KR20110037616A - 반도체 발광소자 - Google Patents

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KR20110037616A
KR20110037616A KR1020090095128A KR20090095128A KR20110037616A KR 20110037616 A KR20110037616 A KR 20110037616A KR 1020090095128 A KR1020090095128 A KR 1020090095128A KR 20090095128 A KR20090095128 A KR 20090095128A KR 20110037616 A KR20110037616 A KR 20110037616A
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light emitting
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KR1020090095128A
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안도열
박승환
구분회
김극
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우리엘에스티 주식회사
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본 개시는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 제1,2 활성층; 제1 활성층을 포함하는 복수의 제1 반도체층을 구비하는 제1 서브 발광소자; 제1 서브 발광소자의 상층에 위치되며, 제2 활성층을 포함하는 복수의 제2 반도체층을 구비하는 제2 서브 발광소자; 제1 서브 발광소자와 제2 서브 발광소자 사이에 위치되며, 둘을 전기적으로 분리하는 제1 절연층; 및 각 서브 발광소자에 독립적으로 전류가 공급되도록 제1,2 서브 발광소자에 각각 구비되는 전극;을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
반도체, 발광소자, 적층, 절연층, 백색, 서브 발광소자, 금속층

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 둘 이상의 서브 발광소자를 적층 하여, 백색을 포함한 다양한 색의 빛을 낼 수 있으며 그 발광효율이 향상될 수 있는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background informaton related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
일반적으로, 반도체 발광소자는 긴 수명, 우수한 내충격성, 낮은 전력 소비 및 높은 신뢰성 등의 장점을 가지며, 또한 소형화, 박형화 및 경량화가 가능하기 때문에 각종 장치용 광원으로서 사용되고 있다.
최근에는, 빛의 삼원색인 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue)의 빛을 낼 수 있는 기술이 보급됨에 따라, 정보, 통신, 소비자 전자(consumer electronics), 차량, 교통신호등, 광고판, 조명 시장 등과 같은 다양한 분야에 반도체 발광소자가 응용되고 있으며, 특히, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD) 산업이 확장됨에 따라 백색 반도체 발광소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
백색 반도체 발광소자를 구현하는 기술로는, (1) 청색 광을 방출하는 반도체 발광소자와 청색과 보색 관계인 황색 형광체를 이용하는 기술, (2) 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색 광을 방출하는 세 개의 반도체 발광소자를 이용하는 기술, (3) 자외선 또는 청색 광을 방출하는 반도체 발광소자와 적색, 녹색, 청색의 형광체를 이용하는 기술 등이 개시된 바 있다.
도 1은 미국 등록 특허 5,684,309호에 개시된 반도체 발광소자를 보인 도면으로, In(x)Ga(1-x)N (0<x<1)으로 형성된 3 개의 활성층(12a,12b,12c)이 기판(15) 상에 상하방향으로 적층되어 있으며, 4 개의 전극(16a,16b,16c,16d)을 통해 각 활성층으로 전류가 공급된다.
여기서, 각 활성층(12a,12b,12c)은 In의 조성비(x)가 서로 다르게 구비되므로, 각 활성층은 서로 다른 파장의 빛을 방출하고 이들의 혼합에 의해 백색의 빛이 방출되게 된다. 특히 기판으로부터 위로 갈수록 짧은 파장의 빛이 방출되게 된다.
그러나, 이에 의하는 경우, 각 활성층 사이에 전류의 흐름이 발생되므로 에너지 준위가 가장 낮은 활성층, 즉 적색 광이 방출되는 활성층 주변에 전자가 모이게 된다. 반면 정공은 이동도가 작으므로 청색 광을 방출하는 활성층 주변에 모이 게 된다.
