KR20110036663A - Method of producing pellicle - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for producing a pellicle is provided to suppress the deformation of a pellicle frame due to thermal deformation, thereby maximally reducing the deformation of a photo mask. CONSTITUTION: An adhesive layer(4) is formed on the lower surface of a pellicle frame. The adhesive layer adheres a pellicle for lithography to a photo mask(5). A liner can be peeled from the lower surface of the adhesive layer. The pellicle frame comprises a vent and a vibration damping filter.

Description

펠리클의 제조 방법{METHOD OF PRODUCING PELLICLE}Method for producing pellicles {METHOD OF PRODUCING PELLICLE}

본 발명은, LSI, 초LSI 등의 반도체 장치 또는 액정 표시판을 제조할 때의 리소그래피용 마스크의 먼지 막이로서 사용되는 리소그래피용 펠리클 및 펠리클 프레임에 관한 것이다. 특히, 상기 펠리클에 사용되는 펠리클 프레임의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a pellicle and pellicle frame for lithography used as a dust cover of a mask for lithography when manufacturing a semiconductor device such as LSI, ultra LSI, or a liquid crystal display panel. In particular, it is related with the manufacturing method of the pellicle frame used for the said pellicle.

LSI, 초LSI 등의 반도체 제조 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판에 광을 조사해서 패턴을 제작하지만 이 경우에 사용하는 노광 원판에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지가 광을 흡수하거나 광을 굴절시켜 버리기 때문에 전사한 패턴이 변형되거나 엣지가 매끄럽지 못한 것으로 되는 것 이외에 하지(下地)가 검게 오염되거나 해서 치수, 품질, 외관 등이 손상된다고 하는 문제가 있었다. 또한, 본 발명에 있어서 「노광 원판」이란 리소그래피용 마스크(단지 「마스크」라고도 함) 및 레티클의 총칭이다. 이하, 마스크를 예로 해서 설명한다.In the manufacture of semiconductors such as LSI and ultra-LSI, or the manufacture of liquid crystal displays, patterns are produced by irradiating light onto a semiconductor wafer or a liquid crystal display plate. However, if dust adheres to the exposure disc used in this case, the dust absorbs light. In addition to refraction of light, the transferred pattern is deformed or the edges are not smooth, but there is a problem that the base material is contaminated black and the dimensions, quality and appearance are damaged. In addition, in this invention, an "exposure disc" is a generic term for a mask for lithography (also referred to only as a "mask") and a reticle. Hereinafter, the mask will be described as an example.

이들의 작업은 통상 클린룸에서 행하여지고 있지만 이 클린룸 내에서도 노광 원판을 항상 청정하게 유지하는 것이 어려우므로 노광 원판의 표면에 먼지 막이를 위한 노광용의 광을 잘 통과시키는 펠리클을 부착하는 방법이 채택되고 있다.These operations are usually performed in a clean room, but even in this clean room, it is difficult to keep the exposure disc clean at all times. Therefore, a method of attaching a pellicle to pass the light for exposure for dust prevention on the surface of the exposure disc is adopted. have.

펠리클의 기본적인 구성은 펠리클 프레임 및 이것에 장설(張設)한 펠리클막으로 이루어진다. 펠리클막은 노광에 사용하는 광(g선, i선, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저 등)을 잘 투과시키는 니트로셀룰로오스, 아세트산 셀룰로오스, 불소계 폴리머 등으로 이루어진다. 펠리클 프레임의 상변부에 펠리클막의 양용매를 도포하고, 펠리클막을 풍건하여 접착하거나, 아크릴 수지, 에폭시 수지나 불소 수지 등의 접착제로 접착한다. 또한, 펠리클 프레임의 하변부에는 노광 원판을 장착하기 위해서 부텐 수지/폴리부텐 수지, 아세트산 비닐 수지/폴리아세트산 비닐 수지, 아크릴 수지 및 실리콘 수지 등으로 이루어지는 점착층, 및 점착층의 보호를 목적으로 한 레티클 점착제 보호용 라이너를 설치한다.The basic configuration of the pellicle consists of a pellicle frame and a pellicle film installed thereon. The pellicle film is made of nitrocellulose, cellulose acetate, fluorine-based polymer or the like which transmits light (g-ray, i-ray, KrF excimer laser, ArF excimer laser, etc.) used for exposure well. The good solvent of a pellicle film is apply | coated to the upper side part of a pellicle frame, and a pellicle film is air-dried and adhere | attached, or it adhere | attaches with adhesive agents, such as an acrylic resin, an epoxy resin, and a fluororesin. In addition, in order to protect the adhesion layer which consists of butene resin / polybutene resin, vinyl acetate resin / polyvinyl acetate resin, an acrylic resin, a silicone resin, etc. in order to mount an exposure disc in the lower part of a pellicle frame, Install a reticle adhesive protective liner.

펠리클은 노광 원판의 표면에 형성된 패턴 영역을 둘러싸도록 설치된다. 펠리클은 노광 원판 상에 먼지가 부착되는 것을 방지하기 위해서 설치되는 것이기 때문에 이 패턴 영역과 펠리클 외부는 펠리클 외부의 진애가 패턴면에 부착되지 않도록 격리되어 있다.The pellicle is provided to surround the pattern region formed on the surface of the exposure disc. Since the pellicle is provided to prevent dust from adhering to the exposure disc, the pattern area and the outside of the pellicle are isolated so that dust outside the pellicle does not adhere to the pattern surface.

최근, LSI의 디자인 룰은 서브 쿼터 미크론으로 미세화가 진행되고 있고, 그것에 따라, 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있는, 즉, 지금까지 주류이었던 수은램프에 의한 g선(436㎚), i선(365㎚)으로부터, KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚) 등으로 이행되고 있다. 미세화가 진행되면 마스크 및 실리콘 웨이퍼에 요구되는 평탄성도 점점 더 엄격해지고 있다.In recent years, LSI's design rule has been miniaturized to sub-quarter micron, and accordingly, shortening of the exposure light source is progressing, that is, g-line (436 nm) and i-line (365) by the mercury lamp, which has been mainstream until now. Nm) to a KrF excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), or the like. As miniaturization progresses, the flatness required for masks and silicon wafers is becoming increasingly strict.

펠리클은 마스크가 완성된 후에 패턴의 먼지 막이를 위해서 마스크에 부착된다. 펠리클을 마스크에 부착하면 마스크의 평탄도가 변화될 경우가 있다. 마스크의 평탄도가 나빠지면, 위에서 서술한 바와 같이, 초점 어긋남 등의 문제가 발생할 가능성이 있다. 또한, 평탄도가 변화되면 마스크 상에 그려진 패턴의 형상이 변화되고, 마스크의 겹침 정밀도에 문제가 생긴다고 하는 지장도 초래한다.The pellicle is attached to the mask for dusting of the pattern after the mask is completed. Attaching the pellicle to the mask may change the flatness of the mask. If the flatness of the mask worsens, as described above, there may be a problem such as a focus shift. In addition, when the flatness is changed, the shape of the pattern drawn on the mask is changed, which causes the problem that a problem arises in the overlapping accuracy of the mask.

펠리클 부착에 의한 마스크 평탄도의 변화의 요인은 몇가지 있지만 가장 큰 요인은 펠리클 프레임의 평탄도인 것이 알려져 왔다.There are several factors that change the mask flatness due to pellicle attachment, but it is known that the biggest factor is the flatness of the pellicle frame.

최근, 마스크에 요구되는 평탄성도 패턴면에서 평탄도 2㎛의 요구로부터 서서히 엄격해지고 있어 65㎚ 노드 이후에서는 0.5㎛ 이하, 바람직하게는 0.25㎛라고 하는 요구가 나오고 있다.In recent years, the flatness pattern required for the mask has gradually become strict from the demand of flatness of 2 m, and after the 65 nm node, there has been a demand of 0.5 m or less, preferably 0.25 m.

