모노레이어(Self-assembled monolayer) 처리방법, 불소계 단량체의 아톰 트랜스퍼 래디칼 폴리머리제이션(Atom transfer radical polymerization) 방법을 이용한 표면중합법, 불소계 단량체의 그라프팅-프럼(grafting-from) 표면중합법, 불소계 화합물의 그라프팅-투(grafting-to) 표면중합법, 플라즈마를 이용한 불소계화합물의 표면중합법 및 플라즈마를 이 용한 불소화합물의 표면개질법 중 선택되는 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.At this time, the surface treatment step is to perform the water-repellent treatment to the substrate (1), dip coating, spin coating, self-assembled monolayer treatment method of the fluorine silane compound, atom transfer of fluorinated monomer Surface polymerization method using Atom transfer radical polymerization method, grafting-from surface polymerization method of fluorine monomer, grafting-to surface polymerization method of fluorine compound, plasma Using at least one method selected from a surface polymerization method of a fluorine compound and a surface modification method of a fluorine compound using plasma; It is preferable to comprise a.

또는, 상기 표면 처리 단계는 상기 기재(1)에 친수성 처리를 수행하되, O2 플라즈마 처리 혹은 자외선 오존(Ultra-visible Ozone)처리를 하거나, 광촉매 효과를 부여하기 위하여 TiO2나 ZnO 및 기타 친수성 물질을 졸겔(Sol-gel) 방법, 스파터링(Sputtering) 방법, 전자빔 증착법(Electron beam deposition), 열 증착법(Thermal depostion) 중 선택되는 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.Alternatively, the surface treatment step is to perform a hydrophilic treatment to the substrate 1, O 2 plasma treatment or ultraviolet ozone (Ultra-visible Ozone) treatment, or in order to give a photocatalytic effect TiO 2 or ZnO and other hydrophilic materials Using at least one selected from a sol-gel method, a sputtering method, an electron beam deposition method, and a thermal depostion method; It is preferable to comprise a.

본 발명에 의하면, 기재의 표면을 처리하여 어떠한 기능을 부여함에 있어서, 종래에 발수성 또는 친수성과 같은 단순 기능만을 부여할 뿐이었던 것과는 달리, 수분 포집과 같은 복합적인 기능을 부여할 수 있게 된다는 큰 효과가 있다. 구체적으로는 본 발명에 의하면, 발수성 또는 친수성 영역을 기재의 표면 전체가 아닌 일부에 패턴 형태로 형성하는 바, 패턴 형태, 패턴 범위, 패턴 재질 등에 따라 다양한 기능을 부여할 수 있게 된다. 이에 따라 본 발명에 의하면, 나노 구조를 원하는 바에 따라 형성할 수 있기 때문에 부여하고자 하는 기능의 개선이나 전환이 훨씬 용이하다는 효과 또한 있게 된다.According to the present invention, the treatment of the surface of the substrate to impart a certain function, unlike the conventionally only providing a simple function such as water repellency or hydrophilicity, it is possible to give a complex function such as water collection There is. Specifically, according to the present invention, the water-repellent or hydrophilic region is formed on a part of the substrate rather than the entire surface of the substrate in a pattern form, and thus various functions can be provided according to the pattern form, pattern range, pattern material, and the like. Accordingly, according to the present invention, since the nanostructure can be formed as desired, there is also an effect that the improvement or conversion of the function to be given is much easier.

이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 나노구조물 패터닝 방법을 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a nanostructure patterning method according to the present invention having the configuration as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 의한 나노구조물 패터닝 방법의 순서도이며, 도 2는 본 발명에 의한 나노구조물이 패터닝된 기재 및 마스킹의 개략도이고, 도 3은 패터닝 단계의 모식도이다. 도 1(A)에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 나노구조물 패터닝 방법은 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계; 마스킹 단계; 나노구조물 형성 단계; 및 마스킹 제거 단계를 포함하여 이루어진다. 이 때, 도 1(B)에 도시되어있는 바와 같이 상기 마스킹 제거 단계 이전에 표면 처리 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다. 이하에서 각 단계에 대하여 보다 상세히 설명한다.1 is a flow chart of a nanostructure patterning method according to the present invention, Figure 2 is a schematic diagram of the substrate and masking patterned nanostructures according to the present invention, Figure 3 is a schematic diagram of the patterning step. As shown in Figure 1 (A), the nanostructure patterning method of the present invention comprises a colloidal particle monolayer coating step; Masking step; Forming a nanostructure; And a masking removal step. At this time, as shown in Figure 1 (B) it can be made by further comprising a surface treatment step before the masking removal step. Each step will be described in more detail below.

