KR20110058570A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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류승수
최기용
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세메스 주식회사
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Abstract

PURPOSE: An apparatus and method for processing a substrate is provided to eliminate a process of transferring a substrate between a coating process and a decompression drying process, thereby shortening processing time. CONSTITUTION: A coating unit(100) coats a photosensitive solution onto a substrate(11). The coating unit comprises a processing chamber(110), a substrate supporting member(120), and a coating nozzle member(130). The substrate supporting member comprises a stage, a first vacuum line(125), and a first vacuum pump(126). An exhaust hole(124) is formed on the stage. A decompression drying unit(200) decompresses and dries the coated photosensitive solution.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 감광액을 도포 및 도포된 감광액을 건조하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for treating a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for applying a photosensitive liquid to a substrate and drying the applied photosensitive liquid.

평판 표시 장치를 제조하기 위한 공정들 중, 포토리소그래피 공정은 기판에 형성된 막질에 감광액인 포토레지스트 액을 도포(Photoresist coating)하는 도포공정 및 포토레지스트의 유기용제를 휘발시키기 위해 포토레지스트를 건조(Photoresist solvent drying)하는 건조공정을 포함한다.Among the processes for manufacturing a flat panel display device, a photolithography process is a photoresist coating process for applying a photoresist liquid to a film formed on a substrate and drying the photoresist to volatilize an organic solvent of the photoresist. solvent drying).

일반적으로, 도포공정은 도포노즐이 이동하며 기판에 포토레지스트를 도포하고, 건조공정은 기판이 놓인 내부공간을 감압하여 포토레지스트 액을 건조한다. 상기 도포공정과 건조공정은 인 라인(in-line)으로 배치된 서로 상이한 공정챔버에서 수행되며, 각각의 공정챔버들 사이에는 기판을 이송하는 이송유닛이 설치된다. In general, in the coating step, the coating nozzle is moved to apply a photoresist to the substrate, and in the drying step, the photoresist liquid is dried by reducing the internal space in which the substrate is placed. The coating process and the drying process are performed in different process chambers arranged in-line, and a transfer unit for transferring a substrate is installed between the respective process chambers.

이처럼, 도포공정 및 건조공정이 별개의 공정챔버에서 수행되므로, 상기 공정을 수행하기 위한 기판 처리 설비의 설비 면적이 증가하고, 공정 챔버들간의 기판 이송으로 공정시간이 증가하는 문제가 발생한다.As described above, since the coating process and the drying process are performed in separate process chambers, the facility area of the substrate processing equipment for performing the process increases, and the process time increases due to the substrate transfer between the process chambers.

본 발명은 설비 면적을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and method capable of reducing a facility area.

또한, 본 발명은 공정시간을 단축시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus and method that can reduce the process time.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들을 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판에 감광액을 도포하는 도포공정을 수행하는 도포 유닛; 상기 도포 유닛 내에 설치되며, 상기 감광액을 감압건조하는 감압건조유닛을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a coating unit which performs a coating step of applying a photosensitive liquid to a substrate; It is installed in the coating unit, and includes a reduced pressure drying unit for drying the photosensitive liquid under reduced pressure.

상기 도포 유닛은 상기 도포공정이 수행되는 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버내에 위치하며, 기판이 놓이는 스테이지; 상기 기판에 감광액을 도포하는 도포 노즐을 포함한다.The coating unit may include a process chamber in which a space in which the coating process is performed is formed; A stage in the process chamber, on which the substrate is placed; It includes a coating nozzle for applying a photosensitive liquid to the substrate.

상기 감압건조유닛은 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 하부가 개방된 공간이 내부에 형성된 건조 챔버; 상기 건조 챔버가 상기 스테이지에 안착되도록 상기 건조 챔버를 승강시키는 건조 챔버 구동기; 및 상기 건조 챔버가 상기 스테이지에 안착된 상태에서 상기 스테이지의 상면과 상기 건조 챔버 내측면에 의해 형성되는 건조공간을 감압하는 감압부재를 포함한다.The reduced pressure drying unit is located in the process chamber, the drying chamber is formed in the interior of the lower open space; A drying chamber driver for elevating the drying chamber so that the drying chamber is seated on the stage; And a pressure reducing member for depressurizing a drying space formed by an upper surface of the stage and an inner surface of the drying chamber while the drying chamber is seated on the stage.

상기 스테이지에는 배기홀이 형성되며, 상기 감압부재는 상기 배기홀과 연결 되는 진공라인; 상기 진공라인상에 설치되는 진공펌프를 포함한다.An exhaust hole is formed in the stage, and the pressure reducing member comprises: a vacuum line connected to the exhaust hole; It includes a vacuum pump installed on the vacuum line.

상기 스테이지에는 기판을 진공흡착하는 진공홀이 더 형성된다.The stage further includes a vacuum hole for vacuum suction of the substrate.

