KR20110057003A

KR20110057003A - Plasma processing device

Info

Publication number: KR20110057003A
Application number: KR1020090113529A
Authority: KR
Inventors: 문철희; 권혜경; 이강진; 이형주; 배한성; 박광문
Original assignee: 글로벌텍 주식회사
Priority date: 2009-11-23
Filing date: 2009-11-23
Publication date: 2011-05-31
Also published as: KR101043404B1

Abstract

PURPOSE: A plasma processing device is provided to control the flow rate of a gas to reduce the amount of gas and implement stable discharge by forming a gas convergence groove in a plate electrode or a ground electrode. CONSTITUTION: In a plasma processing device, a discharge electrode(110) is connected to a power supply unit(112) supplying power. A ground electrode(120) is opposite to the discharge electrode. A ground plate(130) comprises a substrate mounting unit for a target substrate. The ground plate is formed on the bottom of the discharge electrode and the ground electrode by a certain interval between them. The gas convergence groove accepts gas from the opening.

Description

Plasma Processing Equipment {PLASMA PROCESSING DEVICE}

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 가스의 소모량을 줄이기 위하여 접지 플레이트 또는 접지 전극에 가스 수렴홈을 형성하여 가스 수렴홈의 공간만큼의 가스 공급량으로도 안정된 플라즈마 형성에 의한 처리가 가능한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, in which a gas converging groove is formed in a ground plate or a ground electrode in order to reduce gas consumption, and thus the plasma processing apparatus can be processed by stable plasma formation even with a gas supply amount corresponding to the space of the gas converging groove. It is about.

일반적으로, 전압 또는 가열 등에 의하여 기체가 전리(Ionization)되어 전자 및 이온의 수밀도가 비약적으로 증가되는데 이러한 기체가 전리된 상태 즉, 전리 기체를 플라즈마라고 한다.In general, a gas is ionized by voltage or heating, and the number density of electrons and ions increases dramatically, and the state in which the gas is ionized, that is, the ionizing gas is called plasma.

이러한 플라즈마는 액정표시장치를 포함하는 평판표시장치 및 반도체의 제조공정 중 하나인 포토리소그래피 공정에 있어서, 금속 물질 또는 반도체증 등을 패터닝 시 이용되는 포토레지스트를 애싱(Ashing) 처리하여 제거하거나, 기타 유기 물질이나 반도체 물질 등으로 이루어진 박막을 에칭(Etching)하거나, 표면의 유기물 등을 제거하기 위한 세정(Cleaning) 공정에 플라즈마 처리 장치를 이용하여 진 행하고 있다.In the photolithography process, which is one of the manufacturing processes of a flat panel display including a liquid crystal display and a semiconductor, the plasma may be removed by ashing a photoresist used for patterning a metal material or semiconductor deposition, or the like. BACKGROUND OF THE INVENTION A plasma processing apparatus is used for etching a thin film made of an organic material, a semiconductor material, or the like, or for a cleaning process for removing organic matters on the surface.

여기서, 안정화된 대기압 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치는 그 내부에 한 쌍의 전극이 구비되고, 상기 전극은 유전체로 덮여있다. 그래서, 상기 한 쌍의 전극 간에 전압을 인가하는 것에 의하여 상기 전극 사이에 글로우(glow) 방전이 발생되고, 이렇게 방전이 발생하는 부분에 피처리물을 도입하여 피처리물에 플라즈마 처리를 행함으로써 합성수지로 이루어진 피처리물의 표면 성질을 개선하거나, 도료 또는 잉크의 도포가 용이하도록 표면 처리를 하는데 활용한다.Here, the plasma processing apparatus for generating a stabilized atmospheric plasma is provided with a pair of electrodes therein, the electrodes are covered with a dielectric. Thus, a glow discharge is generated between the electrodes by applying a voltage between the pair of electrodes, and a synthetic resin is formed by introducing a workpiece into the portion where the discharge occurs and performing a plasma treatment on the workpiece. It is used to improve the surface properties of the object to be made, or to perform a surface treatment to facilitate the coating or coating of the ink.

