KR20110044596A

KR20110044596A - 전원 공급 보호 장치

Info

Publication number: KR20110044596A
Application number: KR1020090101353A
Authority: KR
Inventors: 최자용
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2009-10-23
Filing date: 2009-10-23
Publication date: 2011-04-29
Also published as: KR101683877B1

Abstract

본 발명은 전원 공급 보호 장치에 관한 것이다.

본 발명의 실시 예에 따른 전원 공급 보호 장치는 디밍펄스를 제공받아 정류하여 출력하는 펄스 정류부, 펄스 정류부로부터 출력된 정류된 디밍펄스를 제공받아 동작하는 디밍스위칭부, 디밍스위칭부의 동작에 따라 턴 온 또는 턴 오프하는 제1 스위칭부 및 제1 스위칭부가 턴 온되어 제공하는 기준전압을 공급받아 구동집적회로를 제어하는 제어스위칭부를 포함한다.

Dimming, 보호, OVPT

Description

전원 공급 보호 장치{Protection Apparatus for supplying Power}

본 발명은 전원 공급 보호 장치에 관한 것이다.

종래의 전원 공급 보호 장치는 0% dimming current control시에 IC shut down 방지하기 위해 Vsen에 전압 피드백(voltage feedback) Disable시키는 방식을 채택하였다.

한편, Vsen(voltage feedback)을 사용함으로써, 민감한 feedback 부분을 복잡한 회로로 사용하게 되어 제로 디밍(zero dimming)시에 OLP(Open Lamp Protection) 동작이 disable되는 상태가 되는 문제점이 발생하였다.

실시 예에 따라, 제로 디밍(zero dimming)회로 구현시킬 수 있는 전원 공급 보호 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

실시 예에 따른 전원 공급 보호 장치는 디밍펄스를 제공받아 정류하여 출력하는 펄스 정류부, 펄스 정류부로부터 출력된 정류된 디밍펄스를 제공받아 동작하는 디밍스위칭부, 디밍스위칭부의 동작에 따라 턴 온 또는 턴 오프하는 제1 스위칭부 및 제1 스위칭부가 턴 온되어 제공하는 기준전압을 공급받아 구동집적회로를 제어하는 제어스위칭부를 포함한다.

실시 예에 따른 전원 공급 보호 장치는 제로 디밍(zero dimming)회로 구현시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 실시 예에 따른 전원 공급 보호 장치는 disable된 집적구동회로의 기능을 유지시킬 수 있는 효과가 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세 서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 전원 공급 보호 장치를 설명하기 위한 것이다.

도 1을 살펴보면, 본 발명의 일실시 예에 따른 전원 공급 보호 장치(100)는 펄스 정류부(110), 디밍스위칭부(120,Q1), 제1 스위칭부(130) 및 제어스위칭부(140)를 포함하여 구성된다.

펄스 정류부(110)는 디밍펄스를 제공받아 정류하여 출력하는 것이다. 이러한 펄스 정류부(110)는 제1 저항(R1), 제2 저항(R2), 제1 다이오드(D1) 및 제1 커패시터(C1)를 포함하여 구성된다. 이때 디밍펄스는 하이신호(High)와 로우신호(Low)를 포함한다. 이에 따라, 펄스 정류부(110)는 PDIM단을 통해 하이신호(High)와 로우신호(Low)를 포함하는 디밍펄스를 제공받아 제1 저항(R1), 제2 저항(R2), 제1 다이오드(D1) 및 제1 커패시터(C1)를 통해 디밍펄스를 안정적으로 정류하여 출력하는 것이다.

디밍스위칭부(120,Q1)는 펄스 정류부(110)로부터 출력된 정류된 디밍펄스를 제공받아 동작하는 것이다. 이러한 디밍스위칭부(120,Q1)는 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOS FET)를 포함하는 것이다. 이에 따라, 디밍스위칭부(120,Q1)를 용이하게 구성하면서도 정확한 스위칭 동작을 할 수 있다. 이때, 디밍스위칭부(120,Q1)는 디밍펄스가 하이신호(High)가 공급되면, 턴 온(Turn on)되고, 디밍펄스가 로우신호(Low)가 공급되면 턴 오프(Turn off)되는 것이다.