다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 고정설치되며, 기판이 놓이는 스테이지; 슬릿형상의 토출구를 가지며, 일방향으로 이동하며 기판에 감광액을 도포하는 도포 노즐; 상기 공정 챔버 내에서 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 하부가 개방된 내부공간이 형성된 건조 챔버; 상기 건조 챔버가 상기 스테이지 상에 안착되는 건조위치와 상기 스테이지로부터 이격되는 대기위치 간에 위치되도록 상기 건조 챔버를 승하강시키는 건조 챔버 구동기; 상기 건조 챔버가 상기 건조위치에 위치한 상태에서 상기 스테이지의 상면과 상기 건조 챔버의 내측면에 의해 형성되는 건조공간을 감압하는 감압부재를 포함한다.In another embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber; A stage fixedly installed in the process chamber and on which the substrate is placed; An application nozzle having a slit-shaped discharge port and moving in one direction to apply a photosensitive liquid to the substrate; A drying chamber located at an upper portion of the stage in the process chamber and having an inner space having a lower open portion; A drying chamber driver for elevating the drying chamber such that the drying chamber is positioned between a drying position seated on the stage and a standby position spaced apart from the stage; And a decompression member for depressurizing a drying space formed by an upper surface of the stage and an inner surface of the drying chamber while the drying chamber is located at the drying position.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 도포 노즐이 이동하여 스테이지에 놓인 기판에 감광액을 도포하고, 상기 감광액의 도포가 완료되면 하부가 개방된 내부공간이 형성된 건조 챔버를 상기 스테이지에 안착하여 기판을 상기 내부공간 내에 위치시키고, 상기 스테이지의 상면과 상기 건조 챔버의 내측면에 의해 형성되는 건조공간을 감압하여 상기 감광액을 건조시킨다.The present invention also provides a substrate processing method. In the substrate processing method, a photosensitive liquid is applied to a substrate placed on a stage by moving an application nozzle, and when the application of the photosensitive liquid is completed, a substrate is placed in the internal space by seating a drying chamber having an internal space having an open lower portion on the stage. The pressure-sensitive drying space formed by the upper surface of the stage and the inner surface of the drying chamber is reduced in pressure to dry the photosensitive liquid.

상기 건조공간은 상기 스테이지에 형성된 배기홀을 통하여 감압된다.The drying space is reduced in pressure through an exhaust hole formed in the stage.

상기 감광액의 건조가 진행되는 동안, 기판은 상기 스테이지에 진공흡착된다.During the drying of the photosensitive liquid, the substrate is vacuum adsorbed on the stage.

본 발명에 의하면, 도포 공정 및 감압건조공정이 하나의 공정 챔버에서 수행 되므로 기판 처리 설비 면적이 감소된다.According to the present invention, since the coating process and the reduced pressure drying process are performed in one process chamber, the substrate processing equipment area is reduced.

또한, 본 발명에 의하면, 도포 공정과 감압건조공정 간에 기판의 이송과정이 요구되지 않으므로, 공정시간이 단축된다.In addition, according to the present invention, the transfer process of the substrate between the coating step and the vacuum drying step is not required, the process time is shortened.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 6을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 6. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예에서 기판은 평판 디스플레이용 패널의 일종인 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, TFT-LCD)용 패널이거나 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 디스플레이용 패널 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판을 예로 들어 설명하였으나, 기판은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)가 제공될 수 있다.In this embodiment, the substrate is a panel for thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD), which is a kind of panel for flat panel display, or a panel flat panel display for organic light emitting diodes (OLED) display. Although a substrate used for manufacturing a panel has been described as an example, the substrate may be provided with a wafer used for manufacturing a semiconductor chip.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 평단면도이다.1 is a plan sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 도포 유닛(100) 및 감압건조유닛(200)을 포함한다. 도포 유닛(100)은 기판(11)에 감광액을 도포하고, 감압건조유닛(200)은 도포된 감광액을 감압건조시킨다. 감압건조유닛(200)은 도포 유닛(100) 내에 제공되며 도포공정 완료 후 순차적으로 감압건조공정을 실행한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes an application unit 100 and a reduced pressure drying unit 200. The coating unit 100 applies the photosensitive liquid to the substrate 11, and the reduced pressure drying unit 200 dries the applied photosensitive liquid under reduced pressure. The reduced pressure drying unit 200 is provided in the application unit 100 and sequentially performs the reduced pressure drying process after the application process is completed. Hereinafter, each structure is demonstrated in detail.

도포 유닛(100)은 공정 챔버(110), 기판 지지 부재(120), 그리고 도포 노즐 부재(130)를 포함한다.The application unit 100 includes a process chamber 110, a substrate support member 120, and an application nozzle member 130.

공정 챔버(110)는 도포 공정이 수행되는 공간(111)을 내부에 가진다. 공정 챔버(110)의 측벽에는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 기판(11)이 내부공간(111)으로 반입되는 통로로 제공된다. 개구가 형성된 측벽에는 개구를 개폐하는 도어(미도시)가 설치된다. 도어는 기판(11)이 내부공간(111)으로 반입되는 동안 개구를 개방하고, 기판(11)이 내부공간(111)내에 머무는 동안 개구를 닫는다.The process chamber 110 has a space 111 in which an application process is performed. An opening (not shown) is formed in the sidewall of the process chamber 110, and the opening is provided as a passage through which the substrate 11 is carried into the internal space 111. A door (not shown) for opening and closing the opening is provided on the sidewall on which the opening is formed. The door opens the opening while the substrate 11 is brought into the inner space 111, and closes the opening while the substrate 11 stays in the inner space 111.

공정 챔버(110)의 내부공간(111)에는 기판 지지 부재(120)가 설치된다. 기판 지지 부재(120)는 스테이지(121), 리프트 핀(미도시), 제1진공라인(125), 그리고 제1진공펌프(126)를 포함한다.The substrate support member 120 is installed in the internal space 111 of the process chamber 110. The substrate support member 120 includes a stage 121, a lift pin (not shown), a first vacuum line 125, and a first vacuum pump 126.