즉, 플라즈마 처리 장치의 가스 저장부의 가스가 한 쌍의 전극 사이에 공급된 상태에서 전원 공급부에 의하여 고압의 전원이 한 쌍의 전극에 공급되면, 한 쌍의 전극 및 접지 플레이트 사이에서 플라즈마가 발생하며, 발생된 플라즈마가 한 쌍의 전극 및 접지 플레이트 사이로 이송되는 피처리물의 표면 처리 공정을 수행하게 된다.That is, when high-pressure power is supplied to the pair of electrodes by the power supply unit while gas of the gas storage unit of the plasma processing unit is supplied between the pair of electrodes, plasma is generated between the pair of electrodes and the ground plate. In addition, the generated plasma is subjected to the surface treatment process of the workpiece to be transferred between the pair of electrodes and the ground plate.

그러나, 근래에는 플라즈마 처리 장치가 대형화 됨에 따라 소형인 경우 문제가 되지 않았던 가스 소모량이 더욱이 중요하게 되었다. 즉, 플라즈마 처리 장치가 처리되는 피처리물의 크기가 커짐에 따라 대형화되고, 이에 따른 장치의 크기도 커지면서 공급되는 가스의 양도 비례해서 증가하는 문제점이 발생했다. However, in recent years, as the plasma processing apparatus becomes larger, the gas consumption, which is not a problem when it is small, becomes more important. That is, as the size of the object to be processed is increased, the plasma processing device becomes larger, and as the size of the device increases, the amount of gas supplied increases in proportion.

또한, 연속적으로 기판이 공급되는 인라인(In-line)의 경우 피처리물이 이송되면서 플라즈마 처리가 된 후, 다음 피처리물이 공급될 때 피처리물 사이에 달라지는 공간으로 인하여 플라즈마가 안정적이지 않다는 문제점이 있었다.In addition, in the case of an in-line in which a substrate is continuously supplied, the plasma is not stable due to a space that is changed between the workpieces after the plasma treatment is carried out while the workpiece is transferred. There was a problem.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 방전 전극, 접지 전극 및 접지 플레이트를 포함하고, 접지 플레이트 또는 접지 전극에 특정 형상의 가스 수렴홈을 형성시켜 가스 수렴홈의 공간만큼의 가스 공급량으로도 안정된 플라즈마 형성에 의한 처리가 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, comprising a discharge electrode, a ground electrode and a ground plate, by forming a gas converging groove of a specific shape in the ground plate or the ground electrode as a gas supply amount as much as the space of the gas converging groove It is to provide a plasma processing apparatus capable of processing by stable plasma formation.

또한, 피처리물이 공급될 때 피처리물들 사이의 공간이 달라지는 경우에도 균일한 가스 공급량에 의하여 방전이 안정화되는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.In addition, it is to provide a plasma processing apparatus in which the discharge is stabilized by a uniform gas supply even when the space between the workpieces is changed when the workpiece is supplied.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. will be.

일 실시예로, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 전원을 공급하는 전원 공급부에 연결되고 플라즈마 방전을 발생시키는 방전 전극; 상기 방전 전극과 서로 대면되는 접지 전극; 및 피처리용 기판이 안착되는 기판 안착부를 구비하고, 상기 방전 전극 및 상기 접지 전극을 통과하며 플라즈마 상태로 여기된 가스가 분출되는 상기 방전 전극 및 상기 접지 전극의 개구와 상기 기판 안착부가 대면되도록 배치되는 접지 플레이트; 를 포함하고, 상기 개구에서 분출되는 상기 가스를 상기 기판으로 수렴시키는 가스 수렴홈이 상기 기판 안착부 둘레에 형성된다.In one embodiment, the plasma processing apparatus of the present invention comprises: a discharge electrode connected to a power supply for supplying power and generating plasma discharge; A ground electrode facing the discharge electrode; And a substrate seating portion on which the substrate to be processed is mounted, and disposed so as to face the opening of the discharge electrode and the ground electrode facing the discharge electrode and the ground electrode, the gas being excited in a plasma state, and the substrate seating portion. Ground plate; A gas converging groove for converging the gas ejected from the opening to the substrate is formed around the substrate seating portion.