상기 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계에서 콜로이달 입자는 스핀코팅(spin-coating), 딥코팅(dip-coating), 리프팅업(lifting up), 전기영동 코팅(electrophoretic deposition), 화학적 또는 전기화학적 코팅(chemical or electrochemical deposition) 및 전기분사(electrospray) 중 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 상기 기재의 표면에 배열되는 것이 바람직하다.In the colloidal particle monolayer coating step, the colloidal particles are spin-coated, dip-coated, lifting up, electrophoretic deposition, chemical or electrochemical coating ( It is preferably arranged on the surface of the substrate by any one or more methods selected from chemical or electrochemical deposition and electrospray.

상기 마스킹 단계에서는, 기재(1)의 나노구조물을 형성하고 싶은 패턴 영역(2)을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)을 수행한다. 이 때, 상기 마스킹 단계는 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 테이프를 부착하는 단계; 로 이루어질 수도 있고, 또는 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 잉크로 인쇄하는 단계; 로 이루어질 수도 있으며, 상술한 바와 같은 방법들 (마스킹 테이프 부착/ 마스킹 잉크 인쇄)을 복합적으로 사용함으로써 이루어질 수도 있다. 마스킹 잉크의 원활한 인쇄를 위해 콜로이달 단층막을 코팅한 기재(1)의 표면의 에너지를 플라즈마나 자기조립단분자막 등으로 처리를 하여 조절할 수 있다. 이와 같이 상기 기재(1) 표면에 상기 패턴(2)을 제외한 영역을 마스킹 함으로써, 차후 이루어지는 나노구조물 형성이나 표면 처리는 상기 패턴(2) 부분에서 이루어지게 된다.In the masking step, masking 3 is performed on the surface of the portion except for the pattern region 2 in which the nanostructure of the substrate 1 is to be formed. In this case, the masking step may include attaching a masking tape to a surface of a portion excluding the region of the pattern 2 of the substrate 1; Or printing with masking ink on the surface of the portion except for the pattern 2 region of the substrate 1; It may be made by a combination of the above-described methods (masking tape attached / masking ink printing). For smooth printing of the masking ink, the energy of the surface of the substrate 1 coated with the colloidal monolayer film can be controlled by treatment with plasma or a self-assembled monolayer film. As described above, by masking an area excluding the pattern 2 on the surface of the substrate 1, a subsequent nanostructure formation or surface treatment is performed at the portion of the pattern 2.

상기 마스킹(3)에 사용되는 물질은 쉽게 구할 수 있는 모든 종류의 테이프를 사용할 수 있으며, 테이프를 원하는 크기로 잘라 붙임으로써 구현 할 수 있다. 또한, 사무용 잉크젯 프린터 및 상용화된 프린팅 방법인 잉크젯프린팅, 그라비아 옵셋 프린팅, 그라비아 프린팅, 플렉소 옵셋 프린팅, 플렉소 프린팅, 실크 스크린 중 선택된 어느 하나 이상의 방법을 사용하여 원하는 선폭으로 프린팅 함으로써 마스킹을 할 수도 있다.The material used for the masking 3 may use any kind of tape that can be easily obtained, and can be implemented by cutting and pasting the tape to a desired size. In addition, masking can be performed by printing at a desired line width using one or more methods selected from office inkjet printers and commercial printing methods such as inkjet printing, gravure offset printing, gravure printing, flexo offset printing, flexo printing, and silk screen. have.

또한, 상기 패턴(2)의 형태에 따라 상기 기재(1)에 부여되는 기능이 달라질 수 있다. 상기 패턴(2)의 형태는 설계자의 의도에 따라 선, 원, 사각형, 다각형 혹은 글씨 등등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 패턴의 최소 크기는 잉크젯 프린팅의 경우 프린팅 노즐의 크기에 의해 결정된다. 예를 들어 상기 기재(1)가 수분 수집 기능을 발휘하도록 할 경우, 친수성 패턴은 물을 모으고 소수성 패턴은 모인 물을 수집하는 부위로 흘려보내야 한다. 따라서 이 경우는 친수성 패턴이 소수성 패턴에 의해 고립되도록, 친수성 패턴은 원 및 다각형 모양이 되도록 하고, 소수성 패턴은 그 주위에 선 형태로 존재하도록 하는 것이 유리하다.In addition, the function provided to the substrate 1 may vary depending on the shape of the pattern 2. The pattern 2 may have various shapes such as lines, circles, squares, polygons, or letters according to a designer's intention, and the minimum size of the pattern is determined by the size of the printing nozzle in the case of inkjet printing. For example, when the substrate 1 exhibits a water collection function, the hydrophilic pattern should collect water and the hydrophobic pattern should flow to the collected area. In this case, therefore, it is advantageous to ensure that the hydrophilic pattern is in the shape of circles and polygons so that the hydrophilic pattern is isolated by the hydrophobic pattern, and that the hydrophobic pattern is present in a linear form around it.