따라서, 내부 양자 효율이 떨어지며, 각 색깔의 광량 조절이 곤란해지는 문제가 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 제1,2 활성층; 제1 활성층을 포함하는 복수의 제1 반도체층을 구비하는 제1 서브 발광소자; 제1 서브 발광소자의 상층에 위치되며, 제2 활성층을 포함하는 복수의 제2 반도체층을 구비하는 제2 서브 발광소자; 제1 서브 발광소자와 제2 서브 발광소자 사이에 위치되며, 둘을 전기적으로 분리하는 제1 절연층; 각 서브 발광소자에 독립적으로 전류가 공급되도록 제1,2 서브 발광소자에 각각 구비되는 전극;을 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). 도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면으로서, 제1 서브 발광소자(110), 제2 서브 발광소자(120), 제1 절연층(130), 전극(113a, 113b, 123a, 123b)을 포함한다.
제1 서브 발광소자(110)는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 발생되는 제1 활성층(110b)과 제1 활성층(110b)에 전자와 정공을 제공하는 복수의 제1 반도체층(110a,110c)을 포함한다.
제1 활성층(110b)과 복수의 제1 반도체층(110a,110c)은 전자와 정공의 재결합을 통해 빛이 생성되는 반도체 중에서 선택될 수 있으나, 이하에서는 설명의 편의를 위해 3족 질화물 반도체를 예로 하여 설명한다.
제1 서브 발광소자(110)는 기판(101) 위에 형성된다.
기판(101)으로는 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다.
제2 서브 발광소자(120)는 제1 서브 발광소자(110)와 유사하게 전자와 정공의 재결합을 통해 빛이 생성되는 반도체 중에서 선택된 물질로 형성된 제2 활성층(120b)과 복수의 제2 반도체층(120a,120c)을 포함한다.
여기서, 제2 활성층(120b)과 복수의 제2 반도체층(120a,120c)을 형성하는 반도체와, 제1 활성층(110b) 및 복수의 제1 반도체층(110a,110c)을 형성하는 반도체는 서로 같게 또는 서로 다르게 형성될 수 있다.
일 예로, 복수의 제1 반도체층(110a,110c) 및 제1 활성층(110b)은 GaAs계 반도체로 형성되고, 복수의 제2 반도체층(120a,120c)과 제2 활성층(120b)은 3족 질화물 반도체로 형성되거나, 모두 3족 질화물 반도체로 형성될 수 있다.
3족 질화물 반도체로 형성되는 경우, 활성층은 In(x)Ga(1-x)N (0<x<1)으로 형성된 양자 우물층과 InGaN, GaN, InAlGaN 중 어느 하나로 형성된 장벽층을 포함할 수 있으며, x의 조절로 발생되는 빛의 파장이 조절될 수 있다.
제1 절연층(130)은 제1 서브 발광소자(110)와 제2 서브 발광소자(120)의 사이에 위치되며 둘을 전기적으로 분리시킨다.
이에 의해, 제1 서브 발광소자(110)와 제2 서브 발광소자(120) 중 어느 하나의 서브 발광소자로 공급된 전자가 다른 서브 발광소자로 이동되는 현상이 방지될 수 있다.따라서, 각 서브 발광소자(110,120)의 내부 양자 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.
제1 절연층(130)은 제1 서브 발광소자(110)에서 발생된 빛이 투과되는 투광성 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 제1 절연층(130)은 SiN2, SiO2, AlN 등으로 형성될 수 있으며, 제1 절연층(130) 위에 위치되는 제2 반도체층(120a)의 용이한 성장 및 절연을 위해 SiN2로 형성되는 것이 바람직하다.
전극(113a,113b,123a,123b)은 각 서브 발광소자(110,120)에 별개로 형성된다. 따라서, 각 서브 발광소자(110,120)에 독립적으로 전원이 공급된다.
이와 더불어, 각 서브 발광소자(110,120)의 반도체층(110c,120c)의 상면에는 전극(113b,123b)으로 유입된 전류가 반도체층(110c,120c)에 균일하게 퍼질 수 있도록 ITO 등으로 형성되는 투광성 전극(미도시)이 더 구비될 수 있다.
기판(101)이 도전성이 있는 SiC 등으로 형성되는 경우, 전극(113a,113b,123a,123b)이 기판(101)의 하면에 형성될 수 있으므로, 제1 서브 발광소자(110)의 발광면적이 넓어지는 이점을 가질 수 있다.
한편, 제1 활성층(110b)에서 생성되는 빛의 파장이 제2 활성층(120b)에서 생성되는 빛의 파장보다 길게 구비될 수 있다.
