KR20110064028A - 다방향성 공진형 전자파 흡수체, 그것을 이용한 전자파 흡수성능 조정 방법 및 그 제조 방법 - Google Patents

다방향성 공진형 전자파 흡수체, 그것을 이용한 전자파 흡수성능 조정 방법 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 저지대의 단위 셀 패턴의 주기적 배열로 이루어진 배치구조가 여러 방향에서 입사되는 전자파의 반사파와 투과파의 위상을 조절하여 원하는 주파수 대역의 전자파를 흡수하도록 하는 저항성 재질로 만들어진 다방향성 전자파 흡수체, 그것을 이용한 전자파 흡수성능 조정 방법, 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면은, 하나 이상의 접지층과, 상기 접지층의 서로 다른 외측면에 각각 형성되는 제1유전체층 및 제2유전체층과, 상기 제1유전체층의 외측면에 형성되는 제1저항성 패턴층, 및 상기 제2유전체층의 외측면에 형성되는 제2저항성 패턴층을 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다. 본 발명에 따르면, 여러 방향에서 입사되는 전자파를 흡수할 수 있게 되고, 다방향성 전자파 흡수체의 제조 과정이 간단해지며, 다방향성 전자파 흡수체의 두께 조절이 가능하면서도 설계 변수의 조절을 통해 다양한 주파수 대역의 전자파 흡수특성 조절이 용이해지는 효과가 있다.
전자파 흡수체, 전자파 저지대, EBG, 주파수 선택 표면, FSS, 살리스버리 스크린

Description

다방향성 공진형 전자파 흡수체, 그것을 이용한 전자파 흡수성능 조정 방법 및 그 제조 방법{Multi-Directional Resonant Type Electromagnetic Wave Absorber, Method for Adjusting Electromagnetic Wave Absorption Performance Using the same and Manufacturing Method of the same}
본 발명은 다방향성 공진형 전자파 흡수체, 그것을 이용한 전자파 흡수성능 조정 방법 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은, 전자파 저지대의 단위 셀 패턴의 주기적 배열로 이루어진 배치구조가 여러 방향에서 입사되는 전자파의 반사파와 투과파의 위상을 조절하여 원하는 주파수 대역의 전자파를 흡수하도록 하는 저항성 재질로 만들어진 다방향성 전자파 흡수체, 그것을 이용한 전자파 흡수성능 조정 방법 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2007-F-043-03, 과제명: 전자파 기반 진단 및 방호기술 연구].
최근 IT의 급속한 발전과 인간의 통신 욕구가 증대하면서 휴대용 단말기 등 무선 통신기기 들은 현대인의 필수품이 되었다. 그러나 이러한 휴대기기의 사용이 늘어남에 따라 단말기에서 발생하는 전자기파가 인체에 미치는 영향도 중요한 이슈가 되고 있다. 현재로서는 휴대폰이 사용하는 주파수 대역에서의 전자파와 인체에 미치는 영향에 대한 연관성은 명확히 밝혀지지 않았으나 백혈병, 뇌종양, 두통, 시력저하, 인체에 누적된 경우 뇌파 혼란 초래, 남성 생식기능 파괴 등 각종 질병에 영향을 미칠 가능성이 있다고 보고되고 있다. 또한, 원하지 않는 전자파에 의한 정보통신기기 간의 오동작 사례가 꾸준히 보고되고 있으며, 이는 EMI/EMC 문제로서 전세계적으로 꾸준한 연구가 진행 중이다. 따라서, 전자파를 효과적으로 차단하여 전자파로 인한 악영향을 예방하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.
전자파 저지대(Electromagnetic Band Gap, EBG)는 일반적인 전기 도체(electric conductor) 상에 의도된 특정 단위 셀 패턴을 일정 간격의 주기적 배열로 구현할 수 있으며 그 표면에서는 특정 대역에서 자기장의 접선 성분이 0이 되어 표면상에 전류가 흐를 수 없는 특성을 갖는다. 이는 일반적인 전기도체와는 정반대가 되는 개념으로 자기도체(magnetic conductor)라 할 수 있으며 전자파 저지대 표면은 회로적으로 고 임피던스 표면(HIS, High Impedance Surface)이 된다. 전자파 저지대의 주파수 응답 특성은 반사 위상(reflection phase)을 통해 확인할 수 있는데, 반사 위상은 전자파 저지대 표면에 입사하는 입사파와 전자파 표면에 의한 반사파와의 위상 차이를 의미한다. 전자파 저지대의 반사 위상은 바로 고 임피던스 표면이 되는 공진 주파수에서 0이 되고 공진 주파수를 중심으로 주변 대역에서 -180도부터 +180도까지 변화하는데 전자파 저지대의 구조적 파라미터를 조정하면 그 위상을 변화시킬 수 있다.
일반적인 전자파 저지대의 구조에서 금속도체 접지면을 제외한 유전체층과 단위 셀 패턴의 배열 층은 주파수 선택 표면(FSS, Frequency Selective Surface)의 일반적인 구조로서 FSS 기술은 원하는 주파수를 선택적으로 투과 또는 반사시키기 위해 인위적으로 특정 단위 셀 패턴을 주기적으로 배열하여 만든 표면이다. 따라서 전자파 저지대는 FSS에 의한 특정 주파수 필터링 특성에 대해 금속도체 접지면을 비치함으로써 전파의 진행을 완전 차단함은 물론 앞서 기술한 고유의 물리적 특성을 갖게 된다.
종래의 전자파 흡수체는 형태, 재료, 흡수 메커니즘 등에 의해 다양하게 분류될 수 있다. 현재까지 대부분의 전자파 흡수체는 흡수 특성을 갖도록 조성된 재료에 의한 것들이 대부분이다. 이러한 전자파 흡수체는 일반적으로 시행착오법에 의해 개발되기 때문에 그 제조 과정이 복잡할 뿐만 아니라 흡수 주파수 대역 및 흡수 특성을 쉽게 조정하기에 상당한 어려움이 있는 것이 단점이다.
