KR101550272B1 - Plasma source and plasma etching device - Google Patents

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KR101550272B1
KR101550272B1 KR1020140058239A KR20140058239A KR101550272B1 KR 101550272 B1 KR101550272 B1 KR 101550272B1 KR 1020140058239 A KR1020140058239 A KR 1020140058239A KR 20140058239 A KR20140058239 A KR 20140058239A KR 101550272 B1 KR101550272 B1 KR 101550272B1
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plasma
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박찬중
남창길
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주식회사 코디에스
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Abstract

A plasma generating apparatus according to the present invention includes a first electrode, a second electrode which faces the first electrode and forms a discharge space to generate an active piece, and a third electrode which is arranged in the discharge space and to which RF power is applied.

Description

플라즈마 생성 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 에칭 장치{PLASMA SOURCE AND PLASMA ETCHING DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a plasma generating apparatus and a plasma etching apparatus including the plasma generating apparatus.

본 발명은 플라즈마 생성 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 에칭 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generating apparatus and a plasma etching apparatus including the plasma generating apparatus.

유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display)는 화면을 표시하는 영역을 포함하며, 이 영역은 유기 물질을 증착하는 공정을 통하여 제조된다. 그런데 이러한 증착 공정을 진행할 때, 특히 SMS(Small Mask Scanning) 공법으로 유기 물질을 증착하는 경우, 기판에서 화면을 표시하는 영역이 아닌 곳에 유기 물질이 성막될 수 있다. 그러면, 봉지 공정 전에 화면을 표시하는 영역이 아닌 곳에 증착된 유기 물질을 제거하여야 한다. 만일 이러한 제거 공정이 진행되지 않으면, 봉지 공정에서 다른 기판과 합착할 때 증착된 유기 물질에 의해 접착력이 저하되어 표시 장치의 수명에 영향을 주게 된다.An organic light emitting diode display (OLED display) includes a display area, which is manufactured through a process of depositing an organic material. However, when carrying out such a deposition process, particularly when an organic material is deposited using an SMS (Small Mask Scanning) method, an organic material may be deposited in a region other than a region where a screen is displayed on the substrate. Then, before the sealing process, the deposited organic material should be removed from the area where the screen is displayed. If such a removal process is not carried out, the adhesion of organic substances deposited during the sealing process with other substrates may deteriorate, thereby affecting the lifetime of the display device.

이러한 유기 물질은 플라즈마를 이용한 에칭 방법으로 제거될 수 있다. 즉 기판을 플라즈마 에칭 장치의 공정 챔버 내에 배치하고, 기판에 형성된 각종 막을 플라즈마 에칭할 수 있다. 이때 플라즈마 에칭 장치는 플라즈마를 제공하는 플라즈마 생성 장치를 구비할 수 있다.Such an organic material can be removed by an etching method using a plasma. That is, the substrate can be placed in the process chamber of the plasma etching apparatus, and various films formed on the substrate can be plasma-etched. At this time, the plasma etching apparatus may include a plasma generating apparatus for providing a plasma.

한편, 이러한 플라즈마 생성 장치는 유기물을 제거하기 위한 에칭 공정 이외에 플라즈마 에싱, 플라즈마 트리트먼트 및 플라즈마 세정 등 플라즈마를 이용한 다양한 공정에서 필요로 한다. Meanwhile, such a plasma generating apparatus is required in various processes using plasma, such as plasma ashing, plasma treatment and plasma cleaning in addition to an etching process for removing organic substances.

이와 같은 플라즈마 생성 장치는 플라즈마를 균일하게 주입하고 식각 속도를 확보하는 것이 중요한데 처리 공정의 대상의 크기가 커질 수록 이에 어려움이 발생할 수 있다. 따라서 복수의 플라즈마 생성 장치를 구비하는 장치를 개발하고 있다. 그러나 복수의 플라즈마 생성 장치를 사용하는 경우에는 플라즈마 생성 장치의 고장 확률이 높아 안정적인 장비 운영에 어려움이 발생한다. In such a plasma generating apparatus, it is important to inject the plasma uniformly and secure the etching rate. However, as the size of the object of the process increases, difficulties may arise. Accordingly, an apparatus having a plurality of plasma generating apparatuses is being developed. However, when a plurality of plasma generating apparatuses are used, the probability of failure of the plasma generating apparatus is high and it is difficult to stably operate the apparatus.

또한 종래 기술에 따른 플라즈마 생성 장치는 입력 전력 및 기체 사용량 등을 변경하기 어려워 화학적 활성종 발생량을 조절할 수 없어 공정 조건 변경에 따른 공정 마진이 작아질 수 있다.In addition, since the plasma generating apparatus according to the related art can not control the amount of chemically active species generated because it is difficult to change the input power and the amount of gas used, the process margin due to the process condition change can be reduced.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라즈마를 이용한 공정 조건 변경에 따른 조건 변경이 용이하고, 플라즈마 균일도 및 식각 속도를 확보할 수 있는 플라즈마 생성 장치 및 이를 구비하는 플라즈마 에칭 장치를 제공하는 것이다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention provides a plasma generating apparatus and a plasma etching apparatus having the plasma generating apparatus and the plasma etching apparatus.

본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하여, 활성종을 생성하는 방전 공간을 형성하는 제2 전극, 그리고 상기 방전 공간에 배치되며 RF 전원이 인가되는 제3 전극을 포함한다.A plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first electrode, a second electrode facing the first electrode to form a discharge space for generating active species, and a second electrode disposed in the discharge space, And a third electrode.

상기 제3 전극의 길이는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 길이보다 짧을 수 있다.The length of the third electrode may be shorter than the length of the first electrode and the second electrode.

상기 제3 전극의 표면에는 홈이 형성되어 있을 수 있다.A groove may be formed on the surface of the third electrode.

상기 제3 전극의 내부에는 냉각수관이 형성되어 있을 수 있다.A cooling water pipe may be formed inside the third electrode.

상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이의 거리는, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이의 거리와 동일할 수 있다.The distance between the first electrode and the third electrode may be the same as the distance between the second electrode and the third electrode.

