KR20110064717A - Transcripting substrate array using thermal transfer process - Google Patents

Transcripting substrate array using thermal transfer process Download PDF

Info

Publication number
KR20110064717A
KR20110064717A KR1020090121426A KR20090121426A KR20110064717A KR 20110064717 A KR20110064717 A KR 20110064717A KR 1020090121426 A KR1020090121426 A KR 1020090121426A KR 20090121426 A KR20090121426 A KR 20090121426A KR 20110064717 A KR20110064717 A KR 20110064717A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
transfer substrate
transfer
substrate
power
Prior art date
Application number
KR1020090121426A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정성구
박홍기
김우찬
김효석
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090121426A priority Critical patent/KR20110064717A/en
Publication of KR20110064717A publication Critical patent/KR20110064717A/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
    • B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
    • B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE: A transfer substrate array using a thermal transfer process is provided to arrange a power electrode far from a location where a substrate is located, thereby preventing bad influences of electrical energy to a substrate to be transferred. CONSTITUTION: Common electrodes(120) are linearly formed on both edges of one side of a substrate(110). Heating patterns(130) contact the common electrodes. A transfer material layer(140) is formed on the substrate on which the heating patterns are formed. A power electrode unit(251) is electrically coupled with the common electrodes to supply electrical energy supplied from a power source to the heating patterns.

Description

열전사를 이용한 전사기판 어레이{TRANSCRIPTING SUBSTRATE ARRAY USING THERMAL TRANSFER PROCESS}Transfer substrate array using thermal transfer {TRANSCRIPTING SUBSTRATE ARRAY USING THERMAL TRANSFER PROCESS}

본 발명은 열전사를 이용한 전사기판 어레이에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer substrate array using thermal transfer.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광장치(Electroluminescence Device) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs"), field emission displays (FEDs), plasma display panels (hereinafter referred to as "PDPs") and electric fields. An electroluminescence device.

PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. TFT LCD(Thin Film Transistor LCD)는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 시야각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며, 이 중 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. PDP is attracting attention as the most advantageous display device for light and small size and large screen because of its simple structure and manufacturing process. TFT Film (Thin Film Transistor LCD) is the most widely used flat panel display device, but has a narrow viewing angle and low response speed. Electroluminescent devices are roughly classified into inorganic light emitting diode display devices and organic light emitting diode display devices according to the material of the light emitting layer. Among them, organic light emitting diode display devices are self-luminous light emitting devices which emit light by themselves. There is a big advantage.

유기발광다이오드 표시장치는 도 1에 도시된 바와 같은 유기발광다이오드(이하, OLED)를 가진다. The organic light emitting diode display has an organic light emitting diode (hereinafter, referred to as OLED) as shown in FIG. 1.

OLED는 전기에너지를 빛에너지로 전환하는 유기전자 소자로서 애노드 전극(ANODE)과 캐소드 전극(CATHODE) 사이에 빛을 내는 유기발광물질이 포함되어 있는 구조로 이루어져 있다. 애노드 전극(ANODE)으로부터는 정공이 주입되며 캐소드 전극(CATHODE)으로부터는 전자가 주입된다. 이들 전극으로부터 주입된 정공과 전자가 빛을 내는 유기발광층(emission layer : EML)물질에 주입되어 여기자인 액시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤은 에너지를 빛으로 방출하면서 발광하게 된다. 이들 전극으로부터 발광층(EML)으로의 정공 및 전자의 주입을 원활하게 하기 위해 발광층발광층(EML)과 애노드 전극 사이에는 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)과 정공주입층(Hole Injection Layer : HIL)이 주입되며, 발광층(EML)과 캐소드 전극 사이에는 전자수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer : EIL)이 일반적으로 도입된다. 정공주입을 원활히 하기 위해 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)은 발광층(EML)과 애노드 전극의 중간에 해당하는 HOMO(highest occupied molecular orbital) 준위를 가져야 하며, 캐소드 전극으로부터 발광층(EML)으로의 전자전달을 원활히 하기 위하여 전자수송층(ETL)과 전자주입층(EIL)은 캐소드 전극과 발광층발광층(EML)의 중간에 해당하는 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 준위를 가져야 한다. 애노드 전극과 캐소드 전극으로부터 주입되는 정공과 전자의 양에 따라 OLED소자에서 나오는 휘도 및 소자의 효율특성이 결정되게 되며, 애노드 전극으로부터 발광층(EML)으로 주입되는 정공과 캐소드 전극으로부터 발광층(EML)으로 주입되는 전자의 양은 유기발광물질의 에너지 준위에 따라 달라지게 된다. OLED is an organic electronic device that converts electrical energy into light energy, and has an organic light emitting material that emits light between an anode electrode (ANODE) and a cathode electrode (CATHODE). Holes are injected from the anode ANODE and electrons are injected from the cathode electrode CATHODE. Holes and electrons injected from these electrodes are injected into an organic emission layer (EML) material that emits light to form excitons, which are excitons, which emit light while emitting energy as light. To facilitate the injection of holes and electrons from these electrodes into the light emitting layer (EML), a hole transport layer (HTL) and a hole injection layer (HIL) are formed between the light emitting layer light emitting layer (EML) and the anode electrode. The electron transport layer (ETL) and the electron injection layer (EIL) are generally introduced between the emission layer EML and the cathode electrode. In order to facilitate the hole injection, the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL) should have the highest occupied molecular orbital (HOMO) level corresponding to the middle of the emission layer (EML) and the anode electrode, and the emission layer (EML) from the cathode electrode. In order to facilitate electron transfer to the electron transport layer (ETL) and the electron injection layer (EIL) should have a lower unoccupied molecular orbital (LUMO) level corresponding to the middle of the cathode electrode and the light emitting layer light emitting layer (EML). The luminance and efficiency of the device are determined by the amount of holes and electrons injected from the anode electrode and the cathode electrode, and the holes and cathode electrodes injected from the anode electrode to the light emitting layer EML from the anode and the cathode to the light emitting layer EML. The amount of electrons to be injected depends on the energy level of the organic light emitting material.

한편, 유기발광다이오드 표시장치는 풀 컬러(Full Color) 구현을 위해, R(적색), G(녹색), 및 B(청색) 화소 각각에서 OLED가 배치될 위치에 발광층(EML)을 형성한다. 발광층(EML)은 화소 별로 패터닝된다. 발광층(EML)을 형성하는 방법으로 미세 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)를 이용하는 방법, 잉크 분사법(ink jet method), 레이저 열 전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI) 등이 알려져 있다. On the other hand, the organic light emitting diode display device forms an emission layer (EML) at a position where the OLED is to be disposed in each of the R (red), G (green), and B (blue) pixels in order to realize full color. The emission layer EML is patterned for each pixel. As a method of forming an emission layer (EML), a method of using a fine metal mask (FMM), an ink jet method, a laser induced thermal imaging (LITI), and the like are known.

FMM 방법은 적색, 녹색, 청색 발광물질을 금속 미세 마스크를 이용하여 각각 화소을 패터닝하여 적색, 녹색 및 청색 화소을 형성하고 있다. 이 방식은 소자의 특성 측면에서 우수한 장점을 가지고 있으나, 마스크의 막힘 현상 등에 의하여 공정 수율이 저하되며, 대형 마스크 개발의 어려움으로 인하여 대형 텔레비전의 적용에는 어려움이 있다. In the FMM method, red, green, and blue light emitting materials are patterned with metal micro masks to form red, green, and blue pixels. This method has excellent advantages in terms of device characteristics, but process yield is lowered due to clogging of masks, and it is difficult to apply large-sized televisions due to the difficulty of developing large-sized masks.

잉크젯 분사법은 선택적 영역에 발광층을 형성할 수 있고, 소재의 손상의 없으므로, 대면적화, 고정세화 및 발광재료의 발광효율이 높다는 장점을 가진다. 그러나 노즐에서 분사되는 잉크의 양, 속도, 분사각도의 균일도 등을 정밀하게 조절할 수 있어야 하고, 저가의 대면적화를 위해서는 고속 젯팅이 필요한 잉크젯 헤드의 개발과 헤드수의 증가가 필요하다. 또한, 화소 내에서 균일한 발광을 확보하기 위해 박막의 품질과 두께가 균일하게 형성되어야 하나, 잉크방울의 건조과정에서 박막 주위가 두껍게 되는 커피 스테인 효과(coffee stain effect)에 의해 주변부가 두꺼워지는 현상이 있다. The inkjet spraying method can form a light emitting layer in a selective region, and there is no damage to the material, and thus has an advantage of large area, high definition, and high luminous efficiency of the light emitting material. However, it is necessary to precisely control the amount, speed, and evenness of the ejection angle of the ink ejected from the nozzle, and to develop a low cost large area, it is necessary to develop an inkjet head requiring high speed jetting and increase the number of heads. In addition, the quality and thickness of the thin film must be uniformly formed to ensure uniform light emission in the pixel, but the peripheral portion becomes thick due to the coffee stain effect that becomes thick around the thin film during the drying process of the ink droplets. There is this.