일 실시예로, 상기 가스 수렴홈은 상기 기판 안착부를 기준으로 대칭으로 형성되고, 상기 개구에서 분출되는 가스를 일시 수용한다.In one embodiment, the gas converging groove is formed symmetrically with respect to the substrate seating portion, and temporarily receives the gas ejected from the opening.

일 실시예로, 상기 가스 수렴홈은 상기 개구에서 분출되는 상기 가스를 상기 기판 방향으로 반사시키는 반사벽을 포함한다.In one embodiment, the gas converging groove includes a reflective wall reflecting the gas ejected from the opening toward the substrate.

일 실시예로, 상기 반사벽은 상기 가스 수렴홈의 바닥부와 예각의 경사각을 이룬다.In one embodiment, the reflective wall forms an inclination angle of the acute angle with the bottom of the gas converging groove.

일 실시예로, 상기 반사벽은 상기 바닥부와 교선을 이루면서 형성되고, 상기 기판 안착부의 가장 자리에 해당하는 내측벽의 상단은 라운드 처리되며 상기 내측벽의 하단은 상기 바닥부와 직각을 이루고, 상기 바닥부는 상기 접지 플레이트의 면과 평행한다.In one embodiment, the reflective wall is formed while crossing the bottom portion, the upper end of the inner wall corresponding to the edge of the substrate mounting portion is rounded and the lower end of the inner wall is perpendicular to the bottom portion, The bottom portion is parallel to the surface of the ground plate.

일 실시예로, 상기 접지 플레이트의 하부에는 냉각수가 순환하는 냉각부가 마련된다.In one embodiment, the lower portion of the ground plate is provided with a cooling unit for circulating coolant.

일 실시예로 상기 개구와 상기 접지 플레이트가 서로 이격되는 거리는 2mm 내지 10mm인 것이 바람직하다.In an embodiment, the distance between the opening and the ground plate is preferably 2 mm to 10 mm.

접지 플레이트 또는 접지 전극에 특정 형상의 가스 수렴홈을 형성시킴으로써 가스의 흐름이 제어되어 가스량을 약 50%까지 줄여도 방전이 안정적으로 유지되며, 가스 수렴홈으로 인하여 피처리물들 사이에 공간이 발생하는 경우에도 안정적인 방전이 유지되는 장점이 있다.When the gas flow is controlled by forming a gas converging groove having a specific shape in the ground plate or the ground electrode, the discharge is stably maintained even when the gas amount is reduced by about 50%, and the space is generated between the objects due to the gas converging groove. Even there is an advantage that stable discharge is maintained.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the size or shape of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description. In addition, terms that are specifically defined in consideration of the configuration and operation of the present invention may vary depending on the intention or custom of the user or operator. Definitions of these terms should be interpreted as meanings and concepts corresponding to the technical spirit of the present invention based on the contents throughout the present specification.

도 1 내지 도 2는 종래의 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 정면도이다. 도 1 내지 도 2를 참조하며 종래의 플라즈마 처리 장치에 대하여 상세히 설명한다.1 to 2 are schematic front views of a conventional plasma processing apparatus. 1 to 2, a conventional plasma processing apparatus will be described in detail.

