KR20110058527A - Gas distribution plate and process chamber having the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 피처리 기판 상에 공정 가스를 균일하게 분사하는 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a gas dispersion plate and a process chamber having the same, and more particularly, to a gas dispersion plate and a process chamber having the same evenly spraying the process gas on the substrate to be processed.
일반적으로, 집적회로장치, 액정표시장치, 태양전지 등과 같은 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 공정 중에서, 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 플라즈마 강화 화학기상증착(Plasma Enhanced Camical Vapor Deposition : PECVD) 장치를 통해 진행된다. In general, among semiconductor manufacturing processes for manufacturing devices such as integrated circuit devices, liquid crystal displays, solar cells, and the like, a process of forming a thin film on a substrate to be processed is performed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Proceeds through the device.
PECVD 장치는 챔버 몸체의 내부 공간에 형성되어 피처리 기판을 지지 및 가열하기 위한 기판 지지부 및 기판 지지부의 상부에 형성되어 피처리 기판을 향해 공정 가스를 분사하는 샤워헤드를 포함한다. 샤워헤드는 고주파 전원이 연결되는 전극판 및 가스의 분사를 위해 다수의 홀들이 형성된 가스 분산판을 포함한다. 전극판과 가스 분산판과의 결합을 통해 전극판과 가스 분산판 사이에는 가스가 확산될 수 있는 가스확산공간이 마련된다. 전극판에 형성된 가스유입구를 통해 유입된 가스는 가스확산공간에서 확산된 후, 가스 분산판의 홀들을 통해 피처리 기판으로 분사된다.The PECVD apparatus includes a substrate support formed in an inner space of the chamber body to support and heat the substrate, and a showerhead formed on top of the substrate support to inject a process gas toward the substrate. The showerhead includes an electrode plate to which high frequency power is connected, and a gas distribution plate in which a plurality of holes are formed for injection of gas. A gas diffusion space through which the gas can be diffused is provided between the electrode plate and the gas dispersion plate by combining the electrode plate and the gas dispersion plate. The gas introduced through the gas inlet formed in the electrode plate is diffused in the gas diffusion space and then injected into the target substrate through the holes of the gas distribution plate.
가스 분산판에 형성된 홀은 가스가 유입되는 부분에 형성된 가스 유입홀, 가스가 분사되는 부분에 형성된 가스 분사홀, 및 가스 유입홀 및 가스 분사홀보다 작은 직경으로 형성되어 가스 유입홀과 가스 분사홀을 연결하는 관통홀을 포함하는 구조를 갖는다. 이러한 구조의 홀은 드릴 공정을 통해 형성되는데, 작은 직경의 홀을 형성함에 있어, 드릴이 파손되거나 가스 분산판이 손상되는 등의 문제가 발생된다. 특히, 피처리 기판이 대면적화됨에 따라 가스 분산판 또한 대면적으로 제조되므로, 형성할 홀들의 개수가 증가되어 제조 시간이 길어지고 제조 비용이 증가되는 문제가 발생된다.The hole formed in the gas distribution plate has a gas inlet hole formed in a portion where gas is introduced, a gas injection hole formed in a portion where gas is injected, and a smaller diameter than the gas inlet hole and gas injection hole. It has a structure including a through hole connecting the. The hole of this structure is formed through a drill process, and in forming a hole of a small diameter, problems such as a drill breakage or a gas distribution plate are damaged. In particular, since the gas dispersion plate is also manufactured in a large area as the substrate to be processed becomes large, a problem arises in that the number of holes to be formed is increased to increase the manufacturing time and increase the manufacturing cost.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 제조를 용이하게 하여 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있는 가스 분산판을 제공한다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and the present invention provides a gas dispersion plate which can facilitate the manufacture, shorten the manufacturing time and reduce the manufacturing cost.
또한, 본 발명은 상기한 가스 분산판을 갖는 공정 챔버를 제공한다.The present invention also provides a process chamber having the gas dispersion plate described above.
본 발명의 일 특징에 따른 가스 분산판은 가스 유입홀, 관통홀들 및 가스 분사홀을 포함한다. 상기 가스 유입홀은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된다. 상기 관통홀들은 상기 가스 유입홀로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되며, 상기 가스 유입홀 각각에 적어도 2개 이상이 연결된다. 상기 가스 분사홀은 상기 관통홀들로부터 상기 제2 면까지 연장되며, 상기 관통홀보다 큰 크기로 형성된다.Gas dispersion plate according to an aspect of the present invention includes a gas inlet hole, through holes and gas injection hole. The gas inlet hole is formed at a side of the first surface on which gas is introduced. The through holes extend in the direction of the second surface in which gas is injected from the gas inlet holes, and at least two through holes are connected to each of the gas inlet holes. The gas injection hole extends from the through holes to the second surface and has a size larger than that of the through holes.