레이저 열 전사법은 유기발광패턴, 광열 변환층 및 지지필름으로 형성된 전사기판에 레이저 등의 광원을 조사하여 전사필름 상의 유기발광패턴을 기판 상에 전사시켜 발광층을 형성하는 방법이다. 이를 보다 구체적으로 설명하면, 레이저 열 전사법에서는 적, 녹, 청색의 유기발광패턴을 구비한 전사필름을 블랙매트릭스가 형성된 기판 상에 위치시킨 후, 기판과 전사필름을 얼라인 및 합착시킨다. 다음으로 전사필름이 밀착된 기판을 레이저 발생장치의 스테이지 위에 위치시킨 후, 스테이지 또는 레이저 헤드를 기판의 일단부에서 타단부로 이동시키면서 레이저 스캔을 진행한다. 따라서, 레이저 광이 전사필름의 적, 녹, 청색의 유기발광패턴에 순차적으로 조사되어 적, 녹, 청색의 유기발광패턴이 순차적으로 기판 상의 각 화소 영역에 전사된다. The laser thermal transfer method is a method of forming a light emitting layer by transferring an organic light emitting pattern on a transfer film onto a substrate by irradiating a light source such as a laser to a transfer substrate formed of an organic light emitting pattern, a photothermal conversion layer and a support film. In more detail, in the laser thermal transfer method, a transfer film having red, green, and blue organic light emitting patterns is placed on a substrate on which a black matrix is formed, and then the substrate and the transfer film are aligned and bonded. Next, after placing the substrate in which the transfer film is in close contact with the stage of the laser generator, laser scanning is performed while moving the stage or the laser head from one end of the substrate to the other end. Therefore, the laser light is sequentially irradiated on the red, green, and blue organic light emitting patterns of the transfer film, and the red, green, and blue organic light emitting patterns are sequentially transferred to each pixel area on the substrate.

이와 같이 레이저 열 전사법을 이용하여 기판 상에 유기발광층을 형성하는 경우, 적, 녹, 청색에 해당하는 각각의 전사필름을 기판 상에 부착시키고, 스캔방식으로 레이저를 조사한 다음 전사필름을 제거하는 일련의 공정을 반복하여 적, 녹, 청색의 유기발광층을 기판 상에 형성하고 있다. 따라서, 반복적인 제조공정에 의해 공정시간이 길어지고 복잡해지는 문제점이 있다. 또한, 적, 녹, 청색의 각 전사필름을 기판 상에 부착하고 제거하는 과정에서 마이크로 버블로 인한 패턴불량이 발생하기도 하며, 반복적인 레이저광의 온, 오프 및 전사필름 부착, 제거공정에 의해 유기발광층의 에지가 거칠어지는 등의 문제가 발생한다. When the organic light emitting layer is formed on the substrate using the laser thermal transfer method as described above, each transfer film corresponding to red, green, and blue is deposited on the substrate, and the laser is irradiated by a scanning method to remove the transfer film. A series of steps are repeated to form red, green and blue organic light emitting layers on the substrate. Therefore, there is a problem that the process time becomes long and complicated by the repetitive manufacturing process. In addition, in the process of attaching and removing the red, green, and blue transfer films on the substrate, pattern defects may occur due to micro bubbles, and the organic light emitting layer may be formed by repeatedly turning on, off, and transferring and removing the transfer film. Problems such as roughening of edges occur.

따라서, 본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해소하여, 비교적 간단한 공정으로 유기발광층을 형성하는데 적합한 열 전사를 이용한 전사기판 어레이를 제공하는 것에 있다. Accordingly, it is an object of the present invention to solve the above problems and to provide a transfer substrate array using thermal transfer suitable for forming an organic light emitting layer in a relatively simple process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 전사기판 어레이는,기판; 상기 기판의 일면 상에서 양측 가장자리를 따라 선형으로 형성되는 공통전극들; 상기 기판 상의 공통전극들 사이에서 상기 공통전극들과 접촉하도록 상기 공통전극들에 대해 일정 각도로 나란하게 형성되는 발열패턴들; 상기 발열패턴들이 형성된 상기 기판 상에 형성되는 전사재료층; 및 상기 공통전극들과 전기적으로 결합하여 상기 발열패턴들에 전원으로부터 공급되는 전기 에너지를 공급하는 전원전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the transfer substrate array according to an embodiment of the present invention, the substrate; Common electrodes formed linearly along both edges on one surface of the substrate; Heating patterns formed to be parallel to the common electrodes at a predetermined angle to contact the common electrodes between the common electrodes on the substrate; A transfer material layer formed on the substrate on which the heating patterns are formed; And a power electrode unit electrically coupled to the common electrodes to supply electrical energy supplied from a power source to the heating patterns.

상기 구성에서, 전원 전극부는 상기 공통전극과 전기적으로 접속되는 제 1 전극과 상기 전원에 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 구비하는 전원전극; 및 상기 전원전극을 내부에 수용하여 상기 제 1 및 제 2 전극을 제외한 다른 부분이 노출되지 않도록 전기적으로 절연하는 실드부를 포함하도록 구성한다.In the above configuration, the power supply electrode unit includes a power supply electrode having a first electrode electrically connected to the common electrode and a second electrode electrically connected to the power source; And a shield unit which accommodates the power electrode therein and electrically insulates the other parts except the first and second electrodes from being exposed.

또한, 전원전극부는 상기 실드부에 형성된 공간부에 수용되어 전원전극에 탄성력을 인가하여 상기 전원전극이 상기 공통전극과 밀착되도록 하는 전원전극 가압부를 더 구비하도록 구성한다. In addition, the power electrode unit is accommodated in the space portion formed in the shield portion is configured to further include a power electrode pressing unit for applying the elastic force to the power electrode so that the power electrode is in close contact with the common electrode.

또한, 제 2 전극은 상기 실드부의 상면 및 측면 중의 어느 한 면을 통해 외부로 노출되도록 형성할 수 있다.In addition, the second electrode may be formed to be exposed to the outside through any one of the upper surface and the side surface of the shield.

또한, 실드부는 피전사 기판과 결합될 때 상하 및 좌우로 요동되는 것을 방지할 수 있도록 그 상부에 전사기판 어레이의 내측으로 연장된 제 1 연장부를 구비하는 것이 바람직하다.In addition, the shield portion preferably includes a first extension portion extending inwardly of the transfer substrate array so that the shield portion is prevented from swinging up and down and left and right when combined with the transfer substrate.

또한, 실드부는 상기 전사기판의 측면과 결합하도록 하부로 연장되는 제 2 연장부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.In addition, the shield portion further comprises a second extending portion extending downward to engage with the side of the transfer substrate.

또한, 실드부는 상기 전사기판의 측면과 하면을 감싸서 수용도록 형성되는 셔틀부를 더 포함하도록 구성할 수 있다. In addition, the shield portion may be configured to further include a shuttle portion formed to surround the side and the lower surface of the transfer substrate.

또한, 전사기판 어레이는 전사기판 하부에 배치되어 상기 전사기판을 지지하기 위한 스테이지를 더 포함하며, 이 경우 실드부는 상기 전사기판의 측면과 상기 스테이지의 측면을 따라 연장되며, 상기 스테이지의 하면과 결합하는 클램프부를 더 구비하도록 구성한다. The transfer substrate array may further include a stage disposed under the transfer substrate to support the transfer substrate, in which case the shield part extends along the side of the transfer substrate and the side of the stage and is coupled to the bottom surface of the stage. It is configured to further include a clamp portion.

또한, 전원전극의 제 2 전극은 상기 스테이지쪽으로 연장된 상기 실드부의 하면을 통해 노출되도록 구성하는 것도 가능하다. In addition, the second electrode of the power supply electrode may be configured to be exposed through the lower surface of the shield portion extending toward the stage.

본 발명의 실시예에 따른 전사기판 어레이에 의하면, 전원전극이 피전사 기판이 위치되는 곳으로부터 멀리 떨어지도록 배치되므로 전사공정시 전원으로부터 공급되는 전기 에너지에 의해 피전사 기판에 악영향을 미치는 것을 사전에 방지할 수 있다. According to the transfer substrate array according to the embodiment of the present invention, since the power electrode is arranged to be far from the position where the transfer substrate is located, the transfer substrate array may adversely affect the transfer substrate by the electrical energy supplied from the power source during the transfer process. It can prevent.