다음으로 상기 나노구조물 형성 단계에서는, 마스킹된 상기 기재(1)에 나노구조물을 콜로이달 리소그래피를 이용하여 형성하게 된다. 콜로이달 단분자층을 마스크로 이용하여 표면을 식각해서 나노구조물을 형성시키는 경우, 식각 방법은 에칭 가스에 의한 드라이 에칭을 사용할 수 있다. 더불어, 상기 기재는, 유리, 석영판(Quartz plate), 실리콘 및 플라스틱 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 상기 드라이 에칭을 위해 사용할 수 있는 에칭 가스는 CF4, CHF3, C2F6, C3F6, C3F8, C4F10, HF, HBr, SF6, NF3, SiCl4, SiF4, BCl3, CCl4, CClF3, CCl2F2, C2ClF5, Ar, O2 중에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으며, H2 가스를 혼합하는 것이 바람직하다.Next, in the nanostructure forming step, a nanostructure is formed on the masked substrate 1 by using colloidal lithography. When the surface is etched using the colloidal monolayer as a mask to form a nanostructure, the etching method may use dry etching using an etching gas. In addition, the substrate is preferably any one of glass, quartz plate, silicon, and plastic. Etching gases that can be used for the dry etching are CF 4 , CHF 3 , C 2 F 6 , C 3 F 6 , C 3 F 8 , C 4 F 10 , HF, HBr, SF 6 , NF 3 , SiCl 4 , SiF 4 , BCl 3 , CCl 4 , CClF 3 , CCl 2 F 2 , C 2 ClF 5 It may be any one or more selected from Ar, O 2 , it is preferable to mix H 2 gas.

도 1(A)에 도시한 것처럼 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계, 마스킹 단계, 나노구조물 형성 단계를 거치면, 상기 기재(1)의 표면에서 상기 마스킹(3)에 의하여 가려진 부분에는 상기 기재(1) 표면의 원래 재질이 남아 있는 반면, 상기 패턴(2) 영역에는 나노구조물의 배열이 형성되게 된다. As shown in FIG. 1 (A), after the colloidal particle monolayer coating step, the masking step, and the nanostructure forming step are performed, a portion of the substrate 1 covered by the masking 3 is disposed on the surface of the substrate 1. While the original material of the surface remains, an array of nanostructures is formed in the pattern 2 region.

이후 상기 마스킹 제거 단계에서 상기 패턴(2) 영역이 표면 처리된 상기 기재(1)에 형성된 상기 마스킹(3)을 제거하면, 나노구조물이 원하는 위치에 패터닝된 기재(1)를 얻을 수 있게 된다. 상기 마스킹 제거 단계에서는 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜((CH3)2CHOH), 아세톤, 헥산, 다이메틸플로라이드(DMF), 트리클로로에탄(C2HCl3), 트리클로로메탄 중 하나 이상을 선택하여 담가서 세척 또는 초음파 세척을 수행하는 것이 바람직하다. 필요에 따라 O2 플라즈마 처리를 하거나, Piranha 용액(H2SO4:H2O2) 담그거나, 적당히 묽힌 HF 용액의 증기를 씌움으로써 표면을 세정할 수도 있다.Subsequently, when the masking 3 formed on the substrate 1 on which the pattern 2 region is surface-treated is removed in the masking removing step, the substrate 1 having the nanostructure patterned at a desired position can be obtained. In the masking removing step, one or more of ethanol, methanol, isopropyl alcohol ((CH 3 ) 2 CHOH), acetone, hexane, dimethyl fluoride (DMF), trichloroethane (C 2 HCl 3 ), trichloromethane It is preferable to select and soak to perform washing or ultrasonic cleaning. If necessary, the surface may be cleaned by performing O 2 plasma treatment, immersing Piranha solution (H 2 SO 4 : H 2 O 2 ), or applying a vapor of a moderately diluted HF solution.

