KR20110036569A - 마이크로캔틸레버 및 그 제조 방법과 실리콘 박막 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

응력 구배 완화 및 표면 저항 감소를 위한 마이크로메카니컬 구조체의 실리콘 박막 제조 방법이 개시된다. 실리콘 박막 위에 Cu-박막을 증착하고, 노열처리를 수행하여, 실리콘 박막 표면에서 Cu-실리사이드화를 일으킨다. 실리콘 박막은 상부 표면에 Cu-실리사이드를 포함한다.

Description

마이크로캔틸레버 및 그 제조 방법과 실리콘 박막 및 그 제조방법{MICRO CANTILEVER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SILICON THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
마이크로메카닉에 관한 것이다.
저압 화학기상증착 (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD) 폴리실리콘 박막은 우수한 기계적 특성으로 인해 마이크로메카니컬 구조체를 형성하는데 자주 사용된다. LPCVD 폴리실리콘 박막은 단순 저항, MOS 트랜지스터의 게이트, 동적 랜덤 액세스 메모리 셀 플레이트 및 표면 마이크로머시닝 MEMS 장치에 또한 응용가능하다.
그러나, 폴리실리콘은 높은 잔류 응력 구배 및 높은 저항성을 갖는다는 단점을 가지고 있다. MEMS 기기의 제작에서 대부분의 실리콘 박막은 열팽창 계수의 차이, 비균일 소성 변형, 격자의 부적절한 배열, 불균일한 성장 조건 등에 기인하여 잔류 응력을 가지게 된다. 잔류 응력이란 외부력 및 열 구배 등과 같은 압박의 본래 원인이 제거된 후에도 물체에 남아 있는 응력으로서, 일반적으로 박막으로 이루어진 미소구조물은 잔류 응력에 의해 영향을 받게 되어, 의도된 구조물의 모양과는 다르게 변이되는 경우가 많다.
특히, 미세전기기계시스템(MEMS) 기술 중 실리콘 미세가공 기술의 발달로 극도로 미세한 변위의 측정이 가능한 마이크로캔틸레버의 제작이 가능해져, 원자현미경의 탐침으로 사용되고 있으며 최근에는 물리, 화학 및 생체학 센서로서의 응용이 활발하게 이루어지고 있으나, 캔틸레버의 모양 변이를 통제하지 못하는 경우, 정밀한 측정이 불가능해진다.
예를 들어, 마이크로캔틸레버가 양의 잔류 응력 구배를 갖게 되면, 상대적으로 캔틸레버의 윗면에는 인장 응력이 생기고, 아랫면에는 압축 응력이 생겨서, 캔틸레버는 기판으로부터 멀어지는 방향으로 모양이 변하게 된다. 인장 응력이 과도하게 커지는 경우에는, 박막에 균열이 생기거나, 층간 분리가 발생할 수도 있으며, 압축 응력이 과도하게 커지는 경우에는, 좌굴 (buckling) 이 발생할 수도 있다. 따라서, 이러한 잔류 응력을 완화하는 것은 실리콘 박막의 제조에 있어서 주요한 과제 중 하나이며, 이러한 과제에 대한 연구는 발명의 명칭이 "변형과 관련된 응력을 최소화하도록 구성된 지지 구조들을 가진 MEMS 장치와 그 제조방법" 인 한국특허공개공보 제 2008-0055851 호에 개시되어 있다.
또한, 박막의 높은 표면 저항성은 마이크로메카니컬 구조체의 구성요소로서 기능을 수행하는데 장애가 되므로, 박막의 표면 저항성을 감소시키는 것이 중요한 과제가 되고 있다.
실리콘 박막의 응력 구배 완화를 위해서는 일반적으로 노열처리 (furnace annealing) 를 이용할 수 있다. 노열처리는 박막을 고온에서 장기간 노출시킴으로써 결정의 재배열과정을 통해 박막의 잔류 응력을 해소시킨다. 실제로, LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) 다결정 실리콘의 압축 응력은 열처리 온도를 높임에 따라 감소하게 된다.