또한, 실드부에 의해 피전사 기판이 유동되지 않게 견고하게 유지될 수 있으므로 공정의 안정성이 확보되고, 전원전극 가압부에 의해 전원전극과 공통전극의 전기적 접촉이 보다 확실하게 보증되므로 전기적 저항이 감소되고 아크나 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In addition, since the shielded part can be firmly maintained to prevent the transfer substrate from flowing, the stability of the process is secured, and the electrical resistance is reduced because the electrical contact between the power electrode and the common electrode is more reliably ensured by the power electrode pressurizing part. It is possible to prevent the occurrence of arcs and discharges.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 전사기판 어레이를 이용하면 유기전계발광장치의 TFT 기판에 유기발광층을 효과적으로 형성할 수 있어 고품위의 표시장치를 얻을 수 있게 되는 효과가 있다. Therefore, the use of the transfer substrate array according to the embodiment of the present invention can effectively form the organic light emitting layer on the TFT substrate of the organic light emitting display device, thereby providing a high quality display device.

이하, 도 2 내지 도 11c를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 11C. Like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 전사기판 어레이의 I-I'선을 따라 취한 단면도이다. 도 2에서는 전사기판 어레의 구조를 용이하게 이해할 수 있도록 설명의 편의상 전사재료층의 구성을 도시하지 않았다. 본 실시예에서 전사 재료층은 전사기판(110)의 노출된 부분과 공통전극들(120)의 상부에 형성되는 것으로 설명한다. FIG. 2 is a plan view illustrating a transfer substrate array according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the transfer substrate array illustrated in FIG. 2. In FIG. 2, the configuration of the transfer material layer is not illustrated for convenience of description so that the structure of the transfer substrate array may be easily understood. In the present exemplary embodiment, the transfer material layer is formed on the exposed portion of the transfer substrate 110 and on the common electrodes 120.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이(100)는 전사기판(110)과, 전사기판(110)의 일면 상에서 양측 가장자리를 따라 스트라이프 형태로 형성되는 공통전극들(120)과, 상기 전사기판(110) 상의 공통전극들(120) 사이에서 일정 간격으로 공통전극들(120)에 대하여 일정 각도로(바람직하게는 수직으로) 나란하게 형성되는 스트라이프 형태의 발열패턴들(130)과, 상기 발열패턴들이 형성된 전사기판(110) 상에 형성되는 전사재료층(140)과, 외부전원(170)과 전기적으로 접속되며, 상기 공통전극들(120)과 전기적으로 결합하여 상기 발열패턴들(130)에 전류를 공급하는 전원전극부(150)를 포함한다.1 and 2, the transfer substrate array 100 according to the first embodiment of the present invention is formed in a stripe shape along both edges of the transfer substrate 110 and one surface of the transfer substrate 110. A stripe shape is formed side by side at a predetermined angle (preferably vertically) with respect to the common electrodes 120 at regular intervals between the electrodes 120 and the common electrodes 120 on the transfer substrate 110. The heating patterns 130, the transfer material layer 140 formed on the transfer substrate 110 on which the heating patterns are formed, are electrically connected to the external power source 170, and electrically connected to the common electrodes 120. And a power electrode unit 150 for supplying current to the heating patterns 130 by coupling to each other.

전사기판(110)은 열에 의해 잘 휘지 않도록 열 팽창계수가 작고 열에 강한 재질이 바람직하며, 예컨대 유리 또는 수정(quartz) 재질을 포함할 수 있다. 전사기판(110)이 두꺼워질수록 발열패턴들(130)이 차지하는 면적보다 큰 영역이 가열되므로 전사기판(110)의 두께를 정함에 있어 발열패턴들(130)의 선폭과 전사기판(110)의 열전도율을 고려해야 한다. 전사기판(100)의 두께는 얇을수록 바람직하다.  The transfer substrate 110 is preferably made of a material having a low coefficient of thermal expansion and heat resistance so as not to be bent by heat, and may include, for example, glass or quartz material. As the transfer substrate 110 becomes thicker, an area larger than the area occupied by the heating patterns 130 is heated, so that the line widths of the heating patterns 130 and the line width of the transfer substrate 110 are determined in determining the thickness of the transfer substrate 110. Thermal conductivity must be taken into account. The thinner the transfer substrate 100 is, the better.

발열패턴들(130)은 전사기판(110)의 일면 상에 형성되며, 외부 전원에 접속된 전원전극부(150)로부터 공통전극들(120)을 통해 인가되는 전기적 에너지를 열 에너지로 변환한다. 발열패턴들(130)은 Ag, Au, Al, Cu, Mo, Pt, Ti, W, Ta 중의 어느 하나 또는 이들 중 둘 이상의 물질을 조합하여 형성한다. 발열패턴들(130)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 전자빔(E-Beam) 공정 및 전해/무전해 도금 공정 중 어느 하나의 방법으로 상기 금속 또는 합 금을 전사기판(110)의 일면 상에 전면 증착한 후, 전면 증착된 물질을 포토리소그래피(Photolithograph) 공정과 습식식각(Wet Etching) 공정 또는 건식식각(Dry Etching)을 통해 패터닝함으로써 얻어진다. 발열패턴들(130)은 전사재료층(140)이 전사되는 피 전사기판의 대상 화소 위치에 맞추어 적절하게 배치된다. The heating patterns 130 are formed on one surface of the transfer substrate 110, and convert electrical energy applied through the common electrodes 120 from the power electrode unit 150 connected to the external power source into thermal energy. The heating patterns 130 are formed by combining any one of Ag, Au, Al, Cu, Mo, Pt, Ti, W, Ta, or two or more of these materials. The heating patterns 130 may transfer the metal or alloy to the transfer substrate by any one of a chemical vapor deposition (CVD) process, a sputtering process, an electron beam (E-Beam) process, and an electrolytic / electroless plating process. After surface deposition on one side of 110, the surface deposited material is obtained by patterning through a photolithograph process, a wet etching process or a dry etching process. The heating patterns 130 are appropriately disposed in accordance with the target pixel position of the transfer substrate on which the transfer material layer 140 is transferred.

전사재료층(140)은 전사기판(110)의 제 1 면 상에 형성되어, 전사기판(110)을 통해 공급되는 열 에너지에 의해 피 전사기판 어레이(도시생략)로 전사됨으로써 대상 화소들에 발광층을 형성한다. 전사재료층(140)은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 유기발광재료 중 어느 하나를 포함하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 다른 색의 유기발광재료로 형성할 수도 있다. 또한, 본 실시예에서는 전사재료층(140)은 열 증착(Thermal Evaporation) 공정 등을 통해 전사기판(110)의 일면 상에 전면적으로 형성되는 것으로 설명하였으나, 발열패턴들(130)의 상부에만 형성할 수도 있으며, 필요에 따라 적절한 위치에 형성할 수 있다.The transfer material layer 140 is formed on the first surface of the transfer substrate 110, and is transferred to an array of transfer substrates (not shown) by thermal energy supplied through the transfer substrate 110, thereby emitting light to the target pixels. To form. The transfer material layer 140 may include any one of red (R), green (G), and blue (B) organic light emitting materials, but the present invention is not limited thereto. It may be formed. In addition, in the present exemplary embodiment, the transfer material layer 140 has been described as being entirely formed on one surface of the transfer substrate 110 through a thermal evaporation process. However, only the upper portion of the heating patterns 130 may be formed. In addition, it can form in an appropriate position as needed.