스테이지(121)는 사각형상의 플레이트로 제공되며, 공정 챔버(111)내에 고정설치된다. 스테이지(121)의 상면은 기판(11)보다 넓은 면적으로 제공되며, 상면에는 기판(11)이 놓인다. 스테이지(121)의 상면에는 진공홀(122)들이 이격하여 복수개 형성된다. 각각의 진공홀(122)들은 스테이지(121) 내부에 형성된 내부통로(123)와 연결된다. 내부통로(123)는 제1진공라인(125)과 연결되며, 제1진공라인(125)을 통해 제1진공펌프(126)와 연결된다. 제1진공라인(125)상에 설치된 제1진공펌프(126)의 구동으로 진공홀(122) 내부가 감압되어 기판(11)은 스테이지(121) 상면에 진공흡착된다. 실시예에 의하면, 도포공정 및 감압건조공정이 진행되는 동안, 기판(11)은 스테이지(121) 상면에 진공흡착된다.The stage 121 is provided in a rectangular plate and is fixedly installed in the process chamber 111. The upper surface of the stage 121 is provided with a larger area than the substrate 11, and the substrate 11 is placed on the upper surface. On the upper surface of the stage 121, a plurality of vacuum holes 122 are spaced apart. Each of the vacuum holes 122 is connected to an inner passage 123 formed in the stage 121. The inner passage 123 is connected to the first vacuum line 125 and is connected to the first vacuum pump 126 through the first vacuum line 125. The inside of the vacuum hole 122 is depressurized by the driving of the first vacuum pump 126 installed on the first vacuum line 125 so that the substrate 11 is vacuum-adsorbed on the upper surface of the stage 121. According to the embodiment, the substrate 11 is vacuum-adsorbed on the upper surface of the stage 121 during the coating process and the vacuum drying process.

그리고, 스테이지(121)에는 상·하면을 관통하는 리프트 홀(미도시)이 형성된다. 리프트 홀내에는 리프트 핀이 위치하며, 리프트 핀은 리프트 홀을 따라 상하방향으로 승강가능하도록 제공된다. 리프트 핀은 승강하여 스테이지(121) 상부에 위치한 기판(11)을 스테이지(121) 상면에 로딩시킨다.In addition, a lift hole (not shown) penetrating the upper and lower surfaces is formed in the stage 121. A lift pin is located in the lift hole, and the lift pin is provided to be capable of lifting up and down along the lift hole. The lift pin lifts and loads the substrate 11 positioned on the stage 121 on the upper surface of the stage 121.

또한, 스테이지(121)에는 배기홀(124)이 형성된다. 배기홀(124)은 스테이지(121)의 가장자리영역에 이격하여 복수개 형성된다. 구체적으로, 배기홀(124)들은 기판(11)이 놓이는 영역 외측에 형성된다. 배기홀(124)들은 후술하는 감압부재(230)와 연결되며, 감압 건조 공정에서 건조공간(도 6의 DS)을 감압하는 통로로 제공된다.In addition, an exhaust hole 124 is formed in the stage 121. The plurality of exhaust holes 124 are spaced apart from the edge region of the stage 121. Specifically, the exhaust holes 124 are formed outside the region where the substrate 11 is placed. The exhaust holes 124 are connected to the pressure reducing member 230 to be described later, and are provided as a passage for reducing the drying space (DS of FIG. 6) in the vacuum drying process.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도포 노즐 부재를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing an application nozzle member according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 2를 참조하면, 도포 노즐 부재(130)는 스테이지(121)에 놓인 기판(11)에 감광액을 도포한다. 도포 노즐 부재(130)는 도포 노즐(131), 노즐 구동부재(132), 감광액 공급라인(139)을 포함한다.1 and 2, the application nozzle member 130 applies a photosensitive liquid to the substrate 11 placed on the stage 121. The coating nozzle member 130 includes a coating nozzle 131, a nozzle driving member 132, and a photosensitive liquid supply line 139.

도포 노즐(131)은 스테이지(121)에 놓인 기판(11)의 상부에서 스캔이동하며 기판(11)에 감광액을 토출한다. 도포 노즐(131)의 저면에는 감광액을 토출하는 토출구가 슬릿 형상으로 형성된다. 토출구는 도포 노즐(131)의 이동방향에 수직한 방향으로 형성된다. 도포 노즐(131)의 내부에는 감광액 공급라인(139)에서 제공된 감광액이 공급되는 슬릿공간 및 상기 슬릿공간에 공급된 감광액이 토출구를 통해 토출되기 전 일시적으로 머무르는 버퍼공간이 길이방향을 따라 제공될 수 있다.The coating nozzle 131 scans and moves the upper portion of the substrate 11 on the stage 121 and discharges the photosensitive liquid onto the substrate 11. At the bottom of the application nozzle 131, a discharge port for discharging the photosensitive liquid is formed in a slit shape. The discharge port is formed in a direction perpendicular to the moving direction of the coating nozzle 131. Inside the application nozzle 131, a slit space to which the photosensitive liquid provided from the photosensitive liquid supply line 139 is supplied and a buffer space to temporarily stay before the photosensitive liquid supplied to the slit space is discharged through the discharge port may be provided along the length direction. have.

노즐 구동부재(132)는 도포 노즐(131)을 스캔이동시킨다. 노즐 구동부재(132)는 가이드 레일(133), 노즐 지지체(134), 승강축(135), 수평 구동기(미도시), 그리고 수직 구동기(136)를 포함한다.The nozzle driving member 132 scan moves the application nozzle 131. The nozzle driving member 132 includes a guide rail 133, a nozzle support 134, a lifting shaft 135, a horizontal driver (not shown), and a vertical driver 136.

가이드 레일(133)은 도포 노즐(131)의 이동을 안내한다. 가이드 레일(133)은 스테이지(121)의 양측에 서로 나란하게 일방향으로 설치된다. 가이드 레일(133)은 스테이지(121)의 측면과 나란하게 배치되며, 나란한 스테이지(121)의 측면보다 길게 제공된다. 이에 의하여, 도포 노즐(131)은 스테이지(121)의 일측에서 타측으로 이동한다.The guide rail 133 guides the movement of the application nozzle 131. The guide rails 133 are installed in one direction on both sides of the stage 121 in parallel with each other. The guide rail 133 is disposed side by side with the side of the stage 121, and is provided longer than the side of the side stage 121. As a result, the coating nozzle 131 moves from one side of the stage 121 to the other side.