제1 스위칭부(130)는 디밍스위칭부(120,Q1)의 동작에 따라 턴 온(Turn on) 또는 턴 오프(Turn off)하는 것이다. 이러한 제1 스위칭부(130)는 제3 저항(R3), 제4 저항(R4) 및 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOS FET, Q2)를 포함하는 것이다. 이에 따라, 제1 스위칭부(130)를 용이하게 구성하면서도 정확한 스위칭 동작을 할 수 있다. 이때, 제1 스위칭부(130)는 디밍스위칭부(120,Q1)가 턴 온(Turn on)되는 동안에는 디밍스위칭부(120,Q1)를 통해 기준전압이 공급되어 턴 오프(Turn off) 상태를 유지하다가 디밍스위칭부(120,Q1)가 턴 오프(Turn off)되면 구동 회로부(300)를 통해 기준전압보다 높은 구동전압이 공급되어 턴 온(Turn on)되는 것이다. 여기서 기준전압은 그라운드 전압(GND)인 것이다.

제어스위칭부(140)는 제1 스위칭부(130)가 턴 온(Turn on)되어 제공하는 기준전압을 공급받아 구동집적회로(200, IC)를 제어하는 것이다. 이러한 제어스위칭부(140, Q3)는 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOS FET)를 포함하는 것이다. 이에 따라, 제어스위칭부(140, Q3)를 용이하게 구성하면서도 정확한 스위칭 동작을 할 수 있다. 이때 제어스위칭부(140, Q3)는 턴 온(Turn on)된 상태를 유지하다가 제1 스위칭부(130)가 턴 온(Turn on)되어 기준전압을 공급하면 턴 온(Turn on)프되는 것이다. 이와 같이, 제어스위칭부(140, Q3)가 턴 오프(Turn off)되는 동안에는 구동집적회로(200, IC)의 OVPT단에 3V 전압원에서 제공하는 3V를 공급하고, 제어스위칭부(140)가 턴 온(Turn on)되면 구동집적회로(200, IC)의 OVPT단에 기준전압을 제공하는 것이다.

구동집적회로(200, IC)는 VSEN단 및 OVPT단 등 복수 개의 단자를 포함하고, 이러한 복수 개의 단자들은 구동 회로부(300) 및 본 발명의 전원 공급 보호 장치(100)와 전기적으로 연결되어 유기적으로 구동하는 것이다.

구동 회로부(300)는 IS단, IM단 등 또는 전원공급단을 통해 전원을 제공받아 다양한 구동전압 등을 출력할 수 있다. 이에 따라, 구동 회로부(300)는 다양한 구동전압을 구동 회로부(300)와 전기적으로 연결된 본 발명의 전원 공급 보호 장치(100) 및 구동집적회로(200, IC)에 공급할 수 있다. 구동 회로부(300)는 종래의 구동 회로부와 실질적으로 동일함으로 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.

지금까지 설명한 본 발명의 일실시 예에 따른 전원 공급 보호 장치(100)의 동작은 다음과 같다.

PDIM단을 통해 디밍펄스가 공급되는 것이다. 이때 디밍펄스는 하이신호(High) 또는 로우신호(Low)가 공급될 수 있다. 이러한 디밍펄스는 펄스 정류부(110)를 통해 안정적인 정류되어 디밍스위칭부(120,Q1)에 공급되는 것이다.

먼저, 정류된 디밍펄스 중 하이신호(High)가 디밍스위칭부(120,Q1)에 공급되면 디밍스위칭부(120,Q1)는 턴 온(Turn on)되고, 디밍스위칭부(120,Q1)가 턴 온(Turn on)되는 동안에는 디밍스위칭부(120,Q1)를 통해 제1 스위칭부(130)에 기준전압이 공급되는 것이다. 이에 따라 제1 스위칭부(130)는 턴 오프(Turn off)된 상태를 유지할 수 있다. 이와 같이, 제1 스위칭부(130)가 턴 오프(Turn off)되는 동안에는 구동 회로부(300)를 통해 구동전압이 제어스위칭부(140)에 공급되어 제어스위칭부(140)는 턴 온(Turn on)된 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 구동집적회 로(200, IC)에 기준전압이 안정적으로 공급되는 것이다.

또한, 정류된 디밍펄스 중 로우신호(Low)가 디밍스위칭부(120,Q1)에 공급되면 디밍스위칭부(120,Q1)는 턴 오프(Turn off)되고, 디밍스위칭부(120,Q1)가 턴 오프(Turn off)되는 동안에는 구동 회로부(300)를 통해 제1 스위칭부(130)에 구동전압이 공급되는 것이다. 이에 따라 제1 스위칭부(130)는 턴 온(Turn on)되는 것이다. 이와 같이, 제1 스위칭부(130)가 턴 온(Turn on)되면, 제1 스위칭부(130)를 통해 제어스위칭부(140)에 기준전압이 공급되는 것이다. 이에 따라, 제어스위칭부(140)는 턴 오프(Turn off)되는 것이다. 따라서, 구동집적회로(200, IC)에 3V가 안정적으로 공급되는 것이다.

이와 같이, 본 발명의 일실시 예에 따라 전원 공급 보호 장치(100)가 동작함으로써, 기존에 0% 디밍(dimming)시 문제가 되었던 OLP(Open Lamp Protection) Protection disable을 피할 수 있다. 또한, 구동집적회로(200, IC)의 Vsen 단을 Disable 시키는 방식에 비해 실제 Vsen 단이 담당하던 전압센싱(Votage sensing)을 0% dimming 시에 유지하는 것이다. 게다가 제로 디밍(zero dimming)이 없는 다른 구동집적회로(200, IC)에서도 구동집적회로(200, IC)의 보호 단(IC protection Pin)만 이용 하면 공통적인 제로 디밍(zero dimming)회로 구현 가능한 것이다.

이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시 예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.

오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.

따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>

100: 전원 공급 보호 장치 110: 펄스 정류부

120: 디밍스위칭부 130: 제1 스위칭부

140: 제어스위칭부

Claims

디밍펄스를 제공받아 정류하여 출력하는 펄스 정류부;

상기 펄스 정류부로부터 출력된 정류된 상기 디밍펄스를 제공받아 동작하는 디밍스위칭부;

상기 디밍스위칭부의 동작에 따라 턴 온 또는 턴 오프하는 제1 스위칭부; 및

상기 제1 스위칭부가 턴 온되어 제공하는 기준전압을 공급받아 구동집적회로를 제어하는 제어스위칭부;

를 포함하는 전원 공급 보호 장치.
제1 항에 있어서,

상기 디밍펄스는 하이신호와 로우신호를 포함하고,

상기 디밍펄스가 상기 하이신호이면 상기 디밍스위칭부는 턴 온되고, 상기 디밍신호가 상기 로우신호이면 상기 디밍스위칭부는 턴 오프되는 전원 공급 보호 장치.
제2 항에 있어서,

상기 디밍스위칭부가 턴 오프되면, 상기 제1 스위칭부에 상기 기준전압보다 높은 구동전압이 공급되어 상기 제1 스위칭부가 턴 온되는 전원 공급 보호 장치.
제3 항에 있어서,

상기 제1 스위칭부가 턴 온되면, 상기 제어스위칭부에 상기 기준전압이 공급되어 상기 제어스위칭부가 턴 오프되는 전원 공급 보호 장치.
제4 항에 있어서,

상기 제어스위칭부가 턴 온되면, 상기 구동집적회로의 OVPT단에 상기 기준 전압을 제공하는 전원 공급 보호 장치.
제1 항에 있어서,

상기 디밍스위칭부, 상기 제1 스위칭부 및 상기 제어스위칭부는 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOS FET)를 포함하는 전원 공급 보호 장치.