전원전극부(150)는 공통전극(120)과 접촉하는 전원전극(151)과 이 전원전극(151)의 일단부만 노출되도록 전체 외부를 감싸도록 형성되는 실드부(153)를 포함한다. 전원전극(150)은 공통전극(120)과 동일한 재료를 이용하여 형성하며, 전기저항이 작은 저저항 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 전원전극(150)은 외부 전원으로부터의 공급되는 전류를 공통전극(120)에 공급하고, 공통전극(120)은 이 전류를 발열패턴들(130)에 공급한다. 이에 따라 발열패턴들(130)에서는 주울열이 발생하며 이 주울열에 의해 발열패턴들(130) 상부에 형성된 전사재료층(140)이 승화하고, 승화된 전사재료층(140)은 근접하게 위치한 피전사 기판에 전사된다. 따 라서, 전사기판(110)에 전기에너지가 공급되는 중에 피전사 기판과 높은 전기에너지를 공급하는 전원전극(151)이 서로 매우 근접한 거리에 위치할 수 밖에 없다. 이와 같이 전원전극(151)과 피전사 기판이 근접 배치되는 경우, 전원전극(151)에 공급된 전기 에너지가 피전사 기판에 전달되어 피전사 기판이 손상될 수 있다. 높은 전기 에너지에 의한 피전사 기판의 손상을 방지하기 위해서는 전원전극(151)을 전기적으로 차폐시킬 필요가 있다. 실드부(153)는 외부 전원과 접속되는 전원전극(151)의 일단부 및 공통전극(120)과 접촉되는 일단부는 노출되지만 다른 부분은 외부에 노출되지 않도록 전원전극(151)의 외부를 감싸도록 형성된다. 제 1 실시예에서, 전원전극(151)은 선형으로 형성되며, 실드부(153)는 선형 전원전극(151)을 수용하도록 형성되며 공통전극(120)의 상부에 수직으로 형성된다. 또한, 실드부(153)는 전사 공정시 피전사 기판과 근접한 쪽이 그렇지 않은 쪽보다 더 두껍게 형성된다. The power electrode unit 150 includes a power electrode 151 in contact with the common electrode 120 and a shield unit 153 formed to surround the entire outside so that only one end of the power electrode 151 is exposed. The power supply electrode 150 is formed using the same material as the common electrode 120, and it is preferable to use a low resistance material having a small electric resistance. The power electrode 150 supplies a current supplied from an external power source to the common electrode 120, and the common electrode 120 supplies this current to the heating patterns 130. Accordingly, Joule heat is generated in the heating patterns 130, and the transfer material layer 140 formed on the heating patterns 130 is sublimated by the joule heat, and the sublimed transfer material layer 140 is located close to the blood. It is transferred to a transfer substrate. Therefore, while the electrical energy is supplied to the transfer substrate 110, the transfer substrate and the power electrode 151 for supplying high electrical energy are inevitably positioned at close distances to each other. As such, when the power electrode 151 and the transfer substrate are disposed in close proximity, electrical energy supplied to the power electrode 151 may be transferred to the transfer substrate to damage the transfer substrate. In order to prevent damage to the transfer substrate due to high electrical energy, it is necessary to electrically shield the power electrode 151. The shield part 153 may surround one end of the power electrode 151 connected to the external power source and one end contacting the common electrode 120 to surround the outside of the power electrode 151 so that the other part is not exposed to the outside. Is formed. In the first embodiment, the power supply electrode 151 is formed in a linear shape, and the shield portion 153 is formed to accommodate the linear power supply electrode 151 and is formed vertically on the common electrode 120. In addition, the shield portion 153 is formed closer to the transfer substrate in the transfer process than the other side is thicker.

이와 같은 구성에 따르면, 전사공정시 실드부(153) 내측에 배치될 피전사 기판이 실드부(153)에 의해 전원전극(151)과 접촉되는 것이 방지되므로 외부전원으로부터 공급되는 전기 에너지가 피전사 기판에 영향을 미칠 위험성이 제거된다. 또한, 실드부(153)를 피전사 기판의 높이보다 높게 형성하면, 피전사 기판의 좌우 이동이 방지되어 보다 안정된 상태에서 전사공정이 이루어지게 되므로, 피전사 기판에 양호한 품질의 발광층을 형성할 수 있게 된다. According to this configuration, since the transfer substrate to be disposed inside the shield portion 153 is prevented from contacting the power electrode 151 by the shield portion 153 during the transfer process, electrical energy supplied from an external power source is transferred. The risk of affecting the substrate is eliminated. In addition, when the shield portion 153 is formed higher than the height of the transfer substrate, the transfer process is performed in a more stable state by preventing the left and right movement of the transfer substrate, thereby forming a light emitting layer having a good quality on the transfer substrate. Will be.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전사기판 어레이(200)를 도시한 단면도이다. 도 4의 제 2 실시예에 따른 전사기판 어레이(200)는 도 3의 제 1 실시예 에 따른 전사기판 어레이(100)와 대비하여 전원 전극부의 구성이 다른 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 중복된 구성요소에 대해서는 그 설명을 생략한다. 4 is a cross-sectional view illustrating the transfer substrate array 200 according to the second embodiment of the present invention. The transfer board array 200 according to the second embodiment of FIG. 4 has the same components except that the power electrode unit is different from the transfer substrate array 100 according to the first embodiment of FIG. 3. Do. Therefore, the description of the duplicated components will be omitted.

제 2 실시예에 따른 전사기판 어레이(200)의 전원전극부(250)는 전원전극(251)과 전원전극(251)을 수용하며 그 외부를 감싸도록 형성되는 실드부(253)을 구비한다. 전원전극(251)은 공통전극(120)과 접촉하는 제 1 전극부(251a)와, 외부전원과 접속되는 제 2 전극부(251c)와, 제 1 전극부(251a)와 제 2 전극부(251c)를 연결하는 연결부(251b)를 포함한다. 제 1 및 제 2 전극부(251a, 251c)와 연결부(251b)는 상호 간의 접속에 의한 전기적 저항이 발생하지 않도록 일체로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 전극부(251a)는 전기 에너지의 공급이 원할해 지도록 하부의 단면적이 제 1 연결부(251b)의 단면적 보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 전극부(251c)는 실드부(253)의 상면을 통해 노출되지 않고, 측면을 통해 노출되도록 연결부(251b)로부터 외측으로 절곡되어 형성된다. 이와 같은 구성에 따라, 제 2전극(251c)이 피전사 기판으로부터 먼쪽에 형성되기 때문에 전사공정에서 외부전원으로부터 공급되는 전기 에너지가 피전사 기판에 영향을 미칠 위험성이 사라진다. The power electrode unit 250 of the transfer substrate array 200 according to the second embodiment includes a shield unit 253 formed to receive the power electrode 251 and the power electrode 251 and surround the outside thereof. The power electrode 251 includes a first electrode part 251a in contact with the common electrode 120, a second electrode part 251c connected to an external power source, a first electrode part 251a, and a second electrode part ( And a connection part 251b for connecting 251c. It is preferable that the first and second electrode portions 251a and 251c and the connection portion 251b are integrally formed so as not to generate an electrical resistance due to the mutual connection. In addition, the first electrode portion 251a may be formed such that its lower cross-sectional area is wider than that of the first connection portion 251b so that the supply of electrical energy is smooth. In addition, the second electrode part 251 c is not bent through the upper surface of the shield part 253, but is bent outward from the connection part 251 b to be exposed through the side surface. According to such a configuration, since the second electrode 251c is formed away from the substrate to be transferred, there is no risk of the electrical energy supplied from an external power source affecting the substrate to be transferred in the transfer process.

도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전사기판 어레이(300)를 도시한 단면도이다. 도 5의 제 3 실시예에 따른 전사기판 어레이(300)는 도 4의 제 2 실시예에 따른 전사기판 어레이(200)와 대비하여 전원 전극부(350)의 구성이 다른 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 중복된 구성요소에 대해서는 그 설 명을 생략한다. 5 is a cross-sectional view illustrating the transfer substrate array 300 according to the third embodiment of the present invention. The transfer substrate array 300 according to the third embodiment of FIG. 5 is different from the transfer substrate array 200 according to the second embodiment of FIG. 4 except that the configuration of the power electrode unit 350 is different. The components are identical. Therefore, the description is omitted for duplicate components.

제 3 실시예에 따른 전사기판 어레이(300)의 전원전극부(350)는 전원전극(351)과, 전원전극(351)을 수용하며 그 외부를 감싸도록 형성되는 실드부(353)를 구비한다. 전원전극(351)은 공통전극(120)과 접촉하는 제 1 전극부(351a)와, 외부전원과 접속되는 제 2 전극부(351c)와, 제 1 전극부(351a)와 제 2 전극부(251c)를 연결하는 연결부(351b)를 포함한다. 제 1 및 제 2 전극부(351a, 351c)와 연결부(351b)는 상호 간의 접속에 의한 전기적 저항이 발생하지 않도록 일체로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 전극부(351a)는 전기 에너지의 공급이 원할해 지도록 하부의 단면적이 연결부(351b)의 단면적 보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 전극(351c)은 실드부(353)의 상면을 통해 노출되지 않고, 측면을 통해 노출되도록 연결부(351b)로부터 외측으로 절곡되어 형성된다. 실드부(353)는 전원전극(353)을 수용하는 본체부(353a)와 본체부(353a)의 상부에서 내측으로 연장된 돌출부(353b)를 포함한다. The power electrode unit 350 of the transfer substrate array 300 according to the third embodiment includes a power electrode 351 and a shield unit 353 formed to receive the power electrode 351 and surround the outside thereof. . The power electrode 351 includes a first electrode portion 351a in contact with the common electrode 120, a second electrode portion 351c connected to an external power source, a first electrode portion 351a, and a second electrode portion ( And a connecting portion 351b for connecting 251c. It is preferable that the first and second electrode portions 351a and 351c and the connecting portion 351b are integrally formed so as not to generate an electrical resistance due to the mutual connection. In addition, the first electrode portion 351a may be formed such that its lower cross-sectional area is wider than that of the connecting portion 351b so that the supply of electrical energy is smooth. In addition, the second electrode 351c is bent outward from the connecting portion 351b so as not to be exposed through the upper surface of the shield portion 353 but to be exposed through the side surface. The shield portion 353 includes a main body portion 353a for receiving the power electrode 353 and a protrusion 353b extending inwardly from an upper portion of the main body portion 353a.