상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 상부에 연결되어 있는 챔버 리드를 더 포함할 수 있다.And a chamber lead connected to an upper portion of the first electrode, the second electrode, and the third electrode.

상기 챔버 리드와 상기 제3 전극 사이에는 절연체가 구비되어 있을 수 있다.An insulator may be provided between the chamber lead and the third electrode.

상기 챔버 리드에는 기체 주입구를 통하여 유입된 공정 기체가 수용되는 1차 버퍼 탱크 및 상기 공정 기체를 상기 방전 공간으로 배출하는 복수의 기체 분배부가 형성되어 있을 수 있다.The chamber lid may be provided with a primary buffer tank in which the process gas introduced through the gas inlet is accommodated, and a plurality of gas distributors for discharging the process gas into the discharge space.

상기 복수의 기체 분배부는, 길이 방향으로 배열된 제1 열, 그리고 상기 제1 열과 마주하는 제2 열을 포함할 수 있다.The plurality of gas distribution units may include a first column arranged in the longitudinal direction and a second column facing the first column.

상기 기체 분배부는, 상기 공정 기체의 종류 및 조성비에 따라 형태가 결정될 수 있다.The shape of the gas distributor may be determined according to the type and the composition ratio of the process gas.

상기 기체 분배부는, 원통형의 제1 영역, 상기 제1 영역보다 작은 직경을 갖는 원통형의 제2 영역, 그리고 상기 제1 영역보다 작고 상기 제2 영역보다 큰 직경을 갖는 원통과 원뿔대가 결합한 형태의 제3 영역을 포함할 수 있다.Wherein the gas distribution unit includes a cylindrical first region, a cylindrical second region having a smaller diameter than the first region, and a cylindrical member having a diameter smaller than the first region and larger than that of the second region, 3 regions.

상기 챔버 리드에는 냉각수관이 형성되어 있을 수 있다.A cooling water pipe may be formed in the chamber lid.

상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 하부에 연결되어 있으며, 상기 방전 공간으로부터 상기 활성종을 분사하는 확산부를 더 포함할 수 있다.And a diffusion unit connected to a lower portion of the first electrode, the second electrode, and the third electrode, for spraying the active species from the discharge space.

상기 확산부는, 복수의 홀이 형성되어 있는 제1 차단부, 그리고 상기 제1 차단부의 하부에 위치하며, 하나의 슬릿이 형성되어 있는 제2 차단부를 포함할 수 있다.The diffusion unit may include a first blocking unit having a plurality of holes formed therein and a second blocking unit disposed below the first blocking unit and having one slit formed therein.

상기 확산부는, 하나의 슬릿이 형성되어 있는 제3 차단부, 그리고 상기 제3 차단부의 하부에 위치하며, 두 개의 슬릿이 형성되어 있는 제4 차단부를 포함할 수 있다.The diffusion unit may include a third blocking unit having one slit formed therein and a fourth blocking unit disposed below the third blocking unit and having two slits formed therein.

상기 제3 차단부의 슬릿과 상기 제4 차단부의 슬릿은 서로 중첩하지 않을 수 있다.The slit of the third blocking portion and the slit of the fourth blocking portion may not overlap each other.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 양 단에 부착되어 있는 절연체를 더 포함할 수 있다.And an insulator attached to both ends of the first electrode and the second electrode.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치는 플라즈마 에칭의 대상이 되는 기판을 고정하는 스테이지, 상기 기판 위에 상기 기판과의 공간을 형성하면서 배치되고 상기 기판의 비에칭 영역을 보호하는 마스크, 상기 스테이지 및 상기 마스크를 수용하는 챔버, 그리고 상기 챔버 상부에 연결되어 있으며, 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하여 활성종을 생성하는 방전 공간을 형성하는 제2 전극 및 상기 방전 공간에 배치되며 RF 전원이 인가되는 제3 전극을 포함하는 플라즈마 생성 장치를 포함할 수 있다.A plasma etching apparatus according to another embodiment of the present invention includes a stage that fixes a substrate to be subjected to plasma etching, a mask that is disposed on the substrate to form a space with the substrate and that protects a non-etching region of the substrate, And a second electrode connected to the upper portion of the chamber, the first electrode, the second electrode facing the first electrode to form a discharge space for generating active species, and a second electrode disposed in the discharge space, And a third electrode to which the second electrode is applied.

상기 제3 전극의 길이는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 길이보다 짧으며, 표면에 홈이 형성되어 있을 수 있다.The length of the third electrode is shorter than the length of the first electrode and the second electrode, and grooves may be formed on the surface.

상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 상부에 연결되어 있는 챔버 리드를 더 포함하고, 상기 챔버 리드에는 기체 주입구를 통하여 유입된 공정 기체가 수용되는 1차 버퍼 탱크 및 상기 공정 기체를 상기 방전 공간으로 배출하는 복수의 기체 분배부가 형성되어 있을 수 있다.Further comprising a chamber lead connected to an upper portion of the first electrode, the second electrode, and the third electrode, wherein the chamber lead includes a primary buffer tank in which a process gas introduced through a gas inlet is accommodated, A plurality of gas distributing units for discharging the gas to the discharge space.

상기 기체 분배부는, 원통형의 제1 영역, 상기 제1 영역보다 작은 직경을 갖는 원통형의 제2 영역, 그리고 상기 제1 영역보다 작고 상기 제2 영역보다 큰 직경을 갖는 원통과 원뿔대가 결합한 형태의 제3 영역을 포함할 수 있다.Wherein the gas distribution unit includes a cylindrical first region, a cylindrical second region having a smaller diameter than the first region, and a cylindrical member having a diameter smaller than the first region and larger than that of the second region, 3 regions.

상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 하부에 연결되어 있으며, 상기 방전 공간으로부터 상기 활성종을 상기 챔버 내부로 분사하는 확산부를 더 포함할 수 있다.And a diffusion unit connected to a lower portion of the first electrode, the second electrode, and the third electrode and injecting the active species into the chamber from the discharge space.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 양 단에 부착되어 있는 절연체를 더 포함할 수 있다.And an insulator attached to both ends of the first electrode and the second electrode.