가이드 레일(133)에는 도포 노즐(131)을 지지하는 노즐 지지체(134)가 설치된다. 노즐 지지체(134)는 가이드 레일(133)에 상하방향으로 각각 설치되며 가이드 레일(133)을 따라 이동하는 수직부(133a) 및 상기 수직부(133a)의 상단에 수평방향으로 설치되며 도포 노즐(131)을 지지하는 수평부(133b)를 가진다. 수평부(133b)는 스테이지(121)의 상면보다 높게 위치한다.The guide rail 133 is provided with a nozzle support 134 for supporting the application nozzle 131. The nozzle supporter 134 is installed on the guide rail 133 in the vertical direction, and is installed in the horizontal direction at the top of the vertical portion 133a and the vertical portion 133a moving along the guide rail 133, and the coating nozzle ( 131 has a horizontal portion 133b for supporting it. The horizontal portion 133b is positioned higher than the top surface of the stage 121.

수평부(133a)의 하부에는 도포 노즐(131)이 위치하며, 도포 노즐(131)과 수평부(134b) 사이에는 승강축(135)이 설치된다. 도포 노즐(131)은 승강축(135)을 통하여 노즐 지지체(134)에 지지된다. 승강축(135)은 수직 구동기의 구동으로 상하방향으로 승강한다. 승강축(135)의 승강에 의하여 도포 노즐(131)의 저면과 기판(11)과의 거리가 조절된다. An application nozzle 131 is positioned below the horizontal portion 133a, and a lifting shaft 135 is installed between the application nozzle 131 and the horizontal portion 134b. The application nozzle 131 is supported by the nozzle support 134 through the lifting shaft 135. The lifting shaft 135 moves up and down by the drive of the vertical driver. The distance between the bottom surface of the application nozzle 131 and the substrate 11 is adjusted by the lifting and lowering of the lifting shaft 135.

수평 구동기(136)는 가이드 레일(133)을 따라 노즐 지지체(134)를 이동시킨다. 수평 구동기(136)의 구동으로 도포 노즐(131)은 노즐 지지체(134)와 함께 가이 드 레일(133)을 따라 스테이지(121) 상부를 스캔이동하며 기판(11)에 감광액을 토출한다. 실시예에 의하면, 수평 구동기(136)는 가이드 레일(133)의 일단에 위치한다.The horizontal driver 136 moves the nozzle support 134 along the guide rail 133. The application nozzle 131 scans and moves the upper part of the stage 121 along the guide rail 133 along with the nozzle support 134 by the horizontal driver 136 to discharge the photosensitive liquid onto the substrate 11. According to an embodiment, the horizontal driver 136 is located at one end of the guide rail 133.

감광액 공급라인(139)은 도포 노즐(131)로 감광액을 공급한다. 감광액 공급라인(139)은 감광액 저장부(미도시)와 도포 노즐(131)을 연결한다. 감광액 저장부에 저장된 감광액은 감광액 공급라인(139)을 통하여 도포 노즐(131)에 형성된 슬릿공간으로 공급된다. 감광액 공급라인(139) 상에는 밸브가 설치되며, 밸브는 감광액 공급라인(139)의 유로를 개폐하여 도포 노즐(131)에 공급되는 감광액의 유량을 조절한다.The photosensitive liquid supply line 139 supplies the photosensitive liquid to the application nozzle 131. The photosensitive liquid supply line 139 connects the photosensitive liquid storage unit (not shown) and the application nozzle 131. The photoresist stored in the photoresist storage part is supplied to the slit space formed in the application nozzle 131 through the photoresist supply line 139. A valve is installed on the photosensitive liquid supply line 139, and the valve opens and closes the flow path of the photosensitive liquid supply line 139 to adjust the flow rate of the photosensitive liquid supplied to the application nozzle 131.

감압 건조 유닛(200)은 도포 유닛(100) 내에 설치되며, 기판(11)에 도포된 감광액을 감압건조한다. 감압 건조 유닛(200)은 건조 챔버(210), 건조 챔버 구동부(220), 감압부재(230), 그리고 승압부재(240)를 포함한다.The reduced pressure drying unit 200 is installed in the application unit 100, and the pressure sensitive drying unit 200 is dried under reduced pressure. The reduced pressure drying unit 200 includes a drying chamber 210, a drying chamber driver 220, a pressure reducing member 230, and a boosting member 240.

도 3은 도 1의 건조 챔버 및 건조 챔버 구동부를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a drying chamber and a drying chamber driving unit of FIG. 1.

도 1 및 3을 참보하면, 건조 챔버(210)는 공정 챔버(110) 내에 위치한다. 건조 챔버(210)는 사각형상의 플레이트로 제공되며, 하부가 개방된 공간(211)이 내부에 형성된다. 건조 챔버(210)에 형성된 공간(211)은 감광액의 건조공정이 수행되는 건조공간(도 6의 DS)으로 제공된다. 건조 챔버(210)에 형성된 공간(211)은 상기 공간(211)내에 기판(11)이 위치할 수 있도록 기판(11)보다 넓은 면적으로 형성된다. 구체적으로, 건조 챔버(210)의 개방된 하부에 대응하는 스테이지(121)의 영역에 배기홀(124)이 위치될 수 도록 충분한 공간으로 형성된다. Referring to FIGS. 1 and 3, the drying chamber 210 is located within the process chamber 110. The drying chamber 210 is provided as a rectangular plate, and a space 211 having an open bottom is formed therein. The space 211 formed in the drying chamber 210 is provided as a drying space (DS of FIG. 6) in which a drying process of the photosensitive liquid is performed. The space 211 formed in the drying chamber 210 is formed to have a larger area than the substrate 11 so that the substrate 11 may be located in the space 211. Specifically, the exhaust hole 124 is formed in a sufficient space so that the exhaust hole 124 may be located in the region of the stage 121 corresponding to the open lower portion of the drying chamber 210.