이와 같은 구성에 따르면, 실드부(353)의 돌출부(353b)에 의해 전사공정시 결합되는 피전사 기판이 좌우방향 뿐 아니라 상하방향으로도 유동되지 않게 견고하게 유지시킬 수 있으므로 작업 안전성이 확보되어 피전사 기판에 양호한 품질의 발광층을 형성할 수 있게 된다. 또한, 제 2전극(351c)이 전사공정시 실드부(353) 내측에 배치될 피전사 기판으로부터 먼쪽에 형성되기 때문에 전사공정에서 외부전원으로부터 공급되는 전기 에너지가 피전사 기판에 영향을 미칠 위험성이 제거된다. According to such a configuration, the transfer substrate joined in the transfer process by the protrusion 353b of the shield 353 can be firmly maintained so as not to flow not only in the left and right directions but also in the up and down directions, thereby ensuring work safety. It is possible to form a light emitting layer of good quality on the transfer substrate. In addition, since the second electrode 351c is formed away from the transfer substrate to be disposed inside the shield 353 during the transfer process, there is a risk that the electric energy supplied from an external power source will affect the transfer substrate in the transfer process. Removed.

도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 전사기판 어레이(400)를 도시한 단면 도이다. 도 6의 제 4 실시예에 따른 전사기판 어레이(400)는 도 5의 제 3 실시예에 따른 전사기판 어레이(300)와 대비하여 전원 전극(450)부의 구성이 다른 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 중복된 구성요소에 대해서는 그 설명을 생략한다. 6 is a cross-sectional view showing a transfer substrate array 400 according to a fourth embodiment of the present invention. The transfer board array 400 according to the fourth embodiment of FIG. 6 has a different configuration than that of the power electrode 450 in comparison with the transfer board array 300 according to the third embodiment of FIG. 5. The elements are identical. Therefore, the description of the duplicated components will be omitted.

제 4 실시예에 따른 전사기판 어레이(400)의 전원전극부(450)는 전원전극(451)과, 전원전극(451)을 수용하며 그 외부를 감싸도록 형성되는 실드부(453)와, 실드부(453)의 상측에 형성된 공간부에 삽입되어 전원전극(451)을 공통전극(120)을 향해 탄성력을 가해주는 전원전극 가압부(460)를 구비한다. 전원전극(451)은 공통전극(120)과 접촉하는 제 1 전극부(451a)와, 외부전원과 접속되는 제 2 전극부(451c)와, 제 1 전극부(451a)와 제 2 전극부(451c)를 연결하는 연결부(451b)를 포함한다. 제 1 및 제 2 전극부(451a, 451c)와 연결부(451b)는 상호 간의 접속에 의한 전기적 저항이 발생하지 않도록 일체로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 전극부(451a)는 전기 에너지의 공급이 원할해 지도록 하부의 단면적이 연결부(451b)의 단면적 보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 전극(451c)은 실드부(453)의 상면을 통해 노출되지 않고, 측면을 통해 노출되도록 연결부(451b)로부터 외측으로 절곡되어 형성된다. 실드부(453)는 전원전극(453)을 수용하는 본체부(453a)와, 본체부(453a)의 상부에서 내측으로 연장된 돌출부(453b)와, 전원전극(451)의 상부에 형성되어 전원전극 가압부(460)를 수용하는 공간부(453c)를 포함한다. 전원전극 가압부(460)로는 스프링 등이 이용되며, 전원전극(451)의 상부에서 공통전극(120)을 향해 전원전극(451)에 탄성력을 인가한다. 따라서, 전원전극(451)과 공통전극(120)의 전기적 접촉이 보다 확실해져 전원전극(451)과 공통전극(120) 사이의 접촉저항이 감축될 뿐 아니라 아크나 방전이 발생하지 않도록 해준다.The power electrode unit 450 of the transfer substrate array 400 according to the fourth embodiment includes a power electrode 451, a shield unit 453 formed to receive the power electrode 451 and surround the outside thereof, and a shield. And a power electrode pressurizing portion 460 inserted into a space formed above the portion 453 to apply an elastic force to the common electrode 120. The power electrode 451 includes a first electrode portion 451a in contact with the common electrode 120, a second electrode portion 451c connected to an external power source, a first electrode portion 451a, and a second electrode portion ( And a connection part 451b for connecting 451c. It is preferable that the first and second electrode portions 451a and 451c and the connection portion 451b are integrally formed so as not to generate an electrical resistance due to the mutual connection. In addition, the first electrode portion 451a is preferably formed such that its lower cross-sectional area is wider than that of the connecting portion 451b so as to supply electric energy smoothly. In addition, the second electrode 451c is bent outwardly from the connecting portion 451b so as not to be exposed through the top surface of the shield portion 453 but to be exposed through the side surface. The shield portion 453 is formed on the main body portion 453a for accommodating the power supply electrode 453, a protrusion 453b extending inwardly from the upper portion of the main body portion 453a, and formed on the power supply electrode 451. And a space portion 453c for receiving the electrode pressing portion 460. A spring or the like is used as the power electrode pressing unit 460, and an elastic force is applied to the power electrode 451 from the top of the power electrode 451 toward the common electrode 120. Therefore, the electrical contact between the power supply electrode 451 and the common electrode 120 becomes more secure, thereby reducing the contact resistance between the power supply electrode 451 and the common electrode 120 and preventing arcing or discharge.

이와 같은 구성에 따라, 실드부(453)의 돌출부(453b)에 의해 전사공정시 결합되는 피전사 기판이 유동되지 않게 견고하게 유지시킬 수 있고, 전원전극 가압부(460)에 의해 전원전극(451)과 공통전극(120)의 전기적 접촉이 안전하게 확보되므로 작업성이 개선되어 피전사 기판에 양호한 품질의 발광층을 형성할 수 있게 된다. 또한, 제 2전극(451c)이 전사공정시 실드부(453) 내측에 배치될 피전사 기판으로부터 먼쪽에 형성되기 때문에 전사공정에서 외부전원으로부터 공급되는 전기 에너지가 피전사 기판에 영향을 미칠 위험성이 제거된다. According to such a configuration, the projected portion 453b of the shield portion 453 can be firmly maintained so that the transfer substrate to be bonded during the transfer process can not be flown, and the power electrode 451 is provided by the power electrode pressing portion 460. ) And the electrical contact between the common electrode 120 is securely secured, thereby improving workability and forming a light emitting layer of good quality on the substrate to be transferred. In addition, since the second electrode 451c is formed away from the transfer substrate to be placed inside the shield portion 453 during the transfer process, there is a risk that the electrical energy supplied from an external power source will affect the transfer substrate in the transfer process. Removed.

도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 전사기판 어레이(500)를 도시한 단면도이다. 도 7의 제 5 실시예에 따른 전사기판 어레이(500)는 도 3의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이(100)와 대비하여 전원 전극(550)부의 구성이 다른 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 중복된 구성요소에 대해서는 그 설명을 생략한다. 7 is a cross-sectional view illustrating a transfer substrate array 500 according to a fifth embodiment of the present invention. The transfer substrate array 500 according to the fifth embodiment of FIG. 7 is different from the transfer substrate array 100 according to the first embodiment of FIG. 3 except for the configuration of the power electrode 550 part. The elements are identical. Therefore, the description of the duplicated components will be omitted.

제 5 실시예에 따른 전사기판 어레이(500)의 전원전극부(550)는 전원전극(551)과, 전원전극(551)을 수용하며 그 외부를 감싸도록 형성되는 실드부(553)와, 실드부(553)의 상측에 형성된 공간부(553b)에 삽입되어 전원전극(551)을 공통전극(120)을 향해 탄성력을 가해주는 전원전극 가압부(560)를 구비한다. 여기에서, 전원전극(551)의 선형이며 공통전극(120)과 수평방향으로 배치되어 그 일단부 가 전사기판 어레이(500)의 외측면으로 노출되도록 형성된다. The power electrode unit 550 of the transfer substrate array 500 according to the fifth embodiment includes a power electrode 551, a shield unit 553 formed to receive the power electrode 551 and surround the outside thereof, and a shield. And a power electrode pressurizing portion 560 inserted into the space portion 553b formed above the portion 553 to apply an elastic force to the common electrode 120. Here, the power electrode 551 is linear and disposed in a horizontal direction with the common electrode 120 so that one end thereof is exposed to the outer surface of the transfer substrate array 500.