도 1에 도시된 종래의 플라즈마 처리 장치는 서로 일정 간격 이격된 상태로 마주보는 제1전극(1)과 제2전극(2)이 형성되어 있으며, 상기 제1전극(1) 및 상기 제2전극(2)의 하부에는 접지된 접지 플레이트(3)가 구비되어 있고, 상기 제1전극(1) 및 상기 제2전극(2)은 고압의 전원 공급부(4)와 연결된다. 상기 제1전극(1) 및 상기 제2전극(2)의 상부에는 가스저장용기로부터 가스를 공급받아 이격된 제1전극(1) 및 제2전극(2) 사이에 활성화 가스를 공급한다. 이러한 플라즈마 처리 장치 는 초기 피처리용 기판(5)이 투입되기 전 처음 방전을 시키고, 방전을 안정화하는데 일정 시간이 소요된다. 따라서, 일정 시간동안 피처리용 기판(5)이 없이 방전을 안정화시키는데에는 많은 가스가 소모되는 문제점이 발생한다. 또한, 도 2에 도시된 종래의 플라즈마 처리 장치는 균일한 가스의 유량을 위하여 가스 압력을 검출하고, 그 검출 결과에 따라 압력 조절 수단인 별도의 압력 밸브(6, 7)와 셔터 등의 가스류 조정 기구가 마련된다.In the conventional plasma processing apparatus illustrated in FIG. 1, a first electrode 1 and a second electrode 2 facing each other are spaced apart from each other at a predetermined interval, and the first electrode 1 and the second electrode are formed. A grounded ground plate 3 is provided below the bottom portion 2, and the first electrode 1 and the second electrode 2 are connected to the high voltage power supply 4. An activation gas is supplied to the first electrode 1 and the second electrode 2 between the first electrode 1 and the second electrode 2 spaced apart from each other by receiving a gas from a gas storage container. The plasma processing apparatus first discharges before the initial processing target substrate 5 is input, and takes a certain time to stabilize the discharge. Therefore, a problem arises in that a large amount of gas is consumed to stabilize the discharge without the substrate 5 to be processed for a predetermined time. In addition, the conventional plasma processing apparatus shown in FIG. 2 detects a gas pressure for a uniform flow rate of gas, and according to the detection result, gas flows such as separate pressure valves 6 and 7 which are pressure adjusting means and shutters. An adjustment mechanism is provided.

따라서, 상술한 종래의 플라즈마 처리 장치에 대한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명을 하였는바, 도 3 및 도 4를 참조하며 본 발명의 플라즈마 처리 장치(10)에 대하여 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(10)를 개략적으로 나타낸 정면도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(10)를 개략적으로 나타낸 정면도이다.Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems with the conventional plasma processing apparatus. Referring to FIGS. 3 and 4, the plasma processing apparatus 10 of the present invention will be described in detail. 3 is a front view schematically showing a plasma processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a front view schematically showing a plasma processing apparatus 10 according to another embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 플라즈마 처리 장치(10)는 방전 전극(110), 접지 전극(120) 및 접지 플레이트(130)를 포함한다.The plasma processing apparatus 10 illustrated in FIG. 3 includes a discharge electrode 110, a ground electrode 120, and a ground plate 130.

방전 전극(110)은 전원을 공급하는 전원 공급부(112)에 연결되고, 접지 전극(120)은 방전 전극(110)과 서로 대면되게 마련된다. 전원 공급부(112)는 방전 전극(110)에 고압의 전원을 공급하여 방전 전극(110), 접지 전극(120) 및 접지 플레이트(130) 사이에서 플라즈마를 발생하게 한다.The discharge electrode 110 is connected to the power supply 112 for supplying power, and the ground electrode 120 is provided to face the discharge electrode 110. The power supply 112 supplies a high voltage power to the discharge electrode 110 to generate a plasma between the discharge electrode 110, the ground electrode 120, and the ground plate 130.

접지 플레이트(130)는 피처리용 기판(134)이 안착되는 기판(134) 안착부(132)를 구비하고, 방전 전극(110) 및 접지 전극(120)을 통과하며 플라즈마 상태 로 여기된 가스가 분출되는 방전 전극(110) 및 접지 전극(120)의 개구(136)와 기판(134) 안착부(132)가 대면되도록 배치된다. 즉, 접지 플레이트(130)는 방전 전극(110) 및 접지 전극(120)의 하방에 일정 간격 이격된 상태로 마련된다.The ground plate 130 includes a substrate 134 seating portion 132 on which the substrate 134 to be processed is mounted, and the gas excited through the discharge electrode 110 and the ground electrode 120 and excited in a plasma state is ejected. The opening 136 of the discharge electrode 110 and the ground electrode 120 and the mounting portion 132 of the substrate 134 face each other. That is, the ground plate 130 is provided below the discharge electrode 110 and the ground electrode 120 at predetermined intervals.