건조 챔버 구동기(220)는 건조 챔버(210)가 스테이지(121)에 안착되도록 건조 챔버(210)를 승강시킨다. 실시예에 의하면, 건조 챔버 구동기(220)는 건조 챔버 지지대(221), 승강축(222), 구동기(223)를 포함한다. 건조 챔버 지지대(221)는 일단이 공정 챔버(110)의 일측벽에 결합하고, 타단이 상기 일측벽에 나란한 타측벽에 결합한다. 건조 챔버 지지대(221)는 공정 챔버(110)의 양측벽에 상하방향으로 설치된 가이드 레일(112)을 따라 승강한다. The drying chamber driver 220 lifts the drying chamber 210 so that the drying chamber 210 is seated on the stage 121. According to an embodiment, the drying chamber driver 220 includes a drying chamber support 221, a lifting shaft 222, and a driver 223. The drying chamber supporter 221 has one end coupled to one side wall of the process chamber 110, and the other end coupled to the other side wall parallel to the one side wall. The drying chamber supporter 221 moves up and down along the guide rails 112 installed in the vertical direction on both side walls of the process chamber 110.

건조 챔버 지지대(221)의 하부에는 건조 챔버(210)가 위치하며, 건조 챔버 지지대(221)와 건조 챔버(220) 사이에는 승강축(222)이 설치된다. 건조 챔버(210)는 승강축(222)을 통하여 건조 챔버 지지대(221)에 지지된다. 승강축(222)은 구동기(223)의 구동으로 상하방향으로 승강한다. A drying chamber 210 is positioned below the drying chamber support 221, and a lifting shaft 222 is installed between the drying chamber support 221 and the drying chamber 220. The drying chamber 210 is supported by the drying chamber support 221 through the lifting shaft 222. The lifting shaft 222 moves up and down by the driving of the driver 223.

건조 챔버(210)는 건조 챔버 지지대(221) 및 승강축(222)의 승강에 의하여 스테이지(121)에 안착된다. 건조 챔버(210)가 스테이지(121)에 안착되면, 감광액의 감압건조공정이 수행되는 건조 공간(도 6의 DS)이 형성된다. 건조공간(DS)은 스테이지(121)의 상면과 건조 챔버(210)의 내측면에 의해 형성된다. 기판(11)은 상기 건조공간(DS) 내에 위치한다.The drying chamber 210 is seated on the stage 121 by the lifting and lowering of the drying chamber support 221 and the lifting shaft 222. When the drying chamber 210 is seated on the stage 121, a drying space (DS of FIG. 6) is formed in which a reduced pressure drying process of the photosensitive liquid is performed. The drying space DS is formed by an upper surface of the stage 121 and an inner surface of the drying chamber 210. The substrate 11 is located in the drying space DS.

감압부재(230)는 건조 챔버(210)가 스테이지(121)에 안착된 상태에서 배기홀(124)을 통하여 상기 건조공간(DS)을 감압한다. 감압부재(230)는 제2진공라인(231) 및 제2진공펌프(232)를 포함한다. 제2진공라인(231)은 배기홀(124)과 제2진공펌프(232)를 연결한다. 제2진공펌프(232)는 제2진공라인(231)상에 설치되며, 제2진공펌프(232)의 구동으로 건조공간(DS)이 감압된다. 제2진공라인(231)상에는 제2진공라인(231)을 통해 배기되는 공기의 유량을 조절하는 밸브(233)가 설치된다. 건조 공간(DS)은 상압에서 제1압력으로 감압되는 제1감압단계와 상기 제1압력에서 제2압력으로 감압되는 제2감압단계에 의해 감압된다. 감압부재(230)는 상압에서 제1압력으로 감압되는 감압속도와 제1압력에서 제2압력으로 감압되는 감압속도는 상이하도록 제어한다. 실시예에 의하면, 상압에서 제1압력으로 감압되는 감압속도가 제1압력에서 제2압력으로 감압되는 감압속도보다 작다.The decompression member 230 depressurizes the drying space DS through the exhaust hole 124 in a state where the drying chamber 210 is seated on the stage 121. The pressure reduction member 230 includes a second vacuum line 231 and a second vacuum pump 232. The second vacuum line 231 connects the exhaust hole 124 and the second vacuum pump 232. The second vacuum pump 232 is installed on the second vacuum line 231, and the drying space DS is decompressed by the driving of the second vacuum pump 232. On the second vacuum line 231, a valve 233 is provided to adjust the flow rate of the air exhausted through the second vacuum line 231. The drying space DS is decompressed by a first depressurization step of depressurizing to a first pressure at normal pressure and a second decompression step of depressurizing to a second pressure from the first pressure. The decompression member 230 controls the decompression speed to be decompressed to the first pressure at normal pressure and the decompression speed to be decompressed to the second pressure from the first pressure. According to the embodiment, the depressurization rate reduced to normal pressure from the first pressure is smaller than the decompression rate depressurized from the first pressure to the second pressure.