상기 기판은 장변 및 단변을 포함하는 직사각형이며, 상기 플라즈마 생성 장치는 상기 단변의 에칭 영역에 대응되도록 장착되는 제1 플라즈마 생성 장치 및 제2 플라즈마 생성 장치를 포함할 수 있다.The substrate may have a rectangular shape including a long side and a short side, and the plasma generation device may include a first plasma generation device and a second plasma generation device mounted so as to correspond to the etching area of the short side.

본 발명에 따르면 플라즈마를 이용한 공정 조건 변경에 따른 조건 변경이 용이하고, 플라즈마 균일도 및 공정 처리 속도를 확보할 수 있는 플라즈마 생성 장치 및 이를 구비하는 플라즈마 에칭 장치를 제공하는 것이다.According to the present invention, there is provided a plasma generating apparatus and a plasma etching apparatus including the plasma generating apparatus, which are capable of easily changing a condition according to a process condition change using a plasma and ensuring plasma uniformity and a process speed.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치의 개략적인 배치도이다.
도 2는 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선에 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치의 플라즈마 생성 장치를 Ⅲ-Ⅲ 선에 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치의 플라즈마 생성 장치를 Ⅳ-Ⅳ 선에 따라 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치의 가스 분배부를 상세하게 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치의 일부를 도시하는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치의 일부를 도시하는 사시도이다.
도 8은 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치의 플라즈마 생성 장치를 Ⅷ-Ⅷ 선을 따라 자른 단면도이다.1 is a schematic configuration diagram of a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the plasma etching apparatus shown in Fig. 1 taken along line II-II.
3 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus of the plasma etching apparatus shown in FIG. 1, taken along line III-III.
4 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus of the plasma etching apparatus shown in FIG. 1, taken along the line IV-IV.
5 is a cross-sectional view illustrating a gas distribution unit of the plasma generation apparatus according to an embodiment of the present invention in detail.
6 is a perspective view showing a part of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a perspective view showing a part of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus of the plasma etching apparatus shown in FIG. 1 taken along line VIII-VIII.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise. Also, the terms " part, "" module," and " module ", etc. in the specification mean a unit for processing at least one function or operation and may be implemented by hardware or software or a combination of hardware and software have.

이제 도면을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치 및 플라즈마 에칭 장치에 대하여 상세하게 설명한다.Now, a plasma generating apparatus and a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치의 개략적인 배치도이며, 도 2는 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선에 따라 자른 단면도이다.FIG. 1 is a schematic layout diagram of a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the plasma etching apparatus shown in FIG. 1, taken along line II-II.

도 1을 참고하면 플라즈마 에칭 장치(100)는 공정 챔버(110) 및 플라즈마 생성 장치(200)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a plasma etching apparatus 100 includes a process chamber 110 and a plasma generating apparatus 200.

공정 챔버(110)는 플라즈마 공정 처리 대상, 예를 들어 기판 및 마스크 등이 장입되어 플라즈마 공정이 이루어지는 공간을 제공한다.The process chamber 110 is provided with a space in which a subject to be plasma-processed, for example, a substrate and a mask, is charged to perform a plasma process.

플라즈마 생성 장치(200)는 하전입자 및 중성입자를 포함하는 플라즈마를 생성하며, 플라즈마로부터 발생된 높은 밀도의 화학적 활성종을 챔버(110) 내부로 주입시킨다. 플라즈마 생성 장치(200)는 공정 챔버(110)의 상부에 배치되어 있으며, 그 일부가 공정 챔버(110)의 내부에 삽입되어 있다. 이때 플라즈마 생성 장치(200)가 주입받는 공정 기체는 O2, N2, Ar, He 및 NF3을 포함하는 플로오린 계열의 기체 및 이들의 혼합 기체를 포함한다.The plasma generating apparatus 200 generates a plasma containing charged particles and neutral particles, and injects a high-density chemically active species generated from the plasma into the chamber 110. The plasma generating apparatus 200 is disposed at an upper portion of the process chamber 110, and a part of the plasma generating device 200 is inserted into the process chamber 110. At this time, the process gas into which the plasma generating apparatus 200 is injected includes a fluorinated gas including O 2 , N 2 , Ar, He, and NF 3 , and a mixed gas thereof.

플라즈마 공정 처리 대상이 표시 장치의 기판의 양 측의 일부 영역인 경우, 그에 대응되도록 공정 챔버(110)의 단변 방향(A)과 평행하도록 두 개의 플라즈마 생성 장치(210, 220)가 마주하여 배치될 수 있다. Two plasma generation apparatuses 210 and 220 are disposed to face each other so as to be parallel to the short side direction A of the process chamber 110 so as to correspond to a part of both sides of the substrate of the display apparatus .

도 2를 참고하면, 플라즈마 에칭 장치(100)의 챔버(110) 내부에는 마스크 지지부(130)가 마련되어 있으며, 마스크 지지부(130)는 마스크(10)를 고정한다. 마스크 지지부(130)는 마스크(10)를 상하로 이동하게 할 수 있다. Referring to FIG. 2, a mask support part 130 is provided in the chamber 110 of the plasma etching apparatus 100, and the mask support part 130 fixes the mask 10. The mask support 130 can move the mask 10 up and down.

그리고 챔버(110) 내부에는 마스크(10)와 마주하도록 플라즈마 처리 대상인 기판(11)이 스테이지(140) 위에 거치되어 있다. 이러한 스테이지(140)는 공정 챔버(110)의 내부공간에 설치되어서 상부에 기판(11)을 고정시키도록 진공 척과 같은 구조로 구성된다. 또한 스테이지(140)는 기판(11)을 좌우 이동, 상하 이동, 회전 이동이 가능하도록 x, y, z 및 θ 스테이지로 이루어진다. A substrate 11 to be subjected to plasma processing is placed on the stage 140 so as to face the mask 10 in the chamber 110. The stage 140 is installed in the inner space of the process chamber 110 and has a structure such as a vacuum chuck to fix the substrate 11 thereon. The stage 140 is made up of x, y, z, and? Stages so that the substrate 11 can be moved left and right, up and down, and rotated.