이와 같은 구성에 따르면, 전원전극 가압부(560)에 의해 전원전극(551)과 공통전극(120)의 전기적 접촉이 안전하게 확보되므로 작업성이 개선되어 피전사 기판에 양호한 품질의 발광층을 형성할 수 있게 된다. 또한, 전원전극(551)의 노출부가 실드부(553) 내측에 배치될 피전사 기판으로부터 먼 쪽에 형성되기 때문에 전사공정에서 외부전원으로부터 공급되는 전기 에너지가 피전사 기판에 영향을 미칠 위험성이 제거된다. According to this configuration, since the electrical contact between the power electrode 551 and the common electrode 120 is securely secured by the power electrode pressurizing unit 560, workability is improved to form a light emitting layer of good quality on the transfer substrate. Will be. In addition, since the exposed portion of the power electrode 551 is formed away from the transfer substrate to be disposed inside the shield portion 553, the risk that the electrical energy supplied from the external power source in the transfer process will affect the transfer substrate is eliminated. .

도 8은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 전사기판 어레이(600)를 도시한 단면도이다. 도 8의 제 6 실시예에 따른 전사기판 어레이(600)는 도 7의 제 5 실시예에 따른 전사기판 어레이(500)와 대비하여 전원 전극(650)부의 실드부(653)가 상측에서 내측으로 연장되는 돌출부를 구비한다는 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 중복된 구성요소에 대해서는 그 설명을 생략한다. 8 is a cross-sectional view illustrating the transfer substrate array 600 according to the sixth embodiment of the present invention. In the transfer substrate array 600 according to the sixth embodiment of FIG. 8, the shield part 653 of the power electrode 650 is moved from the upper side to the inside in comparison with the transfer substrate array 500 according to the fifth embodiment of FIG. 7. The other components are identical except that they have extending protrusions. Therefore, the description of the duplicated components will be omitted.

제 6 실시예에 따른 전사기판 어레이(600)의 전원전극부(650)는 전원전극(651)과, 전원전극(651)을 수용하며 그 외부를 감싸도록 형성되는 본체부(653a), 전원전극(651)의 상부에 형성된 공간부(653b), 및 본체부(653a)의 상측에서 내측으로 연장되어 돌출된 돌출부(653c)를 구비하는 실드부(653)와, 공간부(653b)에 삽입되어 전원전극(651)을 공통전극(120)을 향해 탄성력을 가해주는 전원전극 가압부(660)를 구비한다. 여기에서, 전원전극(651)의 선형이며 공통전극(120)과 수평방향으로 배치되어 그 일단부가 전사기판 어레이(600)의 외측면으로 노출되도록 형성된다. The power electrode part 650 of the transfer substrate array 600 according to the sixth embodiment includes a power electrode 651 and a main body part 653a and a power electrode formed to receive the power electrode 651 and surround the outside thereof. A shield portion 653 having a space portion 653b formed at an upper portion of the 651 and a protrusion portion 653c extending inwardly from an upper side of the main body portion 653a, and inserted into the space portion 653b. The power electrode 651 is provided with a power electrode pressing unit 660 that applies an elastic force toward the common electrode 120. Here, the power electrode 651 is linear and disposed in a horizontal direction with the common electrode 120 so that one end thereof is exposed to the outer surface of the transfer substrate array 600.

이와 같은 구성에 따르면, 실드부(653)의 돌출부(653b)에 의해 전사공정시 결합되는 피전사 기판이 유동되지 않게 견고하게 유지시킬 수 있고, 전원전극 가압부(660)에 의해 전원전극(651)과 공통전극(120)의 전기적 접촉이 안전하게 확보되므로 작업성이 개선되어 피전사 기판에 양호한 품질의 발광층을 형성할 수 있게 된다. 또한, 전원전극(651)의 노출부가 실드부(653) 내측에 배치될 피전사 기판으로부터 먼 쪽에 형성되기 때문에 전사공정에서 외부전원으로부터 공급되는 전기 에너지가 피전사 기판에 영향을 미칠 위험성이 제거된다. According to such a configuration, the projected portion 653b of the shield portion 653 can be firmly held so that the transfer substrate to be bonded during the transfer process is not flown, and the power electrode 651 is provided by the power electrode pressing portion 660. ) And the electrical contact between the common electrode 120 is securely secured, thereby improving workability and forming a light emitting layer of good quality on the substrate to be transferred. In addition, since the exposed portion of the power electrode 651 is formed away from the transfer substrate to be disposed inside the shield portion 653, the risk that the electrical energy supplied from the external power source in the transfer process will affect the transfer substrate is eliminated. .

도 9는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 전사기판 어레이(700)를 도시한 단면도이다. 도 9의 제 7 실시예에 따른 전사기판 어레이(700)는 도 7의 제 5 실시예에 따른 전사기판 어레이(500)와 대비하여 전원 전극(650)부의 실드부(653)가 셔틀타입(shuttle type)으로 구성되어 전사기판(110)을 수용할 수 있도록 구성된다는 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 중복된 구성요소에 대해서는 그 설명을 생략한다. 9 is a cross-sectional view illustrating the transfer substrate array 700 according to the seventh embodiment of the present invention. In the transfer substrate array 700 according to the seventh exemplary embodiment of FIG. 9, the shield part 653 of the power electrode 650 is shuttle type compared to the transfer substrate array 500 according to the fifth exemplary embodiment of FIG. 7. other components are identical except for being configured to accommodate the transfer substrate 110. Therefore, the description of the duplicated components will be omitted.

제 7 실시예에 따른 전사기판 어레이(700)의 전원전극부(750)는 전원전극(751)과, 전원전극(751)과 전사기판(110)을 수용하며 그 외부를 감싸도록 형성되는 실드부(753)를 포함한다. 이와 같이 구성하면, 전원전극(51)에 인가되는 전기 에너지가 공통전극(120) 외의 다른 곳으로 공급되는 것을 더욱 확실하게 방지할 수 있게 된다. 여기에서, 전원전극(651)은 선형이며 공통전극(120)과 수평방향으로 배치되며 그 일단부가 전사기판 어레이(700)의 외측면으로 노출되도록 형성된다. 또한, 도시되어 있지는 않지만 도 6실시예와 마찬가지로 실드부(753)에 공간부를 형성하고 전원전극 가압부를 삽입하여 전원전극(751)을 공통전극(120)을 향해 탄성력을 가해주는 전원전극 가압부를 구비하도록 구성하여도 좋다. The power electrode unit 750 of the transfer substrate array 700 according to the seventh embodiment includes a power electrode 751, a shield unit formed to receive the power electrode 751 and the transfer substrate 110 and surround the outside thereof. (753). With this configuration, it is possible to more reliably prevent the electric energy applied to the power supply electrode 51 from being supplied to the place other than the common electrode 120. Here, the power electrode 651 is linear and is disposed in a horizontal direction with the common electrode 120, and one end thereof is formed to be exposed to the outer surface of the transfer substrate array 700. In addition, although not shown, as in FIG. 6, a space portion is formed in the shield portion 753, and a power electrode pressing portion is provided to apply elastic force to the common electrode 120 by inserting the power electrode pressing portion. You may comprise so that.

도 10은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 전사기판 어레이(800)를 도시한 단면도이다. 도 10의 제 8 실시예에 따른 전사기판 어레이(800)는 도 7의 제 5 실시예에 따른 전사기판 어레이(500)와 대비하여 스테이지(150) 상에 전사기판(110)이 배치되고, 전원 전극부(850)부의 실드부(853)가 스테이지(150)과 결합하는 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 중복된 구성요소에 대해서는 그 설명을 생략한다. 10 is a cross-sectional view illustrating a transfer substrate array 800 according to an eighth embodiment of the present invention. In the transfer substrate array 800 according to the eighth embodiment of FIG. 10, the transfer substrate 110 is disposed on the stage 150 in comparison with the transfer substrate array 500 according to the fifth embodiment of FIG. 7. The other components are the same except that the shield portion 853 of the electrode portion 850 engages with the stage 150. Therefore, the description of the duplicated components will be omitted.