실리콘 박막의 잔류 응력 및 응력 구배를 해소하기 위한 다른 방법으로서, RTA (Rapid Thermal Annealing) 를 이용할 수 있다. RTA 는 노열처리와는 달리 고온에 수십초간 박막을 노출시켜 잔류 응력을 해소하는 방법이다. 실제로, 다결정 실리콘의 압축 응력은 RTA 열처리 시간을 늘리거나 열처리 온도를 높임에 따라 감소하게 된다. 증착시의 온도보다 더 높은 온도로 열처리를 하면 폴리실리콘 박막의 잔류 응력을 감소시킬 수 있다.
박막의 표면 저항은 일반적으로 높은 농도의 이온주입 과정 및 열처리를 이용하여 감소할 수 있다. 그러나, 약 1020 cm- 3 의 매우 높은 도핑에서도 저항성은 애플리케이션에 대해 여전히 높을 수 있다. 또한, 통상적인 노열처리, 즉 고온에서 오랜 시간 처리하는 것은 낮은 녹는점을 갖는 전기 회로의 집적 시스템에는 사용하기가 힘들다.
실리콘 박막에 금속 실리사이드를 도입할 수 있다. 금속 실리사이드는 낮은 저항성 (수십 μΩ-cm), 낮은 접촉 저항, 선택적인 에칭을 통한 자기-정렬 형태의 능력, 그리고 탄성적인 성질 등의 특성을 가지고 있다. 이러한 특성들은 마이크로메카니컬 구조체에 응용될 수 있다.
도 1 은 양의 응력 구배를 갖는 통상의 캔틸레버를 도시한다.
도 2 는 양의 응력 구배를 받는 캔틸레버 및 Cu-실리사이드화를 통한 캔틸레버의 응력 구배의 완화 메커니즘을 도시한다.
도 3 은 Cu-실리사이드화를 이용한 캔틸레버 제조 과정의 다른 실시예를 도시한다.
도 4 는 캔틸레버 구조체가 양의 응력 구배를 갖는 경우와 음의 응력 구배를 갖는 경우에 응력 구배 완화를 위한 방법의 실시예를 도시한다.
특히, Cu-실리사이드는 폴리실리콘 마이크로머시닝에서의 전기적 성질이 우수하고, Cu-실리사이드화 공정으로부터 생성되는 빌트-업 응력을 통해 응력 구배의 로우-서말-버짓 제어가 가능하다. 또한, Cu-실리사이드의 실리사이드화 온도는 다른 금속 실리사이드의 실리사이드화 온도보다 낮고 (약 200 ℃), Cu3Si 가 우세한 상태를 용이하게 형성할 수 있으며, 이를 통해 상당한 크기의 압축 잔류 응력을 생성할 수 있다.
일 실시예로서, 응력 구배가 완화되고 낮은 저항성을 갖는 마이크로캔틸레버를 제작하기 위해서는 기판을 준비하는 공정, 기판상에 희생층을 증착하는 공정, 희생층 일부를 제거하도록 식각하는 공정, 희생층 일부가 제거되어 노출된 기판 부분 및 희생층상에 캔틸레버 구조층을 증착하는 공정, 캔틸레버 구조층상에 Cu-박막을 증착하는 공정, Cu-박막에 노열처리를 수행하여 캔틸레버 구조층에 Cu-실리사이드를 형성하는 공정, 및 희생층을 제거하는 공정을 통해 마이크로캔틸레버를 제조할 수 있다.
다른 실시예에서는 캔틸레버 구조층을 식각한 후 상기 Cu-박막을 증착하기 전에, 불화플루오를화수소 수용액을 이용하여 상기 캔틸레버 구조층상의 자연 산화물을 제거하는 공정을 더 포함할 수도 있다.
다른 실시예에서는 노열처리 후 희생층 제거 전에 반응하지 않고 남아있는 Cu 를 제거하는 공정을 더 포함할 수도 있다.
다른 실시예에서는 Cu-실리사이드화를 이용한 캔틸레버 장치로서 기판 및 기판 상부에 형성되고, 기판 상측에서 외측으로 연장되어, 기판으로부터 부상되어 있는 캔틸레버부를 포함하고, 캔틸레버부의 상부 표면은 Cu-실리사이드로 이루어진, 마이크로캔틸레버를 구현할 수도 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 기술의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 기술은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 기술의 개시가 완전하도록 하며, 본 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 기술의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 실제와는 상이할 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 기술의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 장치 또는 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 기술의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다. 이하, 일 실시예에 따른 마이크로캔틸레버 제조 방법을 LPCVD 폴리실리콘 막의 캔틸레버를 예로 들어 도면을 참조하며 설명한다.