한편, 접지 플레이트(130)에 마련되는 가스 수렴홈(140)은 개구(136)에서 분출되는 가스를 기판(134)으로 수렴시키며, 기판(134) 안착부(132) 둘레에 형성된다. 따라서, 가스 수렴홈(140)에 의하여 가스의 흐름이 조정되어 가스량을 약 50%까지 감소시켜도 그 방전이 안정적으로 유지된다.On the other hand, the gas converging groove 140 provided in the ground plate 130 converges the gas emitted from the opening 136 to the substrate 134, and is formed around the seat 132 of the substrate 134. Therefore, even when the gas flow is adjusted by the gas converging groove 140 to reduce the gas amount by about 50%, the discharge is stably maintained.

도 4에 도시된 플라즈마 처리 장치(10)는 방전 전극(110) 및 접지 전극(120)을 포함하며, 방전 전극(110)은 상술한 바와 같다. 다만, 방전 전극(110)과 서로 대면되는 접지 전극(120)에 피처리용 기판(134)이 안착되는 기판(134) 안착부(132)가 마련되며, 플라즈마 상태로 여기된 가스는 방전 전극(110) 및 접지 전극(120)을 통과하여 분출된다. 또한, 상술한 가스 수렴홈(140)이 접지 전극(120)에 마련된다.The plasma processing apparatus 10 illustrated in FIG. 4 includes a discharge electrode 110 and a ground electrode 120, and the discharge electrode 110 is as described above. However, the substrate 134 seating part 132 on which the substrate 134 to be processed is mounted is disposed on the ground electrode 120 facing the discharge electrode 110, and the gas excited in the plasma state is discharge electrode 110. And is blown through the ground electrode 120. In addition, the gas converging groove 140 is provided in the ground electrode 120.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(10)를 나타낸 정면도이다. 도 5를 참조하며 본 발명의 플라즈마 처리 장치(10)에 대하여 상세히 설명한다.5 is a front view showing the plasma processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. 5, the plasma processing apparatus 10 of the present invention will be described in detail.

도 5에 도시된 플라즈마 처리 장치(10)는 상술한 가스 수렴홈(140)의 형상을 구체적으로 나타낸다. 즉, 가스 수렴홈(140)은 기판(134) 안착부(132)를 기준으로 대칭으로 형성되고, 개구(136)에서 분출되는 가스를 일시 수용한다. 따라서, 가스의 유량을 줄여도 방전이 안정되게 유지된다. 그리고 가스 수렴홈(140)은 개구(136)에서 분출되는 가스를 기판(134) 방향으로 반사시키는 반사벽(142)을 포함 하고, 이 반사벽(142)은 가스 수렴홈(140)의 바닥부(146)와 예각의 경사각을 이룬다. 또한, 반사벽(142)은 바닥부(146)와 교선을 이루면서 형성되고, 기판(134) 안착부(132)의 가장 자리에 해당하는 내측벽(144)의 상단은 라운드 처리되며 내측벽(144)의 하단은 바닥부(146)와 직각을 이루고, 바닥부(146)는 접지 플레이트(130) 또는 접지 전극(120)의 면과 평행한다.The plasma processing apparatus 10 illustrated in FIG. 5 specifically illustrates the shape of the gas converging groove 140 described above. That is, the gas convergence groove 140 is formed symmetrically with respect to the seating portion 132 of the substrate 134 and temporarily receives the gas ejected from the opening 136. Therefore, the discharge is kept stable even if the flow rate of the gas is reduced. The gas converging groove 140 includes a reflecting wall 142 that reflects the gas emitted from the opening 136 in the direction of the substrate 134, and the reflecting wall 142 is a bottom portion of the gas converging groove 140. It forms an inclination angle of 146 with an acute angle. In addition, the reflective wall 142 is formed while crossing the bottom portion 146, the upper end of the inner wall 144 corresponding to the edge of the seating portion 132 of the substrate 134 is rounded and the inner wall 144. The bottom of) is perpendicular to the bottom 146, the bottom 146 is parallel to the surface of the ground plate 130 or ground electrode 120.

일 실시예에 따르면, 반사벽(142)이 가스 수렴홈(140)의 바닥부(146)와 이루는 예각의 경사각은 45도인 것이 바람직하다.According to one embodiment, the inclination angle of the acute angle of the reflective wall 142 and the bottom portion 146 of the gas convergence groove 140 is preferably 45 degrees.