이에 의해, 제1 활성층(110b)에서 발생된 빛이 반도체 발광소자(100)의 상부로 방출되는 과정에서 제2 활성층(120b)에 의해 파장이 변화되는 문제가 방지될 수 있다.
또한, 제1 활성층(110b)에서 생성되는 빛과 제2 활성층(120b)에서 생성되는 빛이 서로 보색(complementary color) 관계가 되도록 구비될 수 있다.
이에 의해, 2개의 서브 발광소자(110,120)를 이용하여 백색 광을 얻을 수 있다.
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 보인 도면으로서, 기판(101)이 제거되고 제1 서브 발광소자(110)의 전극(113a)이 제1 서브 발광소자(110)의 하면에 형성될 수 있다. 이에 의하면, 제1 서브 발광소자(110)의 발광면적이 넓어지므로 발광효율이 향상될 수 있다.
여기서도, 앞서 설명한 바와 같이 반도체층(110c,120c)의 상면에 ITO 등으로 형성되는 투광성 전극(미도시)이 더 구비될 수 있음은 물론이다.
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 앞서 설명한 제2 서브 발광소자(120) 위에 형성되는 제3 서브 발광소자(230), 제2 절연층(240)을 더 포함한다.
제3 서브 발광소자(230)는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 제3 활성층(230b)과 복수의 제3 반도체층(230a,230c)을 포함하며, 그 재질은 제3 활성층(230b)을 통해 방출되는 빛의 색에 따라 선택될 수 있다.
여기서, 제3 활성층(230b)과 복수의 제3 반도체층(230a,230c)을 형성하는 반도체는 제1,2 활성층(110b,120b) 및 복수의 제1,2 반도체층(110a,110c, 120a,120c)을 형성하는 반도체와 동일한 재질 또는 서로 다른 재질로 형성될 수 있다.
다만, 3족 질화물 반도체로 형성되는 경우, 활성층은 In(x)Ga(1-x)N (0<x<1)으로 형성된 양자 우물층과 InGaN, GaN, InAlGaN 중 어느 하나로 형성된 장벽층을 포함할 수 있으며, x의 조절로 발생되는 빛의 파장이 조절될 수 있다.
제2 절연층(240)은 제2 서브 발광소자(120)와 제3 서브 발광소자(230) 사이에 위치되며, 둘을 전기적으로 분리시킨다. 또한, 제2 절연층(240)은 투광성물질로 형성될 수 있으며, 제1 절연층(130)과 같이, SiN2, SiO2, AlN 등으로 형성될 수 있다.
한편, 제1 활성층(110b)에서는 적색 광, 제2 활성층(120b)에서는 녹색 광, 제3 활성층(230b)에서는 청색 광이 생성된다. 이에 의해, 빛의 삼원색을 이용하여 백색 광을 얻을 수 있으며, 제1 활성층(110b)에서 방출되는 적색 광이 제2,3 활성층(120b,230b)을 지나면서 파장이 변화되는 것이 방지된다.
도 5는 도 4에서 활성층의 일 예를 보인 도면으로서, 제1,2,3 활성층(110b,120b,230b) 중 적어도 하나는, In(x)Ga(1-x)N(0<x<1)으로 형성된 양자 우물층(232b), Al(y)Ga(1-y)N(0<y<1)층(234b,238b)과 1nm ~ 2nm의 두께를 가진 In(z)Ga(1-z)N(0<z<1)층(236b)이 교대로 적층된 장벽층(239b)을 포함할 수 있다.
여기서, 양자 우물층(232b)은 2nm ~ 3.5nm의 두께로 형성된다.
또한, Al(y)Ga(1-y)N(0<y<1)층(234b,238b)과 In(z)Ga(1-z)N(0<z<1)층(236b)은 각각 1nm ~ 2nm의 두께로 형성된다.
또한, 장벽층(239b)은 양자 우물층(232b)의 상층과 하층에 대칭으로 형성되며, z는 x보다 크게 형성된다.
이에 의해, 활성층에 인가되는 피에조 응력 및 자발분극으로 인한 내부 양자 효율이 저하되는 문제가 제거될 수 있다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 적어도 어느 하나의 활성층을 상하방향으로 관통하여 위치되는 금속층(310)이 더 포함된다.
여기서, 금속층(310)은 Ag, Al, Au 및 이들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
이에 의해, 활성층에서 생성된 빛이 금속층(310)의 표면에 플라즈몬(plasmon)을 여기시키고, 표면 플라즈몬 공명(Surface Plasmon Resonance)에 의 해 서브 발광소자의 발광효율이 향상될 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 제1 활성층에서 생성되는 빛의 파장이 제2 활성층에서 생성되는 빛의 파장보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
이에 의해, 하층에 위치되는 제1 활성층에서 생성된 빛이 상방으로 방출되는 과정에서 제2 활성층에 흡수되어 발광효율이 저하되는 문제가 방지될 수 있다.
(2) 제1 활성층에서 생성되는 빛과 제2 활성층에서 생성되는 빛은 서로 보색(complementary color) 관계인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
이에 의해, 두 개의 서브 발광소자로 백색 발광소자를 구현할 수 있는 이점을 가지게 된다.
(3) 제1 절연층은 투광성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
이에 의해, 각 서브 발광소자를 전기적으로 분리시켜 각 서브 발광소자의 내부 양자 효율 저하를 방지함과 동시에, 제1 서브 발광소자에서 발생된 빛이 용이하게 외부로 방출되는 이점을 가지게 된다.
(4) 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 제3 활성층과, 제2 서브 발광소자의 상층에 위치되며 제3 활성층을 포함하는 복수의 제3 반도체층(230a,230c)을 구비하는 제3 서브 발광소자 및 제2 서브 발광소자와 제3 서브 발광소자 사이에 위치되며, 둘을 전기적으로 분리하는 제2 절연층을 더 포함하며, 제1 활성층에서는 적색 광, 제2 활성층에서는 녹색 광, 제3 활성층에서는 청색 광이 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
이에 의해, 제1,2,3 서브 발광소자의 내부 양자 효율이 향상됨과 동시에, 광이 방출되는 방향을 따라 적색 광을 생성하는 제1 활성층, 녹색 광을 생성하는 제2 활성층, 청색 광을 생성하는 제3 활성층이 위치되므로, 어느 하나의 활성층에서 생성된 광이 방출과정에서 다른 활성층에 의해 파장이 변화되는 것이 방지될 수 있다.
(5) 제1,2,3 활성층 중 적어도 하나의 활성층은 In(x)Ga(1-x)N (0<x<1)으로 형성된 양자 우물층 및 InGaN, GaN, InAlGaN 중 어느 하나로 형성된 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
이에 의해, In의 양, 즉 x의 크기를 조절함으로써 파장이 가장 긴 적색에서부터 파장이 가장 짧은 청색까지의 빛을 구현할 수 있는 이점을 가지게 된다.
(6) 제1,2,3 활성층 중 적어도 하나의 활성층은, 2nm ~ 3.5nm의 두께를 가지며 In(x)Ga(1-x)N(0<x<1)으로 형성된 양자 우물층 및 1nm ~ 2nm의 두께를 가진 Al(y)Ga(1-y)N(0<y<1)층과 1nm ~ 2nm의 두께를 가진 In(z)Ga(1-z)N(0<z<1)층이 교대로 적층된 장벽층으로서, 양자 우물층의 상층과 하층에 대칭으로 구비되며 z는 x보다 큰 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
이에 의해, 활성층에 인가되는 피에조 응력 및 자발분극으로 인한 내부 양자 효율의 저하를 감소시킬 수 있는 이점을 가지게 된다.
(7) 제1,2 서브 발광소자 중 적어도 하나의 서브 발광소자는, 그 서브 발광소자에 포함된 활성층을 관통하여 상하방향으로 위치되는 금속층을 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 금속층은 Ag, Al, Au 및 이들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
이에 의해, 활성층에서 생성된 빛에 의해 금속층의 표면에 플라즈몬이 여기되며, 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 서브 발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 상하방향으로 적층된 둘 이상의 서브 발광소자를 전기적으로 분리시키는 절연층에 의해 서브 발광소자 간의 전자의 이동이 방지되므로, 각 서브 발광소자의 내부 양자 효율이 향상되는 이점을 가질 수 있다.
본 개시에 따른 또 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 기판으로부터 상방으로 갈수록 상대적으로 짧은 파장의 광을 방출하는 서브 발광소자가 위치되므로 어느 하나의 서브 발광소자에서 생성된 광이 방출과정에서 다른 서브 발광소자에 의해 파장이 변화되는 것이 방지될 수 있다.
도 1은 미국 등록 특허 5,684,309호에 개시된 반도체 발광소자를 보인 도면,
도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 보인 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보인 도면,
도 5는 도 4에서 활성층의 일 예를 보인 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보인 도면.

Claims (10)

  1. 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 제1,2 활성층;
    제1 활성층을 포함하는 복수의 제1 반도체층을 구비하는 제1 서브 발광소자;
    제1 서브 발광소자의 상층에 위치되며, 제2 활성층을 포함하는 복수의 제2 반도체층을 구비하는 제2 서브 발광소자;
    제1 서브 발광소자와 제2 서브 발광소자 사이에 위치되며, 둘을 전기적으로 분리하는 제1 절연층; 및
    각 서브 발광소자에 독립적으로 전류가 공급되도록 제1,2 서브 발광소자에 각각 구비되는 전극;을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서, 제1 활성층에서 생성되는 빛의 파장이 제2 활성층에서 생성되는 빛의 파장보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 청구항 2에 있어서, 제1 활성층에서 생성되는 빛과 제2 활성층에서 생성되는 빛은 서로 보색(complementary color) 관계인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서, 제1 절연층은 투광성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 제3 활성층;
    제2 서브 발광소자의 상층에 위치되며 제3 활성층을 포함하는 복수의 제3 반도체층을 구비하는 제3 서브 발광소자; 및
    제2 서브 발광소자와 제3 서브 발광소자 사이에 위치되며, 둘을 전기적으로 분리하는 제2 절연층;을 더 포함하며,
    제1 활성층에서는 적색 광, 제2 활성층에서는 녹색 광, 제3 활성층에서는 청색 광이 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 5에 있어서, 제1,2,3 활성층 중 적어도 하나의 활성층은
    In(x)Ga(1-x)N (0<x<1)으로 형성된 양자 우물층; 및
    InGaN, GaN, InAlGaN 중 어느 하나로 형성된 장벽층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 청구항 5에 있어서, 제1,2,3 활성층 중 적어도 하나의 활성층은,
    2nm ~ 3.5nm의 두께를 가지며 In(x)Ga(1-x)N(0<x<1)으로 형성된 양자 우물층; 및
    1nm ~ 2nm의 두께를 가진 Al(y)Ga(1-y)N(0<y<1)층과 1nm ~ 2nm의 두께를 가진 In(z)Ga(1-z)N(0<z<1)층이 교대로 적층된 장벽층으로서, 양자 우물층의 상층과 하층에 대칭으로 구비되며 z는 x보다 큰 장벽층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 2에 있어서, 제1,2 서브 발광소자 중 적어도 하나의 서브 발광소자는, 그 서브 발광소자에 포함된 활성층을 관통하여 상하방향으로 위치되는 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 청구항 8에 있어서, 금속층은 Ag, Al, Au 및 이들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 청구항 5에 있어서,
    제1 서브 발광소자는 사파이어 기판 위에 형성되며,
    복수의 제1,2,3 반도체층 중 적어도 하나의 복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 형성되고,
    제1,2 절연층은 투광성 물질로 형성되며,
    제1,2,3 활성층 중 적어도 하나의 활성층은 In(x)Ga(1-x)N (0<x<1)으로 형성된 양자 우물층과 Al(y)Ga(1-y)N (0<y<1)으로 형성된 장벽층을 포함하고,
    제1,2,3 서브 발광소자 중 적어도 하나의 서브 발광소자는, 그 서브 발광소자에 포함된 활성층을 관통하여 상하방향으로 위치되며, Ag, Al, Au 및 이들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성되는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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