승압부재(240)는 감압된 건조공간(DS)의 압력을 상승시킨다. 승압부재(240)는 제1질소가스공급라인(241)과 질소가스 저장부(243)를 가진다. 제1질소가스 공급라인(241)은 제2진공라인(231)과 질소가스 저장부(243)를 연결하며, 질소가스 저장부(243)에 저장된 질소가스를 제2진공라인(231)을 통해 건조공간(DS)으로 공급한다. 구체적으로, 제1질소가스 공급라인(241)은 배기홀(124)과 밸브(233) 사이의 구간에서 제2진공라인(231)과 연결된다. 제1질소가스 공급라인(241) 상에는 제1질소가스공급라인(241)의 유로를 개폐하는 밸브(242)가 설치된다. 감압건조공정이 완료되면, 제1질소가스 공급라인(241)을 통하여 건조공간(DS)으로 질소가스가 공급되어 건조공간(DS)의 압력이 상승한다. 건조공간(DS)이 상압상태로 상승되면, 건조 챔버(210)가 상승하여 스테이지(121)로부터 이격된다.The boost member 240 increases the pressure of the reduced pressure drying space (DS). The boosting member 240 has a first nitrogen gas supply line 241 and a nitrogen gas storage unit 243. The first nitrogen gas supply line 241 connects the second vacuum line 231 and the nitrogen gas storage unit 243, and receives the nitrogen gas stored in the nitrogen gas storage unit 243 through the second vacuum line 231. Supply to the dry space (DS). Specifically, the first nitrogen gas supply line 241 is connected to the second vacuum line 231 in the section between the exhaust hole 124 and the valve 233. On the first nitrogen gas supply line 241, a valve 242 is provided to open and close the flow path of the first nitrogen gas supply line 241. When the reduced pressure drying process is completed, nitrogen gas is supplied to the drying space DS through the first nitrogen gas supply line 241 to increase the pressure of the drying space DS. When the drying space DS is raised to an atmospheric pressure state, the drying chamber 210 is raised to be spaced apart from the stage 121.

또한, 승압부재(240)는 기판(11)을 진공흡착한 진공홀(122)의 압력을 상승시킨다. 승압부재(240)는 질소가스 저장부(243)와 진공홀(122)을 연결하는 제2질소가스 공급라인(245)을 더 포함한다. 도포공정 및 감압건조공정이 완료되면, 질소가스 저장부(243)에 저장된 질소가스가 제2질소가스 공급라인(245)을 통해 진공홀(122) 로 공급된다. 진공홀(122)의 압력 상승으로 기판(11)은 스테이지(121)로부터 디 척킹(de-chucking)된다.In addition, the boosting member 240 increases the pressure of the vacuum hole 122 that vacuum-adsorbs the substrate 11. The booster member 240 further includes a second nitrogen gas supply line 245 connecting the nitrogen gas storage unit 243 and the vacuum hole 122. When the coating process and the vacuum drying process is completed, the nitrogen gas stored in the nitrogen gas storage unit 243 is supplied to the vacuum hole 122 through the second nitrogen gas supply line 245. The substrate 11 is de-chucked from the stage 121 by the pressure rise of the vacuum hole 122.

승압부재(240)에 제공되는 가스는 상기 질소가스 뿐만 아니라 불활성 가스가 사용될 수 있다.The gas provided to the boost member 240 may be an inert gas as well as the nitrogen gas.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 방법을 설명하면 다음과 같다.A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above is as follows.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이고, 도 5는 도 4의 도포공정을 나타내는 도면이고, 도 6은 도 4의 감압건조공정을 나타내는 도면이다.4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 5 is a diagram illustrating an application process of FIG. 4, and FIG. 6 is a diagram illustrating a vacuum drying process of FIG. 4.

도 4 내지 6을 참조하면, 기판 처리 방법은 기판(11)에 감광액을 도포하는 도포공정(S10) 및 도포된 감광액을 감압건조하는 감압건조공정(S20)를 포함한다. 도포공정(S10) 및 감압건조공정(S20)은 하나의 공정 챔버내에서 수행된다. 이하, 각 공정에 대하여 상세하게 설명한다.4 to 6, the substrate treating method includes a coating step (S10) of applying a photosensitive solution to the substrate 11 and a reduced pressure drying step (S20) of drying the applied photosensitive solution under reduced pressure. The coating step S10 and the reduced pressure drying step S20 are performed in one process chamber. Hereinafter, each process is explained in full detail.

먼저, 기판(11)이 공정챔버(110)의 내부공간(111)으로 이송되면, 리프트 핀의 승강으로 기판(11)이 스테이지(121) 상면에 안착된다. 스테이지(121)에 안착된 기판(11)은 제1진공펌프(126)의 구동으로 진공홀(122) 내부가 감압되어 스테이지(121)의 상면에 진공흡착된다.First, when the substrate 11 is transferred to the internal space 111 of the process chamber 110, the substrate 11 is seated on the upper surface of the stage 121 by lifting and lowering of the lift pins. The substrate 11 seated on the stage 121 is vacuum-resorbed on the upper surface of the stage 121 by depressurizing the inside of the vacuum hole 122 by the driving of the first vacuum pump 126.

상기 과정이 진행되는 동안 도포 노즐(131)은 스테이지(121)의 일측에서 대기한다. 기판(11)이 스테이지(121)에 진공흡착되면, 도포 노즐(131)은 노즐 지지체 와 함께 가이드 레일을 따라 스캔 이동하며 기판(11)에 감광액을 도포한다. 감광액의 도포가 완료되면 도포 노즐(131)은 스테이지(121)의 일측에 위치한다.The application nozzle 131 stands by on one side of the stage 121 while the process is in progress. When the substrate 11 is vacuum-adsorbed to the stage 121, the application nozzle 131 scans along the guide rail along with the nozzle support and applies the photosensitive liquid to the substrate 11. When the application of the photosensitive liquid is completed, the application nozzle 131 is located on one side of the stage 121.

