KR20110044532A - Flexible circuit board and method for fabricating the board and semiconductor package comprising the board and method for fabricating the package - Google Patents

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KR20110044532A
KR20110044532A KR1020090101258A KR20090101258A KR20110044532A KR 20110044532 A KR20110044532 A KR 20110044532A KR 1020090101258 A KR1020090101258 A KR 1020090101258A KR 20090101258 A KR20090101258 A KR 20090101258A KR 20110044532 A KR20110044532 A KR 20110044532A
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Abstract

PURPOSE: A flexible printed circuit board, manufacturing method thereof and semiconductor package including the same, and manufacturing method thereof are provided to prevent deformity due to the damage of the plating layer by forming the forward plating layer on the test pad domain. CONSTITUTION: A flexible printed circuit board includes a base film(10), a conductive pattern(20), a plating alloy layer, and a protective layer. The base film includes an insulating material having the base film. The conductive pattern includes a wiring area(30) and a test pad area(40). The plating alloy layer is formed on the conductive pattern. The plating alloy layer of the flexible printed circuit board includes tin and copper. The plating alloy layer performs a buffer function between conductive patterns.

Description

연성 회로 기판, 그 제조 방법 및 그를 포함한 반도체 패키지 및 그 제조 방법{Flexible circuit board and method for fabricating the board and semiconductor package comprising the board and method for fabricating the package}Flexible circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor package including the same, and method for manufacturing the same

본 발명은 연성 회로 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible circuit board.

최근 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등과 같은 평판 표시 장치(Flat Panel Display; FPD)가 각광받고 있다.Recently, a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and the like have been in the spotlight.

이러한 평판 표시 장치는 화상을 표시하는 화면 표시부와 화면 표시부에 전기적 신호를 전달하는 구동용 인쇄회로기판이 요구된다.Such a flat panel display requires a screen display unit for displaying an image and a driving printed circuit board for transmitting an electrical signal to the screen display unit.

한편, 구동용 인쇄회로기판과 화면 표시부는 연성 회로 기판에 의해 연결될 수 있다. 이러한 연성 회로 기판은 도전 패턴과, 상기 도전 패턴 상에 실장된 구동집적회로(driver IC)을 포함할 수 있다.On the other hand, the driving printed circuit board and the screen display unit may be connected by a flexible circuit board. The flexible circuit board may include a conductive pattern and a driver IC mounted on the conductive pattern.

일반적으로 도전 패턴 상에는 회로 배선의 부식을 방지하고, 반도체 칩(구동집적회로) 실장 시 범프와 회로 배선의 접합력을 향상시키기 위해 주석 도금이 수행된다.In general, tin plating is performed on the conductive pattern to prevent corrosion of the circuit wiring and to improve bonding between the bump and the circuit wiring when the semiconductor chip (driving integrated circuit) is mounted.

한편, 상기 주석 도금의 경우 표면측에는 순수 주석 도금 층이 형성되는데 이 순수 주석 도금층은 회로배선보다 강도가 약하여 제조 과정이나 테스트 과정에서 물리적인 영향이 주어지면 파손이 일어날 수 있으며, 특히, 도전 패턴의 테스트 패드 영역은 반도체 칩이 실장된 후 기판을 테스트하는데 이용되는데, 이 테스트 패드 영역 상에 순수 주석 도금 층이 형성될 경우 더욱 쉽게 파손될 수 있다. 그리고, 이러한 파손에 의해 파티클이 발생할 경우 이는 제품 전체의 불량을 야기할 수 있어 제품 신뢰성이 저하될 수 있다.On the other hand, in the case of tin plating, a pure tin plating layer is formed on the surface side, and the pure tin plating layer has a weaker strength than the circuit wiring, so that a breakage may occur when a physical influence is given during the manufacturing process or the test process, and in particular, the conductive pattern The test pad region is used to test the substrate after the semiconductor chip is mounted, which may be more easily broken if a pure tin plating layer is formed on the test pad region. In addition, when particles are generated by such breakage, this may cause a failure of the entire product, thereby lowering product reliability.

또한, 이를 방지하고자 도금 층을 형성하지 않을 경우 도전 패턴의 테스트 패드 영역이 부식되거나 산화되어 역시 제품 신뢰성을 저하시킬 수 있다.In addition, if the plating layer is not formed to prevent this, the test pad region of the conductive pattern may be corroded or oxidized, which may also degrade product reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제품 신뢰성이 향상된 연성 회로 기판을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a flexible circuit board with improved product reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 제품 신뢰성이 향상된 연성 회로 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a flexible circuit board with improved product reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 제품 신뢰성이 향상된 반도체 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor package with improved product reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 제품 신뢰성이 향상된 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor package with improved product reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 일 태양(aspect)은, 베이스 필름의 일면 또는 양면에 도전 패턴이 형성되고, 도전 패턴 상에 도금층이 형성되어 있는 연성 회로 기판에 있어서, 도전 패턴은 테스트 패드 영역을 포함하고, 도금층은 도전 패턴 성분과 도금 성분이 혼합된 도금합금층 및 도금 성분으로만 형성된 순도금층을 포함하되, 테스트 패드 영역 상에는 순도금층이 미형성된다.In one aspect of the flexible circuit board of the present invention for achieving the above object, a conductive pattern is formed on one surface or both surfaces of a base film, and the conductive pattern is a flexible circuit board on which a plating layer is formed on the conductive pattern. A silver test pad region is included, and the plating layer includes a plating alloy layer in which the conductive pattern component and the plating component are mixed, and a plating layer formed only of the plating component, but the plating layer is not formed on the test pad region.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 제조 방법의 일 태양은, 베이스 필름의 일면 또는 양면에 테스트 패드 영역, 아우터리드 영역, 리드 영역 및 이너리드 영역을 포함하는 도전 패턴을 형성하고, 도전 패턴 상에 도금합금층 및 순도금층을 포함하는 도금층을 형성하고, 도전 패턴의 일부 영역에 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭 레지스트가 미형성된 나머지 영역의 순도금층을 식각하고, 에칭 레지스트를 제거하는 것을 포함한다.One aspect of the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention for achieving the above another object is to form a conductive pattern including a test pad region, an outer region, a lead region and an inner lead region on one or both surfaces of the base film; Forming a plating layer including a plating alloy layer and a pure plating layer on the conductive pattern, forming an etching resist in a portion of the conductive pattern, etching the pure plating layer in the remaining region where the etching resist is not formed, and removing the etching resist. It includes.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 제조 방법의 다른 태양은, 베이스 필름의 일면 또는 양면에 테스트 패드 영역, 아우터리드 영역, 리드 영역 및 이너리드 영역을 포함하는 도전 패턴을 형성하고, 도전 패턴 상 에 도금합금층을 형성하고, 도전 패턴의 일부 영역에 도금 레지스트를 형성하고, 도금 레지스트가 미형성된 나머지 영역의 도금합금층 상에 순도금층을 형성하고, 도금 레지스트를 제거하는 것을 포함한다.Another aspect of the method of manufacturing a flexible circuit board of the present invention for achieving the above another object is to form a conductive pattern including a test pad region, an outer region, a lead region and an inner lead region on one or both sides of the base film; Forming a plating alloy layer on the conductive pattern, forming a plating resist in a portion of the conductive pattern, forming a plating layer on the plating alloy layer in the remaining region where the plating resist is not formed, and removing the plating resist. do.

상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 일 태양은, 상기 연성 회로기판, 및 연성 회로 기판 상에 실장된 반도체 칩을 포함한다.One aspect of a semiconductor package of the present invention for achieving the above another object includes the flexible circuit board, and a semiconductor chip mounted on the flexible circuit board.

상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 일 태양은, 상기 제조 방법에 따른 연성 회로 기판을 준비하고, 연성 회로 기판의 이너리드 영역에 반도체 칩을 실장하는 것을 포함한다.One aspect of the manufacturing method of the semiconductor package of this invention for achieving the said another subject includes preparing the flexible circuit board which concerns on the said manufacturing method, and mounting a semiconductor chip in the inner lead area of a flexible circuit board.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. References to elements or layers "on" other elements or layers include all instances where another layer or other element is directly over or in the middle of another element. On the other hand, when a device is referred to as "directly on", it means that it does not intervene with another device or layer in between.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms "comprises" and / or "made of" means that a component, step, operation, and / or element may be embodied in one or more other components, steps, operations, and / And does not exclude the presence or addition thereof.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, of course, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present invention.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

본 명세서에서 "A 또는 B"로 표현되는 것은 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"인 경우를 모두 포함한다.What is represented herein as "A or B" includes both cases of "A" or "B" or "A and B".

이하 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판에 대해 설명한다.Hereinafter, a flexible circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 평면도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선을 따라 절단한 단면도이다. 도 1 및 도 2에는 COF(Chip On Film)용 연성 회로 기판이 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시에 불과하며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.1 is a plan view of a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 1. 1 and 2 illustrate a flexible circuit board for a chip on film (COF), but this is only one example and the present invention is not limited thereto.

도 1 및 도 2를 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판은 베이스 필름(10), 도전 패턴(20), 도금합금층(50), 순도금층(60) 및 보호층(70)을 포함한다.1 and 2, a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention may include a base film 10, a conductive pattern 20, a plating alloy layer 50, a pure plating layer 60, and a protective layer 70. It includes.

베이스 필름(10)은 예를 들어, 20 내지 100㎛의 두께를 가지는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 베이스 필름(10)은 예를 들어 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: Polyethylene Terephthalate)와 같은 고분자 수지로 이루어질 수 있다.The base film 10 may be made of, for example, an insulating material having a thickness of 20 to 100 μm. The base film 10 may be made of, for example, a polymer resin such as polyimide, polyester, or polyethylene terephthalate (PET).

도전 패턴(20)은 전도성이 큰 물질, 예를 들어 금, 은, 알루미늄, 구리와 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 도전 패턴(20)은 5 내지 15㎛의 두께를 가지는 구리(Cu)로 이루어진 금속층일 수 있다.The conductive pattern 20 may be made of a highly conductive material, for example, a metal such as gold, silver, aluminum, or copper. In particular, the conductive pattern 20 of the flexible circuit board according to an embodiment of the present invention may be a metal layer made of copper (Cu) having a thickness of 5 to 15㎛.