도 1 (B)에 도시한 바와 같이 패턴된 나노구조물에 기능을 부여하기 위하여 마스킹 제거 단계 이전에 상기 기재(1)에 표면을 처리하는 표면 처리 단계; 를 더 포함하여 수행할 수 있다. 상기 표면 처리 단계에서 수행되는 표면 처리 방법은 상기 기재(1)에 부여하고자 하는 기능에 따라 달라지는데, 예를 들어 상기 표면 처리 방법은 발수성 처리가 될 수도 있고, 또는 친수성 처리가 될 수도 있다. 상기 표면 처리를 원활하게 수행하기 위하여 표면 처리 전에 O2 플라즈마나 자외선 오존(Ultraviolet Ozone)처리를 하는 것이 바람직하다.A surface treatment step of treating the surface of the substrate 1 before the masking removing step to impart a function to the patterned nanostructure as shown in FIG. It can be performed including more. The surface treatment method performed in the surface treatment step depends on the function to be imparted to the substrate 1, for example, the surface treatment method may be a water repellent treatment, or may be a hydrophilic treatment. In order to smoothly perform the surface treatment, it is preferable to perform O 2 plasma or ultraviolet ozone treatment.

상기 표면 처리 방법이 발수성일 경우 상기 표면 처리 단계는, 불소화합물을 코팅하는 것이 바람직하다. 상기 불소화합물이 코팅된 패턴의 표면은 (CF3-), (-(CF2-CF2)n-, -(O(CF2)m)n-, -((CF2)mO)n-, -(OC(CF3)FCF2)n- 및 -(C(CF3)FCF2O)n- (단, 1≤m≤25, 1≤n≤100) 중 어느 하나 이상일 수 있다. 여기서, 상기 m은 1 이상 25 이하이고, 상기 n은 1 이상 100 이하이다.When the surface treatment method is water repellent, the surface treatment step, it is preferable to coat a fluorine compound. The surface of the pattern coated with the fluorine compound is (CF 3- ), (-(CF 2 -CF 2 ) n -,-(O (CF 2 ) m ) n -,-((CF 2 ) m O) n -,-(OC (CF 3 ) FCF 2 ) n -and-(C (CF 3 ) FCF 2 O) n- ( where 1≤m≤25, 1≤n≤100). Here, m is 1 or more and 25 or less, and n is 1 or more and 100 or less.

아울러, 상기 불소화합물코팅 단계는, 딥코팅, 스핀코팅, 불소 실란계 화합물의 셀프 어셈블드 모노레이어(Self-assembled monolayer) 처리방법, 불소계 단량체의 아톰 트랜스퍼 래디칼 폴리머리제이션(Atom transfer radical polymerization) 방법을 이용한 표면중합법, 불소계 단량체의 그라프팅-프럼(grafting-from) 표면중합법, 불소계 화합물의 그라프팅-투(grafting-to) 표면중 합법, 플라즈마를 이용한 불소계화합물의 표면중합법 및 플라즈마를 이용한 불소화합물의 표면개질법 중 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the fluorine compound coating step, dip coating, spin coating, self-assembled monolayer treatment method of the fluorine silane compound, Atom transfer radical polymerization method of the fluorine monomer Surface polymerization method, grafting-from surface polymerization method of fluorinated monomer, grafting-to surface polymerization method of fluorine compound, surface polymerization method of fluorine compound using plasma and plasma It is preferable to use any one or more of the surface modification of the fluorine compound used.