마스크(10)와 기판(11) 사이에는 접촉에 의한 기판(11)의 손상을 방지하기 위해 일정 크기의 갭(Gap) 즉 내부 공간이 형성된다. A gap of a certain size, that is, an inner space, is formed between the mask 10 and the substrate 11 to prevent the substrate 11 from being damaged by the contact.

마스크(10)는 기판(11)의 일부와 중첩되도록 배치되어 기판(11)의 비에칭 영역 즉 좌우 에칭 영역을 제외한 나머지 영역을 가려주는 역할을 한다. 즉 표시 장치의 기판(11)에서 에칭을 하지 않아야 하는 영역을 비활성 기체에 의해서 활성종들이 기판(11) 위에 침투하지 않도록 기판(11)을 보호한다.The mask 10 overlaps with a part of the substrate 11 and serves to cover the remaining areas except for the non-etching area of the substrate 11, that is, the left and right etching areas. That is, the substrate 11 is protected so that the active species do not penetrate the substrate 11 by the inert gas in a region where the substrate 11 of the display device should not be etched.

공정 챔버(110)의 상부에는 마스크(10) 및 마스크 지지부(130)를 관통하는 가스 주입구(120)가 마련되어 있다. 가스 주입구(120)를 통하여 아르곤(Ar) 또는 질소(N)과 같은 비활성 기체가 화살표(71)와 같이 주입된다. 주입된 비활성 기체는 마스크(10)와 기판(11) 사이에 형성된 내부 공간으로 화살표(72, 73)와 같이 유입된다. 이러한 비활성 기체는 플라즈마 생성 장치(210, 220)으로부터 화살표(74, 75)와 같이 유입되는 활성종이 마스크(10)와 기판(11) 사이에 형성된 내부 공간으로 유입되는 것을 막기 위한 압력 가스로 활용된다.A gas injection port 120 penetrating the mask 10 and the mask support 130 is provided at an upper portion of the process chamber 110. An inert gas such as argon (Ar) or nitrogen (N) is injected through the gas inlet 120 as indicated by an arrow 71. The injected inert gas is introduced into the inner space formed between the mask 10 and the substrate 11, as indicated by arrows 72 and 73. This inert gas is used as a pressure gas for preventing the flow of the active paper from the plasma generating apparatuses 210 and 220 into the internal space formed between the mask 10 and the substrate 11 as indicated by arrows 74 and 75 .

한편, 플라즈마 생성 장치(200)에서 생성되어 공정 챔버(110) 내부로 유입된 활성종은 기판(11)의 에칭 영역으로 배출되면서 플라즈마 에칭이 이루어진다. 그리고, 플라즈마 에칭 공정이 이루어진 후에 발생한 잔류 가스 및 부산물은 펌핑 포트)를 통해 화살표(76, 77)와 같이 배출된다. On the other hand, the active species generated in the plasma generating apparatus 200 and flowing into the process chamber 110 is discharged to the etching region of the substrate 11, and plasma etching is performed. Then, the residual gas and by-products generated after the plasma etching process is performed are discharged through the pumping port as indicated by arrows 76 and 77.

이제 도 3 내지 도 8을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치에 대하여 상세하게 설명한다.3 to 8, a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3은 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치의 플라즈마 생성 장치를 Ⅲ-Ⅲ 선에 따라 자른 단면도이며, 도 4는 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치의 플라즈마 생성 장치를 Ⅳ-Ⅳ 선에 따라 자른 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus of the plasma etching apparatus shown in FIG. 1 taken along the line III-III. FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV of the plasma generating apparatus of the plasma etching apparatus shown in FIG. to be.

도 3을 참고하면, 플라즈마 생성 장치(200)는 챔버 리드(chamber lid)(230), 제1 전극(240), 제2 전극(250) 및 제3 전극(260)을 포함한다. 제1 전극(240), 제2 전극(250) 및 제3 전극(260) 사이의 공간은 플라즈마의 방전 공간(50)이 된다.Referring to FIG. 3, the plasma generating apparatus 200 includes a chamber lid 230, a first electrode 240, a second electrode 250, and a third electrode 260. The space between the first electrode 240, the second electrode 250, and the third electrode 260 becomes the discharge space 50 of the plasma.

챔버 리드(230)는 제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극(240, 250, 260)의 상부에 부착되어 있다.The chamber lid 230 is attached to the upper portion of the first electrode, the second electrode, and the third electrode 240, 250, 260.

챔버 리드(230)의 내부에는 복수의 가스 분배부(gas splitter)(31, 32)가 형성되어 있다. 복수의 가스 분배부(31, 32)는 도 4와 같이 단변 방향(B)으로 한 열을 이루면서 배치되고, 두 열의 가스 분배부(31, 32)는 제3 전극(260)을 기준으로 양쪽에 마주하고 있다. 가스 분배부(31, 32)는 기체 주입구(40)를 통하여 유입된 공정 기체를 방전 공간(50)으로 균일하게 분배한다.A plurality of gas dividers (31, 32) are formed in the chamber lid (230). As shown in FIG. 4, the plurality of gas distribution parts 31 and 32 are arranged in a row in the short side direction B and the two gas distribution parts 31 and 32 are arranged on both sides of the third electrode 260 Facing each other. The gas distribution parts 31 and 32 uniformly distribute the process gas introduced through the gas injection port 40 to the discharge space 50.

또한 챔버 리드(230)의 내부에는 한 쌍의 냉각수관(33, 34)이 형성되어 있으며, 한 쌍의 냉각수관(33, 34)은 제3 전극(260)을 기준으로 마주한다. 냉각수관(33, 34)에는 냉각수가 흘러 챔버 리드(230)의 승온을 방지한다.A pair of cooling water pipes 33 and 34 are formed in the chamber lid 230 and a pair of cooling water pipes 33 and 34 are opposed to each other with respect to the third electrode 260. Cooling water flows in the cooling water pipes 33 and 34 to prevent the temperature of the chamber lid 230 from rising.

