KR20110034905A - Advanced probe pin - Google Patents
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Abstract
Description
반도체소자 검사장치로 사용되는 프로브카드의 프로브핀 구조와 프로브핀의 교체작업을 용이하게 함과 아울러 다양한 정열판 조합으로 정열판에 프로브핀을 정밀하고 용이하게 조립할 수 있도록 한 웨이퍼검사용 프로브핀에 관한 것이다.It is easy to replace the probe pin structure and probe pin of the probe card used as the semiconductor device inspection device, and it is possible to install the probe pin on the alignment plate with various combination of alignment plates. It is about.
프로브카드는 웨이퍼상에 구현된 반도체칩을 EDS(Electrical Die Sorting)공정을 거쳐서 정상 칩과 불량 칩으로 선별하여 정상 칩 만이 패키징 되는 것이다.The probe card is a semiconductor chip implemented on the wafer through the EDS (Electrical Die Sorting) process to sort the normal chip and bad chip only the normal chip is packaged.
최근에 반도체칩은 회로가공선폭은 나노기술가공으로 협피치화(Fine Pitch)되어 초고집적화 되어 감에 따라 전극패드의 수가 증가하여 이를 검사할 수 있는 수 만핀이 조립되는 프로브카드가 요구되고 있다.Recently, as semiconductor chips have a narrow pitch (fine pitch) due to nanotechnology processing, the number of electrode pads increases and a probe card is assembled with tens of thousands of pins.
또한, 반도체칩의 통전전극패드 사이즈도 가로 60um 세로 60um 이하로 점점 축소화가 진행되어가고 있다.In addition, the size of the conducting electrode pad of the semiconductor chip is gradually being reduced to less than 60um width 60um length.
이에따라, 프로브핀의 X축,Y축의 포지션 정렬이 더욱 정밀하고 Z축 평탄도는 허용은 더욱 미세한 프로브카드를 조립하여야 한다.Accordingly, the probe card should be assembled with more precise position alignment of the X and Y axes of the probe pin and the finer the Z axis flatness.
예컨대, 1장의 12인치 웨이퍼상의 반도체칩 전체를 동시에 검사할 수 있는 반도체칩은 메모리소자일 경우 수 백개의 칩이 배열되어 있는 것으로서 이를 한번 에 검사할수 있는 프로브카드의 프로브핀의 수는 수 만개가 조립되는 것이다.For example, a semiconductor chip that can simultaneously inspect an entire semiconductor chip on a single 12-inch wafer has hundreds of chips arranged in a memory device. The number of probe pins of a probe card that can be inspected at a time is tens of thousands. It is assembled.
웨이퍼 사이즈는 대구경화 되여 프로브카드도 대형화 되여 프로버 장비에 장착에 어려움이 있고 장착된 프로브카드는 웨이퍼칩 검사시 프로버 장비상 에서 장착기울기가 있어 장비상에서 발생되어진 기울기는 프로브카드의 검사헤드가 웨이퍼에 접촉시 순간기울기에 프로브헤드는 좌측과 우측 중 어느 한편이 웨이퍼에 먼저 접촉된다.The wafer size is large and the probe card is enlarged, which makes it difficult to attach to the prober equipment.The mounted probe card has a tilt on the prober equipment when inspecting the wafer chip. In the instantaneous tilt when contacting the wafer, either the left or the right of the probe head contacts the wafer first.
이렇게 먼저 접촉되는 영역의 웨이퍼상의 반도체칩의 패드들은 접촉마크가 크고 길게 되고 나중에 접촉되는 영역의 웨이퍼상의 반도체칩의 패드들은 접촉마크가 작고 짤게 되어 검사가 불안정 하게 되는 문제점이 발생된다.Thus, the pads of the semiconductor chip on the wafer in the first contacting area have a large contact mark, and the pads of the semiconductor chip on the wafer in the later contacting area have a small contact mark and become squeezed, resulting in unstable inspection.
상술한 문제가 해결되지 않은 프로브카드는 향후 12인치 이상의 웨이퍼에 패턴이 형성된 반도체 전체 칩들을 한번에 검사시에는 상기 불안정 문제가 더욱 발생 될 것이 예상된다.The probe card, which has not solved the above-described problem, is expected to further generate the instability problem when the entire semiconductor chip having a pattern formed on a wafer of 12 inches or more is examined at a time.