상기 표면 처리 방법이 친수성일 경우 상기 표면 처리 단계는, O2 플라즈마 처리 혹은 자외선 오존(Ultra-visible Ozone)처리를 하거나, 광촉매 효과를 부여하기 위하여 TiO2나 ZnO 및 기타 친수성 물질을 졸겔(Sol-gel) 방법, 스파터링(Sputtering) 방법, 전자빔 증착법(Electron beam deposition), 열 증착법(Thermal depostion) 중 어느 한 방법을 이용하여 증착하는 것 중 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 표면 처리 단계 이후 상기 마스킹 제거 단계에서는 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜((CH3)2CHOH), 아세톤, 헥산, 다이메틸플로라이드(DMF), 트리클로로에탄(C2HCl3), 트리클로로메탄 중 하나 이상을 선택하여 담그거나, 초음파 세척을 하는 것이 바람직하다. 또는, 필요에 따라 Piranha 용액에 담그거나, 묽은 HF 용액의 증기를 씌우는 처리 등을 할 수 있다.If the surface treatment is a hydrophilic surface treatment step, O 2 plasma treatment or UV ozone (Ozone Ultra-visible), or the treatment, the TiO 2 or ZnO, and other hydrophilic materials in order to impart a photocatalytic effect the sol-gel (Sol- It is preferable to use any one or more methods of vapor deposition using any one of a gel method, a sputtering method, an electron beam deposition method, and a thermal depostion method. The masking removal step after the surface treatment step is ethanol, methanol, isopropyl alcohol ((CH 3 ) 2 CHOH), acetone, hexane, dimethyl fluoride (DMF), trichloroethane (C 2 HCl 3 ), trichloromethane It is preferable to soak one or more of them, or to perform ultrasonic cleaning. Alternatively, it may be immersed in a Piranha solution or steamed with dilute HF solution, if necessary.

또한 도 1(C)에 도시한 바와 같이 나노구조물을 형성 단계를 먼저 실시함으로써 기재(1)의 모든 면적에 나노구조물을 형성한 후, 마스킹 단계 후 표면 처리 단계를 실행함으로써 기재(1)의 전 표면에 화학적 기능 및 성질이 다른 나노구조물의 패턴(2)을 설계자의 의도에 따라 크기와 모양을 달리하며 형성시킬 수 있다. 이 방법은 일부에만 나노구조물이 존재함으로써 생기는 패턴(2)과 기재의 마스킹(3)된 부분의 광학적인 성질의 차이를 없앰으로써, 기재(1)의 광학적 응용도를 더욱 다양하게 할 수 있다는 장점이 있다.In addition, as shown in FIG. 1C, the nanostructures are first formed to form nanostructures in all areas of the substrate 1, and then the masking step is followed by the surface treatment step. The pattern 2 of nanostructures having different chemical functions and properties on the surface may be formed in different sizes and shapes according to the designer's intention. This method eliminates the difference in the optical properties of the pattern (2) and the masked part (3) of the substrate caused by the presence of nanostructures in only a few parts, thereby making the optical application of the substrate 1 more versatile. There is this.

도 1(C)에 도시한 방법은 나노구조물 형성 단계 이후에 표면 처리를 하고 마스킹 단계를 실행한 다음 패턴(2) 부분의 표면 처리 물질을 O2 플라즈마 처리나 자외선 오존(Ultraviolet Ozone)처리 등으로 없애고, 다른 성질의 후 표면 처리; 를 함으로써 변형하여 실행할 수 있다. 이 방법 역시 일부에만 나노구조물이 존재함으로써 생기는 패턴(2)과 기재의 마스킹(3)된 부분의 광학적인 성질의 차이를 없앨 뿐만 아니라, 패턴(2)과 마스킹(3)된 부분 모두에 나노구조물이 존재함으로 인해 두 부분의 표면 성질의 차이를 더욱 극대화할 수 있다는 장점이 있다.In the method shown in FIG. 1C, after the nanostructure forming step, the surface treatment is performed, the masking step is performed, and the surface treatment material of the pattern (2) portion is subjected to O 2 plasma treatment or ultraviolet ozone (Ultraviolet Ozone) treatment. Eliminating, after surface treatment of different properties; It can be modified and executed by. This method also eliminates differences in the optical properties of the patterned (2) and masked (3) portions of the substrate, as well as the nanostructures in both the patterned (2) and masked (3) portions. This presence has the advantage of further maximizing the difference in surface properties of the two parts.

이와 같이 본 발명에 의하면, (기재 / 패턴)의 성질이 (평면 / 발수성), (평면 / 친수성), (발수성 / 친수성), (친수성 / 발수성) 등과 같이 다양하게 형성될 수 있으며, 또한 상기 마스킹(3)에 따라 상기 패턴(2)의 형태, 크기, 배치 등이 설계자의 의도대로 용이하게 형성될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 나노구조물 패터닝 방법에 의하면, 상기 기재(1)에 설계자가 원하는 복합적인 기능을 용이하게 부여할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the properties of the (substrate / pattern) may be variously formed such as (flat / water repellent), (flat / hydrophilic), (water repellent / hydrophilic), (hydrophilic / water repellent), and the masking. According to (3), the shape, size, arrangement and the like of the pattern 2 can be easily formed as the designer intends. Accordingly, according to the nanostructure patterning method of the present invention, it is possible to easily give the substrate 1 a complex function desired by the designer.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the scope of application of the present invention is not limited to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Of course, various modifications can be made.