이에 λ/4 파장 흡수체(λ/4 wave absorber) 또는 살리스버리 스크린(Salisbury screen)과 같은 평판 형태의 공진형 전자파 흡수체(resonant type electromagnetic wave absorber)가 제안되었다. 이러한 공진형 전자파 흡수체는 저항 피막(resistive sheet), 유전체 스페이서(spacer), 금속도체 접지면으로 이루어져 그 구성이 간단하여 제작이 쉽고 흡수 성능 조정이 용이할 뿐만 아니라, 다층으로 구성할 경우 다중 대역 흡수 특성을 얻을 수 있는 장점이 있다. 하지만, 살리스버리 스크린은 금속도체 접지면으로부터 유전체 스페이서의 두께가 적어도 λ/4 이 상이어야 하는 단점이 있다.
제조 과정이 간단하고 흡수 주파수 대역 및 흡수 특성 조절이 용이하면서도 더 얇게 두께를 조절하여 만들 수 있는 전자파 흡수체를 구현하기 위하여, 살리스버리 스크린의 유전체 스페이서와 저항 피막 사이에 FSS를 삽입하는 구조가 연구되고 있다. 이러한 구조의 전자파 흡수체에 따르면 FSS 고유의 전자기적 성질로 인해 두께 조정 및 흡수 성능 조정이 가능하다. 결과적으로 이러한 구조의 전자파 흡수체는 전자파 저지대의 전형적인 구조에 저항 피막을 더한 구조로서 좀 더 나아가 전자파 저지대 단위 셀 패턴 자체를 금속도체에서 저항성 재질로 설계 및 제작하면 그러한 저항성 전자파 저지대 자체가 좀 더 단순한 전자파 흡수체로 동작할 수 있다. 이러한 저항성 전자파 저지대의 전자파 흡수체는 전자파의 다중 반사를 줄이기 위한 목적으로 기존의 전자파 흡수체가 적용되었던 분야에 제작이 용이하고 좀 더 단순하고 저가의 구조로서 응용될 수 있다. 하지만 이러한 구조는 한 방향에서의 전자파만을 흡수할 수 있다는 한계가 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 일 측면은, 여러 방향에서 입사하는 전자파를 동시에 흡수할 수 있는 다방향성 전자파 흡수체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 전자파 저지대의 구조와 저항성 재질을 이용하여, 제조 과정이 간단하고 두께 조절이 가능하면서도 설계 변수의 조절을 통해 여러 주파수 대역의 전자파 흡수특성 조절이 용이한 다방향성 전자파 흡수체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1측면은, 하나 이상의 접지층과, 상기 접지층의 서로 다른 외측면에 각각 형성되는 제1유전체층 및 제2유전체층과, 상기 제1유전체층의 외측면에 형성되는 제1저항성 패턴층, 및 상기 제2유전체층의 외측면에 형성되는 제2저항성 패턴층을 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층 중 어느 하나 이상은 저항성 재질로 이루어진 단위 셀 패턴의 주기적 배열로 형성되는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층은, 두께 또는 상기 단위 셀 패턴의 형상, 상기 단위 셀 패턴의 표면저항 중 어느 하나 이상이 서로 다른 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 단위 셀 패턴은, 다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 상기 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조의 저항성 재질로 형성되는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 단위 셀 패턴은, 상기 단위 셀의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 제1단위 셀 패턴과, 상기 단위 셀의 각 변에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 복수의 제2 단위 셀 패턴을 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 단위 셀 패턴은, 상기 단위 셀 패턴의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유전체 재질의 슬롯(slot)을 더 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 슬롯은, 상기 단위 셀 패턴의 상기 방사대칭 방향의 돌출 및 함몰에 대응하여 상기 단위 셀 패턴의 내부에서 돌출 및 함몰되도록 형성되는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 다각형은 정삼각형, 정사각형, 정육각형 중 어느 하나인 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 방사대칭 구조는, 상기 다각형이 정삼각형인 경우 3방사, 정사각형인 경우 4방사, 정육각형인 경우 6방사 구조를 갖는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 제1유전체층 및 상기 제2유전체층은, 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability) 중 어느 하나 이상이 서로 다른 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 제1유전체층 또는 상기 제2유전체층의 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability), 상기 저항성 패턴층의 두께, 및 상기 접지층의 표면의 반사계수 중 어느 하나 이상은, 소정의 흡수대역 내의 전자파에 대하여 상기 제1유전체층 또는 상기 제2유전체층의 표면에서의 반사율이 -1dB 이하의 소정의 값이 되도록 결정되는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
또한, 상기 접지층은 하나의 금속 도체로 형성되어 상기 제1유전체층 또는 상기 제2유전체층을 투과한 전자파를 전반사하며, 상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층은 평면으로 형성되어 상기 제1저항성 패턴층의 외측면 및 상기 제2저항성 패턴층의 외측면 양방향으로부터의 전자파를 흡수하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제2측면은, 금속 도체로 형성되는 접지층과, 상기 접지층의 외측면에 형성되는 복수의 유전체층과, 상기 복수의 유전체층의 외측면에 형성되는 저항성 패턴층을 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법에 있어서, 상기 복수의 유전체층의 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability), 상기 저항성 패턴층의 두께, 상기 접지층의 반사계수 중 어느 하나 이상을 변화시켜 전자파의 흡수대역 및 최대흡수 주파수를 조정하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법을 제공한다.
또한, 상기 저항성 패턴층을 형성하도록 주기적으로 배열되는 저항성 재질로 이루어진 단위 셀 패턴의 형상, 또는 상기 단위 셀 패턴의 표면저항 중 어느 하나 이상을 더 변화시켜 전자파의 흡수대역 및 최대흡수 주파수를 조정하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법을 제공한다.