대형화 웨이퍼를 1번에 검사 할수 있는 시대적 요구는 프로브카드의 프로브핀에 탄성흡수하여 탄성완화기능이 있는 3세대 프로브핀이에야 하며, 리페어가 쉽고 웨이퍼 전체를 한번에 검사를 할수 있어야하며, 프로브핀 X축,Y축 포지션 정밀도가 ±5um 이내로 조립되는 것이 바람직한 것이다.The era demand for inspecting large-sized wafers at one time should be 3rd generation probe pins with elastic relaxation function by absorbing the probe pins of the probe card, easy to repair and inspect the whole wafer at once, and probe pin X It is desirable to assemble the axis and Y-axis position accuracy within ± 5um.
즉, 프로브핀은 전극패드 중심에서 X축,Y축 포지션 정밀도가 ±5um 이내로 되고, 프로브핀이 동작시 스크러브 접촉마크 크기는 일정하고 더 작게되며, 프로브핀이 동작시 스크러브 접촉마크 위치도 동일위치에 접촉되며, 프로브핀이 동작시 스크러브 접촉 깊이는 얕게 할수록 좋으며 접촉깊이는 2500옹스트롬 이하가 바람직 하다.In other words, the probe pin has X-axis and Y-axis position accuracy within ± 5um at the center of the electrode pad, and the size of the scrub contact mark is constant and smaller when the probe pin operates, and the position of the scrub contact mark when the probe pin operates. In the same position, when the probe pin is operated, the shallower the scrub contact depth is, the better and the contact depth is preferably 2500 Angstrom or less.
또한, 접촉 밀림길이는 X10um, Y15um, 침압은 오버드라이브 50um에 1.2g 이 바람직하며 프로브핀의 두께는 30um 이내로 일수록 좋다.In addition, the contact push length is X10um, Y15um, the settling pressure is preferably overdrive 50um 1.2g and the thickness of the probe pin is better within 30um.
종래의 마이크로 맴스프로브핀은 빔부가 캔틸레버형으로 되어 있다.In the conventional micro mass probe pin, the beam part is a cantilever type.
상기 마이크로 맴스프로브핀은 침부가 반도체칩의 금속패드에 접촉시 빔부와 지지부의 만곡부에 응력이 집중적으로 발생하여 프로브핀이 파괴되는 문제점이 있었고, 상기 마이크로 맴스프로브핀의 접합부는 인터포져나 인쇄회로기판의 통전패드에 접촉시 지지부에서 접합부에 응력이 집중적으로 발생하여 통전패드에서 이탈되는 문제점이 있었다.The micro-mass probe pin has a problem that the probe pin is destroyed when the needle is in contact with the metal pad of the semiconductor chip due to the intensive stress on the curved portion of the beam and the support portion, the junction portion of the micro-mass probe pin is an interposer or When contacting the conductive pad of the printed circuit board, the stress occurs in the joint portion in the support portion has a problem that the separation from the conductive pad.
반도체칩의 다양한 전극패드를 요구되는 칩압으로 검사 할수 있어야 한다.Various electrode pads of the semiconductor chip should be able to be inspected at the required chip pressure.
또한, 프로브핀이 정밀하게 조립이 않되어 중간기판부재와 인쇄회로기판의 통전전극 패드랜드에 접촉 불량성으로 인한 문제를 감소시키는 것이다.In addition, the probe pin is not precisely assembled to reduce the problem caused by poor contact between the intermediate substrate member and the pad electrode electrode of the printed circuit board.
프로브핀의 빔부와 지지부와 접합부에 칩압을 유지하며 과도한 탄성을 제어하는 기능성 프로브핀을 멤스공정으로 제안하는 형상으로 제조하는 것이다.Functional probe pins that maintain chip pressure and control excessive elasticity at the beam part, the support part and the junction part of the probe pin are manufactured in the shape proposed by the MEMS process.