도 1은 본 발명에 의한 패터닝 방법의 단계 흐름도.1 is a step flowchart of a patterning method according to the present invention;

도 2는 본 발명에 의한 나노구조물이 패터닝된 기재 및 마스킹의 개략도.2 is a schematic diagram of a substrate and masking patterned nanostructures according to the present invention.

도 3은 패터닝 단계의 모식도.3 is a schematic diagram of a patterning step.

도 4는 나노구조물이 패터닝된 전자 현미경 사진.4 is an electron micrograph in which nanostructures are patterned.

도 5는 나노구조물을 패터닝한 기판의 실제 사진.5 is an actual photograph of a substrate patterned nanostructures.

도 6은 잉크를 이용하여 나노구조물을 패터닝한 후 초친수/초소수 패턴을 형성한 사진.Figure 6 is a photograph of forming a superhydrophilic / ultra-small pattern after patterning the nanostructures using ink.

Claims (10)

기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계;A colloidal particle monolayer film coating step of coating a colloidal particle monolayer film on a surface of the substrate 1; 상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계;A masking step of masking (3) the surface of the portion except for the pattern (2) region of the substrate (1); 마스킹된 상기 기재(1)를 에칭하여 패턴(2) 부분에 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계;Forming a nanostructure on the pattern (2) by etching the masked substrate (1); 상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계;A masking removing step of removing the masking (3) formed on the substrate (1); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Nanostructure patterning method comprising a. 기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계;A colloidal particle monolayer film coating step of coating a colloidal particle monolayer film on a surface of the substrate 1; 상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계;A masking step of masking (3) the surface of the portion except for the pattern (2) region of the substrate (1); 마스킹된 상기 기재(1)를 에칭하여 패턴(2) 부분에 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계;Forming a nanostructure on the pattern (2) by etching the masked substrate (1); 나노구조물이 형성된 상기 패턴(2) 영역의 표면 처리를 수행하는 표면 처리 단계;A surface treatment step of performing a surface treatment of the pattern (2) region in which a nanostructure is formed; 상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계;A masking removing step of removing the masking (3) formed on the substrate (1); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Nanostructure patterning method comprising a. 기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계;A colloidal particle monolayer film coating step of coating a colloidal particle monolayer film on a surface of the substrate 1; 상기 기재(1)를 에칭하여 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계;Forming a nanostructure by etching the substrate (1); 상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계;A masking step of masking (3) the surface of the portion except for the pattern (2) region of the substrate (1); 나노구조물이 형성되고 마스킹이 수행된 상기 패턴(2) 영역의 표면 처리를 수행하는 표면 처리 단계;A surface treatment step of performing a surface treatment of the pattern (2) region in which a nanostructure is formed and masking is performed; 상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계;A masking removing step of removing the masking (3) formed on the substrate (1); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Nanostructure patterning method comprising a. 제 1항 내지 제 3항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서, 상기 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계는According to any one of claims 1 to 3, wherein the colloidal particle monolayer coating step 스핀코팅(spin-coating), 딥코팅(dip-coating), 리프팅업(lifting up), 전기영동 코팅(electrophoretic deposition), 화학적 또는 전기화학적 코팅(chemical or electrochemical deposition) 및 전기분사(electrospray) 중 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 상기 기재의 표면에 코팅이 이루어지는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Selected from spin-coating, dip-coating, lifting up, electrophoretic deposition, chemical or electrochemical deposition, and electrospray Coating the surface of the substrate in any one or more ways; Nanostructure patterning method, characterized in that consisting of. 