또한, 상기 단위 셀 패턴은, 다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 상기 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조로 형성되고, 상기 단위 셀 패턴의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유전체 재질의 슬롯(slot)을 포함하며, 상기 단위 셀 패턴의 형상의 변화는, 상기 단위 셀 또는 상기 슬롯의 각 변의 길이의 변화를 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법을 제공한다.
또한, 상기 전자파의 흡수대역 및 최대흡수 주파수의 조정은, 소정의 흡수대역 내의 전자파에 대하여 상기 유전체층의 표면에서의 반사율이 -1dB 이하의 소정의 값이 되도록 이루어지는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제3측면은, 제1유전체층을 형성하는 제1단계와, 상기 제1유전체층의 상부에 하나 이상의 접지층을 형성하는 제2단계와, 상기 접지층의 상부에 제2유전체층을 형성하는 제3단계와, 상기 제1유전체층의 외측면에 제1저항성 패턴층을 형성하는 제4단계, 및 상기 제2유전체층의 외측면에 제2저항성 패턴층을 형성하는 제5단계를 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 측면은, 접지층을 형성하는 제1단계와, 상기 접지층의 상부에 제1유전체층을 형성하는 제2단계와, 상기 접지층의 하부에 제2유전체층을 형성하는 제3단계와, 상기 제1유전체층의 외측면에 제1저항성 패턴층을 형성하는 제4단계, 및 상기 제2유전체층의 외측면에 제2저항성 패턴층을 형성하는 제5단계를 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 제4단계 및 상기 제5단계는, 저항성 재질로 이루어진 단위 셀 패턴을 주기적으로 배열하여 상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층을 형성하는 제6단계를 더 포함하며, 상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층은, 두께 또는 상기 단위 셀 패턴의 형상, 상기 단위 셀 패턴의 표면저항 중 어느 하나 이상이 서로 다르게 형성되는 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 제6단계는, 다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 상기 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조의 저항성 재질로 상기 단위 셀 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 단위 셀 패턴의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유전체 재질의 슬롯(slot)을 형성하는 단계를 더 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 다방향성 전자파 흡수체를 이용하여 여러 방향에서 입사하는 전자파를 동시에 흡수할 수 있게 되는 효과가 있다.
또한, 다방향성 전자파 흡수체의 제조 과정이 간단해지게 되는 효과가 있다.
또한, 다방향성 전자파 흡수체의 두께 조절이 가능하면서도 설계 변수의 조절을 통해 여러 주파수 대역의 전자파 흡수특성 조절이 용이해지는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 실시예의 단면도이다. 본 발명의 다방향성 공진형 전자파 흡수체는 하나 이상의 접지층과, 그 접지층의 서로 다른 외측면에 각각 형성되는 복수의 유전체층과, 그 복수의 유전체층의 외측면에 각각 형성되는 저항성 패턴층을 포함하는 구조를 가진다.
도 1을 참조하면, 공진형 전자파 흡수체의 일 실시예는 내부의 금속 도체 접지층(110)을 중심으로 상부와 하부에 각각 유전체층(121, 122)과 저항성 패턴층(131, 132)을 갖는다. 금속 도체 접지층(110)의 상부에는 제1유전체층(121)이 형성되며, 그리고 제1유전체층(121)의 상부에는 제1저항성 패턴층(131)가 형성된다. 마찬가지로 금속 도체 접지층(110)의 하부에는 제2유전체층(122)이 형성되며, 그리고 제2유전체층(122)의 하부에는 제2저항성 패턴층(132)가 형성된다.
저항성 패턴층(131, 132)은 전자파 저지대 단위 셀(unit cell)(130)의 주기적 배열을 통해 전자파 저지대(Electromagnetic Band Gap) 구조로 이루어질 수 있다. 각각의 단위 셀(130)은 저항성 재질을 특정한 문양으로 배치한 구조인 단위 셀 패턴(unit cell pattern) 부분과, 단위 셀 패턴이 형성되지 않은 공백 부분으로 이루어진다. 전자파 저지대(131, 132)는 유전체층(121, 122)의 표면에 형성되므로 공백 부분은 실질적으로 유전체 재질이 될 수도 있다. 전자파 저지대 단위 셀 패턴의 배치구조 및 실시예들은 뒤에서 자세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 의한 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 전자파 흡수 원리 를 도시한 개념도이다.
공진형 전자파 흡수체의 저항성 패턴층(131, 132)은 주파수 선택 표면(Frequency Selective surface, FSS)에 손실(loss)을 더하여 형성한 구조이다. 저항성 패턴층(131, 132)은 그 전자파 흡수특성에 따라 입사파(211, 221)를 부분 반사(212, 222) 및 부분 투과(213, 223)시키고, 유전체층(121, 122)은 저항성 패턴층(131, 132)의 FSS구조와 금속 도체 접지층(110)과의 상호작용으로 전체 흡수체의 두께조절이 가능하게 하고 유전체 내 투과파(213, 214)(223, 224)의 위상이 거리에 따라 조정이 가능하도록 공간과 매질특성을 제공하는 역할을 한다. 금속 도체 접지층(110)은 이러한 저항성 패턴층(131, 132)에 의해 부분 투과한 전자파(213, 223)를 전반사(214, 224)시키는 역할을 한다.
이러한 각 부분들의 상호작용에 의하여 유전체층(121, 122) 내 투과파의 위상을 적절히 조정함으로써 흡수체의 두께를 조절할 수 있고, 결국 저항성 패턴층(131, 132)의 손실성에 의해 총 반사파(212)의 세기를 감쇄시킬 수 있는 것이다. 특히, 이상적으로 공진형 전자파 흡수체의 전체 반사계수가 -1이 될 경우 입사파(211)와 반사파(212)는 완전 상쇄되어, 공진형 전자파 흡수체는 완전 흡수체(erfect absorber)로 동작할 수 있게 된다. 이러한 원리는 제2투과 반사파(224)와 제2표면 반사파(222)의 관계에서도 동일하게 적용된다.