일 실시예에 따르면, 내측벽(144)의 상단은 곡률반경 7mm로 라운드 처리되고, 내측벽(144)의 하단이 바닥부(146)와 직각을 이루는 높이는 2mm인 것이 바람직하다.According to one embodiment, the upper end of the inner wall 144 is rounded to a radius of curvature 7mm, the height of the lower end of the inner wall 144 perpendicular to the bottom 146 is preferably 2mm.

일 실시예에 따르면, 가스 수렴홈(140)의 깊이는 6mm로 형성되며, 기판(134) 안착부(132)의 너비는 28mm로 형성되고, 서로 대칭되는 가스 수렴홈(140)의 반사벽(142)간의 거리는 57mm로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 일 실시예에 따르면, 반사벽(142)과 내측벽(144) 사이의 거리는 14.5mm로 형성되고, 반사벽(142)이 가스 수렴홈(140)의 바닥부(146)와 예각의 경사각을 이루면서 접지 플레이트(130)의 외측으로 전진한 길이는 4mm인 것이 바람직하다.According to one embodiment, the depth of the gas converging groove 140 is formed to 6mm, the width of the seating portion 132 of the substrate 134 is formed to 28mm, the reflective wall of the gas converging groove 140 is symmetrical with each other ( The distance between the 142 is preferably 57mm. In addition, according to an embodiment, the distance between the reflective wall 142 and the inner wall 144 is 14.5 mm, and the reflective wall 142 is an inclination angle of the bottom portion 146 of the gas converging groove 140 with an acute angle. It is preferable that the length of advancing to the outside of the ground plate 130 while forming a 4mm.

그리고, 접지 플레이트(130)의 하부에는 냉각수가 순환하는 냉각부(150)가 마련함으로써, 고온의 플라즈마 상태로 여기된 가스로 인하여 가열된 접지 플레이트(130) 또는 접지 전극(120)을 냉각시킨다.In addition, the cooling unit 150 in which the coolant circulates is provided below the ground plate 130, thereby cooling the heated ground plate 130 or the ground electrode 120 due to the gas excited in a high temperature plasma state.

한편, 일 실시예에 따르면, 개구(136)와 접지 플레이트(130)가 서로 이격되 는 거리 또는 가스가 분출되는 지점과 접지 전극(120)이 서로 이격되는 거리는 2mm 내지 10mm인 것이 바람직하다. 즉, 개구(136), 접지 플레이트(130) 또는 가스가 분출되는 지점, 접지 전극(120)의 이격 거리가 너무 멀면 방전이 되지 않으며, 너무 가까우면 피처리용 기판(134)의 인라인(In-Line)이 불가능하게 된다. 따라서, 피처리용 기판(134)의 두께에 따라서 개구(136), 접지 플레이트(130) 또는 가스가 분출되는 지점, 접지 전극(120)의 이격 거리는 2mm 내지 10mm로 형성된다.Meanwhile, according to one embodiment, the distance from which the opening 136 and the ground plate 130 are spaced apart from each other, or the distance from which the gas is ejected and the distance from the ground electrode 120 to each other, is preferably 2 mm to 10 mm. That is, when the opening 136, the ground plate 130, or the point where the gas is ejected and the separation distance of the ground electrode 120 is too far, the discharge is not performed. ) Becomes impossible. Therefore, according to the thickness of the substrate 134 to be processed, the opening 136, the ground plate 130, or the point where the gas is ejected, the separation distance of the ground electrode 120 is formed to be 2 mm to 10 mm.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(10) 및 컨베이어 벨트(160)를 따라 이송되는 피처리용 기판(134)을 개략적으로 나타낸 정면도이다. 즉, 피처리용 기판(134)이 인라인으로 컨베이어 벨트(160)를 따라 공급되는 모습을 개략적으로 나타낸다. 본 발명에 따른 가스 수렴홈(140)이 접지 플레이트(130) 또는 접지 전극(120)에 형성되는 경우, 피처리물이 공급될 때 피처리물들 사이의 공간이 달라지는 경우에도 균일한 가스 공급량에 의하여 방전을 안정화시킬 수 있다.FIG. 6 is a schematic front view of the substrate 134 for processing to be transported along the plasma processing apparatus 10 and the conveyor belt 160 according to an embodiment of the present invention. That is, the substrate 134 to be processed is schematically shown to be supplied along the conveyor belt 160 inline. When the gas convergence groove 140 according to the present invention is formed in the ground plate 130 or the ground electrode 120, even when the space between the workpieces is changed when the workpiece is supplied, the gas convergence grooves 140 may be uniformly supplied. The discharge can be stabilized.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although embodiments according to the present invention have been described above, these are merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent embodiments of the present invention are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the following claims.