이제 도 5를 참고하여 가스 분배부(31, 32))에 대하여 상세하게 설명한다.Now, referring to Fig. 5, the gas distribution sections 31 and 32 will be described in detail.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치의 가스 분배부를 상세하게 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a gas distribution unit of the plasma generation apparatus according to an embodiment of the present invention in detail.

도 5를 참고하면 가스 분배부는 제1 영역(36), 제2 영역(37) 및 제3 영역(38)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the gas distribution portion includes a first region 36, a second region 37, and a third region 38.

먼저 기체 주입구(40)를 통하여 유입된 공정 기체는 1차 버퍼 탱크(35)에 수용된다. 1차 버퍼 탱크(35)는 공정 기체가 방전 공간(50)으로 균일하게 흘러갈 수 있도록 균일 압력을 유지시켜준다.First, the process gas introduced through the gas inlet 40 is accommodated in the primary buffer tank 35. The primary buffer tank 35 maintains the uniform pressure so that the process gas can flow uniformly into the discharge space 50.

제1 영역(36)은 원통형으로서, 기체 주입구(40)을 통하여 유입되어 1차 버퍼 탱크(35)에 수용되는 공정 기체를 전달받아 제2 영역(37)으로 전달하는 2차 버퍼 탱크의 역할을 한다. 제1 영역(36)은 공정 기체가 방전 공간(50)으로 유입되기 전에 기체 분배부(31) 마다 균일도를 확보할 수 있다.The first region 36 has a cylindrical shape and functions as a secondary buffer tank that receives the process gas introduced into the first buffer tank 35 through the gas inlet 40 and transfers the process gas to the second region 37 do. The first region 36 can ensure uniformity in the gas distribution portion 31 before the process gas flows into the discharge space 50. [

제2 영역(37)은 제1 영역(36) 보다 작은 직경을 갖는 원통형으로서, 제1 영역(36)으로부터 전달받은 공정 기체를 제3 영역(38)으로 전달한다. 제2 영역(37)은 제1 영역(36)에서 유입된 공정 기체의 유속을 증가시키며, 방전 공간(50)으로부터 1차 버퍼 탱크(35) 및 제1 영역(36)을 차폐한다. 제2 영역(37)의 직경은 2mm 이내일 수 있다.The second region 37 is a cylindrical shape having a smaller diameter than the first region 36 and transfers the process gas delivered from the first region 36 to the third region 38. The second region 37 increases the flow rate of the process gas introduced from the first region 36 and shields the primary buffer tank 35 and the first region 36 from the discharge space 50. The diameter of the second region 37 may be within 2 mm.

제3 영역(38)은 제1 영역(36) 보다 작고 제2 영역(37)보다는 큰 직경을 갖는 원통과 원뿔을 평면으로 절단한 원뿔대가 결합된 형태로서, 제2 영역(37)으로부터 전달받은 공정 기체를 방전 공간(50)으로 분사한다. 제3 영역(38)은 공정 기체가 토출되는 방향으로 경사를 확보함으로써 방전 공간(50)으로 공정 기체가 균일하게 토출될 수 있도록 유속을 균일하게 확산 및 감소시킨다. The third region 38 is a combination of a cylinder having a diameter smaller than that of the first region 36 and a diameter larger than that of the second region 37 and a frustrum formed by cutting the cone into a plane, The process gas is injected into the discharge space (50). The third region 38 uniformly diffuses and reduces the flow velocity so that the process gas can be uniformly discharged into the discharge space 50 by ensuring the inclination in the direction in which the process gas is discharged.

기체 주입구(40)의 압력을 P1이라 하고, 1차 버퍼 탱크(35)의 압력을 P2 라고 하고, 제3 영역(38)에서 분사되는 압력을 P3 라고 할 때, P1>P2>P3이다.P1> P2> P3 when the pressure of the gas injection port 40 is P1, the pressure of the primary buffer tank 35 is P2, and the pressure of the third region 38 is P3.

한편, 가스 분배부(31, 32)의 형태 및 크기는 사용하는 공정 기체의 종류 및 그 조성비에 따라 다양하게 변경될 수 있다.On the other hand, the shape and size of the gas distribution parts 31 and 32 can be variously changed depending on the kind of the process gas used and the composition ratio thereof.

다시 도 3을 참고하면, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)은 마주하면서 방전 공간(50)을 확보하고 제1 전극(240) 및 제2 전극(250) 사이의 공간에 제3 전극(260)이 배치되어 있다. 제1 전극(240) 및 제2 전극(250) 각각의 길이는 제3 전극(260)의 길이보다 길어, 방전 공간(50)으로부터 발생된 활성종이 플라즈마 생성 장치(200)의 외부 방향으로 일직선 분사가 가능하다. 제1 전극(240) 및 제3 전극(260) 사이의 거리와 제2 전극(250) 및 제3 전극(260) 사이의 거리는 동일하며, 거리는 3mm 에서 10mm일 수 있다. 그러나 거리는 이에 한정되지 않고 안정된 활성종 발생률 조절이 용이하도록 조정될 수 있다.3, the first electrode 240 and the second electrode 250 confront each other to secure the discharge space 50, and the third electrode 240 and the second electrode 250 are disposed in a space between the first electrode 240 and the second electrode 250, An electrode 260 is disposed. The length of each of the first electrode 240 and the second electrode 250 is longer than the length of the third electrode 260 so that the active paper generated from the discharge space 50 can be linearly jetted outwardly of the plasma generation apparatus 200, Is possible. The distance between the first electrode 240 and the third electrode 260 and the distance between the second electrode 250 and the third electrode 260 may be the same and the distance may be 3 mm to 10 mm. However, the distance is not limited to this, and the stable active species occurrence rate can be easily adjusted.

제1 전극(240) 및 제2 전극(250)은 접지되어 있으며, 제3 전극(260)에는 RF(radio frequency) 전원이 인가된다. RF 전원의 주파수는 활성종 발생량을 극대화시키기 위하여 400KHz 내지 60MHz 일 수 있다.The first electrode 240 and the second electrode 250 are grounded and an RF (radio frequency) power is applied to the third electrode 260. The frequency of the RF power source may be 400 KHz to 60 MHz to maximize the generation of active species.