상부프로브핀은 웨이퍼에 접촉되는 침부와, 침부단 에서 빔부로 구부러지는 상측꺽임부와 빔부가 지지부로 연장되는 만곡부에 복수의 응력완화부를 더 부가 하여 탄성흡수를 더 좋게 하는 프로브핀이 되는 것이다.The upper probe pin is a probe pin for adding elasticity to the needle contacting the wafer, the upper bending part bent from the needle end to the beam part, and a plurality of stress relaxation parts added to the curved part extending from the beam part to the support part.
상부프로브핀과 하부프로브핀의 프로브핀 지지부 양측에 정합홈을 형성하고 상기 지지부의 저면중앙에 위치하는 접합부는 'ㄷ' 자 형상으로 형성하는 것이다.Forming grooves are formed on both sides of the probe pin support portion of the upper probe pin and the lower probe pin, and the junction portion located at the center of the bottom surface of the support portion is formed in a 'c' shape.
상부프로브핀 접합부와 하부프로브핀 접합부에는 상기 접합부가 중간기판부재나 회로기판블록에 배설된 통전패드랜드에 접촉시 접합부가 통전패드랜드에서 이탈 방지하는 이탈방지부 형상을 상기 상부프로브핀의 접합부와 상기 하부프로브핀의 접합부에 형성하는 것이다.The upper probe pin junction and the lower probe pin junction have a separation prevention shape that prevents the junction from being separated from the energization pad land when the junction contacts the energization pad land disposed on the intermediate board member or the circuit board block. It is formed on the junction of the lower probe pin.
그리고, 반도체칩의 다양한 통전전극패드를 요구되는 칩압으로 검사할수 있도록 프로브핀 빔부 길이을 조절할 수 있어 상기 빔부 길이에 따라 빔부와 지지부에 응력완화부을 접합부에 이탈방지부을 형상을 형성하여 요구되는 침압으로 반도체칩의 다양한 통전전극패드을 검사할 수 있는 것이다.In addition, the length of the probe pin beam portion can be adjusted so that various conductive electrode pads of the semiconductor chip can be inspected at the required chip pressure. Thus, the stress relief portion is formed in the beam portion and the support portion according to the beam portion length, and the separation prevention portion is formed at the junction portion. It is possible to inspect various conductive electrode pads of the chip.
프로브핀에 빔부와 지지부에 응력완화부을 접합부에 이탈방지부을 형성하여 접촉평탄으로 인한 과도한 침압이 제어되며 프로브핀을 정밀한 위치에 삽입하고 균일하고 신속한 조립을 할 수 있고 프로브핀이 파괴시 분리가 용이하므로 신속하게 수리가 가능하다.The stress relief part at the beam pin and the support part is formed at the junction to prevent the break-out part at the junction to control excessive sedimentation due to contact flatness.The probe pin can be inserted in a precise position and can be assembled quickly and uniformly. So it can be repaired quickly.
반도체칩의 다양한 전극패드를 요구되는 칩압으로 검사 할수 있도록 프로브핀 빔부 길이을 조절할수 있어 상기 빔부에 길이에 따라 지지부에 응력완화부 또는 접합부에 이탈방지부 형상을 형성하여 요구되는 침압으로 반도체 칩을 검사할 수 있는 프로브핀 제공 할수 있는 것이다.The length of the probe pin beam part can be adjusted so that various electrode pads of the semiconductor chip can be inspected at the required chip pressure. According to the length of the beam part, the shape of the stress relief part or the separation prevention part is formed in the support part according to the length, and the semiconductor chip is inspected with the required settling pressure. Probe pin can be provided.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 기술적 사상과 범주내 에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, but various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention.
상부프로브핀(5,5A)을 등간격으로 고정 배열하는 상부정열판의 정열돌기 중앙에 형성된 삽입홈은 동일 길이방향으로 일열로 등간격으로 다수개 개구되고 삽입홈의 양측에 정열돌기가 상부로 돌출된 상부정열판의 정열돌기는 길이방향으로 개구된 삽입홈과 동일간격으로 일부깊이만 고정슬릿이 다수개 형성되는 것이다.The insertion grooves formed in the center of the alignment protrusions of the upper alignment plate for arranging the
하부프로브핀(20,20A)을 등간격으로 고정 배열하는 하부정열판은 정열돌기와 하부프로브핀 삽입홈이 개구되어 형성되는 것이다.The lower alignment plate for fixing the
상기 하부정열판은 중앙에 형성된 삽입홈은 동일길이 방향으로 등간격으로 지그재그 배열로 다수개 개구되고 삽입홈의 양측에 정열돌기가 하부로 돌출된 하부정열판과 하부로 돌출된 정열돌기는 길이방향으로 개구된 삽입홈과 동일간격으로 일부깊이만 고정슬릿이 다수개 형성되는 것이다.The lower alignment plate has a plurality of insertion grooves formed at the center thereof in a zigzag arrangement at equal intervals in the same length direction, and the lower alignment plate protruding downward from the alignment grooves on both sides of the insertion groove and the alignment protrusions projecting downward in the longitudinal direction. A plurality of fixed slits are formed only at a partial depth at the same interval as the inserted grooves.
프로브핀(35A,35B,35C)은 다층회로기판 통전전극,정열판 통전전극에 접합하는 프로브핀이다.The
프로브핀(35A)의 접합부는 상부정열판의 통전전극에 접합되며 상기 프로브핀의 정합편이 상기 상부정열판의 정열돌기에 정합하여 고정되며 상기 프로브핀을 고정하는 상기 상부정열판의 상면에는 통전전극이 동일 길이방향으로 등간격으로 다수개 배설되고, 상기 통전전극의 양측에는 정열돌기가 형성된 구조로 이루어진 것이다.The junction portion of the
또한, 상부로 돌출된 정열돌기는 길이방향으로 일부깊이만 고정슬릿이 다수 개 형성되 있는 것이다.In addition, the alignment protrusion protruding upward is a plurality of fixed slits formed only a part of the depth in the longitudinal direction.
프로브핀(35B)의 접합홈이 상부정열판의 통전전극에 접합되며 상기 프로브핀의 고정지지편(38)은 상기 상부정열판의 고정패드에 접합하여 고정되며, 중간기판부재의 상면 전극패드에 연결된 상부연결핀이 상기 상부정열판의 하면의 통전패드에 접합하면 전극패드에 연결된 하부연결핀은 인쇄회로기판에 배설된 패드랜드에 접합으로 통전되는 것이다.The bonding groove of the
프로브핀(35C)의 접합홈이 상부정열판의 통전전극에 접합되며 상기 프로브핀의 장착지지편은 상기 상부정열판의 장착지지편홈(84)에 접합하여 장착되며, 중간접촉정열판에 고정된 중간접촉핀의 상부접합핀이 상기 상부정열판 하면에 형성된 통전패드에 접합하며 상기 중간접촉핀의 하부접촉핀은 인쇄회로기판에 배설된 패드랜드에 접합으로 통전되는 것이다.The bonding groove of the
도 1a에서와 같이, 상부프로브핀(5)은 상부정열판의 상면에 결합되어 웨이퍼와 접촉되는 것으로서 이는 빔부(1)와 지지부(2) 및 접합부(3)가 일체로 성형된 형상으로 이루어진 것이다.As shown in Figure 1a, the upper probe pin (5) is coupled to the upper surface of the upper alignment plate in contact with the wafer, which is made of a shape in which the beam portion 1, the support portion 2 and the junction portion 3 is integrally formed. .
상기 상부프로브핀(5)은 웨이퍼에 접촉되는 침부와 침부 단에서 빔부로 구부러지는 상측꺽임부(1b)와 빔부(1)가 지지부(2)로 연장되는 만곡부(1c)에 복수의 탄성흡수부가 더 부가 되어지는 것이고 부가된 탄성흡수부(1b,1c)의 수량은 오버드라이브나 침압에 따라 다수개 부가 되는 것이며 또한, 부가되는 위치는 상부프로브핀(5)의 동작시 응력변형이 많이 받는 부위에 부가되는 것이다.The upper probe pin 5 has a plurality of elastic absorbing portions in the upper portion (1b) bent to the beam portion at the needle portion and the needle end contacting the wafer and the curved portion (1c) in which the beam portion 1 extends to the support portion (2) The number of additional elastic absorbing parts (1b, 1c) to be added is added in accordance with the overdrive or needle pressure, and the added position is a site that receives a lot of stress deformation during operation of the upper probe pin (5) Is to be added to.
상기 탄성흡수부(1b,1c) 형상은 중앙에는 일정공간부를 유지한 절취부가 형 성되고 이 절취부의 내측 단부는 원형으로 마감 처리한 것이다.The elastic absorbing portion (1b, 1c) is formed in the center of the cut portion holding a certain space portion, the inner end of the cut portion is a circular finish.
그리고, 지지부(2)의 하면 중앙에는 접합부(3)가 하측으로 연장된 것으로서 상기 접합부(3)는 역 'ㄷ' 자 형상(3a)으로서 회로기판블록 상면에 배설된 통전패드랜드 위치에 따라 'ㄷ' 자 형상(3b)으로 형성되는 것이다.And, in the center of the lower surface of the support portion 2, the junction portion 3 extends downward, and the junction portion 3 is an inverted 'C' shape 3a, depending on the position of the energizing pad land disposed on the upper surface of the circuit board block. It is formed in the c'-shape (3b).
상기 상부프로브핀(5)의 지지부(2)는 하측의 양측에 상부정열판에 형성된 정열돌기에 정합되는 정합홈(2a)이 하측 양측에 형성되고, 상측의 일단에는 침부선단(1a)이 웨이퍼 반도체칩 패드에 접촉시에 침부가 과도한 상,하 동작시 빔부가 지지부 상측에 닿지 않게 지지부 상측 일측면을 하향된 형상으로 하향홈(2c)이 부가된 구성으로 이루어진 것이다.The supporting portion 2 of the upper probe pin 5 has matching
도 1b에서와 같이, 상부프로브핀(5A)은 상부정열판의 하면에서 결합되어 반도체칩의 전극패드와 접촉되는 것으로서, 이는 빔부(1)와 지지부(2) 및 접합부(3)가 일체로 성형된 구성으로 이루어진 것이다.As shown in Figure 1b, the upper probe pin (5A) is coupled to the lower surface of the upper alignment plate to be in contact with the electrode pad of the semiconductor chip, which is formed by integrally forming the beam portion 1, the support portion 2 and the junction portion 3 It is composed of
상기 상부프로브핀(5A)을 구성하는 지지부(2)에 형성된 정합홈(2b)은 상부정열판을 구성하는 정열돌기가 하면으로 돌출되면 정합홈(2b)은 지지부 상측에 형성되어 정합홈(2b)이 정열돌기와 정합되어 고정되는 것이다.When the matching groove 2b formed in the support portion 2 constituting the
상기 상부프로브핀(5)의 지지부에는 빔부가 지지부에 닿는 것을 제한하는 제한돌기(2d)가 형성되는 것이다.The support portion of the upper probe pin (5) is formed with a limiting projection (2d) for limiting the contact of the beam portion to the support portion.
그리고, 지지부(2)의 저면 중앙에는 접합부(3)가 하측으로 길게 연장된 것으로 상부정열판의 개구된 삽입홈에 삽입되어 상기 접합부(3)는 'ㄷ' (3a)형상으로서 접합부단면이 회로기판블록 상면의 지그재그로 배설된 범프에 접합되며 상기 회로 기판블록 상면에 지그재그로 배설된 범프 위치에 따라 역 'ㄷ' 자 형상(3b)으로 형성되는 것이다.In the center of the bottom surface of the support part 2, the joint part 3 is extended to the lower side and inserted into the open insertion groove of the upper alignment plate, so that the junction part 3 has a 'c' (3a) shape and the junction part cross section is a circuit. It is bonded to the bumps disposed zigzag on the upper surface of the substrate block and is formed in an inverted 'c' shape (3b) according to the bump position disposed zigzag on the upper surface of the circuit board block.
상기 상부프로브핀(5,5A)의 접합부(3)에는 내측에는 이탈방지부(3c) 형상이 형성되는 것이다.The junction part 3 of the
상기 이탈방지부(3c)는 상기 상부프로브핀(5,5A)의 접합부(3)가 중간기판부재나 회로기판블록에 배설된 통전패드랜드에 접촉시 접촉침압을 완화하고 비틀림이 축소되여 접합부(3)가 통전패드랜드에서 이탈을 방지하는 것이다.The detachment preventing part 3c is a joint part (reducing the torsional pressure and reducing the torsion when the junction part 3 of the
상기 이탈방지부(3c) 형상은 요구되는 침압에 따라 "ㄷ"형상, 역 "ㄷ"형상, "ㄴ"형상, 역 "ㄴ"형상, "ㄱ"형상, 역 "ㄱ"형상, "C"형상,역 "C"형상, "l"형상 중에서 어느 하나를 선정하여 형성되는 것이다.The departure prevention portion 3c has a shape of "c", inverse "c", "b", inverse "b", "a", inverse "a", and "c" according to the required settling pressure. It is formed by selecting any one of a shape, an inverse "C" shape, and a "l" shape.
상기 이탈방지부(3c) "ㄷ"형상, 역 "ㄷ"형상, "ㄴ"형상, 역 "ㄴ"형상, "ㄱ"형상, 역 "ㄱ"형상, "C"형상,역 "C"형상, "l"형상은 각 각 형상 내측은 개구되어 있는 것이다.The departure prevention part 3c "c" shape, inverse "c" shape, "b" shape, inverse "b" shape, "a" shape, inverse "a" shape, "c" shape, inverse "c" shape "1" shape is an opening inside each shape.
도 2a에서와 같이, 하부프로브핀(20)은 상부접합부(21)와 지지부(22) 및 하부접합부(23)로 구성된다.As shown in FIG. 2A, the
상기 하부프로브핀(20)의 지지부(22) 상부중앙에 위치하는 상부접합부(21)는 'ㄷ' 자(21a) 또는 역 'ㄷ' 자(21b)형상으로 형성되고, 하부 중앙에 위치하는 하부접합부(23)는 'ㄷ' 자 (23a) 또는 역 'ㄷ' 자(23b) 형상으로 형성되고 하부정열판 정열돌기 방향 위치에 따라 상기 하부프로브핀(20)을 구성하는 지지부(22)에 형성된 정합홈은 하부정열판의 정열돌기가 하면으로 돌출되면 정합홈(22a)은 지지부 상 측에 형성되어 정합홈(22a)이 하부정열판의 정열돌기와 정합되어 고정되는 것이다.The
상기 하부프로브핀(20) 상부접합부(21)의 단면은 상술한 회로기판블록 하면에 형성된 통전패드랜드에 접합되며 하부접합부(23)의 단면은 인쇄회로기판에 배설된 통전패드랜드에 접합되는 것이다.The cross section of the
도 2b에서와 같이, 하부프로브핀(20A)은 상부접합부(21)와 지지부(22) 및 하부접합부(23)로 구성된다.As shown in FIG. 2B, the
상기 하부프로브핀(20A)을 구성하는 지지부(22)에 형성된 정합홈은 하부정열판을 구성하는 정열돌기가 상면으로 돌출되면 정합홈(22b)은 지지부 하측에 형성되어 정합홈(22b)이 하부정열판의 정열돌기와 정합되어 고정되는 것이다.The matching groove formed in the
상기 하부프로브핀(20A) 지지부(22)의 상부 중앙에 위치하는 접합부는 'ㄷ'자(21a) 또는 역 'ㄷ'자(21b)형상으로 형성되고 하부 중앙에 위치하는 접합부는 'ㄷ'자(23a) 또는 역 'ㄷ'자(23b) 형상으로 형성되는 것이다.The junction part located in the upper center of the
상기 하부프로브핀(20A)은 지지부(22) 만곡부에 응력변형을 완화시키는 응력완화부(24)가 형성되며 상기 응력완화부(24)는 부채살 형상으로 지지부(22)의 상부만곡부(24a)와 하부만곡부(24b)에 형성되고 상기 응력완화부(24)의 부채살(24a,24b)형상은 내측은 일정공간부를 유지한 절취부가 형성되고 이 절취부의 내측단부는 반원으로 마감 처리한 것이다.The
상기 응력완화부(24)은 지지부 내측에서 만곡부측으로 방사형으로 되며 상기 응력완화부(24)의 부채살 형상 수량은 요구되는 오버드라이브에 따라 다수개가 결정되는 것이다.The stress relief part 24 is radial from the inside of the support to the bent part, and the number of fan-shaped shapes of the stress relief part 24 is determined in plural according to the required overdrive.
상기 하부프로브핀(20A)을 구성하는 지지부(22)에서 상측으로 연장된 상부접합부(21)는 회로기판블록 상면의 지그재그로 배설된 범프에 접합하여 통전되고 하부프로브핀(20A)을 구성하는 지지부(22)에서 하측으로 연장된 하부접합부(23)는 인쇄회로기판에 배설된 패드랜드에 접합하여 통전하는 것이다.The
상기 하부프로브핀(20,20A)의 상부접합부(21)는 내측에는 이탈방지부(21c) 형상이 형성되고 상기 하부프로브핀(20,20A)의 하부접합부(23)는 내측에는 이탈방지부(23c)형상이 형성되는 것이다.The
상기 이탈방지부(21c,23c)는 상기 하부프로브핀(20,20A)의 상부접합부(21)와 하부접합부(23)가 중간기판부재나 회로기판블록에 배설된 통전패드랜드에 접촉시 접촉침압을 완화하고 비틀림이 축소되여 상기 상부접합부(21)와 상기 하부접합부(23)가 통전패드랜드에서 이탈을 방지하는 것이다.The
상기 탄성완화부(21c,23c) 형상은 요구되는 침압에 따라 "ㄷ"형상, 역 "ㄷ"형상, "ㄴ"형상, 역 "ㄴ"형상, "ㄱ"형상, 역 "ㄱ"형상, "C"형상,역 "C"형상, "l"형상 중에서 어느 하나를 선정하여 형성되는 것이다.The
상기 이탈방지부(3c) "ㄷ"형상, 역 "ㄷ"형상, "ㄴ"형상, 역 "ㄴ"형상, "ㄱ"형상, 역 "ㄱ"형상, "C"형상,역 "C"형상, "l"형상은 각각 형상 내측은 개구되어 있는 것이다.The departure prevention part 3c "c" shape, inverse "c" shape, "b" shape, inverse "b" shape, "a" shape, inverse "a" shape, "c" shape, inverse "c" shape "1" shape is an opening inside the shape, respectively.
상기 상부프로브핀(5,5A)과 상기 하부프로브핀(20,20A)에 형성된 정합홈 각도는 45도 내지 90도의 각도로 형성하는 것이 바람직하다.The matching groove angles formed in the upper probe pins 5 and 5A and the lower probe pins 20 and 20A are preferably formed at an angle of 45 degrees to 90 degrees.
실시예2Example 2
도 3a 내지 도 3c의 프로브핀은 다층회로기판 통전전극,정열판통전전극에 접합하는 프로브핀이다.The probe pins of FIGS. 3A to 3C are probe pins bonded to the multilayer circuit board conduction electrode and the alignment plate conduction electrode.
상기 도 3a 내지 도 3c의 프로브핀의 지지부(32) 상측 일단에는 빔부가 지지부에 닿는 것을 제한하는 제한돌기(33b)가 형성 되있는 것이다.3A to 3C, a limiting
상기 도 3a 내지 도 3c의 프로브핀의 지지부(32)의 만곡부에는 응력변형을 완화시키는 응력완화부(33)가 형성되며 상기 응력완화부(33)는 부채살 형상으로 형성되며 상기 응력완화부(33)의 부채살 형상은 내측은 일정공간부를 유지한 절취부(33a)가 형성되고 이 절취부의 내측 단부는 반원으로 마감 처리한 것이다.The curved portion of the
상기 프로브핀의 응력완화부(33)의 부채살 형상은 지지부 내측에서 만곡부측으로 방사형으로 되며 부채살 수량은 요구되는 오버드라이브와 칩압에 따라 다수개가 결정되는 것이다.The fan blade shape of the
상기 도 3a 내지 도 3c로 형성되는 상기 프로브핀은 지지부 상측과 지지부의 형상과 기능은 같고 지지부(32) 하측 접합부(34) 형상에 따라 도 3a는 형상은 프로브핀(34A)으로 형성되고, 도 3b는 형상은 프로브핀(34B)으로 형성되고, 도 3c는 형상은 프로브핀(34C)으로 형상으로 형성되는 것이다.3A to 3C have the same shape and function as that of the upper part of the support part and the support part, and according to the shape of the
도 3a 같은, 프로브핀(35A)은 지지부(32) 하측은 접합부(34)가 형성되고 접합부 일단에는 통전전극패드에 접합되는 접합홈(34a)이 형성되고 접합홈 양측에는 정합편(39)이 형성되어 정합편은 정열돌기에 고정되는 것이다.As shown in FIG. 3A, the
도 3b 같은, 프로브핀(35B)은 지지부(32) 하측은 접합부(34)가 형성되고 접합부 일단에는 통전전극패드에 접합되는 접합홈(34a)이 형성되고 접합홈 양측에는 장착지지편(36)이 형성되어 장착지지홈에 장착되는 것이다.As shown in FIG. 3B, the
도 3c 같은, 프로브핀(35C)은 지지부(32) 하측은 접합부(34)가 형성되고 접합부 일단에는 통전전극패드에 접합되는 접합홈(34b)이 형성되 있고 접합홈 양측에는 고정지지편(38)이 형성되어 고정패드에 접합되는 것이다.As shown in FIG. 3C, the
도 1a은 본 발명의 제1실시예의 상부프로브핀을 예시한 단면도.Figure 1a is a cross-sectional view illustrating the upper probe pin of the first embodiment of the present invention.
도 1b은 본 발명의 제1실시예의 다른 상부프로브핀을 예시한 단면도.Figure 1b is a cross-sectional view illustrating another upper probe pin of the first embodiment of the present invention.
도 2a은 본 발명의 제1실시예의 하부프로브핀을 예시한 단면도.Figure 2a is a cross-sectional view illustrating a lower probe pin of the first embodiment of the present invention.
도 2b은 본 발명의 제1실시예의 다른 하부프로브핀을 예시한 단면도.Figure 2b is a cross-sectional view illustrating another lower probe pin of the first embodiment of the present invention.
도 3A,3B,3C는 본 발명의 제2실시예의 프로브핀을 예시한 단면도.3A, 3B and 3C are cross-sectional views illustrating probe pins of a second embodiment of the present invention;
<도면의 주요 부분에 대한 부호><Code for main part of drawing>
1:빔부 1b,1c:탄성흡수부 2:지지부1:
3:접합부 3c:이탈방지부 5,5A:상부프로브핀3: Junction 3c:
20,20A:하부프로브핀 21:상부접합부 23:하부접합부20,20A: Lower probe pin 21: Upper junction 23: Lower junction
21c,23c: 이탈방지부 24:응력완화부21c, 23c: Breakaway prevention part 24: Stress relief part
35A,35B,35C:프로브핀 33:응력완화부35A, 35B, 35C: probe pin 33: stress relief
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090092392A KR101650768B1 (en) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | Advanced Probe Pin |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090092392A KR101650768B1 (en) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | Advanced Probe Pin |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110034905A true KR20110034905A (en) | 2011-04-06 |
KR101650768B1 KR101650768B1 (en) | 2016-08-25 |
Family
ID=44043329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090092392A KR101650768B1 (en) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | Advanced Probe Pin |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101650768B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100799237B1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-01-30 | 송광석 | Advanced probe pin and probe pin bar assembly |
KR20090083530A (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-04 | 송광석 | Electric conduction pin, method of manufacturing the electric conduction pin |
KR20090096582A (en) * | 2009-04-22 | 2009-09-11 | 주식회사 엠아이티 | Advanced Probe cards and method of constitution the Probe head assembly thereof |
-
2009
- 2009-09-29 KR KR1020090092392A patent/KR101650768B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
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KR20090096582A (en) * | 2009-04-22 | 2009-09-11 | 주식회사 엠아이티 | Advanced Probe cards and method of constitution the Probe head assembly thereof |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR101650768B1 (en) | 2016-08-25 |
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