상기 가스 유입홀은 평면적으로 보았을 때, 실질적으로 원형 또는 사각형 형상으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 가스 유입홀은 평면적으로 보았을 때, 가스 분산판의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수 있다. The gas inlet hole may be formed in a substantially circular or rectangular shape when viewed in plan. In contrast, the gas inlet hole may be formed in a band shape surrounding the center of the gas distribution plate when viewed in plan view.
상기 가스 유입홀은 평면적 및 깊이 중 적어도 하나가 위치에 따라 상이하도록 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 가스 유입홀은 가스 분산판의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 평면적이 커지도록 형성될 수 있다. 다른 예로, 상기 가스 유입홀은 가스 분산판의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 깊이가 커지도록 형성될 수 있다. The gas inlet hole may be formed such that at least one of a plane area and a depth is different according to a position. For example, the gas inlet hole may be formed to increase in planar area from the center portion of the gas distribution plate to the edge portion. As another example, the gas inlet hole may be formed to increase in depth from the center portion of the gas distribution plate to the edge portion.
상기 가스 분사홀은 상기 제2 면에 인접한 영역이 상기 제2 면과 수직하게 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 가스 분사홀은 상기 제2 면에 인접한 영역이 상기 제2 면 방향으로 갈수록 넓어지도록 기울어지게 형성될 수 있다. The gas injection hole may have a region adjacent to the second surface perpendicular to the second surface. In contrast, the gas injection hole may be formed to be inclined such that an area adjacent to the second surface becomes wider toward the second surface direction.
하나의 상기 관통홀에는 하나의 상기 가스 분사홀이 연결될 수 있다. 이와 달리, 2개 이상의 상기 관통홀들에 하나의 상기 가스 분사홀이 공통으로 연결될 수 있다. One gas injection hole may be connected to one through hole. Alternatively, one gas injection hole may be commonly connected to two or more of the through holes.
본 발명의 다른 특징에 따른 가스 분산판은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀들, 상기 가스 유입홀들 각각으로부터 가스가 분사되는 제2 면 방향으로 연장되고 상기 가스 유입홀들보다 작은 크기로 형성된 관통홀들 및 적어도 2개 이상의 상기 관통홀들과 연결되어 상기 제2 면까지 연장되는 적어도 하나의 가스 분사홀을 포함한다. 상기 제2 면은 가스 분산판의 에지부로부터 중앙부로 갈수록 상기 제1 면과의 거리가 가까워지도록 형성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a gas dispersion plate includes gas inlet holes formed at a side of a first surface on which gas is introduced, extending in a second surface direction in which gas is injected from each of the gas inlet holes, It includes a through hole formed in a small size and at least one gas injection hole connected to the at least two or more through holes extending to the second surface. The second surface may be formed such that a distance from the first surface closer to the center portion from the edge portion of the gas distribution plate.
본 발명의 일 특징에 따른 공정 챔버는 챔버 몸체의 내부에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부 및 상기 챔버 몸체의 내부에 상기 기판 지지부와 대향하게 설치되어 상기 피처기 기판 방향으로 가스를 분사하는 가스 분산판을 포함한다. 상기 가스 분산판은 가스가 유입되는 제1 면 측에 형성된 가스 유입홀들, 가스가 분사되는 제2 면 측에 형성된 가스 분사홀들 및 상기 가스 유입홀 및 상기 가스 분사홀보다 작은 크기로 형성되어 상기 가스 유입홀과 상기 가스 분사홀을 서로 연결하는 관통홀들을 포함한다. 이때, 상기 가스 유입홀 및 상기 가스 분사홀 중 적어도 하나는 2개 이상의 상기 관통홀들과 연결된다. According to an aspect of the present invention, a process chamber is installed in a chamber body to support a substrate to be processed, and is installed in the chamber body to face the substrate support part to inject a gas toward the feature substrate. A gas dispersion plate. The gas distribution plate is formed to have a smaller size than gas inlet holes formed on the first surface side through which gas is introduced, gas injection holes formed on the second surface side through which gas is injected, and the gas inlet hole and the gas injection hole. And through holes connecting the gas inlet hole and the gas injection hole to each other. In this case, at least one of the gas inlet hole and the gas injection hole is connected to two or more of the through holes.