제 8 실시예에 따른 전사기판 어레이(800)의 전원전극부(750)는 전원전극(851)과, 전원전극(851)을 수용하며 전원전극(851)의 상부에 형성된 공간부를 구비하는 실드부(853)와, 상기 실드부(853)의 공간부에 수용되어 공통전극(120)에 탄성력을 인가하는 전원전극 가압부(860)를 구비한다. 실드부(851)는 스테이지(150)의 하부에서 스테이지(150)와 클램핑 방식으로 결합한다. 이와 같은 구성에 의하면, 전사기판(120)과 실드부(853)의 접촉 및 전원전극(851)과 공통전극(120)의 전기적 접촉이 보다 안정한 상태로 유지될 수 있으므로 작업성이 향상되어 전사공정시 피전사 기판에 양호한 품질의 발광층을 형성할 수 있게 된다. 또한, 전원전극(851)의 노출부가 피전사 기판과 반대쪽 하부에 형성되므로 전사공정시 외부전원으로부터 공급되는 전기 에너지가 피전사 기판에 영향을 미칠 위험성이 제거된다. The power electrode part 750 of the transfer substrate array 800 according to the eighth exemplary embodiment includes a shield part accommodating the power electrode 851 and a space part accommodating the power electrode 851 and formed on the power electrode 851. 853 and a power electrode pressing portion 860 accommodated in the space portion of the shield portion 853 to apply an elastic force to the common electrode 120. The shield part 851 is coupled to the stage 150 in a clamping manner at the bottom of the stage 150. According to such a configuration, since the contact between the transfer substrate 120 and the shield portion 853 and the electrical contact between the power electrode 851 and the common electrode 120 can be maintained in a more stable state, workability is improved and the transfer process is improved. It is possible to form a light emitting layer of good quality on the substrate to be transferred. In addition, since the exposed portion of the power electrode 851 is formed on the lower side opposite to the substrate to be transferred, the risk that the electrical energy supplied from an external power source during the transfer process will affect the substrate to be transferred is eliminated.

이하, 도 11a 내지 11c를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전사기판 어레이를 이용하여 OLED의 TFT기판에 발광층을 형성하는 공정에 대해 개략적으로 설명 하기로 한다. 도 11의 실시예에서는 설명의 간략화를 위해 도 2 및 도 3의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이(100)를 이용하여 피전사 기판에 전사재료층을 형성하는 것에 대해 설명하였으나, 제 2 내지 제 8 실시예에 따른 전사기판 어레이(200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) 중 어느 것을 이용하여도 그 기술적 원리는 동일하다. Hereinafter, a process of forming a light emitting layer on a TFT substrate of an OLED by using a transfer substrate array according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11A to 11C. In the embodiment of FIG. 11, for the sake of simplicity, the formation of the transfer material layer on the transfer substrate using the transfer substrate array 100 according to the first embodiment of FIGS. 2 and 3 has been described. The technical principles are the same using any of the transfer substrate arrays 200, 300, 400, 500, 600, 700, and 800 according to the eighth embodiment.

도 11a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이(100)가 전원(180)에 접속된 상태를 도시한 도면이고, 도 11b는 도 11a의 전사기판 어레이(100)에 전원이 연결되지 않은 오프인 상태를, 도 11c는 도 11a의 전사기판 어레이(100)에 전원이 연결되어 온된 상태를 각각 도시하고 있다. FIG. 11A illustrates a state in which a transfer substrate array 100 is connected to a power source 180 according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 11B illustrates that power is not connected to the transfer substrate array 100 of FIG. 11A. 11C shows a state in which power is connected to the transfer substrate array 100 of FIG. 11A.

도 11a 내지 11c를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이(100)는 전사기판(110)과, 전사기판(110)의 일면 상에서 양측 가장자리를 따라 스트라이프 형태로 형성되는 공통전극들(120)과, 상기 전사기판(110) 상의 공통전극들(120) 사이에서 공통전극들(120)과 수직방향으로 일정 간격으로 나란하게 형성되는 스트라이프 형태의 발열패턴들(130)과, 상기 발열패턴들(130)이 형성된 전사기판(110)의 전체면 상에 형성되는 전사재료층(140)과, 외부전원(180)과 전기적으로 접속되며, 상기 공통전극들(120)과 접촉하여 상기 발열패턴들(130)에 전류를 공급하는 전원전극부(250)를 포함한다. 피전사 기판(10)은 OLED의 TFT 기판으로서 그 일면에는 TFT어레이(20)가 형성되어 있다. 11A to 11C, the transfer substrate array 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention has a transfer electrode 110 and a common electrode formed in a stripe shape along both edges on one surface of the transfer substrate 110. The heat generating patterns 130 having a stripe shape formed parallel to the common electrodes 120 at regular intervals between the common electrodes 120 and the common electrodes 120 on the transfer substrate 110. The transfer material layer 140 formed on the entire surface of the transfer substrate 110 on which the heating patterns 130 are formed, is electrically connected to the external power source 180, and is in contact with the common electrodes 120. And a power electrode unit 250 for supplying current to the heating patterns 130. The transfer substrate 10 is a TFT substrate of an OLED, and a TFT array 20 is formed on one surface thereof.

우선, 전사기판 어레이(100)에 형성된 발광층인 전사재료층(140)을 TFT기판인 피전사 기판(10)에 전사하기 위해, 피전사 기판(10)의 TFT어레이(20)가 전사기 판(110) 상에 형성된 전사재료층(140)을 향하도록 전원 전극부(150)의 실드부(153)의 내부에 정렬시킨다(도 11b). 실드부(153)는 도 3과 관련하여 설명한 바와 같이 피전사 기판(10)을 가이드 및 지지할 수 있을 정도로 충분한 높이를 가지므로 피전사 기판(10)이 실드부(152)에 의해 유동되지 않게 고정된다. First, in order to transfer the transfer material layer 140, which is a light emitting layer formed on the transfer substrate array 100, onto the transfer substrate 10, which is a TFT substrate, the TFT array 20 of the transfer substrate 10 is formed on the transfer substrate ( It is aligned inside the shield portion 153 of the power electrode portion 150 so as to face the transfer material layer 140 formed on the 110 (FIG. 11B). The shield portion 153 has a height sufficient to guide and support the transfer substrate 10 as described with reference to FIG. 3 so that the transfer substrate 10 does not flow by the shield portion 152. It is fixed.

다음으로, 피전사 기판(10)이 실드부(152) 내의 정위치에 정렬되면 전원(180)을 연결하여 전원전극(150)에 전기 에너지가 공급되도록 한다. 전원전극(150)에 전기 에너지가 공급되면 공통전극(120)을 통해 발열패턴(130)에 전기에너지가 공급되고 이 전기 에너지는 발열패턴(130)에 의해 열에너지로 변환한다. 따라서, 발열패턴(130) 상에 형성된 전사재료층(140)이 승화되어 상부로 향하고, 전사기판(110)과 근접하여 배치된 피전사 기판(10) 상에 승화된 전사재료가 전사되어 전사패턴(140')이 형성된다(도 11c). Next, when the transfer substrate 10 is aligned in the shield portion 152, the power source 180 is connected to supply electric energy to the power electrode 150. When electrical energy is supplied to the power electrode 150, electrical energy is supplied to the heating pattern 130 through the common electrode 120, and the electrical energy is converted into thermal energy by the heating pattern 130. Accordingly, the transfer material layer 140 formed on the heat generating pattern 130 is sublimated and directed upward, and the sublimated transfer material is transferred onto the transfer substrate 10 disposed in close proximity to the transfer substrate 110 to transfer the transfer pattern. 140 'is formed (FIG. 11C).

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 제 1 내지 제 8실시예에서는 다양한 형태의 전원전극, 실드부 및 전원전극 가압부를 구비한 전원전극부에 대해 설명하고 있지만 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 전사기판 어레이가 OLED의 발광층을 형성하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. For example, in the first to eighth embodiments of the present invention, a power electrode part including various types of power electrodes, shield parts, and power electrode pressurization parts is described, but the technical idea of the present invention is not limited thereto. In addition, although the transfer substrate array of the present invention has been described taking an example of forming the light emitting layer of the OLED, the present invention is not limited thereto. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 일반적인 OLED의 구조를 보여주는 도면. 1 shows the structure of a typical OLED.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 평면도.2 is a plan view showing the transfer substrate array according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 전사기판 어레이의 I-I'선을 따라 취한 단면도. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the transfer substrate array shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 단면도.4 is a cross-sectional view showing the transfer substrate array according to the second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 단면도.5 is a cross-sectional view showing the transfer substrate array according to the third embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 단면도.6 is a cross-sectional view showing the transfer substrate array according to the fourth embodiment of the present invention.

도 7는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 단면도.7 is a sectional view showing a transfer substrate array according to a fifth embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 단면도.Fig. 8 is a sectional view showing the transfer substrate array according to the sixth embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 단면도.9 is a cross-sectional view showing a transfer substrate array according to a seventh embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 전사기판 어레이를 도시한 단면도.Fig. 10 is a sectional view showing the transfer substrate array according to the eighth embodiment of the present invention.