제 1항 내지 제 3항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서, 상기 마스킹 단계는The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the masking step 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 테이프를 부착하는 단계; 또는 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 잉크로 인쇄하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Attaching a masking tape to the surface of the portion except for the pattern 2 region of the substrate 1; Or printing with masking ink on the surface of the portion except for the pattern 2 region of the substrate 1; Nanostructure patterning method comprising any one or more selected from. 제 1항 내지 제 3항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서, 상기 나노구조물 형성 단계는According to any one of claims 1 to 3, wherein forming the nanostructures is CF4, CHF3, C2F6, C3F6, C3F8, C4F10, HF, HBr, SF6, NF3, SiCl4, SiF4, BCl3, CCl4, CClF3, CCl2F2, C2ClF5, O2 중에서 선택된 어느 하나 이상의 에칭 가스를 이용하여 드라이 에칭을 수행하는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.CF 4 , CHF 3 , C 2 F 6 , C 3 F 6 , C 3 F 8 , C 4 F 10 , HF, HBr, SF 6 , NF 3 , SiCl 4 , SiF 4 , BCl 3 , CCl 4 , CClF 3 Performing dry etching using at least one etching gas selected from CCl 2 F 2 , C 2 ClF 5 , and O 2 ; Nanostructure patterning method, characterized in that consisting of. 제 1항 내지 제 3항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서, 상기 마스킹 제거 단계는The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the masking removing step 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜((CH3)2CHOH), 아세톤, 헥산, 다이메틸플로라이드(DMF), 트리클로로에탄(C2HCl3), 트리클로로메탄 중 하나 이상을 선택하여 담가서 세척 또는 초음파 세척을 수행하는 단계; O2 플라즈마 처리 단계; 또는 Piranha 용액(H2SO4:H2O2) 처리 단계; 묽힌 HF 용액 증기 처리 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Wash by dipping one or more of ethanol, methanol, isopropyl alcohol ((CH 3 ) 2 CHOH), acetone, hexane, dimethyl fluoride (DMF), trichloroethane (C 2 HCl 3 ), trichloromethane Performing an ultrasonic cleaning; O 2 plasma treatment step; Or a Piranha solution (H 2 SO 4 : H 2 O 2 ) treatment step; Dilute HF solution steam treatment step; Nanostructure patterning method comprising any one or more selected from. 제 1항 내지 제 3항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 처리 단계는The method of any one of claims 1 to 3, wherein the surface treatment step 상기 기재(1)에 발수성 처리를 수행하는 단계; 또는 상기 기재(1)에 친수성 처리를 수행하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Performing a water repellent treatment on the substrate (1); Or performing a hydrophilic treatment on the substrate (1); Nanostructure patterning method comprising any one or more selected from. 제 8항에 있어서, 상기 표면 처리 단계는The method of claim 8, wherein the surface treatment step 상기 기재(1)에 발수성 처리를 수행하되,Performing a water repellent treatment on the substrate (1), 딥코팅, 스핀코팅, 불소 실란계 화합물의 셀프 어셈블드 모노레이어(Self-assembled monolayer) 처리방법, 불소계 단량체의 아톰 트랜스퍼 래디칼 폴리머리제이션(Atom transfer radical polymerization) 방법을 이용한 표면중합법, 불소계 단량체의 그라프팅-프럼(grafting-from) 표면중합법, 불소계 화합물의 그라프팅-투(grafting-to) 표면중합법, 플라즈마를 이용한 불소계화합물의 표면중합법 및 플라즈마를 이용한 불소화합물의 표면개질법 중 선택되는 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.Deep coating, spin coating, self-assembled monolayer treatment of fluorine silane compounds, surface polymerization using atom transfer radical polymerization of fluorinated monomers, fluorinated monomers Selected from a grafting-from surface polymerization method, a grafting-to surface polymerization method of a fluorine compound, a surface polymerization method of a fluorine compound using plasma, and a surface modification method of a fluorine compound using plasma. Using any one or more methods; Nanostructure patterning method comprising a. 제 8항에 있어서, 상기 표면 처리 단계는The method of claim 8, wherein the surface treatment step 상기 기재(1)에 친수성 처리를 수행하되,Performing a hydrophilic treatment on the substrate (1), O2 플라즈마 처리 혹은 자외선 오존(Ultra-visible Ozone)처리를 하거나, 광촉매 효과를 부여하기 위하여 TiO2나 ZnO 및 기타 친수성 물질을 졸겔(Sol-gel) 방법, 스파터링(Sputtering) 방법, 전자빔 증착법(Electron beam deposition), 열 증착법(Thermal depostion) 중 선택되는 어느 하나 이상의 방법을 사용하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법.TiO 2 or ZnO and other hydrophilic materials may be sol-gel method, sputtering method, electron beam deposition method in order to perform O 2 plasma treatment or ultra-visible ozone treatment or to give a photocatalytic effect. Using at least one method selected from among electron beam deposition and thermal depostion; Nanostructure patterning method comprising a.
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