일반적으로, 펠리클 프레임의 평탄도는 20∼80㎛ 정도이지만 이렇게 평탄도가 떨어지는 프레임을 사용한 펠리클을 마스크에 부착하면 프레임의 형상이 마스크에 전사되어 마스크의 변형을 일으켜 버린다. 펠리클은 부착시에 약 200∼400N(20∼40kg 중량)의 큰 힘으로 마스크에 압박된다. 마스크 표면의 평탄도는 펠리클 프레임에 비해서 평탄하다. 이 때문에 마스크로의 압박이 종료되면 펠리클 프레임은 원래의 형상으로 되돌아가려고 하여 마스크를 변형시켜 버린다.Generally, although the flatness of a pellicle frame is about 20-80 micrometers, when a pellicle using a frame with such a flatness is attached to a mask, the shape of a frame will be transferred to a mask, and a deformation | transformation of a mask will be caused. The pellicle is pressed against the mask by a large force of about 200 to 400 N (20 to 40 kg weight) at the time of attachment. The flatness of the mask surface is flat compared to the pellicle frame. For this reason, when pressurization to a mask is complete | finished, a pellicle frame will return to original shape, and a mask will be deformed.

마스크가 변형되었을 경우에 마스크의 평탄도가 나빠질 경우가 있고, 그 경우 노광 장치 내에서 디포커싱의 문제가 발생한다. 한편, 마스크가 변형되어 평탄도가 좋아질 경우도 있지만 이 경우에도 마스크 표면에 형성된 패턴이 변형되고, 그 결과 노광했을 때에 웨이퍼에 전사된 패턴 상(像)이 변형되어 버린다고 하는 문제가 발생한다. 이 패턴의 변형은 평탄도가 나빠질 경우도 발생하므로 결국 펠리클을 부착함으로써 마스크가 변형되는 경우에는 반드시 패턴 상이 변형되어 버린다고 하는 문제가 발생한다.When the mask is deformed, the flatness of the mask may deteriorate, in which case a problem of defocusing occurs in the exposure apparatus. On the other hand, the mask may be deformed to improve flatness, but even in this case, the pattern formed on the surface of the mask is deformed, and as a result, a problem occurs that the pattern image transferred to the wafer is deformed when exposed. Deformation of the pattern also occurs when the flatness is deteriorated, so that in the event that the mask is deformed by attaching a pellicle, a problem arises that the pattern image always deforms.

이 문제를 해결하기 위하여 지금까지 평탄도가 좋은 펠리클 프레임이 개발되어 왔다. 그러나, 펠리클 프레임은 제조 공정 또는 마스크 부착 공정에서 발생하는 힘이나 열에 의해 변형되기 쉽고, 특히 온도 변화에 의한 영향은 크다. 이 때문에 펠리클 프레임에는 열 변형에 대한 대책이 불가결하다.In order to solve this problem, a pellicle frame with good flatness has been developed. However, the pellicle frame is easily deformed by the force or heat generated in the manufacturing process or the mask attaching process, and particularly, the influence of the temperature change is large. For this reason, measures against thermal deformation are indispensable for the pellicle frame.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서 열 변형에 의한 펠리클 프레임의 변형을 억제하여, 첫번째, 펠리클을 노광 원판에 부착하여도 펠리클 프레임의 변형에 기인하는 노광 원판의 변형을 최대한 저감할 수 있는 펠리클 프레임의 제조 방법을 제공하는 것이다. 두번째, 이러한 펠리클 프레임을 갖는 리소그래피용 펠리클을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention has been made in view of the above circumstances, and the deformation of the pellicle frame due to deformation of the pellicle frame is suppressed due to the deformation of the pellicle frame. It is to provide a method of manufacturing a pellicle frame that can be reduced as much as possible. Second, to provide a pellicle for lithography having such a pellicle frame.

본 발명자들은 프레임 형상을 형성한 후, 평탄면 상에 설치한 펠리클 프레임에 하중을 가한 상태에서 가열 처리함으로써 목적으로 하는 펠리클 프레임을 효율적으로, 또한 저렴하게 얻을 수 있는 것을 찾아냈다.After forming a frame shape, the present inventors found that the target pellicle frame can be obtained efficiently and inexpensively by heat-processing in the state which applied the load to the pellicle frame provided on the flat surface.

즉, 본 발명의 상기 과제는 이하의 수단에 의해 달성된다. That is, the said subject of this invention is achieved by the following means.

(1) 평탄면 상에 설치한 펠리클 프레임을 가열 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.(1) A method for producing a pellicle, comprising the step of heating the pellicle frame provided on a flat surface.

(2) (1)에 있어서, 평탄면 상에 설치한 펠리클 프레임에 하중을 가한 상태에서 가열 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.(2) The method for producing a pellicle according to (1), further comprising a step of performing heat treatment in a state where a load is applied to the pellicle frame provided on the flat surface.

(3) (2)에 있어서, 상기 하중은 약 4.90∼약 196N(0.5∼20kg 중량)인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.(3) The method for producing a pellicle according to (2), wherein the load is about 4.90 to about 196 N (0.5 to 20 kg weight).

(4) (1)∼(3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 가열 처리의 온도가 140∼250℃인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.(4) The method for producing a pellicle according to any one of (1) to (3), wherein the temperature of the heat treatment is 140 to 250 ° C.

(5) (1)∼(4) 중 어느 하나에 있어서, 영률이 1∼80㎬인 재료로 구성된 펠리클 프레임을 사용하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.(5) The method for producing a pellicle according to any one of (1) to (4), wherein a pellicle frame made of a material having a Young's modulus of 1 to 80 GPa is used.

(6) (5)에 있어서, 알루미늄 합금으로 구성된 펠리클 프레임을 사용하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.(6) The method for producing a pellicle according to (5), wherein a pellicle frame made of an aluminum alloy is used.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 평탄도가 15㎛ 이하인 펠리클 프레임을 효율적으로 얻을 수 있고, 펠리클 프레임의 변형에 기인한 노광 원판의 변형을 최대한 저감할 수 있는 리소그래피용 펠리클을 제공할 수 있었다.According to the present invention, it is possible to efficiently obtain a pellicle frame having a flatness of 15 µm or less, and to provide a pellicle for lithography capable of maximally reducing the deformation of the exposure master due to the deformation of the pellicle frame.

또한, 본 발명에 의하면, 열에 의한 변형을 평탄도 3㎛ 이하로 저감한 펠리클 프레임을 얻을 수 있고, 프레임 변형에 기인한 노광 원판의 변형을 최대한 저감할 수 있는 펠리클 프레임 및 리소그래피용 펠리클을 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, a pellicle frame can be obtained in which deformation due to heat is reduced to a flatness of 3 µm or less, and a pellicle frame and a pellicle for lithography capable of maximally reducing deformation of an exposure disc caused by frame deformation can be provided. Can be.

도 1은 펠리클의 구성예를 나타내는 개념 단면도의 일례이다.
도 2는 펠리클 프레임 가열 처리시의 단면도의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 펠리클의 구성예를 나타내는 개념 단면도의 일례이다.
도 4는 펠리클 프레임 가열 처리시의 단면도의 일례를 나타내는 도면이다.
1 is an example of conceptual sectional drawing which shows the structural example of a pellicle.
It is a figure which shows an example of sectional drawing at the time of a pellicle frame heat processing.
3 is an example of a conceptual cross-sectional view showing a configuration example of a pellicle.
It is a figure which shows an example of sectional drawing at the time of a pellicle frame heat processing.