제3 전극(260)의 내부에는 냉각수관(60)이 형성되어 냉각수가 흐를 수 있으며, 이로써 방전 중에 제3 전극(260)에 열이 발생하는 것을 방지한다. 이러한 냉각수관(60)은 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)에도 장착될 수 있다.A cooling water pipe (60) is formed in the third electrode (260) to allow cooling water to flow, thereby preventing heat from being generated in the third electrode (260) during discharge. The cooling water pipe 60 may be mounted on the first electrode 240 and the second electrode 250.

또한 제3 전극(260)의 표면은 복수의 홈(61)이 형성되어 있다. 제3 전극(260)은 제1 및 제2 전극(240, 250)보다 길이가 짧으며 에는 RF 전원이 인가되기 때문에 자가 직류(self DC)가 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)보다 크게 형성되고 이온 충격(ion bombardment)에 의한 물리적 손상 및 높은 전류 밀도로 인한 열적 손상이 발생할 수 있다. 따라서 다음 수학식 1과 같은 전극 면적 효과를 고려하여 제3 전극(260)의 표면적을 제1 및 제2 전극(240, 250) 수준으로 유지하기 위하여 홈(61)이 형성되어 있다.A plurality of grooves (61) are formed on the surface of the third electrode (260). Since the third electrode 260 is shorter in length than the first and second electrodes 240 and 250 and RF power is applied thereto, self DC is applied to the first electrode 240 and the second electrode 250, May be larger and may cause physical damage due to ion bombardment and thermal damage due to high current density. Therefore, in order to maintain the surface area of the third electrode 260 at the level of the first and second electrodes 240 and 250 in consideration of the electrode area effect as shown in the following Equation 1, grooves 61 are formed.

[수학식 1][Equation 1]

V1/V2 = (A2/A1)4 V1 / V2 = (A2 / A1) 4

V1, V2 : 전압V1, V2: Voltage

A1, A2 : 면적A1, A2: Area

한편, 제3 전극(260)과 챔버 리드(230) 사이에는 절연체(270)가 구비되어 있다.Meanwhile, an insulator 270 is provided between the third electrode 260 and the chamber lead 230.

제1 전극(240) 및 제2 전극(250)의 하단에는 확산부(280)가 마련되어 있다. 확산부(280)는 방전 공간(50)에서 생성된 활성종을 공정 챔버(110) 내부로 확산시킨다. 또한 확산부(280)는 활성종이 직접 처리 기판(11)에 도달하여 물리적 손상 또는 열적 손상을 입히는 것을 방지할 수 있다. 이제 도 6 및 도 7을 참고하여 확산부에 대하여 상세하게 설명한다.A diffusion portion 280 is provided at the lower end of the first electrode 240 and the second electrode 250. The diffusion portion 280 diffuses the active species generated in the discharge space 50 into the process chamber 110. In addition, the diffusion portion 280 can prevent the active paper directly reaching the processing substrate 11 to be subjected to physical damage or thermal damage. Now, the diffusion unit will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.

도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치의 일부를 도시하는 사시도이다.6 is a perspective view showing a part of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 확산부(280)는 제1 차단부(281) 및 제2 차단부(282)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the diffusion portion 280 includes a first blocking portion 281 and a second blocking portion 282.

제1 차단부(281)는 제1 전극(240) 및 제2 전극(250) 사이 전체에 형성되어 있는 평판의 형태로서 복수의 홀(81)이 형성되어 있다.A plurality of holes 81 are formed in the first blocking portion 281 in the form of a flat plate formed on the entire surface between the first electrode 240 and the second electrode 250.

제2 차단부(282)는 제1 차단부(281)의 하부에 위치하며 하나의 슬릿(51)이 형성되어 있다.The second blocking portion 282 is located below the first blocking portion 281 and has a slit 51 formed therein.

방전 공간(50)에서 생성된 활성종은 제1 차단부(281)에 형성된 홀(81)을 통과한 후 제1 차단부(281)와 제2 차단부(282) 사이의 공간(52)에서 체류하다가 슬릿(51)으로 빠져나가 공정 챔버(110) 내로 유입된다.The active species generated in the discharge space 50 pass through the holes 81 formed in the first blocking portion 281 and then flow into the space 52 between the first blocking portion 281 and the second blocking portion 282 And then flows out into the slit 51 and into the process chamber 110.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 생성 장치의 일부를 도시하는 사시도이다.7 is a perspective view showing a part of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참고하면, 확산부(280)는 제3 차단부(293) 및 제4 차단부(294)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the diffusion portion 280 includes a third blocking portion 293 and a fourth blocking portion 294.

제3 차단부(293)는 제1 전극(240) 및 제2 전극(250) 사이 전체에 형성되어 있는 평판의 형태로서 두 개의 슬릿(53, 54)이 형성되어 있다.The third blocking portion 293 is formed on the entire surface between the first electrode 240 and the second electrode 250 and has two slits 53 and 54 formed thereon.

제4 차단부(284)는 제4 차단부(293)의 하부에 위치하며, 하나의 슬릿(55)이 형성되어 있다. 슬릿(55)는 상부에 존재하는 슬릿(53, 54)와 중첩하지 않는다.The fourth blocking portion 284 is located below the fourth blocking portion 293, and one slit 55 is formed. The slits 55 do not overlap with the slits 53 and 54 present in the upper part.

방전 공간(50)에서 생성된 활성종은 제3 차단부(284)에 형성된 슬릿(53, 54)을 통과한 후 제3 차단부(283) 및 제4 차단부(284) 사이의 공간에서 체류하다가 슬릿(55)으로 빠져나가 공정 챔버(110) 내로 유입된다.The active species generated in the discharge space 50 pass through the slits 53 and 54 formed in the third blocking portion 284 and are then allowed to stay in the space between the third blocking portion 283 and the fourth blocking portion 284 And then flows into the process chamber 110 through the slit 55.

한편, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)의 양 측에는 절연체가 형성되어 있으며 이에 대하여 도 8을 참고하여 상세하게 설명한다.On both sides of the first electrode 240 and the second electrode 250, an insulator is formed, which will be described in detail with reference to FIG.

도 8은 도 1에 도시한 플라즈마 에칭 장치의 플라즈마 생성 장치를 Ⅷ-Ⅷ 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus of the plasma etching apparatus shown in FIG. 1 taken along line VIII-VIII.

도 8에서 Ⅷ-Ⅷ은 플라즈마 생성 장치(200)에서 단변의 중앙을 자른 선이다. 도 8을 참고하면, 제1 전극(240) 및 제2 전극(250)의 양 측에는 절연체(291, 292)가 구비되어 있다. 절연체(291, 292)는 플라즈마 생성 장치(200)의 양 단에서 불균일한 방전이 발생하는 것을 방지하며, 플라즈마 생성 장치(200)의 길이 방향으로 균일도를 확보한다. 절연체(291, 292)는 세라믹 예를 들어 Al2O3 및 Y2O3 등의 절연 재료를 사용할 수 있다. 이와 같이 절연체(291, 292)를 구비하는 경우 길이 방향으로 에싱 균일도는 7% 미만이다.In FIG. 8, VIII-VIII is a line cut at the center of the short side of the plasma generation apparatus 200. Referring to FIG. 8, insulators 291 and 292 are provided on both sides of the first electrode 240 and the second electrode 250. Insulators 291 and 292 prevent uneven discharge at both ends of the plasma generating apparatus 200 and ensure uniformity in the longitudinal direction of the plasma generating apparatus 200. As the insulators 291 and 292, an insulating material such as a ceramic such as Al 2 O 3 and Y 2 O 3 can be used. As such, when the insulators 291 and 292 are provided, the etch uniformity in the longitudinal direction is less than 7%.

종래 기술에 따르면 플라즈마 처리 대상이 대면적인 경우 하나의 플라즈마 생성 장치로는 균일도 및 공정 처리 속도를 확보하기 어렵다. 또한 복수의 플라즈마 생성 장치를 사용하는 경우에는 원가가 상승하며, 동시 플라즈마 방전에 대한 어려움으로 인하여 공정 신뢰성을 확보할 수 없으며, 플라즈마 생성 장치 각각에 대한 고장 확률이 높아 장비 운영에 어려움이 발생한다. 뿐만 아니라 입력 전력 및 기체 사용량 등을 변경할 수 없기 때문에 활성종 발생량을 조절할 수 없어 공정 조건 변경에 따른 공정 마진이 작아진다.According to the related art, it is difficult to ensure the uniformity and the processing speed of one plasma generating apparatus when the object to be plasma-processed is large-sized. In addition, when a plurality of plasma generating apparatuses are used, the cost increases and the process reliability can not be ensured due to the difficulty in the simultaneous plasma discharge, and the probability of failure of each of the plasma generating apparatuses is high. In addition, because the input power and gas consumption can not be changed, the amount of active species can not be controlled and the process margin due to process condition changes is reduced.

그러나 본 발명의 한 실시예에 따르면, 단변 방향(A)으로 배치되는 한 쌍의 기체 분배부를 포함하는 플라즈마 생성 장치를 제공함으로써, 균일도 및 공정 처리 속도를 확보하면서 대면적에 대한 플라즈마 처리가 가능하다. However, according to the embodiment of the present invention, by providing the plasma generation device including a pair of gas distributing portions arranged in the short side direction (A), it is possible to perform plasma processing on a large area while ensuring uniformity and process speed .

또한 단변 방향(A)으로 하나로 연결된 직선형(linear)의 플라즈마 생성 장치를 사용함으로써 동시 플라즈마 방전을 용이하게 운영할 수 있다.Also, a simultaneous plasma discharge can be easily operated by using a linear plasma generating apparatus connected in one short side direction (A).

또한 복수의 기체 분배부를 구비하고, 각각의 기체 분배부를 공정 조건에 따라 변경함으로써 활성종 발생량을 용이하게 조절할 수 있다.Also, it is possible to easily regulate the amount of active species generated by changing the gas distributing unit according to the process conditions, with a plurality of gas distributing units.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

Claims (24)

제1 전극,
상기 제1 전극과 마주하여, 활성종을 생성하는 방전 공간을 형성하는 제2 전극,
상기 방전 공간에 배치되며 RF 전원이 인가되는 제3 전극, 그리고
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 상부에 연결되어 있는 챔버 리드
를 포함하고,
상기 챔버 리드에는 기체 주입구를 통하여 유입된 공정 기체가 수용되는 1차 버퍼 탱크 및 상기 공정 기체를 상기 방전 공간으로 배출하는 복수의 기체 분배부가 형성되어 있으며,
상기 기체 분배부는,
원통형의 제1 영역,
상기 제1 영역보다 작은 직경을 갖는 원통형의 제2 영역, 그리고
상기 제1 영역보다 작고 상기 제2 영역보다 큰 직경을 갖는 원통과 원뿔대가 결합한 형태의 제3 영역
을 포함하는
플라즈마 생성 장치.The first electrode,
A second electrode facing the first electrode to form a discharge space for generating active species,
A third electrode disposed in the discharge space and being supplied with RF power,
A first electrode, a second electrode, and a third electrode,
Lt; / RTI >
Wherein the chamber lid is formed with a primary buffer tank in which a process gas introduced through a gas inlet is accommodated and a plurality of gas distributors for discharging the process gas into the discharge space,
The gas distributor may include:
A first region of a cylindrical shape,
A cylindrical second region having a smaller diameter than the first region, and
A third region in which a truncated cone having a diameter smaller than the first region and larger than that of the second region is combined with a truncated cone
Containing
A plasma generation device. 제1항에서,
상기 제3 전극의 길이는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 길이보다 짧은 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
Wherein a length of the third electrode is shorter than a length of the first electrode and the second electrode. 제1항에서,
상기 제3 전극의 표면에는 홈이 형성되어 있는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
And a groove is formed on a surface of the third electrode. 제1항에서,
상기 제3 전극의 내부에는 냉각수관이 형성되어 있는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
And a cooling water pipe is formed inside the third electrode. 제1항에서,
상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이의 거리는, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이의 거리와 동일한 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
Wherein a distance between the first electrode and the third electrode is equal to a distance between the second electrode and the third electrode. 삭제delete 제1항에서,
상기 챔버 리드와 상기 제3 전극 사이에는 절연체가 구비되어 있는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
And an insulator is provided between the chamber lead and the third electrode. 삭제delete 제1항에서,
상기 복수의 기체 분배부는,
길이 방향으로 배열된 제1 열, 그리고 상기 제1 열과 마주하는 제2 열을 포함하는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
Wherein the plurality of gas distributors comprise:
A first column arranged in the longitudinal direction, and a second column facing the first column. 제1항에서,
상기 기체 분배부는,
상기 공정 기체의 종류 및 조성비에 따라 형태가 결정되는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
The gas distributor may include:
Wherein the shape is determined according to the kind and the composition ratio of the process gas. 삭제delete 제1항에서,
상기 챔버 리드에는 냉각수관이 형성되어 있는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
And a cooling water pipe is formed in the chamber lid. 제1항에서,
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 하부에 연결되어 있으며, 상기 방전 공간으로부터 상기 활성종을 분사하는 확산부
를 더 포함하는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 1,
A diffusion layer connected to a lower portion of the first electrode, the second electrode, and the third electrode for spraying the active species from the discharge space,
Further comprising a plasma generator. 제13항에서,
상기 확산부는,
복수의 홀이 형성되어 있는 제1 차단부, 그리고
상기 제1 차단부의 하부에 위치하며, 하나의 슬릿이 형성되어 있는 제2 차단부
를 포함하는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 13,
Wherein,
A first blocking portion in which a plurality of holes are formed, and
And a second cutoff portion located below the first cutoff portion and having one slit,
And a plasma generator. 제13항에서,
상기 확산부는,
하나의 슬릿이 형성되어 있는 제3 차단부, 그리고
상기 제3 차단부의 하부에 위치하며, 두 개의 슬릿이 형성되어 있는 제4 차단부
를 포함하는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 13,
Wherein,
A third blocking portion in which one slit is formed, and
And a fourth interrupting portion located at a lower portion of the third interrupting portion and having two slits,
And a plasma generator. 제15항에서,
상기 제3 차단부의 슬릿과 상기 제4 차단부의 슬릿은 서로 중첩하지 않는 플라즈마 생성 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the slit of the third blocking portion and the slit of the fourth blocking portion do not overlap with each other. 제1항에서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 양 단에 부착되어 있는 절연체
를 더 포함하는 플라즈마 생성 장치The method of claim 1,
An insulator attached to both ends of the first electrode and the second electrode,
Further comprising a plasma generator 플라즈마 에칭의 대상이 되는 기판을 고정하는 스테이지,
상기 기판 위에 상기 기판과의 공간을 형성하면서 배치되고 상기 기판의 비에칭 영역을 보호하는 마스크,
상기 스테이지 및 상기 마스크를 수용하는 챔버,
상기 챔버 상부에 연결되어 있는 제1 전극,
상기 제1 전극과 마주하여 활성종을 생성하는 방전 공간을 형성하는 제2 전극
상기 방전 공간에 배치되며 RF 전원이 인가되는 제3 전극, 그리고
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 상부에 연결되어 있는 챔버 리드
를 포함하고,
상기 챔버 리드에는 기체 주입구를 통하여 유입된 공정 기체가 수용되는 1차 버퍼 탱크 및 상기 공정 기체를 상기 방전 공간으로 배출하는 복수의 기체 분배부가 형성되어 있으며,
상기 기체 분배부는,
원통형의 제1 영역,
상기 제1 영역보다 작은 직경을 갖는 원통형의 제2 영역, 그리고
상기 제1 영역보다 작고 상기 제2 영역보다 큰 직경을 갖는 원통과 원뿔대가 결합한 형태의 제3 영역
을 포함하는
플라즈마 에칭 장치.A stage for fixing a substrate to be subjected to plasma etching,
A mask disposed on the substrate while forming a space with the substrate and protecting a non-etching area of the substrate,
A chamber for receiving the stage and the mask,
A first electrode connected to the upper portion of the chamber,
A second electrode facing the first electrode and forming a discharge space for generating an active species;
A third electrode disposed in the discharge space and being supplied with RF power,
A first electrode, a second electrode, and a third electrode,
Lt; / RTI >
Wherein the chamber lid is formed with a primary buffer tank in which a process gas introduced through a gas inlet is accommodated and a plurality of gas distributors for discharging the process gas into the discharge space,
The gas distributor may include:
A first region of a cylindrical shape,
A cylindrical second region having a smaller diameter than the first region, and
A third region in which a truncated cone having a diameter smaller than the first region and larger than that of the second region is combined with a truncated cone
Containing
Plasma etching apparatus. 제18항에서,
상기 제3 전극의 길이는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 길이보다 짧으며, 표면에 홈이 형성되어 있는
플라즈마 에칭 장치.The method of claim 18,
Wherein a length of the third electrode is shorter than a length of the first electrode and the second electrode,
Plasma etching apparatus. 삭제delete 삭제delete 제18항에서,
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 하부에 연결되어 있으며, 상기 방전 공간으로부터 상기 활성종을 상기 챔버 내부로 분사하는 확산부
를 더 포함하는 플라즈마 생성 장치.The method of claim 18,
A diffusion electrode connected to a lower portion of the first electrode, the second electrode, and the third electrode and injecting the active species into the chamber from the discharge space;
Further comprising a plasma generator. 제18항에서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 양 단에 부착되어 있는 절연체
를 더 포함하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 18,
An insulator attached to both ends of the first electrode and the second electrode,
Further comprising a plasma etching apparatus. 제18항에서,
상기 기판은 장변 및 단변을 포함하는 직사각형이며,
상기 플라즈마 생성 장치는
상기 단변의 에칭 영역에 대응되도록 장착되는 제1 플라즈마 생성 장치 및 제2 플라즈마 생성 장치
를 포함하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 18,
Wherein the substrate is a rectangle including a long side and a short side,
The plasma generation device
A first plasma generating device and a second plasma generating device mounted so as to correspond to the etching area of the short side,
And a plasma etching apparatus.
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