전자파의 흡수대역이나 최대흡수 주파수 등의 전자파 흡수특성은, 금속 도체 접지층(110)으로부터 저항성 패턴층(131, 132)까지의 높이로 정의되는 유전체 층(121, 122)의 두께(h1, h2), 유전체층(121, 122)의 재료특성인 유전율(εг1, εг2) 및 투자율(μг1, μг2), 설계 변수(parameter)인 저항성 패턴층(131, 132)의 두께(t1, t2) 등에 의하여 조절될 수 있다. 저항성 패턴층(131, 132)이 단위 셀 패턴의 주기적 배열로 형성될 경우에는, 전자파 흡수특성이 단위 셀 패턴의 형상 또는 표면저항 등에 의해서도 조절될 수 있다.
이때, 각 방향에 대해 대응하는 설계 변수, 형상 내지 재료특성 등을 서로 다른 값으로 결정하면, 서로 다른 주파수 대역의 전자파를 여러 방향에서 동시에 흡수 할 수 있게 된다. 예컨대, 제1저항성 패턴층(131)의 패턴 구조와 제2저항성 패턴층(132)의 패턴 구조를 서로 다르게 할 경우, 제1입사파(211) 방향으로 입사되는 전자파는 5.1Ghz~7.2GHz 대역의 전자파를 -10dB 이하 수준으로 흡수하면서도 제2입사파(221) 방향으로 입사되는 전자파는 5.8Ghz~13GHz 대역의 전자파를 -10dB 이하 수준으로 흡수하는 양방향 전자파 흡수체를 구현할 수 있다. 제1유전체층(121)의 유전율(εг1)과 제2유전체층(122)의 유전율(εг2)을 서로 다르게 하거나, 제1유전체층(121)의 두께(h1)와 제2유전체층(122)의 두께(h2)를 서로 다르게 하거나, 제1유전체층(121)의 투자율(μг1)이나 투자율(μг2)을 서로 다르게 하거나, 제1저항성 패턴층(131)의 두께(t1)와 제2저항성 패턴층(132)의 두께(t2)를 서로 다르게 할 경우에도, 제1저항성 패턴층(131)의 방향과 제2저항성 패턴층(132)의 방향이 각각 다른 전자파 흡수특성을 가질 수 있다.
본 실시예에서는 하나의 금속 도체 접지층(110)을 갖는 양방향 전자파 흡수체를 기준으로 설명하였으나, 금속 도체 접지층(110)은 하나 이상이 될 수도 있고, 다방향성 전자파 흡수체가 복수의 면을 갖는 기둥 또는 원통, 다면체, 구형 등 다양한 형상을 가질 수도 있으며, 동일한 평면 상에 서로 다른 저항성 패턴층이 영역별로 구분되어 공존하도록 구현될 수도 있다.
도 3a는 본 발명에 의한 다방향성 공진형 전자파 흡수체에 사용되는 단위 셀 패턴 배치구조의 제1실시예의 평면도이다. 도 3a를 참조하면, 사각형의 형상을 가지는 단위 셀과, 그 내부에 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조로 형성된 저항성 재질의 제1단위 셀 패턴(311)과, 그 단위 셀의 각 변에 방사대칭 구조로 형성되는 4개의 제2 단위 셀 패턴(312)이 도시되어 있다.
본 실시예에서 단위 셀은 사각형 형상으로 되어 있으나, 이는 삼각형, 육각형 등 다양한 다른 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예에서 저항성 재질의 단위 셀 패턴(311, 312)이 형성되지 않은 공백 부분은 유전체(320) 재질을 갖는다. 단위 셀 패턴(311, 312)의 표면저항 또는 형상 등의 배치구조에 따라, 이 단위 셀을 주기적으로 배열하여 형성되는 전자파 저지대의 전자파 흡수특성이 달라지게 된다. 이에 대해서는 뒤에서 자세히 설명한다.
도 3b는 도 3의 단위 셀 패턴 배치구조의 설계 변수를 도시한 평면도이다. 도 3b를 참조하면, 정사각형 단위 셀의 한 변의 길이(a), 제2단위 셀 패턴(312)의 단위 셀 변 방향 길이(b)와 돌출부의 폭(c), 제1단위 셀 패턴(311)의 길이(d), 제1단위 셀 패턴(311) 및 제2단위 셀 패턴(312) 사이의 간격(e) 등 다양한 설계 변수 가 도시되어 있다. 제1단위 셀 패턴(311)의 표면저항(Rs1)과 제2단위 셀 패턴(312)의 표면저항(Rs2)도 설계 변수로 사용될 수 있다. 단위 셀의 형상이 정사각형이 아닌 직사각형일 경우에는 제2단위 셀 패턴(312)의 단위 셀 중심 방향 길이(k)나 단위 셀의 가로 세로 길이 간의 비율에 대한 각도(θ) 등의 설계 변수가 사용될 수도 있다. 동일한 기하학적 형상을 갖는 단위 셀 패턴을 사용하더라도 이러한 설계 변수를 변화시킴에 따라 전자파 흡수특성을 다양하게 조절할 수 있게 된다.
도 4는 도 3의 단위 셀 패턴 배치구조가 사용된 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 평면의 주파수별 전자파 흡수성능을 도시한 것이다. 도 4에는 도 3b의 설계 변수로 Rs = 40 [Ohm/sq], a = 30 [mm], b = 15 [mm], c = 5 [mm], d = 23 [mm], e = 1 [mm], h = 5 [mm], k = 7.5 [mm], t = 0.001 [mm], θ = 45°, εг = 1, μг = 1의 값이 사용되었다.
이때의 흡수성능 중 반사율(reflectivity)은 아래 수학식 1을 통하여 계산할 수 있다.