이하에, 도면을 참조하면서 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, this invention is demonstrated in detail, referring drawings.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 리소그래피용 펠리클은 펠리클 프레임(3)의 상단면에 펠리클막 부착용 접착층(2)을 개재해서 펠리클막(1)을 장설한 것으로, 이 경우, 리소그래피용 펠리클을 노광 원판(마스크 또는 레티클)(5)에 점착시키기 위한 접착용 점착층(4)이 통상 펠리클 프레임(3)의 하단면에 형성되고, 상기 접착용 점착층의 하단면에 라이너(도시하지 않음)를 박리 가능하게 부착하여 이루어지는 것이다. 또한, 펠리클 프레임에는 도시하지 않은 기압 조정용 구멍(통기구)이 설치되어 있고, 또한 파티클 제거의 목적으로 이 통기구에 제진용 필터(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 좋다.As shown in Fig. 1, the pellicle for lithography of the present invention is provided with a pellicle film 1 on the upper surface of the pellicle frame 3 via an adhesive layer 2 for attaching a pellicle film. An adhesive adhesive layer 4 for adhering to the exposure disc (mask or reticle) 5 is usually formed on the lower surface of the pellicle frame 3, and a liner (not shown) is provided on the lower surface of the adhesive adhesive layer. It attaches so that peeling is possible. The pellicle frame may be provided with an air pressure adjusting hole (not shown), and a vibration damping filter (not shown) may be provided in the vent for the purpose of particle removal.

펠리클 프레임에는 지그 구멍을 형성해도 된다. 지그 구멍의 깊이 방향의 형상은 특정되지 않고, 관통조차 되지 않으면 원기둥의 선단에 테이퍼를 갖는 오목부라도 된다. You may form a jig hole in a pellicle frame. The shape of the jig hole in the depth direction is not specified, and if it is not even penetrated, it may be a recess having a taper at the tip of the cylinder.

상기 기압 조정용 구멍을 형성하는 개소의 단면 형상은 기압 조정용 필터를 부착하는 외측면이 평면인 것이 바람직하다.As for the cross-sectional shape of the location which forms the said air pressure adjustment hole, it is preferable that the outer surface which attaches the air pressure adjustment filter is flat.

본 발명의 펠리클은 마스크의 형상에 따라 적당하게 설계되는 것이지만, 통상, 펠리클 프레임의 평면 형상은 링 형상, 직사각 형상, 또는 정사각 형상이며, 마스크에 설치된 회로 패턴부를 덮는 크기와 형상을 구비하고 있다. 직사각 형상(정사각 형상을 포함함)의 펠리클 프레임의 모서리는 둥글게 처리되어 있어도 관계없다. 펠리클 프레임의 높이는 바람직하게는 약 1∼10㎜이며, 보다 바람직하게는 약2∼7㎜이다. 펠리클 프레임의 상변 및 하변은 바람직하게는 1∼5㎜이며, 보다 바람직하게는 약 2㎜인 것이 바람직하다.Although the pellicle of this invention is suitably designed according to the shape of a mask, normally, the plane shape of a pellicle frame is ring shape, rectangular shape, or square shape, and has the size and shape which cover the circuit pattern part provided in the mask. The edge of the pellicle frame of rectangular shape (including square shape) may be rounded. The height of the pellicle frame is preferably about 1 to 10 mm, more preferably about 2 to 7 mm. The upper side and the lower side of the pellicle frame are preferably 1 to 5 mm, more preferably about 2 mm.

펠리클 프레임을 구성하는 재질로서는 영률이 1∼80㎬인 재료가 바람직하고, 알루미늄, 마그네슘 합금, 합성 수지 등을 바람직하게 예시할 수 있으며, 알루미늄이 보다 바람직하게 사용된다.As a material which comprises a pellicle frame, the material whose Young's modulus is 1-80 GPa is preferable, Aluminum, magnesium alloy, a synthetic resin, etc. can be illustrated preferably, Aluminum is used more preferably.

알루미늄으로서는 종래 사용되고 있는 알루미늄 합금재가 사용될 수 있고, 바람직하게는, JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052재 등이 사용되지만 상술한 단면형상을 갖고, 펠리클 프레임으로서의 강도가 확보되는 한 특별히 제한은 없다. 펠리클 프레임 표면은 피막을 형성하기 전에 샌드블라스트나 화학연마에 의해 조면화하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서 이 프레임 표면의 조면화의 방법에 대해서는 종래 공지의 방법을 채용할 수 있다. 알루미늄 합금재에 대하여 스테인레스, 카보런덤, 글래스 비드 등에 의해 표면을 블라스트 처리하고, 또한 NaOH 등에 의해 화학연마를 행하여 표면을 조면화하는 방법이 바람직하다.As aluminum, an aluminum alloy material conventionally used can be used. Preferably, although JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052 materials, etc. are used, it does not have a restriction | limiting in particular as long as it has the cross-sectional shape mentioned above and the strength as a pellicle frame is ensured. The pellicle frame surface is preferably roughened by sandblasting or chemical polishing before forming the film. In this invention, a conventionally well-known method can be employ | adopted as the method of the roughening of this frame surface. The method of blasting the surface with stainless steel, carborundum, glass beads, etc. with respect to an aluminum alloy material, and carrying out chemical polishing with NaOH etc. is preferable.

본 발명의 펠리클 프레임은 종래 관용되고 있는 알루미늄 합금재인 JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052재 등 영률이 69㎬ 부근의 재료를 사용하는 대신에 영률이 1 이상 50㎬ 이하인 재료로 구성하는 것도 바람직하다. 영률이 상기 범위 내인 재료로서는 마그네슘 합금의 44㎬, 아크릴 수지의 3㎬, 폴리카보네이트 수지의 2.5㎬를 예시할 수 있다.The pellicle frame of the present invention is preferably composed of a material having a Young's modulus of 1 to 50 GPa instead of using a material having a Young's modulus of about 69 GPa, such as JIS A7075, JIS A6061, and JIS A5052, which are conventionally used aluminum alloys. As a material whose Young's modulus exists in the said range, 44 GPa of a magnesium alloy, 3 GPa of an acrylic resin, and 2.5 GPa of a polycarbonate resin can be illustrated.

본 발명에 있어서 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면 및/또는 펠리클막 접착면에 있어서 노광 원판 접착면 및/또는 펠리클막 접착면과 펠리클 프레임 내외측 면이 이루는 모서리부에 C모따기를 하는 것이 바람직하다.In the present invention, the C chamfering is preferably performed on the exposed original plate adhesion surface and / or the pellicle film adhesion surface of the pellicle frame and the corner portion between the exposed original plate adhesion surface and / or the pellicle film adhesion surface and the inside and outside surfaces of the pellicle frame.

평균적인 펠리클 프레임의 평탄도는 약 20∼80㎛ 정도이다. 본 발명에 있어서 펠리클 프레임의 평탄도가 80㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다.The flatness of the average pellicle frame is about 20 to 80 mu m. In the present invention, the flatness of the pellicle frame is preferably 80 µm or less.

펠리클 프레임의 평탄도가 좋으면 펠리클을 마스크에 부착했을 경우에 펠리클 프레임의 변형량을 작게 할 수 있고, 그 결과 펠리클 프레임의 변형 응력을 작게 해서 마스크의 변형을 작게 억제할 수 있다.If the flatness of the pellicle frame is good, the amount of deformation of the pellicle frame can be reduced when the pellicle is attached to the mask. As a result, the deformation stress of the pellicle frame can be reduced, and the deformation of the mask can be suppressed small.

또한, 상기 펠리클 프레임의 「평탄도」란 펠리클 프레임의 각 코너 4점과 4변의 중앙 4점의 합계 8점에 있어서 높이를 측정하고, 가상 평면을 산출하여 그 가상 평면으로부터의 각 점의 거리 중 최고점에서 최저점을 감산하여 산출한 값으로 했다.In addition, the "flatness" of the said pellicle frame is a height measurement in 8 points | pieces in total of 4 corner | corners of 4 points of a pellicle frame and 4 centers of 4 sides, a virtual plane is computed, and the distance of each point from the virtual plane is calculated. It was set as the value computed by subtracting the lowest point from the highest point.

