KR20110066388A - A seed, a seed chuck and a chucking apparatus of silicon ingot - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A seed, a seed chuck, and a chucking apparatus of a silicon ingot are provided to prevent the head of the seed and the body from being separated by distributing the load applied to the head of the seed through a pin. CONSTITUTION: A seed(40) comprises a body and a first notch of a groove type formed in the body. A weight(20) is combined with a cable which is connected to an external pull up apparatus A seed chuck(30) is combined in the lower part of a weight. The seed chuck comprises a through hole which is formed in order to insert the seed. A pin(50) is inserted into the first notch of the body.

Description

시드, 시드 척 및 실리콘 잉곳 지지장치{A SEED, A SEED CHUCK AND A CHUCKING APPARATUS OF SILICON INGOT}Seed, seed chuck and silicon ingot support {A SEED, A SEED CHUCK AND A CHUCKING APPARATUS OF SILICON INGOT}

실시예는 실리콘 잉곳의 성장을 위한 시드와 시드 척의 결합이 안정적으로 이루어지는 시드, 시드 척 및 실리콘 잉곳 지지장치에 관한 것이다. Embodiments relate to a seed, seed chuck and silicon ingot support device in which a combination of seed and seed chuck for growth of silicon ingot is stable.

일반적으로 단결정 잉곳(ingot)은 다결정 실리콘을 액상으로 용융시킨 후 쵸크랄스키 방법(Czochralski method:CZ)으로 결정 성장시켜 제조한다. In general, single crystal ingots are prepared by melting polycrystalline silicon in a liquid phase and then growing the crystals by the Czochralski method (CZ).

구체적으로, 실리콘 잉곳은 석영 도가니에 적층된 폴리실리콘(poly silicon)과 불순물(dopant)이 용융되어 형성된 실리콘 용융물(melt)에 인상장치를 사용하여 시드를 디핑(deeping)시킨다. 그리고, 상기 시드와 석영 도가니를 서로 반대 방향으로 회전시키면서 상시 시드를 인상(pulling up)함으로써 제조한다. Specifically, the silicon ingot deepens the seed using a pulling apparatus on a silicon melt formed by melting poly silicon and dopants stacked in a quartz crucible. In addition, the seed and the quartz crucible are manufactured by pulling up the seeds while rotating the seeds in opposite directions.

실리콘 단결정 잉곳 성장장치는, 챔버 내부의 핫존(Hot Zone)에 실리콘 용융물이 담겨지는 석영 도가니와, 이 석영 도가니를 감싸는 흑연 도가니와, 도가니를 지지하는 지지판과, 이 지지판을 외부의 회전 구동 장치에 결합시키는 회전축과, 도가니 주변을 포위하도록 설치되어 석영 도가니에 열을 방사하는 히터와, 이 히터에서 발생된 열이 외부로 방사되는 것과 실리콘 용융물의 온도가 저하되는 것을 방 지하도록 열차폐부재를 포함한다. The silicon single crystal ingot growth apparatus includes a quartz crucible in which a silicon melt is contained in a hot zone inside the chamber, a graphite crucible surrounding the quartz crucible, a support plate for supporting the crucible, and the support plate to an external rotary drive device. A rotating shaft to be coupled, a heater disposed to surround the crucible and radiating heat to the quartz crucible, and a heat shield member to prevent heat generated from the heater from being radiated to the outside and the temperature of the silicon melt to be lowered. do.

그리고, 상기 챔버 내부에는 시드 척(seed chuck)이 구비된다. A seed chuck is provided inside the chamber.

시드 척은 외부의 인상 구동장치에 의하여 시드를 실리콘 용융물에 디핑하고, 시드를 다시 인상한다. 이때, 시드 척은 시드의 끝단에서 성장하는 실리콘 단결정 잉곳의 하중을 지탱한다. The seed chuck dips the seed into the silicon melt by an external pull drive and lifts the seed again. At this time, the seed chuck supports the load of the silicon single crystal ingot growing at the end of the seed.

또한, 시드 척은 인상 작동되면서, 이와 반대측에 구비되는 회전축의 회전방향에 대하여 반대방향으로 회전된다. In addition, while the seed chuck is pulled up, the seed chuck is rotated in the opposite direction with respect to the rotational direction of the rotating shaft provided on the opposite side.

실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위하여 단결정 잉곳의 소스(source)가 되는 시드가 있어야 한다. To grow a silicon single crystal ingot, there must be a seed that is the source of the single crystal ingot.

시드는 실리콘 용융물 위에서 시드 척에 의하여 고정되고, 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 지지하게 된다. The seed is held by the seed chuck on the silicon melt and supports the grown silicon single crystal ingot.

실리콘 단결정 잉곳은 초기 100kg에서 현재 500kg까지 증가하고 있으며, 이로 인하여 시드의 부하도 증가하고 있다. Silicon single crystal ingots are increasing from the initial 100 kg to the current 500 kg, thereby increasing the seed load.

실리콘 잉곳의 하중 증가로 인하여 그로잉(growing) 또는 쿨링(cooling) 중에 시드에 크랙이 발생될 수 있다. 이러한, 미세 크랙은 시드 및 잉곳을 파손시킬 수 있다. Due to the increased load on the silicon ingot, cracks may occur in the seed during growing or cooling. Such microcracks can break seeds and ingots.

실시예에서는 시드와 시드 척의 결합력을 향상시킬 수 있는 시드, 시드 척 및 실리콘 잉곳 지지장치를 제공한다. The embodiment provides a seed, seed chuck and silicon ingot support device that can improve the coupling force between the seed and the seed chuck.

실시예에 따른 시드는, 제1 너비를 가지는 헤드부; 상기 헤드부에서 연장되고 상기 제1 너비 보다 작은 제2 너비를 가지는 바디부; 및 상기 바디부 내에 형성된 홈 형태의 제1 노치를 포함한다. Seed according to the embodiment, the head portion having a first width; A body portion extending from the head portion and having a second width smaller than the first width; And a first notch in the form of a groove formed in the body portion.

실시예에 따른 시드 척은, 헤드부와 바디부를 포함하는 시드가 삽입되고 고정되도록 내부에 형성된 관통홀; 상기 관통홀은 상기 시드의 헤드부가 안착되는 제1 지지부; 상기 시드의 바디부를 가이드하는 제2 지지부; 및 상기 제2 지지부에 형성된 제2 노치를 포함한다. The seed chuck according to the embodiment includes a through hole formed therein to insert and fix a seed including a head part and a body part; The through hole may include a first support part on which the head part of the seed is seated; A second support for guiding the body of the seed; And a second notch formed in the second support portion.

실시예에 따른 실리콘 잉곳 지지장치는, 제1 너비를 가지는 헤드부와, 상기 헤드부에서 연장되고 상기 제1 너비 보다 작은 제2 너비를 가지는 바디부 및 상기 바디부에 형성된 홈 형태의 제1 노치를 포함하는 시드; 상기 시드가 삽입되고 고정되도록 내부에 형성된 관통홀을 포함하고, 상기 관통홀은 상기 헤드부가 안착되는 제1 지지부 및 상기 바디부를 가이드 하는 제2 지지부를 포함하는 시드 척; 및 상기 바디부의 노치에 삽입되는 핀을 포함한다. According to an embodiment, a silicon ingot supporting apparatus includes a head portion having a first width, a body portion having a second width extending from the head portion and having a second width smaller than the first width, and a first notch having a groove formed in the body portion. Seed comprising a; A seed chuck including a through hole formed therein to insert and fix the seed, wherein the through hole includes a first support on which the head is seated and a second support on the body; And a pin inserted into the notch of the body portion.

실시예에 의하면, 시드와 시드 척의 결합을 견고히 유지할 수 있다. According to the embodiment, the coupling between the seed and the seed chuck can be maintained firmly.

상기 시드와 시드 척이 대응하는 어느 한 영역에 홀이 형성되고, 상기 홀에 핀이 삽입되어, 상기 시드와 시드 척을 고정시킬 수 있다. A hole may be formed in a region corresponding to the seed and the seed chuck, and a pin may be inserted into the hole to fix the seed and the seed chuck.

이에 따라, 상기 시드의 하부에서 성장하는 실리콘 잉곳의 하중을 지탱할 수 있다. Accordingly, it is possible to support the load of the silicon ingot growing under the seed.

또한, 상기 시드의 헤드부에 가해지는 하중이 상기 핀에 의하여 분산되어, 상기 시드의 헤드부와 바디부의 분리를 방지하고, 상기 실리콘 단결정 잉곳의 추락을 방지할 수 있다. In addition, the load applied to the head portion of the seed is distributed by the pins to prevent separation of the head portion and the body portion of the seed, it is possible to prevent the fall of the silicon single crystal ingot.

이하, 실시예에 따른 시드, 시드 척 및 실리콘 잉곳 지지장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a seed, seed chuck and silicon ingot support device according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시 예의 설명에 있어서, 각 시드, 실리콘, 잉곳, 시드 척, 장치, 부재, 부, 영역 또는 면 등이 각 시드, 실리콘, 잉곳, 시드 척, 장치, 부재, 부, 영역 또는 면 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 "상" 또는 "아래"에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, each seed, silicon, ingot, seed chuck, device, member, part, region, or face is "phase, etc., such as each seed, silicon, ingot, seed chuck, device, member, part, region, or face. (on) or "under", where "on" and "under" are described by "directly" or "another component" (indirectly) "include all that is formed. In addition, the criteria for “up” or “down” of each component will be described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 실리콘 잉곳 지지장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1의 시드를 나타내는 단면도이다. 도 3은 도 1의 시드 척을 나타내는 단면도이 다. 1 is a cross-sectional view showing a silicon ingot supporting device according to an embodiment. 2 is a cross-sectional view illustrating the seed of FIG. 1. 3 is a cross-sectional view illustrating the seed chuck of FIG. 1.

상기 실리콘 잉곳 지지장치(1)는, 웨이트(20)의 하부에 결합된 시드 척(30), 상기 시드 척(30)에 고정 결합되는 시드(40) 및 상기 시드(40)를 고정시키는 핀(50)을 포함할 수 있다. The silicon ingot support device 1 includes a seed chuck 30 coupled to a lower portion of the weight 20, a seed 40 fixedly coupled to the seed chuck 30, and a pin for fixing the seed 40. 50).

상기 웨이트(20)는 외부의 인상 구동장치(미도시)와 연결된 케이블(10)에 고정 결합되고, 하단부에 시드 척(30)을 고정시킬 수 있다. 이때, 상기 웨이트(20)와 상기 시드 척(30)은 나사결합될 수 있다. The weight 20 may be fixedly coupled to a cable 10 connected to an external impression driving device (not shown), and may fix the seed chuck 30 to a lower end thereof. At this time, the weight 20 and the seed chuck 30 may be screwed.

또한, 상기 웨이트(20)는 상기 시드(40)를 실리콘 용융물에 최초 디핑시킬 때 인상 구동수단에 의해 상기 시드(40)가 흔들려 인상 구동수단의 회전 중심축과 시드(40)의 회전 중심축이 서로 어긋나는 것을 방지하기 위해 무게를 줄 수도 있다. In addition, the weight 20 shakes the seed 40 by the pulling driving means when the seed 40 is first dipped into the silicon melt, so that the rotational center axis of the pulling drive means and the rotational center axis of the seed 40 are reduced. It can also be weighted to prevent misalignment.

도 1 및 도 2를 참조하여, 상기 시드(40)는 상기 웨이트(20)의 하부에 결합된 상기 시드 척(30) 내부에 장착될 수 있다. 1 and 2, the seed 40 may be mounted in the seed chuck 30 coupled to the lower portion of the weight 20.

상기 시드(40)는 상기 시드 척(30)에 장착된 상태에서 실리콘 용융물에 디핑되어 실리콘 잉곳을 성장시키기 위한 소스(source)이다. The seed 40 is a source for growing a silicon ingot dipped in a silicon melt in a state mounted to the seed chuck 30.

상기 시드(40)는 헤드부(41) 및 상기 헤드부(41)에서 하부로 연장된 바디부(42)를 포함한다.The seed 40 includes a head portion 41 and a body portion 42 extending downward from the head portion 41.

예를 들어, 상기 헤드부(41)는 제1 너비(W1)로 형성되고, 상기 바디부(42)는 상기 제1 너비(W1) 보다 작은 제2 너비(W2)로 형성될 수 있다. For example, the head part 41 may be formed to have a first width W1, and the body part 42 may be formed to have a second width W2 that is smaller than the first width W1.

즉, 상기 시드(40)는 'T' 자 형태로 형성될 수 있다. That is, the seed 40 may be formed in a 'T' shape.

상기 헤드부(41)는 상기 시드 척(30)의 내부에 결합되고 상기 바디부(42)의 하부로 성장되는 단결정 실리콘 잉곳을 지지할 수 있다.The head portion 41 may support a single crystal silicon ingot that is coupled to the inside of the seed chuck 30 and grows below the body portion 42.

상기 바디부(42)는 상기 시드 척(30)의 하부로 돌출되고 실리콘 용융물에 딥핑되어 단결정 실리콘 잉곳을 성장시킬 수 있다.The body portion 42 may protrude to the lower portion of the seed chuck 30 and may be dipped in a silicon melt to grow a single crystal silicon ingot.

도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 바디부(42)의 일측에는 제1 노치(43)가 형성될 수 있다. As shown in FIG. 2A, a first notch 43 may be formed at one side of the body part 42.

도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1 노치(43)는 상기 바디부(42)의 서로 대응하는 양측면에 형성될 수도 있다. As shown in FIG. 2B, the first notches 43 may be formed on both side surfaces of the body part 42 corresponding to each other.

상기 제1 노치(43)는 반구형, 삼각형 또는 다각형의 형태로 형성되고, 상기 제1 노치(43)를 통해 상기 핀(50)이 삽입될 수 있다. The first notch 43 may be formed in the shape of a hemispherical shape, a triangle, or a polygon, and the pin 50 may be inserted through the first notch 43.

예를 들어, 상기 시드(40)의 가로방향 단면에서 상기 시드(40)의 두께를 기준으로 보았을 때 상기 제1 노치(43)의 폭은 1: 0.1~0.2일 수 있다. 예컨대, 상기 시드(40)의 바디부(42)의 가로 방향 단면 폭이 15mm일 경우 상기 제1 노치(43)는 2.1~2.3mm 정도 일 수 있다.For example, the width of the first notch 43 may be 1: 0.1 to 0.2 when viewed based on the thickness of the seed 40 in a horizontal cross section of the seed 40. For example, when the horizontal cross-sectional width of the body part 42 of the seed 40 is 15 mm, the first notch 43 may be about 2.1 to 2.3 mm.

한편, 상기 제1 노치(43)와 대응하는 상기 시드 척(30)에는 제2 노치(33)가 형성될 수 있다. Meanwhile, a second notch 33 may be formed in the seed chuck 30 corresponding to the first notch 43.

즉, 상기 제1 노치(43)와 상기 제2 노치(33)는 동일 선상에서 상기 시드(40) 및 시드 척(30)을 관통하도록 형성될 수 있다. That is, the first notch 43 and the second notch 33 may be formed to penetrate the seed 40 and the seed chuck 30 on the same line.

이하, 상기 제2 노치(33)를 포함하는 시드 척(30)을 도 1 및 도 3을 참조하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the seed chuck 30 including the second notch 33 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 3.

도 1 및 도 3을 참조하여, 상기 시드 척(30)은 단결정의 실리콘 잉곳을 성장시키기 위한 소스인 상기 시드(40)를 고정시킬 수 있다. 1 and 3, the seed chuck 30 may fix the seed 40, which is a source for growing a single crystal silicon ingot.

상기 시드 척(30)은 상기 시드(40)를 내부에 장착하기 위한 관통홀(35)을 포함한다.The seed chuck 30 includes a through hole 35 for mounting the seed 40 therein.

상기 관통홀(35)은 상기 시드(40)가 삽입 및 고정되도록 상기 시드(40)의 형태에 대응하는 형태로 형성될 수 있다. 즉, 상기 관통홀은 "T"자 형태로 형성될 수 있다. The through hole 35 may be formed in a shape corresponding to the shape of the seed 40 so that the seed 40 is inserted and fixed. That is, the through hole may be formed in a “T” shape.

상기 관통홀(35)의 상단부는 상기 헤드부(41)가 고정되도록 제1 지지부(31)를 포함한다. The upper end of the through hole 35 includes a first support part 31 to fix the head part 41.

상기 관통홀(35)의 하부는 상기 바디부(42)를 안내하도록 상기 제1 지지부(31)에서 연장된 제2 지지부(32)를 포함한다. The lower part of the through hole 35 includes a second support part 32 extending from the first support part 31 to guide the body part 42.

상기 제1 지지부(31)는 상기 제2 지지부(32) 보다 넓은 폭을 가지도록 형성되고, 상기 제1 지지부(31)의 하부 양측 모서리 영역은 걸림턱(34)이 형성된다. The first support part 31 is formed to have a wider width than the second support part 32, and the locking jaw 34 is formed at both lower corners of the first support part 31.

상기 걸림턱(34)에 의하여 상기 시드(40)의 헤드부(41)가 상기 제2 지지부(32)에 고정되고, 상기 시드(40)는 상기 시드 척(30)에 장착될 수 있다. The head part 41 of the seed 40 may be fixed to the second support part 32 by the locking jaw 34, and the seed 40 may be mounted to the seed chuck 30.

예를 들어, 상기 제1 지지부(31)는 상기 헤드부(41)의 제1 너비(W1)에 대응하도록 제3 너비(W3)로 형성될 수 있다. For example, the first support part 31 may be formed to have a third width W3 to correspond to the first width W1 of the head part 41.

상기 제2 지지부(32)는 상기 제3 너비(W3) 보다 작은 제4 너비(W4)로 형성될 수 있다. The second support part 32 may have a fourth width W4 smaller than the third width W3.

또한, 상기 제2 지지부(32)는 상기 바디부(42)의 제2 너비(W2)에 대응하는 너비로 형성되어 상기 바디부(42)는 상기 제2 지지부(32)를 통과할 수 있다. 또한, 상기 제2 지지부(32)은 상기 헤드부(41)의 제1 너비(W1)보다 작은 너비로 형성되어, 상기 헤드부(41)는 상기 제1 지지부(31)에 고정될 수 있다. In addition, the second support part 32 may have a width corresponding to the second width W2 of the body part 42 so that the body part 42 may pass through the second support part 32. In addition, the second support part 32 may be formed to have a width smaller than the first width W1 of the head part 41, and the head part 41 may be fixed to the first support part 31.

상기 바디부(42)의 제1 노치(43)에 대응하도록 상기 제2 지지부(32)에는 제2 노치(33)가 형성되어 있다. A second notch 33 is formed in the second support part 32 so as to correspond to the first notch 43 of the body part 42.

상기 제2 노치(33)는 상기 제1 노치(43)에 대응하는 형태로 형성될 수 있다. The second notch 33 may be formed in a shape corresponding to the first notch 43.

상기 제1 노치(43)와 제2 노치(33)가 접했을 때, 그 형태는 원형, 삼각형 및 다각형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다. When the first notch 43 and the second notch 33 contact each other, the shape may be formed in any one of a circle, a triangle, and a polygon.

즉, 상기 시드(40)가 상기 시드 척(30)의 내부로 설치되어 있을 때, 상기 제1 노치(43)와 상기 제2 노치(33)가 접하는 영역은 예컨대, 원형을 이룰 수 있다. That is, when the seed 40 is installed into the seed chuck 30, an area where the first notch 43 and the second notch 33 contact each other may have a circular shape.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 시드 척(40)의 제2 노치(43)는 정면에서 보았을 때 원형으로 형성될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 4, the second notch 43 of the seed chuck 40 may be formed in a circular shape when viewed from the front.

상기 제2 노치(33)를 통해 상기 시드(40)와 시드 척(30)을 고정시키는 핀(50)은 외부에서 삽입되어야 한다. 따라서, 상기 제2 지지부(32)에서 상기 관통홀(35)을 제외한 나머지 영역에서 상기 제2 노치(33)는 원형, 삼각형 또는 다각형의 형태로 형성될 수 있다. The pin 50 securing the seed 40 and the seed chuck 30 through the second notch 33 should be inserted from the outside. Therefore, the second notch 33 may be formed in a circular, triangular or polygonal shape in the second support part 32 except for the through hole 35.

상기 핀(50)은 상기 시드(40)를 상기 시드 척(30)에 고정시키기 위한 수단이다. The pin 50 is a means for securing the seed 40 to the seed chuck 30.

상기 핀(50)은 상기 제1 노치(43)와 상기 제2 노치(33)에 의하여 형성된 홀을 통해 상기 시드 척(30)의 수평방향으로 삽입될 수 있다. The pin 50 may be inserted in the horizontal direction of the seed chuck 30 through a hole formed by the first notch 43 and the second notch 33.

상기 핀(50)은 상기 제1 노치(43)와 상기 제2 노치(33)의 결합 형태에 대응하는 형태 및 크기로 형성될 수 있다. The pin 50 may be formed in a shape and size corresponding to the coupling form of the first notch 43 and the second notch 33.

도 5는 상기 시드 척(30)과 시드(40)가 결합된 상태를 나타내는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view illustrating a state in which the seed chuck 30 and the seed 40 are coupled to each other.

상기 시드 척(30)의 관통홀(35)을 통해 상기 시드(40)가 결합될 수 있다. The seed 40 may be coupled through the through hole 35 of the seed chuck 30.

상기 시드(40)의 바디부(42)는 상기 시드 척(30)의 관통홀(35)을 통과하여 상기 제2 지지부(32)의 하부로 돌출된다. 그리고, 상기 시드(40)의 헤드부(41)는 상기 관통홀(35)의 제1 지지부(31)에 장착되고, 상기 걸림턱(34)에 걸려 상기 제1 지지부(31) 내부에 안착된다. The body part 42 of the seed 40 passes through the through hole 35 of the seed chuck 30 and protrudes below the second support part 32. In addition, the head part 41 of the seed 40 is mounted on the first support part 31 of the through hole 35, and is caught by the locking jaw 34 and seated inside the first support part 31. .

이때, 상기 바디부(42)의 제1 노치(43)와 상기 제2 지지부(32)의 제2 노치(33)는 서로 마주하도록 위치되어 원형을 가질 수 있다. In this case, the first notch 43 of the body part 42 and the second notch 33 of the second support part 32 may be positioned to face each other and have a circular shape.

그리고, 상기 제1 노치(43)와 상기 제2 노치(33)에 의하여 형성된 홀을 통해 상기 핀(50)이 삽입되고 상기 시드(40)를 지지할 수 있다. In addition, the pin 50 may be inserted through the hole formed by the first notch 43 and the second notch 33 to support the seed 40.

이후 상기 시드 척(30)은 상기 웨이트(20)에 결합되고 인상 구동 장치의 동작에 의하여 상기 시드(40)를 상기 실리콘 용율물에 디핑 및 인상시킬 수 있다.Thereafter, the seed chuck 30 may be coupled to the weight 20, and may dip and pull the seed 40 into the silicon melt by an operation of an impression driving device.

따라서, 상기 시드(40)의 끝단에서 실리콘 단결정 잉곳이 성장될 수 있다. Thus, a silicon single crystal ingot may be grown at the end of the seed 40.

이때, 상기 시드 척(30)은 상기 시드(40) 및 단결정 잉곳의 하중을 지탱할 수 있다.In this case, the seed chuck 30 may support the load of the seed 40 and the single crystal ingot.

특히, 상기 시드 척(30)의 제2 지지부(32) 및 걸림턱(34)이 상기 시드(40)의 전체 무게를 일차적으로 지지할 수 있다. In particular, the second support part 32 and the locking jaw 34 of the seed chuck 30 may primarily support the total weight of the seed 40.

그리고, 상기 시드 척(30)의 제1 노치(43)와 상기 시드(40)의 제2 노치(33) 사이에 끼워진 상기 핀(50)에 의하여 상기 시드(40)의 무게를 2차적으로 지지할 수 있다. In addition, the weight of the seed 40 is secondarily supported by the pin 50 inserted between the first notch 43 of the seed chuck 30 and the second notch 33 of the seed 40. can do.

상기 시드(40)의 하부에서 성장하고 있는 실리콘 단결정 잉곳의 수직 하중이 증가하면 시드(40)의 헤드부(41)와 바디부(42)가 분리될 수 있다. When the vertical load of the silicon single crystal ingot growing under the seed 40 increases, the head part 41 and the body part 42 of the seed 40 may be separated.

실시예에서는 상기 핀(50)이 상기 제1 및 제2 노치(33) 사이에 결합되고 상기 시드(40)의 하중을 분산시킬 수 있다.In an embodiment the pin 50 can be coupled between the first and second notches 33 and distribute the load of the seed 40.

따라서, 상기 시드(40)의 헤드부(41)와 바디부(42)가 분리되는 것을 방지하고, 실리콘 단결정 잉곳이 손상되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the head part 41 and the body part 42 of the seed 40 can be prevented from being separated and the silicon single crystal ingot can be prevented from being damaged.

또한, 상기 핀(50)에 의하여 상기 시드(40)가 상하로 움직이는 것을 최소화하여 상기 시드(40) 자체의 손상을 방지하고, 실리콘 단결정 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있다. In addition, by minimizing the movement of the seed 40 up and down by the pin 50 to prevent damage to the seed 40 itself, it is possible to improve the quality of the silicon single crystal ingot.

또한, 상기 헤드부(41)와 바디부(42)가 분리되더라도 상기 핀(50)이 상기 시드(40)의 바디부(42)를 지지하고 있는 상태이므로, 상기 시드(40)의 하부에 형성된 실리콘 단결정 잉곳의 추락을 방지할 수 있다. In addition, even when the head portion 41 and the body portion 42 are separated, the pin 50 is in a state of supporting the body portion 42 of the seed 40, and thus is formed under the seed 40. The fall of the silicon single crystal ingot can be prevented.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되 는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to these modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

도 1은 실시예에 따른 실리콘 잉곳 지지장치를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a silicon ingot supporting device according to an embodiment.

도 2는 도 1의 시드를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating the seed of FIG. 1.

도 3은 도 1의 시드 척을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating the seed chuck of FIG. 1.

도 4는 도 3에 도시된 시드 척의 정면도이다. 4 is a front view of the seed chuck shown in FIG. 3.

도 5는 실시예에 따른 시드와 시드 척의 결합을 도시한 단면도이다. 5 is a cross-sectional view showing the coupling of the seed and the seed chuck according to the embodiment.

Claims (4)

제1 너비를 가지는 헤드부와, 상기 헤드부에서 연장되고 상기 제1 너비 보다 작은 제2 너비를 가지는 바디부 및 상기 바디부에 형성된 홈 형태의 제1 노치를 포함하는 시드;A seed comprising a head portion having a first width, a body portion extending from the head portion and having a second width less than the first width, and a first notch in the form of a groove formed in the body portion; 상기 시드가 삽입되고 고정되도록 내부에 형성된 관통홀을 포함하고, 상기 관통홀은 상기 헤드부가 안착되는 제1 지지부 및 상기 바디부를 가이드하는 제2 지지부를 포함하는 시드 척; 및A seed chuck including a through hole formed therein to insert and fix the seed, wherein the through hole includes a first support on which the head is seated and a second support on the body; And 상기 바디부의 제1 노치에 삽입되는 핀을 포함하고,A pin inserted into the first notch of the body part, 상기 제1 노치와 대응하는 형태를 가지도록 상기 제1 노치와 대응하는 상기 제2 지지부에 형성된 제2 노치를 포함하고, A second notch formed in the second support portion corresponding to the first notch to have a shape corresponding to the first notch, 상기 제1 노치와 상기 제2 노치를 통해 상기 핀이 상기 시드 척으로 삽입된 구조를 가지는 실리콘 잉곳 지지장치.And the pin is inserted into the seed chuck through the first notch and the second notch. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 노치는 상기 바디부에서 서로 대응하는 면의 양측에 적어도 하나 이상 형성된 실리콘 잉곳 지지장치.And at least one first notch formed on both sides of surfaces corresponding to each other in the body portion. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 노치 및 제2 상기 노치는 반원, 삼각 및 다각형 중 어느 하나로 형 성된 실리콘 잉곳 지지장치. And the first notch and the second notch are formed of any one of a semicircle, a triangle, and a polygon. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 시드 중 어느 한 부분의 폭과 상기 제1 노치의 폭이 이루는 비는 1: 0.1~0.2인 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 지지장치.The ratio between the width of any one of the seeds and the width of the first notch is 1: 0.1 to 0.2, the silicon ingot supporting device.
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