R [dB] = 20 × log(rDUT/rG)
(여기서 R은 반사율, rDUT는 전자파 흡수체의 표면의 반사계수, rG는 금속 도체 접지층 표면의 반사계수를 나타냄.)
여기서는 흡수대역을 결정함에 있어서, 입사파의 약 90%를 흡수하는 반사율인 -10dB를 기준으로 한다. -10dB 기준선 이하의 반사율을 갖는 주파수 대역은 5.1GHz~ 7.2 GHz이므로, 본 실시예의 주파수 흡수대역은 5.1GHz ~ 7.2GHz가 된다. 또한, 전자파의 최대흡수는 6GHz 부근에서 약 -13dB 정도의 반사율로 일어나는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 도 3의 단위 셀 패턴 배치구조를 변형한 단위 셀 패턴 배치구조의 제2실시예의 평면도이다. 도5를 참조하면, 도3의 단위 셀 패턴 배치구조와 비교할 때, 제1단위 셀 패턴(511)의 내부에 방사대칭 구조로 형성되는 공백인 제1슬롯(slot)(530)이 더 포함된 것을 확인할 수 있다.
제1슬롯(530)은 제1단위 셀 패턴(511)의 공백으로서 실질적으로 유전체(520) 재질로 형성될 수 있다. 슬롯은 단위 셀 패턴의 방사대칭 방향의 돌출 및 함몰에 대응하여 그 단위 셀 패턴의 내부에서 돌출 및 함몰되도록 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제1슬롯(530)은 제1단위 셀 패턴(511)의 돌출부에 대응하는 제1슬롯 돌출부(535)를 갖는다. 돌출부의 존재 여부에 따라 단위 셀 패턴이 선형 또는 환형에 가깝게 형성될 수 있는데, 이러한 차이는 단위 셀 패턴의 형상 내지 배치구조에 관한 부분으로 전자파 흡수성능에 영향을 주게 된다.
도 6은 도 5의 단위 셀 패턴 배치구조를 이용하여 실제 제작한 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 평면의 사진이다. 도6은 복수의 단위 셀 패턴이 주기적으로 배열된 전자파 저지대 구조의 공진형 전자파 흡수체의 일 실시예이다. 도6의 전자파 저지대 표면에서 흑색 부분은 저항성 재질로 형성된 것이고 백색 부분은 유전체 재질로 형성된 것이다.
도 7은 도 6의 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 평면의 주파수별 전자 파 흡수성능의 시뮬레이션 결과와 실제측정 결과를 도시한 것이다.
시뮬레이션 결과에 따른 전자파 흡수대역은 약 5.8GHz ~ 12.2GHz, 최대흡수 주파수는 약 7.1GHz이며, 실제측정 결과에 따른 전자파 흡수대역은 약 5.8GHz ~ 12.7GHz, 최대흡수 주파수는 약 7.3GHz인 것을 확인할 수 있다. 이러한 결과를 통하여 도6과 같은 실제 공진형 전자파 흡수체는 시뮬레이션 예측과 거의 흡사하게 동작한다고 판단할 수 있다.
한편, 이러한 결과는 도 4의 결과와 비교할 때, 최대흡수 주파수가 약 6GHz에서 약 7.3GHz로 상향 조정되었고, 전자파 흡수대역은 5.1GHz ~ 7.3GHz에서 5.8GHz ~ 12.7GHz로 크게 넓어졌음을 알 수 있다. 이러한 주파수 흡수특성 차이는 도3의 단위 셀 패턴 배치구조와 도5 내지 도6의 단위 셀 패턴 배치구조의 차이점에 의한 것이다. 이러한 결과를 통하여 단위 셀 패턴의 배치구조 변화를 통한 공진형 전자파 흡수체의 전자파 흡수특성 조절이 가능함을 알 수 있다.
도 8은 도 6의 단위 셀 패턴 배치구조에서 단위 셀 패턴의 표면저항 Rs를 변화시켜가며 수행한 주파수별 전자파 흡수성능의 시뮬레이션 결과를 도시한 것이다.
표면저항(Rs)이 40 [Ohm/sq]일 경우 주파수 흡수대역은 약 5.5GHz ~ 12GHz이고, 표면저항(Rs)이 80 [Ohm/sq]일 경우 주파수 흡수대역은 약 6.5GHz ~ 15GHz이지만, 표면저항(Rs)이 377 [Ohm/sq]일 경우에는 모든 주파수에서 -10dB 이하의 반사율을 보이지 못하여 90% 이상의 주파수 흡수가 불가능해 지는 것을 확인할 수 있다. 이러한 결과를 통하여 단위 셀 패턴의 표면 저항(Rs)을 변화시키는 것만으로도 최대흡수 주파수 및 전자파 흡수대역을 크게 조정할 수 있음을 알 수 있다.
도 9는 도 5의 단위 셀 패턴 배치구조를 변형한 단위 셀 패턴 배치구조의 제3실시예의 평면도이다. 도 5의 구조와 비교했을 때, 제2단위 셀 패턴(912)의 내부에 방사대칭 구조로 형성되는 공백인 제2슬롯(slot)(940)이 더 포함된 것을 확인할 수 있다.
도 10은 도 9의 단위 셀 패턴 배치구조에서 설계 변수 중 슬롯의 한 변의 길이 x를 변화시켜가며 수행한 주파수별 전자파 흡수성능의 시뮬레이션 결과를 도시한 것이다.
제2슬롯(940)의 한 변의 길이(x)가 2 [mm]일 경우 주파수 흡수대역은 약 5.8GHz ~ 13GHz이고, 제2슬롯(940)의 한 변의 길이(x)가 4 [mm]일 경우 주파수 흡수대역은 약 6.8GHz ~ 16.2GHz이고, 제2슬롯(940)의 한 변의 길이(x)가 6 [mm]일 경우 주파수 흡수대역은 약 8.1GHz ~ 14.8GHz인 것을 확인할 수 있다. 이러한 결과를 통하여 마찬가지로 물리적 설계 변수의 단순한 변화만으로도 전자파 흡수성능을 쉽게 조절할 수 있음을 알 수 있다.
이러한 설계 변수 조정에 의해 전자파 흡수 성능을 갖는 단위 셀 구조들은, 전자파 저지대 기반의 다방향성 전자파 흡수체의 기본 단위로 이용되어 여러 방향에서 입사하는 다른 주파수 대역들의 전자파들을 동시에 흡수하는 효과를 갖게 된다.
도 11은 본 발명에 의한 공진형 전자파 흡수체 제조방법의 제1실시예를 도시한 흐름도이다. 제1실시예에 의한 공진형 전자파 흡수체의 제조과정을 단계별로 설명하면 아래와 같다.
첫째, 제1유전체층(121)을 형성한다(S100). 제1유전체층(121)의 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability) 등은 원하는 전자파 흡수특성에 따라 결정될 수 있다.
둘째, 제1유전체층(121)의 상부에 하나 이상의 접지층(110)을 형성한다(S200). 접지층(110)은 금속 도체 재질로 형성될 수 있으며, 접지층(110)의 개수, 접지층(110)의 반사계수 등은 원하는 전자파 흡수특성에 따라 결정될 수 있다.
셋째, 접지층(110)의 상부에 제2유전체층(122)을 형성한다(S300). 제2유전체층(122)의 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability) 등은 원하는 전자파 흡수특성에 따라 결정될 수 있다.
넷째, 제1유전체층(121)의 외측면에 제1저항성 패턴층(131)을 형성한다(S400). 제1저항성 패턴층(131)은 저항성 재질로 이루어진 단위 셀 패턴을 주기적으로 배열하여 형성될 수 있다. 실시예에 따라 제1저항성 패턴층(131)은 다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조로 형성될 수 있다. 이 때, 단위 셀 패턴의 내부에는 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유전체 재질의 슬롯(slot)이 형성될 수도 있다.
다섯째, 제2유전체층(122)의 외측면에 제2저항성 패턴층을 형성한다(S500). 제2저항성 패턴층(132) 역시 저항성 재질로 이루어진 단위 셀 패턴을 주기적으로 배열하여 형성될 수 있다. 마찬가지로, 실시예에 따라 제2저항성 패턴층(132)은 다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조로 형성될 수 있으며, 단위 셀 패턴의 내부에는 상기 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유전체 재질의 슬롯(slot)이 형성될 수도 있다.
실시예에 따라 제1저항성 패턴층(131) 및 제2저항성 패턴층(132)은, 두께 또는 단위 셀 패턴의 형상, 단위 셀 패턴의 표면저항 중 어느 하나 이상이 서로 다르게 형성될 수 있다.
도 12는 본 발명에 의한 공진형 전자파 흡수체 제조방법의 제2실시예를 도시한 흐름도이다. 제2실시예에 의한 공진형 전자파 흡수체의 제조과정은, 접지층(110)을 형성한 후(S150), 접지층(110)의 상부에 제1유전체층(121)을 형성하고(S250), 접지층(110)의 하부에 제2유전체층(121)을 형성하는(S350) 순서로 이루어질 수 있다. 이후, 제1유전체층(121)의 외측면에 제1저항성 패턴층(131)을 형성하고(S400), 제2유전체층(122)의 외측면에 제2저항성 패턴층을 형성하게 된다(S500). 제2실시예에 의한 제조방법의 각 단계에서의 세부적인 공정에는 제1실시예의 세부공정이 동일하게 적용될 수 있다.
본 실시형태의 모듈, 기능 블록들 또는 수단들은 전자 회로, 집적 회로, ASIC (Application Specific Integrated Circuit) 등 공지된 다양한 소자들로 구현될 수 있으며, 각각 별개로 구현되거나 2 이상이 하나로 통합되어 구현될 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 이해를 위하여 그 실시예를 기술하였으나, 당업자라면 알 수 있듯이, 본 발명은 본 명세서에서 기술된 특정 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 범주를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형, 변경 및 대체될 수 있다. 따라서, 본 발명의 진정한 사상 및 범주에 속하는 모든 변형 및 변 경을 특허청구범위에 의하여 모두 포괄하고자 한다.
도 1은 본 발명에 의한 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 실시예의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 전자파 흡수 원리를 도시한 개념도이다.
도 3a는 본 발명에 의한 다방향성 공진형 전자파 흡수체에 사용되는 단위 셀 패턴 배치구조의 제1실시예의 평면도이다.
도 3b는 도 3의 단위 셀 패턴 배치구조의 설계 변수를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 단위 셀 패턴 배치구조가 사용된 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 평면의 주파수별 전자파 흡수성능을 도시한 것이다.
도 5는 도 3의 단위 셀 패턴 배치구조를 변형한 단위 셀 패턴 배치구조의 제2실시예의 평면도이다.
도 6은 도 5의 단위 셀 패턴 배치구조를 이용하여 실제 제작한 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 평면의 사진이다.
도 7은 도 6의 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 일 평면의 주파수별 전자파 흡수성능의 시뮬레이션 결과와 실제측정 결과를 도시한 것이다.
도 8은 도 6의 단위 셀 패턴 배치구조에서 단위 셀 패턴의 표면저항 Rs를 변화시켜가며 수행한 주파수별 전자파 흡수성능의 시뮬레이션 결과를 도시한 것이다.
도 9는 도 5의 단위 셀 패턴 배치구조를 변형한 단위 셀 패턴 배치구조의 제3실시예의 평면도이다.
도 10은 도 9의 단위 셀 패턴 배치구조에서 설계 변수 중 슬롯의 한 변의 길이 x를 변화시켜가며 수행한 주파수별 전자파 흡수성능의 시뮬레이션 결과를 도시한 것이다.
도 11은 본 발명에 의한 공진형 전자파 흡수체 제조방법의 제1실시예를 도시한 흐름도이다.
도 12는 본 발명에 의한 공진형 전자파 흡수체 제조방법의 제2실시예를 도시한 흐름도이다.

Claims (20)

  1. 하나 이상의 접지층과,
    상기 접지층의 서로 다른 외측면에 각각 형성되는 제1유전체층 및 제2유전체층과,
    상기 제1유전체층의 외측면에 형성되는 제1저항성 패턴층, 및
    상기 제2유전체층의 외측면에 형성되는 제2저항성 패턴층
    를 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층 중 어느 하나 이상은 저항성 재질의 단위 셀 패턴의 주기적 배열로 형성되는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층은, 두께 또는 상기 단위 셀 패턴의 형상, 상기 단위 셀 패턴의 표면저항 중 어느 하나 이상이 서로 다른
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 단위 셀 패턴은,
    다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 상기 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조의 저항성 재질로 형성되는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 단위 셀 패턴은,
    상기 단위 셀의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 제1단위 셀 패턴과,
    상기 단위 셀의 각 변에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 복수의 제2 단위 셀 패턴을 포함하는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 단위 셀 패턴은,
    상기 단위 셀 패턴의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유 전체 재질의 슬롯(slot)을 더 포함하는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 슬롯은, 상기 단위 셀 패턴의 상기 방사대칭 방향의 돌출 및 함몰에 대응하여 상기 단위 셀 패턴의 내부에서 돌출 및 함몰되도록 형성되는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 다각형은 정삼각형, 정사각형, 정육각형 중 어느 하나인
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 방사대칭 구조는,
    상기 다각형이 정삼각형인 경우 3방사, 정사각형인 경우 4방사, 정육각형인 경우 6방사 구조를 갖는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1유전체층 및 상기 제2유전체층은, 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability) 중 어느 하나 이상이 서로 다른
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1유전체층 또는 상기 제2유전체층의 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability), 상기 저항성 패턴층의 두께, 및 상기 접지층의 표면의 반사계수 중 어느 하나 이상은,
    소정의 흡수대역 내의 전자파에 대하여 상기 제1유전체층 또는 상기 제2유전체층의 표면에서의 반사율이 -1dB 이하의 소정의 값이 되도록 결정되는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 접지층은 하나의 금속 도체로 형성되어 상기 제1유전체층 또는 상기 제2유전체층을 투과한 전자파를 전반사하며,
    상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층은 평면으로 형성되어 상기 제1저항성 패턴층의 외측면 및 상기 제2저항성 패턴층의 외측면 양방향으로부터의 전자파를 흡수하는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체.
  13. 금속 도체로 형성되는 접지층과, 상기 접지층의 외측면에 형성되는 복수의 유전체층과, 상기 복수의 유전체층의 외측면에 형성되는 저항성 패턴층을 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법에 있어서,
    상기 복수의 유전체층의 두께, 유전율(permittivity), 투자율(permeability), 상기 저항성 패턴층의 두께, 상기 접지층의 반사계수 중 어느 하나 이상을 변화시켜 전자파의 흡수대역 및 최대흡수 주파수를 조정하는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 저항성 패턴층을 형성하도록 주기적으로 배열되는 저항성 재질로 이루어진 단위 셀 패턴의 형상, 또는 상기 단위 셀 패턴의 표면저항 중 어느 하나 이상을 더 변화시켜 전자파의 흡수대역 및 최대흡수 주파수를 조정하는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 단위 셀 패턴은, 다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 상기 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조로 형성되고, 상기 단위 셀 패턴의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유전체 재질의 슬롯(slot)을 포함하며,
    상기 단위 셀 패턴의 형상의 변화는, 상기 단위 셀 또는 상기 슬롯의 각 변의 길이의 변화를 포함하는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 전자파의 흡수대역 및 최대흡수 주파수의 조정은,
    소정의 흡수대역 내의 전자파에 대하여 상기 유전체층의 표면에서의 반사율이 -1dB 이하의 소정의 값이 되도록 이루어지는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체를 이용한 전자파 흡수성능 조정방법.
  17. 제1유전체층을 형성하는 제1단계와,
    상기 제1유전체층의 상부에 하나 이상의 접지층을 형성하는 제2단계와,
    상기 접지층의 상부에 제2유전체층을 형성하는 제3단계와,
    상기 제1유전체층의 외측면에 제1저항성 패턴층을 형성하는 제4단계, 및
    상기 제2유전체층의 외측면에 제2저항성 패턴층을 형성하는 제5단계
    를 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법.
  18. 접지층을 형성하는 제1단계와,
    상기 접지층의 상부에 제1유전체층을 형성하는 제2단계와,
    상기 접지층의 하부에 제2유전체층을 형성하는 제3단계와,
    상기 제1유전체층의 외측면에 제1저항성 패턴층을 형성하는 제4단계, 및
    상기 제2유전체층의 외측면에 제2저항성 패턴층을 형성하는 제5단계
    를 포함하는 다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법.
  19. 제 17항 또는 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제4단계 및 상기 제5단계는,
    저항성 재질로 이루어진 단위 셀 패턴을 주기적으로 배열하여 상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층을 형성하는 제6단계를 더 포함하며,
    상기 제1저항성 패턴층 및 상기 제2저항성 패턴층은, 두께 또는 상기 단위 셀 패턴의 형상, 상기 단위 셀 패턴의 표면저항 중 어느 하나 이상이 서로 다르게 형성되는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 제6단계는,
    다각형의 형상을 가지는 단위 셀의 내부에 상기 단위 셀의 중심을 원점으로 하는 방사대칭 구조의 저항성 재질로 상기 단위 셀 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 단위 셀 패턴의 내부에 상기 방사대칭 구조로 형성되는 공백 또는 유전체 재질의 슬롯(slot)을 형성하는 단계를 더 포함하는
    다방향성 공진형 전자파 흡수체의 제조방법.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101284757B1 (ko) * 2011-07-04 2013-07-17 단국대학교 산학협력단 다중 주파수 대역용 주파수 선택 반사기
US9276325B2 (en) 2011-08-22 2016-03-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Electromagnetic wave reverberation chamber
KR20220058483A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 메타표면을 포함하는 이중대역 전자기파 흡수체
KR20220058481A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 메타표면을 포함하는 전자기파 흡수체
KR20230101544A (ko) 2021-12-29 2023-07-06 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 초박형 유연 투명 흡수체
KR102643800B1 (ko) 2023-01-30 2024-03-06 주식회사 플라이어 자수공정 기반 다기능 전자파 흡수체 및 이로 제조되는 의복
KR102643804B1 (ko) 2023-01-30 2024-03-06 주식회사 플라이어 자수 패턴 구조를 활용한 다기능 전자파 흡수체 제조방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2485524A (en) * 2010-10-26 2012-05-23 Vestas Wind Sys As Foam core containing radar absorbing materials for composite structures
US9208913B2 (en) * 2011-03-31 2015-12-08 Kuang-Chi Innovative Technology Ltd. Wave-absorbing metamaterial
EP2882037B1 (en) * 2012-07-31 2018-05-16 Kuang-Chi Innovative Technology Ltd. Wide-frequency wave-absorbing metamaterial, electronic device and method for obtaining wide-frequency wave-absorbing metamaterial
ITRM20120569A1 (it) 2012-11-16 2014-05-17 Univ Roma La Sapienza Dispositivo assorbitore di onde elettromagnetiche a frequenza di assorbimento regolabile
US9307631B2 (en) * 2013-01-25 2016-04-05 Laird Technologies, Inc. Cavity resonance reduction and/or shielding structures including frequency selective surfaces
US9622338B2 (en) 2013-01-25 2017-04-11 Laird Technologies, Inc. Frequency selective structures for EMI mitigation
EP3890115A1 (en) 2013-03-15 2021-10-06 Flextronics AP LLC Method and apparatus for creating perfect microwave absorbing printed circuit boards
KR102302165B1 (ko) * 2015-02-16 2021-09-16 한국전자통신연구원 전자파 저감 기능을 가지는 무선 통신 기기의 커버 액세서리
CN108232465B (zh) * 2018-01-18 2021-04-23 陕西理工大学 一种消除棱边散射的装置及方法
US10594028B2 (en) * 2018-02-13 2020-03-17 Apple Inc. Antenna arrays having multi-layer substrates
US11394111B1 (en) * 2019-08-14 2022-07-19 Notch, Inc. Electronically reconfigurable antenna
CN112688052B (zh) * 2019-10-18 2022-04-26 华为技术有限公司 共孔径天线及通信设备
CN112164896B (zh) * 2020-09-23 2023-05-30 中国人民解放军空军工程大学 基于磁性材料与集总器件的低频超宽带吸波体
CN112739186B (zh) * 2020-12-22 2023-08-22 博微太赫兹信息科技有限公司 一种用于增强吸收降低表面辐射的超材料吸波结构
CN112838378B (zh) * 2020-12-31 2022-03-11 南京航空航天大学 一种基于Salisbury屏结构的三波段太赫兹吸波器
CN113097732B (zh) * 2021-03-03 2023-04-07 南京理工大学 可见光波段特殊图案mim超材料完美吸波器及设计方法
US11921175B2 (en) * 2021-04-28 2024-03-05 Canon Medical Systems Corporation Arrayed structure and magnetic resonance imaging apparatus
US11923621B2 (en) 2021-06-03 2024-03-05 Apple Inc. Radio-frequency modules having high-permittivity antenna layers
CN113571918B (zh) * 2021-06-25 2024-03-22 浙江工业大学 一种基于弓型及其内部对称结构的透明隐身体
CN115000724B (zh) * 2022-07-29 2022-10-25 浙江科技学院 一种基于二氧化钒的可调谐超宽带太赫兹吸收器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053484A (ja) * 1999-08-10 2001-02-23 Toppan Printing Co Ltd 周波数選択性を有する電波吸収体
US6538596B1 (en) 2000-05-02 2003-03-25 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Thin, broadband salisbury screen absorber
DE10100956A1 (de) 2001-01-11 2002-07-25 Siemens Ag Navigationsverfahren mit dynamischer Zielauswahl und Navigationsgerät
EP1720396A4 (en) 2004-02-27 2007-12-26 Mitsubishi Gas Chemical Co RADIO WAVES ABSORBENT AND RADIO WAVES ABSORBENT PRODUCTION METHOD
JP2005259776A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 C Tekku:Kk 透過型両面電波吸収装置
US8031054B2 (en) * 2007-03-27 2011-10-04 Round Rock Research, Llc Multi-antenna element systems and related methods
KR101042601B1 (ko) * 2008-05-14 2011-06-20 한국전자통신연구원 저항성 재질을 이용한 공진형 전자파 흡수체

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101284757B1 (ko) * 2011-07-04 2013-07-17 단국대학교 산학협력단 다중 주파수 대역용 주파수 선택 반사기
US9276325B2 (en) 2011-08-22 2016-03-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Electromagnetic wave reverberation chamber
KR20220058483A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 메타표면을 포함하는 이중대역 전자기파 흡수체
KR20220058481A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 메타표면을 포함하는 전자기파 흡수체
KR20230101544A (ko) 2021-12-29 2023-07-06 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 초박형 유연 투명 흡수체
KR102643800B1 (ko) 2023-01-30 2024-03-06 주식회사 플라이어 자수공정 기반 다기능 전자파 흡수체 및 이로 제조되는 의복
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