도 2에는 베이스 필름(10)의 일면에 형성된 도전 패턴(20)이 도시되어 있으나, 도전 패턴(20)은 베이스 필름(10)의 타면에도 형성될 수 있다. 즉, 도전 패턴(20)은 베이스 필름(10)의 양면에 형성될 수 있다.2 illustrates the conductive pattern 20 formed on one surface of the base film 10, the conductive pattern 20 may also be formed on the other surface of the base film 10. That is, the conductive pattern 20 may be formed on both sides of the base film 10.

도전 패턴(20)은 배선 영역(30)과 테스트 패드 영역(40)을 포함할 수 있다. 구체적으로 도전 패턴(20)은 이너리드 영역(32), 아우터리드 영역(34), 리드 영 역(36)을 포함하는 배선 영역(30)과 테스트 패드 영역(40)을 포함할 수 있다.The conductive pattern 20 may include a wiring region 30 and a test pad region 40. In more detail, the conductive pattern 20 may include an inner lead region 32, an outer region 34, a wiring region 30 including a lead region 36, and a test pad region 40.

배선 영역(30)은 향후 이너리드 영역(32)에 실장될 반도체 칩(도 9의 100)과 아우터리드 영역(34)에 실장될 구동용 인쇄회로기판(미도시) 및 화면 표시부(미도시)를 연결하는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 인쇄회로기판(미도시)으로부터 입력되는 신호, 예를 들어 구동/제어 신호를 반도체 칩(도 9의 100)에서 처리하고, 상기 처리된 신호를 화면 표시부(미도시)로 전달하여, 화면 표시부(미도시)가 화상을 표시할 수 있도록 할 수 있다.The wiring area 30 includes a semiconductor chip (100 in FIG. 9) to be mounted in the inner lead area 32 and a driving printed circuit board (not shown) and a screen display part (not shown) to be mounted in the outer area 34. It can serve to connect. Specifically, a signal input from a printed circuit board (not shown), for example, a driving / control signal is processed by the semiconductor chip 100 (see FIG. 9), and the processed signal is transferred to a screen display unit (not shown). The screen display unit (not shown) may display an image.

테스트 패드 영역(40)은 도전 패턴(20)의 양 단에 위치하여, 연성 회로 기판 제조 후 연성 회로 기판의 양품 여부를 테스트 하는데 사용되거나, 이너리드 영역(32)에 반도체 칩(도 9의 100) 실장 후 반도체 패키지의 양품 테스트에 사용되는 영역일 수 있다.The test pad region 40 is positioned at both ends of the conductive pattern 20 to be used to test whether the flexible circuit board is good after manufacturing the flexible circuit board, or the semiconductor chip (100 in FIG. 9) in the inner lead region 32. After mounting, the semiconductor package may be used to test a semiconductor package for good quality.

도금합금층(50)은 도전 패턴(20) 상에 형성되며, 도전 패턴(20)을 이루는 금속 성분과 다른 금속 성분을 포함하는 합금이 도금 공정에 의해 형성된 층일 수 있다. 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 도금합금층(50)은 도전 패턴(20)의 재료로 사용되는 구리(Cu) 층에 주석(Sn) 도금을 수행하면서 형성되는 구리와 주석의 도금합금층(50)일 수 있다. 또한 이러한 도금합금층(50)의 두께(t1)는 0.05 내지 0.4㎛일 수 있다.The plating alloy layer 50 is formed on the conductive pattern 20, and may be a layer in which an alloy including a metal component and another metal component constituting the conductive pattern 20 is formed by a plating process. Specifically, the plating alloy layer 50 of the flexible circuit board according to an embodiment of the present invention is copper and tin formed while performing tin (Sn) plating on a copper (Cu) layer used as a material of the conductive pattern 20. The plating alloy layer 50 may be. In addition, the thickness t1 of the plating alloy layer 50 may be 0.05 to 0.4 μm.

이러한 도금합금층(50)은 순도금층(60)에 비해 상대적으로 강도가 강하기 때문에, 도전 패턴(20)과 순도금층(60) 사이에서 완충 기능을 수행할 수 있다. 즉, 도금합금 패턴은 기능적으로 버퍼(buffer) 기능을 수행하는 패턴일 수 있다.Since the plating alloy layer 50 is relatively stronger than the plating layer 60, the plating alloy layer 50 may perform a buffer function between the conductive pattern 20 and the plating layer 60. That is, the plating alloy pattern may be a pattern that functionally performs a buffer function.

순도금층(60)은 도금합금층(50) 상에 형성되며, 도금 성분으로만 형성된 층일 수 있다. 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 순도금층(60)은 주석 도금층일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 니켈, 금 등의 다른 순도금층일 수 있다. 이러한 순도금층(60)(예를 들어 주석 도금층)은 도전 패턴(20)의 산화 및 부식을 방지하고, 이너리드 영역(32)에 실장될 반도체 칩(도 9의 100)의 범프와 도전 패턴(20)의 접합력을 향상시키기 위해 형성될 수 있다. 이 때, 순도금층(60)의 두께(t2)는 0.05 내지 0.3㎛일 수 있다.The pure plating layer 60 is formed on the plating alloy layer 50 and may be a layer formed only of a plating component. Specifically, the pure plating layer 60 of the flexible circuit board according to an embodiment of the present invention may be a tin plating layer, but the present invention is not limited thereto and may be other pure plating layers such as nickel and gold. Such a pure plating layer 60 (for example, a tin plating layer) prevents oxidation and corrosion of the conductive pattern 20, and bumps and conductive patterns of the semiconductor chip (100 in FIG. 9) to be mounted in the inner lead region 32. 20) to improve the bonding force. In this case, the thickness t2 of the plating layer 60 may be 0.05 to 0.3 μm.

특히 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 순도금층(60)은 도 2에 도시된 바와 같이 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40) 및 아우터리드 영역(34)상에 형성된 도금합금층(50)을 노출시키도록 형성될 수 있다. 따라서, 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40) 및 아우터리드 영역(34)상에는 도금합금층(50)만 형성되게 되어 순도금층(60)이 더 형성될 때에 비해 도금층 파손에 의한 결함을 예방할 수 있다. 또한, 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40) 및 아우터리드 영역(34)상에 아무런 도금층이 형성되지 않을 때에 비해서도 도전 패턴(20)의 산화 및 부식 등을 방지할 수 있어 신뢰성 향상이 가능하다.In particular, the plating layer 60 of the flexible circuit board according to an embodiment of the present invention is a plating alloy formed on the test pad region 40 and the outer region 34 of the conductive pattern 20 as shown in FIG. It can be formed to expose layer 50. Therefore, only the plating alloy layer 50 is formed on the test pad region 40 and the outer region 34 of the conductive pattern 20 to prevent defects due to plating layer damage compared to when the plating layer 60 is further formed. Can be. In addition, even when no plating layer is formed on the test pad region 40 and the outer region 34 of the conductive pattern 20, oxidation and corrosion of the conductive pattern 20 can be prevented and reliability can be improved. Do.

보호층(70)은 도전 패턴(20)의 배선 영역(30) 중 리드 영역(36) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로 보호층(70)은 도전 패턴(20)의 배선 영역(30) 중 리드 영역(36) 상에 형성된 순도금층(60) 상에 형성될 수 있다. 이러한 보호층(70)은 외부 충격이나 부식 물질로부터 도전 패턴(20)을 보호하고, 도전 패턴(20)의 절연 상태를 확보하는 역할을 할 수 있다. 보호층(70)으로는 솔더 레지스트(solder resist) 를 예로 들 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The protective layer 70 may be formed on the lead region 36 of the wiring region 30 of the conductive pattern 20. In detail, the protective layer 70 may be formed on the plating layer 60 formed on the lead region 36 of the wiring region 30 of the conductive pattern 20. The protective layer 70 may serve to protect the conductive pattern 20 from an external impact or a corrosive material and to secure an insulating state of the conductive pattern 20. As the protective layer 70, a solder resist may be exemplified, but the present invention is not limited thereto.

다음 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판에 대해 설명한다.Next, a flexible circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a flexible circuit board according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판은 베이스 필름(10), 도전 패턴(20), 도금합금층(50), 순도금층(60) 및 보호층(70)을 포함한다.Referring to FIG. 3, a flexible circuit board according to another embodiment of the present invention includes a base film 10, a conductive pattern 20, a plating alloy layer 50, a pure plating layer 60, and a protective layer 70. do.

본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 순도금층(60)은 도 3에 도시된 바와 같이 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40)상에 형성된 도금합금층(50)을 노출시키도록 형성될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판과 달리, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 도전 패턴(20)의 아우터리드 영역(34)상에는 순도금층(60)이 형성되어 있다.The plating layer 60 of the flexible circuit board 60 according to another embodiment of the present invention exposes the plating alloy layer 50 formed on the test pad region 40 of the conductive pattern 20 as shown in FIG. 3. Can be formed. That is, unlike the flexible circuit board according to the exemplary embodiment of the present invention, the pure plating layer 60 is formed on the outer region 34 of the conductive pattern 20 of the flexible circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention. .

이처럼, 본 발명의 다른 실시예에 따를 경우, 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40)상에는 도금합금층(50)만 형성되게 된다. 따라서 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40)상에 순도금층(60)이 더 형성될 때에 비해 제품 테스트 과정 등에서 발생할 수 있는 도금층 파손에 의한 결함을 예방할 수 있다. 또한, 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40)상에 아무런 도금층이 형성되지 않을 때에 비해서도 도전 패턴(20)의 산화 및 부식 등을 방지할 수 있어 신뢰성 향상이 가능하다.As such, according to another embodiment of the present invention, only the plating alloy layer 50 is formed on the test pad region 40 of the conductive pattern 20. Accordingly, defects due to plating layer damage, which may occur during a product test process, may be prevented as compared with when the pure plating layer 60 is further formed on the test pad region 40 of the conductive pattern 20. In addition, even when no plating layer is formed on the test pad region 40 of the conductive pattern 20, oxidation and corrosion of the conductive pattern 20 can be prevented, thereby improving reliability.

순도금층(60)에 관한 다른 설명 및 기타 다른 구성요소에 대한 설명은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판과 동일한바 중복된 설명은 생 략한다.Other descriptions of the plating layer 60 and the descriptions of other components are the same as those of the flexible circuit board according to the exemplary embodiment of the present invention, which will be omitted.

다음 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.Next, a method of manufacturing a flexible circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 7.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention. 5 to 7 are intermediate steps for explaining a method of manufacturing a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 4 및 도 5를 참조하면, 베이스 필름의 일면에 도전 패턴을 형성하고(S100), 도전 패턴 상에 도금합금층 및 순도금층을 형성한다(S110).First, referring to FIGS. 4 and 5, a conductive pattern is formed on one surface of the base film (S100), and a plating alloy layer and a pure plating layer are formed on the conductive pattern (S110).

도 5에는 베이스 필름(10) 일면에 도전 패턴(20)이 형성된 것이 도시되어 있으나, 도전 패턴(20)은 베이스 필름(10)의 타면에도 형성할 수 있다. 즉, 본 발명은 베이스 필름(10) 양면에 도전 패턴(20)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.Although FIG. 5 illustrates that the conductive pattern 20 is formed on one surface of the base film 10, the conductive pattern 20 may be formed on the other surface of the base film 10. That is, the present invention may include forming the conductive pattern 20 on both sides of the base film 10.

도금합금층(50) 및 순도금층(60)은 도전 패턴(20)에 순금속을 도금함으로써 형성될 수 있다. 구체적으로 예를 들어 도금합금층(50) 및 순도금층(60)은 구리로 구성된 도전 패턴(20)에 주석 무전해 도금을 수행함으로써 형성된 구리와 주석으로 구성된 도금합금층(50) 및 주석으로 구성된 순도금층(60)일 수 있다. 더욱 구체적으로 예를 들어 도금합금층(50) 및 순도금층(60)은 주석 도금액에 구리 도전 패턴(20)을 침적시켜 무전해 도금을 수행하고 열처리를 통해 도금 두께 방향으로 합금비율을 확산시켜서 형성된 구리와 주석으로 구성된 도금합금층(50) 및 주석으로 구성된 순도금층(60)일 수 있다.The plating alloy layer 50 and the plating layer 60 may be formed by plating a pure metal on the conductive pattern 20. Specifically, for example, the plating alloy layer 50 and the pure plating layer 60 are composed of a plating alloy layer 50 composed of copper and tin and tin formed by performing electroless plating tin on the conductive pattern 20 composed of copper. The plating layer 60 may be. More specifically, for example, the plating alloy layer 50 and the pure plating layer 60 are formed by depositing a copper conductive pattern 20 in a tin plating solution to perform electroless plating and spreading the alloy ratio in the plating thickness direction through heat treatment. It may be a plating alloy layer 50 composed of copper and tin and a plating layer 60 composed of tin.

다음 도 4, 도 6 및 도 7을 참조하면, 순도금층 상에 레지스트를 형성하고, 이를 이용하여 순도금층을 식각한다(S120).4, 6, and 7, a resist is formed on the plating layer, and the plating layer is etched using the resist (S120).

레지스트(80)는 형성된 순도금층(60)의 식각에 이용되는 것일 수 있다. 구체적으로 레지스트(80)는 형성된 순도금층(60)을 식각하여 순도금층 패턴을 형성하는데 이용되는 것으로 예를 들어, 부틸, 에폭시, 우레탄, 비닐, 에스테르 및 페놀 등의 합성수지를 선택적으로 합성한 잉크(ink) 또는 페이스트(paste)일 수 있다. 이러한 레지스트(80)는 스크린(screen) 인쇄 후 경화시키는 방법으로 형성될 수 있다.The resist 80 may be used for etching the formed plating layer 60. Specifically, the resist 80 is used to form the plating layer pattern by etching the formed plating layer 60. For example, an ink that selectively synthesizes synthetic resins such as butyl, epoxy, urethane, vinyl, ester, and phenol ( ink or paste. Such a resist 80 may be formed by a method of curing after screen printing.

순도금층(60)을 식각하여 순도금층 패턴을 형성하는 것은 예를 들어, 순도금층(60)을 염산계 또는 황산계를 포함하는 산성액을 이용하여 소프트 애칭(soft etching)함으로써 순도금층 패턴을 형성하는 것일 수 있다. 이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법에 의할 경우, 도 7에 도시된 바와 같이 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40) 및 아우터리드 영역(34)상에 형성된 도금합금층(50)이 노출되도록 순도금층(60)을 소프트 에칭하는 것일 수 있다.Etching the pure plating layer 60 to form a pure plating layer pattern, for example, by forming a pure plating layer pattern by soft etching the acid plating solution containing hydrochloric acid or sulfuric acid. It may be. In this case, according to the manufacturing method of the flexible circuit board according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, on the test pad region 40 and the outer region 34 of the conductive pattern 20. It may be to soft-etch the plating layer 60 so that the plating alloy layer 50 is formed.

식각 공정이 수행된 후, 레지스트(80)를 제거(예를 들어, 약 40℃ 내지 70℃ 온도의 온수로 레지스트를 제거)하고 보호층(70)을 형성하면, 도 2에 도시된 것과 같은 연성 회로 기판을 제조할 수 있다.After the etching process is performed, the resist 80 is removed (for example, the resist is removed with hot water at a temperature of about 40 ° C. to 70 ° C.) and the protective layer 70 is formed. A circuit board can be manufactured.

본 실시예에서 레지스트(80)는 에칭 레지스트로 사용된 것이 예시되어 있으나, 레지스트(80)는 도금 레지스트일 수 있다. 즉, 레지스트(80)가 도금 레지스트일 경우 도전 패턴(20) 상에 도금합금층(50)을 형성하고, 도전 패턴(20)의 아우터리드 영역(34) 및 테스트 패드 영역(40) 상에 레지스트(80)를 형성하고, 레지스 트(80)가 미형성된 도전 패턴(20)의 이너리드 영역(32) 및 리드 영역(36)상에 순도금층(60)을 형성한 후, 레지스트(80)를 제거하는 것일 수 있다.In this embodiment, the resist 80 is used as an etching resist, but the resist 80 may be a plating resist. That is, when the resist 80 is a plating resist, the plating alloy layer 50 is formed on the conductive pattern 20, and the resist is formed on the outer region 34 and the test pad region 40 of the conductive pattern 20. After the 80 is formed, the resist 80 is formed on the inner lead region 32 and the lead region 36 of the conductive pattern 20 in which the resist 80 is not formed. It may be to remove.

다음 도 4 및 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.Next, a method of manufacturing a flexible circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 8.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면이다.8 is an intermediate step diagram for describing a method of manufacturing a flexible circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법의 경우 베이스 필름의 일면에 도전 패턴을 형성하고(S100), 도전 패턴 상에 도금합금층 및 순도금층을 형성하는 것(S110)은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법과 동일하다.In the manufacturing method of the flexible circuit board according to another embodiment of the present invention to form a conductive pattern on one surface of the base film (S100), to form a plating alloy layer and a pure plating layer on the conductive pattern (S110) The same method as the manufacturing method of the flexible circuit board according to the embodiment.

다음 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법은 순도금층상에 먼저 보호층을 형성하고, 도전 패턴의 이너리드 영역 상에 레지스트를 형성한다. 그리고, 형성된 보호층 및 레지스트를 이용하여 순도금층을 식각한다(S120).Next, referring to FIG. 8, in the method of manufacturing a flexible circuit board according to another embodiment of the present invention, a protective layer is first formed on a plating layer, and a resist is formed on an inner lead region of a conductive pattern. Then, the pure plating layer is etched using the formed protective layer and the resist (S120).

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법의 경우, 순도금층(60)상에 레지스트(80)를 먼저 형성하고 이를 이용하여 순도금층(60)을 식각한 뒤 보호층(70)을 형성하나, 본 발명의 다른 실시예에 따른 제조 방법의 경우 보호층(70)을 먼저 형성하고 뒤 이어 레지스트(80)를 형성한 후, 이 둘을 이용하여 순도금층(60)을 식각하는데 차이가 있다.That is, in the case of the manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the resist 80 is first formed on the plating layer 60, and the protection layer 70 is formed after etching the plating layer 60 using the same. In the manufacturing method according to another embodiment of the present invention, the protective layer 70 is first formed and then the resist 80 is formed, and thereafter, the pure plating layer 60 is etched using the two.

기타 다른 부분에 대한 설명은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판 의 제조 방법과 동일한 바 중복된 설명은 생략한다.Description of the other parts is the same as the method of manufacturing a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention and the duplicated description is omitted.

한편, 본 발명의 또 다른 실시예로서, 도전 패턴을 형성한 후 도전 패턴상에 먼저 보호층을 형성하고 도금을 실시하여 이너리드, 아우터리드 및 테스트패드의 도전 패턴상에 도금합금층 및 순도금층을 형성한 후 순도금층 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 보호층 아래에 형성되는 도금층을 생략할 수 있다.Meanwhile, as another embodiment of the present invention, after forming a conductive pattern, a protective layer is first formed on the conductive pattern and then plated to form a plating alloy layer and a pure plating layer on the conductive patterns of the inner lead, the outer lead, and the test pad. After forming a pure plating layer pattern may be formed. That is, in another embodiment of the present invention, the plating layer formed under the protective layer may be omitted.

앞에서는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판을 제조하기위한 방법들을 설명하였으나, 도 3에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조방법들 역시 앞서 설명한 방법으로 당업자가 충분히 유추가능한바 그에 대한 자세한 설명을 생략한다.Although the method for manufacturing the flexible circuit board according to the exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIG. 2 has been described above, the method of manufacturing the flexible circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIG. 3 is also described above. The method will be fully inferred by those skilled in the art, and a detailed description thereof will be omitted.

다음 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지에 대해 설명한다.Next, a semiconductor package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면 반도체 패키지는 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판 및 반도체 칩(100)을 포함한다.Referring to FIG. 9, a semiconductor package includes a flexible circuit board and a semiconductor chip 100 according to an embodiment of the present invention.

반도체 칩(100)은 순도금층(60)이 형성된 도전 패턴(20)의 이너리드 영역(32) 상에 실장될 수 있다. 도 9에서는 반도체 칩(100)을 플립칩(flip chip)방식으로 실장한 것을 도시하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않는다.The semiconductor chip 100 may be mounted on the inner lead region 32 of the conductive pattern 20 on which the plating layer 60 is formed. In FIG. 9, the semiconductor chip 100 is mounted in a flip chip method, but the scope of the present invention is not limited thereto.

도 9에 도시된 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40)은 반도체 칩(100)을 실장한 후, 반도체 칩(100)을 포함한 제품 테스트 수행이 완료되면 절단되어 제거 될 수 있다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이 도전 패턴(20)의 아우터리드 영역(34) 상에는 구동용 인쇄회로기판(미도시) 및 화면 표시부(미도시)가 실장될 수 있다.The test pad region 40 of the conductive pattern 20 illustrated in FIG. 9 may be cut and removed when the semiconductor chip 100 is mounted and a product test including the semiconductor chip 100 is completed. As described above, a driving printed circuit board (not shown) and a screen display unit (not shown) may be mounted on the outer region 34 of the conductive pattern 20.

이와 같이 도전 패턴(20)의 테스트 패드 영역(40)상에 순도금층(60)이 형성되지 않을 경우 반도체 칩(100)을 포함한 제품 테스트 과정 등에서 발생할 수 있는 도금층 파손에 의한 결함을 예방할 수 있다.As such, when the plating layer 60 is not formed on the test pad region 40 of the conductive pattern 20, defects due to plating layer damage that may occur during a product test process including the semiconductor chip 100 may be prevented.

도 9에는 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판 상에 반도체 칩(100)이 실장된 것이 도시되어 있으나, 반도체 칩(100)은 도 3에 도시된 것과 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판 상에 실장될 수도 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시예에 다른 반도체 패키지의 경우 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판 및 반도체 칩(100)을 포함할 수 있다.FIG. 9 illustrates that a semiconductor chip 100 is mounted on a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention, but the semiconductor chip 100 may be formed according to another embodiment of the present invention as shown in FIG. 3. It may be mounted on a flexible circuit board. That is, another semiconductor package according to another embodiment of the present invention may include a flexible circuit board and a semiconductor chip 100 according to another embodiment of the present invention.

다음 도 7 및 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법에 대해 설명한다.Next, a method of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 9.

먼저 도 7과 같이 본 발명의 실시예들에 따른 연성 회로 기판을 준비한다.First, as shown in FIG. 7, a flexible circuit board according to embodiments of the present invention is prepared.

그리고 도 9와 같이 연성 회로 기판 상에 형성된 레지스트(80)를 제거한 후, 도전 패턴(20)의 이너리드 영역(32)에 반도체 칩(100)을 실장한다.After removing the resist 80 formed on the flexible circuit board as shown in FIG. 9, the semiconductor chip 100 is mounted in the inner lead region 32 of the conductive pattern 20.

도 7에는 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판이 도시되어 있으나, 앞서 설명한 모든 연성 회로 기판의 제조 방법 실시예들로부터 동일한 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법 실시예들을 유추할 수 있음은 본 기술분야의 당업자에게 당연한바 자세한 설명은 생략한다.Although FIG. 7 illustrates a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention, the same method of manufacturing a semiconductor package of the present invention may be inferred from all the above-described manufacturing method embodiments of the flexible circuit board. Naturally detailed description will be omitted for those skilled in the art.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 평면도이다.1 is a plan view of a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a flexible circuit board according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다.5 to 7 are intermediate steps for explaining a method of manufacturing a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면이다.8 is an intermediate step diagram for describing a method of manufacturing a flexible circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명) (Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10: 베이스 필름 20: 도전 패턴10: base film 20: conductive pattern

30: 배선 영역 32: 이너리드 영역30: wiring area 32: inner lead area

34: 아우터리드 영역 40: 테스트 패드 영역34: outer area 40: test pad area

50: 도금합금층 60: 순도금층50: plating alloy layer 60: pure plating layer

70: 보호층 80: 레지스트70: protective layer 80: resist

100: 반도체 칩 36: 리드 영역100: semiconductor chip 36: lead region

S100~S120: 연성 회로 기판의 제조 방법S100-S120: Manufacturing method of flexible circuit board

Claims (12)

베이스 필름의 일면 또는 양면에 도전 패턴이 형성되고, 상기 도전 패턴 상에 도금층이 형성되어 있는 연성 회로 기판에 있어서,In a flexible circuit board in which a conductive pattern is formed on one or both surfaces of the base film, and a plating layer is formed on the conductive pattern. 상기 도전 패턴은 테스트 패드 영역을 포함하고,The conductive pattern includes a test pad region, 상기 도금층은 상기 도전 패턴 성분과 도금 성분이 혼합된 도금합금층 및 도금 성분으로만 형성된 순도금층을 포함하되,The plating layer includes a plating alloy layer in which the conductive pattern component and the plating component are mixed and a pure plating layer formed only of the plating component, 상기 테스트 패드 영역 상에는 상기 순도금층이 미형성된 연성 회로 기판.The flexible circuit board on which the purity layer is not formed. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도금합금층의 두께는 0.05㎛ ~ 0.4㎛이고, 상기 순도금층의 두께는 0.05㎛ ~ 0.3㎛인 연성 회로 기판.The thickness of the plating alloy layer is 0.05㎛ ~ 0.4㎛, the thickness of the purity layer is 0.05㎛ 0.3㎛ flexible circuit board. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 도전 패턴은 구리를 포함하고, 도금합금층은 구리(Cu)와 주석(Sn)으로 구성된 도금합금층을 포함하고, 상기 순도금층은 순수 주석으로 구성된 순도금층을 포함하는 연성 회로 기판.The conductive pattern includes copper, and the plating alloy layer includes a plating alloy layer composed of copper (Cu) and tin (Sn), and the purity plating layer comprises a pure plating layer composed of pure tin. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항의 연성 회로기판; 및The flexible circuit board of any one of claims 1 to 3; And 상기 연성 회로 기판 상에 실장된 반도체 칩을 포함하는 반도체 패키지.And a semiconductor chip mounted on the flexible circuit board. 베이스 필름의 일면 또는 양면에 테스트 패드 영역, 아우터리드 영역, 리드 영역 및 이너리드 영역을 포함하는 도전 패턴을 형성하고,A conductive pattern including a test pad region, an outer region, a lead region, and an inner lead region is formed on one or both surfaces of the base film, 상기 도전 패턴 상에 도금합금층 및 순도금층을 포함하는 도금층을 형성하고,Forming a plating layer including a plating alloy layer and a pure plating layer on the conductive pattern; 상기 도전 패턴의 일부 영역에 에칭 레지스트를 형성하고,An etching resist is formed in a portion of the conductive pattern, 상기 에칭 레지스트가 미형성된 나머지 영역의 상기 순도금층을 식각하고,Etching the purity layer of the remaining region where the etching resist is not formed, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.Removing the etching resist. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 순도금층을 식각하는 것은 염산계 또는 황산계를 포함하는 산성액을 분사하여 식각하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.Etching the pure plating layer comprises the etching by spraying the acid solution containing a hydrochloric acid or sulfuric acid. 베이스 필름의 일면 또는 양면에 테스트 패드 영역, 아우터리드 영역, 리드 영역 및 이너리드 영역을 포함하는 도전 패턴을 형성하고,A conductive pattern including a test pad region, an outer region, a lead region, and an inner lead region is formed on one or both surfaces of the base film, 상기 도전 패턴 상에 도금합금층을 형성하고,Forming a plating alloy layer on the conductive pattern, 상기 도전 패턴의 일부 영역에 도금 레지스트를 형성하고,A plating resist is formed on a portion of the conductive pattern, 상기 도금 레지스트가 미형성된 나머지 영역의 도금합금층 상에 순도금층을 형성하고,Forming a plating layer on the plating alloy layer of the remaining region in which the plating resist is not formed, 상기 도금 레지스트를 제거하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.Removing the plating resist. 제 5항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 5 or 7, 상기 도금합금층은 도금을 실시한 후 열처리를 통해 도금 두께 방향으로 합금비율을 확산시켜서 형성하는 연성 회로 기판의 제조 방법.The plating alloy layer is formed by spreading the alloy ratio in the plating thickness direction through heat treatment after the plating. 제 5항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 5 or 7, 상기 에칭 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 것은 상기 에칭 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하기 전에 상기 리드 영역에 솔더 레지스트를 형성하고,Forming the etching resist or the plating resist forms a solder resist in the lead region before forming the etching resist or the plating resist, 상기 솔더레지스트 상에는 상기 에칭레지스트 또는 도금 레지스트를 미형성하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.And forming the etching resist or the plating resist on the solder resist. 제 5항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 5 or 7, 상기 레지스트는 부틸, 에폭시, 페놀, 비닐, 에스테르 중 적어도 하나의 물질을 포함하며,The resist comprises at least one of butyl, epoxy, phenol, vinyl, ester, 상기 에칭 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 것은 인쇄방식으로 형성하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.Forming the etching resist or plating resist comprises forming by a printing method. 제 5항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 5 or 7, 상기 에칭 레지스트 또는 도금 레지스트를 제거하는 것은 40℃ 내지 100℃의 온수를 상기 레지스트에 분사하여 제거하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.Removing the etching resist or the plating resist comprises spraying and removing hot water at 40 ° C. to 100 ° C. to the resist. 제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따른 연성 회로 기판을 준비하고,Preparing a flexible circuit board according to any one of claims 5 to 7, 상기 연성 회로 기판의 상기 이너리드 영역에 반도체 칩을 실장하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.And mounting a semiconductor chip in the inner lead region of the flexible circuit board.
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