도 1 은 열팽창 계수의 차이, 비균일 소성 변형, 격자의 부적절한 배열, 불균일한 성장 조건 등으로 인해 생긴 잔류 응력에 따라 모양이 변이된 통상의 마이크로 구조체를 도시한다. 도 1 에서는 양의 응력 구배를 갖는 캔틸레버를 도시하고 있다. 양의 응력 구배를 갖는 캔틸레버의 윗면에는 인장 응력이 생기고, 캔틸레버의 아랫면에는 압축 응력이 생겨서, 캔틸레버는 기판으로부터 멀어지는 방향으로 굽게된다.
도 2 에서는 양의 응력 구배를 갖는 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 와 Cu-박막 (30) 을 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 에 증착하고 실리사이드화함으로써 응력 구배를 완화시키는 과정을 도시하고 있다. 도 2(a) 의 좌측에 도시된 바와 같이 양의 응력 구배를 갖는 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 는 기판 (10) 에서 멀어지는 방향으로 굽어 있다. 이러한, 구부러짐은 도 2(a) 의 우측의 캔틸레버 (20) 의 응력 분포도에서 보여지는 바와 같이 캔틸레버 (20) 의 하부에는 압축 응력을 가지고, 상부에는 인장 응력을 가짐으로써 발생하는 것이다.
이러한 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 위에 도 2(b) 에 도시된 바와 같이 Cu-박막 (30) 을 증착한다. 일 실시예에서, Cu-박막 (30) 은 약 90 nm 정도의 두께로 증착될 수 있으며, Cu-박막 (30) 의 증착시, 산소 오염을 방지하기 위해서 충분히 낮은 압력, 예를 들어 5.0 x 10-6 torr 의 증착 압력으로 열 증발증착 (Thermal Evaporator) 을 사용하여 Cu-박막 (30) 을 증착할 수도 있으나, 이와 같은 두께 및 압력에 제한되지는 않는다. Cu-박막 (30) 이 증착된 후에는 노열처리를 수행하여, Cu-실리사이드화를 진행할 수 있다. Cu-박막 (30) 의 실리사이드화를 위한 온도는 다른 금속 실리사이드의 실리사이드화 온도보다 저온으로서 약 200 ℃ 정도에서도 노열처리를 할 수 있다. Cu-실리사이드 (40) 가 형성된 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 는 도 2(c) 의 상단부에 도시된 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 와 같이 평탄성을 회복할 수 있다. 도 2(c) 의 하단부에서는 Cu-실리사이드화 이전의 양의 응력 구배를 갖던 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 상부의 인장 응력이 Cu-실리사이드화에 따른 압축 응력의 빌트-업 응력과 상쇄됨으로써 평탄화된 캔틸레버 (20) 가 갖는 응력 분포를 도시하고 있다. Cu-실리사이드화에 따라 생기는 빌트-업 응력은 실리사이드화 온도에 따라 조절될 수 있다. 따라서, 실리사이드화 온도를 조정함으로써 캔틸레버 (20) 의 모양 변이를 감소시키는 것이 가능하게 된다. 도 2(a) 에서 개시된 경우 이외에, 캔틸레버가 음의 응력 구배를 갖는 경우에는 캔틸레버의 하부에 Cu-박막을 증착하고, 온도를 조절하며 노열처리를 수행함으로써, 휘어진 캔틸레버를 평탄화시킬 수도 있다.
Cu-박막을 이용하는 경우에는, 실리사이드화 온도가 다른 금속에 비해 저온이기 때문에, 집적 회로에 가해지는 손상이 적을 수 있으며, Cu 의 낮은 저항성으로 인해 표면 저항을 감소시킬 수도 있다. Cu-실리사이드화 이후에는 폴리실리콘 캔틸레버 (20) 와 반응하지 않은 Cu 및 산화 Cu 가 캔틸레버의 표면 위에 남아있을 수 있으므로, Cu 식각액 등을 통하여 선택적으로 제거할 수 있다. 일 예로서, Cu 식각액은 황산, 과산화수소, 탈이온화수가 1:23:2000 으로 혼합된 용액일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 또한, 이러한 Cu 및 산화 Cu 의 제거는 당업계에 주지된 다른 방법들을 이용할 수 있다.
도 3 은 Cu-실리사이드화를 이용한 캔틸레버의 제조 방법의 다른 실시예이다. 먼저, 실리콘 기판 (110) 을 준비한다. 실리콘 기판 (110) 상에는 약 200 nm 두께의 LPCVD Si3N4 이 절연층 (120) 으로서 증착되어 있을 수 있다. 도 3(a) 에 도시된 바와 같이 절연층 (120) 상에는 2 ㎛ 두께의 테트라에틸오소실레인 (Tetraethylorthosilane; TEOS) 막을 희생층 (130) 으로서 증착시킬 수 있다. 도 3(b) 에서는 희생층 (130) 중 외측 방향 말단의 일부를 식각시키는 공정을 도시한다. 식각으로 인해 노출된 절연층 (120) 과 희생층 (130) 상에는, 도 3(c) 에서 도시된 바와 같이, 2 ㎛ 두께의 LPCVD 폴리실리콘이 캔틸레버 구조층 (140) 으로서 고온의 노열처리와 같은 공정 없이 증착될 수 있다. 캔틸레버 형상을 만들기 위해, 캔틸레버 구조층 (140) 에 유도성 결합 플라즈마 (inductively coupled plasma; ICP) 식각을 사용하여 희생층 (130) 상의 캔틸레버 구조층의 외측 방향 말단의 일부를 식각하여 제거할 수도 있다. 외부 대기에 접촉하는 경우 캔틸레버 구조층 (140) 위에 자연 산화막이 발생할 수 있으므로, 캔틸레버 구조층 (140) 이 형성된 기판을 불화플루오를화수소 수용액에 담금으로써 캔틸레버 구조층 상의 자연 산화막을 제거할 수 있다. 산화막이 제거된 후에는, 도 3(d) 에서 도시된 바와 같이, 약 90 nm 두께 정도의 Cu-박막 (150) 을 산소 오염을 방지하기 위해서 충분히 낮은 압력, 예를 들어 5.0 x 10-6 torr 의 증착 압력으로 열 증발증착 (Thermal Evaporator) 을 사용하여 캔틸레버 구조층 (140) 위에 증착시킬 수 있다. 상술된 압력 및 두께는 실시예를 설명하기 위해 선택된 것일 뿐이며, 개시되는 기술은 상술된 두께 및 압력에 제한되지는 않는다. Cu-박막 (150) 의 증착 후에는, 도 3(e) 에서 도시된 바와 같이, Cu-실리사이드 (160) 를 형성하기 위해 노열처리가 수행될 수 있다. 실리사이드화 이전에 양의 응력 구배를 갖는 캔틸레버의 하부는 압축 응력을 가지고 있고, 상부는 인장 응력을 가지고 있는데, 노열처리로 인해 생성되는 Cu3Si 의 생장으로 인해 캔틸레버의 상부에 큰 압축 응력이 발생되고, Cu3Si 의 형성으로 인한 빌트-업 압축 응력은 이러한 인장 응력을 감쇄할 수 있다. 따라서, 노열처리에서 가열온도를 조절함으로써 실리사이드화의 정도를 조절할 수 있고, 이를 통해 응력이 0 인 상태를 제어할 수 있다. 노열처리는 약 200 ℃ 이하의 저온에서 뿐만 아니라, 이보다 높은 온도, 예를 들어, 약 500 ~ 700 ℃ 에서도 가능하다. Cu-실리사이드의 형성 및 성장으로 인한 응력의 효과는 연속적인 웨이퍼-커브 측정을 사용하여 조사될 수 있다. 전술한 바와 같이, Cu 를 사용하는 경우 낮은 온도에서 실리사이드화가 이루어질 수 있어 로우-서말-버짓 제어가 가능할 수 있다. 또한, Cu-실리사이드을 사용하는 경우, Cu-실리사이드화는 단상변화를 하므로, 실리사이드화를 제어하는 것이 보다 용이하다. 또한, Cu 는 낮은 저항 및 우수한 일렉트로마이그레이션 특성을 가질 수 있어, Cu-실리사이드화를 통해 캔틸레버는 낮은 표면 저항 (약 0.5 μΩ-cm 내지 1 μΩ-cm) 을 가지게 된다. 이러한 낮은 표면 저항은 캔틸레버로 하여금 폴리실리콘 마이크로머시닝에 있어서 적합한 전기적 특성을 갖게 한다.
노열처리 후에도 반응하지 않은 Cu 또는 Cu-산화물이 남아 있을 수 있으므로, Cu 식각액 등을 사용하여 캔틸레버 구조층 (140) 표면에서 선택적으로 잔여물을 제거할 수 있다. 이후에, 기판을 불화플루오르 산성 수용액에 담그고, 희생층 (130) 인 TEOS 층을 제거할 수 있다. 이러한 희생층 (130) 의 제거는 당업계에 주지된 방법들을 이용할 수 있다. 희생층 (130) 이 제거됨에 따라, 도 3(f) 에서 도시된 바와 같이, 캔틸레버 구조층 (140) 은 실리콘 기판 (110) 상측에서 외측으로 연장되어, 그 일부가 실리콘 기판 (110) 으로부터 부상되어 있게 될 수 있다.
도 4 는 캔틸레버 구조체가 양의 응력 구배를 갖는 경우와 음의 응력 구배를 갖는 경우에 응력 구배 완화를 위한 방법의 실시예를 도시한다. 일 예에서, 캔틸레버 구조체는 지지층 (210), 절연층 (220) 및 캔틸레버층 (230) 으로 구성될 수 있다. 먼저, 도 4(a) 는 캔틸레버층 (230) 이 양의 응력 구배를 갖는 경우로서, 즉, 캔틸레버층 (230) 이 지지층 (210) 으로부터 멀어지도록 휘어지는 경우에는, 캔틸레버층 (230) 의 표면 중 지지층 (210) 과 반대 방향의 표면에 Cu-박막 (240) 을 증착할 수 있다. 이후, Cu-박막 (240) 에 노열처리를 수행할 수 있으며, 노열처리 온도는 약 300 ℃ 이하일 수 있고, 약 200 ℃ 이하에서 유지될 수도 있다. 다만, 노열처리 온도는 상술된 범위로 제한되는 것은 아니며, 보다 높은 온도의 범위에서 선택될 수도 있다. 노열처리를 통해 Cu-박막 (240) 및 캔틸레버층 (230) 이 반응하여 Cu-실리사이드 (250) 가 형성되고, 도 2 에서 설명한 바와 같이 응력 구배가 완화되어 지지층 (210) 으로부터 멀어지도록 휘어졌던 캔틸레버층 (230) 의 평탄성을 회복할 수 있다.
도 4(b) 의 경우와 같이 캔틸레버층 (230) 이 음의 응력 구배를 갖는 경우, 즉, 캔틸레버층 (230) 이 지지층 (210) 에 가까워지도록 휘어지는 경우에는, 캔틸레버층 (230) 의 표면 중 지지층 (210) 방향의 표면에 Cu-박막 (240) 을 증착할 수 있다. 이후, Cu-박막 (240) 에 노열처리를 수행할 수 있으며, 노열처리 온도는 약 300 ℃ 이하일 수도 있고, 약 200 ℃ 이하로 유지될 수도 있다. 노열처리를 통해 Cu-박막 (240) 및 캔틸레버층 (230) 이 반응하여 Cu-실리사이드 (250) 가 형성되고, 도 2 에서 설명한 바와 같은 원리에 따라 응력 구배가 완화되어 지지층 (210) 에 가까워지도록 휘어졌던 캔틸레버층 (230) 의 평탄성을 회복할 수 있다. 따라서, 캔틸레버 구조체의 제작자는 캔틸레버의 다양한 모양 변이에 보다 적합한 방법을 선택하여 캔틸레버 구조체를 원하는 모양으로 회복시킬 수 있다.
한편, 본 실시예는 실리콘 박막 중 캔틸레버 구조를 예로 들어 설명하였으나, 상술된 설명은 Cu-실리사이드화를 통해 얻어지는 표면 저항 감소 및 응력 구배 완화를 보여주는 일 실시예로서 캔틸레버 구조를 예시하였을 뿐, 본 출원의 기술은 다른 실리콘 박막에도 응용가능하고, 단지 캔틸레버 구조에만 제한되는 것은 아니다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 설명하였지만, 본 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 기술의 기술적 사상이나 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 전술한 실시예들은 본 명세서에 개시된 사상에 따라 배열 및 세부에서 변형될 수 있다. 예를 들면, 캔틸레버 구조체의 물질은 폴리실리콘에 한정되지 않으며, 다양한 구조층, 절연층 등은 특정 물질에 한정되지는 않는다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 개시된 기재로부터의 형식적인 변경 및 변형은 다음의 청구항의 범위 내에 속하는 것으로 고려된다.

Claims (6)

  1. 박막을 포함하는 마이크로메카니컬 구조체의 제조 방법으로서,
    상기 박막 위에 Cu-박막을 증착하는 공정; 및
    상기 Cu-박막에 노열 처리를 수행하여, 상기 박막 표면을 Cu-실리사이드화하는 공정을 포함하고,
    상기 노열 처리 온도는 200 ℃ 이하인, 마이크로메카니컬 구조체 제조 방법.
  2. 캔틸레버 구조층이 형성된 기판을 준비하는 공정;
    상기 캔틸레버 구조층 상에 Cu-박막을 증착하는 공정;
    상기 Cu-박막에 노열처리를 수행하여, 상기 캔틸레버 구조층 상에 Cu-실리사이드를 형성하는 공정을 포함하고
    상기 노열 처리 온도는 200 ℃ 이하인, 마이크로캔틸레버 제조 방법.
  3. 기판을 준비하는 공정;
    상기 기판상에 희생층을 증착하는 공정;
    상기 희생층의 일부를 제거하도록 상기 희생층을 식각하는 공정;
    상기 희생층의 일부가 제거되어 노출된 상기 기판 부분 및 상기 희생층상에 캔틸레버 구조층을 증착하는 공정;
    상기 캔틸레버 구조층상에 Cu-박막을 증착하는 공정;
    상기 Cu-박막에 노열처리를 수행하여 상기 캔틸레버 구조층에 Cu-실리사이드를 형성하는 공정; 및
    상기 희생층을 제거하는 공정을 포함하고,
    상기 노열 처리 온도는 200 ℃ 이하인, 마이크로캔틸레버 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 캔틸레버 구조층을 증착한 후, 상기 Cu-박막을 증착하기 전에, 불화플루오를화수소 수용액을 이용하여 상기 캔틸레버 구조층상의 자연 산화물을 제거하는 공정을 더 포함하는, 마이크로캔틸레버 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 희생층을 제거하는 공정 전에, 실리사이드화 되지 않고 남아있는 Cu 및 Cu-산화물을 제거하는 공정을 더 포함하는, 마이크로캔틸레버 제조 방법.
  6. 지지층 및 캔틸레버 층을 갖는 기판 구조체 상에 박막을 형성하는 방법으로서,
    상기 방법은,
    상기 지지층 상에 희생층을 증착하는 공정;
    상기 기판 구조체를 형성하기 위해 상기 희생층의 적어도 일부를 식각하는 공정;
    상기 캔틸레버 층이 상기 지지층으로부터 멀어지는 방향으로 휘어진 경우에는, 상기 지지층과 반대방향의 캔틸레버층 표면에 Cu-박막을 증착하고, 상기 캔틸레버 층이 상기 지지층의 방향으로 휘어진 경우에는, 상기 지지층의 방향의 캔틸레버층 표면에 Cu-박막을 증착하는 공정;
    플루오르화수소산으로 상기 기판 구조체를 처리하는 공정;
    약 200 ℃ 이하의 온도로 상기 기판 구조체를 처리하는 공정; 및
    실리사이드화 되지 않은 Cu 또는 Cu-산화물을 제거하는 공정을 포함하는, 박막 형성 방법.
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