도 1 내지 도 2는 종래의 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 정면도이다.1 to 2 are schematic front views of a conventional plasma processing apparatus.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 정면도이다.3 is a front view schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타낸 정면도이다.4 is a front view schematically showing a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 정면도이다.5 is a front view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치 및 컨베이어 벨트를 따라 이송되는 피처리용 기판을 개략적으로 나타낸 정면도이다.FIG. 6 is a front view schematically showing a substrate to be processed transferred along a plasma processing apparatus and a conveyor belt according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10...플라즈마 처리 장치 110...방전 전극10 Plasma treatment unit 110 Discharge electrode

112...전원 공급부 120...접지 전극112 Power supply 120 Ground electrode

130...접지 플레이트 132...기판 안착부130 ... ground plate 132 ... substrate seat

134...기판 136...개구134 ... substrate 136 ... opening

140...가스 수렴홈 142...반사벽140 Gas converging groove 142 Reflective wall

144...내측벽 146...바닥부144 Inner wall 146 Bottom

150...냉각부 160...컨베이어 벨트150.Cooling unit 160 ... Conveyor belt

Claims

A discharge electrode connected to a power supply for supplying power and generating plasma discharge;

A ground electrode facing the discharge electrode; And

A ground having a substrate seating portion on which a substrate to be processed is seated and disposed so as to face the opening of the discharge electrode and the ground electrode facing the discharge electrode and the ground electrode, and the gas excited in a plasma state and the substrate seating portion; plate; Including,

And a gas converging groove for converging the gas ejected from the opening to the substrate is formed around the substrate mounting portion.

The method of claim 1,

The gas converging groove is formed symmetrically with respect to the substrate seating portion, and temporarily receives the gas ejected from the opening.

The method of claim 1,

And the gas converging groove includes a reflective wall reflecting the gas ejected from the opening toward the substrate.

The method of claim 3,

And the reflecting wall forms an inclination angle of an acute angle with a bottom portion of the gas converging groove.

The method of claim 3,

The reflective wall is formed while intersecting with the bottom part, an upper end of an inner wall corresponding to an edge of the substrate seating part is rounded, and a lower end of the inner wall is perpendicular to the bottom part, and the bottom part is the ground. Plasma processing apparatus, characterized in that parallel to the surface of the plate.

The method of claim 1,

And a cooling unit through which cooling water circulates is provided below the ground plate.

The method of claim 1,

And the distance between the opening and the ground plate that is spaced from each other is 2 mm to 10 mm.

A discharge electrode connected to a power supply for supplying power and generating plasma discharge; And

A ground electrode facing the discharge electrode and having a substrate seating portion on which a substrate to be processed is mounted; Including,

The gas excited in the plasma state is ejected through the discharge electrode and the ground electrode, and a gas converging groove for converging the gas to the substrate is formed around the substrate mounting portion.

The method of claim 8,

The gas converging groove is formed symmetrically with respect to the substrate seating portion, and temporarily receives the gas.

The method of claim 8,

And the gas converging groove includes a reflective wall reflecting the gas toward the substrate.

The method of claim 10,

The reflective wall is formed while intersecting with the bottom part, an upper end of an inner wall corresponding to an edge of the substrate seating part is rounded, and a lower end of the inner wall is perpendicular to the bottom part, and the bottom part is the ground. Plasma processing apparatus, characterized in that parallel to the surface of the electrode.

The method of claim 8,

And a cooling unit through which cooling water circulates is provided below the ground electrode.

The method of claim 8,

And a distance at which the gas is ejected and the ground electrode are spaced apart from each other is 2 mm to 10 mm.