펠리클 프레임의 평탄도는 「XY축 프로그램 스테이지를 갖는 레이저 변위계」에 의해 측정할 수 있고, 본 발명에 있어서는 자체 제작된 변위계를 사용했다.The flatness of the pellicle frame can be measured by a "laser displacement meter having an XY axis program stage", and in the present invention, a displacement meter made by itself was used.

본 발명에 있어서, 펠리클 프레임은 미광(迷光)을 흡수하기 위해서 흑색 산화 피막 및/또는 흑색 폴리머 피막을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 펠리클 프레임이 알루미늄 합금제일 경우에는 흑색 알루마이트 피막 및/또는 폴리머의 전착 도장막을 갖는 알루미늄 합금제 펠리클 프레임인 것이 특히 바람직하다.In the present invention, the pellicle frame preferably has a black oxide film and / or a black polymer film in order to absorb stray light. In the case where the pellicle frame is made of an aluminum alloy, it is particularly preferable that the pellicle frame is made of an aluminum alloy pellicle frame having a black anodized film and / or an electrodeposition coating film of a polymer.

펠리클 프레임 표면의 흑색 알루마이트 피막의 형성 방법으로서는 일반적으로 NaOH 등의 알칼리 처리욕에서 수십초 처리한 후 희황산 수용액 중에서 양극 산화를 행하고, 이어서 흑색 염색, 봉공(封孔) 처리함으로써 표면에 흑색의 산화 피막을 형성할 수 있다.As a method for forming a black aluminite film on the surface of a pellicle frame, it is generally treated in an alkali treatment bath such as NaOH for several seconds, followed by anodization in an aqueous solution of dilute sulfuric acid, followed by black dyeing and sealing to form a black oxide film on the surface. Can be formed.

또한, 폴리머 피막(폴리머 코팅)은 여러가지 방법에 의해 형성할 수 있지만 일반적으로 스프레이 도장, 정전 도장, 전착 도장 등이 예시되지만 전착 도장에 의해 폴리머 피막을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, although a polymer film (polymer coating) can be formed by various methods, although spray coating, electrostatic coating, electrodeposition coating, etc. are generally illustrated, it is preferable to form a polymer film by electrodeposition coating.

전착 도장에 대해서는 열경화형 수지나 자외선 경화형 수지의 어느 것이나 사용할 수 있다. 또한, 각각에 대하여 음이온 전착 도장, 양이온 전착 도장의 어느것이나 사용할 수 있다. 본 발명에서는 내자외선 성능도 요구되기 때문에 열경화형 수지의 음이온 전착 도장이 코팅의 안정성, 외관, 강도의 점에서 바람직하다.About electrodeposition coating, either thermosetting resin or ultraviolet curable resin can be used. In addition, either anionic electrodeposition coating or cationic electrodeposition coating can be used for each. In the present invention, since ultraviolet ray performance is also required, anion electrodeposition coating of a thermosetting resin is preferable in terms of coating stability, appearance, and strength.

본 발명의 리소그래피용 펠리클은 상기 펠리클 프레임 중 어느 하나에 있어서, 상변인 일단면에 펠리클막 접착제를 통해서 펠리클막이 장설되고, 하변인 타단면에 노광 원판 접착제를 설치함으로써 제조할 수 있다.The pellicle for lithography of the present invention can be produced in any one of the above pellicle frames by placing a pellicle film on one end face of the pellicle through a pellicle film adhesive, and providing an exposure disc adhesive on the other end face of the pellicle.

펠리클막의 종류에 대해서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 종래 엑시머 레이저용으로 사용되고 있는 비정질 불소 폴리머 등이 사용된다. 비정질 불소 폴리머의 예로서는 사이톱(아사히가라스(주)제 상품명), 테플론(등록상표)AF(듀퐁사제 상품명) 등을 들 수 있다. 이들 폴리머는 그 펠리클막 제작시에 필요에 따라서 용매에 용해해서 사용해도 좋고, 예를 들면 불소계 용매 등으로 적당하게 용해할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular about the kind of pellicle film | membrane, For example, the amorphous fluorine polymer etc. which are conventionally used for an excimer laser are used. Examples of the amorphous fluoropolymers include Cytop (trade name manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Teflon (registered trademark) AF (trade name manufactured by DuPont). These polymers may be used by dissolving them in a solvent as needed at the time of preparation of the pellicle film, and can be suitably dissolved in, for example, a fluorine-based solvent.

이어서, 도 2에 기초하여 본 발명의 펠리클 프레임의 제조 방법을 설명한다.Next, the manufacturing method of the pellicle frame of this invention is demonstrated based on FIG.

도 2에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 석영판으로 이루어지는 기반(7)에 펠리클 프레임(3)의 마스크 부착 접착층측이 접하도록 적재하고, 펠리클 프레임(3)의 펠리클막 부착용 접착층측에, 예를 들면 석영판으로 이루어지는 압박반(8)을 개재해서 하중(9)을 작용시킨다. 그리고, 본 발명의 특징인 가열 처리를 실시한다.As shown in FIG. 2, it mounts so that the adhesive layer with a mask of the pellicle frame 3 may contact | connect the base 7 which consists of quartz plates, for example, and the pellicle film adhesion layer side of the pellicle frame 3 may be, for example. For example, the load 9 is applied through the pressing panel 8 made of a quartz plate. And heat processing which is the characteristic of this invention is performed.

기반(7)의 평탄면의 평탄도는 평탄하면 할수록 바람직하지만, 실용상 5㎛ 이하인 것이 바람직하다. Although the flatness of the flat surface of the base 7 is so preferable that it is flat, it is preferable that it is 5 micrometers or less practically.

가열 처리는 펠리클 프레임을 소정 온도로 가열하는 것, 예를 들면 펠리클 프레임에 통전 가열체를 권취하거나 적외선을 조사하는 것도 가능하며, 계 전체를 소요 온도 분위기에 제공하는 것이라도 좋다.In the heat treatment, the pellicle frame may be heated to a predetermined temperature, for example, the pellicle frame may be wound with an energized heating body or irradiated with infrared rays, or the whole system may be provided in a required temperature atmosphere.

가열 처리의 온도는 140∼250℃인 것이 바람직하다.It is preferable that the temperature of heat processing is 140-250 degreeC.

펠리클 프레임의 가열 처리의 온도는 140℃ 미만에서는 처리에 장시간을 필요로 하고, 또한 250℃를 초과하면 프레임 표면에 균열이 생기거나 변색되는 경우가 있다.If the temperature of the heat treatment of the pellicle frame is less than 140 ° C, the process requires a long time, and if it exceeds 250 ° C, cracks or discoloration may occur on the surface of the frame.

압박반은 펠리클 프레임에 균일하게 압박력을 전달할 수 있는 것이면 종래 사용되어 온 것이라도 관계 없다. 질량이 0.3kg인 석영판(두께 6㎜)을 예시할 수 있다.The pressing plate may be conventionally used as long as it can transmit the pressing force uniformly to the pellicle frame. The quartz plate (thickness 6mm) whose mass is 0.3 kg can be illustrated.

펠리클 프레임에 가해지는 하중은 약 196N(20kg 중량)을 초과해도 좋지만 평탄성의 개선 효과는 그다지 커지지 않는다. 또한 하중 없이도 압박반만인 정도의 효과는 얻어지지만 처리에 장시간을 요하기 때문에 실용상 약 4.90∼약 196N(0.5∼20kg 중량)이 바람직하다.The load on the pellicle frame may exceed about 196 N (20 kg weight), but the effect of improving flatness is not so great. In addition, although the effect of the pressure half degree is obtained even without a load, about 4.90 to about 196 N (0.5 to 20 kg weight) is preferable for practical use because it requires a long time for the treatment.

하중에는 납판, 분동, 추 등, 적당한 것을 이용할 수 있다.Suitable loads such as lead plates, weights and weights can be used.

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited only to a following example.

알루미늄 합금제로 외치가 149㎜×122㎜×3.5㎜, 폭 2㎜의 펠리클 프레임을 제작했다. 또한, 펠리클 프레임의 4개의 모서리에 C모따기를 실시했다.The outer tooth produced the pellicle frame of 149 mm x 122 mm x 3.5 mm, and width 2mm made of aluminum alloy. In addition, C chamfering was performed to four corners of a pellicle frame.

(실시예 1)(Example 1)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 2kg의 추를 이용하여 하중을 가했다(도 2). 이 상태에서 185℃의 오븐 속에서 2시간 정치(靜置)했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, and the load was applied using the weight of 2 kg of mass (FIG. 2). In this state, it stood still in the oven at 185 degreeC for 2 hours. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(실시예 2)(Example 2)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 2kg의 추를 이용하여 하중을 가했다. 이 상태에서 140℃의 오븐 속에서 2시간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, and the load was applied using the weight of 2 kg of mass. It left still in 140 degreeC oven for 2 hours in this state. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(실시예 3)(Example 3)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 2kg의 추를 이용하여 하중을 가했다. 이 상태에서 250℃의 오븐 속에서 2시간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, and the load was applied using the weight of 2 kg of mass. It left still for 2 hours in 250 degreeC oven in this state. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(실시예 4)(Example 4)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 2kg의 추를 이용한 하중을 가했다. 이 상태에서 185℃의 오븐 속에서 20분간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, and the load using the weight of 2 kg of mass was applied. In this state, it was left to stand in an oven at 185 ° C for 20 minutes. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(실시예 5)(Example 5)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 2kg의 추를 이용한 하중을 가했다. 이 상태에서 185℃의 오븐 속에서 15시간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, and the load using the weight of 2 kg of mass was applied. In this state, it stood still in the oven at 185 degreeC for 15 hours. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(실시예 6)(Example 6)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 0.5kg의 추를 이용하여 하중을 가했다. 이 상태에서 185℃의 오븐 속에서 15시간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, and the load was applied using the weight of 0.5 kg of mass. In this state, it stood still in the oven at 185 degreeC for 15 hours. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(실시예 7)(Example 7)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 20kg의 추를 이용하여 하중을 가했다. 이 상태에서 185℃의 오븐 속에서 2시간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, and the load was applied using the weight of 20 kg. In this state, it was left still for 2 hours in an oven at 185 ° C. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

평탄도 3㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 2kg의 추를 이용하여 하중을 가하고 실온에서 2시간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 3 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, the load was applied using the weight of 2 kg of mass, and it left still at room temperature for 2 hours. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

평탄도 15㎛의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 질량 2kg의 추를 이용하여 하중을 가하고 185℃ 오븐 속에서 2시간 정치했다. 이 프레임의 마스크 점착제 도포면의 평탄도를 측정했다.It loaded on the quartz plate of 15 micrometers of flatness so that the side which apply | coats the mask adhesive of the said pellicle frame was contacted, the load was applied using the weight of 2 kg of mass, and it left still in 185 degreeC oven for 2 hours. The flatness of the mask adhesive application surface of this frame was measured.

이상의 측정 결과를 정리하면, 이하의 표 1에 나타내는 바와 같이 되었다.Summarizing the above measurement result, it became as shown in following Table 1.

실시예·비교예의 처리 조건과 측정 결과Processing conditions and measurement results of Examples and Comparative Examples

가열 처리 조건Heat treatment condition 평탄도 측정값Flatness measurement
석영판Quartz plate 온도Temperature 하중weight 시간time 처리 전Before treatment 처리 후After treatment 평탄도
(㎛)
flatness
(Μm)
(℃)(° C) (㎏)(Kg) (hr)(hr) (㎛)(Μm) (㎛)(Μm)
실시예 1Example 1 33 185185 22 22 2424 1212 실시예 2Example 2 33 140140 22 22 2121 1515 실시예 3Example 3 33 250250 22 22 2424 1111 실시예 4Example 4 33 185185 22 0.20.2 1919 1515 실시예 5Example 5 33 185185 22 1515 1818 99 실시예 6Example 6 33 185185 0.50.5 1515 2020 1515 실시예 7Example 7 33 185185 2020 22 2323 1010 비교예 1Comparative Example 1 33 2020 22 22 2424 2424 비교예 2Comparative Example 2 1515 185185 22 22 2323 2222

도 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 리소그래피용 펠리클(6')은 펠리클 프레임(3')의 상단면에 펠리클막 부착용 접착층(2')을 개재해서 펠리클막(1')을 장설한 것으로, 이 경우, 리소그래피용 펠리클(6')을 노광 원판(마스크 또는 레티클)(5')에 점착시키기 위한 접착용 점착층(4')이 통상 펠리클 프레임의 하단면에 형성되고, 상기 접착용 점착층의 하단면에 라이너(도시하지 않음)를 박리 가능하게 부착하여 이루어지는 것이다. 또한, 펠리클 프레임에는 도시하지 않은 기압 조정용 구멍(통기구)이 설치되고, 또한 파티클 제거의 목적으로 이 통기구에 제진용 필터(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 좋다.As shown in Fig. 3, the pellicle 6 'for lithography according to the present invention is provided with a pellicle film 1' on the upper surface of the pellicle frame 3 'via a pellicle film attachment layer 2'. In this case, an adhesive adhesive layer 4 'for sticking the pellicle 6' for lithography to the exposure disc (mask or reticle) 5 'is usually formed on the bottom surface of the pellicle frame, and the adhesive layer for adhesion It is made by detachably attaching a liner (not shown) to the bottom surface of the. The pellicle frame may be provided with an air pressure adjusting hole (not shown), and a dust removing filter (not shown) may be provided in the vent for the purpose of removing particles.

펠리클 프레임에는 지그 구멍을 형성해도 된다. 지그 구멍의 깊이 방향의 형상은 특정되지 않고, 관통조차 되지 않으면 원기둥의 선단에 테이퍼를 갖는 오목부라도 된다. You may form a jig hole in a pellicle frame. The shape of the jig hole in the depth direction is not specified, and if it is not even penetrated, it may be a recess having a taper at the tip of the cylinder.

상기 기압 조정용 구멍의 단면 형상은 기압 조정용 필터를 부착하는 외측면이 평면인 것이 바람직하다.As for the cross-sectional shape of the said air pressure adjusting hole, it is preferable that the outer surface to which the air pressure adjusting filter adheres is planar.

본 발명의 펠리클 프레임은 마스크의 형상에 따라 적당하게 설계되는 것이지만, 통상 펠리클 프레임의 평면 형상은 링 형상, 직사각 형상, 또는 정사각 형상이며, 마스크에 설치된 회로 패턴부를 덮는 크기와 형상을 구비하고 있다. 직사각 형상(정사각 형상을 포함함)의 펠리클 프레임의 모서리는 둥글게 처리되어 있어도 관계없다. Although the pellicle frame of this invention is suitably designed according to the shape of a mask, the pellicle frame has a ring shape, a rectangular shape, or a square shape normally, and has the size and shape which cover the circuit pattern part provided in the mask. The edge of the pellicle frame of rectangular shape (including square shape) may be rounded.

펠리클 프레임의 높이는 바람직하게는 약 1∼10㎜이며, 보다 바람직하게는 약 2∼7㎜이다. 펠리클 프레임의 상변 및 하변은 바람직하게는 1∼5㎜이며, 보다 바람직하게는 2㎜이다.The height of the pellicle frame is preferably about 1 to 10 mm, more preferably about 2 to 7 mm. The upper and lower sides of the pellicle frame are preferably 1 to 5 mm, more preferably 2 mm.

펠리클 프레임을 구성하는 재질로서는 영률이 1∼80㎬인 재료가 바람직하고, 알루미늄 합금, 마그네슘 합금, 합성 수지 등을 바람직하게 예시할 수 있으며, 알루미늄 합금이 보다 바람직하게 사용된다.As a material which comprises a pellicle frame, the material whose Young's modulus is 1-80 GPa is preferable, Aluminum alloy, magnesium alloy, synthetic resin, etc. can be illustrated preferably, An aluminum alloy is used more preferable.

알루미늄 합금으로서는 종래 사용되고 있는 알루미늄 합금재가 사용될 수 있고, 바람직하게는, JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052재 등이 사용되지만 상술한 단면형상을 갖고, 펠리클 프레임으로서의 강도가 확보되는 한 특별히 제한은 없다.As the aluminum alloy, an aluminum alloy material conventionally used can be used, and preferably, JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052 materials and the like are used, but as long as they have the above-described cross-sectional shape and the strength as a pellicle frame is secured, there is no particular limitation.

펠리클 프레임 표면은 피막을 형성하기 전에 샌드블라스트나 화학연마에 의해 조면화하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서 이 프레임 표면의 조면화의 방법에 대해서는 종래 공지의 방법을 채용할 수 있다. 알루미늄 합금재에 대하여 스테인레스 입자, 카보런덤, 글래스 비드 등에 의해 표면을 블라스트 처리하고, 또한 NaOH 등에 의해 화학연마를 행하여 표면을 조면화하는 방법이 바람직하다.The pellicle frame surface is preferably roughened by sandblasting or chemical polishing before forming the film. In this invention, a conventionally well-known method can be employ | adopted as the method of the roughening of this frame surface. The method of blasting the surface with stainless particles, carborundum, glass beads, etc. with respect to an aluminum alloy material, and chemical-polishing with NaOH etc., and roughening the surface is preferable.

본 발명의 펠리클 프레임은 종래부터 관용되고 있는 알루미늄 합금재인 JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052재 등 영률이 69㎬ 부근의 재료를 사용하는 대신에 영률이 1 이상 50㎬ 이하인 재료로 구성하는 것도 바람직하다. 영률이 상기 범위 내인 재료로서는 마그네슘 합금의 44㎬, 아크릴 수지의 3㎬, 폴리카보네이트 수지의 2.5㎬를 예시할 수 있다.The pellicle frame of the present invention is preferably composed of a material having a Young's modulus of 1 to 50 GPa instead of using a material having a Young's modulus of about 69 GPa, such as JIS A7075, JIS A6061, and JIS A5052, which are conventionally used aluminum alloys. . As a material whose Young's modulus exists in the said range, 44 GPa of a magnesium alloy, 3 GPa of an acrylic resin, and 2.5 GPa of a polycarbonate resin can be illustrated.

본 발명에 있어서 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면 및/또는 펠리클막 접착면에 있어서 노광 원판 접착면 및/또는 펠리클막 접착면과 펠리클 프레임 내외측 면이 이루는 모서리부에 C모따기를 하는 것이 바람직하다.In the present invention, the C chamfering is preferably performed on the exposed original plate adhesion surface and / or the pellicle film adhesion surface of the pellicle frame and the corner portion between the exposed original plate adhesion surface and / or the pellicle film adhesion surface and the inside and outside surfaces of the pellicle frame.

평균적인 펠리클 프레임의 평탄도는 약 20∼80㎛ 정도이다. 본 발명에 있어서 펠리클 프레임의 평탄도를 20㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.The flatness of the average pellicle frame is about 20 to 80 mu m. In the present invention, the flatness of the pellicle frame is preferably 20 µm or less.

펠리클 프레임의 평탄도가 좋으면 펠리클을 마스크에 부착했을 경우에 펠리클 프레임의 변형량을 작게 할 수 있고, 그 결과 펠리클 프레임의 변형 응력을 작게 해서 마스크의 변형을 작게 억제할 수 있다.If the flatness of the pellicle frame is good, the amount of deformation of the pellicle frame can be reduced when the pellicle is attached to the mask. As a result, the deformation stress of the pellicle frame can be reduced, and the deformation of the mask can be suppressed small.

또한, 상기 펠리클 프레임의 「평탄도」란 펠리클 프레임의 각 코너 4점과 4변의 중앙 4점의 합계 8점에 있어서 높이를 측정하고, 가상 평면을 산출하여 그 가상 평면으로부터의 각 점의 거리 중 최고점에서 최저점을 감산하여 산출한 값으로 했다.In addition, the "flatness" of the said pellicle frame is a height measurement in 8 points | pieces in total of 4 corner | corners of 4 points of a pellicle frame and 4 centers of 4 sides, a virtual plane is computed, and the distance of each point from the virtual plane is calculated. It was set as the value computed by subtracting the lowest point from the highest point.

펠리클 프레임의 평탄도는 「XY축 프로그램 스테이지를 갖는 레이저 변위계」에 의해 측정할 수 있고, 본 발명에 있어서는 자체 제작의 변위계를 사용했다.The flatness of the pellicle frame can be measured by a "laser displacement meter having an XY axis program stage". In the present invention, a displacement meter made by itself was used.

본 발명에 있어서, 펠리클 프레임은 미광을 흡수하기 위해서 흑색 산화 피막 및/또는 흑색 폴리머 피막을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 펠리클 프레임이 알루미늄 합금제일 경우에는 흑색 알루마이트 피막 및/또는 폴리머의 전착 도장막을 갖는 알루미늄 합금제 펠리클 프레임인 것이 특히 바람직하다.In the present invention, the pellicle frame preferably has a black oxide film and / or a black polymer film in order to absorb stray light. In the case where the pellicle frame is made of an aluminum alloy, it is particularly preferable that the pellicle frame is made of an aluminum alloy pellicle frame having a black anodized film and / or an electrodeposition coating film of a polymer.

펠리클 프레임 표면의 흑색 알루마이트 피막의 형성 방법으로서는 일반적으로 NaOH 등의 알칼리 처리욕에서 수십초 처리한 후 희황산 수용액 중에서 양극 산화를 행하고, 이어서 흑색 염색, 봉공 처리함으로써 표면에 흑색의 산화 피막을 형성할 수 있다.As a method of forming a black aluminite film on the surface of a pellicle frame, a black oxide film can be formed on the surface by performing anodization in an aqueous solution of dilute sulfuric acid after treatment for several tens of seconds in an alkali treatment bath such as NaOH, followed by black dyeing and sealing. have.

또한, 폴리머 피막(폴리머 코팅)은 여러가지 방법에 의해 형성할 수 있지만 일반적으로 스프레이 도장, 정전 도장, 전착 도장 등이 예시되고, 전착 도장에 의해 폴리머 피막을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, although a polymer film (polymer coating) can be formed by various methods, spray coating, electrostatic coating, electrodeposition coating, etc. are illustrated generally, and it is preferable to form a polymer film by electrodeposition coating.

전착 도장에 대해서는 열경화형 수지나 자외선 경화형 수지의 어느 것이나 사용할 수 있다. 또한, 각각에 대하여 음이온 전착 도장, 양이온 전착 도장의 어느것이나 사용할 수 있다. 본 발명에서는 내자외선 성능도 요구되기 때문에 열경화형 수지의 음이온 전착 도장이 코팅의 안정성, 외관, 강도의 점에서 바람직하다.About electrodeposition coating, either thermosetting resin or ultraviolet curable resin can be used. In addition, either anionic electrodeposition coating or cationic electrodeposition coating can be used for each. In the present invention, since ultraviolet ray performance is also required, anion electrodeposition coating of a thermosetting resin is preferable in terms of coating stability, appearance, and strength.

본 발명의 리소그래피용 펠리클은 상기 펠리클 프레임 중 어느 하나에 있어서, 상변인 일단면에 펠리클막 접착제를 통해서 펠리클막이 장설되고, 하변인 타단면에 노광 원판 접착제를 설치함으로써 제조할 수 있다.The pellicle for lithography of the present invention can be produced in any one of the above pellicle frames by placing a pellicle film on one end face of the pellicle through a pellicle film adhesive, and providing an exposure disc adhesive on the other end face of the pellicle.

펠리클막의 종류에 대해서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 종래 엑시머 레이저용으로 사용되고 있는 비정질 불소 폴리머 등이 사용된다. 비정질 불소 폴리머의 예로서는 사이톱(아사히가라스(주)제 상품명), 테플론(등록상표)AF(듀퐁사제 상품명) 등을 들 수 있다. 이들 폴리머는 그 펠리클막 제작시에 필요에 따라서 용매에 용해해서 사용해도 좋고, 예를 들면 불소계 용매 등으로 적당하게 용해할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular about the kind of pellicle film | membrane, For example, the amorphous fluorine polymer etc. which are conventionally used for an excimer laser are used. Examples of the amorphous fluoropolymers include Cytop (trade name manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Teflon (registered trademark) AF (trade name manufactured by DuPont). These polymers may be used by dissolving them in a solvent as needed at the time of preparation of the pellicle film, and can be suitably dissolved in, for example, a fluorine-based solvent.

가열 처리는 펠리클 프레임을 소정 온도로 가열하는 것, 예를 들면 펠리클 프레임에 통전 가열체를 권취하거나 적외선을 조사하는 것도 가능하며, 계 전체를 소요 온도 분위기에 제공하는 것이라도 좋다.In the heat treatment, the pellicle frame may be heated to a predetermined temperature, for example, the pellicle frame may be wound with an energized heating body or irradiated with infrared rays, or the whole system may be provided in a required temperature atmosphere.

가열 처리의 온도는 140∼250℃인 것이 바람직하다.It is preferable that the temperature of heat processing is 140-250 degreeC.

펠리클 프레임의 가열 처리의 온도는 140℃ 미만에서는 열 변형 억제에 대한 효과를 얻기 어렵고, 또한 250℃를 초과하면 프레임 표면에 균열이 생기거나 변색되는 경우가 있다.If the temperature of the heat treatment of the pellicle frame is less than 140 ° C, it is difficult to obtain the effect of suppressing thermal deformation, and if it exceeds 250 ° C, cracks or discoloration may occur on the surface of the frame.

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited only to a following example.

알루미늄 합금제로 평탄도가 약 15㎛, 외치가 149㎜×122㎜×3.5㎜, 폭 2㎜의 펠리클 프레임을 제작했다. 또한, 펠리클 프레임의 4개의 모서리에 C모따기를 실시했다.A pellicle frame having a flatness of about 15 μm, an outer tooth of 149 mm × 122 mm × 3.5 mm, and a width of 2 mm was made of aluminum alloy. In addition, C chamfering was performed to four corners of a pellicle frame.

(실시예 8)(Example 8)

평탄도 5㎛ 이하의 석영판(7') 상에 상기 펠리클 프레임(3')의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 또한 펠리클 프레임의 위에서 압박반으로서 석영판(8')을 얹었다(도 4). 이 상태에서 250℃의 오븐 속에서 2시간 정치하여 평탄도를 측정했다. 그 후 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 250℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 다시 평탄도를 측정했다.On the quartz plate 7 'having a flatness of 5 mu m or less, the side of applying the mask adhesive of the pellicle frame 3' was placed in contact with each other, and the quartz plate 8 'was placed as a pressing plate on the pellicle frame. (FIG. 4). In this state, it left still for 2 hours in 250 degreeC oven, and measured flatness. Thereafter, the pellicle frame was suspended in a glass jig for 20 minutes in an oven at 250 ° C., and the flatness was measured again.

(실시예 9)(Example 9)

평탄도 5㎛ 이하의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 또한 펠리클 프레임의 위에서 압박반으로서 석영판을 얹었다. 이 상태에서 185℃의 오븐 속에서 2시간 정치하여 평탄도를 측정했다. 그 후 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 250℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 다시 평탄도를 측정했다.On the quartz plate having a flatness of 5 µm or less, the side to which the mask adhesive of the pellicle frame was applied was placed in contact with each other, and the quartz plate was placed on the pellicle frame as a pressing plate. In this state, it left still in an oven at 185 degreeC for 2 hours, and measured flatness. Thereafter, the pellicle frame was suspended in a glass jig for 20 minutes in an oven at 250 ° C., and the flatness was measured again.

(실시예 10)(Example 10)

평탄도 5㎛ 이하의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 또한 펠리클 프레임의 위에서 압박반으로서 석영판을 얹었다. 이 상태에서 185℃의 오븐 속에서 2시간 정치하여 평탄도를 측정했다. 그 후 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 185℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 다시 평탄도를 측정했다.On the quartz plate having a flatness of 5 µm or less, the side to which the mask adhesive of the pellicle frame was applied was placed in contact with each other, and the quartz plate was placed on the pellicle frame as a pressing plate. In this state, it left still in an oven at 185 degreeC for 2 hours, and measured flatness. Thereafter, the pellicle frame was suspended in a glass jig for 20 minutes in an oven at 185 ° C, and the flatness was measured again.

(실시예 11)(Example 11)

평탄도 5㎛ 이하의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 또한 펠리클 프레임의 위에서 압박반으로서 석영판을 얹었다. 이 상태에서 140℃의 오븐 속에서 2시간 정치하여 평탄도를 측정했다. 그 후 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 185℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 다시 평탄도를 측정했다.On the quartz plate having a flatness of 5 µm or less, the side to which the mask adhesive of the pellicle frame was applied was placed in contact with each other, and the quartz plate was placed on the pellicle frame as a pressing plate. In this state, it left still in an oven at 140 degreeC for 2 hours, and measured flatness. Thereafter, the pellicle frame was suspended in a glass jig for 20 minutes in an oven at 185 ° C, and the flatness was measured again.

(실시예 12)(Example 12)

평탄도 5㎛ 이하의 석영판 상에 상기 펠리클 프레임의 마스크 점착제를 도포하는 측이 접하도록 적재하고, 또한 펠리클 프레임의 위에서 압박반으로서 석영판을 얹었다. 이 상태에서 140℃의 오븐 속에서 2시간 정치하여 평탄도를 측정했다. 그 후 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 140℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 다시 평탄도를 측정했다.On the quartz plate having a flatness of 5 µm or less, the side to which the mask adhesive of the pellicle frame was applied was placed in contact with each other, and the quartz plate was placed on the pellicle frame as a pressing plate. In this state, it left still in an oven at 140 degreeC for 2 hours, and measured flatness. Thereafter, the pellicle frame was suspended in a glass jig for 20 minutes in an oven at 140 ° C, and the flatness was measured again.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

상기 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 250℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 평탄도를 측정했다.The pellicle frame was left standing in a glass jig for 20 minutes in an oven at 250 ° C to measure the flatness.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

상기 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 185℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 평탄도를 측정했다.The pellicle frame was suspended in a glass jig for 20 minutes in an oven at 185 ° C to measure flatness.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

상기 펠리클 프레임을 유리 지그에 매단 상태로 140℃의 오븐 속에서 20분 정치하여 평탄도를 측정했다.The pellicle frame was left standing in a glass jig for 20 minutes in an oven at 140 ° C to measure the flatness.

이상의 측정 결과를 정리하면, 이하의 표 2에 나타내는 바와 같이 되었다.Summarizing the above measurement result, it became as shown in following Table 2.


사전 가열
처리 온도(℃)
Pre-heating
Treatment temperature (℃)
재가열
온도(℃)
Reheat
Temperature (℃)
평탄도(㎛)Flatness (㎛)
가열 전Before heating 가열 후After heating 실시예 8Example 8 250250 250250 1414 1616 실시예 9Example 9 185185 250250 1515 1616 실시예 10Example 10 185185 185185 1515 1515 실시예 11Example 11 140140 185185 1717 2020 실시예 12Example 12 140140 140140 1515 1717 비교예 3Comparative Example 3 미처리Untreated 250250 1616 7979 비교예 4Comparative Example 4 미처리Untreated 185185 1515 4848 비교예 5Comparative Example 5 미처리Untreated 140140 1616 3131

1 : 펠리클막 2 : 접착층
3 : 펠리클 프레임 4 : 접착용 점착층
5 : 노광 원판 6 : 펠리클
7 : 기반(석영판) 8 : 압박반(석영판)
9 : 하중
1' : 펠리클막 2' : (펠리클막 부착용)접착층
3' : 펠리클 프레임
4' : (노광 원판에 점착시키기 위한)접착용 점착층
5' : 노광 원판(마스크 또는 레티클) 6' : 펠리클
7' : 기반(석영판) 8' : 압박반(석영판)
1: pellicle film 2: adhesive layer
3: pellicle frame 4: adhesive layer for adhesion
5: exposure disc 6: pellicle
7: Base (quartz) 8: Compression panel (quartz)
9: load
1 ': pellicle film 2': (for pellicle film adhesion) adhesive layer
3 ': pellicle frame
4 ': adhesive layer for adhesion (to adhere to the exposure disc)
5 ': exposure disc (mask or reticle) 6': pellicle
7 ': Base (quartz) 8': Press panel (quartz)

Claims (6)

평탄면 상에 설치한 펠리클 프레임을 가열 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.A method for producing a pellicle, comprising the step of heating the pellicle frame provided on a flat surface. 제 1 항에 있어서,
평탄면 상에 설치한 펠리클 프레임에 하중을 가한 상태에서 가열 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
The method of claim 1,
A process for producing a pellicle, comprising the step of performing heat treatment in a state where a load is applied to a pellicle frame provided on a flat surface.
제 2 항에 있어서,
상기 하중은 약 4.90∼약 196N(0.5∼20kg 중량)인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
The method of claim 2,
And the load is about 4.90 to about 196 N (0.5 to 20 kg weight).
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열 처리의 온도는 140∼250℃인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The temperature of the said heat processing is 140-250 degreeC, The manufacturing method of the pellicle characterized by the above-mentioned.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
영률이 1∼80㎬인 재료로 구성된 펠리클 프레임을 사용하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 4,
A method for producing a pellicle, wherein a pellicle frame composed of a material having a Young's modulus of 1 to 80 GPa is used.
제 5 항에 있어서,
알루미늄 합금으로 구성된 펠리클 프레임을 사용하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법.
The method of claim 5, wherein
A pellicle manufacturing method characterized by using a pellicle frame composed of an aluminum alloy.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140123891A (en) * 2013-04-15 2014-10-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 A pellicle frame and a pellicle with this
WO2016171514A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 한양대학교에리카산학협력단 Pellicle and manufacturing method therefor

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5847474B2 (en) * 2011-07-22 2016-01-20 キヤノン株式会社 Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
CN111580339A (en) * 2012-03-21 2020-08-25 旭化成株式会社 Pellicle, pellicle frame, and method for manufacturing pellicle
JP5749680B2 (en) * 2012-04-26 2015-07-15 信越化学工業株式会社 Pellicle
US9599889B2 (en) 2012-07-17 2017-03-21 Nippon Light Metal Company, Ltd. Method for manufacturing support frame for pellicle, support frame for pellicle, and pellicle
JP5950467B2 (en) * 2013-09-24 2016-07-13 信越化学工業株式会社 Pellicle
US9581897B2 (en) 2013-10-23 2017-02-28 Nippon Light Metal Company, Ltd. Pellicle frame and process for producing same
CN114872315A (en) * 2022-06-13 2022-08-09 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 Method for protecting film

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970005713B1 (en) * 1992-07-31 1997-04-19 Nec Kk Process for correcting warped surface of plastic encapsulated semiconductor device
JPH10509989A (en) * 1994-09-22 1998-09-29 マイクロ リソグラフィー, インコーポレイテッド Method of bonding optical pellicle film to frame
JP2004004998A (en) * 1994-10-07 2004-01-08 Watanabe Shoko:Kk Reticle
KR100441349B1 (en) * 1995-07-05 2004-10-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Frame-supported pellicle for photomask protection
JP2007035336A (en) * 2005-07-25 2007-02-08 Hitachi Metals Ltd Manufacturing method of metallic frame for vapor deposition mask
KR20080023627A (en) * 2006-09-11 2008-03-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Pellicle for lithography
JP2009025562A (en) * 2007-07-19 2009-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle frame

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3027073B2 (en) * 1993-07-28 2000-03-27 信越化学工業株式会社 Pellicle
US5769984A (en) 1997-02-10 1998-06-23 Micro Lithography, Inc. Optical pellicle adhesion system
JP4202554B2 (en) * 1999-09-24 2008-12-24 信越化学工業株式会社 Pellicle for semiconductor lithography
JP2003222990A (en) 2001-11-21 2003-08-08 Asahi Glass Co Ltd Loading structure of photomask with pellicle
US7316869B2 (en) * 2003-08-26 2008-01-08 Intel Corporation Mounting a pellicle to a frame
US7355680B2 (en) * 2005-01-05 2008-04-08 International Business Machines Corporation Method for adjusting lithographic mask flatness using thermally induced pellicle stress
CN100484704C (en) * 2006-04-19 2009-05-06 高力热处理工业股份有限公司 Method for manufacturing steel floor used in dustless room
JP2007333910A (en) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle
JP2008256925A (en) * 2007-04-04 2008-10-23 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle
JP2009003111A (en) 2007-06-20 2009-01-08 Kobelco Kaken:Kk Pellicle frame
JP4931717B2 (en) * 2007-07-19 2012-05-16 信越化学工業株式会社 Manufacturing method of pellicle for lithography
JP5134418B2 (en) * 2008-04-01 2013-01-30 信越化学工業株式会社 Pellicle for lithography
JP5411596B2 (en) 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 Pellicle frame and lithography pellicle
JP4889778B2 (en) 2009-10-02 2012-03-07 信越化学工業株式会社 Pellicle manufacturing method and lithography pellicle

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970005713B1 (en) * 1992-07-31 1997-04-19 Nec Kk Process for correcting warped surface of plastic encapsulated semiconductor device
JPH10509989A (en) * 1994-09-22 1998-09-29 マイクロ リソグラフィー, インコーポレイテッド Method of bonding optical pellicle film to frame
JP2004004998A (en) * 1994-10-07 2004-01-08 Watanabe Shoko:Kk Reticle
KR100441349B1 (en) * 1995-07-05 2004-10-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Frame-supported pellicle for photomask protection
JP2007035336A (en) * 2005-07-25 2007-02-08 Hitachi Metals Ltd Manufacturing method of metallic frame for vapor deposition mask
KR20080023627A (en) * 2006-09-11 2008-03-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Pellicle for lithography
JP2009025562A (en) * 2007-07-19 2009-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd Pellicle frame

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140123891A (en) * 2013-04-15 2014-10-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 A pellicle frame and a pellicle with this
WO2016171514A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 한양대학교에리카산학협력단 Pellicle and manufacturing method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
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TW201113636A (en) 2011-04-16
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US20110081604A1 (en) 2011-04-07
CN102033421A (en) 2011-04-27
EP2306240A3 (en) 2014-01-01
US8293433B2 (en) 2012-10-23

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Effective date: 20181026

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant