KR101097038B1 - Plasma etching apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 식각 효율을 증대시키고, 원치 않는 주변부 식각(lateral etch)을 방지하여 식각부가 최적의 경사(slope)조건을 유지할 수 있도록 하는 플라즈마 식각장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma etching apparatus which increases the etching efficiency and prevents unwanted lateral etch so that the etching portion can maintain an optimum slope condition.

본 발명의 다른 목적은 식각 공정중에 발생하는 파티클과 같은 식각 부산물을 효과적으로 제거하여 식각 효율을 증대시키고, 식각장치의 작동 불량을 사전에 방지하여 장치의 유지/보수 비용을 절감하고 교체시기를 연장할 수 있는 플라즈마 식각장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to effectively remove the etching by-products such as particles generated during the etching process to increase the etching efficiency, to prevent the malfunction of the etching apparatus in advance to reduce the maintenance cost of the apparatus and to extend the replacement time It is to provide a plasma etching apparatus that can be.

이를 위해 본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내부에 대향되도록 설치되는 제 1, 2전극과, 상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 챔버의 하부에 돌출형성되어 제 1, 2전극 사이에서 발생된 플라즈마를 배출시키는 플라즈마 배출부를 포함하여 이루어지는 플라즈마 식각장치를 제공한다.To this end, the present invention provides a chamber, first and second electrodes installed to face the inside of the chamber, a gas supply unit for supplying gas into the chamber, and a protrusion formed below the chamber, between the first and second electrodes. It provides a plasma etching apparatus comprising a plasma discharge unit for discharging the generated plasma.

또한, 본 발명은 제 1챔버와, 상기 제 1챔버 내부에 대향되도록 설치되는 제 1, 2전극과, 상기 제 1챔버 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 제 1챔버의 하부에 돌출형성되어 제 1, 2전극 사이에서 발생된 플라즈마를 배출시키는 플라즈마 배출부와, 상기 제 1챔버를 감싸 외부로부터 밀폐시키는 제 2챔버와, 상기 플라즈마 배출부와 인접한 제 2챔버의 하부에 형성되어 식각에 의해 발생되는 각종 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 배기부를 포함하여 이루어지는 플라즈마 식각장치를 제공한다.In addition, the present invention, the first chamber, the first and second electrodes installed to face the inside of the first chamber, the gas supply unit for supplying gas into the first chamber, and protruding to the lower portion of the first chamber And a plasma discharge part for discharging the plasma generated between the first and second electrodes, a second chamber surrounding the first chamber to be sealed from the outside, and a lower part of the second chamber adjacent to the plasma discharge part to be etched. The present invention provides a plasma etching apparatus including an exhaust unit for sucking and discharging various foreign substances generated by the discharge.

플라즈마 식각장치, 식각부, 경사(slope) Plasma Etcher, Etch, Slope

Description

플라즈마 식각장치{Plasma etching apparatus}Plasma etching apparatus

도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 식각장치의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a plasma etching apparatus according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 플라즈마 식각장치에 의해 기판 식각이 진행되는 모습을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a state that the substrate etching proceeds by the plasma etching apparatus according to the prior art.

도 3은 주변부가 식각된 상태의 기판을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a substrate in a state where peripheral portions are etched.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치의 개략적인 구성도이다.4 is a schematic configuration diagram of a plasma etching apparatus according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 배출부를 보다 상세히 나타내는 도면이다.5 is a view showing in more detail the plasma discharge unit according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치에 의해 식각이 진행된 기판의 표면 형상을 나타내는 도면이다.6 is a view showing the surface shape of the substrate etched by the plasma etching apparatus according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing another embodiment of a plasma etching apparatus according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100: 챔버 110: 제 1전극100: chamber 110: first electrode

120: 제 2전극 130: 가스 공급부120: second electrode 130: gas supply unit

200: 플라즈마 배출부 300: 기판200: plasma discharge portion 300: substrate

400, 600: 배기부 500: 제 1챔버400, 600 exhaust part 500: first chamber

700: 제 2챔버 700: second chamber

본 발명은 플라즈마 식각장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 식각 효율을 증대시키고, 기판의 불필요한 주변부 식각을 방지하여 식각부가 최상의 경사(slope)조건을 유지할 수 있도록 하며, 식각공정 중에 발생하는 각종 이물질을 원활하게 제거할 수 있는 플라즈마 식각장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma etching apparatus, and more particularly, to increase the etching efficiency, to prevent unnecessary peripheral etching of the substrate so that the etching portion can maintain the best slope conditions, and to remove various foreign substances generated during the etching process. It relates to a plasma etching apparatus that can be removed smoothly.

일반적으로, 플라즈마(plasma) 식각장치란 기판상에 도포된 배향막 등을 플라즈마를 이용해 식각(etching)하는 장치를 말한다. 이러한 플라즈마 식각장치는 플라즈마 상태가 이루어지는 영역이 챔버 내에 어떤 기압 하에 있는가로 분류할 수 있다.In general, a plasma etching apparatus refers to an apparatus for etching an alignment layer or the like coated on a substrate using plasma. Such a plasma etching apparatus may classify under which atmospheric pressure the region where the plasma state is formed is in the chamber.

종래에는 진공에 가까운 저압(Low Pressure)하에서 글로우 방전 플라즈마(glow discharge plasma)를 발생시켜 기판상에 도포된 소정 물질을 식각하는 방법이 이용되었다. 그러나, 이러한 저압 플라즈마 처리 방법은 진공 챔버, 진공 배기 장치 등의 고가 장비가 요구되며 또한, 장치 내의 구성이 복잡하기 때문에 장비유지 관리 및 진공 펌핑(pumping) 시간이 길어지는 문제점이 있었다. 따라서, 대면적 기판의 식각이 요구되는 액정표시장치와 같은 경우 기판의 크기에 따라 상승하는 비용 부담으로 거의 이용하기 힘든 실정이다.Conventionally, a method of etching a predetermined material applied to a substrate by generating a glow discharge plasma under a low pressure close to vacuum has been used. However, such a low pressure plasma processing method requires expensive equipment such as a vacuum chamber and a vacuum exhaust device, and also has a problem in that equipment maintenance and vacuum pumping time are lengthened because of a complicated configuration in the apparatus. Therefore, in the case of a liquid crystal display device which requires etching of a large area substrate, it is difficult to use due to the cost burden that increases according to the size of the substrate.

이로 인해, 진공 조건의 장비가 요구되지 않는 대기압(Atmospheric Pressure, 상압) 근방의 압력 하에서 상압 플라즈마(plasma)를 발생시키는 플라즈 마 식각장치가 사용되고 있다.For this reason, a plasma etching apparatus is used that generates atmospheric plasma under a pressure near atmospheric pressure (atmospheric pressure) where equipment under vacuum conditions is not required.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래기술에 따른 플라즈마 식각장치를 간략히 설명한다.Hereinafter, a plasma etching apparatus according to the related art will be briefly described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 식각장치의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a plasma etching apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 플라즈마 식각장치는 챔버(21)와, 상기 챔버(21) 내에 좌우 방향으로 서로 대향되도록 형성되는 제 1, 2 전극(23, 24)과, 상기 제 1 전극(23)에 전원을 공급하는 전원 공급부(26)와, 상기 챔버(21)에 가스를 공급하는 가스 공급부(27)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the plasma etching apparatus according to the related art includes a chamber 21, first and second electrodes 23 and 24 formed in the chamber 21 to face each other in left and right directions, and the first and second electrodes. A power supply unit 26 for supplying power to the first electrode 23 and a gas supply unit 27 for supplying gas to the chamber 21 are provided.

여기서, 상기 제 2 전극(24)은 접지된다. 이와 같이, 구성된 종래기술에 따른 플라즈마 식각장치의 동작은 다음과 같다.Here, the second electrode 24 is grounded. As such, the operation of the plasma etching apparatus according to the related art is as follows.

상기 제 1 전극(23)에 전원이 인가되면 상기 제 1, 2 전극(23, 24) 사이에 상압 플라즈마가 발생하여 챔버(21) 하면으로 방출된다. 이에 따라 상기 제 1, 2 전극(23, 24)과 수직한 방향으로 상기 챔버(21) 하측에 위치된 기판(20)에 플라즈마로 인한 식각이 진행된다.When power is applied to the first electrode 23, an atmospheric pressure plasma is generated between the first and second electrodes 23 and 24 and discharged to the lower surface of the chamber 21. Accordingly, etching due to plasma is performed on the substrate 20 positioned below the chamber 21 in a direction perpendicular to the first and second electrodes 23 and 24.

이때, 상기 챔버(21)와 기판(20) 사이의 간격은 1~3mm 사이로 유지된다. 이는 상기 챔버(21)와 기판(20) 사이의 간격을 상기 거리보다 작게 유지할 경우 원하는 기판(20)의 식각부 외에 원치 않는 주변부까지 동시에 식각이 이루어지는 문제가 발생하기 때문이다.At this time, the interval between the chamber 21 and the substrate 20 is maintained between 1 ~ 3mm. This is because when the distance between the chamber 21 and the substrate 20 is kept smaller than the distance, the problem occurs that the etching is performed simultaneously to the unwanted peripheral portion in addition to the etching portion of the desired substrate 20.

도 2는 종래기술에 따른 플라즈마 식각장치에 의해 기판 식각이 진행되는 모습을 나타내는 도면이며, 도 3은 주변부가 식각된 상태의 기판을 나타내는 도면이 다.2 is a view showing a state that the substrate etching proceeds by the plasma etching apparatus according to the prior art, Figure 3 is a view showing the substrate in the peripheral portion is etched state.

좀더 상세히 설명하면, 도 2에 도시된 바와 같이 챔버(21)에서 기판(20)을 향해 배출된 상압 플라즈마는 기판(20) 식각부에 도달된 후 주변부로 확산되며 점차 세기가 약해진다. 이 과정에서 플라즈마 입자들은 챔버(21) 하면에 부딪쳐 기판(20)의 주변부에 도달하게 되는데, 이때 챔버(21)와 기판(20) 사이의 간격이 좁으면 플라즈마 입자들의 이동경로가 짧아 플라즈마의 세기가 충분히 약해지지 않은 상태로 주변부에 도달하게 된다.In more detail, as shown in FIG. 2, the atmospheric pressure plasma discharged from the chamber 21 toward the substrate 20 reaches the etching portion of the substrate 20 and then diffuses to the periphery, and gradually decreases in intensity. In this process, the plasma particles collide with the lower surface of the chamber 21 to reach the periphery of the substrate 20. At this time, if the distance between the chamber 21 and the substrate 20 is narrow, the path of the plasma particles is short, and thus the intensity of the plasma is reduced. Reaches the periphery without sufficiently weakening.

이와 같이 플라즈마가 챔버(20) 하면에 부딪친 후 세기가 약해지지 않은 상태로 기판(20)의 주변부에 도달하면 도 3에 도시된 바와 같이, 주변부에서도 기판에 도포된 물질(20a)의 식각이 일어나 원하지 않는 식각 프로파일이 형성된다. 따라서, 플라즈마 입자의 이동 경로를 크게 하여 플라즈마가 충분히 약해진 상태로 주변부에 도달할 수 있도록 챔버(21)와 기판(20) 사이의 간격은 최소 1~3mm로 유지된다.When the plasma hits the lower surface of the chamber 20 and reaches the periphery of the substrate 20 in a state where the strength is not weakened, as shown in FIG. 3, the etching of the material 20a applied to the substrate occurs in the periphery. Unwanted etching profiles are formed. Therefore, the distance between the chamber 21 and the substrate 20 is maintained at a minimum of 1 to 3 mm so that the path of the plasma particles can be increased so that the plasma can reach the peripheral portion in a sufficiently weak state.

하지만, 이와 같이 챔버(21)와 기판(20)의 간격을 1~3mm 정도로 유지하면 플라즈마가 기판(20)에 도달되는 과정에서 퍼지며 식각 효율이 저하되는 현상이 발생하는 문제점이 있었다. However, if the distance between the chamber 21 and the substrate 20 is maintained at about 1 to 3 mm, the plasma spreads in the process of reaching the substrate 20 and the etching efficiency is lowered.

즉, 챔버(21)와 기판(20) 사이의 간격을 크게 하면 원치 않는 주변부가 식각되는 문제는 해결될 수 있지만 플라즈마가 기판(20)에 도달되는 과정에서 직진성을 유지하지 못하고 퍼지게 되어 식각 효율이 나빠지는 문제점이 발생하였다. 이러한 식각 효율의 저하는 식각에 소요되는 시간을 증가시켜 전체적인 공정비용을 증가시 키는 요인이 되었다.In other words, if the distance between the chamber 21 and the substrate 20 is increased, the problem that the unwanted peripheral portion is etched can be solved. The problem worsened. This decrease in etching efficiency increased the time required for etching, which increased the overall process cost.

또한, 통상의 플라즈마 식각장치를 이용한 식각 공정이 진행되면 다량의 식각 부산물이 발생한다. 하지만, 이러한 식각 부산물을 제거할 수단이 없기 때문에 식각 부산물 특히, 파티클(particle)과 같은 미세한 입자들이 기판(20) 또는 챔버(21)에 부착되어 식각 효율을 저하시키고, 식각장치 내부로 유입되어 작동 불량을 유발시키는 문제점이 있었다.In addition, a large amount of by-products are generated when an etching process using a conventional plasma etching apparatus is performed. However, since there is no means to remove these etching by-products, etching by-products, in particular, fine particles such as particles are attached to the substrate 20 or the chamber 21 to reduce the etching efficiency, and flow into the etching apparatus to operate. There was a problem causing the defect.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 식각 효율을 증대시키고, 원치 않는 주변부 식각(lateral etch)을 방지하여 식각부가 최적의 경사(slope)조건을 유지할 수 있도록 하는 플라즈마 식각장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to increase the etching efficiency and to prevent unwanted peripheral etch, so that the etching portion can maintain an optimal slope condition. It is to provide a plasma etching apparatus.

본 발명의 다른 목적은 식각 공정중에 발생하는 파티클과 같은 식각 부산물을 효과적으로 제거하여 식각 효율을 증대시키고, 식각장치의 작동 불량을 사전에 방지하여 장치의 유지/보수 비용을 절감하고 교체시기를 연장할 수 있는 플라즈마 식각장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to effectively remove the etching by-products such as particles generated during the etching process to increase the etching efficiency, to prevent the malfunction of the etching apparatus in advance to reduce the maintenance cost of the apparatus and to extend the replacement time It is to provide a plasma etching apparatus that can be.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내부에 대향되도록 설치되는 제 1, 2전극과, 상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 챔버의 하부에 돌출형성되어 제 1, 2전극 사이에서 발생된 플라즈마를 배출시키는 플라즈마 배출부를 포함하여 이루어지는 플라즈마 식각장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chamber, first and second electrodes installed to face the inside of the chamber, a gas supply unit supplying gas into the chamber, and a protrusion formed at a lower portion of the chamber. It provides a plasma etching apparatus comprising a plasma discharge unit for discharging the plasma generated between the first and second electrodes.

또한, 본 발명은 제 1챔버와, 상기 제 1챔버 내부에 대향되도록 설치되는 제 1, 2전극과, 상기 제 1챔버 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 제 1챔버의 하부에 돌출형성되어 제 1, 2전극 사이에서 발생된 플라즈마를 배출시키는 플라즈마 배출부와, 상기 제 1챔버를 감싸 외부로부터 밀폐시키는 제 2챔버와, 상기 플라즈마 배출부와 인접한 제 2챔버의 하부에 형성되어 식각에 의해 발생되는 각종 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 배기부를 포함하여 이루어지는 플라즈마 식각장치를 제공한다.In addition, the present invention, the first chamber, the first and second electrodes installed to face the inside of the first chamber, the gas supply unit for supplying gas into the first chamber, and protruding to the lower portion of the first chamber And a plasma discharge part for discharging the plasma generated between the first and second electrodes, a second chamber surrounding the first chamber to be sealed from the outside, and a lower part of the second chamber adjacent to the plasma discharge part to be etched. The present invention provides a plasma etching apparatus including an exhaust unit for sucking and discharging various foreign substances generated by the discharge.

이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.Hereinafter, embodiments of the present invention in which the above object can be specifically realized are described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치의 개략적인 구성도이며, 도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 배출부를 보다 상세히 나타내는 도면이다.4 is a schematic configuration diagram of a plasma etching apparatus according to the present invention, Figure 5 is a view showing in more detail the plasma discharge unit according to the present invention.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내부에 대향되도록 설치되는 제 1, 2전극(110,120)과, 상기 챔버(100) 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부(130)와, 상기 챔버(100)의 하부에 형성되는 플라즈마 배출부(200)를 포함하여 이루어진다.4 and 5, the plasma etching apparatus according to the present invention includes a chamber 100, first and second electrodes 110 and 120 installed to face the inside of the chamber 100, and the chamber 100. ) And a gas supply unit 130 for supplying a gas to the inside thereof, and a plasma discharge unit 200 formed under the chamber 100.

상기 플라즈마 배출부(200)는 제 1, 2전극(110,120) 사이의 공간에서 발생된 상압 플라즈마를 챔버(100)의 하측에 위치한 기판(300)으로 유도하여 기판(300) 표면이 식각되도록 하는 역할을 한다. 이를 위해 상기 플라즈마 배출부(200)는 플라즈마가 배출되는 다수개의 홀(210)을 구비한다.The plasma discharge unit 200 guides the atmospheric pressure plasma generated in the space between the first and second electrodes 110 and 120 to the substrate 300 positioned below the chamber 100 to etch the surface of the substrate 300. Do it. To this end, the plasma discharge unit 200 includes a plurality of holes 210 through which plasma is discharged.

이러한 상기 플라즈마 배출부(200)는 돌출형성되어 식각 효율을 향상시킬 뿐 만 아니라 목표한 부분 이외의 부분이 식각되는 주변부 식각(lateral etching) 을 방지한다. The plasma discharge part 200 is protruded to not only improve the etching efficiency, but also prevent lateral etching in which portions other than the target part are etched.

좀더 상세히 설명하면, 상기 플라즈마 배출부(200)가 일정 길이(L)로 돌출 형성되면 기판(300)과 플라즈마 배출부(200) 사이의 간격(T1)이 좁아져 플라즈마가 직직성을 유지한 상태로 기판(300)에 도달하게 된다. 이와 같이 플라즈마가 확산되지 않고 직진성을 유지한 상태로 기판(300)에 도달되면 기판(300) 식각이 신속하게 진행되어 식각 효율이 향상되는 효과를 얻을 수 있다. 구체적으로, 상기 플라즈마 배출부(200)는 0.5mm 이상 돌출형성되는 것이 바람직하다.In more detail, when the plasma discharge unit 200 protrudes to a predetermined length (L), the interval T 1 between the substrate 300 and the plasma discharge unit 200 is narrowed to maintain the straightness of the plasma. The substrate 300 is reached in a state. As such, when the plasma reaches the substrate 300 while the plasma is not diffused and the straightness is maintained, the substrate 300 may be rapidly etched to improve the etching efficiency. Specifically, the plasma discharge unit 200 is preferably formed to protrude more than 0.5mm.

또한, 플라즈마 배출부(200)만이 돌출형성되기 때문에 챔버(100) 하면과 기판(300) 사이의 간격(T2)은 원상태를 유지하거나 오히려 더 커질 수 있다. 따라서, 플라즈마 배출부(200)에서 방출된 플라즈마는 기판(300)을 식각한 후 챔버(100) 하면과 기판(300) 사이의 상대적으로 넓은 공간으로 퍼지면서 약해지기 때문에 식각부 이외의 주변부를 식각할 확률이 크게 줄어든다. In addition, since only the plasma discharge unit 200 protrudes, the distance T 2 between the lower surface of the chamber 100 and the substrate 300 may remain intact or may become larger. Therefore, since the plasma emitted from the plasma discharge unit 200 is weakened by etching the substrate 300 and then spreading into a relatively large space between the lower surface of the chamber 100 and the substrate 300, the peripheral portion other than the etching portion is etched. The probability of doing so is greatly reduced.

즉, 플라즈마 배출부(200)와 기판(300) 사이의 간격(T1)은 플라즈마 배출부(200)가 돌출형성됨에 따라 작아지더라도 챔버(100) 하면과 기판(300) 사이의 간격(T2)은 종래와 동일하거나 오히려 크게 유지될 수 있다. 따라서, 방출된 플라즈마 입자가 챔버(100) 하면에 부딪쳐 기판 주변부에 도달하더라도 이동 경로가 크기 때문에 세기가 충분히 약해진 상태가 되어 주변부가 식각될 확률이 크게 줄어들게 된다.That is, even if the interval T 1 between the plasma discharge unit 200 and the substrate 300 decreases as the plasma discharge unit 200 protrudes, the interval T between the bottom surface of the chamber 100 and the substrate 300 is reduced. 2 ) can be kept the same or rather large as in the prior art. Therefore, even if the emitted plasma particles hit the lower surface of the chamber 100 and reach the periphery of the substrate, the movement path is large, and thus the strength is sufficiently weakened, thereby greatly reducing the probability of etching the periphery.

한편, 상술한 바와 같이 플라즈마에 의해 주변부가 식각되는 현상이 방지되면 기판 식각부(320)의 경사(slope)(S)(도 6참조)가 개선되는 효과를 동시에 얻을 수 있다. On the other hand, as described above, when the phenomenon in which the peripheral portion is etched by the plasma is prevented, an effect of improving the slope S (see FIG. 6) of the substrate etching part 320 may be simultaneously obtained.

도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치에 의해 식각이 진행된 기판의 표면 형상을 나타내는 도면이다.6 is a view showing the surface shape of the substrate etched by the plasma etching apparatus according to the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 플라즈마에 의한 식각이 완료되면 기판(300)에 도포된 배향막(310) 등에는 일정 경사(slope)(S)를 가지는 식각부(320)가 형성된다. 상기 식각부(320)의 경사(S)는 마스크를 사용하지 않고 식각 공정을 진행하기 때문에 필연적으로 발생하며, 크기가 증가할수록 식각부(320) 이외의 원하지 않는 주변부가 많이 식각된 것을 의미하기 때문에 최소한으로 유지되는 것이 바람직하다. As illustrated in FIG. 6, when the etching by the plasma is completed, an etching part 320 having a predetermined slope S is formed on the alignment layer 310 applied to the substrate 300. The inclination S of the etching unit 320 is inevitably generated because the etching process is performed without using a mask, and as the size increases, it means that many unwanted peripheral portions other than the etching unit 320 are etched. It is desirable to keep it to a minimum.

따라서, 상술한 바와 같이 챔버(100) 하면과 기판(300) 사이의 간격(T2)을 크게 유지하면 플라즈마가 챔버(100)와 기판(300) 사이의 넓은 공간으로 확산되어 약해지기 때문에 주변부 식각이 최대한 억제되고 이에 따라 식각부(320)의 경사(S)가 최소한으로 유지될 수 있다.Therefore, as described above, if the distance T 2 between the lower surface of the chamber 100 and the substrate 300 is kept large, the plasma is diffused into the large space between the chamber 100 and the substrate 300 and thus weakened. This may be suppressed to the maximum and accordingly, the inclination S of the etching unit 320 may be kept to a minimum.

한편, 상기 플라즈마 배출부(200)의 인접 위치에는 배기부(400)가 형성된다(도 1참조). 상기 배기부(400)는 식각에 의해 발생하는 각종 식각 부산물을 흡입하여 외부로 배출시킴으로써 식각 효율을 증대시킨다. 또한, 파티클과 같은 미세한 식각 부산물에 의해 발생하는 작동 불량을 사전에 방지하여 장치의 유지/보수 비용을 절감하고 교체시기를 연장시킨다.Meanwhile, an exhaust unit 400 is formed at an adjacent position of the plasma discharge unit 200 (see FIG. 1). The exhaust unit 400 increases the etching efficiency by sucking and discharging various etching by-products generated by etching to the outside. In addition, malfunctions caused by fine etching by-products such as particles are prevented in advance, thereby reducing the maintenance cost of the device and prolonging the replacement time.

이러한 배기부(400)는 각종 이물질을 흡입하는 슬릿 모양의 흡입관(410)과, 상기 흡입관(410)으로 유입된 이물질을 외부로 배출시키는 배관(420)으로 이루어진다. 따라서, 진공흡입방식 등에 의해 흡입관(410)으로 챔버(100)와 기판(300) 사이에 발생하는 각종 식각 부산물이 흡입되면, 상기 식각 부산물은 배관(420)을 통해 외부로 배출된다.The exhaust unit 400 includes a slit-shaped suction tube 410 for sucking various foreign substances and a pipe 420 for discharging foreign substances introduced into the suction tube 410 to the outside. Therefore, when various etching by-products generated between the chamber 100 and the substrate 300 are sucked into the suction pipe 410 by the vacuum suction method, the etching by-products are discharged to the outside through the pipe 420.

도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing another embodiment of a plasma etching apparatus according to the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치의 다른 실시예는 제 1챔버(700)의 외면을 별도의 제 2챔버(500)가 감싸는 이중챔버구조를 가짐에 특징이 있다.As shown in FIG. 7, another embodiment of the plasma etching apparatus according to the present invention is characterized in that it has a double chamber structure in which an outer surface of the first chamber 700 is surrounded by a separate second chamber 500.

상기 제 2챔버(500)는 제 1챔버(700)를 감싸 외부로부터 밀폐시킴으로써 충격 등에 의해 제 1챔버(700) 내부에 구비되는 제 1, 2전극(710, 720)과 같은 각종 장비가 손상되는 것을 방지한다. The second chamber 500 surrounds the first chamber 700 and seals it from the outside to damage various equipment such as the first and second electrodes 710 and 720 provided inside the first chamber 700 by an impact or the like. To prevent them.

좀더 상세히 설명하면, 상기 제 1챔버(100)에는 제 1, 2전극(710,720), 플라즈마 배출부(800), 그리고 고가의 각종 장비들이 구비되기 때문에 제 1챔버(700)에 충격 등이 가해져 장비가 손상되면 엄청난 손실을 입게 된다. 하지만, 제 1챔버(700)를 제 2챔버(500)가 감싸면 제 1챔버(700)에 가해지는 충격이 제 2챔버(500)에 의해 흡수되기 때문에 고가의 장비가 파손될 위험을 사전에 방지할 수 있다.In more detail, since the first chamber 100 is equipped with the first and second electrodes 710 and 720, the plasma discharge unit 800, and various expensive equipment, an impact is applied to the first chamber 700. Is injured causing huge losses. However, when the second chamber 500 surrounds the first chamber 700, since the impact applied to the first chamber 700 is absorbed by the second chamber 500, the risk of expensive equipment being damaged may be prevented in advance. Can be.

여기서, 상기 제 1챔버(700), 제 1, 2전극(710,720), 플라즈마 배출부(800) 는 도 2를 참조하여 상술한 챔버(100), 제 1, 2전극(110,120), 플라즈마 배출부(200)와 동일한 구조이므로 자세한 설명은 생략한다. Here, the first chamber 700, the first and second electrodes 710 and 720, and the plasma discharge unit 800 may include the chamber 100, the first and second electrodes 110 and 120, and the plasma discharge unit described above with reference to FIG. 2. Since the structure is the same as 200, detailed description thereof will be omitted.

또한, 상기 플라즈마 배출부(800)와 인접한 제 2챔버(500)의 하부에는 식각에 의해 발생되는 각종 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 배기부(600)가 형성된다.In addition, an exhaust unit 600 is formed under the second chamber 500 adjacent to the plasma discharge unit 800 to suck and discharge various foreign substances generated by etching.

도 4에 도시된 바와 같이, 챔버(100) 내부에 별도의 배기부(400)를 새롭게 형성하면 챔버(100) 구조가 복잡해지고 구조 변경에 따라 많은 비용이 소모된다. 하지만, 비교적 단순한 구조의 제 2챔버(500)로 제 1챔버(700)를 감싸고, 제 2챔버(500)에 배기부(600)를 별도로 형성하면 복잡한 제 1챔버(700)의 구조를 변경하지 않고 배기부(600)를 형성할 수 있을 뿐만 아니라 배기부(600) 자체의 구조 변경 역시 손쉬워 진다.As shown in FIG. 4, when a separate exhaust unit 400 is newly formed in the chamber 100, the structure of the chamber 100 is complicated and a large cost is consumed according to the structure change. However, if the first chamber 700 is surrounded by the second chamber 500 having a relatively simple structure, and the exhaust unit 600 is formed separately in the second chamber 500, the structure of the complicated first chamber 700 is not changed. Not only can the exhaust part 600 be formed, but also the structure of the exhaust part 600 itself can be easily changed.

이러한 배기부(600) 역시 각종 이물질을 흡입하는 슬릿 모양의 흡입관(610)과, 상기 흡입관(610)으로 유입된 이물질을 외부로 배출시키는 배관(620)으로 이루어진다. 따라서, 진공흡입방식 등에 의해 흡입관(610)으로 제 1챔버(700)와 기판(300) 사이에 발생하는 각종 식각 부산물이 흡입되면, 상기 식각 부산물은 배관(620)을 통해 외부로 배출된다.The exhaust part 600 also includes a slit-shaped suction tube 610 for sucking various foreign substances and a pipe 620 for discharging foreign substances introduced into the suction tube 610 to the outside. Therefore, when various etching by-products generated between the first chamber 700 and the substrate 300 are sucked into the suction pipe 610 by the vacuum suction method, the etching by-products are discharged to the outside through the pipe 620.

이와 같이 플라즈마 식각장치를 이중 챔버구조로 제작하게 되면 고가의 장비가 내부에 구비되는 제 1챔버(700)를 외부 충격으로부터 보호할 수 있을 뿐만 아니라 배기부(600)의 설치 및 구조 변경이 손쉬워진다.When the plasma etching apparatus is manufactured in the double chamber structure as described above, the first chamber 700 having the expensive equipment therein can be protected from external shocks, and the installation and the structural change of the exhaust unit 600 are easy. .

이러한 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치는 다음과 같은 효과를 가진다.The plasma etching apparatus according to the present invention has the following effects.

첫째, 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치는 플라즈마 배출부를 돌출형성시켜 식각 효율을 향상시키고 목표한 부분 이외의 부분이 식각되는 주변부 식각(lateral etching)을 방지함으로써 기판 식각부의 경사(slope)를 개선할 수 있다.First, the plasma etching apparatus according to the present invention may improve the etching efficiency by protruding the plasma discharge part and improve the slope of the substrate etching part by preventing lateral etching in which portions other than the target part are etched. have.

둘째, 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치는 배기부를 통해 식각에 의해 발생하는 각종 식각 부산물을 흡입하여 외부로 배출시킴으로써 식각 효율을 증대시킨다. 또한, 파티클과 같은 미세한 식각 부산물에 의해 발생하는 식각장치의 작동 불량을 사전에 방지하여 장치의 유지/보수 비용을 절감하고 교체시기를 연장시킨다.Second, the plasma etching apparatus according to the present invention increases the etching efficiency by sucking and discharging various etching by-products generated by etching through the exhaust part to the outside. In addition, by preventing the malfunction of the etching apparatus caused by fine etching by-products such as particles in advance to reduce the maintenance cost of the apparatus and prolong the replacement time.

셋째, 본 발명에 따른 플라즈마 식각장치는 이중 챔버구조로 제작되어 고가의 장비가 내부에 구비되는 제 1챔버를 외부 충격으로부터 보호할 수 있을 뿐만 아니라 배기부의 설치 및 구조 변경을 손쉽게 할 수 있다.Third, the plasma etching apparatus according to the present invention may be manufactured in a double chamber structure to not only protect the first chamber in which expensive equipment is provided from external shocks, but also facilitate the installation and structural change of the exhaust unit.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (7)

챔버와,Chamber, 플라즈마를 발생시키기 위해 상기 챔버 내부에 대향되도록 설치되는 제 1, 2 전극과,First and second electrodes installed to face the inside of the chamber to generate a plasma; 상기 챔버 내부에 플라즈마 발생용 가스를 공급하는 가스 공급부와,A gas supply unit supplying a gas for plasma generation into the chamber; 상기 챔버의 하부에 설치되어 상기 제 1, 2전극 사이에서 발생된 플라즈마를 기판으로 배출시키는 플라즈마 배출부를 포함하여 이루어지며,A plasma discharge part installed at a lower portion of the chamber to discharge plasma generated between the first and second electrodes to a substrate; 상기 플라즈마 배출부와 상기 기판 사이의 간격을 T1, 상기 챔버와 상기 기판 사이의 간격 T2 라고 할 때 상기 T1 이 상기 T2 보다 작아지도록 상기 플라즈마 배출부는 상기 챔버의 하부에 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.When the distance between the plasma discharge part and said substrate to said interval T 2 of between T 1, said chamber and said substrate wherein said T 1 is formed projecting on a lower portion of the chamber and the plasma discharge portion is smaller than that of the T 2 Plasma etching device characterized in that. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 배출부는 0.5mm 이상 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.Plasma etching apparatus, characterized in that the plasma discharge portion is formed protruding more than 0.5mm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 배출부의 인접 위치에는 식각에 의해 발생되는 파티클(particle)을 흡입하여 외부로 배출시키는 배기부가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.Plasma etching apparatus, characterized in that the exhaust portion is formed in the adjacent position of the plasma discharge portion to suck the particles (particle) generated by the etching to discharge to the outside. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 배기부는 파티클(particle)을 흡입하는 슬릿 모양의 흡입관과, 상기 흡입관으로 유입된 상기 파티클(particle)을 외부로 배출시키는 배관으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.And the exhaust part comprises a slit-shaped suction tube for sucking particles and a pipe for discharging the particles introduced into the suction tube to the outside. 제1 챔버와,A first chamber, 플라즈마를 발생시키기 위해 상기 제 1챔버 내부에 대향되도록 설치되는 제 1, 2전극과,First and second electrodes provided to face the inside of the first chamber to generate a plasma; 상기 제 1챔버 내부에 플라즈마용 가스를 공급하는 가스 공급부와,A gas supply unit supplying a gas for plasma into the first chamber; 상기 제 1챔버의 하부에 설치되어 상기 제 1, 2전극 사이에서 발생된 플라즈마를 기판으로 배출시키는 플라즈마 배출부와,,A plasma discharge unit disposed below the first chamber to discharge plasma generated between the first and second electrodes to a substrate; 상기 제 1챔버를 감싸 외부로부터 밀폐시키는 제 2챔버와,A second chamber surrounding the first chamber and sealing from the outside; 상기 플라즈마 배출부와 인접한 상기 제 2챔버의 하부에 형성되어 식각에 의해 발생되는 파티클(particle)을 흡입하여 외부로 배출시키는 배기부를 포함하여 이루어지며,And an exhaust part formed under the second chamber adjacent to the plasma discharge part to suck particles generated by etching and discharge the particles to the outside, 상기 플라즈마 배출부와 상기 기판 사이의 간격을 T1, 상기 제1 챔버와 상기 기판 사이의 간격 T2 라고 할 때 상기 T1이 상기 T2 보다 작아지도록 상기 플라즈마 배출부는 상기 챔버의 하부에 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.When the distance between the plasma discharge part and the substrate as the interval T 2 of between T 1, the first chamber and the substrate wherein T 1 is to be smaller than the T 2 formed projecting at the lower portion of the chamber, the plasma discharge portion Plasma etching apparatus characterized in that the. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 배기부는 파티클(particle)을 흡입하는 슬릿 모양의 흡입관과, 상기 흡입관으로 유입된 상기 파티클(particle)을 외부로 배출시키는 배관으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.And the exhaust part comprises a slit-shaped suction tube for sucking particles and a pipe for discharging the particles introduced into the suction tube to the outside. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 배관은 상기 제 2챔버의 내부를 통해 외부와 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.The pipe etching apparatus, characterized in that connected to the outside through the interior of the second chamber.
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