도 11a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판 어레이가 전원에 접속된 상태를 도시한 도면이고, 도 11b는 도 11a의 전사기판 어레이에 전원이 연결되지 않은 오프인 상태를, 도 11c는 도 11a의 전사기판 어레이에 전원이 연결되어 온된 상태를 각각 도시한 도면.FIG. 11A illustrates a state in which a transfer substrate array is connected to a power source according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 11B illustrates an off state in which power is not connected to the transfer substrate array of FIG. 11A. 11A is a diagram illustrating a state in which power is connected to the transfer substrate array of FIG. 11A.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉Description of the Related Art

100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 : 전사기판 어레이100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800: transfer board array

110 : 전사기판 120 : 공통전극110: transfer substrate 120: common electrode

130 : 발열패턴 140 : 전사재료층130: heating pattern 140: transfer material layer

150, 250, 350, 450, 550, 650, 750, 850 : 전원전극부150, 250, 350, 450, 550, 650, 750, 850: power electrode

151, 251, 351, 451, 551, 651, 751, 851 : 전원전극151, 251, 351, 451, 551, 651, 751, 851: power electrode

153, 253, 353, 453, 553, 653, 753, 853 : 실드부153, 253, 353, 453, 553, 653, 753, 853: shield part

170 : 외부전원 460, 560, 660 : 전원전극 가압부170: external power 460, 560, 660: power electrode pressure

Claims (9)

기판;Board; 상기 기판의 일면 상에서 양측 가장자리를 따라 선형으로 형성되는 공통전극들; Common electrodes formed linearly along both edges on one surface of the substrate; 상기 기판 상의 공통전극들 사이에서 상기 공통전극들과 접촉하도록 상기 공통전극들에 대해 일정 각도로 나란하게 형성되는 발열패턴들;Heating patterns formed to be parallel to the common electrodes at a predetermined angle to contact the common electrodes between the common electrodes on the substrate; 상기 발열패턴들이 형성된 상기 기판 상에 형성되는 전사재료층; 및A transfer material layer formed on the substrate on which the heating patterns are formed; And 상기 공통전극들과 전기적으로 결합하여 상기 발열패턴들에 전원으로부터 공급되는 전기 에너지를 공급하는 전원전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.And a power electrode unit electrically coupled to the common electrodes to supply electrical energy supplied from a power source to the heating patterns. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전원 전극부는,The power electrode unit, 상기 공통전극과 전기적으로 접속되는 제 1 전극과 상기 전원에 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 구비하는 전원전극; 및 A power supply electrode having a first electrode electrically connected to the common electrode and a second electrode electrically connected to the power source; And 상기 전원전극을 내부에 수용하여 상기 제 1 및 제 2 전극을 제외한 다른 부분이 노출되지 않도록 전기적으로 절연하는 실드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.And a shield unit for accommodating the power electrode therein so as to electrically insulate other portions except for the first and second electrodes. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 전원전극부는 상기 실드부에 형성된 공간부에 수용되어 전원전극에 탄성력을 인가하여 상기 전원전극이 상기 공통전극과 밀착되도록 하는 전원전극 가압부를 더 구비하는 것을 특징으로하는 전사기판 어레이.And a power electrode pressurizing part accommodated in a space formed in the shield part to apply an elastic force to the power electrode so that the power electrode is in close contact with the common electrode. 제 2 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 and 3, 상기 제 2 전극은 상기 실드부의 상면 및 측면 중의 어느 한 면을 통해 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.And the second electrode is exposed to the outside through any one of an upper surface and a side surface of the shield part. 제 2 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 and 3, 상기 실드부는 피전사 기판과 결합될 때 상하 및 좌우로 요동되는 것을 방지할 수 있도록 그 상부에 전사기판 어레이의 내측으로 연장된 제 1 연장부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.And the shield part has a first extension part extending inwardly of the transfer substrate array so as to prevent the shield part from being moved up and down and left and right when combined with the transfer substrate. 제 2 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 and 3, 상기 실드부는 상기 전사기판의 측면과 결합하도록 하부로 연장되는 제 2 연장부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.And the shield part further includes a second extension part extending downward to engage with a side surface of the transfer substrate. 제 2 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 and 3, 상기 실드부는 상기 전사기판의 측면과 하면을 감싸서 수용도록 형성되는 셔 틀부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.And the shield portion further comprises a shuttle portion formed to surround and accommodate the side and bottom surfaces of the transfer substrate. 제 2 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 and 3, 상기 전사기판 하부에 배치되어 상기 전사기판을 지지하기 위한 스테이지를 더 포함하며, A stage disposed below the transfer substrate to support the transfer substrate, 상기 실드부는 상기 전사기판의 측면과 상기 스테이지의 측면을 따라 연장되며, 상기 스테이지의 하면과 결합하는 클램프부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.The shield unit further comprises a clamp unit extending along the side of the transfer substrate and the side of the stage, and coupled to the lower surface of the stage. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전원전극의 제 2 전극은 상기 스테이지쪽으로 연장된 상기 실드부의 하면을 통해 노출되는 것을 특징으로 하는 전사기판 어레이.And a second electrode of the power electrode is exposed through a lower surface of the shield portion extending toward the stage.
KR1020090121426A 2009-12-08 2009-12-08 Transcripting substrate array using thermal transfer process KR20110064717A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090121426A KR20110064717A (en) 2009-12-08 2009-12-08 Transcripting substrate array using thermal transfer process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090121426A KR20110064717A (en) 2009-12-08 2009-12-08 Transcripting substrate array using thermal transfer process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110064717A true KR20110064717A (en) 2011-06-15

Family

ID=44398098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090121426A KR20110064717A (en) 2009-12-08 2009-12-08 Transcripting substrate array using thermal transfer process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110064717A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101402504B1 (en) * 2012-09-06 2014-06-11 (주)아이씨디 Power Supply Electrode, Substrate Holder Having the Electrode, and Thermal Transferring Apparatus Having the Substrate Holder
KR20180087000A (en) * 2017-01-24 2018-08-01 주식회사 다원시스 Manufacturing method for semiconductor donor substrate
WO2018139822A1 (en) * 2017-01-24 2018-08-02 주식회사 다원시스 Semiconductor donor substrate, method for manufacturing semiconductor donor substrate, method for manufacturing organic light emitting device, and donor substrate module
KR20180091428A (en) * 2017-02-07 2018-08-16 주식회사 다원시스 Donor substrate module

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101402504B1 (en) * 2012-09-06 2014-06-11 (주)아이씨디 Power Supply Electrode, Substrate Holder Having the Electrode, and Thermal Transferring Apparatus Having the Substrate Holder
KR20180087000A (en) * 2017-01-24 2018-08-01 주식회사 다원시스 Manufacturing method for semiconductor donor substrate
WO2018139822A1 (en) * 2017-01-24 2018-08-02 주식회사 다원시스 Semiconductor donor substrate, method for manufacturing semiconductor donor substrate, method for manufacturing organic light emitting device, and donor substrate module
KR20180091428A (en) * 2017-02-07 2018-08-16 주식회사 다원시스 Donor substrate module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1921140B (en) Organic light emitting display and method for fabricating the same
JP5623598B2 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and manufacturing method of organic electroluminescence display apparatus
JP5222806B2 (en) Electrostatic chuck and organic electroluminescence device manufacturing apparatus having the same
TWI527285B (en) Organic light-emitting display device
KR101245220B1 (en) Method of fabricating organic light emitting diodde display
JP5259886B2 (en) Vapor deposition method and vapor deposition apparatus
KR101368158B1 (en) Organic light emitting diodde display and method of fabricating the same
JP5384752B2 (en) Deposition film forming method and display device manufacturing method
JP2004514256A (en) Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP2005248327A (en) Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus
WO2012098994A1 (en) Substrate to which film is formed and organic el display device
KR20110064717A (en) Transcripting substrate array using thermal transfer process
JP2012134175A (en) Pixel structure and organic electroluminescent element having the same
US8173481B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using thin film deposition apparatus
KR101599505B1 (en) Evaporation source for deposition apparatus
CN106981586B (en) Pressure reducing device and method for manufacturing light emitting display device using the same
KR20110015930A (en) Transcripting device in using thermal transfer process
KR101642991B1 (en) Transcripting device in using thermal transfer process
KR101897970B1 (en) Transcripting device in using thermal transfer process and Method for thermal transfering thereby
KR100495872B1 (en) Shadowmask attaching method for organic light emitting device and apparatus adopting the same
KR101909983B1 (en) Transcripting device in using thermal transfer process and Method for thermal transfering thereby
KR101839459B1 (en) Transcripting Method in using thermal transfer process
KR20110046852A (en) Transcripting device in using thermal transfer process
JP2009187796A (en) Repair device and repair method of organic electroluminescent element
KR20060110173A (en) Apparatus and method for fabricating flat display divice

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid