KR20110065736A - 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

태양광 발전장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치의 제조방법은 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 제 1 전극 페이스트 및 제 2 전극 페이스트를 도포하여, 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
롤러, 태양, 전지, 프린팅, 페이스트

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 이면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
또한, 유리기판, 투명 전극층, pin 접합 구조의 실리콘 박막 광 흡수층 및 상대 전극층을 포함하는 실리콘 박막계 태양전지도 널리 사용되고 있다.
실시예는 단락으로 인한 불량을 감소시키고, 제조가 용이한 태양광 발전장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 제 1 전극 페이스트 및 제 2 전극 페이스트를 도포하여, 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 광 흡수층의 상면의 일부를 노출하는 관통홈을 포함하는 제 2 전극층을 포함하며, 상기 광 흡수층의 노출되는 상면의 일부 및 상기 제 2 전극층에 의해서 덮히는 상기 광 흡수층의 노출되지 않는 상면의 다른 일부는 동일한 평면에 배치된다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 기공을 포함하는 제 2 전극층을 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 제 1 전극 페이스트 및 제 2 전극 페이스트를 사용하여, 제 2 전극층을 형성한다. 특히, 제 1 전극 페이스트 및 제 2 전극 페이스트이 서로 이격되어, 제 2 전극층에 관통홈이 형성된다.
즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 레이저 패터닝 공정과 같은 별도의 공정없이도, 제 2 전극층을 다수 개의 제 2 전극들로 구분하기 위한 관통홈을 형성할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 레이저 패터닝 공정 등에 의해서, 제 2 전극층이 녹아 내리는 현상을 발생시키지 않는다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 녹아 내리는 현상에 의한 단락을 방지할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 비용이 많이 소모되는 레이저 패터닝 공정을 사용하지 않고, 제 2 전극층에 관통홈을 형성할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 진공 증착 방식에 비하여 저렴하게, 제 2 전극층을 전극 페이스트를 사용하여 형성한다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 용이하게 태양광 발전장치를 제공할 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극, 홈 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막, 홈 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지 패널을 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다.
도 1을 참조하면, 지지기판(100) 상에 투명 전극층(200)이 형성된다.
상기 지지기판(100)은 투명하며, 절연체이다. 상기 지지기판(100)은 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 투명 전극층(200)은 투명하며, 도전층이다. 상기 투명 전극층(200)이 형성되기 위해서, 상기 지지기판(100) 상에 투명 도전물질이 증착된다. 상기 투명 도전물질의 예로서는 인듐 틴 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드, 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 또는 플루오르 도핑된 틴 옥사이드 등을 들 수 있다.
상기 투명 전극층(200)의 두께는 약 0.01㎛ 내지 약 3㎛ 일 수 있다. 상기 투명 전극층(200)은 증발법, 화학 기상 증착 공정 또는 스퍼터링 공정에 의해서 형성될 수 있다.
이후, 상기 투명 전극층(200)은 레이저 등에 의해서 패터닝된다. 즉, 상기 투명 전극층(200)에 다수 개의 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출시킨다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 제 1 방향으로 연장되며, 서로 나란히 배치된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 서로 등간격으로 이격될 수 있다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 30㎛ 내지 약 60㎛ 일 수 있다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 투명 전극층(200)은 다수 개의 투명 전극들(210, 220...)로 구분된다. 즉, 상기 투명 전극층(200)은 서로 이격되는 상기 투명 전극들(210, 220...)을 포함한다.
도 2를 참조하면, 상기 투명 전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 입사되는 광을 흡수하여, 전기에너지로 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 반도체 화합물 또는 실리콘 박막을 포함할 수 있다.
자세히 설명하면, 상기 광 흡수층(300)은 CIGS계 반도체 화합물층일 수 있다. 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 투명 전극층(200) 사이에는 버퍼층이 개재될 수 있다. 상기 버퍼층은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하며, 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV일 수 있다.
상기 CIGS계 반도체 화합물층은 증발법 또는 스퍼터링 공정에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 전극층(200) 상기 구리, 인듐 및 갈륨이 셀레늄 분위기에서 스퍼터링 공정에 의해서 증착되어, 상기 CIGS계 반도체 화합물이 형성될 수 있다.