도포공정이 진행되는 동안 건조 챔버(210)는 스테이지(121)의 상부에서 대기하며, 도포공정이 완료된 후 건조 챔버 구동기(220)에 의해 스테이지(121)에 안착된다. 건조 챔버(210)는 하부가 개방된 내부공간(211)에 기판(11)이 위치하도록 스테이지에 안착된다. 또한, 건조 챔버(210)는 스테이지(121)에 형성된 배기홀(124)이 내부공간(211)에 위치하도록 스테이지(121)에 안착된다. 건조 챔버(210)의 안착에 의하여, 건조챔버(210)의 내측면과 스테이지(121)의 상면에 의하여 건조공간(DS)이 형성된다. 건조 챔버(210)가 스테이지(121)에 안착되면, 감압부재(230)가 건조공간(DS)을 감압한다. 제2진공펌프(232)의 구동으로 배기홀(124) 및 제2진공라인(231)을 통해 건조공간(DS)에 머무르는 공기가 외부로 배기되어 건조공간(DS)이 감압된다. 건조공간(DS)은 먼저 상압에서 제1압력으로 제1감압속도로 감압된 후 상기 제1압력에서 제2압력으로 제2감압속도로 감압된다. 제1감압속도는 제2감압속도보다 느리다. 이와 같이, 본 발명은 감압건조공정의 초기단계에서 건조공간(DS)의 압력을 천천히 감압하므로써, 감광액에 함유된 유기용제등의 빠른 증발을 방지한다. 이에 의하여, 빠른 감압건조로 인하여 발생할 수 있는 도포층 표면의 얼룩발생이 예방된다.The drying chamber 210 waits at the top of the stage 121 while the coating process is in progress, and is mounted on the stage 121 by the drying chamber driver 220 after the coating process is completed. The drying chamber 210 is mounted on the stage such that the substrate 11 is positioned in the inner space 211 in which the lower portion is opened. In addition, the drying chamber 210 is seated on the stage 121 so that the exhaust hole 124 formed in the stage 121 is located in the internal space 211. By the seating of the drying chamber 210, the drying space DS is formed by the inner surface of the drying chamber 210 and the upper surface of the stage 121. When the drying chamber 210 is seated on the stage 121, the pressure reducing member 230 depressurizes the drying space DS. The air remaining in the drying space DS is exhausted to the outside through the exhaust hole 124 and the second vacuum line 231 by the driving of the second vacuum pump 232, thereby reducing the drying space DS. The drying space DS is first decompressed at a first deceleration rate from the normal pressure to the first pressure and then decompressed at the second deceleration rate from the first pressure to the second pressure. The first deceleration speed is slower than the second deceleration speed. As described above, the present invention prevents rapid evaporation of the organic solvent and the like contained in the photosensitive liquid by slowly reducing the pressure of the drying space DS in the initial stage of the reduced pressure drying process. As a result, staining of the surface of the coating layer, which may occur due to rapid drying under reduced pressure, is prevented.

감광액의 감압건조공정이 완료되면, 제2진공라인(231)에 설치되 밸브(233)가 제2진공라인을 차단한다. 그리고, 질소가스 저장부(243)에 저장된 질소가스가 제1질소가스 공급라인(241) 및 제2진공라인(231)을 통하여 건조공간(DS)으로 공급된 다. 질소가스의 공급으로 건조공간(DS)의 압력이 상승하여 상압상태로 상승한다. 그리고, 제1진공라인(125)에 설치된 밸브(127)가 차단되고, 제2질소가스공급라인(245)에 설치된 밸브(246)가 개방되어 제2질소가스공급라인(245) 및 제1진공라인(125)을 통하여 진공홀(121)로 질소가스가 공급된다. 진공홀(122)의 내부압력은 질소가스의 공급으로 상압상태로 상승하고, 이에 의하여 기판(11)이 스테이지(121)로부터 디 척킹된다.When the pressure-sensitive drying process of the photosensitive liquid is completed, the valve 233 is installed in the second vacuum line 231 to block the second vacuum line. In addition, nitrogen gas stored in the nitrogen gas storage unit 243 is supplied to the drying space DS through the first nitrogen gas supply line 241 and the second vacuum line 231. The pressure of the drying space DS is increased by the supply of nitrogen gas, and the pressure is raised to the normal pressure. Then, the valve 127 installed in the first vacuum line 125 is blocked, and the valve 246 installed in the second nitrogen gas supply line 245 is opened to open the second nitrogen gas supply line 245 and the first vacuum. Nitrogen gas is supplied to the vacuum hole 121 through the line 125. The internal pressure of the vacuum hole 122 rises to an atmospheric pressure state by supplying nitrogen gas, whereby the substrate 11 is dechucked from the stage 121.

건조공간(DS)이 상압상태를 유지하면 건조챔버 구동기(220)에 의하여 건조챔버(210)가 스테이지(121)로부터 상승하여 대기위치로 이동한다. 도포 및 감압건조 공정이 완료된 기판(11)은 리프트 핀의 상승으로 스테이지(121)로부터 언로딩 되어 이송로봇으로 전달된다. 이 후, 기판(11)은 베이킹 유닛으로 이송된다.When the drying space DS maintains an atmospheric pressure state, the drying chamber 210 is lifted from the stage 121 by the drying chamber driver 220 and moved to the standby position. The substrate 11, which has been coated and dried under reduced pressure, is unloaded from the stage 121 by the lift pins and transferred to the transfer robot. Thereafter, the substrate 11 is transferred to a baking unit.

이와 같이, 본 발명은 하나의 공정 챔버 내에서 도포 공정 및 감압 건조 공정을 실시하므로, 별개의 공정 챔버에서 도포 공정과 감압 건조 공정을 진행하는 기판 처리 설비보다 설비면적을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 도포공정과 감압건조 공정간에 기판이송이 요구되지 않으므로 공정시간이 단축된다.As described above, since the present invention performs the coating process and the reduced pressure drying process in one process chamber, there is an advantage that the facility area can be reduced compared to the substrate processing equipment that performs the coating process and the reduced pressure drying process in separate process chambers. In addition, since the substrate transfer is not required between the coating process and the reduced pressure drying process, the process time is shortened.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현 하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiment described is to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, various modifications required in the specific application field and use of the present invention is possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 평단면도이다.1 is a plan sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도포 노즐 부재를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing an application nozzle member according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 1의 건조 챔버 및 건조 챔버 구동부를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a drying chamber and a drying chamber driving unit of FIG. 1.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 도포공정을 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an application process of FIG. 4.

도 6은 도 4의 감압건조공정을 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a view showing a reduced pressure drying process of FIG. 4.

Claims (9)

기판에 감광액을 도포하는 도포공정을 수행하는 도포 유닛;An application unit for performing an application process for applying the photosensitive liquid to the substrate; 상기 도포 유닛 내에 설치되며, 상기 감광액을 감압건조하는 감압건조유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a pressure reduction drying unit installed in the coating unit and configured to dry the pressure sensitive liquid under reduced pressure. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도포 유닛은The application unit 상기 도포공정이 수행되는 공간이 형성된 공정 챔버;A process chamber in which a space in which the coating process is performed is formed; 상기 공정 챔버내에 위치하며, 기판이 놓이는 스테이지;A stage in the process chamber, on which the substrate is placed; 상기 기판에 감광액을 도포하는 도포 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a coating nozzle for applying the photosensitive liquid to the substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 감압건조유닛은The reduced pressure drying unit 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 하부가 개방된 공간이 내부에 형성된 건조 챔버;A drying chamber located in the process chamber and having an open space therein; 상기 건조 챔버가 상기 스테이지에 안착되도록 상기 건조 챔버를 승강시키는 건조 챔버 구동기; 및A drying chamber driver for elevating the drying chamber so that the drying chamber is seated on the stage; And 상기 건조 챔버가 상기 스테이지에 안착된 상태에서 상기 스테이지의 상면과 상기 건조 챔버 내측면에 의해 형성되는 건조공간을 감압하는 감압부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a pressure reducing member for depressurizing a drying space formed by an upper surface of the stage and an inner surface of the drying chamber while the drying chamber is seated on the stage. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 스테이지에는 배기홀이 형성되며,An exhaust hole is formed in the stage, 상기 감압부재는The decompression member 상기 배기홀과 연결되는 진공라인;A vacuum line connected to the exhaust hole; 상기 진공라인상에 설치되는 진공펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a vacuum pump installed on the vacuum line. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스테이지에는 기판을 진공흡착하는 진공홀이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a vacuum hole for vacuum absorbing the substrate in the stage. 공정 챔버;Process chambers; 상기 공정 챔버 내에 고정설치되며, 기판이 놓이는 스테이지;A stage fixedly installed in the process chamber and on which the substrate is placed; 슬릿형상의 토출구를 가지며, 일방향으로 이동하며 기판에 감광액을 도포하는 도포 노즐;An application nozzle having a slit-shaped discharge port and moving in one direction to apply a photosensitive liquid to the substrate; 상기 공정 챔버 내에서 상기 스테이지의 상부에 위치하며, 하부가 개방된 내부공간이 형성된 건조 챔버;A drying chamber located at an upper portion of the stage in the process chamber and having an inner space having a lower open portion; 상기 건조 챔버가 상기 스테이지 상에 안착되는 건조위치와 상기 스테이지로부터 이격되는 대기위치 간에 위치되도록 상기 건조 챔버를 승하강시키는 건조 챔버 구동기;A drying chamber driver for elevating the drying chamber such that the drying chamber is positioned between a drying position seated on the stage and a standby position spaced apart from the stage; 상기 건조 챔버가 상기 건조위치에 위치한 상태에서 상기 스테이지의 상면과 상기 건조 챔버의 내측면에 의해 형성되는 건조공간을 감압하는 감압부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a pressure reducing member for depressurizing a drying space formed by an upper surface of the stage and an inner surface of the drying chamber while the drying chamber is located at the drying position. 도포 노즐이 이동하여 스테이지에 놓인 기판에 감광액을 도포하고, 상기 감광액의 도포가 완료되면 하부가 개방된 내부공간이 형성된 건조 챔버를 상기 스테이지에 안착하여 기판을 상기 내부공간 내에 위치시키고, 상기 스테이지의 상면과 상기 건조 챔버의 내측면에 의해 형성되는 건조공간을 감압하여 상기 감광액을 건조시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The application nozzle is moved to apply a photoresist to the substrate placed on the stage, and when the application of the photoresist is completed, a drying chamber in which an inner space with an open bottom is formed is seated on the stage to position the substrate in the internal space. And drying the photosensitive liquid by depressurizing a drying space formed by an upper surface and an inner surface of the drying chamber. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 건조공간은 상기 스테이지에 형성된 배기홀을 통하여 감압되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the drying space is depressurized through an exhaust hole formed in the stage. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,9. The method according to claim 7 or 8, 상기 감광액의 건조가 진행되는 동안, 기판은 상기 스테이지에 진공흡착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.While the drying of the photosensitive liquid, the substrate is vacuum-absorbed on the stage, characterized in that the substrate processing method.
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