이와 같은 가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버에 따르면, 가스 분산판의 양면에 형성되는 가스 유입홀 및 가스 분사홀 중 적어도 하나를 2개 이상의 관통홀들과 공통으로 연결되도록 크게 형성함으로써, 가스 분산판의 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 가스 유입홀의 평면적 및 깊이 중 적어도 하나를 위치에 따라 상이하게 형성함으로써, 피처리 기판에 증착되는 증착막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 피처리 기판과 마주하는 가스 분산판의 하부면의 형상을 에지부로부터 중앙부로 갈수록 상부면과 가까워지게 형성함으로써, 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.According to such a gas dispersion plate and a process chamber having the same, by forming at least one of the gas inlet hole and the gas injection hole formed on both sides of the gas dispersion plate to be connected in common with the two or more through holes, the gas dispersion plate It can shorten manufacturing time and reduce manufacturing cost. In addition, by forming at least one of the plane area and the depth of the gas inlet hole differently according to the position, it is possible to improve the thickness uniformity of the deposited film deposited on the substrate to be processed. Furthermore, the deposition uniformity can be improved by forming the shape of the lower surface of the gas dispersion plate facing the substrate to be closer to the upper surface from the edge portion toward the center portion.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The above-described features and effects of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, and thus, those skilled in the art to which the present invention pertains may easily implement the technical idea of the present invention. Could be. The present invention is not limited to the following embodiments and may be implemented in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosure more complete and to fully convey the spirit and features of the present invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness of each device or film (layer) and regions has been exaggerated for clarity of the invention, and each device may have various additional devices not described herein.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a process chamber according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(100)는 챔버 몸체(110), 챔버 몸체(110)의 내부에 설치되어 피처리 기판(122)을 지지하는 기판 지지부(120) 및 챔버 몸체(110)의 내부에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치되어 피처리 기판(122) 방향으로 가스를 공급하는 샤워 헤드(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a
챔버 몸체(110)는 하부 몸체부(112) 및 하부 몸체부(112)의 상부에 개폐가능하게 결합되는 상부 몸체부(114)를 포함할 수 있다. 하부 몸체부(112)와 상부 몸체부(114)의 결합에 의해 챔버 몸체(110)의 내부에는 피처리 기판(122)에 대한 공정을 수행할 수 있는 공간이 마련된다. 챔버 몸체(110)의 바닥에는 챔버 몸체(110)의 내부 공간을 진공으로 만들기 위한 배기구(116)가 형성된다.The
기판 지지부(120)는 피처리 기판(122)을 지지하기 위한 것으로서, 챔버 몸체(110) 내부의 하부 공간에 설치된다. 기판 지지부(120)의 내부에는 피처리 기판(122)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 형성될 수 있다. The
샤워 헤드(130)는 챔버 몸체(110) 내부의 상부 공간에 기판 지지부(120)와 대향하게 설치된다. 샤워 헤드(130)는 공정 가스를 균일하게 분사하기 위한 것으로서, 전극판(132) 및 가스 분산판(134)을 포함한다.The
전극판(132)은 챔버 몸체(110)의 상부 몸체부(114)에 고정되게 설치된다. 전극판(132)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성된다. 전극판(132)에는 플라즈마의 발생을 위한 고주파 전원(RF 전원)이 인가된다. 전극판(132)의 중앙 부분에는 반응 가스, 원료 가스 등의 박막 증착에 필요한 공정 가스가 유입되는 가스 유입구(136)가 형성된다.The
가스 분산판(134)은 전극판(132)의 하부에 일정 거리 이격되게 설치된다. 가스 분산판(134)은 전기 전도성을 갖는 알루미늄 등의 금속 재질로 형성된다. 가스 분산판(134)은 전극판(132)과 전기적으로 연결되며, 전극판(132)에 인가된 고주파 전원이 가스 분산판(134)에도 인가된다. The
가스 분산판(134)은 예를 들어, 연결 부재(138)를 통해 전극판(132)과 결합된다. 연결 부재(138)는 가스 분산판(134)과 전극판(132)의 외측 부분을 둘러싸도록 형성된다. 이에 따라, 전극판(132)과 가스 분산판(134) 사이에는 가스 유입구(136)를 통해 유입된 가스를 가스 분산판(134)의 전 영역으로 확산시키기 위한 가스확산 공간(139)이 마련된다. 가스 유입구(136)를 통해 가스확산 공간(139)에 유입된 공정 가스는 가스확산 공간(139)에서 확산된 후 가스 분산판(134)을 통해 피처리 기판(122)으로 균일하게 분사된다.The
도 2는 도 1에 도시된 가스 분산판을 구체적으로 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 4는 가스 유입홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이며, 도 5는 가스 분사홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이며, 도 6은 가스 분사홀의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating the gas dispersion plate illustrated in FIG. 1 in detail, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas inlet hole. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas injection hole, Figure 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas injection hole.
도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 분산판(134)은 가스가 유입되는 제1 면(210) 측에 형성된 가스 유입홀(220), 가스 유입홀(220)로부터 가스가 분사되는 제2 면(230) 방향으로 연장되는 관통홀(240) 및 관통홀(240)로부터 제2 면(230)까지 연장되는 가수 분사홀(250)을 포함한다. 가스 유입홀(220), 관통홀(240) 및 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)을 관통하도록 서로 연결되어 가스가 흐를 수 있는 통로를 제공한다.2 and 3, the
가스 유입홀(220)은 가스가 유입되는 제1 면(210), 즉 전극판(132)과 마주보는 면에 형성된다. 가스 유입홀(220)은 가스 분산판(134)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도를 갖도록 형성된다. 가스 유입홀(220)은 평면적으로 보았을 때 실질적으로 원형 형상으로 형성된다. 이와 달리, 가스 유입홀(220)은 평면적으로 보았을 때 사각형 또는 육각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 한편, 가스 유입홀(220)은 도 4에 도시된 바와 같이, 평면적으로 보았을 때 가스 분산판(132)의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수도 있다.The
관통홀(240)은 가스 유입홀(220)의 바닥부로부터 제2 면(230) 방향으로 연장되게 형성된다. 이때, 하나의 가스 유입홀(220)에는 적어도 2개 이상의 관통홀들(240)이 연결된다. 관통홀(240)은 가스 분산판(134)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도를 갖도록 형성될 수 있다. 관통홀(240)은 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250)의 사이에 형성되며, 가스 분사 효율을 향상시키기 위하여 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250)보다 작은 크기로 형성된다. 한편, 가스 유입홀(220)과 관통홀(240)이 만나는 부분은 가스가 가스 유입홀(220)로부터 관통홀(240)로 흐를 때 흐름 저항을 최소화하기 위하여 테이퍼진 형상으로 형성될 수 있다.The through
가스 분사홀(250)은 각각의 관통홀(240)로부터 제2 면(230)까지 연장되며, 관통홀(240)보다 큰 크기로 형성된다. 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도로 형성된다. 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 원형 형상으로 형성된다. 이와 달리, 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 사각형 또는 육각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 한편, 관통홀(240)과 가스 분사홀(250)이 만나는 부분은 가스 흐름의 압력 손실을 최소화시키기 위하여 테이터진 형상으로 형성될 수 있다.The
가스 분사홀(250)은 제2 면(230)에 인접한 영역이 제2 면(230)과 수직하게 형성된다. 이와 달리, 가스 분사홀(250)은 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 면(230)에 인접한 영역이 제2 면(230) 방향으로 갈수록 넓어지도록 기울어지게 형성될 수 있다. 또한, 가스 분사홀(250)은 제2 면(230)에 수직한 영역과 기울어진 영역을 모두 포함할 수도 있다.In the
한편, 하나의 관통홀(240)에는 하나의 가스 분사홀(250)이 연결된다. 이와 달리, 도 6에 도시된 바와 같이, 2개 이상의 관통홀(240)에 하나의 가스 분사홀(250)이 공통으로 연결될 수 있다. 2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 원형, 사각형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수도 있다.Meanwhile, one
이와 같이, 가스 분산판(134)의 제1 면(210) 및 제2 면(230)에 각각 형성되는 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250) 중 적어도 하나를 2개 이상의 관통홀 들(240)과 공통적으로 연결되도록 크게 형성하면, 가공해야할 전체 홀의 개수가 감소되어 제조 시간을 단축할 수 있으며, 제조시 발생되던 드릴 파손 등의 문제가 최소화되어 제조 비용을 절감할 수 있으며, 기존보다 용이하게 가스 분산판(134)을 제조할 수 있다.As such, at least one of the
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 평면도이며, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.7 is a plan view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention, Figure 8 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.
도 7 및 도 8을 참조하면, 피처리 기판에 증착되는 증착막의 두께 균일성을 향상시키기 위하여, 가스 분산판(134)의 제1 면(210) 측에 형성된 가스 유입홀(220)은 평면적 및 깊이 중 적어도 하나가 위치에 따라 상이하도록 형성될 수 있다.7 and 8, in order to improve the uniformity of the thickness of the deposited film deposited on the substrate, the
예를 들어, 가스 유입홀(220)은 도 7에 도시된 바와 같이, 가스 분산판(134)의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 평면적이 커지도록 형성될 수 있다. 또한, 가스 유입홀(220)은 도 8에 도시된 바와 같이, 가스 분산판(134)의 중앙부로부터 에지부로 갈수록 깊이가 커지도록 형성될 수 있다. 통상적으로, 공정 챔버의 구조적 특징 또는 공정 조건에 따라 증착막의 두께가 중앙부에서 두껍고 에지부에서 얇은 형태로 형성될 경우가 있다. 이러한 경우, 도 7 또는 도 8에 도시된 바와 같이, 가스 유입홀(220)의 형상을 중앙부에서 에지부로 갈수록 평면적이 커지거나 깊이가 커지게 형성하여 가스 흐름 저항을 감소시킴으로써, 중앙부와 에지부에서의 증착 두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 한편, 공정 챔버의 구조적 특징 또는 공정 조건에 따라 증착막의 두께가 중앙부에서 얇고 에지부에서 두꺼운 형태로 형성될 경우, 가스 유입홀(220)의 형상을 중앙부에서 에지부로 갈수록 평면적이 작아지거나 깊이가 작아지도록 형성하여 증착 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 7, the
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다. 9 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 가스 분산판(134)은 가스가 유입되는 제1 면(210) 측에 형성된 가스 유입홀들(220), 가스 유입홀들(220) 각각으로부터 가스가 분사되는 제2 면(230) 방향으로 연장되고 가스 유입홀(220)보다 작은 크기로 형성되는 관통홀들(240) 및 적어도 2개 이상의 관통홀들(240)과 공통적으로 연결되어 제2 면(230)까지 연장되는 적어도 하나의 가스 분사홀(250)을 포함한다.Referring to FIG. 9, the
2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 평면적으로 보았을 때, 원형, 사각형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 2개 이상의 관통홀(240)에 공통으로 연결되는 가스 분사홀(250)은 가스 분산판(134)의 중심을 둘러싸는 띠 형상으로 형성될 수도 있다.The gas injection holes 250 commonly connected to the two or more through
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 가스 분산판(134)의 제2 면(230)은 가스 분산판(134)의 에지부로부터 중앙부로 갈수록 제1 면(210)과의 거리가 가까워지도록 형성된다. 액정표시장치, 태양전지 등의 대형화에 따라 이를 제조하는 공정 챔버의 크기도 증가되고 있으며, 이에 따라 가스 분산판(134)의 크기도 대형화되는 추세이다. 가스 분산판(134)이 대형화됨에 따라, 가스 분산판(134)의 처짐이 발생될 수 있는데, 이는 가스 분산판(134)과 피처리 기판간의 간격을 변화시켜 증착 균일성을 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 가스 분산판(134)의 처짐을 고려하여 피처리 기판과 대향하는 가스 분산판(134)의 제2 면(230)의 형상을 상기와 같이 에지부로부터 중앙부로 갈수록 제1 면(210)과의 거리가 가까워지게 형성함으로써, 공정 중 가스 분산판(134)과 피처리 기판간의 간격을 균일하게 유지할 수 있으며, 이를 통해 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 10, the
이상과 같이, 가스 유입홀(220) 및 가스 분사홀(250) 중 적어도 하나를 2개 이상의 관통홀들(240)과 공통으로 연결되도록 크게 형성함으로써, 가스 분산판(134)의 제조 시간을 단축하고 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 가스 유입홀(220)의 평면적 및 깊이 중 적어도 하나를 위치에 따라 상이하게 형성함으로써, 피처리 기판에 증착되는 증착막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 피처리 기판과 마주하는 가스 분산판(134)의 제2 면(230)의 형상을 에지부로부터 중앙부로 갈수록 제1 면(210)과 가까워지게 형성함으로써, 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.As described above, at least one of the
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary skill in the art will be described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a process chamber according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 가스 분산판을 구체적으로 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view showing in detail the gas distribution plate shown in FIG. 1.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.
도 4는 가스 유입홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a gas inlet hole.
도 5는 가스 분사홀의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing another embodiment of a gas injection hole.
도 6은 가스 분사홀의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing another embodiment of a gas injection hole.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 평면도이다.7 is a plan view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다. 9 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분산판을 나타낸 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing a gas distribution plate according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 공정 챔버 110 : 챔버 몸체100: process chamber 110: chamber body
120 : 기판 지지부 130 : 샤워 헤드120: substrate support 130: shower head
132 : 전극판 134 : 가스 분산판132: electrode plate 134: gas dispersion plate
220 : 가스 유입홀 240 : 관통홀220: gas inlet hole 240: through hole
250 : 가스 분사홀 250: gas injection hole
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