또한, 상기 버퍼층 및 상기 투명 전극층(200) 사이에 고저항 버퍼층이 개재될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함할 수 있다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300)은 pin 접합 구조의 실리콘 박막층일 수 있다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 p형 실리콘층, i형 실리콘층 및 n형 실리콘층을 포함할 수 있다.
상기 p형 실리콘층은 상기 투명 전극층(200) 상에 배치된다. 상기 p형 실리콘층은 아몰퍼스 실리콘 또는 실리콘 카바이드에 p형 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
상기 i형 실리콘층은 상기 p형 실리콘층 상에 배치된다. 상기 i형 실리콘층으로 사용되는 물질은 불순물이 도핑되지 않는 아몰퍼스 실리콘이다. 상기 i형 실리콘층은 상기 p형 실리콘층과 상기 n형 실리콘층 사이에서 버퍼 기능을 수행한다.
상기 n형 실리콘층은 상기 i형 실리콘층 상에 배치된다. 상기 n형 실리콘층은 태양광을 입사받아 전자를 생성한다.
상기 n형 실리콘층으로 사용되는 물질은 n형 불순물이 도핑된 아몰퍼스 실리 콘 또는 폴리 실리콘일 수 있다.
여기서, 상기 실리콘 박막층은 상기 투명 전극층(200) 상에 p형 실리콘, 불순물이 도핑되지 않는 실리콘 및 n형 실리콘이 차례로 증착되어 형성될 수 있다.
이후, 상기 광 흡수층(300)은 레이저 등에 의해서 패터닝된다. 이때, 상기 광 흡수층(300)에는 상기 투명 전극층(200)의 상면을 노출하는 다수 개의 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 광 흡수층(300)은 다수 개의 광 흡수부들(310, 320...)로 구분된다. 상기 광 흡수부들(310, 320...)은 서로 이격된다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 광 흡수부들(310, 320...)을 포함한다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 30㎛ 내지 약 60㎛ 일 수 있다. 즉, 상기 광 흡수부들(310, 320...) 사이의 간격은 약 10㎛ 내지 약 100㎛, 더 자세하게, 약 30㎛ 내지 약 60㎛ 일 수 있다.
도 3 내지 도 7을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 이면 전극층(500)이 형성된다.
상기 이면 전극층(500)을 형성하기 위해서, 다수 개의 전극 페이스트들(410, 420...)이 상기 광 흡수층(300) 상에 형성된다. 이때, 상기 전극 페이스트들(410, 420...)은 서로 이격된다. 상기 전극 페이스트들(410, 420...) 사이의 간격(D)은 약 10㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 30㎛ 내지 약 60㎛ 일 수 있다.
상기 전극 페이스트들(410, 420...)을 형성하기 위해서, 먼저 전극 페이스트 조성물이 형성된다. 예를 들어, 상기 전극 페이스트 조성물은 유기 비히클, 무기 바인더 및 도전 입자들이 혼합되어, 혼합물이 형성될 수 있다.
먼저, 바인더 폴리머를 솔벤트에 넣고, 혼합하여, 상기 유기 비히클이 제조된다. 상기 유기 비히클은 소포제 및 분산제를 더 포함할 수 있다.
상기 도전 입자들은 몰리브덴, 알루미늄, 은, 텅스텐, 금, 구리, 금 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전 입자들은 구 형상, 다면체, 기둥 또는 뿔 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 무기 바인더는 PbO-SiO2계, PbO-SiO2-B2O3계, ZnO-SiO2계, ZnO-B2O3-SiO2 계 또는 Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2계 글래스 프릿일 수 있다. 또한, 상기 무기 바인더(420)는 약 1 내지 20 wt%의 비율로 포함될 수 있으며, 약 300 내지 600℃의 연화점을 가진다. 또한, 상기 무기 바인더의 평균 입경은 약 1 내지 10㎛일 수 있다.
상기 유기 비히클은 약 20 내지 69wt%의 비율로 혼합될 수 있다.
이후, 상기 혼합물은 1 내지 12 시간 동안 숙성(aging)되고, 3롤밀(3 roll mill) 또는 플래너터리 밀(planetary mil)에 의해서 기계적으로 2차 혼합된다.
이후, 상기 2차 혼합된 혼합물은 필터링(filtering) 및 탈포 공정을 거치고, 전극 페이스트 조성물이 형성된다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 전극 페이스트 조성물은 다수 개의 롤러들(11, 12...)에 의해서, 상기 광 흡수층(300)에 부착된다. 이때, 상기 롤러들(11, 12...)은 서로 이격된다. 여기서, 상기 롤러들(11, 12...) 사이의 간격은 약 10㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 30㎛ 내지 약 60㎛ 일 수 있다.
상기 롤러들(11, 12...)의 외주면에, 상기 전극 페이스트 조성물이 따로 코팅된다. 이후, 상기 롤러들(11, 12...)은 롤링되고, 상기 전극 페이스트들(410, 420...)이 서로 이격되어, 상기 광 흡수층(300)에 부착된다.
이때, 상기 롤러들(11, 12...)은 상기 제 1 관통홈들(TH1) 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)이 연장되는 방향으로 롤링된다.
또한, 상기 롤러들(11, 12...)은 동일한 회전축으로 동시에 롤링될 수 있다. 또한, 상기 롤러들(11, 12...)은 동일한 직경을 가질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 내측에는 상기 전극 페이스트들(410, 420...)의 일부가 배치되고, 상기 전극 페이스트들(410, 420...)은 상기 투명 전극층(200)의 노출된 상면에 직접 접촉한다. 이후, 상기 프린팅된 전극 페이스트들(410, 420...)은 약 80 내지 200℃에서 건조된다. 즉, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 전극 페이스트들(410, 420...)을 포함하는 전극 페이스트층(400)이 형성된다.
도 6을 참조하면, 상기 건조된 전극 페이스트들(410, 420...)은 약 700 내지 900℃의 온도에서 열처리되어, 소결된다. 이에 따라서, 상기 전극 페이스트들(410, 420...)에 포함된 도전 입자들은 연화되고, 서로 영겨붙는다. 이에 따라서, 상기 광 흡수층(300) 상에 이면 전극층(500)이 형성된다.
상기 이면 전극층(500)은 상기 전극 페이스트들(410, 420...)이 소결되어 형성되기 때문에, 상기 이면 전극층(500)의 내부에 기공들이 형성될 수 있다.
또한, 상기 전극 페이스트들(410, 420...)은 서로 이격되고, 상기 전극 페이스트들(410, 420...)이 소결되어, 다수 개의 이면 전극들(510, 520...)이 형성된다. 이때, 상기 이면 전극들(510, 520...)은 서로 소정의 간격으로 이격되고, 상기 이면 전극층(500)에 다수 개의 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 즉, 상기 이면 전극층(500)은 서로 이격되는 상기 이면 전극들(510, 520...)을 포함한다.
상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 30㎛ 내지 약 60㎛ 일 수 있다.
또한, 상기 이면 전극층(500)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)을 통하여, 상기 투명 전극층(200)과 접속된다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 태양전지 패널은 다수 개의 태양전지 셀들(C1, C2...)을 포함한다. 여기서, 도 7에서의 B-B`선을 따라서 절단한 단면은 도 6과 동일하다.
상기 태양전지 셀들(C1, C2...)은 각각 상기 투명 전극, 상기 광 흡수부 및 상기 이면전극을 포함한다. 즉, 각각의 태양전지 셀은 상기 투명 전극, 상기 광 흡수부 및 상기 이면전극으로 구성된다.
상기 태양전지 셀들(C1, C2...)은 상기 제 1 관통홈들(TH1), 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 구분된다. 또한, 상기 태양전지 셀들(C1, C2...)은 서로 직렬로 연결될 수 있다.
실시예에 따른 태양전지 패널의 제조방법은 상기 전극 페이스트들(410, 420...)을 사용하여, 상기 이면 전극층(500)을 형성한다. 특히, 상기 전극 페이스트들(410, 420...)이 서로 이격된 상태로 상기 광 흡수층(300) 상에 부착되어, 소결되고, 이에 따라서, 상기 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다.
즉, 실시예에 따른 태양전지 패널의 제조방법은 레이저 패터닝 공정과 같은 별도의 공정없이도, 상기 제 3 관통홈들(TH3)을 형성할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널의 제조방법은 레이저 패터닝 공정 등에 의해서, 상기 이면 전극층(500)이 녹아 내리는 현상을 발생시키지 않는다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널은 녹아 내리는 현상에 의한 단락을 방지할 수 있다.
특히, 레이저 패터닝에 의해서, 상기 제 3 관통홈들(TH3)이 형성되는 경우, 상기 광 흡수층(300)에도 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 대응하는 홈들이 형성될 수 있다. 하지만, 본 실시예에서는 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 대응되는 영역의 상기 광 흡수층(300)에는 패턴이 형성되지 않는다.
이에 따라서, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 노출되는 상기 광 흡수층(300)의 상면은 평평하다. 즉, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 노출되는 상기 광 흡수층(300)의 상면은 노출되지 않는 상면과 동일한 평면에 배치된다.
또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 레이저 또는 기계적인 스크라이빙에 의해서 형성되지 않기 때문에, 이상적인 직선 형태로 형성되지 않고, 굴곡을 가질 수 있다. 특히, 제 3 관통홈들(TH3)의 내측면은 레이저 또는 기계적인 스크라이빙에 의해서 형성되지 않기 때문에, 녹아 내린 형상이나, 긁혀진 형태를 가지지 않고, 매끄럽게 형성될 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 이면 전극층(500)은 진공 증착이 아닌 페이스트를 열처리하여 형성되기 때문에, 상기 도전입자들의 형상으로 연화된 도전체 구조물(501) 및 다수 개의 기공들(502)을 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 패널의 제조방법은 비용이 많이 소모되는 레이저 패터닝 공정을 사용하지 않고, 상기 이면 전극층(500)에 상기 제 3 관통홈들(TH3)을 형성할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 패널은 진공 증착 방식에 비하여 저렴하게, 상기 이면 전극층(500)을 상기 전극 페이스트들(410, 420...)을 사용하여 형성한다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널은 용이하게 태양광 발전장치를 제공할 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지 패널을 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 제 1 전극 페이스트 및 제 2 전극 페이스트를 도포하여, 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 페이스트는 제 1 롤러를 사용하여 도포하고, 상기 제 2 전극 페이스트는 제 2 롤러를 사용하여 도포하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 롤러 및 상기 제 2 롤러가 동시에 롤링되어, 상기 제 1 전극 페이스트 및 상기 제 2 전극 페이스트가 도포되는 태양광 발전장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 롤러 및 상기 제 2 롤러는 동일한 회전축을 가지며,
    상기 제 1 롤러 및 상기 제 2 롤러 사이의 간격은 10㎛ 내지 100㎛인 태양광 발전장치의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층에 상기 제 1 전극층의 상면을 노출하는 관통홈을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 전극 페이스트의 일부 또는 상기 제 2 전극 페이스트의 일부는 상기 관통홈에 채워지고, 상기 노출된 제 1 전극층의 상면과 접촉하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 페이스트 및 상기 제 2 전극 페이스트는 서로 이격되며, 상기 제 1 전극 페이스 및 상기 제 2 전극 페이스트 사이의 간격은 10㎛ 내지 100㎛인 태양광 발전장치의 제조방법.
  7. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극층;
    상기 제 1 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 광 흡수층의 상면의 일부를 노출하는 관통홈을 포함하는 제 2 전극층을 포함하며,
    상기 광 흡수층의 노출되는 상면의 일부 및 상기 제 2 전극층에 의해서 덮히는 상기 광 흡수층의 노출되지 않는 상면의 다른 일부는 동일한 평면에 배치되는 태양광 발전장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 기공을 포함하는 태양광 발전장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 관통홈은 일 방향으로 연장되는 형상을 가지며, 상기 관통홈의 폭은 10㎛ 내지 100㎛인 태양광 발전장치.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극층;
    상기 제 1 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되며, 기공을 포함하는 제 2 전극층을 포함하는 태양광 발전장치.
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